JP2020204609A5 - Power cycle test equipment - Google Patents
Power cycle test equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020204609A5 JP2020204609A5 JP2020099543A JP2020099543A JP2020204609A5 JP 2020204609 A5 JP2020204609 A5 JP 2020204609A5 JP 2020099543 A JP2020099543 A JP 2020099543A JP 2020099543 A JP2020099543 A JP 2020099543A JP 2020204609 A5 JP2020204609 A5 JP 2020204609A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- signal
- power
- voltage
- power semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (10)
前記素子端子に接続する接続構造体と、 a connection structure connected to the element terminal;
前記接続構造体に接続された接続配線と、 a connection wiring connected to the connection structure;
前記信号端子に接続された信号配線と、 a signal wiring connected to the signal terminal;
前記信号配線に接続されたゲートドライバ回路と、 a gate driver circuit connected to the signal wiring;
試験電流または試験電圧を供給する電源装置と、 a power supply that supplies a test current or test voltage;
オンすることにより前記接続配線および前記接続構造体を介して、前記パワー半導体素子の素子端子に前記試験電流または試験電圧を供給する第1のスイッチ回路を具備し、 a first switch circuit that is turned on to supply the test current or test voltage to the device terminals of the power semiconductor device via the connection wiring and the connection structure;
前記ゲートドライバ回路は、前記パワー半導体素子をオンまたはオフさせる信号電圧を前記信号配線に印加し、 The gate driver circuit applies a signal voltage for turning on or off the power semiconductor element to the signal wiring,
前記加熱冷却器および前記パワー半導体素子は密閉性を有する第1の室に配置され、 The heating cooler and the power semiconductor element are arranged in a first chamber having airtightness,
前記第1の室に、結露を防止するドライエアが流入されることを特徴とするパワーサイクル試験装置。 A power cycle test apparatus, wherein dry air for preventing dew condensation is flowed into the first chamber.
前記素子端子に接続する接続構造体と、 a connection structure connected to the element terminal;
前記接続構造体に接続された接続配線と、 a connection wiring connected to the connection structure;
前記信号端子に接続された信号配線と、 a signal wiring connected to the signal terminal;
前記信号配線に接続されたゲートドライバ回路と、 a gate driver circuit connected to the signal wiring;
試験電流または試験電圧を供給する電源装置と、 a power supply that supplies a test current or test voltage;
オンすることにより前記接続配線および前記接続構造体を介して、前記パワー半導体素子の素子端子に前記試験電流または試験電圧を供給する第1のスイッチ回路と、 a first switch circuit that is turned on to supply the test current or test voltage to the device terminals of the power semiconductor device via the connection wiring and the connection structure;
オンすることにより前記電源装置の出力を短絡する第2のスイッチ回路を具備し、 a second switch circuit that short-circuits the output of the power supply when turned on;
前記ゲートドライバ回路は、前記パワー半導体素子をオンまたはオフさせる信号電圧を前記信号配線に印加し、 The gate driver circuit applies a signal voltage for turning on or off the power semiconductor element to the signal wiring,
前記加熱冷却器およびパワー半導体素子は第1の室に配置され、 The heating cooler and the power semiconductor element are arranged in a first chamber,
前記第1のスイッチ回路および前記第2のスイッチ回路は、第2の室に配置されていることを特徴とするパワーサイクル試験装置。 A power cycle test apparatus, wherein the first switch circuit and the second switch circuit are arranged in a second chamber.
前記素子端子に接続する接続構造体と、 a connection structure connected to the element terminal;
前記接続構造体に接続された接続配線と、 a connection wiring connected to the connection structure;
前記信号端子に接続された信号配線と、 a signal wiring connected to the signal terminal;
前記信号配線に接続されたゲートドライバ回路と、 a gate driver circuit connected to the signal wiring;
前記信号配線に接続された端子電圧測定回路と、 a terminal voltage measuring circuit connected to the signal wiring;
試験電流または試験電圧を供給する電源装置と、 a power supply that supplies a test current or test voltage;
オンすることにより前記接続配線および前記接続構造体を介して、前記パワー半導体素子の素子端子に前記試験電流または試験電圧を供給する第1のスイッチ回路を具備し、 a first switch circuit that is turned on to supply the test current or test voltage to the device terminals of the power semiconductor device via the connection wiring and the connection structure;
前記ゲートドライバ回路は、前記パワー半導体素子をオンまたはオフさせる信号電圧を前記信号配線に印加し、 The gate driver circuit applies a signal voltage for turning on or off the power semiconductor element to the signal wiring,
前記端子電圧測定回路は、前記信号電圧に同期して前記パワー半導体素子の素子端子間の端子電圧を測定し、前記端子電圧に基づき前記パワー半導体素子の試験の停止あるいは制御方法を変更することを特徴とするパワーサイクル試験装置。 The terminal voltage measuring circuit measures the terminal voltage between the device terminals of the power semiconductor device in synchronization with the signal voltage, and stops the test of the power semiconductor device or changes the control method based on the terminal voltage. Characterized power cycle test equipment.
前記素子端子に接続する接続構造体と、 a connection structure connected to the element terminal;
前記接続構造体に接続された接続配線と、 a connection wiring connected to the connection structure;
前記信号端子に接続された信号配線と、 a signal wiring connected to the signal terminal;
前記信号配線に接続されたゲートドライバ回路と、 a gate driver circuit connected to the signal wiring;
前記信号配線に接続された端子電圧測定回路と、 a terminal voltage measuring circuit connected to the signal wiring;
前記信号配線に接続された定電流回路と、 a constant current circuit connected to the signal wiring;
試験電流または試験電圧を供給する電源装置と、 a power supply that supplies a test current or test voltage;
オンすることにより前記接続配線および前記接続構造体を介して、前記パワー半導体素子の素子端子に前記試験電流または試験電圧を供給する第1のスイッチ回路と、 a first switch circuit that is turned on to supply the test current or test voltage to the device terminals of the power semiconductor device via the connection wiring and the connection structure;
オンすることにより前記電源装置の出力を短絡する第2のスイッチ回路を具備し、 a second switch circuit that short-circuits the output of the power supply when turned on;
前記ゲートドライバ回路は、前記パワー半導体素子をオンまたはオフさせる信号電圧を前記信号配線に印加し、 The gate driver circuit applies a signal voltage for turning on or off the power semiconductor element to the signal wiring,
前記定電流回路は定電流を前記信号配線に供給し、前記端子電圧測定回路は前記定電流が供給された端子間の電圧を測定することを特徴とするパワーサイクル試験装置。 A power cycle test apparatus, wherein the constant current circuit supplies a constant current to the signal wiring, and the terminal voltage measuring circuit measures a voltage between terminals to which the constant current is supplied.
前記スライド溝に前記接続構造体をスライドさせて、前記接続構造体と前記素子端子を接続することを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4記載のパワーサイクル試験装置。 5. The power cycle test apparatus according to claim 1, wherein the connection structure is slid into the slide groove to connect the connection structure and the device terminal. .
前記接続部または前記押圧具と、前記接続金具部間に前記素子端子を挟持させて接続し、 The element terminal is sandwiched between the connecting portion or the pressing member and the connecting fitting portion for connection,
前記接続部または前記押圧部の表面が、粗面化されていることを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4記載のパワーサイクル試験装置。 5. The power cycle test apparatus according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein a surface of said connecting portion or said pressing portion is roughened.
漏れた前記液体の排水用の溝が形成され、 grooves are formed for drainage of said leaked liquid;
前記漏水センサの動作により、パワーサイクル試験装置を停止または警報を発することを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4記載のパワーサイクル試験装置。 5. The power cycle test apparatus according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein operation of said water leakage sensor stops the power cycle test apparatus or issues an alarm.
前記素子端子に前記接続配線が接続され、 the connection wiring is connected to the element terminal;
前記信号端子に前記信号配線が接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4記載のパワーサイクル試験装置。 5. The power cycle test apparatus according to claim 1, wherein said signal wiring is connected to said signal terminal.
前記第1のスイッチ回路は、オンすることにより前記第1の導体板と前記第2の導体板を短絡し、 The first switch circuit short-circuits the first conductor plate and the second conductor plate by being turned on,
前記パワー半導体素子は、第1の室に配置され、 The power semiconductor element is arranged in a first chamber,
前記第1のスイッチ回路基板は、第2の室に配置され、 the first switch circuit board is disposed in a second chamber;
前記第1の室と前記第2の室間に開口部が形成され、 an opening is formed between the first chamber and the second chamber;
前記素子端子と前記第1の導体板は、前記開口部を介して接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2または請求項3または請求項4記載のパワーサイクル試験装置。 5. The power cycle test apparatus according to claim 1, wherein said element terminal and said first conductor plate are connected through said opening.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019110761 | 2019-06-14 | ||
JP2019110761 | 2019-06-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020204609A JP2020204609A (en) | 2020-12-24 |
JP2020204609A5 true JP2020204609A5 (en) | 2023-05-19 |
Family
ID=73837994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020099543A Pending JP2020204609A (en) | 2019-06-14 | 2020-06-08 | Electric element test device and electric element test method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020204609A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7343180B2 (en) * | 2019-08-07 | 2023-09-12 | 株式会社クオルテック | Electrical element testing equipment |
CN115680005B (en) * | 2022-10-09 | 2024-10-18 | 中交第一公路勘察设计研究院有限公司 | Highway assembled overhead structure in high-intensity permafrost region and construction method |
-
2020
- 2020-06-08 JP JP2020099543A patent/JP2020204609A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105588958B (en) | A kind of quick multifunctional electronic component temperature characteristic measuring instrument and test cavity | |
US9353995B2 (en) | Temperature control module for a socket | |
JP2020204609A5 (en) | Power cycle test equipment | |
US7457117B2 (en) | System for controlling the temperature of electronic devices | |
US9841459B2 (en) | Device and method for controlling IC temperature | |
CN104904007A (en) | Thermal head for device under test and method for controlling the temperature of device under test | |
CN111103521B (en) | SMD packaged semiconductor device junction-to-shell thermal resistance test fixture | |
FR3098078B1 (en) | Printed circuit and method for measuring temperature in an electrical power connector | |
CN116754918A (en) | Wafer-level semiconductor high-voltage reliability test fixture | |
JP2021113800A5 (en) | power cycle test equipment | |
JP2021013297A5 (en) | Electrical element test equipment | |
JP2021021721A5 (en) | Semiconductor device test equipment | |
CN112198189B (en) | Power module thermal resistance testing device based on static measurement method | |
CN219736599U (en) | Terminal temperature measurement structure | |
CN116819289A (en) | Chip aging testing device | |
CN111521922A (en) | Power cycle test device and system for semiconductor device | |
KR101438692B1 (en) | Temperature measuring apparatus for semiconductor | |
CN215931730U (en) | Measuring device for thermal conductivity of insulating heat-conducting paste | |
CN216526150U (en) | High and low temperature measuring device for semiconductor chip | |
TWI603172B (en) | Temperature controlling device and method for ic | |
JP2021026009A5 (en) | Electrical element test equipment | |
TWM515649U (en) | Device for forcing temperature of IC | |
CN221510070U (en) | Terminal heat conduction structure and charging seat | |
JP2023014914A (en) | Power cycle test apparatus and power cycle test method | |
US20040182564A1 (en) | Heat exchange system chip temperature sensor |