JP2020195058A - Voltage control oscillator - Google Patents

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Sang Yeop Lee
尚曄 李
藤島 実
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Abstract

To provide a voltage control oscillator that has high power efficiency and can decrease a corner frequency.SOLUTION: A voltage control oscillator 5 that oscillates at a frequency in accordance with the applied control voltage and outputs a differential oscillation signal includes a pair of transistors M1 and M2 having their gates and drains cross-connected to each other through capacitors 53A and 53B, a varactor 54 connected between the drains of the pair of transistors M1 and M2 and changing in electrostatic capacitance due to the control voltage, a pair of harmonic resonators 51A and 51B that is connected between output terminals 56A and 56B of the differential oscillation signals and the drains of the pair of transistors M1 and M2, and resonates with the harmonic wave of the oscillation frequency of the pair of transistors M1 and M2.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、発振器に関し、特に、印加電圧により発振周波数が変化する電圧制御発振器に関する。 The present invention relates to an oscillator, and more particularly to a voltage controlled oscillator whose oscillation frequency changes depending on an applied voltage.

電圧制御発振器は、位相同期回路(PLL: Phase Locked Loop)の基本要素として用いられ、無線送信機や無線受信機の局部発振器として広く用いられている。特に局部発振器として用いられる電圧制御発振器には低消費電力で出力パワーが大きいものが求められる。一つのアプローチとして、発振器の出力バッファをなくして発振器コアの負荷インピーダンスを最適化することで高出力パワー、低位相ノイズを実現し、高電力効率(DC/RF効率)を可能にしている(例えば、非特許文献1参照)。一方、一般に、発振器のインバンド位相ノイズは発振周波数の2乗に比例して大きくなるため、ミリ波帯以上の高周波RF(Radio Frequency)信号を扱う無線通信機器では局部発振器の位相ノイズが性能に大きな影響を及ぼす。そこで、別のアプローチとして、発振器の出力部分に高調波共振器を設けて基本周波数の3次高調波領域と2次高調波領域との境界であるコーナー周波数を低下させることで発振器の位相ノイズの低減を図っている(例えば、非特許文献2参照)。 A voltage controlled oscillator is used as a basic element of a phase locked loop (PLL), and is widely used as a local oscillator of a wireless transmitter or a wireless receiver. In particular, a voltage controlled oscillator used as a local oscillator is required to have low power consumption and large output power. One approach is to eliminate the oscillator output buffer and optimize the load impedance of the oscillator core to achieve high output power, low phase noise and high power efficiency (DC / RF efficiency) (eg). , See Non-Patent Document 1). On the other hand, in general, the in-band phase noise of an oscillator increases in proportion to the square of the oscillation frequency, so that the phase noise of the local oscillator affects the performance of wireless communication equipment that handles high-frequency RF (Radio Frequency) signals in the millimeter wave band or higher. It has a big impact. Therefore, as another approach, a harmonic resonator is provided in the output portion of the oscillator to reduce the corner frequency, which is the boundary between the third-order harmonic region and the second-order harmonic region of the fundamental frequency, to reduce the phase noise of the oscillator. We are trying to reduce it (see, for example, Non-Patent Document 2).

H.Khatibi et al., “An Efficient High-Power Fundamental Oscillator Above fmax/2: A Systematic Sesign,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 65, no. 11, pp. 4176-4189, Nov. 2017.H. Khatibi et al., “An Efficient High-Power Fundamental Oscillator Above fmax / 2: A Systematic Sesign,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., Vol. 65, no. 11, pp. 4176-4189, Nov. 2017. M. Shahmohammadi et al., “A 1/f Noise Upconversion Reduction Technique for Voltage-Biased RF CMOS Oscillators,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 51, no. 11, pp. 2610-2623, Nov. 2016.M. Shahmohammadi et al., “A 1 / f Noise Upconversion Reduction Technique for Voltage-Biased RF CMOS Oscillators,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 51, no. 11, pp. 2610-2623, Nov. 2016 ..

上述したように、電圧制御発振器に関して高電力効率化を図ろうとする技術とコーナー周波数を低下させようとする技術があるが、これら課題を一挙に解決する技術は未だ存在しない。 As described above, there are technologies for improving power efficiency and lowering the corner frequency for voltage controlled oscillators, but there is no technology for solving these problems at once.

そこで、本発明は、電力効率が高く、コーナー周波数を低下させることのできる電圧制御発振器を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a voltage controlled oscillator having high power efficiency and capable of lowering a corner frequency.

本発明の一局面に従った電圧制御発振器は、与えられた制御電圧に応じた周波数で発振して差動の発振信号を出力する電圧制御発振器であって、ゲートとドレインとがキャパシタを介して互いにクロス接続された一対のトランジスタと、一対のトランジスタのドレイン間に接続され、制御電圧により静電容量が変化するバラクタと、一対のトランジスタの各ドレインと差動の発振信号の出力端子との間に接続され、一対のトランジスタの発振周波数の高調波に共振する一対の高調波共振器とを備えたものである。 A voltage controlled oscillator according to one aspect of the present invention is a voltage controlled oscillator that oscillates at a frequency corresponding to a given control voltage and outputs a differential oscillation signal, in which a gate and a drain pass through a capacitor. A pair of transistors that are cross-connected to each other, a varicap that is connected between the drains of the pair of transistors and whose capacitance changes depending on the control voltage, and between each drain of the pair of transistors and the output terminal of the differential oscillation signal. It is provided with a pair of harmonic resonators that are connected to and resonate with the harmonics of the oscillation frequency of the pair of transistors.

本発明によると、出力バッファを設けることなく高出力パワー、低位相ノイズ、高電力効率で高周波の発振信号を出力することができ、また、コーナー周波数を低下させることができる。 According to the present invention, it is possible to output a high-frequency oscillation signal with high output power, low phase noise, and high power efficiency without providing an output buffer, and it is possible to reduce the corner frequency.

本発明の一実施形態に係る電圧制御発振器を備えたサブサンプリング位相同期回路のブロック図Block diagram of a subsampling phase-locked loop provided with a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention. 図1のサブサンプリング位相同期回路におけるサブサンプリング位相比較に係る部分の回路図Circuit diagram of the part related to subsampling phase comparison in the subsampling phase-locked loop of FIG. 本発明の一実施形態に係る電圧制御発振器の回路図Circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention 図3の電圧制御発振器における高調波共振器の入力インピーダンスのシミュレーション結果を示すグラフA graph showing the simulation results of the input impedance of the harmonic resonator in the voltage controlled oscillator of FIG. 自走発振時の出力パワーのグラフGraph of output power during self-propelled oscillation 自走発振時の消費電力のグラフGraph of power consumption during self-propelled oscillation 自走発振時の10kHzオフセット位相ノイズのグラフGraph of 10kHz offset phase noise during self-propelled oscillation 自走発振時の10MHzオフセット位相ノイズのグラフGraph of 10MHz offset phase noise during self-propelled oscillation 自走発振時の位相ノイズのグラフGraph of phase noise during self-propelled oscillation 各種モードの位相ノイズのグラフGraph of phase noise in various modes

以下、適宜図面を参照しながら、実施の形態を詳細に説明する。ただし、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、発明者は、当業者が本発明を十分に理解するために添付図面および以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings as appropriate. However, more detailed explanation than necessary may be omitted. For example, detailed explanations of already well-known matters and duplicate explanations for substantially the same configuration may be omitted. This is to avoid unnecessary redundancy of the following description and to facilitate the understanding of those skilled in the art. It should be noted that the inventor provides the accompanying drawings and the following description in order for those skilled in the art to fully understand the present invention, and is not intended to limit the subject matter described in the claims by these. Absent.

≪サブサンプリング位相同期回路の実施形態≫
図1は、本発明の一実施形態に係る電圧制御発振器を備えたサブサンプリング位相同期回路(SSPLL)のブロック図である。本実施形態に係るSSPLL10は、1/2分周器1Aと、1/6分周器1Bと、位相周波数比較器(PFD)2と、チャージポンプ(CP)3と、ループフィルタ(LF)4と、電圧制御発振器(VCO)5と、注入同期周波数分周器(ILFD)6Aと、1/3分周器6Bと、1/N分周期6Cと、2つのサブサンプリング位相比較器(SSPD)7Aおよび7Bと、2つのサブサンプリングチャージポンプ(SSCP)8Aおよび8Bとを備えている。これら回路要素は半導体チップ上に形成することができる。例えば、SSPLL10は、入力された1.4GHzの基準発振信号REFの周波数を逓倍して45GHzの差動の発振信号OUT/OUTBを出力する。
<< Embodiment of Subsampling Phase-Locked Loop >>
FIG. 1 is a block diagram of a subsampling phase-locked loop (SSPLL) including a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention. The SSPLL10 according to the present embodiment includes a 1/2 divider 1A, a 1/6 divider 1B, a phase frequency comparator (PFD) 2, a charge pump (CP) 3, and a loop filter (LF) 4. , A voltage controlled oscillator (VCO) 5, an injection synchronous frequency divider (ILFD) 6A, a 1/3 divider 6B, a 1 / N division period 6C, and two subsampling phase comparators (SSPD). It includes 7A and 7B and two subsampling charge pumps (SCSPs) 8A and 8B. These circuit elements can be formed on a semiconductor chip. For example, the SSPLL10 multiplies the frequency of the input 1.4 GHz reference oscillation signal REF and outputs a 45 GHz differential oscillation signal OUT / OUTB.

1/2分周器1Aは、入力されたREFを1/2分周して差動の分周基準クロック信号を出力する回路要素である。1/2分周器1Aから出力される分周基準クロック信号のデューティー比は50%であることが好ましい。なお、そのようなディーティー比50%のクロック信号を出力する1/2分周器1Aは、フリップフロップ回路を用いた2進カウンタなどで容易に構成することができる。1/6分周器1Bは、1/2分周器1Aから出力される差動の分周基準クロック信号を受けてそれをさらに1/6分周する回路要素である。 The 1/2 frequency divider 1A is a circuit element that divides the input REF by 1/2 and outputs a differential frequency division reference clock signal. The duty ratio of the frequency divider reference clock signal output from the 1/2 frequency divider 1A is preferably 50%. The 1/2 divider 1A that outputs such a clock signal having a detail ratio of 50% can be easily configured by a binary counter or the like using a flip-flop circuit. The 1/6 divider 1B is a circuit element that receives a differential frequency divider reference clock signal output from the 1/2 divider 1A and further divides it by 1/6.

PFD2は、1/6分周器1Bから出力される分周基準クロック信号(この信号はREFを1/12分周した信号である。)および1/N分周器6Cから出力される分周帰還発振信号(この信号はOUT/OUTBを1/12N分周した信号である。)を受け、これら信号の位相差に応じた位相差パルス信号を出力する回路要素である。 The PFD2 is a frequency divider reference clock signal output from the 1/6 divider 1B (this signal is a signal obtained by dividing the REF by 1/12) and a divider output from the 1 / N divider 6C. It is a circuit element that receives a feedback oscillation signal (this signal is a signal obtained by dividing OUT / OUTB by 1 / 12N) and outputs a phase difference pulse signal corresponding to the phase difference of these signals.

CP3は、PFD2から出力される位相差パルス信号を受け、その位相差パルス信号に応じた電流を出力する回路要素である。LF4は、CP3さらにはSSCP8Aおよび8Bから出力される電流を電圧に変換する回路要素である。具体的には、LF4は、抵抗素子およびキャパシタから構成されるローパスフィルタで構成することができる。 The CP3 is a circuit element that receives a phase difference pulse signal output from the PFD 2 and outputs a current corresponding to the phase difference pulse signal. The LF4 is a circuit element that converts the current output from the CP3 and the SCSP8A and 8B into a voltage. Specifically, the LF4 can be configured by a low-pass filter composed of a resistance element and a capacitor.

VCO5は、与えられた制御電圧に応じた周波数で発振して差動の発振信号OUT/OUTBを出力する回路要素である。LF4によって変換された電圧がVCO5の制御電圧としてVCO5に与えられる。 The VCO 5 is a circuit element that oscillates at a frequency corresponding to a given control voltage and outputs a differential oscillation signal OUT / OUTB. The voltage converted by LF4 is given to VCO5 as the control voltage of VCO5.

ILFD6Aは、VCO5から帰還された差動の帰還発振信号を受けてそれを分周する回路要素である。すなわち、ILFD6Aは、VCO5が生成する発振信号をPFD2へフィードバックするためのプリスケーラの役割を果たす。ILFD6Aの分周比は例えば4である。なお、差動の帰還発振信号はVCO5から出力される差動の発振信号OUT/OUTBそのものではなく、VCO5の内部から引き出した,発振信号OUT/OUTBとは別の信号である。 The ILFD6A is a circuit element that receives a differential feedback oscillation signal fed back from the VCO 5 and divides it. That is, the ILFD6A acts as a prescaler for feeding back the oscillation signal generated by the VCO5 to the PFD2. The division ratio of ILFD6A is, for example, 4. The differential feedback oscillation signal is not the differential oscillation signal OUT / OUTB itself output from the VCO5, but a signal different from the oscillation signal OUT / OUTB extracted from the inside of the VCO5.

1/3分周器6Bは、ILFD6Aから出力される分周帰還発振信号を受けてそれをさらに1/3分周する回路要素である。1/N分周器6Cは、1/3分周器6Bから出力される分周帰還発振信号を受けてそれをさらに1/N分周する回路要素である。1/N分周器6Cの分周比Nは、例えば、32、33、34、35の中から任意の値を適宜選択して切り替えることができるようになっている。 The 1/3 divider 6B is a circuit element that receives the frequency division feedback oscillation signal output from the ILFD6A and further divides it by 1/3. The 1 / N frequency divider 6C is a circuit element that receives the frequency division feedback oscillation signal output from the 1/3 frequency divider 6B and further divides it by 1 / N. The frequency division ratio N of the 1 / N frequency divider 6C can be switched by appropriately selecting an arbitrary value from, for example, 32, 33, 34, and 35.

SSPD7Aは、1/2分周器1Aから出力される差動の分周基準クロック信号の一方(便宜上、この信号を差動の分周基準クロック信号の正相信号と称する。)およびVCO5から帰還される差動の帰還発振信号(この信号はILFD6Aに入力される信号と同じである。)が入力され、当該正相信号と差動の帰還発振信号との位相差を表す位相差信号および当該正相信号とオーバーラップしないパルスPulを出力する回路要素である。SSPD7Bは、1/2分周器1Aから出力される差動の分周基準クロック信号の他方(便宜上、この信号を差動の分周基準クロック信号の逆相信号と称する。)およびVCO5から帰還される差動の帰還発振信号(この信号はILFD6Aに入力される信号と同じである。)が入力され、当該逆相信号と差動の帰還発振信号との位相差を表す位相差信号および当該逆相信号とオーバーラップしないパルスPulを出力する回路要素である。 The SSPD7A returns from one of the differential division reference clock signals output from the 1/2 frequency divider 1A (for convenience, this signal is referred to as a positive phase signal of the differential division reference clock signal) and VCO5. The differential feedback oscillation signal (this signal is the same as the signal input to the ILFD6A) is input, and the phase difference signal representing the phase difference between the positive phase signal and the differential feedback oscillation signal and the said It is a circuit element that outputs a pulse Pul that does not overlap with a positive phase signal. The SSPD7B returns from the other side of the differential division reference clock signal output from the 1/2 frequency divider 1A (for convenience, this signal is referred to as a reverse phase signal of the differential division reference clock signal) and VCO5. The differential feedback oscillation signal (this signal is the same as the signal input to the ILFD6A) is input, and the phase difference signal representing the phase difference between the opposite phase signal and the differential feedback oscillation signal and the said It is a circuit element that outputs a pulse Pul that does not overlap with a reverse phase signal.

SSCP8Aは、SSPD7Aから位相差信号およびパルスPulが入力され、パルスPulがオンの期間に当該位相差信号に応じた電流を出力する回路要素である。SSCP8Bは、SSPD7Bから位相差信号およびパルスPulが入力され、パルスPulがオンの期間に当該位相差信号に応じた電流を出力する回路要素である。すなわち、SSCP8Aは分周基準クロック信号の正相信号と帰還発振信号との位相差に応じた電流を出力し、SSCP8Bは分周基準クロック信号の逆相信号と帰還発振信号との位相差に応じた電流を出力する。そして、SSCP8Aおよび8Bから出力された電流はLF4により電圧に変換されてVCO5の制御電圧となる。 The SCSP8A is a circuit element in which a phase difference signal and a pulse Pul are input from the SSPD7A, and a current corresponding to the phase difference signal is output while the pulse Pul is on. The SCSP8B is a circuit element in which a phase difference signal and a pulse Pul are input from the SSPD7B, and a current corresponding to the phase difference signal is output while the pulse Pul is on. That is, the SCSP 8A outputs a current corresponding to the phase difference between the positive phase signal of the frequency dividing reference clock signal and the feedback oscillation signal, and the SCSP 8B corresponds to the phase difference between the negative phase signal of the frequency dividing reference clock signal and the feedback oscillation signal. Outputs the current. Then, the currents output from the SCSPs 8A and 8B are converted into a voltage by the LF4 and become the control voltage of the VCO5.

図2は、SSPLL10におけるサブサンプリング位相比較に係る部分の回路図である。SSPD7Aおよび7Bは、6個のトランジスタM1ないしM6と、キャパシタ71Aおよび71Bと、パルサ発生器72とを備えている。トランジスタM1のソース、トランジスタM2のソースおよびトランジスタM3のドレインが互いに接続され、トランジスタM1のドレインにVCO5から帰還される差動の帰還発振信号の一方であるSSPDINが接続され、トランジスタM2のトレインにVCO5から帰還される差動の帰還発振信号の他方であるSSPDINBが接続され、トランジスタM2のゲートが接地され、SSPD7AにおいてはトランジスタM1のゲートに1/2分周器1Aから出力される差動の分周基準クロック信号の逆相信号CKBが接続され、トランジスタM3のゲートに1/2分周器1Aから出力される差動の分周基準クロック信号の正相信号CKが接続され、SSPD7BにおいてはトランジスタM1のゲートにCKが接続され、トランジスタM3のゲートにCKBが接続される。トランジスタM4のソース、トランジスタM5のソースおよびトランジスタM6のドレインが互いに接続され、トランジスタM4のドレインにSSPDINBが接続され、トランジスタM5のトレインにSSPDINが接続され、トランジスタM5のゲートが接地され、SSPD7AにおいてはトランジスタM4のゲートにCKBが接続され、トランジスタM6のゲートにCKが接続され、SSPD7BにおいてはトランジスタM4のゲートにCKが接続され、トランジスタM6のゲートにCKBが接続される。キャパシタ71Aおよび71Bの一端はトランジスタM3およびM6の各ソースに接続され、他端は接地されている。SSPD7Aにおいてキャパシタ71Aおよび71Bにチャージされた電圧信号VsamP/VsamNがCKとSSPDIN/SSPDINBとの位相差を表す位相信号としてSSCP8Aに与えられ、SSPD7Bにおいてキャパシタ71Aおよび71Bにチャージされた電圧信号VsamP/VsamNがCKBとSSPDIN/SSPDINBとの位相差を表す位相信号としてSSCP8Bに与えられる。パルサ発生器72は、SSPD7AにおいてはCKの遅延信号からPulを生成し、SSPD7BにおいてはCKBの遅延信号からPulを生成する回路要素である。 FIG. 2 is a circuit diagram of a portion related to subsampling phase comparison in SSPLL10. The SSPD 7A and 7B include six transistors M1 to M6, capacitors 71A and 71B, and a pulsar generator 72. The source of transistor M1, the source of transistor M2, and the drain of transistor M3 are connected to each other, and SSPD IN, which is one of the differential feedback oscillation signals fed back from VCO5, is connected to the drain of transistor M1 to the train of transistor M2. The SSPD INB, which is the other side of the differential feedback oscillation signal fed back from the VCO5, is connected, the gate of the transistor M2 is grounded, and in the SSPD7A, the differential output from the 1/2 divider 1A to the gate of the transistor M1. The reverse-phase signal CKB of the frequency-dividing reference clock signal is connected, and the positive-phase signal CK of the differential frequency-dividing reference clock signal output from the 1/2 frequency divider 1A is connected to the gate of the transistor M3. Is connected to the gate of transistor M1 and CKB is connected to the gate of transistor M3. The source of transistor M4, the source of transistor M5 and the drain of transistor M6 are connected to each other, SSPD INB is connected to the drain of transistor M4, SSPD IN is connected to the train of transistor M5, the gate of transistor M5 is grounded, SSPD7A In SSPD7B, the CKB is connected to the gate of the transistor M4, the CK is connected to the gate of the transistor M6, the CK is connected to the gate of the transistor M4, and the CKB is connected to the gate of the transistor M6. One end of the capacitors 71A and 71B is connected to each source of the transistors M3 and M6, and the other end is grounded. The voltage signals V samP / V samN charged in the capacitors 71A and 71B in SSPD7A are given to SCSP8A as a phase signal indicating the phase difference between CK and SSPD IN / SSPD INB, and the voltage charged in capacitors 71A and 71B in SSPD7B. The signal V samP / V samN is given to the SCSP 8B as a phase signal representing the phase difference between the CKB and the SSPD IN / SSPD INB . The pulsar generator 72 is a circuit element that generates Pul from the delay signal of CK in SSPD7A and generates Pul from the delay signal of CKB in SSPD7B.

−動作および効果−
上記構成のSSPLL10の動作は概ね次の通りである。動作開始時や1/N分周器6Cの分周比の切り替え時などにおいてREFとOUT/OUTBとの位相差が比較的大きい場合には、1/2分周器1A、1/6分周器1B、PFD2、CP3、LF4、VCO5、ILFD6A、1/3分周器6Bおよび1/N分周器6Cからなる部分、すなわち、VCO5の出力を分周して帰還させるループが主に機能してOUT/OUTBの位相がREFの位相と概ね一致するようにVCO5がフィードバック制御される。これにより、SSPLL10は一般的なPLLと同じ位相ロック動作をし、位相同期動作の初期においてループゲインを高くすることができる。
-Operation and effect-
The operation of SSPLL10 having the above configuration is as follows. If the phase difference between the REF and OUT / OUTB is relatively large at the start of operation or when switching the frequency division ratio of the 1 / N frequency divider 6C, the 1/2 frequency divider 1A and 1/6 frequency divider The part consisting of the device 1B, PFD2, CP3, LF4, VCO5, ILFD6A, 1/3 frequency divider 6B and 1 / N frequency divider 6C, that is, the loop that divides the output of VCO5 and returns it mainly functions. The VCO5 is feedback-controlled so that the phase of OUT / OUTB substantially matches the phase of REF. As a result, the SSPLL 10 performs the same phase lock operation as a general PLL, and the loop gain can be increased at the initial stage of the phase synchronization operation.

OUT/OUTBの位相がREFの位相と概ね一致するようになると、今度は1/2分周器1A、SSPD7Aおよび7B、SSCP8Aおよび8B、LF4およびVCO5からなる部分、すなわち、VCO5の出力を分周器を介さずにそのまま帰還させるループが主に機能してOUT/OUTBの位相がREFの位相と一致するようにVCO5がフィードバック制御される。このとき、SSPD7AおよびSSCP8AからなるSSPD&CPおよびSSPD7BおよびSSCP8BからなるSSPD&CPの個々はそれぞれREFを1/2分周したCKおよびCKBに同期してサブサンプリング動作をするが、これら2つのSSPD&CPが相補的に動作することで、SSPD7Aおよび7BおよびSSCP8Aおよび8Bは全体として擬似的にCK/CKBの倍の周波数、すなわち、実質的にREFに位相同期してサブサンプリング動作をする。一般にSSPLLのインバンド位相ノイズは基準クロック信号の周波数およびPulのパルス幅に反比例し、ループゲインは基準クロック信号の周波数に比例する。SSPLL10は初段に1/2分周器1Aを配置してREFを1/2分周しているが、上記2つのSSPD&CPが全体としてCK/CKBの倍の周波数でサンプリング動作するため、SSPLL10はREFを1/2分周した影響を受けずにインバンド位相ノイズを下げるとともにループゲインを向上させることができる。 When the phase of OUT / OUTB roughly matches the phase of REF, this time, the part consisting of 1/2 dividers 1A, SSPD7A and 7B, SCSP8A and 8B, LF4 and VCO5, that is, the output of VCO5 is divided. The loop that feeds back as it is without going through the device mainly functions, and the VCO 5 is feedback-controlled so that the phase of OUT / OUTB matches the phase of REF. At this time, each of the SSPD & CP composed of SSPD7A and SSCP8A and the SSPD & CP composed of SSPD7B and SSCP8B perform subsampling operations in synchronization with CK and CKB obtained by dividing the REF by 1/2, respectively, but these two SSPD & CPs complement each other. By operating, SSPD7A and 7B and SCSP8A and 8B perform subsampling operation in a pseudo-double frequency of CK / CKB as a whole, that is, substantially phase-locked to REF. Generally, the in-band phase noise of SSPLL is inversely proportional to the frequency of the reference clock signal and the pulse width of Pul, and the loop gain is proportional to the frequency of the reference clock signal. The SSPLL10 has a 1/2 frequency divider 1A arranged in the first stage to divide the REF by 1/2. However, since the above two SSPD & CPs perform sampling operation at twice the frequency of CK / CKB as a whole, the SSPLL10 is a REF. The in-band phase noise can be lowered and the loop gain can be improved without being affected by the division of 1/2.

≪電圧制御発振器の実施形態≫
一般に、VCOの位相ノイズSは次のLeeson式で表すことができる。
ここで、Fは経験的パラメータ、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、Pはタンク回路の抵抗成分による平均損失電力、fは発振周波数、Δfはキャリア周波数からのオフセット周波数、Δf1/f3は3次高調波1/f領域と2次高調波1/f領域との境界であるコーナー周波数、Qはタンク回路の負荷Q値である。この式から、VCOの位相ノイズS(Δf)を下げるには、Pを大きくし、Δf1/f3を下げればよいことがわかる。
<< Embodiment of voltage controlled oscillator >>
In general, the phase noise S of the VCO can be expressed by the following Leeson equation.
Here, F is an empirical parameter, k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, P S is the average power loss due to the resistance component of the tank circuit, f 0 is the oscillation frequency, Delta] f is the offset frequency from the carrier frequency, Delta] f 1 / f3 is the corner frequency that is the boundary between the 3rd harmonic 1 / f 3 region and the 2nd harmonic 1 / f 2 region, and QL is the load Q value of the tank circuit. From this equation, the lower the VCO phase noise S (Delta] f) is to increase the P S, it can be seen that it lowered the Δf 1 / f3.

図3は、本発明の一実施形態に係る電圧制御発振器の回路図である。概して、本実施形態に係るVCO5は、一対のトランジスタM1およびM2と、一対の高調波共振器51Aおよび51Bと、一対のバッファ52Aおよび52Bとを備えている。トランジスタM1およびM2のゲートとドレインとがキャパシタ53Aおよび53Bを介して互いにクロス接続され、各ゲートにはバイアス電圧Vが印加されている。トランジスタM1およびM2のドレイン間にはバラクタ54が接続されている。バラクタ54は印加される電圧により静電容量が変化する回路要素である。バラクタ54にはLF4から出力されるVCO5の制御電圧Vtuneが印加される。トランジスタM1およびM2のゲート間には別のバラクタ55が接続されている。バラクタ55には2ビット制御電圧が印加される。トランジスタM1およびM2、キャパシタ53Aおよび53Bおよびバラクタ54および55からなる部分はタンク回路として機能して発振動作をする。Vtuneによりバラクタ54の静電容量を変化させることでトランジスタM1およびM2の発振動作が変化し、VCO5の発振周波数を制御することができる。また、バラクタ55のビット制御電圧を適宜設定することでVCO5の発振を粗調整することができる。なお、トランジスタM1およびM2には大型のもの(例えば、138.2μm/40nmサイズのもの)を採用して、高調波信号が大きなパワーで出力されるようにすることが好ましい。キャパシタ53Aおよび53Bの静電容量は、例えば、155fFである。 FIG. 3 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention. Generally, the VCO 5 according to the present embodiment includes a pair of transistors M1 and M2, a pair of harmonic resonators 51A and 51B, and a pair of buffers 52A and 52B. The gate and drain of the transistors M1 and M2 are cross-connected to each other via capacitors 53A and 53B, and a bias voltage Vg is applied to each gate. A varicap 54 is connected between the drains of the transistors M1 and M2. The varicap 54 is a circuit element whose capacitance changes depending on the applied voltage. A control voltage V tune of VCO5 output from LF4 is applied to the varicap 54. Another varicap 55 is connected between the gates of the transistors M1 and M2. A 2-bit control voltage is applied to the varicap 55. The portion including the transistors M1 and M2, the capacitors 53A and 53B, and the varicaps 54 and 55 functions as a tank circuit and oscillates. By changing the capacitance of the varicap 54 by the V tune, the oscillation operation of the transistors M1 and M2 is changed, and the oscillation frequency of the VCO 5 can be controlled. Further, the oscillation of VCO5 can be roughly adjusted by appropriately setting the bit control voltage of the varicap 55. It is preferable to use large transistors M1 and M2 (for example, 138.2 μm / 40 nm size) so that the harmonic signal is output with a large power. The capacitance of the capacitors 53A and 53B is, for example, 155 fF.

高調波共振器51Aおよび51Bは、トランジスタM1およびM2の発振周波数の高調波(ここでは2次高調波)に共振する回路要素である。すなわち、高調波共振器51Aおよび51Bは逆F級動作をする共振器である。高調波共振器51Aは、トランジスタM1のドレインとOUTの出力端子56Aとの間に接続されている。高調波共振器51Bは、トランジスタM2のドレインとOUTBの出力端子56Bとの間に接続されている。具体的には、高調波共振器51Aおよび51Bは、キャパシタ511と、複数のオンチップ伝送ラインL1、L2、L3およびL4とを備えている。キャパシタ511はトランジスタM1およびM2の各ドレインに接続されている。トランジスタM1およびM2の各ドレインにはラインL1も接続されており、ラインL1を通じてトランジスタM1およびM2の各ドレインにバイアス電圧Vが印加される。ラインL2、L3およびL4は一端が互いに接続されており、ラインL2の他端はキャパシタ511に接続され、ラインL3の他端はオープンにされ、ラインL4の他端は各出力端子56Aおよび56Bに接続されている。このラインL4により、VCO5と各出力端子56Aおよび56Bに接続された負荷Zとのインピーダンスマッチングを最適化することができる。各線路長は、例えば、ラインL1が551μm(λ/6相当)、ラインL2が284μm(λ/12相当)、ラインL3が416μm(λ/8相当)、ラインL4が95μmである。なお、ラインL4の他端にパッド59が接続されているがこれは単に信号測定用に設けたに過ぎない。 The harmonic resonators 51A and 51B are circuit elements that resonate with harmonics (here, secondary harmonics) of the oscillation frequency of the transistors M1 and M2. That is, the harmonic resonators 51A and 51B are resonators that perform an inverse class F operation. The harmonic resonator 51A is connected between the drain of the transistor M1 and the output terminal 56A of the OUT. The harmonic resonator 51B is connected between the drain of the transistor M2 and the output terminal 56B of the OUTB. Specifically, the harmonic resonators 51A and 51B include a capacitor 511 and a plurality of on-chip transmission lines L1, L2, L3 and L4. Capacitor 511 is connected to each drain of transistors M1 and M2. A line L1 is also connected to each of the drains of the transistors M1 and M2, and a bias voltage V d is applied to each of the drains of the transistors M1 and M2 through the line L1. One ends of the lines L2, L3 and L4 are connected to each other, the other end of the line L2 is connected to the capacitor 511, the other end of the line L3 is opened, and the other end of the line L4 is connected to each output terminal 56A and 56B. It is connected. With this line L4, the impedance matching between the VCO 5 and the load Z L connected to each of the output terminals 56A and 56B can be optimized. Each line length, for example, line L1 is 551μm (λ 0/6 equivalent), the line L2 is 284μm (λ 0/12 equivalent), the line L3 is 416μm (λ 0/8 equivalent), the line L4 is 95 .mu.m. A pad 59 is connected to the other end of the line L4, but this is merely provided for signal measurement.

図4は、高調波共振器51Aおよび51Bの入力インピーダンス、すなわち、トランジスタM1およびM2から見た高調波共振器51Aおよび51Bのインピーダンスのシミュレーション結果を示すグラフである。高調波共振器51Aおよび51Bの入力インピーダンスZinが基本周波数fの倍の周波数2f付近で急峻に高くなっており、高調波共振器51Aおよび51Bが逆F級動作をしていることがわかる。 FIG. 4 is a graph showing the simulation results of the input impedances of the harmonic resonators 51A and 51B, that is, the impedances of the harmonic resonators 51A and 51B as seen from the transistors M1 and M2. The input impedance Z in of the harmonic resonators 51A and 51B is sharply increased near the frequency 2f 0 , which is twice the fundamental frequency f 0 , and the harmonic resonators 51A and 51B are operating in reverse class F. Understand.

図3に戻り、バッファ52Aおよび52Bは、トランジスタM1およびM2の各ドレインから信号を受けて差動の帰還発振信号を出力する回路要素である。バッファ52AはトランジスタM1のドレインに接続されており、トランジスタM1のドレインから信号を受けてILFD6Aの差動入力の一方であるILFDINおよびSSPD7Aおよび7Bの差動入力の一方であるSSPDINを出力する。バッファ52BはトランジスタM2のドレインに接続されており、トランジスタM2のドレインから信号を受けてILFD6Aの差動入力の他方であるILFDINBおよびSSPD7Aおよび7Bの差動入力の他方であるSSPDINBを出力する。 Returning to FIG. 3, the buffers 52A and 52B are circuit elements that receive signals from the drains of the transistors M1 and M2 and output a differential feedback oscillation signal. The buffer 52A is connected to the drain of the transistor M1 and receives a signal from the drain of the transistor M1 to output ILFD IN which is one of the differential inputs of ILFD6A and SSPD IN which is one of the differential inputs of SSPD7A and 7B. .. The buffer 52B is connected to the drain of the transistor M2, receives a signal from the drain of the transistor M2, and outputs the ILFD INB which is the other of the differential inputs of the ILFD6A and the SSPD INB which is the other of the differential inputs of the SSPD7A and 7B. ..

−動作および効果−
上記構成のVCO5の動作は概ね次の通りである。トレインとゲートとが互いにクロス接続されたトランジスタM1およびM2がキャパシタ53Aおよび53Bおよびバラクタ54および55の各静電容量で決まる周波数で発振する。トランジスタM1およびM2の各ドレインに生じた信号の一部はトランジスタM1およびM2の各ゲートに戻されてトランジスタM1およびM2は発振動作を維持するとともに、残りは高調波共振器51Aおよび51Bを経てOUT/OUTBとして出力される。これにより、VCO5は、出力バッファを設けることなく高出力パワー、低位相ノイズ、高電力効率で高周波の発振信号を出力することができる。
-Operation and effect-
The operation of the VCO 5 having the above configuration is roughly as follows. Transistors M1 and M2 in which the train and the gate are cross-connected to each other oscillate at a frequency determined by the capacitances of the capacitors 53A and 53B and the varicaps 54 and 55. A part of the signal generated in each drain of the transistors M1 and M2 is returned to each gate of the transistors M1 and M2, the transistors M1 and M2 maintain the oscillating operation, and the rest is OUT via the harmonic resonators 51A and 51B. It is output as / OUTB. As a result, the VCO 5 can output a high-frequency oscillation signal with high output power, low phase noise, and high power efficiency without providing an output buffer.

さらに、トランジスタM1およびM2の各ドレインに生じた信号の一部をトランジスタM1およびM2に戻すことでPを大きくすることができ、また、高調波共振器51Aおよび51Bを設けたことで高調波の位相が変わってΔf1/f3を下げることができる。これにより、低位相ノイズが達成される。 Furthermore, it is possible to increase the P S by returning a portion of the signal occurring in the drains of the transistors M1 and M2 transistors M1 and M2, also harmonics by providing the harmonic resonators 51A and 51B The phase of can be changed to lower Δf 1 / f3 . As a result, low phase noise is achieved.

≪実証実験結果≫
次に、SSPLL10のポストレイアウトシミュレーション結果について説明する。図5Aないし図5Dは、SSPLL10においてVCO5以外の回路要素をオフにし、Vtune=0V、Vd,buf=0V、Vg,SSPD=0.51VにしてVCO5を自走発振させた状態でVおよびVの一方を変化させたときの各種測定値のグラフである。図5Aは、自走発振時の出力パワーのグラフである。図5Bは、自走発振時の消費電力のグラフである。図5Cは、自走発振時の10kHzオフセット位相ノイズのグラフである。図5Dは、自走発振時の10MHzオフセット位相ノイズのグラフである。例えば、10MHzオフセット位相ノイズは、発振周波数45.2GHzにおいてV=0.7V、V=0.65のときに最良の−137.6dBc/Hzをマークする。図6は、SSPLL10においてVCO5以外の回路要素をオフにし、Vtune=0V、Vd,buf=0V、Vg,SSPD=0.51V、V=0.7V、V=0.65VにしてVCO5を自走発振させたときの位相ノイズのグラフである。この条件下でコーナー周波数Δf1/f3はおよそ600kHzである。
≪Results of demonstration experiment≫
Next, the post-layout simulation result of SSPLL10 will be described. 5A through 5D are off the circuit elements other than VCO5 in SSPLL10, V tune = 0V, V d, buf = 0V, V g, V in a state in which the VCO5 in the SSPD = 0.51 V was self-oscillation It is a graph of various measured values when one of g and V d is changed. FIG. 5A is a graph of output power during self-propelled oscillation. FIG. 5B is a graph of power consumption during self-propelled oscillation. FIG. 5C is a graph of 10 kHz offset phase noise during self-propelled oscillation. FIG. 5D is a graph of 10 MHz offset phase noise during self-propelled oscillation. For example, the 10 MHz offset phase noise marks the best -137.6 dBc / Hz when V g = 0.7 V and V d = 0.65 at an oscillation frequency of 45.2 GHz. In FIG. 6, circuit elements other than VCO5 are turned off in SSPLL10, and V tune = 0V, V d, buf = 0V, V g, SSPD = 0.51V, V g = 0.7V, V d = 0.65V. It is a graph of the phase noise when the VCO5 is oscillated by itself. Under this condition, the corner frequency Δf 1 / f3 is about 600 kHz.

図7は、SSPLL10の自走モード、SSPLL10の位相ロックモード、一般のPLLの位相ロックモードおよび基準クロック信号RFの各位相ノイズのグラフである。例えば、SSPLL10(位相ロック状態)の10kHzオフセット位相ノイズは−98.7dBc/Hzであり、REFよりも30.6dB高いが一般のPLLよりも低く抑えられている。また、SSPLL10(位相ロック状態)の40MHzオフセット位相ノイズは−138.8dBc/Hzである。 FIG. 7 is a graph of each phase noise of the self-propelled mode of SSPLL10, the phase lock mode of SSPLL10, the phase lock mode of general PLL, and the reference clock signal RF. For example, the 10 kHz offset phase noise of SSPLL10 (phase locked state) is −98.7 dBc / Hz, which is 30.6 dB higher than REF but suppressed lower than general PLL. The 40 MHz offset phase noise of SSPLL10 (phase locked state) is -138.8 dBc / Hz.

≪変形例≫
PFD2に不感帯(デッドゾーン)を設けてもよい。すなわち、1/6分周器1Bから出力される分周基準クロック信号と1/N分周器6Cから出力される分周帰還発振信号との位相差が1/6分周器1Bから出力される分周基準クロック信号の半周期内(デッドゾーン)であれば出力する位相差パルス信号をゼロにするようにPFD2を構成してもよい。
≪Modification example≫
A dead zone may be provided in the PFD2. That is, the phase difference between the frequency divider reference clock signal output from the 1/6 divider 1B and the frequency divider feedback oscillation signal output from the 1 / N divider 6C is output from the 1/6 divider 1B. The PFD2 may be configured so that the phase difference pulse signal to be output is set to zero within a half cycle (dead zone) of the frequency division reference clock signal.

1/6分周器11B、ILFD16A、1/3分周器16Bは適宜別の分周比の分周回路に置換してもよいし省略してもよい。 The 1/6 divider 11B, ILFD16A, and 1/3 divider 16B may be appropriately replaced with a division circuit having a different division ratio, or may be omitted.

SSPD7Aおよび7BにおいてトランジスタM1、M2、M4およびM5は、トランジスタM3およびM6がオンのときのLOリークをキャンセルしてスプリアスを低減するために設けたものである。これらトランジスタM1、M2、M4およびM5を省略してトランジスタM3およびM6の各ゲートにSSPDIN/SSPDINBを直接接続するようにしてもよい。 In the SSPD7A and 7B, the transistors M1, M2, M4 and M5 are provided to cancel the LO leak when the transistors M3 and M6 are on and reduce spurious. These transistors M1, M2, M4 and M5 may be omitted and the SSPD IN / SSPD INB may be directly connected to each gate of the transistors M3 and M6.

高調波共振器51Aおよび51Bは2次高調波ではなく3次高調波あるいはそれ以上の高調波に共振するものであってもよい。例えば、3次高調波に共振する高調波共振器に置換してもコーナー周波数Δf1/f3を低下させるという目的を達成することができる。 The harmonic resonators 51A and 51B may resonate with a third harmonic or a higher harmonic instead of the second harmonic. For example, the purpose of lowering the corner frequency Δf 1 / f3 can be achieved even if the harmonic resonator resonates with the third harmonic is replaced.

VCO5はSSPLL10以外の各種電子回路の発振器として使用することができる。その場合、バッファ52Aおよび52Bは不要であるため省略すれことができる。 The VCO5 can be used as an oscillator for various electronic circuits other than the SSPLL10. In that case, the buffers 52A and 52B are unnecessary and can be omitted.

以上のように、本発明における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。したがって、添付図面および詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。また、上述の実施の形態は、本発明における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。 As described above, an embodiment has been described as an example of the technique in the present invention. To that end, the accompanying drawings and detailed description are provided. Therefore, among the components described in the attached drawings and the detailed description, not only the components essential for solving the problem but also the components not essential for solving the problem in order to exemplify the above technology. Can also be included. Therefore, the fact that these non-essential components are described in the accompanying drawings or detailed description should not immediately determine that those non-essential components are essential. Further, since the above-described embodiment is for exemplifying the technique of the present invention, various changes, replacements, additions, omissions, etc. can be made within the scope of claims or the equivalent scope thereof.

5…電圧制御発振器、M1、M2…一対のトランジスタ、53A、53B…キャパシタ、54…バラクタ、56A、56B…出力端子、51A、51B…高調波共振器、511…キャパシタ、L1、L2、L3、L4…オンチップ伝送ライン 5 ... Voltage controlled oscillator, M1, M2 ... Pair of transistors, 53A, 53B ... Capacitor, 54 ... Varicap, 56A, 56B ... Output terminal, 51A, 51B ... Harmonic resonator, 511 ... Capacitor, L1, L2, L3, L4 ... On-chip transmission line

Claims (3)

与えられた制御電圧に応じた周波数で発振して差動の発振信号を出力する電圧制御発振器であって、
ゲートとドレインとがキャパシタを介して互いにクロス接続された一対のトランジスタと、
前記一対のトランジスタのドレイン間に接続され、前記制御電圧により静電容量が変化するバラクタと、
前記一対のトランジスタの各ドレインと前記差動の発振信号の出力端子との間に接続され、前記一対のトランジスタの発振周波数の高調波に共振する一対の高調波共振器とを備えた電圧制御発振器。
A voltage-controlled oscillator that oscillates at a frequency corresponding to a given control voltage and outputs a differential oscillation signal.
A pair of transistors in which the gate and drain are cross-connected to each other via a capacitor,
A varicap that is connected between the drains of the pair of transistors and whose capacitance changes according to the control voltage.
A voltage controlled oscillator including a pair of harmonic resonators connected between each drain of the pair of transistors and an output terminal of the differential oscillation signal and resonating with harmonics of the oscillation frequency of the pair of transistors. ..
前記高調波共振器が、前記トランジスタのドレインとの接続部分にキャパシタを有するものである、請求項1に記載の電圧制御発振器。 The voltage-controlled oscillator according to claim 1, wherein the harmonic resonator has a capacitor at a connection portion with the drain of the transistor. 前記高調波共振器が、前記キャパシタとそれに接続された複数のオンチップ伝送ラインとで構成されている、請求項2に記載の電圧制御発振器。 The voltage-controlled oscillator according to claim 2, wherein the harmonic resonator is composed of the capacitor and a plurality of on-chip transmission lines connected to the capacitor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2022113967A1 (en) 2020-11-25 2022-06-02 出光興産株式会社 Color conversion particles

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