JP2020191596A - 高周波スイッチ、シグナルジェネレータ、及びスペクトラムアナライザ - Google Patents

Abstract

【課題】ハイパワー且つ広帯域の高周波信号に対応できる高周波スイッチを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る高周波スイッチは、スイッチングダイオードＤ５でシリーズ型のスイッチを構成するとともに、その外側に放熱構造を有するダイオードＤ６を配置し、配線を経由してスイッチングダイオードＤ５で発生した熱を放熱板付ダイオードＤ６へ移動させて放熱構造から放熱する。つまり、本発明に係る高周波スイッチは、シリーズ型とすることで広帯域とし、放熱構造を有するダイオードへ熱を逃がすことでハイパワー化を実現する。【選択図】図５

Description

本開示は、大電力の高周波信号をスイッチングする高周波スイッチ、並びにそれを搭載するシグナルジェネレータ及びスペクトラムアナライザに関する。

［定義］
本明細書において使用される次の用語の定義を記載する。
ＲＦ：無線周波数（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）である。
ＰＩＮダイオード：半導体のＰＮ接合の間に真正半導体層（Ｉ層）を持つ構造のダイオード。
ＳＰｘＴ：スイッチの種類を意味する。“ｘ”には、“Ｓ”、“Ｄ”、“３”、“４”等が当てられ、スイッチの分岐数を示す。

ＰＩＮダイオードを用いて高周波信号の方路を切り替える高周波スイッチには、シャント型とシリーズ型が存在する。図１はシャント型の高周波スイッチ（ＳＰＤＰ）を説明する回路図である。ポート１（コモン端子）、ポート２（分岐端子）及びポート３（分岐端子）が分岐点Ａで接続されており、ポート２及びポート３にはカソードを接地するシャントダイオード（Ｄ１、Ｄ２）が接続される。また、シャントダイオード（Ｄ１、Ｄ２）の接続点から分岐点Ａまでの線路長は使用する波長（中心波長）の１／４である。なお、シャントダイオードのアノードを接地する場合もある（例えば、特許文献１を参照。）。

図２はシリーズ型の高周波スイッチ（ＳＰＤＰ）を説明する回路図である。ポート１（コモン端子）は直接分岐点Ａに接続するが、ポート２（分岐端子）及びポート３（分岐端子）はシリーズダイオード（Ｄ３、Ｄ４）を介して分岐点Ａに接続する。これらのダイオードは分岐点Ａを接続点として整流方向が逆になるように接続されている。

特開平１０−２８４９０１号公報

シャント型の高周波スイッチは、高周波信号がダイオードを経由しないため、ハイパワーな高周波信号を切り替えることができる。しかし、中心波長の１／４の長さの線路を持つことから中心波長からずれるとスイッチング性能が低下するため広帯域化が困難という課題があった。一方、シリーズ型の高周波スイッチは、直流から５０ＧＨｚの高周波まで対応でき、帯域幅が広い。しかし、高周波信号が直接ダイオードを経由するため発熱でダイオードが故障する恐れもあってハイパワー化が困難という課題があった。

本発明は、シャント型とシリーズ型の相反する課題を解決すべく、ハイパワー且つ広帯域の高周波信号に対応できる高周波スイッチを提供することを目的とする。また、当該高周波スイッチを搭載するシグナルジェネレータ及びスペクトラムアナライザを提供することも目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１に記載された高周波スイッチは、スイッチングダイオード（Ｄ５）と放熱構造を有するダイオード（Ｄ６）を整流方向が同じになるように直列に接続した２つのダイオードセット（ＤＳ）と、２つの前記ダイオードセットを、互いに整流方向が異なるように前記スイッチングダイオード側で接続した接続点（Ａ）に接続するコモン端子（１）と、を有する単極双投ユニット（１１）を備えることを特徴とする。

請求項２に記載された高周波スイッチは、請求項１に記載された高周波スイッチにおいて、前記単極双投ユニットが、前記接続点で接続された前記スイッチングダイオード間と前記放熱構造を有するダイオードが搭載される基板との間が空間であることを特徴とする。

請求項３に記載された高周波スイッチは、請求項１又は２に記載された高周波スイッチにおいて、前記コモン端子と前記接続点との間を接続する他の放熱構造を有するダイオード（Ｄ７）をさらに備え、前記他の放熱構造を有するダイオードの整流方向は、前記接続点を介したそれぞれの前記ダイオードセットの整流方向と同じであることを特徴とする。

請求項４に記載された高周波スイッチは、請求項１から３のいずれかに記載された高周波スイッチにおいて、前記ダイオードセットの前記放熱構造を有するダイオード側に、さらに他の前記単極双投ユニットの前記コモン端子が接続されることを特徴とする。

請求項５に記載されたシグナルジェネレータは、増幅する信号の周波数範囲がそれぞれ異なる複数の増幅器（２２−１、２２−２）と、
任意の周波数の信号を発生させて前記増幅器のいずれかに入力する発振器（２０）と、
前記ダイオードセットの前記放熱構造を有するダイオード側に前記増幅器をそれぞれ接続し、前記増幅器からのいずれかの信号を前記コモン端子から出力する請求項１から４のいずれかに記載の高周波スイッチと、を備える。

請求項６に記載されたスペクトラムアナライザは、高周波信号の周波数を中間周波数に変換する変換量が互いに異なる複数の周波数変換回路（３２−１、３２−２）と、測定対象の高周波信号が前記コモン端子に入力され、前記ダイオードセットの前記放熱構造を有するダイオード側に前記周波数変換回路が接続される請求項１から４のいずれかに記載の高周波スイッチと、を備える。

本発明によれば、スイッチングダイオードでシリーズ型のスイッチを構成するとともに、その分岐側に放熱構造を有するダイオードを配置し、配線を経由してスイッチングダイオードで発生した熱を放熱構造を有するダイオードへ移動させて放熱構造から放熱する。つまり、シリーズ型とすることで広帯域とし、放熱構造を有するダイオードへ熱を逃がすことでハイパワー化を実現する。従って、本発明は、ハイパワー且つ広帯域の高周波信号に対応できる高周波スイッチを提供することができる。

また、スイッチングダイオードからコモン端子の接続点までの下部を空間とし、比誘電率を１まで下げることで、スイッチングダイオードからコモン端子の接続点までの距離を短くでき、高い周波数のスイッチングが可能となる。

また、コモン端子側にも他の放熱構造を有するダイオードを配置することで、放熱性を向上させるとともに、分岐側とコモン側の配線の高さが揃い製造が容易になる。

単極双投ユニットがひとつだけであれば、ＳＰＤＴ（単極双投）スイッチであるが、分岐端子に単極双投ユニットのコモン端子を接続していくことで任意の分岐数のＳＰｘＴスイッチを構成することができる。

シグナルジェネレータやスペクトラムアナライザに本発明に係る高周波スイッチを備えることで、高周波スイッチによる入力高周波信号のパワー制限や帯域制限を緩和することができる。

シャント型の高周波スイッチを説明する図である。 シリーズ型の高周波スイッチを説明する図である。 本発明に係る高周波スイッチを説明する図である。 本発明に係る高周波スイッチを説明する図である。 本発明に係る高周波スイッチを説明する図である。 本発明に係る高周波スイッチの挿入損失を説明する図である。 本発明に係る高周波スイッチの特性を説明する図である。 本発明に係る高周波スイッチを説明する図である。 本発明に係るシグナルジェネレータを説明する図である。 本発明に係るスペクトラムアナライザを説明する図である。

添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施例であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。

（実施形態１）
図３は、本実施形態の高周波スイッチ３０１を説明する図である。高周波スイッチ３０１は、
スイッチングダイオードＤ５と放熱構造を有するダイオードＤ６を整流方向が同じになるように直列に接続した２つのダイオードセットＤＳと、
２つのダイオードセットＤＳを、互いに整流方向が異なるようにスイッチングダイオードＤ５側で接続した接続点Ａに接続するコモン端子１と、
を有する単極双投ユニット１１を備える。
また、符号２及び３は分岐端子である。
なお、図３では、ダイオードに印加するバイアスの入力経路の記載を省略している。

スイッチングダイオードＤ５及び放熱構造を有するダイオードＤ６は、ｐ型半導体とｎ型半導体の間に真性半導体のｉ層が存在するｐ−ｉ−ｎ構造のダイオード（ＰＩＮダイオード）である。図３の高周波スイッチは、接続点Ａ側がアノードとなるように接続したアノードコモン型であるが、接続点Ａ側がカソードとなるように接続したカソードコモン型でもよい。

高周波スイッチ３０１は、図２で説明したシリーズ型の高周波スイッチの構造であって、シリーズ型の高周波スイッチのダイオードの外側に放熱構造を有するダイオードＤ６が接続されている構造である。放熱構造を有するダイオードＤ６の例として、以下では放熱板付ダイオードで説明する。放熱板付ダイオードＤ６は、ダイオードを流れる電流によって発生した熱を基板などに放散する放熱板（例えば、アルミナ）を有している。このため、大電流が流れてもダイオードの温度を低温に保つことができる。例えば、放熱板付ダイオードＤ６は、ＭＡＣＯＭ製のＭＥＳＴ２ＧＦＣ−０１０−２５である。なお、放熱構造は放熱板に限られず、ダイオードを流れる電流によって発生した熱を基板などに放散する熱抵抗が低い材質や構造などを用いた放熱構造であってもよい。当該放熱構造は、例えば、ダイレクトサーマルパス（Ｄｉｒｅｃｔ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐａｔｈ）である。

一方、スイッチングダイオードＤ５は、高周波スイッチの機能を果たすために、図２で説明した高周波スイッチと同じダイオードである。例えば、２つのスイッチングダイオードＤ５と接続点Ａを含む部分は、ＭＡＣＯＭ製のＭＰＮＤ４００５とすることができる。単体であれば、大電流が流れるとスイッチングダイオードＤ５は発熱して破損するおそれもある。しかし、高周波スイッチ３０１は、図３のようにスイッチングダイオードＤ５に放熱板付ダイオードＤ６が接続される。このため、スイッチングダイオードＤ５で発生した熱は配線を経由して放熱板付ダイオードＤ６へ移動し、放熱板付ダイオードＤ６の放熱板から放散される。従って、大電流が流れてもスイッチングダイオードＤ５の熱を放熱でき、スイッチングダイオードＤ５の破損を防止することができる。

つまり、高周波スイッチ３０１は、シリーズ型であるので帯域が広く、放熱板付ダイオードＤ６でスイッチングダイオードＤ５の放熱を行うことでハイパワー化を可能とした。

（実施形態２）
図４及び図５は、本実施形態の高周波スイッチ３０２を説明する図である。高周波スイッチ３０２は、図３の高周波スイッチ３０１にコモン端子１と接続点Ａとの間を接続する他の放熱板付ダイオードＤ７をさらに備えたことを特徴とする。放熱板付ダイオードＤ７の整流方向は、接続点Ａを介したそれぞれのダイオードセットＤＳの整流方向と同じである。
また、符号１０は基板である。
なお、図４でも、ダイオードに印加するバイアスの入力経路の記載を省略している。

高周波スイッチ３０２は、コモン端子１側にも放熱板付ダイオードＤ７を備えているので、スイッチングダイオードＤ５で発生した熱は接続点Ａ側の配線を経由して放熱板付ダイオードＤ７へも移動する。このため、スイッチングダイオードＤ５で発生した熱は放熱板付ダイオードＤ６と放熱板付ダイオードＤ７の双方の放熱板から放散される。従って、高周波スイッチ３０２は、図３の高周波スイッチ３０１よりスイッチングダイオードＤ５の冷却効果が大きく、よりハイパワー化を図れる。なお、熱伝導性を向上させるために配線７の幅ｗは広い方が好ましい。例えば、ｗ＝０．１ｍｍである。

また、放熱板付ダイオードＤ６と放熱板付ダイオードＤ７を同じタイプとすれば、ダイオードが形成された面の、基板１０からの高さｈ（例えば、ｈ＝０．１４ｍｍ）が等しくなり、配線７やスイッチングダイオードＤ５を配置することが容易になり、高周波スイッチの組立性が向上する。

さらに、高周波スイッチ３０２は、配線７及びスイッチングダイオードＤ５と基板１０との間が空間であることが好ましい。例えば、高周波スイッチ３０２の配線７及びスイッチングダイオードＤ５をビームリードパッケージで構成する。スイッチングダイオードＤ５から接続点Ａまでの下部を空間とすることで比誘電率を１とすることができる。
スイッチングダイオードＤ５から接続点Ａまでの下部が空間でない場合（例えば、スイッチングダイオードがＤ６のような放熱板付ダイオードである場合）、比誘電率が１以上となり、次のような課題が生じる。図２を用いて説明する。例えば、ダイオードＤ３がオフ、ダイオードＤ４がオンであるとする。この場合、コモン端子１からの信号は、接続点Ａから直接ダイオードＤ４を通って分岐端子２へ流れる第１経路のものと、接続点Ａから一旦ダイオードＤ３へ向かい、ダイオードＤ３で反射した後にダイオードＤ４を通って分岐端子２へ流れる第２経路のものに分かれる。つまり、第２経路の信号は、接続点ＡとダイオードＤ３の間を往復するため、第１経路の信号に対して位相差が生まれる。ここで、接続点Ａからスイッチングダイオードまでの電気長は、配線下部の誘電率が大きくなるほど長くなり、位相差が大きくなる。位相差が１８０°になれば、第１経路の信号と第２経路の信号とが打ち消し合い、分岐端子２に信号が出力されなくなる。これは、接続点Ａからスイッチングダイオードまでの電気長が長くなるほど通過帯域幅が狭くなることを意味する。
そこで、高周波スイッチ３０２は、スイッチングダイオードＤ５から接続点Ａまでの下部を空間として比誘電率を下げ（比誘電率は１）、当該電気長をできるだけ小さくして通過帯域幅が狭くなることを防止している。スイッチングダイオードＤ５間の距離ｌを例えば０．１ｍｍとすることができる。

図６は、高周波スイッチ３０２、従来品Ａ（シリーズ型）及び従来品Ｂ（シャント型）の挿入損失を比較した結果である。従来品Ｂはシャント型なので前述のように低周波側と高周波側で挿入損失が大きくなっているが、２０〜４０ＧＨｚの帯域で比較すれば、高周波スイッチ３０２、従来品Ａ及び従来品Ｂともにほぼ同程度の挿入損失である。

また、図７は、高周波スイッチ３０２、従来品Ａ及び従来品Ｂの他の特性を比較した結果である。特性は、許容入力、帯域、３次相互変調歪（ＩＰ３）、及びアイソレーションを比較した。従来品Ａは、広帯域であるが、高周波信号のパワーや歪特性（ＩＰ３）に課題がある。従来品Ｂは、ハイパワーに対応でき、歪特性（ＩＰ３）も良好であるが、帯域に課題がある。高周波スイッチ３０２は、従来品の課題を解決しており、ハイパワー且つ広帯域の高周波信号に対応できることがわかる。

（実施形態３）
図８は、本実施形態の高周波スイッチ３０３を説明する図である。高周波スイッチ３０３は、図３の高周波スイッチ３０１の単極双投ユニット１１又は図４の高周波スイッチ３０２の単極双投ユニット１２が有するダイオードセットＤＳの放熱板付ダイオードＤ６側に、さらに他の単極双投ユニット（１１ａ、１１ｂ）のコモン端子１が接続されることを特徴とする。

図３の高周波スイッチ３０１又は図４の高周波スイッチ３０２は、単極双投ユニットが１段の単極双投（ＳＰＤＴ）であるが、高周波スイッチ３０３は単極双投ユニットが２段のＳＰ４Ｔである。このように、ダイオードセットＤＳの放熱板付ダイオードＤ６側に、他の単極双投ユニットのコモン端子１を接続していくことで分岐数を自在に設定でき、ＳＰｘＴの高周波スイッチを設計することができる。

（実施形態４）
図９は、本実施形態のシグナルジェネレータ４０１を説明する図である。シグナルジェネレータ４０１は、
任意の周波数の信号を発生させる発振器２０と、
増幅する信号の周波数範囲がそれぞれ異なる複数の増幅器（２２−１、２２−２）と、
発振器２０からの信号を増幅器（２２−１、２２−２）のいずれかに入力する高周波スイッチ２１と、
前記ダイオードセットの前記放熱板付ダイオード側に増幅器（２２−１、２２−２）をそれぞれ接続し、増幅器（２２−１、２２−２）からのいずれかの信号をコモン端子１から出力する高周波スイッチ（３０１又は３０２）と、
を備える。

発振器２０は、周波数可変であり、所望の周波数の信号を出力する。たとえば、発振器２０は、１ＧＨｚから４０ＧＨｚのいずれかの周波数の信号を出力する。
増幅器２２−１と増幅器２２−２は、増幅する信号の周波数帯域が異なる。例えば、増幅器２２−１は１ＧＨｚから３０ＧＨｚの周波数の信号を増幅し、増幅器２２−２は３０ＧＨｚから４０ＧＨｚの周波数の信号を増幅する。

高周波スイッチ２１は、発振器２０からの信号の周波数により当該信号を増幅器２２−１と増幅器２２−２のいずれかに出力するように方路を切り替える。高周波スイッチ２１の方路の切り替えは、作業者が行ってもよいが、発振器２０にセットされた周波数を判断して自動的に方路を切り替える構成でもよい。増幅器（２２−１、２２−２）で増幅された信号は、それぞれ高周波スイッチ（３０１又は３０２）の分岐端子（２、３）に入力される。高周波スイッチ（３０１又は３０２）は、分岐端子（２、３）に入力された信号のいずれかをコモン端子１に出力するように方路を切り替える。高周波スイッチ（３０１又は３０２）の方路の切り替えは、作業者が行ってもよいが、高周波スイッチ２１の方路の切り替えに連動して自動的に切り替える構成でもよい。

増幅器には周波数特性があり、増幅可能な信号の周波数が限定される。このため、増幅器が単独であれば、シグナルジェネレータが出力できる周波数範囲はその増幅器の周波数特性となってしまう。シグナルジェネレータ４０１は、異なる周波数特性の増幅器（２２−１、２２−２）を並列させており、高周波スイッチで発振器２０からの信号をその周波数に対応できる増幅器へ入力することができる。

ここで、高周波スイッチがシャント型であると発振器２０からの信号の周波数が制限され、広範囲な周波数の信号を出力できない。また、高周波スイッチがシリーズ型であると発振器２０からの信号のパワーが制限され、増幅器での増幅率を増大しなければならない。シグナルジェネレータ４０１は、高周波スイッチとして高周波スイッチ（３０１又は３０２）を備えるため、広範囲な周波数の信号を出力でき、増幅器での増幅率を増大する必要もない。

図９では、増幅器が２つであるシグナルジェネレータを説明したが、実施形態３で説明した高周波スイッチ３０３を用いれば、周波数特性の異なる増幅器を４つ並列させることができ、さらに広範囲な周波数の信号を出力することができる。また、高周波スイッチ３０３の構成を応用したＳＰｘＴの高周波スイッチであれば、ｘの数だけ増幅器を並列でき、広範囲な周波数の信号を出力することができる。

（実施形態５）
図１０は、本実施形態のスペクトラムアナライザ５０１を説明する図である。スペクトラムアナライザ５０１は、
高周波信号の周波数を中間周波数に変換する変換量が互いに異なる複数の周波数変換回路（３２−１．３２−２）と、
測定対象の高周波信号がコモン端子１に入力され、ダイオードセットＤＳの放熱板付ダイオードＤ６側に周波数変換回路（３２−１．３２−２）が接続される高周波スイッチ（３０１又は３０２）と、
を備える。

測定対象の高周波信号は入力端３０から入力される。周波数変換回路（３２−１．３２−２）が有するミキサへの信号の過入力を防ぎ、損傷の防止やミキシングのリニアリティ維持のため、アッテネータ３１は高周波信号の強度を低減する。

後段の解析部３４の周波数帯域は有限であり、アッテネータ３１の出力と局部発振器ＬＯ１の出力をミキシングした信号の周波数が当該周波数帯域に含まれていれば、当該信号を解析部３４に直接入力すればよいが、当該信号が当該周波数帯域より周波数が高い場合、周波数変換回路で周波数を変換（ダウンコンバート）する必要がある。測定を広帯域化するためには周波数の変換量が異なる周波数変換回路を複数用意し、入力信号の周波数に応じて周波数変換回路を選択する。

スペクトラムアナライザ５０１は、周波数変換回路を２つ備える（符号３２−１と３２−２）。周波数変換回路３２−１は、周波数を掃引させた局部発振器ＬＯ１からの信号と周波数が一定の局部発振器ＬＯ２−２からの信号の２段で入力された高周波信号の周波数をダウンコンバートする。周波数変換回路３２−２は、周波数を掃引させた局部発振器ＬＯ１からの信号、及び周波数が一定の局部発振器ＬＯ２−１と局部発振器ＬＯ３−１からの信号の３段で入力された高周波信号の周波数をダウンコンバートする。

このため、アッテネータ３１の出力をいずれの周波数変換回路に入力するかを選択するスイッチが必要である。スペクトラムアナライザ５０１は、当該スイッチに図３〜図５で説明した高周波スイッチ（３０１又は３０２）を採用する。高周波スイッチ（３０１又は３０２）の切り替えは、作業者が行ってもよいが、入力端３０に入力された高周波信号を判断して自動的に切り替える構成でもよい。周波数変換回路３２−１又は周波数変換回路３２−２でダウンコンバートされた信号は合流器３３を経由して解析部３４に入力される。

ここで、高周波スイッチがシャント型であると入力端３０からの信号の周波数が制限され、広範囲な周波数の信号を解析できない。また、高周波スイッチがシリーズ型であると入力端３０からの信号のパワーが制限され、例えばアッテネータ３１での減衰量を増大すればＳＮ比が増大する。スペクトラムアナライザ５０１は、高周波スイッチとして高周波スイッチ（３０１又は３０２）を備えるため、広範囲な周波数の信号を解析でき、アッテネータ３１での減衰量を増大する必要もない。

図１０では、周波数変換回路が２つであるシグナルジェネレータを説明したが、実施形態３で説明した高周波スイッチ３０３を用いれば、ダウンコンバート量が異なる周波数変換回路を４つ並列させることができ、さらに広範囲な周波数の信号を解析することができる。また、高周波スイッチ３０３の構成を応用したＳＰｘＴの高周波スイッチであれば、ｘの数だけ周波数変換回路を並列でき、広範囲な周波数の信号を解析することができる。

１：コモン端子
２，３：分岐端子
７：配線
１１、１１ａ、１１ｂ、１２：単極双投ユニット
２０：発振器
２１：高周波スイッチ
２２−１、２２−２：増幅器
２４：出力端
３０：入力端
３１：アッテネータ
３２−１、３２−２：周波数変換回路
３３：合流器
３４：解析部
Ｄ１、Ｄ２：シャントダイオード
Ｄ３、Ｄ４：シリーズダイオード
Ｄ５：スイッチングダイオード
Ｄ６、Ｄ７：放熱構造を有するダイオード、放熱板付ダイオード
ＤＳ：ダイオードセット
ＬＯ１、ＬＯ２−１、ＬＯ２−２、ＬＯ３−１：局部発振器
ｍｉｘ１−１、ｍｉｘ２−１、ｍｉｘ３−１、ｍｉｘ１−２、ｍｉｘ２−２：ミキサ
３０１、３０２、３０３：高周波スイッチ
４０１：シグナルジェネレータ
５０１：スペクトラムアナライザ

Claims (6)

1. スイッチングダイオード（Ｄ５）と放熱構造を有するダイオード（Ｄ６）を整流方向が同じになるように直列に接続した２つのダイオードセット（ＤＳ）と、
   ２つの前記ダイオードセットを、互いに整流方向が異なるように前記スイッチングダイオード側で接続した接続点（Ａ）に接続するコモン端子（１）と、
   を有する単極双投ユニット（１１）を備えることを特徴とする高周波スイッチ。
2. 前記単極双投ユニットは、前記接続点で接続された前記スイッチングダイオード間と前記放熱構造を有するダイオードが搭載される基板との間が空間であることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ。
3. 前記コモン端子と前記接続点との間を接続する他の放熱構造を有するダイオード（Ｄ７）をさらに備え、
   前記他の放熱構造を有するダイオードの整流方向は、前記接続点を介したそれぞれの前記ダイオードセットの整流方向と同じであることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波スイッチ。
4. 前記ダイオードセットの前記放熱構造を有するダイオード側に、さらに他の前記単極双投ユニットの前記コモン端子が接続されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の高周波スイッチ。
5. 増幅する信号の周波数範囲がそれぞれ異なる複数の増幅器（２２−１、２２−２）と、
   任意の周波数の信号を発生させて前記増幅器のいずれかに入力する発振器（２０）と、
   前記ダイオードセットの前記放熱構造を有するダイオード側に前記増幅器をそれぞれ接続し、前記増幅器からのいずれかの信号を前記コモン端子から出力する請求項１から４のいずれかに記載の高周波スイッチと、
   を備えるシグナルジェネレータ。
6. 高周波信号の周波数を中間周波数に変換する変換量が互いに異なる複数の周波数変換回路（３２−１、３２−２）と、
   測定対象の高周波信号が前記コモン端子に入力され、前記ダイオードセットの前記放熱構造を有するダイオード側に前記周波数変換回路が接続される請求項１から４のいずれかに記載の高周波スイッチと、
   を備えるスペクトラムアナライザ。

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