JP2020181912A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor device.
特許文献１に記載のように、直流電力を交流電力に変換して出力する半導体装置は、パワー素子が実装されたパワー基板を備える。パワー基板には、パワー素子に加えてチップコンデンサ等の回路素子が実装されている。 As described in Patent Document 1, a semiconductor device that converts DC power into AC power and outputs it includes a power substrate on which a power element is mounted. In addition to the power element, a circuit element such as a chip capacitor is mounted on the power board.
半導体装置においては、コストの低減や、配置上の制約を少なくすること等を目的として、パワー基板の小型化が求められる場合がある。
本発明の目的は、パワー基板を小型化することができる半導体装置を提供することにある。
In semiconductor devices, miniaturization of power substrates may be required for the purpose of reducing costs, reducing restrictions on arrangement, and the like.
An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of miniaturizing a power substrate.
上記課題を解決する半導体装置は、複数のパワー素子を並べたパワー素子群が間隔を空けて複数配列されているパワー基板と、前記パワー基板の板厚方向に前記パワー基板と間隔を空けて配置されており、前記パワー素子を制御する電子部品が実装された制御基板と、前記パワー基板と前記制御基板との間に配置されており、複数のコンデンサが実装されたコンデンサ基板と、前記パワー基板が固定されたヒートシンクと、前記パワー基板と前記コンデンサ基板とを電気的に接続しているスペーサと、を備え、前記スペーサは、隣り合う前記パワー素子群同士の間に配置された本体と、前記パワー素子の並ぶ方向において、前記パワー素子群よりも外側であり、かつ、前記コンデンサ基板の板厚方向から見て前記コンデンサと重なり合わない位置に設けられた筒状の伝熱部と、を備え、前記伝熱部は、前記パワー基板に接触する第１接触面と、前記コンデンサ基板に接触する第２接触面と、前記第１接触面から前記第２接触面に向けて凹んでおり、前記伝熱部の内外を連通させる切欠部と、を備え、前記パワー基板には、前記切欠部に向かい合う位置に回路素子が実装されている。 A semiconductor device that solves the above problems includes a power substrate in which a plurality of power element groups in which a plurality of power elements are arranged are arranged at intervals, and the power substrate is arranged at intervals in the plate thickness direction of the power substrate. A control board on which electronic components for controlling the power element are mounted, a capacitor board on which a plurality of capacitors are mounted, and a power board which are arranged between the power board and the control board. The spacer is provided with a heat sink to which the power substrate is fixed and a spacer for electrically connecting the power substrate and the capacitor substrate. The spacer is a main body arranged between adjacent power element groups and the spacer. A tubular heat transfer unit provided at a position outside the power element group in the direction in which the power elements are lined up and at a position not overlapping the capacitor when viewed from the plate thickness direction of the capacitor substrate is provided. The heat transfer portion is recessed from the first contact surface in contact with the power substrate, the second contact surface in contact with the capacitor substrate, and the second contact surface from the first contact surface. A notch for communicating the inside and outside of the heat transfer portion is provided, and a circuit element is mounted on the power board at a position facing the notch.
パワー基板には、回路素子が実装されている。伝熱部に切欠部を設けることで、切欠部を設けない場合に比べて、切欠部に向かい合う位置に配置される回路素子からスペーサまでの絶縁距離を長くすることができる。切欠部を設けていない場合、伝熱部との絶縁距離を確保するため、伝熱部と回路素子との離間距離を長くする必要がある。即ち、パワー基板において、回路素子を実装可能な面積が少なくなる。切欠部を設けて、回路素子を伝熱部の近くに配置できるようにすることで、パワー基板を小型化することができる。 Circuit elements are mounted on the power board. By providing the heat transfer portion with the notch portion, the insulation distance from the circuit element arranged at the position facing the notch portion to the spacer can be lengthened as compared with the case where the notch portion is not provided. When the cutout portion is not provided, it is necessary to increase the separation distance between the heat transfer portion and the circuit element in order to secure the insulation distance from the heat transfer portion. That is, the area on which the circuit element can be mounted on the power board is reduced. The power substrate can be miniaturized by providing a notch so that the circuit element can be arranged near the heat transfer portion.
上記半導体装置について、前記伝熱部の軸線方向に直交する方向を前記伝熱部の厚み方向とすると、前記伝熱部は、前記切欠部の前記厚み方向の寸法よりも前記厚み方向の寸法が長い厚肉部を備えていてもよい。 With respect to the semiconductor device, assuming that the direction orthogonal to the axial direction of the heat transfer portion is the thickness direction of the heat transfer portion, the heat transfer portion has a dimension in the thickness direction rather than a dimension in the thickness direction of the notch portion. It may have a long thick portion.
これによれば、厚肉部によって伝熱部の強度を向上させることができる。
上記半導体装置について、前記厚肉部は、前記パワー素子の並ぶ方向において、前記パワー素子群側とは反対側に設けられていてもよい。
According to this, the strength of the heat transfer portion can be improved by the thick portion.
Regarding the semiconductor device, the thick portion may be provided on the side opposite to the power element group side in the direction in which the power elements are arranged.
厚肉部を設けた箇所では、回路素子と伝熱部との距離が近付き、絶縁距離を確保するために回路素子を離間させる必要が生じる場合がある。パワー素子の並ぶ方向において、パワー素子群側には回路素子が配置される一方で、パワー素子の並ぶ方向において、パワー素子群側の反対側には回路素子が配置されにくい。パワー素子の並ぶ方向において、パワー素子群とは反対側に厚肉部を設けることで、回路素子を伝熱部から離間させる必要が生じにくい。 At the location where the thick portion is provided, the distance between the circuit element and the heat transfer portion becomes close, and it may be necessary to separate the circuit elements in order to secure the insulation distance. While the circuit elements are arranged on the power element group side in the direction in which the power elements are arranged, it is difficult to arrange the circuit elements on the opposite side of the power element group side in the direction in which the power elements are arranged. By providing a thick portion on the side opposite to the power element group in the direction in which the power elements are lined up, it is less likely that the circuit element needs to be separated from the heat transfer portion.
本発明によれば、パワー基板を小型化することができる。 According to the present invention, the power substrate can be miniaturized.
以下、半導体装置の一実施形態について説明する。なお、本実施形態の半導体装置は、フォークリフト等の産業車両に搭載されるインバータである。インバータは、バッテリから入力された直流電力を交流電力に変換して、三相モータに出力する。これにより、三相モータが駆動する。三相モータの駆動により産業車両は走行する。 Hereinafter, an embodiment of the semiconductor device will be described. The semiconductor device of this embodiment is an inverter mounted on an industrial vehicle such as a forklift. The inverter converts the DC power input from the battery into AC power and outputs it to the three-phase motor. As a result, the three-phase motor is driven. Industrial vehicles run by driving a three-phase motor.
図１に示すように、半導体装置１０は、ヒートシンク１１と、パワー基板２０と、制御基板６０と、コンデンサ基板５０と、を備える。ヒートシンク１１は、アルミニウム系金属や銅等の金属製である。ヒートシンク１１は、板状の載置部１２と、載置部１２の板厚方向の一面から突出するフィン１３と、を備える。 As shown in FIG. 1, the semiconductor device 10 includes a heat sink 11, a power substrate 20, a control substrate 60, and a capacitor substrate 50. The heat sink 11 is made of a metal such as aluminum-based metal or copper. The heat sink 11 includes a plate-shaped mounting portion 12 and fins 13 protruding from one surface of the mounting portion 12 in the plate thickness direction.
制御基板６０は、パワー基板２０の板厚方向に対して、パワー基板２０と間隔を空けて配置されている。コンデンサ基板５０は、パワー基板２０と、制御基板６０との間に配置されている。パワー基板２０の板厚方向と、制御基板６０の板厚方向と、コンデンサ基板５０の板厚方向は一致している。ヒートシンク１１、パワー基板２０、コンデンサ基板５０及び制御基板６０は、層状に配置されているといえる。 The control board 60 is arranged at a distance from the power board 20 in the thickness direction of the power board 20. The capacitor board 50 is arranged between the power board 20 and the control board 60. The thickness direction of the power board 20, the thickness direction of the control board 60, and the thickness direction of the capacitor board 50 are the same. It can be said that the heat sink 11, the power board 20, the capacitor board 50, and the control board 60 are arranged in layers.
図１及び図２に示すように、半導体装置１０は、複数のパワー素子２４と、２つの入力端子２５と、３つの出力端子３５と、回路素子３８と、２つのスペーサ４０と、を備える。パワー素子２４、入力端子２５、出力端子３５、スペーサ４０及び回路素子３８は、パワー基板２０に実装されている。本実施形態のパワー素子２４は、ＭＯＳＦＥＴである。なお、パワー素子２４としては、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ等を用いることもできる。複数のパワー素子２４は、６つのパワー素子群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６に分かれて配置されている。各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６において、各パワー素子２４は、一列に並んでいる。以下、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を構成するパワー素子２４の並ぶ方向を第１方向とする。 As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device 10 includes a plurality of power elements 24, two input terminals 25, three output terminals 35, a circuit element 38, and two spacers 40. The power element 24, the input terminal 25, the output terminal 35, the spacer 40, and the circuit element 38 are mounted on the power board 20. The power element 24 of this embodiment is a MOSFET. As the power element 24, for example, an insulated gate bipolar transistor or the like can be used. The plurality of power elements 24 are divided into six power element groups G1, G2, G3, G4, G5, and G6. In the power element groups G1 to G6, the power elements 24 are arranged in a row. Hereinafter, the direction in which the power elements 24 constituting the power element groups G1 to G6 are arranged is defined as the first direction.
各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６は、間隔を空けて配列されている。詳細にいえば、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６は、パワー基板２０の板厚方向の面に沿う方向のうち、第１方向に交差する方向に配列されている。以下、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６の配列方向を第２方向とする。各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６は、インバータにおける三相の上下アームを構成している。 The power element groups G1 to G6 are arranged at intervals. More specifically, the power element groups G1 to G6 are arranged in a direction intersecting the first direction among the directions along the surface of the power substrate 20 in the plate thickness direction. Hereinafter, the arrangement direction of each power element group G1 to G6 is referred to as the second direction. Each power element group G1 to G6 constitutes a three-phase upper / lower arm in the inverter.
パワー基板２０は、載置部１２の板厚方向の両面のうちフィン１３が設けられた面の反対面に固定されている。本実施形態のパワー基板２０は、絶縁金属基板であり、金属製のベースに絶縁層を設けたものである。 The power substrate 20 is fixed to the opposite surface of the mounting portion 12 on both sides in the plate thickness direction where the fins 13 are provided. The power substrate 20 of the present embodiment is an insulating metal substrate, and is provided with an insulating layer on a metal base.
図２及び図３に示すように、パワー基板２０は、絶縁層から露出した複数の導体パターン２１，２２，２３を備える。導体パターン２１，２２，２３には、パワー素子２４及び回路素子３８が電気的に接続されている。導体パターン２１，２２，２３は、互いに間隔を空けて第２方向に並んで配置されている。導体パターン２１，２２，２３は、入力端子２５に接続される２つの導体パターン２１、出力端子３５に接続される３つの導体パターン２２及びスペーサ４０に接続される２つの導体パターン２３を含む。なお、回路素子３８には、抵抗素子、チップコンデンサ、コイル、ダイオード等の種々の部品が含まれる。 As shown in FIGS. 2 and 3, the power substrate 20 includes a plurality of conductor patterns 21, 22, and 23 exposed from the insulating layer. The power element 24 and the circuit element 38 are electrically connected to the conductor patterns 21, 22, and 23. The conductor patterns 21, 22, and 23 are arranged side by side in the second direction at intervals from each other. The conductor patterns 21, 22, and 23 include two conductor patterns 21 connected to the input terminal 25, three conductor patterns 22 connected to the output terminal 35, and two conductor patterns 23 connected to the spacer 40. The circuit element 38 includes various components such as a resistance element, a chip capacitor, a coil, and a diode.
導体パターン２１は、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を挟んで配置されている。導体パターン２２と、導体パターン２３とは、隣り合うパワー素子群Ｇ１〜Ｇ６同士の間に配置されている。導体パターン２２と、導体パターン２３とは、交互に配置されている。 The conductor pattern 21 is arranged so as to sandwich the power element groups G1 to G6. The conductor pattern 22 and the conductor pattern 23 are arranged between adjacent power element groups G1 to G6. The conductor pattern 22 and the conductor pattern 23 are arranged alternately.
導体パターン２３は、隣り合うパワー素子群Ｇ１〜Ｇ６同士の間で第１方向に延びる第１部位２３Ａと、隣り合う２つのパワー素子群Ｇ１〜Ｇ６よりも第１方向に突出した第２部位２３Ｂと、を備える。第２部位２３Ｂは、第１方向においてパワー素子群Ｇ１〜Ｇ６よりも外側に設けられている。 The conductor pattern 23 has a first portion 23A extending in the first direction between adjacent power element groups G1 to G6 and a second portion 23B protruding in the first direction from the two adjacent power element groups G1 to G6. And. The second portion 23B is provided outside the power element groups G1 to G6 in the first direction.
パワー基板２０は、第１貫通孔Ｈ１を形成する第１貫通孔形成面Ａ１と、第２貫通孔Ｈ２を形成する第２貫通孔形成面Ａ２と、を備える。第１貫通孔Ｈ１及び第２貫通孔Ｈ２は、パワー基板２０を板厚方向に貫通している。第１貫通孔Ｈ１及び第２貫通孔Ｈ２は、それぞれ、複数設けられている。第１貫通孔形成面Ａ１は、第１貫通孔Ｈ１を囲む環状の面である。第２貫通孔形成面Ａ２は、第２貫通孔Ｈ２を囲む環状の面である。第１貫通孔Ｈ１は、パワー基板２０において、導体パターン２１，２２，２３の配置された部分に設けられている。第１貫通孔Ｈ１は、導体パターン２１の配置された部分及び導体パターン２２の配置された部分のそれぞれに２つずつ設けられている。第１貫通孔Ｈ１は、第１部位２３Ａの配置された部分に２つ、第２部位２３Ｂの配置された部分に１つ設けられている。 The power substrate 20 includes a first through hole forming surface A1 forming the first through hole H1 and a second through hole forming surface A2 forming the second through hole H2. The first through hole H1 and the second through hole H2 penetrate the power substrate 20 in the plate thickness direction. A plurality of first through holes H1 and a plurality of second through holes H2 are provided. The first through hole forming surface A1 is an annular surface surrounding the first through hole H1. The second through hole forming surface A2 is an annular surface surrounding the second through hole H2. The first through hole H1 is provided in a portion of the power substrate 20 in which the conductor patterns 21, 22, and 23 are arranged. Two first through holes H1 are provided in each of the portion where the conductor pattern 21 is arranged and the portion where the conductor pattern 22 is arranged. Two first through holes H1 are provided in the portion where the first portion 23A is arranged, and one is provided in the portion where the second portion 23B is arranged.
図１に示すように、２つの入力端子２５と、３つの出力端子３５とは、第２方向に間隔を空けて並んでいる。２つの入力端子２５は、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を挟んで配置されている。即ち、入力端子２５は、第２方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６よりもパワー基板２０の外縁に寄って配置されている。３つの出力端子３５は、２つの入力端子２５同士の間に配置されている。入力端子２５は、基部２６と、基部２６から突出する柱状部２７と、柱状部２７の周面から突出する台座部２８と、を備える。出力端子３５は、基部３６と、基部３６から突出する柱状部３７と、を備える。入力端子２５、及び、出力端子３５は、アルミニウム系金属や銅などの金属製である。２つの入力端子２５のうちの一方には、バッテリの正極が接続され、２つの入力端子２５のうちの他方には、バッテリの負極が接続される。出力端子３５には、三相モータが接続される。 As shown in FIG. 1, the two input terminals 25 and the three output terminals 35 are arranged at intervals in the second direction. The two input terminals 25 are arranged so as to sandwich the power element groups G1 to G6. That is, the input terminal 25 is arranged closer to the outer edge of the power substrate 20 than the power element groups G1 to G6 in the second direction. The three output terminals 35 are arranged between the two input terminals 25. The input terminal 25 includes a base portion 26, a columnar portion 27 projecting from the base portion 26, and a pedestal portion 28 projecting from the peripheral surface of the columnar portion 27. The output terminal 35 includes a base portion 36 and a columnar portion 37 protruding from the base portion 36. The input terminal 25 and the output terminal 35 are made of a metal such as aluminum-based metal or copper. The positive electrode of the battery is connected to one of the two input terminals 25, and the negative electrode of the battery is connected to the other of the two input terminals 25. A three-phase motor is connected to the output terminal 35.
２つのスペーサ４０は、第２方向に間隔を空けて並んでいる。各スペーサ４０は、出力端子３５同士の間に配置されている。スペーサ４０は、アルミニウム系金属や銅などの金属製である。 The two spacers 40 are arranged at intervals in the second direction. Each spacer 40 is arranged between the output terminals 35. The spacer 40 is made of a metal such as aluminum-based metal or copper.
図４及び図５に示すように、スペーサ４０は、矩形板状の本体４１と、本体４１の長手方向の一端に設けられた筒状の伝熱部４２と、を備える。本体４１は、基部４５と、基部４５から突出する２つの接触部４３と、を備える。２つの接触部４３は、本体４１の板厚方向に突出している。２つの接触部４３と、伝熱部４２とは、本体４１の長手方向に並んで配置されている。スペーサ４０は、本体４１の板厚方向にスペーサ４０を貫通したスペーサ孔４４を形成しているスペーサ孔形成面４６を備える。スペーサ孔４４は、本体４１において各接触部４３を備える部分及び伝熱部４２に設けられている。 As shown in FIGS. 4 and 5, the spacer 40 includes a rectangular plate-shaped main body 41 and a tubular heat transfer portion 42 provided at one end of the main body 41 in the longitudinal direction. The main body 41 includes a base 45 and two contact portions 43 projecting from the base 45. The two contact portions 43 project in the plate thickness direction of the main body 41. The two contact portions 43 and the heat transfer portion 42 are arranged side by side in the longitudinal direction of the main body 41. The spacer 40 includes a spacer hole forming surface 46 that forms a spacer hole 44 that penetrates the spacer 40 in the plate thickness direction of the main body 41. The spacer holes 44 are provided in the portion of the main body 41 provided with each contact portion 43 and in the heat transfer portion 42.
本体４１は、パワー基板２０に接触する接触面４７Ａと、コンデンサ基板５０に接触する接触面４８Ａと、を備える。本体４１の板厚方向の両面のうち各接触部４３が設けられた面の反対面はパワー基板２０に接触する接触面４７Ａであり、各接触部４３の先端面はコンデンサ基板５０に接触する接触面４８Ａである。伝熱部４２は、パワー基板２０に接触する第１接触面４７Ｂと、コンデンサ基板５０に接触する第２接触面４８Ｂと、を備える。各接触面４７Ａ，４７Ｂ，４８Ａ，４８Ｂは、切削加工によって平滑化されている。 The main body 41 includes a contact surface 47A that contacts the power substrate 20 and a contact surface 48A that contacts the capacitor substrate 50. Of both sides of the main body 41 in the plate thickness direction, the opposite surface to which each contact portion 43 is provided is a contact surface 47A that contacts the power substrate 20, and the tip surface of each contact portion 43 is a contact that contacts the capacitor substrate 50. The surface is 48A. The heat transfer unit 42 includes a first contact surface 47B that contacts the power substrate 20 and a second contact surface 48B that contacts the capacitor substrate 50. Each contact surface 47A, 47B, 48A, 48B is smoothed by cutting.
伝熱部４２の軸線方向に直交する方向を伝熱部４２の厚み方向とする。図６に示すように、伝熱部４２は、厚み方向の寸法が他の部位よりも長い厚肉部４９を備える。厚肉部４９は、伝熱部４２において本体４１とは反対側の縁に設けられている。伝熱部４２は、第１接触面４７Ｂから第２接触面４８Ｂに向けて凹んでおり、伝熱部４２の内外を連通させる切欠部Ｃを備える。切欠部Ｃは、本体４１の短手方向に向かい合って２箇所に設けられている。伝熱部４２の厚み方向に対する切欠部Ｃの寸法ｄ１は、伝熱部４２の厚み方向に対する厚肉部４９の寸法ｄ２よりも短い。言い換えれば、厚肉部４９の厚み方向の寸法ｄ２は、切欠部Ｃの厚み方向の寸法ｄ１よりも長い。 The direction orthogonal to the axial direction of the heat transfer portion 42 is defined as the thickness direction of the heat transfer portion 42. As shown in FIG. 6, the heat transfer portion 42 includes a thick portion 49 whose dimensions in the thickness direction are longer than those of other portions. The thick portion 49 is provided on the edge of the heat transfer portion 42 opposite to the main body 41. The heat transfer portion 42 is recessed from the first contact surface 47B toward the second contact surface 48B, and includes a notch portion C that communicates the inside and outside of the heat transfer portion 42. Notches C are provided at two locations facing the lateral side of the main body 41. The dimension d1 of the notch portion C with respect to the thickness direction of the heat transfer portion 42 is shorter than the dimension d2 of the thick portion 49 with respect to the thickness direction of the heat transfer portion 42. In other words, the thickness direction dimension d2 of the thick portion 49 is longer than the thickness direction dimension d1 of the notch portion C.
図２及び図３に示すように、スペーサ４０の本体４１は、導体パターン２３の第１部位２３Ａに重なりあっている。スペーサ４０の伝熱部４２は、導体パターン２３の第２部位２３Ｂに重なりあっている。これにより、接触面４７Ａ，４７Ｂは、パワー基板２０の導体パターン２３に電気的に接続されている。スペーサ４０は、切欠部Ｃが第２方向を向くように配置されている。２つの切欠部Ｃは、互いに向かい合うように配置されているため、切欠部Ｃは、第２方向の両側に開口するように配置されている。パワー基板２０に配置された複数の回路素子３８のうちの一部の回路素子３８Ａは、切欠部Ｃに向かい合っている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the main body 41 of the spacer 40 overlaps the first portion 23A of the conductor pattern 23. The heat transfer portion 42 of the spacer 40 overlaps the second portion 23B of the conductor pattern 23. As a result, the contact surfaces 47A and 47B are electrically connected to the conductor pattern 23 of the power substrate 20. The spacer 40 is arranged so that the notch C faces in the second direction. Since the two notches C are arranged so as to face each other, the notches C are arranged so as to open on both sides in the second direction. Some of the circuit elements 38A among the plurality of circuit elements 38 arranged on the power board 20 face the notch C.
スペーサ４０の本体４１は、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６同士の間に配置されている。スペーサ４０の伝熱部４２は、パワー素子２４の並ぶ方向である第１方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６よりも外側に配置されている。 The main body 41 of the spacer 40 is arranged between the power element groups G1 to G6. The heat transfer portion 42 of the spacer 40 is arranged outside the power element groups G1 to G6 in the first direction, which is the direction in which the power elements 24 are arranged.
図７及び図８に示すように、半導体装置１０は、コンデンサ基板５０に実装された複数のコンデンサ５４と、樹脂部５９と、を備える。コンデンサ基板５０において、第１方向の両縁５５，５６のうち一方の縁５５に沿って複数のコンデンサ５４は配置されている。コンデンサ基板５０の第１方向での中心Ｃ１よりも、各コンデンサ５４は縁５５側に集約して配置されている。コンデンサ基板５０の第１方向での中心Ｃ１でコンデンサ基板５０を二分すると、一方の領域にはコンデンサ５４が配置されており、他方の領域にはコンデンサ５４が配置されていないことになる。なお、コンデンサ基板５０は、縁５５に沿う部分の一部に、コンデンサ５４が設けられていない非配置領域５７を備える。コンデンサ５４は、円柱状であり、軸線方向とコンデンサ基板５０の板厚方向とが一致するように配置されている。コンデンサ５４は、コンデンサ基板５０に立設しているといえる。 As shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor device 10 includes a plurality of capacitors 54 mounted on the capacitor substrate 50, and a resin portion 59. In the capacitor substrate 50, a plurality of capacitors 54 are arranged along one of the edges 55 and 56 in the first direction. The capacitors 54 are arranged closer to the edge 55 than the center C1 of the capacitor substrate 50 in the first direction. When the capacitor board 50 is divided into two by the center C1 in the first direction of the capacitor board 50, the capacitor 54 is arranged in one area and the capacitor 54 is not arranged in the other area. The capacitor substrate 50 includes a non-arranged region 57 in which the capacitor 54 is not provided in a part of the portion along the edge 55. The capacitor 54 has a columnar shape, and is arranged so that the axial direction and the thickness direction of the capacitor substrate 50 coincide with each other. It can be said that the capacitor 54 is erected on the capacitor substrate 50.
図１及び図７に示すように、コンデンサ基板５０は、レジスト５１と、レジスト５１から露出するパターン５２と、出力孔５３を形成する出力孔形成面Ａ３と、第３貫通孔Ｈ３を形成する第３貫通孔形成面Ａ４と、を備える。パターン５２は、コンデンサ５４に沿うように設けられている。出力端子３５の柱状部３７は、出力孔５３を挿通している。第３貫通孔Ｈ３は、非配置領域５７を含む複数箇所に設けられている。第３貫通孔Ｈ３は、第１貫通孔Ｈ１と同数設けられている。第３貫通孔Ｈ３同士の間隔は、第１貫通孔Ｈ１同士の間隔と同一である。第３貫通孔Ｈ３と、第１貫通孔Ｈ１とは、コンデンサ基板５０の板厚方向に向かい合って配置されている。樹脂部５９は、各パターン５２に設けられている。樹脂部５９は、パターン５２及びコンデンサ５４の両方に接触するようにポッティングされた樹脂である。樹脂部５９としては、例えば、樹脂に熱伝導性のフィラーを含ませたものが用いられる。 As shown in FIGS. 1 and 7, the capacitor substrate 50 forms a resist 51, a pattern 52 exposed from the resist 51, an output hole forming surface A3 forming the output hole 53, and a third through hole H3. 3 A through-hole forming surface A4 is provided. The pattern 52 is provided along the capacitor 54. The columnar portion 37 of the output terminal 35 is inserted through the output hole 53. The third through holes H3 are provided at a plurality of locations including the non-arranged region 57. The same number of third through holes H3 as the first through holes H1 are provided. The distance between the third through holes H3 is the same as the distance between the first through holes H1. The third through hole H3 and the first through hole H1 are arranged so as to face each other in the plate thickness direction of the capacitor substrate 50. The resin portion 59 is provided in each pattern 52. The resin portion 59 is a resin potted so as to come into contact with both the pattern 52 and the capacitor 54. As the resin portion 59, for example, a resin containing a thermally conductive filler is used.
図１、図８及び図９に示すように、コンデンサ基板５０は、入力端子２５の基部２６、出力端子３５の基部３６及びスペーサ４０に重ねて配置されている。コンデンサ基板５０は、非配置領域５７とスペーサ４０の伝熱部４２とが向かい合うように配置されている。コンデンサ基板５０の板厚方向から見て、伝熱部４２は、コンデンサ５４と重ならない位置に配置されているといえる。スペーサ４０の接触面４８Ａ，４８Ｂは、コンデンサ基板５０に接触している。入力端子２５の基部２６、出力端子３５の基部３６及びスペーサ４０を介して、コンデンサ基板５０とパワー基板２０とは、電気的に接続されている。 As shown in FIGS. 1, 8 and 9, the capacitor substrate 50 is arranged so as to overlap the base 26 of the input terminal 25, the base 36 of the output terminal 35, and the spacer 40. The capacitor substrate 50 is arranged so that the non-arranged region 57 and the heat transfer portion 42 of the spacer 40 face each other. It can be said that the heat transfer portion 42 is arranged at a position that does not overlap with the capacitor 54 when viewed from the thickness direction of the capacitor substrate 50. The contact surfaces 48A and 48B of the spacer 40 are in contact with the capacitor substrate 50. The capacitor substrate 50 and the power substrate 20 are electrically connected to each other via the base 26 of the input terminal 25, the base 36 of the output terminal 35, and the spacer 40.
図１に示すように、制御基板６０は、板厚方向に貫通した出力孔６１を形成する出力孔形成面Ａ５を備える。出力端子３５の柱状部３７は、出力孔６１を挿通している。制御基板６０は、図示しない基板支持部材によってコンデンサ基板５０との間隔を維持した状態で固定されている。 As shown in FIG. 1, the control board 60 includes an output hole forming surface A5 that forms an output hole 61 penetrating in the plate thickness direction. The columnar portion 37 of the output terminal 35 is inserted through the output hole 61. The control board 60 is fixed by a board support member (not shown) while maintaining a distance from the capacitor board 50.
半導体装置１０は、制御基板６０に実装された複数の電子部品６３を備える。電子部品６３は、各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６を制御する制御回路を構成している。制御回路により各パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６が制御されることで、電力変換が行われる。 The semiconductor device 10 includes a plurality of electronic components 63 mounted on the control board 60. The electronic component 63 constitutes a control circuit that controls each of the power element groups G1 to G6. Power conversion is performed by controlling each power element group G1 to G6 by the control circuit.
半導体装置１０は、パワー基板２０及びコンデンサ基板５０をヒートシンク１１に固定するための複数のネジＳ１と、絶縁性のインシュレータＩと、を備える。
複数のネジＳ１は、インシュレータＩとともにコンデンサ基板５０の第３貫通孔Ｈ３と、パワー基板２０の第１貫通孔Ｈ１とを挿通して、ヒートシンク１１の載置部１２に締結されている。これにより、ネジＳ１は、パワー基板２０とコンデンサ基板５０とを共締めしている。また、複数のネジＳ１のうち一部のネジＳ１は、第３貫通孔Ｈ３、第１貫通孔Ｈ１とともにスペーサ４０のスペーサ孔４４を挿通している。これにより、スペーサ４０がパワー基板２０に実装されている。
The semiconductor device 10 includes a plurality of screws S1 for fixing the power substrate 20 and the capacitor substrate 50 to the heat sink 11, and an insulating insulator I.
The plurality of screws S1 are fastened to the mounting portion 12 of the heat sink 11 by inserting the third through hole H3 of the capacitor substrate 50 and the first through hole H1 of the power substrate 20 together with the insulator I. As a result, the screw S1 fastens the power board 20 and the capacitor board 50 together. Further, some of the plurality of screws S1 have the spacer hole 44 of the spacer 40 inserted together with the third through hole H3 and the first through hole H1. As a result, the spacer 40 is mounted on the power board 20.
次に、半導体装置１０の作用について説明する。
半導体装置１０を駆動させると、パワー素子２４や電子部品６３などの電流が流れる部材が発熱する。パワー素子２４及びパワー基板２０で発した熱は、パワー基板２０からヒートシンク１１に伝導する。
Next, the operation of the semiconductor device 10 will be described.
When the semiconductor device 10 is driven, a member through which an electric current flows, such as a power element 24 and an electronic component 63, generates heat. The heat generated by the power element 24 and the power substrate 20 is conducted from the power substrate 20 to the heat sink 11.
コンデンサ５４及びコンデンサ基板５０で発した熱は、入力端子２５、出力端子３５及びスペーサ４０を介してパワー基板２０に伝導する。パワー基板２０に伝導した熱は、ヒートシンク１１に伝導する。パワー基板２０を介して、コンデンサ基板５０の熱をヒートシンク１１に伝導させることができる。本実施形態のスペーサ４０は、本体４１と、伝熱部４２を備えているため、本体４１及び伝熱部４２の両方を伝熱経路としてコンデンサ基板５０からパワー基板２０に熱が伝導する。仮に、スペーサ４０が伝熱部４２を備えていない場合、コンデンサ基板５０の熱をパワー基板２０に伝導させる伝熱経路は、本体４１のみとなる。スペーサ４０の伝熱経路が本体４１のみの場合、コンデンサ基板５０及びパワー基板２０とのスペーサ４０の接触面積が少ないことに加え、スペーサ４０の熱容量も少なくなる。このため、スペーサ４０を介してパワー基板２０に伝導する熱量が少ない。 The heat generated by the capacitor 54 and the capacitor board 50 is conducted to the power board 20 via the input terminal 25, the output terminal 35, and the spacer 40. The heat conducted on the power substrate 20 is conducted on the heat sink 11. The heat of the capacitor substrate 50 can be conducted to the heat sink 11 via the power substrate 20. Since the spacer 40 of the present embodiment includes the main body 41 and the heat transfer portion 42, heat is conducted from the capacitor substrate 50 to the power substrate 20 using both the main body 41 and the heat transfer portion 42 as heat transfer paths. If the spacer 40 does not include the heat transfer portion 42, the heat transfer path for conducting the heat of the capacitor substrate 50 to the power substrate 20 is only the main body 41. When the heat transfer path of the spacer 40 is only the main body 41, the contact area of the spacer 40 with the capacitor substrate 50 and the power substrate 20 is small, and the heat capacity of the spacer 40 is also small. Therefore, the amount of heat conducted to the power substrate 20 via the spacer 40 is small.
実施形態の半導体装置１０では、コンデンサ基板５０の縁５５側にコンデンサ５４が集約されている。コンデンサ５４をこのように配置すると、コンデンサ５４の重量によって、コンデンサ基板５０の縁５５側に荷重が集中し、重心位置がコンデンサ基板５０の中心Ｃ１よりも縁５５側に寄る。すると、振動や衝撃などでコンデンサ基板５０の縁５５側は撓みやすく、コンデンサ５４が脱落しやすい。 In the semiconductor device 10 of the embodiment, the capacitors 54 are integrated on the edge 55 side of the capacitor substrate 50. When the capacitor 54 is arranged in this way, the load is concentrated on the edge 55 side of the capacitor board 50 due to the weight of the capacitor 54, and the position of the center of gravity is closer to the edge 55 side than the center C1 of the capacitor board 50. Then, the edge 55 side of the capacitor substrate 50 is easily bent due to vibration or shock, and the capacitor 54 is easily dropped off.
本実施形態のように、伝熱部４２をパワー基板２０と、コンデンサ基板５０の縁５５側との間に配置することで、コンデンサ基板５０を伝熱部４２で支持して、コンデンサ基板５０の撓みを抑制できる。 By arranging the heat transfer portion 42 between the power substrate 20 and the edge 55 side of the capacitor substrate 50 as in the present embodiment, the capacitor substrate 50 is supported by the heat transfer portion 42, and the capacitor substrate 50 is supported. Bending can be suppressed.
また、樹脂部５９を設けることで、コンデンサ５４の発した熱は、樹脂部５９を介してパターン５２に伝わる。樹脂部５９を設けることで、コンデンサ５４からコンデンサ基板５０への伝熱経路を増やすことができ、コンデンサ５４の放熱性を向上させることができる。また、コンデンサ５４の根元が樹脂部５９によって補強されることで、コンデンサ５４の脱落が更に抑制される。 Further, by providing the resin portion 59, the heat generated by the capacitor 54 is transferred to the pattern 52 via the resin portion 59. By providing the resin portion 59, the heat transfer path from the capacitor 54 to the capacitor substrate 50 can be increased, and the heat dissipation of the capacitor 54 can be improved. Further, the base of the capacitor 54 is reinforced by the resin portion 59, so that the capacitor 54 is further suppressed from falling off.
上記したように、伝熱部４２を設けることで、伝熱経路を増加させることによるコンデンサ基板５０の放熱性の向上や、コンデンサ基板５０の撓みの抑制といった効果が得られる。一方で、伝熱部４２を設けると、回路素子３８を実装する際に、伝熱部４２との絶縁距離を確保しつつ回路素子３８を配置する必要がある。従って、伝熱部４２を設ける場合、パワー基板２０において回路素子３８を実装可能な面積が少なくなることで、パワー基板２０が大型化する原因となる。 As described above, by providing the heat transfer portion 42, effects such as improvement of heat dissipation of the capacitor substrate 50 by increasing the heat transfer path and suppression of bending of the capacitor substrate 50 can be obtained. On the other hand, if the heat transfer unit 42 is provided, it is necessary to arrange the circuit element 38 while ensuring an insulation distance from the heat transfer unit 42 when mounting the circuit element 38. Therefore, when the heat transfer unit 42 is provided, the area on which the circuit element 38 can be mounted on the power board 20 is reduced, which causes the power board 20 to become large.
本実施形態では、伝熱部４２に切欠部Ｃを設けることで、切欠部Ｃを設けない場合に比べて、切欠部Ｃに向かい合う位置に配置される回路素子３８Ａからスペーサ４０までの絶縁距離を長くすることができる。切欠部Ｃを設けていない場合に比べると、回路素子３８Ａを伝熱部４２の近くに配置することができる。 In the present embodiment, by providing the heat transfer portion 42 with the notch portion C, the insulation distance from the circuit element 38A arranged at the position facing the notch portion C to the spacer 40 can be increased as compared with the case where the notch portion C is not provided. Can be lengthened. The circuit element 38A can be arranged closer to the heat transfer portion 42 as compared with the case where the notch portion C is not provided.
本実施形態の効果について説明する。
（１）スペーサの伝熱部４２に切欠部Ｃを設けて、切欠部Ｃに向かい合うように回路素子３８Ａを配置している。切欠部Ｃを設けていない場合に比べると、回路素子３８Ａを伝熱部４２の近くに配置することができる。切欠部Ｃを設けていない場合に比べて、回路素子３８を実装可能な面積が広くなることで、伝熱部４２を設けることによるパワー基板２０の大型化を抑制することができる。
The effect of this embodiment will be described.
(1) A notch C is provided in the heat transfer portion 42 of the spacer, and the circuit element 38A is arranged so as to face the notch C. The circuit element 38A can be arranged closer to the heat transfer portion 42 as compared with the case where the notch portion C is not provided. By increasing the area on which the circuit element 38 can be mounted as compared with the case where the notch portion C is not provided, it is possible to suppress the increase in size of the power substrate 20 due to the provision of the heat transfer portion 42.
（２）伝熱部４２は、厚肉部４９を備える。厚肉部４９によって伝熱部４２の強度を向上させることができる。切欠部Ｃを設けることで、伝熱部４２の強度は低下する。切欠部Ｃを設けることで低下した強度を補うように厚肉部４９を設けることで、ネジＳ１を締結する際の応力等によって伝熱部４２が破断することを抑制できる。また、厚肉部４９を設けることで、第１接触面４７Ｂ及び第２接触面４８Ｂの面積を増加させることができることに加えて、伝熱部４２の熱容量が増加する。このため、コンデンサ基板５０からパワー基板２０に熱を伝導させやすくなる。 (2) The heat transfer section 42 includes a thick section 49. The strength of the heat transfer portion 42 can be improved by the thick portion 49. By providing the notch portion C, the strength of the heat transfer portion 42 is reduced. By providing the thick portion 49 so as to compensate for the strength reduced by providing the notch portion C, it is possible to prevent the heat transfer portion 42 from breaking due to stress or the like when the screw S1 is fastened. Further, by providing the thick portion 49, the areas of the first contact surface 47B and the second contact surface 48B can be increased, and the heat capacity of the heat transfer portion 42 is increased. Therefore, heat can be easily conducted from the capacitor board 50 to the power board 20.
（３）厚肉部４９は、第１方向のうちパワー素子群Ｇ１〜Ｇ６側とは反対側に設けられている。厚肉部４９を設けた箇所では、回路素子３８と伝熱部４２との距離が近付き、絶縁距離を確保するために回路素子３８を離間させる必要が生じる場合がある。第１方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６側には回路素子３８が配置される一方で、第１方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６側の反対側には回路素子３８が配置されにくい。厚肉部４９を第１方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６とは反対側に設けることで、回路素子３８を伝熱部４２から離間させる必要が生じにくい。 (3) The thick portion 49 is provided on the side opposite to the power element groups G1 to G6 in the first direction. At the location where the thick portion 49 is provided, the distance between the circuit element 38 and the heat transfer portion 42 becomes close, and it may be necessary to separate the circuit element 38 in order to secure the insulation distance. In the first direction, the circuit element 38 is arranged on the power element group G1 to G6 side, while in the first direction, the circuit element 38 is difficult to be arranged on the opposite side of the power element group G1 to G6 side. By providing the thick portion 49 in the first direction on the side opposite to the power element groups G1 to G6, it is less likely that the circuit element 38 needs to be separated from the heat transfer portion 42.
なお、実施形態は、以下のように変更してもよい。
○厚肉部４９は、第１方向のうちパワー素子群Ｇ１〜Ｇ６側など、どのような位置に設けられていてもよい。この場合、パワー基板２０に実装された回路素子３８との絶縁距離を確保できる位置に厚肉部４９を設けることが好ましい。
The embodiment may be changed as follows.
The thick portion 49 may be provided at any position in the first direction, such as on the power element groups G1 to G6 side. In this case, it is preferable to provide the thick portion 49 at a position where the insulation distance from the circuit element 38 mounted on the power board 20 can be secured.
○伝熱部４２全体に厚肉部を設けてもよい。この場合、伝熱部４２の軸線方向の両端部のうちコンデンサ基板５０側の端部の厚み方向の寸法を、伝熱部４２の軸線方向の両端部のうちパワー基板２０側の端部の厚み方向の寸法よりも長くする。即ち、回路素子３８との絶縁距離を確保する必要がある第１接触面４７Ｂ側では伝熱部４２の厚み方向の寸法を短くし、第２接触面４８Ｂ側では伝熱部４２の厚み方向の寸法を長くする。 ○ A thick portion may be provided on the entire heat transfer portion 42. In this case, the thickness direction of the end portion on the capacitor board 50 side of both ends in the axial direction of the heat transfer portion 42 is the thickness of the end portion on the power substrate 20 side of both ends in the axial direction of the heat transfer portion 42. Make it longer than the directional dimension. That is, the dimension in the thickness direction of the heat transfer portion 42 is shortened on the first contact surface 47B side where it is necessary to secure the insulation distance from the circuit element 38, and the thickness direction of the heat transfer portion 42 on the second contact surface 48B side. Increase the dimensions.
○伝熱部４２は、厚肉部４９を備えていなくてもよい。
○スペーサ４０に設けられる切欠部Ｃの数及び位置は適宜変更してもよい。切欠部Ｃの数及び位置は、回路素子３８の配置位置などによって適宜変更することができる。
○ The heat transfer portion 42 does not have to include the thick portion 49.
○ The number and position of the notches C provided in the spacer 40 may be changed as appropriate. The number and position of the notch portions C can be appropriately changed depending on the arrangement position of the circuit element 38 and the like.
○スペーサ４０は、ネジＳ１以外で固定されていてもよい。例えば、スペーサ４０は、半田などの接合材により、パワー基板２０及びコンデンサ基板５０に固定されていてもよい。 ○ The spacer 40 may be fixed by a screw other than the screw S1. For example, the spacer 40 may be fixed to the power substrate 20 and the capacitor substrate 50 by a bonding material such as solder.
○コンデンサ５４は、中心Ｃ１よりも縁５５側に集約されていなくてもよい。即ち、コンデンサ基板５０の中心Ｃ１を挟んだ両側にコンデンサ５４が配置されていてもよい。なお、この場合、中心Ｃ１を挟んで一方に配置されるコンデンサ５４の数と、他方に配置されるコンデンサ５４の数とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。コンデンサ５４の数が異なる場合、第１方向において、重心位置が偏っている方向に伝熱部４２を設けてもよい。即ち、コンデンサ基板５０の撓みやすい位置に伝熱部４２が設けられるようにしてもよい。 ○ The capacitor 54 does not have to be concentrated on the edge 55 side of the center C1. That is, the capacitors 54 may be arranged on both sides of the center C1 of the capacitor substrate 50. In this case, the number of capacitors 54 arranged on one side of the center C1 and the number of capacitors 54 arranged on the other side may be the same or different. When the number of capacitors 54 is different, the heat transfer portion 42 may be provided in the direction in which the position of the center of gravity is biased in the first direction. That is, the heat transfer portion 42 may be provided at a position where the capacitor substrate 50 is easily bent.
○スペーサ４０の伝熱部４２は、本体４１の長手方向の両端に設けられていてもよい。この場合、各伝熱部４２が第１方向において、パワー素子群Ｇ１〜Ｇ６よりも外側に配置されることになる。 ○ The heat transfer portions 42 of the spacer 40 may be provided at both ends of the main body 41 in the longitudinal direction. In this case, each heat transfer unit 42 is arranged outside the power element groups G1 to G6 in the first direction.
○ヒートシンク１１としては、フィン１３を有さない放熱板などでもよい。なお、ヒートシンクとしては、気体状の冷媒によって冷却されるものでもよいし、液状の冷媒によって冷却されるものでもよい。 ○ The heat sink 11 may be a heat radiating plate or the like that does not have fins 13. The heat sink may be cooled by a gaseous refrigerant or may be cooled by a liquid refrigerant.
○半導体装置１０は、樹脂部５９を備えていなくてもよい。この場合、パターン５２はレジスト５１から露出していなくてもよい。
○半導体装置１０は、インバータ以外であってもよい。例えば、半導体装置１０はコンバータなど、インバータ以外の電力変換装置であってもよい。また、パワー素子２４として、例えば、ダイオード等を用いた半導体装置１０であってもよい。
○ The semiconductor device 10 does not have to include the resin portion 59. In this case, the pattern 52 does not have to be exposed from the resist 51.
○ The semiconductor device 10 may be other than an inverter. For example, the semiconductor device 10 may be a power conversion device other than an inverter, such as a converter. Further, the power element 24 may be, for example, a semiconductor device 10 using a diode or the like.
○半導体装置１０は、産業車両に搭載されるものでなくてもよい。 ○ The semiconductor device 10 does not have to be mounted on an industrial vehicle.
Ｃ…切欠部、Ｇ１〜Ｇ６…パワー素子群、１０…半導体装置、１１…ヒートシンク、２０…パワー基板、２４…パワー素子、３８，３８Ａ…回路素子、４０…スペーサ、４１…本体、４２…伝熱部、４７Ｂ…第１接触面、４８Ｂ…第２接触面、４９…厚肉部、５０…コンデンサ基板、５４…コンデンサ、６０…制御基板、６３…電子部品。 C ... Notch, G1 to G6 ... Power element group, 10 ... Semiconductor device, 11 ... Heat sink, 20 ... Power board, 24 ... Power element, 38, 38A ... Circuit element, 40 ... Spacer, 41 ... Main body, 42 ... Transmission Heat part, 47B ... 1st contact surface, 48B ... 2nd contact surface, 49 ... Thick part, 50 ... Capacitor board, 54 ... Capacitor, 60 ... Control board, 63 ... Electronic component.
Claims (3)
前記パワー基板の板厚方向に前記パワー基板と間隔を空けて配置されており、前記パワー素子を制御する電子部品が実装された制御基板と、
前記パワー基板と前記制御基板との間に配置されており、複数のコンデンサが実装されたコンデンサ基板と、
前記パワー基板が固定されたヒートシンクと、
前記パワー基板と前記コンデンサ基板とを電気的に接続しているスペーサと、を備え、
前記スペーサは、
隣り合う前記パワー素子群同士の間に配置された本体と、
前記パワー素子の並ぶ方向において、前記パワー素子群よりも外側であり、かつ、前記コンデンサ基板の板厚方向から見て前記コンデンサと重なり合わない位置に設けられた筒状の伝熱部と、を備え、
前記伝熱部は、
前記パワー基板に接触する第１接触面と、
前記コンデンサ基板に接触する第２接触面と、
前記第１接触面から前記第２接触面に向けて凹んでおり、前記伝熱部の内外を連通させる切欠部と、を備え、
前記パワー基板には、前記切欠部に向かい合う位置に回路素子が実装されている半導体装置。 A power board in which a plurality of power element groups in which a plurality of power elements are arranged are arranged at intervals, and
A control board which is arranged at a distance from the power board in the thickness direction of the power board and on which electronic components for controlling the power element are mounted.
A capacitor board arranged between the power board and the control board and on which a plurality of capacitors are mounted,
With the heat sink to which the power board is fixed,
A spacer that electrically connects the power board and the capacitor board is provided.
The spacer is
The main body arranged between the adjacent power element groups and
A tubular heat transfer portion provided at a position outside the power element group in the direction in which the power elements are lined up and at a position not overlapping the capacitor when viewed from the thickness direction of the capacitor substrate. Prepare,
The heat transfer unit
The first contact surface in contact with the power substrate and
The second contact surface in contact with the capacitor substrate and
It is provided with a notch portion that is recessed from the first contact surface toward the second contact surface and communicates the inside and outside of the heat transfer portion.
A semiconductor device in which a circuit element is mounted on the power board at a position facing the notch.
前記伝熱部は、前記切欠部の前記厚み方向の寸法よりも前記厚み方向の寸法が長い厚肉部を備える請求項１に記載の半導体装置。 Assuming that the direction orthogonal to the axial direction of the heat transfer portion is the thickness direction of the heat transfer portion,
The semiconductor device according to claim 1, wherein the heat transfer portion includes a thick portion having a thickness direction longer than the thickness direction dimension of the notch portion.
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| JP (1) | JP7088124B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7464183B1 (en) | 2023-09-20 | 2024-04-09 | 富士電機株式会社 | Power Conversion Equipment |
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2019
- 2019-04-25 JP JP2019084647A patent/JP7088124B2/en active Active
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