JP2020180783A - Circuit device, and detection system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、対象物の温度を検出するための回路装置、及び検出システムに関する。 The present invention relates to a circuit device for detecting the temperature of an object and a detection system.
対象物の温度を検出する際、サーミスタを使用することが多い。サーミスタ素子は対象物の表面または近傍に設置され、ワイヤーハーネスを介して回路基板に接続される。例えば対象物が電池の場合、サーミスタで検出される温度は、高温異常または低温異常の検出に使用されるだけでなく、SOC(State Of Charge)、SOH(State Of Health)または内部抵抗算出時の温度補正にも使用される。従って、サーミスタの検出値には高い精度が要求される。サーミスタの検出精度を向上させるにはノイズ耐性を高めることが重要となる。 A thermistor is often used to detect the temperature of an object. The thermistor element is installed on or near the surface of the object and is connected to the circuit board via a wire harness. For example, when the object is a battery, the temperature detected by the thermistor is not only used to detect high temperature abnormalities or low temperature abnormalities, but also when calculating SOC (State Of Charge), SOH (State Of Health) or internal resistance. It is also used for temperature compensation. Therefore, high accuracy is required for the detected value of the thermistor. In order to improve the detection accuracy of the thermistor, it is important to increase the noise immunity.
サーミスタのノイズ対策として、サーミスタ素子の直近にノイズフィルタを設けることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、量産されているサーミスタの電装品内部に部品を追加したり、ワイヤーハーネスの途中に部品を設けるのはコスト増を招く。 As a countermeasure against thermistor noise, it has been proposed to provide a noise filter in the immediate vicinity of the thermistor element (see, for example, Patent Document 1). However, adding parts inside the electrical components of mass-produced thermistors or providing parts in the middle of the wire harness causes an increase in cost.
NTCサーミスタは高周波電流が流れると発熱し、抵抗値が下がる特性を持つ。EMC(Electro-Magnetic Compatibility)に関連する高周波ノイズ電流がNTCサーミスタ素子に流れ込むと、NTCサーミスタ素子が発熱し、NTCサーミスタ素子の抵抗値が下がる。また、PTCサーミスタは高周波電流が流れると発熱し、抵抗値が上がる特性を持つ。特に、基板の信号線または信号グランド線からサーミスタ素子を経由して、アースに接続されたシャーシグランドに流れる経路がある場合、その挙動が顕著となる。また、ループ電流が流れる経路がある場合も、その挙動が顕著となる。なお、以上の議論はサーミスタの代わりに、熱電対などの他の温度検出素子を使用する場合にも当てはまる。 The NTC thermistor has the property of generating heat when a high-frequency current flows and lowering the resistance value. When a high-frequency noise current related to EMC (Electro-Magnetic Compatibility) flows into the NTC thermistor element, the NTC thermistor element generates heat and the resistance value of the NTC thermistor element decreases. Further, the PTC thermistor has a characteristic that heat is generated when a high frequency current flows and the resistance value increases. In particular, when there is a path from the signal line or signal ground line of the substrate to the chassis ground connected to the ground via the thermistor element, the behavior becomes remarkable. Also, when there is a path through which the loop current flows, the behavior becomes remarkable. The above discussion also applies to the case where another temperature detection element such as a thermocouple is used instead of the thermistor.
本発明はこうした状況に鑑みなされたものであり、その目的は、温度検出素子のノイズ耐性を低コストで簡単に高めることができる技術を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to provide a technique capable of easily increasing the noise immunity of a temperature detecting element at low cost.
上記課題を解決するために、本発明のある態様の回路装置は、対象物の温度を検出するための温度検出素子と、外部信号線と外部信号グランド線を介して接続される回路装置であって、前記回路装置は、前記外部信号線と前記外部信号グランド線が接続されるコネクタと、前記コネクタを介して前記外部信号線に接続される内部信号線と、前記コネクタを介して前記外部信号グランド線に接続される内部信号グランド線と、前記内部信号線と前記内部信号グランド線に接続され、前記対象物の温度を検出する制御回路と、前記コネクタから見て、前記内部信号線の最前段に挿入される第1高周波フィルタと、前記コネクタから見て、前記内部信号グランド線の最前段に挿入される第2高周波フィルタと、を備える。 In order to solve the above problems, the circuit device of a certain aspect of the present invention is a circuit device connected to a temperature detecting element for detecting the temperature of an object via an external signal line and an external signal ground line. The circuit device includes a connector to which the external signal line and the external signal ground line are connected, an internal signal line connected to the external signal line via the connector, and the external signal via the connector. The internal signal ground line connected to the ground line, the control circuit connected to the internal signal line and the internal signal ground line to detect the temperature of the object, and the most of the internal signal lines as seen from the connector. It includes a first high frequency filter inserted in the front stage and a second high frequency filter inserted in the front stage of the internal signal ground line when viewed from the connector.
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を方法、装置、システムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。 It should be noted that any combination of the above components and the conversion of the expression of the present invention between methods, devices, systems and the like are also effective as aspects of the present invention.
本発明によれば、温度検出素子のノイズ耐性を低コストで簡単に高めることができる。 According to the present invention, the noise immunity of the temperature detecting element can be easily increased at low cost.
図1は、本発明の実施の形態1に係る検出システム1の構成を示す図である。検出システム1は、回路装置10とサーミスタ素子T1を備え、対象物2の温度を検出するためのシステムである。サーミスタ素子T1は、対象物2の表面または近傍に設置される。対象物2は本実施の形態では、車両に搭載される駆動用電池(トラクションバッテリ)を想定する。駆動用電池は、複数の電池セルが直列または直並列接続されて構成される。電池セルには、リチウムイオン電池やニッケル水素電池を使用することができる。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a
サーミスタ素子T1と回路装置10は、外部信号線20sと外部信号グランド線20sgを介して接続される。外部信号線20sと外部信号グランド線20sgはワイヤーハーネスで構成される。当該ワイヤーハーネスの一端はサーミスタ素子T1の両端に接続され、当該ワイヤーハーネスの他端は回路装置10のコネクタ13に接続される。当該ワイヤーハーネスの他端にはメス型のコネクタが装着されており、回路装置10のオス型のコネクタ13に嵌合されて接続される。
The thermistor element T1 and the
駆動用電池、サーミスタ素子T1、外部信号線20s、外部信号グランド線20sg、及び回路装置10は、外装ボックスにそれぞれ絶縁された状態で収納される。外装ボックスは、金属などの導電性の筐体で構成されており、車両内の所定の箇所に固定される。当該導電性の筐体がシャーシグランド30gになっている。シャーシグランド30gは、太い配線で車両のボティに接続されている。本実施の形態では車両のボティをアースに設定している。なお、外装ボックスは、絶縁部材で構成したり、絶縁部材と金属を組み合わせて構成したりしてもよい。絶縁部材で構成される外装ボックスは、非導電性の筐体となり、筐体をシャーシグランド30gと接続しなくても良い場合などに採用されることがある。また、絶縁部材と金属部材を組み合わせて構成される外装ボックスは、外装ボックスの軽量化や絶縁性が求められる場合などに採用されることがある。
The drive battery, thermistor element T1, the
回路装置10は、基板上に種々の電子部品を搭載した電子回路である。本実施の形態では、回路装置10の電源は、車両内の補機バッテリから供給される。一般的に補機バッテリには、12V出力の鉛電池が使用される。補機バッテリのマイナス端子は太い配線で車両のボティに接続されている。
The
回路装置10はマイクロコントローラ11を備える。マイクロコントローラ11の電源端子には、補機バッテリから供給される電圧(例えば、12V)をレギュレータ(不図示)で降圧した制御電源電圧(例えば、3〜5V)が印加される。
The
マイクロコントローラ11のアナログ入力ポートと、コネクタ13の外部信号線20sが接続された端子との間が内部信号線12sで接続される。マイクロコントローラ11のグランド端子と、コネクタ13の外部信号グランド線20sgが接続された端子との間が内部信号グランド線12sgで接続される。内部信号グランド線12sgは、グランドプレーンで構成される。内部信号グランド線12sgは、補機バッテリのマイナス配線に接続され、基板のグランド電位になっている。補機バッテリと回路装置10間は、細い(例えば、0.5sq)2本のプラス配線とマイナス配線で接続される。
The analog input port of the
なお、上記実施形態では、内部信号グランド線12sgは、グランドプレーンを含む構成となっているが、必ずしも内部信号グランド線12sgがグランドプレーンである必要はない。また、内部信号グランド線12sgにグランドプレーンが含まれる場合であっても、グランドプレーンの一部に切り欠きを設けるなど、グランドプレーンを抜く処理を施してもよい。このような構成とすることで、例えば、内部信号線12sが内部信号グランド線12sgとの間にマイクロストリップライン等の伝送経路を形成しないようにすることができ、寄生容量が形成されることを抑制することができる。
In the above embodiment, the internal signal ground line 12sg includes the ground plane, but the internal signal ground line 12sg does not necessarily have to be the ground plane. Further, even when the internal signal ground line 12sg includes a ground plane, a process of removing the ground plane may be performed, such as providing a notch in a part of the ground plane. With such a configuration, for example, it is possible to prevent the
内部信号線12sは、第2抵抗R2を介して制御電源電圧にプルアップされている。マイクロコントローラ11のアナログ入力ポートから見て最前段にローパスフィルタが接続される。具体的にはマイクロコントローラ11のアナログ入力ポートに第1抵抗R1が接続され、当該アナログ入力ポートと内部信号グランド線12sgとの間に第1コンデンサC1が接続される。なお、当該ローパスフィルタは省略可能である。また、内部信号線12sが第2抵抗R2を介して制御電源電圧にプルアップされている構成を例示したが、この構成は例示に過ぎない。図示はしないが、内部信号グランド線12sgが、抵抗を介してシグナルグランドに接続され、プルダウンされる構成としてもよい。
The
コネクタ13から見て、内部信号線12sの最前段および内部信号グランド線12sgの最前段にそれぞれ、第1チップビーズB1および第2チップビーズB2が挿入される。チップビーズ(フェライトビーズ)は、インダクタと抵抗の性質を合わせ持つ素子であり、低周波領域ではインダクタ特性が強くなり、高周波領域では抵抗特性が強くなる。従って、直流成分を減衰させずに低周波ノイズおよび高周波ノイズを除去することができる。なお、チップビーズの代わりに、ダンピング抵抗などの他の高周波フィルタを挿入してもよい。
The first chip beads B1 and the second chip beads B2 are inserted into the front stage of the
図2は、比較例1に係る検出システム1の構成を示す図である。図2に示す回路構成では、図1に示した回路構成と比較して、片側だけにチップビーズB1が挿入されている。より具体的には、内部信号グランド線12sgの第2チップビーズB2が省略されている。この場合、内部信号グランド線12sgとシャーシグランド30g間の寄生容量Cs1、及びサーミスタ素子T1に接続される外部信号線20sとシャーシグランド30g間の寄生容量Cs2を介して、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れる経路が形成される。回路網の長さや素子の大きさが無視できないため、内部信号グランド線12sgとシャーシグランド30g間に分布定数として、寄生容量Cs1が発生する。なお、内部信号グランド線12sgとシャーシグランド30g間の寄生容量Cs1を無視できる場合でも、漏電検知のためにマイクロコントローラ11のグランドとシャーシグランド30gが接続されている場合、マイクロコントローラ11のグランド、及び寄生容量Cs2を介して、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れる経路が形成される。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a
一方、内部信号線12sの第1チップビーズB1が省略されている場合、内部信号線12sとシャーシグランド30g間の寄生容量、及びサーミスタ素子T1に接続される外部信号線20sとシャーシグランド30g間の寄生容量を介して、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れる経路が形成される。なお、内部信号線12sとシャーシグランド30g間の寄生容量を無視できる場合でも、漏電検知のためにマイクロコントローラ11のグランドとシャーシグランド30gが接続されている場合、マイクロコントローラ11のグランド、第2コンデンサC2、及び寄生容量Cs2を介して、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れる経路が形成される。いずれの場合も、サーミスタ素子T1に高周波ノイズ電流が侵入する可能性がある。これに対して、図1に示したように両側にチップビーズB1、B2を挿入すると、シャーシグランド30gとの寄生容量を介して、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れ込むことを阻止することができる。
On the other hand, when the first chip bead B1 of the
上述の記載では、外装ボックスが車両のボディに接続され、外装ボックスの金属部分をシャーシグランド30gとする実施形態について説明したが、外装ボックスを絶縁部材で構成する場合であっても内部信号グランド線12sgとシャーシグランド30gとの間に分布定数として寄生容量Cs1が発生することがある。絶縁性の外装ボックスであっても、固定のために車両のボディと接触する構成となる。絶縁性の外装ボックスは、インピーダンスが高いため、電流は流れにくくなっているが、完全に電流を遮断できるわけではない。そのため、このような構成であっても、分布定数として、内部信号グランド線12sgとシャーシグランド30gの間に寄生容量Cs1が発生することがありうる。このような構成であっても、上述の通り、内部信号線12sの最前段および内部信号グランド線12sgの最前段にそれぞれ、第1チップビーズB1および第2チップビーズB2が挿入される構成とすることにより、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れ込むことを阻止することができるようになっている。
In the above description, the embodiment in which the exterior box is connected to the body of the vehicle and the metal portion of the exterior box is the chassis ground 30 g has been described. However, even when the exterior box is composed of an insulating member, the internal signal ground wire Parasitic capacitance Cs1 may occur as a distribution constant between 12 sg and 30 g of chassis ground. Even if it is an insulating outer box, it will be in contact with the body of the vehicle for fixing. Insulating exterior boxes have high impedance, which makes it difficult for current to flow, but they cannot completely cut off current. Therefore, even with such a configuration, a parasitic capacitance Cs1 may occur between the internal signal ground line 12sg and the
図3は、比較例2に係る検出システム1の構成を示す図である。図3に示す回路構成は、図1に示した回路構成と比較して、コネクタ13から見て、第1チップビーズB1及び第2チップビーズB2の前段に第3コンデンサC3を挿入した構成である。一般的にコネクタ13の直近に、ESD(Electro Static Discharge)ノイズ対策用のコンデンサが接続されることが多い。しかしながら、第1チップビーズB1及び第2チップビーズB2とコネクタ13との間に第3コンデンサC3を挿入してしまうと、第3コンデンサC3を介してサーミスタ素子T1にループ電流が流れる経路が形成される。また、図示はしないが、第1チップビーズB1の前段に接続されるコンデンサを設け、第2チップビーズB2の前段に接続される別のコンデンサを設け、それぞれのコンデンサをグランドに接続する構成であっても、図3の比較例と同様に、サーミスタ素子T1にループ電流が流れる経路が形成される。これに対して、図1に示したように第1チップビーズB1や第2チップビーズB2とコネクタ13との間にコンデンサを挿入しないことにより、サーミスタ素子T1にループ電流が流れることを阻止することができる。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of the
以上説明したように実施の形態1によれば、内部信号線12s及び内部信号グランド線12sgの両方に、第3コンデンサC3を前段に含まない第1チップビーズB1及び第2チップビーズB2を挿入する。これにより、ノイズ電流がサーミスタ素子T1に流れ込むことを抑制することができる。
As described above, according to the first embodiment, the first chip beads B1 and the second chip beads B2 that do not include the third capacitor C3 in the previous stage are inserted into both the
図4は、本発明の実施の形態2に係る検出システム1の第1構成例を示す図である。図4では対象物2として、直列接続された複数の蓄電池セルS1、S2、・・・、Snを描いている。複数の蓄電池セルS1、S2、・・・、Snの電流路の近傍にホール素子H1が設置される。具体的には当該電流路に装着されたC字型のコアの隙間にホール素子H1が設置される。ホール素子H1はホール効果を利用した素子であり、複数の蓄電池セルS1、S2、・・・、Snに流れる電流の値を検出する。ホール効果とは、電流の流れている物体に対して、垂直に磁場をかけると、電流と磁場の両方に直交する方向に起電力が発生する現象を指す。
FIG. 4 is a diagram showing a first configuration example of the
ホール素子H1と回路装置10は、外部電源線21v、外部グランド線21g、第1外部検出線21sp及び第2外部検出線21smを介して接続される。外部電源線21v、外部グランド線21g、第1外部検出線21sp、及び第2外部検出線21smはワイヤーハーネスで構成される。当該ワイヤーハーネスの一端はホール素子H1のそれぞれの端子に接続され、当該ワイヤーハーネスの他端は回路装置10のコネクタ13に接続される。
The Hall element H1 and the
外部電源線21v及び外部グランド線21gは、回路装置10からホール素子H1に電流を流すための配線である。第1外部検出線21sp及び第2外部検出線21smは、ホール効果により発生した起電力を検出するための配線である。
The external
コネクタ13の外部電源線21vが接続された端子には回路基板の制御電源電位が接続され、コネクタ13の外部グランド線21gが接続された端子には回路基板のグランド電位が接続される。コネクタ13の第1外部検出線21spが接続された端子には第1内部検出線が接続され、コネクタ13の第2外部検出線21smが接続された端子には第2内部検出線が接続される。第1内部検出線および第2内部検出線の他端は、差動アンプAP1の2つの入力端子にそれぞれ接続される。
The control power potential of the circuit board is connected to the terminal to which the
差動アンプAP1は、2つの入力端子間の電圧を差動増幅して出力する。差動アンプAP1の出力端子と、マイクロコントローラ11の第2アナログ入力ポート間が信号線で接続される。当該信号線にローパスフィルタ、及びLCフィルタが挿入される。ローパスフィルタは、マイクロコントローラ11の第2アナログ入力ポートに接続された第3抵抗R3と、当該第2アナログ入力ポートとグランド電位との間に接続された第4コンデンサC4により構成される。なお、当該ローパスフィルタは省略可能である。LCフィルタは、上記信号線に挿入されたインダクタL3と、上記信号線とグランド電位間に接続された第5コンデンサC5により構成される。なお、当該LCフィルタは省略可能である。
The differential amplifier AP1 differentially amplifies and outputs the voltage between the two input terminals. The output terminal of the differential amplifier AP1 and the second analog input port of the
図4に示す第1構成例のように、サーミスタ素子T1に接続されたワイヤーハーネスと、ホール素子H1に接続されたワイヤーハーネスが並走していると、両者の間で容量結合が起こり、チップビーズB1、B2を通らない分布定数回路が形成される。具体的には、サーミスタ素子T1に接続される外部信号グランド線20sgとホール素子H1に接続される外部グランド線21g間の寄生容量、及びサーミスタ素子T1に接続される外部信号線20sとシャーシグランド30g間の寄生容量を介して、サーミスタ素子T1にノイズ電流が流れる経路が形成される。この場合、サーミスタ素子T1の検出値に大きな誤差が発生する。なお、サーミスタ素子T1を、ホール素子H1に接続されたワイヤーハーネスに近づけた場合も、容量結合が起こり、同様にノイズ電流が流れる経路が形成される。
When the wire harness connected to the thermistor element T1 and the wire harness connected to the Hall element H1 run in parallel as in the first configuration example shown in FIG. 4, capacitive coupling occurs between the two, and the chip A distributed constant circuit that does not pass through the beads B1 and B2 is formed. Specifically, the parasitic capacitance between the external signal ground wire 20sg connected to the thermistor element T1 and the
図5は、本発明の実施の形態2に係る検出システム1の第2構成例を示す図である。第2構成例では、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスとの距離を離すとともに、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスが接続されるコネクタ13aと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスが接続されるコネクタ13bを分けて構成する。なお、物理的にコネクタ13を分けるのではなく、1つのコネクタ13の端子領域を分けることによっても、一定のノイズ抑制効果が得られる。
FIG. 5 is a diagram showing a second configuration example of the
図6(a)、(b)は、コネクタ13の端子領域の具体例を示す模式図である。図6(a)に示す例では、コネクタ13の左側をホール素子H1用のワイヤーハーネスを接続する領域、右側をサーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスを接続する領域に設定している。具体的にはコネクタ13の6つの端子の内、左側の4つの端子に外部電源線21v、外部グランド線21g、第1外部検出線21sp及び第2外部検出線21smを接続し、右側の2つの端子に外部信号線20s及び外部信号グランド線20sgを接続している。
6 (a) and 6 (b) are schematic views showing a specific example of the terminal region of the
図6(b)に示す例は、コネクタ13が8つの端子を有する。8つの端子の内、左側の4つの端子に外部電源線21v、外部グランド線21g、第1外部検出線21sp及び第2外部検出線21smを接続している。右側の4つの端子の外側の2つの端子に外部信号線20s及び外部信号グランド線20sgを接続している。右側の4つの端子の内側の2つの端子は空き端子にしている。
In the example shown in FIG. 6B, the
これに対して従来、ホール素子H1用のワイヤーハーネスに含まれる配線と、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスに含まれる配線が、コネクタ13の端子に千鳥配線で接続されることがあった。千鳥配線の場合、ホール素子H1用のワイヤーハーネスに含まれる配線と、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスに含まれる配線との間で容量結合が起きやすくなる。
On the other hand, conventionally, the wiring included in the wire harness for the Hall element H1 and the wiring included in the wire harness for the thermistor element T1 may be connected to the terminals of the
図7は、本発明の実施の形態2に係る検出システム1の第3構成例を示す図である。第3構成例では、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスが別々に束ねられる。サーミスタ素子T1に接続される外部信号線20s及び外部信号グランド線20sgは第1成形具M1で束ねられる。ホール素子H1に接続される外部電源線21v、外部グランド線21g、第1外部検出線21sp及び第2外部検出線21smは第2成形具M2で束ねられる。成形具には、樹脂テープやコルゲートチューブを使用することができる。また、ワイヤーハーネスが、チューブ等の保護具で覆われる場合も、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスが別々に覆われる。
FIG. 7 is a diagram showing a third configuration example of the
図8は、本発明の実施の形態2に係る検出システム1の第4構成例を示す図である。第4構成例では、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスが別々の配線経路(ルーティング)で配置される。図8に示す例では、ホール素子H1用のワイヤーハーネスに弛みを持たせており、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと並走しないように配置している。
FIG. 8 is a diagram showing a fourth configuration example of the
図9は、本発明の実施の形態2に係る検出システム1の第5構成例を示す図である。第5構成例では、ホール素子H1用のワイヤーハーネスの内部配線にもチップビーズが挿入されている。具体的には、コネクタ13の外部電源線21vが接続された端子と、基板の制御電源電位間の配線に第3チップビーズB3が挿入され、コネクタ13の外部グランド線21gが接続された端子と、基板のグランド電位間の配線に第6チップビーズB6が挿入される。コネクタ13の第1外部検出線21spが接続された端子に接続された第1内部検出線に第4チップビーズB4が挿入され、コネクタ13の第2外部検出線21smが接続された端子に接続された第2内部検出線に第5チップビーズB5が挿入される。
FIG. 9 is a diagram showing a fifth configuration example of the
上述の通り、ホール素子H1用のワイヤーハーネスと、サーミスタ素子T1に接続されたワイヤーハーネスとが並走する構成の場合、外部電源線21v、第1外部検出線21sp、第2外部検出線21sm、外部グランド線21gのそれぞれと、外部信号グランド線20sgとの間で分布定数として寄生容量が発生するおそれがある。これに対して、図9に示すとおり、本発明の実施の形態2に係る検出システム1の第5構成例では、外部電源線21v、第1外部検出線21sp、第2外部検出線21sm、外部グランド線21gのそれぞれにチップビーズ(B3、B4、B5、B6)を設ける構成となっている。この構成により、ホール素子H1用のワイヤーハーネスと、サーミスタ素子T1に接続されたワイヤーハーネスとが並走する構成であっても、ホール素子H1に接続される配線と、外部信号グランド線20sgとの間で分布定数として寄生容量が発生することを防止でき、一定のノイズ抑制効果が得られる。
As described above, in the case where the wire harness for the Hall element H1 and the wire harness connected to the thermistor element T1 run in parallel, the external
以上説明したように実施の形態2によれば、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスを、ホール素子H1用のワイヤーハーネスと並走させないことにより、並走するワイヤーハーネス間が寄生容量により結合され、チップビーズをバイパスする経路が形成されることを防止することができる。これにより、ノイズ電流によりサーミスタ素子T1の検出値に大きな誤差が発生することを防止することができる。 As described above, according to the second embodiment, by not allowing the wire harness for the thermistor element T1 to run in parallel with the wire harness for the Hall element H1, the wire harnesses running in parallel are coupled by parasitic capacitance, and the chip It is possible to prevent the formation of a path that bypasses the beads. As a result, it is possible to prevent a large error from occurring in the detected value of the thermistor element T1 due to the noise current.
第2構成例では、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスが接続されるコネクタを分けることにより、又はコネクタの端子領域を分けることにより、寄生容量の抑制に寄与している。第3構成例では、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスを分けて括ることにより、寄生容量の抑制に寄与している。第4構成例では、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、ホール素子H1用のワイヤーハーネスの配線経路を変えることにより、寄生容量の抑制に寄与している。第5構成例では、ホール素子H1用のワイヤーハーネスの内部配線にもチップビーズを挿入することにより、寄生容量の抑制に寄与している。これら第2〜第5構成例に係る抑制方法は、任意に組み合わせて使用することができる。より多くの抑制方法を使用するほど、寄生容量の抑制をより確実にすることができる。 In the second configuration example, the wire harness for the thermistor element T1 and the connector to which the wire harness for the Hall element H1 is connected are separated, or the terminal area of the connector is divided, thereby contributing to the suppression of parasitic capacitance. There is. In the third configuration example, the wire harness for the thermistor element T1 and the wire harness for the Hall element H1 are separately bundled, thereby contributing to the suppression of parasitic capacitance. In the fourth configuration example, the wiring paths of the wire harness for the thermistor element T1 and the wire harness for the Hall element H1 are changed, thereby contributing to the suppression of parasitic capacitance. In the fifth configuration example, chip beads are also inserted into the internal wiring of the wire harness for the Hall element H1 to contribute to the suppression of parasitic capacitance. The suppression methods according to the second to fifth configuration examples can be used in any combination. The more suppression methods are used, the more reliable the suppression of parasitic capacitance can be.
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。 The present invention has been described above based on the embodiments. Embodiments are examples, and it is understood by those skilled in the art that various modifications are possible for each of these components and combinations of each processing process, and that such modifications are also within the scope of the present invention. ..
上述の実施の形態2では、複数の蓄電池セルS1、S2、・・・、Snに流れる電流の値を検出する電流センサとしてホール素子H1を使用する例を説明した。この点、ホール素子H1の代わりにシャント抵抗を使用してもよい。シャント抵抗は回路装置10から電流を流す必要がないため、シャント抵抗と回路装置10間は、第1外部検出線21sp及び第2外部検出線21smの2本で接続される。また、ホール素子H1を使用する場合であっても、例示した構成と異なる場合もある。具体的には、上記実施例では、ホール素子H1からの出力が入力されるアンプが回路装置10に実装される構成となっているが、電流センサ側に、ホール素子H1とアンプやADコンバータが設けられる場合もある。このような構成であっても、配線がサーミスタ素子T1に接続されたワイヤーハーネスとが並走する構成の場合は、分布定数として寄生容量が発生するおそれがある。
In the second embodiment described above, an example in which the Hall element H1 is used as a current sensor for detecting the value of the current flowing through the plurality of storage battery cells S1, S2, ..., Sn has been described. In this respect, a shunt resistor may be used instead of the Hall element H1. Since the shunt resistor does not need to pass a current from the
またサーミスタ素子T1のワイヤーハーネスと並走するワイヤーハーネスは、電流センサ用のワイヤーハーネスに限定されるものではない。例えば、電圧検出線を含むワイヤーハーネスが並走している場合もある。複数の蓄電池セルS1、S2、・・・、Snにリチウムイオン電池を使用している場合、セル単位で電圧を管理する必要がある。その場合、上下に隣接する蓄電池セル間の各ノードから電圧検出線が延び出すことになる。電圧検出線の本数は、蓄電池セルの直列数に依存する。複数の電圧検出線はワイヤーハーネスで構成され、回路装置10のコネクタ13に接続される。実施の形態2の第2〜第5構成例は、サーミスタ素子T1用のワイヤーハーネスと、複数の電圧検出線を含むワイヤーハーネスとの間にも適用可能である。
Further, the wire harness that runs in parallel with the wire harness of the thermistor element T1 is not limited to the wire harness for the current sensor. For example, a wire harness including a voltage detection line may run in parallel. When a lithium ion battery is used for a plurality of storage battery cells S1, S2, ..., Sn, it is necessary to manage the voltage for each cell. In that case, the voltage detection line extends from each node between the vertically adjacent storage battery cells. The number of voltage detection lines depends on the number of storage battery cells in series. The plurality of voltage detection lines are composed of wire harnesses and are connected to the
上述の実施の形態1、2において、サーミスタ素子T1は、複数の蓄電池セルS1、S2、・・・、Snの高電圧線(例えば、バスバー)に設置せずに、絶縁体またはシャーシグランドに設置する構成とすることが好ましい。高電圧のバスバーに設置すると、バスバーとサーミスタ素子T1間に寄生容量が発生し、バスバーからサーミスタ素子T1にノイズが流れ込む。 In the above-described first and second embodiments, the thermistor element T1 is installed in an insulator or a chassis ground instead of being installed in a high voltage line (for example, a bus bar) of a plurality of storage battery cells S1, S2, ..., Sn. It is preferable that the configuration is such that When installed in a high-voltage bus bar, parasitic capacitance is generated between the bus bar and the thermistor element T1, and noise flows from the bus bar into the thermistor element T1.
また上述の実施の形態1、2では、対象物2として駆動用電池の温度を検出する例を想定したが、カーエアコンのコンプレッサ等、他の発熱源の温度検出にも適用可能である。またサーミスタの代わりに熱電対を使用してもよい。
Further, in the above-described first and second embodiments, an example of detecting the temperature of the drive battery as the
なお、実施の形態は、以下の項目によって特定されてもよい。 In addition, the embodiment may be specified by the following items.
[項目1]
対象物(2)の温度を検出するための温度検出素子(T1)と、外部信号線(20s)と外部信号グランド線(20sg)を介して接続される回路装置(10)であって、
前記回路装置(10)は、
前記外部信号線(20s)と前記外部信号グランド線(20sg)が接続されるコネクタ(13)と、
前記コネクタ(13)を介して前記外部信号線(20s)に接続される内部信号線(12s)と、
前記コネクタ(13)を介して前記外部信号グランド線(20sg)に接続される内部信号グランド線(12sg)と、
前記内部信号線(12s)と前記内部信号グランド線(12sg)に接続され、前記対象物(2)の温度を検出する制御回路(11)と、
前記コネクタ(13)から見て、前記内部信号線(12s)の最前段に挿入される第1高周波フィルタ(B1)と、
前記コネクタ(13)から見て、前記内部信号グランド線(12sg)の最前段に挿入される第2高周波フィルタ(B2)と、
を備えることを特徴とする回路装置(10)。
これによれば、シャーシグランドとの寄生容量に起因して発生する高周波ノイズ電流を抑制することができる。
[項目2]
前記対象物(2)、前記温度検出素子(T1)、前記外部信号線(20s)、前記外部信号グランド線(20sg)、及び前記回路装置(10)は、導電性の筐体に収納されていることを特徴とする項目1に記載の回路装置(10)。
これによれば、筐体をシャーシグランドとして使用することができる。
[項目3]
前記第1高周波フィルタ(B1)及び第2高周波フィルタ(B2)は、チップビーズ(B1、B2)であることを特徴とする項目1または2に記載の回路装置(10)。
これによれば、直流成分を減衰させずに低周波ノイズおよび高周波ノイズを抑制することができる。
[項目4]
前記内部信号線(12s)の前記第1高周波フィルタ(B1)と前記コネクタ(13)間の接続点と、前記内部信号グランド線(12sg)の前記第2高周波フィルタ(B2)と前記コネクタ(13)間の接続点とに、コンデンサ(C3)を非接続とすることを特徴とする項目1から3のいずれかに記載の回路装置(10)。
これによれば、コンデンサ(C3)を介してループ電流を抑制することができる。
[項目5]
対象物(2)の温度を検出するための温度検出素子(T1)と、
前記温度検出素子(T1)の一端に接続される外部信号線(20s)と、
前記温度検出素子(T1)の他端に接続される外部信号グランド線(20sg)と、
前記温度検出素子(T1)と、前記外部信号線(20s)と前記外部信号グランド線(20sg)を介して接続される回路装置(10)と、を備え、
前記回路装置(10)は、
前記外部信号線(20s)と前記外部信号グランド線(20sg)が接続されるコネクタ(13)と、
前記コネクタ(13)を介して前記外部信号線(20s)に接続される内部信号線(12s)と、
前記コネクタ(13)を介して前記外部信号グランド線(20sg)に接続される内部信号グランド線(12sg)と、
前記内部信号線(12s)と前記内部信号グランド線(12sg)に接続され、前記対象物(2)の温度を検出する制御回路(11)と、
前記コネクタ(13)から見て、前記内部信号線(12s)の最前段に挿入される第1高周波フィルタ(B1)と、
前記コネクタ(13)から見て、前記内部信号グランド線(12sg)の最前段に挿入される第2高周波フィルタ(B2)と、
を含むことを特徴とする検出システム(1)。
これによれば、シャーシグランドとの寄生容量に起因して発生する高周波ノイズ電流が抑制された、検出システム(1)を構築することができる。
[項目6]
前記対象物(2)、前記温度検出素子(T1)、前記外部信号線(20s)、前記外部信号グランド線(20sg)、及び前記回路装置(10)は、導電性の筐体に収納されていることを特徴とする項目5に記載の検出システム(1)。
これによれば、筐体をシャーシグランドとして使用することができる。
[項目7]
前記対象物(2)の温度以外の物理量を検出するセンサ(H1)と、前記回路装置(10)間を接続する複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)をさらに備え、
前記外部信号線(20s)および前記外部信号グランド線(20sg)を構成するワイヤーハーネスと、前記複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)を構成するワイヤーハーネスが異なる成形具(M1、M2)で束ねられることを特徴とする項目5または6に記載の検出システム(1)。
これによれば、両者の間に寄生容量が形成されにくくなる。
[項目8]
前記対象物(2)の温度以外の物理量を検出するセンサ(H1)と、前記回路装置(10)間を接続する複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)をさらに備え、
前記筐体内において、前記外部信号線(20s)および前記外部信号グランド線(20sg)と、前記複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)は、異なる配線経路で設置されることを特徴とする項目6に記載の検出システム(1)。
これによれば、両者の間に寄生容量が形成されにくくなる。
[項目9]
前記対象物(2)の温度以外の物理量を検出するセンサ(H1)と、前記回路装置(10)間を接続する複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)をさらに備え、
前記外部信号線(20s)および前記外部信号グランド線(20sg)のコネクタ(13a)と、前記複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)のコネクタ(13b)が別々に設けられることを特徴とする項目5または6に記載の検出システム(1)。
これによれば、両者の間に寄生容量が形成されにくくなる。
[項目10]
前記対象物(2)の温度以外の物理量を検出するセンサ(H1)と、前記回路装置(10)間を接続する複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)をさらに備え、
前記外部信号線(20s)および前記外部信号グランド線(20sg)のコネクタ(13)の端子領域と、前記複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)のコネクタ(13)の端子領域が分けわれていることを特徴とする項目5または6に記載の検出システム(1)。
これによれば、両者の間に寄生容量が形成されにくくなる。
[項目11]
前記対象物(2)の温度以外の物理量を検出するセンサ(H1)と、前記回路装置(10)間を接続する複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)をさらに備え、
前記回路装置(10)は、
前記コネクタ(13)を介して前記複数の外部配線(21v、21sp、21sm、21g)に接続される複数の内部配線のそれぞれに挿入された複数の高周波フィルタ(B3−B6)をさらに含むことを特徴とする項目5または6に記載の検出システム(1)。
これによれば、シャーシグランドとの寄生容量に起因して発生する高周波ノイズ電流をより確実に抑制することができる。
[Item 1]
A circuit device (10) connected via a temperature detection element (T1) for detecting the temperature of the object (2), an external signal line (20s), and an external signal ground line (20sg).
The circuit device (10) is
A connector (13) to which the external signal line (20s) and the external signal ground line (20sg) are connected,
An internal signal line (12s) connected to the external signal line (20s) via the connector (13),
An internal signal ground wire (12 sg) connected to the external signal ground wire (20 sg) via the connector (13).
A control circuit (11) connected to the internal signal line (12s) and the internal signal ground line (12sg) to detect the temperature of the object (2), and
The first high frequency filter (B1) inserted in the front stage of the internal signal line (12s) when viewed from the connector (13),
The second high frequency filter (B2) inserted in the front stage of the internal signal ground line (12 sg) when viewed from the connector (13),
(10).
According to this, it is possible to suppress the high frequency noise current generated due to the parasitic capacitance with the chassis ground.
[Item 2]
The object (2), the temperature detection element (T1), the external signal line (20s), the external signal ground line (20sg), and the circuit device (10) are housed in a conductive housing. The circuit device (10) according to
According to this, the housing can be used as a chassis ground.
[Item 3]
The circuit device (10) according to
According to this, low frequency noise and high frequency noise can be suppressed without attenuating the DC component.
[Item 4]
The connection point between the first high frequency filter (B1) and the connector (13) of the internal signal line (12s), and the second high frequency filter (B2) and the connector (13) of the internal signal ground line (12sg). ), The circuit device (10) according to any one of
According to this, the loop current can be suppressed via the capacitor (C3).
[Item 5]
A temperature detection element (T1) for detecting the temperature of the object (2) and
An external signal line (20s) connected to one end of the temperature detection element (T1) and
An external signal ground wire (20 sg) connected to the other end of the temperature detection element (T1) and
The temperature detecting element (T1) and the circuit device (10) connected via the external signal line (20s) and the external signal ground line (20sg) are provided.
The circuit device (10) is
A connector (13) to which the external signal line (20s) and the external signal ground line (20sg) are connected,
An internal signal line (12s) connected to the external signal line (20s) via the connector (13),
An internal signal ground wire (12 sg) connected to the external signal ground wire (20 sg) via the connector (13).
A control circuit (11) connected to the internal signal line (12s) and the internal signal ground line (12sg) to detect the temperature of the object (2), and
The first high frequency filter (B1) inserted in the front stage of the internal signal line (12s) when viewed from the connector (13),
The second high frequency filter (B2) inserted in the front stage of the internal signal ground line (12 sg) when viewed from the connector (13),
A detection system (1) comprising.
According to this, it is possible to construct the detection system (1) in which the high frequency noise current generated due to the parasitic capacitance with the chassis ground is suppressed.
[Item 6]
The object (2), the temperature detection element (T1), the external signal line (20s), the external signal ground line (20sg), and the circuit device (10) are housed in a conductive housing. The detection system (1) according to item 5, wherein the detection system is provided.
According to this, the housing can be used as a chassis ground.
[Item 7]
A sensor (H1) for detecting a physical quantity other than the temperature of the object (2) and a plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) for connecting between the circuit devices (10) are further provided.
Molding tools (M1, M2) in which the wire harness constituting the external signal line (20s) and the external signal ground line (20sg) and the wire harness constituting the plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) are different. The detection system (1) according to item 5 or 6, wherein the detection system is bundled with).
According to this, it becomes difficult for a parasitic capacitance to be formed between the two.
[Item 8]
A sensor (H1) for detecting a physical quantity other than the temperature of the object (2) and a plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) for connecting between the circuit devices (10) are further provided.
The external signal line (20s), the external signal ground line (20sg), and the plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) are installed in different wiring paths in the housing. Item 6 of the detection system (1).
According to this, it becomes difficult for a parasitic capacitance to be formed between the two.
[Item 9]
A sensor (H1) for detecting a physical quantity other than the temperature of the object (2) and a plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) for connecting between the circuit devices (10) are further provided.
A feature is that the connector (13a) of the external signal line (20s) and the external signal ground line (20sg) and the connector (13b) of the plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) are separately provided. The detection system (1) according to item 5 or 6.
According to this, it becomes difficult for a parasitic capacitance to be formed between the two.
[Item 10]
A sensor (H1) for detecting a physical quantity other than the temperature of the object (2) and a plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) for connecting between the circuit devices (10) are further provided.
The terminal area of the connector (13) of the external signal line (20s) and the external signal ground line (20sg) and the terminal area of the connector (13) of the plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) are separated. The detection system (1) according to item 5 or 6, wherein the detection system is characterized.
According to this, it becomes difficult for a parasitic capacitance to be formed between the two.
[Item 11]
A sensor (H1) for detecting a physical quantity other than the temperature of the object (2) and a plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) for connecting between the circuit devices (10) are further provided.
The circuit device (10) is
Further including a plurality of high frequency filters (B3-B6) inserted in each of the plurality of internal wirings connected to the plurality of external wirings (21v, 21sp, 21sm, 21g) via the connector (13). The detection system (1) according to the feature item 5 or 6.
According to this, the high frequency noise current generated due to the parasitic capacitance with the chassis ground can be suppressed more reliably.
1 検出システム、 2 対象物、 T1 サーミスタ素子、 H1 ホール素子、 S1 蓄電池セル、 S2 蓄電池セル、 Sn 蓄電池セル、 10 回路装置、 11 マイクロコントローラ、 12s 内部信号線、 12sg 内部信号グランド線、 13 コネクタ、 20s 外部信号線、 20sg 外部信号グランド線、 21v 外部電源線、 21g 外部グランド線、 21sp 第1外部検出線、 21sm 第2外部検出線、 30g シャーシグランド、 R1 第1抵抗、 R2 第2抵抗、 C1 第1コンデンサ、 C2 第2コンデンサ、 C3 第3コンデンサ、 C4 第4コンデンサ、 C5 第5コンデンサ、 B1 第1チップビーズ、 B2 第2チップビーズ、 B3 第3チップビーズ、 B4 第4チップビーズ、 B5 第5チップビーズ、 B6 第6チップビーズ、 AP1 差動アンプ、 M1 第1成形具、 M2 第2成形具。 1 Detection system, 2 Object, T1 Thermista element, H1 Hall element, S1 Capacitor cell, S2 Capacitor cell, Sn Capacitor cell, 10 Circuit device, 11 Microcontroller, 12s Internal signal line, 12sg Internal signal ground line, 13 Connector, 20s external signal line, 20sg external signal ground line, 21v external power supply line, 21g external ground line, 21sp 1st external detection line, 21sm 2nd external detection line, 30g chassis ground, R1 1st resistor, R2 2nd resistor, C1 1st capacitor, C2 2nd capacitor, C3 3rd capacitor, C4 4th capacitor, C5 5th capacitor, B1 1st chip beads, B2 2nd chip beads, B3 3rd chip beads, B4 4th chip beads, B5th 5 chip beads, B6 6th chip beads, AP1 differential amplifier, M1 1st molding tool, M2 2nd molding tool.
Claims (11)
前記回路装置は、
前記外部信号線と前記外部信号グランド線が接続されるコネクタと、
前記コネクタを介して前記外部信号線に接続される内部信号線と、
前記コネクタを介して前記外部信号グランド線に接続される内部信号グランド線と、
前記内部信号線と前記内部信号グランド線に接続され、前記対象物の温度を検出する制御回路と、
前記コネクタから見て、前記内部信号線の最前段に挿入される第1高周波フィルタと、
前記コネクタから見て、前記内部信号グランド線の最前段に挿入される第2高周波フィルタと、
を備えることを特徴とする回路装置。 A circuit device that is connected to a temperature detection element for detecting the temperature of an object via an external signal line and an external signal ground line.
The circuit device
A connector to which the external signal line and the external signal ground line are connected,
An internal signal line connected to the external signal line via the connector, and
An internal signal ground wire connected to the external signal ground wire via the connector,
A control circuit connected to the internal signal line and the internal signal ground line to detect the temperature of the object, and
The first high frequency filter inserted in the front stage of the internal signal line when viewed from the connector,
The second high frequency filter inserted in the front stage of the internal signal ground line when viewed from the connector,
A circuit device characterized by comprising.
前記温度検出素子の一端に接続される外部信号線と、
前記温度検出素子の他端に接続される外部信号グランド線と、
前記温度検出素子と、前記外部信号線と前記外部信号グランド線を介して接続される回路装置と、を備え、
前記回路装置は、
前記外部信号線と前記外部信号グランド線が接続されるコネクタと、
前記コネクタを介して前記外部信号線に接続される内部信号線と、
前記コネクタを介して前記外部信号グランド線に接続される内部信号グランド線と、
前記内部信号線と前記内部信号グランド線に接続され、前記対象物の温度を検出する制御回路と、
前記コネクタから見て、前記内部信号線の最前段に挿入される第1高周波フィルタと、
前記コネクタから見て、前記内部信号グランド線の最前段に挿入される第2高周波フィルタと、
を含むことを特徴とする検出システム。 A temperature detection element for detecting the temperature of an object,
An external signal line connected to one end of the temperature detection element and
An external signal ground wire connected to the other end of the temperature detection element,
The temperature detecting element, the external signal line, and the circuit device connected via the external signal ground line are provided.
The circuit device
A connector to which the external signal line and the external signal ground line are connected,
An internal signal line connected to the external signal line via the connector, and
An internal signal ground wire connected to the external signal ground wire via the connector,
A control circuit connected to the internal signal line and the internal signal ground line to detect the temperature of the object, and
The first high frequency filter inserted in the front stage of the internal signal line when viewed from the connector,
The second high frequency filter inserted in the front stage of the internal signal ground line when viewed from the connector,
A detection system characterized by including.
前記外部信号線および前記外部信号グランド線を構成するワイヤーハーネスと、前記複数の外部配線を構成するワイヤーハーネスが異なる成形具で束ねられることを特徴とする請求項5または6に記載の検出システム。 Further, a sensor for detecting a physical quantity other than the temperature of the object and a plurality of external wirings connecting the circuit devices are provided.
The detection system according to claim 5 or 6, wherein the wire harness constituting the external signal line and the external signal ground line and the wire harness constituting the plurality of external wirings are bundled by different molding tools.
前記筐体内において、前記外部信号線および前記外部信号グランド線と、前記複数の外部配線は、異なる配線経路で設置されることを特徴とする請求項6に記載の検出システム。 Further, a sensor for detecting a physical quantity other than the temperature of the object and a plurality of external wirings connecting the circuit devices are provided.
The detection system according to claim 6, wherein the external signal line, the external signal ground line, and the plurality of external wirings are installed in different wiring paths in the housing.
前記外部信号線および前記外部信号グランド線のコネクタと、前記複数の外部配線のコネクタが別々に設けられることを特徴とする請求項5または6に記載の検出システム。 Further, a sensor for detecting a physical quantity other than the temperature of the object and a plurality of external wirings connecting the circuit devices are provided.
The detection system according to claim 5 or 6, wherein the connector of the external signal line and the external signal ground line and the connector of the plurality of external wirings are separately provided.
前記外部信号線および前記外部信号グランド線、並びに前記複数の外部配線は一つのコネクタに接続され、
前記外部信号線および前記外部信号グランド線のコネクタの端子領域と、前記複数の外部配線のコネクタの端子領域が分けられていることを特徴とする請求項5または6に記載の検出システム。 Further, a sensor for detecting a physical quantity other than the temperature of the object and a plurality of external wirings connecting the circuit devices are provided.
The external signal line, the external signal ground line, and the plurality of external wires are connected to one connector.
The detection system according to claim 5 or 6, wherein the terminal area of the connector of the external signal line and the external signal ground line and the terminal area of the connector of the plurality of external wirings are separated.
前記回路装置は、
前記コネクタを介して前記複数の外部配線に接続される複数の内部配線のそれぞれに挿入された複数の高周波フィルタをさらに含むことを特徴とする請求項5または6に記載の検出システム。 Further, a sensor for detecting a physical quantity other than the temperature of the object and a plurality of external wirings connecting the circuit devices are provided.
The circuit device
The detection system according to claim 5 or 6, further comprising a plurality of high frequency filters inserted in each of the plurality of internal wirings connected to the plurality of external wirings via the connector.
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