JP2020160268A - Microlens array manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide a microlens array manufacturing method for obtaining desirably shaped concave by combining laser and etching treatment.SOLUTION: The microlens array manufacturing method according to the invention includes a laser step and an etching step. The etching step is a step of irradiating a glass substrate 10 with a laser beam on the basis of lens shape design data and forming a plurality of micro cracks 12 extending in a plate thickness direction on the main surface of the glass substrate 10. The etching step is a step of bringing the glass substrate 10 irradiated with the laser beam into contact with etching liquid to form a concave lens part 14 in crack formation position. In addition, the etching liquid used in the etching step has an etching rate of 3.00 μm/min or less with respect to the glass substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、マイクロレンズアレイの製造方法に関し、特に凹部の形状の制御を容易なマイクロレンズアレイの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a microlens array, and more particularly to a method for manufacturing a microlens array in which the shape of a recess can be easily controlled.

マイクロレンズアレイは、透明基板上に凹部または凸部が稠密に形成された基板である。マクロレンズアレイは、凹凸部に集光された光を拡散または集光させることが可能であり、通信、医療等の分野における光学部品に利用されている。マイクロレンズアレイに使用される透明基板は、樹脂基板またはガラス基板が一般的である。樹脂基板であれば、金型を使用してレンズ部となる凹凸部が形成される。 A microlens array is a substrate in which recesses or protrusions are densely formed on a transparent substrate. The macro lens array can diffuse or condense the light focused on the uneven portion, and is used for optical components in fields such as communication and medical treatment. The transparent substrate used for the microlens array is generally a resin substrate or a glass substrate. If it is a resin substrate, a mold is used to form an uneven portion to be a lens portion.

しかしながら、樹脂基板は凹凸の加工精度や光透過性において問題になることがあった。樹脂基板は耐熱温度が100℃前後程度であり、高温処理が必要な場面では熱膨張を起こしてしまい、加工精度が低下してしまっていた。そこで、ガラス基板を利用したマイクロレンズアレイが採用されることが多くなった。 However, the resin substrate may have problems in processing accuracy of unevenness and light transmission. The heat-resistant temperature of the resin substrate is about 100 ° C., and when high-temperature treatment is required, thermal expansion occurs and the processing accuracy is lowered. Therefore, a microlens array using a glass substrate is often adopted.

ガラス基板は、樹脂基板と比較しても熱変形等も少なく、高い加工精度が要求される場面において採用された。しかし、ガラス基板に対する凹凸の加工は、樹脂基板ほど容易ではない。ガラス基板の加工の一例として従来技術の中には、ガラス基板を尖状物により加圧し、凹部を形成した後にエッチングで凹部を拡大することよりガラス基板上にマイクロレンズを形成する方法があった(例えば、特許文献1参照)。 The glass substrate has less thermal deformation than the resin substrate and has been adopted in situations where high processing accuracy is required. However, processing unevenness on a glass substrate is not as easy as on a resin substrate. As an example of processing a glass substrate, there has been a method in which a microlens is formed on a glass substrate by pressurizing the glass substrate with a sharp object, forming a recess, and then enlarging the recess by etching. (See, for example, Patent Document 1).

また、レーザ装置とエッチング処理を組み合わせることにより凹部を形成する方法も存在していた。この方法では、レーザを照射し、ガラス基板に局所的に応力を与えた後にエッチング処理が行われる(例えば、特許文献2参照)。レーザが照射された改質領域は、エッチング反応が進行しやすく、ガラス基板の主面にレンズ状の凹部が形成できるとされていた。 There has also been a method of forming recesses by combining a laser device and an etching process. In this method, the glass substrate is irradiated with a laser to locally stress the glass substrate, and then the etching process is performed (see, for example, Patent Document 2). It has been said that the etching reaction easily proceeds in the modified region irradiated with the laser, and a lens-shaped recess can be formed on the main surface of the glass substrate.

特許第4510405号公報Japanese Patent No. 451405 特開2008-026437号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-026437

しかしながら、エッチング処理は等方性に進行するため、凹部の形状の制御がほとんど困難であった。ガラス基板への加圧やレーザの照射条件を変更することで、凹部の形状を調整することも可能であるが、凹部の形状はエッチング処理により決定される要素が多く、加圧圧力やレーザの調整による効果も限定的である。このため、所望の形状の凹部の加工が困難であった。 However, since the etching process proceeds isotropically, it is almost difficult to control the shape of the recess. It is possible to adjust the shape of the recess by pressurizing the glass substrate or changing the laser irradiation conditions, but the shape of the recess is often determined by etching, and the pressurizing pressure and laser The effect of the adjustment is also limited. For this reason, it has been difficult to process a recess having a desired shape.

また、エッチング処理での調整においても、わずかなエッチング時間の差異が凹部の形状に影響を及ぼす。特に、レーザで改質された領域は通常よりもエッチングされ易い状態であるため、レンズ部を設計通りに形成することが困難であるといった問題が発生することがあった。 Further, even in the adjustment in the etching process, a slight difference in etching time affects the shape of the recess. In particular, since the region modified by the laser is in a state where it is more easily etched than usual, there may be a problem that it is difficult to form the lens portion as designed.

本発明の目的は、レーザとエッチング処理を組み合わせることにより所望の形状の凹部を有するマイクロレンズアレイ製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a microlens array having recesses having a desired shape by combining a laser and an etching process.

本発明に係るマイクロレンズアレイ製造方法は、レーザステップおよびエッチングステップを含む。エッチングステップは、レンズ形状設計データに基づいてガラス基板にレーザビームを照射し、ガラス基板の主面に板厚方向に延びるクラックを複数形成する工程である。エッチングステップは、レーザビームが照射されたガラス基板に対してエッチング液を接触させることでクラック形成位置に凹状レンズ部を形成する工程である。さらに、エッチングステップにおいて使用するエッチング液は、ガラス基板のエッチング速度が3.00μm/分以下である。 The method for manufacturing a microlens array according to the present invention includes a laser step and an etching step. The etching step is a step of irradiating the glass substrate with a laser beam based on the lens shape design data to form a plurality of cracks extending in the plate thickness direction on the main surface of the glass substrate. The etching step is a step of forming a concave lens portion at a crack forming position by bringing an etching solution into contact with a glass substrate irradiated with a laser beam. Further, in the etching solution used in the etching step, the etching rate of the glass substrate is 3.00 μm / min or less.

ガラス基板にクラックを形成した領域において、エッチング速度が3.00μm/分以下の低レートのエッチング液を接触させることにより、異方性エッチングが進行し、レンズ部を作成することが可能になる。また、エッチング速度が遅いため、エッチング量の管理も従来よりも容易になり、より精密なレンズ形状を形成することが可能になる。 By bringing a low-rate etching solution having an etching rate of 3.00 μm / min or less into contact with the region where cracks are formed on the glass substrate, anisotropic etching proceeds and a lens portion can be formed. Further, since the etching rate is slow, the etching amount can be easily controlled as compared with the conventional case, and a more precise lens shape can be formed.

また、凹状レンズ部の幅が深さよりも大きいことが好ましい。低レートのエッチング液でエッチング処理を行うことにより、ガラス基板の板厚方向よりも幅方向に対してエッチング処理が進行し易くなり、凹状レンズの幅が深さよりも大きくなる。このような形状の凹状レンズ部は、所望のレンズ効果を発揮することが可能になる。 Further, it is preferable that the width of the concave lens portion is larger than the depth. By performing the etching process with a low-rate etching solution, the etching process is more likely to proceed in the width direction than in the plate thickness direction of the glass substrate, and the width of the concave lens becomes larger than the depth. The concave lens portion having such a shape can exert a desired lens effect.

この発明によれば、レーザとエッチング処理を組み合わせることにより所望の形状の凹部を有するマイクロレンズアレイを製造することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to manufacture a microlens array having recesses having a desired shape by combining a laser and an etching process.

ガラス基板にレーザビームを照射し、マイクロクラックを形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of irradiating a glass substrate with a laser beam, and forming a microcrack. 凹状レンズ部を形成するエッチングの状態を示す図である。It is a figure which shows the state of etching which forms the concave lens part. エッチング装置の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the etching apparatus. エッチング装置の他のバリエーションを示す図である。It is a figure which shows other variation of the etching apparatus.

ここから、本発明に係るマイクロレンズアレイの製造方法の一実施形態を説明する。本発明に係るマイクロレンズアレイの製造方法は、レーザステップおよびエッチングステップを含んでおり、ガラス基板の主面上に凹状のレンズ部を稠密に形成するものである。 From here, an embodiment of the method for manufacturing a microlens array according to the present invention will be described. The method for manufacturing a microlens array according to the present invention includes a laser step and an etching step, and densely forms a concave lens portion on a main surface of a glass substrate.

レーザステップは、ガラス基板10に対してレーザビームを照射するステップである。ガラス基板10は、マイクロレンズアレイとなる基板であり、使用するガラス基板に特に制限はないが光学ガラス等の透明度の高いガラスを使用することが好ましい。レーザビームの照射に使用されるレーザ装置30としては、COレーザを使用することが可能である。レーザ装置30は、レンズ形状設計データに基づいて、ビーム径、出力、周波数等の加工条件を適宜調整される。また、レーザビームは、ピコ秒またはフェムト秒の短パルス幅にて照射されることが好ましい。 The laser step is a step of irradiating the glass substrate 10 with a laser beam. The glass substrate 10 is a substrate that serves as a microlens array, and the glass substrate to be used is not particularly limited, but it is preferable to use highly transparent glass such as optical glass. As the laser apparatus 30 used for irradiating the laser beam, a CO 2 laser can be used. The laser apparatus 30 appropriately adjusts processing conditions such as beam diameter, output, and frequency based on the lens shape design data. Further, the laser beam is preferably irradiated with a short pulse width of picoseconds or femtoseconds.

レーザステップにてガラス基板10にレーザビームが照射されると、図1(A)および図1(B)に示すように、ガラス基板10の一方の主面にマイクロクラック12が形成される。マイクロクラック12は、レーザ装置30から照射されるレーザビームによりガラス基板10がアブレーションされることで、主面から中心部に向かって略垂直に形成される微小な亀裂である。ガラス基板10の主面におけるマイクロクラック12の径は、ビーム径やエネルギ等によって決定されるが、5〜50μm程度であり、板厚方向の中心部に向かって先細り形状となっている。 When the glass substrate 10 is irradiated with a laser beam in the laser step, microcracks 12 are formed on one main surface of the glass substrate 10 as shown in FIGS. 1A and 1B. The microcracks 12 are minute cracks formed substantially perpendicularly from the main surface toward the central portion by ablation of the glass substrate 10 by the laser beam emitted from the laser device 30. The diameter of the microcracks 12 on the main surface of the glass substrate 10 is determined by the beam diameter, energy, and the like, but is about 5 to 50 μm, and has a tapered shape toward the central portion in the plate thickness direction.

マイクロクラック12は、図1(B)に示すように、マトリクス状にガラス基板10の主面に形成される。マイクロクラック12の形成間隔は、10〜30μmの範囲で制御される。マイクロクラック12の間隔が10μmより小さくなると、隣接するマイクロクラックを形成する際にレーザビームの熱影響によりクラックの形状に不具合が生じるおそれがある。 As shown in FIG. 1B, the microcracks 12 are formed on the main surface of the glass substrate 10 in a matrix shape. The formation interval of the microcracks 12 is controlled in the range of 10 to 30 μm. If the distance between the microcracks 12 is smaller than 10 μm, the shape of the cracks may be defective due to the heat effect of the laser beam when forming the adjacent microcracks.

エッチングステップは、レーザステップにてマイクロクラック12が形成されたガラス基板10にエッチング液を接触させて、マイクロクラック12を形成した位置に凹状のレンズ部14を形成する工程である。ガラス基板10にエッチング液を接触させることによりマイクロクラック12を中心として凹状レンズ部14が形成される。 The etching step is a step of bringing the etching solution into contact with the glass substrate 10 on which the microcracks 12 are formed in the laser step to form the concave lens portion 14 at the position where the microcracks 12 are formed. By bringing the etching solution into contact with the glass substrate 10, the concave lens portion 14 is formed around the microcracks 12.

凹状レンズ部14を形成するエッチング処理は、エッチング液を使用したウエットエッチングによって行われる。さらに、エッチング速度が3.00μm/分以下になるように調整してエッチングが行われる。また、エッチング速度としては、0.01μm/分〜3.00μm/分の範囲で調整を行うことがより好ましい。 The etching process for forming the concave lens portion 14 is performed by wet etching using an etching solution. Further, the etching is performed by adjusting the etching rate to be 3.00 μm / min or less. Further, it is more preferable to adjust the etching rate in the range of 0.01 μm / min to 3.00 μm / min.

ガラス基板のエッチング液は、少なくともフッ酸を含んでおり、塩酸または硫酸等の無機酸や界面活性剤を含んでいても良い。エッチング液のエッチング速度は、おおむねフッ酸の濃度と正比例の関係にあり、フッ酸の濃度が増加するほどエッチング速度も上昇する。このため、エッチング速度を3.00μm/分以下にするには、フッ酸の濃度を15重量%以下にする必要がある。さらに、エッチング液のフッ酸の濃度は、10重量%以下に調整することがより好ましい。 The etching solution for the glass substrate contains at least hydrofluoric acid, and may contain an inorganic acid such as hydrochloric acid or sulfuric acid or a surfactant. The etching rate of the etching solution is generally in direct proportion to the concentration of hydrofluoric acid, and the etching rate increases as the concentration of hydrofluoric acid increases. Therefore, in order to reduce the etching rate to 3.00 μm / min or less, the concentration of hydrofluoric acid needs to be 15% by weight or less. Further, it is more preferable to adjust the concentration of hydrofluoric acid in the etching solution to 10% by weight or less.

エッチング速度を3.00μm/分以下にすることにより異方性エッチングを行うことが可能になり、凹状レンズ部14がレンズ効果を発揮する形状となる。異方性エッチングとは、深さ方向と幅方向のエッチング量が異なるエッチングであり、本実施形態では、深さ方向のエッチング量に対して幅方向のエッチング量が多くなる。通常のウエットエッチングは、幅方向と深さ方向のエッチング量の等しい等方性エッチングであるが、マイクロクラック12が形成された領域に低レートのエッチング液を接触させることにより、異方性エッチング処理を行うことが可能になる。出願人の実験によると、エッチング速度が3.00μm/分を超えると、等方性エッチングが進行し、凹状レンズ部14の形状制御が困難になる。 By setting the etching rate to 3.00 μm / min or less, anisotropic etching can be performed, and the concave lens portion 14 has a shape that exerts a lens effect. Anisotropic etching is etching in which the etching amounts in the depth direction and the width direction are different, and in the present embodiment, the etching amount in the width direction is larger than the etching amount in the depth direction. Normal wet etching is isotropic etching in which the etching amounts in the width direction and the depth direction are equal, but anisotropic etching treatment is performed by bringing a low-rate etching solution into contact with the region where the microcracks 12 are formed. Becomes possible to do. According to the applicant's experiment, when the etching rate exceeds 3.00 μm / min, isotropic etching proceeds and it becomes difficult to control the shape of the concave lens portion 14.

エッチング液をガラス基板10に接触させると、ガラス基板10の主面側においてエッチング反応が発生する。マイクロクラック12に対して、エッチング液が浸透するので、マイクロクラック12を中心に凹部が形成される。ところが、エッチング液は、マイクロクラック12の内部に浸透しにくいため、板厚方向よりも幅方向にエッチングが進行する(図2(A)参照)。 When the etching solution is brought into contact with the glass substrate 10, an etching reaction occurs on the main surface side of the glass substrate 10. Since the etching solution permeates the microcracks 12, a recess is formed around the microcracks 12. However, since the etching solution does not easily penetrate into the microcracks 12, the etching proceeds in the width direction rather than the plate thickness direction (see FIG. 2A).

さらに、エッチング処理が進行すると、図2(B)のように、マイクロクラック12を中心として凹状レンズ部14が拡大し、マイクロクラック12が消失していく。最終的には、図2(C)のように、隣接する凹状レンズ部14が連続して形成され、ガラス基板10の主面のレンズ領域において平坦部がなくなるまでエッチングを行う。ガラス基板のエッチング量は、30〜150μm程度であれば、ガラス基板10上に稠密に凹状レンズ部14を形成することが可能である。 Further, as the etching process progresses, as shown in FIG. 2B, the concave lens portion 14 expands around the microcracks 12 and the microcracks 12 disappear. Finally, as shown in FIG. 2C, adjacent concave lens portions 14 are continuously formed, and etching is performed until there is no flat portion in the lens region on the main surface of the glass substrate 10. When the etching amount of the glass substrate is about 30 to 150 μm, it is possible to form the concave lens portion 14 densely on the glass substrate 10.

ガラス基板10のエッチングは、図3(A)および図3(B)に示すエッチング装置50で行うことが可能である。エッチング装置50は、搬送ローラ52および複数のエッチングチャンバ54を備えた枚葉式のエッチング装置である。搬送ローラ52は、エッチング装置50の長さ方向に沿って一定間隔で配置されており、ガラス基板10を搬送方向に沿って搬送するように構成される。エッチングチャンバ54は、ガラス基板10の搬送方向に沿って複数設けられており、ガラス基板50に対してエッチング液を噴射するように構成される。なお、エッチング装置50は、ガラス基板10の両主面にエッチング液を噴射しているが、少なくともマイクロクラック12が形成された主面にエッチング液が接触するように噴射されれば良い。また、凹状レンズ部14が形成されない主面には、保護マスク等を被覆しても良い。エッチング液は、ガラス基板10の主面に均等に吹き付けられ、マイクロクラック12が形成された領域に凹状レンズ部14が形成される。なお、エッチングチャンバ54の後段には、洗浄チャンバ56が設けられており、エッチングチャンバ54にて噴射されたエッチング液が洗い流される。 The etching of the glass substrate 10 can be performed by the etching apparatus 50 shown in FIGS. 3 (A) and 3 (B). The etching apparatus 50 is a single-wafer etching apparatus including a transfer roller 52 and a plurality of etching chambers 54. The transport rollers 52 are arranged at regular intervals along the length direction of the etching apparatus 50, and are configured to transport the glass substrate 10 along the transport direction. A plurality of etching chambers 54 are provided along the transport direction of the glass substrate 10, and are configured to inject the etching solution onto the glass substrate 50. The etching apparatus 50 injects the etching solution onto both main surfaces of the glass substrate 10, but it is sufficient that the etching solution is in contact with at least the main surfaces on which the microcracks 12 are formed. Further, the main surface on which the concave lens portion 14 is not formed may be covered with a protective mask or the like. The etching solution is evenly sprayed on the main surface of the glass substrate 10, and the concave lens portion 14 is formed in the region where the microcracks 12 are formed. A cleaning chamber 56 is provided after the etching chamber 54, and the etching solution sprayed in the etching chamber 54 is washed away.

また、ガラス基板10のエッチング装置としては図4(A)および図4(B)に示すエッチング装置を使用することも可能である。図4(A)に示すエッチング装置501は、エッチングチャンバ内に収容されたエッチング液に搬送ローラで保持されたガラス基板10を接触させることでエッチング処理を行うように構成される。なお、エッチング液は、エッチングチャンバ内でオーバーフローしており、エッチングチャンバとその下部に配置されたタンク間を循環している。 Further, as the etching apparatus for the glass substrate 10, the etching apparatus shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B) can also be used. The etching apparatus 501 shown in FIG. 4A is configured to perform an etching process by bringing the glass substrate 10 held by the transport roller into contact with the etching solution contained in the etching chamber. The etching solution overflows in the etching chamber and circulates between the etching chamber and the tank arranged below the etching chamber.

また、他のエッチング装置の例としては、図4(B)に示す浸漬式のエッチング装置502を使用することも可能である。エッチング装置502は、エッチング液を収容するエッチングチャンバ内に複数のガラス基板10を保持したキャリア60を浸漬することで、ガラス基板10をエッチングするように構成される。なお、エッチングチャンバ内のエッチング液は、撹拌装置等を用いて撹拌されることが好ましい。 Further, as an example of another etching apparatus, it is also possible to use the immersion type etching apparatus 502 shown in FIG. 4 (B). The etching apparatus 502 is configured to etch the glass substrate 10 by immersing the carriers 60 holding the plurality of glass substrates 10 in the etching chamber containing the etching solution. The etching solution in the etching chamber is preferably stirred using a stirring device or the like.

また、エッチング液のエッチング速度を低下させるために、エッチング抑制物をエッチング液に含ませても良い。エッチング抑制物は、ガラス基板のエッチング反応を抑制し、エッチング速度を低下させるための物質である。エッチング抑制物が含まれることにより、同じ濃度のフッ酸を含むエッチング液と比較し、エッチング速度が低下させることが可能になる。 Further, in order to reduce the etching rate of the etching solution, an etching inhibitor may be included in the etching solution. The etching suppressor is a substance for suppressing the etching reaction of the glass substrate and reducing the etching rate. The inclusion of the etching suppressor makes it possible to reduce the etching rate as compared with an etching solution containing hydrofluoric acid having the same concentration.

エッチング抑制物質の例として、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリや、酸化チタン、塩化アルミニウム、ホウ酸、二酸化珪素等のフッ素錯化剤が挙げられる。エッチング抑制物質は、主としてフッ酸と強酸からなるエッチング液のエッチング速度(エッチングレート)を減じる作用を奏する。 Examples of the etching inhibitor include alkalis such as ammonium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide, and fluorine complexing agents such as titanium oxide, aluminum chloride, boric acid and silicon dioxide. The etching inhibitor has an action of reducing the etching rate (etching rate) of the etching solution mainly composed of hydrofluoric acid and strong acid.

フッ酸の物質量に対して0.05〜5.00モル当量程度のエッチング抑制物質を含有させることにより、フッ酸濃度やフッ素濃度を高くしてもエッチング速度を0.01〜3.00μm/分程度に低く抑えることができる。このような状態を形成することによってウエットエッチングの等方性の影響を最小限に抑制した異方性エッチングが実現していると出願人は推測している。 By containing an etching inhibitor of about 0.05 to 5.00 molar equivalents with respect to the amount of substance of hydrofluoric acid, the etching rate can be increased to 0.01 to 3.00 μm / even if the hydrofluoric acid concentration and the fluorine concentration are increased. It can be kept as low as a minute. The applicant speculates that by forming such a state, anisotropic etching in which the influence of isotropic property of wet etching is minimized is realized.

フッ酸とエッチング抑制物質との化合物として、これまで好適に異方性エッチングが実現できたものの例として、フッ化チタン酸(H2TiF6)、フッ化アンモニウム(NH4F)、テトラフルオロホウ酸(HBF4)、ヘキサフルオロリン酸(HPF6)、ヘキサフルオロケイ酸(H2SiF6)、ヘキサフルオロアルミン酸(H3AlF6)、ヘキサフルオロアンチモン酸(HSbF6)、六フッ化砒素酸(HAsF6)、六フッ化ジルコン酸(H2ZrF6)、テトラフルオロベリリウム酸(H2BeF4)、ヘプタフルオロタンタル酸(H2TaF7)などやこれらの塩が挙げられる。 As a compound of hydrofluoric acid and an etching inhibitor, examples of those that have been suitable for anisotropic etching so far are titanium fluoride acid (H 2 TiF 6 ), ammonium fluoride (NH 4 F), and tetrafluorohobo. Acid (HBF 4 ), Hexafluorophosphoric acid (HPF 6 ), Hexafluorosilicic acid (H 2 SiF 6 ), Hexafluoroaluminic acid (H 3 AlF 6 ), Hexafluoroantimonic acid (HSbF 6 ), Arsenic hexafluoride Acids (HAsF 6 ), hexafluorosilconic acid (H 2 ZrF 6 ), tetrafluoroberylium acid (H 2 BeF 4 ), heptafluorotantalic acid (H 2 TaF 7 ) and salts thereof can be mentioned.

これらのエッチング抑制物質を含むエッチング液についても、上記実施形態と同様にエッチング装置50等を用いてマイクロクラック12が形成されたガラス基板10に接触させることで、凹状レンズ部14を形成することが可能になる。 The etching solution containing these etching-suppressing substances can also be brought into contact with the glass substrate 10 on which the microcracks 12 are formed by using an etching apparatus 50 or the like as in the above embodiment to form the concave lens portion 14. It will be possible.

上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The description of the embodiments described above should be considered exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of claims, not by the above-described embodiment. Furthermore, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims.

10−ガラス基板
12−マイクロクラック
14−凹状レンズ部
50−エッチング装置
10-Glass substrate 12-Microcracks 14-Concave lens part 50-Etching device

Claims (2)

レンズ形状設計データに基づいてガラス基板にレーザビームを照射し、前記ガラス基板の主面に板厚方向に延びるクラックを複数形成するレーザステップと、
前記レーザビームが照射されたガラス基板に対してエッチング液を接触させることで前記クラック形成位置に凹状レンズ部を形成するエッチングステップと、
を含むマイクロレンズアレイの製造方法であって、
前記エッチングステップにおいて使用するエッチング液のエッチング速度が3.00μm/分以下であることを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
A laser step of irradiating a glass substrate with a laser beam based on lens shape design data to form a plurality of cracks extending in the plate thickness direction on the main surface of the glass substrate.
An etching step of forming a concave lens portion at the crack forming position by bringing the etching solution into contact with the glass substrate irradiated with the laser beam.
A method for manufacturing a microlens array including
A method for manufacturing a microlens array, characterized in that the etching rate of the etching solution used in the etching step is 3.00 μm / min or less.
前記凹状レンズ部の幅が深さよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズアレイ製造方法。 The method for manufacturing a microlens array according to claim 1, wherein the width of the concave lens portion is larger than the depth.
JP2019059533A 2019-03-27 2019-03-27 Manufacturing method of microlens array Active JP7287649B2 (en)

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JP2005283993A (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Japan Science & Technology Agency Method for creating accuracy self-controlling lens shape and optical element formed by the method

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