JP2020150574A - Bidirectional insulating dc-dc converter and control method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、双方向絶縁型DC−DCコンバータおよび制御方法に係るものであって、例えば双方向絶縁型DC−DCコンバータの変換効率に貢献可能な技術に関するものである。 The present invention relates to a bidirectionally insulated DC-DC converter and a control method, and relates to, for example, a technique capable of contributing to the conversion efficiency of a bidirectionally insulated DC-DC converter.
種々の分野で適用(例えばバッテリシミュレータ等の産業用機器に適用)されている直流電源装置の一例として、2つの直流電源(後述の図1では第1,第2直流電源1,2)間を双方向絶縁型DC−DCコンバータ(以下、単に双方向コンバータと適宜称する)により電力伝送(双方向に電力伝送)する構成がある。
As an example of a DC power supply device applied in various fields (for example, applied to industrial equipment such as a battery simulator), between two DC power supplies (first and second
電力伝送においては、例えば直流電源装置の一次側直流電力をスイッチング素子等により交流電力に変換してトランス一次側に流し、当該トランス二次側に伝送された交流電力をスイッチング素子により整流して直流電力に変換することが挙げられる。 In power transmission, for example, the primary side DC power of a DC power supply device is converted into AC power by a switching element or the like and passed to the transformer primary side, and the AC power transmitted to the transformer secondary side is rectified by the switching element and DC. Conversion to electric power can be mentioned.
トランスは、体積が印加電圧の周波数に依存することから、当該周波数が高い構成とした場合には、小型化することが可能となる。しかしながら、前述のようにスイッチング素子により電力を変換する場合に発生し得るスイッチング損失は、周波数にほぼ比例するものである。このため、双方向コンバータにおいて単に周波数が高くなるような構成にした場合には、当該双方向コンバータの損失が増大してしまうおそれがある。 Since the volume of the transformer depends on the frequency of the applied voltage, it is possible to reduce the size of the transformer when the frequency is high. However, the switching loss that can occur when power is converted by the switching element as described above is substantially proportional to the frequency. Therefore, if the bidirectional converter is configured so that the frequency is simply increased, the loss of the bidirectional converter may increase.
近年、双方向コンバータの1スイッチングあたりのスイッチング損失を低減したり、当該双方向コンバータの小型化と低損失化を両立させる構成として、Dual Active Bridge方式によるものが研究されている(例えば、非特許文献1参照)。 In recent years, a dual active bridge method has been studied as a configuration for reducing the switching loss per switching of a bidirectional converter and achieving both miniaturization and low loss of the bidirectional converter (for example, non-patent). Reference 1).
このDual Active Bridge方式の双方向コンバータは、双方向に電圧変換可能な一対のコンバータ部(後述の図9では第1,第2コンバータ部4,10)がトランス等によって結合された結合回路(以下、単にDAB回路と適宜称する)を備えている。そして、DAB回路の各コンバータ部のスイッチング素子において、それぞれゲート信号を出力して適宜スイッチング制御することにより、当該各コンバータ部間で所望の電力伝送ができるような構成とばっている。また、スイッチング素子に対してコンデンサを並列接続したり、トランスに対してリアクトルを直列接続した構成もある。
This Dual Active Bridge type bidirectional converter is a coupling circuit (hereinafter referred to as a coupling circuit) in which a pair of converter units capable of bidirectional voltage conversion (first and
また、スイッチング素子のデッドタイム中にコンデンサとリアクトルによる共振現象を利用し、スイッチング素子の印加電圧をゼロにしてゼロ電圧スイッチングを図った構成もあり、当該スイッチング素子のターンオン損失をゼロにすることも可能となっている。 In addition, there is also a configuration in which zero voltage switching is achieved by making the applied voltage of the switching element zero by utilizing the resonance phenomenon due to the capacitor and the reactor during the dead time of the switching element, and the turn-on loss of the switching element can be made zero. It is possible.
ところで、双方向コンバータの制御構成においては、例えばDAB回路二次側の直流出力部(後述の図9では第2平滑コンデンサ11等)の直流電圧を検出し、その検出結果に基づいて電圧制御するものがある。この電圧制御の場合、外部からの電圧指令どおりの直流電圧を出力できるように、双方向コンバータを動作させることとなる。
By the way, in the control configuration of the bidirectional converter, for example, the DC voltage of the DC output unit (
しかしながら、双方向コンバータの構成部品であるトランスやスイッチング素子は、許容電流が限られているため、前述のように単なる電圧制御による制御構成の場合には、例えば起動時の突入電流や、負荷急変時の電流増大により、当該構成部品の焼損や破壊等の事態を招く可能性がある。 However, transformers and switching elements, which are components of bidirectional converters, have a limited allowable current. Therefore, in the case of a control configuration based on simple voltage control as described above, for example, an inrush current at startup or a sudden change in load The increase in current at that time may cause a situation such as burning or destruction of the component.
このような事態を抑制するものとして、電流制御を適用した制御構成が挙げられる。例えば特許文献1では、DAB回路二次側の直流出力部の電流(負荷電流)を検出し、その検出結果に基づいて電流制御をする技術が提案されている。
As a device for suppressing such a situation, a control configuration to which current control is applied can be mentioned. For example,
非特許文献1や特許文献1に示すような双方向コンバータ(以下、単に従来コンバータと適宜称する)による電力伝送では、例えばDAB回路一次側のスイッチング素子のスイッチング制御によってトランス一次側に電圧を印加した場合、トランス二次側に電圧が誘導され、その誘導した電圧をDAB回路二次側のスイッチング素子によって整流する。DAB回路二次側の直流出力部にコンデンサ(後述の図1では第2平滑コンデンサ11)が接続されている場合には、当該整流によってコンデンサが充電されることとなる。
In power transmission by a bidirectional converter (hereinafter, simply referred to as a conventional converter) as shown in Non-Patent
ここで、従来コンバータにおいて、トランスの一次側,二次側のリアクトルによるインダクタンスや、コンデンサのキャパシタンスが存在する場合には、前記電力伝送において応答遅れが生じ得る。そして、前記応答遅れの後、DAB回路二次側に接続されている負荷(接続機器等)との間の電圧差によって、当該DAB回路二次側から負荷等に電流が流れだすこととなる。 Here, in the conventional converter, if the inductance due to the reactors on the primary side and the secondary side of the transformer and the capacitance of the capacitor are present, a response delay may occur in the power transmission. Then, after the response delay, a current flows from the secondary side of the DAB circuit to the load or the like due to the voltage difference with the load (connected device or the like) connected to the secondary side of the DAB circuit.
このような応答遅れを伴う電力伝送では、DAB回路一次側をスイッチング制御してからDAB回路二次側の直流出力部の電流の増加に至るまでには、時間がかかってしまう。すなわち、制御において無駄な時間がかかってしまい、制御応答が遅くなってしまう。 In power transmission with such a response delay, it takes time from switching control of the primary side of the DAB circuit to an increase in the current of the DC output unit on the secondary side of the DAB circuit. That is, it takes a wasteful time in control, and the control response becomes slow.
また、従来コンバータは、トランスの入出力電流等を直接検出していない構成であるため、例えばDAB回路二次側の短絡などによってトランスに過電流が発生した場合には、当該トランスを保護することが困難となるおそれがある。 In addition, since the conventional converter does not directly detect the input / output current of the transformer, protect the transformer when an overcurrent occurs in the transformer due to a short circuit on the secondary side of the DAB circuit, for example. May be difficult.
本発明は、かかる技術的課題を鑑みてなされたものであって、双方向コンバータの制御応答の向上や構成部品の保護に貢献可能な技術を提供することにある。 The present invention has been made in view of such technical problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of contributing to improvement of control response of a bidirectional converter and protection of components.
この発明の一態様は、トランスを介して結合された第1,第2コンバータ部と、第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、を備えた双方向絶縁型DC−DCコンバータである。 One aspect of the present invention is a bidirectionally insulated type including a first and second converter units coupled via a transformer and a control circuit for controlling the output power of power transmission by the first and second converter units. It is a DC-DC converter.
第1コンバータ部は、第1直流電源とトランスの一次側に接続され、第1,第2半導体スイッチング素子が直列接続された第1スイッチングアームと、第3,第4半導体スイッチング素子が直列接続された第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、第2コンバータ部は、第2直流電源とトランスの二次側に接続され、第5,第6半導体スイッチング素子が直列接続された第3スイッチングアームと、第7,第8半導体スイッチング素子が直列接続された第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有する。 The first converter unit is connected to the primary side of the first DC power supply and the transformer, and the first switching arm to which the first and second semiconductor switching elements are connected in series and the third and fourth semiconductor switching elements are connected in series. It has a single-phase full bridge circuit in which the second switching arm and the second switching arm are connected in parallel, the second converter unit is connected to the secondary side of the second DC power supply and the transformer, and the fifth and sixth semiconductor switching elements are connected. It has a single-phase full bridge circuit in which a third switching arm connected in series and a fourth switching arm in which seventh and eighth semiconductor switching elements are connected in series are connected in parallel.
そして、制御回路は、第1コンバータ部とトランスの一次側との間、または第2コンバータ部とトランス二次側との間から検出された電流検出値と、三角波キャリア信号と、に基づいて、第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成する、ことを特徴とするものである。 Then, the control circuit is based on the current detection value detected between the first converter unit and the primary side of the transformer, or between the second converter unit and the secondary side of the transformer, and the triangular wave carrier signal. It is characterized in that a gate signal of each semiconductor switching element of the first and second converter units is generated.
また、電流検出値は、三角波キャリア信号における谷部の底側および山部の頂側のうち何れか一方のタイミングでサンプリングしたものであり、制御回路は、前記サンプリングした電流検出値と、第2コンバータ部直流側から検出された電圧検出値と、第2コンバータ部直流側において設定された電圧指令値と、に基づいて位相差指令値を生成し、前記ゲート信号は、前記生成した位相差指令値と、三角波キャリア信号と、に基づいて生成されたものである、ことを特徴しても良い。 Further, the current detection value is sampled at the timing of either the bottom side of the valley portion or the top side of the peak portion in the triangular wave carrier signal, and the control circuit has the sampled current detection value and the second A phase difference command value is generated based on the voltage detection value detected from the DC side of the converter unit and the voltage command value set on the DC side of the second converter unit, and the gate signal is the generated phase difference command. It may be characterized that it is generated based on the value and the triangular wave carrier signal.
また、電流検出値は、三角波キャリア信号の谷部および山部のうち何れか一方において±1/8周期の期間内での複数サンプリング点でサンプリングしたものであり、制御回路は、前記サンプリングした複数サンプリング点での電流検出値を移動平均処理化して得た値と、第2コンバータ部直流側から検出された電圧検出値と、第2コンバータ部直流側において設定された電圧指令値と、に基づいて位相差指令値を生成し、前記ゲート信号は、前記生成した位相差指令値と、三角波キャリア信号と、に基づいて生成されたものである、ことを特徴しても良い。 Further, the current detection value is sampled at a plurality of sampling points within a period of ± 1/8 cycle in either the valley portion or the peak portion of the triangular wave carrier signal, and the control circuit is a plurality of sampled samples. Based on the value obtained by moving averaging the current detection value at the sampling point, the voltage detection value detected from the DC side of the second converter section, and the voltage command value set on the DC side of the second converter section. The gate signal may be generated based on the generated phase difference command value and the triangular wave carrier signal.
また、制御回路は、電流検出値が、当該電流検出値において設定された所定の閾値を超過している場合に、半導体スイッチング素子をスイッチングオフする、ことを特徴しても良い。 Further, the control circuit may be characterized in that the semiconductor switching element is switched off when the current detection value exceeds a predetermined threshold value set in the current detection value.
他の態様は、トランスを介して結合された第1,第2コンバータ部と、第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、を備えた双方向絶縁型DC−DCコンバータの制御方法である。 Another embodiment is a bidirectionally isolated DC-with a first and second converters coupled via a transformer and a control circuit for controlling the output power of power transmission by the first and second converters. This is a control method for a DC converter.
第1コンバータ部は、第1直流電源とトランスの一次側に接続され、第1,第2半導体スイッチング素子が直列接続された第1スイッチングアームと、第3,第4半導体スイッチング素子が直列接続された第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、第2コンバータ部は、第2直流電源とトランスの二次側に接続され、第5,第6半導体スイッチング素子が直列接続された第3スイッチングアームと、第7,第8半導体スイッチング素子が直列接続された第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有する。 The first converter unit is connected to the primary side of the first DC power supply and the transformer, and the first switching arm to which the first and second semiconductor switching elements are connected in series and the third and fourth semiconductor switching elements are connected in series. It has a single-phase full bridge circuit in which the second switching arm and the second switching arm are connected in parallel, the second converter unit is connected to the secondary side of the second DC power supply and the transformer, and the fifth and sixth semiconductor switching elements are connected. It has a single-phase full bridge circuit in which a third switching arm connected in series and a fourth switching arm in which seventh and eighth semiconductor switching elements are connected in series are connected in parallel.
そして、制御回路により、第1コンバータ部とトランスの一次側との間、または第2コンバータ部とトランス二次側との間から交流電流を検出し、前記検出した交流電流値および交流電圧値と、三角波キャリア信号と、に基づいて、第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成する、ことを特徴とする。 Then, the control circuit detects an AC current between the first converter unit and the primary side of the transformer, or between the second converter unit and the secondary side of the transformer, and the detected AC current value and AC voltage value are combined with the detected AC current value. , The gate signal of each semiconductor switching element of the first and second converter units is generated based on the triangular wave carrier signal.
以上示したように本発明によれば、双方向コンバータの制御応答の向上や構成部品の保護に貢献することが可能となる。 As shown above, according to the present invention, it is possible to contribute to the improvement of the control response of the bidirectional converter and the protection of the components.
以下、本発明の実施形態における双方向コンバータおよび制御方法は、従来コンバータの制御構成のようにDAB回路二次側の直流出力部の電流検出値に基づいて電流制御するものとは、全く異なるものである。 Hereinafter, the bidirectional converter and the control method in the embodiment of the present invention are completely different from those in which the current is controlled based on the current detection value of the DC output unit on the secondary side of the DAB circuit as in the control configuration of the conventional converter. Is.
すなわち、本実施形態による制御構成は、DAB回路一次側の第1コンバータ部とトランス一次側との間から検出された電流検出値、またはDAB回路二次側の第2コンバータ部とトランス二次側との間から検出された電流検出値(すなわち、トランスの入力電流または出力電流の検出値)を、適用(何れか一方のみを適用)するものである。 That is, the control configuration according to the present embodiment is the current detection value detected between the first converter unit on the primary side of the DAB circuit and the primary side of the transformer, or the second converter unit and the secondary side of the transformer on the secondary side of the DAB circuit. The current detection value detected between and (that is, the detection value of the input current or the output current of the transformer) is applied (only one of them is applied).
そして、前記電流検出値と、第2コンバータ部直流側から検出された電圧検出値と、第2コンバータ部直流側において設定された電圧指令値と、三角波キャリア信号と、に基づいて、第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成する構成である。 Then, based on the current detection value, the voltage detection value detected from the DC side of the second converter unit, the voltage command value set on the DC side of the second converter unit, and the triangular wave carrier signal, the first first The configuration is such that the gate signal of each semiconductor switching element of the second converter section is generated.
例えば図9に示す従来コンバータJの場合、DAB回路100二次側の直流出力部側の出力電流を電流検出器20aにより検出し、その検出した電流検出値に基づいてDAB回路100を電流制御して電力伝送する構成となっている。なお、図1に示すものと同様のものには同一符号を適用する等により、その詳細な説明を省略する。
For example, in the case of the conventional converter J shown in FIG. 9, the output current on the DC output unit side on the secondary side of the
しかしながら、従来コンバータJは、当該従来コンバータJ内のインダクタンス(例えばトランス8の一次側,二次側のリアクトル7,9によるインダクタンス)やキャパシタンス(例えばコンデンサ11のキャパシタンス)により、電力伝送において応答遅れが生じ得る。
However, the conventional converter J has a response delay in power transmission due to the inductance (for example, the inductance due to the
すなわち、制御において無駄な時間がかかってしまい、制御応答が遅くなってしまう。この場合、高速の電流制御を行うことは困難であり、出力電圧(負荷電圧)においては電圧指令値に対する制御応答遅れが生じ得る。 That is, it takes a wasteful time in control, and the control response becomes slow. In this case, it is difficult to perform high-speed current control, and a delay in control response to the voltage command value may occur in the output voltage (load voltage).
また、従来コンバータJでは、トランス8の入力電流を直接検出しない構成であるため、例えばDAB回路100二次側(図9中では第2コンバータ部10内)の短絡などによってトランス8に過電流が発生した場合には、当該トランス8を保護することが困難となるおそれがある。
Further, since the conventional converter J does not directly detect the input current of the
一方、本実施形態による制御構成においては、トランスの入力電流または出力電流の検出値を電流制御に適用するものであるため、従来コンバータJで生じ得るような制御応答遅れを抑制することができる。また、当該電流検出値によれば、トランスに発生し得る過電流の有無を適宜把握することが容易となる。 On the other hand, in the control configuration according to the present embodiment, since the detected value of the input current or the output current of the transformer is applied to the current control, it is possible to suppress the control response delay that may occur in the conventional converter J. Further, according to the current detection value, it becomes easy to appropriately grasp the presence or absence of an overcurrent that may occur in the transformer.
これにより、双方向コンバータの制御応答の向上や構成部品の保護に貢献することが可能となる。このような貢献によれば、例えば直流電源装置に接続された負荷(接続機器等)について高精度な負荷運転ができ、また、当該直流電源装置の信頼性を向上できる可能性がある。 This makes it possible to contribute to improving the control response of the bidirectional converter and protecting the components. According to such contributions, for example, it is possible to perform highly accurate load operation on a load (connected device or the like) connected to the DC power supply device, and to improve the reliability of the DC power supply device.
本実施形態の双方向コンバータおよび制御方法は、前述のようにトランスの入力電流または出力電流の検出値を適用して第1,第2コンバータの各半導体スイッチング素子のゲート信号を生成する制御構成であれば、種々の分野(例えば電力変換技術等の分野)の技術常識を適宜適用して設計することが可能であり、その一例として以下に示すものが挙げられる。 The bidirectional converter and the control method of the present embodiment have a control configuration for generating a gate signal of each semiconductor switching element of the first and second converters by applying the detected value of the input current or the output current of the transformer as described above. If there is, it is possible to design by appropriately applying the common technical knowledge of various fields (for example, fields such as power conversion technology), and the following is an example thereof.
≪本実施形態による双方向コンバータを適用した直流電源装置の構成例≫
図1に示す直流電源装置は、本実施形態の一例である双方向コンバータAを説明するためのものである。図1に示す双方向コンバータAは、DAB回路100と制御回路200を主として備え、2つの直流電源1,2の両者間に介在して電力伝送(双方向に電力伝送)できるように構成されている。
<< Configuration example of a DC power supply device to which a bidirectional converter according to this embodiment is applied >>
The DC power supply device shown in FIG. 1 is for explaining a bidirectional converter A which is an example of the present embodiment. The bidirectional converter A shown in FIG. 1 mainly includes a
DAB回路100は、直流電源1に並列に接続された第1平滑コンデンサ3と、スイッチング回路を有した第1コンバータ部4と、絶縁されたトランスとしての高周波トランス8と、スイッチング回路を有した第2コンバータ部10と、直流電源2に並列に接続された第2平滑コンデンサ11と、を主として備えている。
The
第1コンバータ部4のスイッチング回路は、例えばIGBTやMOSFET等を用いて成る複数の半導体スイッチング素子5a〜5d(以下、単にスイッチ5a〜5dと適宜称する)を有した構成(フルブリッジ回路構成)である。
The switching circuit of the first converter unit 4 has a configuration (full bridge circuit configuration) having a plurality of
図1の第1コンバータ部4のスイッチング回路の場合、直列接続されたスイッチ5a,5bから成る第1スイッチングアームと、直列接続されたスイッチ5c,5dから成る第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路で構成されている。
In the case of the switching circuit of the first converter unit 4 of FIG. 1, a first switching arm composed of
そして、第1コンバータ部4の直流側が第1平滑コンデンサ3に接続され、当該第1コンバータ部4の交流側が高周波トランス8の第1巻線(一次側)8aに接続されており、直流/交流間の双方向の電力変換を行うことが可能な構成となっている。
Then, the DC side of the first converter unit 4 is connected to the
図1中の各スイッチ5a〜5dの場合、それぞれダイオードが逆並列接続されている。また、各スイッチ5a〜5dには、それぞれ並列にコンデンサ6a〜6dが接続され、ゼロ電圧スイッチング回路構成となっている。このゼロ電圧スイッチング回路構成により、各スイッチ5a〜5dのターンオン時において、各素子の両端電圧をほぼゼロ電圧にすることも可能となる。
In the case of the
また、各スイッチ5a〜5dとトランス8との間の交流入出力線には、第1リアクトル7が接続され、当該第1リアクトル7と第1巻線8aとが直列接続された構成となっている。
Further, the
第2コンバータ部10のスイッチング回路は、第1コンバータ部4の場合と同様に、例えばIGBTやMOSFET等を用いて成る複数のスイッチ12a〜12dを有した構成(フルブリッジ回路構成)である。
The switching circuit of the
図1の第2コンバータ部10のスイッチング回路の場合、直列接続されたスイッチ12a,12bから成る第3スイッチングアームと、直列接続されたスイッチ12c,12dから成る第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路で構成されている。
In the case of the switching circuit of the
そして、第2コンバータ部10の直流側が第2平滑コンデンサ11に接続され、当該第2コンバータ部4の交流側がトランス8の第2巻線(二次側)8bに接続されており、直流/交流間の双方向の電力変換を行うことが可能な構成となっている。
Then, the DC side of the
図1中の各スイッチ12a〜12dの場合も、それぞれダイオードが逆並列接続されている。また、各スイッチ12a〜12dには、それぞれ並列にコンデンサ13a〜13dが接続され、ゼロ電圧スイッチング回路構成となっている。このゼロ電圧スイッチング回路構成により、各スイッチ12a〜12dのターンオン時において、各素子の両端電圧をほぼゼロ電圧にすることも可能となる。
Also in the case of the
また、各スイッチ12a〜12dとトランス8との間の交流入出力線には、第2リアクトル9が接続され、当該第2リアクトル9と第2巻線8bとが直列接続された構成となっている。
Further, a
DAB回路100においては、交流電流Iを検出する電流検出器20が設置されている。この電流検出器20は、前述のように交流電流Iを検出できるものであれば、種々の態様を適用することができ、その設置位置も適宜変更することが可能である。電流検出器20の具体例としては、例えばホールCT等のセンサを用いてなるものが挙げられる。また、電流検出器20の設置位置においては、トランス8の一次側または二次側において交流電流Iを検出できる位置が挙げられる。
In the
図1の電流検出器20の場合、トランス8の一次側(第1コンバータ部4とトランス8の第1巻線8aとの間)において交流電流Iを検出する構成となっているが、例えばスイッチ5a,5bの共通接続点と第1のリアクトル7との間や、スイッチ5c,5dの共通接続点と第1巻線8aとの間で検出する構成であっても良い。このように検出された電流検出値は、制御回路200に入力されることとなる。
In the case of the
また、DAB回路100の第2コンバータ部10直流側において、当該直流側の直流電圧を検出する電圧検出器30が設置されている。この電圧検出器30は、前述のように直流電圧を検出できるものであれば、種々の態様を適用することができ、その設置位置も適宜変更することが可能である。図1の電圧検出器30の場合、第2平滑コンデンサ11と直流電源2との間に設置され、当該第2平滑コンデンサ11の直流電圧を検出できる構成となっている。このように検出された電圧検出値も、制御回路200に入力されることとなる。
Further, on the DC side of the
制御回路200は、電流検出器20で検出された電流検出値と、電圧検出器30で検出された電圧検出値が入力される。また、第2コンバータ部10直流側における所望の電圧指令値が設定されており、所望の三角波キャリア信号を生成できるようになっている。
In the
また、制御回路200は、電流検出値,電圧検出値,電圧指令値,三角波キャリア信号に基づいて、第1,第2コンバータ部4,10の各スイッチ5a〜5d,12a〜12dをそれぞれスイッチング制御するゲート信号G−5(具体的には、各スイッチ5a〜5d毎のゲート信号;オンオフ指令信号),G−12(具体的には、各スイッチ毎のゲート信号;オンオフ指令信号)を生成できるようになっている。
Further, the
そして、制御回路200は、前記生成されたゲート信号G−5,G−12を各スイッチ5a〜5d,12a〜12dにそれぞれ送信し、第1,第2コンバータ部4,10の各々のスイッチング回路を駆動制御できるような制御構成となっている。
Then, the
また、各スイッチ5a〜5dとトランス8との間の交流入出力線には、第1リアクトル7が接続され、当該第1リアクトル7と第1巻線8aとが直列接続された構成となっている。
Further, the
以上示した双方向コンバータAにおいては、目的に応じて適宜設計変更することができる。例えば、コンデンサ6a〜6d,13a〜13dや第1,第2リアクトル7,9は、適宜省略しても良い。
The design of the bidirectional converter A shown above can be appropriately changed according to the purpose. For example, the
また、制御回路200においても、前述のように第1,第2コンバータ部4,10の各々のスイッチング回路を駆動制御できるような制御構成であれば、種々の態様を適用することができ、具体例としては以下に示す実施例1,2が挙げられる。なお、図1に示すものと同様のものには同一符号を適用する等により、その詳細な説明を適宜省略する。
Further, also in the
≪制御回路200の実施例1≫
図2は、制御回路200の実施例1を示すものである。図2に示す制御回路200は、電圧検出ローパスフィルタ部(LPF:Low−Pass Filter)210、電流検出ローパスフィルタ部220、電圧制御部(AVR:Automatic Voltage Regurator)230、電流制限部240、電流制御部(ACR:Automatic Current Regurator)250、ゲート生成部260、一次側デッドタイム生成部271、二次側デッドタイム生成部272、三角波生成部280、ADC部(ADC:Analog−to―Digital Converter)290を、主として備えている。
<< Example 1 of the
FIG. 2 shows the first embodiment of the
電圧検出ローパスフィルタ部210は、出力電圧検出器30で検出された電圧検出値が入力され、当該電圧検出値の高周波のノイズ成分を除去できる構成となっている。
The voltage detection low-
減算器23aは、電圧検出ローパスフィルタ部210の出力と電圧指令値との差分を導出するものであり、当該差分を電圧制御部230に入力できる構成となっている。
The
電圧制御部230は、減算器23aの出力に基づいて電圧検出値が電圧指令値となるように制御できる構成となっている。この電圧制御部230の制御構成は、例えばPID補償器等を用いてなる構成が挙げられる。そして、電圧制御部230の出力は、電流指令値となって適用されることとなる。
The
電流制限部240は、電流指令値に係る許容電流値が設定されているものであり、電圧制御部230から入力された電流指令値を、許容電流値以下となるように制限できる構成となっている。
The current limiting
三角波生成部280は、各スイッチ5a〜5d,12a〜12dのスイッチング、および交流電流Iの検出のサンプルの基準となる三角波キャリア信号を生成できる構成となっている。三角波キャリア信号においては、当該三角波キャリア信号の周波数がスイッチング周波数となり、三角波キャリア信号の平均値がゼロとなるようにした正負対称の信号である。このような三角波キャリア信号により、例えば後述の図5に示すように、当該三角波キャリア信号の正の部分が山部となり、負の部分が谷部として現れることとなる。
The triangular
電流検出器20で検出した電流検出値は、電流検出ローパスフィルタ部220に入力され、高周波のノイズ成分が除去される。そして、電流検出ローパスフィルタ部220の出力と、三角波生成部280で生成した三角波キャリア信号が、それぞれADC部290に入力される。
The current detection value detected by the
ADC部290は、電流検出ローパスフィルタ部220でノイズを除去した電流検出値を、デジタル値に変換してサンプリングできる構成となっている。この電流検出値の変換およびサンプリングのタイミングは、三角波キャリア信号の山部の頂側および谷部の底側のうち何れか一方とする。本実施例1の場合、例えば後述の図5に示すように、三角波キャリア信号の谷部のうち底側のサンプル点(図5では丸で囲ったサンプル点)を変換およびサンプリングのタイミングとしている。
The
減算器25aは、電流制限部240の出力とADC部290の出力との差分を導出するものであり、その差分を電流制御部250に入力できる構成となっている。
The
電流制御部250は、減算器25aの出力に基づいて電流検出値が電流指令値となるように制御できる構成となっている。この電流制御部250の制御構成は、例えばPID補償器等を用いてなる構成が挙げられる。そして、電流制御部250の出力は、位相差指令値となって適用されることとなる。
The
ゲート生成部260は、電流制御部250の出力である位相差指令値と、三角波生成部280で生成した三角波キャリア信号と、を比較して各スイッチ5a〜5d,12a〜12dのスイッチング信号をそれぞれ生成できる構成となっている。
The
そして、一次側デッドタイム生成部271,二次側デッドタイム生成部272は、それぞれゲート生成部260の出力が入力され、一次側ゲート信号G−5,二次側ゲート信号G−12を生成できる構成となっている。
Then, the output of the
≪制御回路200の実施例2≫
図3は、制御回路200の実施例2を示すものである。なお、図2に示すものと同様のものには同一符号を適用する等により、その詳細な説明を適宜省略する。
<< Example 2 of
FIG. 3 shows a second embodiment of the
図3に示す制御回路200は、電圧検出ローパスフィルタ部210、電流検出ローパスフィルタ部220、電圧制御部230、電流制限部240、電流制御部250、ゲート生成部260、一次側デッドタイム生成部271、二次側デッドタイム生成部272、三角波生成部280、ADC部290、ADCトリガ生成部300、D型フリップフロップ310、割算器320を、主として備えている。
The
ADCトリガ生成部300は、三角波生成部280で生成された三角波キャリア信号が入力され、ADC部290の変換タイミング、およびD型フリップフロップ310でのラッチタイミングの基準となるトリガ信号を生成できる構成となっている。トリガ信号のトリガは、例えば三角波キャリア信号の谷部±1/16周期(谷部±位相角22.5°)の時点とする。
The ADC
そして、電流検出ローパスフィルタ部220の出力と、ADCトリガ生成部300で生成したトリガ信号と、がADC290に入力される。また、ADC部290の出力と、ADCトリガ生成部300で生成したトリガ信号と、がD型フリップフロップ310に入力される。
Then, the output of the current detection low-
D型フリップフロップ310は、ADC部290の出力を、ADCトリガ生成部300で生成したトリガ信号のタイミングでラッチできる構成となっている。
The D-type flip-
加算器32aは、ADC部290の出力とD型フリップフロップ310の出力とを加算し、その加算した値を割算器320に入力できる構成となっている。
The
図3の割算器320は、入力を1/2にして出力できる構成となっている。これにより、割算器320の出力は、三角波キャリア信号の谷部±1/16周期時点で、2回の電流検出値の移動平均となる。
The
減算器25aでは、電流制限部240の出力と割算器320の出力との差分が導出し、その差分を電流制御部250に入力することとなる。
In the
そして、電流制御部250,ゲート生成部260,一次側デッドタイム生成部271(または二次側デッドタイム生成部272)を経て、一次側ゲート信号G−5,二次側ゲート信号G−12が生成できる構成となっている。
Then, the primary side gate signal G-5 and the secondary side gate signal G-12 pass through the
≪実施例1による制御動作例≫
DAB回路100の出力電力は、下記数式(非特許文献1参照)で示すことができる。
<< Example of control operation according to Example 1 >>
The output power of the
ただし、数式中のPはDAB回路100の出力電力、E1はDAB回路100の一次側直流電圧、E2はDAB回路100の二次側直流電圧、Nはトランス8の巻線比、ωはスイッチング角周波数、LはDAB回路100の一次側に等価換算したリアクトルのインダクタンスとトランス8の漏れインダクタンスの和、δは図1中の交流電圧V1と交流電圧V2の位相差とする。
However, in the formula, P is the output power of the
実施例1による制御回路200の制御構成では、電流制御応答は電圧制御応答よりも高速であり、電流制御を検討する場合、一次側直流電圧E1および二次側直流電圧E2は一定と考えることができる。
In the control configuration of the
この場合、DAB回路100の出力電力Pは位相差δに依存する。一次側直流電圧E1が一定の場合は、図1の交流電圧V1の電圧実効値は一定であるため、図1の交流電流Iは位相差δに依存することとなる。例えば−90°<位相差δ<90°のとき、交流電流Iは位相差δに対して単調増加となる。
In this case, the output power P of the
以上のことを踏まえ、実施例1の制御回路200において図4に示すようなゲート生成部260を適用し、例えば下記のとおり制御動作させることが挙げられる。
Based on the above, in the
図4に示すゲート生成部260は、矩形波生成部410、一次側乗算器421、二次側乗算器422、一次側三角波比較部431、二次側三角波比較部432、を主として備えている。そして、ゲート生成部260には、電流制御部250の出力である位相差指令値と、三角波生成部280で生成された三角波キャリア信号と、が入力される。
The
この図4に示すゲート生成部260により一次側ゲート信号G−5を生成する場合には、まず、矩形波生成部410により、三角波キャリア信号に同期した矩形波信号を生成する。そして、三角波キャリア信号の立ち上がり時(傾きが正の時)にLow、立ち下がり時(傾きが負の時)にHighとした矩形波信号を、一次側矩形波信号として一次側乗算器421に入力する。
When the primary side gate signal G-5 is generated by the
一次側乗算器421では、矩形波生成部410で生成した一次側矩形波信号に位相差指令値を乗算し、図5に示すような一次側被比較波が得られる。この一次側被比較波は、一次側三角波比較部431に入力される。一次側三角波比較部431では、例えば図5に示すように、一次側被比較波と三角波キャリア信号との比較結果に基づいた各スイッチ5a〜5dの一次側スイッチング信号G−5a〜G−5dを生成する。
In the
図5において、スイッチ5a〜5dそれぞれの一次側スイッチング信号G−5a〜G−5dは、一次側被比較波>三角波キャリア信号となっている領域において、スイッチ5a,5dがスイッチングオン、スイッチ5b,5cがスイッチングオフとなり、一次側被比較波≦三角波キャリア信号となっている領域において、スイッチ5a,5dがスイッチングオフ、スイッチG−5b,G−5cがスイッチングオンとなるような信号になっている。
In FIG. 5, in the region where the primary side switching signals G-5a to G-5d of the
このように生成された一次側スイッチング信号は、一次側デッドタイム生成部271に入力される。そして、一次側デッドタイム生成部271により、当該一次側スイッチング信号の立ち上がり部がデッドタイム分削除されて(例えば、デッドタイム分オン信号→オフ信号に修正されて)、一次側ゲート信号G−5が生成される。
The primary side switching signal generated in this way is input to the primary side dead
ゲート生成部260により二次側ゲート信号G−12を生成する場合には、まず、矩形波生成部410により、三角波キャリア信号に同期した矩形波信号を生成する。そして、三角波キャリア信号の立ち上がり時にHigh、立ち下がり時にLowとした矩形波信号を、二次側矩形波信号として二次側乗算器422に入力する。
When the
二次側乗算器422では、矩形波生成部410で生成した二次側矩形波信号に位相差指令値を乗算し、図5に示すような二次側被比較波が得られる。この二次側被比較波は、二次側三角波比較部432に入力される。二次側三角波比較部432では、例えば図5に示すように、二次側被比較波と三角波キャリア信号との比較結果に基づいた各スイッチ12a〜12dの二次側スイッチング信号G−12a〜G−12dを生成する。
In the
図5において、スイッチ12a〜12dそれぞれの二次側スイッチング信号G−12a〜G−12dは、二次側被比較波>三角波キャリア信号となっている領域において、スイッチ12a,12dがスイッチングオン、スイッチ12b,12cがスイッチングオフとなり、二次側被比較波≦三角波キャリア信号となっている領域において、スイッチ12a,12dがスイッチングオフ、スイッチ12b,12cがスイッチングオンとなるような信号になっている。
In FIG. 5, the secondary side switching signals G-12a to G-12d of the
このように生成された二次側スイッチング信号は、二次側デッドタイム生成部272に入力される。そして、二次側デッドタイム生成部272により、当該二次側スイッチング信号の立ち上がり部がデッドタイム分削除されて(デッドタイム分オン信号→オフ信号に修正されて)、二次側ゲート信号G−12が生成される。
The secondary side switching signal generated in this way is input to the secondary side dead
以上示したように実施例1による制御回路200を制御動作させることにより、図5に示すような波形の交流電圧V1,V2および交流電流Iが発生することとなる。なお、図5の各波形は、位相差指令値(電流制御部250の出力)が正の場合のものである。
By controlling the
図5によると、交流電圧V1,V2が同極性となる期間において、交流電流Iのdi/dt(傾き)が緩やかになっていることが読み取れる。例えば、三角波キャリア信号の谷部のうち底側である期間Tにおいては、交流電圧V1,V2が同極性であり、交流電流Iのdi/dtが緩やかになっている。一方、交流電圧V1,V2が逆極性の期間においては、交流電流Iのdi/dtが急峻になっていることが読み取れる。 According to FIG. 5, it can be read that the di / dt (slope) of the AC current I becomes gentle during the period when the AC voltages V1 and V2 have the same polarity. For example, in the period T, which is the bottom side of the valley of the triangular wave carrier signal, the AC voltages V1 and V2 have the same polarity, and the di / dt of the AC current I becomes gentle. On the other hand, it can be read that the di / dt of the AC current I is steep during the period when the AC voltages V1 and V2 have opposite polarities.
このように交流電圧V1,V2によって交流電流Iのdi/dtが変化する現象は、例えば図6,図7に示すように位相差指令値の大きさが変わっても、同様の傾向で出現する。 The phenomenon that the di / dt of the AC current I changes depending on the AC voltages V1 and V2 appears in the same tendency even if the magnitude of the phase difference command value changes as shown in FIGS. 6 and 7, for example. ..
例えば、ADC部290において、交流電流Iのdi/dtが急峻なタイミングで電流検出値のサンプリングを行った場合、多少のタイミングのずれで検出値が大きく異なってしまう可能性がある。このため、ADC部290においては、交流電流Iのdi/dtが緩やかなタイミング、すなわち交流電圧V1,電圧V2が同極性の期間での電流検出のサンプリングが望ましいことが判る。
For example, in the
したがって、実施例1による制御回路200では、ADC部290における電流検出値の変換およびサンプリングのタイミングを、前記期間Tに設定(例えば期間Tの中央に位置する丸で囲ったサンプル点に設定)した場合、交流電流Iを比較的安定した領域で検出できる。そして、当該検出した電流検出値を適用して電流制御することにより、その電流制御において良好な安定性が得られることとなる。
Therefore, in the
≪実施例2の制御動作例≫
電圧検出値や電流検出値等に基づいて制御する電力変換装置は、大電力のスイッチングを行うことにより電力を変換することが多いため、当該電圧検出値や電流検出値にノイズが重畳されてしまうことがある。例えば一般の電力変換装置では検出部のローパスフィルタ(図2では電圧検出ローパスフィルタ部210や電流検出ローパスフィルタ部220に該当)の時定数を長くすることにより、ノイズ成分を除去することが考えられている。
<< Example of control operation of Example 2 >>
A power conversion device that controls based on a voltage detection value or a current detection value often converts power by switching a large amount of power, so noise is superimposed on the voltage detection value or the current detection value. Sometimes. For example, in a general power conversion device, it is conceivable to remove the noise component by lengthening the time constant of the low-pass filter of the detection unit (corresponding to the voltage detection low-
しかしながら、ローパスフィルタの時定数を長くすると、検出信号の遅延が長くなり、応答性向上が困難となる事態になってしまう。特に、電流制御は電圧制御と比較して高速の制御が要求されるため、前記のような事態が顕著となるおそれがある。 However, if the time constant of the low-pass filter is lengthened, the delay of the detection signal becomes long, and it becomes difficult to improve the responsiveness. In particular, since current control requires higher speed control than voltage control, the above situation may become remarkable.
このような事態を抑制する手法としては、実施例2の制御回路200において、図4に示すようなゲート生成部260を適用して下記のとおり制御動作させることが挙げられる。なお、実施例1の場合と同様のもの(例えば一次側ゲート信号G−5,二次側ゲート信号G−12の生成方法)については説明を省略し、主に実施例1との差異点(電流検出)について説明する。
As a method of suppressing such a situation, in the
まず、実施例2の制御回路200において、電流検出ローパスフィルタ部220の時定数を小さく設定(例えば最小限に設定)しておく。また、ADC部290は、電流検出値において、スイッチング周期に同期したサンプリングを複数回行う。そして、ADC部290の出力とD型フリップフロップ310の出力とを加算し、その加算した値を割算器320に入力して移動平均化処理する。
First, in the
これにより、比較的大きいノイズ成分であるスイッチング周波数のノイズ成分においては、移動平均化処理によって除去され、電流検出値の高周波のノイズ成分においては、電流検出ローパスフィルタ部220により除去されることとなる。そして、検出信号の遅延を抑制しながら、ノイズの影響を低減することができる。なお、ADC部290の変換時間の許す限りサンプリング回数を増やすことにより、耐ノイズ性を向上できる可能性がある。
As a result, the noise component of the switching frequency, which is a relatively large noise component, is removed by the moving averaging process, and the high frequency noise component of the current detection value is removed by the current detection low-
以上示したように実施例2による制御回路200を制御動作させることにより、図8に示すような波形の交流電圧V1,V2および交流電流Iが発生することとなる。なお、図8の各波形は、位相差指令値(電流制御部250の出力)が正の場合のものである。また、DAB回路100において−90°<位相差δ<90°の範囲で通常の制御をするものとする。
By controlling the
図8によると、三角波キャリア信号の谷部の底側で±1/8周期(谷部の底側で±位相角45°)の期間において、交流電圧V1,V2が同極性となっていることが読み取れる。この期間での複数回のサンプリングが望ましいことが判る。 According to FIG. 8, the AC voltages V1 and V2 have the same polarity during a period of ± 1/8 cycle (± phase angle 45 ° on the bottom side of the valley) of the triangular wave carrier signal. Can be read. It turns out that multiple samplings during this period are desirable.
具体例としては、図8に示すように、三角波キャリア信号の谷部の底側で±1/16周期の期間において、2箇所の丸で囲ったサンプル点での電流検出のサンプリングを行うことが挙げられる。なお、サンプル点は、特に限定されるものではなく、例えば三角波キャリア信号の谷部±1/8周期の期間内であれば、適宜設定することが可能である。例えば、三角波キャリア信号の谷部のサンプル点と、三角波キャリア信号の谷部+1/16周期の期間のサンプル点と、三角波キャリア信号の谷部−1/16周期の期間のサンプル点と、の3回での電流検出のサンプリングを行うことも可能である。 As a specific example, as shown in FIG. 8, current detection sampling can be performed at two circled sample points in a period of ± 1/16 cycle on the bottom side of the valley of the triangular wave carrier signal. Can be mentioned. The sample points are not particularly limited, and can be appropriately set as long as they are within a period of ± 1/8 cycle of the valley portion of the triangular wave carrier signal, for example. For example, three sample points of the valley of the triangular wave carrier signal, the valley of the triangular carrier signal + 1/16 period, and the valley of the triangular carrier signal-1 / 16 period. It is also possible to sample the current detection at one time.
したがって、実施例2による制御回路200によれば、実施例1と同様の作用効果を奏する他に、検出信号の遅延を抑制しながらノイズの影響を低減でき、耐ノイズ性の向上に貢献できる可能性がある。
Therefore, according to the
≪その他≫
以上示した実施例1,2による制御動作例では、三角波キャリア信号の谷部の底側(またはその近傍)で交流電流Iをサンプリングする構成であるが、三角波キャリア信号の山部の頂側(またはその近傍)で当該交流電流Iをサンプリングする構成に置き換えてもよい。
≪Others≫
In the control operation example according to Examples 1 and 2 shown above, the AC current I is sampled at the bottom side (or near) of the valley portion of the triangular wave carrier signal, but the top side of the peak portion of the triangular wave carrier signal (or its vicinity). Or in the vicinity thereof), it may be replaced with a configuration in which the alternating current I is sampled.
この場合、図2における減算器25aは、電流制限部240の出力とADC部290の出力を加算する加算器に置き換わる。同様に、図3における減算器25aは、電流制限部240の出力と割算器320の出力とを加算する加算器に置き換わる。
In this case, the
また、実施例1,2では、DAB回路100一次側(第1コンバータ部4)とトランス8一次側との間の交流電流から検出された電流検出値を適用しているが、DAB回路二次側(第2コンバータ部10)とトランス8二次側との間から検出された電流検出値を適用しても、当該実施例1,2の制御動作例で示したものと同様の作用効果を奏することとなる。
Further, in the first and second embodiments, the current detection value detected from the alternating current between the primary side of the DAB circuit 100 (first converter unit 4) and the primary side of the
また、トランス8の入力電流または出力電流を常時検出できるため、当該検出結果を適宜流用することも可能である。例えば、トランス8の入力電流または出力電流の検出値が所定値(予め設定された閾値等)を超過した場合に、DAB回路100の全てのスイッチ(スイッチ5a〜5d,12a〜12d)のゲート信号をスイッチングオフとする機能を追加(例えば図2,図3の構成とは別に追加)することが挙げられる。これにより、例えば過電流が発生した場合に、トランス8が破壊しないように保護することが可能となる。このような保護機能における交流電流Iの検出点は、特に限定されるものではない(三角波キャリア信号の谷部や山部に限定されない)。
Further, since the input current or the output current of the
以上、本発明において、記載された具体例に対してのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想の範囲で多彩な変更等が可能であることは、当業者にとって明白なことであり、このような変更等が特許請求の範囲に属することは当然のことである。 Although the above description has been made in detail only for the specific examples described in the present invention, it is clear to those skilled in the art that various changes and the like can be made within the scope of the technical idea of the present invention. It goes without saying that such changes belong to the scope of claims.
A…双方向コンバータ
100…DAB回路
200…制御回路
1,2…直流電源
4,10…第1,第2コンバータ部
5a〜5d…スイッチ(第1〜第4半導体スイッチング素子)
12a〜12d…スイッチ(第5〜第8半導体スイッチング素子)
8…トランス
A ...
12a to 12d ... Switches (5th to 8th semiconductor switching elements)
8 ... Transformer
Claims (5)
第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、を備え、
第1コンバータ部は、第1直流電源とトランスの一次側に接続され、
第1,第2半導体スイッチング素子が直列接続された第1スイッチングアームと、第3,第4半導体スイッチング素子が直列接続された第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
第2コンバータ部は、第2直流電源とトランスの二次側に接続され、
第5,第6半導体スイッチング素子が直列接続された第3スイッチングアームと、第7,第8半導体スイッチング素子が直列接続された第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
制御回路は、
第1コンバータ部とトランスの一次側との間、または第2コンバータ部とトランス二次側との間から検出された電流検出値と、
三角波キャリア信号と、
に基づいて、第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成する、
ことを特徴とする双方向絶縁型DC−DCコンバータ。 The 1st and 2nd converters coupled via a transformer,
A control circuit for controlling the output power of power transmission by the first and second converters is provided.
The first converter section is connected to the first DC power supply and the primary side of the transformer.
It has a single-phase full bridge circuit in which a first switching arm in which the first and second semiconductor switching elements are connected in series and a second switching arm in which the third and fourth semiconductor switching elements are connected in series are connected in parallel. And
The second converter section is connected to the second DC power supply and the secondary side of the transformer.
It has a single-phase full bridge circuit in which a third switching arm in which the fifth and sixth semiconductor switching elements are connected in series and a fourth switching arm in which the seventh and eighth semiconductor switching elements are connected in series are connected in parallel. And
The control circuit is
The current detection value detected between the first converter section and the primary side of the transformer, or between the second converter section and the secondary side of the transformer,
Triangle carrier signal and
Generates gate signals for each semiconductor switching element in the first and second converters based on
A bidirectionally insulated DC-DC converter.
制御回路は、前記サンプリングした電流検出値と、第2コンバータ部直流側から検出された電圧検出値と、
第2コンバータ部直流側において設定された電圧指令値と、に基づいて位相差指令値を生成し、
前記ゲート信号は、前記生成した位相差指令値と、三角波キャリア信号と、に基づいて生成されたものである、
ことを特徴とする請求項1記載の双方向絶縁型DC−DCコンバータ。 The current detection value is sampled at the timing of either the bottom side of the valley or the top side of the peak in the triangular wave carrier signal.
The control circuit includes the sampled current detection value, the voltage detection value detected from the DC side of the second converter unit, and the voltage detection value.
A phase difference command value is generated based on the voltage command value set on the DC side of the second converter section.
The gate signal is generated based on the generated phase difference command value and the triangular wave carrier signal.
The bidirectionally insulated DC-DC converter according to claim 1.
制御回路は、前記サンプリングした複数サンプリング点での電流検出値を移動平均処理化して得た値と、第2コンバータ部直流側から検出された電圧検出値と、第2コンバータ部直流側において設定された電圧指令値と、に基づいて位相差指令値を生成し、
前記ゲート信号は、前記生成した位相差指令値と、三角波キャリア信号と、に基づいて生成されたものである、
ことを特徴とする請求項1記載の双方向絶縁型DC−DCコンバータ。 The current detection value is sampled at a plurality of sampling points within a period of ± 1/8 cycle in either the valley portion or the peak portion of the triangular wave carrier signal.
The control circuit is set on the second converter section DC side, the value obtained by moving average processing the current detection values at the multiple sampling points sampled, the voltage detection value detected from the second converter section DC side, and the second converter section DC side. Generates a phase difference command value based on the voltage command value
The gate signal is generated based on the generated phase difference command value and the triangular wave carrier signal.
The bidirectionally insulated DC-DC converter according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の双方向絶縁型DC−DCコンバータ。 The control circuit switches off the semiconductor switching element when the current detection value exceeds a predetermined threshold value set in the current detection value.
The bidirectionally insulated DC-DC converter according to any one of claims 1 to 3.
第1,第2コンバータ部による電力伝送の出力電力を制御する制御回路と、
を備えた双方向絶縁型DC−DCコンバータの制御方法であって、
第1コンバータ部は、第1直流電源とトランスの一次側に接続され、
第1,第2半導体スイッチング素子が直列接続された第1スイッチングアームと、第3,第4半導体スイッチング素子が直列接続された第2スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
第2コンバータ部は、第2直流電源とトランスの二次側に接続され、
第5,第6半導体スイッチング素子が直列接続された第3スイッチングアームと、第7,第8半導体スイッチング素子が直列接続された第4スイッチングアームと、が並列接続された単相フルブリッジ回路を有し、
制御回路により、
第1コンバータ部とトランスの一次側との間、または第2コンバータ部とトランス二次側との間から交流電流を検出し、
前記検出した交流電流値および交流電圧値と、三角波キャリア信号と、に基づいて、第1,第2コンバータ部の各半導体スイッチング素子のゲート信号をそれぞれ生成する、
ことを特徴とする双方向絶縁型DC−DCコンバータの制御方法。 The 1st and 2nd converters coupled via a transformer,
A control circuit that controls the output power of power transmission by the first and second converters,
It is a control method of a bidirectional isolated DC-DC converter equipped with
The first converter section is connected to the first DC power supply and the primary side of the transformer.
It has a single-phase full bridge circuit in which a first switching arm in which the first and second semiconductor switching elements are connected in series and a second switching arm in which the third and fourth semiconductor switching elements are connected in series are connected in parallel. And
The second converter section is connected to the second DC power supply and the secondary side of the transformer.
It has a single-phase full bridge circuit in which a third switching arm in which the fifth and sixth semiconductor switching elements are connected in series and a fourth switching arm in which the seventh and eighth semiconductor switching elements are connected in series are connected in parallel. And
By the control circuit
Detects alternating current between the first converter section and the primary side of the transformer, or between the second converter section and the secondary side of the transformer.
Based on the detected AC current value and AC voltage value and the triangular wave carrier signal, the gate signal of each semiconductor switching element of the first and second converter units is generated.
A method for controlling a bidirectionally insulated DC-DC converter.
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