JP2020136466A - Coil component and manufacturing method thereof - Google Patents

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延也 ▲高▼橋
延也 ▲高▼橋
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藤井 直明
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直明 藤井
拓也 竹内
Takuya Takeuchi
拓也 竹内
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Abstract

To prevent deterioration in reliability of a coil component using a permanent resist, caused by a presence of a gap in the coil component.SOLUTION: A coil component 1 comprises: a spirally wound coil pattern CP1 formed on an insulating layer D1; an inner-layer insulation pattern R1 formed on the insulating layer D1 and arranged along the coil pattern CP1; and an insulating layer D2 covering the coil pattern CP1 and the inner-layer insulation pattern R1, and having a physical property different from that of the inner-layer insulation pattern R1. A part of the insulating layer D2 is positioned between the coil pattern CP1 and the inner-layer insulation pattern R1. Thus, the insulating layer D2 having the physical property different from that of the inner-layer insulation pattern R1 is mediated between the inner-layer insulation pattern R1 formed of a permanent resist and the coil pattern CP1, the generation of a gap can be therefore suppressed even when adhesion between the inner-layer insulation pattern R1 and the coil pattern CP1 is low.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、いわゆる永久レジストを用いたコイル部品及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a coil component and a method for manufacturing the same, and more particularly to a coil component using a so-called permanent resist and a method for manufacturing the same.

スパイラル状のコイルパターンを有するコイル部品は、通常、スパイラル状に開口されたレジストを基板上に形成し、レジストによって区画された領域内に電解メッキによってコイルパターンを形成した後、レジストを剥離する方法によって作製することが一般的である。しかしながら、この方法でコイル部品を作製すると、電解メッキを行う際の給電膜となるシード層をエッチングにより除去する際、コイルパターンも僅かにエッチングされることから、コイルパターンの断面積が減少するという問題があった。また、レジストを剥離する際にも、前処理としてコイルパターンのエッチングが必要であり、この工程においてもコイルパターンの断面積が減少してしまう。 A coil component having a spiral coil pattern is usually a method in which a resist opened in a spiral shape is formed on a substrate, a coil pattern is formed by electroplating in a region partitioned by the resist, and then the resist is peeled off. It is generally made by. However, when the coil parts are manufactured by this method, the coil pattern is also slightly etched when the seed layer, which is the feeding film for electrolytic plating, is removed by etching, so that the cross-sectional area of the coil pattern is reduced. There was a problem. Further, when the resist is peeled off, the coil pattern needs to be etched as a pretreatment, and the cross section of the coil pattern is reduced in this step as well.

これに対し、特許文献1に記載されているように、いわゆる永久レジストを用いてスパイラル状のコイルパターンを形成すれば、シード層の除去や、レジストの剥離に伴う前処理が不要であることから、コイルパターンの断面積の減少を防止することが可能となる。 On the other hand, as described in Patent Document 1, if a spiral coil pattern is formed by using a so-called permanent resist, it is not necessary to remove the seed layer or perform pretreatment for peeling the resist. , It is possible to prevent a decrease in the cross-sectional area of the coil pattern.

特開2017−199798号公報JP-A-2017-199798

しかしながら、永久レジストは金属からなるコイルパターンとの密着性が低いことが多く、これに起因して、永久レジストとコイルパターンの間に隙間が生じるケースがあった。このような隙間は、コイル部品の信頼性に影響を与える可能性があるため、できる限り排除することが望ましい。 However, the permanent resist often has low adhesion to the coil pattern made of metal, and as a result, there is a case where a gap is formed between the permanent resist and the coil pattern. Since such a gap may affect the reliability of the coil component, it is desirable to eliminate it as much as possible.

したがって、本発明は、永久レジストを用いたコイル部品において、隙間の存在に起因する信頼性の低下を防止することを目的とする。また、本発明は、このようなコイル部品の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to prevent a decrease in reliability due to the presence of gaps in a coil component using a permanent resist. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a coil component.

本発明によるコイル部品は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、第1の絶縁層上に形成され、コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、コイルパターン及び層内絶縁パターンを覆い、層内絶縁パターンとは物性の異なる第2の絶縁層とを備え、第2の絶縁層の一部は、コイルパターンと層内絶縁パターンの間に位置することを特徴とする。 The coil component according to the present invention is formed on the first insulating layer, the first insulating layer, the spirally wound coil pattern, and the first insulating layer, and is formed along the coil pattern. A second insulating layer that covers the arranged in-layer insulation pattern and the coil pattern and the in-layer insulation pattern and has different physical properties from the in-layer insulation pattern is provided, and a part of the second insulation layer is the coil pattern. It is characterized by being located between the intra-layer insulation patterns.

本発明によれば、永久レジストからなる層内絶縁パターンとコイルパターンの間に、層内絶縁パターンとは物性の異なる第2の絶縁層が介在していることから、層内絶縁パターンとコイルパターンの密着性が低い場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。 According to the present invention, since a second insulating layer having different physical properties from the intralayer insulation pattern is interposed between the intralayer insulation pattern and the coil pattern made of permanent resist, the intralayer insulation pattern and the coil pattern Even when the adhesion is low, it is possible to suppress the occurrence of gaps.

本発明において、コイルパターンの側面は、下部領域が層内絶縁パターンと接し、上部領域が第2の絶縁層と接していても構わない。これによれば、上部領域における隙間の発生を抑制することが可能となる。この場合、上部領域は、下部領域と比べて粗面であっても構わない。これによれば、上部領域と第2の絶縁層の密着性をより高めることが可能となる。 In the present invention, the side surface of the coil pattern may have a lower region in contact with the in-layer insulation pattern and an upper region in contact with the second insulation layer. According to this, it is possible to suppress the occurrence of a gap in the upper region. In this case, the upper region may be rougher than the lower region. According to this, it is possible to further improve the adhesion between the upper region and the second insulating layer.

本発明において、コイルパターンよりも層内絶縁パターンの方が第1の絶縁層を基準とした高さが低くても構わない。これによれば、第2の絶縁層上に別のコイルパターンを形成しやすくなる。 In the present invention, the height of the in-layer insulation pattern with respect to the first insulation layer may be lower than that of the coil pattern. According to this, another coil pattern is easily formed on the second insulating layer.

本発明において、層内絶縁パターンよりも第2の絶縁層の方がコイルパターンの熱膨張係数に近くても構わない。これによれば、熱膨張係数の差に起因する隙間の発生を抑制することが可能となる。この場合、第2の絶縁層は、コイルパターンと層内絶縁パターンの間隔よりも平均粒径の小さいフィラーが含まれていても構わない。これによれば、層内絶縁パターンとコイルパターンの間にフィラーを充填することが可能となる。 In the present invention, the second insulating layer may be closer to the coefficient of thermal expansion of the coil pattern than the intralayer insulation pattern. According to this, it is possible to suppress the generation of gaps due to the difference in the coefficient of thermal expansion. In this case, the second insulating layer may contain a filler having an average particle size smaller than the distance between the coil pattern and the intra-layer insulating pattern. According to this, it becomes possible to fill the filler between the insulation pattern in the layer and the coil pattern.

本発明によるコイル部品の製造方法は、第1の絶縁層上にスパイラル状のシードパターンを形成する第1の工程と、第1の絶縁層上にシードパターンに沿った層内絶縁パターンを形成する第2の工程と、電解メッキによってシードパターンを成長させることにより、層内絶縁パターンによって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンを形成する第3の工程と、層内絶縁パターンの一部を除去することにより、コイルパターンと層内絶縁パターンの間に隙間を形成する第4の工程と、層内絶縁パターンとは物性の異なる第2の絶縁層によってコイルパターン及び層内絶縁パターンを覆うことにより、隙間を埋める第5の工程とを備えることを特徴とする。 In the method for manufacturing a coil component according to the present invention, a first step of forming a spiral seed pattern on a first insulating layer and an in-layer insulating pattern along the seed pattern are formed on the first insulating layer. The second step, the third step of forming a spiral coil pattern in the region partitioned by the intralayer insulation pattern by growing the seed pattern by electrolytic plating, and the removal of a part of the intralayer insulation pattern. By doing so, the coil pattern and the in-layer insulation pattern are covered with the fourth step of forming a gap between the coil pattern and the in-layer insulation pattern and the second insulation layer having different physical properties from the in-layer insulation pattern. It is characterized by including a fifth step of filling the gap.

本発明によれば、永久レジストからなる層内絶縁パターンの一部を除去していることから、コイルパターンと層内絶縁パターンの間に隙間を形成することができる。これにより、この隙間に層内絶縁パターンとは物性の異なる第2の絶縁層が充填されることから、層内絶縁パターンとコイルパターンの密着性が低い場合であっても、隙間の発生を抑制することが可能となる。 According to the present invention, since a part of the in-layer insulation pattern made of the permanent resist is removed, a gap can be formed between the coil pattern and the in-layer insulation pattern. As a result, the gap is filled with a second insulating layer having different physical properties from the intralayer insulation pattern, so that the generation of the gap is suppressed even when the adhesion between the intralayer insulation pattern and the coil pattern is low. It becomes possible to do.

本発明において、第4の工程は、プラズマ加工、ブラスト加工又はレーザー加工によって行っても構わない。これによれば、層内絶縁パターンの高さを減少させることができるとともに、層内絶縁パターンの上部の幅を細くすることが可能となる。 In the present invention, the fourth step may be performed by plasma processing, blast processing or laser processing. According to this, the height of the in-layer insulation pattern can be reduced, and the width of the upper part of the in-layer insulation pattern can be reduced.

本発明において、第3の工程を行った後、第4の工程を行う前の段階では、コイルパターンよりも層内絶縁パターンの方が第1の絶縁層を基準とした高さが高く、第4の工程を行った後の段階では、コイルパターンよりも層内絶縁パターンの方が第1の絶縁層を基準とした高さが低くても構わない。これによれば、第2の絶縁層上に別のコイルパターンを形成しやすくなる。 In the present invention, in the stage after the third step and before the fourth step, the height of the in-layer insulation pattern is higher than that of the coil pattern with respect to the first insulation layer. At the stage after the step 4 is performed, the height of the in-layer insulation pattern with respect to the first insulation layer may be lower than that of the coil pattern. According to this, another coil pattern is easily formed on the second insulating layer.

本発明において、第2の絶縁層にはフィラーが含まれており、第5の工程においては、フィラーを隙間に入れても構わない。これによれば、隙間に充填された第2の絶縁層の熱膨張係数をコイルパターンの熱膨張係数に近づけることが可能となる。 In the present invention, the second insulating layer contains a filler, and in the fifth step, the filler may be put in the gap. According to this, it is possible to make the coefficient of thermal expansion of the second insulating layer filled in the gap close to the coefficient of thermal expansion of the coil pattern.

本発明によるコイル部品の製造方法は、第4の工程を行った後、第5の工程を行う前に、コイルパターンの露出面を粗面化する工程をさらに備えるものであっても構わない。これによれば、コイルパターンと第2の絶縁層の密着性をより高めることが可能となる。 The method for manufacturing a coil component according to the present invention may further include a step of roughening the exposed surface of the coil pattern after performing the fourth step and before performing the fifth step. According to this, it is possible to further improve the adhesion between the coil pattern and the second insulating layer.

このように、本発明によれば、信頼性の高いコイル部品及びその製造方法を提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a highly reliable coil component and a method for manufacturing the same.

図1は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品1の構造を説明するための模式的な断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the coil component 1 according to the preferred embodiment of the present invention. 図2は、コイル構造体Cの一部を拡大した略断面図である。FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view of a part of the coil structure C. 図3は、変形例によるコイル構造体Cの一部を拡大した略断面図である。FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of a part of the coil structure C according to the modified example. 図4は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図5は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図6は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 6 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図7は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 7 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図8は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 8 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図9は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 9 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図10は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 10 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図11は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 11 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図12は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 12 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図13は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 13 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図14は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 14 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図15は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 15 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図16は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 16 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図17は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 17 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図18は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 18 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図19は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 19 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図20は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 20 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図21は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 21 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図22は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 22 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図23は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 23 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1. 図24は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 24 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1. 図25は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 25 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品1の構造を説明するための模式的な断面図である。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining the structure of the coil component 1 according to the preferred embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態によるコイル部品1は、第1の絶縁層D1を介して積層された磁性樹脂層M1,M2と、磁性樹脂層M1に埋め込まれたコイル構造体C及びバンプ導体B1,B2と、第4の絶縁層D4を介して磁性樹脂層M1の表面に設けられ、それぞれバンプ導体B1,B2に接続された端子電極E1,E2を有している。絶縁層D1,D4は、非磁性の樹脂材料からなる絶縁体である。これに対し、磁性樹脂層M1,M2は、樹脂にフェライトなどの磁性粉を混入した複合材料であり、コイル部品1に電流を流した場合に発生する磁束の磁路として機能する。 As shown in FIG. 1, the coil component 1 according to the present embodiment includes magnetic resin layers M1 and M2 laminated via a first insulating layer D1, a coil structure C embedded in the magnetic resin layer M1, and bumps. It has terminal electrodes E1 and E2 provided on the surface of the magnetic resin layer M1 via conductors B1 and B2 and a fourth insulating layer D4 and connected to bump conductors B1 and B2, respectively. The insulating layers D1 and D4 are insulators made of a non-magnetic resin material. On the other hand, the magnetic resin layers M1 and M2 are composite materials in which magnetic powder such as ferrite is mixed in the resin, and function as a magnetic path of magnetic flux generated when a current is passed through the coil component 1.

コイル構造体Cは、下層に位置する第1のコイルパターンCP1と、上層に位置する第2のコイルパターンCP2を含む。コイルパターンCP1,CP2は、いずれも例えば銅(Cu)などの良導体からなる。コイルパターンCP1,CP2は、いずれも平面視でスパイラル状に巻回されている。コイルパターンCP1の外周端は、接続パターンCP3及びバンプ導体B1を介して端子電極E1に接続され、コイルパターンCP2の外周端は、バンプ導体B2を介して端子電極E2に接続されている。そして、コイルパターンCP1の内周端とコイルパターンCP2の内周端は互いに接続されており、これにより一筆書き可能な単一のコイル素子を構成する。 The coil structure C includes a first coil pattern CP1 located in the lower layer and a second coil pattern CP2 located in the upper layer. Both the coil patterns CP1 and CP2 are made of a good conductor such as copper (Cu). The coil patterns CP1 and CP2 are both wound in a spiral shape in a plan view. The outer peripheral end of the coil pattern CP1 is connected to the terminal electrode E1 via the connection pattern CP3 and the bump conductor B1, and the outer peripheral end of the coil pattern CP2 is connected to the terminal electrode E2 via the bump conductor B2. Then, the inner peripheral end of the coil pattern CP1 and the inner peripheral end of the coil pattern CP2 are connected to each other, thereby forming a single coil element capable of writing with one stroke.

コイルパターンCP1は、シードパターンS1とメッキパターンP1からなる。同様に、コイルパターンCP2は、シードパターンS2とメッキパターンP2からなる。コイルパターンCP1の巻回方向に対して垂直な断面において、コイルパターンCP1の各ターンの両側には、永久レジストからなる層内絶縁パターンR1が存在する。つまり、層内絶縁パターンR1は、コイルパターンCP1の両側面に沿って設けられている。そして、コイルパターンCP1と層内絶縁パターンR1を覆うように、第2の絶縁層D2が設けられており、これによってコイルパターンCP1とコイルパターンCP2が分離されている。同様に、コイルパターンCP2の巻回方向に対して垂直な断面において、コイルパターンCP2の各ターンの両側には、永久レジストからなる層内絶縁パターンR2が存在する。つまり、層内絶縁パターンR2は、コイルパターンCP2の両側面に沿って設けられている。そして、コイルパターンCP2と層内絶縁パターンR2を覆うように、第3の絶縁層D3が設けられており、これによってコイルパターンCP2と磁性樹脂層M1が分離されている。 The coil pattern CP1 includes a seed pattern S1 and a plating pattern P1. Similarly, the coil pattern CP2 includes a seed pattern S2 and a plating pattern P2. In the cross section perpendicular to the winding direction of the coil pattern CP1, in-layer insulation patterns R1 made of permanent resist are present on both sides of each turn of the coil pattern CP1. That is, the in-layer insulation pattern R1 is provided along both side surfaces of the coil pattern CP1. A second insulating layer D2 is provided so as to cover the coil pattern CP1 and the in-layer insulation pattern R1, thereby separating the coil pattern CP1 and the coil pattern CP2. Similarly, in a cross section perpendicular to the winding direction of the coil pattern CP2, an in-layer insulation pattern R2 made of a permanent resist exists on both sides of each turn of the coil pattern CP2. That is, the in-layer insulation pattern R2 is provided along both side surfaces of the coil pattern CP2. A third insulating layer D3 is provided so as to cover the coil pattern CP2 and the in-layer insulation pattern R2, whereby the coil pattern CP2 and the magnetic resin layer M1 are separated from each other.

層内絶縁パターンR1,R2は、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂など、フィラーを含まない樹脂材料からなる。これに対し、絶縁層D2,D3は、フィラーを含むエポキシなどの樹脂材料からなり、両者は物性が異なる。フィラーはシリカなど熱膨張係数の小さい材料からなり、絶縁層D2,D3にこのようなフィラーを混入させることにより、熱膨張係数を下げ、コイルパターンCP1,CP2の熱膨張係数に近づけている。絶縁層D1,D4については、フィラーを含んでいても構わないし、フィラーを含んでいなくても構わない。このように、層内絶縁パターンR1,R2はフィラーを含まない樹脂材料からなるため、銅(Cu)などからなるコイルパターンCP1,CP2との熱膨張係数の差が大きい。これに対し、絶縁層D2,D3は、フィラーを含む樹脂材料からなるため、銅(Cu)などからなるコイルパターンCP1,CP2との熱膨張係数の差が小さい。 The in-layer insulation patterns R1 and R2 are made of a filler-free resin material such as an epoxy resin or a phenol resin. On the other hand, the insulating layers D2 and D3 are made of a resin material such as epoxy containing a filler, and both have different physical properties. The filler is made of a material having a small coefficient of thermal expansion such as silica, and by mixing such a filler in the insulating layers D2 and D3, the coefficient of thermal expansion is lowered and brought close to the coefficient of thermal expansion of the coil patterns CP1 and CP2. The insulating layers D1 and D4 may or may not contain a filler. As described above, since the in-layer insulation patterns R1 and R2 are made of a resin material containing no filler, the difference in thermal expansion coefficient from the coil patterns CP1 and CP2 made of copper (Cu) or the like is large. On the other hand, since the insulating layers D2 and D3 are made of a resin material containing a filler, the difference in thermal expansion coefficient from the coil patterns CP1 and CP2 made of copper (Cu) or the like is small.

図2は、コイル構造体Cの一部を拡大した略断面図であり、コイルパターンCP1,CP2の巻回方向に対して垂直な断面を示している。 FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view of a part of the coil structure C, and shows a cross section perpendicular to the winding direction of the coil patterns CP1 and CP2.

図2に示すように、層内絶縁パターンR1,R2は、下端部の幅W1よりも上端部の幅W2の方が細い断面形状を有している。つまり、W1>W2である。また、幅の太い層内絶縁パターンR1,R2の下部は、隣接するコイルパターンCP1,CP2と接触している一方、幅の細い層内絶縁パターンR1,R2の上部は、隣接するコイルパターンCP1,CP2と接触しておらず、両者間には隙間が存在している。コイルパターンCP1と層内絶縁パターンR1によって形成される隙間には、第2の絶縁層D2が充填され、コイルパターンCP2と層内絶縁パターンR2によって形成される隙間には、第3の絶縁層D3が充填されている。この隙間は、絶縁層D2,D3に含まれるフィラーよりも大きいことが好ましい。これによれば、隙間にフィラーが入り込むことから、この部分における熱膨張係数が低減される。したがって、絶縁層D2,D3に混入するフィラーとしては、平均粒径が上記の隙間よりも小さいフィラーを選択することが好ましい。 As shown in FIG. 2, the in-layer insulation patterns R1 and R2 have a cross-sectional shape in which the width W2 at the upper end is narrower than the width W1 at the lower end. That is, W1> W2. Further, the lower portion of the wide in-layer insulation patterns R1 and R2 is in contact with the adjacent coil patterns CP1 and CP2, while the upper portion of the narrow in-layer insulation patterns R1 and R2 is in contact with the adjacent coil patterns CP1 and CP1. It is not in contact with CP2, and there is a gap between them. The gap formed by the coil pattern CP1 and the in-layer insulation pattern R1 is filled with the second insulating layer D2, and the gap formed by the coil pattern CP2 and the in-layer insulation pattern R2 is filled with the third insulating layer D3. Is filled. This gap is preferably larger than the filler contained in the insulating layers D2 and D3. According to this, since the filler enters the gap, the coefficient of thermal expansion in this portion is reduced. Therefore, as the filler mixed in the insulating layers D2 and D3, it is preferable to select a filler having an average particle size smaller than the above gap.

また、コイルパターンCP1,CP2の側面のうち、層内絶縁パターンR1,R2と接触する下部領域の長さA1よりも、層内絶縁パターンR1,R2と接触することなく第2又は第3の絶縁層D2,D3と接触する上部領域の長さA2の方が大きい。つまり、A1<A2である。さらに、第1の絶縁層D1を基準としたコイルパターンCP1の高さH1は、層内絶縁パターンR1の高さH2よりも高い。つまり、H1>H2である。第2の絶縁層D2を基準としたコイルパターンCP2の高さについても、層内絶縁パターンR2の高さよりも高い。また、コイルパターンCP1,CP2の表面のうち、絶縁層D2,D3と接する上部領域は、層内絶縁パターンR1,R2と接する下部領域と比べて粗面であっても構わない。 Further, of the side surfaces of the coil patterns CP1 and CP2, the second or third insulation without contacting the in-layer insulation patterns R1 and R2 rather than the length A1 of the lower region in contact with the in-layer insulation patterns R1 and R2. The length A2 of the upper region in contact with the layers D2 and D3 is larger. That is, A1 <A2. Further, the height H1 of the coil pattern CP1 with reference to the first insulating layer D1 is higher than the height H2 of the in-layer insulation pattern R1. That is, H1> H2. The height of the coil pattern CP2 with respect to the second insulating layer D2 is also higher than the height of the in-layer insulation pattern R2. Further, on the surface of the coil patterns CP1 and CP2, the upper region in contact with the insulating layers D2 and D3 may be a rough surface as compared with the lower region in contact with the in-layer insulating patterns R1 and R2.

このような構成により、永久レジストを用いた一般的なコイル部品のように、層内絶縁パターンR1,R2が垂直である場合と比べ、コイルパターンCP1,CP2と層内絶縁パターンR1,R2の接触面積が減少し、その分、絶縁層D2,D3との接触面積が増加する。その結果、コイルパターンCP1,CP2と層内絶縁パターンR1,R2の密着性が低い場合であっても、これに起因する隙間の発生を抑制することができる。一方、絶縁層D2,D3にはフィラーが含まれており、コイルパターンCP1,CP2との熱膨張係数の差が小さいことから、コイルパターンCP1,CP2と絶縁層D2,D3の密着性は十分に確保される。特に、コイルパターンCP1,CP2の上部領域が粗面化されている場合、絶縁層D2,D3との密着性はより高められる。また、コイルパターンCP1,CP2の高さよりも層内絶縁パターンR1,R2の高さが低いことから、絶縁層D2,D3の平坦性も高められる。 With such a configuration, the contact between the coil patterns CP1 and CP2 and the in-layer insulation patterns R1 and R2 is compared with the case where the in-layer insulation patterns R1 and R2 are vertical as in a general coil component using a permanent resist. The area is reduced, and the contact area with the insulating layers D2 and D3 is increased accordingly. As a result, even when the adhesion between the coil patterns CP1 and CP2 and the in-layer insulation patterns R1 and R2 is low, it is possible to suppress the generation of gaps due to this. On the other hand, since the insulating layers D2 and D3 contain a filler and the difference in the coefficient of thermal expansion between the coil patterns CP1 and CP2 is small, the adhesion between the coil patterns CP1 and CP2 and the insulating layers D2 and D3 is sufficient. It will be secured. In particular, when the upper regions of the coil patterns CP1 and CP2 are roughened, the adhesion to the insulating layers D2 and D3 is further enhanced. Further, since the height of the in-layer insulation patterns R1 and R2 is lower than the height of the coil patterns CP1 and CP2, the flatness of the insulation layers D2 and D3 is also improved.

層内絶縁パターンR1,R2をこのような形状に加工する方法としては、プラズマ加工によって層内絶縁パターンR1,R2をアッシングする方法が挙げられる。プラズマ加工によってアッシングすれば、プラズマに晒される上部領域から層内絶縁パターンR1,R2が削られることから、図2に示す形状を得ることが可能となる。一例として、マイクロ波プラズマ装置を用い、パワーを900W、基板ステージ温度を150℃、チャンバー内の圧力を2torrに設定し、0ガスを2000sccm、CFガスを75sccm、Nガスを125sccmでチャンバー内に導入することにより、層内絶縁パターンR1,R2をアッシングすることができる。 Examples of the method of processing the in-layer insulation patterns R1 and R2 into such a shape include a method of ashing the in-layer insulation patterns R1 and R2 by plasma processing. If ashing is performed by plasma processing, the in-layer insulation patterns R1 and R2 are scraped from the upper region exposed to plasma, so that the shape shown in FIG. 2 can be obtained. As an example, using a microwave plasma device, the power is set to 900 W, the substrate stage temperature is set to 150 ° C, the pressure in the chamber is set to 2 torr, the chamber is set to 02 gas at 2000 sccm, CF 4 gas at 75 sccm, and N 2 gas at 125 sccm. By introducing it inside, the in-layer insulation patterns R1 and R2 can be ashed.

プラズマ加工後における層内絶縁パターンR1,R2の形状は、プラズマ加工を行う時間によって調整することができ、層内絶縁パターンR1,R2の高さがコイルパターンCP1,CP2よりも低くなるまでプラズマ加工を行うことが好ましい。上記の条件においては、約10分程度行うことが好ましい。但し、プラズマ加工を長時間行うと、層内絶縁パターンR1,R2の下部領域まで削られ、図3に示すように、絶縁層D1,D2が露出する。この場合、コイルパターンCP1,CP2と層内絶縁パターンR1,R2はほぼ接触しない状態となるため、隙間の発生はほとんど生じなくなる。但し、絶縁層D1,D2が露出した状態でプラズマ加工を継続すると、絶縁層D1,D2にダメージが加わるため、図2に示すように、絶縁層D1,D2が露出しない範囲でプラズマ加工を行うことが好ましい。 The shape of the in-layer insulation patterns R1 and R2 after plasma processing can be adjusted by the time during which the plasma processing is performed, and plasma processing is performed until the height of the in-layer insulation patterns R1 and R2 is lower than the coil patterns CP1 and CP2. Is preferable. Under the above conditions, it is preferable to carry out for about 10 minutes. However, when plasma processing is performed for a long time, the lower regions of the in-layer insulation patterns R1 and R2 are scraped, and the insulation layers D1 and D2 are exposed as shown in FIG. In this case, since the coil patterns CP1 and CP2 and the in-layer insulation patterns R1 and R2 are in a state of almost no contact with each other, the generation of a gap is hardly generated. However, if plasma processing is continued with the insulating layers D1 and D2 exposed, the insulating layers D1 and D2 will be damaged. Therefore, as shown in FIG. 2, plasma processing is performed within a range in which the insulating layers D1 and D2 are not exposed. Is preferable.

但し、本発明において、層内絶縁パターンR1,R2をプラズマ加工することは必須でなく、他の方法、例えばブラスト加工やレーザー加工によって層内絶縁パターンR1,R2を図2又は図3に示す形状に加工しても構わない。 However, in the present invention, it is not essential to plasma-process the in-layer insulation patterns R1 and R2, and the in-layer insulation patterns R1 and R2 are formed into the shapes shown in FIGS. 2 or 3 by other methods such as blasting or laser processing. It may be processed into.

次に、本実施形態によるコイル部品1の製造方法について説明する。 Next, a method of manufacturing the coil component 1 according to the present embodiment will be described.

図4〜図25は、本実施形態によるコイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。 4 to 25 are process diagrams for explaining the manufacturing method of the coil component 1 according to the present embodiment.

まず、基板11の表面に銅(Cu)などの金属箔12が設けられた支持体10を用意し(図4)、金属箔12の表面に絶縁層D1及びシード層13を形成する(図5)。絶縁層D1及びシード層13の形成は、ラミネート法によって行うことができる。次に、シード層13をパターニングすることによって、スパイラル状のシードパターンS1を形成する(図6)。この時、コイルパターンCP1の内径領域となる部分、並びに、コイルパターンCP1の外側領域となる部分にも、シードパターンS1aを残存させる。次に、絶縁層D1の表面に、シードパターンS1に沿った層内絶縁パターンR1を形成する(図7)。層内絶縁パターンR1は感光性永久レジストからなるコイルパターンCP1のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターンR1によって区画された領域もスパイラル状である。 First, a support 10 provided with a metal foil 12 such as copper (Cu) is prepared on the surface of the substrate 11 (FIG. 4), and an insulating layer D1 and a seed layer 13 are formed on the surface of the metal foil 12 (FIG. 5). ). The insulating layer D1 and the seed layer 13 can be formed by a laminating method. Next, the seed layer 13 is patterned to form a spiral seed pattern S1 (FIG. 6). At this time, the seed pattern S1a is left in the portion that becomes the inner diameter region of the coil pattern CP1 and the portion that becomes the outer region of the coil pattern CP1. Next, an in-layer insulation pattern R1 along the seed pattern S1 is formed on the surface of the insulation layer D1 (FIG. 7). The intra-layer insulation pattern R1 is a negative pattern of the coil pattern CP1 made of a photosensitive permanent resist, and therefore the region partitioned by the intra-layer insulation pattern R1 is also spiral.

次に、電解メッキによってシードパターンS1を成長させることにより、メッキパターンP1を形成する(図8)。これにより、層内絶縁パターンR1によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンCP1が形成される。この時、コイルパターンCP1の内径領域、並びに、コイルパターンCP1の外側領域にも、犠牲パターンVP1が形成される。この段階では、絶縁層D1を基準とした高さは、コイルパターンCP1よりも層内絶縁パターンR1の方が高い。次に、プラズマ加工を所定時間行うことによって、層内絶縁パターンR1をアッシングする(図9)。これにより、層内絶縁パターンR1の形状は、図2又は図3に示す形状となる。つまり、コイルパターンCP1の側面のうち少なくとも上部領域が露出し、コイルパターンCP1と層内絶縁パターンR1の間に隙間が形成される。また、絶縁層D1を基準とした高さは、コイルパターンCP1よりも層内絶縁パターンR1の方が低くなる。この状態で、ギ酸などを用いたウェットエッチング又はプラズマ処理等によるドライエッチングによってコイルパターンCP1の露出面を粗面化する。 Next, the plating pattern P1 is formed by growing the seed pattern S1 by electrolytic plating (FIG. 8). As a result, the spiral coil pattern CP1 is formed in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern R1. At this time, the sacrificial pattern VP1 is also formed in the inner diameter region of the coil pattern CP1 and the outer region of the coil pattern CP1. At this stage, the height with respect to the insulating layer D1 is higher in the in-layer insulation pattern R1 than in the coil pattern CP1. Next, the in-layer insulation pattern R1 is ashed by performing plasma processing for a predetermined time (FIG. 9). As a result, the shape of the in-layer insulation pattern R1 becomes the shape shown in FIG. 2 or FIG. That is, at least the upper region of the side surface of the coil pattern CP1 is exposed, and a gap is formed between the coil pattern CP1 and the in-layer insulation pattern R1. Further, the height with respect to the insulating layer D1 is lower in the in-layer insulation pattern R1 than in the coil pattern CP1. In this state, the exposed surface of the coil pattern CP1 is roughened by wet etching using formic acid or the like or dry etching by plasma treatment or the like.

次に、絶縁層D2によってコイルパターンCP1、犠牲パターンVP1及び層内絶縁パターンR1を覆い、さらに、絶縁層D2の表面にシード層14を形成する(図10)。これにより、コイルパターンCP1の上面が絶縁層D2によって覆われるだけでなく、コイルパターンCP1と層内絶縁パターンR1の間の隙間にも絶縁層D2が入り込む。この時、絶縁層D2に含まれるフィラーがコイルパターンCP1と層内絶縁パターンR1の間の隙間に入り込むよう、隙間よりも平均粒径の小さいフィラーを用いることが好ましい。また、絶縁層D2と接するコイルパターンCP1の表面は粗面化されているため、コイルパターンCP1と絶縁層D2は、高い密着性が得られる。シード層14の形成は、ラミネート法によって行うことができる。 Next, the coil pattern CP1, the sacrificial pattern VP1 and the in-layer insulation pattern R1 are covered with the insulation layer D2, and a seed layer 14 is further formed on the surface of the insulation layer D2 (FIG. 10). As a result, not only the upper surface of the coil pattern CP1 is covered with the insulating layer D2, but also the insulating layer D2 enters the gap between the coil pattern CP1 and the intra-layer insulating pattern R1. At this time, it is preferable to use a filler having an average particle size smaller than that of the gap so that the filler contained in the insulating layer D2 enters the gap between the coil pattern CP1 and the intra-layer insulating pattern R1. Further, since the surface of the coil pattern CP1 in contact with the insulating layer D2 is roughened, high adhesion can be obtained between the coil pattern CP1 and the insulating layer D2. The seed layer 14 can be formed by a laminating method.

次に、シード層14をパターニングすることによって、絶縁層D2の一部を露出させる開口部14a〜14cを形成する(図11)。このうち、開口部14aはコイルパターンCP1の外周端と重なる位置に形成され、開口部14aはコイルパターンCP1の内周端と重なる位置に形成される。開口部14cは、犠牲パターンVP1と重なる位置に形成される。次に、パターニングされたシード層14をマスクとして絶縁層D2をエッチングすることにより、絶縁層D2に開口部D2a〜D2cを形成する(図12)。このうち、開口部D2aはコイルパターンCP1の外周端を露出させ、開口部D2bはコイルパターンCP1の内周端を露出させる。開口部D2cは、犠牲パターンVP1を露出させる。 Next, the seed layer 14 is patterned to form openings 14a to 14c that expose a part of the insulating layer D2 (FIG. 11). Of these, the opening 14a is formed at a position overlapping the outer peripheral end of the coil pattern CP1, and the opening 14a is formed at a position overlapping the inner peripheral end of the coil pattern CP1. The opening 14c is formed at a position overlapping the sacrificial pattern VP1. Next, the insulating layer D2 is etched with the patterned seed layer 14 as a mask to form openings D2a to D2c in the insulating layer D2 (FIG. 12). Of these, the opening D2a exposes the outer peripheral end of the coil pattern CP1, and the opening D2b exposes the inner peripheral end of the coil pattern CP1. The opening D2c exposes the sacrificial pattern VP1.

次に、シード層14をさらにパターニングすることにより、スパイラル状のシードパターンS2を形成する(図13)。次に、絶縁層D2の表面に、シードパターンS2に沿った層内絶縁パターンR2を形成する(図14)。層内絶縁パターンR2は感光性永久レジストからなるコイルパターンCP2のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターンR2によって区画された領域もスパイラル状である。 Next, the seed layer 14 is further patterned to form a spiral seed pattern S2 (FIG. 13). Next, an in-layer insulation pattern R2 along the seed pattern S2 is formed on the surface of the insulation layer D2 (FIG. 14). The intra-layer insulation pattern R2 is a negative pattern of the coil pattern CP2 made of a photosensitive permanent resist, and therefore the region partitioned by the intra-layer insulation pattern R2 is also spiral.

次に、電解メッキによってシードパターンS2を成長させることにより、メッキパターンP2を形成する(図15)。これにより、層内絶縁パターンR2によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンCP2が形成される。この時、コイルパターンCP1の外周端は開口部D2aから露出しているため、コイルパターンCP1の外周端は、コイルパターンCP2と同じ層内に位置する接続パターンCP3に接続される。また、コイルパターンCP1の内周端は開口部D2bから露出しているため、コイルパターンCP1の内周端は、コイルパターンCP2の内周端に形成される。さらに、コイルパターンCP2の内径領域、並びに、コイルパターンCP2の外側領域にも、犠牲パターンVP2が形成される。犠牲パターンVP2は、開口部D2cを介して犠牲パターンVP1に接続される。この段階では、絶縁層D2を基準とした高さは、コイルパターンCP2よりも層内絶縁パターンR2の方が高い。 Next, the plating pattern P2 is formed by growing the seed pattern S2 by electrolytic plating (FIG. 15). As a result, the spiral coil pattern CP2 is formed in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern R2. At this time, since the outer peripheral end of the coil pattern CP1 is exposed from the opening D2a, the outer peripheral end of the coil pattern CP1 is connected to the connection pattern CP3 located in the same layer as the coil pattern CP2. Further, since the inner peripheral end of the coil pattern CP1 is exposed from the opening D2b, the inner peripheral end of the coil pattern CP1 is formed at the inner peripheral end of the coil pattern CP2. Further, the sacrificial pattern VP2 is formed in the inner diameter region of the coil pattern CP2 and the outer region of the coil pattern CP2. The sacrificial pattern VP2 is connected to the sacrificial pattern VP1 via the opening D2c. At this stage, the height with respect to the insulating layer D2 is higher in the in-layer insulation pattern R2 than in the coil pattern CP2.

次に、プラズマ加工を所定時間行うことによって、層内絶縁パターンR2をアッシングする(図16)。これにより、層内絶縁パターンR2の形状は、図2又は図3に示す形状となる。つまり、コイルパターンCP2の側面のうち少なくとも上部領域が露出し、コイルパターンCP2と層内絶縁パターンR2の間に隙間が形成される。また、絶縁層D2を基準とした高さは、コイルパターンCP2よりも層内絶縁パターンR2の方が低くなる。この状態で、ギ酸などを用いたウェットエッチング又はプラズマ処理等によるドライエッチングによってコイルパターンCP2の露出面を粗面化する。 Next, the in-layer insulation pattern R2 is ashed by performing plasma processing for a predetermined time (FIG. 16). As a result, the shape of the in-layer insulation pattern R2 becomes the shape shown in FIG. 2 or FIG. That is, at least the upper region of the side surface of the coil pattern CP2 is exposed, and a gap is formed between the coil pattern CP2 and the in-layer insulation pattern R2. Further, the height with respect to the insulating layer D2 is lower in the in-layer insulation pattern R2 than in the coil pattern CP2. In this state, the exposed surface of the coil pattern CP2 is roughened by wet etching using formic acid or the like or dry etching by plasma treatment or the like.

次に、絶縁層D3によってコイルパターンCP2、犠牲パターンVP2及び層内絶縁パターンR2を覆う(図17)。これにより、コイルパターンCP2の上面が絶縁層D3によって覆われるだけでなく、コイルパターンCP2と層内絶縁パターンR2の間の隙間にも絶縁層D3が入り込む。この時、絶縁層D3に含まれるフィラーがコイルパターンCP2と層内絶縁パターンR2の間の隙間に入り込むよう、隙間よりも平均粒径の小さいフィラーを用いることが好ましい。また、絶縁層D3と接するコイルパターンCP2の表面は粗面化されているため、コイルパターンCP2と絶縁層D3は、高い密着性が得られる。 Next, the insulating layer D3 covers the coil pattern CP2, the sacrificial pattern VP2, and the in-layer insulating pattern R2 (FIG. 17). As a result, not only the upper surface of the coil pattern CP2 is covered with the insulating layer D3, but also the insulating layer D3 enters the gap between the coil pattern CP2 and the intra-layer insulating pattern R2. At this time, it is preferable to use a filler having an average particle size smaller than that of the gap so that the filler contained in the insulating layer D3 enters the gap between the coil pattern CP2 and the intralayer insulation pattern R2. Further, since the surface of the coil pattern CP2 in contact with the insulating layer D3 is roughened, high adhesion can be obtained between the coil pattern CP2 and the insulating layer D3.

次に、絶縁層D3をエッチングすることにより、絶縁層D3に開口部D3cを形成する(図18)。開口部D3cは、犠牲パターンVP2を露出させる。この状態で、ウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターンVP1,VP2を除去する(図19)。コイルパターンCP1,CP2及び接続パターンCP3については、層内絶縁パターンR1,R2及び絶縁層D1〜D3で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、絶縁層D1上にはコイル構造体Cのみが残存した状態となる。 Next, the opening D3c is formed in the insulating layer D3 by etching the insulating layer D3 (FIG. 18). The opening D3c exposes the sacrificial pattern VP2. In this state, the sacrificial patterns VP1 and VP2 are removed by performing wet etching (FIG. 19). Since the coil patterns CP1 and CP2 and the connection pattern CP3 are covered with the in-layer insulation patterns R1 and R2 and the insulation layers D1 to D3, they are not etched. As a result, only the coil structure C remains on the insulating layer D1.

次に、絶縁層D3をさらにエッチングすることにより、絶縁層D3に開口部D3a,D3bを形成する(図20)。このうち、開口部D3aは接続パターンCP3を露出させ、開口部D3bはコイルパターンCP2の外周端を露出させる。次に、絶縁層D3の表面にバンプ導体B1,B2を形成する(図21)。このうち、バンプ導体B1は開口部D3aを介して接続パターンCP3に接続され、バンプ導体B2は開口部D3bを介してコイルパターンCP2の外周端に接続される。 Next, the insulating layer D3 is further etched to form openings D3a and D3b in the insulating layer D3 (FIG. 20). Of these, the opening D3a exposes the connection pattern CP3, and the opening D3b exposes the outer peripheral end of the coil pattern CP2. Next, bump conductors B1 and B2 are formed on the surface of the insulating layer D3 (FIG. 21). Of these, the bump conductor B1 is connected to the connection pattern CP3 via the opening D3a, and the bump conductor B2 is connected to the outer peripheral end of the coil pattern CP2 via the opening D3b.

次に、コイル構造体C及びバンプ導体B1,B2を埋め込むように磁性樹脂層M1を形成した後(図22)、磁性樹脂層M1の上面を研磨することによってバンプ導体B1,B2を露出させる(図23)。次に、支持体10を剥離した後、絶縁層D1の下面に磁性樹脂層M2を形成する(図24)。次に、磁性樹脂層M1の上面に絶縁層D4を形成した後、絶縁層D4をエッチングすることにより、絶縁層D4に開口部D4a,D4bを形成する(図25)。開口部D4aはバンプ導体B1を露出させ、開口部D4bはバンプ導体B2を露出させる。 Next, after forming the magnetic resin layer M1 so as to embed the coil structure C and the bump conductors B1 and B2 (FIG. 22), the bump conductors B1 and B2 are exposed by polishing the upper surface of the magnetic resin layer M1 (FIG. 22). FIG. 23). Next, after the support 10 is peeled off, the magnetic resin layer M2 is formed on the lower surface of the insulating layer D1 (FIG. 24). Next, after forming the insulating layer D4 on the upper surface of the magnetic resin layer M1, the insulating layer D4 is etched to form openings D4a and D4b in the insulating layer D4 (FIG. 25). The opening D4a exposes the bump conductor B1, and the opening D4b exposes the bump conductor B2.

そして、開口部D4a,D4bを介してそれぞれバンプ導体B1,B2に接続された端子電極E1,E2を形成すれば、図1に示したコイル部品1が完成する。 Then, if the terminal electrodes E1 and E2 connected to the bump conductors B1 and B2 are formed via the openings D4a and D4b, respectively, the coil component 1 shown in FIG. 1 is completed.

このように、本実施形態においては、コイルパターンCP1を形成した後、絶縁層D2を形成する前に層内絶縁パターンR1をアッシングしている。同様に、コイルパターンCP2を形成した後、絶縁層D3を形成する前に層内絶縁パターンR2をアッシングしている。これにより、コイルパターンCP1,CP2の側面の上部領域が露出することから、コイルパターンCP1,CP2と絶縁層D2,D3の接触面積を増大させることが可能となる。 As described above, in the present embodiment, after the coil pattern CP1 is formed, the in-layer insulation pattern R1 is ashed before the insulating layer D2 is formed. Similarly, after the coil pattern CP2 is formed, the in-layer insulation pattern R2 is ashed before the insulation layer D3 is formed. As a result, the upper region of the side surface of the coil patterns CP1 and CP2 is exposed, so that the contact area between the coil patterns CP1 and CP2 and the insulating layers D2 and D3 can be increased.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention, and these are also the present invention. Needless to say, it is included in the range.

例えば、図19に示す工程で犠牲パターンVP1,VP2を除去した後、コイルパターンCP1,CP2の内径領域に露出する絶縁層D1を削除しても構わない。これによれば、磁性樹脂層M1と磁性樹脂層M2が一体的となることから、コイル部品のインダクタを高めることが可能となる。 For example, after removing the sacrificial patterns VP1 and VP2 in the step shown in FIG. 19, the insulating layer D1 exposed in the inner diameter region of the coil patterns CP1 and CP2 may be removed. According to this, since the magnetic resin layer M1 and the magnetic resin layer M2 are integrated, it is possible to increase the inductor of the coil component.

また、本発明によるコイル部品は、回路基板に表面実装されるタイプの部品である必要はなく、回路基板に内蔵されるタイプの部品であっても構わない。 Further, the coil component according to the present invention does not have to be a component of the type surface-mounted on the circuit board, and may be a component of the type built in the circuit board.

1 コイル部品
10 支持体
11 基板
12 金属箔
13,14 シード層
14a〜14c 開口部
B1,B2 バンプ導体
C コイル構造体
CP1 第1のコイルパターン
CP2 第2のコイルパターン
CP3 接続パターン
D1〜D4 絶縁層
D2a〜D2c 開口部
D3a〜D3c 開口部
D4a,D4b 開口部
E1,E2 端子電極
M1,M2 磁性樹脂層
P1,P2 メッキパターン
R1,R2 層内絶縁パターン
S1,S1a,S2 シードパターン
VP1,VP2 犠牲パターン
1 Coil component 10 Support 11 Substrate 12 Metal foil 13, 14 Seed layers 14a to 14c Openings B1, B2 Bump conductor C Coil structure CP1 First coil pattern CP2 Second coil pattern CP3 Connection pattern D1 to D4 Insulation layer D2a to D2c Openings D3a to D3c Openings D4a, D4b Openings E1, E2 Terminal electrodes M1, M2 Magnetic resin layers P1, P2 Plating pattern R1, R2 Insulation pattern in layer S1, S1a, S2 Seed pattern VP1, VP2 Sacrifice pattern

Claims (11)

第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、
前記第1の絶縁層上に形成され、前記コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、
前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆い、前記層内絶縁パターンとは物性の異なる第2の絶縁層と、を備え、
前記第2の絶縁層の一部は、前記コイルパターンと前記層内絶縁パターンの間に位置することを特徴とするコイル部品。
With the first insulating layer
A coil pattern formed on the first insulating layer and wound in a spiral shape,
An intra-layer insulation pattern formed on the first insulation layer and arranged along the coil pattern,
A second insulating layer that covers the coil pattern and the in-layer insulation pattern and has different physical properties from the in-layer insulation pattern is provided.
A coil component characterized in that a part of the second insulating layer is located between the coil pattern and the insulation pattern in the layer.
前記コイルパターンの側面は、下部領域が前記層内絶縁パターンと接し、上部領域が前記第2の絶縁層と接していることを特徴とする請求項1に記載のコイル部品。 The coil component according to claim 1, wherein the side surface of the coil pattern has a lower region in contact with the in-layer insulation pattern and an upper region in contact with the second insulation layer. 前記上部領域は、前記下部領域と比べて粗面であることを特徴とする請求項2に記載のコイル部品。 The coil component according to claim 2, wherein the upper region has a rough surface as compared with the lower region. 前記コイルパターンよりも前記層内絶縁パターンの方が前記第1の絶縁層を基準とした高さが低いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のコイル部品。 The coil component according to any one of claims 1 to 3, wherein the height of the in-layer insulation pattern is lower than that of the coil pattern with respect to the first insulation layer. 前記層内絶縁パターンよりも前記第2の絶縁層の方が前記コイルパターンの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のコイル部品。 The coil component according to any one of claims 1 to 4, wherein the second insulating layer is closer to the coefficient of thermal expansion of the coil pattern than the in-layer insulation pattern. 前記第2の絶縁層は、前記コイルパターンと前記層内絶縁パターンの間隔よりも平均粒径の小さいフィラーが含まれていることを特徴とする請求項5に記載のコイル部品。 The coil component according to claim 5, wherein the second insulating layer contains a filler having an average particle size smaller than the distance between the coil pattern and the insulating pattern in the layer. 第1の絶縁層上にスパイラル状のシードパターンを形成する第1の工程と、
前記第1の絶縁層上に前記シードパターンに沿った層内絶縁パターンを形成する第2の工程と、
電解メッキによって前記シードパターンを成長させることにより、前記層内絶縁パターンによって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンを形成する第3の工程と、
前記層内絶縁パターンの一部を除去することにより、前記コイルパターンと前記層内絶縁パターンの間に隙間を形成する第4の工程と、
前記層内絶縁パターンとは物性の異なる第2の絶縁層によって前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆うことにより、前記隙間を埋める第5の工程と、を備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。
The first step of forming a spiral seed pattern on the first insulating layer, and
A second step of forming an in-layer insulation pattern along the seed pattern on the first insulation layer, and
A third step of forming a spiral coil pattern in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern by growing the seed pattern by electroplating.
A fourth step of forming a gap between the coil pattern and the in-layer insulation pattern by removing a part of the in-layer insulation pattern,
A coil component comprising a fifth step of filling the gap by covering the coil pattern and the intralayer insulation pattern with a second insulation layer having different physical properties from the intralayer insulation pattern. Production method.
前記第4の工程をプラズマ加工、ブラスト加工又はレーザー加工によって行うことを特徴とする請求項7に記載のコイル部品の製造方法。 The method for manufacturing a coil component according to claim 7, wherein the fourth step is performed by plasma processing, blast processing, or laser processing. 前記第3の工程を行った後、前記第4の工程を行う前の段階では、前記コイルパターンよりも前記層内絶縁パターンの方が前記第1の絶縁層を基準とした高さが高く、
前記第4の工程を行った後の段階では、前記コイルパターンよりも前記層内絶縁パターンの方が前記第1の絶縁層を基準とした高さが低いことを特徴とする請求項7又は8に記載のコイル部品の製造方法。
In the stage after the third step and before the fourth step, the height of the in-layer insulation pattern is higher than that of the coil pattern with respect to the first insulation layer.
Claim 7 or 8 is characterized in that the height of the in-layer insulation pattern is lower than that of the coil pattern with respect to the first insulation layer in the stage after the fourth step. The method for manufacturing a coil component described in 1.
前記第2の絶縁層にはフィラーが含まれており、前記第5の工程においては、前記フィラーを前記隙間に入れることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。 The coil component according to any one of claims 7 to 9, wherein the second insulating layer contains a filler, and in the fifth step, the filler is inserted into the gap. Manufacturing method. 前記第4の工程を行った後、前記第5の工程を行う前に、前記コイルパターンの露出面を粗面化する工程をさらに備えることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。 Any one of claims 7 to 10, further comprising a step of roughening the exposed surface of the coil pattern after the fourth step and before the fifth step. The method for manufacturing a coil component described in 1.
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