JP2020117762A - Control method of semi-conductor manufacturing system, and semi-conductor manufacturing system - Google Patents

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Abstract

To reduce the influence of a task in a start of execution of a semi-conductor process.SOLUTION: A control method of a semi-conductor manufacturing system has a control step for controlling a state of a control object, to be controlled in a predetermined semi-conductor process, immediately after a start of execution of the semi-conductor process so that a state of the control object immediately before the start of execution is kept immediately after the start of execution.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、半導体製造システムの制御方法及び半導体製造システムに関する。 The present disclosure relates to a semiconductor manufacturing system control method and a semiconductor manufacturing system.

半導体製造システムのうち、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により成膜を行う成膜システム等では、１つの半導体ウエハに対して、例えば、複数の半導体プロセス（ＡＬＤサイクル）を、順次、切り替えて実行する。成膜システムにおいて実行される各ＡＬＤサイクルには、複数のステップが含まれ、当該複数のステップは各ＡＬＤサイクルにおいて繰り返し実行される。 2. Description of the Related Art Among semiconductor manufacturing systems, in a film forming system for forming a film by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, for example, a plurality of semiconductor processes (ALD cycles) are sequentially switched and executed for one semiconductor wafer. .. Each ALD cycle executed in the film forming system includes a plurality of steps, and the plurality of steps are repeatedly executed in each ALD cycle.

一般に、ＡＬＤサイクルにおいて繰り返し実行される複数のステップは実行時間が短く、成膜システムでは、バルブ等の制御対象の状態を高速に制御しながら、各ステップを実行することになる。 In general, a plurality of steps that are repeatedly executed in the ALD cycle have a short execution time, and in the film forming system, each step is executed while controlling the state of a controlled object such as a valve at high speed.

ここで、ＡＬＤサイクルの切り替えにおいては膨大なタスクが発生するため、成膜システムでは、これらのタスクを処理しながら、次のＡＬＤサイクルを実行開始することになる。 Here, since enormous tasks occur in switching the ALD cycle, the film forming system starts executing the next ALD cycle while processing these tasks.

特表２００７−５３５８１９号公報Japanese Patent Publication No. 2007-535819 特開２０１３−２３９５８４号公報JP, 2013-239584, A 特開２０１６−１０５４３３号公報JP, 2016-105433, A

本開示は、半導体プロセスを実行開始する際のタスクの影響を低減させる、半導体製造システムの制御方法及び半導体製造システムを提供する。 The present disclosure provides a semiconductor manufacturing system control method and a semiconductor manufacturing system that reduce the influence of a task when starting execution of a semiconductor process.

本開示の一態様による半導体製造システムの制御方法は、
予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する制御工程を有する。 A method for controlling a semiconductor manufacturing system according to an aspect of the present disclosure,
When starting the execution of a predetermined semiconductor process, the control immediately after the start of the execution of the semiconductor process so that the state immediately before the start of the execution of the controlled object controlled in the semiconductor process is maintained immediately after the start of the execution of the semiconductor process. It has a control process which controls the state of a target.

本開示によれば、半導体プロセスを実行開始する際のタスクの影響を低減させる、半導体製造システムの制御方法及び半導体製造システムを提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a semiconductor manufacturing system control method and a semiconductor manufacturing system that reduce the influence of a task when starting execution of a semiconductor process.

成膜システムの一構成例を示す図である。It is a figure which shows one structural example of a film-forming system. ＡＬＤ法により成膜を行う成膜システムにおいて、制御部に設定されるレシピ（バルブ動作を規定したレシピ）の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the recipe (recipe which prescribed|regulated valve operation|movement) set to the control part in the film-forming system which forms a film by ALD method. 制御部に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間の特徴を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the characteristic between continuous ALD cycles among several ALD cycles contained in the recipe set to a control part. 従来のレシピの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional recipe. 従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。It is a figure which shows the valve operation at the time of ALD cycle switching, when the ALD cycle included in the conventional recipe is performed. 制御部に設定されるレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。It is a figure which shows the valve operation at the time of ALD cycle switching, when the ALD cycle contained in the recipe set to a control part is performed. レシピ生成処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a recipe generation process.

以下、各実施形態の詳細について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施形態では、半導体製造システムとして、成膜システムを例に挙げて説明する。また、成膜システムが制御対象の状態を高速に制御する半導体プロセスとして、ＡＬＤサイクルを例に挙げて説明する。しかしながら、制御対象の状態を高速に制御する半導体プロセスは、ＡＬＤサイクルに限定されず、他の半導体プロセスであってもよい。 Hereinafter, details of each embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In each of the following embodiments, a film forming system will be described as an example of the semiconductor manufacturing system. In addition, an ALD cycle will be described as an example of a semiconductor process in which the film forming system controls the state of a controlled object at high speed. However, the semiconductor process for controlling the state of the controlled object at high speed is not limited to the ALD cycle and may be another semiconductor process.

また、以下の各実施形態では、成膜システムが高速に制御する制御対象として、バルブを例に挙げて説明する。しかしながら、成膜システムが高速に制御する制御対象は、バルブに限定されず、他の制御対象であってもよい。 Further, in each of the following embodiments, a valve will be described as an example of a control target that the film forming system controls at high speed. However, the control target that the film forming system controls at high speed is not limited to the valve, and may be another control target.

以下、各実施形態を説明するにあたり、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。 In the following description of each embodiment, constituent elements having substantially the same functional configuration will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

［第１の実施形態］
＜成膜システムの構成＞
はじめに、ＡＬＤ法により成膜を行う、第１の実施形態に係る成膜システムの構成例について説明する。図１は、成膜システムの一構成例を示す図である。図１に示すように、成膜システム１００は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構５と、制御部６とを有する。 [First Embodiment]
<Structure of film forming system>
First, a configuration example of the film forming system according to the first embodiment for forming a film by the ALD method will be described. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a film forming system. As shown in FIG. 1, the film forming system 100 includes a processing container 1, a mounting table 2, a shower head 3, an exhaust unit 4, a gas supply mechanism 5, and a control unit 6.

処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、被処理基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容する。処理容器１の側壁にはウエハＷを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と天壁１４との間はシールリング１５で気密に封止されている。 The processing container 1 is made of a metal such as aluminum and has a substantially cylindrical shape. The processing container 1 accommodates a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer W”) that is a substrate to be processed. A loading/unloading port 11 for loading and unloading the wafer W is formed on a sidewall of the processing container 1, and the loading/unloading port 11 is opened and closed by a gate valve 12. An annular exhaust duct 13 having a rectangular cross section is provided on the main body of the processing container 1. The exhaust duct 13 has a slit 13a formed along the inner peripheral surface thereof. An exhaust port 13b is formed on the outer wall of the exhaust duct 13. A ceiling wall 14 is provided on the upper surface of the exhaust duct 13 so as to close the upper opening of the processing container 1. A seal ring 15 hermetically seals the space between the exhaust duct 13 and the ceiling wall 14.

載置台２は、処理容器１内でウエハＷを水平に支持する。載置台２は、ウエハＷに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部にウエハＷを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、ウエハＷが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。 The mounting table 2 horizontally supports the wafer W in the processing container 1. The mounting table 2 is formed in a disk shape having a size corresponding to the wafer W, and is supported by the supporting member 23. The mounting table 2 is made of a ceramic material such as aluminum nitride (AlN) or a metallic material such as aluminum or a nickel alloy, and has a heater 21 embedded therein for heating the wafer W. The heater 21 is supplied with power from a heater power supply (not shown) to generate heat. Then, the output of the heater 21 is controlled by a temperature signal of a thermocouple (not shown) provided in the vicinity of the upper surface of the mounting table 2 to control the wafer W to a predetermined temperature. The mounting table 2 is provided with a cover member 22 formed of ceramics such as alumina so as to cover the outer peripheral region of the upper surface and the side surface.

載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハＷの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられており、処理容器１の底面と鍔部２５の間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。 A support member 23 that supports the mounting table 2 is provided on the bottom surface of the mounting table 2. The support member 23 extends from the center of the bottom surface of the mounting table 2 through the hole formed in the bottom wall of the processing container 1 to the lower side of the processing container 1, and the lower end thereof is connected to the elevating mechanism 24. The mounting table 2 is moved up and down by the elevating mechanism 24 via the support member 23 between a processing position shown in FIG. 1 and a transfer position under which the wafer W can be transferred indicated by a two-dot chain line. A flange portion 25 is attached to the support member 23 below the processing container 1. Between the bottom surface of the processing container 1 and the flange portion 25, the atmosphere inside the processing container 1 is separated from the outside air, and the mounting table 2 is provided. A bellows 26 is provided that expands and contracts with the raising and lowering operation of the.

処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。 In the vicinity of the bottom surface of the processing container 1, three (only two are shown) wafer support pins 27 are provided so as to project upward from the elevating plate 27a. The wafer support pins 27 are moved up and down via an elevating plate 27a by an elevating mechanism 28 provided below the processing container 1. The wafer support pin 27 is inserted into a through hole 2 a provided in the mounting table 2 at the transfer position and can be projected and retracted with respect to the upper surface of the mounting table 2. By raising and lowering the wafer support pins 27, the wafer W is transferred between the transfer mechanism (not shown) and the mounting table 2.

シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、処理容器１の天壁１４に固定された本体部３１と、本体部３１の下に接続されたシャワープレート３２とを有している。本体部３１とシャワープレート３２との間にはガス拡散空間３３が形成されており、ガス拡散空間３３には処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６、３７が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦面には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。 The shower head 3 supplies the processing gas into the processing container 1 in a shower shape. The shower head 3 is made of metal, is provided so as to face the mounting table 2, and has a diameter substantially the same as that of the mounting table 2. The shower head 3 has a main body 31 fixed to the ceiling wall 14 of the processing container 1, and a shower plate 32 connected below the main body 31. A gas diffusion space 33 is formed between the main body 31 and the shower plate 32, and a gas introduction hole 36 is formed in the gas diffusion space 33 so as to penetrate the ceiling wall 14 of the processing container 1 and the center of the main body 31. , 37 are provided. An annular protrusion 34 that protrudes downward is formed on the peripheral edge of the shower plate 32. A gas discharge hole 35 is formed on the inner flat surface of the annular protrusion 34. In the state where the mounting table 2 is in the processing position, a processing space 38 is formed between the mounting table 2 and the shower plate 32, and the upper surface of the cover member 22 and the annular protrusion 34 are close to each other to form an annular gap 39. To be done.

排気部４は、処理容器１の内部を排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構４２とを有する。処理に際しては、処理容器１内のガスがスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。 The exhaust unit 4 exhausts the inside of the processing container 1. The exhaust unit 4 has an exhaust pipe 41 connected to the exhaust port 13b, and an exhaust mechanism 42 having a vacuum pump, a pressure control valve, and the like connected to the exhaust pipe 41. At the time of processing, the gas in the processing container 1 reaches the exhaust duct 13 through the slit 13a, is exhausted from the exhaust duct 13 through the exhaust pipe 41 by the exhaust mechanism 42.

ガス供給機構５は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構５は、プリカーサ供給源５１ａ、Ｎ２ガス供給源５２ａ、Ｎ２ガス供給源５３ａ、還元ガス供給源５４ａ、還元ガス供給源５５ａ、Ｎ２ガス供給源５６ａ、及びＮ２ガス供給源５７ａを有する。 The gas supply mechanism 5 supplies the processing gas into the processing container 1. The gas supply mechanism 5 includes a precursor supply source 51a, an N 2 gas supply source 52a, an N 2 gas supply source 53a, a reducing gas supply source 54a, a reducing gas supply source 55a, an N 2 gas supply source 56a, and an N 2 gas supply source. 57a.

プリカーサ供給源５１ａは、ガス供給ライン５１ｂを介して塩化タングステンガスであるプリカーサを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５１ｂには、上流側から流量制御器５１ｃ、貯留タンク５１ｄ及びバルブ５１ｅが介設されている。ガス供給ライン５１ｂのバルブ５１ｅの下流側は、ガス導入孔３６に接続されている。プリカーサ供給源５１ａから供給されるプリカーサは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５１ｄで一旦貯留され、貯留タンク５１ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５１ｄから処理容器１へのプリカーサの供給及び停止は、バルブ５１ｅにより行われる。このように貯留タンク５１ｄへプリカーサを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にプリカーサを処理容器１内に供給することができる。 The precursor supply source 51a supplies a precursor, which is a tungsten chloride gas, into the processing container 1 through the gas supply line 51b. The gas supply line 51b is provided with a flow rate controller 51c, a storage tank 51d, and a valve 51e from the upstream side. The downstream side of the valve 51e of the gas supply line 51b is connected to the gas introduction hole 36. The precursor supplied from the precursor supply source 51a is temporarily stored in the storage tank 51d before being supplied into the processing container 1, is pressurized to a predetermined pressure in the storage tank 51d, and then is supplied into the processing container 1. .. The supply and stop of the precursor from the storage tank 51d to the processing container 1 is performed by the valve 51e. By thus temporarily storing the precursor in the storage tank 51d, the precursor can be stably supplied into the processing container 1 at a relatively large flow rate.

Ｎ２ガス供給源５２ａは、ガス供給ライン５２ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５２ｂには、上流側から流量制御器５２ｃ、貯留タンク５２ｄ及びバルブ５２ｅが介設されている。ガス供給ライン５２ｂのバルブ５２ｅの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５２ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５２ｄで一旦貯留され、貯留タンク５２ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５２ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５２ｅにより行われる。このように貯留タンク５２ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。 N 2 gas supply source 52a supplies a N 2 gas is a purge gas through the gas supply line 52b to the processing chamber 1. The gas supply line 52b is provided with a flow rate controller 52c, a storage tank 52d, and a valve 52e from the upstream side. The downstream side of the valve 52e of the gas supply line 52b is connected to the gas supply line 51b. N 2 gas supplied from N 2 gas supply source 52a is temporarily stored in the storage tank 52d before being supplied into the processing container 1, after being raised to a predetermined pressure in the storage tank 52d, the processing chamber 1 Is supplied to. The valve 52e supplies and stops the N 2 gas from the storage tank 52d to the processing container 1. Thus the storage tank 52d by temporarily storing the N 2 gas can be supplied stably N 2 gas at a relatively large flow rate into the processing chamber 1.

Ｎ２ガス供給源５３ａは、ガス供給ライン５３ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５３ｂには、上流側から流量制御器５３ｃ、バルブ５３ｅ及びオリフィス５３ｆが介設されている。ガス供給ライン５３ｂのオリフィス５３ｆの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５３ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源５３ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５３ｅにより行われる。貯留タンク５１ｄ、５２ｄによってガス供給ライン５１ｂ、５２ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５３ｆによってガス供給ライン５１ｂ、５２ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン５３ｂに逆流することが抑制される。 The N 2 gas supply source 53a supplies N 2 gas, which is a carrier gas, into the processing container 1 through the gas supply line 53b. The gas supply line 53b is provided with a flow rate controller 53c, a valve 53e, and an orifice 53f from the upstream side. The downstream side of the orifice 53f of the gas supply line 53b is connected to the gas supply line 51b. N 2 gas supplied from N 2 gas supply source 53a is supplied into the processing vessel 1 continuously during deposition of the wafer W. The valve 53e supplies and stops the N 2 gas from the N 2 gas supply source 53a to the processing container 1. Gas is supplied to the gas supply lines 51b and 52b at a relatively large flow rate by the storage tanks 51d and 52d, but the gas supplied to the gas supply lines 51b and 52b by the orifice 53f flows backward to the N 2 gas supply line 53b. Is suppressed.

還元ガス供給源５４ａは、還元ガス供給ライン５４ｂを介して還元ガスを処理容器１内に供給する。還元ガス供給ライン５４ｂには、上流側から流量制御器５４ｃ、バルブ５４ｅ及びオリフィス５４ｆが介設されている。還元ガス供給ライン５４ｂのオリフィス５４ｆの下流側は、ガス導入孔３７に接続されている。還元ガス供給源５４ａから供給される還元ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。還元ガス供給源５４ａから処理容器１への還元ガスの供給及び停止は、バルブ５４ｅにより行われる。後述する貯留タンク５５ｄ、５６ｄによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５４ｆによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂに供給されるガスが還元ガス供給ライン５４ｂに逆流することが抑制される。 The reducing gas supply source 54a supplies the reducing gas into the processing container 1 through the reducing gas supply line 54b. The reducing gas supply line 54b is provided with a flow rate controller 54c, a valve 54e, and an orifice 54f from the upstream side. The downstream side of the orifice 54f of the reducing gas supply line 54b is connected to the gas introduction hole 37. The reducing gas supplied from the reducing gas supply source 54 a is continuously supplied into the processing container 1 during the film formation of the wafer W. The supply and stop of the reducing gas from the reducing gas supply source 54a to the processing container 1 are performed by the valve 54e. Gas is supplied to the gas supply lines 55b and 56b at a relatively large flow rate by storage tanks 55d and 56d described later, but the gas supplied to the gas supply lines 55b and 56b by the orifice 54f flows backward to the reducing gas supply line 54b. Is suppressed.

還元ガス供給源５５ａは、ガス供給ライン５５ｂを介して還元ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５５ｂには、上流側から流量制御器５５ｃ、貯留タンク５５ｄ及びバルブ５５ｅが介設されている。ガス供給ライン５５ｂのバルブ５５ｅの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。還元ガス供給源５５ａから供給される還元ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５５ｄで一旦貯留され、貯留タンク５５ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５５ｄから処理容器１への還元ガスの供給及び停止は、バルブ５５ｅにより行われる。このように貯留タンク５５ｄへ還元ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的に還元ガスを処理容器１内に供給することができる。 The reducing gas supply source 55a supplies the reducing gas into the processing container 1 through the gas supply line 55b. The gas supply line 55b is provided with a flow rate controller 55c, a storage tank 55d, and a valve 55e from the upstream side. The downstream side of the valve 55e of the gas supply line 55b is connected to the reducing gas supply line 54b. The reducing gas supplied from the reducing gas supply source 55a is temporarily stored in the storage tank 55d before being supplied into the processing container 1, is pressurized to a predetermined pressure in the storage tank 55d, and then is supplied into the processing container 1. To be done. The supply and stop of the reducing gas from the storage tank 55d to the processing container 1 are performed by the valve 55e. By thus temporarily storing the reducing gas in the storage tank 55d, it is possible to stably supply the reducing gas into the processing container 1 at a relatively large flow rate.

Ｎ２ガス供給源５６ａは、ガス供給ライン５６ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５６ｂには、上流側から流量制御器５６ｃ、貯留タンク５６ｄ及びバルブ５６ｅが介設されている。ガス供給ライン５６ｂのバルブ５６ｅの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５６ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５６ｄで一旦貯留され、貯留タンク５６ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５６ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５６ｅにより行われる。このように貯留タンク５６ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。 N 2 gas supply source 56a supplies a N 2 gas is a purge gas through the gas supply line 56b to the processing chamber 1. The gas supply line 56b is provided with a flow rate controller 56c, a storage tank 56d, and a valve 56e from the upstream side. The downstream side of the valve 56e of the gas supply line 56b is connected to the reducing gas supply line 54b. N 2 gas supplied from N 2 gas supply source 56a is temporarily stored in the storage tank 56d before being supplied into the processing container 1, after being raised to a predetermined pressure in the storage tank 56d, the processing chamber 1 Is supplied to. The valve 56e supplies and stops the N 2 gas from the storage tank 56d to the processing container 1. Thus storage tank 56d to be to temporarily store the N 2 gas can be supplied stably N 2 gas at a relatively large flow rate into the processing chamber 1.

Ｎ２ガス供給源５７ａは、ガス供給ライン５７ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５７ｂには、上流側から流量制御器５７ｃ、バルブ５７ｅ及びオリフィス５７ｆが介設されている。ガス供給ライン５７ｂのオリフィス５７ｆの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５７ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源５７ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５７ｅにより行われる。貯留タンク５５ｄ、５６ｄによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５７ｆによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン５７ｂに逆流することが抑制される。 The N 2 gas supply source 57a supplies N 2 gas, which is a carrier gas, into the processing container 1 through the gas supply line 57b. The gas supply line 57b is provided with a flow rate controller 57c, a valve 57e, and an orifice 57f from the upstream side. The downstream side of the orifice 57f of the gas supply line 57b is connected to the reducing gas supply line 54b. N 2 gas supplied from N 2 gas supply source 57a is supplied into the processing vessel 1 continuously during deposition of the wafer W. The valve 57e supplies and stops the N 2 gas from the N 2 gas supply source 57a to the processing container 1. Gas is supplied to the gas supply lines 55b and 56b at a relatively large flow rate by the storage tanks 55d and 56d, but the gas supplied to the gas supply lines 55b and 56b by the orifice 57f flows backward to the N 2 gas supply line 57b. Is suppressed.

制御部６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０５、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１１０、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１５、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２０を有する。ＣＰＵ１０５、ＨＤＤ１１０、ＲＯＭ１１５、ＲＡＭ１２０は、バスＢを介して互いに接続されている。 The control unit 6 includes a CPU (Central Processing Unit) 105, an HDD (Hard Disk Drive) 110, a ROM (Read Only Memory) 115, and a RAM (Random Access Memory) 120. The CPU 105, the HDD 110, the ROM 115, and the RAM 120 are connected to each other via the bus B.

制御部６は、ウエハＷをＡＬＤ法により成膜する際に用いるレシピ（複数のＡＬＤサイクルを含むレシピ）を生成する生成部として機能する。また、制御部６は、生成したレシピをＨＤＤ１１０またはＲＡＭ１２０に設定する設定部として機能する。更に、制御部６は、設定したレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを切り替えて実行することでウエハＷを成膜すべく、成膜システム１００の各制御対象（例えば、バルブ５１ｅ〜５７ｅ）の状態を制御する状態制御部として機能する。なお、レシピを生成する生成部は、成膜システム１００の内部において実現されてもよいし、外部において実現されてもよい。レシピを生成する生成部が成膜システム１００の外部において実現された場合、生成されたレシピは、有線または無線の通信手段を介して、成膜システム１００に送信され、制御部６に設定される。 The control unit 6 functions as a generation unit that generates a recipe (recipe including a plurality of ALD cycles) used when forming a film on the wafer W by the ALD method. The control unit 6 also functions as a setting unit that sets the generated recipe in the HDD 110 or the RAM 120. Further, the control unit 6 switches the plurality of ALD cycles included in the set recipe to execute the film formation of the wafer W, and the state of each control target (for example, the valves 51e to 57e) of the film formation system 100. Functions as a state control unit that controls the. The generating unit that generates the recipe may be realized inside the film forming system 100 or may be realized outside. When the generating unit that generates the recipe is realized outside the film forming system 100, the generated recipe is transmitted to the film forming system 100 via a wired or wireless communication unit and set in the control unit 6. ..

＜ＡＬＤ法により成膜を行う場合の制御対象の状態の高速制御＞
次に、ＡＬＤ法により成膜を行う成膜システム１００による、各制御対象の状態の高速制御について説明する。ここでは、一例として、バルブの状態の高速制御について、図２を参照しながら説明する。図２は、ＡＬＤ法により成膜を行う成膜システムにおいて、制御部に設定されるレシピ（複数のＡＬＤサイクルを含み、各ＡＬＤサイクルにおいて、バルブの動作が規定されたレシピ）の一例を示す図である。 <High-speed control of the state of the controlled object when the film is formed by the ALD method>
Next, high-speed control of the state of each control target by the film forming system 100 that forms a film by the ALD method will be described. Here, as an example, high-speed control of the valve state will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing an example of a recipe (a recipe including a plurality of ALD cycles, in which a valve operation is defined in each ALD cycle) set in a control unit in a film forming system for forming a film by the ALD method. Is.

成膜システム１００では、ＡＬＤサイクル１（符号２００）を実行開始する前に、最初に、バルブ５１ｅ〜５７ｅが閉じられた状態で、ゲートバルブ１２を開いて搬送機構によりウエハＷを処理容器１内に搬送し、搬送位置にある載置台２に載置する。更に、成膜システム１００では、搬送機構を処理容器１内から退避させた後、ゲートバルブ１２を閉じる。更に、成膜システム１００では、載置台２のヒータ２１によりウエハＷを所定の温度（例えば４５０〜６５０℃）に加熱するとともに載置台２を処理位置まで上昇させ、処理空間３８を形成する。更に、成膜システム１００では、排気機構４２の圧力制御バルブにより処理容器１内を所定の圧力（例えば１．３×１０３〜８．０×１０３Ｐａ）に調整する。 In the film forming system 100, before the execution of the ALD cycle 1 (reference numeral 200), first, with the valves 51e to 57e closed, the gate valve 12 is opened and the wafer W is transferred into the processing container 1 by the transfer mechanism. And is placed on the mounting table 2 in the transport position. Further, in the film forming system 100, the gate valve 12 is closed after the transfer mechanism is retracted from the processing container 1. Further, in the film forming system 100, the heater 21 of the mounting table 2 heats the wafer W to a predetermined temperature (for example, 450 to 650° C.) and raises the mounting table 2 to the processing position to form the processing space 38. Furthermore, in the film forming system 100, the pressure control valve of the exhaust mechanism 42 adjusts the inside of the processing container 1 to a predetermined pressure (for example, 1.3×10 3 to 8.0×10 3 Pa).

続いて、成膜システム１００では、ＡＬＤサイクル１（符号２００）を実行開始する。具体的には、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、バルブ５３ｅ、５７ｅを開き、Ｎ２ガス供給源５３ａ、５７ａから夫々ガス供給ライン５３ｂ、５７ｂに所定の流量（例えば１００〜３０００ｓｃｃｍ）のキャリアガス（Ｎ２ガス）を供給する。また、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、バルブ５４ｅを開き、還元ガス供給源５４ａから還元ガス供給ライン５４ｂに所定の流量（例えば５００〜８０００ｓｃｃｍ）の還元ガスを供給する。また、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、貯留タンク５２ｄ、５６ｄにそれぞれ貯留されたパージガスを処理容器１内に、所定の時間（例えば０．０５〜５秒）供給する。更に、成膜システム１００は、ステップｃｓ１において、プリカーサ供給源５１ａ及び還元ガス供給源５５ａから夫々プリカーサ及び還元ガスをガス供給ライン５１ｂ、５５ｂに供給する。このとき、バルブ５１ｅ、５５ｅが閉じられているので、プリカーサ及び還元ガスは、貯留タンク５１ｄ、５５ｄに夫々貯留され、貯留タンク５１ｄ、５５ｄ内が昇圧する。 Then, in the film forming system 100, execution of ALD cycle 1 (reference numeral 200) is started. Specifically, in step cs1, the film forming system 100 opens the valves 53e and 57e and supplies carriers having a predetermined flow rate (for example, 100 to 3000 sccm) from the N 2 gas supply sources 53a and 57a to the gas supply lines 53b and 57b, respectively. Gas (N 2 gas) is supplied. Further, in step cs1, the film forming system 100 opens the valve 54e to supply the reducing gas of a predetermined flow rate (for example, 500 to 8000 sccm) from the reducing gas supply source 54a to the reducing gas supply line 54b. In addition, in step cs1, the film forming system 100 supplies the purge gas stored in the storage tanks 52d and 56d into the processing container 1 for a predetermined time (for example, 0.05 to 5 seconds). Further, in step cs1, the film forming system 100 supplies the precursor and the reducing gas from the precursor supply source 51a and the reducing gas supply source 55a to the gas supply lines 51b and 55b, respectively. At this time, since the valves 51e and 55e are closed, the precursor and the reducing gas are stored in the storage tanks 51d and 55d, respectively, and the pressure in the storage tanks 51d and 55d is increased.

続いて、成膜システム１００は、ステップｃｓ２において、バルブ５１ｅを開き、貯留タンク５１ｄに貯留されたプリカーサを処理容器１内に供給し、ウエハＷの表面に吸着させる。また、成膜システム１００は、ステップｃｓ２において、処理容器１内へのプリカーサの供給に並行して、Ｎ２ガス供給源５２ａ、５６ａからガス供給ライン５２ｂ、５６ｂに夫々パージガス（Ｎ２ガス）を供給する。このとき、バルブ５２ｅ、５６ｅが閉じられたことにより、パージガスは貯留タンク５２ｄ、５６ｄに貯留され、５２ｄ、５６ｄ内が昇圧する。 Subsequently, in step cs2, the film forming system 100 opens the valve 51e, supplies the precursor stored in the storage tank 51d into the processing container 1, and adsorbs the precursor on the surface of the wafer W. Further, in step cs2, the film forming system 100 supplies the purge gas (N 2 gas) from the N 2 gas supply sources 52a and 56a to the gas supply lines 52b and 56b, respectively, in parallel with the supply of the precursor into the processing container 1. Supply. At this time, by closing the valves 52e and 56e, the purge gas is stored in the storage tanks 52d and 56d, and the pressure inside the 52d and 56d is increased.

バルブ５１ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、ステップｃｓ３において、バルブ５１ｅを閉じるとともにバルブ５２ｅ、５６ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内へのプリカーサの供給を停止するとともに、貯留タンク５２ｄ、５６ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５２ｄ、５６ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量（例えば５００〜１００００ｓｃｃｍ）でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留するプリカーサが速やかに排気配管４１へ排出され、処理容器１内がプリカーサ雰囲気から還元ガス及びＮ２ガスを含む雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５１ｅが閉じられたことにより、プリカーサ供給源５１ａからガス供給ライン５１ｂに供給されるプリカーサが貯留タンク５１ｄに貯留され、貯留タンク５１ｄ内が昇圧する。 After a predetermined time (for example, 0.05 to 5 seconds) has elapsed after opening the valve 51e, the film forming system 100 closes the valve 51e and opens the valves 52e and 56e in step cs3. As a result, in the film forming system 100, the supply of the precursor into the processing container 1 is stopped and the purge gas stored in the storage tanks 52d and 56d is supplied into the processing container 1. At this time, since the pressure is supplied from the storage tanks 52d and 56d in an increased state, the purge gas is supplied into the processing container 1 at a relatively large flow rate, for example, a flow rate higher than the flow rate of the carrier gas (for example, 500 to 10,000 sccm). To be done. Therefore, the precursor remaining in the processing container 1 is quickly discharged to the exhaust pipe 41, and the inside of the processing container 1 is replaced with the atmosphere containing the reducing gas and the N 2 gas in a short time. On the other hand, by closing the valve 51e, the precursor supplied from the precursor supply source 51a to the gas supply line 51b is stored in the storage tank 51d, and the pressure in the storage tank 51d is increased.

バルブ５２ｅ、５６ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、ステップｃｓ４において、バルブ５２ｅ、５６ｅを閉じるとともにバルブ５５ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内へのパージガスの供給を停止するとともに、貯留タンク５５ｄに貯留された還元ガスを処理容器１内に供給し、ウエハＷの表面に吸着したプリカーサを還元する。このとき、バルブ５２ｅ、５６ｅが閉じられたことにより、Ｎ２ガス供給源５２ａ、５６ａからガス供給ライン５２ｂ、５６ｂに夫々供給されるパージガスが貯留タンク５２ｄ、５６ｄに貯留され、貯留タンク５２ｄ、５６ｄ内が昇圧する。 After a predetermined time (for example, 0.05 to 5 seconds) has elapsed after opening the valves 52e and 56e, the film forming system 100 closes the valves 52e and 56e and opens the valve 55e in step cs4. As a result, in the film forming system 100, the supply of the purge gas into the processing container 1 is stopped and the reducing gas stored in the storage tank 55d is supplied into the processing container 1 to remove the precursor adsorbed on the surface of the wafer W. Give back. At this time, since the valves 52e and 56e are closed, the purge gas supplied from the N 2 gas supply sources 52a and 56a to the gas supply lines 52b and 56b, respectively, is stored in the storage tanks 52d and 56d, and the storage tanks 52d and 56d. The inside pressure rises.

バルブ５５ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、ステップｃｓ５において、バルブ５５ｅを閉じるとともにバルブ５２ｅ、５６ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内への還元ガスの供給を停止するとともに、貯留タンク５２ｄ、５６ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５２ｄ、５６ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量（例えば５００〜１００００ｓｃｃｍ）でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留する還元ガスが速やかに排気配管４１へ排出され、処理容器１内が還元ガス雰囲気から還元ガス及びＮ２ガスを含む雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５５ｅが閉じられたことにより、還元ガス供給源５５ａからガス供給ライン５５ｂに供給される還元ガスが貯留タンク５５ｄに貯留され、貯留タンク５５ｄ内が昇圧する。 After a predetermined time (for example, 0.05 to 5 seconds) has elapsed after opening the valve 55e, the film forming system 100 closes the valve 55e and opens the valves 52e and 56e in step cs5. As a result, in the film forming system 100, the supply of the reducing gas into the processing container 1 is stopped and the purge gas stored in the storage tanks 52d and 56d is supplied into the processing container 1. At this time, since the pressure is supplied from the storage tanks 52d and 56d in an increased state, the purge gas is supplied into the processing container 1 at a relatively large flow rate, for example, a flow rate higher than the flow rate of the carrier gas (for example, 500 to 10,000 sccm). To be done. Therefore, the reducing gas remaining in the processing container 1 is promptly discharged to the exhaust pipe 41, and the inside of the processing container 1 is replaced with the atmosphere containing the reducing gas and the N 2 gas in a short time. On the other hand, by closing the valve 55e, the reducing gas supplied from the reducing gas supply source 55a to the gas supply line 55b is stored in the storage tank 55d, and the pressure inside the storage tank 55d is increased.

バルブ５２ｅ、５６ｅを開いてから所定の時間（例えば、０．０５〜５秒）が経過すると、成膜システム１００では、再び、ステップｃｓ１に戻る。そして、成膜システム１００では、上記ステップｃｓ１〜ステップｃｓ５を所定回数繰り返した後、次のＡＬＤサイクル（"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１））に切り替える。このように、成膜システム１００では、ＡＬＤ法により成膜を行う場合、各ＡＬＤサイクルにおいて制御対象の状態（バルブ５１ｅ、５５ｅ、５２ｅ、５６ｅの開閉状態）を高速に制御しながら、複数のステップを実行する。 When a predetermined time (for example, 0.05 to 5 seconds) elapses after opening the valves 52e and 56e, the film forming system 100 returns to step cs1 again. Then, in the film forming system 100, after repeating the above steps cs1 to cs5 a predetermined number of times, the process is switched to the next ALD cycle (“ALD cycle 2” (reference numeral 201)). As described above, in the film forming system 100, when the film is formed by the ALD method, a plurality of steps are performed while rapidly controlling the state (open/closed state of the valves 51e, 55e, 52e, 56e) to be controlled in each ALD cycle. To execute.

＜レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間の特徴＞
次に、第１の実施形態に係る成膜システム１００の制御部６に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルの特徴について説明する。制御部６に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルは、連続するＡＬＤサイクル間において所定の特徴を有する。 <Features between consecutive ALD cycles among a plurality of ALD cycles included in the recipe>
Next, characteristics of a plurality of ALD cycles included in the recipe set in the control unit 6 of the film forming system 100 according to the first embodiment will be described. The plurality of ALD cycles included in the recipe set in the control unit 6 have predetermined characteristics between consecutive ALD cycles.

図３は、制御部に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間の特徴を説明するための図である。図３の例は、図２に示した複数のＡＬＤサイクルのうち、最初に実行される"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）と、次に実行される"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）とを並べて示した図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining characteristics between consecutive ALD cycles among a plurality of ALD cycles included in the recipe set in the control unit. In the example of FIG. 3, of the plurality of ALD cycles shown in FIG. 2, the first executed “ALD cycle 1” (reference numeral 200) and the next executed “ALD cycle 2” (reference numeral 201). It is the figure shown side by side.

上述したように、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ１〜ｃｓ５が、所定回数繰り返されると、"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）に切り替えられる。ここで、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）に切り替えられる場合の切り替え直前の各バルブの状態は以下に示す通りとなる。
・バルブ５１ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＮ（開）
一方、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号２０１）に切り替えられた場合の切り替え直後の各バルブの状態は、以下に示す通りとなる。
・バルブ５１ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＮ（開）
つまり、制御部６に設定されるレシピの場合、ＡＬＤサイクルを切り替える際に、切り替えの前後で全てのバルブの状態が維持されるように構成されている（ＯＦＦ（閉）→ＯＦＦ（閉）またはＯＮ（開）→ＯＮ（開））。 As described above, when steps cs1 to cs5 of "ALD cycle 1" (reference numeral 200) are repeated a predetermined number of times, switching to "ALD cycle 2" (reference numeral 201) is performed. Here, the state of each valve immediately before switching when switching from "ALD cycle 1" (reference numeral 200) to "ALD cycle 2" (reference numeral 201) is as follows.
・Valve 51e: OFF (closed)
・Valve 55e: OFF (closed)
・Valve 54e: ON (open)
・Valve 53e: ON (open)
・Valve 57e: ON (open)
・Valve 52e: ON (open)
・Valve 56e: ON (open)
On the other hand, when the "ALD cycle 1" (reference numeral 200) is switched to the "ALD cycle 2" (reference numeral 201), the state of each valve immediately after the switching is as shown below.
・Valve 51e: OFF (closed)
・Valve 55e: OFF (closed)
・Valve 54e: ON (open)
・Valve 53e: ON (open)
・Valve 57e: ON (open)
・Valve 52e: ON (open)
・Valve 56e: ON (open)
That is, in the case of the recipe set in the control unit 6, when the ALD cycle is switched, the state of all valves is maintained before and after the switching (OFF (closed)→OFF (closed) or ON (open) → ON (open)).

これにより、制御部６に設定されるレシピによれば、次のＡＬＤサイクルに切り替えられる際に、成膜システム１００において膨大なタスクが発生したとしても、制御部６は、直ちに、各バルブの状態を変更する必要がなくなる。つまり、当該レシピによれば、次のＡＬＤサイクルを実行開始する際のタスクの影響を低減させることができる。 Thus, according to the recipe set in the control unit 6, even when a huge number of tasks occur in the film forming system 100 when switching to the next ALD cycle, the control unit 6 immediately determines the state of each valve. No need to change. That is, according to the recipe, it is possible to reduce the influence of the task when starting execution of the next ALD cycle.

＜比較例としての従来のレシピ＞
次に、制御部６に設定されるレシピ（図３）との比較例として、従来のレシピについて説明する。図４は、従来のレシピの一例を示す図である。 <Conventional recipe as a comparative example>
Next, a conventional recipe will be described as a comparative example with the recipe (FIG. 3) set in the control unit 6. FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional recipe.

図３で示した"ＡＬＤサイクル１、２"（符号２００、２０１）と、図４で示した"ＡＬＤサイクル１、２"（符号４００、４０１）との相違点は、ＡＬＤサイクルを切り替える際のバルブ５１ｅ、５２ｅ、５６ｅの状態である。 The difference between "ALD cycles 1 and 2" (reference numerals 200 and 201) shown in FIG. 3 and "ALD cycles 1 and 2" (reference numerals 400 and 401) shown in FIG. 4 is that ALD cycles are switched. This is the state of the valves 51e, 52e, 56e.

従来のレシピの場合、"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号４０１）へ切り替える際の切り替え直前の各バルブの状態は以下に示す通りである。
・バルブ５１ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＮ（開）
一方、"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）から"ＡＬＤサイクル２"（符号４０１）に切り替えられた場合の切り替え直後の各バルブの状態は、以下に示す通りである。
・バルブ５１ｅ：ＯＮ（閉）
・バルブ５５ｅ：ＯＦＦ（閉）
・バルブ５４ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５３ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５７ｅ：ＯＮ（開）
・バルブ５２ｅ：ＯＦＦ（開）
・バルブ５６ｅ：ＯＦＦ（開）
つまり、従来のレシピの場合、ＡＬＤサイクルを切り替える際に、バルブ５５ｅ、５４ｅ、５３ｅ、５７ｅについては、切り替えの前後で状態が維持される（ＯＦＦ（閉）→ＯＦＦ（閉）またはＯＮ（開）→ＯＮ（開））。一方で、バルブ５１ｅ、５２ｅ、５６ｅについては、切り替えの前後で状態が変更される（ＯＦＦ（閉）→ＯＮ（開）またはＯＮ（開）→ＯＦＦ（閉））。 In the case of the conventional recipe, the state of each valve immediately before switching when switching from "ALD cycle 1" (reference numeral 400) to "ALD cycle 2" (reference numeral 401) is as shown below.
・Valve 51e: OFF (closed)
・Valve 55e: OFF (closed)
・Valve 54e: ON (open)
・Valve 53e: ON (open)
・Valve 57e: ON (open)
・Valve 52e: ON (open)
・Valve 56e: ON (open)
On the other hand, the state of each valve immediately after the switching from the "ALD cycle 1" (reference numeral 400) to the "ALD cycle 2" (reference numeral 401) is as shown below.
・Valve 51e: ON (closed)
・Valve 55e: OFF (closed)
・Valve 54e: ON (open)
・Valve 53e: ON (open)
・Valve 57e: ON (open)
・Valve 52e: OFF (open)
・Valve 56e: OFF (open)
That is, in the case of the conventional recipe, when the ALD cycle is switched, the states of the valves 55e, 54e, 53e, and 57e are maintained before and after the switching (OFF (closed)→OFF (closed) or ON (open)). → ON (open)). On the other hand, the states of the valves 51e, 52e, and 56e are changed before and after the switching (OFF (closed)→ON (open) or ON (open)→OFF (closed)).

このため、従来のレシピによれば、次のＡＬＤサイクルに切り替えられる際に、成膜システム１００において膨大なタスクが発生し、各バルブの状態を、直ちに変更することができなくなった場合に、レシピに従った処理を実現することができない。つまり、従来のレシピによれば、次のＡＬＤサイクルを実行開始する際にタスク処理の影響を受けることになる。 Therefore, according to the conventional recipe, when a huge number of tasks occur in the film forming system 100 when switching to the next ALD cycle and the state of each valve cannot be immediately changed, the recipe The processing according to can not be realized. That is, according to the conventional recipe, the task processing is affected when the next ALD cycle is started.

＜ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作の詳細＞
次に、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作の詳細について説明する。具体的には、
・制御部６に設定されるレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル（図３）と、
・比較例である従来のレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル（図４）と、
をそれぞれ実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作の詳細について、図５及び図６を参照しながら説明する。 <Details of valve operation at ALD cycle switching>
Next, details of the valve operation when switching the ALD cycle will be described. In particular,
A continuous ALD cycle (FIG. 3) among a plurality of ALD cycles included in the recipe set in the control unit 6,
A continuous ALD cycle (FIG. 4) among a plurality of ALD cycles included in the conventional recipe which is a comparative example,
The details of the valve operation at the time of switching the ALD cycle in the case of executing the above will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

（１）従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合
図５は、従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。なお、ここでは、説明を簡略化するため、ＡＬＤサイクル内のステップ数を"２"（ステップｃｓ１、ｃｓ２）、制御対象であるバルブの数を"２"（ガスＡのバルブ、ガスＢのバルブ）としている。 (1) When the ALD cycle included in the conventional recipe is executed FIG. 5 is a diagram showing the valve operation at the time of switching the ALD cycle when the ALD cycle included in the conventional recipe is executed. In order to simplify the description, the number of steps in the ALD cycle is "2" (steps cs1 and cs2), and the number of valves to be controlled is "2" (gas A valve, gas B valve). ).

図５に示すように、従来のレシピの場合、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）には、
・ステップｃｓ１において、０．２［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．２［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。また、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）には、
・ステップｃｓ１において、０．３［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．４［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。 As shown in FIG. 5, in the case of the conventional recipe, in ALD cycle 1 (reference numeral 510),
-In step cs1, open the valve of gas A for 0.2 [seconds],
-In step cs2, open the valve of gas B for 0.2 [seconds],
Is specified. In addition, in ALD cycle 2 (reference numeral 520),
-In step cs1, open the valve of gas A for 0.3 [seconds],
-In step cs2, open the valve of gas B for 0.4 [seconds],
Is specified.

このような規定のもとで、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）からＡＬＤサイクル２（符号５２０）に切り替える際の、ガスＡ、Ｂのバルブに対する制御部からの命令と、ガスＡ、Ｂのバルブの実際の動作との関係を示すと、図５下側のタイムチャートのとおりとなる。以下、図５下側のタイムチャートについて説明する。 Under such a regulation, when the ALD cycle 1 (reference numeral 510) is switched to the ALD cycle 2 (reference numeral 520), a command from the control unit for the valves of the gas A and B and the instruction of the valves of the gas A and B are given. The relationship with the actual operation is shown in the time chart on the lower side of FIG. Hereinafter, the time chart on the lower side of FIG. 5 will be described.

符号５１１は、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部が、ガスＡのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。また、符号５１１は、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．２［秒］経過した後に、制御部がガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．２［秒］経過した後に、ガスＡのバルブが制御部からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。 Reference numeral 511 is based on step cs1 in the last cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 510),
-The control unit outputs an opening command to the gas A valve, and
・The valve of gas A was opened according to the opening command from the control unit.
Is shown. Further, the reference numeral 511 is based on the step cs2 in the last cycle of the ALD cycle 1 (reference numeral 510).
-After 0.2 seconds, the control unit outputs a close command to the gas A valve, and
・After 0.2 seconds, the gas A valve was closed in response to a closing command from the control unit.
Is shown.

また、符号５１２は、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・制御部が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。また、符号５１２は、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・０．２［秒］経過した後に、制御部がガスＢのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．２［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが制御部から閉命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に、閉状態となったこと（ガスＢのバルブが点線で示す本来の動作とは異なる動作をしたこと）、
を示している。 Further, reference numeral 512 is based on step cs2 in the last cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 510),
-The control unit outputs an opening command to the gas B valve, and
・The valve of gas B has been opened according to the opening command from the control unit,
Is shown. Further, reference numeral 512 is based on step cs1 in the first cycle of ALD cycle 2 (reference numeral 520).
The control unit outputs a close command to the gas B valve after 0.2 [seconds] has passed, and
After 0.2 seconds, the gas B valve received a close command from the control unit, but due to the effect of the task when switching the ALD cycle, it was actually closed after the task was completed. (Because the valve of gas B behaved differently from the original operation shown by the dotted line),
Is shown.

また、符号５２１は、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部が、ガスＡのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部から開命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に、開状態となったこと（つまり、ガスＡのバルブが点線で示す本来の動作とは異なる動作をしたこと）、
を示している。また、符号５２１は、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．３［秒］経過した後に、制御部がガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．３［秒］経過した後に、ガスＡのバルブが、制御部からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。 Further, reference numeral 521 is based on step cs1 in the first cycle of ALD cycle 2 (reference numeral 520),
-The control unit outputs an opening command to the gas A valve, and
-The valve of gas A received an opening command from the control unit, but due to the influence of the task when switching the ALD cycle, it was actually in the open state after the completion of processing of the task (that is, gas A The valve operated differently from the original operation shown by the dotted line),
Is shown. Further, reference numeral 521 is based on step cs2 in the first cycle of ALD cycle 2 (reference numeral 520),
The control unit outputs a close command to the gas A valve after 0.3 [seconds] has elapsed, and
After 0.3 [seconds], the gas A valve is closed in response to a closing command from the control unit.
Is shown.

このように、従来のレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響を受けて、
・ＡＬＤサイクル１（符号５１０）については、最後のサイクルの最後のステップのバルブ（ガスＢのバルブ）の終了動作が遅延し、最後のサイクルの最後のステップの処理が、ＡＬＤサイクル１（符号５１０）に規定された処理時間よりも長くなる。図５の例では、０．２［秒］が０．２８［秒］になっている。
・ＡＬＤサイクル２（符号５２０）については、最初のサイクルの最初のステップのバルブ（ガスＡのバルブ）の開始動作が遅延し、最初のサイクルの最初のステップの処理が、ＡＬＤサイクル２（符号５２０）に規定された処理時間よりも短くなる。図５の例では、０．３［秒］が０．２２［秒］になっている。 In this way, when the ALD cycle included in the conventional recipe is executed, it is affected by the task when switching the ALD cycle,
Regarding ALD cycle 1 (reference numeral 510), the ending operation of the valve (valve of gas B) of the last step of the last cycle is delayed, and the processing of the last step of the last cycle is ALD cycle 1 (reference numeral 510). ) It is longer than the processing time specified in. In the example of FIG. 5, 0.2 [second] is 0.28 [second].
-For ALD cycle 2 (reference numeral 520), the start operation of the valve of the first step of the first cycle (valve of gas A) is delayed, and the processing of the first step of the first cycle is ALD cycle 2 (reference numeral 520). It is shorter than the processing time specified in ). In the example of FIG. 5, 0.3 [second] is 0.22 [second].

（２）制御部６に設定されるレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合
図６は、制御部に設定されるレシピに含まれるＡＬＤサイクルを実行した場合の、ＡＬＤサイクル切り替え時のバルブ動作を示す図である。なお、説明を簡略化するため、ここではＡＬＤサイクル内のステップ数を"３"（ステップｃｓ１、ｃｓ２、ｃｓ３）、制御対象であるバルブの数を"２"（ガスＡのバルブ、ガスＢのバルブ）としている。 (2) When the ALD cycle included in the recipe set in the control unit 6 is executed FIG. 6 shows the valve operation at the time of switching the ALD cycle when the ALD cycle included in the recipe set in the control unit is executed. FIG. In order to simplify the description, here, the number of steps in the ALD cycle is "3" (steps cs1, cs2, cs3), and the number of valves to be controlled is "2" (gas A valve, gas B Valve).

図６に示すように、制御部６に設定されるレシピの場合、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）には、
・ステップｃｓ１において、０．１［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．２［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ３において、０．１［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。また、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）には、
・ステップｃｓ１において、０．１［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ２において、０．３［秒］間、ガスＡのバルブを開状態にすること、
・ステップｃｓ３において、０．３［秒］間、ガスＢのバルブを開状態にすること、
が規定されている。ただし、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）に規定された各ステップの時間はあくまで一例であり、各ステップの時間がこれに限定されないことは言うまでもない。 As shown in FIG. 6, in the case of the recipe set in the control unit 6, the ALD cycle 1 (reference numeral 610) includes
-In step cs1, open the valve of gas B for 0.1 [seconds],
-In step cs2, open the valve of gas A for 0.2 [seconds],
-In step cs3, open the valve of gas B for 0.1 [seconds],
Is specified. In addition, in ALD cycle 2 (reference numeral 620),
-In step cs1, open the valve of gas B for 0.1 [seconds],
-In step cs2, open the valve of gas A for 0.3 [seconds],
-In step cs3, open the valve of gas B for 0.3 [seconds],
Is specified. However, it goes without saying that the time of each step defined in the ALD cycle 1 (reference numeral 610) and the ALD cycle 2 (reference numeral 620) is merely an example, and the time of each step is not limited to this.

このような規定のもとで、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）からＡＬＤサイクル２（符号６２０）に切り替える際の、ガスＡ、Ｂのバルブに対する制御部からの命令と、ガスＡ、Ｂのバルブの実際の動作との関係を示すと、図６下側のタイムチャートのとおりとなる。以下、図６下側のタイムチャートについて説明する。 Under these regulations, when switching from ALD cycle 1 (reference numeral 610) to ALD cycle 2 (reference numeral 620), commands from the control unit for the gas A and B valves and the gas A and B valves are changed. The relationship with the actual operation is shown in the time chart on the lower side of FIG. Hereinafter, the time chart on the lower side of FIG. 6 will be described.

符号６１１は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後から２番目のサイクルにおけるステップｃｓ３と、最後のサイクルにおけるステップｃｓ１とに基づき、
・制御部６が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、制御部６がガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部６からの開命令に応じて開状態となったこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが、制御部６から開命令を受けたことに応じて、開状態を維持したこと、
を示している。また、符号６１１は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．１［秒］経過した後に、制御部６がガスＢのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが、制御部６からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。 Reference numeral 611 indicates, based on step cs3 in the penultimate cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 610) and step cs1 in the final cycle,
-The control unit 6 outputs an opening command to the gas B valve, and
The control unit 6 outputs an opening command to the gas B valve after 0.1 [second] has elapsed, and
The gas B valve has been opened in response to an opening command from the control unit 6, and
After the lapse of 0.1 seconds, the gas B valve maintains the open state in response to the opening instruction from the control unit 6,
Is shown. Further, reference numeral 611 indicates, based on step cs2 in the last cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 610),
The control unit 6 outputs a close command to the gas B valve after 0.1 second has passed, and
After 0.1 [second] has elapsed, the valve of the gas B is closed according to the closing command from the control unit 6,
Is shown.

また、符号６１２は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・制御部６が、ガスＡのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部６からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。また、符号６１２は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ３に基づき、
・０．２［秒］経過した後に、制御部６がガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．２［秒］経過した後に、ガスＡのバルブが制御部６からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。 Further, reference numeral 612 is based on step cs2 in the last cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 610),
-The control unit 6 outputs an opening command to the gas A valve, and
The gas A valve has been opened in response to an opening command from the control unit 6,
Is shown. Further, reference numeral 612 is based on step cs3 in the last cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 610),
-After 0.2 seconds, the control unit 6 outputs a close command to the gas A valve, and
After 0.2 seconds, the gas A valve is closed in response to a closing command from the control unit 6.
Is shown.

また、符号６１３は、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルにおけるステップｃｓ３に基づき、
・制御部６が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部６からの開命令に応じて開状態となったこと、
を示している。 Further, reference numeral 613 is based on step cs3 in the last cycle of ALD cycle 1 (reference numeral 610),
-The control unit 6 outputs an opening command to the gas B valve, and
The gas B valve has been opened in response to an opening command from the control unit 6,
Is shown.

また、符号６２２は、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部６が、ガスＢのバルブに開命令を出力したこと、及び、
・ガスＢのバルブが、制御部６から開命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に開状態に動作したこと（開状態に動作すべき本来のタイミングよりも遅れたタイミングで開状態に動作したこと）、
を示している。また、符号６２２は、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ２に基づき、
・０．１［秒］経過した後に、制御部６がガスＢのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・０．１［秒］経過した後に、ガスＢのバルブが制御部６からの閉命令に応じて閉状態となったこと、
を示している。 Further, reference numeral 622 indicates, based on step cs1 in the first cycle of ALD cycle 2 (reference numeral 620),
-The control unit 6 outputs an opening command to the gas B valve, and
-The valve of the gas B has received an open command from the control unit 6, but due to the influence of the task when switching the ALD cycle, it actually operated in the open state after the completion of processing of the task (it operates in the open state. It operated in the open state at a timing later than the original timing that should be)
Is shown. Further, reference numeral 622 indicates, based on step cs2 in the first cycle of ALD cycle 2 (reference numeral 620),
The control unit 6 outputs a close command to the gas B valve after 0.1 second has passed, and
The gas B valve is closed in response to a closing command from the control unit 6 after 0.1 seconds have passed,
Is shown.

ただし、ガスＢのバルブについては、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルの最後のステップｃｓ３を実行した時点で、既に開状態となっている。このため、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルの最初のステップｃｓ１に基づく動作が遅延しても、遅延の影響を受けない。つまり、開状態に動作すべき本来のタイミングで開状態に動作したのと同じ結果となる。 However, the valve of the gas B is already in the open state when the final step cs3 of the final cycle of the ALD cycle 1 (reference numeral 610) is executed. Therefore, even if the operation based on the first step cs1 of the first cycle of the ALD cycle 2 (reference numeral 620) is delayed, it is not affected by the delay. That is, the same result is obtained as if the operation was performed in the open state at the original timing when the operation should be performed in the open state.

また、符号６２１は、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルにおけるステップｃｓ１に基づき、
・制御部６が、ガスＡのバルブに閉命令を出力したこと、及び、
・ガスＡのバルブが、制御部６から閉命令を受けたが、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響により、実際には、タスクの処理完了後に、閉状態に動作したこと（本来の閉状態に動作するタイミングよりも、遅れたタイミングで閉状態に動作したこと）、
を示している。 Further, reference numeral 621 is based on step cs1 in the first cycle of ALD cycle 2 (reference numeral 620),
-The control unit 6 outputs a close command to the gas A valve, and
-The valve of gas A receives a close command from the control unit 6, but due to the influence of the task when switching the ALD cycle, it actually operates in the closed state after completion of the task processing (the original closed state). That it operated in the closed state at a timing later than the timing at which
Is shown.

ただし、ガスＡのバルブについては、ＡＬＤサイクル１（符号６１０）の最後のサイクルの最後のステップｃｓ３を実行した時点で、既に閉状態となっている。このため、ＡＬＤサイクル２（符号６２０）の最初のサイクルの最初のステップｃｓ１に基づく動作が遅延しても、遅延の影響を受けない。つまり、閉状態に動作すべき本来のタイミングで閉状態に動作したのと同じ結果となる。 However, the valve of the gas A is already in the closed state when the final step cs3 of the final cycle of the ALD cycle 1 (reference numeral 610) is executed. Therefore, even if the operation based on the first step cs1 of the first cycle of the ALD cycle 2 (reference numeral 620) is delayed, it is not affected by the delay. That is, the same result is obtained as when the closed state is started at the original timing when the closed state is set.

＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、成膜システム１００では、
・バルブの状態がＡＬＤサイクルの切り替えの前後で維持されるように各ステップが配列されたＡＬＤサイクルを複数含むレシピを制御部に設定する。
・設定されたレシピを実行することで、ＡＬＤサイクルを切り替える際、該ＡＬＤサイクルにおいて制御されるバルブについての切り替え直前の状態が、切り替え直後でも維持されるように、ＡＬＤサイクルの切り替え直後のバルブの状態を制御する。 <Summary>
As is clear from the above description, in the film forming system 100,
Setting a recipe including a plurality of ALD cycles in which each step is arranged so that the state of the valve is maintained before and after the switching of the ALD cycle, in the control unit.
When the ALD cycle is switched by executing the set recipe, the state of the valve controlled in the ALD cycle immediately before the switching is maintained immediately after the switching so that the valve immediately after the switching of the ALD cycle can be maintained. Control the state.

これにより、成膜システム１００によれば、ＡＬＤサイクルを切り替える際に膨大なタスクが発生したことでバルブ動作が遅延した場合でも、遅延の影響を受けることなくレシピに従った処理を実現することができる。 As a result, according to the film forming system 100, even if the valve operation is delayed due to a huge number of tasks occurring when switching the ALD cycle, the process according to the recipe can be realized without being affected by the delay. it can.

つまり、第１の実施形態によれば、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響を低減させる制御方法及び成膜システムを提供することができる。 That is, according to the first embodiment, it is possible to provide the control method and the film forming system that reduce the influence of the task when switching the ALD cycle.

［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、制御部６に対して、図３を用いて説明したような特徴（ＡＬＤサイクルの切り替えの前後で制御対象の状態が維持されるという特徴）を有するレシピを、ユーザが設定するものとして説明した。しかしながら、ユーザは比較例のようなレシピ（図４参照）を入力し、制御部６が、図３に示すレシピを自動生成するように構成してもよい（つまり、制御部６を、レシピを自動生成する生成部として機能させてもよい）。以下、第２の実施形態について、上記第１の実施形態との相違点を中心に説明する。 [Second Embodiment]
In the first embodiment described above, the control unit 6 is provided with a recipe having the characteristics (characteristic that the state of the controlled object is maintained before and after the switching of the ALD cycle) described with reference to FIG. Has been described as being set by. However, the user may input a recipe (see FIG. 4) as in the comparative example, and the control unit 6 may be configured to automatically generate the recipe shown in FIG. It may also function as a generator that automatically generates). Hereinafter, the second embodiment will be described focusing on the differences from the first embodiment.

＜比較例である従来のレシピと制御部６に設定されるレシピとの関係＞
はじめに、比較例である従来のレシピ（例えば、図４の符号４００参照）と、制御部６に設定されるレシピ（例えば、図３の符号２００参照）との関係について説明する。 <Relationship between a conventional recipe as a comparative example and a recipe set in the control unit 6>
First, the relationship between a conventional recipe (for example, reference numeral 400 in FIG. 4) as a comparative example and a recipe set in the control unit 6 (for example, reference numeral 200 in FIG. 3) will be described.

図３と図４との対比から明らかなように、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ１において実行する処理は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理と同じである。ただし、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ１において実行する当該処理の時間は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理の時間の半分である。 As is clear from the comparison between FIG. 3 and FIG. 4, the process executed by the film forming system 100 in step cs1 of “ALD cycle 1” (reference numeral 200) in FIG. 3 is the “ALD cycle 1” shown in FIG. This is the same as the process executed in step cs4 of "(reference numeral 400). However, the time of the process executed by the film forming system 100 in step cs1 of "ALD cycle 1" (reference numeral 200) in FIG. 3 is the same as that in step cs4 of "ALD cycle 1" (reference numeral 400) shown in FIG. It takes half the time to perform the processing.

同様に、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ５において実行する処理は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理と同じである。ただし、成膜システム１００が、図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）のステップｃｓ５において実行する当該処理の時間は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）のステップｃｓ４において実行する処理の時間の半分である。 Similarly, the process performed by the film forming system 100 at step cs5 of "ALD cycle 1" (reference numeral 200) in FIG. 3 is performed at step cs4 of "ALD cycle 1" (reference numeral 400) shown in FIG. The process is the same. However, the time of the process executed by the film forming system 100 in step cs5 of "ALD cycle 1" (reference numeral 200) in FIG. 3 is the same as that in step cs4 of "ALD cycle 1" (reference numeral 400) shown in FIG. It takes half the time to perform the processing.

つまり、制御部６は、図４で示した"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）を、以下の変更手順に従って変更することで、"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）を自動生成する。
・比較例である従来の"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）において所定の順序で配列された複数のステップ（ステップｃｓ１〜ステップｃｓ４）から、最後に配列されたステップｃｓ４を取り出し、
・取り出したステップｃｓ４の処理内容（処理時間）を２つに分割することで、分割後のステップｃｓ１とステップｃｓ５とを生成し、
・比較例である従来の"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）からステップｃｓ４が取り出された後の残りのステップｃｓ１〜ステップｃｓ３の配列の最初と最後に、当該生成したステップｃｓ１とステップｃｓ５とを加え、
・ステップ番号を振り直す（比較例である従来の"ＡＬＤサイクル"（符号４００）のステップｃｓ１〜ｃｓ３をステップｃｓ２〜ｃｓ４にする）。 That is, the control unit 6 automatically generates the "ALD cycle 1" (reference numeral 200) by changing the "ALD cycle 1" (reference numeral 400) shown in FIG. 4 according to the following change procedure.
The last arranged step cs4 is taken out from a plurality of steps (steps cs1 to cs4) arranged in a predetermined order in the conventional "ALD cycle 1" (reference numeral 400) which is a comparative example,
-By dividing the extracted processing content (processing time) of step cs4 into two, step cs1 and step cs5 after the division are generated,
The generated step cs1 and step cs5 at the beginning and at the end of the array of the remaining steps cs1 to cs3 after step cs4 is extracted from the conventional "ALD cycle 1" (reference numeral 400) which is a comparative example In addition,
Reassign step numbers (change steps cs1 to cs3 of the conventional "ALD cycle" (reference numeral 400), which is a comparative example, to steps cs2 to cs4).

このようにして自動生成される図３の"ＡＬＤサイクル１"（符号２００）の各ステップの処理を繰り返し実行した場合の処理内容は、図４の"ＡＬＤサイクル１"（符号４００）の各ステップの処理を繰り返し実行した場合の処理内容と等しくなる。そして、レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、連続するＡＬＤサイクル間において、上述したような特徴をもたせることができる。 When the processing of each step of the "ALD cycle 1" (reference numeral 200) of FIG. 3 automatically generated in this way is repeatedly executed, the processing content is the respective steps of the "ALD cycle 1" (reference numeral 400) of FIG. It becomes the same as the processing content when the processing of is repeatedly executed. Then, among the plurality of ALD cycles included in the recipe, the above-described characteristics can be provided between consecutive ALD cycles.

＜制御部によるレシピ生成処理の流れ＞
図７は、レシピ生成処理の流れを示すフローチャートである。ステップＳ７０１において、制御部６は、各ＡＬＤサイクルの各ステップの処理内容を取得し、レシピを生成する。 <Flow of recipe generation processing by control unit>
FIG. 7 is a flowchart showing the flow of the recipe generation process. In step S701, the control unit 6 acquires the processing content of each step of each ALD cycle and generates a recipe.

ステップＳ７０２において、制御部６は、生成されたレシピの各ＡＬＤサイクルにおいて所定の順序で配列された各ステップのうち、最後のステップを分割し、分割後の第１の分割ステップと、第２の分割ステップとを生成する。 In step S702, the control unit 6 divides the last step among the steps arranged in a predetermined order in each ALD cycle of the generated recipe, and divides the first division step after division and the second division step. Generate the division steps and.

ステップＳ７０３において、制御部６は、生成されたレシピの各ＡＬＤサイクルにおいて所定の順序で配列された各ステップから、最後のステップを取り出した残りのステップの配列の最初と最後に、第１の分割ステップと第２の分割ステップとを加える。 In step S703, the control unit 6 performs the first division at the beginning and the end of the arrangement of the remaining steps from the steps arranged in a predetermined order in each ALD cycle of the generated recipe. Add a step and a second division step.

ステップＳ７０４において、制御部６は、ステップ番号を振り直し、新たなＡＬＤサイクルを含むレシピを再生成する。 In step S704, the control unit 6 reassigns the step number and regenerates a recipe including a new ALD cycle.

＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、成膜システム１００では、比較例のようなレシピをユーザより受け付け、制御部６が、連続するＡＬＤサイクル間において、所定の特徴を有するレシピを再生成する。 <Summary>
As is clear from the above description, in the film forming system 100, the recipe as in the comparative example is received from the user, and the control unit 6 regenerates the recipe having the predetermined feature between consecutive ALD cycles.

これにより、第２の実施形態によれば、ユーザは比較例のようなレシピを入力するだけで、ＡＬＤサイクルを切り替える際に発生するタスクの影響を低減させることが可能なレシピを自動生成することができる。つまり、第２の実施形態よれば、ＡＬＤサイクルを切り替える際のタスクの影響を低減させる制御方法及び成膜システムを提供することができる。 As a result, according to the second embodiment, the user can automatically generate a recipe that can reduce the influence of the task that occurs when switching the ALD cycle, only by inputting the recipe as in the comparative example. You can That is, according to the second embodiment, it is possible to provide the control method and the film forming system that reduce the influence of the task when switching the ALD cycle.

［その他の実施形態］
上記第１及び第２の実施形態では、成膜システム１００においてＡＬＤ法による成膜に用いるガスの供給を制御するバルブを制御対象としたが、制御対象はこれに限定されない。例えば、成膜システム１００において、プラズマを形成するための高周波電源を制御対象としてもよい。 [Other Embodiments]
In the first and second embodiments, the valve that controls the supply of the gas used for film formation by the ALD method in the film forming system 100 is the control target, but the control target is not limited to this. For example, in the film forming system 100, a high frequency power supply for forming plasma may be a control target.

また、上記第１及び第２の実施形態では、成膜システム１００が実行する半導体プロセスとしてＡＬＤサイクルについて説明した。しかしながら、成膜システム１００は、ＡＬＤサイクル以外の半導体プロセスであって、制御対象の状態を高速に制御する半導体プロセスを実行してもよい。 Further, in the first and second embodiments, the ALD cycle has been described as the semiconductor process executed by the film forming system 100. However, the film forming system 100 may execute a semiconductor process other than the ALD cycle, which is a semiconductor process for controlling the state of the controlled object at high speed.

また、上記第１の実施形態では、現在（Ｎ番目）のＡＬＤサイクルから、次（Ｎ＋１番目）のＡＬＤサイクルに切り替えて実行開始するケースについて説明した。しかしながら、現在のＡＬＤサイクルから次のＡＬＤサイクルに切り替えて実行開始するケースに限定されず、（実行中のレシピがなく）新たなレシピについて、１番目のＡＬＤサイクルを実行開始するケースについても同様である。つまり、ＡＬＤサイクルを実行開始することには、次のＡＬＤサイクルを実行開始すること、及び、新たなレシピについて１番目のＡＬＤサイクルを実行開始すること、の両方が含まれるものとする。このように、成膜システム１００では、（実行中のレシピの有無に関わらず）ＡＬＤサイクルの実行開始直前のバルブの状態が、実行開始直後でも維持されるように、ＡＬＤサイクルの実行開始直後のバルブの状態を制御する。更に、上記第１の実施形態では、レシピからレシピへの切り替え時について説明したが、この限りではない。例えば、ＡＬＤではない状態（前処理など）からＡＬＤサイクルのレシピに移行する切り替え時も含まれる。 In the first embodiment, the case has been described in which the current (Nth) ALD cycle is switched to the next (N+1th) ALD cycle and execution is started. However, the present invention is not limited to the case where the current ALD cycle is switched to the next ALD cycle and execution is started, and the same applies to the case where the first ALD cycle is executed for a new recipe (no recipe is being executed). is there. That is, starting the execution of the ALD cycle includes both starting the execution of the next ALD cycle and starting the execution of the first ALD cycle for the new recipe. As described above, in the film forming system 100, the valve state immediately before the execution of the ALD cycle (regardless of the presence of the recipe being executed) is maintained immediately after the execution of the ALD cycle so that the state of the valve immediately before the execution of the ALD cycle is maintained. Control valve status. Furthermore, in the first embodiment described above, switching from recipe to recipe has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it includes the time of switching from the non-ALD state (pretreatment, etc.) to the ALD cycle recipe.

また、上記第２の実施形態では、制御部６が、最後のステップを分割して、分割後の第１の分割ステップと第２の分割ステップを生成する際、処理時間が等しくなるように分割するものとして説明した。しかしながら、制御部６は、第１の分割ステップと第２の分割ステップの処理時間が異なるように分割してもよい（例えば、図６の符号６２０において、ステップｃｓ１とステップｃｓ３とは、処理時間が異なるように分割した場合の一例である）。 Further, in the second embodiment, when the control unit 6 divides the last step and generates the first division step and the second division step after division, the division is performed so that the processing times are equal. I explained it as something to do. However, the control unit 6 may perform division so that the processing times of the first division step and the second division step are different (for example, in the reference numeral 620 in FIG. 6, step cs1 and step cs3 are processing times). Is an example of the case of different division).

また、上記第２の実施形態において説明したレシピ生成処理は一例であり、制御部６は、他のレシピ生成処理に基づいて、レシピを生成してもよい。ただし、制御部６が生成するレシピは、制御対象の状態がＡＬＤサイクルの切り替えの前後で維持されるように各ステップが配列されるものとする。 Further, the recipe generation processing described in the second embodiment is an example, and the control unit 6 may generate the recipe based on another recipe generation processing. However, in the recipe generated by the control unit 6, each step is arranged so that the state of the control target is maintained before and after the switching of the ALD cycle.

また、上記第２の実施形態では、制御部６においてレシピが自動生成されるものとして説明した。しかしながら、レシピの自動生成は、例えば、制御部６とネットワークを介して接続されるサーバ装置（不図示）において実行されてもよい。 Moreover, in the said 2nd Embodiment, the recipe was demonstrated as what the control part 6 automatically produces. However, the automatic generation of the recipe may be executed by, for example, a server device (not shown) connected to the control unit 6 via the network.

また、上記第１の実施形態では、制御部６を一体的に形成するものとして説明したが、制御部６は、別体の複数の装置により形成されてもよい。 Further, in the above-described first embodiment, the control unit 6 is described as being integrally formed, but the control unit 6 may be formed by a plurality of separate devices.

なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。 It should be noted that the present invention is not limited to the configurations shown here, such as the combination of the configurations described in the above embodiments with other elements. These points can be changed without departing from the spirit of the present invention, and can be appropriately determined according to the application form.

６ ：制御部
１００ ：成膜システム 6: Control unit 100: Film forming system

Claims (8)

半導体製造システムの制御方法であって、
予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する状態制御工程、
を有する制御方法。 A method for controlling a semiconductor manufacturing system, comprising:
When starting the execution of a predetermined semiconductor process, the control immediately after the start of the execution of the semiconductor process so that the state immediately before the start of the execution of the controlled object controlled in the semiconductor process is maintained immediately after the start of the execution of the semiconductor process. A state control process for controlling the state of the target,
And a control method. 前記半導体プロセスの処理内容を規定する、複数のＡＬＤサイクルを含むレシピを設定する設定工程を更に有し、
前記状態制御工程は、
Ｎ番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最後の状態が維持されるように、設定された前記レシピに基づいて、Ｎ＋１番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最初の状態を制御する、請求項１に記載の制御方法。 The method further includes a setting step of setting a recipe including a plurality of ALD cycles, which defines processing contents of the semiconductor process,
The state control step,
The first state of the controlled object in the (N+1)th ALD cycle is controlled based on the set recipe so that the last state of the controlled object in the Nth ALD cycle is maintained. The described control method. 前記制御対象は、ＡＬＤ法による成膜に用いるガスの供給を制御するバルブ、または、プラズマを形成するための高周波電源である、請求項２に記載の制御方法。 The control method according to claim 2, wherein the control target is a valve that controls the supply of a gas used for film formation by the ALD method, or a high-frequency power supply for forming plasma. 前記レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを生成する生成工程を更に有し、
前記生成工程は、
所定の順序で配列された複数のステップから、最後に配列されたステップを取り出し、取り出したステップの処理内容を２つに分割することで生成した、分割後の第１のステップ及び第２のステップを、前記最後に配列されたステップが取り出された後の残りの複数のステップの配列の最初と最後に加えることで、前記ＡＬＤサイクルを生成する、
請求項２に記載の制御方法。 Further comprising a generating step of generating a plurality of ALD cycles included in the recipe,
The generation step is
The first step and the second step after the division, which are generated by extracting the last arranged step from the plurality of steps arranged in a predetermined order and dividing the processing content of the extracted step into two. To add to the beginning and end of the sequence of the remaining steps after the last sequenced step is retrieved to generate the ALD cycle,
The control method according to claim 2. 予め定められた半導体プロセスを実行開始する際、該半導体プロセスにおいて制御される制御対象についての実行開始直前の状態が実行開始直後でも維持されるように、前記半導体プロセスの実行開始直後の、前記制御対象の状態を制御する状態制御部
を有する半導体製造システム。 When starting the execution of a predetermined semiconductor process, the control immediately after the start of the execution of the semiconductor process so that the state immediately before the start of the execution of the controlled object controlled in the semiconductor process is maintained immediately after the start of the execution of the semiconductor process. A semiconductor manufacturing system having a state control unit for controlling the state of a target. 前記半導体プロセスの処理内容を規定する、複数のＡＬＤサイクルを含むレシピを設定する設定部を更に有し、
前記状態制御部は、
Ｎ番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最後の状態が維持されるように、設定された前記レシピに基づいて、Ｎ＋１番目のＡＬＤサイクルにおける前記制御対象の最初の状態を制御する、請求項５に記載の半導体製造システム。 Further comprising a setting unit for setting a recipe including a plurality of ALD cycles, which defines processing contents of the semiconductor process,
The state control unit,
The first state of the controlled object in the (N+1)th ALD cycle is controlled based on the set recipe so that the last state of the controlled object in the Nth ALD cycle is maintained. The semiconductor manufacturing system described. 前記制御対象は、ＡＬＤ法による成膜に用いるガスの供給を制御するバルブ、または、プラズマを形成するための高周波電源である、請求項６に記載の半導体製造システム。 The semiconductor manufacturing system according to claim 6, wherein the control target is a valve that controls the supply of a gas used for film formation by the ALD method, or a high frequency power supply for forming plasma. 前記レシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを生成する生成部を更に有し、
前記生成部は、
所定の順序で配列された複数のステップから、最後に配列されたステップを取り出し、取り出したステップの処理内容を２つに分割することで生成した、分割後の第１のステップ及び第２のステップを、前記最後に配列されたステップが取り出された後の残りの複数のステップの配列の最初と最後に加えることで、前記ＡＬＤサイクルを生成する、
請求項６に記載の半導体製造システム。 Further comprising a generation unit for generating a plurality of ALD cycles included in the recipe,
The generator is
The first step and the second step after the division, which are generated by extracting the last arranged step from the plurality of steps arranged in a predetermined order and dividing the processing content of the extracted step into two. To add to the beginning and end of the sequence of the remaining steps after the last sequenced step is retrieved to generate the ALD cycle,
The semiconductor manufacturing system according to claim 6.
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US7273818B2 (en) * 2003-10-20 2007-09-25 Tokyo Electron Limited Film formation method and apparatus for semiconductor process
JP5872028B2 (en) * 2013-09-30 2016-03-01 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP6501560B2 (en) * 2015-03-06 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 Method and apparatus for forming silicon nitride film

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