JP2020117746A - Manufacturing method of alloy ribbon - Google Patents

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Shinichi Hiramatsu
真一 平松
祐 高根沢
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Abstract

To provide a manufacturing method of an alloy ribbon capable of suppressing coarsening of a crystal grain and precipitation of a compound phase.SOLUTION: The manufacturing method of an alloy ribbon according to the present invention comprises a preparatory step of preparing a laminate in which a plurality of amorphous alloy ribbons are laminated, a first heat treatment step of heating the laminate to a first temperature range below a crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbons, a second heat treatment step of heating an end portion of the laminate in a plane direction to a second temperature range of the crystallization start temperature or higher after the first heat treatment step, and a heat radiating step of applying a heat radiating gas to an end face opposite in the plane direction to the end portion of the laminate.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing an alloy ribbon obtained by crystallizing an amorphous alloy ribbon.

従来、アモルファス合金薄帯は軟磁性材料であるため、アモルファス合金薄帯の積層体が、モータやトランス等にコアとして用いられている。そして、アモルファス合金薄帯を加熱することにより結晶化したナノ結晶合金薄帯は、高い飽和磁束密度及び低い保磁力の両立が可能な軟磁性材料であるため、近年、ナノ結晶合金薄帯の積層体が、それらのコアとして用いられている。 Conventionally, since the amorphous alloy ribbon is a soft magnetic material, a laminated body of the amorphous alloy ribbon has been used as a core in a motor, a transformer or the like. Since the nanocrystalline alloy ribbons crystallized by heating the amorphous alloy ribbons are soft magnetic materials capable of achieving both a high saturation magnetic flux density and a low coercive force, in recent years, a stack of nanocrystalline alloy ribbons has been formed. The body is used as their core.

ナノ結晶合金薄帯を得るためにアモルファス合金薄帯を結晶化する時には、結晶化反応により熱が放出されるため、過剰な温度上昇が生じることがある。この結果、結晶粒の粗大化や化合物相の析出が生じることにより、軟磁気特性が劣化することがある。 When the amorphous alloy ribbon is crystallized to obtain the nanocrystalline alloy ribbon, heat is released by the crystallization reaction, which may cause an excessive temperature rise. As a result, the soft magnetic properties may be deteriorated due to coarsening of crystal grains and precipitation of a compound phase.

このような問題に対処するためには、アモルファス合金薄帯を1枚ずつ独立させた状態で加熱して結晶化することにより、放熱性を上げて、結晶化反応による熱の放出による温度上昇の影響を少なくする方法を用いることができるが、1枚ずつの熱処理であるために生産性が低い。 In order to deal with such a problem, by heating and crystallizing the amorphous alloy ribbons one by one independently, the heat dissipation is improved and the temperature rise due to the release of heat by the crystallization reaction is increased. A method of reducing the influence can be used, but the productivity is low because the heat treatment is performed one by one.

そこで、例えば、特許文献1には、アモルファス合金薄帯の積層体を積層方向の両端からプレートで挟んだ状態において、プレートにより積層体を両端から加熱して結晶化する方法において、結晶化反応の放出熱を両端のプレートに吸熱させることにより、温度上昇を抑制する方法が提案されている。 Therefore, for example, in Patent Document 1, in a method in which a laminated body of amorphous alloy ribbons is sandwiched by plates from both ends in the laminating direction and the plates are heated from both ends to be crystallized, a crystallization reaction A method has been proposed in which the temperature rise is suppressed by absorbing the released heat in the plates at both ends.

また、特許文献2には、加熱機を隣接するアモルファス合金薄帯間に挟んで積層体を加熱することによって、加熱時の積層体内の温度分布を調整する方法が記載されている。 Further, Patent Document 2 describes a method of adjusting the temperature distribution in the laminate during heating by heating the laminate by sandwiching a heater between adjacent amorphous alloy ribbons.

特開2017−141508号公報JP, 2017-141508, A 特開2011−165701号公報JP, 2011-165701, A

ところが、特許文献1に提案されている方法では、複数のアモルファス合金薄帯の反応熱を積層方向の両端からプレートに吸熱させるために、積層体の厚さ(積層枚数)がプレートで吸熱できる厚さに制限されることにより、1つの積層体への加熱処理により結晶化できる合金薄帯の数に制限があり、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯を高い生産性で製造することができない。特許文献2に提案されている方法を適用したとしても同様である。 However, in the method proposed in Patent Document 1, since the reaction heat of the plurality of amorphous alloy ribbons is absorbed by the plate from both ends in the stacking direction, the thickness of the stacked body (the number of stacked layers) is a thickness that can be absorbed by the plate. Due to this limitation, there is a limit to the number of alloy ribbons that can be crystallized by heat treatment to one laminated body, and it is possible to produce alloy ribbons obtained by crystallizing an amorphous alloy ribbon with high productivity. Can not. The same is true even if the method proposed in Patent Document 2 is applied.

そこで、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯を高い生産性で製造するために、複数のアモルファス合金薄帯が積層された積層体をアモルファス合金薄帯の結晶化開始温度未満の温度域に均熱した後に、積層体の平面方向の端部を結晶化開始温度以上の温度域に加熱することのみによって、積層体において結晶化反応を平面方向に伝播するように起こして、積層体の全体を結晶化する方法を用いることが提案される。さらに、この方法においては、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に近い部分において、結晶化反応の放出熱による熱溜まりが原因となって、結晶粒の粗大化や化合物相の析出が生じることを抑制するために、積層体の上記端部を加熱後に、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用部材を当て、当該端面から熱を放散させる方法を適用することが提案される。 Therefore, in order to produce an alloy ribbon obtained by crystallizing an amorphous alloy ribbon with high productivity, a laminated body in which a plurality of amorphous alloy ribbons are stacked is placed in a temperature range below the crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbon. After soaking, only by heating the end portion in the plane direction of the laminate to a temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature, the crystallization reaction in the laminate is caused to propagate in the plane direction, and the entire laminate It is proposed to use a method of crystallizing. Further, in this method, in the portion near the end face on the side opposite to the end face in the plane direction in the laminated body, thermal accumulation due to the heat released from the crystallization reaction causes coarsening of crystal grains and compound phase. In order to suppress the occurrence of precipitation of the laminated body, after heating the end portion of the laminated body, a heat dissipation member is applied to the end surface of the laminated body opposite to the end portion in the plane direction to dissipate the heat from the end surface. It is proposed to apply the method.

しかしながら、このように熱を放散させる方法においては、積層体におけるアモルファス合金薄帯の平面方向の寸法にバラツキがあることが原因となり、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用部材を当てたとしても、全ての合金薄帯の端面に放熱用部材を当てることができないため、全ての合金薄帯の端面から熱を放散できないことがある。このため、熱を放散できない合金薄帯の端面に近い部分において、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制できないことがある。 However, in the method of dissipating heat in this way, there is variation in the plane dimension of the amorphous alloy ribbon in the laminate, and the end face on the opposite side in the plane direction from the end portion in the laminate is caused. Even if the heat radiating member is applied, the heat radiating member cannot be applied to the end faces of all the alloy ribbons, so that heat may not be dissipated from the end faces of all the alloy ribbons. For this reason, it may not be possible to suppress coarsening of crystal grains and precipitation of a compound phase in a portion near the end surface of the alloy ribbon in which heat cannot be dissipated.

本発明は、このような点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯の製造方法において、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制することができる合金薄帯の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a point, and the purpose thereof is to provide a method for producing an alloy ribbon in which an amorphous alloy ribbon is crystallized, in which a crystal grain is coarsened or a compound phase is precipitated. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an alloy ribbon that can suppress the above.

上記課題を解決すべく、本発明に係る合金薄帯の製造方法は、複数のアモルファス合金薄帯が積層された積層体を準備する準備工程と、上記積層体を、上記アモルファス合金薄帯の結晶化開始温度未満の第1温度域に加熱する第1熱処理工程と、上記第1熱処理工程後、上記積層体の平面方向の端部を上記結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱する第2熱処理工程と、上記積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用気体を当てる放熱工程と、を備え、上記第1熱処理工程後、上記第2熱処理工程で上記積層体の上記端部を上記第2温度域に加熱することにより結晶化可能な温度域に上記積層体が維持されるように、上記積層体の周囲の雰囲気温度を保持し、上記第1熱処理工程で上記積層体を上記第1温度域に加熱するために必要な熱量をQ1とし、上記第2熱処理工程で上記積層体の上記端部を上記第2温度域に加熱する場合に上記積層体に与える熱量をQ2とし、上記積層体が結晶化する際に放出する熱量をQ3とし、上記積層体の全体を上記結晶化開始温度にするために必要な熱量をQ4とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, the method for producing an alloy ribbon according to the present invention includes a preparatory step of preparing a laminated body in which a plurality of amorphous alloy ribbons are laminated, the laminated body being a crystal of the amorphous alloy ribbon. A first heat treatment step of heating to a first temperature range lower than the crystallization start temperature, and a step of heating the end portion in the plane direction of the laminate to a second temperature range of the crystallization start temperature or higher after the first heat treatment step. A heat treatment step of applying a heat-releasing gas to an end surface of the laminated body opposite to the end portion in the plane direction, the laminated body being subjected to the second heat treatment step after the first heat treatment step. In the first heat treatment step, the ambient temperature around the laminated body is maintained so that the laminated body is maintained in a temperature range in which crystallization is possible by heating the end portion of the laminated body to the second temperature range. The amount of heat required to heat the laminate to the first temperature range is Q1, and the heat is applied to the laminate when the end portion of the laminate is heated to the second temperature range in the second heat treatment step. When the amount of heat is Q2, the amount of heat released when the laminate is crystallized is Q3, and the amount of heat required to bring the entire laminate to the crystallization start temperature is Q4, the following formula (1 ) Is satisfied.

Q1+Q2+Q3≧Q4 (1) Q1+Q2+Q3≧Q4 (1)

なお、本発明に係る合金薄帯の製造方法においては、通常は、積層体が結晶化する際に放出する熱量を用いて積層体の全体を結晶化するために、外部から与える熱量(Q1及びQ2の合計)が、積層体の全体を結晶化開始温度にするために必要な熱量(Q4)を超えることはなく、下記式(2)を満たす。 In addition, in the method for producing an alloy ribbon according to the present invention, usually, in order to crystallize the entire laminated body by using the amount of heat released when the laminated body is crystallized, the amount of heat given from outside (Q1 and The sum of Q2) does not exceed the amount of heat (Q4) required to bring the entire laminated body to the crystallization start temperature, and satisfies the following formula (2).

Q1+Q2<Q4 (2) Q1+Q2<Q4 (2)

本発明によれば、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯の製造方法において、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制することができる。 According to the present invention, coarsening of crystal grains and precipitation of a compound phase can be suppressed in a method for producing an alloy ribbon in which an amorphous alloy ribbon is crystallized.

本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the alloy ribbon which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the alloy ribbon which concerns on this embodiment. 図1及び図2に示される合金薄帯の製造方法での積層体の各アモルファス合金薄帯における各部の温度プロファイルを模式的に示すグラフである。It is a graph which shows typically the temperature profile of each part in each amorphous alloy ribbon of the laminated body in the manufacturing method of the alloy ribbon shown in FIG. 1 and FIG. 従来技術の合金薄帯の製造方法の概略工程図であり、図2(d)に示す概略工程図に対応する図である。It is a schematic process drawing of the manufacturing method of the alloy ribbon of a prior art, and is a figure corresponding to the schematic process drawing shown in FIG.2(d). 本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の他の例における第2熱処理工程及び放熱工程を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows the 2nd heat treatment process and heat dissipation process in the other example of the manufacturing method of the alloy ribbon which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の他の例における第2熱処理工程及び放熱工程を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows the 2nd heat treatment process and heat dissipation process in the other example of the manufacturing method of the alloy ribbon which concerns on this embodiment. 実施例における平面方向の外周側端部を加熱してから52秒経過時における積層体の計算モデルの各位置の温度を画像で示す図である。It is a figure which shows the temperature of each position of the calculation model of a laminated body in an image 52 seconds after heating the outer peripheral side edge part in the plane direction in an Example with an image. 比較例における平面方向の外周側端部を加熱してから20秒経過時及び52秒経過時における積層体の計算モデルの各位置の温度を画像で示す図である。It is a figure which shows the temperature of each position of the calculation model of a laminated body in an image for 20 seconds and 52 seconds after heating the outer peripheral side edge part in the plane direction in a comparative example with an image.

以下、本発明に係る合金薄帯の製造方法の実施形態について説明する。 Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing an alloy ribbon according to the present invention will be described.

本実施形態に係る合金薄帯の製造方法は、複数のアモルファス合金薄帯が積層された積層体を準備する準備工程と、上記積層体を、上記アモルファス合金薄帯の結晶化開始温度未満の第1温度域に加熱する第1熱処理工程と、上記第1熱処理工程後、上記積層体の平面方向の端部を上記結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱する第2熱処理工程と、上記積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用気体を当てる放熱工程と、を備え、上記第1熱処理工程後、上記第2熱処理工程で上記積層体の上記端部を上記第2温度域に加熱することにより結晶化可能な温度域に上記積層体が維持されるように、上記積層体の周囲の雰囲気温度を保持し、上記第1熱処理工程で上記積層体を上記第1温度域に加熱するために必要な熱量をQ1とし、上記第2熱処理工程で上記積層体の上記端部を上記第2温度域に加熱する場合に上記積層体に与える熱量をQ2とし、上記積層体が結晶化する際に放出する熱量をQ3とし、上記積層体の全体を上記結晶化開始温度にするために必要な熱量をQ4とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とする。なお、本実施形態において、「平面方向」とは、積層体の積層方向に垂直な方向を意味する。 The method for manufacturing an alloy ribbon according to the present embodiment, a preparatory step of preparing a laminated body in which a plurality of amorphous alloy ribbons are laminated, the laminate, a first temperature below the crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbon. A first heat treatment step of heating to one temperature range, a second heat treatment step of heating the end portion of the laminate in the plane direction to a second temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature after the first heat treatment step, A heat-dissipating step of applying a heat-dissipating gas to an end surface opposite to the end portion of the laminate in the plane direction, and the end portion of the laminate is formed by the second heat treatment step after the first heat treatment step. The ambient temperature around the laminated body is maintained so that the laminated body is maintained in a temperature range where it can be crystallized by heating to the second temperature range, and the laminated body is subjected to the first heat treatment step in the first heat treatment step. The amount of heat required to heat the laminate to 1 temperature range is Q1, and the amount of heat given to the laminate when heating the end of the laminate to the second temperature range in the second heat treatment step is Q2. When the amount of heat released when the laminated body is crystallized is Q3 and the amount of heat required to bring the entire laminated body to the crystallization start temperature is Q4, the following formula (1) is satisfied. And In the present embodiment, the “planar direction” means the direction perpendicular to the stacking direction of the stacked body.

Q1+Q2+Q3≧Q4 (1) Q1+Q2+Q3≧Q4 (1)

まず、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の一例を説明する。
ここで、図1(a)〜図2(d)は、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の一例を示す概略工程図であり、図2(d)の概略工程図では、加熱炉内における第2熱処理工程及び放熱工程の様子を示した。図3は、図1及び図2に示される合金薄帯の製造方法での積層体の各アモルファス合金薄帯における各部の温度プロファイルを模式的に示すグラフである。図3のグラフには、各アモルファス合金薄帯の平面方向の一方の端面から反対側の端面側に順に離れた1番目、2番目、及び3番目の部分を含む各部の中心位置の温度プロファイルを一部省略して示す。
First, an example of the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present embodiment will be described.
Here, FIG. 1A to FIG. 2D are schematic process diagrams showing an example of the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present embodiment. In the schematic process diagram of FIG. The states of the second heat treatment step and the heat radiation step in the above are shown. FIG. 3 is a graph schematically showing a temperature profile of each part in each amorphous alloy ribbon of the laminated body in the method for manufacturing the alloy ribbon shown in FIGS. 1 and 2. The graph of FIG. 3 shows the temperature profile of the central position of each part including the first, second, and third parts which are sequentially separated from one end face in the plane direction of each amorphous alloy ribbon to the opposite end face side. Partially omitted.

本実施形態の一例では、まず、準備工程において、図1(a)に示されるように、複数のアモルファス合金薄帯2が積層された積層体10を準備する。 In the example of the present embodiment, first, in a preparation step, as shown in FIG. 1A, a laminated body 10 in which a plurality of amorphous alloy ribbons 2 are laminated is prepared.

次に、第1熱処理工程において、図1(b)に示されるように、積層体10を加熱炉20内に移動させて、加熱炉20でアモルファス合金薄帯2の結晶化開始温度未満の第1温度域に加熱する。具体的には、例えば、図3の温度プロファイルに示されるように、積層体10における全てのアモルファス合金薄帯2の全体の温度が第1温度域内となるように、積層体10の全体を均熱する。 Next, in the first heat treatment step, as shown in FIG. 1B, the laminated body 10 is moved into the heating furnace 20, and in the heating furnace 20, the first temperature below the crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbon 2 is obtained. Heat to 1 temperature range. Specifically, for example, as shown in the temperature profile of FIG. 3, the entire laminated body 10 is evened so that the entire temperature of all the amorphous alloy ribbons 2 in the laminated body 10 falls within the first temperature range. heat.

次に、第2熱処理工程において、図2(c)に示されるように、高温熱源30を加熱炉20内に移動させて、図2(d)に示されるように、積層体10の平面方向の一方の端面10Asに高温熱源30の輻射熱を照射する。これにより、図3の温度プロファイルに示されるように、積層体10の全てのアモルファス合金薄帯2において、平面方向の一方の端面から1番目の部分である端部2A以外の部分を結晶化開始温度未満の温度域に維持したまま、平面方向の一方の端部2Aを結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱する。 Next, in the second heat treatment step, as shown in FIG. 2C, the high temperature heat source 30 is moved into the heating furnace 20, and as shown in FIG. The radiant heat of the high temperature heat source 30 is applied to the one end face 10As. As a result, as shown in the temperature profile of FIG. 3, in all the amorphous alloy ribbons 2 of the laminated body 10, the portions other than the end portion 2A which is the first portion from the one end face in the plane direction start to be crystallized. While maintaining the temperature range below the temperature, one end 2A in the plane direction is heated to the second temperature range above the crystallization start temperature.

さらに、放熱工程において、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の端部2Aを第2温度域に加熱した後に、図2(d)に示されるように、加熱炉20内に設置されたファン40の回転により、給気口41から加熱炉20内に取り入れた外気を積層体10における平面方向の一方の端面10Asとは平面方向の反対側の端面10Zsに向けて送り、加熱炉20内の大気を排気口42から排出させる。これにより、放熱用気体50の強制対流を生じさせて、強制対流の放熱用気体50を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに当てる。 Further, in the heat dissipation step, after the end portions 2A of all the amorphous alloy ribbons 2 are heated to the second temperature range in the second heat treatment step, they are installed in the heating furnace 20 as shown in FIG. 2(d). By the rotation of the fan 40, the outside air taken into the heating furnace 20 from the air supply port 41 is sent toward the end surface 10Zs on the opposite side to the one end surface 10As in the plane direction of the laminated body 10, and the heating furnace 20 The air inside is exhausted from the exhaust port 42. As a result, forced convection of the heat radiating gas 50 is generated, and the heat radiating gas 50 of forced convection is applied to the end surface 10Zs of the laminated body 10 on the opposite side in the plane direction.

そして、本実施形態に係る一例においては、第1熱処理工程後、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の一方の端部2Aを第2温度域に加熱することにより結晶化可能な温度域に積層体10の全体が維持されるように、積層体10の周囲の雰囲気温度を保持する。言い換えると、第1熱処理工程後においては、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の一方の端部2Aを第2温度域に加熱することにより積層体10の全体の結晶化が起こり得る温度域に、積層体10の全体が維持されるように、積層体10の周囲の雰囲気温度を保持する。 Then, in an example according to the present embodiment, after the first heat treatment step, one end 2A in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 is crystallized by heating to the second temperature range in the second heat treatment step. The ambient temperature around the laminated body 10 is maintained so that the entire laminated body 10 is maintained in a possible temperature range. In other words, after the first heat treatment step, in the second heat treatment step, one end 2A in the plane direction of all of the amorphous alloy ribbons 2 is heated to the second temperature range to crystallize the entire laminated body 10. The ambient temperature around the laminated body 10 is maintained so that the entire laminated body 10 is maintained in a temperature range in which the above may occur.

また、第1熱処理工程で積層体10の全体を第1温度域に加熱するために必要な熱量をQ1とし、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の一方の端部2Aを第2温度域に加熱する場合に積層体10に与える熱量をQ2とし、積層体10が結晶化する際に放出する熱量をQ3とし、積層体10の全体を結晶化開始温度にするために必要な熱量をQ4とした場合に、下記式(1)を満たす。 Further, the amount of heat required to heat the entire laminated body 10 to the first temperature range in the first heat treatment step is Q1, and one end 2A in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 in the second heat treatment step. In order to bring the entire laminated body 10 to the crystallization start temperature, let Q2 be the amount of heat given to the laminated body 10 when heating the laminated body 10 to the second temperature range, and let Q3 be the amount of heat released when the laminated body 10 is crystallized. When the required amount of heat is Q4, the following formula (1) is satisfied.

Q1+Q2+Q3≧Q4 (1) Q1+Q2+Q3≧Q4 (1)

本実施形態に係る一例によれば、上記のように第2熱処理工程により、全てのアモルファス合金薄帯2において、平面方向の一方の端部2Aを結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱することによって、図2(d)に示されるように、端部2Aを結晶化する。この時、端部2Aは結晶化反応による熱を放出する。当該放出熱は、全てのアモルファス合金薄帯2において、結晶化反応後の温度が高い端部2Aから温度が低い平面方向の一方の端面から2番目の部分2Bに移動する。そして、上記のように積層体10の周囲の雰囲気温度が保持され、かつ上記式(1)が満たされているため、2番目の部分2Bが、主に当該放出熱で加熱されることにより、図3の温度プロファイルに示されるように第2温度域となる。これにより、2番目の部分2Bが、図2(d)に示されるように、結晶化するとともに結晶化反応による熱を放出する。同様に、全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の一方の端面から3番目の部分2Cが、主に当該放出熱で加熱されることにより、図3の温度プロファイルに示されるように第2温度域となる。これにより、3番目の部分2Cが、図2(d)に示されるように、結晶化するとともに結晶化反応による熱を放出する。 According to the example of the present embodiment, one end 2A in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 is heated to the second temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature by the second heat treatment step as described above. By doing so, as shown in FIG. 2D, the end 2A is crystallized. At this time, the end portion 2A releases heat due to the crystallization reaction. In all the amorphous alloy ribbons 2, the released heat moves from the end portion 2A having a high temperature after the crystallization reaction to the second portion 2B from the one end surface in the plane direction where the temperature is low. Then, as described above, since the ambient temperature around the laminated body 10 is maintained and the above expression (1) is satisfied, the second portion 2B is mainly heated by the emitted heat, As shown in the temperature profile of FIG. 3, it is in the second temperature range. As a result, the second portion 2B crystallizes and releases heat due to the crystallization reaction, as shown in FIG. 2(d). Similarly, the third portion 2C from the one end face in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 is heated mainly by the emitted heat, so that the second temperature as shown in the temperature profile of FIG. It becomes an area. As a result, the third portion 2C crystallizes and releases heat due to the crystallization reaction, as shown in FIG. 2(d).

このような結晶化反応及びそれによる熱の放出は、図2(d)に示されるように、全てのアモルファス合金薄帯2における平面方向の一方の端部2Aから平面方向の反対側の端部2Zまで伝播するように繰り返し起こる。よって、第1熱処理工程で積層体10を第1温度域に加熱した後に、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の一方の端部2Aを第2温度域に加熱することのみによって、積層体10の全てのアモルファス合金薄帯2の全体を結晶化し、ナノ結晶合金薄帯を製造することができる。この際には、積層体10の厚さ(積層枚数)は特に限定されない。 As shown in FIG. 2D, the crystallization reaction and the heat release due to the crystallization reaction occur in all the amorphous alloy ribbons 2 from one end portion 2A in the plane direction to the other end portion in the plane direction. Repeatedly propagates up to 2Z. Therefore, after heating the laminated body 10 to the first temperature range in the first heat treatment step, one end 2A in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 is heated to the second temperature range in the second heat treatment step. Only by itself, all the amorphous alloy ribbons 2 of the laminated body 10 can be crystallized to produce a nanocrystalline alloy ribbon. At this time, the thickness of the laminated body 10 (the number of laminated layers) is not particularly limited.

さらに、本実施形態に係る一例によれば、上記のように、放熱工程において、強制対流の放熱用気体50を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに当てることにより、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制することができる。以下、これについて詳細に説明する。 Further, according to the example of the present embodiment, as described above, in the heat dissipation step, the forced convection heat dissipation gas 50 is applied to the end surface 10Zs of the laminated body 10 on the opposite side in the plane direction, whereby the crystal grains become coarse. Formation and the precipitation of the compound phase can be suppressed. Hereinafter, this will be described in detail.

ここで、従来技術の合金薄帯の製造方法について、本実施形態に係る一例と相違する点を説明する。図4は、従来技術の合金薄帯の製造方法の概略工程図であり、図2(d)に示す概略工程図に対応する図である。 Here, the difference between the conventional method for producing an alloy ribbon and the example according to the present embodiment will be described. FIG. 4 is a schematic process diagram of a conventional method for manufacturing an alloy ribbon, and is a diagram corresponding to the schematic process diagram shown in FIG.

従来技術の合金薄帯の製造方法においては、図4に示されるように、放熱工程において、強制対流の放熱用気体ではなく放熱用部材60を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに当てる。この場合には、図4に示されるように、積層体10におけるアモルファス合金薄帯2の平面方向の寸法にバラツキがあることが原因となり、放熱用部材60を全てのアモルファス合金薄帯2における平面方向の一方の端部2Aとは平面方向の反対側の端面2Zsに当てることができないため、全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsから熱を放散できないことがある。 In the conventional method for manufacturing an alloy ribbon, as shown in FIG. 4, in the heat dissipation step, the heat dissipation member 60 is not the forced convection heat dissipation gas but the end surface 10Zs on the opposite side in the plane direction of the laminate 10. Hit In this case, as shown in FIG. 4, the dimension of the amorphous alloy ribbon 2 in the laminated body 10 in the plane direction varies, and the heat dissipation member 60 is arranged in the plane of all the amorphous alloy ribbons 2. Since the end surface 2Zs on the side opposite to the one end 2A in the direction cannot be applied to the end surface 2Zs, heat may not be dissipated from the end surface 2Zs on the side opposite to the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2.

従って、従来技術の合金薄帯の製造方法では、熱を放散できないアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsに近い部分において、結晶化反応による放出熱を原因とする熱溜まり、すなわち、周囲よりも高温の箇所が生じ、条件次第で化合物相析出開始温度を超える温度になる。このため、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を起こることがある。 Therefore, according to the method for manufacturing an alloy ribbon of the prior art, in the portion near the end surface 2Zs on the opposite side in the plane direction of the amorphous alloy ribbon 2 where heat cannot be dissipated, a heat pool due to the heat released by the crystallization reaction, that is, , A temperature higher than the surroundings is generated, and the temperature exceeds the compound phase precipitation start temperature depending on the conditions. Therefore, coarsening of crystal grains and precipitation of compound phase may occur.

これに対し、本実施形態に係る一例において、放熱工程で強制対流の放熱用気体50を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに当てる場合には、図2(d)に示されるように、積層体10におけるアモルファス合金薄帯2の平面方向の寸法にバラツキがあったとしても、強制対流の放熱用気体50を全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsに当てることができる。このため、全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsから熱を放散できる。 On the other hand, in an example according to the present embodiment, when the heat radiating gas 50 of forced convection is applied to the end surface 10Zs on the opposite side in the plane direction of the laminated body 10 in the heat radiating step, as shown in FIG. In addition, even if the dimension of the amorphous alloy ribbon 2 in the laminated body 10 in the plane direction varies, the radiating gas 50 of forced convection is applied to the end surface 2Zs of all the amorphous alloy ribbons 2 on the opposite side in the plane direction. be able to. Therefore, heat can be dissipated from the end faces 2Zs of all the amorphous alloy ribbons 2 on the opposite side in the plane direction.

従って、本実施形態に係る一例では、全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsに近い部分において、結晶化反応による放出熱を原因とする熱溜まりが生じることを抑制できる。これにより、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制できる。 Therefore, in the example according to the present embodiment, it is possible to suppress the generation of heat pools due to the heat released due to the crystallization reaction in the portion close to the end surface 2Zs on the opposite side in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2. Thereby, coarsening of crystal grains and precipitation of compound phase can be suppressed.

以上のように、本実施形態によれば、第1熱処理工程で複数のアモルファス合金薄帯が積層された積層体をアモルファス合金薄帯の結晶化開始温度未満の第1温度域に加熱した後に、第2熱処理工程で積層体の平行方向の端部を結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱することにより、積層体を結晶化しようとする場合に、放熱用気体を当てる放熱工程によって、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に近い部分において、熱溜まりが生じることを抑制して、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制することができる。すなわち、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯を高い生産性で製造する場合に、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制することができる。 As described above, according to the present embodiment, after heating the laminated body in which the plurality of amorphous alloy ribbons are laminated in the first heat treatment step to the first temperature range below the crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbons, In the second heat treatment step, by heating the end portion of the laminated body in the parallel direction to the second temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature, when the laminated body is going to be crystallized, the heat dissipation step of applying a heat dissipation gas causes It is possible to suppress the occurrence of heat accumulation in a portion near the end surface on the side opposite to the above-mentioned end portion in the laminated body, and to suppress the coarsening of crystal grains and the precipitation of the compound phase. That is, when an alloy ribbon obtained by crystallizing an amorphous alloy ribbon is manufactured with high productivity, coarsening of crystal grains and precipitation of a compound phase can be suppressed.

続いて、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法について、その条件を中心に詳細に説明する。 Next, the method for manufacturing the alloy ribbon according to this embodiment will be described in detail focusing on the conditions.

1.準備工程
準備工程においては、複数のアモルファス合金薄帯が積層された積層体を準備する。
1. Preparation Step In the preparation step, a laminated body in which a plurality of amorphous alloy ribbons are laminated is prepared.

アモルファス合金薄帯の材質は、アモルファス合金であれば特に限定されないが、例えば、Fe基アモルファス合金、Ni基アモルファス合金、Co基アモルファス合金等が挙げられる。中でもFe基アモルファス合金等が好ましい。ここで、「Fe基アモルファス合金」とは、Feを主成分とし、例えば、B、Si、C、P、Cu、Nb、Zr等の不純物を含有するものを意味する。「Ni基アモルファス合金」とは、Niを主成分とするものを意味する。「Co基アモルファス合金」とは、Coを主成分とするものを意味する。 The material of the amorphous alloy ribbon is not particularly limited as long as it is an amorphous alloy, and examples thereof include a Fe-based amorphous alloy, a Ni-based amorphous alloy, and a Co-based amorphous alloy. Of these, Fe-based amorphous alloys and the like are preferable. Here, the "Fe-based amorphous alloy" means an alloy containing Fe as a main component and containing impurities such as B, Si, C, P, Cu, Nb, and Zr. “Ni-based amorphous alloy” means an alloy containing Ni as a main component. The “Co-based amorphous alloy” means an alloy containing Co as a main component.

Fe基アモルファス合金としては、例えば、Feの含有量が84原子%以上の範囲内であるものが好ましく、中でもFeの含有量がより多いものが好ましい。Feの含有量により、アモルファス合金薄帯を結晶化した合金薄帯の磁束密度が変わるからである。 As the Fe-based amorphous alloy, for example, one having a Fe content in the range of 84 atomic% or more is preferable, and one having a larger Fe content is preferable. This is because the magnetic flux density of the alloy ribbon obtained by crystallizing the amorphous alloy ribbon changes depending on the Fe content.

アモルファス合金薄帯の形状は、特に限定されないが、例えば、単純な矩形や円形の他、モータやトランス等の部品に用いられるコア(ステータコアやロータコア等)に用いられる合金薄帯の形状等が挙げられる。例えば、材質がFe基アモルファス合金である場合には、矩形のアモルファス合金薄帯のサイズ(縦×横)は、例えば、100mm×100mmであり、円形のアモルファス合金薄帯の直径は、例えば、150mmである。 The shape of the amorphous alloy ribbon is not particularly limited, but examples thereof include simple rectangular and circular shapes, and the shape of the alloy ribbon used for cores (stator core, rotor core, etc.) used in parts such as motors and transformers. To be For example, when the material is an Fe-based amorphous alloy, the size (length×width) of the rectangular amorphous alloy ribbon is, for example, 100 mm×100 mm, and the diameter of the circular amorphous alloy ribbon is, for example, 150 mm. Is.

アモルファス合金薄帯の厚さは、特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、10μm以上100μm以下の範囲内であり、中でも20μm以上50μm以下の範囲内が好ましい。 The thickness of the amorphous alloy ribbon is not particularly limited, but varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, is in the range of 10 μm or more and 100 μm or less, and particularly 20 μm or more and 50 μm. The following range is preferable.

アモルファス合金薄帯の積層枚数は、特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、500枚以上10000枚以下が好ましい。少な過ぎると、ナノ結晶合金薄帯を高い生産性で製造できなくなるからであり、多過ぎると、搬送等が大変となり扱いが困難となるからである。 The number of laminated amorphous alloy ribbons is not particularly limited, but varies depending on the material of the amorphous alloy ribbons, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, 500 sheets or more and 10000 sheets or less is preferable. This is because if the amount is too small, the nanocrystalline alloy ribbon cannot be produced with high productivity, and if the amount is too large, the transportation becomes difficult and the handling becomes difficult.

積層体の厚さは、特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、1mm以上150mm以下が好ましい。薄過ぎると、ナノ結晶合金薄帯を高い生産性で製造できなくなるからであり、厚過ぎると、搬送等が大変となり扱いが困難となるからである。 The thickness of the laminated body is not particularly limited, but varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, 1 mm or more and 150 mm or less is preferable. This is because if it is too thin, the nanocrystalline alloy ribbon cannot be produced with high productivity, and if it is too thick, it becomes difficult to handle because it becomes difficult to carry.

2.第1熱処理工程
第1熱処理工程においては、上記積層体を、上記アモルファス合金薄帯の結晶化開始温度未満の第1温度域に加熱する。具体的には、例えば、積層体における全てのアモルファス合金薄帯の全体の温度が第1温度域となるように、積層体の全体を均熱する。
2. First heat treatment step In the first heat treatment step, the laminated body is heated to a first temperature range below the crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbon. Specifically, for example, the entire laminated body is soaked that the temperature of all the amorphous alloy ribbons in the laminated body falls within the first temperature range.

本発明において、「結晶化開始温度」とは、アモルファス合金薄帯を加熱した場合にその結晶化が開始する温度を意味する。アモルファス合金薄帯の結晶化とは、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、微細なbccFe結晶を析出させることを意味する。結晶化開始温度は、アモルファス合金薄帯の材質等及び加熱速度によって異なり、加熱速度が大きいと結晶化開始温度は高くなる傾向があるが、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、350℃〜500℃の範囲内となる。 In the present invention, the “crystallization start temperature” means the temperature at which crystallization starts when the amorphous alloy ribbon is heated. The crystallization of the amorphous alloy ribbon depends on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, it means, for example, to precipitate fine bccFe crystals. The crystallization start temperature varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon and the heating rate. If the heating rate is high, the crystallization start temperature tends to increase. However, in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, 350° C. Within the range of up to 500°C.

第1温度域は、例えば、積層体が第1温度域に維持された状態において、積層体の平行方向の端部を結晶化開始温度以上の後述する第2温度域に加熱することにより、積層体の全体を結晶化できるような温度域である。 The first temperature range is, for example, a state in which the stacked body is maintained in the first temperature range, by heating the end portions in the parallel direction of the stacked body to a second temperature range to be described later that is equal to or higher than the crystallization start temperature. It is a temperature range where the whole body can be crystallized.

第1温度域は、特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、結晶化開始温度−100℃以上結晶化開始温度未満の範囲内が好ましい。低過ぎると、第2熱処理工程により積層体の全体を結晶化できないおそれがあるからである。また、高過ぎると、第2熱処理工程により積層体で結晶粒の粗大化や化合物相の析出が生じるおそれがあるからであり、合金薄帯の材質のバラツキによっては第1熱処理工程により一部で結晶化が開始するおそれがあるからである。 The first temperature range is not particularly limited, but varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, a range of crystallization start temperature −100° C. or more and less than the crystallization start temperature is preferable. This is because if it is too low, the entire laminated body may not be crystallized by the second heat treatment step. On the other hand, if it is too high, the second heat treatment step may cause coarsening of crystal grains and precipitation of compound phase in the laminated body. This is because crystallization may start.

積層体を、第1温度域に加熱する方法は、特に限定されないが、加熱炉内で加熱する方法でもよいし、大気雰囲気中で誘導加熱により加熱する方法でもよい。 The method of heating the laminate to the first temperature range is not particularly limited, but may be a method of heating in a heating furnace or a method of heating by induction heating in an air atmosphere.

3.第2熱処理工程
第2熱処理工程においては、上記第1熱処理工程後、上記積層体の平面方向の端部を上記結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱する。具体的には、第1熱処理工程後、積層体の上記平面方向の端部以外の部分を結晶化開始温度未満の温度域に維持したまま、積層体の上記平面方向の端部を結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱し、第2温度域において結晶化に必要な時間保持することにより、積層体の上記平面方向の端部のアモルファス合金を結晶化してナノ結晶合金にする。
3. Second heat treatment step In the second heat treatment step, after the first heat treatment step, the end portion in the plane direction of the stacked body is heated to a second temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature. Specifically, after the first heat treatment step, crystallization of the end portion of the laminated body in the plane direction is started while maintaining a portion other than the end portion of the laminated body in the plane direction in a temperature range lower than the crystallization start temperature. By heating to a second temperature range equal to or higher than the temperature and holding in the second temperature range for a time required for crystallization, the amorphous alloy at the end portion in the plane direction of the laminate is crystallized into a nanocrystalline alloy.

積層体の平面方向の端部は、特に限定されないが、例えば、積層体の全てのアモルファス合金薄帯の平面方向の一方の端部等が挙げられる。 The end portion of the laminated body in the plane direction is not particularly limited, and examples thereof include one end portion of all the amorphous alloy ribbons of the laminated body in the plane direction.

第2温度域は、特に限定されないが、化合物相析出開始温度未満の温度域であることが好ましい。化合物相の析出を抑制できるからである。本発明において、「化合物相析出開始温度」とは、例えば、結晶化開始温度以上となったアモルファス合金薄帯をさらに加熱した場合に化合物相の析出が開始する温度を意味する。また、「化合物相」とは、例えば、Fe基アモルファス合金である場合におけるFe−B、Fe−P等の化合物相のような、結晶化後のアモルファス合金薄帯をさらに加熱した場合に析出し、結晶粒が粗大化する場合よりも顕著に軟磁気特性を劣化させる化合物相を意味する。 The second temperature range is not particularly limited, but is preferably a temperature range below the compound phase precipitation start temperature. This is because precipitation of the compound phase can be suppressed. In the present invention, the "compound phase precipitation start temperature" means, for example, the temperature at which the precipitation of the compound phase starts when the amorphous alloy ribbon having the crystallization start temperature or higher is further heated. Further, the "compound phase" is, for example, a compound phase such as Fe-B or Fe-P in the case of an Fe-based amorphous alloy, which precipitates when the amorphous alloy ribbon after crystallization is further heated. , Means a compound phase that significantly deteriorates the soft magnetic properties as compared with the case where the crystal grains become coarse.

第2温度域は、特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、結晶化開始温度以上結晶化開始温度+150℃未満の範囲内が好ましく、中でも結晶化開始温度+100℃以上結晶化開始温度+120℃未満の範囲内又は結晶化開始温度+30℃以上結晶化開始温度+80℃未満の範囲内が好ましい。低過ぎると、積層体の全体を結晶化できないおそれがあり、高過ぎると、積層体で結晶粒の粗大化や化合物相の析出が生じるおそれがあるからである。 The second temperature range is not particularly limited, but varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, is preferably within a range from the crystallization start temperature to the crystallization start temperature +150°C. Among them, the crystallization start temperature +100°C or higher and the crystallization start temperature +120°C or lower or the crystallization start temperature +30°C or higher and the crystallization start temperature +80°C or lower are preferable. If it is too low, the entire laminate may not be crystallized, and if it is too high, coarsening of crystal grains and precipitation of compound phase may occur in the laminate.

積層体の平面方向の端部を第2温度域に加熱する方法としては、積層体の平面方向の端部のアモルファス合金を結晶化できれば特に限定されないが、例えば、図2(d)に示される例のように、積層体の平面方向の端面に、例えば、ランプ等の高温熱源の輻射熱を照射する方法の他、積層体の平面方向の端面に、例えば、熱伝導率の良い銅等の高温プレート、塩浴等の高温の液体、ヒータ、高周波等の高温熱源を接触させる方法等が挙げられる。 The method of heating the end of the laminate in the plane direction to the second temperature range is not particularly limited as long as the amorphous alloy at the end of the laminate in the plane direction can be crystallized. For example, the method shown in FIG. As an example, other than the method of irradiating radiant heat of a high-temperature heat source such as a lamp on the end face in the plane direction of the laminate, the end face in the plane direction of the laminate, for example, a high temperature such as copper having good thermal conductivity. Examples include a method in which a high temperature liquid such as a plate and a salt bath, a heater, and a high temperature heat source such as a high frequency are brought into contact with each other.

積層体の平面方向の端面に高温熱源の輻射熱を照射する方法は、積層体の平面方向の端部を第2温度域に加熱して、結晶化に必要な時間だけ保持できれば特に限定されないが、例えば、化合物相の析出及び結晶粒の粗大化を生じさせずに、積層体の全体を結晶化することができるように、合金薄帯のサイズ等に応じて照射時間や照射面積等を適宜設定することができる。また、積層体の平面方向の端面に高温熱源を接触させる方法も、積層体の端部を第2温度域に加熱して、結晶化に必要な時間だけ保持できれば特に限定されないが、例えば、化合物相の析出及び結晶粒の粗大化を生じさせずに、積層体の全体を結晶化することができるように、合金薄帯のサイズ等に応じて接触時間や接触面積等を適宜設定することができる。 The method of irradiating the radiant heat of the high-temperature heat source to the end face in the plane direction of the laminate is not particularly limited as long as the end portion in the plane direction of the laminate is heated to the second temperature range and can be held only for the time required for crystallization, For example, the irradiation time and the irradiation area are appropriately set according to the size of the alloy ribbon so that the entire laminated body can be crystallized without causing precipitation of the compound phase and coarsening of the crystal grains. can do. Further, the method of bringing a high-temperature heat source into contact with the end surface of the laminate in the planar direction is not particularly limited as long as the end portion of the laminate can be heated to the second temperature range and can be held for a time necessary for crystallization. It is possible to appropriately set the contact time, the contact area, etc. depending on the size of the alloy ribbon so that the entire laminate can be crystallized without causing the precipitation of phases and the coarsening of crystal grains. it can.

4.放熱工程
放熱工程においては、上記積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用気体を当てる。具体的には、積層体における第2熱処理工程で加熱する端部とは平面方向の反対側の端面に強制対流の放熱用気体を当てる。これにより、積層体における当該端面から熱を放散させることによって、積層体における当該端面に近い部分において、結晶化反応による放出熱を原因とする熱溜まりを抑制して、結晶粒の粗大化及び化合物相の析出を抑制する。
4. Heat Dissipating Step In the heat dissipating step, heat radiating gas is applied to the end surface of the laminate, which is opposite to the end in the plane direction. Specifically, forced convection heat-radiating gas is applied to the end surface of the laminated body, which is opposite to the end portion heated in the second heat treatment step in the plane direction. Thereby, by dissipating the heat from the end face of the laminate, the heat accumulation due to the heat released by the crystallization reaction is suppressed in the portion near the end face of the laminate, and the coarsening of the crystal grains and the compound are suppressed. Suppress the precipitation of phases.

放熱工程は、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用気体を当てる工程であれば特に限定されず、第2熱処理工程で積層体の上記端部を第2温度域に加熱する前に、上記端面に放熱用気体を当てる工程でもよいし、第2熱処理工程で積層体の上記端部を第2温度域に加熱した後に、上記端面に放熱用気体を当てる工程でもよいが、通常は、図2(d)に示される例のように、第2熱処理工程で積層体の上記端部を第2温度域に加熱した後に、上記端面に放熱用気体を当てる工程となる。熱溜まりを効果的に抑制できるからである。 The heat radiating step is not particularly limited as long as it is a step of applying a heat radiating gas to the end surface of the laminated body on the opposite side to the end surface in the plane direction. In the step of applying a heat-releasing gas to the end surface before heating to, or in the step of applying the heat-releasing gas to the end surface after heating the end of the laminate to the second temperature range in the second heat treatment step. Although it is good, normally, as in the example shown in FIG. 2D, a step of applying a heat-releasing gas to the end face after heating the end portion of the laminate to the second temperature range in the second heat treatment step. Become. This is because heat accumulation can be effectively suppressed.

ここで、図5及び図6は、それぞれ、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の他の例における第2熱処理工程及び放熱工程を示す概略工程図であり、図2(d)に示す概略工程図に対応する図である。以下、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法の他の例について、上記の本実施形態に係る一例と相違する点を説明する。 Here, FIG. 5 and FIG. 6 are schematic process diagrams showing a second heat treatment process and a heat dissipation process in another example of the method for manufacturing an alloy ribbon according to the present embodiment, respectively, and are shown in FIG. It is a figure corresponding to a schematic process drawing. Hereinafter, with respect to another example of the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present embodiment, the points different from the above-described example according to the present embodiment will be described.

図5に示される本実施形態に係る他の例においては、放熱工程において、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の端部2Aを第2温度域に加熱した後に、放射温度計43で全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsの温度を測定し、制御部44によって、測定温度に基づいてアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsに近い部分における結晶化反応による放出熱の発生を検知した場合に、加熱炉20内のファン40を駆動部45で回転させる。このようにして、加熱炉20内の大気を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに向けて送り、加熱炉20内で還流させる。これにより、放熱用気体50の強制対流を生じさせて、強制対流の放熱用気体50を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに当てる。 In another example according to this embodiment shown in FIG. 5, in the heat dissipation step, the radiation thermometer 43 is used after the end portions 2A of all the amorphous alloy ribbons 2 are heated to the second temperature range in the second heat treatment step. The temperature of the end face 2Zs on the opposite side in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 is measured by the control unit 44, and the portion close to the end face 2Zs on the opposite side in the plane direction of the amorphous alloy ribbon 2 is controlled by the control unit 44. The fan 40 in the heating furnace 20 is rotated by the drive unit 45 when the generation of heat release due to the crystallization reaction in is detected. In this way, the atmosphere in the heating furnace 20 is sent toward the end surface 10Zs on the side opposite to the plane direction of the laminated body 10 and is recirculated in the heating furnace 20. As a result, forced convection of the heat radiating gas 50 is generated, and the heat radiating gas 50 of forced convection is applied to the end surface 10Zs of the laminated body 10 on the opposite side in the plane direction.

図6に示される本実施形態に係る他の例においては、放熱工程において、第2熱処理工程で全てのアモルファス合金薄帯2の端部2Aを第2温度域に加熱した後に、放射温度計43で全てのアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsの温度を測定し、制御部44によって、測定温度に基づいてアモルファス合金薄帯2の平面方向の反対側の端面2Zsに近い部分における結晶化反応による放出熱の発生を検知した場合に、加熱炉20内で回転中のファン40の送風を遮蔽するシャッター46を駆動部47で破線に示されるように開く。このようにして、給気口41から加熱炉20内に取り入れた外気を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに向けて送り、加熱炉20内の大気を排気口42から排出させる。これにより、放熱用気体50の強制対流を生じさせて、強制対流の放熱用気体50を積層体10の平面方向の反対側の端面10Zsに当てる。 In another example according to this embodiment shown in FIG. 6, in the heat dissipation step, the radiation thermometer 43 is used after the end portions 2A of all the amorphous alloy ribbons 2 are heated to the second temperature range in the second heat treatment step. The temperature of the end face 2Zs on the opposite side in the plane direction of all the amorphous alloy ribbons 2 is measured by the control unit 44, and the portion close to the end face 2Zs on the opposite side in the plane direction of the amorphous alloy ribbon 2 is controlled by the control unit 44. When the release heat generated by the crystallization reaction is detected, the shutter 46 that shields the air blown by the fan 40 rotating in the heating furnace 20 is opened by the drive unit 47 as indicated by the broken line. In this way, the outside air taken into the heating furnace 20 from the air supply port 41 is sent toward the end surface 10Zs on the opposite side of the laminate 10 in the plane direction, and the atmosphere in the heating furnace 20 is discharged from the exhaust port 42. As a result, forced convection of the heat radiating gas 50 is generated, and the heat radiating gas 50 of forced convection is applied to the end surface 10Zs of the laminated body 10 on the opposite side in the plane direction.

放熱工程としては、例えば、図5及び図6に示される放熱工程のように、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面の温度を測定し、測定温度に基づいて積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に近い部分での結晶化反応による放出熱の発生を検知した場合に、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用気体を当てる工程が好ましい。積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に近い部分で結晶化反応が起こる前から当該端面に放熱用気体を当てることになる結果、積層体の温度が不要に低下し、積層体が結晶化できなくなることを抑制できるからである。 As the heat radiating step, for example, like the heat radiating step shown in FIGS. 5 and 6, the temperature of the end surface of the laminated body on the side opposite to the end in the plane direction is measured, and the temperature of the laminated body is measured based on the measured temperature. When the generation of heat release due to a crystallization reaction in a portion near the end surface on the opposite side to the plane direction from the end portion is detected, a heat-releasing gas is formed on the end surface on the opposite side to the end portion in the plane direction of the laminate. The step of applying is preferred. As a result of applying a heat-releasing gas to the end face before the crystallization reaction occurs in a portion close to the end face on the side opposite to the end face in the laminate, the temperature of the laminate unnecessarily decreases, This is because it is possible to prevent the body from being unable to crystallize.

放熱用気体の温度としては、アモルファス合金薄帯の端面から熱を放散することにより、結晶粒の粗大化や化合物相の析出を抑制できる温度であれば特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、結晶化開始温度未満の範囲内であり、中でも結晶化開始温度−320℃以上結晶化開始温度未満の範囲内が好ましく、特に結晶化開始温度−220℃以上結晶化開始温度−120℃未満の範囲内が好ましい。これらの下限以上であることにより、積層体の温度が低下し、積層体が結晶化できなくなることを抑制でき、これらの上限未満であることにより、熱を効果的に放散できるからである。 The temperature of the heat radiating gas is not particularly limited as long as it is a temperature that can suppress the coarsening of crystal grains and the precipitation of the compound phase by radiating heat from the end face of the amorphous alloy ribbon, but the material of the amorphous alloy ribbon In the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, it is preferably in the range below the crystallization start temperature, more preferably in the range below the crystallization start temperature −320° C. and below the crystallization start temperature, and especially crystallization. It is preferable that the starting temperature is −220° C. or higher and the crystallization starting temperature is lower than −120° C. It is because when it is at least the lower limit, it is possible to prevent the temperature of the laminated body from being lowered and the laminated body cannot be crystallized, and when it is less than the upper limit, heat can be effectively dissipated.

放熱用気体を積層体の端面に当てる方法は、全てのアモルファス合金薄帯の端面から熱を放散できる法であれば、特に限定されないが、例えば、図2(d)及び図6に示される放熱工程のように、給気口から加熱炉内に取り入れた外気を積層体における平面方向の一方の端面とは平面方向の反対側の端面に向けて送り、加熱炉内の大気を排気口から排出させることで生じさせた強制対流の放熱用気体を当てる方法でもよい。熱を効果的に放散できるからである。また、図5に示される放熱工程のように、加熱炉内の大気を積層体における平面方向の一方の端面とは平面方向の反対側の端面に向けて送り、加熱炉内で還流させることで生じさせた強制対流の放熱用気体を当てる方法でもよい。積層体の温度が低下し、積層体が結晶化できなくなることを抑制できるからである。 The method of applying the heat-releasing gas to the end surface of the laminated body is not particularly limited as long as it can dissipate the heat from the end surfaces of all the amorphous alloy ribbons. For example, the heat dissipation shown in FIGS. As in the process, the outside air taken into the heating furnace from the air supply port is sent toward the end surface of the laminate that is opposite to the one end surface in the plane direction, and the atmosphere in the heating furnace is discharged from the exhaust port. Alternatively, a method of applying a heat-releasing gas of forced convection generated by the above may be used. This is because the heat can be effectively dissipated. Further, as in the heat dissipation step shown in FIG. 5, the atmosphere in the heating furnace is sent toward the end surface of the laminate which is opposite to the one end surface in the plane direction, and is refluxed in the heating furnace. A method of applying the generated heat-releasing gas of forced convection may be used. This is because it is possible to prevent the temperature of the laminated body from decreasing and the laminated body from being unable to be crystallized.

5.雰囲気温度
本実施形態に係る合金薄帯の製造方法においては、上記第1熱処理工程後、上記第2熱処理工程で上記積層体の上記端部を上記第2温度域に加熱することにより結晶化可能な温度域(以下、「結晶化可能温度域」と略すことがある。)に上記積層体が維持されるように、上記積層体の周囲の雰囲気温度を保持する。言い換えると、第1熱処理工程後においては、第2熱処理工程で積層体の平面方向の端部を第2温度域に加熱することにより積層体の結晶化が起こり得る温度域に、積層体が維持されるように、積層体の周囲の雰囲気温度を保持する。具体的には、第1熱処理工程後、積層体における合金薄帯の非晶質の部分が結晶化可能温度域に維持されるように、雰囲気温度を保持する。
5. Atmosphere temperature In the method for manufacturing an alloy ribbon according to the present embodiment, crystallization can be performed by heating the end portion of the laminate to the second temperature range in the second heat treatment step after the first heat treatment step. The ambient temperature around the laminated body is maintained so that the laminated body is maintained in such a temperature range (hereinafter, may be abbreviated as “crystallizable temperature range”). In other words, after the first heat treatment step, the laminated body is maintained in a temperature range where crystallization of the laminated body can occur by heating the end portion of the laminated body in the plane direction in the second heat treatment step to the second temperature range. As described above, the ambient temperature around the laminated body is maintained. Specifically, after the first heat treatment step, the ambient temperature is maintained such that the amorphous portion of the alloy ribbon in the laminated body is maintained in the crystallizable temperature range.

雰囲気温度の保持温度は、特に限定されないが、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、第1温度域の下限−10℃以上第1温度域の上限以下の範囲内、特に第1温度域の範囲内が好ましい。低過ぎると、積層体で結晶化反応を伝播するように起こせなくなるおそれがあるからであり、高過ぎると、積層体で結晶粒の粗大化や化合物相の析出が生じるおそれがあるからであり、コストが高くなるからである。 The holding temperature of the ambient temperature is not particularly limited, but varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, the lower limit of the first temperature range is −10° C. or more and the upper limit of the first temperature range. The following range is preferable, and a range of the first temperature range is particularly preferable. If it is too low, it may not be possible to cause the crystallization reaction to propagate in the laminate, and if it is too high, coarsening of crystal grains and precipitation of the compound phase may occur in the laminate, This is because the cost will be high.

6.各熱量の関係
本実施形態に係る合金薄帯の製造方法においては、上記第1熱処理工程で上記積層体を上記第1温度域に加熱するために必要な熱量をQ1とし、上記第2熱処理工程で上記積層体の上記端部を上記第2温度域に加熱する場合に上記積層体に与える熱量をQ2とし、上記積層体が結晶化する際に放出する熱量をQ3とし、上記積層体の全体を上記結晶化開始温度にするために必要な熱量をQ4とした場合に、下記式(1)を満たす。下記式(1)を満たさない場合には、積層体の全体を結晶化できないおそれがある。なお、Q4は、より具体的には、第1熱処理工程で積層体がQ1により加熱され、第2熱処理工程で積層体の平面方向の端部がQ2により加熱され、第2熱処理工程後に積層体がQ3により加熱される場合の積層体の温度履歴において、積層体の全体を、第1熱処理工程でQ1により加熱される前の状態から結晶化開始温度にするために必要な熱量である。Q4は、例えば、上記場合において、特に、Q1及びQ2により加熱される以外に積層体と外部との間の熱移動がない場合の積層体の温度履歴において、積層体の全体を、第1熱処理工程でQ1により加熱される前の状態から結晶化開始温度にするために必要な熱量である。
6. Relationship between Heat Amounts In the method for manufacturing an alloy ribbon according to the present embodiment, the heat amount required to heat the laminate to the first temperature range in the first heat treatment step is Q1, and the second heat treatment step is performed. In the case where the end portion of the laminate is heated to the second temperature range, the amount of heat given to the laminate is Q2, and the amount of heat released when the laminate is crystallized is Q3. When the amount of heat required to bring the above to the crystallization start temperature is Q4, the following formula (1) is satisfied. If the following formula (1) is not satisfied, the entire laminate may not be crystallized. It should be noted that Q4 is, more specifically, that the laminated body is heated by Q1 in the first heat treatment step, the end portion in the plane direction of the laminated body is heated by Q2 in the second heat treatment step, and the laminated body is formed after the second heat treatment step. In the temperature history of the laminated body when is heated by Q3, the amount of heat is necessary to bring the entire laminated body from the state before being heated by Q1 in the first heat treatment step to the crystallization start temperature. For example, in the above case, in particular, in the temperature history of the laminated body when there is no heat transfer between the laminated body and the outside in the above case, Q4 is the first heat treatment. It is the amount of heat required to reach the crystallization start temperature from the state before being heated by Q1 in the process.

Q1+Q2+Q3≧Q4 (1) Q1+Q2+Q3≧Q4 (1)

また、上記式(1)を満たす場合には、Q1のうち積層体におけるそれぞれのアモルファス合金薄帯を第1温度域に加熱するために必要な熱量をQa1とし、Q2のうち当該アモルファス合金薄帯に与える熱量をQa2とし、Q3のうち当該アモルファス合金薄帯に与えられる熱量をQa3とし、当該アモルファス合金薄帯の全体を結晶化開始温度にするために必要な熱量をQa4とした場合に、積層体における全てのアモルファス合金薄帯について、下記式(1a)を満たすことが好ましい。全てのアモルファス合金薄帯の全体を結晶化することが可能になるからである。なお、Qa4は、より具体的には、第1熱処理工程で積層体におけるそれぞれのアモルファス合金薄帯がQa1により加熱され、第2熱処理工程で当該アモルファス合金薄帯がQa2により加熱され、第2熱処理工程後に当該アモルファス合金薄帯がQa3により加熱される場合の当該アモルファス合金薄帯の温度履歴において、当該アモルファス合金薄帯の全体を、第1熱処理工程でQa1により加熱される前の状態から結晶化開始温度にするために必要な熱量である。Qa4は、例えば、上記場合において、特に、Qa1、Qa2、及びQa3により加熱される以外に当該アモルファス合金薄帯と外部との間の熱移動がない場合の当該アモルファス合金薄帯の温度履歴において、当該アモルファス合金薄帯の全体を、第1熱処理工程でQa1により加熱される前の状態から結晶化開始温度にするために必要な熱量である。なお、図1及び図2に示される例は、下記式(1a)を満たしている。 Further, when the above expression (1) is satisfied, the heat quantity required for heating each amorphous alloy ribbon in the laminated body in Q1 to the first temperature range is Qa1, and the amorphous alloy ribbon in Q2 is selected. The quantity of heat given to the amorphous alloy ribbon is Qa3, and the quantity of heat required to bring the entire amorphous alloy ribbon to the crystallization start temperature is Qa4. It is preferable that all the amorphous alloy ribbons in the body satisfy the following formula (1a). This is because it is possible to crystallize the entire amorphous alloy ribbon. More specifically, Qa4 is, more specifically, that each amorphous alloy ribbon in the laminated body is heated by Qa1 in the first heat treatment step, that amorphous alloy ribbon is heated by Qa2 in the second heat treatment step, and the second heat treatment is performed. In the temperature history of the amorphous alloy ribbon when the amorphous alloy ribbon is heated by Qa3 after the step, the entire amorphous alloy ribbon is crystallized from the state before being heated by Qa1 in the first heat treatment step. It is the amount of heat required to reach the starting temperature. Qa4 is, for example, in the above case, in particular, in the temperature history of the amorphous alloy ribbon when there is no heat transfer between the amorphous alloy ribbon and the outside except that it is heated by Qa1, Qa2, and Qa3. The amount of heat required to bring the entire amorphous alloy ribbon to the crystallization start temperature from the state before being heated by Qa1 in the first heat treatment step. The examples shown in FIGS. 1 and 2 satisfy the following formula (1a).

Qa1+Qa2+Qa3≧Qa4 (1a) Qa1+Qa2+Qa3≧Qa4 (1a)

なお、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法においては、通常は、積層体が結晶化する際に放出する熱量を用いて積層体の全体を結晶化するために、外部から与える熱量(Q1及びQ2の合計)が、積層体の全体を結晶化開始温度にするために必要な熱量(Q4)を超えることはなく、下記式(2)を満たす。 In addition, in the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present embodiment, normally, in order to crystallize the entire laminated body by using the amount of heat released when the laminated body is crystallized, the amount of heat given from outside (Q1 And Q2) does not exceed the amount of heat (Q4) required to bring the entire laminated body to the crystallization start temperature, and satisfies the following formula (2).

Q1+Q2<Q4 (2) Q1+Q2<Q4 (2)

また、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法においては、積層体の全体を化合物相析出開始温度にするために必要な熱量をQ5とした場合に、下記式(3)を満たすことが好ましい。化合物相の析出を抑制できるからである。なお、Q5は、より具体的には、第1熱処理工程で積層体がQ1により加熱され、第2熱処理工程で積層体の平面方向の端部がQ2により加熱され、第2熱処理工程後に積層体がQ3により加熱される場合の積層体の温度履歴において、積層体の全体を、第1熱処理工程でQ1により加熱される前の状態から化合物相析出開始温度にするために必要な熱量である。Q5は、例えば、上記場合において、特に、Q1及びQ2により加熱される以外に積層体と外部との間の熱移動がない場合の積層体の温度履歴において、積層体の全体を、第1熱処理工程でQ1により加熱される前の状態から化合物相析出開始温度にするために必要な熱量である。 Further, in the method for producing an alloy ribbon according to the present embodiment, it is preferable that the following formula (3) is satisfied when the amount of heat required to bring the entire laminated body to the compound phase precipitation start temperature is Q5. .. This is because precipitation of the compound phase can be suppressed. Note that, more specifically, Q5 means that the laminated body is heated by Q1 in the first heat treatment step, the end portion in the plane direction of the laminated body is heated by Q2 in the second heat treatment step, and the laminated body is formed after the second heat treatment step. In the temperature history of the laminated body when is heated by Q3, the amount of heat is necessary to bring the entire laminated body from the state before being heated by Q1 in the first heat treatment step to the compound phase precipitation start temperature. For example, in the above case, in particular, in the temperature history of the laminated body in the case where there is no heat transfer between the laminated body and the outside except for being heated by Q1 and Q2, Q5 is the first heat treatment for the entire laminated body. It is the amount of heat required to reach the compound phase precipitation start temperature from the state before being heated by Q1 in the process.

Q1+Q2+Q3<Q5 (3) Q1+Q2+Q3<Q5 (3)

また、上記式(3)を満たす場合には、Q1のうち積層体におけるそれぞれのアモルファス合金薄帯を第1温度域に加熱するために必要な熱量をQa1とし、Q2のうち当該アモルファス合金薄帯に与える熱量をQa2とし、Q3のうち当該アモルファス合金薄帯に与えられる熱量をQa3とし、当該アモルファス合金薄帯の全体を化合物相析出開始温度にするために必要な熱量をQa5とした場合に、積層体における全てのアモルファス合金薄帯について、下記式(3a)を満たすことが好ましい。全てのアモルファス合金薄帯において化合物相の析出を抑制できるからである。なお、Qa5は、より具体的には、第1熱処理工程で積層体におけるそれぞれのアモルファス合金薄帯がQa1により加熱され、第2熱処理工程で当該アモルファス合金薄帯がQa2により加熱され、第2熱処理工程後に当該アモルファス合金薄帯がQa3により加熱される場合の当該アモルファス合金薄帯の温度履歴において、当該アモルファス合金薄帯の全体を、第1熱処理工程でQa1により加熱される前の状態から化合物相析出開始温度にするために必要な熱量である。Qa5は、例えば、上記場合において、特に、Qa1、Qa2、及びQa3により加熱される以外に当該アモルファス合金薄帯と外部との間の熱移動がない場合の当該アモルファス合金薄帯の温度履歴において、当該アモルファス合金薄帯の全体を、第1熱処理工程でQa1により加熱される前の状態から化合物相析出開始温度にするために必要な熱量である。 When the above expression (3) is satisfied, the heat quantity required to heat each amorphous alloy ribbon in the laminated body in Q1 to the first temperature range is Qa1, and the amorphous alloy ribbon in Q2 is selected. Qa2 is the amount of heat given to the amorphous alloy ribbon, and Qa3 is the amount of heat given to the amorphous alloy ribbon in Q3, and Qa5 is the amount of heat required to bring the entire amorphous alloy ribbon to the compound phase precipitation start temperature. It is preferable that all the amorphous alloy ribbons in the laminate satisfy the following formula (3a). This is because precipitation of the compound phase can be suppressed in all amorphous alloy ribbons. More specifically, Qa5 is, more specifically, that each amorphous alloy ribbon in the laminated body is heated by Qa1 in the first heat treatment step, the amorphous alloy ribbon is heated by Qa2 in the second heat treatment step, and the second heat treatment is performed. In the temperature history of the amorphous alloy ribbon when the amorphous alloy ribbon is heated by Qa3 after the process, the entire amorphous alloy ribbon is changed from the state before being heated by Qa1 in the first heat treatment step to the compound phase. It is the amount of heat required to reach the precipitation start temperature. Qa5 is, for example, in the above case, particularly in the temperature history of the amorphous alloy ribbon in the case where there is no heat transfer between the amorphous alloy ribbon and the outside except that it is heated by Qa1, Qa2, and Qa3. The amount of heat required to bring the entire amorphous alloy ribbon to the compound phase precipitation start temperature from the state before being heated by Qa1 in the first heat treatment step.

Qa1+Qa2+Qa3<Q5a (3a) Qa1+Qa2+Qa3<Q5a (3a)

7.合金薄帯の製造方法
本実施形態に係る合金薄帯の製造方法においては、積層体を第2温度域に加熱した平面方向の端部から結晶化することにより、積層体における複数のアモルファス合金薄帯が結晶化した複数のナノ結晶合金薄帯を製造する。
7. Method for producing alloy ribbon In the method for producing an alloy ribbon according to the present embodiment, a plurality of amorphous alloy ribbons in the laminate are crystallized from the end portion in the plane direction where the laminate is heated to the second temperature range. A plurality of nanocrystalline alloy ribbons with crystallized bands are produced.

ここで、「ナノ結晶合金薄帯」とは、化合物相の析出及び結晶粒の粗大化を実質的に生じさせずに微細な結晶粒を析出させることによって、所望の保磁力等の軟磁気特性が得られるものを意味する。ナノ結晶合金薄帯の材質は、アモルファス合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基アモルファス合金である場合には、例えば、Fe又はFe合金の結晶粒(例えば、微細なbccFe結晶等)及び非晶質相の混相組織を有するFe基ナノ結晶合金となる。 Here, the "nanocrystalline alloy ribbon" means that a desired coercive force and other soft magnetic properties are obtained by precipitating fine crystal grains without substantially causing precipitation of a compound phase and coarsening of crystal grains. Is meant to be obtained. The material of the nanocrystalline alloy ribbon varies depending on the material of the amorphous alloy ribbon, and in the case of a Fe-based amorphous alloy, for example, Fe or Fe alloy crystal grains (for example, fine bccFe crystals) and amorphous. It becomes an Fe-based nanocrystalline alloy having a mixed phase structure of a substance phase.

ナノ結晶合金薄帯の結晶粒の粒径は、所望の軟磁気特性が得られるのであれば特に限定されないが、材質等によって異なり、Fe基ナノ結晶合金である場合には、例えば、25nm以下の範囲内が好ましい。粗大化すると保磁力が劣化するからである。 The grain size of the crystal grains of the nanocrystalline alloy ribbon is not particularly limited as long as the desired soft magnetic characteristics can be obtained, but it varies depending on the material etc., and in the case of a Fe-based nanocrystalline alloy, it is, for example, 25 nm or less. It is preferably within the range. This is because the coercive force deteriorates when it becomes coarse.

なお、結晶粒の粒径は、透過電子顕微鏡(TEM)を用いた直接観察により測定できる。また、結晶粒の粒径は、ナノ結晶合金薄帯の保磁力又は温度プロファイルから推定できる。 The grain size of the crystal grains can be measured by direct observation using a transmission electron microscope (TEM). The grain size of crystal grains can be estimated from the coercive force or temperature profile of the nanocrystalline alloy ribbon.

ナノ結晶合金薄帯の保磁力は、ナノ結晶合金薄帯の材質等によって異なり、Fe基ナノ結晶合金である場合には、例えば、20A/m以下であり、中でも10A/m以下が好ましい。保磁力をこのように低くすることにより、例えば、モータ等のコアにおける損失を効果的に低減できるからである。なお、本実施形態に係る各熱処理工程における温度範囲等の条件が制限されるので、ナノ結晶合金薄帯の保持力の低減には限界がある。 The coercive force of the nanocrystalline alloy ribbon varies depending on the material of the nanocrystalline alloy ribbon and the like. In the case of Fe-based nanocrystalline alloy, it is, for example, 20 A/m or less, and preferably 10 A/m or less. By lowering the coercive force in this way, for example, the loss in the core of the motor or the like can be effectively reduced. Since the conditions such as the temperature range in each heat treatment step according to the present embodiment are limited, there is a limit to the reduction of the coercive force of the nanocrystalline alloy ribbon.

本実施形態に係る合金薄帯の製造方法としては、複数のナノ結晶合金薄帯を製造できれば特に限定されないが、例えば、化合物相の析出及び結晶粒の粗大化を実質的に生じさせずに、積層体の全体を結晶化し、積層体におけるアモルファス合金薄帯が結晶化したナノ結晶合金薄帯の結晶粒を所望の粒径にする製造方法が好ましい。上記の合金薄帯の製造方法においては、化合物相の析出及び結晶粒の粗大化を実質的に生じさせずに、積層体の全体を結晶化し、ナノ結晶合金薄帯の結晶粒を所望の粒径にするために、ここまでに説明した条件だけではなく他の条件も好適に設定することができる。また、各条件を独立に好適に設定するだけでなく、各条件の組み合わせを好適に設定することもできる。なお、積層体における上記端部とは平面方向の反対側の端面に近い部分での結晶粒の粗大化や化合物相の析出は、放熱工程により抑制できるが、積層体における上記端部での結晶粒の粗大化や化合物相の析出は、第2熱処理工程での加熱条件により抑制できる。 The method for producing the alloy ribbon according to the present embodiment is not particularly limited as long as it can produce a plurality of nanocrystalline alloy ribbons, for example, without substantially causing precipitation of a compound phase and coarsening of crystal grains, A production method is preferred in which the entire laminated body is crystallized, and the crystal grains of the nanocrystalline alloy ribbon in which the amorphous alloy ribbon in the laminated body is crystallized have a desired grain size. In the method for producing the alloy ribbon described above, the precipitation of the compound phase and the coarsening of the crystal grains are not substantially caused, and the entire laminate is crystallized, and the crystal grains of the nanocrystalline alloy ribbon are formed into desired grains. In order to set the diameter, not only the conditions described so far, but also other conditions can be suitably set. Further, not only each condition can be set independently but also a combination of each condition can be set appropriately. In addition, coarsening of the crystal grains and precipitation of the compound phase in a portion close to the end face on the opposite side to the plane direction with respect to the end portion of the laminated body can be suppressed by a heat dissipation step, but the crystal at the end portion of the laminated body The coarsening of grains and the precipitation of the compound phase can be suppressed by the heating conditions in the second heat treatment step.

以下、実施例及び参考例を挙げて、本実施形態に係る合金薄帯の製造方法をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present embodiment will be described more specifically with reference to Examples and Reference Examples.

[実施例]
本実施形態に係る合金薄帯の製造方法のシミュレーションをCAE(Computer Aided Engineering)の手法を用いて実施した。以下、具体的に説明する。
[Example]
The simulation of the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present embodiment was performed using the CAE (Computer Aided Engineering) method. The details will be described below.

〈アモルファス合金薄帯の積層体の計算モデル〉
シミュレーションに使用するアモルファス合金薄帯の積層体の計算モデルとして、後述する図7に示されるような積層体の計算モデルM10を作製した。
<Computational model of laminated body of amorphous alloy ribbon>
As a calculation model of a laminated body of amorphous alloy ribbons used in the simulation, a calculated model M10 of a laminated body as shown in FIG.

具体的には、積層体の計算モデルM10は、図7に示されるように、ステータコアに用いられる積層体における1枚のアモルファス合金薄帯のティース部分(計算モデルM10のティース部分M10Tに対応)及びバックヨーク部分(計算モデルM10のバックヨーク部分M10Yに対応)の対称面(計算モデルM10の対称面MSに対応)で分割した形状を有するものとして作製した。積層体の計算モデルM10の各部のサイズは下記のように設定した。 Specifically, as shown in FIG. 7, the calculation model M10 of the laminated body includes a tooth portion (corresponding to the tooth portion M10T of the calculation model M10) of one amorphous alloy ribbon in the laminated body used for the stator core. The back yoke portion (corresponding to the back yoke portion M10Y of the calculation model M10) was manufactured as having a shape divided by the symmetry plane (corresponding to the symmetry plane MS of the calculation model M10). The size of each part of the calculation model M10 of the laminated body was set as follows.

合金薄帯の厚さT2:0.025mm
合金薄帯の外周の一部に対応する部分の長さL3:7mm
合金薄帯の内周の一部に対応する部分の長さL4:3mm
径方向の幅W2:35mm
ティース部分M10Tの径方向の長さLt2:20mm
ティース部分M10Tの間の溝の周方向の幅Wt2:2mm
Alloy ribbon thickness T2: 0.025 mm
Length L3 of the part corresponding to part of the outer circumference of the alloy ribbon: 7 mm
Length L4 of the part corresponding to a part of the inner circumference of the alloy ribbon: 3 mm
Radial width W2: 35 mm
Radial length Lt2 of the tooth portion M10T: 20 mm
Circumferential width Wt2 of the groove between the tooth portions M10T: 2 mm

積層体の計算モデルM10は、アモルファス合金薄帯が一般的なFe基アモルファス合金から構成されるものとして作製し、アモルファス合金薄帯に関するシミュレーションに必要なパラメータを下記のように設定した。 The calculation model M10 of the laminated body was prepared assuming that the amorphous alloy ribbon was composed of a general Fe-based amorphous alloy, and the parameters necessary for the simulation regarding the amorphous alloy ribbon were set as follows.

結晶化開始温度:360℃
化合物相析出開始温度:530℃
熱伝導率:10W/mK
結晶化に伴う放出熱量:90J/g
Crystallization start temperature: 360°C
Compound phase precipitation start temperature: 530°C
Thermal conductivity: 10W/mK
Heat release due to crystallization: 90 J/g

積層体の計算モデルM10は、積層方向の両側に隣接するアモルファス合金薄帯との間の熱伝達係数を50W/(mK)と設定することで、1枚のアモルファス合金薄帯の積層方向の両側にあるアモルファス合金薄帯との間の熱移動を考慮してモデル化した。 In the calculation model M10 of the laminated body, the heat transfer coefficient between the adjacent amorphous alloy ribbons on both sides in the laminating direction is set to 50 W/(m 2 K), whereby the laminating direction of one amorphous alloy ribbon is set. Was modeled by considering the heat transfer between the amorphous alloy ribbons on both sides of the.

〈シミュレーションの条件〉
シミュレーションは、上記の積層体の計算モデルM10を用い、CAEソフトウエア(SFTC社製DEFORM)を使用して実施した。
<Simulation conditions>
The simulation was performed using CAE software (DEFORM manufactured by SFTC) using the above-described laminated body calculation model M10.

シミュレーションにおいては、まず、積層体の計算モデルM10の全体の温度を結晶化開始温度未満の320℃(第1温度域)に加熱した(第1熱処理工程)。 In the simulation, first, the entire temperature of the calculation model M10 of the stacked body was heated to 320° C. (first temperature range), which is lower than the crystallization start temperature (first heat treatment step).

次に、積層体の計算モデルM10の平面方向の外周側端面M10Asの温度の境界条件を500℃に設定することにより、積層体の計算モデルM10の平面方向の外周側端部M10Aを結晶化開始温度以上の温度域(第2温度域)に加熱した(第2熱処理工程)。 Next, by setting the boundary condition of the temperature of the outer peripheral side end face M10As in the plane direction of the laminated body calculation model M10 to 500° C., crystallization of the outer peripheral side end portion M10A in the plane direction of the laminated body calculation model M10 is started. It heated in the temperature range (2nd temperature range) above temperature (2nd heat processing process).

さらに、積層体の計算モデルM10の平面方向の内周側端面M10Zsと外部との間の熱伝達係数を、加熱炉内の強制対流における熱伝達率に相当する50W/(mK)に予め設定しておくことにより、第2熱処理工程で積層体の計算モデルM10の平面方向の外周側端部M10Aを結晶化開始温度以上の温度域に加熱した後に、積層体の計算モデルM10の平面方向の内周側端面M10Zsに強制対流の放熱用気体を当てる処理を模擬的に行った(放熱工程)。 Further, the heat transfer coefficient between the inner peripheral side end surface M10Zs in the plane direction of the laminate calculation model M10 and the outside is preliminarily set to 50 W/(m 2 K) corresponding to the heat transfer coefficient in forced convection in the heating furnace. By setting, after heating the outer peripheral side end portion M10A of the calculation model M10 of the laminated body in the plane direction in the second heat treatment step to a temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature, the plane direction of the calculation model M10 of the laminated body is set. A process of applying a forced convection heat radiation gas to the inner peripheral side end surface M10Zs was simulated (heat radiation step).

そして、シミュレーションでは、第1熱処理工程後、第2熱処理工程で積層体の計算モデルM10の平面方向の外周側端部M10Aを結晶化開始温度以上の温度域に加熱することにより結晶化可能な温度域に積層体の計算モデルM10の全体が維持されるように、積層体の計算モデルM10の周囲の雰囲気温度を320℃に保持した。そして、本実施形態に係る上記式(1)を満たすようにした。また、積層体の計算モデルM10及びその周囲の雰囲気の間の熱の移動も算入した。 Then, in the simulation, after the first heat treatment step, in the second heat treatment step, the temperature at which crystallization can be performed by heating the outer peripheral side end portion M10A of the calculation model M10 of the laminated body in the plane direction to a temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature. The ambient temperature around the calculation model M10 of the laminate was kept at 320° C. so that the whole calculation model M10 of the laminate was maintained in the region. Then, the above formula (1) according to the present embodiment is satisfied. In addition, the heat transfer between the calculation model M10 of the laminated body and the atmosphere around it was also included.

〈解析結果〉
シミュレーションにより、積層体の計算モデルM10の各位置の温度変化を解析した。図7は、実施例における平面方向の外周側端部を加熱してから52秒経過時における積層体の計算モデルの各位置の温度を画像で示す図である。
<Analysis result>
The temperature change at each position of the calculation model M10 of the laminated body was analyzed by simulation. FIG. 7: is a figure which shows the image of the temperature of each position of the calculation model of a laminated body in 52 seconds after heating the outer peripheral side edge part in the plane direction in an Example.

積層体の計算モデルM10においては、図示しないが、平面方向の外周側端部M10Aを加熱した後、平面方向の外周側端部M10A、中央部M10M、及び内周側端部M10Zの順に結晶化開始温度以上となり、図7に示されるように、外周側端部M10Aを加熱してから52秒経過時には全体が結晶化開始温度以上となった。そして、平面方向の外周側端部M10Aを加熱してから52秒経過時及びその前後において、平面方向の内周側端面M10Zsに近い部分において、熱溜まり、具体的には、周囲よりも高温の525℃を超える箇所が生じることはなかった。 In the calculation model M10 of the laminated body, although not shown, after heating the outer peripheral side end M10A in the plane direction, the outer peripheral side end M10A in the plane direction, the central portion M10M, and the inner peripheral side end M10Z are crystallized in this order. The temperature was higher than the starting temperature, and as shown in FIG. 7, the entire temperature became higher than the crystallization starting temperature 52 seconds after the outer peripheral side end M10A was heated. Then, 52 seconds after and after the heating of the outer peripheral side end M10A in the planar direction, heat is accumulated in a portion close to the inner peripheral side end face M10Zs in the planar direction, specifically, at a temperature higher than that of the surroundings. No part exceeding 525°C was generated.

[比較例]
比較例の合金薄帯の製造方法のシミュレーションをCAEの手法を用いて実施した。以下、具体的に説明する。
[Comparative example]
A simulation of the method for manufacturing the alloy ribbon of the comparative example was performed using the CAE method. The details will be described below.

〈アモルファス合金薄帯の積層体の計算モデル〉
シミュレーションに使用するアモルファス合金薄帯の積層体の計算モデルとして、後述する図8に示されるような積層体の計算モデルM10を作製した。この積層体の計算モデルM10は、実施例で作製した積層体の計算モデルM10と同様のものである。
<Computational model of laminated body of amorphous alloy ribbon>
As a calculation model of a laminated body of amorphous alloy ribbons used for simulation, a calculation model M10 of a laminated body as shown in FIG. The calculation model M10 of the laminated body is the same as the calculation model M10 of the laminated body manufactured in the example.

〈シミュレーションの条件〉
シミュレーションは、放熱工程で、積層体の計算モデルM10の平面方向の内周側端面M10Zsと外部との間の熱伝達係数を、加熱炉内の自然対流における熱伝達率に相当する10W/(mK)に予め設定した点を除いて、実施例のシミュレーションと同様の条件で行った。
<Simulation conditions>
In the simulation, in the heat dissipation step, the heat transfer coefficient between the inner peripheral side end surface M10Zs of the calculation model M10 of the laminate and the outside is 10 W/(m corresponding to the heat transfer coefficient in natural convection in the heating furnace. except that preset to 2 K), it was carried out under the same conditions as in the simulation examples.

〈解析結果〉
シミュレーションにより、積層体の計算モデルM10の各位置の温度変化を解析した。図8(a)及び図8(b)は、それぞれ、比較例における平面方向の外周側端部を加熱してから20秒経過時及び52秒経過時における積層体の計算モデルの各位置の温度を画像で示す図である。
<Analysis result>
The temperature change at each position of the calculation model M10 of the laminated body was analyzed by simulation. FIG. 8A and FIG. 8B are temperatures of respective positions of the calculation model of the laminated body at 20 seconds and 52 seconds after heating the outer peripheral side end portion in the plane direction in the comparative example, respectively. It is a figure which shows an image.

積層体の計算モデルM10においては、図8(a)及び図8(b)に示されるように、平面方向の外周側端部M10Aを加熱した後、平面方向の外周側端部M10A、中央部M10M、及び内周側端部M10Zの順に結晶化開始温度以上となり、外周側端部M10Aを加熱してから52秒経過時には、全体が結晶化開始温度以上となった。そして、平面方向の外周側端部M10Aを加熱してから52秒経過時及びその前後において、平面方向の内周側端面M10Zsに近い部分において、熱溜まりが生じた。具体的には、周囲よりも高温の525℃を超える箇所が生じ、最も高い箇所の温度は545℃となった。 In the calculation model M10 of the laminated body, as shown in FIGS. 8A and 8B, after heating the outer peripheral side end M10A in the plane direction, the outer peripheral side end M10A in the plane direction and the central part M10M and the inner peripheral side end portion M10Z were in order above the crystallization start temperature, and 52 seconds after the outer peripheral side end portion M10A was heated, the whole was above the crystallization start temperature. Then, at and after 52 seconds from the heating of the outer peripheral side end portion M10A in the plane direction, heat accumulation occurred in a portion close to the inner peripheral side end surface M10Zs in the plane direction. Specifically, there were places where the temperature exceeded 525°C, which was higher than the surrounding temperature, and the temperature of the highest place was 545°C.

以上、本発明に係る合金薄帯の製造方法の実施形態について詳述したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。 Although the embodiment of the method for manufacturing the alloy ribbon according to the present invention has been described above in detail, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the spirit of the present invention described in the claims is Various design changes can be made without departing from the scope.

2 アモルファス合金薄帯
10 積層体
30 高温熱源
50 放熱用気体
2 Amorphous alloy ribbon 10 Laminated body 30 High temperature heat source 50 Gas for heat radiation

Claims (1)

複数のアモルファス合金薄帯が積層された積層体を準備する準備工程と、
前記積層体を、前記アモルファス合金薄帯の結晶化開始温度未満の第1温度域に加熱する第1熱処理工程と、
前記第1熱処理工程後、前記積層体の平面方向の端部を前記結晶化開始温度以上の第2温度域に加熱する第2熱処理工程と、
前記積層体における前記端部とは平面方向の反対側の端面に放熱用気体を当てる放熱工程と、
を備え、
前記第1熱処理工程後、前記第2熱処理工程で前記積層体の前記端部を前記第2温度域に加熱することにより結晶化可能な温度域に前記積層体が維持されるように、前記積層体の周囲の雰囲気温度を保持し、
前記第1熱処理工程で前記積層体を前記第1温度域に加熱するために必要な熱量をQ1とし、前記第2熱処理工程で前記積層体の前記端部を前記第2温度域に加熱する場合に前記積層体に与える熱量をQ2とし、前記積層体が結晶化する際に放出する熱量をQ3とし、前記積層体の全体を前記結晶化開始温度にするために必要な熱量をQ4とした場合に、下記式(1)を満たすことを特徴とする合金薄帯の製造方法。
Q1+Q2+Q3≧Q4 (1)
A preparatory step of preparing a laminated body in which a plurality of amorphous alloy ribbons are laminated,
A first heat treatment step of heating the laminated body to a first temperature range below a crystallization start temperature of the amorphous alloy ribbon;
After the first heat treatment step, a second heat treatment step of heating the end portion in the plane direction of the stacked body to a second temperature range equal to or higher than the crystallization start temperature,
A heat dissipation step of applying a heat dissipation gas to an end surface on the opposite side to the end portion in the plane of the laminate,
Equipped with
After the first heat treatment step, by heating the end portion of the laminate in the second heat treatment step to the second temperature range, the laminate is maintained in a temperature range where crystallization is possible. Maintaining the ambient temperature around the body,
When the amount of heat required to heat the laminated body to the first temperature range in the first heat treatment step is Q1, and the end portion of the laminated body is heated to the second temperature range in the second heat treatment step When the amount of heat given to the laminate is Q2, the amount of heat released when the laminate is crystallized is Q3, and the amount of heat required to bring the entire laminate to the crystallization start temperature is Q4 And a method of manufacturing an alloy ribbon, which satisfies the following formula (1).
Q1+Q2+Q3≧Q4 (1)
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