JP2020089007A - Detection device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、検出装置に関する。とくに、電気回路の分野において、検出対象回路が正常であるか否かを検出する検出装置に関する。 The present invention relates to a detection device. Particularly, in the field of electric circuits, the present invention relates to a detection device for detecting whether or not a detection target circuit is normal.
下記の特許文献１には、ヒューズが溶断したときに発光する発光ダイオードを備えた電気回路の一例が開示されている。ヒューズは、例えば、電気回路において、電源から見てヒューズよりも後段の素子や電線に短絡が生じた場合に溶断するようにされている。 Patent Document 1 below discloses an example of an electric circuit including a light emitting diode that emits light when a fuse is blown. The fuse is designed to be blown, for example, when a short circuit occurs in an element or an electric wire at a stage subsequent to the fuse when viewed from the power source in an electric circuit.
したがって、このような電気回路によれば、オペレータは、発光ダイオードの発光を確認することで、電源から見てヒューズよりも後段の素子や電線に短絡が生じたことを知ることができる。 Therefore, according to such an electric circuit, the operator can confirm that the light emitting diode emits light and that a short circuit has occurred in an element or an electric wire in a stage subsequent to the fuse as viewed from the power source.
上記した短絡には、電源から見てヒューズよりも後段の素子や電線は正常であるにもかかわらず埃や塵の一時的な接触により発生する一時的な短絡と、当該素子および電線の劣化などによって発生する短絡とがある。短絡が前者の場合はヒューズを交換するだけでよいが、後者の場合はヒューズ以外の素子や電線も交換する必要が生じる。 The above-mentioned short circuit includes a temporary short circuit caused by temporary contact of dust or dust and deterioration of the element and the electric wire, although the element and the electric wire in the latter stage of the fuse as seen from the power supply are normal. There is a short circuit caused by. If the short circuit is the former, it is only necessary to replace the fuse, but in the latter case, it is necessary to replace the element other than the fuse and the electric wire.
特許文献１に開示の技術では、オペレータは、短絡が発生したことしか知ることができない。言い換えると、特許文献１に開示の技術では、オペレータは、発生した短絡が上述した２通りのうちのどちらであるのかを判別することができない。 With the technique disclosed in Patent Document 1, the operator can only know that a short circuit has occurred. In other words, with the technique disclosed in Patent Document 1, the operator cannot determine which of the above-described two types of short circuits has occurred.
そこで、本発明は、ヒューズが切れたときに、ヒューズ後段の検出対象回路が正常であるか否かを検出することができる検出装置を提供することを目的とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide a detection device capable of detecting whether or not a detection target circuit in the subsequent stage of the fuse is normal when the fuse is blown.
本発明は、検出対象回路が正常であるか否かを検出する検出装置であって、前記検出対象回路に電圧を印加するための電源線と、前記電源線上に設けられたヒューズと、前記ヒューズが切れたときに、前記検出対象回路のインピーダンスの状態に応じて、前記検出対象回路が正常か否かを検出する検出回路と、を備える。 The present invention is a detection device for detecting whether or not a detection target circuit is normal, including a power supply line for applying a voltage to the detection target circuit, a fuse provided on the power supply line, and the fuse. And a detection circuit that detects whether the detection target circuit is normal or not according to the impedance state of the detection target circuit.
本発明によれば、ヒューズが切れたときに、ヒューズ後段の検出対象回路が正常であるか否かを検出回路により検出することができる。 According to the present invention, when the fuse is blown, the detection circuit can detect whether or not the detection target circuit in the subsequent stage of the fuse is normal.
本発明の検出装置について、好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。 The detection device of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings, with reference to preferred embodiments.
［実施の形態］
図１は、実施の形態の電気回路１０の構成を示した回路図である。また、図２は、実施の形態の検出対象回路１４における、検出対象回路１４が正常である場合のインピーダンスと電圧との関係を示すグラフである。図２において、縦軸［Ｚ］はインピーダンス、横軸［Ｖ］は電圧である。
[Embodiment]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an
図１のように、本実施の形態の電気回路１０は、検出装置１２が検出対象回路１４に接続された構成になっている。検出対象回路１４は、図１では省略しているが、所定の大きさの入力電圧Ｖｉｎ（動作開始電圧Ｖｉｎ）以上の電圧が印加されることで動作する素子を含むものである。また、検出対象回路１４は、印加されている電圧が動作開始電圧Ｖｉｎ未満のときの動作前インピーダンスＺｈｉが、動作開始電圧Ｖｉｎ以上のときの動作中インピーダンスＺｌｏよりも相対的に高いという性質を有する（Ｚｈｉ＞Ｚｌｏ）。なお、検出対象回路１４が劣化または故障しているときの検出対象回路１４のインピーダンスは、動作中インピーダンスＺｌｏと同等かそれ以下である。検出対象回路１４は、グラウンド（基準電位）に接続されている。
As shown in FIG. 1, the
以下では、便宜的に、インピーダンスが動作前インピーダンスＺｈｉ以上のときの検出対象回路１４の状態を高インピーダンス状態と呼ぶ。また、インピーダンスが動作中インピーダンスＺｌｏ以下のときの検出対象回路１４の状態を低インピーダンス状態と呼ぶ。なお、上記した検出対象回路１４の性質は、動作開始電圧Ｖｉｎが設定される回路であれば一般的に有する性質である。
Hereinafter, for convenience, the state of the
上記の検出対象回路１４に接続される検出装置１２は、図１のように、検出対象回路１４に電圧を印加する電源線１６と、電源線１６上に設けられたヒューズ１８と、電源線１６に接続された検出回路２０とを備える。
The
電源線１６は、検出対象回路１４に接続された正極側の第１線１６ａと、グラウンド（基準電位）に接続された負極側の第２線１６ｂと、を有する。ヒューズ１８は、第１線１６ａと第２線１６ｂとのうち、第１線１６ａに直列に挿入されるかたちで電源線１６上に設けられている。ヒューズ１８には許容電流値が設定されており、許容電流値を超える大きさの電流が流れることで溶断する。ヒューズ１８に許容電流値を超える大きさの電流が流れるときとは、例えば、検出対象回路１４をはじめとする、ヒューズ１８よりも後段側において短絡が生じたときである。以下では、説明を容易にするために、第１線１６ａ中の、ヒューズ１８を挟んで検出対象回路１４とは反対側の領域を「前段部」とも記載する。また、第１線１６ａ中の、ヒューズ１８と検出対象回路１４との間の領域を「後段部」とも記載する。
The
以下、検出回路２０の構成について説明する。図１のように、検出回路２０は、スイッチング部２２、第１インピーダンス素子２６、第２インピーダンス素子２８、第１ダイオードＤ１、第２ダイオードＤ２、第１発光素子３２、第２発光素子３４、および導通部３６を有する。
The configuration of the
スイッチング部２２は、改めて後述もするが、ヒューズ１８が切れたときにオンになる素子である。スイッチング部２２は、入力端子２４ａ、出力端子２４ｂ、および駆動端子２４ｃを備えたトランジスタ２４と、第３インピーダンス素子３０と、を有する。図１のように、トランジスタ２４の入力端子２４ａは、第１線１６ａの前段部に接続される。また、トランジスタ２４の出力端子２４ｂは、第１インピーダンス素子２６の一端に接続される。さらに、トランジスタ２４の駆動端子２４ｃは、第２インピーダンス素子２８を介して第１線１６ａの後段部に接続される。第３インピーダンス素子３０は、入力端子２４ａと駆動端子２４ｃとの間に設けられる。より詳細には、第３インピーダンス素子３０は、入力端子２４ａ（第１線１６ａの前段部側）に一端が接続され、第２インピーダンス素子２８よりも駆動端子２４ｃに近い位置に他端が接続される。
The
上記のトランジスタ２４は、本実施の形態においてはＰＮＰ型のバイポーラトランジスタである。すなわち、入力端子２４ａがエミッタであり、出力端子２４ｂがコレクタであり、駆動端子２４ｃがベースである。また、上記の第１インピーダンス素子２６、第２インピーダンス素子２８および第３インピーダンス素子３０は、図１では抵抗として示されているが、コイルまたはコンデンサであってもよい。
The
第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２は、本実施の形態では、整流のために設けられている。図１のように、第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２の各々のアノードは、第１インピーダンス素子２６の他端に接続されている。また、第１ダイオードＤ１のカソードは、第１発光素子３２のアノード３２ａに接続されており、第２ダイオードＤ２のカソードは、第２発光素子３４のアノード３４ａに接続されている。
The first diode D1 and the second diode D2 are provided for rectification in the present embodiment. As shown in FIG. 1, the anodes of the first diode D1 and the second diode D2 are connected to the other end of the
第１発光素子３２および第２発光素子３４は、電流が流れることで発光する素子であり、それは例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）である。第１発光素子３２のカソード３２ｂは、導通部３６を介して第２線１６ｂに接続されている。また、第２発光素子３４のカソード３４ｂは、第１線１６ａの後段部のうち、第２インピーダンス素子２８が接続された位置よりも検出対象回路１４側に接続されている。
The first
導通部３６は、本実施の形態では、アノードが第１発光素子３２のカソード３２ｂに接続されるとともに、カソードが第２線１６ｂに接続されたツェナーダイオードである。図１を見ても明らかなように、本実施の形態では、ヒューズ１８が溶断したときに、検出対象回路１４と同じ大きさの電圧が導通部３６に印加される位置に導通部３６を設けている。
In the present embodiment, the conducting
なお、導通部３６であるツェナーダイオードの降伏電圧Ｖｚｅは、例えば実験により予め求められる第１電圧Ｖ１以下且つ第２電圧Ｖ２超過の範囲内で設定されているものとする。第１電圧Ｖ１とは、検出対象回路１４が正常であり、且つ、ヒューズ１８が溶断している場合において電源線１６から検出対象回路１４に印加される電圧であって、動作開始電圧Ｖｉｎよりも小さい電圧である。また、第２電圧Ｖ２とは、検出対象回路１４が劣化や故障により短絡しており、且つ、ヒューズ１８が溶断している場合において電源線１６から検出対象回路１４に印加される電圧であって、第１電圧Ｖ１よりも小さい電圧である（Ｖ２＜Ｖｚｅ≦Ｖ１＜Ｖｉｎ）。
It is assumed that the breakdown voltage Vze of the Zener diode, which is the
上記のツェナーダイオードの特性は、本実施の形態においては、ヒューズ１８が溶断したときに、検出対象回路１４が高インピーダンス状態であれば導通し、検出対象回路１４が低インピーダンス状態であれば非導通になる特性であると換言することができる。すなわち、導通部３６には、ヒューズ１８が溶断したときに、検出対象回路１４と同じ大きさの電圧が印加される。検出対象回路１４に第１電圧Ｖ１が印加される状況というのは、正常な検出対象回路１４に動作開始電圧Ｖｉｎ未満の電圧が印加される状況であるから、このときの検出対象回路１４は高インピーダンス状態である。また、検出対象回路１４に第２電圧Ｖ２が印加される状況というのは、検出対象回路１４が劣化や故障しているときであるから、このときの検出対象回路１４は低インピーダンス状態である。したがって、本実施の形態の導通部３６は、検出対象回路１４が高インピーダンス状態であれば導通し、検出対象回路１４が低インピーダンス状態であれば非導通になる特性を有すると見なすことができる。
In the present embodiment, the characteristics of the Zener diode described above are such that when the
以上が、本実施の形態の電気回路１０の全体構成である。上記の電気回路１０では、電源線１６およびヒューズ１８を介して検出対象回路１４に動作開始電圧Ｖｉｎを印加することができる。
The above is the overall configuration of the
以下、電気回路１０においてヒューズ１８の後段（検出対象回路１４）で短絡が発生したときの検出装置１２の動作を説明する。
Hereinafter, the operation of the
電気回路１０において、何らかの原因により検出対象回路１４が短絡すると、ヒューズ１８に許容電流値を超える大きさの電流が流れ、ヒューズ１８が溶断する。ヒューズ１８が溶断すると、スイッチング部２２の状態がオフからオンに切替わる。すなわち、ヒューズ１８が溶断していない状態においては、第１線１６ａとトランジスタ２４の駆動端子２４ｃとの間に電位差は生じないので、駆動端子２４ｃに電流が供給されることはない。したがって、ヒューズ１８が溶断してない場合においては、スイッチング部２２のトランジスタ２４はオフのままである。しかしながら、ヒューズ１８が溶断すると、第１線１６ａの前段部とトランジスタ２４の駆動端子２４ｃとの間に電位差が生じる。これにより、前段部から駆動端子２４ｃの方向に電流が流れ、その結果、トランジスタ２４がオンになる（入力端子２４ａと出力端子２４ｂとの間が導通する）。
In the
スイッチング部２２がオンになることにより、第１線１６ａの前段部から、スイッチング部２２を介して第１発光素子３２または第２発光素子３４のいずれか一方に電流が流れる。第１発光素子３２と第２発光素子３４とのどちらに電流が流れるのかは、短絡後に検出対象回路１４が正常であるか異常であるかによって決まる。
When the switching
以下、第１発光素子３２が光る場合（第１例）と第２発光素子３４が光る場合（第２例）とのそれぞれに分けて、スイッチング部２２がオンになった以降の検出装置１２の動作を説明する。
Hereinafter, the case where the first
（第１例）
例えば、検出対象回路１４に生じた短絡が検出対象回路１４に接触した埃を原因とするものであり、検出対象回路１４に含まれる電線および素子自体は正常な状態であったとする。
(First example)
For example, it is assumed that the short circuit generated in the
上記の状況下においてヒューズ１８が溶断すると、それまで低インピーダンス状態で動作していた検出対象回路１４が高インピーダンス状態になり動作を停止する。すなわち、検出対象回路１４が正常であり、且つ、ヒューズ１８が溶断している場合において電源線１６から検出対象回路１４に印加される電圧は、上記したように、第１電圧Ｖ１である。第１電圧Ｖ１は動作開始電圧Ｖｉｎよりも小さいので、ヒューズ１８が溶断後においては、検出対象回路１４は高インピーダンス状態になり動作を停止する。
When the
ヒューズ１８が溶断し、且つ検出対象回路１４が高インピーダンス状態であると、既に説明したように、導通部３６が導通する。すなわち、ヒューズ１８が溶断すると、検出対象回路１４と同様に、導通部３６にも第１電圧Ｖ１が印加される。第１電圧Ｖ１は、既に説明しているように、導通部３６（ツェナーダイオード）の降伏電圧Ｖｚｅ以上の大きさの電圧である（Ｖｚｅ≦Ｖ１）。したがって、第１例では、ヒューズ１８が溶断すると、次いで導通部３６が導通する。
When the
導通部３６が導通したことにより、第１線１６ａの前段部から、スイッチング部２２、第１発光素子３２、導通部３６、および、基準電位に接続された第２線１６ｂの方向に電流が流れる。これにより、第１発光素子３２が点灯する。
Due to the conduction of the conducting
（第２例）
例えば、検出対象回路１４に生じた短絡が、検出対象回路１４の劣化または故障を原因とするものであったとする。この場合、検出対象回路１４はもはや正常な動作が不可能な異常状態になる。
(Second example)
For example, it is assumed that the short circuit that has occurred in the
図３は、実施の形態の検出対象回路１４における、検出対象回路１４が異常である場合のインピーダンスと電圧との関係を示すグラフである。図３において、縦軸［Ｚ］はインピーダンス、横軸［Ｖ］は電圧である。
FIG. 3 is a graph showing a relationship between impedance and voltage when the
検出対象回路１４の状態が劣化または故障による異常状態にあるとき、検出対象回路１４は低インピーダンス状態となる。また、検出対象回路１４が異常である場合、電源線１６から動作開始電圧Ｖｉｎを供給しようとしても、実際の検出対象回路１４の電圧はそれよりも小さいものとなる。このときの検出対象回路１４の電圧の大きさはゼロの近似値であり、大きくとも、上記した第２電圧Ｖ２未満である。
When the state of the
第２例の状況下においては、導通部３６は導通しない。すなわち、導通部３６には、既に説明したように、検出対象回路１４と同じ大きさの電圧が印加される。検出対象回路１４の電圧の大きさは、大きくとも第２電圧Ｖ２未満である。導通部３６のツェナーダイオードは、第２電圧以下の電圧では導通しないという特性（Ｖ２＜Ｖｚｅ）を有する。したがって、第２例の状況下においては、導通部３６は導通しない。
In the situation of the second example, the conducting
以上のように、ヒューズ１８が溶断し、且つ検出対象回路１４が異常である状況下においては、検出対象回路１４が低インピーダンス状態であり、検出装置１２のスイッチング部２２がオンになり、さらに検出装置１２の導通部３６が導通しない。すると、第１線１６ａの前段部から、スイッチング部２２、第２発光素子３４、および、電位が低下している検出対象回路１４の方向に電流が流れる。これにより、第２発光素子３４が点灯する。
As described above, under the condition that the
以上のように、本実施の形態の検出装置１２では、ヒューズ１８が切れたときに、検出対象回路１４の電圧に応じて、第１発光素子３２および第２発光素子３４のいずれか一方が点灯する。第１発光素子３２および第２発光素子３４の各々の発光に必要な電流は電源線１６から供給される。したがって、本実施の形態では、第１発光素子３２および第２発光素子３４を発光させるための二次電源（電池）等を電源線１６とは別途で設ける必要はない。
As described above, in the
ヒューズ１８が切れたときにおける検出対象回路１４の電圧の大きさは、検出対象回路１４が正常か異常かに応じて異なる。また、ヒューズ１８が切れたときにおける検出対象回路１４のインピーダンスの大きさも、検出対象回路１４が正常か異常かに応じて異なる。したがって、実質的には、ヒューズ１８が切れたときにおける検出対象回路１４のインピーダンスの大きさに応じて、第１発光素子３２および第２発光素子３４のいずれか一方が点灯すると言ってよい。
The magnitude of the voltage of the
本実施の形態では、上記した第１例のように、ヒューズ１８が切れ、且つ検出対象回路１４が高インピーダンス状態である場合には、第１発光素子３２が点灯するようにしている。このときの第１発光素子３２の点灯は、検出対象回路１４自体は正常であることを示している。
In the present embodiment, as in the above-described first example, when the
また、本実施の形態では、上記した第２例のように、ヒューズ１８が切れ、且つ検出対象回路１４が低インピーダンス状態である場合には第２発光素子３４が点灯するようにしている。このときの第２発光素子３４の点灯は、検出対象回路１４が異常であることを示している。
Further, in the present embodiment, as in the second example described above, when the
オペレータは、ヒューズ１８が切れたとき、第１発光素子３２および第２発光素子３４のうちのどちらが発光しているのかを確認することで、検出対象回路１４が正常であるか否かを容易に判別することができる。
The operator can easily determine whether the
なお、上記したように、本実施の形態では、第１インピーダンス素子２６、第２インピーダンス素子２８、および第３インピーダンス素子３０の、３つのインピーダンス素子を検出装置１２に設けている。しかしながら、検出装置１２に設けられるインピーダンス素子の数は、３つに限定されない。例えば、４つ以上のインピーダンス素子が検出装置１２に適宜設けられてもよい。
As described above, in the present embodiment, the
また、本実施の形態では、検出装置１２において、第１インピーダンス素子２６から第１発光素子３２の方向に流れる電流を整流する第１ダイオードＤ１を設けた。また、第１インピーダンス素子２６から第２発光素子３４の方向に流れる電流を整流する第２ダイオードＤ２を設けた。このように、ダイオードを、必要と判断される位置に適宜設けることにより、例えば、検出装置１２の動作が安定する。なお、第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２は、少なくとも一方が適宜省略されてもよい。また、検出装置１２を含む電気回路１０に、第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２以外のダイオードを設けてもよい。
Further, in the present embodiment, the
［変形例］
以上、本発明の一例として実施の形態が説明されたが、上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることはもちろんである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
[Modification]
Although the embodiment has been described as an example of the present invention, it is needless to say that various modifications and improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
（変形例１）
上記実施の形態においてスイッチング部２２が有するトランジスタ２４は、ＭＯＳＦＥＴであってもよい。その場合は、入力端子２４ａがソースであり、出力端子２４ｂがドレインであり、駆動端子２４ｃがゲートである。ＭＯＳＦＥＴは、消費電力の観点で効率的な構成とすることが、バイポーラトランジスタよりも容易である。
(Modification 1)
The
（変形例２）
スイッチング部２２は、上記実施の形態のようにトランジスタ２４を含む構成でなくてもよい。例えば、スイッチング部２２は、ヒューズ１８の溶断を検出したときにオンになるように構成されたスイッチまたは回路であればよい。
(Modification 2)
The switching
（変形例３）
導通部３６は、ツェナーダイオードでなくてもよい。例えば、導通部３６は、ヒューズ１８が切れたときにおいて、検出対象回路１４が高インピーダンス状態の場合にオンになり、且つ検出対象回路１４が低インピーダンス状態の場合にオフになるように構成されたスイッチまたは回路であればよい。
(Modification 3)
The conducting
（変形例４）
上記実施の形態および変形例は、矛盾の生じない範囲内で適宜組み合わされてよい。
(Modification 4)
The above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate within a range where no contradiction occurs.
［実施の形態から得られる発明］
上記実施の形態および変形例から把握しうる発明について、以下に記載する。
[Invention Obtained from Embodiment]
Inventions that can be understood from the above-described embodiments and modifications will be described below.
検出対象回路（１４）が正常であるか否かを検出する検出装置（１２）は、前記検出対象回路（１４）に電圧を印加するための電源線（１６）と、前記電源線（１６）上に設けられたヒューズ（１８）と、前記ヒューズ（１８）が切れたときに、前記検出対象回路（１４）のインピーダンスの状態に応じて、前記検出対象回路（１４）が正常か否かを検出する検出回路（２０）と、を備える。 A detection device (12) for detecting whether or not the detection target circuit (14) is normal has a power supply line (16) for applying a voltage to the detection target circuit (14) and the power supply line (16). When the fuse (18) provided above and the fuse (18) are blown, whether the detection target circuit (14) is normal or not is determined according to the impedance state of the detection target circuit (14). A detection circuit (20) for detecting.
これにより、ヒューズ（１８）が溶断した際に、ヒューズ（１８）後段の検出対象回路（１４）が正常であるか否かを検出回路（２０）により検出することができる。 Accordingly, when the fuse (18) is blown, the detection circuit (20) can detect whether or not the detection target circuit (14) subsequent to the fuse (18) is normal.
前記検出回路（２０）は、前記ヒューズ（１８）が切れ、且つ前記検出対象回路（１４）が所定インピーダンスより高い高インピーダンス状態の場合に、前記電源線（１６）から供給される電流によって点灯する第１発光素子（３２）と、前記ヒューズ（１８）が切れ、且つ前記検出対象回路（１４）が前記所定インピーダンスより低い低インピーダンス状態の場合に、前記電源線（１６）から供給される電流によって点灯する第２発光素子（３４）と、を有してよい。これにより、オペレータは、ヒューズ（１８）が切れたとき、検出対象回路（１４）のインピーダンスに応じていずれか一方が点灯する第１発光素子（３２）および第２発光素子（３４）を確認することで、検出対象回路（１４）が正常であるか否かを検出することができる。 The detection circuit (20) is lit by the current supplied from the power supply line (16) when the fuse (18) is blown and the detection target circuit (14) is in a high impedance state higher than a predetermined impedance. When the first light emitting element (32) and the fuse (18) are blown and the detection target circuit (14) is in a low impedance state lower than the predetermined impedance, by the current supplied from the power supply line (16) And a second light emitting element (34) that is turned on. Thereby, when the fuse (18) is blown, the operator confirms the first light emitting element (32) and the second light emitting element (34), one of which lights up according to the impedance of the detection target circuit (14). This makes it possible to detect whether or not the detection target circuit (14) is normal.
前記電源線（１６）は、正極側の第１線（１６ａ）および負極側の第２線（１６ｂ）を有し、前記ヒューズ（１８）は、前記第１線（１６ａ）に直列に挿入されて設けられており、前記検出回路（２０）は、前記ヒューズ（１８）が切れたときにオンになるスイッチング部（２２）と、前記ヒューズ（１８）が切れたときにおいて、前記検出対象回路（１４）が前記高インピーダンス状態の場合に導通し、且つ前記検出対象回路（１４）が前記低インピーダンス状態の場合に非導通になる導通部（３６）と、をさらに有し、前記第１発光素子（３２）および前記第２発光素子（３４）の各々のアノード（３２ａ、３４ａ）は、前記スイッチング部（２２）を介して、前記第１線（１６ａ）中の前記ヒューズ（１８）を挟んで前記検出対象回路（１４）とは反対側に接続され、前記第１発光素子（３２）のカソード（３２ｂ）は、前記導通部（３６）を介して、前記第２線（１６ｂ）に接続され、前記第２発光素子（３４）のカソード（３４ｂ）は、前記第１線（１６ａ）中の前記ヒューズ（１８）と前記検出対象回路（１４）との間に接続されてよい。これにより、ヒューズ（１８）が切れたときにスイッチング部（２２）がオンになる。また、検出対象回路（１４）が高インピーダンス状態であれば導通部（３６）が導通して第１発光素子（３２）が点灯する。また、検出対象回路（１４）が低インピーダンス状態であれば導通部（３６）が非導通になり、第２発光素子（３４）が点灯する。 The power supply line (16) has a first wire (16a) on the positive electrode side and a second wire (16b) on the negative electrode side, and the fuse (18) is inserted in series with the first wire (16a). The detection circuit (20) includes a switching unit (22) which is turned on when the fuse (18) is blown, and the detection target circuit () when the fuse (18) is blown. The first light emitting device further includes a conducting portion (36) which is conductive when 14) is in the high impedance state and is non-conductive when the detection target circuit (14) is in the low impedance state. (32) and the respective anodes (32a, 34a) of the second light emitting element (34) sandwich the fuse (18) in the first line (16a) via the switching unit (22). It is connected to the side opposite to the detection target circuit (14), and the cathode (32b) of the first light emitting element (32) is connected to the second line (16b) via the conducting portion (36). The cathode (34b) of the second light emitting element (34) may be connected between the fuse (18) in the first line (16a) and the detection target circuit (14). As a result, the switching unit (22) is turned on when the fuse (18) is blown. If the detection target circuit (14) is in a high impedance state, the conducting portion (36) is conducting and the first light emitting element (32) is lit. Further, when the detection target circuit (14) is in a low impedance state, the conducting portion (36) becomes non-conducting and the second light emitting element (34) lights up.
前記スイッチング部（２２）は、前記第１線（１６ａ）中の前記ヒューズ（１８）を挟んで前記検出対象回路（１４）とは反対側に接続された入力端子（２４ａ）、前記第１発光素子（３２）および前記第２発光素子（３４）の各々のアノード（３２ａ、３４ａ）と接続された出力端子（２４ｂ）、および、電圧が印加されたときに前記入力端子（２４ａ）および前記出力端子（２４ｂ）間を導通させる駆動端子（２４ｃ）を備えたトランジスタ（２４）と、前記第１線（１６ａ）中の前記ヒューズ（１８）を挟んで前記検出対象回路（１４）とは反対側、および前記トランジスタ（２４）の前記駆動端子（２４ｃ）の間に設けられたインピーダンス素子（２６）と、を有してよい。これにより、ヒューズ（１８）が切れたときに第１線（１６ａ）から駆動端子（２４ｃ）の方向に電流が流れる。その結果、トランジスタ（２４）、延いてはスイッチング部（２２）がオンになる。 The switching unit (22) has an input terminal (24a) connected to the side opposite to the detection target circuit (14) across the fuse (18) in the first line (16a), and the first light emission. An output terminal (24b) connected to the anode (32a, 34a) of each of the element (32) and the second light emitting element (34), and the input terminal (24a) and the output when a voltage is applied. The transistor (24) provided with a drive terminal (24c) for electrically connecting the terminals (24b) and the fuse (18) in the first line (16a) are opposite to the detection target circuit (14). , And an impedance element (26) provided between the drive terminals (24c) of the transistors (24). As a result, when the fuse (18) is blown, a current flows from the first line (16a) to the drive terminal (24c). As a result, the transistor (24) and eventually the switching section (22) are turned on.
前記導通部（３６）は、前記ヒューズ（１８）が切れたときにおいて、前記検出対象回路（１４）が前記高インピーダンス状態のときに導通し、且つ前記検出対象回路（１４）が前記低インピーダンス状態のときに非導通になるツェナーダイオードであり、前記ツェナーダイオードのアノードは、前記第１発光素子（３２）のカソード（３２ｂ）に接続され、前記ツェナーダイオードのカソードは、前記第２線（１６ｂ）に接続されてよい。これにより、ヒューズ（１８）が切れ、且つ検出対象回路（１４）が高インピーダンス状態になった状況下において、導通部（３６）が導通する。 The conducting portion (36) conducts when the detection target circuit (14) is in the high impedance state when the fuse (18) is blown, and the detection target circuit (14) is in the low impedance state. Is a Zener diode which becomes non-conductive at the time, the anode of the Zener diode is connected to the cathode (32b) of the first light emitting element (32), and the cathode of the Zener diode is the second line (16b). May be connected to. As a result, under the condition that the fuse (18) is blown and the detection target circuit (14) is in a high impedance state, the conductive portion (36) is conductive.
１０…電気回路 １２…検出装置
１４…検出対象回路 １６…電源線
１６ａ…第１線 １６ｂ…第２線
１８…ヒューズ ２０…検出回路
２２…スイッチング部 ２４…トランジスタ
２４ａ…入力端子 ２４ｂ…出力端子
２４ｃ…駆動端子 ２６…第１インピーダンス素子
２８…第２インピーダンス素子 ３０…第３インピーダンス素子（インピーダンス素子）
３２…第１発光素子 ３２ａ…第１発光素子３２のアノード
３２ｂ…第１発光素子３２のカソード
３４…第２発光素子（ＬＥＤ） ３４ａ…第２発光素子
３４のアノード ３４ｂ…第２発光素子３４のカソード
３６…導通部（ツェナーダイオード）
Ｄ１…第１ダイオード Ｄ２…第２ダイオード
Ｖ１…第１電圧 Ｖ２…第２電圧
Ｖｉｎ…入力電圧（動作開始電圧）
Ｖｚｅ…降伏電圧 Ｚｈｉ…動作前インピーダンス
Ｚｌｏ…動作中インピーダンス
DESCRIPTION OF
32... 1st
D1... 1st diode D2... 2nd diode V1... 1st voltage V2... 2nd voltage Vin... Input voltage (operation start voltage)
Vze... Breakdown voltage Zhi... Impedance before operation Zlo... Impedance during operation
Claims (5)
前記検出対象回路に電圧を印加するための電源線と、
前記電源線上に設けられたヒューズと、
前記ヒューズが切れたときに、前記検出対象回路のインピーダンスの状態に応じて、前記検出対象回路が正常か否かを検出する検出回路と、
を備える、検出装置。 A detection device for detecting whether or not a detection target circuit is normal,
A power supply line for applying a voltage to the detection target circuit,
A fuse provided on the power supply line,
When the fuse is blown, according to the state of the impedance of the detection target circuit, a detection circuit for detecting whether the detection target circuit is normal,
A detection device comprising:
前記検出回路は、
前記ヒューズが切れ、且つ前記検出対象回路が所定インピーダンスより高い高インピーダンス状態の場合に、前記電源線から供給される電流によって点灯する第１発光素子と、
前記ヒューズが切れ、且つ前記検出対象回路が前記所定インピーダンスより低い低インピーダンス状態の場合に、前記電源線から供給される電流によって点灯する第２発光素子と、
を有する、検出装置。 The detection device according to claim 1, wherein
The detection circuit is
A first light emitting element that is lit by a current supplied from the power supply line when the fuse is blown and the detection target circuit is in a high impedance state higher than a predetermined impedance;
A second light emitting element that is turned on by a current supplied from the power supply line when the fuse is blown and the detection target circuit is in a low impedance state lower than the predetermined impedance;
And a detection device.
前記電源線は、正極側の第１線および負極側の第２線を有し、
前記ヒューズは、前記第１線に直列に挿入されて設けられており、
前記検出回路は、
前記ヒューズが切れたときにオンになるスイッチング部と、
前記ヒューズが切れたときにおいて、前記検出対象回路が前記高インピーダンス状態の場合に導通し、且つ前記検出対象回路が前記低インピーダンス状態の場合に非導通になる導通部と、
をさらに有し、
前記第１発光素子および前記第２発光素子の各々のアノードは、前記スイッチング部を介して、前記第１線中の前記ヒューズを挟んで前記検出対象回路とは反対側に接続され、
前記第１発光素子のカソードは、前記導通部を介して、前記第２線に接続され、
前記第２発光素子のカソードは、前記第１線中の前記ヒューズと前記検出対象回路との間に接続されている、検出装置。 The detection device according to claim 2, wherein
The power supply line has a first wire on the positive electrode side and a second wire on the negative electrode side,
The fuse is provided by being inserted in series with the first wire,
The detection circuit is
A switching unit which is turned on when the fuse is blown,
When the fuse is blown, the detection target circuit is conductive when the high impedance state, and the conductive portion becomes non-conductive when the detection target circuit is the low impedance state,
Further has
An anode of each of the first light emitting element and the second light emitting element is connected to the opposite side of the detection target circuit via the switching unit with the fuse in the first line interposed therebetween.
The cathode of the first light emitting element is connected to the second line through the conductive portion,
The detection device, wherein the cathode of the second light emitting element is connected between the fuse in the first line and the detection target circuit.
前記スイッチング部は、
前記第１線中の前記ヒューズを挟んで前記検出対象回路とは反対側に接続された入力端子、前記第１発光素子および前記第２発光素子の各々のアノードと接続された出力端子、および、電圧が印加されたときに前記入力端子および前記出力端子間を導通させる駆動端子を備えたトランジスタと、
前記第１線中の前記ヒューズを挟んで前記検出対象回路とは反対側、および前記トランジスタの前記駆動端子の間に設けられたインピーダンス素子と、を有する、検出装置。 The detection device according to claim 3,
The switching unit,
An input terminal connected to the side opposite to the detection target circuit across the fuse in the first line, an output terminal connected to an anode of each of the first light emitting element and the second light emitting element, and A transistor having a drive terminal for electrically connecting the input terminal and the output terminal when a voltage is applied;
A detection device comprising: an impedance element provided between the drive terminal of the transistor and a side opposite to the detection target circuit with the fuse in the first line interposed therebetween.
前記導通部は、前記ヒューズが切れたときにおいて、前記検出対象回路が前記高インピーダンス状態のときに導通し、且つ前記検出対象回路が前記低インピーダンス状態のときに非導通になるツェナーダイオードであり、
前記ツェナーダイオードのアノードは、前記第１発光素子のカソードに接続され、
前記ツェナーダイオードのカソードは、前記第２線に接続されている、検出装置。 The detection device according to claim 3 or 4, wherein
The conducting portion, when the fuse is blown, is a Zener diode that becomes conductive when the detection target circuit is in the high impedance state, and becomes non-conductive when the detection target circuit is in the low impedance state,
The anode of the Zener diode is connected to the cathode of the first light emitting device,
The detection device, wherein the cathode of the Zener diode is connected to the second line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2018218181A JP2020089007A (en) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | Detection device |
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2018
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