JP2020071137A - Temperature abnormality detection system, temperature abnormality detection method, and program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、温度異常検知システム、温度異常検知方法およびプログラムに関し、より詳しくは、対象機器の温度異常を検知する温度異常検知システム、温度異常検知方法およびプログラムに関する。 The present invention relates to a temperature abnormality detection system, a temperature abnormality detection method and a program, and more particularly to a temperature abnormality detection system, a temperature abnormality detection method and a program that detect a temperature abnormality of a target device.
従来、この種の温度異常検知システムとしては、例えば、特開2010−224680号公報に開示されているように、対象機器の温度の変化率を算出し、変化率が予め定められた閾値を超えたとき、温度異常が発生したと判定するものが知られている。 Conventionally, as this type of temperature abnormality detection system, for example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2010-224680, the rate of change in the temperature of the target device is calculated, and the rate of change exceeds a predetermined threshold value. It is known to determine that a temperature abnormality has occurred when the temperature rises.
しかしながら、特許文献1(特開2010−224680号公報)に記載のものでは、温度変化率のための閾値が適切であるか否か不明であり、温度上昇のメカニズムに詳しくないユーザにとって、温度異常を判定するための閾値を設定することが困難である、という問題点がある。 However, in the one described in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2010-224680), it is unclear whether the threshold value for the temperature change rate is appropriate, and for a user who is not familiar with the mechanism of temperature rise, the temperature abnormality There is a problem that it is difficult to set a threshold value for determining
そこで、この発明の課題は、対象機器の温度異常を判定するための閾値を設定し易くできる温度異常検知システム、温度異常検知方法およびプログラムを提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to provide a temperature abnormality detection system, a temperature abnormality detection method, and a program capable of easily setting a threshold value for determining a temperature abnormality of a target device.
そこで、この開示の温度異常検知システムは、
対象機器の現在温度を、刻々、測定する温度測定部と、
上記測定した温度に基づいて温度変化率の極大値を検出する極大値検出部と、
上記温度変化率の極大値を検出してから、上記温度変化率が上記極大値に対して予め定められた減衰比まで低下する減衰期間を算出する減衰期間算出部と、
上記温度変化率の上記減衰期間に基づいて、上記対象機器の予測される到達温度を算出する予測温度算出部と、
算出された上記到達温度が、予め定められた温度閾値を超えているとき異常であると判定する異常判定部とを備える、
ことを特徴とする。
Therefore, the temperature abnormality detection system of this disclosure is
A temperature measurement unit that measures the current temperature of the target device moment by moment,
A maximum value detection unit that detects the maximum value of the temperature change rate based on the measured temperature,
After detecting the maximum value of the temperature change rate, a decay period calculation unit for calculating a decay period in which the temperature change rate is reduced to a predetermined damping ratio with respect to the maximum value,
Based on the decay period of the temperature change rate, a predicted temperature calculation unit for calculating the predicted ultimate temperature of the target device,
The calculated reaching temperature, an abnormality determination unit for determining that there is an abnormality when it exceeds a predetermined temperature threshold,
It is characterized by
本明細書で、「対象機器」とは、温度測定の対象となる機器であり、動作時に温度上昇する可能性がある物を指す。 In the present specification, the “target device” is a device that is a target of temperature measurement, and refers to an object that may have a temperature rise during operation.
また、「予め定められた減衰比」とは、例えば、減衰比1/2、または、減衰比1/3というような値を指す。ただし、これに限られるものではない。なお、上記温度変化率が上記極大値から減衰比1/2まで低下するときの減衰期間を、特に「半減期」と呼ぶ。
The “predetermined damping ratio” refers to a value such as the
この開示の温度異常検知システムでは、温度検出部は、対象機器の現在温度を、刻々検出する。極大値検出部は、上記測定した温度に基づいて温度変化率の極大値を検出する。減衰期間算出部は、上記温度変化率の極大値を検出してから、上記温度変化率が上記極大値に対して予め定められた減衰比まで低下する減衰期間を算出する。予測温度算出部は、上記温度変化率の上記減衰期間に基づいて、上記対象機器の予測される到達温度を算出する。異常判定部は、算出された上記到達温度が、予め定められた温度閾値を超えているとき異常であると判定する。このように判定が行われる場合、ユーザは、温度変化率のための閾値を設定する必要が無く、上記到達温度に対する温度閾値を設定しておけばよい。したがって、ユーザは、対象機器の温度異常を判定するための閾値を設定し易くなる。 In the temperature abnormality detection system of this disclosure, the temperature detection unit detects the current temperature of the target device moment by moment. The maximum value detection unit detects the maximum value of the temperature change rate based on the measured temperature. The decay period calculation unit detects a maximum value of the temperature change rate and then calculates a decay period in which the temperature change rate decreases to a predetermined damping ratio with respect to the maximum value. The predicted temperature calculation unit calculates a predicted ultimate temperature of the target device based on the decay period of the temperature change rate. The abnormality determination unit determines that there is an abnormality when the calculated ultimate temperature exceeds a predetermined temperature threshold. When the determination is performed in this manner, the user does not need to set the threshold value for the temperature change rate, and may set the temperature threshold value for the reached temperature. Therefore, the user can easily set the threshold value for determining the temperature abnormality of the target device.
一実施形態の温度異常検知システムは、上記現在温度をTiとし、上記減衰期間をthとし、現在の温度変化率をΔTiとし、予め定められた係数をkとし、上記到達温度をTinfとしたとき、上記到達温度Tinfを、
Tinf=Ti+k×th×ΔTi
なる算出式により算出することを特徴とする。
In the temperature abnormality detection system of one embodiment, the current temperature is T i , the decay period is th, the current rate of temperature change is ΔT i , a predetermined coefficient is k, and the attainment temperature is T inf. And the ultimate temperature T inf is
T inf = T i + k × th × ΔT i
It is characterized in that it is calculated by the following formula.
この一実施形態の温度異常検知システムでは、対象機器の到達温度は、上記算出式によって正確に算出可能である。その結果、精度よく対象機器の異常を検知することができる。 In the temperature abnormality detection system of this one embodiment, the reached temperature of the target device can be accurately calculated by the above calculation formula. As a result, it is possible to accurately detect an abnormality in the target device.
一実施形態の温度異常検知システムは、上記予め定められた係数kの数値範囲は、
0.8/log(m)≦k≦1.2/log(m)
により規定され、ここで、mは上記減衰比の逆数である実数であり、かつm>1であり、logは自然対数であることを特徴とする。
In the temperature abnormality detection system of one embodiment, the numerical range of the predetermined coefficient k is
0.8 / log (m) ≦ k ≦ 1.2 / log (m)
, Where m is a real number that is the reciprocal of the damping ratio, and m> 1, and log is the natural logarithm.
この一実施形態の温度異常検知システムでは、対象機器の到達温度は、上記算出式によってより正確に算出可能である。その結果、より精度よく対象機器の異常を検知することができる。 In the temperature abnormality detection system of this one embodiment, the reached temperature of the target device can be more accurately calculated by the above calculation formula. As a result, the abnormality of the target device can be detected more accurately.
一実施形態の温度異常検知システムは、上記対象機器が複数ある場合に、対象機器毎に順次到達温度が算出され、上記対象機器毎に異常であるか否かが判定されることを特徴とする温度異常検知システム。 The temperature abnormality detection system according to one embodiment is characterized in that, when there are a plurality of target devices, the reached temperature is sequentially calculated for each target device, and whether or not there is an abnormality is determined for each target device. Temperature abnormality detection system.
この一実施形態の温度異常検知システムでは、上記対象機器毎に異常であるか否かが判定される。その結果、対象機器毎の異常を精度よく検知することができる。 In the temperature abnormality detection system of this one embodiment, it is determined for each target device whether or not there is an abnormality. As a result, the abnormality of each target device can be accurately detected.
別の局面では、この開示の温度異常検知方法は、
対象機器の温度を検知する温度異常検知方法であって、
対象機器の現在温度を、刻々、測定するステップと、
上記測定した温度に基づいて温度変化率の極大値を検出するステップと、
上記温度変化率の極大値を検出してから、上記温度変化率が上記極大値に対して予め定められた減衰比まで低下する減衰期間を算出するステップと、
上記温度変化率の上記減衰期間に基づいて、上記対象機器の予測される到達温度を算出するステップと、
算出された上記到達温度が、予め定められた温度閾値を超えているとき異常であると判定するステップとを備える、
ことを特徴とする。
In another aspect, the temperature abnormality detection method of the present disclosure includes
A temperature abnormality detection method for detecting the temperature of a target device,
Measuring the current temperature of the target device moment by moment,
Detecting the maximum value of the temperature change rate based on the measured temperature,
After detecting the maximum value of the temperature change rate, a step of calculating a decay period in which the temperature change rate decreases to a predetermined damping ratio with respect to the maximum value,
Calculating a predicted ultimate temperature of the target device based on the decay period of the temperature change rate;
The calculated reaching temperature, the step of determining that there is an abnormality when exceeding a predetermined temperature threshold,
It is characterized by
この開示の温度異常検知方法では、ユーザは、対象機器の温度異常を判定するための閾値を設定し易くできる。 In the disclosed temperature abnormality detection method, the user can easily set the threshold value for determining the temperature abnormality of the target device.
さらに別の局面では、この開示のプログラムは、上記温度異常検知方法をコンピュータに実行させるためのプログラムである。 In still another aspect, the program of this disclosure is a program for causing a computer to execute the above-described temperature abnormality detection method.
この開示のプログラムをコンピュータに実行させることによって、上記温度異常検知方法を実施することができる。 By causing a computer to execute the program of this disclosure, the above temperature abnormality detection method can be implemented.
以上より明らかなように、この本開示の温度異常検知システム、温度異常検知方法によれば、対象機器の温度異常を判定するための閾値を設定し易くできる。また、この開示のプログラムをコンピュータに実行させることによって、上記温度異常検知方法を実施することができる。 As is clear from the above, according to the temperature abnormality detection system and the temperature abnormality detection method of the present disclosure, it is possible to easily set the threshold value for determining the temperature abnormality of the target device. Further, the temperature abnormality detection method can be implemented by causing a computer to execute the program of this disclosure.
以下、この開示の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings.
(システムの構成)
図1(A)は、この発明の一実施形態の温度異常検知システム1の概略構成を模式的に示している。この例では、温度異常検知システム1は、制御盤90内に配置された対象機器91の温度異常を検知するものであり、大別して、制御盤90の前扉90fの内側に配置された放射温度センサ97と、制御盤90の外部に配置された異常判定装置100とを備えている。この例では、制御盤90内の放射温度センサ97と異常判定装置100とは、信号ケーブル99,180を介して通信可能に接続されている。なお、放射温度センサ97と異常判定装置100とは、無線で通信可能になっていてもよい。
(System configuration)
FIG. 1A schematically shows a schematic configuration of a temperature
制御盤90は、一般的な構成のものであり、この例では、直方体状の外形をもつ筐体90Mと、この筐体90M内に配置された対象機器91と、この対象機器91に電力を供給する電源部92(後述の図3参照)とを備えている。この例では、筐体90Mは、図1(A)中に矢印Eで示すように開閉可能な前扉90fを有している。図1(B)(前扉90fが閉じられた状態で制御盤90の内部を右側方から見たところを模式的に示す)に示すように、対象機器91は、筐体90Mの後壁90rの内面に沿って取り付けられている。
The
対象機器91としては、例えば、直流電源、コンタクタ、調節計、モータドライバ、ブレーカなどの各種機器のほか、機器の一部をなすパワー半導体、リレー、ヒートシンク、電力系配線、端子など、動作時に温度上昇する可能性があるものが挙げられる。
Examples of the
放射温度センサ97は、この放射温度センサ97を収容するセンサ筐体95Mを備えている。
The
図2(A)に示すように、この例では、放射温度センサ97は、センサ基板96に搭載された円筒状のキャンケース97bと、このキャンケース97bの先端開口を塞ぐように取り付けられたレンズ97aと、キャンケース97b内でセンサ基板96に沿って配置された感温素子アレイ97cとを備えている。レンズ97aは、対象機器91が放射した赤外線を集光して感温素子アレイ97c上に入射させる。感温素子アレイ97cは、この例では、サーモパイル(熱電堆)からなり、図2(B)に示すように、8行×8列の感温素子191,191,…の配列によって構成されている。これらの感温素子191,191,…がレンズ97aを通してこの放射温度センサ97の視野内のそれぞれ別の方向を見ることによって、視野内の温度分布を表す複数(この例では、64個)の温度信号を出力することが可能になっている。後述のように、これらの64個の温度信号のうち、選択された信号が表す温度が温度Ti(n)として取得される。この例では、n=1〜64である。
As shown in FIG. 2A, in this example, the
このように、放射温度センサ97を備える場合、この放射温度センサ97によって、対象機器91が示す温度Tiを、制御盤90の筐体90M内で対象機器91から離れた位置で測定できる。したがって、たとえ対象機器91が異常に温度上昇したとしても、その温度上昇による被害を受け難い。また、放射温度センサ97自体は、例えば熱電対温度センサに比して、短絡、発火などの危険が少ないという利点がある。
As described above, when the
この例では、この放射温度センサ97の視野には、1個の対象機器91のみが図示されているが、これに限られるものではない。放射温度センサ97の視野には、動作時に温度上昇する可能性がある複数の対象機器が含まれていてもよい。また、対象機器91の複数の部分がそれぞれ動作時に温度上昇する場合であっても、放射温度センサ97は、それらの複数の部分の温度をそれぞれ観測することができる。
In this example, only one
図1(B)中に示すように、放射温度センサ97を搭載したセンサ基板96は、上述のセンサ筐体95Mに、放射温度センサ97のレンズ97aが外部に面する状態で搭載されている。センサ筐体95Mは、図示しない取付金具によって、制御盤90の前扉90fの内面に、堅固に取り付けられている。この例では、センサ筐体95M(およびセンサ基板96)は、放射温度センサ97の視野に対象機器91が入るように、前扉90fの鉛直な内面に対して傾斜した状態で取り付けられている。
As shown in FIG. 1B, the
なお、この例では、放射温度センサ97は、センサ筐体95Mに搭載された図示しない電池からの電力供給によって動作する構成になっている。ただし、放射温度センサ97は、制御盤90の電源部92から電力供給を受けてもよい。
In addition, in this example, the
図3は、温度異常検知システム1の機能的なブロック構成を示している。
FIG. 3 shows a functional block configuration of the temperature
温度異常検知システム1に含まれた異常判定装置100は、この例では、操作部103、記憶部102、制御部101、通信部104、および警報部105を備えている。
In this example, the
操作部103は、この例ではキーボードとマウスからなっている。この例では、操作部103は、特に、ユーザが処理開始/終了指示、および、温度異常の判定のための閾値Thを入力するために用いられる。 The operation unit 103 is composed of a keyboard and a mouse in this example. In this example, the operation unit 103 is used, in particular, by the user for inputting a process start / end instruction and a threshold Th for determining a temperature abnormality.
記憶部102は、この例では、非一時的にデータを記憶し得るEEPROM(電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ)、および、一時的にデータを記憶し得るRAM(ランダム・アクセス・メモリ)を含んでいる。この記憶部102には、制御部101を制御するためのソフトウェア(コンピュータプログラム)が格納されている。また、この例では、記憶部102は、ユーザによって入力された温度異常の判定のための閾値Thを記憶する。また、後述のように、記憶部102は、温度Ti、温度変化率ΔTi、温度変化率の極大値ΔTmaxなどの数値を記憶する。
In this example, the
制御部101は、この例では、記憶部102に格納された制御プログラム(ソフトウェア)に従って動作するプロセッサによって構成されている。この制御部101は、ソフトウェアによって構成された温度変化率算出部141と、到達温度算出部142と、判定部143とを含んでいる。この温度変化率算出部141は、温度測定部と極大値検出部とを構成している。到達温度算出部142は、減衰期間算出部と予測温度算出部とを構成している。判定部143は異常判定部を構成している。この例では、制御部101はプロセッサを含むものとしたが、これに限るものではない。制御部101は、PLD(Programmable Logic Device)、FPGA(Field Programmable Gate Array)などの、論理回路(集積回路)を含むものとしてもよい。この制御部101の動作については、図4の動作フローを用いて後に詳述する。
In this example, the
通信部104は、制御部101によって制御されて所定の情報を外部の装置に送信したり、また、外部の装置からの情報を受信して制御部101に受け渡したりする。この例では、通信部104は、外部の装置からの指示を受信する。また、通信部104は、図示しない上位装置へ温度異常信号ATを送信する。
The
警報部105は、この例では、LCD(液晶表示素子)からなる表示器151と、ブザー152とを含んでいる。表示器151は、制御部101からの信号に基づいて、各種情報を表示画面に表示する。ブザー152は、制御部101からの信号に基づいて、ブザー音を鳴動させる。
In this example, the
(到達温度の算出式の導出)
次に、対象機器である熱容量に一定の発熱量が加えられる場合、到達温度の算出式の導出過程を説明する。
(Deriving the formula for calculating the ultimate temperature)
Next, the process of deriving the formula for calculating the ultimate temperature when a certain amount of heat is added to the heat capacity of the target device will be described.
熱容量に一定の発熱量が加えられる場合、伝達関数は1次遅れ特性で近似することができる。次に1次遅れ特性を表す式Eq1を示す。
G(s)=K/(τ・s+1) ・・・(Eq1)
ただし、sはラプラス演算子、Kはゲイン定数、τは時定数を表す。
When a constant amount of heat is added to the heat capacity, the transfer function can be approximated by the first-order lag characteristic. Next, the equation Eq1 representing the first-order lag characteristic is shown.
G (s) = K / (τ · s + 1) (Eq1)
However, s is a Laplace operator, K is a gain constant, and τ is a time constant.
このとき、この時間応答はインデンシャル応答またはステップ応答と呼ばれる。時間応答は次式Eq2により求められる。この例では、図5に示すように、対象機器が示す温度は、時間tによる関数A(t)によって近似される。
A(t)=K(1−exp(−t/τ)) ・・・(Eq2)
At this time, this time response is called an indental response or a step response. The time response is obtained by the following equation Eq2. In this example, as shown in FIG. 5, the temperature indicated by the target device is approximated by a function A (t) depending on time t.
A (t) = K (1-exp (-t / τ)) (Eq2)
式Eq2のステップ応答A(t)の変化率は、式Eq2の時間微分で求められる。次に時間微分の式Eq3を示す。
A’(t)=(K/τ)・exp(−t/τ) ・・・(Eq3)
The change rate of the step response A (t) of the equation Eq2 is obtained by the time derivative of the equation Eq2. Next, the equation Eq3 of time differentiation is shown.
A ′ (t) = (K / τ) · exp (−t / τ) (Eq3)
この変化率A’(t)は、時間tからxだけ経過すると、次式Eq4のような比率となる。
A’(t+x)/A’(t)
=((K/τ)・exp(−(t+x)/τ))/((K/τ)・exp(−t/τ))
=exp(−(t+x)/τ)/exp(−x/τ)
=exp(−x/τ) ・・・(Eq4)
The rate of change A ′ (t) becomes a ratio as in the following equation Eq4 when x has elapsed from the time t.
A '(t + x) / A' (t)
= ((K / τ) · exp (-(t + x) / τ)) / ((K / τ) · exp (-t / τ))
= Exp (-(t + x) / τ) / exp (-x / τ)
= Exp (-x / τ) (Eq4)
したがって、変化率A’(t)は、どの時刻tから見ても、一定の時間比率で減少することが分かる。これは減衰期間は変化しないことを意味する。 Therefore, it can be seen that the rate of change A ′ (t) decreases at a constant time ratio at any time t. This means that the decay period does not change.
ここで、ある時刻t0でのA(t0)とA’(t0)、変化率の減衰期間thを計測して、A(t)が到達する到達温度A(t→∞)を求める。 Here, A (t0) and A '(t0) at a certain time t0 and the decay period th of the rate of change are measured to obtain the ultimate temperature A (t → ∞) that A (t) reaches.
まず、A(t0)を初期値として、変化率A’(t0)から一定の減衰期間thで変化する温度の収束値(到達温度)T∞は、次式Eq5で計算することができる。 First, with A (t0) as the initial value, the convergent value (arrival temperature) T∞ of the temperature that changes from the rate of change A ′ (t0) in the constant decay period th can be calculated by the following equation Eq5.
ここで、次式Eq6で、a=0.5とした結果を、上記式Eq5に代入すると後述の式Eq7を得ることができる。この例では、a=0.5(これは半減期を意味する。)としたが、これに限られるものではない。aは任意の減衰比を取ることができる。例えば、減衰比1/3とすれば、a=0.333…を上記式Eq5に代入すればよい。 Here, by substituting the result of a = 0.5 in the following equation Eq6 into the above equation Eq5, the equation Eq7 described later can be obtained. In this example, a = 0.5 (this means the half-life), but it is not limited to this. a can take an arbitrary damping ratio. For example, if the damping ratio is ⅓, a = 0.333 ... May be substituted into the above equation Eq5.
T∞=A(t0)−A’(t0)・th/log(a)
=A(t0)−A’(t0)・th/log0.5
≒A(t0)+A’(t0)/1.44・th ・・・(Eq7)
T∞ = A (t0) −A ′ (t0) · th / log (a)
= A (t0) -A '(t0) .th / log 0.5
≈A (t0) + A '(t0) /1.44·th (Eq7)
以上により、到達温度T∞は、任意の時間t0で、温度A(t0)、温度変化率A’(t0)、変化率の減衰期間thを用いて式Eq7により算出することができる。 As described above, the reached temperature T∞ can be calculated by the equation Eq7 at the arbitrary time t0 using the temperature A (t0), the temperature change rate A ′ (t0), and the change rate decay period th.
例えば、A(t0)=40℃、減衰期間th=10分、A’(t0)=0.1℃/分の場合、到達温度T∞=40℃+1.44・10分・0.1℃/分≒41.4℃のように計算することができる。 For example, when A (t0) = 40 ° C., decay period th = 10 minutes, and A ′ (t0) = 0.1 ° C./minute, the reached temperature T∞ = 40 ° C. + 1.44 · 10 minutes · 0.1 ° C. /Min.apprxeq.41.4.degree. C. can be calculated.
図6は、時間経過に伴う温度変化率の変化を示す。図6の関数A’(t)によって分かるように、温度変化率は、時間に伴って、極大値ΔTmaxまで上昇し、その後下降する。温度変化率の減衰期間thは、温度変化率の極大値ΔTmaxを示した時間からΔTmax/2までの時間までの期間thを表している。この例では、半減期ΔTmax/2としたが、これに限られるものではない。ΔTmax/3などの任意の減衰比となる時間を算出してもよい。 FIG. 6 shows a change in the temperature change rate with the passage of time. As can be seen from the function A ′ (t) in FIG. 6, the temperature change rate increases with time to the maximum value ΔT max , and then decreases. The temperature change rate decay period th represents the period th from the time when the maximum value ΔT max of the temperature change rate is reached to the time when ΔT max / 2. In this example, the half-life ΔT max / 2 is set, but it is not limited to this. You may calculate the time used as arbitrary damping ratios, such as (DELTA) Tmax / 3.
(温度異常検知の動作)
図4は、異常判定装置100が実行する温度異常検知処理(温度異常検知方法)のフローを示している。この例では、制御盤90の運転開始と同時に、異常判定装置100は図3中に示した操作部103を介した処理開始指示を受けて、この温度異常検知処理を開始するものとする。なお、この例では、図2(B)中に示すように、放射温度センサ97は、n個の感温素子191(温度セル)毎に分割された検知エリアに対応する対象機器91の温度を検出している。この例では、温度セルは64個に分割されており、n=1〜64であった。
(Operation of temperature abnormality detection)
FIG. 4 shows a flow of temperature abnormality detection processing (temperature abnormality detection method) executed by the
まず、図4のステップS1に示すように、制御部101は温度警報を出力するための閾値Thを読み込む。なお、温度セルは、64個に分割されているので、n=1〜64それぞれの閾値Thを合計64回読み込む。ここで、閾値Thは、ユーザの操作部103を通した入力によって、記憶部102に予め記憶されている。制御部101は、図示しない入出力インタフェースを介して、放射温度センサ97が出力する温度セル毎の温度信号(温度Ti)を、刻々、入力している。また、制御部101は、現在温度Tiを、刻々、時系列で記憶部102に記憶している。
First, as shown in step S1 of FIG. 4, the
次に、図4のステップS2に示すように、制御部101は温度変化率算出部141として働いて、今回のターンでの温度Tiと前回ターンでの温度Ti−1の差分を算出することにより、温度変化率ΔTiを求める。なお、この例では、1回のターンのための処理時間Δtが一定になっているので、今回のターンでの温度Tiと前回ターンでの温度Ti−1の差分ΔTiは、温度変化率として把握される。このようにして、求められた温度変化率ΔTiは、時系列で記憶部102に記憶される。なお、n=1〜64の温度セル毎に合計64個の温度変化率ΔTiを求める。
Next, as shown in step S2 of FIG. 4, the
次に、図4のステップS3に示すように、制御部101は温度変化率算出部141として働いて、前回のターンでの温度変化率ΔTi−1に対して今回のターンでの温度変化率ΔTiが減少していないか否か判断する。前回のターン時の温度変化率ΔTi−1に対して今回のターンでの温度変化率ΔTiが減少していなければ(ステップS3でNO)、温度変化率が上昇中であると判断して、ステップS2に戻り次ターンの温度変化率を算出する。ステップS3で、時系列で記憶された前回のターン時の温度変化率ΔTi−1に対して今回のターンでの温度変化率ΔTiが減少していれば(ステップS3でYES)、温度変化率が変化率の極大値(ここで前回のターン時の温度変化率ΔTi−1をΔTmaxとする。)に達したと判断して、ステップS4に進む。なお、n=1〜64の温度セル毎に合計64個の温度変化率の極大値ΔTmaxを求める。
Next, as shown in step S3 of FIG. 4, the
次に、図4のステップS4に示すように、制御部101は、現在の温度変化率ΔTiがΔTmax/2より減少していないか否か判断する。現在の温度変化率ΔTiがΔTmax/2より減少していなければ(ステップS4でNO)、温度変化率ΔTiが減少中であると判断して、ステップS4を繰り返す。ステップS4で、現在の温度変化率ΔTiがΔTmax/2より減少していれば(ステップS4でYES)、現在の温度変化率ΔTiがΔTmax/2に達したと判断して、ステップS5に進む。
Next, as shown in step S4 of FIG. 4, the
次に、図4のステップS5に示すように、制御部101は、温度変化率の減衰期間thを算出する。具体的には、制御部101は、温度変化率ΔTiを求めた際のカウント値を、ΔTmaxからΔTmax/2までの時間に換算することによって、減衰期間thの期間を算出する。この例では、半減期ΔTmax/2としたが、これに限られるものではない。ΔTmax/3などの任意の減衰比となる減衰期間を算出してもよい。これにより、温度変化率ΔTiのノイズによる影響を低減することができる。その結果、到達温度を精度良く算出することができる。減衰期間thの算出後、ステップS6に進む。なお、n=1〜64の温度セル毎に合計64個の減衰期間thの期間を算出する。
Next, as shown in step S5 of FIG. 4, the
次に、図4のステップS6に示すように、制御部101は、到達温度算出部142として働いて、現在温度をTiとし、減衰期間をthとし、現在温度変化率をΔTiとし、予め定められた係数をkとしたとき、到達温度Tinfを次式Eq8により算出する。
Tinf=Ti+k×th×ΔTi ・・・(Eq8)
ここで、kは、1次遅れモデル(論理値)と実機の到達温度の差を補正するための係数である。好ましくは、0.5≦k≦1.5の数値範囲が採用される。より好ましくは、0.8/log(m)≦k≦1.2/log(m)、ここで、mは減衰比の逆数である実数であり、かつm>1であり、logは自然対数である数値範囲が採用される。
Next, as shown in step S6 of FIG. 4, the
T inf = T i + k × th × ΔT i (Eq8)
Here, k is a coefficient for correcting the difference between the temperature reached by the first-order lag model (logical value) and the actual machine. Preferably, a numerical range of 0.5 ≦ k ≦ 1.5 is adopted. More preferably, 0.8 / log (m) ≦ k ≦ 1.2 / log (m), where m is a real number that is the reciprocal of the damping ratio, and m> 1, and log is the natural logarithm. The numerical range that is is adopted.
次に、図4のステップS7に示すように、制御部101は、判定部143として働いて、到達温度Tinfが閾値Thを超えたか否か判断する。到達温度Tinfが閾値Thを超えたとき(ステップS7でYES)、対象機器91温度異常が発生したと判定する。制御部101は、温度異常が発生したことを表す温度異常信号ATを作成して、図3中に示した警報部105へ出力する。これにより、警報部105に含まれた表示器151は、対象機器91の温度異常が発生したことを表す警報(例えば、「対象機器nに温度異常が発生しました」という表示)を表示画面に表示する。また、ブザー152は、警報としてブザー音を鳴動させる(ステップS9)。この例では、これと並行して、制御部101は通信部104を介して、図示しない外部の装置へ温度異常信号ATを出力する。
Next, as shown in step S7 of FIG. 4, the
次に、判定部は、到達温度Tinfが閾値Thを超えていないと判断したとき(ステップS7でNO)、ステップS9に進む。この例では、n=1〜64の温度セル毎に合計64回到達温度Tinfを順次算出し順次各閾値Thと比較する。この場合、n=1〜64の温度セルのうち1個でも到達温度Tinfが閾値Thを超えたとき、閾値Thを超えた温度セルに対応する対象機器91を指定して警報を出力する。
Next, when the determination unit determines that the reached temperature T inf does not exceed the threshold value Th (NO in step S7), the process proceeds to step S9. In this example, the reached temperature T inf is sequentially calculated 64 times in total for each of the temperature cells of n = 1 to 64 and sequentially compared with each threshold value Th. In this case, even if at least one of the temperature cells of n = 1 to 64 exceeds the threshold value Th inf , the
次に、図4のステップS9に示すように、制御部101は、終了条件を充足するか否か判断する。具体的には、終了条件が充足されたというのは、放射温度センサ97による対象機器91の温度検知の終了時間が決まっている場合に、終了時間を超えたとき、または、ユーザの操作部103を通した指示により終了指示を受信したときなどを指す。終了条件を充足しないと判断されたとき(ステップS9でNO)、ステップS6に戻り、到達温度Tinfを算出する。一方、終了条件を充足すると判断されたとき(ステップS9でYES)、温度異常検知システムが実行する温度異常検知方法の処理フローを終了する。
Next, as shown in step S9 of FIG. 4, the
このようにして温度異常が発生したか否かの判定が行われる場合、ユーザは、温度変化率のための閾値を設定する必要が無く、到達温度Tinfに対する温度閾値を設定しておけばよい。したがって、ユーザは、対象機器91の温度異常を判定するための閾値Thを設定し易くなる。
When the determination as to whether or not the temperature abnormality has occurred is performed in this way, the user does not need to set the threshold value for the temperature change rate, but may set the temperature threshold value for the reached temperature T inf . .. Therefore, the user can easily set the threshold Th for determining the temperature abnormality of the
この例では、対象機器91の到達温度は、上記算出式Eq8によって正確に算出可能である。その結果、精度よく対象機器91の異常を検知することができる。
In this example, the reached temperature of the
この例では、n=1〜64の温度セルに対応した対象機器91毎に異常であるか否かが判定される。その結果、放射温度センサ97の視野に、動作時に温度上昇する可能性がある複数の対象機器91が含まれている場合に、対象機器91毎の温度異常を検知することができる。また、対象機器91の複数の部分がそれぞれ動作時に温度上昇する場合であっても、それらの複数の部分毎の温度異常を検知することができる。
In this example, it is determined whether or not there is an abnormality for each
図7は、或る対象機器(これを91Aとする。)の異常動作時の時間の経過に伴う温度変化を例示している。この例では、閾値Th=100℃に設定されている。対象機器91Aの温度は、時間経過に伴って上昇するグラフCaによって示されている。この例では、対象機器91Aの予測される到達温度が閾値Th=100℃を超えることが、時刻taで判明する。したがって、時刻taで警報が出力される。これにより、対象機器91Aの温度異常を、実際に温度が閾値Th=100℃を超える時刻tarよりも早期に検知することができる。 FIG. 7 exemplifies a temperature change with the lapse of time at the time of abnormal operation of a certain target device (this is 91A). In this example, the threshold value Th is set to 100 ° C. The temperature of the target device 91A is indicated by a graph Ca that increases with time. In this example, it is found at time ta that the predicted arrival temperature of the target device 91A exceeds the threshold Th = 100 ° C. Therefore, an alarm is output at time ta. As a result, the temperature abnormality of the target device 91A can be detected earlier than the time tar at which the temperature actually exceeds the threshold Th = 100 ° C.
図8は、別の対象機器(これを91Bとする。)の異常動作時の時間の経過に伴う温度変化を例示している。この例では、閾値Th=100℃に設定されている。図7の場合と同様に、対象機器91Bの温度は、時間経過に伴って上昇するグラフCbによって示されている。ただし、図7のグラフCaに比して、図8のグラフCbは、時間経過に伴って緩やかに上昇している。この例では、対象機器91の予測される到達温度が閾値Th=100℃を超えることが、時刻tbで判明する。したがって、時刻tbで警報が出力される。これにより、対象機器91Bの温度異常を、実際に温度が閾値Th=100℃を超える時刻tbrよりも早期に検知することができる。さらに、図8の例では、図7の例に比して、警報が出力される時刻tbは、実際に温度が閾値Th=100℃を超える時刻tbrよりも、極めて早くなる。このように早期に警報を発することは、ユーザにとって有益である。
FIG. 8 illustrates a temperature change with the passage of time during abnormal operation of another target device (this is 91B). In this example, the threshold value Th is set to 100 ° C. As in the case of FIG. 7, the temperature of the target device 91B is shown by a graph Cb that rises with time. However, as compared with the graph Ca of FIG. 7, the graph Cb of FIG. 8 gradually rises with the passage of time. In this example, it is found at time tb that the predicted reached temperature of the
なお、上述の温度異常検知方法を、ソフトウェア(コンピュータプログラム)として、CD(コンパクトディスク)、DVD(デジタル万能ディスク)、フラッシュメモリなどの非一時的(non-transitory)にデータを記憶可能な記録媒体に記録してもよい。このような記録媒体に記録されたソフトウェアを、パーソナルコンピュータ、PDA(パーソナル・デジタル・アシスタンツ)、スマートフォン、PLC(プログラマブルロジックコントローラ)などの実質的なコンピュータ装置にインストールすることによって、それらのコンピュータ装置に、上述の温度異常検知方法を実行させることができる。 In addition, the above-described temperature abnormality detection method is a recording medium capable of storing data as software (computer program) such as CD (compact disc), DVD (digital versatile disc), and flash memory in a non-transitory manner. It may be recorded in. By installing the software recorded in such a recording medium in a substantial computer device such as a personal computer, a PDA (Personal Digital Assistants), a smartphone, a PLC (Programmable Logic Controller), etc. The temperature abnormality detection method described above can be executed.
また、上述の例では、制御盤90の外部に異常判定装置100が配置されたが、これに限られるものではない。例えば、制御盤90の内部に設けられたセンサ筐体95Mに、異常判定装置100を組み込んでもよい。その場合、異常判定装置100に無線通信可能な通信部を設けて、対象機器91の温度異常が発生した時、その通信部によって外部へ警報を送信するのが望ましい。ユーザは、その警報を受信することによって、制御盤90内に配置された対象機器91に温度異常が発生したことを直ちに認識でき、対象機器91を交換するなどの必要な対策を迅速にとることができる。
Further, in the above example, the
以上の実施形態は例示であり、この発明の範囲から離れることなく様々な変形が可能である。上述した複数の実施の形態は、それぞれ単独で成立し得るものであるが、実施の形態同士の組みあわせも可能である。また、異なる実施の形態の中の種々の特徴も、それぞれ単独で成立し得るものであるが、異なる実施の形態の中の特徴同士の組みあわせも可能である。 The above embodiments are mere examples, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. The above-described plurality of embodiments can be independently established, but the embodiments can be combined with each other. Further, although various features in different embodiments can be established independently, it is also possible to combine features in different embodiments.
1 温度異常検知システム
90 制御盤
91 対象機器
97 放射温度センサ
100 異常判定装置
101 制御部
105 警報部
141 温度変化率算出部
142 到達温度算出部
1 Temperature
Claims (6)
上記測定した温度に基づいて温度変化率の極大値を検出する極大値検出部と、
上記温度変化率の極大値を検出してから、上記温度変化率が上記極大値に対して予め定められた減衰比まで低下する減衰期間を算出する減衰期間算出部と、
上記温度変化率の上記減衰期間に基づいて、上記対象機器の予測される到達温度を算出する予測温度算出部と、
算出された上記到達温度が、予め定められた温度閾値を超えているとき異常であると判定する異常判定部とを備える、
ことを特徴とする温度異常検知システム。 A temperature measurement unit that measures the current temperature of the target device moment by moment,
A maximum value detection unit that detects the maximum value of the temperature change rate based on the measured temperature,
After detecting the maximum value of the temperature change rate, a decay period calculation unit for calculating a decay period in which the temperature change rate is reduced to a predetermined damping ratio with respect to the maximum value,
Based on the decay period of the temperature change rate, a predicted temperature calculation unit for calculating the predicted ultimate temperature of the target device,
The calculated reaching temperature, an abnormality determination unit for determining that there is an abnormality when it exceeds a predetermined temperature threshold,
A temperature abnormality detection system characterized in that
上記現在温度をTiとし、上記減衰期間をthとし、現在の温度変化率をΔTiとし、予め定められた係数をkとし、上記到達温度をTinfとしたとき、上記到達温度Tinfを、
Tinf=Ti+k×th×ΔTi
なる算出式により算出することを特徴とする温度異常検知システム。 The temperature abnormality detection system according to claim 1,
When the current temperature is T i , the decay period is th, the current temperature change rate is ΔT i , a predetermined coefficient is k, and the ultimate temperature is T inf , the ultimate temperature T inf is ,
T inf = T i + k × th × ΔT i
A temperature abnormality detection system, which is calculated by the following formula.
実数をmとしたとき、上記予め定められた係数kの数値範囲は、
0.8/log(m)≦k≦1.2/log(m)
により規定され、ここで、mは上記減衰比の逆数である実数であり、かつm>1であり、logは自然対数であることを特徴とする温度異常検知システム。 The temperature abnormality detection system according to claim 2,
When a real number is m, the predetermined numerical range of the coefficient k is
0.8 / log (m) ≦ k ≦ 1.2 / log (m)
Where m is a real number that is the reciprocal of the damping ratio and m> 1, and log is a natural logarithm.
上記対象機器が複数ある場合に、対象機器毎に順次到達温度が算出され、上記対象機器毎に異常であるか否かが判定されることを特徴とする温度異常検知システム。 The temperature abnormality detection system according to any one of claims 1 to 3,
A temperature abnormality detection system, wherein when there are a plurality of the target devices, the reached temperature is sequentially calculated for each target device, and whether or not there is an abnormality is determined for each of the target devices.
対象機器の現在温度を、刻々、測定するステップと、
上記測定した温度に基づいて温度変化率の極大値を検出するステップと、
上記温度変化率の極大値を検出してから、上記温度変化率が上記極大値に対して予め定められた減衰比まで低下する減衰期間を算出するステップと、
上記温度変化率の上記減衰期間に基づいて、上記対象機器の予測される到達温度を算出するステップと、
算出された上記到達温度が、予め定められた温度閾値を超えているとき異常であると判定するステップとを備える、
ことを特徴とする温度異常検知方法。 A temperature abnormality detection method for detecting the temperature of a target device,
Measuring the current temperature of the target device moment by moment,
Detecting the maximum value of the temperature change rate based on the measured temperature,
After detecting the maximum value of the temperature change rate, a step of calculating a decay period in which the temperature change rate decreases to a predetermined damping ratio with respect to the maximum value,
Calculating a predicted ultimate temperature of the target device based on the decay period of the temperature change rate;
The calculated reaching temperature, the step of determining that there is an abnormality when exceeding a predetermined temperature threshold,
A temperature abnormality detection method characterized by the above.
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