JP2020055930A - Polyamic acid, polyimide, resin film, metal-clad laminate, and method of manufacturing the same - Google Patents

Polyamic acid, polyimide, resin film, metal-clad laminate, and method of manufacturing the same Download PDF

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Abstract

To provide a polyimide film having high dimensional stability and high toughness, a metal-clad laminate, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: A polyamic acid contains acid anhydride residues and diamine residues. The polyamic acid contains a PMDA residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) within the range of 20-100 pts.mol based on 100 pts.mol of the total of the acid anhydride residues, and contains a diamine residue derived from a benzimidazole compound represented by formula (1) within the range of 10-90 pts.mol and a diamine residue derived from a diamine compound represented by formula (2) within the range of 10-90 pts.mol based on 100 pts.mol of the total of the diamine residues.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、電子部品の部材、補助材料などに好適に利用できるポリイミド及びその利用に関するものである。   The present invention relates to a polyimide which can be suitably used as a member of an electronic component, an auxiliary material, and the like, and a use thereof.

近年、ポリイミドおよびその組成物と金属箔から構成される金属張積層体は、各種電子機器に使用されるフレキシブルプリント配線板(FPC)、フレキシブル太陽電池、リチウムイオン電池の負極材、ハードディスクドライブのサスペンション、LCDの材料、有機ELディスプレイの部材、補助材料、印刷技術を用いてフレキシブル電子デバイスないしは少なくともその構成要素を形成する目的に用いられる積層体等、広く検討され、各種用途での採用が拡大している。   In recent years, metal-clad laminates composed of polyimide and its composition and metal foil have been used for flexible printed wiring boards (FPCs) used in various electronic devices, flexible solar cells, negative electrode materials for lithium-ion batteries, and suspensions for hard disk drives. LCD materials, organic EL display members, auxiliary materials, flexible electronic devices using printing technology or at least laminates used for the purpose of forming components thereof, etc., have been widely studied, and their use in various applications is expanding. ing.

また、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、金属張積層体には従来からの要求である耐熱性や接着性に加え、薄く軽量であることや金属箔のファインパターン化、ポリイミドの微細加工性、更なる高寸法安定性、機械的強度等が求められてきている。   In addition, as electronic devices have become smaller, lighter, and more space-saving, metal-clad laminates have been required to be thinner and lighter in addition to the traditional requirements of heat resistance and adhesiveness, as well as fine patterns of metal foil. There has been a demand for improved processability, fine workability of polyimide, higher dimensional stability, mechanical strength, and the like.

一方、ポリイミドフィルムは、耐熱性、耐寒性、耐薬品性、電気絶縁性、機械的強度等において優れた特性を有することから、種々の分野で広く利用されている。特に優れた耐熱性と高い剛性を持つという特性を利用して、FPCやテープ・オートメーテッド・ボンディング(TAB)用キャリアテープなどの製造に用いる基材フィルムとして広く使用されている。特にFPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、携帯電話、スマートフォン等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。   On the other hand, polyimide films are widely used in various fields because they have excellent properties such as heat resistance, cold resistance, chemical resistance, electrical insulation, and mechanical strength. Utilizing the properties of having particularly excellent heat resistance and high rigidity, it is widely used as a base film for manufacturing carrier tapes for FPC and tape automated bonding (TAB). In particular, since FPCs can be mounted three-dimensionally and at high density even in a limited space, they can be used, for example, for wiring of movable parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, mobile phones, and smartphones, and for parts such as cables and connectors. Its applications are expanding.

今後、電子機器は、さらに高機能化、小型化していくことが予想される。そのため、例えば、FPCにおいては、多層化した状態で使用するニーズが高まると考えられる。また、携帯電話、スマートフォン等の電子機器の筐体の薄型化に対応して、回路基板自体もより薄いものが求められる傾向が高まる。しかし、回路基板自体の薄化に伴い絶縁層が薄くなるにつれて、パターン加工時に破れなどの不良が発生するリスクが高まるため、絶縁層であるポリイミドの靱性向上が求められる。   In the future, electronic devices are expected to be more sophisticated and smaller. Therefore, for example, in FPC, it is considered that the need to use the FPC in a multi-layered state increases. Further, in response to the reduction in thickness of housings of electronic devices such as mobile phones and smartphones, there is an increasing tendency to require thinner circuit boards themselves. However, as the insulating layer becomes thinner as the circuit board itself becomes thinner, the risk of occurrence of defects such as breakage during pattern processing increases. Therefore, it is required to improve the toughness of the polyimide as the insulating layer.

特許文献1では、ポリイミドとして引き裂き伝播抵抗を向上させた極薄ポリイミドフィルムが提案されている。しかしながら、特許文献1に記載のポリイミドフィルムは、搬送方向(MD方向)と幅方向(TD方向)の線膨張係数の異方性に注意が払われておらず、寸法精度に懸念がある。   Patent Document 1 proposes an ultrathin polyimide film having improved tear propagation resistance as polyimide. However, the polyimide film described in Patent Document 1 does not pay attention to the anisotropy of the linear expansion coefficient in the transport direction (MD direction) and the width direction (TD direction), and has a concern about dimensional accuracy.

また、ポリイミド層に特定の化学構造を有するポリイミドを採用した配線基板用積層体が提案されている(例えば、特許文献2など)。しかしながら、今後の絶縁層の薄層化の進展を考慮すると、ポリイミド層の靱性については、さらに改善の余地がある。   Further, a laminate for a wiring board in which a polyimide having a specific chemical structure is used for a polyimide layer has been proposed (for example, Patent Document 2). However, considering the future progress of thinning the insulating layer, there is room for further improvement in the toughness of the polyimide layer.

特開2014−196467号公報JP 2014-196467 A 特開2009−4720号公報JP 2009-4720A

本発明の目的は、高い寸法安定性及び高い靱性を備えるポリイミドフィルム、金属張積層体及びその製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a polyimide film, a metal-clad laminate and a method for producing the same, which have high dimensional stability and high toughness.

本発明者らは、鋭意検討した結果、特定の構造を有するポリイミドを用いることにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above problem can be solved by using a polyimide having a specific structure, and have completed the present invention.

すなわち、本発明のポリアミド酸は、酸無水物成分から誘導される酸無水物残基と、ジアミン成分から誘導されるジアミン残基と、を含有するポリアミド酸であって、
前記酸無水物残基が、前記酸無水物残基の合計100モル部に対して、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるPMDA残基を20〜100モル部の範囲内で含有し、
前記ジアミン残基が、前記ジアミン残基の合計100モル部に対して、下記式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基を10〜90モル部の範囲内で含有するとともに、下記式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を10〜90モル部の範囲内で含有する。
That is, the polyamic acid of the present invention is a polyamic acid containing an acid anhydride residue derived from an acid anhydride component and a diamine residue derived from a diamine component,
The acid anhydride residue contains a PMDA residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) in a range of 20 to 100 mol parts based on a total of 100 mol parts of the acid anhydride residue. And
The diamine residue contains a diamine residue derived from the benzimidazole compound represented by the following formula (1) in a range of 10 to 90 parts by mol based on 100 mol parts of the diamine residue in total. In addition, it contains a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following formula (2) in a range of 10 to 90 mol parts.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

式(1)及び(2)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1〜6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1〜6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、Zは独立に単結合、芳香族環若しくは複素環を含む2価の基、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、Zは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、nは0〜3の整数、nは独立に0〜4の整数、nは0〜2の整数を示す。 In the formulas (1) and (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or an alkoxy group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 6 carbon atoms, or a monovalent carbon atom having 1 to 6 carbon atoms. A phenyl group or a phenoxy group which may be substituted with a hydrogen group or an alkoxy group, wherein Z 1 is independently a divalent group containing a single bond, an aromatic ring or a heterocyclic ring, -O-, -S-, -CH 2 -, - CH (CH 3 ) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH- or a divalent group selected from -NHCO-, Z 2 is independently -O -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH - or a divalent group selected from -NHCO-, n 1 is an integer of from 0 to 3, n 2 is independently 0-4 Integer, n 3 is an integer of 0 to 2.

本発明のポリアミド酸は、前記酸無水物残基が、前記酸無水物残基の合計100モル部に対して、前記PMDA残基を50〜100モル部の範囲内で含有するものであってもよい。この場合、前記ジアミン残基が、前記ジアミン残基の合計100モル部に対して、前記式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基を50〜90モル部の範囲内で含有するとともに、前記式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を10〜50モル部の範囲内で含有するものであってもよく、あるいは、前記ジアミン残基が、前記ジアミン残基の合計100モル部に対して、前記式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基を10〜50モル部の範囲内で含有するとともに、前記式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を50〜90モル部の範囲内で含有するものであってもよい。   In the polyamic acid of the present invention, the acid anhydride residue contains the PMDA residue in a range of 50 to 100 mol parts with respect to a total of 100 mol parts of the acid anhydride residue. Is also good. In this case, the diamine residue has a diamine residue derived from the benzimidazole compound represented by the formula (1) in a range of 50 to 90 mol parts based on a total of 100 mol parts of the diamine residue. And the diamine residue derived from the diamine compound represented by the formula (2) may be contained in the range of 10 to 50 mol parts, or the diamine residue may be A diamine residue derived from the benzimidazole compound represented by the formula (1) is contained in a range of 10 to 50 mol parts with respect to a total of 100 mol parts of the diamine residue, and the formula (2) )) May be contained in the range of 50 to 90 mol parts of a diamine residue derived from the diamine compound represented by the formula (1).

本発明のポリイミドは、上記いずれかのポリアミド酸をイミド化して得られるものである。   The polyimide of the present invention is obtained by imidizing any of the above polyamic acids.

本発明の樹脂フィルムは、単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが、上記いずれかのポリイミドからなるものである。ここで、該ポリイミドからなるポリイミド層の合計の厚みが、全体の厚みに対して50%以上であってもよく、あるいは、全体の厚みに対して5%以上50%未満の範囲内であってもよい。
The resin film of the present invention is a resin film having a single layer or a plurality of polyimide layers,
The polyimide constituting at least one of the polyimide layers is made of any one of the above polyimides. Here, the total thickness of the polyimide layer made of the polyimide may be 50% or more of the entire thickness, or 5% or more and less than 50% of the total thickness. Is also good.

また、本発明の樹脂フィルムは、厚みが2μm以上12μm以下の範囲内であってもよい。   Further, the resin film of the present invention may have a thickness in a range of 2 μm or more and 12 μm or less.

また、本発明の樹脂フィルムは、線膨張係数(CTE)が30ppm/K以下であってもよい。   The resin film of the present invention may have a coefficient of linear expansion (CTE) of 30 ppm / K or less.

また、本発明の樹脂フィルムは、引き裂き伝播抵抗が2.5kN/m以上であってもよい。   Further, the resin film of the present invention may have a tear propagation resistance of 2.5 kN / m or more.

本発明の金属張積層体は、単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層体であって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが上記いずれかのポリイミドからなるものである。ここで、該ポリイミドからなるポリイミド層の合計の厚みが、全体の厚みに対して50%以上であってもよく、あるいは、全体の厚みに対して5%以上50%未満の範囲内であってもよい。
The metal-clad laminate of the present invention is a metal-clad laminate including: an insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers; and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer. hand,
The polyimide constituting at least one of the polyimide layers is any one of the above-mentioned polyimides. Here, the total thickness of the polyimide layer made of the polyimide may be 50% or more of the entire thickness, or 5% or more and less than 50% of the total thickness. Is also good.

本発明の金属張積層体は、前記金属層が銅、鉄又はニッケルの少なくとも1つの金属元素を含有するものであってもよい。   In the metal-clad laminate of the present invention, the metal layer may contain at least one metal element of copper, iron or nickel.

本発明の金属張積層体の製造方法は、単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層体を製造する方法であって、
前記金属層の上に、上記ポリアミド酸の樹脂層を積層し、前記ポリアミド酸をイミド化することによって、単層又は複数層のポリイミド層を形成する工程を含む。
A method for manufacturing a metal-clad laminate according to the present invention includes a metal-clad laminate including: an insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers; and a metal layer stacked on at least one surface of the insulating resin layer. A method of manufacturing a body,
A step of laminating a resin layer of the polyamic acid on the metal layer and imidizing the polyamic acid to form a single layer or a plurality of polyimide layers.

本発明のポリイミドは、耐熱性が高く、寸法安定性に優れており、モノマーに由来する剛直構造によって、ポリマーの靭性が高く、例えばFPCなどの回路基板材料や、電子部品を製造する過程で使用する部材として有用である。本発明の金属張積層体を利用することによって、電子部品、電子機器の信頼性と歩留まりの向上を図ることができる。   The polyimide of the present invention has high heat resistance and excellent dimensional stability, and has a high toughness of a polymer due to a rigid structure derived from a monomer, and is used, for example, in a process of manufacturing circuit board materials such as FPCs and electronic components. It is useful as a member to perform. By using the metal-clad laminate of the present invention, the reliability and yield of electronic components and electronic devices can be improved.

以下、本発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

<ポリアミド酸>
本実施の形態のポリアミド酸は、本実施の形態のポリイミドの前駆体であり、特定の酸無水物残基及び特定のジアミン残基を含むものである。なお、本発明において、酸無水物残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを表し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを表す。
<Polyamic acid>
The polyamic acid of the present embodiment is a precursor of the polyimide of the present embodiment, and contains a specific acid anhydride residue and a specific diamine residue. In the present invention, the acid anhydride residue refers to a tetravalent group derived from tetracarboxylic dianhydride, and the diamine residue refers to a divalent group derived from a diamine compound. It represents that.

<ポリイミド>
本実施の形態のポリイミドは、上記ポリアミド酸をイミド化してなるものであり、特定の酸無水物残基及び特定のジアミン残基を含むものである。
<Polyimide>
The polyimide of the present embodiment is obtained by imidizing the above-mentioned polyamic acid, and contains a specific acid anhydride residue and a specific diamine residue.

以下、本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドに含まれる酸無水物残基及びジアミン残基について、まとめて説明する。   Hereinafter, the acid anhydride residue and the diamine residue contained in the polyamic acid and the polyimide of the present embodiment will be described together.

(酸無水物残基)
本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドは、酸無水物残基として、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、「PMDA残基」ともいう。)を含有する。PMDA残基は、剛直骨格を有するため、他の一般的な酸無水物成分に比べて、イミド化後のポリイミド中の分子の面内配向性の制御が可能であり、熱膨張係数(CTE)の抑制とガラス転移温度(Tg)の向上効果がある。
(Acid anhydride residue)
The polyamic acid and the polyimide of the present embodiment contain, as an acid anhydride residue, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) (hereinafter, also referred to as a “PMDA residue”). I do. Since the PMDA residue has a rigid skeleton, the in-plane orientation of molecules in the polyimide after imidization can be controlled as compared with other general acid anhydride components, and the thermal expansion coefficient (CTE) And the effect of improving the glass transition temperature (Tg).

このような観点から、本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドは、酸無水物残基の合計100モル部に対して、PMDA残基を20モル部以上、好ましくは50モル部以上、より好ましくは70モル部以上、特に好ましくは80モル部以上で含有するように制御する。PMDA残基が20モル未満では、CTEが増加するおそれがある。   From such a viewpoint, the polyamic acid and the polyimide according to the present embodiment have the PMDA residue in an amount of 20 mol parts or more, preferably 50 mol parts or more, more preferably 100 mol parts of the acid anhydride residues in total. The content is controlled so as to be 70 mol parts or more, particularly preferably 80 mol parts or more. If the amount of PMDA residue is less than 20 mol, CTE may increase.

本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドに含まれるPMDA残基以外の酸無水物残基としては、ポリイミドの原料として通常使用される酸無水物の残基を挙げることができる。具体的には、例えば、3,3’、4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、1,4-フェニレンビス(トリメリット酸モノエステル)二無水物(TAHQ)、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物、エチレングリコール ビスアンヒドロトリメリテート等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。   Examples of the acid anhydride residue other than the PMDA residue contained in the polyamic acid and the polyimide according to the present embodiment include acid anhydride residues that are generally used as a raw material for polyimide. Specifically, for example, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 1,4-phenylenebis (trimellitic acid monoester) dianhydride (TAHQ), 3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride (NTCDA), 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 2,3' , 3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-, 2,3,3 ', 4'- or 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid Dianhydride, 2,3 ′, 3,4′-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3 ″, 4,4 ″-, 2,3,3 '', 4 ''-or 2,2 '', 3,3 ''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (2,3- or 3,4 -Dicarboxy Enyl) -propane dianhydride, bis (2,3- or 3.4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene- Tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5, 6-cyclohexane dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3 , 5,6,7-Hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tet Lacarboxylic dianhydride, 2,3,6,7- (or 1,4,5,8-) tetrachloronaphthalene-1,4,5,8- (or 2,3,6,7-) tetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride, cyclo Pentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride Aromatics such as thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane dianhydride, ethylene glycol bisanhydrotrimellitate Examples include tetracarboxylic acid residues derived from tetracarboxylic dianhydrides.

(ジアミン残基)
本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドは、ジアミン残基として、一般式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基及び一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含有する。
(Diamine residue)
The polyamic acid and the polyimide of the present embodiment are derived from a diamine residue derived from a benzimidazole compound represented by the general formula (1) and a diamine compound represented by the general formula (2) as a diamine residue. Containing diamine residues.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

式(1)及び(2)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1〜6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1〜6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、Zは独立に単結合、芳香族環若しくは複素環を含む2価の基、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、Zは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、nは0〜3の整数、nは独立に0〜4の整数、nは0〜2の整数を示す。ここで、「独立に」とは、上記式(1)及び(2)において、複数の置換基R、2価の基Z及びZ、さらに整数nが、同一でもよいし、異なっていてもよいことを意味する。なお、上記式(1)及び(2)において、末端の二つのアミノ基における水素原子は置換されていてもよく、例えば−NR(ここで、R,Rは、独立してアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。他のジアミン化合物についても同様である。 In the formulas (1) and (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or an alkoxy group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 6 carbon atoms, or a monovalent carbon atom having 1 to 6 carbon atoms. A phenyl group or a phenoxy group which may be substituted with a hydrogen group or an alkoxy group, wherein Z 1 is independently a divalent group containing a single bond, an aromatic ring or a heterocyclic ring, -O-, -S-, -CH 2 -, - CH (CH 3 ) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH- or a divalent group selected from -NHCO-, Z 2 is independently -O -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH - or a divalent group selected from -NHCO-, n 1 is an integer of from 0 to 3, n 2 is independently 0-4 Integer, n 3 is an integer of 0 to 2. Here, “independently” means that in the above formulas (1) and (2), a plurality of substituents R, divalent groups Z 1 and Z 2 , and an integer n 2 may be the same or different. Means that you may. In the above formulas (1) and (2), the hydrogen atoms in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 3 R 4 (where R 3 and R 4 are independently Any substituent such as an alkyl group). The same applies to other diamine compounds.

一般式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物(以下、「ジアミン(1)」と記すことがある)は、複素環を有しているため、平面性が高いので、CTEを低下させ、ガス透過性が低いポリイミドが得られる。また、イミダゾール部位由来の分子間水素結合が高靱性化を促すと考えられる。   The benzimidazole compound represented by the general formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “diamine (1)”) has a high planarity because of having a heterocyclic ring, so that the CTE is reduced and the gas is reduced. A polyimide having low permeability is obtained. In addition, it is considered that intermolecular hydrogen bonding derived from the imidazole moiety promotes toughness.

このような観点から、本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドは、ジアミン残基の合計100モル部に対して、ジアミン(1)から誘導されるジアミン残基を10〜90モル部の範囲内、好ましくは20〜80モル部の範囲内、より好ましくは25〜75モル部の範囲内で含有するように制御する。ジアミン(1)から誘導されるジアミン残基が10モル部未満では、CTEが増加するおそれがあり、イミダゾール部位由来の分子間水素結合が形成され難くなり、高靱性化を十分に図ることができなくなる。また、ジアミン(1)から誘導されるジアミン残基が90モル部を超えると、イミダゾール部位由来の極性が高くなり、ポリイミドの吸湿率が増大する傾向となる。   From such a viewpoint, the polyamic acid and the polyimide according to the present embodiment include the diamine residue derived from the diamine (1) in a range of 10 to 90 mol parts with respect to a total of 100 mol parts of the diamine residue. The content is controlled so as to be preferably in the range of 20 to 80 mol parts, more preferably in the range of 25 to 75 mol parts. When the amount of the diamine residue derived from the diamine (1) is less than 10 parts by mole, CTE may increase, and it becomes difficult to form an intermolecular hydrogen bond derived from an imidazole moiety, and sufficient toughness can be achieved. Disappears. On the other hand, when the amount of the diamine residue derived from the diamine (1) exceeds 90 mol parts, the polarity derived from the imidazole moiety becomes high, and the moisture absorption of the polyimide tends to increase.

ジアミン(1)は、好ましくは下記式(3)又は(4)で表されるジアミノベンゾイミダゾール化合物がよい。   The diamine (1) is preferably a diaminobenzimidazole compound represented by the following formula (3) or (4).

Figure 2020055930
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式(3)において、Rは独立に単結合又は芳香族環を含む2価の基を示す。 In the formula (3), R 1 independently represents a single bond or a divalent group containing an aromatic ring.

Figure 2020055930
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式(4)において、Arは単結合又は芳香族環を含む2価の基を示す。 In the formula (4), Ar 2 represents a single bond or a divalent group containing an aromatic ring.

また、式(3)で表されるジアミノベンゾイミダゾール化合物は、より好ましくは、一般式(5)で表されるジアミンがよい。   Further, the diaminobenzimidazole compound represented by the formula (3) is more preferably a diamine represented by the general formula (5).

Figure 2020055930
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式(5)において、Arは単結合又は芳香族環を含む2価の基を示す。ここで、基Arとしては、フェニル基を含む2価の基が好ましい。 In the formula (5), Ar 1 represents a single bond or a divalent group containing an aromatic ring. Here, the group Ar 1 is preferably a divalent group including a phenyl group.

ジアミン(1)としては、例えば、4−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、5−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、6−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、7−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、5−アミノ−2−(3−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、4−アミノ−2−(3−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、2,2‘−p−フェニレンビス(5−アミノベンゾイミダゾール)、2,2‘−p−フェニレンビス(6−アミノベンゾイミダゾール)等が挙げられる。これらの中でも特に、6−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール、5−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾールが好ましい。   Examples of the diamine (1) include 4-amino-2- (4-aminophenyl) benzimidazole, 5-amino-2- (4-aminophenyl) benzimidazole, and 6-amino-2- (4-aminophenyl) ) Benzimidazole, 7-amino-2- (4-aminophenyl) benzimidazole, 5-amino-2- (3-aminophenyl) benzimidazole, 4-amino-2- (3-aminophenyl) benzimidazole, 2 , 2'-p-phenylenebis (5-aminobenzimidazole), 2,2'-p-phenylenebis (6-aminobenzimidazole) and the like. Among these, 6-amino-2- (4-aminophenyl) benzimidazole and 5-amino-2- (4-aminophenyl) benzimidazole are particularly preferred.

また、一般式(2)で表されるジアミン化合物(以下、「ジアミン(2)」と記すことがある)は、2つ以上のベンゼン環を有する芳香族ジアミンである。このジアミン(2)は、少なくとも2つのベンゼン環に直結したアミノ基と2価の連結基Zがあることで、ポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して高い屈曲性を有しており、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与し、高靭性化を促すと考えられる。ここで、連結基Zとしては、−O−、−CH−、−C(CH−、−CO−、−SO−、−S−が好ましい。また、2つ以上のベンゼン環は、ポリイミドのイミド基濃度を低下させ、低吸湿化を促すと考えられる。ここで、nは1〜2が好ましい。 Further, the diamine compound represented by the general formula (2) (hereinafter sometimes referred to as “diamine (2)”) is an aromatic diamine having two or more benzene rings. The diamine (2), by an amino group and a divalent linking group Z 2 of which is directly connected to at least two benzene rings is, has a high flexibility with an increased degree of freedom with the polyimide molecular chain, It is considered that this contributes to the improvement of the flexibility of the polyimide molecular chain and promotes toughness. Examples of the linking group Z 2, -O -, - CH 2 -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - SO 2 -, - S- are preferred. Further, it is considered that two or more benzene rings reduce the imide group concentration of the polyimide and promote low moisture absorption. Here, n 3 is 1-2 are preferable.

このような観点から、本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドは、ジアミン残基の合計100モル部に対して、ジアミン(2)から誘導されるジアミン残基を10〜90モル部の範囲内、好ましくは20〜80モル部の範囲内、より好ましくは25〜75モル部の範囲内で含有するように制御する。ジアミン(2)から誘導されるジアミン残基が10モル部未満では、ポリイミドの柔軟性不足や吸湿率が増大するおそれがある。また、ジアミン(2)から誘導されるジアミン残基が90モル部を超えると、ジアミン(1)から誘導されるジアミン残基のイミダゾール部位由来の分子間水素結合が形成され難くなり、高靱性化を十分に図ることができなくなる。   From such a viewpoint, the polyamic acid and the polyimide according to the present embodiment have a diamine residue derived from the diamine (2) in a range of 10 to 90 mol parts with respect to a total of 100 mol parts of the diamine residue. The content is controlled so as to be preferably in the range of 20 to 80 mol parts, more preferably in the range of 25 to 75 mol parts. If the amount of the diamine residue derived from the diamine (2) is less than 10 parts by mole, the flexibility of the polyimide may be insufficient and the moisture absorption may increase. Further, when the amount of the diamine residue derived from the diamine (2) exceeds 90 mol parts, it is difficult to form an intermolecular hydrogen bond derived from the imidazole site of the diamine residue derived from the diamine (1), and the toughness is increased. Cannot be achieved sufficiently.

ジアミン(2)は、好ましくは下記式(6)で表されるジアミン化合物がよい。   The diamine (2) is preferably a diamine compound represented by the following formula (6).

Figure 2020055930
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式(6)において、Zは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、nは0〜2の整数を示す。 In the formula (6), Z 2 is independently -O-, -S-, -CH 2- , -CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -CO-, -COO-,-. It represents a divalent group selected from SO 2 —, —NH— and —NHCO—, and n 3 represents an integer of 0 to 2.

ジアミン(2)としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)等が挙げられる。これらの中でも,4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−DAPE)、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、2,2−ビス(4−アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)が好ましい。   Examples of the diamine (2) include 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylpropane, 3,3′-diaminodiphenylsulfide, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, and 3,3-diaminodiphenylether 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 3,4'-diaminobenzophenone, (3,3'-bisamino ) Diphenylamine, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R), 3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] benzeneamine, 3- [3- (4-aminophenoxy) phenoxy] benzenamine, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene APB) 4,4 '-[2-Methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'-[4-methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, 4,4'- [5-Methyl- (1,3-phenylene) bisoxy] bisaniline, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (3 -Aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4,4 ′-(3-aminophenoxy)] benzanilide 4,4- [3- [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] phenoxy] aniline, 4,4 ′-[oxybis (3,1-phenyleneoxy)] bisaniline, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ] Ether (BAPE ), Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone (BAPK), bis [4- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane (BAPP) and the like. Among them, 4,4′-diaminodiphenyl ether (4,4′-DAPE), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-R), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB) and 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane (BAPP) are preferred.

ただし、本発明の目的を阻害しない限り、他のジアミンを併用することも可能である。他のジアミンとしては、ポリイミドの原料として通常用いられるものを使用可能であり、例えば、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−TB)、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EB)、2,2’−ジエトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−EOB)、2,2’−ジプロポキシ−4,4’−ジアミノビフェニル(m−POB)、2,2’−n−プロピル−4,4’−ジアミノビフェニル(m−NPB)、2,2’−ジビニル−4,4’−ジアミノビフェニル(VAB)、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、p‐フェニレンジアミン(p−PDA)、m‐フェニレンジアミン(m−PDA)等が挙げられる。   However, other diamines can be used in combination as long as the object of the present invention is not hindered. As the other diamine, those usually used as a raw material for polyimide can be used. For example, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2′-diethyl-4 , 4'-Diaminobiphenyl (m-EB), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'-dipropoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-POB) ), 2,2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl (VAB), 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2′-bis (trifluoromethyl) biphenyl (TFMB), p-phenylenediamine (p-PDA), m-phenylenediamine (m-PDA) and the like.

本実施の形態のポリアミド酸及びポリイミドにおいて、上記酸無水物及びジアミンの種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、靭性、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度(Tg)等を制御することができる。   In the polyamic acid and the polyimide of the present embodiment, the type of the acid anhydride and the diamine, and by selecting the respective molar ratio when using two or more acid anhydrides or diamines, toughness, thermal expansion , Adhesion, glass transition temperature (Tg), etc. can be controlled.

(ポリイミドの合成)
本実施の形態のポリイミドは、上記酸無水物及びジアミンを溶媒中で反応させ、前駆体樹脂を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、酸無水物成分とジアミン成分をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0〜100℃の範囲内の温度で30分〜24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5〜30重量%の範囲内、好ましくは10〜20重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)、N−メチル−2−ピロリドン、2−ブタノン、ジメチルスホキシド、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶剤の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液(ポリイミド前駆体溶液)の濃度が5〜30重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
(Synthesis of polyimide)
The polyimide of the present embodiment can be produced by reacting the above-mentioned acid anhydride and diamine in a solvent to generate a precursor resin, and then heat-close the ring. For example, a polyimide precursor is obtained by dissolving an acid anhydride component and a diamine component in an organic solvent in approximately equimolar amounts and stirring at a temperature within a range of 0 to 100 ° C. for 30 minutes to 24 hours to cause a polymerization reaction. A polyamic acid is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved so that the generated precursor is in the range of 5 to 30% by weight, preferably 10 to 20% by weight in the organic solvent. Examples of the organic solvent used for the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide (DMAC), N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, dimethylsulfoxide, dimethyl sulfate, cyclohexanone, and dioxane. , Tetrahydrofuran, diglyme, triglyme and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and further, an aromatic hydrocarbon such as xylene or toluene can be used in combination. The amount of the organic solvent used is not particularly limited, but may be such that the concentration of the polyamic acid solution (polyimide precursor solution) obtained by the polymerization reaction is about 5 to 30% by weight. It is preferable to use it after adjusting.

ポリイミドの合成において、上記酸無水物及びジアミンはそれぞれ、その1種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。酸無水物及びジアミンの種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。   In the synthesis of polyimide, each of the above-mentioned acid anhydrides and diamines may be used alone or in combination of two or more. By selecting the types of the acid anhydride and the diamine and the respective molar ratios when using two or more acid anhydrides or diamines, it is possible to control the thermal expansion property, the adhesive property, the glass transition temperature, and the like. .

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80〜400℃の範囲内の温度条件で1〜24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。   Usually, the synthesized polyamic acid is advantageously used as a reaction solvent solution, but can be concentrated, diluted, or replaced with another organic solvent, if necessary. Polyamic acid is generally advantageously used because of its excellent solvent solubility. The method of imidizing the polyamic acid is not particularly limited. For example, a heat treatment in which the polyamide acid is heated in the solvent under a temperature condition in the range of 80 to 400 ° C. for 1 to 24 hours is suitably employed.

ポリアミド酸の重量平均分子量は、例えば10,000〜400,000の範囲内が好ましく、50,000〜350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。   The weight average molecular weight of the polyamic acid is, for example, preferably in the range of 10,000 to 400,000, and more preferably in the range of 50,000 to 350,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film tends to decrease and the film tends to become brittle. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity is excessively increased and defects such as unevenness in film thickness and streaks tend to occur during the coating operation.

<樹脂フィルム>
本実施の形態の樹脂フィルムは、単層又は複数層のポリイミド層を有し、少なくとも1層のポリイミド層が本実施の形態のポリイミドで構成され、絶縁樹脂からなるフィルム(シート)であってもよく、銅箔、ガラス板、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルムなどの樹脂シート等の基材に積層された状態の絶縁樹脂のフィルムであってもよい。
<Resin film>
The resin film of the present embodiment has a single layer or a plurality of polyimide layers, and at least one polyimide layer is formed of the polyimide of the present embodiment and may be a film (sheet) made of an insulating resin. It may be a film of an insulating resin laminated on a substrate such as a resin sheet such as a copper foil, a glass plate, a polyimide film, a polyamide film, and a polyester film.

また、本実施の形態の樹脂フィルムの厚みは、好ましくは2〜12μmの範囲内、より好ましくは3〜10μmの範囲とすることがよい。樹脂フィルムの厚みが2μmを下回ると靱性を担保できないため、加工時に破れ等の不具合が発生しやすい。また、樹脂フィルムの厚みが12μmを上回ると、製造工程において発泡が頻発し、外観上の不具合が発生しやすい。   Further, the thickness of the resin film of the present embodiment is preferably in the range of 2 to 12 μm, and more preferably in the range of 3 to 10 μm. If the thickness of the resin film is less than 2 μm, toughness cannot be ensured, so that problems such as breakage during processing are likely to occur. When the thickness of the resin film exceeds 12 μm, foaming frequently occurs in the manufacturing process, and defects in appearance are likely to occur.

本実施の形態の樹脂フィルムが、本実施の形態のポリイミドから構成される単層のポリイミド層を有するか、又は複数層のポリイミド層であって、本実施の形態のポリイミドから構成されるポリイミド層の合計の厚みが、樹脂フィルム全体の厚みに対して、50%以上である場合、本実施の形態のポリイミド(以下、「主ポリイミド(A)」とも記すことがある)は、酸無水物残基の合計100モル部に対して、PMDA残基を好ましくは50〜100モル部の範囲内、より好ましくは80〜100モル部の範囲内で含有し、ジアミン残基の合計100モル部に対して、ジアミン(1)から誘導されるジアミン残基を好ましくは50〜90モル部の範囲内、より好ましくは60〜90モル部の範囲内で含有し、ジアミン(2)から誘導されるジアミン残基を好ましくは10〜50モル部の範囲内、より好ましくは10〜40モル部の範囲内で含有することがよい。このような範囲で制御することによって、樹脂フィルムの低CTE化による寸法安定性を向上させることが可能となる。従って、このような範囲で制御されたポリイミドから構成されるポリイミド層を樹脂フィルムにおける主たる層、すなわちベースフィルム層に適用することが最も好ましい実施形態となる。   The resin film of the present embodiment has a single-layer polyimide layer composed of the polyimide of the present embodiment, or is a polyimide layer of a plurality of layers, the polyimide layer composed of the polyimide of the present embodiment Is 50% or more of the total thickness of the resin film, the polyimide of the present embodiment (hereinafter, also referred to as “main polyimide (A)”) may have an acid anhydride residue. The PMDA residue is preferably contained in the range of 50 to 100 parts by mol, more preferably in the range of 80 to 100 parts by mol, based on the total 100 parts by mol of the diamine residue. The diamine residue derived from the diamine (1), preferably in the range of 50 to 90 parts by mole, more preferably in the range of 60 to 90 parts by mole, and is derived from the diamine (2). Preferably the amine residue in the range of 10 to 50 molar parts, more preferably be contained in the range of 10 to 40 molar parts. By controlling in such a range, it is possible to improve the dimensional stability due to the low CTE of the resin film. Therefore, it is the most preferable embodiment to apply a polyimide layer composed of polyimide controlled in such a range to the main layer in the resin film, that is, the base film layer.

また、本実施の形態の樹脂フィルムが、複数層のポリイミド層であり、本実施の形態のポリイミドから構成されるポリイミド層の合計の厚みが、樹脂フィルム全体の厚みに対して、5%以上50%未満の範囲内である場合、本実施の形態のポリイミド(以下、「副ポリイミド(B)」と記すことがある)は、酸無水物残基の合計100モル部に対して、PMDA残基を好ましくは50〜100モル部の範囲内、より好ましくは80〜100モル部の範囲内で含有し、ジアミン残基の合計100モル部に対して、ジアミン(1)から誘導されるジアミン残基を好ましくは10〜50モル部の範囲内、より好ましくは10〜40モル部の範囲内で含有し、ジアミン(2)から誘導されるジアミン残基を好ましくは50〜90モル部の範囲内、より好ましくは60〜90モル部の範囲内で含有することがよい。このような範囲で制御することによって、樹脂フィルムの寸法安定性と高靭性化を担保し、例えば金属層や他の樹脂層などの基材との接着層としての適用が好適である。従って、このような範囲で制御されたポリイミドから構成されるポリイミド層を表層部に有する樹脂フィルムが最も好ましい実施形態となる。   Further, the resin film of the present embodiment is a multilayer polyimide layer, and the total thickness of the polyimide layer composed of the polyimide of the present embodiment is 5% or more of the total thickness of the resin film. %, The polyimide of the present embodiment (hereinafter, sometimes referred to as “sub-polyimide (B)”) has a PMDA residue based on a total of 100 mol parts of the acid anhydride residue. Is preferably in the range of 50 to 100 mol parts, more preferably in the range of 80 to 100 mol parts, and the diamine residue derived from the diamine (1) is added to the total of 100 mol parts of the diamine residue. Is contained in the range of preferably 10 to 50 parts by mole, more preferably 10 to 40 parts by mole, and the diamine residue derived from diamine (2) is preferably contained in the range of 50 to 90 parts by mole, Than Mashiku good to contain in the range of 60 to 90 molar parts. By controlling in such a range, dimensional stability and high toughness of the resin film are ensured, and it is preferable to apply the resin film as an adhesive layer to a base material such as a metal layer or another resin layer. Therefore, a resin film having a polyimide layer composed of polyimide controlled in such a range in the surface layer portion is the most preferred embodiment.

本実施の形態の樹脂フィルムのCTEは、好ましくは30ppm/K以下、より好ましくは25ppm/K以下がよい。このような範囲に制御することで、カール等の変形を抑制でき、また高い寸法安定性を担保できる。ここで、CTEは、樹脂フィルムのMD方向及びTD方向の熱膨張係数の平均値である。   The CTE of the resin film of the present embodiment is preferably 30 ppm / K or less, more preferably 25 ppm / K or less. By controlling to such a range, deformation such as curling can be suppressed, and high dimensional stability can be ensured. Here, CTE is the average value of the coefficient of thermal expansion of the resin film in the MD and TD directions.

また、本実施の形態の樹脂フィルムの引き裂き伝播抵抗は、好ましくは2.5kN/m以上、より好ましくは3.0kN/m以上、最も好ましくは3.5kN/m以上がよい。このような範囲に制御することで、加工時の破れ等の不具合を防止することができる。   Further, the tear propagation resistance of the resin film of the present embodiment is preferably 2.5 kN / m or more, more preferably 3.0 kN / m or more, and most preferably 3.5 kN / m or more. By controlling in such a range, problems such as breakage during processing can be prevented.

本実施の形態の樹脂フィルムの形成方法については特に限定されないが、例えば、[1]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、イミド化して樹脂フィルムを製造する方法(以下、キャスト法)、[2]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを支持基材から剥がし、イミド化して樹脂フィルムを製造する方法などが挙げられる。また、本実施の形態で製造される樹脂フィルムが、複数層のポリイミド層からなる場合、その製造方法の態様としては、例えば、[3]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥することを複数回繰り返した後、イミド化を行う方法(以下、逐次塗工法)、[4]支持基材に、多層押出により、同時にポリアミド酸の積層構造体を塗布・乾燥した後、イミド化を行う方法(以下、多層押出法)などが挙げられる。ポリイミド溶液(又はポリアミド酸溶液)を基材上に塗布する方法としては特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。多層のポリイミド層の形成に際しては、ポリイミド溶液(又はポリアミド酸溶液)を基材に塗布、乾燥する操作を繰り返す方法が好ましい。   The method of forming the resin film of the present embodiment is not particularly limited. For example, [1] a method of producing a resin film by applying and drying a polyamic acid solution on a supporting substrate and then imidizing the same (hereinafter, referred to as “ Casting method), [2] a method of applying a polyamic acid solution to a support substrate, drying the resultant, peeling the polyamic acid gel film from the support substrate, and imidizing the gel film to produce a resin film. When the resin film manufactured in the present embodiment is composed of a plurality of polyimide layers, the manufacturing method may be, for example, [3] a method of applying and drying a polyamic acid solution to a supporting substrate. This is repeated a plurality of times, followed by imidization (hereinafter referred to as a sequential coating method). [4] A multilayer structure of polyamic acid is simultaneously applied to a supporting substrate by multilayer extrusion and dried, followed by imidization. (Hereinafter, multilayer extrusion method). The method for applying the polyimide solution (or the polyamic acid solution) on the base material is not particularly limited, and for example, it can be applied with a coater such as a comma, a die, a knife, and a lip. In forming a multilayer polyimide layer, it is preferable to repeat the operation of applying a polyimide solution (or polyamic acid solution) to a substrate and drying the substrate.

本実施の形態の樹脂フィルムは、必要に応じて、ポリイミド層中に無機フィラーを含有してもよい。具体的には、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム等が挙げられる。これらは1種又は2種以上を混合して用いることができる。   The resin film of the present embodiment may contain an inorganic filler in the polyimide layer, if necessary. Specific examples include silicon dioxide, aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, calcium fluoride, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

<金属張積層体>
本実施の形態の金属張積層体は、単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも片側の面に積層された金属層と、を有する。この場合、ポリイミド層の少なくとも1層が、本実施の形態のポリイミドを用いて形成されていればよい。
<Metal-clad laminate>
The metal-clad laminate of the present embodiment has an insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers, and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer. In this case, at least one of the polyimide layers may be formed using the polyimide of the present embodiment.

本実施の形態の金属張積層体において、例えば、本実施の形態のポリイミドによって形成されたポリイミド層をP1、任意のポリイミド層をP2、金属層をM1及びM2とすると、前記P1が本実施の形態の主ポリイミド(A)からなる場合(以下、「P1(A)」と記すことがある)、好ましくは次のような構成1〜8が例示される。好ましくは、絶縁樹脂層と金属層との接着性を高めるため、金属層M1又はM2の少なくとも一方の面に接するP2が、ガラス転移温度(Tg)が、例えば360℃以下、好ましくは200〜320℃の範囲内にある熱可塑性ポリイミドによって形成された接着層であることがよい。ここで、P1の合計の厚みは、絶縁樹脂層の厚みに対して、50%以上とすることが好ましい。   In the metal-clad laminate of the present embodiment, for example, assuming that a polyimide layer formed of the polyimide of the present embodiment is P1, an arbitrary polyimide layer is P2, and metal layers are M1 and M2, When the main polyimide (A) is in the form (hereinafter sometimes referred to as “P1 (A)”), the following structures 1 to 8 are preferably exemplified. Preferably, in order to enhance the adhesion between the insulating resin layer and the metal layer, P2 in contact with at least one surface of the metal layer M1 or M2 has a glass transition temperature (Tg) of, for example, 360 ° C. or less, preferably 200 to 320 ° C. It is preferable that the adhesive layer is formed of a thermoplastic polyimide having a temperature in the range of ° C. Here, the total thickness of P1 is preferably 50% or more of the thickness of the insulating resin layer.

構成1;M1/P1(A)
構成2;M1/P1(A)/P2
構成3;M1/P1(A)/P2/M2
構成4;M1/P2/P1(A)
構成5;M1/P2/P1(A)/P2
構成6;M1/P2/P1(A)/P2/M2
構成7;M1/P1(A)/P2/P1(A)
構成8;M1/P1(A)/P2/P1(A)/P2/M2
Configuration 1: M1 / P1 (A)
Configuration 2: M1 / P1 (A) / P2
Configuration 3: M1 / P1 (A) / P2 / M2
Configuration 4: M1 / P2 / P1 (A)
Configuration 5; M1 / P2 / P1 (A) / P2
Configuration 6; M1 / P2 / P1 (A) / P2 / M2
Configuration 7; M1 / P1 (A) / P2 / P1 (A)
Configuration 8; M1 / P1 (A) / P2 / P1 (A) / P2 / M2

また、本実施の形態の金属張積層体において、例えば、前記P1が本実施の形態の副ポリイミド(B)からなる場合(以下、「P1(B)」と記すことがある」、好ましくは次のような構成9〜15が例示される。好ましくは、絶縁樹脂層の寸法安定性を高めるため、P2が、例えば熱膨張係数(CTE)が30×10−6(1/K)以下、好ましくは10×10−6〜30×10−6(1/K)の範囲内にある低熱膨張性のポリイミド層であり、P2をベースフィルム層に適用するとよい。ここで、P1の合計の厚みは、絶縁樹脂層の厚みに対して、5%以上50%未満の範囲内とすることが好ましい。 In the metal-clad laminate of the present embodiment, for example, when P1 is made of the auxiliary polyimide (B) of the present embodiment (hereinafter, may be referred to as “P1 (B)”), preferably Configurations 9 to 15 are exemplified.Preferably, P2 has a thermal expansion coefficient (CTE) of 30 × 10 −6 (1 / K) or less, for example, in order to increase the dimensional stability of the insulating resin layer. Is a low thermal expansion polyimide layer in the range of 10 × 10 −6 to 30 × 10 −6 (1 / K), and P2 may be applied to the base film layer, where the total thickness of P1 is It is preferable that the thickness be in the range of 5% or more and less than 50% with respect to the thickness of the insulating resin layer.

構成9;M1/P1(B)/P2
構成10;M1/P1(B)/P2/P1(B)/M2
構成11;M1/P1(A)/P1(B)
構成12;M1/P1(A)/P1(B)/M2
構成13;M1/P1(B)/P1(A)
構成14;M1/P1(B)/P1(A)/P1(B)
構成15;M1/P1(B)/P1(A)/P1(B)/M2
Configuration 9; M1 / P1 (B) / P2
Configuration 10; M1 / P1 (B) / P2 / P1 (B) / M2
Configuration 11; M1 / P1 (A) / P1 (B)
Configuration 12; M1 / P1 (A) / P1 (B) / M2
Configuration 13; M1 / P1 (B) / P1 (A)
Configuration 14; M1 / P1 (B) / P1 (A) / P1 (B)
Configuration 15; M1 / P1 (B) / P1 (A) / P1 (B) / M2

本実施の形態の金属張積層体において、最も好ましい実施形態は、上記の構成1、構成11〜15である。   In the metal-clad laminate of the present embodiment, the most preferred embodiment is the above-described configuration 1, configurations 11 to 15.

(金属層)
本実施の形態の金属張積層体における金属層の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、銅、鉄又はニッケルの金属元素が好ましく、これらの金属元素を含有する銅、銅合金、ステンレス又はインバーが特に好ましい。
(Metal layer)
The material of the metal layer in the metal-clad laminate of the present embodiment is not particularly limited. For example, copper, stainless steel, iron, nickel, beryllium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, tin, zirconium, and tantalum , Titanium, lead, magnesium, manganese, and alloys thereof. Among these, metal elements of copper, iron or nickel are preferable, and copper, copper alloy, stainless steel or Invar containing these metal elements is particularly preferable.

金属層の厚みは特に限定されるものではないが、好ましくは100μm以下であり、より好ましくは10〜50μmの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から、金属層の厚みの下限値は5μmとすることが好ましい。   The thickness of the metal layer is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less, and more preferably 10 to 50 μm. From the viewpoints of production stability and handleability, the lower limit of the thickness of the metal layer is preferably 5 μm.

本実施の形態の金属張積層体は、例えば本実施の形態のポリイミドを含んで構成される樹脂フィルムを用意し、これに金属をスパッタリングしてシード層を形成した後、例えばメッキによって金属層を形成することによって調製してもよい。   The metal-clad laminate of the present embodiment is prepared, for example, by preparing a resin film containing the polyimide of the present embodiment, forming a seed layer by sputtering metal, and then forming the metal layer by plating, for example. It may be prepared by forming.

また、本実施の形態の金属張積層体は、本実施の形態のポリイミドを含んで構成される樹脂フィルムを用意し、これに金属箔を熱圧着などの方法でラミネートすることによって調製してもよい。   Further, the metal-clad laminate of the present embodiment may be prepared by preparing a resin film including the polyimide of the present embodiment and laminating a metal foil thereon by a method such as thermocompression bonding. Good.

本実施の形態の金属張積層体は、樹脂フィルムと金属層の接着性を高めるために、樹脂フィルムの表面を例えばプラズマ処理などの改質処理を施しても良い。   In the metal-clad laminate of the present embodiment, the surface of the resin film may be subjected to a modification treatment such as a plasma treatment in order to enhance the adhesion between the resin film and the metal layer.

さらに、本実施の形態の金属張積層体は、金属層の上に本実施の形態のポリアミド酸を含有する塗布液をキャストし、乾燥して塗布膜とした後、熱処理してイミド化し、ポリイミド層を形成する方法(キャスト法)によって調製してもよい。なお、本実施の形態のポリアミド酸を含有する塗布液は、金属層の上に直接にキャストしてもよいし、他のポリアミド酸を含有する塗布膜を形成した後にキャストしてもよい。   Furthermore, the metal-clad laminate of the present embodiment is obtained by casting a coating solution containing the polyamic acid of the present embodiment on a metal layer, drying it to form a coating film, heat treating it, imidizing it, It may be prepared by a method of forming a layer (cast method). The polyamic acid-containing coating liquid of the present embodiment may be cast directly on the metal layer, or may be cast after forming another polyamic acid-containing coating film.

キャスト法では、ポリアミド酸の樹脂層が金属箔に固定された状態でイミド化されるので、イミド化過程におけるポリイミド層の伸縮変化を抑制して、搬送方向(MD方向)と幅方向(TD方向)の異方性を低減することができるので、好ましい実施形態となる。また、発泡を効果的に抑制するために、絶縁樹脂層の厚みは、好ましくは2〜12μmの範囲内、より好ましくは3〜10μmの範囲とすることがよい。   In the casting method, since the polyamic acid resin layer is imidized in a state of being fixed to the metal foil, a change in expansion and contraction of the polyimide layer in the imidization process is suppressed, and the conveyance direction (MD direction) and the width direction (TD direction) are suppressed. Since the anisotropy of ()) can be reduced, this is a preferred embodiment. In order to effectively suppress foaming, the thickness of the insulating resin layer is preferably in the range of 2 to 12 μm, and more preferably in the range of 3 to 10 μm.

本実施の形態の金属張積層体の好ましい態様として、銅張積層体を挙げることができる。銅張積層体は、単層又は複数層からなるポリイミド層と、該ポリイミド層の少なくとも一方の面に銅箔を備えていればよい。また、ポリイミド層と銅箔の接着性を高めるために、ポリイミド層における銅箔に接する層は、熱可塑性ポリイミド層であってもよい。銅箔は、絶縁層の片面又は両面に設けることができる。つまり、本実施の形態の銅張積層体は、片面銅張積層体(片面CCL)でもよいし、両面銅張積層体(両面CCL)でもよい。本実施の形態の銅張積層体は、銅箔をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成し、例えばFPCとして使用することができる。   A preferred embodiment of the metal-clad laminate of the present embodiment is a copper-clad laminate. The copper-clad laminate only needs to include a polyimide layer composed of a single layer or a plurality of layers and a copper foil on at least one surface of the polyimide layer. Further, in order to increase the adhesiveness between the polyimide layer and the copper foil, the layer in contact with the copper foil in the polyimide layer may be a thermoplastic polyimide layer. The copper foil can be provided on one side or both sides of the insulating layer. That is, the copper-clad laminate of the present embodiment may be a single-sided copper-clad laminate (single-sided CCL) or a double-sided copper-clad laminate (double-sided CCL). The copper-clad laminate of this embodiment can be used as an FPC, for example, by forming a copper wiring by processing a wiring circuit by etching a copper foil or the like.

本実施の形態の金属張積層体は、主にFPCなどの回路基板材料や、電子部品を製造する過程で使用するマスクなどの部材として有用である。すなわち、本実施の形態の金属張積層体の金属層を常法によってパターン状に加工することによって、パターン化金属張積層体とすることができる。このパターン化金属張積層体は、例えばFPCに代表される回路基板や、トランジスタ、ダイオードなどの能動素子や、抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動デバイスを含む電子回路などの他に、圧力、温度、光、湿度などをセンシングするセンサー素子、発光素子、液晶表示、電気泳動表示、自発光表示などの画像表示素子、無線、有線による通信素子、演算素子、記憶素子、MEMS素子、太陽電池、薄膜トランジスタなどとして利用可能なものである。   The metal-clad laminate of the present embodiment is useful mainly as a circuit board material such as an FPC or a member such as a mask used in a process of manufacturing an electronic component. That is, a patterned metal-clad laminate can be obtained by processing the metal layer of the metal-clad laminate of the present embodiment into a pattern by an ordinary method. This patterned metal-clad laminate is, for example, a circuit board represented by FPC, an active element such as a transistor or a diode, or an electronic circuit including a passive device such as a resistor, a capacitor or an inductor. Sensor elements for sensing light, humidity, etc., light-emitting elements, image display elements such as liquid crystal display, electrophoretic display, and self-luminous display, wireless and wired communication elements, arithmetic elements, storage elements, MEMS elements, solar cells, thin-film transistors, etc. It can be used as

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。   Examples will be shown below, and the features of the present invention will be described more specifically. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

[粘度の測定]
E型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV−II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%〜90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Measurement of viscosity]
The viscosity at 25 ° C. was measured using an E-type viscometer (trade name: DV-II + Pro, manufactured by Brookfield). The rotation speed was set so that the torque became 10% to 90%, and two minutes after the start of the measurement, the value when the viscosity was stabilized was read.

[熱膨張係数(CTE)の測定]
ポリイミドフィルム(3mm×15mm)を、熱機械分析(TMA)装置にて5.0gの荷重を加えながら20℃/minの昇温速度で室温から260℃まで昇温した後、5℃/minの降温速度で260℃から30℃まで降温する温度条件で引張り試験を行った。降温時の温度に対するポリイミドフィルムの伸び量から熱膨張係数を測定した。
[Measurement of thermal expansion coefficient (CTE)]
The polyimide film (3 mm × 15 mm) was heated from room temperature to 260 ° C. at a rate of 20 ° C./min while applying a load of 5.0 g using a thermomechanical analyzer (TMA), and then heated at 5 ° C./min. The tensile test was performed under a temperature condition in which the temperature was decreased from 260 ° C. to 30 ° C. at a temperature decreasing rate. The coefficient of thermal expansion was measured from the amount of elongation of the polyimide film with respect to the temperature at the time of cooling.

[引き裂き伝播抵抗の測定]
ポリイミドフィルム(63.5mm×50mm)を準備し、このポリイミドフィルムに長さ12.7mmの切り込みを入れ、軽荷重引き裂き試験機(東洋精機社製)を用いて測定した。
[Measurement of tear propagation resistance]
A polyimide film (63.5 mm × 50 mm) was prepared, and a cut having a length of 12.7 mm was made in the polyimide film, and measurement was performed using a light load tearing tester (manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd.).

[加工性評価]
金属張積層体に対して、ロール・トゥ・ロールプロセスにて、金属層の一部をエッチングするパターン加工を行い、ポリイミドフィルムに破れが発生するかを評価する加工性評価を行った。ポリイミドフィルムに破れが発生しなかった場合を「可」、破れが発生した場合を「不可」と評価した。
[Workability evaluation]
The metal-clad laminate was subjected to pattern processing in which a part of the metal layer was etched by a roll-to-roll process, and workability evaluation for evaluating whether or not the polyimide film was torn was performed. The case where no break occurred in the polyimide film was evaluated as “OK”, and the case where break occurred occurred was evaluated as “impossible”.

本実施例で用いた略号は以下の化合物を示す。
APBIZ :5−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾイミダゾール
TPE−R :1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
m−TB:2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル
DAPE: 4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
APBOZ: 5−アミノ−2−(4−アミノフェニル)ベンゾオキサゾール
MABA:4,4’−ジアミノベンズアニリド
DABA:2’−メトキシ−4,4’−ジアミノベンズアニリド
PMDA :ピロメリット酸二無水物
BPDA :3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
BTDA:ベンゾフェノン‐3,4,3',4'−テトラカルボン酸二無水物
DMAc:N,N−-ジメチルアセトアミド
The abbreviations used in this example indicate the following compounds.
APBIZ: 5-amino-2- (4-aminophenyl) benzimidazole TPE-R: 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl DAPE: 4,4'-diaminodiphenyl ether APBOZ: 5-amino-2- (4-aminophenyl) benzoxazole MABA: 4,4'-diaminobenzanilide DABA: 2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide PMDA: pyromellitic dianhydride BPDA: 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride,
BTDA: benzophenone-3,4,3 ', 4'-tetracarboxylic dianhydride DMAc: N, N-dimethylacetamide

[実施例1〜3]
ポリアミド酸a〜cを合成するため、窒素気流下で、500mlのセパラブルフラスコの中に、表1で示した固形分濃度となるように溶剤のDMAcを加え、表1に示したジアミン成分及び酸無水物成分を攪拌しながら溶解させた。その後、溶液を室温で4時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸a〜cの黄〜茶褐色の粘稠な溶液を調製した。
[Examples 1 to 3]
In order to synthesize the polyamic acids a to c, a solvent DMAc was added to a 500 ml separable flask so as to have a solid content concentration shown in Table 1 under a nitrogen stream, and a diamine component shown in Table 1 was added. The acid anhydride component was dissolved with stirring. Thereafter, the solution was continuously stirred at room temperature for 4 hours to carry out a polymerization reaction to prepare a yellow-brown viscous solution of polyamic acids ac.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

(合成例1〜10)
ポリアミド酸d〜mを合成するため、窒素気流下で、500mlのセパラブルフラスコの中に、表1で示した固形分濃度となるように溶剤のDMAcを加え、表1に示したジアミン成分及び酸無水物成分を攪拌しながら溶解させた。その後、溶液を室温で4時間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸d〜mの黄〜茶褐色の粘稠な溶液を調製した。
(Synthesis Examples 1 to 10)
In order to synthesize the polyamic acids d to m, under a nitrogen stream, a solvent DMAc was added to a 500 ml separable flask so as to have a solid content concentration shown in Table 1, and a diamine component shown in Table 1 was added. The acid anhydride component was dissolved with stirring. Thereafter, the solution was continuously stirred at room temperature for 4 hours to carry out a polymerization reaction to prepare a viscous yellow-brown solution of polyamic acid d-m.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

[実施例4〜10]
銅箔1(電解銅箔、厚み;12μm)の光沢面に、ポリアミド酸a〜cの溶液を、表3に示すように、それぞれアプリケータを用いて塗布し、50〜130℃で1〜60分間乾燥した後、更に130℃〜360℃の温度範囲で段階的な熱処理を行い、銅箔上にポリイミド層a〜cのいずれかを形成し、金属張積層体1〜7を調製した。
[Examples 4 to 10]
As shown in Table 3, a solution of polyamic acids a to c was applied to the glossy surface of copper foil 1 (electrolytic copper foil, thickness: 12 μm) using an applicator as shown in Table 3, and was applied at 50 to 130 ° C for 1 to 60. After drying for minutes, a stepwise heat treatment was further performed in a temperature range of 130 ° C. to 360 ° C. to form any of the polyimide layers a to c on the copper foil, thereby preparing metal-clad laminates 1 to 7.

塩化第二鉄水溶液を用いて、金属張積層体1〜7の銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム1〜7を調製した。各ポリイミドフィルムの引き裂き伝播抵抗、熱膨張係数(CTE)及び加工性の評価結果を表3に示す。ここで、表3中、CTE(MD)はMD方向のCTEを示し、CTE(TD)はTD方向のCTEを示す。   Using an aqueous ferric chloride solution, the copper foils of the metal-clad laminates 1 to 7 were removed by etching to prepare polyimide films 1 to 7. Table 3 shows the results of evaluating the tear propagation resistance, coefficient of thermal expansion (CTE), and workability of each polyimide film. Here, in Table 3, CTE (MD) indicates the CTE in the MD direction, and CTE (TD) indicates the CTE in the TD direction.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

(参考例1〜9)
銅箔1の光沢面に、ポリアミド酸d〜lの溶液を、表4に示すように、それぞれアプリケータを用いて塗布し、50〜130℃で1〜60分間乾燥した後、更に130℃〜360℃の温度範囲で段階的な熱処理を行い、銅箔上にポリイミド層d〜lのいずれかを形成し、金属張積層体8〜16を調製した。
(Reference Examples 1 to 9)
As shown in Table 4, a solution of polyamic acid d-1 was applied to the glossy surface of the copper foil 1 using an applicator, and dried at 50-130 ° C. for 1-60 minutes. Stepwise heat treatment was performed in a temperature range of 360 ° C. to form one of the polyimide layers d to l on the copper foil, thereby preparing metal-clad laminates 8 to 16.

塩化第二鉄水溶液を用いて、金属張積層体8〜16の銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム8〜16を調製した。各ポリイミドフィルムの引き裂き伝播抵抗、熱膨張係数(CTE)及び加工性の評価結果を表4に示す。ここで、表4中、CTE(MD)はMD方向のCTEを示し、CTE(TD)はTD方向のCTEを示す。   Using an aqueous ferric chloride solution, the copper foils of the metal-clad laminates 8 to 16 were removed by etching to prepare polyimide films 8 to 16. Table 4 shows the results of evaluating the tear propagation resistance, coefficient of thermal expansion (CTE), and workability of each polyimide film. Here, in Table 4, CTE (MD) indicates the CTE in the MD direction, and CTE (TD) indicates the CTE in the TD direction.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

[実施例11]
銅箔1の光沢面に、熱処理後の厚みが約2μmとなるようにポリアミド酸bの溶液を均一に塗布し、50〜130℃で1〜60分間乾燥して溶媒を除去した。その上に、熱処理後の厚みが約8μmとなるようにポリアミド酸mの溶液を均一に塗布し、50〜130℃で1〜60分間乾燥して溶媒を除去した。更に、その上に、熱処理後の厚みが約2μmとなるようにポリアミド酸bの溶液を均一に塗布し、50〜130℃で1〜60分間乾燥して溶媒を除去した。その後、130℃から360℃まで段階的な熱処理を行い、銅箔上に、ポリイミド層b/ポリイミド層m/ポリイミド層bからなる絶縁樹脂層17を形成し、金属張積層体17を調製した。
[Example 11]
A solution of polyamic acid b was uniformly applied to the glossy surface of the copper foil 1 so that the thickness after heat treatment was about 2 μm, and dried at 50 to 130 ° C. for 1 to 60 minutes to remove the solvent. A solution of polyamic acid m was uniformly applied thereon so that the thickness after heat treatment was about 8 μm, and dried at 50 to 130 ° C. for 1 to 60 minutes to remove the solvent. Further, a solution of polyamic acid b was uniformly applied thereon so that the thickness after the heat treatment was about 2 μm, and dried at 50 to 130 ° C. for 1 to 60 minutes to remove the solvent. Thereafter, a stepwise heat treatment was performed from 130 ° C. to 360 ° C. to form an insulating resin layer 17 composed of a polyimide layer b / a polyimide layer m / a polyimide layer b on the copper foil, thereby preparing a metal-clad laminate 17.

塩化第二鉄水溶液を用いて、金属張積層体17の銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム17を調製した。ポリイミドフィルム17の引き裂き伝播抵抗、熱膨張係数(CTE)及び加工性の評価結果を表5に示す。ここで、表5中、CTE(MD)はMD方向のCTEを示し、CTE(TD)はTD方向のCTEを示す。   Using an aqueous ferric chloride solution, the copper foil of the metal-clad laminate 17 was removed by etching to prepare a polyimide film 17. Table 5 shows the results of evaluating the tear propagation resistance, coefficient of thermal expansion (CTE), and workability of the polyimide film 17. Here, in Table 5, CTE (MD) indicates the CTE in the MD direction, and CTE (TD) indicates the CTE in the TD direction.

[実施例12〜14]
実施例11と同様に、金属張積層体18〜20を調製するため、表5で示したように、ポリアミド酸の種類と熱処理後の厚みを変えて、絶縁樹脂層18〜20を形成し、金属張積層体18〜21を調製した。
[Examples 12 to 14]
Similarly to Example 11, in order to prepare metal-clad laminates 18 to 20, as shown in Table 5, by changing the type of polyamic acid and the thickness after heat treatment, forming insulating resin layers 18 to 20, Metal-clad laminates 18 to 21 were prepared.

塩化第二鉄水溶液を用いて、金属張積層体18〜20の銅箔をエッチング除去して、ポリイミドフィルム18〜20を調製した。各ポリイミドフィルムの引き裂き伝播抵抗、熱膨張係数(CTE)及び加工性の評価結果を表5に示す。   Using an aqueous ferric chloride solution, the copper foils of the metal-clad laminates 18 to 20 were removed by etching to prepare polyimide films 18 to 20. Table 5 shows the results of evaluating the tear propagation resistance, coefficient of thermal expansion (CTE), and workability of each polyimide film.

Figure 2020055930
Figure 2020055930

参考例1〜9の結果から、ポリイミドフィルムの引き裂き伝播抵抗が2.5kN/mに満たない場合は、靱性が不足し、特に、厚みが12μm以下のポリイミドフィルムでは、加工時に破れが見られた。一方、実施例1〜14のポリイミドフィルムは、加工時の破れもなく、絶縁層が薄いFPC材料として好適な金属張積層体を提供することができることがわかる。   From the results of Reference Examples 1 to 9, when the tear propagation resistance of the polyimide film was less than 2.5 kN / m, the toughness was insufficient. In particular, in the case of a polyimide film having a thickness of 12 μm or less, tearing was observed during processing. . On the other hand, it can be seen that the polyimide films of Examples 1 to 14 do not break during processing and can provide a metal-clad laminate suitable as an FPC material having a thin insulating layer.

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。

The embodiments of the present invention have been described in detail for the purpose of illustration, but the present invention is not limited to the above embodiments.

Claims (16)

酸無水物成分から誘導される酸無水物残基と、ジアミン成分から誘導されるジアミン残基と、を含有するポリアミド酸であって、
前記酸無水物残基が、前記酸無水物残基の合計100モル部に対して、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるPMDA残基を20〜100モル部の範囲内で含有し、
前記ジアミン残基が、前記ジアミン残基の合計100モル部に対して、下記式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基を10〜90モル部の範囲内で含有するとともに、下記式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を10〜90モル部の範囲内で含有することを特徴とするポリアミド酸。
Figure 2020055930
[式(1)及び(2)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1〜6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1〜6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、Zは独立に単結合、芳香族環若しくは複素環を含む2価の基、−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、Zは独立に−O−、−S−、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH)−、−CO−、−COO−、−SO−、−NH−又は−NHCO−から選ばれる2価の基を示し、nは0〜3の整数、nは独立に0〜4の整数、nは0〜2の整数を示す。]
An acid anhydride residue derived from an acid anhydride component, and a diamine residue derived from a diamine component, comprising a polyamic acid,
The acid anhydride residue contains a PMDA residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) in a range of 20 to 100 mol parts based on a total of 100 mol parts of the acid anhydride residue. And
The diamine residue contains a diamine residue derived from the benzimidazole compound represented by the following formula (1) in a range of 10 to 90 parts by mol based on 100 mol parts of the diamine residue in total. And a polyamic acid containing a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following formula (2) in a range of 10 to 90 mol parts.
Figure 2020055930
[In the formulas (1) and (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or an alkoxy group which may be substituted with a halogen atom having 1 to 6 carbon atoms, or a monovalent having 1 to 6 carbon atoms. A phenyl group or a phenoxy group which may be substituted with a hydrocarbon group or an alkoxy group, wherein Z 1 is independently a divalent group containing a single bond, an aromatic ring or a heterocyclic ring, -O-, -S-,- A divalent group selected from CH 2 —, —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —NH— or —NHCO— , -O Z 2 is independently -, - S -, - CH 2 -, - CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CO -, - COO -, - SO 2 -, - NH- or a divalent group selected from -NHCO-, n 1 is an integer of 0 to 3, n 2 is 0 independently Integer, n 3 is an integer of 0 to 2. ]
前記酸無水物残基が、前記酸無水物残基の合計100モル部に対して、前記PMDA残基を50〜100モル部の範囲内で含有し、
前記ジアミン残基が、前記ジアミン残基の合計100モル部に対して、前記式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基を50〜90モル部の範囲内で含有するとともに、前記式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を10〜50モル部の範囲内で含有する請求項1に記載のポリアミド酸。
The acid anhydride residue contains the PMDA residue in a range of 50 to 100 mol parts based on a total of 100 mol parts of the acid anhydride residue,
The diamine residue contains a diamine residue derived from the benzimidazole compound represented by the formula (1) in a range of 50 to 90 mol parts based on a total of 100 mol parts of the diamine residue. The polyamic acid according to claim 1, further comprising a diamine residue derived from the diamine compound represented by the formula (2) in a range of 10 to 50 mol parts.
前記酸無水物残基が、前記酸無水物残基の合計100モル部に対して、前記PMDA残基を50〜100モル部の範囲内で含有し、
前記ジアミン残基が、前記ジアミン残基の合計100モル部に対して、前記式(1)で表されるベンゾイミダゾール化合物から誘導されるジアミン残基を10〜50モル部の範囲内で含有するとともに、前記式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を50〜90モル部の範囲内で含有する請求項1に記載のポリアミド酸。
The acid anhydride residue contains the PMDA residue in a range of 50 to 100 mol parts based on a total of 100 mol parts of the acid anhydride residue,
The diamine residue contains a diamine residue derived from the benzimidazole compound represented by the formula (1) in a range of 10 to 50 mol parts based on a total of 100 mol parts of the diamine residue. The polyamic acid according to claim 1, further comprising a diamine residue derived from the diamine compound represented by the formula (2) in a range of 50 to 90 mol parts.
請求項1又は2に記載のポリアミド酸をイミド化して得られるポリイミド。   A polyimide obtained by imidizing the polyamic acid according to claim 1. 請求項1又は3に記載のポリアミド酸をイミド化して得られるポリイミド。   A polyimide obtained by imidizing the polyamic acid according to claim 1. 単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが、請求項4又は5に記載のポリイミドからなる樹脂フィルム。
A resin film having a single layer or a plurality of polyimide layers,
A resin film comprising the polyimide according to claim 4, wherein the polyimide constituting at least one of the polyimide layers is a polyimide film.
単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが、請求項4に記載のポリイミドからなり、前記請求項4に記載のポリイミドからなるポリイミド層の合計の厚みが、全体の厚みに対して50%以上であることを特徴とする樹脂フィルム。
A resin film having a single layer or a plurality of polyimide layers,
The polyimide constituting at least one layer of the polyimide layer is made of the polyimide according to claim 4, and the total thickness of the polyimide layer made of the polyimide according to claim 4 is 50% or more with respect to the entire thickness. A resin film, characterized in that:
単層又は複数層のポリイミド層を有する樹脂フィルムであって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが、請求項5に記載のポリイミドからなり、前記請求項5に記載のポリイミドからなるポリイミド層の合計の厚みが、全体の厚みに対して5%以上50%未満の範囲内であることを特徴とする樹脂フィルム。
A resin film having a single layer or a plurality of polyimide layers,
The polyimide constituting at least one layer of the polyimide layer is made of the polyimide according to claim 5, and the total thickness of the polyimide layer made of the polyimide according to claim 5 is 5% or more with respect to the entire thickness. A resin film having a content of less than 50%.
厚みが2μm以上12μm以下の範囲内であることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。   The resin film according to any one of claims 6 to 8, wherein the thickness is in a range of 2 µm or more and 12 µm or less. 線膨張係数(CTE)が30ppm/K以下であることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。   The resin film according to any one of claims 6 to 9, wherein a coefficient of linear expansion (CTE) is 30 ppm / K or less. 引き裂き伝播抵抗が2.5kN/m以上であることを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。   The resin film according to any one of claims 6 to 10, wherein the tear propagation resistance is 2.5 kN / m or more. 単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層体であって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが請求項4又は5に記載のポリイミドからなることを特徴とする金属張積層体。
An insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers, and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, a metal-clad laminate including:
A metal-clad laminate, wherein the polyimide constituting at least one of the polyimide layers comprises the polyimide according to claim 4 or 5.
単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層体であって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが、請求項4に記載のポリイミドからなり、前記請求項4に記載のポリイミドからなるポリイミド層の合計の厚みが、全体の厚みに対して50%以上であることを特徴とする金属張積層体。
An insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers, and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, a metal-clad laminate including:
The polyimide constituting at least one layer of the polyimide layer is made of the polyimide according to claim 4, and the total thickness of the polyimide layer made of the polyimide according to claim 4 is 50% or more with respect to the entire thickness. A metal-clad laminate, characterized in that:
単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層体であって、
前記ポリイミド層の少なくとも1層を構成するポリイミドが、請求項5に記載のポリイミドからなり、前記請求項5に記載のポリイミドからなるポリイミド層の合計の厚みが、全体の厚みに対して5%以上50%未満の範囲内であることを特徴とする金属張積層体。
An insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers, and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, a metal-clad laminate including:
The polyimide constituting at least one layer of the polyimide layer is made of the polyimide according to claim 5, and the total thickness of the polyimide layer made of the polyimide according to claim 5 is 5% or more with respect to the entire thickness. A metal-clad laminate characterized by being within a range of less than 50%.
前記金属層が、銅、鉄又はニッケルの少なくとも1つの金属元素を含有することを特徴する請求項12に記載の金属張積層体。   The metal-clad laminate according to claim 12, wherein the metal layer contains at least one metal element of copper, iron, or nickel. 単層又は複数層のポリイミド層を含む絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の少なくとも片面の面に積層された金属層と、を備えた金属張積層体の製造方法であって、
前記金属層の上に、請求項1に記載のポリアミド酸の樹脂層を積層し、前記ポリアミド酸をイミド化することによって、単層又は複数層のポリイミド層を形成する工程を含むことを特徴とする金属張積層体の製造方法。

An insulating resin layer including a single layer or a plurality of polyimide layers, and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, a method for manufacturing a metal-clad laminate including:
A step of laminating the polyamic acid resin layer according to claim 1 on the metal layer and imidizing the polyamic acid to form a single layer or a plurality of polyimide layers. Of producing a metal-clad laminate.

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113736082A (en) * 2021-08-03 2021-12-03 上海极紫科技有限公司 Polyimide resin for negative photoresist and negative photoresist comprising same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003277503A (en) * 2002-03-27 2003-10-02 Nippon Mektron Ltd New polyimide copolymer
WO2004018545A1 (en) * 2002-08-20 2004-03-04 Nippon Mektron, Limited Novel polyimide copolymer and metal laminate comprising the same
JP2012207147A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Ube Industries Ltd Method for producing polyimide film, polyimide film, and polyimide metal laminate using the same
JP2014167132A (en) * 2014-06-19 2014-09-11 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd Polyimide film
JP2015187987A (en) * 2014-03-12 2015-10-29 新日鉄住金化学株式会社 Display device, manufacturing method thereof, and polyimide film for display devices
JP2018104525A (en) * 2016-12-26 2018-07-05 新日鉄住金化学株式会社 Polyimide film for flexible device, precursor thereof, and polyimide film with functional layers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003277503A (en) * 2002-03-27 2003-10-02 Nippon Mektron Ltd New polyimide copolymer
WO2004018545A1 (en) * 2002-08-20 2004-03-04 Nippon Mektron, Limited Novel polyimide copolymer and metal laminate comprising the same
JP2012207147A (en) * 2011-03-30 2012-10-25 Ube Industries Ltd Method for producing polyimide film, polyimide film, and polyimide metal laminate using the same
JP2015187987A (en) * 2014-03-12 2015-10-29 新日鉄住金化学株式会社 Display device, manufacturing method thereof, and polyimide film for display devices
JP2014167132A (en) * 2014-06-19 2014-09-11 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd Polyimide film
JP2018104525A (en) * 2016-12-26 2018-07-05 新日鉄住金化学株式会社 Polyimide film for flexible device, precursor thereof, and polyimide film with functional layers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113736082A (en) * 2021-08-03 2021-12-03 上海极紫科技有限公司 Polyimide resin for negative photoresist and negative photoresist comprising same
CN113736082B (en) * 2021-08-03 2023-08-15 上海极紫科技有限公司 Polyimide resin for negative photoresist and negative photoresist comprising the same

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