JP2020050887A - Surface treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面処理装置に関する。 The present invention relates to a surface treatment device.
従来、表面処理装置として、特許文献1に示すものが知られている。この表面処理装置は、処理容器と、処理容器をその回転中心にて水平面上で回転させる垂直回転軸と、を備え、チップ部品を収納した処理容器を回転させてチップ部品に表面処理を行うものである。この表面処理装置の処理容器の底面は、水平方向に広がる平面をなしている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a surface treatment apparatus disclosed in Patent Document 1 is known. The surface treatment apparatus includes a processing container and a vertical rotation axis that rotates the processing container on a horizontal plane about the center of rotation, and performs a surface treatment on the chip component by rotating the processing container storing the chip component. It is. The bottom surface of the processing container of this surface processing apparatus is a flat surface that extends in the horizontal direction.
上述の表面処理装置は、回転によって処理容器内のチップ部品に遠心力を与えて、外周側へ移動させる。チップ部品は、処理容器の外周側の電極に接触することで、表面処理が行われる。ここで、処理容器の底面の内周側の領域では、チップ部品に作用する遠心力が小さいため、チップ部品の移動が起こりにくい。当該領域にてチップ部品を移動させようとした場合、回転数を上げる必要がある。しかしながら、回転数が大きくなると、電極と衝突したときのチップ部品に対する衝撃が大きくなる場合がある。 The above-described surface treatment apparatus applies centrifugal force to the chip components in the processing container by rotation to move the chip components to the outer peripheral side. The chip component is subjected to a surface treatment by contacting the electrode on the outer peripheral side of the processing container. Here, in the region on the inner peripheral side of the bottom surface of the processing container, the chip component hardly moves because the centrifugal force acting on the chip component is small. In order to move the chip component in the area, it is necessary to increase the rotation speed. However, when the rotation speed increases, the impact on the chip component when colliding with the electrode may increase.
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる表面処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a surface treatment apparatus capable of easily moving a chip component in a processing container while reducing an impact on the chip component. Aim.
本発明に係る表面処理装置は、処理容器と、処理容器をその回転中心にて水平面上で回転させる垂直回転軸と、を備え、チップ部品を収納した処理容器を回転させてチップ部品に表面処理を行う、表面処理装置であって、処理容器の底面には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる第1の傾斜部が形成されている。 The surface treatment apparatus according to the present invention includes a processing container, and a vertical rotation axis that rotates the processing container on a horizontal plane at the center of rotation, and rotates the processing container containing the chip component to perform surface treatment on the chip component. In the surface treatment apparatus, a first inclined portion is formed on a bottom surface of the processing container, the first inclined portion being lowered from an inner peripheral side to an outer peripheral side.
本発明に係る表面処理装置は、チップ部品を収納した処理容器を回転させてチップ部品に表面処理を行うものである。処理容器の底面上のチップ部品は、遠心力によって外周側へ移動する。ここで、処理容器の底面には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる第1の傾斜部が形成されている。この場合、第1の傾斜部上のチップ部品には、遠心力に加えて、内周側から外周側へ向かって滑り落ちようとする力が作用する。このため、第1の傾斜部は、処理容器の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品に作用する外周側へ向かう力を大きくすることができる。すなわち、第1の傾斜部は、処理容器の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品を外周側へ移動させ易くすることができる。また、処理容器の回転数の増加を抑制することで、チップ部品が外周縁の電極と衝突したときの衝撃を抑制することができる。以上より、チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる。 The surface treatment apparatus according to the present invention performs a surface treatment on a chip component by rotating a treatment container containing the chip component. The chip component on the bottom surface of the processing container moves to the outer peripheral side by centrifugal force. Here, a first inclined portion is formed on the bottom surface of the processing container so as to decrease from the inner peripheral side toward the outer peripheral side. In this case, in addition to the centrifugal force, a force to slide down from the inner peripheral side to the outer peripheral side acts on the chip component on the first inclined portion. For this reason, the first inclined portion can increase the force acting on the chip component toward the outer peripheral side while suppressing an increase in the rotation speed of the processing container. That is, the first inclined portion can easily move the chip component to the outer peripheral side while suppressing an increase in the rotation speed of the processing container. In addition, by suppressing an increase in the number of rotations of the processing container, it is possible to suppress an impact when the chip component collides with the electrode on the outer peripheral edge. As described above, the chip component can be easily moved in the processing container while reducing the impact on the chip component.
処理容器の底面には、第1の傾斜部よりも外周側の位置に、内周側から外周側へ向かうに従って上がる第2の傾斜部が形成されてよい。チップ部品は、内周側から外周側へ向かって重力に抗して第2の傾斜部を上がらなくてはならないため、内周側から外周側へ向かう移動速度が低下する。このように、チップ部品が外周縁の電極と衝突する手前の段階で、チップ部品の移動速度が低下するため、チップ部品に対する衝撃を低減することができる。 A second inclined portion that rises from the inner peripheral side toward the outer peripheral side may be formed at a position on the outer peripheral side of the first inclined part on the bottom surface of the processing container. Since the chip component must go up the second inclined portion from the inner peripheral side toward the outer peripheral side against the gravity, the moving speed from the inner peripheral side to the outer peripheral side decreases. As described above, the moving speed of the chip component is reduced before the chip component collides with the electrode on the outer peripheral edge, so that the impact on the chip component can be reduced.
第1の傾斜部は、底面の中央部を中心とした円錐状の形状を有してよい。この場合、一定な傾斜角で傾斜面を形成することができるため、第1の傾斜部を容易に形成することができる。 The first inclined portion may have a conical shape centered on the center of the bottom surface. In this case, since the inclined surface can be formed at a constant inclination angle, the first inclined portion can be easily formed.
第1の傾斜部は、底面の中央部と外周端との間の水平方向における距離に対して、1/7〜3/7の距離を占める領域に形成されてよい。このように第1の傾斜部が形成される範囲を適切な大きさとすることで、チップ部品を外周側に移動し易くしつつ、第1の傾斜部が広すぎて外周側へ向かう速度が大きくなりすぎることを抑制できる。 The first inclined portion may be formed in a region occupying a distance of 1 / to / of a distance in a horizontal direction between a central portion of the bottom surface and an outer peripheral end. By appropriately setting the range in which the first inclined portion is formed as described above, the speed at which the first inclined portion is too wide and moves toward the outer peripheral side is increased while the chip component is easily moved to the outer peripheral side. It can suppress that it becomes too much.
第1の傾斜部は、複数段の傾斜面によって構成されてよい。この場合、中心からの距離に応じて、傾斜面を適切な角度に調整することができる。 The first inclined portion may be constituted by a plurality of inclined surfaces. In this case, the inclined surface can be adjusted to an appropriate angle according to the distance from the center.
本発明によれば、チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる表面処理装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the surface treatment apparatus which can make it easy to move a chip component in a processing container, reducing the impact to a chip component can be provided.
図1を参照して、本実施形態に係る表面処理装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係る表面処理装置の断面図である。表面処理装置1は、チップ部品100を収容した処理容器2を回転させることでチップ部品100に表面処理を行う装置である。本実施形態に係る表面処理装置1は、電気めっき処理を行う。ただし、表面処理装置1は、電気めっき処理のみならず、通電を必要とする処理であれば行うことができ、例えば、複合めっき処理、アニオン電着塗装処理、カチオン電着塗装処理、酸電解処理、電解研磨処理などを行うこともできる。チップ部品100は、素体101に外部電極102が設けられたコイル、コンデンサなどの電子素子である(図2参照)。図1に示すように、表面処理装置1は、処理容器2と、垂直回転軸3と、を備える。
The configuration of the surface treatment apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a sectional view of the surface treatment apparatus according to the present embodiment. The surface treatment apparatus 1 is an apparatus that performs a surface treatment on the
処理容器2は、内部にめっき液Wとチップ部品100が収容され、当該チップ部品100に表面処理を行う容器である。処理容器2は、基板11と、底板12と、電極リング13と、カバー14と、電極16と、を備える。
The
基板11は、処理容器2の底壁部を形成する、水平方向に広がる円板状の部材である。基板11は、導電性の材料によって構成される。底板12は、基板11の上側に設けられ、処理容器2の内部空間の底面21を形成する部材である。底板12は、基板11上にて水平方向に広がる略円板状の部材である。底板12は、樹脂などの非導電性の材料によって構成される。基板11と底板12は、互いの中心軸線が、表面処理装置1の中心軸線CLと一致するように配置される。また、基板11と底板12の直径は同一とされている。底板12の中央位置には、傾斜部20(第1の傾斜部)が形成されている。傾斜部20の詳細な構成については後述する。
The
電極リング13は、処理容器2の側壁を構成する円環状の部材である。電極リング13は、導電性の材料によって構成され、表面処理装置1における陰極として機能する。電極リング13は、底板12の外周縁における上面から、上方へ向かって延びるように配置される。電極リング13の外径は、底板12の直径と同一とされている。電極リング13は、その中心軸線が表面処理装置1の中心軸線CLと一致するように配置される。電極リング13の内周面は、チップ部品100と接触する接触面13aとして機能する。電極リング13の断面形状は矩形状に形成されているため、接触面13aは鉛直方向へ真っ直ぐ延びる面を構成している。ただし、接触面13aの形状は特に限定されず、内周側から外周側へ向かって傾斜するような傾斜面をなしていてもよい。
The
電極リング13は、上方からボルト17が挿入されることによって、基板11及び底板12に固定される。ボルト17は、カバー14の後述のフランジ部14aを介して電極リング13に上方から挿入され、当該電極リング13及び底板12を貫通して、基板11まで達している。なお、電極リング13と底板12との間には、めっき液Wを外部に排出する排出口(不図示)が形成される。排出口は、電極リング13と底板12との間に多孔性の部材を配置することによって、または隙間を設けることによって形成される。
The
カバー14は、処理容器2の天井壁部を構成する円錐台状の筒状部材である。カバー14は、樹脂などの非導電性の材料によって構成される。カバー14は、その中心軸線が表面処理装置1の中心軸線CLと一致するように配置される。カバー14は、下端部に外周側へ水平に広がるフランジ部14aにて、電極リング13と接合される。カバー14のフランジ部14aは、電極リング13の上面に配置されて、ボルト17によって固定される。カバー14の上端部には円形状の開口部14bが形成されている。
The
電極16は、表面処理装置1における陽極として機能する。電極16は、カバー14の開口部14bを介して上方から処理容器2内に挿入されている。電極16は、網目構造などのように液体を通す容器の中に、めっきの金属材料を収容することによって構成される。例えば、チップ部品100に対してニッケルめっきを行う場合は、電極16の容器にはニッケルの固体が収容され、銅めっきを行う場合は、電極16の容器には銅の固体が収容される。電源19のプラス側が電極16に接続され、マイナス側が電極リング13に接続される。これにより、電極16の金属材料の金属イオンがめっき液W中に溶け出す。なお、図1では、電源19が電極リング13に直接接続されているように模式的に記載されているが、例えば、電極リング13は、導電性の材料で形成される垂直回転軸、基板11、及びボルト17を介して通電されてもよい。
The
垂直回転軸3は、処理容器2に接続されており、処理容器2をその回転中心にて回転させるための部材である。垂直回転軸3は、基板11の下面に固定されて下方へ垂直に延びる円柱状の部材である。垂直回転軸3の中心軸線は、処理容器2の中心軸線CLと一致するように配置される。従って、処理容器2は、垂直回転軸3の回転に伴って中心軸線CLを回転中心として、回転を行う。処理容器2の回転数は特に限定されないが、60rpm〜120rpm程度に設定されてよい。
The vertical rotation shaft 3 is connected to the
以上のように、垂直回転軸3が回転することで処理容器2が回転し、処理容器2の内部のチップ部品100に対して外周側へ向かう遠心力が作用する。底板12上に配置されていた多数のチップ部品100は、遠心力の影響によって外周側へ移動し、陰極である電極リング13の接触面13aと接触する。これにより、電極リング13と接触したチップ部品100の外部電極102(図2参照)にて還元反応が起こり、めっき中の金属イオンが電子を受け取ることで、外部電極102に金属のめっき層が形成される。
As described above, the rotation of the vertical rotation shaft 3 rotates the
次に、底板12の傾斜部20について詳細に説明する。傾斜部20は、処理容器2の底面21に形成されている。傾斜部20は、内周側から外周側へ向かうに従って下がるように傾斜している。本実施形態では、傾斜部20は、底面21の中央部21aを中心とした円錐状の形状を有する。すなわち、傾斜部20は、中心軸線CL上に頂部20aを有するように、配置されている。頂部20aは、電極16と干渉しないように、当該電極16よりも低い位置に配置されている。傾斜部20の傾斜面20bは、水平方向に対して、一定の角度をなすように真っ直ぐに傾斜している。傾斜面20bの傾斜角は、回転数や底面21の摩擦係数などによって適宜変更されるものであり特に限定されないが、例えば40°〜80°程度の角度に設定されてよい。なお、傾斜角の設定の詳細については、作用・効果の説明と共に後述する。
Next, the
底面21は、傾斜部20が形成される中央側の領域E1と、傾斜部20が形成されていない外周側の領域E2と、を有する。領域E2は、傾斜部20と底面21の外周端21bとの間の領域であり、水平方向に広がる平面となっている。傾斜部20は、底面21の中央部21aと外周端21bとの間の水平方向における距離に対して、1/7〜3/7の距離を占める領域に形成される。底面21の中央部21aと外周端21bとの間の水平方向における距離は図において「L1」で示される。当該距離(L1)のうちの傾斜部20が占める距離は、中央部21aと下端20cとの間の水平方向における距離である「L2」で示される。すなわち、「L2/L1」の範囲が1/7〜3/7となる。「L2/L1」が1/7以上であることにより、傾斜部20の範囲を十分広くすることで、底面21の中央部21a付近にて、移動しないチップ部品100が発生することを抑制できる。また、「L2/L1」が3/7以下であることにより、傾斜部20が広すぎることで、チップ部品100の移動速度が大きくなりすぎることを抑制できる。
The
次に、本実施形態に係る表面処理装置1の作用・効果について説明する。 Next, the operation and effect of the surface treatment apparatus 1 according to the present embodiment will be described.
本実施形態に係る表面処理装置1は、チップ部品100を収納した処理容器2を回転させてチップ部品100に表面処理を行うものである。処理容器2の底面21上のチップ部品100は、遠心力によって外周側へ移動する。チップ部品100は、外周側の電極リング13の接触面13aと接触する。電極リング13は陰極として機能するため、当該電極リング13と接触するチップ部品100の外部電極102(図2参照)にてめっき液W中の金属イオンが電子を受け取り、外部電極102にめっきがなされる。
The surface treatment apparatus 1 according to the present embodiment is configured to perform a surface treatment on the
ここで、処理容器2の底面21には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる傾斜部20が形成されている。この場合、傾斜部20上のチップ部品100には、遠心力に加えて、内周側から外周側へ向かって滑り落ちようとする力が作用する。
Here, an
具体的に、図2に示すように、チップ部品100に対して水平方向に遠心力F1が作用し、鉛直方向下向きに重力F2が作用し、傾斜面20bと平行な方向に摩擦力F3が作用する。傾斜部20の傾斜角は「θ」とする。遠心力F1のうち、傾斜面20bに対する平行成分F1aは斜め下方へ向かって「F1・cosθ」となり、傾斜面20bに対する垂直成分F1bは斜め上方へ向かって「F1・sinθ」となる。重力F2のうち、傾斜面20bに対する垂直成分F2aは斜め下方へ向かって「F2・cosθ」となり、傾斜面20bに対する平行成分F2bは斜め下方へ向かって「F2・sinθ」となる。
Specifically, as shown in FIG. 2, a centrifugal force F1 acts on the
このとき、チップ部品100に対する傾斜面20bの垂直抗力Nは、「重力F2の垂直成分F2a−遠心力F1の垂直成分F1b」となる。よって、摩擦力F3は、「静止摩擦係数μ×(重力F2の垂直成分F2a−遠心力F1の垂直成分F1b)」となる。静止摩擦係数μは0.2〜0.6程度に設定される。チップ部品100が外周側へ移動するためには、摩擦力F3と反対方向の力F4、すなわち傾斜面20bと平行で内周側へ向かう力F4が、摩擦力F3よりも大きくなればよい。ここで、内周側へ向かう力F4は、「遠心力F1の平行成分F1a+重力F2の平行成分F2b」としめされる。このように、傾斜部20上のチップ部品100には、遠心力F1の平行成分F2bに加えて、内周側から外周側へ向かって滑り落ちようとする力として、重力F2の平行成分F2bが作用する。なお、傾斜角θが大きいほど、加算される重力F2の平行成分F2bが大きくなるため、力F4を摩擦力F3より大きくし易くなる。ただし、チップ部品100が動き出した後に外周側へ向かう速度が大きくなりすぎない傾斜角θに抑えることが好ましい。
At this time, the vertical reaction force N of the
遠心力F1は回転の中心から近いほど低くなる。比較例として、底面21の全域が水平面であるような表面処理装置の場合、中心付近のチップ部品100が水平面に配置された状態となる。中心付近のチップ部品100に作用する遠心力F1が摩擦力F3よりも小さい場合、チップ部品100が停止してしまい、外周側へ移動することができない。この場合、内周側へ向かう力F4を摩擦力F3よりも大きくするには、処理容器2の回転数を大きくする必要がある。しかし、回転数を大きくすると、電極リング13と衝突したときのチップ部品100に対する衝撃が大きくなる場合がある。
The centrifugal force F1 decreases as the distance from the center of rotation decreases. As a comparative example, in the case of a surface treatment apparatus in which the entire area of the
これに対し、チップ部品100が傾斜部20上に配置されている場合は、内周側へ向かう力F4には、重力F2の平行成分F2bを加算することができる。従って、本実施形態内周側へ向かう力F4を摩擦力F3よりも大きくするために必要な遠心力F1は、比較例に係る表面処理装置よりも小さくなる。以上より、傾斜部20は、処理容器2の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品100に作用する外周側へ向かう力F4を大きくすることができる。すなわち、傾斜部20は、処理容器2の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品100を外周側へ移動させ易くすることができる。また、処理容器2の回転数の増加を抑制することで、チップ部品100が外周縁の電極リング13と衝突したときの衝撃を抑制することができる。以上より、チップ部品100に対する衝撃を低減しながら、処理容器2内でチップ部品100を移動し易くすることができる。
On the other hand, when the
傾斜部20は、底面21の中央部21aを中心とした円錐状の形状を有している。この場合、一定な傾斜角で傾斜面20bを形成することができるため、傾斜部20を容易に形成することができる。
The
傾斜部20は、底面21の中央部21aと外周端21bとの間の水平方向における距離に対して、1/7〜3/7の距離を占める領域に形成される。このように傾斜部20が形成される範囲を適切な大きさとすることで、チップ部品100を外周側に移動し易くしつつ、傾斜部20が広すぎて外周側へ向かう速度が大きくなりすぎることを抑制できる。
The
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the above embodiment.
例えば、図3に示すような変形例に係る表面処理装置1を採用してもよい。図3に示すように、傾斜部120(第1の傾斜部)は、複数段階に傾斜角が変化している。傾斜部120は、底面121の中央部121aから外周側へ向かうに従って、傾斜角が小さくなるように変化する。傾斜部120は、頂部120aから下方へ向かって傾斜する傾斜面120bと、傾斜面120bの下端から下端120cへ向かって傾斜する傾斜面120dと、を有する。傾斜面120bの傾斜角は、傾斜面120dよりも大きい。底面121は、傾斜部120の下端120cから外周端121bまでは水平に延びる平面を有する。
For example, a surface treatment apparatus 1 according to a modification as shown in FIG. 3 may be employed. As shown in FIG. 3, the inclination angle of the inclined portion 120 (first inclined portion) changes in a plurality of stages. The
このように傾斜部120が、複数段の傾斜面120b,120dによって構成されているため、中心からの距離に応じて、傾斜面120b,120dを適切な角度に調整することができる。図2を用いて前述したように、中央部121aに近い位置ほど遠心力が小さくなるため、傾斜部の傾斜角を大きくする必要があり、中央部121aから外周側に離れた位置ほど遠心力が大きくなるため、傾斜角は小さくてよい。図1の形態において、中央部21a付近で必要な傾斜角に合わせて、傾斜部20全域を大きな傾斜角とした場合、頂部20aの位置が高くなる。電極16と傾斜部20とが干渉することを回避するため、電極16を高い位置に配置する必要が生じる。一方、図3に示すように、中央部121a付近では、必要な傾斜角が得られるように傾斜角が大きい傾斜面120bが形成され、外周側では必要以上に傾斜角が大きくない傾斜面120dが形成されている。従って、頂部120aの位置を低くすることができる。その分、電極16を低い位置に配置できるため、めっき液W中に浸漬される電極16の範囲が大きくなる。これにより、めっきの効率を向上することができる。また、傾斜面120dでは、必要以上に傾斜角が大きくなることが抑制されているため、チップ部品100の移動速度が必要以上に大きくなることを抑制できる。
As described above, since the
また、図4に示すような変形例に係る表面処理装置1を採用してもよい。図4に示すように、傾斜部220(第1の傾斜部)は、内周側から外周側へ向かって連続的に傾斜角が変化するように、湾曲している。傾斜部220は、底面221の中央部221aから外周側へ向かうに従って、傾斜角が小さくなるように変化する。傾斜部220は、頂部220aから外周側へ向かうに従って徐々に傾斜角が小さくなる湾曲面220bを有する。湾曲面220bは、下側へ向かって凸をなすように湾曲する。湾曲面220bの傾斜角は、下端220c付近ではほぼ0°に等しくなる。底面221は、傾斜部220の下端220cから外周端221bまでは水平に延びる平面を有する。なお、本変形例において、湾曲面220bの傾斜角は、任意の位置における接線の角度に該当する。
Further, a surface treatment apparatus 1 according to a modification as shown in FIG. 4 may be employed. As shown in FIG. 4, the inclined portion 220 (first inclined portion) is curved such that the inclination angle continuously changes from the inner peripheral side to the outer peripheral side. The
図2を用いて前述したように、中央部221aに近い位置ほど遠心力が小さくなるため、傾斜部の傾斜角を大きくする必要があり、中央部221aから外周側に離れた位置ほど遠心力が大きくなるため、傾斜角は小さくてよい。従って、図4に示すように、底面221は、中央部221a付近では、必要な傾斜角が得られるように傾斜角が大きく、外周側では必要以上に傾斜角が大きくならないような、湾曲面220bを有している。従って、頂部220aの位置を低くすることができる。その分、電極16を低い位置に配置できるため、めっき液W中に浸漬される電極16の範囲が大きくなる。これにより、めっきの効率を向上することができる。また、外周側では、必要以上に傾斜角が大きくなることが抑制されているため、チップ部品100の移動速度が必要以上に大きくなることを抑制できる。
As described above with reference to FIG. 2, the centrifugal force becomes smaller as the position is closer to the
また、図5に示すような変形例に係る表面処理装置1を採用してもよい。図5に示すように、処理容器2の底面321には、傾斜部20よりも外周側の位置に、内周側から外周側へ向かうに従って上がる傾斜部320(第2の傾斜部)が形成される。傾斜部320は、底面321の外周端321bから内周側へ向かって下がるように傾斜する。中央部321a側の傾斜部20と外周側の傾斜部320との間の領域は、水平な平面となっている。なお、傾斜部20は、図3に示す傾斜部120、図4に示す傾斜部220に変更してもよい。
Further, a surface treatment apparatus 1 according to a modification as shown in FIG. 5 may be employed. As shown in FIG. 5, on the
図5のような構成によれば、チップ部品100は、内周側から外周側へ向かって重力に抗して傾斜部320を上がらなくてはならないため、内周側から外周側へ向かう移動速度が低下する。このように、チップ部品100が外周縁の電極リング13と衝突する手前の段階で、チップ部品の移動速度が低下するため、チップ部品100に対する衝撃を低減することができる。
According to the configuration as shown in FIG. 5, since the
1…表面処理装置、2…処理容器、3…垂直回転軸、20,120,220…傾斜部(第1の傾斜部)、21,121,221,321…底面、21a,121a,221a,321a…中央部、21b,121b,221b,321b…外周端、120b,120d…傾斜面、320…傾斜部(第2の傾斜部)。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface treatment apparatus, 2 ... Processing container, 3 ... Vertical rotation axis, 20, 120, 220 ... Inclined part (1st inclined part), 21, 121, 221, 321 ... Bottom surface, 21a, 121a, 221a, 321a ... Central portion, 21b, 121b, 221b, 321b ... outer peripheral end, 120b, 120d ... inclined surface, 320 ... inclined portion (second inclined portion).
Claims (5)
処理容器をその回転中心にて水平面上で回転させる垂直回転軸と、を備え、
チップ部品を収納した処理容器を回転させて前記チップ部品に表面処理を行う、表面処理装置であって、
前記処理容器の底面には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる第1の傾斜部が形成されている、表面処理装置。 A processing container,
A vertical rotation axis for rotating the processing vessel on a horizontal plane at the center of rotation,
A surface treatment apparatus that performs a surface treatment on the chip component by rotating a processing container containing the chip component,
A surface treatment apparatus, wherein a first inclined portion that descends from an inner peripheral side to an outer peripheral side is formed on a bottom surface of the processing container.
Priority Applications (1)
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JP2008013815A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | C Uyemura & Co Ltd | Surface treatment device for small parts |
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2018
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Patent Citations (2)
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JP2000309895A (en) * | 1999-04-22 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | Device for producing electrically conductive fine particle |
JP2008013815A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | C Uyemura & Co Ltd | Surface treatment device for small parts |
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