JP2020024373A - Display device - Google Patents

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Abstract

To reduce a difference in characteristics between element circuits.SOLUTION: A display device of the present invention includes an arrayed power supply line, a first drive transistor arranged on the first side of each power supply line, a second drive transistor arranged on the second side of each power supply line, and first color, second color and third color light emitting elements. The first and second drive transistors of the first power supply line respectively drive a first-color first light emitting element and a second-color first light emitting element. The first and second drive transistors of the second power supply line respectively drive a third-color first light emitting element and a second-color second light emitting element. The first and second drive transistors of the third power supply line respectively drive a first-color second light emitting element and a third-color second light emitting element.SELECTED DRAWING: Figure 5C

Description

本開示は、表示装置に関する。   The present disclosure relates to a display device.

OLED(Organic Light−Emitting Diode)素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、広視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。   Since an OLED (Organic Light-Emitting Diode) element is a current-driven self-luminous element, there is an advantage that a backlight is not required, low power consumption, a wide viewing angle, and a high contrast ratio can be obtained. It is expected in the development of flat panel displays.

アクティブマトリクスタイプのOLED表示装置は、表示領域には複数の画素が配置されている。この画素は、1又は複数の副画素を備える。画素が、複数の副画素を備える場合、複数の副画素は、例えば異なる色の光を発光する。副画素は、その副画素を選択するトランジスタと、その副画素の表示をつかさどるOLED素子に電流を供給する駆動トランジスタ等から構成される画素回路とを含む。   In an active matrix type OLED display device, a plurality of pixels are arranged in a display area. This pixel has one or more sub-pixels. When the pixel includes a plurality of sub-pixels, the plurality of sub-pixels emit light of different colors, for example. The sub-pixel includes a transistor for selecting the sub-pixel, and a pixel circuit including a driving transistor for supplying a current to an OLED element for controlling the display of the sub-pixel.

単色表示のOLED表示装置では、単色の画素のみが配置されるが、フルカラー表示のOLED表示装置では、例えば三原色の赤(R)、緑(G)、青(B)の副画素を組み合わせて配置する。スマートフォンやタブレットコンピュータ等に搭載した小型OLEDパネルの高精細化の流れから、画素サイズの縮小が進んでいる。一方、画素回路が高機能化しているため、画素回路内の素子数が増加し、これらの占有面積が増大している。   In a single-color OLED display device, only a single-color pixel is arranged. In a full-color OLED display device, for example, red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels of three primary colors are arranged in combination. I do. With the trend toward higher definition of small OLED panels mounted on smartphones, tablet computers, and the like, the pixel size has been reduced. On the other hand, the number of elements in the pixel circuit has increased due to the sophisticated functions of the pixel circuit, and the area occupied by these elements has increased.

米国特許出願公開第2017/0352312号に開示されているように、隣接する画素回路が電源線を共有することで、配線スペースを削減できる。しかし、同じ色のサブ画素列に着目すると、単色同階調で画像を表示した場合、明るく表示されるサブ画素列と暗く表示されるサブ画素列とが交互に配置される筋むらが発生しやすい。   As disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2017/0352312, the wiring space can be reduced by sharing power supply lines between adjacent pixel circuits. However, focusing on the same color sub-pixel column, when an image is displayed with the same gradation of a single color, streak unevenness occurs in which brightly displayed sub-pixel columns and darkly displayed sub-pixel columns are alternately arranged. Cheap.

米国特許出願公開第2017/0352312号US Patent Application Publication No. 2017/0352312

したがって、集積度を向上しつつ、同一色の副画素の画素回路間の特性の相違を低減できる技術が望まれる。   Therefore, a technique that can reduce the difference in characteristics between pixel circuits of sub-pixels of the same color while improving the degree of integration is desired.

本開示の一態様の表示装置は、第1軸に沿って延び、第2軸に沿って配列された複数の電源線と、前記複数の電源線のそれぞれの前記第2軸に沿った第1の側に配置され、前記複数の電源線それぞれから電源電位を与えられる、複数の第1駆動トランジスタと、前記複数の電源線のそれぞれの前記第2軸に沿った第2の側に配置され、前記複数の電源線それぞれから電源電位を与えられる、複数の第2駆動トランジスタと、複数の第1色の発光素子と、複数の第2色の発光素子と、複数の第3色の発光素子と、を含む。前記複数の電源線は、前記第2軸に沿って配列された複数の電源線ユニットを含む。前記複数の電源線ユニットそれぞれは、第1電源線と、前記第1電源線に隣接する第2電源線と、第2電源線に隣接する第3電源線と、で構成される。前記第1電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第1色の第1の発光素子を駆動する。前記第1電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第2色の第1の発光素子を駆動する。前記第2電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第3色の第1の発光素子を駆動する。前記第2電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第2色の第2の発光素子を駆動する。前記第3電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第1色の第2の発光素子を駆動する。前記第3電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第3色の第2の発光素子を駆動する。   A display device according to an embodiment of the present disclosure includes a plurality of power supply lines extending along a first axis and arranged along a second axis, and a first power supply line along the second axis of each of the plurality of power supply lines. A plurality of first drive transistors, which are provided with a power supply potential from each of the plurality of power supply lines, and are disposed on a second side along the second axis of each of the plurality of power supply lines, A plurality of second driving transistors, a plurality of first color light emitting elements, a plurality of second color light emitting elements, and a plurality of third color light emitting elements to which a power supply potential is applied from each of the plurality of power supply lines. ,including. The plurality of power lines include a plurality of power line units arranged along the second axis. Each of the plurality of power supply line units includes a first power supply line, a second power supply line adjacent to the first power supply line, and a third power supply line adjacent to the second power supply line. The first driving transistor of the first power line drives a first light emitting element of the first color. The second drive transistor of the first power supply line drives a first light emitting element of the second color. The first drive transistor of the second power supply line drives the first light emitting element of the third color. The second drive transistor of the second power supply line drives a second light emitting element of the second color. The first drive transistor of the third power supply line drives the second light emitting element of the first color. The second drive transistor of the third power supply line drives the second light emitting element of the third color.

本開示の一態様によれば、集積度を向上しつつ、同一色の副画素の画素回路間の特性の相違を低減できる。   According to an embodiment of the present disclosure, it is possible to reduce a difference in characteristics between pixel circuits of subpixels of the same color while improving the degree of integration.

OLED表示装置の構成例を模式的に示す。1 schematically illustrates a configuration example of an OLED display device. 画素回路の構成例を示す。2 shows a configuration example of a pixel circuit. 画素回路の他の構成例を示す。7 shows another example of the configuration of the pixel circuit. 画素回路構成の例を示す。2 shows an example of a pixel circuit configuration. 副画素の画素回路の断面構造の一部を模式的に示す。A part of a sectional structure of a pixel circuit of a sub-pixel is schematically shown. 比較例のOLED素子のレイアウトを示す平面図である。It is a top view showing the layout of the OLED element of a comparative example. 比較例の画素回路のレイアウトを示す平面図である。FIG. 9 is a plan view illustrating a layout of a pixel circuit of a comparative example. 図4AのOLED素子及び図4Bの画素回路を重ねた平面図である。FIG. 4B is a plan view in which the OLED element of FIG. 4A and the pixel circuit of FIG. 4B are superimposed. 本開示のOLED素子のレイアウト例を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view illustrating a layout example of the OLED element of the present disclosure. 本開示の画素回路のレイアウト例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating a layout example of a pixel circuit according to the present disclosure. 図5AのOLED素子及び図5Bの画素回路を重ねた平面図である。FIG. 5B is a plan view in which the OLED element of FIG. 5A and the pixel circuit of FIG. 5B are superimposed. 本例のOLED素子のレイアウトを示す平面図である。It is a top view showing the layout of the OLED element of this example. 本例のOLED素子及びそれらを駆動制御する画素回路のレイアウトを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a layout of the OLED elements of the present example and a pixel circuit for driving and controlling them. X軸及びY軸における、複数のコンタクトホールの位置を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating positions of a plurality of contact holes on an X axis and a Y axis. 図6A及び6Bを参照して説明した構成におけるOLED素子のレイアウトを示す。FIG. 7 shows a layout of an OLED element in the configuration described with reference to FIGS. 6A and 6B. OLED素子の他のレイアウトを示す。5 shows another layout of the OLED element. ドライバICとデータ線との接続の例を示す。4 shows an example of connection between a driver IC and a data line. ドライバICとデータ線との接続の他の例を示す。Another example of the connection between the driver IC and the data line is shown.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that this embodiment is merely an example for realizing the present invention, and does not limit the technical scope of the present invention.

[全体構成] 以下においては、表示装置の一例として、OLED(Organic Light−Emitting Diode)表示装置を説明する。本開示の特徴は、OLED表示装置と異なる表示装置、例えば、マイクロLED表示装置や無機EL(Electro−Luminescence)表示装置に適用することができる。 [Overall Configuration] An OLED (Organic Light-Emitting Diode) display device will be described below as an example of a display device. The features of the present disclosure can be applied to a display device different from the OLED display device, for example, a micro LED display device or an inorganic EL (Electro-Luminescence) display device.

図1は、OLED表示装置10の構成例を模式的に示す。OLED表示装置10は、OLED素子が形成されるTFT(Thin Film Transistor)基板100と、有機発光素子を封止する封止基板200と、TFT基板100と封止基板200とを接合する接合部(ガラスフリットシール部)300を含んで構成されている。TFT基板100と封止基板200との間には、例えば、乾燥空気が封入されており、接合部300により封止されている。   FIG. 1 schematically illustrates a configuration example of the OLED display device 10. The OLED display device 10 includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 100 on which an OLED element is formed, a sealing substrate 200 for sealing an organic light emitting element, and a bonding portion for bonding the TFT substrate 100 and the sealing substrate 200 ( (Glass frit seal portion) 300. For example, dry air is sealed between the TFT substrate 100 and the sealing substrate 200, and is sealed by the joint 300.

TFT基板100の表示領域125の外側のカソード電極形成領域114の周囲に、走査ドライバ131、エミッションドライバ132、保護回路133、ドライバIC134(ドライバ回路)、デマルチプレクサ136が配置されている。保護回路133は、静電気放電から素子を保護する。ドライバIC134は、FPC(Flexible Printed Circuit)135を介して外部の機器と接続される。   A scanning driver 131, an emission driver 132, a protection circuit 133, a driver IC 134 (driver circuit), and a demultiplexer 136 are arranged around the cathode electrode formation region 114 outside the display region 125 of the TFT substrate 100. The protection circuit 133 protects the element from electrostatic discharge. The driver IC 134 is connected to an external device via an FPC (Flexible Printed Circuit) 135.

走査ドライバ131はTFT基板100の走査線を駆動する。エミッションドライバ132は、エミッション制御線を駆動して、各画素の発光期間を制御する。ドライバIC134は、例えば、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)を用いて実装される。   The scan driver 131 drives a scan line of the TFT substrate 100. The emission driver 132 controls an emission period of each pixel by driving an emission control line. The driver IC 134 is mounted using, for example, an anisotropic conductive film (ACF).

ドライバIC134は、走査ドライバ131及びエミッションドライバ132に電源及びタイミング信号(制御信号)を与える。さらに、ドライバIC134は、デマルチプレクサ136に、電源及びデータ信号を与える。   The driver IC 134 supplies power and a timing signal (control signal) to the scanning driver 131 and the emission driver 132. Further, the driver IC 134 supplies power and data signals to the demultiplexer 136.

デマルチプレクサ136は、ドライバIC134の一つのピンの出力を、d本(dは2以上の整数)のデータ線に順次出力する。デマルチプレクサ136は、ドライバIC134からのデータ信号の出力先データ線を、走査期間内にd回切り替えることで、ドライバIC134の出力ピン数のd倍のデータ線を駆動する。データ線は、駆動トランジスタT1を制御する制御信号(データ電圧)を伝送する。   The demultiplexer 136 sequentially outputs the output of one pin of the driver IC 134 to d (d is an integer of 2 or more) data lines. The demultiplexer 136 drives the data lines d times the number of output pins of the driver IC 134 by switching the output data line of the data signal from the driver IC 134 d times within the scanning period. The data line transmits a control signal (data voltage) for controlling the driving transistor T1.

[回路構成]
基板100上には、複数の副画素それぞれの発光を制御する複数の画素回路が形成されている。図2Aは、画素回路の構成例を示す。各画素回路は、駆動トランジスタT1と、選択トランジスタT2と、エミッショントランジスタT3と、保持容量C1とを含む。画素回路は、OLED素子E1の発光を制御する。トランジスタは、TFTである。
[Circuit configuration]
A plurality of pixel circuits for controlling light emission of each of the plurality of sub-pixels are formed on the substrate 100. FIG. 2A illustrates a configuration example of a pixel circuit. Each pixel circuit includes a driving transistor T1, a selection transistor T2, an emission transistor T3, and a storage capacitor C1. The pixel circuit controls light emission of the OLED element E1. The transistor is a TFT.

選択トランジスタT2は副画素を選択するスイッチである。選択トランジスタT2はpチャネル型TFTであり、ゲート端子は、走査線106に接続されている。ソース端子は、データ線105に接続されている。ドレイン端子は、駆動トランジスタT1のゲート端子に接続されている。   The selection transistor T2 is a switch for selecting a sub-pixel. The selection transistor T2 is a p-channel TFT, and has a gate terminal connected to the scanning line 106. The source terminal is connected to the data line 105. The drain terminal is connected to the gate terminal of the driving transistor T1.

駆動トランジスタT1はOLED素子E1の駆動用のトランジスタである。駆動トランジスタT1はpチャネル型TFTであり、そのゲート端子は選択トランジスタT2のドレイン端子に接続されている。駆動トランジスタT1のソース端子は電源線108(Vdd)に接続されている。ドレイン端子は、エミッショントランジスタT3のソース端子に接続されている。駆動トランジスタT1のゲート端子とソース端子との間に保持容量C1が形成されている。   The drive transistor T1 is a transistor for driving the OLED element E1. The driving transistor T1 is a p-channel TFT, and its gate terminal is connected to the drain terminal of the selection transistor T2. The source terminal of the driving transistor T1 is connected to the power supply line 108 (Vdd). The drain terminal is connected to the source terminal of the emission transistor T3. The storage capacitor C1 is formed between the gate terminal and the source terminal of the driving transistor T1.

エミッショントランジスタT3は、OLED素子E1への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチである。エミッショントランジスタT3はpチャネル型TFTであり、ゲート端子はエミッション制御線107に接続されている。エミッショントランジスタT3のソース端子は駆動トランジスタT1のドレイン端子に接続されている。エミッショントランジスタT3のドレイン端子は、OLED素子E1に接続されている。   The emission transistor T3 is a switch that controls supply and stop of the drive current to the OLED element E1. The emission transistor T3 is a p-channel TFT, and has a gate terminal connected to the emission control line 107. The source terminal of the emission transistor T3 is connected to the drain terminal of the drive transistor T1. The drain terminal of the emission transistor T3 is connected to the OLED element E1.

次に、画素回路の動作を説明する。走査ドライバ131が走査線106に選択パルスを出力し、選択トランジスタT2をオン状態にする。データ線105を介してドライバIC134から供給されたデータ電圧(制御信号)は、保持容量C1に格納される。保持容量C1は、格納された電圧を、1フレーム期間を通じて保持する。保持電圧によって、駆動トランジスタT1のコンダクタンスがアナログ的に変化し、駆動トランジスタT1は、発光階調に対応した順バイアス電流をOLED素子E1に供給する。   Next, the operation of the pixel circuit will be described. The scanning driver 131 outputs a selection pulse to the scanning line 106 to turn on the selection transistor T2. The data voltage (control signal) supplied from the driver IC 134 via the data line 105 is stored in the storage capacitor C1. The storage capacitor C1 stores the stored voltage throughout one frame period. The conductance of the driving transistor T1 changes in an analog manner by the holding voltage, and the driving transistor T1 supplies a forward bias current corresponding to the light emission gradation to the OLED element E1.

エミッショントランジスタT3は、駆動電流の供給経路上に位置する。エミッションドライバ132は、エミッション制御線107に制御信号を出力して、エミッショントランジスタT3のオンオフを制御する。エミッショントランジスタT3がオン状態のとき、駆動電流がOLED素子E1に供給される。エミッショントランジスタT3がオフ状態のとき、この供給が停止される。エミッショントランジスタT3のオンオフを制御することにより、1フィールド周期内の点灯期間(デューティ比)を制御することができる。   The emission transistor T3 is located on a drive current supply path. The emission driver 132 outputs a control signal to the emission control line 107 to control on / off of the emission transistor T3. When the emission transistor T3 is on, a drive current is supplied to the OLED element E1. When the emission transistor T3 is off, this supply is stopped. By controlling on / off of the emission transistor T3, a lighting period (duty ratio) within one field cycle can be controlled.

図2Bは、画素回路の他の構成例を示す。当該画素回路は、図2AのエミッショントランジスタT3に代えて、リセットトランジスタT4を有する。リセットトランジスタT4は、基準電圧供給線110とOLED素子E1のアノードとの電気的接続を制御する。リセットトランジスタT4のゲートにリセット制御線109からリセット制御信号が供給されることによりこの制御が行われる。   FIG. 2B shows another configuration example of the pixel circuit. The pixel circuit has a reset transistor T4 instead of the emission transistor T3 of FIG. 2A. The reset transistor T4 controls the electrical connection between the reference voltage supply line 110 and the anode of the OLED element E1. This control is performed by supplying a reset control signal from the reset control line 109 to the gate of the reset transistor T4.

リセットトランジスタT4は、様々な目的で使用することができる。リセットトランジスタT4は、例えば、OLED素子E1間のリーク電流によるクロストークを抑制するために、一旦、OLED素子E1のアノード電極を黒信号レベル以下の十分低い電圧にリセットする目的で使用しても良い。   The reset transistor T4 can be used for various purposes. For example, the reset transistor T4 may be used for the purpose of once resetting the anode electrode of the OLED element E1 to a sufficiently low voltage equal to or lower than the black signal level in order to suppress crosstalk due to a leak current between the OLED elements E1. .

他にも、リセットトランジスタT4は、駆動トランジスタT1の特性を測定する目的で使用してもよい。例えば、駆動トランジスタT1を飽和領域、リセットトランジスタT4を線形領域で動作するようにバイアス条件を選んで、電源線108(Vdd)から基準電圧供給線110(Vref)に流れる電流を測定すれば、駆動トランジスタT1の電圧・電流変換特性を正確に測定することができる。副画素間の駆動トランジスタT1の電圧・電流変換特性の違いを補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、均一性の高い表示画像を実現できる。   Alternatively, the reset transistor T4 may be used for measuring the characteristics of the driving transistor T1. For example, if the bias condition is selected so that the driving transistor T1 operates in the saturation region and the reset transistor T4 operates in the linear region, and the current flowing from the power supply line 108 (Vdd) to the reference voltage supply line 110 (Vref) is measured, The voltage-current conversion characteristics of the transistor T1 can be accurately measured. If a data signal for compensating for the difference in the voltage-current conversion characteristics of the drive transistor T1 between the sub-pixels is generated by an external circuit, a highly uniform display image can be realized.

一方、駆動トランジスタT1をオフ状態にしてリセットトランジスタT4をリニア領域で動作させ、OLED素子E1を発光させる電圧を基準電圧供給線110から印加すれば、OLED素子E1の電圧・電流特性を正確に測定することができる。例えば、長時間の使用によってOLED素子E1が劣化した場合にも、その劣化量を補償するデータ信号を外部回路で生成すれば、長寿命化を実現できる。   On the other hand, when the drive transistor T1 is turned off, the reset transistor T4 is operated in the linear region, and a voltage for causing the OLED element E1 to emit light is applied from the reference voltage supply line 110, the voltage / current characteristics of the OLED element E1 can be accurately measured. can do. For example, even when the OLED element E1 is deteriorated due to long-term use, the life can be extended by generating a data signal for compensating the deterioration amount by an external circuit.

図2A及び2Bの画素回路は例であって、画素回路は他の回路構成を有してよい。図2A及び2Bの画素回路はpチャネル型TFTを使用しているが、画素回路はnチャネル型TFTを使用してもよい。以上説明した画素回路は、例えば駆動トランジスタの閾値のばらつきを補償して画質劣化を抑制するために設けられている。本明細書で説明するトランジスタの特性差を抑制する技術的手段により、画素回路により十分抑制されない表示ムラを抑制することができる。   The pixel circuits of FIGS. 2A and 2B are examples, and the pixel circuits may have other circuit configurations. Although the pixel circuits of FIGS. 2A and 2B use p-channel TFTs, the pixel circuits may use n-channel TFTs. The pixel circuit described above is provided, for example, in order to compensate for variations in the threshold value of the driving transistor and suppress image quality degradation. With the technical means for suppressing the difference in characteristics of transistors described in this specification, display unevenness which is not sufficiently suppressed by a pixel circuit can be suppressed.

[画素構造]
以下において、画素回路のレイアウトの例を説明する。説明の容易のため、図2Cに示す画素回路構成の例を説明する。図2Cの画素回路は、図2Aに示す画素回路から、エミッショントランジスタ及びエミッション制御線を省略した構成を有する。以下の説明は、図2A又は図2Bに示すような、他の画素回路構成に適用することができる。
[Pixel structure]
Hereinafter, an example of the layout of the pixel circuit will be described. For ease of explanation, an example of the pixel circuit configuration shown in FIG. 2C will be described. The pixel circuit of FIG. 2C has a configuration in which the emission transistor and the emission control line are omitted from the pixel circuit of FIG. 2A. The following description can be applied to other pixel circuit configurations as shown in FIG. 2A or 2B.

なお、図2A〜図2Cの画素回路では、電源線が駆動トランジスタに直接接続している構成を図示した。しかし、電源線と駆動トランジスタとの間に例えば発光制御トランジスタを設けても良い。発光制御トランジスタは、OLED素子を発光させる期間にオンする。また、発光制御トランジスタは、OLED素子を発光させない期間には、オフになり、意図しない発光を防ぐ。すなわち、電源線は、駆動トランジスタと電気的に接続可能であればよい。また、保持容量は、駆動トランジスタのゲートに直接接続していなくても電気的に接続可能であればよい。   In the pixel circuits of FIGS. 2A to 2C, a configuration in which the power supply line is directly connected to the driving transistor is illustrated. However, for example, a light emission control transistor may be provided between the power supply line and the drive transistor. The light emission control transistor is turned on during a period in which the OLED element emits light. The light emission control transistor is turned off during a period in which the OLED element does not emit light, thereby preventing unintended light emission. That is, the power supply line only needs to be electrically connectable to the driving transistor. Further, the storage capacitor need only be electrically connectable without being directly connected to the gate of the drive transistor.

図3は、副画素の画素回路の断面構造の一部を模式的に示す。副画素は、赤、緑、又は青のいずれかの色を表示する。赤、緑、及び青の副画素により一つの主画素が構成される。赤、緑及び青と異なる色の組が表示されてもよい。副画素は、OLED素子の発光領域である。図3は、図2Cに示す画素回路における、駆動トランジスタT1、保持容量C1及びOLED素子E1の構造を模式的に示す。   FIG. 3 schematically illustrates a part of a cross-sectional structure of a pixel circuit of a sub-pixel. The sub-pixel displays any color of red, green, or blue. One main pixel is constituted by the red, green, and blue sub-pixels. A set of colors different from red, green and blue may be displayed. The sub-pixel is a light emitting area of the OLED element. FIG. 3 schematically illustrates the structure of the driving transistor T1, the storage capacitor C1, and the OLED element E1 in the pixel circuit illustrated in FIG. 2C.

以下の説明において、上下は、図面における上下を示す。OLED表示装置10は、絶縁基板151と、絶縁基板151と対向する封止構造部とを含む。絶縁基板151及びその上に形成されている要素が、TFT基板100を構成する。封止構造部の一例は、可撓性又は不撓性の封止基板200である。封止構造部は、例えば、薄膜封止(TFE:Thin Film Encapsulation)構造であってもよい。   In the following description, the upper and lower sides indicate the upper and lower sides in the drawing. The OLED display device 10 includes an insulating substrate 151 and a sealing structure facing the insulating substrate 151. The insulating substrate 151 and the components formed thereon constitute the TFT substrate 100. One example of the sealing structure is a flexible or inflexible sealing substrate 200. The sealing structure may be, for example, a thin film encapsulation (TFE) structure.

OLED表示装置10は、絶縁基板151と封止構造部との間に配置された、下部電極(例えば、アノード電極162)と、上部電極(例えば、カソード電極166)と、有機発光膜165とを含む。   The OLED display device 10 includes a lower electrode (for example, an anode electrode 162), an upper electrode (for example, a cathode electrode 166), and an organic light emitting film 165 disposed between the insulating substrate 151 and the sealing structure. Including.

カソード電極166とアノード電極162との間に、有機発光膜165が配置されている。1つのアノード電極162の上に1つの有機発光膜165が配置されている。図3の例において、一つの副画素のカソード電極166は、連続する導体膜の一部である。画素回路は、アノード電極162に供給する電流を制御する。   An organic light emitting film 165 is arranged between the cathode electrode 166 and the anode electrode 162. One organic light emitting film 165 is arranged on one anode electrode 162. In the example of FIG. 3, the cathode electrode 166 of one sub-pixel is a part of a continuous conductive film. The pixel circuit controls a current supplied to the anode electrode 162.

図3は、トップエミッション型の画素構造の例を模式的に示している。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側(図面上側)に、複数の画素に共通のカソード電極166が配置される。カソード電極166は、表示領域125の全面を完全に覆う形状を有する。トップエミッション型の画素構造において、アノード電極162は光を反射し、カソード電極166は光透過性をもっている。これにより、有機発光膜165からの光を封止構造部に向けて出射させる構成となっている。   FIG. 3 schematically shows an example of a top emission type pixel structure. In the top emission type pixel structure, a cathode electrode 166 common to a plurality of pixels is arranged on a light emission side (upper side in the drawing). The cathode electrode 166 has a shape that completely covers the entire display region 125. In the top emission type pixel structure, the anode electrode 162 reflects light, and the cathode electrode 166 has light transmittance. Thus, the light from the organic light emitting film 165 is emitted toward the sealing structure.

トップエミッション型では、光を絶縁基板151側に取り出すボトムエミッション型と比べて、光取出しのための透過領域を画素領域内に設ける必要がないため、発光部を画素回路や配線の上にも形成することができるといった、画素回路のレイアウトにおいて高い自由度を有する。   Since the top emission type does not need to provide a transmission region for light extraction in the pixel region as compared with the bottom emission type in which light is extracted to the insulating substrate 151 side, a light emitting portion is also formed on a pixel circuit or wiring. And a high degree of freedom in the layout of the pixel circuit.

ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、絶縁基板151を介して外部に光を出射する。本開示の画素回路のレイアウトは、ボトムエミッション型の画素構造にも適用できる。   The bottom emission pixel structure has a transparent anode electrode and a reflective cathode electrode, and emits light to the outside via the insulating substrate 151. The layout of the pixel circuit according to the present disclosure can also be applied to a bottom emission type pixel structure.

副画素は、フルカラーOLED表示装置において一般に、赤、緑、又は青のいずれかの色を表示する。赤、緑、及び青の副画素により一つの主画素が構成される。複数の薄膜トランジスタを含む画素回路は、対応するOLED素子の発光を制御する。OLED素子は、下部電極であるアノード電極、有機発光膜及び上部電極であるカソード電極で構成される。   The sub-pixels generally display any of the colors red, green, or blue in a full color OLED display. One main pixel is constituted by the red, green, and blue sub-pixels. A pixel circuit including a plurality of thin film transistors controls light emission of a corresponding OLED element. An OLED element includes an anode electrode serving as a lower electrode, an organic light emitting film, and a cathode electrode serving as an upper electrode.

絶縁基板151は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。絶縁基板151の上には第1絶縁膜152を介して、シリコン層が存在する。第1絶縁膜152は、例えば、シリコン窒化物で構成されている。   The insulating substrate 151 is formed of, for example, glass or resin, and is an inflexible or flexible substrate. A silicon layer exists on the insulating substrate 151 with the first insulating film 152 interposed therebetween. The first insulating film 152 is made of, for example, silicon nitride.

シリコン層は、例えば、アモルファスシリコン又はポリシリコンで構成されている。シリコン層にはTFTのトランジスタ特性をもたらすチャネル155が、のちにゲート電極157が形成される位置に存在する。シリコン層には、さらに、保持容量C1の電極171が存在する。電極171には、高濃度不純物がドープされている。   The silicon layer is made of, for example, amorphous silicon or polysilicon. In the silicon layer, a channel 155 that provides the transistor characteristics of the TFT exists at a position where a gate electrode 157 is to be formed later. The silicon layer further has an electrode 171 of the storage capacitor C1. The electrode 171 is doped with a high concentration impurity.

チャネル155の両端には上部の配線層と電気的に接続をとるために高濃度不純物がドープされたドレイン領域168、ソース領域169が存在する。チャネル155とドレイン領域168、ソース領域169の間には、低濃度の不純物をドープされたLDD(Lightly Doped Drain)を形成する場合もある。なお、LDDについては、煩雑になるため図示を省略している。   At both ends of the channel 155, there are a drain region 168 and a source region 169 doped with high-concentration impurities for electrical connection with an upper wiring layer. An LDD (Lightly Doped Drain) doped with a low concentration of impurity may be formed between the channel 155, the drain region 168, and the source region 169. The illustration of the LDD is omitted for the sake of simplicity.

シリコン層の上に、ゲート絶縁膜156が形成されている。チャネル部155の上に、ゲート絶縁膜156を介して、ゲート電極157が形成されている。電極171の上に、ゲート絶縁膜156を介して、電極172が形成されている。ゲート電極157と電極172とは、同一層に形成されており、例えば、一つの画素回路において、ゲート電極157と電極172とは連続している。   A gate insulating film 156 is formed on the silicon layer. On the channel portion 155, a gate electrode 157 is formed via a gate insulating film 156. An electrode 172 is formed over the electrode 171 with a gate insulating film 156 therebetween. The gate electrode 157 and the electrode 172 are formed in the same layer. For example, in one pixel circuit, the gate electrode 157 and the electrode 172 are continuous.

ゲート電極157と電極172とを含む金属層は、さらに、例えば、走査線106、エミッション制御線を含む。金属層として、例えばMo、W、Nb、MoW、MoNb、Al、Nd、Ti、Cu、Cu合金、Al合金、Ag、Ag合金からなる群より選択される一つの物質で単一層を形成する、又は、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるMo、Cu、AlまたはAgから選択された1又は複数材料の2層構造またはそれ以上の多重構造を形成してもよい。   The metal layer including the gate electrode 157 and the electrode 172 further includes, for example, the scanning line 106 and the emission control line. As the metal layer, for example, a single layer is formed of one substance selected from the group consisting of Mo, W, Nb, MoW, MoNb, Al, Nd, Ti, Cu, Cu alloy, Al alloy, Ag, and Ag alloy. Alternatively, a two-layer structure or a multi-layer structure of one or a plurality of materials selected from Mo, Cu, Al, or Ag, which is a low-resistance substance, to reduce wiring resistance may be formed.

層間絶縁膜158上にソース電極159、ドレイン電極160、接続部173が形成されている。ソース電極159、ドレイン電極160、接続部173は、例えば、高融点金属又はその合金で形成される。ソース電極159、ドレイン電極160は、層間絶縁膜158およびゲート絶縁膜156に形成されたコンタクトホール170、175を介してシリコン層のソース・ドレイン領域168、169に接続されている。   A source electrode 159, a drain electrode 160, and a connection portion 173 are formed on the interlayer insulating film 158. The source electrode 159, the drain electrode 160, and the connection portion 173 are formed of, for example, a high melting point metal or an alloy thereof. The source electrode 159 and the drain electrode 160 are connected to the source / drain regions 168 and 169 of the silicon layer via contact holes 170 and 175 formed in the interlayer insulating film 158 and the gate insulating film 156.

接続部173は、電極171と電源線108とを接続する。接続部173は、層間絶縁膜158のコンタクトホール176を介して電極171に接続されている。ソース電極159、ドレイン電極160、接続部173を含む金属層には、さらに、例えば、データ線105や電源線108等が形成されている。当該金属層は、Ti/Al/Ti等の導電膜を堆積し、パターニングを行って形成される。   The connection part 173 connects the electrode 171 and the power supply line 108. The connection portion 173 is connected to the electrode 171 via the contact hole 176 of the interlayer insulating film 158. In the metal layer including the source electrode 159, the drain electrode 160, and the connection portion 173, for example, a data line 105, a power supply line 108, and the like are further formed. The metal layer is formed by depositing a conductive film such as Ti / Al / Ti and performing patterning.

ソース電極159、ドレイン電極160、接続部173の上に、絶縁性の平坦化膜161が形成される。絶縁性の平坦化膜161の上に、アノード電極162が形成されている。アノード電極162は、平坦化膜161のコンタクトホール181を介してドレイン電極160に接続されている。画素回路のTFTは、アノード電極162の下側に形成されている。   An insulating planarization film 161 is formed on the source electrode 159, the drain electrode 160, and the connection portion 173. An anode electrode 162 is formed on the insulating flattening film 161. The anode electrode 162 is connected to the drain electrode 160 via the contact hole 181 of the flattening film 161. The TFT of the pixel circuit is formed below the anode electrode 162.

アノード電極162は、例えば、ITO、IZO、ZnO、In等の透明膜、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等の金属又はこれらの金属を含む合金の反射膜、前記した透明膜の3層を含む。 The anode electrode 162 includes, for example, a transparent film such as ITO, IZO, ZnO, and In 2 O 3 , a metal such as Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, and Cr, or a metal thereof. It includes three layers of a reflective film of an alloy and the above-mentioned transparent film.

アノード電極162の上に、OLED素子を分離する絶縁性の画素定義層(Pixel Defining Layer:PDL)163が形成されている。OLED素子は、画素定義層163の開口167に形成されている。アノード電極162の上に、有機発光膜165が形成されている。有機発光膜165は、画素定義層163の開口167及びその周囲において、画素定義層163に付着している。有機発光膜165は、例えば、下層側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層によって構成される。有機発光膜165の積層構造は設計により決められる。   On the anode electrode 162, an insulating pixel defining layer (PDL) 163 for separating the OLED elements is formed. The OLED element is formed in the opening 167 of the pixel definition layer 163. An organic light emitting film 165 is formed on the anode electrode 162. The organic light emitting film 165 is attached to the pixel definition layer 163 in the opening 167 of the pixel definition layer 163 and in the periphery thereof. The organic light emitting film 165 includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer from the lower layer side. The laminated structure of the organic light emitting film 165 is determined by design.

有機発光膜165の上にカソード電極166が形成されている。カソード電極166は、光透過性を有する電極である。カソード電極166は、有機発光膜165からの可視光の一部を透過させる。アノード電極162、有機発光膜165及びカソード電極166の積層膜が、OLED素子を構成する。なお、カソード電極166の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。   A cathode electrode 166 is formed on the organic light emitting film 165. The cathode electrode 166 is a light-transmissive electrode. The cathode electrode 166 transmits a part of the visible light from the organic light emitting film 165. A stacked film of the anode electrode 162, the organic light emitting film 165, and the cathode electrode 166 constitutes an OLED element. Note that a cap layer (not shown) may be formed on the cathode electrode 166.

カソード電極166は、例えば、Al、Mg等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成されている。カソード電極166の抵抗が高く発光輝度の均一性が損なわれる場合には、さらに、ITO、IZO、ZnOまたはInなどの透明電極形成用の材料で補助電極層が追加されてもよい。 The cathode electrode 166 is formed of, for example, a metal such as Al or Mg or an alloy containing these metals. When the resistance of the cathode electrode 166 is high and the uniformity of emission luminance is impaired, an auxiliary electrode layer may be further added with a material for forming a transparent electrode such as ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 .

[画素回路レイアウト]
以下において、OLED素子とOLED素子それぞれを駆動する画素回路のレイアウトのいくつかの例を説明する。まず、図4A、4B及び4Cを参照して、比較例を説明する。図4Aは、比較例のOLED素子のレイアウトを示す平面図である。図4Bは、比較例の画素回路のレイアウトを示す平面図である。図4Cは図4AのOLED素子及び図4Bの画素回路を重ねた平面図である。
[Pixel circuit layout]
Hereinafter, some examples of the layout of the OLED elements and the pixel circuits that drive the OLED elements will be described. First, a comparative example will be described with reference to FIGS. 4A, 4B, and 4C. FIG. 4A is a plan view illustrating a layout of an OLED element of a comparative example. FIG. 4B is a plan view illustrating a layout of the pixel circuit of the comparative example. FIG. 4C is a plan view in which the OLED element of FIG. 4A and the pixel circuit of FIG. 4B are overlapped.

図4Aは、X軸(第2軸)に沿って配列された六つのOLED素子を示す。X軸は図4Aにおける左右方向に延びている。図4Aは、OLED素子のアノード電極及び発光領域を示す。図4Aにおける左から右に向かって、赤、緑、青の順で周期的にOLED素子が配列されている。具体的には、左から右に、OLED素子E1R1、OLED素子E1G1、OLED素子E1B1、OLED素子E1R2、OLED素子E1G2、OLED素子E1B2が配列されている。   FIG. 4A shows six OLED elements arranged along the X axis (second axis). The X-axis extends in the left-right direction in FIG. 4A. FIG. 4A shows an anode electrode and a light emitting region of the OLED element. OLED elements are periodically arranged in order of red, green, and blue from left to right in FIG. 4A. Specifically, OLED elements E1R1, OLED elements E1G1, OLED elements E1B1, OLED elements E1R2, OLED elements E1G2, and OLED elements E1B2 are arranged from left to right.

符号のR、G、Bはそれぞれ、赤、緑、青を示す。隣接する赤、緑及び青のOLED素子(の発光領域)により一つの主画素を構成する。他の行においても、OLED素子は同様に配列されている。つまり、X軸に垂直なY軸(第1軸)に沿って、同一色のOLED素子(副画素)が配列されている。このような画素配置は、マトリックス配置とも呼ばれる。行方向はX軸に沿った方向であり、列方向はY軸に沿った方向である。   Symbols R, G, and B indicate red, green, and blue, respectively. One main pixel is constituted by (the light emitting region of) the adjacent red, green and blue OLED elements. In other rows, the OLED elements are similarly arranged. That is, OLED elements (sub-pixels) of the same color are arranged along the Y axis (first axis) perpendicular to the X axis. Such a pixel arrangement is also called a matrix arrangement. The row direction is a direction along the X axis, and the column direction is a direction along the Y axis.

OLED素子E1R1は、アノード電極162R1及び発光領域185R1を含む。OLED素子E1G1は、アノード電極162G1及び発光領域185G1を含む。OLED素子E1B1は、アノード電極162B1及び発光領域185B1を含む。OLED素子E1R2は、アノード電極162R2及び発光領域185R2を含む。OLED素子E1G2は、アノード電極162G2及び発光領域185G2を含む。OLED素子E1B2は、アノード電極162B2及び発光領域185B2を含む。   The OLED element E1R1 includes an anode electrode 162R1 and a light emitting region 185R1. The OLED element E1G1 includes an anode electrode 162G1 and a light emitting region 185G1. The OLED element E1B1 includes an anode electrode 162B1 and a light emitting region 185B1. The OLED element E1R2 includes an anode electrode 162R2 and a light emitting region 185R2. The OLED element E1G2 includes an anode electrode 162G2 and a light emitting region 185G2. The OLED element E1B2 includes an anode electrode 162B2 and a light emitting region 185B2.

図4Aの例において、アノード電極及び発光領域の形状は同一であり、矩形である。なお、アノード電極及び発光領域の形状は設計に依存する。各OLED素子において、発光領域は、平面視において、アノード電極の領域に包含されている。   In the example of FIG. 4A, the shapes of the anode electrode and the light emitting region are the same and are rectangular. The shapes of the anode electrode and the light emitting region depend on the design. In each OLED element, the light emitting region is included in the region of the anode electrode in plan view.

図3を参照して説明したように、アノード電極は、コンタクトホールを介して駆動トランジスタに接続されている。図4Aにおいて、アノード電極162R1、162G1、162B1、162R2、162G2及び162B2は、それぞれ、コンタクトホール181R1、181G1、181B1、181R2、181G2及び181B2を介して駆動トランジスタに接続される。   As described with reference to FIG. 3, the anode electrode is connected to the drive transistor via the contact hole. In FIG. 4A, the anode electrodes 162R1, 162G1, 162B1, 162R2, 162G2 and 162B2 are connected to the drive transistors via contact holes 181R1, 181G1, 181B1, 181R2, 181G2 and 181B2, respectively.

図4Bは、X軸に沿って配列された六つの画素回路を示す。画素回路は、それぞれ、図4Aに示すOLED素子E1R1、E1G1、E1B1、E1R2、E1G2、E1B2を駆動制御するためのものである。図4Bは、画素回路の一部の構成のみを示す。   FIG. 4B shows six pixel circuits arranged along the X-axis. The pixel circuits are for driving and controlling the OLED elements E1R1, E1G1, E1B1, E1R2, E1G2, and E1B2 shown in FIG. 4A, respectively. FIG. 4B shows only a part of the configuration of the pixel circuit.

図4Bにおける左から右に向かって(X軸に沿って)、データ線105R1、電源線108A、データ線105G1、データ線105B1、電源線108B、データ線105R2、データ線105G2、電源線108C、データ線105B2が配列されている。データ線及び電源線は、図4Bにおける上下方向に(Y軸に沿って)延びている。   From left to right in FIG. 4B (along the X axis), the data line 105R1, the power line 108A, the data line 105G1, the data line 105B1, the power line 108B, the data line 105R2, the data line 105G2, the power line 108C, and the data Lines 105B2 are arranged. The data line and the power supply line extend in the vertical direction in FIG. 4B (along the Y axis).

図4Bにおいて、OLED素子E1R1の画素回路は、Y軸に沿って延びるデータ線105R1と電源線108Aとの間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1R1、選択トランジスタT2R1、保持容量C1R1を含む。駆動トランジスタT1R1のチャネルは、ゲート電極下において破線で示されている。   In FIG. 4B, the pixel circuit of the OLED element E1R1 is arranged between the data line 105R1 extending along the Y axis and the power supply line 108A. The pixel circuit includes a driving transistor T1R1, a selection transistor T2R1, and a storage capacitor C1R1. The channel of the driving transistor T1R1 is indicated by a broken line below the gate electrode.

駆動トランジスタT1R1及び保持容量C1R1は、コンタクトホール175Aを介して、電源線108Aに接続されている。駆動トランジスタT1R1のチャネルは、コンタクトホール170R1を介してドレイン電極160R1に接続されている。ドレイン電極160R1は、コンタクトホール181R1を介して、アノード電極162R1(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1R1は、データ線105R1からの信号により制御され、電源線108AからOLED素子E1R1への電流を制御する。   The drive transistor T1R1 and the storage capacitor C1R1 are connected to the power line 108A via the contact hole 175A. The channel of the driving transistor T1R1 is connected to the drain electrode 160R1 via the contact hole 170R1. Drain electrode 160R1 is connected to anode electrode 162R1 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181R1. The driving transistor T1R1 is controlled by a signal from the data line 105R1, and controls a current from the power supply line 108A to the OLED element E1R1.

OLED素子E1G1の画素回路は、Y軸に沿って延びる電源線108Aとデータ線105G1との間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1G1、選択トランジスタT2G1、保持容量C1G1を含む。   The pixel circuit of the OLED element E1G1 is disposed between the power supply line 108A extending along the Y axis and the data line 105G1. The pixel circuit includes a driving transistor T1G1, a selection transistor T2G1, and a storage capacitor C1G1.

駆動トランジスタT1G1及び保持容量C1G1は、コンタクトホール175Aを介して、電源線108Aに接続されている。駆動トランジスタT1G1のチャネルは、コンタクトホール170G1を介してドレイン電極160G1に接続されている。ドレイン電極160G1は、コンタクトホール181G1を介して、アノード電極162G1(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1G1は、データ線105G1からの信号により制御され、電源線108AからOLED素子E1G1への電流を制御する。   The drive transistor T1G1 and the storage capacitor C1G1 are connected to the power supply line 108A via the contact hole 175A. The channel of the driving transistor T1G1 is connected to the drain electrode 160G1 via the contact hole 170G1. Drain electrode 160G1 is connected to anode electrode 162G1 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181G1. The driving transistor T1G1 is controlled by a signal from the data line 105G1, and controls a current from the power supply line 108A to the OLED element E1G1.

OLED素子E1B1の画素回路は、Y軸に沿って延びるデータ線105B1と電源線108Bとの間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1B1、選択トランジスタT2B1、保持容量C1B1を含む。   The pixel circuit of the OLED element E1B1 is arranged between the data line 105B1 extending along the Y axis and the power supply line 108B. The pixel circuit includes a driving transistor T1B1, a selection transistor T2B1, and a storage capacitor C1B1.

駆動トランジスタT1B1及び保持容量C1B1は、コンタクトホール175Bを介して、電源線108Bに接続されている。駆動トランジスタT1B1のチャネルは、コンタクトホール170B1を介してドレイン電極160B1に接続されている。ドレイン電極160B1は、コンタクトホール181B1を介して、アノード電極162B1(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1B1は、データ線105B1からの信号により制御され、電源線108BからOLED素子E1B1への電流を制御する。   The driving transistor T1B1 and the storage capacitor C1B1 are connected to the power line 108B via the contact hole 175B. The channel of the driving transistor T1B1 is connected to the drain electrode 160B1 via the contact hole 170B1. Drain electrode 160B1 is connected to anode electrode 162B1 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181B1. The driving transistor T1B1 is controlled by a signal from the data line 105B1, and controls a current from the power supply line 108B to the OLED element E1B1.

OLED素子E1R2の画素回路は、Y軸に沿って延びる電源線108Bとデータ線105R2との間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1R2、選択トランジスタT2R2、保持容量C1R2を含む。   The pixel circuit of the OLED element E1R2 is arranged between the power supply line 108B extending along the Y axis and the data line 105R2. The pixel circuit includes a driving transistor T1R2, a selection transistor T2R2, and a storage capacitor C1R2.

駆動トランジスタT1R2及び保持容量C1R2は、コンタクトホール175Bを介して、電源線108Bに接続されている。駆動トランジスタT1R2のチャネルは、コンタクトホール170R2を介してドレイン電極160R2に接続されている。ドレイン電極160R2は、コンタクトホール181R2を介して、アノード電極162R2(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1R2は、データ線105R2からの信号により制御され、電源線108BからOLED素子E1R2への電流を制御する。   The drive transistor T1R2 and the storage capacitor C1R2 are connected to the power supply line 108B via the contact hole 175B. The channel of the driving transistor T1R2 is connected to the drain electrode 160R2 via the contact hole 170R2. Drain electrode 160R2 is connected to anode electrode 162R2 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181R2. The drive transistor T1R2 is controlled by a signal from the data line 105R2, and controls a current from the power supply line 108B to the OLED element E1R2.

OLED素子E1G2の画素回路は、Y軸に沿って延びるデータ線105G2と電源線108Cとの間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1G2、選択トランジスタT2G2、保持容量C1G2を含む。   The pixel circuit of the OLED element E1G2 is arranged between the data line 105G2 extending along the Y axis and the power supply line 108C. The pixel circuit includes a driving transistor T1G2, a selection transistor T2G2, and a storage capacitor C1G2.

駆動トランジスタT1G2及び保持容量C1G2は、コンタクトホール175Cを介して、電源線108Cに接続されている。駆動トランジスタT1G2のチャネルは、コンタクトホール170G2を介してドレイン電極160G2に接続されている。ドレイン電極160G2は、コンタクトホール181G2を介して、アノード電極162G2(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1G2は、データ線105G2からの信号により制御され、電源線108CからOLED素子E1G2への電流を制御する。   The drive transistor T1G2 and the storage capacitor C1G2 are connected to a power supply line 108C via a contact hole 175C. The channel of the driving transistor T1G2 is connected to the drain electrode 160G2 via the contact hole 170G2. Drain electrode 160G2 is connected to anode electrode 162G2 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181G2. The driving transistor T1G2 is controlled by a signal from the data line 105G2, and controls a current from the power supply line 108C to the OLED element E1G2.

OLED素子E1B2の画素回路は、Y軸に沿って延びる電源線108Cとデータ線105B2との間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1B2、選択トランジスタT2B2、保持容量C1B2を含む。   The pixel circuit of the OLED element E1B2 is disposed between the power supply line 108C extending along the Y axis and the data line 105B2. The pixel circuit includes a driving transistor T1B2, a selection transistor T2B2, and a storage capacitor C1B2.

駆動トランジスタT1B2及び保持容量C1B2は、コンタクトホール175Cを介して、電源線108Cに接続されている。駆動トランジスタT1B2のチャネルは、コンタクトホール170B2を介してドレイン電極160B2に接続されている。ドレイン電極160B2は、コンタクトホール181B2を介して、アノード電極162B2(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1B2は、データ線105B2からの信号により制御され、電源線108CからOLED素子E1B2への電流を制御する。   The drive transistor T1B2 and the storage capacitor C1B2 are connected to a power supply line 108C via a contact hole 175C. The channel of the driving transistor T1B2 is connected to the drain electrode 160B2 via the contact hole 170B2. Drain electrode 160B2 is connected to anode electrode 162B2 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181B2. The driving transistor T1B2 is controlled by a signal from the data line 105B2, and controls a current from the power supply line 108C to the OLED element E1B2.

図4Cは、X軸に沿って配列された六つのOLED素子及びそれらを駆動制御する画素回路を示す。アノード電極162R1、162G1、162B1、162R2、162G2、162B2は、それぞれ、コンタクトホール181R1、181G1、181B1、181R2、181G2、181B2を介して、駆動トランジスタT1R1、T1G1、T1B1、T1R2、T1G2、T1B2に接続されている。   FIG. 4C shows six OLED elements arranged along the X-axis and a pixel circuit for driving and controlling them. The anode electrodes 162R1, 162G1, 162B1, 162R2, 162G2, 162B2 are connected to the driving transistors T1R1, T1G1, T1B1, T1B2, T1G2, T1B1, T1B1, T1G1, 181B2 via contact holes 181R1, 181G1, 181B1, 181R2, 181G2, 181B2, respectively. ing.

図4Cのレイアウト例において、電源線の左右の画素回路は、当該電源線を共有し、当該電源線について線対称のパターンを有している。二つの画素回路が一つの電源線を共有していることで、配線スペースを削減し、回路集積度を上げることができる。二つの画素回路が電源線を共有することで、駆動トランジスタと電源線とは以下のような位置関係を有している。   In the layout example of FIG. 4C, the pixel circuits on the left and right of the power supply line share the power supply line, and have a line-symmetric pattern with respect to the power supply line. Since two pixel circuits share one power supply line, the wiring space can be reduced and the degree of circuit integration can be increased. Since the two pixel circuits share the power supply line, the driving transistor and the power supply line have the following positional relationship.

駆動トランジスタT1R1は、接続されている電源線108Aの左側に配置されている。一方、駆動トランジスタT1R2は、接続されている電源線108Bの右側に配置されている。駆動トランジスタT1G1は、接続されている電源線108Aの右側に配置されている。一方、駆動トランジスタT1G2は、接続されている電源線108Bの左側に配置されている。駆動トランジスタT1B1は、接続されている電源線108Bの左側に配置されている。一方、駆動トランジスタT1B2は、接続されている電源線108Cの右側に配置されている。   The driving transistor T1R1 is arranged on the left side of the connected power supply line 108A. On the other hand, the driving transistor T1R2 is arranged on the right side of the connected power supply line 108B. The driving transistor T1G1 is arranged on the right side of the connected power line 108A. On the other hand, the driving transistor T1G2 is arranged on the left side of the connected power supply line 108B. The drive transistor T1B1 is arranged on the left side of the connected power supply line 108B. On the other hand, the driving transistor T1B2 is arranged on the right side of the connected power supply line 108C.

TFT基板100の製造において、フォトマスクのアライメントずれが起きることがある。X軸に沿って、つまり、図4Cにおける右方向又は左方向においてアライメントずれが発生すると、駆動トランジスタのゲート電極は、当該駆動トランジスタが接続されている電源線の近づく又は遠ざかる。これにより、駆動トランジスタのゲート電極と電源線との間の寄生容量が変化する。駆動トランジスタのゲート電極が電源線に近づけば寄生容量が増加し、遠ざかれば寄生容量は減少する。   In the manufacture of the TFT substrate 100, misalignment of the photomask may occur. When an alignment shift occurs along the X axis, that is, in the rightward or leftward direction in FIG. 4C, the gate electrode of the drive transistor approaches or moves away from the power supply line to which the drive transistor is connected. As a result, the parasitic capacitance between the gate electrode of the driving transistor and the power supply line changes. The parasitic capacitance increases when the gate electrode of the driving transistor approaches the power supply line, and decreases when the gate electrode moves away from the power supply line.

奇数列の画素回路と偶数列の画素回路とは、アライメントずれに対して、電源線に対して反対方向にずれる。例えば、駆動トランジスタのゲート電極のアライメントが、図4Cにおける左側にずれたと仮定する。電源線108A、108B、108Cそれぞれの左側のある駆動トランジスタT1R1、T1B1、T1G2の寄生容量は減少する。一方、電源線108A、108B、108Cそれぞれの右側のある駆動トランジスタT1G1、T1R2、T1B2の寄生容量は増加する。   The pixel circuits in the odd-numbered columns and the pixel circuits in the even-numbered columns are shifted in opposite directions with respect to the power supply line due to misalignment. For example, assume that the alignment of the gate electrode of the driving transistor is shifted to the left in FIG. 4C. The parasitic capacitance of the driving transistors T1R1, T1B1, and T1G2 on the left side of each of the power lines 108A, 108B, and 108C decreases. On the other hand, the parasitic capacitance of the driving transistors T1G1, T1R2, and T1B2 on the right side of each of the power supply lines 108A, 108B, and 108C increases.

駆動トランジスタの異なる寄生容量は、同一のゲート信号に対して異なる駆動電流を与える。図4Cの例において、赤の駆動トランジスタT1R1及びT1R2は、アライメントずれに対して反対方向にずれる。緑の駆動トランジスタT1G1及びT1G2並びに青の駆動トランジスタT1B1及びT1B2も、アライメントずれに対して反対方向にずれる。   Different parasitic capacitances of the drive transistors give different drive currents for the same gate signal. In the example of FIG. 4C, the red drive transistors T1R1 and T1R2 are offset in the opposite direction for misalignment. The green driving transistors T1G1 and T1G2 and the blue driving transistors T1B1 and T1B2 are also shifted in the opposite direction to the misalignment.

そのため、同一データ信号に対して、隣接する同一色の副画素の一方は、輝度を増加させ、他方は輝度を減少させる。このため、例えば、表示領域125全域が単色で同一階調を表示すると、明るい副画素列と暗い副画素列が交互の配列された筋むらが視認され得る。   Therefore, for the same data signal, one of the adjacent sub-pixels of the same color increases the luminance and the other decreases the luminance. Therefore, for example, when the entire display area 125 is displayed in a single color and has the same gradation, stripe unevenness in which bright subpixel columns and dark subpixel columns are alternately arranged can be visually recognized.

以下において、本開示の画素回路及びOLED素子のレイアウトを説明する。本開示のレイアウトにより、アライメントずれによる表示品質の低下を抑制することができる。図5A、5B及び5Cを参照して、本開示のレイアウト例を説明する。図5Aは、本開示のOLED素子のレイアウト例を示す平面図である。図5Bは、本開示の画素回路のレイアウト例を示す平面図である。図5Cは図5AのOLED素子及び図5Bの画素回路を重ねた平面図である。   Hereinafter, the layout of the pixel circuit and the OLED element of the present disclosure will be described. According to the layout of the present disclosure, it is possible to suppress a decrease in display quality due to misalignment. With reference to FIGS. 5A, 5B, and 5C, a layout example of the present disclosure will be described. FIG. 5A is a plan view illustrating a layout example of the OLED element of the present disclosure. FIG. 5B is a plan view illustrating a layout example of the pixel circuit of the present disclosure. FIG. 5C is a plan view in which the OLED element of FIG. 5A and the pixel circuit of FIG. 5B are overlapped.

図5Aは、X軸に沿って一列に配列された六つのOLED素子を示す。図5Aは、OLED素子のアノード電極及び発光領域を示す。図5Aにおける左から右に向かって、赤、緑、青の順で周期的にOLED素子が配列されている。具体的には、左から右に、OLED素子E1R1、OLED素子E1G1、OLED素子E1B1、OLED素子E1R2、OLED素子E1G2、OLED素子E1B2が配列されている。赤、緑、青のOLED素子が循環的に配列される。赤、緑、青の順序はこれと異なっていてもよい。   FIG. 5A shows six OLED elements arranged in a line along the X-axis. FIG. 5A shows an anode electrode and a light emitting region of the OLED element. OLED elements are periodically arranged in order of red, green, and blue from left to right in FIG. 5A. Specifically, OLED elements E1R1, OLED elements E1G1, OLED elements E1B1, OLED elements E1R2, OLED elements E1G2, and OLED elements E1B2 are arranged from left to right. Red, green, and blue OLED elements are cyclically arranged. The order of red, green and blue may be different.

隣接する赤、緑及び青のOLED素子(の発光領域)により一つの主画素を構成する。他の行においても、OLED素子は同様に配列されている。つまり、Y軸に沿って、同一色のOLED素子(副画素)が配列されている。   One main pixel is constituted by (the light emitting region of) the adjacent red, green and blue OLED elements. In other rows, the OLED elements are similarly arranged. That is, OLED elements (sub-pixels) of the same color are arranged along the Y axis.

OLED素子E1R1は、アノード電極162R1及び発光領域185R1を含む。OLED素子E1G1は、アノード電極162G1及び発光領域185G1を含む。OLED素子E1B1は、アノード電極162B1及び発光領域185B1を含む。OLED素子E1R2は、アノード電極162R2及び発光領域185R2を含む。OLED素子E1G2は、アノード電極162G2及び発光領域185G2を含む。OLED素子E1B2は、アノード電極162B2及び発光領域185B2を含む。   The OLED element E1R1 includes an anode electrode 162R1 and a light emitting region 185R1. The OLED element E1G1 includes an anode electrode 162G1 and a light emitting region 185G1. The OLED element E1B1 includes an anode electrode 162B1 and a light emitting area 185B1. The OLED element E1R2 includes an anode electrode 162R2 and a light emitting region 185R2. The OLED element E1G2 includes an anode electrode 162G2 and a light emitting region 185G2. The OLED element E1B2 includes an anode electrode 162B2 and a light emitting region 185B2.

各OLED素子において、発光領域は、平面視において、アノード電極の領域に包含されている。図5Aにおいて、赤及び緑の発光領域は同一の矩形を有し、青の発光領域は、赤及び緑の発光領域よりもやや大きい矩形を有している。全ての色の発光領域が同一形状を有していいてもよく、全ての色の発光領域が異なる形状を有していていもよい。図5Aにおいて、発光領域は矩形を有するが、その形状は設計に依存する。   In each OLED element, the light emitting region is included in the region of the anode electrode in plan view. In FIG. 5A, the red and green light emitting regions have the same rectangle, and the blue light emitting region has a rectangle that is slightly larger than the red and green light emitting regions. The light emitting regions of all colors may have the same shape, or the light emitting regions of all colors may have different shapes. In FIG. 5A, the light emitting region has a rectangular shape, but the shape depends on the design.

アノード電極162R1、162G1、162B1、162R2、162G2及び162B2は、それぞれ、コンタクトホール181R1、181G1、181B1、181R2、181G2及び181B2を介して駆動トランジスタに接続される。   The anode electrodes 162R1, 162G1, 162B1, 162R2, 162G2 and 162B2 are connected to the drive transistors via contact holes 181R1, 181G1, 181B1, 181R2, 181G2 and 181B2, respectively.

図5Aの例において、アノード電極162R1、162G1は同一の矩形を有する。アノード電極162B1、162B2は、同一の矩形を有し、アノード電極162R1、162G1よりやや大きい。アノード電極162R2は、アノード電極162R1と異なる形状を有している。   In the example of FIG. 5A, the anode electrodes 162R1 and 162G1 have the same rectangle. The anode electrodes 162B1 and 162B2 have the same rectangle and are slightly larger than the anode electrodes 162R1 and 162G1. The anode electrode 162R2 has a different shape from the anode electrode 162R1.

具体的には、アノード電極162R2は、Y軸に沿った第1端(図5Aにおける下端)に、X軸に沿った一方(図5Aにおける右側)に延びるアーム部621R2(第1アーム部)を有する。アノード電極162R2のコンタクトホール181R2は、平面視においてアーム部621R2の先端と重なる位置にある。   Specifically, the anode electrode 162R2 has an arm 621R2 (first arm) extending to one side (the right side in FIG. 5A) along the X axis at a first end (the lower end in FIG. 5A) along the Y axis. Have. The contact hole 181R2 of the anode electrode 162R2 is located at a position overlapping the tip of the arm 621R2 in plan view.

アノード電極162G2は、Y軸に沿った第2端(図5Aにおける上端)に、X軸に沿った他方(図5Aにおける左側)に延びるアーム部621G2(第2アーム部)を有する。アノード電極162G2のコンタクトホール181G2は、平面視においてアーム部621G2の先端と重なる位置にある。   The anode electrode 162G2 has, at a second end (upper end in FIG. 5A) along the Y-axis, an arm 621G2 (second arm) extending to the other side (left side in FIG. 5A) along the X-axis. The contact hole 181G2 of the anode electrode 162G2 is located at a position overlapping the tip of the arm portion 621G2 in plan view.

アノード電極162R2及び162G2は隣接しており、それぞれ、Y軸に沿って異なる端においてアーム部621R2及び621G2を有している。アーム部621R2及び621G2は、互いにX軸に沿って逆方向に延びている。後述するように、アノード電極162R2はアノード電極162G2と平面視において重なる画素回路と接続され、アノード電極162G2はアノード電極162R2と平面視において重なる画素回路と接続される。   The anode electrodes 162R2 and 162G2 are adjacent and have arm portions 621R2 and 621G2 at different ends along the Y axis, respectively. The arm portions 621R2 and 621G2 extend in opposite directions along the X axis. As described later, the anode electrode 162R2 is connected to a pixel circuit overlapping the anode electrode 162G2 in plan view, and the anode electrode 162G2 is connected to a pixel circuit overlapping the anode electrode 162R2 in plan view.

図5Bは、X軸に沿って配列された六つの画素回路を示す。画素回路は、それぞれ、図5Aに示すOLED素子E1R1、E1G1、E1B1、E1G2、E1R2、E1B2を駆動制御するためのものである。図5Bは、画素回路の一部の構成のみを示す。   FIG. 5B shows six pixel circuits arranged along the X-axis. The pixel circuits are for driving and controlling the OLED elements E1R1, E1G1, E1B1, E1G2, E1R2, and E1B2 shown in FIG. 5A, respectively. FIG. 5B shows only a part of the configuration of the pixel circuit.

図5Bにおける左から右に向かって、データ線105R1、電源線108A、データ線105G1、データ線105B1、電源線108B、データ線105G2、データ線105R2、電源線108C、データ線105B2が配列されている。データ線及び電源線は、Y軸に沿って延びている。電源線108A、108B、108Cは電源線ユニットを構成する。   From left to right in FIG. 5B, the data line 105R1, the power line 108A, the data line 105G1, the data line 105B1, the power line 108B, the data line 105G2, the data line 105R2, the power line 108C, and the data line 105B2 are arranged. . The data line and the power line extend along the Y axis. The power lines 108A, 108B, 108C constitute a power line unit.

図5Bにおいて、OLED素子E1R1の画素回路は、Y軸に沿って延びるデータ線105R1と電源線108Aとの間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1R1、選択トランジスタT2R1、保持容量C1R1を含む。選択トランジスタT2R1、保持容量C1R1、駆動トランジスタT1R1の順で、図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)配置されている。   In FIG. 5B, the pixel circuit of the OLED element E1R1 is arranged between the data line 105R1 extending along the Y axis and the power supply line 108A. The pixel circuit includes a driving transistor T1R1, a selection transistor T2R1, and a storage capacitor C1R1. The selection transistor T2R1, the storage capacitor C1R1, and the drive transistor T1R1 are arranged in this order from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

駆動トランジスタT1R1のチャネルは、ゲート電極下において破線で示されている。駆動トランジスタT1R1及び保持容量C1R1は、コンタクトホール175Aを介して、電源線108Aに接続されている。駆動トランジスタT1R1のチャネルは、コンタクトホール170R1を介してドレイン電極160R1に接続されている。ドレイン電極160R1は、コンタクトホール181R1を介して、アノード電極162R1(図5Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1R1は、データ線105R1からの信号により制御され、電源線108AからOLED素子E1R1への電流を制御する。   The channel of the driving transistor T1R1 is indicated by a broken line below the gate electrode. The drive transistor T1R1 and the storage capacitor C1R1 are connected to the power line 108A via the contact hole 175A. The channel of the driving transistor T1R1 is connected to the drain electrode 160R1 via the contact hole 170R1. Drain electrode 160R1 is connected to anode electrode 162R1 (not shown in FIG. 5B) via contact hole 181R1. The driving transistor T1R1 is controlled by a signal from the data line 105R1, and controls a current from the power supply line 108A to the OLED element E1R1.

OLED素子E1G1の画素回路は、Y軸に沿って延びる電源線108Aとデータ線105G1との間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1G1、選択トランジスタT2G1、保持容量C1G1を含む。選択トランジスタT2G1、保持容量C1G1、駆動トランジスタT1G1の順で、図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)配置されている。   The pixel circuit of the OLED element E1G1 is disposed between the power supply line 108A extending along the Y axis and the data line 105G1. The pixel circuit includes a driving transistor T1G1, a selection transistor T2G1, and a storage capacitor C1G1. The selection transistor T2G1, the storage capacitor C1G1, and the drive transistor T1G1 are arranged in this order from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

駆動トランジスタT1G1及び保持容量C1G1は、コンタクトホール175Aを介して、電源線108Aに接続されている。駆動トランジスタT1G1のチャネルは、コンタクトホール170G1を介してドレイン電極160G1に接続されている。ドレイン電極160G1は、コンタクトホール181G1を介して、アノード電極162G1(図5Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1G1は、データ線105G1からの信号により制御され、電源線108AからOLED素子E1G1への電流を制御する。   The drive transistor T1G1 and the storage capacitor C1G1 are connected to the power supply line 108A via the contact hole 175A. The channel of the driving transistor T1G1 is connected to the drain electrode 160G1 via the contact hole 170G1. Drain electrode 160G1 is connected to anode electrode 162G1 (not shown in FIG. 5B) via contact hole 181G1. The driving transistor T1G1 is controlled by a signal from the data line 105G1, and controls a current from the power supply line 108A to the OLED element E1G1.

OLED素子E1B1の画素回路は、Y軸に沿って延びるデータ線105B1と電源線108Bとの間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1B1、選択トランジスタT2B1、保持容量C1B1を含む。選択トランジスタT2B1、保持容量C1B1、駆動トランジスタT1B1の順で、図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)配置されている。   The pixel circuit of the OLED element E1B1 is arranged between the data line 105B1 extending along the Y axis and the power supply line 108B. The pixel circuit includes a driving transistor T1B1, a selection transistor T2B1, and a storage capacitor C1B1. The selection transistor T2B1, the storage capacitor C1B1, and the drive transistor T1B1 are arranged in this order from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

駆動トランジスタT1B1及び保持容量C1B1は、コンタクトホール175Bを介して、電源線108Bに接続されている。駆動トランジスタT1B1のチャネルは、コンタクトホール170B1を介してドレイン電極160B1に接続されている。ドレイン電極160B1は、コンタクトホール181B1を介して、アノード電極162B1(図5Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1B1は、データ線105B1からの信号により制御され、電源線108BからOLED素子E1B1への電流を制御する。   The driving transistor T1B1 and the storage capacitor C1B1 are connected to the power line 108B via the contact hole 175B. The channel of the driving transistor T1B1 is connected to the drain electrode 160B1 via the contact hole 170B1. Drain electrode 160B1 is connected to anode electrode 162B1 (not shown in FIG. 5B) via contact hole 181B1. The driving transistor T1B1 is controlled by a signal from the data line 105B1, and controls a current from the power supply line 108B to the OLED element E1B1.

OLED素子E1G2の画素回路は、Y軸に沿って延びる電源線108Bとデータ線105G2との間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1G2、選択トランジスタT2G2、保持容量C1G2を含む。選択トランジスタT2G2、保持容量C1G2、駆動トランジスタT1G2の順で、図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)配置されている。   The pixel circuit of the OLED element E1G2 is arranged between the power supply line 108B extending along the Y axis and the data line 105G2. The pixel circuit includes a driving transistor T1G2, a selection transistor T2G2, and a storage capacitor C1G2. The selection transistor T2G2, the storage capacitor C1G2, and the drive transistor T1G2 are arranged in this order from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

駆動トランジスタT1G2及び保持容量C1G2は、コンタクトホール175Bを介して、電源線108Bに接続されている。駆動トランジスタT1G2のチャネルは、コンタクトホール170G2を介してドレイン電極160G2に接続されている。アノード配線601G2は、ドレイン電極160G2から図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)延びている。   The drive transistor T1G2 and the storage capacitor C1G2 are connected to the power supply line 108B via the contact hole 175B. The channel of the driving transistor T1G2 is connected to the drain electrode 160G2 via the contact hole 170G2. The anode wiring 601G2 extends from the drain electrode 160G2 in a direction from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

配線601G2はドレイン電極160G2に連続しており同一の金属層に存在する。配線601G2は、ドレイン電極160G2と反対の端において、コンタクトホール181G2を介して、アノード電極162G2(図5Bにおいて不図示)に接続される。   The wiring 601G2 is continuous with the drain electrode 160G2 and exists in the same metal layer. The wiring 601G2 is connected to an anode electrode 162G2 (not shown in FIG. 5B) via a contact hole 181G2 at an end opposite to the drain electrode 160G2.

コンタクトホール181G2は、選択トランジスタT2G2と電源線108Bとの間にある。保持容量C1G2は、コンタクトホール181G2と駆動トランジスタT1G2との間にある。アノード電極162G2と駆動トランジスタT1G2は、データ線105G2からの信号により制御され、電源線108BからOLED素子E1G2への電流を制御する。   The contact hole 181G2 is between the select transistor T2G2 and the power supply line 108B. The storage capacitor C1G2 is between the contact hole 181G2 and the driving transistor T1G2. The anode electrode 162G2 and the driving transistor T1G2 are controlled by a signal from the data line 105G2, and control a current from the power supply line 108B to the OLED element E1G2.

OLED素子E1R2の画素回路は、Y軸に沿って延びるデータ線105R2と電源線108Cとの間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1R2、選択トランジスタT2R2、保持容量C1R2を含む。選択トランジスタT2R2、保持容量C1R2、駆動トランジスタT1R2の順で、図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)配置されている。   The pixel circuit of the OLED element E1R2 is arranged between the data line 105R2 extending along the Y axis and the power supply line 108C. The pixel circuit includes a driving transistor T1R2, a selection transistor T2R2, and a storage capacitor C1R2. The selection transistor T2R2, the storage capacitor C1R2, and the drive transistor T1R2 are arranged in this order from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

駆動トランジスタT1R2及び保持容量C1R2は、コンタクトホール175Cを介して、電源線108Cに接続されている。駆動トランジスタT1R2のチャネルは、コンタクトホール170R2を介してドレイン電極160R2に接続されている。ドレイン電極160R2は、コンタクトホール181R2を介して、アノード電極162R2(図5Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1R2は、データ線105R2からの信号により制御され、電源線108CからOLED素子E1R2への電流を制御する。   The drive transistor T1R2 and the storage capacitor C1R2 are connected to a power supply line 108C via a contact hole 175C. The channel of the driving transistor T1R2 is connected to the drain electrode 160R2 via the contact hole 170R2. Drain electrode 160R2 is connected to anode electrode 162R2 (not shown in FIG. 5B) via contact hole 181R2. The driving transistor T1R2 is controlled by a signal from the data line 105R2, and controls a current from the power supply line 108C to the OLED element E1R2.

OLED素子E1B2の画素回路は、Y軸に沿って延びる電源線108Cとデータ線105B2との間に配置されている。画素回路は、駆動トランジスタT1B2、選択トランジスタT2B2、保持容量C1B2を含む。選択トランジスタT2B2、保持容量C1B2、駆動トランジスタT1B2の順で、図5Bにおける上から下への方向に(Y軸に沿って)配置されている。   The pixel circuit of the OLED element E1B2 is arranged between the power supply line 108C extending along the Y axis and the data line 105B2. The pixel circuit includes a driving transistor T1B2, a selection transistor T2B2, and a storage capacitor C1B2. The selection transistor T2B2, the storage capacitor C1B2, and the drive transistor T1B2 are arranged in this order from top to bottom in FIG. 5B (along the Y axis).

駆動トランジスタT1B2及び保持容量C1B2は、コンタクトホール175Cを介して、電源線108Cに接続されている。駆動トランジスタT1B2のチャネルは、コンタクトホール170B2を介してドレイン電極160B2に接続されている。ドレイン電極160B2は、コンタクトホール181B2を介して、アノード電極162B2(図4Bにおいて不図示)に接続される。駆動トランジスタT1B2は、データ線105B2からの信号により制御され、電源線108CからOLED素子E1B2への電流を制御する。   The drive transistor T1B2 and the storage capacitor C1B2 are connected to a power supply line 108C via a contact hole 175C. The channel of the driving transistor T1B2 is connected to the drain electrode 160B2 via the contact hole 170B2. Drain electrode 160B2 is connected to anode electrode 162B2 (not shown in FIG. 4B) via contact hole 181B2. The driving transistor T1B2 is controlled by a signal from the data line 105B2, and controls a current from the power supply line 108C to the OLED element E1B2.

図5Cは、X軸に沿って配列された六つのOLED素子及びそれらを駆動制御する画素回路を示す。アノード電極162R2のアーム部621R2は、電源線108Cに向かって延びている。アノード電極162G2のアーム部621G2は、電源線108Bに向かって延びている。   FIG. 5C shows six OLED elements arranged along the X-axis and a pixel circuit for driving and controlling them. The arm portion 621R2 of the anode electrode 162R2 extends toward the power supply line 108C. The arm portion 621G2 of the anode electrode 162G2 extends toward the power supply line 108B.

アノード電極162R1、162G1、162B1、162R2、162G2、162B2は、それぞれ、コンタクトホール181R1、181G1、181B1、181R2、181G2、181B2を介して、駆動トランジスタT1R1、T1G1、T1B1、T1R2、T1G2、T1B2に接続されている。   The anode electrodes 162R1, 162G1, 162B1, 162R2, 162G2, 162B2 are connected to the driving transistors T1R1, T1G1, T1B1, T1B2, T1G2, T1B1, T1B1, T1G1, 181B2 via contact holes 181R1, 181G1, 181B1, 181R2, 181G2, 181B2, respectively. ing.

図5Cのレイアウト例において、電源線の左右の画素回路は、当該電源線を共有する。電源線の左右の駆動トランジスタは、当該電源線について線対称のパターンを有している。OLED素子E1G2の画素回路のアノード電極162G2のアノード配線601G2及びコンタクトホール181G2を除き、電源線の左右の画素回路のペアは、それぞれ、当該電源線について線対称のパターンを有している。   In the layout example of FIG. 5C, the pixel circuits on the left and right of the power supply line share the power supply line. The drive transistors on the left and right of the power supply line have a line-symmetric pattern with respect to the power supply line. Except for the anode wiring 601G2 and the contact hole 181G2 of the anode electrode 162G2 of the pixel circuit of the OLED element E1G2, each pair of the left and right pixel circuits of the power supply line has a line-symmetric pattern with respect to the power supply line.

図5Cに示すように、OLED素子E1R2及びE1G2の順序と、OLED素子E1R2の画素回路及びOLED素子E1G2の画素回路の順序が、X軸に沿って逆である。OLED素子E1R2は、OLED素子E1G2のための画素回路と平面視において重なっており、OLED素子E1G2は、OLED素子E1R2のための画素回路と平面視において重なっている。   As shown in FIG. 5C, the order of the OLED elements E1R2 and E1G2 and the order of the pixel circuit of the OLED element E1R2 and the pixel circuit of the OLED element E1G2 are reversed along the X axis. The OLED element E1R2 overlaps the pixel circuit for the OLED element E1G2 in plan view, and the OLED element E1G2 overlaps the pixel circuit for the OLED element E1R2 in plan view.

アーム部621R2及び621G2、並びに、アノード配線601G2により、アノード電極162R2、162G2及び駆動トランジスタT1R2、T1G2を、他の要素のレイアウトへの影響を小さくしつつ、適切に接続することができる。   By the arm portions 621R2 and 621G2 and the anode wiring 601G2, the anode electrodes 162R2 and 162G2 and the driving transistors T1R2 and T1G2 can be appropriately connected while minimizing the influence on the layout of other elements.

二つの画素回路が一つの電源線を共有していることで、配線スペースを削減し、回路集積度を上げることができる。図5Cのレイアウトにおいて、駆動トランジスタと電源線とは以下のような位置関係を有している。   Since two pixel circuits share one power supply line, the wiring space can be reduced and the degree of circuit integration can be increased. In the layout of FIG. 5C, the driving transistor and the power supply line have the following positional relationship.

駆動トランジスタT1R1及びT1R2は、それぞれ、接続されている電源線108A及び108Cの左側(X軸に沿った一方の側)に配置されている。駆動トランジスタT1G1及びT1G2は、それぞれ、接続されている電源線108A及び108Bの右側(X軸に沿った他方の側)に配置されている。このように、赤のOLED素子の駆動トランジスタT1R1及びT1R2は、接続される電源線の左側に配置されている。また、緑のOLED素子の駆動トランジスタT1G1及びT1G2は、接続される電源線の左側に配置されている。   The driving transistors T1R1 and T1R2 are disposed on the left side (one side along the X axis) of the connected power lines 108A and 108C, respectively. The drive transistors T1G1 and T1G2 are arranged on the right side (the other side along the X axis) of the connected power lines 108A and 108B, respectively. As described above, the driving transistors T1R1 and T1R2 of the red OLED element are arranged on the left side of the connected power supply line. The driving transistors T1G1 and T1G2 of the green OLED element are arranged on the left side of the connected power supply line.

このため、X軸に沿って、つまり、図5Cにおける右方向又は左方向においてアライメントずれが発生しても、赤の駆動トランジスタT1R1及びT1R2のゲート電極の双方は、駆動トランジスタが接続されている電源線に対して同一方向にずれる、つまり、電源線に近づく又は遠ざかる。したがって、アライメントずれによる駆動トランジスタの特性変化に起因する赤の副画素の輝度の変化を避けることができる。   For this reason, even if the misalignment occurs along the X axis, that is, in the rightward or leftward direction in FIG. 5C, both of the gate electrodes of the red driving transistors T1R1 and T1R2 are connected to the power supply to which the driving transistor is connected. Deviate in the same direction with respect to the line, that is, approaching or moving away from the power line. Therefore, it is possible to avoid a change in the luminance of the red sub-pixel due to a change in the characteristics of the drive transistor due to the misalignment.

同様に、図5Cにおける右方向又は左方向においてアライメントずれが発生しても、緑の駆動トランジスタT1G1及びT1G2のゲート電極の双方は、駆動トランジスタが接続されている電源線に対して同一方向にずれる、つまり、電源線に近づく又は遠ざかる。したがって、アライメントずれによる駆動トランジスタの特性変化に起因する緑の副画素の輝度の変化を避けることができる。   Similarly, even if the misalignment occurs in the right or left direction in FIG. 5C, both the gate electrodes of the green driving transistors T1G1 and T1G2 are shifted in the same direction with respect to the power supply line to which the driving transistor is connected. That is, approaching or moving away from the power supply line. Therefore, it is possible to avoid a change in the luminance of the green sub-pixel due to a change in the characteristics of the drive transistor due to the misalignment.

一方、青の駆動トランジスタT1B1は、接続されている電源線108Bの左側に配置されており、青の駆動トランジスタT1B2は、接続されている電源線108Cの右側に配置されている。したがって、アライメントずれによる駆動トランジスタの特性変化に起因する青の副画素の輝度変化が発生し得る。しかし、比視感度は、緑が最も大きく、青が最も小さい。そのため、人は、青の輝度変化よりも、緑の輝度変化、赤の輝度変化をより敏感に知覚する。本例のレイアウトによれば、赤の副画素と緑の副画素の輝度変化を避けることで、表示品質の低下を抑制することができる。   On the other hand, the blue driving transistor T1B1 is disposed on the left side of the connected power supply line 108B, and the blue driving transistor T1B2 is disposed on the right side of the connected power supply line 108C. Therefore, a change in the luminance of the blue sub-pixel due to a change in the characteristics of the drive transistor due to the misalignment may occur. However, relative luminous efficiency is largest in green and smallest in blue. Therefore, a person perceives a green luminance change and a red luminance change more sensitively than a blue luminance change. According to the layout of this example, it is possible to suppress a change in display quality by avoiding a change in luminance between the red sub-pixel and the green sub-pixel.

上述のように、比視感度が高い赤及び緑の副画素の駆動トランジスタペアを、それぞれ、接続される電源線に対して同一の側に配置することが好ましい。しかし、赤及び青、又は、緑及び青の副画素の駆動トランジスタペアを、それぞれ、接続される電源線に対して同一の側に配置してもよい。いずれのレイアウトも、図4A〜4Cを参照して説明した比較例に対して、アライメントずれによる表示品質の低下を抑えることができる。副画素の色の組は、赤、緑、及び青からなる組と異なっていてもよい。   As described above, it is preferable that the driving transistor pairs of the red and green sub-pixels having high relative luminous efficiency are respectively arranged on the same side with respect to the connected power supply line. However, the driving transistor pairs of the red and blue or green and blue sub-pixels may be arranged on the same side with respect to the connected power supply line. In each layout, it is possible to suppress a decrease in display quality due to misalignment as compared with the comparative example described with reference to FIGS. The set of subpixel colors may be different from the set consisting of red, green, and blue.

また、本例のレイアウトによれば、二つの画素回路が一つの電源線を共有しているので、画素回路のレイアウト面積を増やすことなく電源線の幅を太くすることができる。幅を太くすれば電気的抵抗が低下するのでIRドロップの発生を抑制できる。その結果、IRドロップによる画質劣化を抑制できる。特に、画面中央付近の画素回路は、電源からの距離が遠くなるので、IRドロップの発生が抑制できれば、画面中央付近で発生しやすい、IRドロップによる画質劣化を抑制できる。また、本実施の形態で説明した電源線は、一定電圧及び/又は一定電流を供給する配線であればよい。例えば、OLED素子の発光に使用する電流を供給する電源線だけでなく、基準電圧供給線でもよい。   Further, according to the layout of this example, since two pixel circuits share one power supply line, the width of the power supply line can be increased without increasing the layout area of the pixel circuit. Increasing the width reduces the electrical resistance, so that the occurrence of IR drop can be suppressed. As a result, image quality degradation due to IR drop can be suppressed. In particular, since the pixel circuits near the center of the screen are far from the power supply, if the occurrence of IR drop can be suppressed, the image quality deterioration due to the IR drop, which tends to occur near the center of the screen, can be suppressed. Further, the power supply line described in this embodiment may be a wiring for supplying a constant voltage and / or a constant current. For example, a reference voltage supply line may be used instead of a power supply line that supplies a current used for light emission of the OLED element.

図6A及び6Bを参照して、本開示の画素回路及びOLED素子のレイアウトの他の例を説明する。図6Aは、本例のOLED素子のレイアウトを示す平面図である。図6Bは、本例のOLED素子及びそれらを駆動制御する画素回路のレイアウトを示す平面図である。   With reference to FIGS. 6A and 6B, another example of the layout of the pixel circuit and the OLED element of the present disclosure will be described. FIG. 6A is a plan view showing a layout of the OLED element of this example. FIG. 6B is a plan view showing a layout of the OLED elements of the present example and a pixel circuit for driving and controlling them.

図6Aは、六つのOLED素子を示す。図6Aは、OLED素子のアノード電極及び発光領域を示す。OLED素子E1R1及びOLED素子E1G1は、Y軸に沿って隣接している。OLED素子E1R1及びOLED素子E1G1は、図6Aにおける上から下に配列されている。OLED素子E1B1は、OLED素子E1R1及びOLED素子E1G1にX軸に沿って隣接している。図6Aの例において、OLED素子E1B1は、OLED素子E1R1及びOLED素子E1G1の右側に配置されている。   FIG. 6A shows six OLED elements. FIG. 6A shows an anode electrode and a light emitting region of the OLED element. The OLED element E1R1 and the OLED element E1G1 are adjacent along the Y axis. The OLED elements E1R1 and E1G1 are arranged from top to bottom in FIG. 6A. The OLED element E1B1 is adjacent to the OLED elements E1R1 and E1G1 along the X axis. In the example of FIG. 6A, the OLED element E1B1 is arranged on the right side of the OLED elements E1R1 and E1G1.

OLED素子E1R2及びOLED素子E1G2は、OLED素子E1B1にX軸に沿って隣接している。OLED素子E1R2及びOLED素子E1G2は、OLED素子E1B1の右側に配置されている。OLED素子E1R2及びOLED素子E1G2は、Y軸に沿って隣接している。   The OLED element E1R2 and the OLED element E1G2 are adjacent to the OLED element E1B1 along the X axis. The OLED element E1R2 and the OLED element E1G2 are arranged on the right side of the OLED element E1B1. The OLED element E1R2 and the OLED element E1G2 are adjacent along the Y axis.

OLED素子E1R2及びOLED素子E1G2は、図6Aにおける上から下に配列されている。OLED素子E1B2は、OLED素子E1R2及びOLED素子E1G2にX軸に沿って隣接している。OLED素子E1B2は、OLED素子E1R2及びOLED素子E1G2の右側に配置されている。   The OLED elements E1R2 and E1G2 are arranged from top to bottom in FIG. 6A. The OLED element E1B2 is adjacent to the OLED elements E1R2 and E1G2 along the X axis. The OLED element E1B2 is disposed on the right side of the OLED elements E1R2 and E1G2.

隣接する赤、緑及び青のOLED素子(の発光領域)により一つの主画素を構成する。図6Aは、主画素行における二つの主画素に対応するOLED素子を示す。他の行においても、OLED素子は同様に配列されている。つまり、Y軸に沿って、青のOLED素子(副画素)が連続して配列されており、赤と緑のOLED素子(副画素)が交互に配列されている。   One main pixel is constituted by (the light emitting region of) the adjacent red, green and blue OLED elements. FIG. 6A shows OLED elements corresponding to two main pixels in a main pixel row. In other rows, the OLED elements are similarly arranged. That is, blue OLED elements (sub-pixels) are continuously arranged along the Y axis, and red and green OLED elements (sub-pixels) are alternately arranged.

OLED素子E1R1は、アノード電極162R1及び発光領域185R1を含む。OLED素子E1G1は、アノード電極162G1及び発光領域185G1を含む。OLED素子E1B1は、アノード電極162B1及び発光領域185B1を含む。OLED素子E1R2は、アノード電極162R2及び発光領域185R2を含む。OLED素子E1G2は、アノード電極162G2及び発光領域185G2を含む。OLED素子E1R2は、アノード電極162B2及び発光領域185B2を含む。   The OLED element E1R1 includes an anode electrode 162R1 and a light emitting region 185R1. The OLED element E1G1 includes an anode electrode 162G1 and a light emitting region 185G1. The OLED element E1B1 includes an anode electrode 162B1 and a light emitting area 185B1. The OLED element E1R2 includes an anode electrode 162R2 and a light emitting region 185R2. The OLED element E1G2 includes an anode electrode 162G2 and a light emitting region 185G2. The OLED element E1R2 includes an anode electrode 162B2 and a light emitting region 185B2.

各OLED素子において、発光領域は、平面視において、アノード電極の領域に包含されている。図6Aにおいて、赤及び緑の発光領域は同一の形状を有し、青の発光領域は、赤及び緑の発光領域よりも大きい形状を有している。各色の発光領域の形状は設計による。   In each OLED element, the light emitting region is included in the region of the anode electrode in plan view. In FIG. 6A, the red and green light emitting regions have the same shape, and the blue light emitting region has a larger shape than the red and green light emitting regions. The shape of the light emitting region of each color depends on the design.

アノード電極162R1、162G1、162B1、162R2、162G2及び162B2は、それぞれ、コンタクトホール181R1、181G1、181B1、181R2、181G2及び181B2を介して駆動トランジスタに接続される。図6Aの例において、アノード電極162R1、162R2、161G1、161G2は同一の矩形を有する。アノード電極161B1、161B2は、同一の矩形を有し、アノード電極162R1、162R2、161G1、161G2より大きい。   The anode electrodes 162R1, 162G1, 162B1, 162R2, 162G2 and 162B2 are connected to the drive transistors via contact holes 181R1, 181G1, 181B1, 181R2, 181G2 and 181B2, respectively. In the example of FIG. 6A, the anode electrodes 162R1, 162R2, 161G1, and 161G2 have the same rectangle. The anode electrodes 161B1, 161B2 have the same rectangle and are larger than the anode electrodes 162R1, 162R2, 161G1, 161G2.

図6Aの例において、アノード電極162R1、162R2、162B1、162B2の上端は、Y軸において同一の位置にある。アノード電極162B1、162B2の下端は、Y軸において、アノード電極162G1、162G2の上下端の間に位置している。   In the example of FIG. 6A, the upper ends of the anode electrodes 162R1, 162R2, 162B1, and 162B2 are located at the same position on the Y axis. The lower ends of the anode electrodes 162B1 and 162B2 are located between the upper and lower ends of the anode electrodes 162G1 and 162G2 on the Y axis.

図6Bは、本開示の画素回路及びOLED素子のレイアウトの他の例を示す。以下においては、OLED素子、駆動トランジスタ及び電源線の位置関係を主に説明する。図6Bは、画素回路それぞれにおいて、選択トランジスタ、保持容量、駆動トランジスタを示す。選択トランジスタ及び保持容量の構成は、図5A〜5Cを参照して説明した構成と略同様であり、詳細な説明を省略する。   FIG. 6B shows another example of the layout of the pixel circuit and the OLED element of the present disclosure. Hereinafter, the positional relationship between the OLED element, the driving transistor, and the power supply line will be mainly described. FIG. 6B shows a selection transistor, a storage capacitor, and a driving transistor in each pixel circuit. The configurations of the selection transistor and the storage capacitor are substantially the same as the configurations described with reference to FIGS. 5A to 5C, and a detailed description thereof will be omitted.

図6Bは、X軸に沿って配列された六つの画素回路を示す。画素回路は、左から、図6Aに示すOLED素子E1R1、E1G1、E1B1、E1G2、E1R2、E1B2を駆動制御するためのものである。図6Bは、画素回路の一部の構成のみを示す。OLED素子E1R1、E1G1の画素回路の間に、電源線108AがY軸に沿って延びている。OLED素子E1B1、E1G2の画素回路の間に、電源線108BがY軸に沿って延びている。OLED素子E1R2、E1B2の画素回路の間に、電源線108CがY軸に沿って延びている。   FIG. 6B shows six pixel circuits arranged along the X-axis. The pixel circuit is for driving and controlling the OLED elements E1R1, E1G1, E1B1, E1G2, E1R2, and E1B2 shown in FIG. 6A from the left. FIG. 6B illustrates only a part of the configuration of the pixel circuit. A power supply line 108A extends along the Y axis between the pixel circuits of the OLED elements E1R1 and E1G1. A power supply line 108B extends along the Y axis between the pixel circuits of the OLED elements E1B1 and E1G2. A power supply line 108C extends along the Y axis between the pixel circuits of the OLED elements E1R2 and E1B2.

アノード電極162R1、162G1、162B1、162R2、162G2、162B2は、それぞれ、コンタクトホール181R1、181G1、181B1、181R2、181G2、181B2を介して、駆動トランジスタT1R1、T1G1、T1B1、T1R2、T1G2、T1B2に接続されている。   The anode electrodes 162R1, 162G1, 162B1, 162R2, 162G2, 162B2 are connected to the driving transistors T1R1, T1G1, T1B1, T1B2, T1G2, T1B1, T1B1, T1G1, 181B2 via contact holes 181R1, 181G1, 181B1, 181R2, 181G2, 181B2, respectively. ing.

各アノード電極は、平面視において、一つの電源線の両側の画素回路と部分的に重なっている。具体的には、アノード電極162R1は、平面視において電源線108A及びその両側の画素回路と部分的に重なっている。電源線108Aの左側の画素回路はOLED素子E1R1の画素回路であり、右側の画素回路はOLED素子E1G1の画素回路である。アノード電極162R1は、左側の画素回路に接続されている。アノード電極162G1は、平面視において電源線108A及びその両側の画素回路と部分的に重なっている。アノード電極162G1は、右側の画素回路に接続されている。   Each anode electrode partially overlaps pixel circuits on both sides of one power supply line in plan view. Specifically, the anode electrode 162R1 partially overlaps the power supply line 108A and the pixel circuits on both sides thereof in plan view. The pixel circuit on the left side of the power supply line 108A is a pixel circuit of the OLED element E1R1, and the pixel circuit on the right side is a pixel circuit of the OLED element E1G1. The anode electrode 162R1 is connected to the left pixel circuit. The anode electrode 162G1 partially overlaps the power supply line 108A and the pixel circuits on both sides thereof in plan view. The anode electrode 162G1 is connected to the right pixel circuit.

アノード電極162B1は、平面視において電源線108B及びその両側の画素回路と部分的に重なっている。電源線108Bの左側の画素回路はOLED素子E1B1の画素回路であり、右側の画素回路はOLED素子E1G2の画素回路である。アノード電極162B1は、左側の画素回路に接続されている。   The anode electrode 162B1 partially overlaps the power supply line 108B and the pixel circuits on both sides thereof in plan view. The pixel circuit on the left side of the power supply line 108B is a pixel circuit of the OLED element E1B1, and the pixel circuit on the right side is a pixel circuit of the OLED element E1G2. The anode electrode 162B1 is connected to the left pixel circuit.

アノード電極162R2は、平面視において、電源線108B及び108Cの間の画素回路の双方と部分的に重なっている。左側の画素回路は、OLED素子E1G2の画素回路であり、右側の画素回路はOLED素子E1R2の画素回路である。アノード電極162R2は、右側の画素回路に接続されている。アノード電極162G2は、平面視において、電源線108B及び108Cの間の画素回路の双方と部分的に重なっている。アノード電極162G2は、左側の画素回路に接続されている。   The anode electrode 162R2 partially overlaps with both of the pixel circuits between the power supply lines 108B and 108C in a plan view. The pixel circuit on the left is a pixel circuit of the OLED element E1G2, and the pixel circuit on the right is a pixel circuit of the OLED element E1R2. The anode electrode 162R2 is connected to the right pixel circuit. The anode electrode 162G2 partially overlaps with both of the pixel circuits between the power supply lines 108B and 108C in plan view. The anode electrode 162G2 is connected to the left pixel circuit.

アノード電極162B2は、平面視において、電源線108C及びその右側の電源線(不図示)との間の二つの画素回路の双方に部分的に重なっている。アノード電極162B2は、左側の画素回路に接続されている。   The anode electrode 162B2 partially overlaps both pixel circuits between the power supply line 108C and a power supply line (not shown) on the right side thereof in plan view. The anode electrode 162B2 is connected to the left pixel circuit.

次に、コンタクトホールの配置について説明する。コンタクトホール181R1は、OLED素子E1R1の発光領域185R1の外側に位置する。コンタクトホール181R1の少なくとも一部は、OLED素子E1R1の発光領域185R1の辺の一部(左下隅)に接する。また、コンタクトホール181G1は、OLED素子E1G1の発光領域185G1の外側に位置する。コンタクトホール181G1の少なくとも一部は、OLED素子E1G1の発光領域185G1の辺の一部(右上)に接している。   Next, the arrangement of the contact holes will be described. The contact hole 181R1 is located outside the light emitting region 185R1 of the OLED element E1R1. At least a part of the contact hole 181R1 is in contact with a part (lower left corner) of a side of the light emitting region 185R1 of the OLED element E1R1. Further, the contact hole 181G1 is located outside the light emitting region 185G1 of the OLED element E1G1. At least a part of the contact hole 181G1 is in contact with a part (upper right) of a side of the light emitting region 185G1 of the OLED element E1G1.

ところで、コンタクホールを発光領域に配置した場合、このコンタクトホールに沿って発光層等の有機層とカソード電極とに窪みが形成される。すると、絶縁層として機能する有機層の膜厚が局所的に薄くなりやすくなる。その結果、アノード電極とカソード電極とが電気的にショートしやすくなり、画素の点欠陥が発生する可能性が高くなる。しかし、本実施の形態では、赤、緑のOLED素子用のコンタクホールを非発光領域に配置しているので、画素の点欠陥を防止することができる。   By the way, when the contact hole is arranged in the light emitting region, a depression is formed between the organic layer such as the light emitting layer and the cathode electrode along the contact hole. Then, the thickness of the organic layer functioning as an insulating layer tends to be locally reduced. As a result, the anode electrode and the cathode electrode are likely to be electrically short-circuited, and the possibility of occurrence of point defects in the pixel is increased. However, in the present embodiment, since the contact holes for the red and green OLED elements are arranged in the non-light-emitting region, it is possible to prevent pixel point defects.

図6A及び6Bに示すレイアウトは、図5A〜5Cを参照して説明したレイアウトと比較して、同一色の発光領域(有機発光膜)の距離を大きくすることができる。このため、メタルマスクを使用して製造されるOLED表示装置の主画素の発光領域を広くすることができる。   6A and 6B can increase the distance between the light-emitting regions (organic light-emitting films) of the same color as compared with the layout described with reference to FIGS. 5A to 5C. For this reason, the light emitting region of the main pixel of the OLED display device manufactured using the metal mask can be widened.

図5B及び5Cを参照して説明した例と同様に、二つの画素回路が一つの電源線を共有していることで、配線スペースを削減し、回路集積度を上げることができる。また、赤OLED素子の駆動トランジスタT1R1、T1R2は、それぞれ、電源線108A、108Cの左側に配置されている。   As in the example described with reference to FIGS. 5B and 5C, since two pixel circuits share one power supply line, a wiring space can be reduced and a circuit integration degree can be increased. The driving transistors T1R1 and T1R2 of the red OLED element are arranged on the left side of the power lines 108A and 108C, respectively.

緑OLED素子の駆動トランジスタT1G1、T1G2は、それぞれ、電源線108A、108Bの右側に配置されている。このため、X軸に沿って、つまり、図6Cにおける右方向又は左方向においてアライメントずれが発生しても、赤の副画素及び緑の輝度の変化を避けることができる。   The driving transistors T1G1 and T1G2 of the green OLED element are arranged on the right side of the power supply lines 108A and 108B, respectively. For this reason, even if the misalignment occurs along the X axis, that is, in the rightward or leftward direction in FIG. 6C, it is possible to avoid a change in the luminance of the red subpixel and the luminance of the green.

一方、アライメントずれによる駆動トランジスタの特性変化に起因する青の副画素の輝度変化が発生し得る。しかし、比視感度は、緑が最も大きく、青が最も小さい。赤の副画素と緑の副画素の輝度変化を避けることで、表示品質の低下を抑制することができる。なお、赤及び青、又は、緑及び青の副画素の駆動トランジスタペアを、それぞれ、接続される電源線に対して同一の側に配置してもよい。いずれのレイアウトも、図4A〜4Cを参照して説明した比較例に対して、アライメントずれによる表示品質の低下を抑えることができる。   On the other hand, a change in the luminance of the blue sub-pixel due to a change in the characteristics of the drive transistor due to the misalignment may occur. However, relative luminous efficiency is largest in green and smallest in blue. By avoiding a change in luminance between the red sub-pixel and the green sub-pixel, a reduction in display quality can be suppressed. The drive transistor pairs of the red and blue or green and blue sub-pixels may be arranged on the same side with respect to the connected power supply line. In each layout, it is possible to suppress a decrease in display quality due to misalignment as compared with the comparative example described with reference to FIGS.

次に、図6A及び6Bで説明した画素回路及びOLED素子のレイアウトにおけるコンタクトホールの位置について、図6A、図6B、更に、図6Cを参照して詳細に説明する。図6Cは、X軸及びY軸における、複数のコンタクトホールの位置を示す図である。   Next, the positions of the contact holes in the layout of the pixel circuits and the OLED elements described with reference to FIGS. 6A and 6B will be described in detail with reference to FIGS. 6A, 6B, and 6C. FIG. 6C is a diagram illustrating positions of a plurality of contact holes on the X axis and the Y axis.

最初に、Y軸における、コンタクトホールの位置関係について、図6Cを参照して説明する。図6Cにおいて、符号Yr、Yb、Ygで示される一点鎖線は、それぞれ、X軸に平行な線であり、Y軸における座標を模式的に示す。座標Yrは、赤のコンタクホールである第1コンタクトホール181R1、第4コンタクトホール181R2のY座標である。Y軸における、第1コンタクトホール181R1、第4コンタクトホール181R2の位置は同じである。   First, the positional relationship between the contact holes on the Y axis will be described with reference to FIG. 6C. In FIG. 6C, dashed lines indicated by reference characters Yr, Yb, and Yg are lines parallel to the X axis, and schematically show coordinates on the Y axis. The coordinate Yr is the Y coordinate of the first contact hole 181R1 and the fourth contact hole 181R2, which are red contact holes. The positions of the first contact hole 181R1 and the fourth contact hole 181R2 on the Y axis are the same.

座標Ygは、緑のコンタクホールである第2コンタクトホール181G1、第5コンタクトホール181G2のY座標である。Y軸における、第2コンタクトホール181G1の位置と第5コンタクトホール181G2の位置は同じである。   The coordinate Yg is the Y coordinate of the second contact hole 181G1 and the fifth contact hole 181G2, which are green contact holes. The position of the second contact hole 181G1 and the position of the fifth contact hole 181G2 on the Y axis are the same.

座標Ybは、青のコンタクホールである第3コンタクトホール181B1、第6コンタクトホール181B2のY座標である。Y軸における、第3コンタクトホール181B1の位置と第6コンタクトホール181B2の位置とが同じである。   The coordinate Yb is the Y coordinate of the third contact hole 181B1 and the sixth contact hole 181B2, which are blue contact holes. The position of the third contact hole 181B1 and the position of the sixth contact hole 181B2 on the Y axis are the same.

Y軸における、第3コンタクトホール181B1と、第1及び第2コンタクトホール(181R1、181G1)の位置とは異なる。第1コンタクトホール181R1の位置は、第3コンタクトホール181B1の位置を基準にして、Y軸における第1方向にずれる。第1方向は、Y軸の矢印方向と逆の方向であり、図面の上方向である。第2コンタクトホール181G1の位置は、第3コンタクトホール181B1の位置を基準にして、Y軸における第1方向とは逆の第2方向にずれる。第2方向は、Y軸の矢印方向であり、図面の下方向である。   The position of the third contact hole 181B1 and the positions of the first and second contact holes (181R1, 181G1) on the Y axis are different. The position of the first contact hole 181R1 is shifted in the first direction on the Y axis with reference to the position of the third contact hole 181B1. The first direction is a direction opposite to the arrow direction of the Y axis, and is an upward direction in the drawing. The position of the second contact hole 181G1 is shifted in the second direction opposite to the first direction on the Y axis with reference to the position of the third contact hole 181B1. The second direction is the direction of the arrow on the Y axis, and is the downward direction in the drawing.

Y軸における、第1コンタクトホール181R1の重心と第3コンタクトホール181B1の重心との距離drbは、Y軸における、第2コンタクトホール181G1の重心と第3コンタクトホール181B1の重心との距離dgbよりも大きい。   The distance drb between the center of gravity of the first contact hole 181R1 and the center of gravity of the third contact hole 181B1 on the Y axis is larger than the distance dgb between the center of gravity of the second contact hole 181G1 and the center of gravity of the third contact hole 181B1 on the Y axis. large.

次に、発光領域とコンタクトホールとの位置関係について、図6A、図6Cを参照して説明する。Y軸における、赤のOLED素子と緑のOLED素子との素子分離長は、赤のOLED素子と緑のOLED素子のコンタクホールの距離よりも大きい。具体的には、図6Aに示すように、OLED素子E1R1の発光領域185R1のX軸に沿う辺とOLED素子E1G1の発光領域185G1のX軸に沿う辺との、Y軸における距離d1は、Y軸における、第1コンタクトホール181R1の重心と第2コンタクトホール181G1の重心との距離(図6Cの距離drb+dgbを参照)よりも大きい。   Next, the positional relationship between the light emitting region and the contact hole will be described with reference to FIGS. 6A and 6C. The element separation length between the red OLED element and the green OLED element on the Y axis is larger than the distance between the contact holes of the red OLED element and the green OLED element. Specifically, as shown in FIG. 6A, the distance d1 in the Y axis between the side along the X axis of the light emitting region 185R1 of the OLED element E1R1 and the side along the X axis of the light emitting region 185G1 of the OLED element E1G1 is Y. The distance between the center of gravity of the first contact hole 181R1 and the center of gravity of the second contact hole 181G1 on the axis (see the distance drb + dgb in FIG. 6C).

なお、OLED素子E1R1の発光領域185R1のX軸に沿う辺とOLED素子E1G1の発光領域185G1のX軸に沿う辺との、Y軸における距離d1は、OLED素子E1R2の発光領域185R2のX軸に沿う辺とOLED素子E1G2の発光領域185G2のX軸に沿う辺との、Y軸における距離d2と等しい。   Note that the distance d1 in the Y axis between the side along the X axis of the light emitting region 185R1 of the OLED element E1R1 and the side along the X axis of the light emitting region 185G1 of the OLED element E1R1 is equal to the X axis of the light emitting region 185R2 of the OLED element E1R2. It is equal to the distance d2 in the Y-axis between the side along and the side along the X-axis of the light emitting region 185G2 of the OLED element E1G2.

次に、X軸における、コンタクトホールの位置関係について、図6Aを参照して説明する。図6Aに示すように、赤及び緑の発光領域が配置された第1列(例えば、奇数列)におけるコンタクトホールのX軸における位置と、赤及び緑の発光領域が配置された第2列(例えば、偶数列)におけるコンタクトホールのX軸における位置とが異なる。   Next, the positional relationship of the contact holes on the X axis will be described with reference to FIG. 6A. As shown in FIG. 6A, the positions of the contact holes on the X-axis in the first column (for example, odd-numbered columns) where the red and green light-emitting regions are arranged, and the second column (where the red and green light-emitting regions are arranged) For example, the position on the X-axis of the contact hole in the even-numbered row) is different.

具体的には、第1コンタクトホール181R1は、発光領域E1R1の重心又は発光領域E1G1の重心を基準にして、X軸に沿う第3方向にずれる。第3方向は、X軸の矢印方向とは逆の方向であり、図面の左側である。第2コンタクトホール181G1は、発光領域E1R1の重心又は発光領域E1G1の重心を基準にして、X軸に沿う第3方向と逆の第4方向にずれる。第4方向は図面の右側である。   Specifically, the first contact hole 181R1 is shifted in the third direction along the X axis with reference to the center of gravity of the light emitting region E1R1 or the center of gravity of the light emitting region E1G1. The third direction is a direction opposite to the arrow direction of the X axis, and is on the left side of the drawing. The second contact hole 181G1 is shifted in a fourth direction opposite to the third direction along the X axis with reference to the center of gravity of the light emitting region E1R1 or the center of gravity of the light emitting region E1G1. The fourth direction is on the right side of the drawing.

第4コンタクトホール181R2は、発光領域E1R2の重心又は発光領域E1G2の重心を基準にして、X軸に沿う第4方向にずれる。第5コンタクトホール181G2は、発光領域E1R2の重心又は発光領域E1G2の重心を基準にして、X軸に沿う第3方向にずれる。   The fourth contact hole 181R2 is shifted in the fourth direction along the X axis with reference to the center of gravity of the light emitting region E1R2 or the center of gravity of the light emitting region E1G2. The fifth contact hole 181G2 is shifted in the third direction along the X axis with reference to the center of gravity of the light emitting region E1R2 or the center of gravity of the light emitting region E1G2.

上記したようにコンタクトホールを配置することにより、下部電極(アノード電極)の形状を変更することなく、露光機等のアライメントずれによる駆動トランジスタ(容量分布の変化に伴う画素回路)の特性変化に起因する赤及び緑の副画素の輝度の変化を避けることができる。アノードの電極の形状を変更する必要がないので、発光領域の形状や位置を調整する必要がなく、レイアウト設計の複雑化を抑制することができる。   By arranging the contact holes as described above, the characteristics of the driving transistor (pixel circuit due to a change in capacitance distribution) due to misalignment of an exposure device or the like can be obtained without changing the shape of the lower electrode (anode electrode) The change in luminance of the red and green sub-pixels can be avoided. Since it is not necessary to change the shape of the anode electrode, it is not necessary to adjust the shape and position of the light emitting region, and it is possible to suppress the layout design from becoming complicated.

OLED素子のレイアウトの例を説明する。図7は図6A及び6Bを参照して説明した構成におけるOLED素子のレイアウトを示す。図8は、OLED素子の他のレイアウトを示す。図6Cに示す画素回路レイアウトは、図7及び図8の双方のOLED素子のレイアウトに適用することができる。   An example of the layout of the OLED element will be described. FIG. 7 shows a layout of the OLED element in the configuration described with reference to FIGS. 6A and 6B. FIG. 8 shows another layout of the OLED element. The pixel circuit layout shown in FIG. 6C can be applied to the layout of the OLED elements in both FIG. 7 and FIG.

図7及び図8を参照して、赤のOLED素子は、アノード電極162R及び発光領域185Rを含む。アノード電極162Rはコンタクトホール181Rを介して駆動トランジスタ(図7及び図8において不図示)に接続される。緑のOLED素子は、アノード電極162G及び発光領域185Gを含む。アノード電極162Gはコンタクトホール181Gを介して駆動トランジスタ(図7及び図8において不図示)に接続される。   Referring to FIGS. 7 and 8, the red OLED element includes an anode electrode 162R and a light emitting region 185R. The anode electrode 162R is connected to a driving transistor (not shown in FIGS. 7 and 8) via a contact hole 181R. The green OLED element includes an anode electrode 162G and a light emitting region 185G. The anode electrode 162G is connected to a driving transistor (not shown in FIGS. 7 and 8) via a contact hole 181G.

青のOLED素子は、アノード電極162B及び発光領域185Bを含む。アノード電極162Bはコンタクトホール181Bを介して駆動トランジスタ(図7及び図8において不図示)に接続される。図7において、赤、緑、青それぞれ一つのOLED素子のみが、例として、符号で指示されている。   The blue OLED element includes an anode electrode 162B and a light emitting region 185B. The anode electrode 162B is connected to a drive transistor (not shown in FIGS. 7 and 8) via a contact hole 181B. In FIG. 7, only one OLED element for each of red, green, and blue is indicated by a code as an example.

図7及び図8は、3行3列の主画素を示す。上下に隣接する赤OLED素子及び緑OLED素子並びにこれらの右側の青OLED素子が一つの主画素に対応する。図7のレイアウトにおいて、各主画素行の青アノード電極162Bの上端位置及び赤アノード電極162Rの上端位置は一致している。各主画素行において、青発光領域185Bの重心は、直線上にある。   7 and 8 show main pixels in three rows and three columns. The red OLED element and the green OLED element vertically adjacent to each other and the blue OLED element on the right side thereof correspond to one main pixel. In the layout of FIG. 7, the upper end position of the blue anode electrode 162B and the upper end position of the red anode electrode 162R of each main pixel row coincide with each other. In each main pixel row, the center of gravity of the blue light emitting region 185B is on a straight line.

図8は、3行3列の主画素を示す。図7のレイアウトと比較して、各主画素行の青発光領域185B(青アノード電極162B)は千鳥上に配列されている。つまり、青発光領域185Bの重心位置が蛇行している。また、奇数行の青発光領域185Bの重心位置と偶数行の青発光領域185Bの重心位置とは、X軸について対称である。これにより、カラーエッジの影響を平均化し、良好な混色を実現することができる。   FIG. 8 shows main pixels in three rows and three columns. Compared with the layout of FIG. 7, the blue light emitting regions 185B (blue anode electrodes 162B) of each main pixel row are arranged in a staggered manner. That is, the center of gravity of the blue light emitting region 185B is meandering. Further, the position of the center of gravity of the blue light emitting region 185B in the odd-numbered row and the center of gravity of the blue light emitting region 185B in the even numbered row are symmetric with respect to the X axis. As a result, the influence of the color edge can be averaged, and good color mixing can be realized.

[データ線とドライバICとの接続]
図9Aは、ドライバIC134aとデータ線105との接続の例を示す。なお、ドライバIC134aは、図1のドライバIC134の一例である。ドライバIC134aは、データ線に出力する制御信号を一時的に格納するメモリ134amを含む。ドライバIC134aは、端子TR1、TG1、TB1、TR2、TG2、TB2を含む。なお、端子は、出力ピンとも呼ばれる。
[Connection between data line and driver IC]
FIG. 9A shows an example of connection between the driver IC 134a and the data line 105. Note that the driver IC 134a is an example of the driver IC 134 in FIG. Driver IC 134a includes a memory 134am for temporarily storing a control signal to be output to the data line. Driver IC 134a includes terminals TR1, TG1, TB1, TR2, TG2, and TB2. Note that the terminal is also called an output pin.

メモリ134am内の符号「R1」、「R2」は、それぞれ、OLED素子E1R1のデータ線、OLED素子E1R2のデータ線105R2に出力する映像データ値(以下、データ値と適宜記す)を模式的に示す。なお、データ値は制御信号とも呼ばれる。端子TR1、端子TR2は、それぞれ、OLED素子E1R1のデータ線、OLED素子E1R2のデータ線105R2に接続される。ドライバIC134aは、メモリ134amに格納されたデータ値R1、R2を、それぞれ、端子TR1、端子TR2に出力する。   Symbols “R1” and “R2” in the memory 134am schematically show video data values (hereinafter, appropriately referred to as data values) output to the data line of the OLED element E1R1 and the data line 105R2 of the OLED element E1R2, respectively. . Note that the data value is also called a control signal. The terminals TR1 and TR2 are connected to the data line of the OLED element E1R1 and the data line 105R2 of the OLED element E1R2, respectively. The driver IC 134a outputs the data values R1 and R2 stored in the memory 134am to the terminals TR1 and TR2, respectively.

メモリ134am内の符号「G1」、「G2」は、それぞれ、OLED素子E1G1のデータ線、OLED素子E1G2のデータ線105G2に出力するデータ値を模式的に示す。端子TG1、端子TG2は、それぞれ、OLED素子E1G1のデータ線、OLED素子E1G2のデータ線105G2に接続される。ドライバIC134aは、メモリ134amに格納されたデータ値G1、G2を、それぞれ、端子TG1、端子TG2に出力する。   Symbols “G1” and “G2” in the memory 134am schematically indicate data values output to the data line of the OLED element E1G1 and the data line 105G2 of the OLED element E1G2, respectively. The terminals TG1 and TG2 are connected to the data line of the OLED element E1G1 and the data line 105G2 of the OLED element E1G2, respectively. The driver IC 134a outputs the data values G1 and G2 stored in the memory 134am to the terminals TG1 and TG2, respectively.

メモリ134am内の符号「B1」、「B2」は、それぞれ、OLED素子E1B1のデータ線、OLED素子E1B2のデータ線に出力するデータ値を模式的に示す。端子TB1、端子TB2は、それぞれ、OLED素子E1B1のデータ線、OLED素子E1B2のデータ線に接続される。ドライバIC134aは、メモリ134amに格納されたデータ値B1、B2を、それぞれ、端子TB1、端子TB2に出力する。   Symbols “B1” and “B2” in the memory 134am schematically indicate data values output to the data line of the OLED element E1B1 and the data line of the OLED element E1B2, respectively. The terminal TB1 and the terminal TB2 are connected to the data line of the OLED element E1B1 and the data line of the OLED element E1B2, respectively. The driver IC 134a outputs the data values B1 and B2 stored in the memory 134am to the terminal TB1 and the terminal TB2, respectively.

図5C及び6Cを参照して説明した画素回路レイアウトにおいて、赤のOLED素子E1R2と緑のOLED素子E1G2の順番と、それらの画素回路の順番が入れ替わっている。図9Aに示す接続例において、ドライバIC134aの端子の配列は、OLED素子E1の配列と一致している。   In the pixel circuit layout described with reference to FIGS. 5C and 6C, the order of the red OLED element E1R2 and the green OLED element E1G2 and the order of those pixel circuits are interchanged. In the connection example shown in FIG. 9A, the arrangement of the terminals of the driver IC 134a matches the arrangement of the OLED elements E1.

赤のOLED素子E1R2のデータ線105R2と緑のOLED素子E1G2のデータ線105G2は、それぞれ、対応する端子TR2、TG2と接続され、OLED素子E1R2及びE1RG2まで延びる途中で交差している。通常、ドライバICは、受信した映像データに含まれる赤の映像データ値、緑の映像データ値、青のデータ値を、図9Aに示したようにこの順でメモリに格納する。   The data line 105R2 of the red OLED element E1R2 and the data line 105G2 of the green OLED element E1G2 are connected to the corresponding terminals TR2 and TG2, respectively, and intersect on the way to the OLED elements E1R2 and E1RG2. Normally, the driver IC stores the red video data value, the green video data value, and the blue data value included in the received video data in the memory in this order as shown in FIG. 9A.

図9Aの例では、データ線105R2とデータ線105G2とは交差している。したがって、赤のOLED素子E1R2と緑のOLED素子E1G2の順番と、それらの画素回路の順番が入れ替わっていても、ドライバIC134aは、各色のデータ値の順序を変更することなく各色のデータ値をメモリ134amに格納することができる。そのため、ドライバIC134aは、画素回路に適切なデータ値を与えることができる。図9Aで説明した構成により、上記実施の形態で説明した表示パネル用に特化したドライバICを開発せずに従来から利用されているドライバICを利用することができる。   In the example of FIG. 9A, the data line 105R2 and the data line 105G2 intersect. Therefore, even if the order of the red OLED element E1R2 and the green OLED element E1G2 and the order of their pixel circuits are interchanged, the driver IC 134a stores the data values of each color without changing the order of the data values of each color. 134am. Therefore, the driver IC 134a can give an appropriate data value to the pixel circuit. With the configuration described with reference to FIG. 9A, a driver IC that has been used conventionally can be used without developing a driver IC specialized for a display panel described in the above embodiment.

図9Aで説明した例と異なり、ドライバICのメモリに格納されるデータ値を並べ替えてもよい。   Unlike the example described with reference to FIG. 9A, the data values stored in the memory of the driver IC may be rearranged.

図9Bは、ドライバICとデータ線との接続の他の例を示す。図9Bは、ドライバIC134bのメモリ134bmに格納されるデータ値の順序を変更した場合の端子及び端子に接続するデータ線を模式的に示している。以下、図9Aとの相違点を説明する。データ線105R2とデータ線105G2とは、OLED素子E1R2及びE1RG2まで延びる途中で交差していない。データ線が交差していないので、端子TG2、端子TR2をこの順で配列している。   FIG. 9B shows another example of the connection between the driver IC and the data line. FIG. 9B schematically illustrates terminals and data lines connected to the terminals when the order of data values stored in the memory 134bm of the driver IC 134b is changed. Hereinafter, differences from FIG. 9A will be described. The data line 105R2 and the data line 105G2 do not intersect on the way to the OLED elements E1R2 and E1RG2. Since the data lines do not intersect, the terminal TG2 and the terminal TR2 are arranged in this order.

上記した交差が無いので、ドライバIC134bは、配線105G2、105R2の配列順序に対応させてデータ値G2、R2をこの順でメモリ134bmに格納する。すなわち、図9Bの例では、図9Aとは異なり、データ値G2、R2の格納順序を変更している。図9Bの例では、データ線を交差させないので、表示装置の製造時において、交差に伴う配線間ショートのリスクを避けて、製造歩留まりを向上することができる。また、交差に伴う設計時の煩雑性を回避し、簡素な設計とすることで、設計工数を減らすことができる。   Since there is no intersection as described above, the driver IC 134b stores the data values G2 and R2 in the memory 134bm in this order in accordance with the arrangement order of the wirings 105G2 and 105R2. That is, in the example of FIG. 9B, unlike FIG. 9A, the storage order of the data values G2 and R2 is changed. In the example of FIG. 9B, since the data lines do not cross each other, the risk of a short circuit between the wirings caused by the crossing can be avoided at the time of manufacturing the display device, and the manufacturing yield can be improved. In addition, by avoiding the complexity at the time of design due to the intersection and by making the design simple, the number of design steps can be reduced.

以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本開示の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。   The embodiment of the present disclosure has been described above, but the present disclosure is not limited to the above embodiment. Those skilled in the art can easily change, add, or convert each element of the above embodiments within the scope of the present disclosure. A part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of one embodiment can be added to the configuration of another embodiment.

10 OLED表示装置、100 TFT基板、105 データ線、106 走査線、107 エミッション制御線、108 電源線、109 リセット制御線、110 基準電圧供給線、114 カソード電極形成領域、125 表示領域、131 走査ドライバ、132 エミッションドライバ、133 保護回路、136 デマルチプレクサ、140、140A−140D、240A、240B、340A−340N 画素、151 絶縁基板、152 第1絶縁膜、155 チャネル、156 ゲート絶縁膜、157 ゲート電極、158 層間絶縁膜、159 ソース電極、160 ドレイン電極、161 平坦化膜、162 アノード電極、163 画素定義層、165 有機発光膜、166 カソード電極、167 開口、168、169 ソース・ドレイン領域、170、175、181 コンタクトホール、200 封止基板、300 接合部、T1 駆動TFT、T2 選択トランジスタ、T3 エミッショントランジスタ、T4 リセットトランジスタ Reference Signs List 10 OLED display device, 100 TFT substrate, 105 data line, 106 scanning line, 107 emission control line, 108 power supply line, 109 reset control line, 110 reference voltage supply line, 114 cathode electrode formation region, 125 display region, 131 scan driver , 132 emission driver, 133 protection circuit, 136 demultiplexer, 140, 140A-140D, 240A, 240B, 340A-340N pixel, 151 insulating substrate, 152 first insulating film, 155 channel, 156 gate insulating film, 157 gate electrode, 158 interlayer insulating film, 159 source electrode, 160 drain electrode, 161 flattening film, 162 anode electrode, 163 pixel defining layer, 165 organic light emitting film, 166 cathode electrode, 167 opening, 168, 169 source Drain region, 170,175,181 contact hole, 200 sealing substrate, 300 joint, T1 driving TFT, T2 select transistor, T3 emission transistors, T4 reset transistor

Claims (18)

第1軸に沿って延び、第2軸に沿って配列された複数の電源線と、
前記複数の電源線のそれぞれの前記第2軸に沿った第1の側に配置され、前記複数の電源線それぞれから電源電位を与えられる、複数の第1駆動トランジスタと、
前記複数の電源線のそれぞれの前記第2軸に沿った第2の側に配置され、前記複数の電源線それぞれから電源電位を与えられる、複数の第2駆動トランジスタと、
複数の第1色の発光素子と、複数の第2色の発光素子と、複数の第3色の発光素子と、を含み、
前記複数の電源線は、前記第2軸に沿って配列された複数の電源線ユニットを含み、
前記複数の電源線ユニットそれぞれは、第1電源線と、前記第1電源線に隣接する第2電源線と、第2電源線に隣接する第3電源線と、で構成され、
前記第1電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第1色の第1の発光素子を駆動し、
前記第1電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第2色の第1の発光素子を駆動し、
前記第2電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第3色の第1の発光素子を駆動し、
前記第2電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第2色の第2の発光素子を駆動し、
前記第3電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第1色の第2の発光素子を駆動し、
前記第3電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第3色の第2の発光素子を駆動する、
表示装置。
A plurality of power lines extending along a first axis and arranged along a second axis;
A plurality of first drive transistors arranged on a first side of the plurality of power lines along the second axis, and supplied with a power potential from each of the plurality of power lines;
A plurality of second driving transistors arranged on a second side along the second axis of each of the plurality of power supply lines and receiving a power supply potential from each of the plurality of power supply lines;
A plurality of light emitting elements of the first color, a plurality of light emitting elements of the second color, and a plurality of light emitting elements of the third color,
The plurality of power lines include a plurality of power line units arranged along the second axis,
Each of the plurality of power line units includes a first power line, a second power line adjacent to the first power line, and a third power line adjacent to the second power line,
The first drive transistor of the first power supply line drives a first light emitting element of the first color,
The second drive transistor of the first power supply line drives a first light emitting element of the second color,
The first drive transistor of the second power supply line drives the first light emitting element of the third color,
The second drive transistor of the second power supply line drives a second light emitting element of the second color,
The first drive transistor of the third power supply line drives the second light emitting element of the first color,
The second drive transistor of the third power supply line drives a second light emitting element of the third color;
Display device.
請求項1に記載の表示装置であって、
前記第3色は、前記第1色、前記第2色及び前記第3色のうち、比視感度が最も低い、
表示装置。
The display device according to claim 1,
The third color has the lowest relative luminous efficiency among the first color, the second color, and the third color,
Display device.
請求項2に記載の表示装置であって、
前記第1色が赤色及び前記第2色が緑色、または、前記第2色が赤色及び前記第1色が緑色であり、
前記第3色が青色である、
表示装置。
The display device according to claim 2, wherein
The first color is red and the second color is green, or the second color is red and the first color is green,
The third color is blue;
Display device.
請求項1に記載の表示装置であって、
前記複数の電源線それぞれの前記第1駆動トランジスタのパターンと前記第2駆動トランジスタのパターンとは、前記複数の電源線それぞれを軸に対称である、
表示装置。
The display device according to claim 1,
The pattern of the first drive transistor and the pattern of the second drive transistor of each of the plurality of power lines are symmetric about each of the plurality of power lines.
Display device.
請求項4に記載の表示装置であって、
前記第1駆動トランジスタのパターンと前記第2駆動トランジスタのパターンとが隣接する、
表示装置。
The display device according to claim 4, wherein
A pattern of the first driving transistor and a pattern of the second driving transistor are adjacent to each other;
Display device.
請求項1に記載の表示装置であって、
前記第1色の第1の発光素子、前記第2色の第1の発光素子、前記第3色の第1の発光素子、前記第1色の第2の発光素子、前記第2色の第2の発光素子、前記第3色の第2の発光素子は、この順序において、前記第2軸に沿って一列に配列されている、
表示装置。
The display device according to claim 1,
A first light emitting element of the first color, a first light emitting element of the second color, a first light emitting element of the third color, a second light emitting element of the first color, a second light emitting element of the second color; The two light emitting elements and the second light emitting element of the third color are arranged in a line along the second axis in this order.
Display device.
請求項6に記載の表示装置であって、
前記複数の第1駆動トランジスタと前記複数の第2駆動トランジスタとは、前記第2軸に沿って配列されており、
前記第1色の第2の発光素子の下部電極は、前記第1軸に沿った第1端に、前記第3電源線に向かって延びる第1アーム部を含み、
前記第2色の第2の発光素子の下部電極は、前記第1軸に沿った第2端に、前記第2電源線に向かって延びる第2アーム部を含み、
前記第3電源線の前記第1駆動トランジスタは、前記第1アーム部に重なるコンタクトホールを介して、前記第1アーム部に接続され、
前記第2電源線の前記第2駆動トランジスタは、前記第2アーム部に重なるコンタクトホールを介して、前記第2アーム部に接続されている、
表示装置。
The display device according to claim 6, wherein:
The plurality of first drive transistors and the plurality of second drive transistors are arranged along the second axis,
The lower electrode of the second light emitting element of the first color includes a first arm portion extending toward the third power supply line at a first end along the first axis,
The lower electrode of the second light emitting element of the second color includes a second arm portion extending toward the second power supply line at a second end along the first axis,
The first drive transistor of the third power supply line is connected to the first arm unit via a contact hole overlapping the first arm unit;
The second drive transistor of the second power supply line is connected to the second arm unit via a contact hole overlapping the second arm unit;
Display device.
請求項1に記載の表示装置であって、
前記第1色の第1の発光素子と前記第2色の第1の発光素子とは、前記第1軸に沿って隣接しており、
前記第3色の第1の発光素子は、前記第2軸に沿って、前記第1色の第1の発光素子及び前記第2色の第1の発光素子に隣接し、
前記第1色の第2の発光素子と前記第2色の第2の発光素子とは、前記第1軸に沿って隣接し、前記第2軸に沿って前記第2色の第1の発光素子に隣接し、
前記第3色の第2の発光素子は、前記第2軸に沿って、前記第1色の第2の発光素子及び前記第2色の第2の発光素子に隣接している、
表示装置。
The display device according to claim 1,
The first light emitting element of the first color and the first light emitting element of the second color are adjacent to each other along the first axis,
The first light emitting element of the third color is adjacent to the first light emitting element of the first color and the first light emitting element of the second color along the second axis;
The second light emitting element of the first color and the second light emitting element of the second color are adjacent along the first axis, and the first light emission of the second color is along the second axis. Next to the element,
The second light emitting element of the third color is adjacent to the second light emitting element of the first color and the second light emitting element of the second color along the second axis.
Display device.
請求項8に記載の表示装置であって、
更に、
前記第1電源線の前記第1駆動トランジスタと前記第1色の第1の発光素子の下部電極とを接続する第1コンタクトホールと、
前記第1電源線の前記第2駆動トランジスタと前記第2色の第1の発光素子の下部電極とを接続する第2コンタクトホールと、
前記第2電源線の前記第1駆動トランジスタと前記第3色の第1の発光素子の下部電極とを接続する第3コンタクトホールと、を含み、
前記第1軸における、前記第3コンタクトホールの位置と、前記第1及び前記第2コンタクトホールの位置とは異なる、
表示装置。
The display device according to claim 8, wherein:
Furthermore,
A first contact hole connecting the first driving transistor of the first power supply line and a lower electrode of the first light emitting element of the first color;
A second contact hole connecting the second driving transistor of the first power supply line and a lower electrode of the first light emitting element of the second color;
A third contact hole connecting the first drive transistor of the second power supply line and a lower electrode of the first light emitting element of the third color;
The position of the third contact hole on the first axis is different from the positions of the first and second contact holes.
Display device.
請求項9に記載の表示装置であって、
前記第1コンタクトホールの位置は、前記第3コンタクトホールの位置を基準にして、前記第1軸に沿う第1方向にずれ、
前記第2コンタクトホールの位置は、前記第3コンタクトホールの位置を基準にして、前記第1軸に沿う前記第1方向とは逆の第2方向にずれる、
表示装置。
The display device according to claim 9, wherein:
A position of the first contact hole is shifted in a first direction along the first axis with reference to a position of the third contact hole;
A position of the second contact hole is shifted in a second direction opposite to the first direction along the first axis with reference to a position of the third contact hole;
Display device.
請求項10に記載の表示装置であって、
前記第1軸における、前記第1コンタクトホールの重心と前記第3コンタクトホールの重心との距離は、前記第1軸における、前記第2コンタクトホールの重心と前記第3コンタクトホールの重心との距離よりも大きい、
表示装置。
The display device according to claim 10, wherein:
The distance between the center of gravity of the first contact hole and the center of gravity of the third contact hole in the first axis is the distance between the center of gravity of the second contact hole and the center of gravity of the third contact hole in the first axis. Greater than,
Display device.
請求項9に記載の表示装置であって、
前記第1色の第1発光素子の発光領域の前記第2軸に沿う辺と前記第2色の第1発光素子の発光領域の前記第2軸に沿う辺との、前記第1軸における距離は、前記第1軸における、前記第1コンタクトホールの重心と前記第2コンタクトホールの重心との距離よりも大きい、
表示装置。
The display device according to claim 9, wherein:
Distance in the first axis between a side along the second axis of a light emitting region of the first light emitting element of the first color and a side along the second axis of a light emitting region of the first light emitting element of the second color Is greater than the distance between the center of gravity of the first contact hole and the center of gravity of the second contact hole in the first axis;
Display device.
請求項10に記載の表示装置であって、
更に、
前記第2電源線の前記第2駆動トランジスタと前記第2色の第2の発光素子の下部電極とを接続する第4コンタクトホールと、
前記第3電源線の前記第1駆動トランジスタと前記第1色の第2の発光素子の下部電極とを接続する第5コンタクトホールと、を含み、
前記第1軸における、前記第1コンタクトホールの位置と前記第4コンタクトホールの位置とが同じで、
前記第1軸における、前記第2コンタクトホールの位置と前記第5コンタクトホールの位置とが同じである、
表示装置。
The display device according to claim 10, wherein:
Furthermore,
A fourth contact hole connecting the second drive transistor of the second power supply line and a lower electrode of the second light emitting element of the second color;
A fifth contact hole connecting the first drive transistor of the third power supply line to a lower electrode of the second light emitting element of the first color;
The position of the first contact hole and the position of the fourth contact hole on the first axis are the same,
The position of the second contact hole and the position of the fifth contact hole on the first axis are the same,
Display device.
請求項13に記載の表示装置であって、
前記第1コンタクトホールは、前記第2軸に沿う第3方向にずれ、
前記第2コンタクトホールは、前記第2軸に沿う前記第3方向と逆の第4方向にずれ、
前記第4コンタクトホールは、前記第2軸に沿う第4方向にずれ、
前記第5コンタクトホールは、前記第2軸に沿う前記第3方向にずれる、
表示装置。
The display device according to claim 13, wherein:
The first contact hole is offset in a third direction along the second axis;
The second contact hole is shifted in a fourth direction opposite to the third direction along the second axis;
The fourth contact hole is shifted in a fourth direction along the second axis;
The fifth contact hole is offset in the third direction along the second axis;
Display device.
請求項9に記載の表示装置であって、
前記第1コンタクトホールは、前記第1色の第1発光素子の発光領域の外側に位置し、
前記第2コンタクトホールは、前記第2色の第1発光素子の発光領域の外側に位置する、
表示装置。
The display device according to claim 9, wherein:
The first contact hole is located outside a light emitting region of the first light emitting element of the first color,
The second contact hole is located outside a light emitting region of the first light emitting element of the second color.
Display device.
請求項15に記載の表示装置であって、
前記第1コンタクトホールの少なくとも一部は、前記第1色の第1発光素子の発光領域の辺の一部に接し、
前記第2コンタクトホールの少なくとも一部は、前記第2色の第1発光素子の発光領域の辺の一部に接し、
表示装置。
The display device according to claim 15, wherein
At least a part of the first contact hole contacts a part of a side of a light emitting region of the first light emitting element of the first color,
At least a part of the second contact hole is in contact with a part of a side of a light emitting region of the first light emitting element of the second color;
Display device.
請求項1に記載の表示装置であって、
前記複数の第1駆動トランジスタ及び前記複数の第2駆動トランジスタそれぞれの制御信号を伝送する複数のデータ線と、
前記複数のデータ線に前記制御信号を与えるドライバ回路と、
をさらに含み、
前記第2電源線の前記第2駆動トランジスタの制御信号を伝送するデータ線と、前記第3電源線の前記第1駆動トランジスタの制御信号を伝送するデータ線とは、交差している、
表示装置。
The display device according to claim 1,
A plurality of data lines for transmitting control signals for each of the plurality of first driving transistors and the plurality of second driving transistors;
A driver circuit for providing the control signal to the plurality of data lines;
Further comprising
A data line transmitting the control signal of the second drive transistor of the second power supply line and a data line transmitting the control signal of the first drive transistor of the third power supply line cross each other.
Display device.
請求項1に記載の表示装置であって、
前記複数の第1駆動トランジスタ及び前記複数の第2駆動トランジスタそれぞれの制御信号を伝送する複数のデータ線と、
前記複数のデータ線に前記制御信号を与えるドライバ回路と、
をさらに含み、
前記第2電源線の前記第2駆動トランジスタの制御信号を伝送するデータ線と、前記第3電源線の前記第1駆動トランジスタの制御信号を伝送するデータ線とは、交差しない、
表示装置。
The display device according to claim 1, wherein:
A plurality of data lines for transmitting control signals for each of the plurality of first driving transistors and the plurality of second driving transistors;
A driver circuit for providing the control signal to the plurality of data lines;
Further comprising
A data line transmitting the control signal of the second drive transistor of the second power supply line does not intersect with a data line transmitting the control signal of the first drive transistor of the third power supply line;
Display device.
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