JP2020019657A - Production method of unit for light control panel, and light control panel - Google Patents

Production method of unit for light control panel, and light control panel Download PDF

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彰 平井
Akira Hirai
彰 平井
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Abstract

To provide a production method of a unit for a light control panel comprising a plurality of individual transparent device substrate pieces cut from a large-sized transparent glass substrate with reflection films formed on both surfaces thereof with high precision, which are firmly laminated with high precision.SOLUTION: A metal reflection film or the like is film-formed on an entire surface of one side of a glass substrate. After the metal reflection film has been removed along cut lines of contours of individual device substrate pieces, a slight adhesive sheet is stuck the entire metal reflection film or the like formed on the opposite surface. A glass surface is split along the cut lines. After the individual device substrate pieces have been separated from the slight adhesive sheet, the individual device substrate pieces are joined by an organic adhesive or by metal bonding between metal layers of the uppermost layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、反射膜を有する個片デバイス基板の生産性の高い製造法に関し,さらには当該個片デバイスの複数枚を強固に接合する製造方法、特には空中に立体像を形成する光学装置に使用する光制御パネルユニットの製造方法,および当該ユニットを使用した光制御パネルに関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a device device substrate having a reflective film with high productivity, and more particularly to a method of firmly joining a plurality of the device devices, particularly to an optical device for forming a three-dimensional image in the air. The present invention relates to a method for manufacturing a light control panel unit to be used, and a light control panel using the unit.

動画や静止画像を直接視認する一般的な直視型ディスプレイではなく、ディスプレイ等からの光学情報を、光制御パネルを通過させることで空中に結像させる方法が提案されている(特許文献1参照)。光制御パネルは透明基板内に一定間隔で反射膜が形成された構造をユニットとし、当該ユニット2枚を直交させる構造であり、詳細な原理は特許文献等に記載されている。 A method has been proposed in which optical information from a display or the like is imaged in the air by passing through a light control panel, instead of a general direct-view type display that directly recognizes moving images and still images (see Patent Document 1). . The light control panel has a unit in which a reflective film is formed at regular intervals in a transparent substrate, and has a structure in which two units are orthogonal to each other. The detailed principle is described in patent documents and the like.

ユニットの製造方法として、金属反射面が片面に形成された一定厚みの透明合成樹脂基板又はガラス板を、前記金属反射面が一方向に配置されるようにして、透明接着剤層を介して多数枚積層して積層体を作成する工程と、前記積層体を前記金属反射面に対して垂直な切り出し面が形成されるように切り出す工程を有することが記載されている。
また,他の方法として透明基板間に接着剤を使用しないで,透明基板と空気層の屈折率の差異による全反射を利用したユニットの製造方法が提案されている(特許文献2)。
As a method of manufacturing the unit, a plurality of transparent synthetic resin substrates or glass plates having a constant thickness with a metal reflecting surface formed on one side are arranged via a transparent adhesive layer so that the metal reflecting surface is arranged in one direction. It is described that the method includes a step of forming a laminate by stacking a plurality of sheets and a step of cutting the laminate so that a cut surface perpendicular to the metal reflection surface is formed.
As another method, a method of manufacturing a unit using total reflection due to a difference in refractive index between a transparent substrate and an air layer without using an adhesive between the transparent substrates has been proposed (Patent Document 2).

特開2015-172782JP 2015-172782 特開2017-53922JP 2017-53922

特許文献1では反射層を持つシート全体を接着積層して、必要な寸法で反射面に対して垂直に切り出す方法であり、安定的な製造には多くの労力を必要とする。例えば、透明基材としてガラス基板を使用する場合、ガラスの切断により発生する応力や熱,冷却水に耐えられる接着強度が必要である。また、透明樹脂基板の場合、ガラス基板に比較して容易に切断できるが、樹脂の吸湿膨張や温度による熱膨張などで反射面の耐久性,さらには表面の平坦度などに課題がある。 Patent Document 1 discloses a method in which the entire sheet having a reflective layer is bonded and laminated, and cut out at a required dimension perpendicularly to the reflective surface. A large amount of labor is required for stable production. For example, when a glass substrate is used as a transparent substrate, it is necessary to have an adhesive strength that can withstand stress generated by cutting the glass, heat and cooling water. Further, in the case of a transparent resin substrate, it can be cut more easily than a glass substrate, but there are problems with the durability of the reflection surface and the flatness of the surface due to the moisture expansion and thermal expansion of the resin.

特許文献2においては,個片デバイス基板間を接合しないで空気層とガラス層との屈折率の差異による全反射を利用して,入力された画像情報を伝送する。全半射角は約41度であり,それ以上の角度では反射されない。また,片面に反射膜を形成する場合,あるいは反射膜が無い場合,ガラス面同士が接着剤無しで接合される場合もあり,安定した反射面が得られにくい。   In Patent Document 2, input image information is transmitted using total reflection due to a difference in refractive index between an air layer and a glass layer without bonding individual device substrates. The full firing angle is about 41 degrees, and it is not reflected at any higher angle. In addition, when a reflective film is formed on one surface, or when there is no reflective film, the glass surfaces may be joined together without an adhesive, and it is difficult to obtain a stable reflective surface.

光制御パネルにおいて重要な特性の一つは,歪等が無い画像情報の伝送である。したがって,ユニットの反射面にごみや気泡などの異物があってはならない。しかし,両面や片面に反射膜がないデバイスを使用する場合,ごみが入り込んだり気泡が残ったりする可能性が高い。特許文献1および2におけるユニット製造方法では,完成後に異物の存在がわかっても基本的に修正方法がなく,製造時に個片デバイス基板間にごみなどの光学的異物が存在しないような極めて清浄な製造環境と,使用材料に対して高い清浄度が要求される。これらは大きなコストアップの要因となる。   One of the important characteristics in the light control panel is transmission of image information without distortion or the like. Therefore, there should be no foreign matter such as dust or bubbles on the reflection surface of the unit. However, when a device having no reflective film on both sides or one side is used, there is a high possibility that dirt may enter or bubbles may remain. In the unit manufacturing methods disclosed in Patent Documents 1 and 2, there is basically no correction method even if the presence of foreign matter is known after completion, and extremely clean such that there is no optical foreign matter such as dust between individual device substrates during manufacturing. High cleanliness is required for the manufacturing environment and materials used. These cause a large cost increase.

本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、基板の両面に反射膜を形成することを基本構造とする。反射面の異物等を極限まで減らすために,大型基板の両側に真空プロセスで反射膜を形成し,当該大型基板から個片デバイス基板を効率よく切り出し,さらには各個片基板間を精度よく,積層する方法を提供するものである。 The present invention has been made in view of such circumstances, and has a basic structure in which reflective films are formed on both surfaces of a substrate. In order to minimize foreign matter on the reflective surface, a reflective film is formed on both sides of a large-sized substrate by a vacuum process, and individual device substrates are cut out from the large-sized substrate efficiently. It provides a way to:

本発明では、スパッタリングなどの真空成膜法により透明ガラス基板の両面に反射膜を形成する。しかし,両側に金属膜を有するガラス基板から個片デバイスを切り出すことは容易ではなく,本発明においては,少なくとも片面の金属反射膜をカッティングラインに沿って除去した構造を採用する。すなわち,片面に反射膜等を成膜した後,フォトリソグラフ法などによって,カッティングラインに沿って反射膜等の金属を除去する。この方法は,フォトリソグラフ法,レーザーアブレーション法,あるいは機械的に金属をかきとる方法などがあり,本発明はその方法によって制限されるものではない。
次に,パターニングされた反射膜等を有する大型ガラス基板の反対面に,スパッタリングなどの真空成膜法により反射膜を形成する。
In the present invention, reflective films are formed on both surfaces of a transparent glass substrate by a vacuum film forming method such as sputtering. However, it is not easy to cut out an individual device from a glass substrate having a metal film on both sides, and the present invention employs a structure in which at least one metal reflection film is removed along a cutting line. That is, after forming a reflective film or the like on one side, the metal such as the reflective film is removed along the cutting line by a photolithographic method or the like. This method includes a photolithographic method, a laser ablation method, a method of mechanically scraping a metal, and the like, and the present invention is not limited by the method.
Next, a reflective film is formed on the opposite surface of the large glass substrate having the patterned reflective film and the like by a vacuum film forming method such as sputtering.

裏面に反射膜を成膜後,大型ガラス基板から個片デバイス基板を,カッティングにより切り出す。切り出す方法は,レーザーアブレーション法やウォータージェット,ホイール状工具による割断などがあり,本発明はその方法によって制限されるものではない。しかし,個片デバイス基板は,厚さが0.5mm前後で幅が約2mm程度であり,大型ガラス基板から切り出したあとのハンドリングのしやすさが,生産性に大きな影響を与える。   After forming a reflective film on the back surface, individual device substrates are cut out from the large glass substrate by cutting. Examples of a cutting method include a laser ablation method, water jet, and cutting with a wheel-shaped tool, and the present invention is not limited by the method. However, the individual device substrate has a thickness of about 0.5 mm and a width of about 2 mm, and the ease of handling after being cut from a large glass substrate greatly affects productivity.

本発明では,前記大型ガラス基板の反射膜を全面に形成した面に,微粘着ポリマーシートを貼合する。カッティング方法としては,ホイール状工具によって切り溝(ニュー)を入れ,次に曲げ応力を加えて亀裂を入れることで個片デバイス基板に加工される。この状態でも微粘着シートで固定されており,ハンドリングは容易である。   In the present invention, a slightly adhesive polymer sheet is attached to the surface of the large glass substrate on which the reflective film is formed over the entire surface. As a cutting method, a kerf (new) is formed by a wheel-shaped tool, and then a bending stress is applied to form a crack to process the individual device substrate. Even in this state, it is fixed with a slightly adhesive sheet, and handling is easy.

本発明では,このようにして得られた個片デバイス基板同士を積層接合するが,当該デバイス基板の両側に反射面が形成されていることから,ごみなどの異物混入に対しては優位性が高い。また,個片デバイス基板単独で反射特性をチェックすることもできる。さらには,フォトリソグラフ法により精密加工用パターンを形成することにより,個片デバイス基板の微細な寸法加工も容易で,積層後の後加工処理を提言できる。   In the present invention, the individual device substrates obtained in this manner are laminated and joined together. However, since the reflection surfaces are formed on both sides of the device substrate, the device substrates have an advantage over foreign substances such as dust. high. In addition, the reflection characteristics can be checked using the individual device substrate alone. Furthermore, by forming a pattern for precision processing by a photolithographic method, fine dimensional processing of an individual device substrate can be easily performed, and post-processing after lamination can be recommended.

本発明による個片デバイス基板は両面に反射膜を有することから,当該基板間の接合方法として無色透明もしくは不透明な有機系接着剤による接合,さらには反射膜上に形成された低融点金属による金属結合による接合が可能である。   Since the individual device substrate according to the present invention has a reflective film on both surfaces, it can be bonded by a colorless transparent or opaque organic adhesive as a bonding method between the substrates, and furthermore, a metal made of a low melting point metal formed on the reflective film. Joining by bonding is possible.

有機系接着剤による接合としては,UV硬化型接着剤,熱硬化型接着剤,その併用型である。接着剤の材料としては,アクリル系,エポキシ系,シリコン系などの多くの材料を適用することができる。基本的には,積層前に個片デバイス基板の片面,もしくは両面に塗布後にUV光や熱を印加することで接着剤を硬化させて積層体ユニットを作る。塗布方法は,ジェットディスペンサー等により高速で精密量の塗布を行うことができる。   As the bonding with the organic adhesive, a UV-curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a combination thereof are used. As the material of the adhesive, many materials such as acrylic, epoxy, and silicon can be used. Basically, before lamination, the adhesive is cured by applying UV light or heat after coating on one or both surfaces of the individual device substrate, thereby producing a laminate unit. As a coating method, a precise amount of coating can be performed at high speed by a jet dispenser or the like.

Bステージ型接着剤を使用する場合,スクリーン印刷,ジェットディスペンサーなどの方法によって大型基板の片面に当該接着剤を塗布し,所定の温度で乾燥させる。この状態で個片デバイス基板に割断するが,Bステージ接着剤は粘着性などが全くない状態であり,割断工程による影響を受けない。この状態で,個片デバイス基板を積層し,加圧加温することで,Bステージから硬化反応が進み,信頼性の高い基板間接合が完了する。 When a B-stage adhesive is used, the adhesive is applied to one side of a large substrate by a method such as screen printing or a jet dispenser, and dried at a predetermined temperature. In this state, the individual device substrate is cut, but the B-stage adhesive has no tackiness at all and is not affected by the cutting process. In this state, by stacking the individual device substrates and heating them under pressure, the curing reaction proceeds from the B stage, and highly reliable bonding between the substrates is completed.

画像情報を精度よく伝送するために,反射面の品質とともに,各個片デバイス基板間の平行度が重要である。平行度は,個片デバイス基板の高さ方向(約2mm)だけでなく,長さ方向(画像寸法による)においても重要であり,各基板間の平行度のばらつきが全体で累積値が大きくなる場合もある。   In order to transmit image information with high accuracy, the parallelism between the individual device substrates as well as the quality of the reflection surface is important. Parallelism is important not only in the height direction (approximately 2 mm) of the individual device substrate but also in the length direction (depending on the image size), and the variation in parallelism between each substrate increases the cumulative value as a whole In some cases.

精度の高い基板間平行度を実現するために,本発明においては請求項2に記載するように,有機系接着剤中に有機ポリマー粒子やガラス繊維,セラミック粒子をスペーサーとして混入させることができる。すなわち,接着剤硬化時に圧力を加えると当該粒子によって基板間の距離が一定になる。粒子は,有機ポリマーやシリカ粒子があり,有機ポリマー粒子の場合,例えば5.00μm±0.05μmの精度を利用することができ,高い平行度を実現できる。シリカやガラス繊維などの無機系スペーサーは,ヤング率が大きいために圧力による変形が無く,粒径の高い方が間隙寸法を決定する。   In order to realize highly accurate parallelism between the substrates, in the present invention, organic polymer particles, glass fibers, and ceramic particles can be mixed as spacers in the organic adhesive. That is, when pressure is applied during curing of the adhesive, the distance between the substrates becomes constant due to the particles. Particles include organic polymer and silica particles. In the case of organic polymer particles, for example, an accuracy of 5.00 μm ± 0.05 μm can be used, and high parallelism can be realized. Inorganic spacers such as silica and glass fibers have a large Young's modulus and are not deformed by pressure, and the gap size is determined by the larger particle size.

使用する粒径は,1μm未満でも500μm超でも使用できるが,厚さが薄い場合は硬化性,フィラーおよび異物の管理,厚い場合は硬化性だけでなく硬化収縮,さらには開口率が悪化するために,使用する有機系接着剤の種類によって決めることができる。一般的には1μm〜20μmであり,望ましくは10μm前後である。また,混入量は,接着剤固形分に対して0.01wt%から効果を確認できるが,接着剤の種類を含めた最適量を決めることができる。なお,無機系粒子の比重が約2.5前後,有機ポリマーは約1.2前後であり,体積としては2倍の差がある。   The particle size used can be less than 1 μm or more than 500 μm. However, when the thickness is thin, the curability, management of fillers and foreign substances, and when the thickness is large, not only the curability but also the curing shrinkage and the aperture ratio deteriorate. In addition, it can be determined according to the type of the organic adhesive used. Generally, it is 1 μm to 20 μm, and preferably about 10 μm. Although the effect can be confirmed from 0.01 wt% with respect to the solid content of the adhesive, the optimum amount including the type of the adhesive can be determined. The specific gravity of the inorganic particles is about 2.5, and that of the organic polymer is about 1.2.

本発明においては,請求項3に示すように有機系接着剤を高透過率の透明接着剤を使用し,個片デバイス基板間のスペーサー径を変えることで,開口率を低下させずに,整列ピッチを変えて,画像情報源であるディスプレイの画素ピッチとの光学干渉を防止することができる。また,スペーサー径は同一で,ガラス導光体の異なる厚さの組み合わせでも同様の効果を得ることができる。画像情報源であるディスプレイは数100μmの格子で構成されることが多く,高精細の光制御パネルの格子と光学干渉を起こす場合があり,本発明のように,個片デバイス基板の整列ピッチを変化させることにより光学干渉を防止できる。   In the present invention, a transparent adhesive having a high transmittance is used as the organic adhesive and the diameter of the spacer between the individual device substrates is changed so that the organic adhesive can be aligned without lowering the aperture ratio. By changing the pitch, optical interference with the pixel pitch of the display as the image information source can be prevented. Further, the same effect can be obtained even when the spacer diameter is the same and the thickness of the glass light guide is different. The display, which is the image information source, is often configured with a grid of several hundred μm, which may cause optical interference with the grid of the high-definition light control panel. By changing it, optical interference can be prevented.

最適な整列ピッチや配列は,一義的に決めることは困難である。すなわち,ディスプレイ側のブラックマトリクスを含むピッチは多様であり,それに対して設置する光制御パネルの設置角度や整列ピッチも多様な組み合わせとなり得る。したがって,最適な組み合わせは,実際にカットアンドトライによって行われる。また,光制御パネルはユニットを2枚組み合わせて構成されるが,それぞれのユニットにおける整列ピッチを変えたものを使用できる。   It is difficult to uniquely determine the optimal alignment pitch and arrangement. That is, the pitch including the black matrix on the display side is various, and the installation angle and the arrangement pitch of the light control panel to be installed for the matrix can be various combinations. Therefore, the optimum combination is actually performed by cut and try. Also, the light control panel is configured by combining two units, but a panel in which the arrangement pitch in each unit is changed can be used.

次に請求項4〜請求項7に記載した反射膜上に形成したスズ系金属層同士の接合を利用した個片デバイス基板間の積層について説明する。
本発明においては,金属反射膜上に低融点金属であるスズ系金属層を形成し,当該金属同士を熔融接合することで,個片デバイス基板間を金属結合した光制御パネルのユニットを得ることができる。
Next, a description will be given of the lamination between individual device substrates utilizing the joining of the tin-based metal layers formed on the reflection film according to the fourth to seventh aspects.
In the present invention, a tin-based metal layer, which is a low-melting metal, is formed on a metal reflective film, and the metal is melt-bonded to obtain a light control panel unit in which individual device substrates are metal-bonded. Can be.

一般的に,金属反射膜としてアルミニウム合金や銀合金を使用するが,これらの金属同士を直接接合することは極めて困難である。本発明では,これらの金属反射膜上の最上層に0.5〜30μm厚さのスズ系金属層を形成して個片デバイス基板をつくり,スズ系金属表面を還元して当該個片デバイス基板間を熔融接合する。成膜方法としては,スパッタリングなどの真空成膜法,電気メッキ,熔融めっき,クリームはんだを印刷後リフロー熔融などのプロセスを使用することができる。   Generally, an aluminum alloy or a silver alloy is used as a metal reflection film, but it is extremely difficult to directly join these metals. In the present invention, a tin-based metal layer having a thickness of 0.5 to 30 μm is formed as an uppermost layer on the metal reflection film to form an individual device substrate, and the tin-based metal surface is reduced to reduce the distance between the individual device substrates. Fusion bonding. As a film forming method, a process such as vacuum film forming method such as sputtering, electroplating, hot-dip plating, printing of cream solder, and reflow melting can be used.

スズ系金属膜を熔融接合する際に,例えば反射膜とアルミニウム合金膜とスズ系合金との濡れ性改善のために,例えば両金属間に銅やニッケルなどの金属層を形成することができる。これらの金属,例えばアルミニウム合金膜,銅膜,スズ系合金は,真空中で連続的に成膜することができる。   When the tin-based metal film is melt-bonded, for example, a metal layer such as copper or nickel can be formed between the two metals in order to improve the wettability of the reflection film, the aluminum alloy film, and the tin-based alloy. These metals, for example, an aluminum alloy film, a copper film, and a tin-based alloy can be continuously formed in a vacuum.

また,平坦な個片デバイス基板間を接合するには,スズ系合金膜の厚さは0.5μm以上,好ましくは1μm以上であり,スパッタリング以外の方法,例えば電気メッキや熔融したスズ浴による熔融はんだメッキ,スズ系はんだクリームを印刷後にリフローするプロセスを使用することもでき,本発明はその方法に限定されない。また,スズ系金属層の成膜は,大型基板で成膜することも可能であり,熔融はんだメッキおよびスズ系はんだクリームの印刷やジェットディスペンサーによる塗布後の熔融プロセスは,大型基板だけではなく,個片デバイス基板で行なうこともできる。   In order to join flat individual device substrates, the thickness of the tin-based alloy film is 0.5 μm or more, preferably 1 μm or more, and it is necessary to use a method other than sputtering, such as electroplating or molten solder using a molten tin bath. It is also possible to use a process in which plating and tin-based solder cream are reflowed after printing, and the present invention is not limited to this method. In addition, the tin-based metal layer can be formed on a large-sized substrate, and the melting process after molten solder plating, tin-based solder cream printing, and application with a jet dispenser is not limited to large-sized substrates. It can also be performed on an individual device substrate.

スズ系金属としては,スズ単独(融点:231℃),BiSn42(Sn42)(融点:139℃),Sn-3Ag-0.5Cu(融点:217℃),InSn48(融点:119℃)など多くの鉛フリーはんだが提供されており,本発明は個片デバイス基板同士の接合を目的として,これらを使用することができる。   Many lead metals include tin alone (melting point: 231 ° C), BiSn42 (Sn42) (melting point: 139 ° C), Sn-3Ag-0.5Cu (melting point: 217 ° C), InSn48 (melting point: 119 ° C). Free solder is provided, and the present invention can be used for joining individual device substrates.

実際の接合方法の一つとして,請求項4に記載するようにスズ系金属表面を還元し,熔融することで相互に結合する。スズ系金属表面は,数nmの厚さで酸化膜が存在しており,この酸化膜を除去することが必要であり,一般的にはフラックス称される還元材料を使用する。フラックスはこれらの酸化膜を腐食反応によって除去するものであることから,信頼性を確保するうえで,処理後の残渣が無いことが必要である。しかし,個片デバイス基板間の接合は,接合時に2面が閉ざされた構造となることから,フラックスの選定は極めて重要である。   As one of the actual joining methods, as described in claim 4, the tin-based metal surface is reduced and melted to bond with each other. The tin-based metal surface has an oxide film with a thickness of several nm, and it is necessary to remove this oxide film. In general, a reducing material called flux is used. Since the flux removes these oxide films by a corrosion reaction, it is necessary that there is no residue after the treatment in order to ensure reliability. However, since the bonding between the individual device substrates has a structure in which two surfaces are closed at the time of bonding, the selection of the flux is extremely important.

本発明では,従来からのフラックスも使用を制限するものではないが,このような状況に鑑みて,ギ酸ガスを利用した還元プロセスが有効である。すなわち,チャンバー内に個片デバイス基板を必要量積層した状態で真空状態にし,スズ系金属の融点近傍まで温度を上昇させ,この状態で窒素をキャリアガスとして,ギ酸を真空チャンバー内に導入する。ギ酸ガスは個片デバイス基板間にも浸透し,160℃程度で分解し活性水素と炭酸ガス(CO2)になる。活性水素はスズ系金属表面の酸化スズを還元して,金属スズ(Sn)と水(H2O)となる。この状態で,個片デバイス基板の積層体に圧力を加えると,熔融した金属同士が金属結合による接合する。結果的に,ギ酸は熱分解反応及び還元反応によって,CO2とH2Oになり,腐食性の化合物として残存しない。また,真空環境での接合であり,気泡(Void)も発生しにくく,信頼性の高い接合面が実現できる。 In the present invention, the use of a conventional flux is not limited, but in view of such a situation, a reduction process using formic acid gas is effective. That is, a vacuum is created with the required number of individual device substrates stacked in the chamber, the temperature is raised to near the melting point of the tin-based metal, and formic acid is introduced into the vacuum chamber using nitrogen as a carrier gas in this state. Formic acid gas also penetrates between individual device substrates and decomposes at about 160 ° C to become active hydrogen and carbon dioxide (CO2). Active hydrogen reduces tin oxide on the tin-based metal surface to form metallic tin (Sn) and water (H2O). In this state, when pressure is applied to the stack of individual device substrates, the molten metals are joined by metal bonding. As a result, formic acid is converted into CO2 and H2O by the thermal decomposition and reduction reactions, and does not remain as a corrosive compound. In addition, since bonding is performed in a vacuum environment, air bubbles are not easily generated, and a highly reliable bonding surface can be realized.

本発明では,低融点クリームはんだを基板上に印刷やディスペンサーによって,適量塗布して接合に使用することができるが,この場合個片デバイス基板間の平行度および間隙寸法は,クリームはんだ熔融時の圧力に依存する。請求項6に記載するように,平行度および間隙寸法を成業するために,はんだクリーム内に,直径が1〜30μmのガラス粒子もしくは金属粒子,セラミック粒子を0.01wt%以上分散含有することができる。   In the present invention, a low melting point cream solder can be applied on a substrate by printing or dispenser in an appropriate amount and used for bonding. In this case, the parallelism and the gap size between the individual device substrates are determined when the cream solder is melted. Depends on pressure. As described in claim 6, in order to achieve parallelism and gap size, 0.01% by weight or more of glass particles, metal particles, and ceramic particles having a diameter of 1 to 30 μm are contained in the solder cream. it can.

粒子径は大きくなると個片デバイス基板間の間隙寸法が 大きくなり,画像情報を伝送するガラス基板の開口面積に対する割合が大きくなる。すなわち,開口率が悪化することからできる限り間隙寸法は小さい方がよく,1〜10μmが好ましい。
スズ系金属層の膜厚を,1〜10μmで精度よく成膜できる場合は,例えば,電気メッキや真空成膜プロセスによる場合は,特にスペーサーを必要としない。
As the particle diameter increases, the gap size between the individual device substrates increases, and the ratio of the glass substrate that transmits image information to the opening area increases. That is, since the aperture ratio is deteriorated, the gap size is preferably as small as possible, and preferably 1 to 10 μm.
When the thickness of the tin-based metal layer can be precisely formed with a thickness of 1 to 10 μm, for example, by electroplating or a vacuum film forming process, no spacer is required.

本発明では,大型基板の両側に金属反射膜を形成して個片デバイス基板を切り出し,当該個片デバイス基板間の平行度,間隙寸法を高い精度で積層している。個片デバイス基板単独での機械的寸法加工や,光学伝送特性等を管理できるだけでなく,積層時の異物などによる歩留まり悪化を防止できるという点で極めて大きな効果を有している。   According to the present invention, a metal reflective film is formed on both sides of a large-sized substrate, and individual device substrates are cut out, and the parallelism and gap size between the individual device substrates are stacked with high accuracy. This has an extremely great effect in that not only can the mechanical dimensional processing and optical transmission characteristics and the like of the individual device substrate alone be managed, but also the yield can be prevented from deteriorating due to foreign matter during lamination.

また本発明は,両面に金属反射膜を形成した大型ガラス基板から個片デバイス基板を切り出す方法として,ガラス基板の片側から金属反射膜を除去することで,高い寸法精度を確保し,割断(ブレーキング)による外観不良を防止する。   Also, the present invention provides a method of cutting an individual device substrate from a large glass substrate having a metal reflection film formed on both sides, by removing the metal reflection film from one side of the glass substrate, thereby ensuring high dimensional accuracy and cutting (braking). To prevent poor appearance.

本発明では,個片デバイス基板間の接合方法として,有機系接着剤だけでなく,スズ系金属を反射膜上に形成し,当該スズ系金属同士の金属結合による接合するプロセスを採用している。これによって,全無機材料による光制御パネル用ユニットが実現でき,車載用途など高温多湿環境下で使用可能となる。   In the present invention, as a bonding method between individual device substrates, not only an organic adhesive but also a tin-based metal is formed on a reflective film, and a process of bonding the tin-based metal by metal bonding is adopted. . As a result, a light control panel unit made of all inorganic materials can be realized, and can be used in a high-temperature and high-humidity environment, such as in a vehicle.

本発明の実施形態の両面に反射膜を有する個片デバイス基板の製造方法を示す。1 shows a method for manufacturing an individual device substrate having reflective films on both surfaces according to an embodiment of the present invention. 本発明の別の実施形態で反射膜上にスズ系金属を有する構造を示す。4 shows a structure having a tin-based metal on a reflective film according to another embodiment of the present invention. 本発明の実施形態のスペーサー混入接着剤による積層接合の例を示す。4 shows an example of lamination bonding using a spacer-mixed adhesive according to an embodiment of the present invention. 本発明に実施形態で両面にスズ金属膜を有する個片デバイス間の接合模式図である。It is a junction schematic diagram between the individual devices which have a tin metal film on both surfaces in embodiment in this invention. スズめっき膜の表面分析であって,酸素原子のスペクトル変化を示す。This is a surface analysis of a tin plating film, and shows a change in the spectrum of oxygen atoms. スズめっき膜の表面分析であって,スズ原子のスペクトル変化を示す。This is a surface analysis of a tin plating film, and shows a change in the spectrum of tin atoms.

図にしたがって本発明の具体的な実施例について説明する。   A specific embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は,本発明による個片デバイス基板の一般的な製造方法を示すものである。図1-(a)
のように,ガラス基板1の片面に反射金属膜2aを成膜する。ガラス基板1は,ソーダガラス,ホウケイ酸ガラスなど多種類のガラスが使用できる。反射膜2a,2bは,アルミニウム系や銀系,さらには増反射膜処理などが使用できる。具体的には,アルミニウム・ネオジウム合金(Al-Nd),銀・パラジウム・銅合金(Ag-Pd-Cu:フルヤ金属製APC合金)などである。画像情報の伝送には可視領域(380nm〜780nm)において透過スペクトルが平坦であることが好ましい。膜厚は導電性を要求しないので制限されないが,10nm〜20nm程度であり,それ以上でも良い。また,図示されていないが,ガラス基板1との密着性を確保するために,反射膜2a,2bとガラス基板1との間に二酸化ケイ素(SiO2)膜などの透明膜を形成してもよい。
FIG. 1 shows a general method of manufacturing an individual device substrate according to the present invention. Fig. 1- (a)
As described above, a reflective metal film 2a is formed on one surface of the glass substrate 1. As the glass substrate 1, various kinds of glasses such as soda glass and borosilicate glass can be used. As the reflection films 2a and 2b, aluminum-based or silver-based, and further, a reflection-enhancing film treatment or the like can be used. Specific examples include aluminum-neodymium alloy (Al-Nd), silver-palladium-copper alloy (Ag-Pd-Cu: APC alloy made of Fluor metal). For transmission of image information, the transmission spectrum is preferably flat in the visible region (380 nm to 780 nm). The film thickness is not limited because it does not require conductivity, but is about 10 nm to 20 nm, and may be more. Although not shown, a transparent film such as a silicon dioxide (SiO2) film may be formed between the reflection films 2a and 2b and the glass substrate 1 in order to secure adhesion to the glass substrate 1. .

図1-(b)は,成膜した反射膜2aをカッティングライン部分に沿って除去し,さらに反対面に反射膜2bを成膜したものである。除去方法は,フォトリソグラフ法,レーザーアブレーション法でも良いし,例えば超硬ヘッドなどを使って機械的に削っても良い。
本発明では,基板両面に反射金属膜2a,2bを形成して個片デバイス基板10を切り出すが,両側に金属膜2a,2bが存在するとガラス基板1を精度よく割断できない。これはガラス基板1の表面に機械的や熱的に歪(ニュー)を発生させ,ニューを成長させることにより割断するためである。
FIG. 1- (b) shows that the formed reflection film 2a is removed along the cutting line portion, and further the reflection film 2b is formed on the opposite surface. The removing method may be a photolithographic method or a laser ablation method, or may be mechanically shaved using, for example, a carbide head.
In the present invention, the reflective metal films 2a and 2b are formed on both surfaces of the substrate, and the individual device substrate 10 is cut out. However, if the metal films 2a and 2b are present on both sides, the glass substrate 1 cannot be cut accurately. This is because a strain (new) is mechanically or thermally generated on the surface of the glass substrate 1, and the glass substrate 1 is cut by growing the new.

次に,パターニングした面2aと反対面に反射膜2bを成膜する。スパッタリングなどの真空成膜プロセスでは,成膜面の反対面に成膜されないため,特別にパターニング面を保護する必要がなく工程負荷が少ない。反射面2aを機械的やレーザーアブレーションでパターニングする場合は,反射面2a,2bを成膜後にパターニングしても良い。   Next, a reflective film 2b is formed on the surface opposite to the patterned surface 2a. In a vacuum film forming process such as sputtering, a film is not formed on the surface opposite to the film forming surface, so that there is no need to protect the patterning surface, and the process load is small. When the reflective surface 2a is patterned by mechanical or laser ablation, the reflective surfaces 2a and 2b may be patterned after film formation.

この状態で,反射面2bに微粘着フィルム3を貼合する。レーザーアブレーションによってフルカットする場合は,当該フィルム3は不要であるが,一般的には前述のように,カットラインに沿ってスクライブすることで歪を発生させ,これを成長させて個片デバイス基板10にブレーキングする。個片デバイス基板10の幅は約2mm,厚さは0.5mm前後であることから,スクライブ時に個片になる場合もあり,当該微粘着フィルム3は繁雑な状況を回避し,作業生産性を向上させることができる。
例えば,表面保護用フィルムSPVシリーズ(日東電工製)や,紫外線照射によって剥離が容易なエレップホルダーシリーズ(日東電工製)などが使用できるが,本発明においては多様なフィルムを使用することができる。
In this state, the slightly adhesive film 3 is bonded to the reflection surface 2b. When performing full cut by laser ablation, the film 3 is unnecessary, but generally, as described above, scribes along the cut line to generate a strain, which is grown to produce an individual device substrate. Braking to 10. Since the individual device substrate 10 has a width of about 2 mm and a thickness of about 0.5 mm, it may become individual at the time of scribing, and the slightly adhesive film 3 avoids complicated situations and improves work productivity. Can be done.
For example, a surface protection film SPV series (manufactured by Nitto Denko) and an ELEP holder series (manufactured by Nitto Denko), which can be easily peeled off by ultraviolet irradiation, can be used. In the present invention, various films can be used. .

次に,図1-(d)に示すように,パターニングされたカットライン部分から,スクライブする。この工程で,部分的にフルカットされて個片デバイス基板10になっても,微粘着フィルム3に保持され,その結果,ステージ表面への固定も安定的に保持される。
全てのスクライブが終了後図1-(e)に示すように,微粘着フィルム3を上にして,ブレーキングステージB上にセットし,上部から圧力Fを印加する。ブレーキングステージBの表面は,比較的柔らかいゴム状物質であり,圧力Fによって沈み込みことからガラス基板1の歪が進行し,最終的に個片に分割されるが,個片デバイス基板10微粘着フィルム3に保持される。
Next, as shown in FIG. 1- (d), scribing is performed from the patterned cut line portion. In this step, even if the individual device substrate 10 is partially cut into full pieces, the individual device substrate 10 is held by the slightly adhesive film 3, and as a result, the fixation to the stage surface is also stably held.
After all the scribes are completed, as shown in FIG. 1- (e), the film is set on the breaking stage B with the slightly adhesive film 3 facing upward, and a pressure F is applied from above. The surface of the breaking stage B is a relatively soft rubber-like substance, and the glass substrate 1 is distorted by the pressure F, so that the glass substrate 1 is finally divided into individual pieces. It is held by the adhesive film 3.

以上によって,光制御パネル用ユニットの個片デバイス基板10が完成する。請求項2〜3に記載されるように,当該個片デバイス基板10を有機系接着剤6によって積層接合することができる。図2は,その断面の模式図である。接着剤6はスペーサー7を含んでおり,これによって個片デバイス基板間の間隙距離が一定となり,基板間の平行度も安定し,反射面による画質低下を低減できる。 Thus, the individual device substrate 10 of the light control panel unit is completed. As described in claims 2 and 3, the individual device substrates 10 can be laminated and joined by the organic adhesive 6. FIG. 2 is a schematic diagram of the cross section. The adhesive 6 includes a spacer 7, whereby the gap distance between the individual device substrates becomes constant, the parallelism between the substrates is stabilized, and the deterioration of the image quality due to the reflection surface can be reduced.

有機系接着剤の光透過率が高く,かつ厚さが大きい場合,高透過率有機系接着剤をガラス導光体10と同程度の厚さで形成して,画像伝送体として活用することができる。また,厚さをスペーサーの径で変化させることで,同一ピッチによる光学干渉を防止することができる。同様に,スペーサー径を同一径とし,ガラス導光体の厚さを変えることで,整列ピッチを変えることでも光学干渉を防止できる。 If the light transmittance of the organic adhesive is high and the thickness is large, it is possible to form a high transmittance organic adhesive with the same thickness as the glass light guide 10 and use it as an image transmission body. it can. Also, by changing the thickness by the diameter of the spacer, optical interference due to the same pitch can be prevented. Similarly, by making the spacer diameter the same and changing the thickness of the glass light guide, it is possible to prevent optical interference by changing the alignment pitch.

図3は,個片デバイス基板11間を金属結合によって積層する例であって,反射膜2a,2bの上に例えば銅薄膜3a,3bを成膜し,さらにスズ系金属4a,4bを成膜する。あるいは,銅薄膜3a,3bとの間に接合強度を補強する他の金属薄膜等(図示されていない)を形成してもよい。反射膜2a,2bは,導電性を要求しないので膜厚は制限されず,10nm〜20nm程度でもよく,それ以上でも良い。銅薄膜3a,3bは,上部に形成するスズ系金属膜4a,4bを熔融して接合に供するために,厚さは厚い方がよく,100nm以上で好ましくは200nm以上であるが,最上部のスズ系金属4a,4bの接合方法によって決定される。   FIG. 3 shows an example in which individual device substrates 11 are stacked by metal bonding. For example, copper thin films 3a and 3b are formed on reflective films 2a and 2b, and tin-based metals 4a and 4b are further formed. I do. Alternatively, another metal thin film or the like (not shown) may be formed between the copper thin films 3a and 3b to reinforce the bonding strength. Since the reflective films 2a and 2b do not require conductivity, the film thickness is not limited, and may be about 10 nm to 20 nm or more. The copper thin films 3a, 3b should be thicker, in order to melt the tin-based metal films 4a, 4b formed on the upper part and provide them for bonding, and the thickness should be 100 nm or more, preferably 200 nm or more. It is determined by the method of joining the tin-based metals 4a and 4b.

スズ系金属膜4a,4bの膜厚は,個片デバイス基板11同士を接合する場合は,基板表面のうねりなどの平坦性の影響を受けないように,十分な厚さが必要で,0.5μm以上好ましくは1μm以上が良い。
成膜方法は,前述のように真空成膜法,電気メッキ,熔融はんだメッキ,半田クリームの印刷後のリフロー熔融などのプロセスを利用できる。
When joining the individual device substrates 11, the tin-based metal films 4a and 4b need to have a sufficient thickness of 0.5 μm so as not to be affected by flatness such as undulation of the substrate surface. More preferably, it is 1 μm or more.
As described above, processes such as vacuum film formation, electroplating, molten solder plating, and reflow melting after printing of solder cream can be used as the film forming method.

図4は,スズ系金属膜4a.4bを有する個片デバイス基板11同士を接合する例であって,加温が可能なステージSに当該個片デバイス基板11を必要数量整列させる。ギ酸還元による接合の場合は,このステージS全体が真空チャンバー内にセットされ,真空状態とする。例えばチャンバー真空度を20〜100Paとし,この状態で窒素ガスをキャリアガスとしてギ酸を導入する。温度160℃程度からギ酸は分解してCO2と活性水素Hとなり,当該活性水素がスズ膜表面の酸化スズ(SnO2)を還元してSnとH2Oとなる。この状態で融点231℃以上の温度でスズ金属膜4a,4bが熔融し,圧力Gを印加することで接合する。   FIG. 4 is an example in which the individual device substrates 11 having the tin-based metal films 4a and 4b are joined to each other, and the required number of individual device substrates 11 are arranged on a stage S that can be heated. In the case of bonding by formic acid reduction, the entire stage S is set in a vacuum chamber and brought into a vacuum state. For example, the chamber vacuum is set to 20 to 100 Pa, and in this state, formic acid is introduced using nitrogen gas as a carrier gas. At a temperature of about 160 ° C., formic acid is decomposed into CO2 and active hydrogen H, and the active hydrogen reduces tin oxide (SnO2) on the tin film surface to form Sn and H2O. In this state, the tin metal films 4a and 4b are melted at a temperature of 231 ° C. or higher, and are joined by applying a pressure G.

図5および図6は,めっきスズ表面とその下部2 nm程度の状態をX線光電子分光分析で分析した結果である(ULVAC-PHI社,PHI-5000 VersaProbe,加速電圧2kV,Ar)。図5は酸素原子のスペクトルO1s,図6はスズ原子のスペクトルSn3dの変化を示したものであり,最表面は酸化膜となっているが,すぐ下部は酸素が全くなく金属スズであることがわかる。したがって,表面の2 nm程度の還元によって金属スズとなり,相互に金属結合を形成することができる。   5 and 6 show the results of X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the state of the plated tin surface and its lower part of about 2 nm (ULVAC-PHI, PHI-5000 VersaProbe, acceleration voltage 2 kV, Ar). Fig. 5 shows the change in the spectrum O1s of oxygen atoms, and Fig. 6 shows the change in the spectrum Sn3d of tin atoms. The outermost surface is an oxide film, but the lower part is metal tin without oxygen at all. Understand. Therefore, the surface is reduced to about 2 nm to form metallic tin, and a metal bond can be formed with each other.

スズ金属の融点231℃をさらに低温度にするために,低融点のスズ合金を使用することができる。例えば,ビスマス(Bi)58重量部とスズ(Sn)42重量部の合金はBiSn42と呼ばれ,融点は約139℃である。したがって,ギ酸の分解温度である約160℃程度のプロセス温度で接合することができる。このようなスズ合金を真空成膜することは一般的ではなく,クリームはんだや,熔融ハンダ浴による熔融めっき処理を使用する。   To lower the melting point of tin metal to 231 ° C., a tin alloy with a low melting point can be used. For example, an alloy of 58 parts by weight of bismuth (Bi) and 42 parts by weight of tin (Sn) is called BiSn42 and has a melting point of about 139 ° C. Therefore, bonding can be performed at a process temperature of about 160 ° C., which is the decomposition temperature of formic acid. It is not common to form such a tin alloy in a vacuum film formation, and a cream solder or a hot-dip plating process using a molten solder bath is used.

例えば,BiSn42をベースとしたクリームはんだは,SB6-HLGQ-20(ニホンゲンマ製,Sn-57Bi-0.4Ag+α)などが使用でき,シルク印刷やジェットディスペンサーによって基板表面に適量塗布し,基板温度を昇温速度2〜4℃/秒で,170〜200℃にすることでリフローしスズ合金膜にすることができる。クリームはんだには,熔融接合時に個片デバイス基板間の平行度や間隙寸法を一定にするためにスペーサーを混入することができる。スペーサーは有機系ではなく,金属粒子やガラス,セラミックなどを使用することができ,例えば本発明の試作ではシリカ系粒子である真絲球SW5.0μm(日揮触媒化成製)を使用した。   For example, SB6-HLGQ-20 (Sn-57Bi-0.4Ag + α) etc. can be used for cream solder based on BiSn42. Apply the appropriate amount to the board surface by silk printing or jet dispenser, and raise the board temperature. At a rate of 2 to 4 ° C / sec and a temperature of 170 to 200 ° C, reflow can be performed to form a tin alloy film. A spacer can be mixed into the cream solder to keep the parallelism and the gap size between the individual device substrates at the time of fusion bonding. The spacer may be made of metal particles, glass, ceramic, or the like, instead of an organic material. For example, in the trial production of the present invention, a silica-based particle, Shinshi Ball SW5.0 μm (manufactured by JGC Catalysts & Chemicals, Inc.) was used.

前項で作成した個片デバイス基板は,ギ酸還元接合によって,基板同士を積層接合できる。この際,リフローで銅膜上に形成したスズ系金属膜は,厚膜で形成することが容易であるため,基板の平坦性のばらつきを吸収する余裕度が高いため,両面に形成せず片面だけでもよい。片側の銅膜も表面は2~3nmの酸化銅膜であり,スズ金属表面と同様にギ酸によって容易に還元される(データ図示無し)。   The individual device substrates prepared in the preceding section can be stacked and bonded together by formic acid reduction bonding. At this time, since the tin-based metal film formed on the copper film by reflow is easy to form with a thick film, there is a high margin for absorbing variations in flatness of the substrate. Or just The surface of the copper film on one side is also a copper oxide film with a thickness of 2 to 3 nm, and is easily reduced by formic acid like the tin metal surface (data not shown).

本発明は,空中に映像を結像させる光学結像装置に用いる光制御パネルに使用するユニットの製造方法等に適用可能である。   INDUSTRIAL APPLICATION This invention is applicable to the manufacturing method of the unit used for the light control panel used for the optical imaging apparatus which forms an image in the air, etc.

1 ガラス基板 2a・2b 反射膜 3 微粘着シート 4a・4b 銅薄膜 5a・5b スズ系金属薄膜 6 接着剤 7 スペーサー
8 接合部10 個片デバイス基板 11 個片デバイス基板B ブレーキングステージ D スクライビングヘッド F ブレーキング圧力 G 接合加圧 S 加温加圧ステージ
1 Glass substrate 2a ・ 2b Reflective film 3 Slight adhesive sheet 4a ・ 4b Copper thin film 5a ・ 5b Tin-based metal thin film 6 Adhesive 7 Spacer
8 Bonding part 10-piece device board 11-piece device board B Breaking stage D Scribing head F Breaking pressure G Joint pressurization S Heating pressurizing stage

Claims (7)

大型ガラス基板の片側全面に金属反射膜を成膜し,個片デバイス基板の外形カットラインに沿って当該金属反射膜を除去後,反対面に形成した金属反射膜全体に微粘着シートを貼合する。カットラインに沿ってガラス表面を割断し,微粘着シートから個片デバイス基板を分離後,有機系接着剤により当該個片同士を接合する,もしくは最上層に設けた低融点合金層間を接合する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。 A metal reflective film is formed on the entire surface of one side of a large glass substrate, the metal reflective film is removed along the external cut line of the individual device substrate, and a slight adhesive sheet is bonded to the entire metal reflective film formed on the opposite surface. I do. After cutting the glass surface along the cut line and separating the individual device substrate from the micro-adhesive sheet, light is used to join the individual devices with an organic adhesive or to join the low melting point alloy layers provided on the top layer. A method of manufacturing a control panel unit, and a light control panel using the same. 直径もしくは断面径が1〜500μmの有機ポリマー粒子,もしくはガラス繊維,もしくはセラミック粒子からなるスペーサーを,紫外線硬化型,熱硬化型,Bステージ型,もしくはそれらの複合型である有機系接着剤固形物中に,0.01wt%以上含まれることを特徴とする請求項1に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。   Organic polymer particles with a diameter or cross-sectional diameter of 1 to 500 μm, or spacers made of glass fibers or ceramic particles, are cured by ultraviolet curing, thermosetting, B-stage, or a combination of these types of organic adhesive solids 2. The method for producing a light control panel unit according to claim 1, wherein the light control panel contains 0.01 wt% or more, and a light control panel using the same. 個片デバイス間を接合する有機系透明接着剤中に混入するスペーサー径を,個片デバイス基板間で変える,もしくはガラス導光体の厚さを変えることにより基板の整列ピッチを変化させ,光学干渉による画質劣化を防止したことを特徴とする請求項2に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。   By changing the spacer diameter mixed in the organic transparent adhesive that bonds between individual devices between individual device substrates, or by changing the thickness of the glass light guide, the alignment pitch of the substrates is changed, and optical interference occurs. 3. The method for manufacturing a light control panel unit according to claim 2, wherein the image quality is prevented from being degraded by the light control panel, and the light control panel using the same. ガラス基板表面に成膜した金属反射膜の最上層に0.5〜30μm厚さのスズ系金属層を形成して個片デバイス基板をつくり,スズ系金属表面を還元して当該個片デバイス基板間を熔融接合することによって積層されたことを特徴とする請求項1に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。   A tin-based metal layer with a thickness of 0.5 to 30 μm is formed on the uppermost layer of the metal reflection film formed on the glass substrate surface to create an individual device substrate, and the tin-based metal surface is reduced to reduce the distance between the individual device substrates. 2. The method for manufacturing a light control panel unit according to claim 1, wherein the light control panel is laminated by fusion bonding, and a light control panel using the same. 金属反射膜上の上層金属が金属反射膜およびスズ系はんだと金属結合が可能な金属であって,当該金属膜上にスズ系はんだクリームを適量塗布し,各個片デバイス基板を接合した状態でスズ系はんだクリームを熔融し接合することにより積層されたことを特徴とする請求項1に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。   The upper layer metal on the metal reflection film is a metal that can be metal-bonded with the metal reflection film and the tin-based solder, and an appropriate amount of tin-based solder cream is applied on the metal film, and tin is applied in a state where the individual device substrates are joined. 2. The method of manufacturing a light control panel unit according to claim 1, wherein the solder paste is laminated by melting and joining the solder pastes, and the light control panel using the same. スズ系合金はんだクリーム内に,直径が1〜30μmのガラス粒子もしくは金属粒子,もしくはセラミック粒子によるスペーサーを0.01wt%以上分散含有し,個片デバイス基板の積層ギャップを一定にし,さらには個片基板間の整列ピッチを変えたことを特徴とする請求項5に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。 The tin-based alloy solder cream contains 0.01wt% or more of glass, metal, or ceramic spacers dispersed in a diameter of 1 to 30μm to keep the stacking gap of individual device substrates constant, 6. The method for manufacturing a light control panel unit according to claim 5, wherein an alignment pitch between the light control panels is changed, and a light control panel using the same. 個片デバイス間をスズ系金属で接合してなる積層体において,ガラス導光体の厚さを変えることにより整列ピッチを変化させることで,光学干渉による画質劣化を防止したことを特徴とする請求項4〜6に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法,およびそれを使用した光制御パネル。   In a laminated body in which individual devices are joined with a tin-based metal, image quality degradation due to optical interference is prevented by changing the alignment pitch by changing the thickness of the glass light guide. Item 7. A method for manufacturing a light control panel unit according to any one of Items 4 to 6, and a light control panel using the same.
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