JP2020016619A - Pressure sensor - Google Patents
Pressure sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020016619A JP2020016619A JP2018141768A JP2018141768A JP2020016619A JP 2020016619 A JP2020016619 A JP 2020016619A JP 2018141768 A JP2018141768 A JP 2018141768A JP 2018141768 A JP2018141768 A JP 2018141768A JP 2020016619 A JP2020016619 A JP 2020016619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- diaphragm
- pressure sensor
- region
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L7/00—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
- G01L7/02—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
- G01L7/08—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ピエゾ抵抗素子を有する圧力センサに関する。 The present invention relates to a pressure sensor having a piezoresistive element.
ピエゾ抵抗式圧力センサは、圧力室の壁の一部を構成するダイアフラムと、このダイアフラムに設けられたピエゾ抵抗素子からなるセンサゲージとを備えている。この圧力センサにおいては、ダイアフラムの周辺部に発生する応力の変化をセンサゲージの抵抗値の変化として検知する。この圧力センサにおいて、感度を向上させるためには、ダイアフラムのアスペクト比(直径/厚み)を大きくして発生する応力の大きさを大きくすることが有効である。このように感度向上を図るにあたっては、ダイアフラムの全体のアスペクト比を大きくすることが好ましい。しかし、例えば特許文献1に記載されているように、ダイアフラムの一部を他の部分より薄く形成することにより部分的にアスペクト比を大きくしても実現可能である。
The piezoresistive pressure sensor includes a diaphragm that forms a part of a wall of the pressure chamber, and a sensor gauge that includes a piezoresistive element provided on the diaphragm. In this pressure sensor, a change in stress generated in the periphery of the diaphragm is detected as a change in the resistance value of the sensor gauge. In this pressure sensor, in order to improve the sensitivity, it is effective to increase the aspect ratio (diameter / thickness) of the diaphragm to increase the magnitude of the generated stress. In order to improve the sensitivity in this way, it is preferable to increase the overall aspect ratio of the diaphragm. However, as described in
特許文献1に開示された圧力センサは、圧力室となる凹陥部を有するシリコン基板と、このシリコン基板に接合されて凹陥部の開口部分を閉塞するダイアフラムとを有している。このダイアフラムの感圧部には、感度向上を図るために凹部が設けられている。この凹部は、感圧部の表面と裏面とのうちシリコン基板とは反対側となる表面に段差が生じる形状に形成されている。このように凹部が形成されることによって、感圧部に部分的に厚みが薄い領域が形成されて感度向上が図られる。
この圧力センサのピエゾ抵抗素子は、上述した凹部とともに感圧部の上記表面に設けられている。
一般的に、ダイアフラムのピエゾ抵抗素子が設けられている表面は、酸化膜で覆われていることが多い。
The pressure sensor disclosed in
The piezoresistive element of the pressure sensor is provided on the surface of the pressure-sensitive portion together with the recess.
Generally, the surface of the diaphragm on which the piezoresistive element is provided is often covered with an oxide film.
特許文献1に開示された圧力センサでは、ピエゾ抵抗素子と同一の表面上に凹部が形成されていることが原因で問題が生じる。すなわち、ダイアフラムが外力で押されて撓むときと、自らのばね力で戻るときとにおいて、ダイアフラムの表面に生じる応力が異なるようになり、圧力センサの出力値のヒステリシスが大きくなるおそれがあった。
In the pressure sensor disclosed in
また、この圧力センサにおいては、ダイアフラムの凹部の開口部分を覆う酸化膜に角が形成されることがあり、ダイアフラムが変形することによってこの角に応力が集中して酸化膜にクラックが生じるおそれがある。酸化膜にクラックが生じると、外来の例えばナトリウムイオンやカリウムイオンなどから圧力センサを保護することができなくなる。
さらに、特許文献1に示す圧力センサでは、感度を高くするためにダイアフラムが撓み易くなるから、過大な圧力がダイアフラムに作用したときにダイアフラムが破損するおそれがあった。
Further, in this pressure sensor, a corner may be formed in the oxide film covering the opening of the concave portion of the diaphragm, and stress may be concentrated on the corner due to deformation of the diaphragm, and a crack may occur in the oxide film. is there. If a crack occurs in the oxide film, it becomes impossible to protect the pressure sensor from foreign substances such as sodium ions and potassium ions.
Furthermore, in the pressure sensor disclosed in
本発明の第1の目的は、出力値のヒステリシスが小さくなるとともに表面を保護膜で確実に覆って保護することが可能な高感度の圧力センサを提供することである。第2の目的は、感度が高くなる構成を採りながら、ダイアフラムが破損することを防ぐことが可能な圧力センサを提供することである。 A first object of the present invention is to provide a high-sensitivity pressure sensor that can reduce the hysteresis of an output value and can reliably cover and protect the surface with a protective film. A second object is to provide a pressure sensor capable of preventing a diaphragm from being damaged while adopting a configuration in which sensitivity is increased.
この目的を達成するために、本発明に係る圧力センサは、感圧部を有するダイアフラムを備え、前記感圧部は、表面と裏面とのうち一方の面に凹部が形成されることにより厚みが厚い領域と薄い領域とに分けられ、前記感圧部の厚みが厚い領域であって、表面と裏面とのうち前記凹部が形成されていない面にピエゾ抵抗素子を含むセンサゲージが設けられているものである。 To achieve this object, a pressure sensor according to the present invention includes a diaphragm having a pressure-sensitive portion, and the pressure-sensitive portion has a thickness by forming a concave portion on one of a front surface and a back surface. A sensor gauge including a piezoresistive element is provided on a region where the thickness of the pressure-sensitive portion is thick, where the concave portion is not formed among the front surface and the back surface. Things.
本発明は、前記圧力センサにおいて、前記厚みが厚い領域は、前記ダイアフラムの厚み方向から見て前記感圧部の中心と、前記中心から離間した複数の端部とを結ぶ形状に形成され、前記複数の端部は、前記ダイアフラムの厚み方向から見て前記センサゲージの形成範囲より大きく形成され、前記センサゲージは、前記複数の端部にそれぞれ設けられていてもよい。 According to the present invention, in the pressure sensor, the thick region is formed in a shape that connects a center of the pressure-sensitive portion as viewed from a thickness direction of the diaphragm and a plurality of ends separated from the center, The plurality of ends may be formed to be larger than the formation range of the sensor gauge when viewed from the thickness direction of the diaphragm, and the sensor gauge may be provided at each of the plurality of ends.
本発明は、前記圧力センサにおいて、前記厚みが厚い領域における前記センサゲージが設けられていない部分は、前記ダイアフラムの厚み方向から見て、前記センサゲージが設けられている部分に較べて細く形成されていてもよい。 According to the present invention, in the pressure sensor, a portion where the sensor gauge is not provided in the thick region is formed thinner than a portion where the sensor gauge is provided when viewed from the thickness direction of the diaphragm. May be.
本発明は、前記圧力センサにおいて、さらに、前記ダイアフラムの前記凹部が形成されていない面に接合されたストッパ部材を備え、前記ストッパ部材は、前記感圧部と対向する部位に凹曲面によって形成された凹部を有し、前記凹部は、変形した前記感圧部に倣う形状に形成されていてもよい。 The present invention provides the pressure sensor, further comprising a stopper member joined to a surface of the diaphragm where the concave portion is not formed, wherein the stopper member is formed by a concave curved surface at a portion facing the pressure-sensitive portion. The concave portion may be formed in a shape following the deformed pressure-sensitive portion.
本発明は、前記圧力センサにおいて、前記ストッパ部材は、前記凹部の内外を連通する連通孔を有し、前記感圧部は、変形することにより前記厚みが厚い領域が前記連通孔と重なるように形成されていてもよい。 According to the present invention, in the pressure sensor, the stopper member has a communication hole communicating between the inside and the outside of the recess, and the pressure-sensitive portion is deformed so that the thick region overlaps with the communication hole. It may be formed.
本発明によれば、ダイアフラムに厚みが薄い領域を形成するための凹部とセンサゲージとがダイアフラムの一方の面と他方の面とに振り分けて形成されており、センサゲージが設けられている面が平坦面になる。このため、ダイアフラムが外力で押されて撓むときと、自らのばね力で戻るときとにおいて、ダイアフラムのセンサゲージが設けられている面に生じる応力に違いが生じ難くなる。
センサゲージが設けられている面を保護膜で覆うにあたって、保護膜に角部が形成されることがなく、応力が集中することがない。このため、圧力センサの保護を十分に行うことが可能になる。
したがって、本発明によれば、出力値のヒステリシスが小さくなるとともに、表面を保護膜で確実に覆って保護することが可能な高感度の圧力センサを提供することができる。
According to the present invention, the concave portion and the sensor gauge for forming the thin region in the diaphragm are formed separately on one surface and the other surface of the diaphragm, and the surface on which the sensor gauge is provided is formed. Become a flat surface. For this reason, when the diaphragm is pressed by an external force and bends, and when the diaphragm returns by its own spring force, a difference in stress generated on the surface of the diaphragm on which the sensor gauge is provided is less likely to occur.
When the surface on which the sensor gauge is provided is covered with the protective film, no corner is formed on the protective film, and no stress is concentrated. Therefore, it is possible to sufficiently protect the pressure sensor.
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a high-sensitivity pressure sensor in which the hysteresis of the output value is reduced and the surface is reliably covered with the protective film for protection.
(第1の実施の形態)
以下、本発明に係る圧力センサの一実施の形態を図1〜図3を参照して詳細に説明する。図1の破断位置は、図2中にI−I線によって示した位置である。
図1に示す圧力センサ1は、図1において下側に位置するベース部材2と、このベース部材2に接合されたダイアフラム3と、このダイアフラム3に接合されたストッパ部材4とを備えている。図1は、圧力センサ1の中心線Cから一側方に位置する半分のみを図示している。この圧力センサ1の構成部品を説明するにあたっては、便宜上、図1の上側に位置する面を上面といい、図1において下側に位置する面を下面という。
(First Embodiment)
Hereinafter, an embodiment of a pressure sensor according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 is the position shown by the II line in FIG.
The
ベース部材2は、例えばシリコンによって板状に形成され、幅方向の中央部に凹陥部5が形成されている。ベース部材2の形状は、厚み方向から見て四角形である。
凹陥部5は、圧力センサ1内に圧力室6を形成するためにベース部材2に設けられており、ベース部材2の上面に開口している。凹陥部5の形状は、ベース部材2の厚み方向から見て円形である。このベース部材2の幅方向の中央部には、圧力室6内に被測定圧力を導入するための貫通孔7が穿設されている。
The
The
ダイアフラム3は、例えばシリコンによって板状に形成され、ベース部材2の上面2aに接合されている。このダイアフラム3は、圧力室6の壁の一部となる感圧部11と、ベース部材2に接合される接合部12とによって構成されている。感圧部11は、ダイアフラム3の厚み方向から見て、凹陥部5と同一軸線上に位置する円形に形成されている。
ダイアフラム3の感圧部11は、表面と裏面とのうち一方の面(図1においては凹陥部5と対向する下面11a)に複数の凹部13が形成されている。この実施の形態による凹部13は、図2に示すように、感圧部11の中心Pの周囲の4箇所に設けられている。
The
The pressure-
このように凹部13が感圧部11に形成されていることにより、感圧部11は、図2に示すように、凹部13と一致する領域である厚みが薄い領域Aと、凹部13が形成されていない領域である厚みが厚い領域Bとに分けられている。以下においては、厚みが薄い領域を単に薄い領域Aといい、厚みが厚い領域を単に厚い領域Bという。
凹部13は、感圧部11の下面に例えばドライエッチングを施すことによって、所定の形状、深さに形成することができる。
Since the
The
感圧部11の厚い領域Bは、ダイアフラム3の厚み方向から見て感圧部11の中心Pと、この中心Pから離間した複数の端部とを結ぶ形状に形成されている。この実施の形態による複数の端部は、図2において上下方向の両端部E1,E2と、左右方向の両端部E3,E4である。このため、感圧部11の厚い領域Bは、ダイアフラム3の厚み方向から見て十字状に形成されている。この実施の形態による厚い領域Bは、中心に位置する円形部14と、この円形部14から上下方向と左右方向とに延びる4本の帯状部15とによって構成されている。
The thick region B of the pressure-
帯状部15の幅(長手方向とは直交する方向であって下面11aに沿う方向の幅)は、円形部14から離れるにしたがって次第に広くなっている。
図1に示すように、感圧部11の厚い領域Bであって、表面と裏面とのうち凹部13が形成されていない面(図1においては上面11b)には、ピエゾ抵抗素子を含むセンサゲージ21が設けられている。このセンサゲージ21は、図2に示すように、上述した4箇所の端部E1〜E4にそれぞれ設けられている。4箇所の端部E1〜E4は、ダイアフラム3の厚み方向から見てセンサゲージ21の形成範囲より大きく形成されている。
センサゲージ21が形成されている部分を含めてダイアフラム3の上面3aには、図示してはいないが、酸化膜などの保護膜が設けられている。
The width of the band-like portion 15 (the width in the direction orthogonal to the longitudinal direction and along the
As shown in FIG. 1, a sensor including a piezoresistive element is provided in a thick region B of the pressure-
Although not shown, a protective film such as an oxide film is provided on the
ストッパ部材4は、例えばシリコンによって板状に形成され、ダイアフラム3の上面3aに接合されている。
このストッパ部材4は、ダイアフラム3の感圧部11と対向する部位に凹曲面によって形成された凹部22を有している。
凹部22は、ストッパ部材4の厚み方向から見て円形に形成されている。また、凹部22を構成する凹曲面は、いわゆる非球面で、ダイアフラム3の感圧部11が圧力室6内の圧力によって押されて変形したときの感圧部11に倣う形状に形成されている。このため、感圧部11は、圧力室6内の圧力で押されて変形することによって、その上面11bの全域が凹部22の凹曲面に密着するようになる。このような凹部22は、例えばドライエッチングによって形成することができる。
The
The
The
ストッパ部材4の幅方向の中央部には、凹部22の内外を連通する連通孔23が穿設されている。この圧力センサ1を使用するときに凹部22内に気体や流体が入る場合には、この気体や液体が凹部22の容積変化に伴って連通孔23を通るようになる。
感圧部11が凹部22の凹曲面に密着する状態においては、感圧部11の中央部、すなわち厚い領域Bの円形部14が連通孔23と重なる。円形部14は、ダイアフラム3の厚み方向において、連通孔23より大きいから、上述したように感圧部11が凹曲面に密着するときには連通孔23の開口部分を覆うようになる。
At the center in the width direction of the
When the pressure-
次に、この実施の形態による圧力センサ1の製造方法を図3(A)〜(D)を用いて詳細に説明する。
圧力センサ1を製造するためは、先ず、図3(A)に示すように、ダイアフラム3の母材であるシリコンウェハ31の上面31aにセンサゲージ21を形成し、このシリコンウェハ31の上面31aにストッパ部材4を接合する。なお、図示してはいないが、センサゲージ21に接続する配線は、ストッパ部材4がシリコンウェハ31に接合される以前にシリコンウェハ31の上面31aに形成される。シリコンウェハ31の上面31aには、センサゲージ21や配線が設けられた後に酸化膜などの保護膜が設けられる。
Next, a method of manufacturing the
In order to manufacture the
次に、シリコンウェハ31の下面31bを研削し、図3(B)に示すように、シリコンウェハ31から薄いダイアフラム3を形成する。この研削加工は、ストッパ部材4を介してシリコンウェハ31を支持した状態で行うことができる。その後、図3(C)に示すように、ダイアフラム3の下面3bに複数の凹部13を形成する。このように凹部13が形成された後、図3(D)に示すように、ダイアフラム3の下面3bにベース部材2を接合することによって、圧力センサ1が完成する。
Next, the
このように構成された圧力センサ1においては、ダイアフラム3に複数の薄い領域Aが設けられているために感度が高くなる。また、ダイアフラム3に薄い領域Aを形成するための凹部13とセンサゲージ21とがダイアフラム3の一方の面(感圧部11の下面11a)と他方の面(感圧部11の上面11b)とに振り分けて形成されている。このため、ダイアフラム3が外力で押されて撓むときと、自らのばね力で戻るときとにおいて、センサゲージ21が設けられている感圧部11の上面11bに生じる応力に違いが生じ難くなる。
In the
センサゲージ21が設けられている感圧部11の上面11bは、平坦面によって形成されているから、この上面11bを保護膜で覆うにあたって、保護膜に角部が形成されることがなく、応力が集中することがない。このため、圧力センサ1の保護を十分に行うことが可能になる。
したがって、この実施の形態によれば、出力値のヒステリシスが小さくなるとともに、表面を保護膜で確実に覆って保護することが可能な高感度の圧力センサを提供することができる。
Since the
Therefore, according to this embodiment, it is possible to provide a high-sensitivity pressure sensor that can reduce the hysteresis of the output value and can surely cover and protect the surface with the protective film.
この実施の形態によるダイアフラム3の厚みが厚い領域Bは、ダイアフラム3の厚み方向から見て感圧部11の中心Pと、この中心Pから離間した複数の端部E1〜E4とを結ぶ形状に形成されている。複数の端部E1〜E4は、ダイアフラム3の厚み方向から見てセンサゲージ21の形成範囲より大きく形成されている。センサゲージ21は、複数の端部E1〜E4にそれぞれ設けられている。
このため、複数のピエゾ抵抗素子を使用して圧力を高い精度で検出可能な圧力センサを提供することができる。
The region B where the thickness of the
For this reason, it is possible to provide a pressure sensor capable of detecting pressure with high accuracy using a plurality of piezoresistive elements.
この実施の形態による圧力センサ1は、ダイアフラム3の上面3a(凹部13が形成されていない面)に接合されたストッパ部材4を備えている。ストッパ部材4は、感圧部11と対向する部位に凹曲面によって形成された凹部22を有している。凹部22は、変形した感圧部11に倣う形状に形成されている。
このため、ダイアフラム3の感圧部11に圧力室6側から過大な圧力が加えられた場合は、感圧部11がストッパ部材4の凹部22に密着し、それ以上の感圧部11の変形が規制される。したがって、感度が高くなる構成を採りながら、ダイアフラム3が破損することを防ぐことが可能な圧力センサを提供することができる。
The
For this reason, when excessive pressure is applied to the pressure-
この実施の形態によるストッパ部材4は、凹部13の内外を連通する連通孔23を有している。ダイアフラム3の感圧部11は、この感圧部11が変形することにより厚い領域B(円形部14)が連通孔23と重なるように形成されている。感圧部11が変形して凹部22の凹曲面に密着する状態においては、感圧部11における連通孔23と重なる部分がストッパ部材4によって支えられない状態となる。しかし、感圧部11において連通孔23と重なる部分は、厚い領域Bであるから、連通孔23内に不必要に入り込むようなことはない。したがって、連通孔23を有しているにもかかわらず、感圧部11の過度の変形を阻止することができる。
The
(第2の実施の形態)
本発明に係る圧力センサは、図4および図5に示すように、第1の実施の形態で示したストッパ部材を使用することなく実現することができる。図4および図5において、図1〜図3によって説明したものと同一もしくは同等の部材については、同一符号を付し詳細な説明を適宜省略する。
(Second embodiment)
As shown in FIGS. 4 and 5, the pressure sensor according to the present invention can be realized without using the stopper member shown in the first embodiment. 4 and 5, the same or equivalent members as those described with reference to FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description will be appropriately omitted.
図4に示す圧力センサ41は、ベース部材2と、このベース部材2の上面2aに接合されたダイアフラム3とによって構成されている。ダイアフラム3は、第1の実施の形態を採るときと較べて上下方向を逆にした状態でベース部材2に接合されている。
この実施の形態による凹部13は、ダイアフラム3の上面3aに形成されている。ピエゾ抵抗素子を含むセンサゲージ21は、ダイアフラム3の下面3bに設けられている。凹部13と同一位置にある厚みが薄い領域Aの構成と、凹部13が形成されていない厚みが厚い領域Bの構成は、第1の実施の形態を採るときと同一である。
The
The
この圧力センサ41を製造するためには、先ず、図5(A)に示すように、シリコンウェハ31の下面31bにセンサゲージ21と図示していない配線および保護膜などを形成し、このシリコンウェハ31の下面31bにベース部材2を接合する。そして、シリコンウェハ31の上面31aを研削し、図5(B)に示すようにダイアフラム3を形成する。しかる後、図5(C)に示すように、ダイアフラム3の上面3aに凹部13を形成する。このように凹部13が形成されることによって圧力センサ41が完成する。
In order to manufacture the
この実施の形態においても、ダイアフラム3の感圧部11の一方の面(上面11b)に凹部13が形成されて他方の面(下面11a)にセンサゲージ21が設けられているから、第1の実施の形態を採る場合と同様に、出力値のヒステリシスが小さくなるとともに、表面を保護膜で確実に覆って保護することが可能な高感度の圧力センサを提供することができる。
Also in this embodiment, the
(第3の実施の形態)
ダイアフラムの感圧部の厚い領域は、図6および図7に示すように形成することができる。図6および図7において、図1〜図3によって説明したものと同一もしくは同等の部材については、同一符号を付し詳細な説明を適宜省略する。
図6に示すダイアフラム3の感圧部11には、ダイアフラム3の厚み方向から見て十字状に厚い領域Bが形成されている。この厚い領域Bの4本の帯状部15は、センサゲージ21が設けられている外側部分15aと、センサゲージ21が設けられていない内側部分15bとで幅が異なっている。すなわち、センサゲージ21が設けられていない内側部分15bは、ダイアフラム3の厚み方向から見て、センサゲージ21が設けられている外側部分15aに較べて細く形成されている。外側部分15aと内側部分15bとの境界部分は、傾斜面によって形成されている。
(Third embodiment)
The thick region of the pressure sensitive portion of the diaphragm can be formed as shown in FIGS. 6 and 7, members that are the same as or equivalent to those described with reference to FIGS. 1 to 3 are given the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted as appropriate.
In the pressure-
このように帯状部15の内側部分15bを外側部分15aより細く形成して圧力センサ1の出力を測定する実験を行ったところ、内側部分15bの形状や大きさに応じて出力が変わることが判った。
この実験は、図7に示すように、長さL1,L2、幅H1,H2を定めて行った。長さL1は、感圧部11の中心Pからの内側部分15bの長さである。長さL2は、感圧部11の中心Pから外側部分15aの最も内側となる位置までの長さである。内側部分15bの幅H1は、内側部分15bの幅の1/2である。幅H2は、外側部分15aの幅の1/2である。この実験は、幅H2を一定として行った。
An experiment was conducted to measure the output of the
In this experiment, as shown in FIG. 7, lengths L1 and L2 and widths H1 and H2 were determined. The length L1 is the length of the
出力が最大になるときの長さL1は、図8に示すように、0に近いことが判った。長さL1が0である場合(内側部分15bが形成されていない場合)は、出力が増大することはない。
出力が最大になるときの長さL2は、図9に示すように、0に近く、出力が最大になる長さL1より僅かに長いことが判った。
出力が最大になるときの幅H1は、図10に示すように、最大幅と最小幅との間に存在することが判った。
It has been found that the length L1 when the output is maximized is close to 0 as shown in FIG. When the length L1 is 0 (when the
As shown in FIG. 9, the length L2 when the output is maximized is close to 0, and is slightly longer than the length L1 where the output is maximized.
It has been found that the width H1 at which the output is maximized is between the maximum width and the minimum width, as shown in FIG.
したがって、帯状部15のセンサゲージ21が設けられていない内側部分15bをセンサゲージ21が設けられている外側部分15aに較べて細く形成することにより、ダイアフラム3で発生する応力を最大化することができ、圧力センサ1の出力を最大にすることができる。
Therefore, by forming the
(ダイアフラムの変形例)
ダイアフラム3の感圧部11の厚い領域Bの形状は、適宜変更することが可能である。帯状部15は、例えば図11〜図13に示すように形成することができる。
図11に示す厚い領域Bは、ダイアフラム3の厚み方向から見て十字状に形成されている。この厚い領域Bを構成する4本の帯状部15は、形成範囲の全域にわたって幅が一定になるように形成されている。
(Modified example of diaphragm)
The shape of the thick region B of the pressure-
The thick region B shown in FIG. 11 is formed in a cross shape when viewed from the thickness direction of the
図12に示す厚い領域Bは、ダイアフラム3の厚み方向から見てI字状に形成されている。
図13に示す厚い領域Bは、ダイアフラム3の厚み方向から見てL字状に形成されている。
厚い領域Bを図11〜図13に示すように形成したとしても、上述した各実施の形態を採る場合と同様に、出力値のヒステリシスが小さくなるとともに、表面を保護膜で確実に覆って保護することが可能な高感度の圧力センサが得られる。
The thick region B shown in FIG. 12 is formed in an I shape when viewed from the thickness direction of the
The thick region B shown in FIG. 13 is formed in an L shape when viewed from the thickness direction of the
Even when the thick region B is formed as shown in FIGS. 11 to 13, the hysteresis of the output value is reduced and the surface is reliably covered with the protective film as in the case of each of the above-described embodiments. A high-sensitivity pressure sensor is obtained.
1…圧力センサ、3…ダイアフラム、4…ストッパ部材、11…感圧部、11a…下面(一方の面)、11b…上面(凹部が形成されていない面)、13…凹部、15a…外側部分(センサゲージが設けられている部分)、15b…内側部分(センサゲージが設けられていない部分)、21…センサゲージ、23…連通孔、A…厚みが薄い領域、B…厚みが厚い領域、E1〜E4…端部。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記感圧部は、表面と裏面とのうち一方の面に凹部が形成されることにより厚みが厚い領域と薄い領域とに分けられ、
前記感圧部の厚みが厚い領域であって、表面と裏面とのうち前記凹部が形成されていない面にピエゾ抵抗素子を含むセンサゲージが設けられていることを特徴とする圧力センサ。 Equipped with a diaphragm having a pressure-sensitive part,
The pressure-sensitive portion is divided into a thick region and a thin region by forming a concave portion on one of the front surface and the back surface,
A pressure sensor, wherein a sensor gauge including a piezoresistive element is provided in a region where the concave portion is not formed among a front surface and a rear surface in a region where the thickness of the pressure-sensitive portion is large.
前記厚みが厚い領域は、前記ダイアフラムの厚み方向から見て前記感圧部の中心と、前記中心から離間した複数の端部とを結ぶ形状に形成され、
前記複数の端部は、前記ダイアフラムの厚み方向から見て前記センサゲージの形成範囲より大きく形成され、
前記センサゲージは、前記複数の端部にそれぞれ設けられていることを特徴とする圧力センサ。 The pressure sensor according to claim 1,
The thick region is formed in a shape that connects the center of the pressure-sensitive portion as viewed from the thickness direction of the diaphragm and a plurality of ends separated from the center,
The plurality of ends are formed to be larger than the formation range of the sensor gauge when viewed from the thickness direction of the diaphragm,
The pressure sensor, wherein the sensor gauge is provided at each of the plurality of ends.
前記厚みが厚い領域における前記センサゲージが設けられていない部分は、前記ダイアフラムの厚み方向から見て、前記センサゲージが設けられている部分に較べて細く形成されていることを特徴とする圧力センサ。 The pressure sensor according to claim 2,
A pressure sensor in which a portion where the sensor gauge is not provided in a region where the thickness is large is formed to be thinner than a portion where the sensor gauge is provided when viewed from a thickness direction of the diaphragm. .
さらに、前記ダイアフラムの前記凹部が形成されていない面に接合されたストッパ部材を備え、
前記ストッパ部材は、前記感圧部と対向する部位に凹曲面によって形成された凹部を有し、
前記凹部は、変形した前記感圧部に倣う形状に形成されていることを特徴とする圧力センサ。 The pressure sensor according to any one of claims 1 to 3,
Further, a stopper member joined to a surface of the diaphragm where the concave portion is not formed,
The stopper member has a concave portion formed by a concave curved surface at a portion facing the pressure-sensitive portion,
The pressure sensor is characterized in that the recess is formed in a shape following the deformed pressure-sensitive portion.
前記ストッパ部材は、前記凹部の内外を連通する連通孔を有し、
前記感圧部は、変形することにより前記厚みが厚い領域が前記連通孔と重なるように形成されていることを特徴とする圧力センサ。 The pressure sensor according to claim 4,
The stopper member has a communication hole that communicates inside and outside of the concave portion,
The pressure sensor is characterized in that the pressure-sensitive portion is formed such that the thick region overlaps with the communication hole when deformed.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018141768A JP2020016619A (en) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | Pressure sensor |
KR1020190079930A KR102234831B1 (en) | 2018-07-27 | 2019-07-03 | Pressure sensor |
CN201910670884.4A CN110779638A (en) | 2018-07-27 | 2019-07-24 | Pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018141768A JP2020016619A (en) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | Pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020016619A true JP2020016619A (en) | 2020-01-30 |
Family
ID=69383898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018141768A Pending JP2020016619A (en) | 2018-07-27 | 2018-07-27 | Pressure sensor |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020016619A (en) |
KR (1) | KR102234831B1 (en) |
CN (1) | CN110779638A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112444338A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 三美电机株式会社 | Pressure sensing element and pressure sensor |
JP2021039042A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | ミツミ電機株式会社 | Pressure sensing element and pressure sensor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5178016A (en) * | 1989-11-15 | 1993-01-12 | Sensym, Incorporated | Silicon pressure sensor chip with a shear element on a sculptured diaphragm |
JPH07140027A (en) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Fujikura Ltd | Semiconductor pressure sensor |
JP2002071492A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Sony Corp | Pressure sensor device and signal processing apparatus |
JP2005069736A (en) * | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Yamatake Corp | Pressure sensor device |
JP2008039760A (en) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Denso Corp | Pressure sensor |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2049351U (en) * | 1989-05-30 | 1989-12-13 | 复旦大学 | Silicon force sensing unit for rood-beam island construction |
JPH06241930A (en) * | 1993-02-17 | 1994-09-02 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
JPH075060A (en) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Fujikura Ltd | Semiconductor pressure sensor |
JPH10142086A (en) | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Hitachi Ltd | Semiconductor pressure sensor, its manufacturing method, and differential pressure transmitter using the same |
JP3969228B2 (en) | 2002-07-19 | 2007-09-05 | 松下電工株式会社 | Mechanical deformation detection sensor, acceleration sensor using the same, and pressure sensor |
JP2005043159A (en) | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Hitachi Unisia Automotive Ltd | Pressure sensor |
JP2006003100A (en) | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Canon Inc | Piezoresistance type pressure sensor |
DE102007010913A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | pressure sensor |
JP5436404B2 (en) * | 2010-12-17 | 2014-03-05 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
CN102636298B (en) * | 2012-03-16 | 2013-12-04 | 西安交通大学 | Beam-film four-land structured micro-pressure high-overload sensor chip |
US9267857B2 (en) * | 2014-01-07 | 2016-02-23 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor having a bossed diaphragm |
JP6034818B2 (en) * | 2014-03-04 | 2016-11-30 | アズビル株式会社 | Pressure sensor chip |
CN106404237B (en) * | 2015-07-29 | 2021-06-01 | 浙江盾安人工环境股份有限公司 | Pressure sensor chip, preparation method thereof and absolute pressure sensor chip |
CN105300573B (en) * | 2015-11-06 | 2018-01-05 | 西安交通大学 | A kind of beam diaphragm structure piezoelectric transducer and preparation method thereof |
CN107941407B (en) * | 2017-11-19 | 2019-05-21 | 东北大学 | A kind of micro-voltage high-overload sensor chip |
-
2018
- 2018-07-27 JP JP2018141768A patent/JP2020016619A/en active Pending
-
2019
- 2019-07-03 KR KR1020190079930A patent/KR102234831B1/en active IP Right Grant
- 2019-07-24 CN CN201910670884.4A patent/CN110779638A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5178016A (en) * | 1989-11-15 | 1993-01-12 | Sensym, Incorporated | Silicon pressure sensor chip with a shear element on a sculptured diaphragm |
JPH07140027A (en) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Fujikura Ltd | Semiconductor pressure sensor |
JP2002071492A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Sony Corp | Pressure sensor device and signal processing apparatus |
JP2005069736A (en) * | 2003-08-20 | 2005-03-17 | Yamatake Corp | Pressure sensor device |
JP2008039760A (en) * | 2006-07-14 | 2008-02-21 | Denso Corp | Pressure sensor |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112444338A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 三美电机株式会社 | Pressure sensing element and pressure sensor |
JP2021039042A (en) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | ミツミ電機株式会社 | Pressure sensing element and pressure sensor |
JP7352076B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-09-28 | ミツミ電機株式会社 | Pressure sensing element and pressure sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110779638A (en) | 2020-02-11 |
KR20200012728A (en) | 2020-02-05 |
KR102234831B1 (en) | 2021-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4421511B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
US11137299B2 (en) | Multi-axial force sensor including piezoresistive groups, method of manufacturing the multi-axial force sensor, and method for operating the multi-axial force sensor | |
US8671765B2 (en) | Pressure sensor having a diaphragm | |
US7997142B2 (en) | Low pressure sensor device with high accuracy and high sensitivity | |
US9651441B2 (en) | Pressure sensor device with high sensitivity and high accuracy | |
US10156489B2 (en) | Piezoresistive pressure sensor | |
US20160146685A1 (en) | Piezoresistive pressure sensor device | |
US20180136062A1 (en) | Mems pressure sensing element | |
US8042400B2 (en) | Pressure sensor | |
US20050252298A1 (en) | Reliable piezo-resistive pressure sensor | |
US10352806B2 (en) | Humidity resistant sensors and methods of making same | |
US8522619B2 (en) | Pressure sensor | |
JP2020016619A (en) | Pressure sensor | |
US20160033349A1 (en) | Pressure sensor having cap-defined membrane | |
JP5220866B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
US10737929B2 (en) | Trench-based microelectromechanical transducer and method for manufacturing the microelectromechanical transducer | |
JP3895937B2 (en) | Differential pressure / pressure sensor | |
US9964458B2 (en) | Pressure sensor device with anchors for die shrinkage and high sensitivity | |
CN110959111A (en) | Sensor element | |
JP5151281B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
JP2006003100A (en) | Piezoresistance type pressure sensor | |
JP2006200980A (en) | Capacitance type pressure sensor and capacitance type actuator | |
JP6873879B2 (en) | Sensor element and its manufacturing method | |
JPH0629819B2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
JP2006064532A (en) | Semiconductor acceleration sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220308 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220531 |