JP2020013859A - Integrated circuit device - Google Patents

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Abstract

To reduce the power consumption by appropriately controlling the operating frequency and voltage of an integrated circuit device while suppressing the load on a CPU.SOLUTION: A first voltage control process for setting a power supply voltage according to the frequency of a clock signal and a second voltage control process for setting the power supply voltage according to the frequency of the clock signal and the detected temperature are performed, and when the frequency of the clock signal is changed, the control is performed such that the power supply voltage becomes the power supply voltage set by the first voltage control process, and then, the control is performed such that the power supply voltage becomes the power supply voltage set by the second voltage control process when it is determined that the temperature detected by temperature detection means is stabilized.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は集積回路装置に関する。   The present invention relates to an integrated circuit device.

従来、半導体集積回路の消費電力の削減手法として、半導体集積回路に供給する電源電圧を低減する方法が知られている。電源電圧を低減すると半導体集積回路の遅延量が増加するため、遅延量と消費電力の両方を考慮して適切な電源電圧に設定する必要がある。電源電圧を設定する方法として、ＤＶＦＳ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｖｏｌｔａｇｅ ａｎｄ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｓｃａｌｉｎｇ）や、ＡＶＳ（Ａｄａｐｔｉｖｅ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｃａｌｉｎｇ）などが知られている。ＤＶＦＳでは、動作周波数に応じて電源電圧が動的に制御される。また、ＡＶＳでは、温度やプロセスばらつきに応じて適応的に電圧が制御される。   Conventionally, as a method of reducing power consumption of a semiconductor integrated circuit, a method of reducing a power supply voltage supplied to the semiconductor integrated circuit has been known. When the power supply voltage is reduced, the delay amount of the semiconductor integrated circuit increases. Therefore, it is necessary to set an appropriate power supply voltage in consideration of both the delay amount and the power consumption. As a method of setting the power supply voltage, DVFS (Dynamic Voltage and Frequency Scaling), AVS (Adaptive Voltage Scaling), and the like are known. In DVFS, the power supply voltage is dynamically controlled according to the operating frequency. In the AVS, the voltage is adaptively controlled according to the temperature and process variations.

半導体集積回路に備える温度センサにより温度を検出し、温度が所定の閾値を越えた際に電源電圧を制御する構成が提案されている（特許文献１参照）。   There has been proposed a configuration in which a temperature is detected by a temperature sensor provided in a semiconductor integrated circuit and a power supply voltage is controlled when the temperature exceeds a predetermined threshold (see Patent Document 1).

特開２０１２−２２１３０１号公報JP 2012-221301 A

しかしながら特許文献１では、温度を常時監視し、温度が閾値以上変化するたび、頻繁に電源電圧を制御する必要がある。電源電圧を頻繁に制御しない場合、温度に応じた適切な電源電圧でない期間が発生するため、余分な消費電力の発生や、半導体集積回路の遅延量が増加することによる半導体集積回路の誤動作が発生する可能性がある。   However, in Patent Literature 1, it is necessary to constantly monitor the temperature and frequently control the power supply voltage every time the temperature changes by a threshold or more. If the power supply voltage is not frequently controlled, a period in which the power supply voltage is not appropriate according to the temperature may occur, resulting in excessive power consumption and malfunction of the semiconductor integrated circuit due to an increase in the delay amount of the semiconductor integrated circuit. there's a possibility that.

そのため、ＣＰＵは温度センサから温度を取得し、電源電圧を制御する処理を頻繁に行う必要があり、ＣＰＵに大きな負荷がかかってしまう。ＣＰＵの負荷が大きくなると、集積回路内の他の処理回路に対する必要な制御を行うことができず、処理性能が低下するという問題がある。   Therefore, it is necessary for the CPU to acquire the temperature from the temperature sensor and to frequently perform the process of controlling the power supply voltage, which imposes a heavy load on the CPU. When the load on the CPU increases, necessary control for other processing circuits in the integrated circuit cannot be performed, and there is a problem that processing performance is reduced.

本発明はこのような問題を解決し、ＣＰＵへの負荷を抑えながら、集積回路装置の動作周波数及び電圧を適切に制御して、消費電力を低減することを目的とする。   An object of the present invention is to solve such a problem and reduce power consumption by appropriately controlling the operating frequency and voltage of the integrated circuit device while suppressing the load on the CPU.

クロック信号に応じて動作する集積回路装置であって、前記クロック信号の周波数を制御する周波数制御手段と、前記集積回路装置が動作するための電源電圧を制御する電圧制御手段と、前記周波数制御手段と前記電圧制御手段とを制御する制御指示手段と、前記集積回路装置の温度を検出する温度検出手段とを備え、前記制御指示手段は、前記クロック信号の周波数に応じて前記電源電圧を設定する第１の電圧制御処理と、前記クロック信号の周波数および、前記温度検出手段にて検出された温度に応じて前記電源電圧を設定する第２の電圧制御処理とを行い、前記制御指示手段は、前記周波数制御手段を制御して前記クロック信号の周波数を変更すると、前記第１の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように前記電圧制御手段を制御し、その後、前記温度検出手段により検出された温度が安定したと判断すると、前記第２の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように前記電源制御手段を制御する。   An integrated circuit device that operates according to a clock signal, comprising: frequency control means for controlling the frequency of the clock signal; voltage control means for controlling a power supply voltage for operating the integrated circuit device; and the frequency control means And a temperature detecting means for detecting the temperature of the integrated circuit device, wherein the control instructing means sets the power supply voltage according to the frequency of the clock signal. Performing a first voltage control process and a second voltage control process of setting the power supply voltage according to the frequency of the clock signal and the temperature detected by the temperature detection unit, wherein the control instruction unit includes: When the frequency of the clock signal is changed by controlling the frequency control means, the voltage control means is controlled so that the power supply voltage is set by the first voltage control processing. Gyoshi, then, the temperature detected by said temperature detecting means to control said power supply control means so determines that stable, the supply voltage set by the second voltage control process.

本発明によれば、ＣＰＵへの負荷を抑えながら、集積回路装置の動作周波数及び電圧を適切に制御することができる。   According to the present invention, it is possible to appropriately control the operating frequency and the voltage of the integrated circuit device while suppressing the load on the CPU.

第１の実施形態における画像処理装置を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating the image processing apparatus according to the first embodiment. 動作周波数および電源電圧の制御手順を示すフローチャートである。5 is a flowchart illustrating a control procedure of an operating frequency and a power supply voltage. 動作モードと動作周波数、及び電圧の変化を示す図である。It is a figure which shows the change of an operation mode, an operation frequency, and a voltage. 動作周波数や温度に対応した電源電圧の情報を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating information of a power supply voltage corresponding to an operating frequency and a temperature. 第２の実施形態における画像処理装置を示すブロック図である。It is a block diagram showing an image processing device in a 2nd embodiment. 電源電圧の制御手順を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a control procedure of a power supply voltage. 温度変化に対応した電源電圧の波形を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a waveform of a power supply voltage corresponding to a temperature change. 動作周波数や温度に対応した電源電圧の情報を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating information of a power supply voltage corresponding to an operating frequency and a temperature.

以下図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明の集積回路装置が適用された、第１の実施形態における画像処理装置１００を示すブロック図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an image processing apparatus 100 according to a first embodiment to which the integrated circuit device of the present invention is applied.

図１において、画像処理装置１００は、半導体集積回路１０１と、動作モード指示部１０２と、不揮発メモリ部１０４と、電源電圧生成部１０７と、クロック生成部１０９を含む。半導体集積回路１０１は、本発明の集積回路装置に対応している。半導体集積回路１０１は、一つの集積回路チップとして構成される。また、半導体集積回路１０１は、画像処理用のＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｆｉｃ ＩＣ）として構成され、図１に示す構成の他に、画像処理のために必要な回路要素を備える。   1, the image processing apparatus 100 includes a semiconductor integrated circuit 101, an operation mode instruction unit 102, a nonvolatile memory unit 104, a power supply voltage generation unit 107, and a clock generation unit 109. The semiconductor integrated circuit 101 corresponds to the integrated circuit device according to the present invention. The semiconductor integrated circuit 101 is configured as one integrated circuit chip. The semiconductor integrated circuit 101 is configured as an ASIC (Application Specific IC) for image processing, and includes, in addition to the configuration illustrated in FIG. 1, circuit elements necessary for image processing.

動作モード指示部１０２は、ボタン、リモコン、タッチパネルなどの操作部材である。動作モード指示部１０２は、半導体集積回路１０１の動作モード変更指示をユーザーから受け付け、半導体集積回路１０１内部の制御指示部１０５へ出力する。半導体集積回路１０１は複数の動作モードを有する。また、各動作モードに対応した動作周波数で動作するように制御される。動作モードに対応した動作周波数の情報が不揮発メモリ部１０４に格納されている。   The operation mode instructing unit 102 is an operation member such as a button, a remote controller, and a touch panel. The operation mode instruction unit 102 receives an operation mode change instruction of the semiconductor integrated circuit 101 from a user and outputs the instruction to the control instruction unit 105 inside the semiconductor integrated circuit 101. The semiconductor integrated circuit 101 has a plurality of operation modes. In addition, it is controlled to operate at an operation frequency corresponding to each operation mode. Information of the operating frequency corresponding to the operation mode is stored in the nonvolatile memory unit 104.

不揮発メモリ部１０４は、フラッシュＲＯＭなどの不揮発性のメモリである。不揮発メモリ部１０４は、制御指示部１０５によって実行されるプログラム、動作モードに対応した動作周波数の情報、動作周波数に対応した電源電圧の情報、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報などが格納されている。動作周波数に対応した電源電圧の情報と、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報の詳細は後述する。   The nonvolatile memory unit 104 is a nonvolatile memory such as a flash ROM. The nonvolatile memory unit 104 stores a program executed by the control instruction unit 105, information on an operating frequency corresponding to the operation mode, information on a power supply voltage corresponding to the operating frequency, information on a power supply voltage corresponding to the operating frequency and temperature, and the like. Have been. Details of the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and temperature will be described later.

電源電圧生成部１０７は、半導体集積回路１０１内部の電圧制御部１０８より入力される制御信号により、生成する電源電圧の値を制御可能な電源制御ＩＣである。電源電圧生成部１０７から出力される電源電圧は、半導体集積回路１０１へ供給される。クロック生成部１０９は、一般的には水晶発振子が用いられ、半導体集積回路１０１の基準となるクロックを生成する。   The power supply voltage generation unit 107 is a power supply control IC that can control the value of the power supply voltage to be generated by a control signal input from the voltage control unit 108 inside the semiconductor integrated circuit 101. The power supply voltage output from the power supply voltage generation unit 107 is supplied to the semiconductor integrated circuit 101. The clock generation unit 109 generally uses a crystal oscillator and generates a clock that is a reference of the semiconductor integrated circuit 101.

制御指示部１０５は、ＣＰＵ、ＭＰＵなどのプログラマブルプロセッサや、必要なメモリ、レジスタ等を有し、半導体集積回路１０１の各部の処理を制御する。制御指示部１０５は、不揮発メモリ部１０４に格納されている動作プログラムを読み出し、揮発メモリ部１１０に展開する。そして、揮発メモリ部１１０に展開したプログラムを実行することにより、各部を制御する。   The control instruction unit 105 includes a programmable processor such as a CPU and an MPU, necessary memories, registers, and the like, and controls processing of each unit of the semiconductor integrated circuit 101. The control instruction unit 105 reads the operation program stored in the nonvolatile memory unit 104 and expands the operation program in the volatile memory unit 110. Then, each unit is controlled by executing the program developed in the volatile memory unit 110.

制御指示部１０５は、動作モード指示部１０２から動作モード変更の指示を受けると、動作モードに応じた動作周波数を、不揮発メモリ部１０４に格納された動作モードに対応した動作周波数情報に基づいて決定する。さらに、決定した動作周波数に対応した電源電圧を、不揮発メモリ部１０４に格納された、動作周波数に対応した電源電圧情報に基づいて決定する。   When receiving an instruction to change the operation mode from the operation mode instruction unit 102, the control instruction unit 105 determines an operation frequency corresponding to the operation mode based on the operation frequency information corresponding to the operation mode stored in the nonvolatile memory unit 104. I do. Further, the power supply voltage corresponding to the determined operation frequency is determined based on the power supply voltage information corresponding to the operation frequency stored in the nonvolatile memory unit 104.

続いて制御指示部１０５は、動作モード変更前の動作周波数と、動作モード変更後の動作周波数の比較を行う。比較結果に基づき、動作周波数および電源電圧の制御手順を決定し、決定した手順に従って周波数制御部１０６および電圧制御部１０８へ制御を指示する。   Subsequently, the control instruction unit 105 compares the operation frequency before the operation mode is changed with the operation frequency after the operation mode is changed. The control procedure of the operating frequency and the power supply voltage is determined based on the comparison result, and control is instructed to the frequency control unit 106 and the voltage control unit 108 according to the determined procedure.

さらに制御指示部１０５は、温度検出部１０３から半導体集積回路１０１の現在の温度を取得することが可能である。取得した温度が安定した場合、動作周波数および温度に応じた電源電圧を、不揮発メモリ部１０４に格納された、動作周波数および温度に対応した電源電圧情報に基づいて決定し、電圧制御部１０８へさらなる電源電圧の制御を指示する。動作周波数および温度に対応した電源電圧情報と、制御指示部１０５の処理手順の詳細は、図を用いて後述する。   Further, the control instruction unit 105 can obtain the current temperature of the semiconductor integrated circuit 101 from the temperature detection unit 103. When the acquired temperature is stabilized, the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature is determined based on the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the temperature stored in the nonvolatile memory unit 104, and further supplied to the voltage control unit. Instructs control of the power supply voltage. The details of the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the temperature and the processing procedure of the control instruction unit 105 will be described later with reference to the drawings.

周波数制御部１０６は、ＰＬＬ、クロックゲーティングセルから構成され、クロック生成部１０９より出力されたクロック信号を逓倍、分周した後に、半導体集積回路１０１の各動作部に対して動作クロック信号を供給する。また、動作周波数の変更は、制御指示部１０５より受領した動作周波数制御指示に基づく。   The frequency control unit 106 includes a PLL and a clock gating cell, and after multiplying and dividing the clock signal output from the clock generation unit 109, supplies an operation clock signal to each operation unit of the semiconductor integrated circuit 101. I do. The change of the operating frequency is based on the operating frequency control instruction received from the control instruction unit 105.

電圧制御部１０８は、Ｉ２ＣやＳＰＩといった通信方式により、半導体集積回路１０１の外部にある電源電圧生成部１０７と通信を行うインタフェースである。制御指示部１０５より受領した電圧制御指示に基づき、電源電圧生成部１０７の生成する電源電圧を制御する。   The voltage control unit 108 is an interface that communicates with the power supply voltage generation unit 107 outside the semiconductor integrated circuit 101 by a communication method such as I2C or SPI. The power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 107 is controlled based on the voltage control instruction received from the control instruction unit 105.

揮発メモリ部１１０は、例えばＳＤＲＡＭなどの揮発性の半導体メモリである。揮発メモリ部１１０は、前記のように、制御指示部１０５が実行するプログラムを展開するために使用される。また、揮発メモリ部１１０は、画像処理のための記憶領域としても使用され、半導体集積回路１０１の各部からアクセスされ、各部の処理に伴う画像データやその他のデータを記憶する。   The volatile memory unit 110 is a volatile semiconductor memory such as an SDRAM, for example. The volatile memory unit 110 is used for expanding the program executed by the control instruction unit 105 as described above. The volatile memory unit 110 is also used as a storage area for image processing, is accessed from each unit of the semiconductor integrated circuit 101, and stores image data and other data associated with processing of each unit.

図２は、第１の実施形態における、動作周波数および電源電圧の制御手順のフローチャートを示す図である。図２に示すフローは、制御指示部１０５が不揮発メモリ１０４から読み出したプログラムに従って実行されるものである。   FIG. 2 is a diagram illustrating a flowchart of a control procedure of the operating frequency and the power supply voltage in the first embodiment. The flow shown in FIG. 2 is executed by the control instruction unit 105 according to a program read from the nonvolatile memory 104.

制御指示部１０５が動作モード指示部１０２より、半導体集積回路１０１の動作モード変更の指示を受けると図２の処理が開始する。制御指示部１０５は、変更後の動作モードを検出し（Ｓ２０１）、変更後の動作モードに対応した動作周波数を、不揮発メモリ部１０４より取得する（Ｓ２０２）。続いて、動作モード変更前の動作周波数と、ステップ２０２にて取得した動作モード変更後の動作周波数を比較して、動作モード変更前後の動作周波数が同じであるか否かを判別する（Ｓ２０３）。   When the control instruction unit 105 receives an instruction to change the operation mode of the semiconductor integrated circuit 101 from the operation mode instruction unit 102, the processing in FIG. 2 starts. The control instruction unit 105 detects the changed operation mode (S201), and acquires the operation frequency corresponding to the changed operation mode from the nonvolatile memory unit 104 (S202). Subsequently, the operation frequency before the change of the operation mode is compared with the operation frequency after the change of the operation mode acquired in step 202, and it is determined whether or not the operation frequencies before and after the change of the operation mode are the same (S203). .

Ｓ２０３における動作周波数の比較によって、動作周波数制御と、後述する第１の電圧制御処理による電源電圧の制御の順序が異なる。これは、動作周波数を下げる場合、先に電源電圧を制御してしまうと、動作周波数に対して半導体集積回路１０１の遅延量が許容されない可能性のある期間が発生するからである。動作周波数を上げる場合も同様であり、先に動作周波数を制御してしまうと、動作周波数に対して半導体集積回路１０１の遅延量が許容されない可能性のある期間が発生する。   Due to the comparison of the operating frequencies in S203, the order of the operating frequency control and the order of the control of the power supply voltage by the first voltage control process described later are different. This is because, when the operating frequency is reduced, if the power supply voltage is controlled first, a period occurs in which the delay amount of the semiconductor integrated circuit 101 may not be allowed with respect to the operating frequency. The same is true when the operating frequency is increased. If the operating frequency is controlled first, a period occurs in which the delay amount of the semiconductor integrated circuit 101 may not be allowed with respect to the operating frequency.

Ｓ２０３にて、動作モードの変更前後の動作周波数が同じでないと判別された場合、動作モード変更後の動作周波数より、動作モード変更前の動作周波数の方が高いか否かを判別する（Ｓ２０４）。動作モード変更後の動作周波数より、動作モード変更前の動作周波数の方が高い場合、周波数制御部１０６へ、Ｓ２０２にて取得した動作周波数への変更を指示する（Ｓ２０５）。また、動作周波数を変更したことにより温度が変化し、温度が不安定な状態が継続する。   If it is determined in S203 that the operating frequencies before and after the change of the operation mode are not the same, it is determined whether the operation frequency before the change of the operation mode is higher than the operation frequency after the change of the operation mode (S204). . If the operation frequency before the operation mode change is higher than the operation frequency after the operation mode change, the frequency control unit 106 is instructed to change to the operation frequency acquired in S202 (S205). In addition, the temperature changes due to the change in the operating frequency, and the state in which the temperature is unstable continues.

動作周波数の変更の後、制御指示部１０５は、電圧制御部１０８へ電源電圧の制御を指示する（Ｓ２０６）。Ｓ２０６にて設定される電源電圧は、第１の電圧制御処理に基づき、決定する。第１の電圧制御処理とは、Ｓ２０２にて決定した動作周波数に対応した電源電圧となるように制御する処理である。第１の電圧制御処理にて設定する電源電圧の値は、制御指示部１０５が、不揮発メモリ部１０４に格納された動作周波数に対応した電源電圧の情報を参照し、決定する。動作周波数に対応した電源電圧の情報の詳細は後述する。   After the change of the operating frequency, the control instruction unit 105 instructs the voltage control unit 108 to control the power supply voltage (S206). The power supply voltage set in S206 is determined based on the first voltage control processing. The first voltage control process is a process of controlling the power supply voltage to correspond to the operation frequency determined in S202. The power supply voltage value set in the first voltage control process is determined by the control instruction unit 105 with reference to the power supply voltage information stored in the nonvolatile memory unit 104 and corresponding to the operating frequency. Details of the power supply voltage information corresponding to the operating frequency will be described later.

次に、制御指示部１０５は温度検出部１０３から温度を検出し（Ｓ２０９）、温度が安定しているか否かの判定を行う（Ｓ２１０）。温度が安定していない場合はＳ２０９へと戻り、温度が安定するまでＳ２０９とＳ２１０を繰り返す。本実施形態では、前回検出された温度と今回検出された温度との差分が所定値以下となった場合、もしくは、前回と今回の温度の差分が所定値以下である状態が複数回の温度検出結果において継続している場合、温度が安定していると判別する。   Next, the control instruction unit 105 detects the temperature from the temperature detection unit 103 (S209), and determines whether the temperature is stable (S210). If the temperature is not stable, the process returns to S209, and S209 and S210 are repeated until the temperature is stabilized. In the present embodiment, when the difference between the previously detected temperature and the currently detected temperature is equal to or less than a predetermined value, or when the difference between the previous temperature and the current temperature is equal to or less than a predetermined value, a plurality of temperature detections are performed. If the result indicates that the temperature has continued, it is determined that the temperature is stable.

検出される温度が安定した場合、制御指示部１０５は、電圧制御部１０８へ電源電圧の制御を指示する（Ｓ２１１）。Ｓ２１１にて設定される電源電圧は、第２の電圧制御処理に基づき、決定する。第２の電圧制御処理とは、Ｓ２０２にて決定した動作周波数と、Ｓ２０９にて検出され、Ｓ２１０にて安定したと判断された温度に対応した電源電圧となるように制御する処理である。   When the detected temperature is stable, the control instruction unit 105 instructs the voltage control unit 108 to control the power supply voltage (S211). The power supply voltage set in S211 is determined based on the second voltage control processing. The second voltage control process is a process of controlling the power supply voltage to correspond to the operating frequency determined in S202 and the temperature detected in S209 and determined to be stable in S210.

第２の電圧制御処理にて設定する電源電圧の値は、制御指示部１０５が、不揮発メモリ部１０４に格納された動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報を参照し、決定する。動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報の詳細は後述する。   The value of the power supply voltage set in the second voltage control process is determined by the control instruction unit 105 with reference to the information on the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature stored in the nonvolatile memory unit 104. Details of the information of the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature will be described later.

Ｓ２０４にて、動作モード変更後の動作周波数より、動作モード変更前の動作周波数の方が高くない場合、制御指示部１０５は、電圧制御部１０８へ電源電圧の制御を指示する（Ｓ２０７）。Ｓ２０７にて設定される電源電圧は、第１の電圧制御処理により決定する。第１の電圧制御処理は前述の通り、Ｓ２０２にて決定した動作周波数に対応した電源電圧となるように制御する処理である。続いて、周波数制御部１０６へ、Ｓ２０２にて取得した動作周波数になるように指示する（Ｓ２０７）。Ｓ２０９〜Ｓ２１１は、Ｓ２０４からＳ２０５へ分岐した場合と同様の処理である。   In S204, when the operation frequency before the operation mode change is not higher than the operation frequency after the operation mode change, the control instruction unit 105 instructs the voltage control unit 108 to control the power supply voltage (S207). The power supply voltage set in S207 is determined by the first voltage control processing. As described above, the first voltage control process is a process of controlling the power supply voltage to correspond to the operation frequency determined in S202. Then, it instructs the frequency control unit 106 to use the operating frequency acquired in S202 (S207). Steps S209 to S211 are the same processing as when the process branches from S204 to S205.

Ｓ２０３にて、動作モード変更前の動作周波数と動作モード変更後の動作周波数が同じである場合、動作周波数および電源電圧の変更指示を行わずに処理を終了する。   In S203, when the operation frequency before the change of the operation mode is the same as the operation frequency after the change of the operation mode, the process ends without instructing the change of the operation frequency and the power supply voltage.

図３（ａ）は、第１の実施形態における、動作モード、動作周波数、電源電圧および温度の動作波形を示す図であり、半導体集積回路１０１の動作モードが高駆動率モードから低駆動率モードへ遷移する場合を示す。低駆動率モードは動作周波数が低い動作モードを、高駆動率モードは動作周波数が高い動作モードをそれぞれ表す。   FIG. 3A is a diagram showing operation waveforms of the operation mode, the operation frequency, the power supply voltage, and the temperature in the first embodiment, and the operation mode of the semiconductor integrated circuit 101 is changed from the high drive rate mode to the low drive rate mode. Shows the case of transition to. The low drive rate mode represents an operation mode with a low operation frequency, and the high drive rate mode represents an operation mode with a high operation frequency.

図３（ａ）において、動作モード３０１は半導体集積回路１０１の動作モードを示す。動作周波数３０２は周波数制御部１０６から各動作部へ供給されるクロックの動作周波数を示し、ｆ１は、ｆ２と比較して高い動作周波数を示す。電源電圧３０３は電源電圧生成部１０７によって生成される電源電圧を示し、ｖ１は高駆動率モード時の電源電圧を、ｖ２は第１の電圧制御手段により設定される電源電圧を、ｖ３は第２の電圧制御手段により設定される電源電圧を示す。温度３０４は半導体集積回路１０１の温度を示す。また、温度が変化していない期間を安定、温度が変化している期間を不安定と示す。図３（ａ）の横軸は経過時間である。   3A, an operation mode 301 indicates an operation mode of the semiconductor integrated circuit 101. The operating frequency 302 indicates the operating frequency of the clock supplied from the frequency control unit 106 to each operating unit, and f1 indicates an operating frequency higher than f2. The power supply voltage 303 indicates the power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 107, v1 indicates the power supply voltage in the high drive rate mode, v2 indicates the power supply voltage set by the first voltage control means, and v3 indicates the second power supply voltage. The power supply voltage set by the voltage control means of FIG. The temperature 304 indicates the temperature of the semiconductor integrated circuit 101. Also, a period during which the temperature is not changed is indicated as stable, and a period during which the temperature is changed is indicated as unstable. The horizontal axis in FIG. 3A is the elapsed time.

時間ｔ１は、制御指示部１０５が、動作モード３０１の変更を受け、周波数制御部１０６へ動作周波数の制御指示を行う時間を示す。また、動作周波数３０２を変更したことにより、温度３０４が変化を開始する時間である。時間ｔ２は、制御指示部１０５が、電圧制御部１０８へ第１の電圧制御処理を行う時間を示す。時間ｔ３は、制御指示部１０５が温度検出部１０３から取得した温度が安定した時間を示す。また、制御指示部１０５が、電圧制御部１０８へ第２の電圧制御処理示を行う時間である。   The time t1 indicates a time when the control instruction unit 105 receives the change of the operation mode 301 and instructs the frequency control unit 106 to control the operation frequency. Also, this is the time when the temperature 304 starts to change due to the change in the operating frequency 302. Time t2 indicates the time during which the control instruction unit 105 performs the first voltage control process on the voltage control unit 108. The time t3 indicates a time when the temperature acquired by the control instruction unit 105 from the temperature detection unit 103 is stabilized. Also, it is the time when the control instruction unit 105 performs the second voltage control processing instruction to the voltage control unit 108.

時間ｔ１から時間ｔ３の期間は、半導体集積回路１０１に供給される動作周波数が変更したことによる半導体集積回路１０１の温度変化開始から、温度が安定するまでの期間であり、一般的な半導体集積回路によれば数分間程度である。また、時間ｔ３以降の期間は、半導体集積回路１０１の温度が安定後、次に半導体集積回路１０１の動作モードが変更されるまでの期間である。この期間は設定された半導体集積回路１０１の動作モードに依存し、数十分程度継続する場合もある。また、この期間に低減可能な電源電圧はｖ２−ｖ３となり、一般的には数十ミリＶ程度である。   The period from the time t1 to the time t3 is a period from the start of the temperature change of the semiconductor integrated circuit 101 due to the change of the operating frequency supplied to the semiconductor integrated circuit 101 to the stabilization of the temperature. According to this, it takes about several minutes. The period after the time t3 is a period after the temperature of the semiconductor integrated circuit 101 is stabilized until the operation mode of the semiconductor integrated circuit 101 is changed next. This period depends on the set operation mode of the semiconductor integrated circuit 101, and may last several tens of minutes. The power supply voltage that can be reduced during this period is v2−v3, which is generally about several tens of millivolts.

図３（ｂ）は、第１の実施形態における、動作モード、動作周波数、電源電圧および温度の動作波形を示す図であり、動作モードが低駆動率モードから高駆動率モードへ遷移する場合を示す。図３（ｂ）において、動作モード３０５は半導体集積回路１０１の動作モードを示す。   FIG. 3B is a diagram illustrating operation waveforms of the operation mode, the operation frequency, the power supply voltage, and the temperature in the first embodiment, and illustrates a case where the operation mode transitions from the low drive rate mode to the high drive rate mode. Show. In FIG. 3B, an operation mode 305 indicates an operation mode of the semiconductor integrated circuit 101.

動作周波数３０６は周波数制御部１０６から各動作部へ供給されるクロックの動作周波数を示し、ｆ３は、ｆ４と比較して高い動作周波数を示す。電源電圧３０７は電源電圧生成部１０７によって生成される電源電圧を示し、ｖ４は低駆動率モード時の電源電圧を、ｖ５は第１の電圧制御手段により設定される電源電圧を、ｖ６は第２の電圧制御手段により設定される電源電圧を示す。温度３０８は半導体集積回路１０１の温度を示す。また、温度が変化していない期間を安定、温度が変化している期間を不安定と示す。   The operating frequency 306 indicates the operating frequency of the clock supplied from the frequency control unit 106 to each operating unit, and f3 indicates an operating frequency higher than f4. The power supply voltage 307 indicates the power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 107, v4 indicates the power supply voltage in the low drive rate mode, v5 indicates the power supply voltage set by the first voltage control means, and v6 indicates the second power supply voltage. The power supply voltage set by the voltage control means of FIG. The temperature 308 indicates the temperature of the semiconductor integrated circuit 101. Also, a period during which the temperature is not changed is indicated as stable, and a period during which the temperature is changed is indicated as unstable.

図３（ｂ）の横軸は経過時間である。時間ｔ４は、制御指示部１０５が、動作モード３０５の変更を受け、電圧制御部１０８へ第１の電圧制御処理を行う時間を示す。また、電源電圧３０７を変更したことにより、温度３０８が変化を開始する時間である。時間ｔ５は、制御指示部１０５が、周波数制御部１０６へ動作周波数の制御指示を行う時間を示す。時間ｔ４から時間ｔ５の期間は、電源電圧制御部１０８が電源電圧生成部１０７を制御後、電源電圧生成部１０７によって生成される変更後の電源電圧が安定するまでの時間が支配的であり、一般的な電源制御ＩＣによれば数百マイクロ秒程度である。時間ｔ６は、制御指示部１０５が温度検出部１０３から受領した温度が安定した時間を示す。また、制御指示部１０５が、電圧制御部１０８へ第２の電圧制御処理を行う時間である。   The horizontal axis of FIG. 3B is the elapsed time. Time t4 indicates a time during which the control instruction unit 105 performs the first voltage control process on the voltage control unit 108 in response to the change of the operation mode 305. Also, this is the time when the temperature 308 starts to change due to the change of the power supply voltage 307. Time t5 indicates a time at which the control instruction unit 105 instructs the frequency control unit 106 to control the operating frequency. During the period from time t4 to time t5, the time after the power supply voltage control unit controls the power supply voltage generation unit 107 until the changed power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 107 stabilizes is dominant, According to a general power supply control IC, it takes about several hundred microseconds. The time t6 indicates a time when the temperature received by the control instruction unit 105 from the temperature detection unit 103 is stabilized. Also, this is the time during which the control instruction unit 105 performs the second voltage control process on the voltage control unit 108.

図３（ｂ）の時間ｔ４から時間ｔ６の期間は、半導体集積回路１０１に供給される電源電圧が変更したことによる半導体集積回路１０１の温度変化開始から、温度が安定するまでの期間であり、一般的な半導体集積回路によれば数分間程度である。また、時間ｔ６以降の期間は、半導体集積回路１０１の温度が安定後、次に半導体集積回路１０１の動作モードが変更されるまでの期間である。この期間は設定された半導体集積回路１０１の動作モードに依存し、数十分程度継続する場合もある。また、この期間に低減可能な電源電圧はｖ４−ｖ５となり、一般的には数十ミリＶ程度である。   The period from time t4 to time t6 in FIG. 3B is a period from the start of the temperature change of the semiconductor integrated circuit 101 due to the change of the power supply voltage supplied to the semiconductor integrated circuit 101 until the temperature is stabilized. According to a general semiconductor integrated circuit, it takes about several minutes. The period after the time t6 is a period after the temperature of the semiconductor integrated circuit 101 is stabilized until the operation mode of the semiconductor integrated circuit 101 is changed next. This period depends on the set operation mode of the semiconductor integrated circuit 101, and may last several tens of minutes. The power supply voltage that can be reduced during this period is v4-v5, which is generally about several tens of millivolts.

図４（ａ）は、第１の実施形態における、不揮発メモリ部１０４に格納されている、動作周波数に対応した電源電圧の情報を示している。制御指示部１０５は、第１の電圧制御処理において、電圧制御部１０８への制御を指示する際に図４（ａ）の電源電圧の情報を参照する。動作周波数Ｆ１〜Ｆｎに対して、電源電圧Ｖ１〜Ｖｎがそれぞれ対応する。また、Ｖ１〜Ｖｎは、半導体集積回路１０１がそれぞれの動作周波数で動作している場合に、シミュレーションによって動作保証された電源電圧を示す。また、電源電圧Ｖ１〜Ｖｎには、温度変化に依存しないよう所定のマージンが含まれている。   FIG. 4A shows the information of the power supply voltage corresponding to the operating frequency stored in the nonvolatile memory unit 104 in the first embodiment. In the first voltage control process, the control instruction unit 105 refers to the power supply voltage information in FIG. 4A when instructing the voltage control unit 108 to perform control. The power supply voltages V1 to Vn correspond to the operating frequencies F1 to Fn, respectively. V1 to Vn indicate power supply voltages that are guaranteed to operate by simulation when the semiconductor integrated circuit 101 operates at the respective operating frequencies. The power supply voltages V1 to Vn include a predetermined margin so as not to depend on a temperature change.

図４（ｂ）は、第１の実施形態における、不揮発メモリ部１０４に格納されている、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報を示している。制御指示部１０５は、第２の電圧制御処理において、電圧制御部１０８への制御を指示する際に参照する。動作周波数Ｆ１〜Ｆｎと、温度Ｔ１〜Ｔｎに対応した電源電圧がＶ１１〜Ｖｎｎとなる。また、Ｖ１１〜Ｖｎｎは、半導体集積回路１０１がそれぞれの動作周波数および温度で動作している場合に、シミュレーションによって動作保証された電源電圧を示す。   FIG. 4B shows information on the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature, which is stored in the nonvolatile memory unit 104 in the first embodiment. The control instruction unit 105 refers to when instructing the voltage control unit 108 to perform control in the second voltage control process. The power supply voltages corresponding to the operating frequencies F1 to Fn and the temperatures T1 to Tn are V11 to Vnn. V11 to Vnn indicate power supply voltages that are guaranteed to operate by simulation when the semiconductor integrated circuit 101 operates at the respective operating frequencies and temperatures.

以上で説明したように、第１の実施形態によれば、制御指示部１０５は第１の電圧制御処理によって、動作モード変更後即座に、電圧制御部１０８へ動作周波数に応じた電源電圧への制御指示が可能となる。また、制御指示部１０５は第２の電圧制御処理によって、温度安定後、電圧制御部１０８へ動作周波数および温度に応じた電源電圧への制御指示が可能となる。   As described above, according to the first embodiment, the control instruction unit 105 causes the voltage control unit 108 to switch to the power supply voltage corresponding to the operation frequency immediately after changing the operation mode by the first voltage control process. Control instructions can be given. Further, the control instruction unit 105 can instruct the voltage control unit 108 to control the power supply voltage according to the operating frequency and the temperature after the temperature is stabilized by the second voltage control process.

また、制御指示部１０５は、電源電圧を制御するために、動作モード変更時から温度が安定する期間においてのみ温度検出部１０３から温度を取得すればよい。温度が安定した後は、電源電圧制御のために温度を取得する必要がない。   In addition, in order to control the power supply voltage, the control instruction unit 105 only needs to acquire the temperature from the temperature detection unit 103 during a period in which the temperature is stable after the operation mode is changed. After the temperature is stabilized, there is no need to acquire the temperature for power supply voltage control.

また、御指示部１０５が電圧制御部１０８に指示して行う電源電圧の制御は、動作モード変更時および温度安定時の２回のみでよい。従って、制御指示部１０５におけるＣＰＵの負荷を抑えながら、半導体集積回路の動作周波数と温度に応じた効率的な電源電圧の制御が可能となり、半導体集積回路の消費電力の低減を実現できる。   Further, the control of the power supply voltage performed by the control instruction unit 105 instructing the voltage control unit 108 may be performed only twice when the operation mode is changed and when the temperature is stabilized. Therefore, the power supply voltage can be efficiently controlled according to the operating frequency and the temperature of the semiconductor integrated circuit while the load on the CPU in the control instruction unit 105 is suppressed, and the power consumption of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

次に、第２の実施形態を説明する。図５は、本発明の集積回路装置が適用された、第２の実施形態における画像処理装置を示すブロック図である。   Next, a second embodiment will be described. FIG. 5 is a block diagram showing an image processing apparatus according to a second embodiment to which the integrated circuit device of the present invention is applied.

図５において、画像処理装置５００は、半導体集積回路５０１と、撮像光学部５０２と、撮像センサ部５０３と、動作モード指示部５０６と、不揮発メモリ部５１０と、記録媒体５１４と、電源電圧生成部５１５と、クロック生成部５１８と、表示部５１９を含む。   5, an image processing apparatus 500 includes a semiconductor integrated circuit 501, an imaging optical unit 502, an imaging sensor unit 503, an operation mode instruction unit 506, a nonvolatile memory unit 510, a recording medium 514, and a power supply voltage generation unit. 515, a clock generation unit 518, and a display unit 519.

半導体集積回路５０１は、一つの集積回路チップとして構成される。また、半導体集積回路１０１は、画像処理用のＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｆｉｃ ＩＣ）として構成され、図２に示す構成の他に、画像処理のために必要な回路要素を備える。   The semiconductor integrated circuit 501 is configured as one integrated circuit chip. Further, the semiconductor integrated circuit 101 is configured as an ASIC (Application Specific IC) for image processing, and includes circuit elements necessary for image processing in addition to the configuration illustrated in FIG.

画像処理装置５００の撮影対象となる被写体像は、撮像光学部５０２を通して撮像センサ部５０３上に結像する。撮像センサ部５０３は、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサを示し、撮像光学部５０２を通した光を電気信号に変換する。動作モード指示部５０６は、ボタン、リモコン、タッチパネルなどの操作部材を有する。動作モード指示部５０６は、半導体集積回路５０１の動作モード変更の指示をユーザーから受け、半導体集積回路５０１内部の制御指示部５１１へ出力する。半導体集積回路５０１は複数の動作モードを有する。また、各動作モードに対応した動作周波数で動作するように制御される。動作モードに対応した動作周波数の情報が不揮発メモリ部５１０に格納されている。   A subject image to be photographed by the image processing apparatus 500 is formed on the imaging sensor unit 503 through the imaging optical unit 502. The imaging sensor unit 503 indicates a CCD image sensor or a CMOS image sensor, and converts light passing through the imaging optical unit 502 into an electric signal. The operation mode instruction unit 506 has operation members such as buttons, a remote controller, and a touch panel. The operation mode instruction unit 506 receives an instruction to change the operation mode of the semiconductor integrated circuit 501 from a user, and outputs the instruction to the control instruction unit 511 inside the semiconductor integrated circuit 501. The semiconductor integrated circuit 501 has a plurality of operation modes. In addition, it is controlled to operate at an operation frequency corresponding to each operation mode. Information of the operating frequency corresponding to the operation mode is stored in the nonvolatile memory unit 510.

不揮発メモリ部５１０は、フラッシュＲＯＭ等の不揮発性の記憶装置である。不揮発メモリ部５１０には、制御指示部５１１によって実行されるプログラム、動作モードに対応した動作周波数の情報、動作周波数に対応した電源電圧の情報、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報等が格納されている。動作周波数に対応した電源電圧の情報と、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報の詳細は後述する。   The nonvolatile memory unit 510 is a nonvolatile storage device such as a flash ROM. The nonvolatile memory unit 510 stores a program executed by the control instruction unit 511, information on an operating frequency corresponding to the operation mode, information on a power supply voltage corresponding to the operating frequency, information on a power supply voltage corresponding to the operating frequency and temperature, and the like. Is stored. Details of the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and temperature will be described later.

記録媒体５１４は、内蔵式のメモリ、ハードディスク、メモリカード等である。電源電圧生成部５１５は、半導体集積回路５０１内部の電圧制御部５１６より入力される制御信号により、生成する電源電圧の値を制御可能な電源制御ＩＣである。電源電圧生成部５１５から出力される電源電圧は、半導体集積回路５０１へ供給される。   The recording medium 514 is a built-in memory, hard disk, memory card, or the like. The power supply voltage generation unit 515 is a power supply control IC that can control the value of the power supply voltage to be generated by a control signal input from the voltage control unit 516 inside the semiconductor integrated circuit 501. The power supply voltage output from the power supply voltage generator 515 is supplied to the semiconductor integrated circuit 501.

クロック生成部５１８は、一般的には水晶発振子が用いられ、半導体集積回路５０１の基準となるクロックを生成する。表示部５０９は、ＬＣＤモニタといった、半導体集積回路５０１より出力される動画像を表示するモニタである。半導体集積回路５０１において、センサ信号処理部５０４は、撮像センサ部５０３によって変換された電気信号の欠落画素の補完や、ノイズの除去を行う。センサ信号処理部５０４から出力される画像データは一般的に、未現像のデータである事を区別し、ＲＡＷデータと呼ばれる。センサ信号処理部５０４から出力されたＲＡＷデータは、現像部５０５で現像処理される。   The clock generation unit 518 generally uses a crystal oscillator, and generates a clock serving as a reference for the semiconductor integrated circuit 501. The display unit 509 is a monitor such as an LCD monitor that displays a moving image output from the semiconductor integrated circuit 501. In the semiconductor integrated circuit 501, a sensor signal processing unit 504 complements a missing pixel of an electric signal converted by the imaging sensor unit 503 and removes noise. The image data output from the sensor signal processing unit 504 is generally referred to as RAW data to distinguish that it is undeveloped data. The RAW data output from the sensor signal processing unit 504 is developed by the developing unit 505.

現像部５０５は、ＲＡＷデータに対してデベイヤー処理（デモザイク処理もしくは色補間処理とも呼ばれる）、ホワイトバランス調整、ＲＧＢ−ＹＵＶ変換、ノイズ低減、光学歪補正等のいわゆる現像処理を行う。   The development unit 505 performs so-called development processing such as debayering (also called demosaicing or color interpolation), white balance adjustment, RGB-YUV conversion, noise reduction, and optical distortion correction on the RAW data.

画像変化検出部５０７は、現像部５０５によって現像された画像データのパラメータを解析し、前回取得の画像データの画像パラメータと比較を行う。画像パラメータとは、輝度、コントラスト、色相、彩度、明度など、画像データの情報において数値化できるパラメータを表す。画像変化の比較には複数の画像パラメータを用いてもよく、どれか一つを用いてもよい。複数のパラメータを用いる場合、複数のパラメータの加減乗除またはそれらの組み合わせによる演算結果と比較してもよい。前回取得の画像データのパラメータとは、１フレーム前の画像のパラメータ、もしくは１フレーム前から複数フレーム前の画像の画像パラメータの平均値である。比較の結果、画像パラメータに所定値以上の変化があった場合、画像変化検出部５０７は、制御指示部５１１へ画像変化検出信号を出力する。   The image change detecting unit 507 analyzes the parameters of the image data developed by the developing unit 505 and compares the analyzed parameters with the image parameters of the previously acquired image data. The image parameters represent parameters that can be quantified in information of image data, such as luminance, contrast, hue, saturation, and brightness. A plurality of image parameters may be used for comparing image changes, and any one of them may be used. When a plurality of parameters are used, the result may be compared with a calculation result obtained by addition, subtraction, multiplication, division, or combination of the plurality of parameters. The parameter of the image data obtained last time is the parameter of the image one frame before or the average value of the image parameters of the image one frame before and a plurality of frames before. As a result of the comparison, when the image parameter has changed by a predetermined value or more, the image change detection unit 507 outputs an image change detection signal to the control instruction unit 511.

制御指示部５１１は、ＣＰＵ、ＭＰＵなどのプログラマブルプロセッサやレジスタ等の必要な回路を備えている。制御指示部５１１にて実行するプログラムは、不揮発メモリ部５１０に格納されている。制御指示部５１１は、動作モード指示部５０６から動作モード変更指示を受けると、各動作モードに応じた動作周波数を、不揮発メモリ部５１０に格納された動作モードに対応した動作周波数の情報に基づいて決定する。さらに、決定した動作周波数に対応した電源電圧を、不揮発メモリ部５１０に格納された、動作周波数に対応した電源電圧の情報に基づいて決定する。   The control instruction unit 511 includes necessary circuits such as a programmable processor such as a CPU and an MPU and registers. The program executed by the control instruction unit 511 is stored in the nonvolatile memory unit 510. When receiving the operation mode change instruction from the operation mode instruction unit 506, the control instruction unit 511 determines the operation frequency corresponding to each operation mode based on the information on the operation frequency corresponding to the operation mode stored in the nonvolatile memory unit 510. decide. Further, the power supply voltage corresponding to the determined operation frequency is determined based on the information of the power supply voltage corresponding to the operation frequency stored in the nonvolatile memory unit 510.

続いて制御指示部５１１は、動作モード変更前の動作周波数と、動作モード変更後の動作周波数の比較を行う。比較結果に基づき、動作周波数および電源電圧の制御手順を決定し、決定した手順に従って周波数制御部５１２および電圧制御部５１６へ制御を指示する。さらに制御指示部５１１は、温度検出部５０９から半導体集積回路５０１の現在の温度を取得することが可能である。取得した温度が安定した場合、動作周波数および温度に応じた電源電圧を、不揮発メモリ部５０１に格納された、動作周波数および温度に対応した電源電圧情報に基づいて決定し、電圧制御部５１６へさらなる電源電圧の制御を指示する。動作周波数および温度に対応した電源電圧情報の詳細は、図を用いて後述する。   Subsequently, the control instruction unit 511 compares the operation frequency before the operation mode is changed with the operation frequency after the operation mode is changed. The control procedure of the operating frequency and the power supply voltage is determined based on the comparison result, and the control is instructed to the frequency control unit 512 and the voltage control unit 516 according to the determined procedure. Further, the control instruction section 511 can acquire the current temperature of the semiconductor integrated circuit 501 from the temperature detection section 509. When the acquired temperature is stable, the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature is determined based on the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the temperature stored in the nonvolatile memory unit 501, and further supplied to the voltage control unit 516. Instructs control of the power supply voltage. Details of the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the temperature will be described later with reference to the drawings.

さらに制御指示部５１１は、画像変化検出部５０７より画像検出信号が入力された場合、温度検出部５０９から半導体集積回路５０１の現在の温度を取得し、画像変化検出前に取得した前回の温度と、画像変化後に取得した現在の温度を比較する。また、温度の比較結果に基づき、電源電圧を制御する。制御の詳細は後述する。   Further, when the image detection signal is input from the image change detection unit 507, the control instruction unit 511 obtains the current temperature of the semiconductor integrated circuit 501 from the temperature detection unit 509, and compares the current temperature with the previous temperature obtained before the image change detection. Compare the current temperature obtained after the image change. The power supply voltage is controlled based on the temperature comparison result. Details of the control will be described later.

制御指示部５１１は、温度検出部５０９から半導体集積回路５０１の現在の温度をさらに取得する。取得した温度が安定した場合、動作周波数および温度に応じた電源電圧を、不揮発メモリ部５０１に格納された、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報に基づいて決定し、電圧制御部５１６へさらなる電源電圧の制御を指示する。   The control instructing unit 511 further acquires the current temperature of the semiconductor integrated circuit 501 from the temperature detecting unit 509. When the acquired temperature is stable, the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature is determined based on the information of the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature stored in the non-volatile memory unit 501, and the voltage control unit 516 Instructs further control of the power supply voltage.

周波数制御部５１２は、ＰＬＬ、クロックゲーティングセルから構成され、クロック生成部５１８より出力されたクロックを逓倍、分周した後に、半導体集積回路５０１の各動作部に対してクロックを供給する。また、動作周波数の変更は、制御指示部５１１より受領した動作周波数の制御の指示に基づく。電圧制御部５１６は、Ｉ２ＣやＳＰＩといった通信方式により、半導体集積回路５０１の外部にある電源電圧生成部５１５と通信を行うインタフェースである。制御指示部５１１より受けた電圧の制御の指示に基づき、電源電圧生成部５１５の生成する電源電圧を制御する。   The frequency control unit 512 includes a PLL and a clock gating cell. The frequency control unit 512 multiplies and divides the clock output from the clock generation unit 518, and supplies the clock to each operation unit of the semiconductor integrated circuit 501. Further, the change of the operating frequency is based on the instruction for controlling the operating frequency received from the control instruction unit 511. The voltage control unit 516 is an interface that communicates with the power supply voltage generation unit 515 outside the semiconductor integrated circuit 501 by a communication method such as I2C or SPI. The power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 515 is controlled based on the voltage control instruction received from the control instruction unit 511.

圧縮部５０８は、現像部５０５より入力される画像データが動画像である場合は、ＭＰＥＧ−２や、Ｈ．２６４、Ｈ．２６５等の符号化手法によって動画ファイルを作成する。入力される画像データが静止画像である場合は、ＪＰＥＧなどの符号化によって静止画ファイルを作成する。作成された動画及び静止画ファイルは、記録再生部５１３によって、記録媒体５１４に記録される。表示処理部５１７は、記録時や記録待機時においては、現像部５０５より入力された動画像を表示部５１９に表示する。また、再生時においては、記録再生部により読み出された動画及び静止画ファイルを復号して伸長し、動画及び静止画ファイルを表示部５１９に表示する。   When the image data input from the developing unit 505 is a moving image, the compression unit 508 outputs an MPEG-2 or H.264 image. 264, H .; A moving image file is created by an encoding method such as H.265. If the input image data is a still image, a still image file is created by encoding such as JPEG. The created moving image and still image files are recorded on the recording medium 514 by the recording / reproducing unit 513. The display processing unit 517 displays the moving image input from the developing unit 505 on the display unit 519 during recording or recording standby. At the time of reproduction, the video and still image files read by the recording / reproduction unit are decoded and decompressed, and the video and still image files are displayed on the display unit 519.

揮発性メモリ部５２０は、例えばＳＤＲＡＭなどの揮発性のメモリである。揮発メモリ部５２０は、前記のように、制御指示部５１１が実行するプログラムを展開するために使用される。また、揮発メモリ部５２０は、画像処理のための記憶領域としても使用され、半導体集積回路５１１の各部からアクセスされ、各部の処理に伴う画像データやその他のデータを記憶する。   The volatile memory unit 520 is a volatile memory such as an SDRAM, for example. The volatile memory unit 520 is used for expanding the program executed by the control instruction unit 511 as described above. The volatile memory unit 520 is also used as a storage area for image processing, is accessed from each unit of the semiconductor integrated circuit 511, and stores image data and other data associated with processing of each unit.

第２の実施形態においても、第１の実施形態と同じく、半導体集積回路５０１は複数の動作モードを持つ。そして、制御指示部５１１は、動作モードと温度とに基づいて、図２の処理を行うことにより、クロック信号の周波数と電源電圧とを制御する。   Also in the second embodiment, as in the first embodiment, the semiconductor integrated circuit 501 has a plurality of operation modes. Then, the control instruction unit 511 controls the frequency of the clock signal and the power supply voltage by performing the processing in FIG. 2 based on the operation mode and the temperature.

このような制御に加え、更に、第２の実施形態では、図６に示す処理を行う。図６は、第２の実施形態における、電源電圧の制御手順のフローチャートであり、特に制御指示部５１１が画像変化検出部５０７より画像が変化したことを示す信号を受けた時の制御に関する。図６に示すフローは、制御指示部５１１が不揮発メモリ部５１０からプログラムを読みだすことで実行されるものである。制御指示部５１１が画像変化検出部５０７より画像の変化を検出したことを示す信号を受けると、図６の処理が開始される。   In addition to such control, in the second embodiment, the processing shown in FIG. 6 is further performed. FIG. 6 is a flowchart of a power supply voltage control procedure in the second embodiment, and particularly relates to control when the control instruction unit 511 receives a signal indicating that an image has changed from the image change detection unit 507. The flow illustrated in FIG. 6 is executed by the control instruction unit 511 reading a program from the nonvolatile memory unit 510. When the control instruction unit 511 receives a signal indicating that a change in the image has been detected from the image change detection unit 507, the processing in FIG. 6 is started.

画面の変化が検出された場合、クロックの動作周波数が変化せずとも、圧縮部５０８や表示処理部５１７にて処理するデータ量が変化し、半導体集積回路５０１の温度が変化する場合がある。そこで、制御指示部５１１は温度検出部５０９から温度を取得する（Ｓ６０１）。なお、画面変化が検出されてから所定時間後に温度を取得してもよいものとする。   When a change in the screen is detected, the amount of data processed by the compression unit 508 and the display processing unit 517 may change even if the operating frequency of the clock does not change, and the temperature of the semiconductor integrated circuit 501 may change. Therefore, the control instruction unit 511 acquires the temperature from the temperature detection unit 509 (S601). Note that the temperature may be acquired a predetermined time after a screen change is detected.

次に、取得した温度と、前回取得した温度とを比較し、前回の温度と同じであるか否かを判別する（Ｓ６０２）。同じ温度で無い場合、前回の温度よりも今回の温度の方が低いか否かを判別する（Ｓ６０３）。今回取得した温度より、画像変化を検出する前に取得した、前回の温度の方が高い場合、温度は下降していく傾向にあると予測できる。すると半導体集積回路５０１の遅延量は大きくなり、現在設定されている電源電圧では回路が誤動作を起こす可能性がある。   Next, the acquired temperature is compared with the previously acquired temperature to determine whether or not the temperature is the same as the previous temperature (S602). If they are not the same, it is determined whether the current temperature is lower than the previous temperature (S603). If the previous temperature acquired before detecting the image change is higher than the temperature acquired this time, it can be predicted that the temperature tends to decrease. Then, the delay amount of the semiconductor integrated circuit 501 increases, and the circuit may malfunction at the currently set power supply voltage.

従って、制御指示部５１１は、電圧制御部５１６へ電源電圧の制御を指示する（Ｓ６０４）。Ｓ６０４にて設定される電源電圧は、第１の電圧制御処理に基づき、決定する。第１の電圧制御処理とは、周波数制御部５１２より供給されている動作周波数に対応した電源電圧になるように制御する処理である。第１の電圧制御処理にて設定する電源電圧の値は、制御指示部５１１が、現在の動作モードに対応し、不揮発メモリ部５１０に格納された動作周波数に対応した電源電圧の情報を参照し、決定する。動作周波数に対応した電源電圧の情報の詳細は後述する。   Therefore, the control instruction unit 511 instructs the voltage control unit 516 to control the power supply voltage (S604). The power supply voltage set in S604 is determined based on the first voltage control processing. The first voltage control process is a process of controlling a power supply voltage corresponding to the operating frequency supplied from the frequency control unit 512. For the value of the power supply voltage set in the first voltage control process, the control instruction unit 511 refers to the information on the power supply voltage corresponding to the operation frequency stored in the nonvolatile memory unit 510 corresponding to the current operation mode. ,decide. Details of the power supply voltage information corresponding to the operating frequency will be described later.

画像変化の検出の前に取得した、前回の温度の方が低い場合、温度は上昇していく傾向にあると予測できる。すると半導体集積回路５０１の遅延量は小さくなり、現在設定されている電源電圧で回路が誤動作を起こす可能性はない。従って、電源電圧の制御は行わず、Ｓ６０５へと移行する。   If the previous temperature acquired before the detection of the image change is lower, it can be predicted that the temperature tends to increase. Then, the delay amount of the semiconductor integrated circuit 501 is reduced, and there is no possibility that the circuit malfunctions at the currently set power supply voltage. Therefore, the control shifts to S605 without controlling the power supply voltage.

次に、制御指示部５１１は温度検出部５０９から温度を検出し（Ｓ６０５）、温度が安定しているか否かの判定を行う（Ｓ６０６）。温度が安定していない場合はＳ６０５へと戻り、温度が安定するまでＳ６０５とＳ６０６を繰り返す。本実施形態でも、第１の実施形態と同じく、前回と今回の温度の差分が所定値以下となった場合、もしくは、温度の差分が所定値以下である状態が、所定の回数以上、継続している場合に、安定していると判断する。検出される温度が安定した場合、電圧制御部５１６へ電源電圧の制御を指示する（Ｓ６０７）。   Next, the control instruction unit 511 detects the temperature from the temperature detection unit 509 (S605), and determines whether the temperature is stable (S606). If the temperature is not stable, the process returns to S605, and repeats S605 and S606 until the temperature is stabilized. In the present embodiment, similarly to the first embodiment, the state where the difference between the previous temperature and the present temperature is equal to or less than a predetermined value, or the state where the temperature difference is equal to or less than a predetermined value, continues for a predetermined number of times or more. If it is, it is determined that it is stable. When the detected temperature is stable, the control unit 516 instructs the voltage control unit 516 to control the power supply voltage (S607).

Ｓ６０７にて設定される電源電圧は、第２の電圧制御処理に基づき、決定する。第２の電圧制御処理とは、周波数制御部５１２より供給されている動作周波数と、ステップ６０５にて検出され、かつステップ６０６にて安定したと判断された温度に対応した電源電圧に制御する処理である。第２の電圧制御処理にて設定する電源電圧の値は、制御指示部５１１が、不揮発メモリ部５１０に格納された動作周波数および温度に対応した電源電圧情報を参照し、決定する。動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報の詳細は後述する。Ｓ６０２において、前回検出された温度と今回の温度が同じであると判別した場合、制御指示部５１１は、電圧制御部５１６へ電源電圧の変更の指示を行わずに処理を終了する。   The power supply voltage set in S607 is determined based on the second voltage control processing. The second voltage control process is a process of controlling the operating frequency supplied from the frequency control unit 512 and the power supply voltage corresponding to the temperature detected in step 605 and determined to be stable in step 606. It is. The value of the power supply voltage set in the second voltage control process is determined by the control instruction unit 511 with reference to the power supply voltage information corresponding to the operating frequency and the temperature stored in the nonvolatile memory unit 510. Details of the information of the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature will be described later. If it is determined in S602 that the previously detected temperature is the same as the current temperature, the control instruction unit 511 ends the process without instructing the voltage control unit 516 to change the power supply voltage.

図７（ａ）は、第２の実施形態における、画像変化検出信号、処理量、電源電圧および温度の動作波形を示す図であり、半導体集積回路５０１の処理量が多い画像から少ない画像へ変化した場合を示す。半導体集積回路５０１の処理量とは、特に、センサ信号処理部５０４、現像部５０５、圧縮部５０８、記録再生部５１３および表示処理部５１７における動画像データの処理量を示すが、以後は省略する。   FIG. 7A is a diagram illustrating operation waveforms of an image change detection signal, a processing amount, a power supply voltage, and a temperature in the second embodiment, and the image changes from an image with a large processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 to an image with a small amount. The following shows the case. The processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 particularly indicates the processing amount of moving image data in the sensor signal processing unit 504, the developing unit 505, the compression unit 508, the recording / reproducing unit 513, and the display processing unit 517. .

図７（ａ）において、画像変化の検出信号７０１は画像変化検出部５０７より出力され、制御指示部５１１へ入力される信号である。前述の通り、半導体集積回路画像５０１に入力される画像のパラメータに所定値以上の変化があった場合に検出される。処理量７０２は、半導体集積回路５０１の処理量を示し、特に処理量が多い画像から少ない画像へ変化した場合を示す。ｄ１は、ｄ２と比較して処理量が多い値を示す。   7A, an image change detection signal 701 is a signal output from the image change detection unit 507 and input to the control instruction unit 511. As described above, it is detected when a parameter of an image input to the semiconductor integrated circuit image 501 has changed by a predetermined value or more. The processing amount 702 indicates the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501, and particularly indicates a case where an image with a large processing amount changes to an image with a small processing amount. d1 indicates a value having a larger processing amount than d2.

電源電圧７０３は電源電圧生成部５１５によって生成される電源電圧を示している。ｖ９は画像変化検出前の電源電圧を、ｖ７は第１の電圧制御手段により設定される電源電圧を、ｖ８は第２の電圧制御手段により設定される電源電圧を示す。温度７０４は半導体集積回路５０１の温度を示す。また、温度が変化していない期間を安定、温度が変化している期間を不安定と示す。   The power supply voltage 703 indicates a power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 515. v9 indicates a power supply voltage before image change detection, v7 indicates a power supply voltage set by the first voltage control means, and v8 indicates a power supply voltage set by the second voltage control means. The temperature 704 indicates the temperature of the semiconductor integrated circuit 501. Also, a period during which the temperature is not changed is indicated as stable, and a period during which the temperature is changed is indicated as unstable.

図７（ａ）の横軸は経過時間である。時間ｔ７は、画像変化の検出信号７０１が画像変化検出部５０７より出力される時間を示し、また画像の変化により半導体集積回路５０１の処理量７０２が変化する時間を示す。また、半導体集積回路５０１の処理量が変化することにより、温度７０４が変化を開始する時間である。時間ｔ８は、制御指示部５１１が、電圧制御部５１６へ第１の電圧制御処理を行う時間を示す。時間ｔ９は、制御指示部５１１が温度検出部５０９から取得した温度が安定した時間を示す。また、制御指示部５１１が、電圧制御部５１６へ第２の電圧制御処理を行う時間である。   The horizontal axis in FIG. 7A is the elapsed time. Time t7 indicates the time when the image change detection signal 701 is output from the image change detection unit 507, and the time when the processing amount 702 of the semiconductor integrated circuit 501 changes due to the image change. Further, this is a time at which the temperature 704 starts to change due to a change in the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501. Time t8 indicates the time during which the control instruction unit 511 performs the first voltage control process on the voltage control unit 516. The time t9 indicates a time when the temperature obtained by the control instruction unit 511 from the temperature detection unit 509 is stabilized. Also, it is the time when the control instruction unit 511 performs the second voltage control process on the voltage control unit 516.

時間ｔ７から時間ｔ９の期間は、半導体集積回路５０１の処理量が変化したことによる半導体集積回路５０１の温度変化開始から、温度が安定するまでの期間であり、一般的な半導体集積回路によれば数分間程度である。また、時間ｔ９以降の期間は、半導体集積回路５０１の温度が安定後、次に画像変化が検出され、半導体集積回路５０１の処理量が変化するまでの期間である。この期間は、被写体の変化に依存し、数十分程度継続する場合もある。また、この期間に低減可能な電源電圧はｖ７−ｖ８となり、一般的には数十ミリＶ程度である。   The period from time t7 to time t9 is a period from the start of the temperature change of the semiconductor integrated circuit 501 due to the change in the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 until the temperature is stabilized, and according to a general semiconductor integrated circuit. It takes about a few minutes. The period after the time t9 is a period after the temperature of the semiconductor integrated circuit 501 is stabilized, until the next image change is detected and the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 changes. This period depends on the change of the subject, and may last for about several tens of minutes. The power supply voltage that can be reduced during this period is v7-v8, which is generally on the order of tens of millivolts.

図７（ｂ）は、第２の実施形態における、画像変化の検出信号、処理量、電源電圧および温度の動作波形を示す図であり、半導体集積回路５０１の処理量が少ない画像から多い画像へ変化した場合を示す。図７（ｂ）において、画像変化の検出信号７０５は画像変化検出部５０７より出力され、制御指示部５１１へ入力される信号である。前述の通り、半導体集積回路５０１に入力される画像のパラメータに所定値以上の変化があった場合に検出される。   FIG. 7B is a diagram illustrating the operation waveforms of the image change detection signal, the processing amount, the power supply voltage, and the temperature in the second embodiment, from an image having a small processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 to an image having a large processing amount. Shows the case where it has changed. 7B, an image change detection signal 705 is a signal output from the image change detection unit 507 and input to the control instruction unit 511. As described above, it is detected when a parameter of an image input to the semiconductor integrated circuit 501 changes by a predetermined value or more.

処理量７０６は、半導体集積回路５０１の処理量を示し、特に処理量が少ない画像から多い画像へ変化した場合を示す。ｄ３は、ｄ４と比較して処理量が多い値を示す。   The processing amount 706 indicates the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501, and particularly indicates a case where an image with a small processing amount changes to an image with a large processing amount. d3 indicates a value having a larger processing amount than d4.

電源電圧７０７は電源電圧生成部５１５によって生成される電源電圧を示し、ｖ１０は画像変化検出前の電源電圧を、ｖ１１は第２の電圧制御手段により設定される電源電圧を示す。温度７０８は半導体集積回路５０１の温度を示す。また、温度が変化していない期間を安定、温度が変化している期間を不安定と示す。   The power supply voltage 707 indicates a power supply voltage generated by the power supply voltage generation unit 515, v10 indicates a power supply voltage before image change detection, and v11 indicates a power supply voltage set by the second voltage control unit. The temperature 708 indicates the temperature of the semiconductor integrated circuit 501. Also, a period during which the temperature is not changed is indicated as stable, and a period during which the temperature is changed is indicated as unstable.

図７（ｂ）の横軸は経過時間である。時間ｔ１０は、画像変化検出信号７０５が画像変化検出部５０７より出力される時間を示し、また画像の変化により半導体集積回路５０１の処理量７０６が変化する時間を示す。また、半導体集積回路５０１の処理量が変化することにより、温度７０８が変化を開始する時間である。   The horizontal axis in FIG. 7B is the elapsed time. Time t10 indicates the time when the image change detection signal 705 is output from the image change detection unit 507, and the time when the processing amount 706 of the semiconductor integrated circuit 501 changes due to the image change. Further, this is a time at which the temperature 708 starts to change due to a change in the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501.

時間ｔ１１は、制御指示部５１１が温度検出部５０９より取得した温度が、画像変化が検出される前の温度よりも高く、制御指示部５１１が第１の電圧制御処理を行わないと判断した時間を示す。時間ｔ１２は、制御指示部５１１が温度検出部５０９から取得した温度が安定した時間を示す。また、制御指示部５１１が、電圧制御部５１６へ第２の電圧制御処理を行う時間である。   Time t11 is a time when the control instruction unit 511 determines that the temperature acquired from the temperature detection unit 509 is higher than the temperature before the image change is detected and the control instruction unit 511 does not perform the first voltage control process. Is shown. The time t12 indicates a time when the temperature obtained by the control instruction unit 511 from the temperature detection unit 509 is stabilized. Also, it is the time when the control instruction unit 511 performs the second voltage control process on the voltage control unit 516.

時間ｔ１０から時間ｔ１１の期間は、半導体集積回路５０１の処理量が変化したことによる半導体集積回路５０１の温度変化開始から、温度が安定するまでの期間であり、一般的な半導体集積回路によれば数分間程度である。また、時間ｔ１１以降の期間は、半導体集積回路５０１の温度が安定後、次に画像変化が検出され、半導体集積回路５０１の処理量が変化するまでの期間である。この期間は、画像処理装置５００が撮影している被写体の変化に依存し、数十分程度継続する場合もある。また、この期間に低減可能な電源電圧はｖ１０−ｖ１１となり、一般的には数十ミリＶ程度である。   The period from time t10 to time t11 is a period from the start of the temperature change of the semiconductor integrated circuit 501 due to the change in the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 until the temperature is stabilized, and according to a general semiconductor integrated circuit. It takes about a few minutes. The period after the time t11 is a period after the temperature of the semiconductor integrated circuit 501 is stabilized, until the next image change is detected and the processing amount of the semiconductor integrated circuit 501 changes. This period depends on the change of the subject being photographed by the image processing apparatus 500, and may last for about several tens of minutes. The power supply voltage that can be reduced during this period is v10-v11, which is generally about several tens of millivolts.

図８（ａ）は、第２の実施形態における、不揮発メモリ部５１０に格納されている、動作周波数に対応した電源電圧の情報を示している。制御指示部５１１は、第１の電圧制御処理においてこれらの情報を参照する。動作周波数Ｆ１〜Ｆｎに対して、電源電圧Ｖ１〜Ｖｎがそれぞれ対応する。また、Ｖ１〜Ｖｎは、半導体集積回路５０１がそれぞれの動作周波数で動作している場合に、シミュレーションによって動作保証された電源電圧を示す。また、電源電圧Ｖ１〜Ｖｎには、温度変化に依存しないよう所定のマージンが含まれている。   FIG. 8A shows information on the power supply voltage corresponding to the operating frequency stored in the nonvolatile memory unit 510 in the second embodiment. The control instruction unit 511 refers to the information in the first voltage control processing. The power supply voltages V1 to Vn correspond to the operating frequencies F1 to Fn, respectively. V1 to Vn indicate power supply voltages that are guaranteed to operate by simulation when the semiconductor integrated circuit 501 operates at the respective operating frequencies. The power supply voltages V1 to Vn include a predetermined margin so as not to depend on a temperature change.

図８（ｂ）は、第２の実施形態における、不揮発メモリ部５１０に格納されている、動作周波数および温度に対応した電源電圧の情報を示している。制御指示部５１１は、第２の電圧制御処理において、これらの情報を参照する。動作周波数Ｆ１〜Ｆｎと、温度Ｔ１〜Ｔｎに対応した電源電圧がＶ１１〜Ｖｎｎとなる。また、Ｖ１１〜Ｖｎｎは、半導体集積回路５０１がそれぞれの動作周波数および温度で動作している場合に、シミュレーションによって動作保証された電源電圧を示す。   FIG. 8B shows the information of the power supply voltage corresponding to the operating frequency and the temperature stored in the nonvolatile memory unit 510 in the second embodiment. The control instruction unit 511 refers to such information in the second voltage control processing. The power supply voltages corresponding to the operating frequencies F1 to Fn and the temperatures T1 to Tn are V11 to Vnn. V11 to Vnn indicate power supply voltages that are guaranteed to operate by simulation when the semiconductor integrated circuit 501 operates at the respective operating frequencies and temperatures.

以上で説明したように、第２の実施形態によれば、画像変化が検出された時に温度の下降が確認された場合、制御指示部５１１が第１の電圧制御処理を行うことによって、温度によらず動作が安全な電源電圧へと設定可能となる。   As described above, according to the second embodiment, when a decrease in temperature is confirmed when an image change is detected, the control instruction unit 511 performs the first voltage control process to reduce the temperature. The operation can be set to a safe power supply voltage regardless of the operation.

画像変化検出時に温度の上昇が確認された場合、半導体集積回路５０１の遅延は小さくなるため、制御指示部５１１が電圧制御部５１６へ第１の電圧制御処理を行う必要はなく、現在の電源電圧を維持しても半導体集積回路５０１の動作は安全であるといえる。また、制御指示部５１１は第２の電圧制御処理によって、温度安定後、電圧制御部５１６へ動作周波数および温度に応じた電源電圧への制御指示が可能となる。   When a rise in temperature is confirmed at the time of detecting an image change, the delay of the semiconductor integrated circuit 501 is reduced, so that the control instruction unit 511 does not need to perform the first voltage control process on the voltage control unit 516, and the current power supply voltage Is maintained, the operation of the semiconductor integrated circuit 501 is safe. Further, the control instruction unit 511 can instruct the voltage control unit 516 to control the power supply voltage according to the operating frequency and the temperature after the temperature is stabilized by the second voltage control process.

制御指示部５１１が温度検出部５０９から行う温度の取得は、画像変化が検出された時から温度が安定する期間のみでよい。制御指示部５１１が電圧制御部５１６に指示して行う電源電圧の制御は、画像変化検出時および温度安定時の最大２回でよい。さらに、画像変化検出時に温度の上昇が確認された場合は第１の電圧制御手順を省略可能である。従って、半導体集積回路の動作周波数と温度に応じた効率的な電源電圧制御が可能となり、半導体集積回路の消費電力の低減を実現できる。   The acquisition of the temperature performed by the control instruction unit 511 from the temperature detection unit 509 may be performed only during a period in which the temperature is stabilized from the time when the image change is detected. The control of the power supply voltage performed by the control instructing unit 511 instructing the voltage control unit 516 may be performed twice at the maximum when the image change is detected and when the temperature is stabilized. Further, when a rise in temperature is confirmed at the time of image change detection, the first voltage control procedure can be omitted. Therefore, efficient power supply voltage control according to the operating frequency and temperature of the semiconductor integrated circuit can be performed, and the power consumption of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

Claims (10)

クロック信号に応じて動作する集積回路装置であって、
前記クロック信号の周波数を制御する周波数制御手段と、
前記集積回路装置が動作するための電源電圧を制御する電圧制御手段と、
前記周波数制御手段と前記電圧制御手段とを制御する制御指示手段と、
前記集積回路装置の温度を検出する温度検出手段とを備え、
前記制御指示手段は、前記クロック信号の周波数に応じて前記電源電圧を設定する第１の電圧制御処理と、前記クロック信号の周波数および、前記温度検出手段にて検出された温度に応じて前記電源電圧を設定する第２の電圧制御処理とを行い、
前記制御指示手段は、前記周波数制御手段を制御して前記クロック信号の周波数を変更すると、前記第１の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように前記電圧制御手段を制御し、その後、前記温度検出手段により検出された温度が安定したと判断すると、前記第２の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように前記電源制御手段を制御することを特徴とする集積回路装置。 An integrated circuit device that operates according to a clock signal,
Frequency control means for controlling the frequency of the clock signal,
Voltage control means for controlling a power supply voltage for operating the integrated circuit device;
Control instruction means for controlling the frequency control means and the voltage control means,
Temperature detecting means for detecting the temperature of the integrated circuit device,
The control instructing means includes: a first voltage control process for setting the power supply voltage in accordance with the frequency of the clock signal; and a power supply in accordance with the frequency of the clock signal and the temperature detected by the temperature detecting means. Performing a second voltage control process of setting a voltage,
The control instructing means controls the voltage control means so that when the frequency of the clock signal is changed by controlling the frequency control means, the voltage control means becomes the power supply voltage set by the first voltage control processing. When the temperature detected by the temperature detecting means is determined to be stable, the integrated circuit device controls the power control means so that the power voltage becomes the power voltage set by the second voltage control process. 前記制御指示手段は、動作周波数が異なる複数の動作モードのいずれかの動作モードへの変更の指示に応じて、指示された動作モードで動作するように制御を行い、前記指示された動作モードの動作周波数に対応した周波数の前記クロック信号を生成するように前記周波数制御手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。   The control instructing means, in response to an instruction to change to any one of a plurality of operation modes having different operation frequencies, performs control so as to operate in the instructed operation mode, and controls the instructed operation mode. 2. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the frequency control unit is controlled to generate the clock signal having a frequency corresponding to an operating frequency. 前記制御指示手段は、前記変更の指示による変更の前の動作モードの前記動作周波数が、変更の後の動作モードの前記動作周波数より高い場合、前記周波数制御手段により前記クロック信号の周波数を前記変更の後の動作モードの動作周波数に対応した周波数に変更した後、前記第１の電圧制御処理により設定した電源電圧となるように前記電圧制御手段を制御することを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。   The control instructing means, when the operating frequency of the operating mode before the change by the change instruction is higher than the operating frequency of the operating mode after the change, changes the frequency of the clock signal by the frequency control means. The method according to claim 2, wherein after changing to a frequency corresponding to the operating frequency of the subsequent operation mode, the voltage control means is controlled so as to have the power supply voltage set by the first voltage control processing. Integrated circuit device. 前記制御指示手段は、前記変更の指示による変更の前の動作モードの前記動作周波数が、変更の後の動作モードの前記動作周波数より低い場合、前記電圧制御手段により、前記電源電圧を前記第１の電圧制御処理により設定した電源電圧に変更した後、前記周波数制御手段により、前記クロック信号の周波数を前記変更の後の動作モードの動作周波数に対応した周波数に変更するように制御することを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。   The control instruction unit, when the operating frequency of the operation mode before the change according to the change instruction is lower than the operation frequency of the operation mode after the change, the voltage control unit sets the power supply voltage to the first mode. After changing to the power supply voltage set by the voltage control process, the frequency control means controls to change the frequency of the clock signal to a frequency corresponding to the operating frequency of the operating mode after the change. The integrated circuit device according to claim 2, wherein 前記制御指示手段は、前記変更の指示による変更の前の動作モードの前記動作周波数と、変更の後の動作モードの前記動作周波数とが同じ場合、前記電圧制御手段による前記電源電圧の変更を行わないようにすることを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。   The control instruction unit changes the power supply voltage by the voltage control unit when the operation frequency of the operation mode before the change by the change instruction is the same as the operation frequency of the operation mode after the change. 3. The integrated circuit device according to claim 2, wherein the integrated circuit device is not provided. 入力された画像を処理する処理手段を備え、
前記制御指示手段は、前記画像が変化したことが検出された場合、前記温度検出手段により検出された温度が、前記変化が検出される前の前記温度検出手段により検出された温度よりも高いか否かを判別し、前記温度検出手段により検出された温度が、前記変化が検出される前の温度よりも高い場合、前記電圧制御手段により、前記第１の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように制御し、前記温度検出手段により検出された温度が、前記変化が検出される前の温度よりも高くない場合、前記第１の電圧制御処理により電源電圧を変更しないようにすることを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路装置。 A processing unit for processing the input image,
The control instructing means, when it is detected that the image has changed, whether the temperature detected by the temperature detecting means is higher than the temperature detected by the temperature detecting means before the change is detected. If the temperature detected by the temperature detecting means is higher than the temperature before the change is detected, the voltage control means reduces the power supply voltage set by the first voltage control processing to the power supply voltage set by the first voltage control processing. And if the temperature detected by the temperature detecting means is not higher than the temperature before the change is detected, the first voltage control processing does not change the power supply voltage. 3. The integrated circuit device according to claim 1, wherein: 前記制御指示部は、前記温度検出手段により検出された温度が、前記変化が検出される前の温度よりも高い場合、前記電圧制御手段により、前記第１の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように制御した後、さらに、前記温度検出手段にて検出された温度が安定すると、前記電圧制御手段により、前記第２の電圧制御処理により設定した電源電圧になるように制御することを特徴とする請求項６に記載の集積回路装置。   When the temperature detected by the temperature detection unit is higher than the temperature before the change is detected, the control instruction unit sets the power supply voltage set by the first voltage control process to the power supply voltage set by the voltage control unit. And then, when the temperature detected by the temperature detection unit is stabilized, the voltage control unit controls the power supply voltage to be the power supply voltage set by the second voltage control process. The integrated circuit device according to claim 6, wherein 前記温度検出手段により検出された温度が、前記変化が検出される前の前記温度検出手段により検出された温度と同じである場合、前記制御指示手段は、前記電圧制御手段による前記電源電圧の制御を指示しないことを特徴とする請求項６に記載の集積回路装置。   When the temperature detected by the temperature detecting unit is the same as the temperature detected by the temperature detecting unit before the change is detected, the control instruction unit controls the power supply voltage by the voltage control unit. 7. The integrated circuit device according to claim 6, wherein the instruction is not given. 前記温度検出手段にて検出された温度が安定しているか否かの判定は、前回検出された温度と今回検出された温度との差分が所定値以下であるか否か、または、前記温度の差分が所定値以下である状態が所定の回数以上、継続しているか否かに基づく、ことを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。   The determination as to whether the temperature detected by the temperature detecting means is stable is based on whether the difference between the previously detected temperature and the currently detected temperature is equal to or less than a predetermined value, or 2. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the state in which the difference is equal to or smaller than a predetermined value is based on whether or not the state has continued for a predetermined number of times or more. 前記集積回路装置の複数の動作周波数に対応した電源電圧の情報である第１の情報と、
前記複数の動作周波数および前記集積回路装置の複数の温度に対応した情報である第２の情報とを記憶する記憶手段を備え、
前記制御指示手段は、前記第１の電圧制御処理において、前記第１の情報を用いて電源電圧を設定し、前記第２の電圧制御処理において、前記第２の情報を用いて電源電圧を設定することを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。 First information that is information of a power supply voltage corresponding to a plurality of operating frequencies of the integrated circuit device;
Storage means for storing the plurality of operating frequencies and second information that is information corresponding to a plurality of temperatures of the integrated circuit device,
The control instruction means sets a power supply voltage using the first information in the first voltage control processing, and sets a power supply voltage using the second information in the second voltage control processing The integrated circuit device according to claim 1, wherein:
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078081A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit
US20130169347A1 (en) * 2012-01-04 2013-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Temperature Management Circuit, System on Chip Including the Same and Method of Managing Temperature
JP2016189049A (en) * 2015-03-30 2016-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and method for controlling the same
US20170147048A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated ciurcuit for implementing a cooling algorithm and a mobile device including the same
US20170220445A1 (en) * 2016-02-01 2017-08-03 Qualcomm Incorporated System and method for intelligent thermal management using dynamic performance floors in a portable computing device
JP2018005569A (en) * 2016-07-01 2018-01-11 富士通株式会社 Semiconductor device and control method of semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009078081A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit
US20130169347A1 (en) * 2012-01-04 2013-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Temperature Management Circuit, System on Chip Including the Same and Method of Managing Temperature
JP2013140979A (en) * 2012-01-04 2013-07-18 Samsung Electronics Co Ltd Temperature management method and temperature management circuit for system on chip, system on chip comprising the same, and temperature management apparatus to control the same
JP2016189049A (en) * 2015-03-30 2016-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device and method for controlling the same
US20170147048A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated ciurcuit for implementing a cooling algorithm and a mobile device including the same
US20170220445A1 (en) * 2016-02-01 2017-08-03 Qualcomm Incorporated System and method for intelligent thermal management using dynamic performance floors in a portable computing device
JP2018005569A (en) * 2016-07-01 2018-01-11 富士通株式会社 Semiconductor device and control method of semiconductor device

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