JP2020013826A - Coil substrate - Google Patents

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普崇 谷口
Hirotaka Taniguchi
普崇 谷口
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Abstract

To provide a coil substrate which makes it easy to change coil characteristics on front and back surfaces.SOLUTION: A coil substrate 10 includes a first surface 10F and a second surface 10S opposite to the first surface 10F and is formed by stacking a plurality of conductor layers 21, 23 and 25 having spiral coil patterns 30, 31 and 32 via interlayer insulating layers 22 and 24. Among the plurality of interlayer insulating layers 22 and 24, the outermost first interlayer insulating layer 22 on the first surface 10F side is made of resin containing no reinforcing material and the outermost second interlayer insulating layer 24 on the second surface 10S side is made of resin containing a reinforcing material.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、コイル基板に関する。   The present disclosure relates to a coil substrate.

特許文献1には、コイルパターンを有する複数の導体層と複数の絶縁層とが交互に積層されているコイル基板が示されている。   Patent Literature 1 discloses a coil substrate in which a plurality of conductor layers having a coil pattern and a plurality of insulating layers are alternately stacked.

特許5339974号公報([0012]、図12)Japanese Patent No. 5339974 ([0012], FIG. 12)

表裏面においてコイル特性を変えることを容易にするコイル基板を提供する。   Provided is a coil substrate which makes it easy to change coil characteristics on front and back surfaces.

上記課題を解決するためになされた請求項1の発明は、第1面と、第1面と反対側の第2面とを有し、渦巻形のコイルパターンを有する複数の導体層が層間絶縁層を介して積層されてなるコイル基板である。そして複数の層間絶縁層のうち、第1面側の最外の第1層間絶縁層は補強材を含まない樹脂で構成され、第2面側の最外の第2層間絶縁層は補強材を含む樹脂で構成される。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 has a first surface and a second surface opposite to the first surface, and the plurality of conductor layers having a spiral coil pattern have interlayer insulation. It is a coil substrate that is laminated via layers. Of the plurality of interlayer insulating layers, the outermost first interlayer insulating layer on the first surface side is made of a resin not containing a reinforcing material, and the outermost second interlayer insulating layer on the second surface side is made of a reinforcing material. It is composed of resin containing.

コイル基板の側断面図Side sectional view of coil substrate (A)図1のA−Aの切断面における第1導体層の平断面図,(B)図1のB−Bの切断面における第2導体層の平断面図1A is a plan cross-sectional view of a first conductor layer taken along a section AA in FIG. 1, and FIG. 1B is a plan cross-sectional view of a second conductor layer taken along a section BB in FIG. (A)図1のC−Cの切断面における第3導体層の平断面図,(B)図1のD−Dの切断面における第4導体層の平断面図1A is a cross-sectional plan view of the third conductor layer taken along the line CC in FIG. 1, and FIG. 1B is a cross-sectional plan view of the fourth conductor layer taken along the line DD in FIG. コイル基板の拡大側断面図Enlarged side sectional view of coil substrate コイル基板の製造工程を示す側断面図Sectional side view showing the manufacturing process of the coil substrate コイル基板の製造工程を示す側断面図Sectional side view showing the manufacturing process of the coil substrate コイル基板の製造工程を示す側断面図Sectional side view showing the manufacturing process of the coil substrate コイル基板の製造工程を示す側断面図Sectional side view showing the manufacturing process of the coil substrate コイル基板の製造工程を示す側断面図Sectional side view showing the manufacturing process of the coil substrate コイル基板の製造工程を示す側断面図Sectional side view showing the manufacturing process of the coil substrate コイル基板の使用例を示す側断面図Side sectional view showing an example of using a coil substrate

以下、本実施形態を図1〜図11に基づいて説明する。本実施形態のコイル基板10は、図1に示されるように、複数の導体層21,23,25及び複数の層間絶縁層22,24が交互に積層されてなる。そして、その表裏の両面にソルダ―レジスト層26,26が積層されている。なお以下では、コイル基板10のうち表側の面を第1面10Fといい、裏側の面を第2面10Sという。   Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the coil substrate 10 of the present embodiment is configured by alternately stacking a plurality of conductor layers 21, 23, 25 and a plurality of interlayer insulating layers 22, 24. Then, solder resist layers 26, 26 are laminated on both the front and back surfaces. In the following, the front surface of the coil substrate 10 is referred to as a first surface 10F, and the rear surface is referred to as a second surface 10S.

また、複数の導体層21,23,25を区別するときには、第1面10F側の最外の導体層21から第2面10S側の最外の導体層25に向かって、順番に、第1導体層21、第2導体層23、第3導体層25A,第4導体層25B,第5導体層25Cということとする。また、複数の層間絶縁層22,24を区別するときには、第1導体層21と隣り合う層間絶縁層22を第1層間絶縁層22、その他の層間絶縁層24を第2層間絶縁層24という。   When the plurality of conductor layers 21, 23, and 25 are distinguished, the first conductor layers 21 are arranged in order from the outermost conductor layer 21 on the first surface 10F side to the outermost conductor layer 25 on the second surface 10S side. The conductor layer 21, the second conductor layer 23, the third conductor layer 25A, the fourth conductor layer 25B, and the fifth conductor layer 25C are referred to as the conductor layers 21, 23, 25A, and 25C. When the plurality of interlayer insulating layers 22 and 24 are distinguished, the interlayer insulating layer 22 adjacent to the first conductor layer 21 is referred to as a first interlayer insulating layer 22, and the other interlayer insulating layers 24 are referred to as a second interlayer insulating layer 24.

各導体層21,23,25には、それぞれコイルパターン30,31,32が備えられている。それらコイルパターン30,31,32はコイル基板10の板厚方向に並んでいる。図2(A)には、コイル基板10の平面形状と共に、第1面10F側から見た第1導体層21の平面形状が示されている。コイル基板10の平面形状は、横長の四角形をなしている。第1導体層21は、コイルパターン30を有している。そのコイルパターン30は、外側端部から内側端部に向かって直線部と、直角に曲がる屈曲部とを交互に連ねてなる。即ち、コイルパターン30は、全体が略四角形で、外側端部から内側端部に向かうに従って、反時計回りの渦巻形をなしている。コイルの巻き数は5である。   Each conductor layer 21, 23, 25 is provided with a coil pattern 30, 31, 32, respectively. The coil patterns 30, 31, 32 are arranged in the thickness direction of the coil substrate 10. FIG. 2A shows the planar shape of the first conductor layer 21 as viewed from the first surface 10F side, together with the planar shape of the coil substrate 10. The planar shape of the coil substrate 10 is a horizontally long rectangle. The first conductor layer 21 has a coil pattern 30. The coil pattern 30 has a straight portion and a bent portion that bends at a right angle alternately connected from the outer end to the inner end. That is, the coil pattern 30 has a substantially rectangular shape as a whole, and has a spiral shape counterclockwise from the outer end to the inner end. The number of turns of the coil is five.

図2(B)には、第1面10F側から見た第2導体層23の平面形状が示されている。第2導体層23は、コイルパターン31と、第1導体層21のコイルパターン30の外側端部と接続されるランド部33を有している。コイルパターン31は、外側端部から内側端部に向かうに従って、時計回りの渦巻きになっている。コイルの巻き数は4である。   FIG. 2B shows a planar shape of the second conductor layer 23 as viewed from the first surface 10F side. The second conductor layer 23 has a coil pattern 31 and a land 33 connected to the outer end of the coil pattern 30 of the first conductor layer 21. The coil pattern 31 forms a clockwise spiral from the outer end to the inner end. The number of turns of the coil is four.

図3(A)には、第1面10F側から見た第3導体層25Aの平面形状が示されている。また、第5導体層25Cは、第1面10F側から見た平面形状が第3導体層25Aと同じになっている。第3導体層25A及び第5導体層25Cは、コイルパターン32Aと、ランド部33を有している。コイルパターン32Aは、外側端部から内側端部に向かうに従って、反時計回りの渦巻きになっている。コイルの巻き数は3である。   FIG. 3A shows the planar shape of the third conductor layer 25A viewed from the first surface 10F side. The fifth conductor layer 25C has the same planar shape as the third conductor layer 25A when viewed from the first surface 10F side. The third conductor layer 25A and the fifth conductor layer 25C have a coil pattern 32A and a land portion 33. The coil pattern 32A forms a counterclockwise spiral from the outer end to the inner end. The number of turns of the coil is three.

図3(B)には、第1面10F側から見た第4導体層25Bの平面形状が示されている。第4導体層25Bは、コイルパターン32Bとランド部33とを有している。コイルパターン32Bは、外側端部から内側端部に向かうに従って、時計回りの渦巻きになっている。コイルの巻き数は3である。   FIG. 3B shows a planar shape of the fourth conductor layer 25B viewed from the first surface 10F side. The fourth conductor layer 25B has a coil pattern 32B and a land 33. The coil pattern 32B forms a clockwise spiral from the outer end to the inner end. The number of turns of the coil is three.

図1に示されるように、コイルパターン30,31,32は、層間絶縁層22,24を貫通するビア導体17によって直列接続されている。各ビア導体17は、第2面10S側から第1面10F側に向かうに従って縮径している。隣り合う導体層21,23,25のコイルパターン30,31,32は、第1面10F側から、内側端部同士、外側端部同士、内側端部同士、外側端部同士の順番で接続されて、複数のコイルパターン30,31,32の直列回路が構成されている。これにより、複数のコイルパターン30,31,32の直列回路に電流が流れたときには、各コイルパターン30,31,32に発生する磁束が同じ方向を向く。   As shown in FIG. 1, the coil patterns 30, 31, 32 are connected in series by via conductors 17 penetrating through the interlayer insulating layers 22, 24. Each via conductor 17 is reduced in diameter from the second surface 10S side to the first surface 10F side. The coil patterns 30, 31, 32 of the adjacent conductor layers 21, 23, 25 are connected in order of the inner ends, the outer ends, the inner ends, and the outer ends from the first surface 10F side. Thus, a series circuit of a plurality of coil patterns 30, 31, 32 is configured. Thereby, when a current flows through the series circuit of the plurality of coil patterns 30, 31, 32, the magnetic fluxes generated in the coil patterns 30, 31, 32 are directed in the same direction.

S面10S側のソルダーレジスト層26には、第5導体層25Cの一部を露出させる複数の開口26Hが形成されている。第5導体層25Cのランド部33(図1には図示せず)及びコイルパターン32Aの内側端部の一部が開口26Hから露出してパッド29を構成する。また、F面10F側のソルダーレジスト層26には開口26Aが形成されている。開口26Aからは第1導体層21のコイルパターン30が露出している。   A plurality of openings 26H that expose a part of the fifth conductor layer 25C are formed in the solder resist layer 26 on the S surface 10S side. The land portion 33 (not shown in FIG. 1) of the fifth conductor layer 25C and a part of the inner end of the coil pattern 32A are exposed from the opening 26H to form the pad 29. Also, an opening 26A is formed in the solder resist layer 26 on the F surface 10F side. The coil pattern 30 of the first conductor layer 21 is exposed from the opening 26A.

ここで、本実施形態のコイル基板10は、第1層間絶縁層22と第2層間絶縁層24とが異なる材質で構成されている。第1層間絶縁層22は、補強材を含まない絶縁樹脂で構成されている。例えば、第1層間絶縁層22はエポキシ系樹脂にシリカフィラーを含有させてなるビルドアップ用樹脂フィルムである。第2層間絶縁層24は、補強材を有する絶縁樹脂層で構成されている。例えば、第2層間絶縁層24は、ガラスクロスに樹脂が含浸されてなるプリプレグで構成される。   Here, in the coil substrate 10 of the present embodiment, the first interlayer insulating layer 22 and the second interlayer insulating layer 24 are made of different materials. The first interlayer insulating layer 22 is made of an insulating resin containing no reinforcing material. For example, the first interlayer insulating layer 22 is a resin film for build-up obtained by adding a silica filler to an epoxy resin. The second interlayer insulating layer 24 is formed of an insulating resin layer having a reinforcing material. For example, the second interlayer insulating layer 24 is formed of a prepreg obtained by impregnating a glass cloth with a resin.

また、図4に示されるように、本実施形態のコイル基板10は、第1導体層21のコイルパターン30の配線間の隙間に、第1層間絶縁層22の樹脂の一部が充填されている。また、コイルパターン30の断面形状は略矩形になっている。   As shown in FIG. 4, in the coil substrate 10 of the present embodiment, a part of the resin of the first interlayer insulating layer 22 is filled in the gap between the wirings of the coil pattern 30 of the first conductor layer 21. I have. The cross-sectional shape of the coil pattern 30 is substantially rectangular.

また、本実施形態のコイル基板10は、第1面10F側に配置されているコイルパターン30は、第2面10S側に配置されているコイルパターン32の巻き数よりも多い。また、第2面10Sから第1面10Fに向かうに従って、コイルパターン30,31,32の巻き数は段階的に多くなっている。具体的には、上述したように、複数の導体層21,23,25のうち第1面10F側の最外面に位置する第1導体層21のコイルパターン30の巻き数5である。また、第1導体層21の次に第1面10F側に近い第2導体層23のコイルパターン31の巻き数は4である。そして、その他の導体層25のコイルパターン32の巻き数は3である。   In the coil substrate 10 of the present embodiment, the number of turns of the coil pattern 30 disposed on the first surface 10F side is larger than the number of turns of the coil pattern 32 disposed on the second surface 10S side. In addition, the number of turns of the coil patterns 30, 31, 32 gradually increases from the second surface 10S toward the first surface 10F. Specifically, as described above, the number of turns is 5 in the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 located on the outermost surface on the first surface 10F side of the plurality of conductor layers 21, 23, and 25. Further, the number of turns of the coil pattern 31 of the second conductor layer 23 near the first surface 10F side next to the first conductor layer 21 is four. The number of turns of the coil pattern 32 of the other conductor layer 25 is three.

第1導体層21のコイルパターン30の配線幅L1は、他の導体層23,25のコイルパターン31,32の配線幅L2,L3よりも小さい。さらに第1導体層21のコイルパターン30の配線の間隔S1は、他の導体層23,25のコイルパターン31,32の配線の間隔S2,S3よりも小さい。なお、第1導体層21におけるコイルパターン30の配線幅L1は13〜20[μm]であり、配線同士の間隔S1は13〜20[μm]である。第2導体層23におけるコイルパターン31の配線幅L2は15〜25[μm]であり、配線同士の間隔S2は15〜25[μm]である。その他の導体層25におけるコイルパターン32の配線幅L3は20〜40[μm]であり、配線同士の間隔S3は20〜40[μm]である。   The wiring width L1 of the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 is smaller than the wiring widths L2 and L3 of the coil patterns 31 and 32 of the other conductor layers 23 and 25. Further, the spacing S1 between the wirings of the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 is smaller than the spacing S2, S3 of the wiring of the coil patterns 31 and 32 of the other conductor layers 23 and 25. The wiring width L1 of the coil pattern 30 in the first conductor layer 21 is 13 to 20 [μm], and the interval S1 between the wirings is 13 to 20 [μm]. The wiring width L2 of the coil pattern 31 in the second conductor layer 23 is 15 to 25 [μm], and the interval S2 between the wirings is 15 to 25 [μm]. The wiring width L3 of the coil pattern 32 in the other conductor layer 25 is 20 to 40 [μm], and the spacing S3 between the wirings is 20 to 40 [μm].

次に、本実施形態のコイル基板10の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the coil substrate 10 of the present embodiment will be described.

(1)図5(A)に示されるように、支持基板50の表側の面であるF面50Fと裏側の面であるS面50Sとに、銅製のキャリア34,34が積層されている支持部材51が用意される。支持基板50は、樹脂層50Aの表裏の両面に銅箔50Dが積層されてなり、支持基板50の銅箔50Dとキャリア34とは外周部同士が接着されている。なお、支持基板50のF面50F側のキャリア34上とS面50S側のキャリア34上とには同じ処理が施される。   (1) As shown in FIG. 5A, a support in which copper carriers 34, 34 are laminated on an F surface 50F, which is a front surface, and an S surface 50S, which is a back surface, of the support substrate 50. A member 51 is prepared. The support substrate 50 is formed by laminating copper foil 50D on both the front and back surfaces of a resin layer 50A, and the outer periphery of the copper foil 50D of the support substrate 50 and the carrier 34 are bonded to each other. The same process is performed on the carrier 34 on the F surface 50F side of the support substrate 50 and on the carrier 34 on the S surface 50S side.

(2)図5(B)に示されるように、支持部材51のキャリア34上に所定パターンのめっきレジスト35が形成される。   (2) As shown in FIG. 5B, a plating resist 35 having a predetermined pattern is formed on the carrier 34 of the support member 51.

(3)図5(C)に示されるように、電解銅めっき処理が行われてキャリア34上のうちめっきレジスト35から露出している部分に銅めっき層36が形成される。   (3) As shown in FIG. 5C, an electrolytic copper plating process is performed to form a copper plating layer 36 on a portion of the carrier 34 that is exposed from the plating resist 35.

(4)めっきレジスト35が剥離され、図5(D)に示されるように、残された銅めっき層36より、コイルパターン30を有する第1導体層21が形成される。   (4) The plating resist 35 is peeled off, and the first conductor layer 21 having the coil pattern 30 is formed from the remaining copper plating layer 36 as shown in FIG.

(5)図5(E)に示されるように、第1導体層21上に第1層間絶縁層22が積層されて、加熱プレスされる。そして、隣り合う第1導体層21に形成されているコイルパターン30同士の間の隙間に第1層間絶縁層22を構成する樹脂が入り込む。   (5) As shown in FIG. 5 (E), the first interlayer insulating layer 22 is laminated on the first conductor layer 21 and hot-pressed. Then, the resin forming the first interlayer insulating layer 22 enters the gap between the coil patterns 30 formed on the adjacent first conductor layers 21.

(6)図6(A)に示されるように、第1層間絶縁層22にCO2レーザーが照射されて、ビアホール22Hが形成される。ビアホール22Hは、第1導体層21上に配置される。   (6) As shown in FIG. 6A, the first interlayer insulating layer 22 is irradiated with a CO2 laser to form a via hole 22H. The via hole 22H is arranged on the first conductor layer 21.

(7)次いで、無電解めっき処理が行われ、第1層間絶縁層22上と、ビアホール22H内とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。次いで、図6(B)に示されるように、無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト35が形成される。   (7) Next, an electroless plating process is performed to form an electroless plating film (not shown) on the first interlayer insulating layer 22 and in the via hole 22H. Next, as shown in FIG. 6B, a plating resist 35 having a predetermined pattern is formed on the electroless plating film.

(8)図6(C)に示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきがビアホール22H内に充填されてビア導体17が形成され、さらには、第1層間絶縁層22上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト35から露出している部分に電解めっき膜38が形成される。   (8) As shown in FIG. 6C, an electrolytic plating process is performed, the plating is filled in the via hole 22H to form the via conductor 17, and further, the electroless plating on the first interlayer insulating layer 22 is performed. An electrolytic plating film 38 is formed on a portion of the plating film (not shown) exposed from the plating resist 35.

(9)めっきレジスト35が剥離されると共に、めっきレジスト35の下方の無電解めっき膜(図示せず)が除去され、図6(D)に示されるように、電解めっき膜38及び無電解めっき膜により、第1層間絶縁層22上にコイルパターン31を有する第2導体層23が形成される。そして、第1導体層21と第2導体層23とがビア導体17によって接続される。   (9) While the plating resist 35 is peeled off, the electroless plating film (not shown) below the plating resist 35 is removed, and as shown in FIG. The film forms the second conductor layer 23 having the coil pattern 31 on the first interlayer insulating layer 22. Then, the first conductor layer 21 and the second conductor layer 23 are connected by the via conductor 17.

(10)図7(A)に示されるように、第2導体層23上に、第2層間絶縁層24と、第2層間絶縁層24に重ねられた銅箔24Cとが積層されて、加熱プレスされる。   (10) As shown in FIG. 7A, a second interlayer insulating layer 24 and a copper foil 24C overlaid on the second interlayer insulating layer 24 are laminated on the second conductor layer 23, and heated. Pressed.

(11)図7(B)に示されるように、銅箔24C及び第2層間絶縁層24にCO2レーザーが照射されて、ビアホール24Hが形成される。ビアホール24Hは、第2導体層23上に配置される。   (11) As shown in FIG. 7B, the copper foil 24C and the second interlayer insulating layer 24 are irradiated with a CO2 laser to form via holes 24H. The via hole 24H is arranged on the second conductor layer 23.

(12)次いで、無電解めっき処理が行われ、銅箔24C上と、ビアホール24H内とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。次いで、図7(C)に示されるように、無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト35が形成される。   (12) Next, an electroless plating process is performed to form an electroless plating film (not shown) on the copper foil 24C and in the via hole 24H. Next, as shown in FIG. 7C, a plating resist 35 having a predetermined pattern is formed on the electroless plating film.

(13)図8(A)に示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきがビアホール24H内に充填されてビア導体17が形成され、さらには、銅箔24C上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト35から露出している部分に電解めっき膜38が形成される。   (13) As shown in FIG. 8A, an electrolytic plating process is performed, the plating is filled in the via hole 24H to form the via conductor 17, and further, the electroless plating film ( Electrolytic plating film 38 is formed on a portion of plating resist 35 exposed (not shown).

(14)めっきレジスト35が剥離されると共に、めっきレジスト35の下方の無電解めっき膜(図示せず)及び銅箔24Cが除去され、図8(B)に示されるように、残された銅箔24C、電解めっき膜38及び無電解めっき膜により、第2層間絶縁層24上にコイルパターン32Aを有する第3導体層25Aが形成される。そして、第2導体層23と第3導体層25Aとがビア導体17によって接続される。   (14) While the plating resist 35 is peeled off, the electroless plating film (not shown) below the plating resist 35 and the copper foil 24C are removed, and as shown in FIG. The third conductor layer 25A having the coil pattern 32A is formed on the second interlayer insulating layer 24 by the foil 24C, the electrolytic plating film 38, and the electroless plating film. Then, the second conductor layer 23 and the third conductor layer 25A are connected by the via conductor 17.

(15)上述した(10)〜(14)と同様の処理により、図8(C)及び図9(A)に示されるように、第2層間絶縁層24を介して第4導体層25B及び第5導体層25Cが形成される。   (15) By the same processing as (10) to (14) described above, as shown in FIGS. 8C and 9A, the fourth conductor layer 25B and the second conductor layer 25B are interposed via the second interlayer insulating layer 24. A fifth conductor layer 25C is formed.

(16)図9(B)に示されるように、キャリア34が支持基板50から剥離される。   (16) As shown in FIG. 9B, the carrier 34 is separated from the support substrate 50.

(17)図10(A)に示されるように、キャリア34がエッチングにより除去される。   (17) As shown in FIG. 10A, the carrier 34 is removed by etching.

(18)図10(B)に示されるように、第1導体層21上及び第5導体層25C上にソルダーレジスト層26が形成される。   (18) As shown in FIG. 10B, a solder resist layer 26 is formed on the first conductor layer 21 and the fifth conductor layer 25C.

(19)図10(C)に示されるように、F面10F側のソルダーレジスト層26に開口26Aが形成され第1導体層21のコイルパターン30が露出される。また、S面10S側のソルダーレジスト層26の所定箇所にテーパー状の開口26Hが形成され、第5導体層25Cのうち開口26Hから露出した部分がパッド29になる。以上で図1に示されるコイル基板10が完成する。   (19) As shown in FIG. 10C, an opening 26A is formed in the solder resist layer 26 on the F surface 10F side, and the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 is exposed. Further, a tapered opening 26H is formed at a predetermined position of the solder resist layer 26 on the S surface 10S side, and a portion of the fifth conductor layer 25C exposed from the opening 26H becomes a pad 29. Thus, the coil substrate 10 shown in FIG. 1 is completed.

本実施形態のコイル基板10の構造及び製造方法に関する説明は以上である。次にコイル基板10の使用例と作用効果とを説明する。本実施形態のコイル基板10は、例えば、図11に示されるように、磁石90に第1面10Fが近づけられるように配置される。   The description of the structure and the manufacturing method of the coil substrate 10 of the present embodiment is as described above. Next, an example of use of the coil substrate 10 and the effects thereof will be described. The coil substrate 10 of the present embodiment is arranged so that the first surface 10F is brought close to the magnet 90, for example, as shown in FIG.

本実施形態のコイル基板10では、複数の層間絶縁層22,24のうち磁石90側に配置される第1層間絶縁層22が、補強材を有さない樹脂で構成される一方、第2面10S側に配置される第2層間絶縁層24が、補強材を有する樹脂で構成されている。即ち、従来のように、コイル基板10の表裏の層間絶縁層が同じ組成で構成されていた従来のコイル基板とは異なり、本実施形態のコイル基板10は、第1面10F側の第1層間絶縁層22と第2面10S側の第2層間絶縁層24とが異なる組成で構成されている。これにより、コイル基板10の表裏の両面におけるコイル特性を容易に変えることができる。   In the coil substrate 10 of the present embodiment, the first interlayer insulating layer 22 disposed on the magnet 90 side among the plurality of interlayer insulating layers 22 and 24 is formed of a resin having no reinforcing material, while the second surface is formed. The second interlayer insulating layer 24 disposed on the 10S side is made of a resin having a reinforcing material. That is, unlike the conventional coil substrate in which the interlayer insulating layers on the front and back sides of the coil substrate 10 are formed of the same composition as in the conventional case, the coil substrate 10 of the present embodiment has the first interlayer on the first surface 10F side. The insulating layer 22 and the second interlayer insulating layer 24 on the second surface 10S side have different compositions. Thereby, the coil characteristics on both the front and back surfaces of the coil substrate 10 can be easily changed.

また、第1導体層21のコイルパターン30間の隙間が第1層間絶縁層22の樹脂によって埋められている。これにより、第1導体層21のコイルパターン30間の隙間が第1層間絶縁層22の樹脂によって埋められていないものと比べて、強度の向上を図ることができる。第1層間絶縁層22は、補強材を有さない構成であるため、コイルパターン30の間の隙間に充填されやすい。   The gap between the coil patterns 30 of the first conductor layer 21 is filled with the resin of the first interlayer insulating layer 22. Thereby, the strength can be improved as compared with the case where the gap between the coil patterns 30 of the first conductor layer 21 is not filled with the resin of the first interlayer insulating layer 22. Since the first interlayer insulating layer 22 does not have a reinforcing material, the gap between the coil patterns 30 is easily filled.

また、磁石90に最も近づけられる第1面10F側に形成されている第1導体層21のコイルパターン30の巻き数を、他の導体層23のコイルパターン31の巻き数よりも多くすることが容易にできる。   Also, the number of turns of the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 formed on the first surface 10F closest to the magnet 90 may be larger than the number of turns of the coil pattern 31 of the other conductor layers 23. Easy.

さらに、第1導体層21のコイルパターン30は断面形状が略矩形であるので、断面形状が台形のものと比べて、コイルパターン30の占積率をあげる事が出来る。なお、製造工程(5)において、第1導体層21のコイルパターン30の隙間が第1層間絶縁層22の樹脂の一部によって埋められている。これにより、製造工程(17)において、キャリア34を除去するときに、第1導体層21のコイルパターン30が横方向からエッチングされることが抑制されている。   Further, since the cross-sectional shape of the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 is substantially rectangular, the space factor of the coil pattern 30 can be increased as compared with the coil pattern 30 having a trapezoidal cross-sectional shape. In the manufacturing process (5), the gap between the coil patterns 30 of the first conductor layer 21 is filled with a part of the resin of the first interlayer insulating layer 22. Thereby, when the carrier 34 is removed in the manufacturing process (17), the coil pattern 30 of the first conductor layer 21 is suppressed from being etched from the lateral direction.

また、第1層間絶縁層22上に形成される第2導体層23のコイルパターン31の巻き数は、第2層間絶縁層24上に形成される第3導体層25A、第4導体層25B及び第5導体層25Cのコイルパターン32A,32Bの巻き数よりも多くすることができる。
[他の実施形態]
The number of turns of the coil pattern 31 of the second conductor layer 23 formed on the first interlayer insulation layer 22 is the same as that of the third conductor layer 25A, fourth conductor layer 25B, The number of turns can be larger than the number of turns of the coil patterns 32A and 32B of the fifth conductor layer 25C.
[Other embodiments]

(1)上記実施形態では、補強材を含まない第1層間絶縁層22を一つだけ有する構成であったが、第1層間絶縁層22を複数有する構成であってもよい。   (1) In the above embodiment, the configuration has only one first interlayer insulating layer 22 containing no reinforcing material. However, the configuration may have a plurality of first interlayer insulating layers 22.

(2)上記実施形態では、コイルパターン30,31,32の巻き数が、それぞれ異なっていたが同じであってもよい。また、コイルパターン30の巻き数よりもコイルパターン31,32の巻き数が多い構成であってもよい。   (2) In the above embodiment, the number of turns of each of the coil patterns 30, 31, and 32 is different, but may be the same. Further, a configuration in which the number of turns of the coil patterns 31 and 32 is larger than the number of turns of the coil pattern 30 may be employed.

(3)上記実施形態では、コイルパターン30の配線幅L1とコイルパターン31の配線幅L2が異なる構成であったが、同じであってもよい。この場合、コイルパターン30の配線同士の間隔S1とコイルパターン31の配線同士の間隔S2とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。   (3) In the above embodiment, the wiring width L1 of the coil pattern 30 and the wiring width L2 of the coil pattern 31 are different, but may be the same. In this case, the space S1 between the wires of the coil pattern 30 and the space S2 between the wires of the coil pattern 31 may be the same or different.

(4)上記実施形態では、コイルパターン30の配線同士の間隔S1とコイルパターン31の配線同士の間隔S2が異なる構成であったが、同じであってもよい。この場合、コイルパターン30の配線幅L1とコイルパターン31の配線幅L2とが同じであってもよいし、異なっていてもよい。   (4) In the above embodiment, the interval S1 between the wirings of the coil pattern 30 and the interval S2 between the wirings of the coil pattern 31 are different, but they may be the same. In this case, the wiring width L1 of the coil pattern 30 and the wiring width L2 of the coil pattern 31 may be the same or different.

10 コイル基板
10F 第1面
10S 第2面
17 ビア導体
21,23,25 導体層
22,24 層間絶縁層
29 パッド
30,31,32 コイルパターン
50 支持基板
90 磁石
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Coil board 10F 1st surface 10S 2nd surface 17 Via conductor 21, 23, 25 Conductive layer 22, 24 Interlayer insulating layer 29 Pad 30, 31, 32 Coil pattern 50 Support substrate 90 Magnet

Claims (8)

第1面と、前記第1面と反対側の第2面とを有し、渦巻形のコイルパターンを有する複数の導体層が層間絶縁層を介して積層されてなるコイル基板であって、
前記複数の層間絶縁層のうち、前記第1面側の最外の第1層間絶縁層は補強材を含まない樹脂で構成され、前記第2面側の最外の第2層間絶縁層は補強材を含む樹脂で構成される。
A coil substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, wherein a plurality of conductor layers having a spiral coil pattern are stacked via an interlayer insulating layer,
Of the plurality of interlayer insulating layers, the outermost first interlayer insulating layer on the first surface side is made of a resin containing no reinforcing material, and the outermost second interlayer insulating layer on the second surface side is reinforced. It is composed of resin containing material.
請求項1に記載のコイル基板であって、
前記第1面側の最外の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの間が前記第1層間絶縁層を構成する樹脂で埋められている。
The coil substrate according to claim 1, wherein
The space between the coil patterns included in the outermost conductor layer on the first surface side is filled with a resin constituting the first interlayer insulating layer.
請求項1又は2に記載のコイル基板であって、
前記第1面側の前記最外の導体層に含まれる前記コイルパターンの配線幅は、他の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの配線幅よりも狭い。
It is a coil board of Claim 1 or 2, Comprising:
A wiring width of the coil pattern included in the outermost conductor layer on the first surface side is smaller than a wiring width of the coil pattern included in another conductor layer.
請求項3に記載のコイル基板であって、
前記第1層間絶縁層のうち前記第2面側の面に形成されている前記導体層に含まれる前記コイルパターンの配線幅は、前記第2面側の最外の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの配線幅よりも狭い。
The coil substrate according to claim 3, wherein
The wiring width of the coil pattern included in the conductor layer formed on the surface on the second surface side of the first interlayer insulating layer is the wiring width included in the outermost conductor layer on the second surface side. It is narrower than the wiring width of the coil pattern.
請求項1乃至4の何れか1の請求項に記載のコイル基板であって、
前記第1面側の前記最外の導体層に含まれる前記コイルパターンの配線同士の間隔は、他の前記導体層に含まれる前記コイルパターンの配線同士の間隔よりも狭い。
The coil substrate according to claim 1, wherein:
An interval between the wirings of the coil pattern included in the outermost conductor layer on the first surface side is smaller than an interval between the wirings of the coil pattern included in the other conductor layers.
請求項5に記載のコイル基板であって、
さらに、前記層間絶縁層を貫通して、前記導体層に含まれる前記コイルパターン同士を接続する複数のビア導体を有し、
全ての前記ビア導体は、前記第2面側から前記第1面側に向かって縮径している。
The coil substrate according to claim 5, wherein
Further, a plurality of via conductors penetrating the interlayer insulating layer and connecting the coil patterns included in the conductor layer,
All the via conductors are reduced in diameter from the second surface side to the first surface side.
請求項1乃至6の何れか1の請求項に記載のコイル基板であって、
前記第1面側の最外の導体層に含まれる前記コイルパターンの配線は断面が矩形である。
The coil substrate according to claim 1, wherein:
The wiring of the coil pattern included in the outermost conductor layer on the first surface side has a rectangular cross section.
請求項1乃至7の何れか1の請求項に記載のコイル基板であって、
さらに、前記第1面側の最外の前記導体層上にはソルダーレジスト層が形成され、
前記ソルダーレジスト層には、前記第1面側の前記最外の導体層に含まれる前記コイルパターンが露出する開口が形成されている。
The coil substrate according to claim 1, wherein:
Further, a solder resist layer is formed on the outermost conductor layer on the first surface side,
The solder resist layer has an opening for exposing the coil pattern included in the outermost conductor layer on the first surface side.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023021909A1 (en) * 2021-08-16 2023-02-23 株式会社村田製作所 Coil component and method for manufacturing coil component

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