JP2020009994A - Planarization device, planarization method and method for manufacturing articles - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a flattening device, a flattening method, and a method of manufacturing an article.
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上の未硬化の組成物を型で成形して硬化させ、基板上に組成物のパターンを形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。 As the demand for miniaturization of semiconductor devices advances, in addition to the conventional photolithography technology, a micro-processing technology that forms an uncured composition on a substrate with a mold and cures it to form a pattern of the composition on the substrate has been developed. Attention has been paid. Such a technique is called an imprint technique, and can form a fine pattern on the order of several nanometers on a substrate.
インプリント技術の1つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置は、基板上のショット領域に供給された光硬化性の組成物を型で成形し、光を照射して組成物を硬化させ、硬化した組成物から型を引き離すことで、基板上にパターンを形成する。 One of the imprint techniques is, for example, a photo-curing method. An imprint apparatus employing a photocuring method molds a photocurable composition supplied to a shot area on a substrate with a mold, irradiates light to cure the composition, and forms a mold from the cured composition. By separating, a pattern is formed on the substrate.
また、近年では、基板上の組成物を平坦化する技術が提案されている(特許文献1参照)。特許文献1に開示された技術は、基板の段差に基づいて組成物を滴下し、滴下した組成物に型の平面を接触させた状態で組成物を硬化することで平坦化の精度向上を図るものである。
In recent years, a technique for planarizing a composition on a substrate has been proposed (see Patent Document 1). The technique disclosed in
しかし、従来の平坦化装置では、インプリント装置に比べて大きな面積で基板上の組成物と型を接触させてから離すために離型力が大きくなってしまう。離型力が大きくなると離型動作自体を正常に行うことができなかったり、基板上の組成物が正常に平坦化されなかったりする。 However, in the conventional flattening apparatus, the mold release force is increased because the composition on the substrate is brought into contact with the mold in a larger area than the imprint apparatus and then separated. When the release force is increased, the release operation itself cannot be performed normally, or the composition on the substrate is not properly planarized.
そこで、本発明は、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a technique advantageous for flattening a composition on a substrate.
上記課題を解決する本発明の一側面としての平坦化装置は、型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置において、前記基板を保持する基板保持部と、前記型を保持する型保持部と、前記基板上に配置された組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す機構と、を有し、前記型保持部は、型の中心位置を含む領域より外側の領域を保持する保持面を有し、前記保持面は、前記型保持部の外周に向かうにしたがって位置が高くなる形状であり、前記機構は、前記保持面で保持された型を前記基板の中心位置を含む第1領域上の組成物に接触させつつ前記基板の前記第1領域より外側の第2領域上の組成物から離した状態で前記第1領域上の組成物を平坦化させてから、前記第1領域上の組成物と型を離す、ことを特徴とする。 A flattening apparatus according to one aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is a flattening apparatus for flattening a composition on a substrate using a mold, wherein the substrate holding section holding the substrate and the mold are held. A mold holding unit, and a mechanism for bringing the composition and the mold disposed on the substrate into contact with each other to flatten the composition and then releasing the composition and the mold, and the mold holding unit is provided at a center of the mold. A holding surface that holds a region outside a region including a position, wherein the holding surface has a shape in which a position increases toward an outer periphery of the mold holding unit, and the mechanism is held by the holding surface. The mold on the first region is separated from the composition on the second region outside the first region of the substrate while the mold is in contact with the composition on the first region including the center position of the substrate. Flattening the object, and separating the mold and the composition on the first region. And butterflies.
本発明によれば、基板上の組成物を平坦化するのに有利な技術を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique advantageous in planarizing the composition on a board | substrate can be provided.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each of the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
図1は、平坦化装置100の構成を示す概略図である。平坦化装置100は、型11(モールド、テンプレート)を用いて基板1上の組成物を成形する成形装置で具現化され、本実施形態では、基板上の組成物を平坦化する。平坦化装置100は、基板上の組成物と型とを接触させた状態で組成物を硬化させ、硬化した組成物と型を引き離すことで基板上に組成物の大局的又は局所的な平坦面を形成する。
FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the
基板は、シリコンウエハが代表的な基材であるが、これに限定されるものではない。基板1は、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、チッ化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選択することができる。なお、基板1には、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜、等の表面処理により密着層を形成し、硬化性組成物との密着性を向上させた基板を用いてもよい。なお、基板1は、典型的には、直径300mmの円形であるが、これに限定されるものではない。
As the substrate, a silicon wafer is a typical base material, but is not limited to this. The
型11としては、光照射工程を考慮して光透過性の材料で構成された型を用いるとよい。型11を構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、PMMA(Polymethyl methacrylate)、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。なお、型11は、300mmよりも大きく、500mmよりも小さい直径の円形が好ましいが、これに限られない。また、型11の厚さは、好適には、0.25mm以上2mm未満であるが、これに限られない。
As the
組成物としては、光照射工程を考慮してUV硬化性液体を用いるとよい。典型的にはアクリレートやメタクリレートのようなモノマーを用いてもよい。 As the composition, a UV curable liquid is preferably used in consideration of a light irradiation step. Typically, monomers such as acrylates and methacrylates may be used.
平坦化装置100は、基板チャック2(基板保持部)、基板ステージ3、ベース定盤4、支柱5、天板6、ガイドバープレート7、ガイドバー8、型駆動部9、支柱10、型チャック12、ヘッド13と、アライメント棚14を有する。また、平坦化装置100は、液滴供給部20、オフアクシスアライメント(OA)スコープ21、基板搬送部22、アライメントスコープ23、光源24、ステージ駆動部31、型搬送部32、洗浄部33と、制御部200を有する。基板チャック2及び基板ステージ3は、基板1を保持する基板保持部を構成し、型チャック12及びヘッド13は、型11を保持する型保持部を構成する。ここでは、水平面をXY平面とし、鉛直方向をZ軸方向とするようにXYZ座標系が定義されている。
The
図1を参照するに、基板1は、搬送ハンドなどを含む基板搬送部22によって、平坦化装置100の外部やウエハが格納された格納箱から搬入され、基板チャック2に保持される。基板ステージ3は、ベース定盤4に支持され、基板チャック2に保持された基板1を所定の位置に位置決めするために、X軸方向及びY軸方向に駆動される。ステージ駆動部31は、例えば、リニアモータやエアシリンダなどを含み、基板ステージ3を少なくともX軸方向及びY軸方向に駆動する(移動させる)が、基板ステージ3を2軸以上の方向(例えば、6軸方向)に駆動する機能を有していてもよい。また、ステージ駆動部31は、回転機構を含み、基板チャック2又は基板ステージ3をZ軸方向に平行な軸周りに回転駆動する(回転させる)。
Referring to FIG. 1, a
型11は、搬送ハンドなどを含む型搬送部32によって、平坦化装置100の外部や型が格納された格納箱から搬入され、型チャック12(型保持部)に保持される。型11は、例えば、円形又は四角形の外形を有し、下面に平面部11aを含む。平面部11aは、基板上の組成物に接触して基板1の表面形状に倣うような剛性を有する。平面部11aは、基板1と同じ大きさ、又は、基板1よりも大きい大きさを有する。型チャック12は、ヘッド13に支持され、型11のZ軸周りの傾きを補正する機能を有する。型チャック12及びヘッド13のそれぞれは、光源24からコリメータレンズを介して照射される光(紫外線)を通過させる開口を含む。また、型チャック12又はヘッド13には、基板上の組成物に対する型11の押し付け力(押印力)を計測するためのロードセルが配置されている。
The
ベース定盤4には、天板6を支持する支柱5が配置されている。ガイドバー8は、天板6を貫通し、一端がガイドバープレート7に固定され、他端がヘッド13に固定される。型駆動部9は、ガイドバー8を介して、ヘッド13をZ軸方向に駆動して、型チャック12に保持された型11を基板上の組成物に接触させたり、基板上の組成物から引き離したりする機構である。また、型駆動部9は、ヘッド13をX軸方向及びY軸方向に駆動する(移動させる)機能、及び、型チャック12又はヘッド13をZ軸方向に平行な軸周りに回転駆動する機能を有する。
On the
アライメント棚14は、支柱10を介して天板6に懸架される。アライメント棚14には、ガイドバー8が貫通している。また、アライメント棚14には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、基板チャック2に保持された基板1の高さ(平坦度)を計測するための高さ計測系(不図示)が配置されている。
The
OAスコープ21は、アライメント棚14に支持される。OAスコープ21は、基板1の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを検出し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理に用いられる。
The
アライメントスコープ23は、基板ステージ3に設けられた基準マークと、型11に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系及び撮像系を含む。但し、型11にアライメントマークが設けられていない場合には、アライメントスコープ23がなくてもよい。アライメントスコープ23は、基板ステージ3に設けられた基準マークと、型11に設けられたアライメントマークとの相対的な位置を計測し、その位置ずれを補正するアライメントに用いられる。アライメントスコープ23によって型11と基板ステージ3との位置関係を求め、OAスコープ21によって基板ステージ3と基板1との位置関係を求めることで、型11と基板1との相対的なアライメントを行うことができる。
The
液滴供給部20は、基板1に未硬化(液状)の組成物を吐出する吐出口(ノズル)を含むディスペンサで構成され、基板上に組成物の液滴を滴下して配置(供給)する。液滴供給部20は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板上に微小な容積の液滴状の組成物を供給することができる。また、液滴供給部20における吐出口の数は、限定されるものではなく、1つ(シングルノズル)であってもよいし、100を超えてもよい。即ち、リニアノズルアレイでもよいし、複数のリニアノズルアレイを組み合わせてもよい。
The
洗浄部33は、型11が型チャック12に保持された状態で、型11を洗浄する(クリーニングする)。洗浄部33は、基板上の硬化した組成物から型11を引き離すことによって、型11、特に、平面部11aに付着した組成物を除去する。洗浄部33は、例えば、型11に付着した組成物を拭き取ってもよいし、UV照射、ウェット洗浄、プラズマ洗浄などを用いて型11に付着した組成物を除去してもよい。
The
制御部200は、CPUや他のプロセッサ、FPGAなどの処理部や、メモリなどの記憶部を含み、平坦化装置100の全体を制御する。制御部200は、平坦化装置100の各部を統括的に制御して平坦化処理を行う処理部として機能する。ここで、平坦化処理とは、型11の平面部11aを基板上の組成物に接触させて平面部11aを基板1の表面形状に倣わせることで組成物を平坦化する処理である。なお、平坦化処理は、一般的には、ロット単位で、即ち、同一のロットに含まれる複数の基板のそれぞれに対して行われる。
The
次に、図2(a)乃至図2(c)を参照して、従来の平坦化処理について概要を説明する。ここでは、基板全面上に組成物を滴下して、その組成物と型を接触させて、組成物を平坦化させる処理について説明するが、基板の一部の領域上の組成物と型を接触させて、組成物を平坦化させてもよい。 Next, an outline of a conventional flattening process will be described with reference to FIGS. Here, a process of dropping the composition onto the entire surface of the substrate, bringing the composition into contact with the mold, and planarizing the composition will be described. The composition may be planarized.
まず、図2(a)に示すように、下地パターンが形成されている基板1に対して、液滴供給部20から組成物IMの複数の液滴を滴下する。図2(a)は、基板上に組成物IMを供給し、型11を接触させる前の状態を示している。次いで、図2(b)に示すように、基板上の組成物IMと型11の平面部11aとを接触させる。図2(b)は、型11の平面部11aが基板上の組成物IMにすべて接触し、型11の平面部11aが基板1の表面形状に倣った状態を示している。そして、図2(b)に示す状態で、光源24から、型11を介して、基板上の組成物IMに光を照射して組成物IMを硬化させる。次に、図2(c)に示すように、基板上の硬化した組成物IMから型11を引き離す。これにより、基板1の全面で均一な厚みの組成物IMの平坦化層を形成することができる。図2(c)は、基板上に組成物IMの平坦化層が形成された状態を示している。
First, as shown in FIG. 2A, a plurality of droplets of the composition IM are dropped from the
このような平坦化処理を行う際、大面積の型11と基板1全面の組成物とを接触させてから、当該全面において引きはがすことは困難である。接触面積が大きければ大きいほど引きはがすのに要する力(離型力)大きくなる。離型力が大きくなると離型動作自体を正常に行うことができなかったり、基板上の組成物が正常に平坦化されなかったりする。
When performing such a planarization treatment, it is difficult to bring the large-
このような問題を解決するために、本実施形態では、型チャック12と基板チャック2の形状を後述の形状として、型と組成物が接触する時に型11又は基板1が反った状態になるようにする。基板1の外周領域において反った状態だと型と組成物の剥離が開始される離型開始点となり、容易に離型しやすくする。一度、型11と基板1の剥離が開始されれば、十分な時間だけ処理すれば離型は完了し、所望の厚さ、平坦さを有する組成物IMが得られる。
In order to solve such a problem, in the present embodiment, the shapes of the
図3、4、5を参照して、本実施形態における平坦化装置100における平坦化処理について説明する。図3は型と基板を接触させた状態の断面図である。図4は型の保持面や基板外周付近の拡大図である。図5は、平坦化処理のフローチャートである。平坦化処理は、上述したように、制御部200が平坦化装置100の各部を統括的に制御することで行われる。
The flattening process in the
S702では、型搬送部32によって、平坦化装置100に型11を搬入し、型11を型チャック12に保持させる。S704では、平坦化処理に関する設定情報を取得する。平坦化処理に関する設定情報は、基板1の第1領域1aに既に形成された下地のパターンの密度(周期や幅など)、組成物IMの最終厚さ(硬化時の厚さ)などを含みうる。
In S702, the
S706では、基板搬送部22によって、同一のロットに含まれる複数の基板のうち、処理対象の基板1を平坦化装置100に搬入し、基板1を基板チャック2に保持させる。
In S706, the
S708では、液滴供給部20が液滴配置パターンのデータに基づいて、S706で搬入された基板1に対して組成物IMを滴下する処理を行う。図3に示す基板1の外形の中心位置Cを含む第1領域1aと、第1領域1aより外側の第2領域1bの上に組成物IMの複数の液滴を配置する。第2領域は、例えばパターンが形成されていない領域である。なお、簡略化のため、図3、4には組成物IMを図示していない。基板1の第1領域1a上に液滴を滴下する場合、第1領域1a部の下地のパターン密度(粗密)と、組成物IMが型によって平坦化されたときの平坦化層の最終的な厚さを計算して、全体の滴下量と滴下位置が求められる。なお、基板1の第2領域1bには組成物IMを配置しなくてもよい。次に、平坦化装置に用いられる、基板上に組成物を滴下するための液滴配置パターンのデータを、作成する方法について説明する。液滴配置パターンのデータは、予め外部のコンピュータ(情報処理装置)又は平坦化装置100の制御部(情報処理装置)が作成する。外部のコンピュータが液滴配置パターンのデータを作成した場合は、平坦化装置100の制御部が外部のコンピュータから液滴配置パターンのデータを取得する。情報処理装置は、基板の中心位置を含む第1領域1a上に、液滴供給部20によって組成物を滴下するための第1の液滴配置パターンのデータを作成する。第1の液滴配置パターンは、第1領域1a部の下地のパターンの密度(粗密)やピッチ、幅などと、組成物IMが型によって平坦化されたときの平坦化層の最終的な厚さに基づいて求められる。
In S708, the
S710では、平坦化装置100の型や基板の駆動機構を用いて、第1領域1a上の組成物と型を接触させて、第1領域1a上の組成物を平坦化させる。以下、詳細に説明する。
In S710, the composition on the
型チャック12は、中心部分12bとそれより外側の保持部分12aを有する。保持部分12aは、型の中心位置を含む領域より外側の領域を保持する保持面12aaを有し、保持面12aaで型が真空吸着、接着や固定部材等により固定されるように構成されている。図3に示すように、保持面12aaは、型チャック12の外周に向かうにしたがって位置が高くなる形状となっている。つまり、保持面12aaは外側に向かって高くなるように傾斜している。型11を下に凸の形状になるように保持することができる。基板チャック2は上に凸の形状をしており、基板1を上に凸の形状になるように吸着保持する形状になっている。そのため、型チャック12により保持された型11と、基板チャック2により保持された基板1と、を接触させる前、型11は下に凸の形状になるように保持され、基板1は上に凸の形状となるように保持されている。
The
そして、基板1の中心位置Cから基板1の端部(外周)に向かって、型11が基板1に倣うように型11と基板上の組成物とを接触させる。図3に示すように、型11と基板1を接触させたとき、第1領域1a上の組成物が型と接触する。しかし、基板1の端から所定の幅、例えば3mm以下の第2領域1b上では、第2領域1b上の組成物と型11とは接触していない。つまり、基板1の第2領域1bは外側に向かって下に傾斜しているが、型11は第2領域1bの表面よりも上に傾斜し、型11が反っている形状又は型が上方向に曲がった状態になっている。このように、第2領域1b付近において型11と基板1が平行ではない状態で型11と基板1との接触が完了する。次に、S712では、基板1上の組成物を硬化光を用いて露光して硬化させる。型チャック12は、中心部分12bは硬化光を透過させる材料で構成されている。なお、図4では、第2領域1bの幅として3mm以内の領域を図示しているが、2mm以下でもよい。
Then, the
次に、S714では、型11を第1領域1a上の組成物から離す動作を行う。離型動作において、第2領域1b上において型11と基板1が共に反った状態から離型が開始される。まず、第1領域1aの外周の領域上の組成物が離型開始点となり、離型開始点から組成物と型が離れていき、第1領域1aの内側に向かって離型点が移動し、離型が完了する。このように、第1領域1aの外周の領域において離型に有利な離型開始点ができ、離型力を低減しつつ、基板全面において離型がしやすくする。
Next, in S714, an operation of separating the
以上のように、S710〜S714では、型チャックの保持面で保持された型を基板の第1領域上の組成物に接触させつつ第2領域上の組成物から離した状態で、第1領域上の組成物を平坦化させてから、第1領域上の組成物と型を離す。 As described above, in S710 to S714, the mold held on the holding surface of the mold chuck is brought into contact with the composition on the first region of the substrate while being separated from the composition on the second region. After the upper composition is planarized, the mold and the composition on the first region are separated.
S716では、基板搬送部22によって、平坦化処理が行われた基板1を基板チャック2から搬出する。S718では、同一のロットに含まれる全ての基板に対して平坦化処理を行ったかどうかを判定する。同一のロットに含まれる全ての基板に対して平坦化処理を行っていない場合には、次の処理対象の基板1を基板チャック2に配置するために、S706に移行する。一方、同一のロットに含まれる全ての基板に対して平坦化処理を行っている場合には、S720に移行する。
In S716, the
S720では、洗浄部33によって、型チャック12に保持されている型11を洗浄する。即ち、型11の平面部11aに付着した組成物を除去する。S722では、型搬送部32によって、平坦化装置100から、洗浄された型11を搬出する。
In S720, the
なお、本実施形態では、同一のロットに含まれる全ての基板1に対する平坦化処理が終了し、平坦化装置100から型11を搬出する前に型11を洗浄しているが、これに限定されるものではない。例えば、同一のロットに含まれる全ての基板1に対して平坦化処理が終了していなくても、型11を洗浄するようにしてもよい。また、型11の平面部11aにおける組成物の付着状態を検出する検出部を平坦化装置100が備えている場合には、検出部の検出結果に応じて、型11を洗浄するようにしてもよい。
In the present embodiment, the flattening process is completed for all the
本実施形態では平坦化装置について記載しているが、パターンが形成された型を用いて基板全面を一括してインプリントする一括インプリントにも適用しうる。また、光硬化方式について記載しているが、熱硬化方式にも適用しうる。 In the present embodiment, the flattening apparatus is described. However, the present invention can also be applied to a batch imprint in which the entire surface of the substrate is imprinted collectively using a mold on which a pattern is formed. Further, although the light curing method is described, the invention can be applied to a heat curing method.
(物品製造方法)
次に、前述の平坦化装置又は平坦化方法を利用した物品(半導体IC素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、MEMS等)の製造方法を説明する。当該製造方法は、前述の平坦化装置を使用して、基板(ウェハ、ガラス基板等)に配置された組成物と型を接触させて平坦化させ、組成物を硬化させて組成物と型を離す工程とを含む。そして、平坦化された組成物を有する基板に対して、リソグラフィ装置を用いてパターンを形成するなどの処理を行う工程と、処理された基板を他の周知の加工工程で処理することにより、物品が製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
(Product manufacturing method)
Next, a method of manufacturing an article (semiconductor IC element, liquid crystal display element, color filter, MEMS, or the like) using the above-described flattening apparatus or flattening method will be described. In the manufacturing method, the composition and the mold are brought into contact with the composition arranged on a substrate (a wafer, a glass substrate, and the like) by using the above-described planarization apparatus to cure the composition and the mold. Separating. Then, a step of performing processing such as forming a pattern using a lithography apparatus on the substrate having the planarized composition, and processing the processed substrate in another known processing step, Is manufactured. Other well-known steps include etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like. According to the present manufacturing method, it is possible to manufacture a higher quality article than before.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist.
Claims (10)
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板上に配置された組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す機構と、を有し、
前記型保持部は、型の中心位置を含む領域より外側の領域を保持する保持面を有し、
前記保持面は、前記型保持部の外周に向かうにしたがって位置が高くなる形状であり、
前記機構は、前記保持面で保持された型を前記基板の中心位置を含む第1領域上の組成物に接触させつつ前記基板の前記第1領域より外側の第2領域上の組成物から離した状態で前記第1領域上の組成物を平坦化させてから、前記第1領域上の組成物と型を離す、ことを特徴とする平坦化装置。 In a flattening apparatus for flattening the composition on the substrate using a mold,
A substrate holding unit that holds the substrate,
A mold holding unit for holding the mold,
Having a mechanism for separating the composition and the mold after the composition and the mold arranged in contact with the substrate and contacting the mold to flatten the composition.
The mold holding unit has a holding surface that holds an area outside the area including the center position of the mold,
The holding surface has a shape in which a position is increased toward an outer periphery of the mold holding unit,
The mechanism separates the mold held on the holding surface from the composition on the second area outside the first area of the substrate while contacting the mold on the first area including the center position of the substrate. A planarizing device for planarizing the composition on the first region in a state where the composition is formed, and then separating the mold from the composition on the first region.
前記基板上に配置された組成物と型を接触させて組成物を平坦化させてから組成物と型を離す工程、を有し、
前記型を保持する型保持部は、型の中心位置を含む領域より外側の領域を保持する保持面を有し、
前記保持面は、前記型保持部の外周に向かうにしたがって位置が高くなる形状であり、
前記工程において、前記保持面で保持された型を前記基板の中心位置を含む第1領域上の組成物に接触させつつ前記基板の前記第1領域より外側の第2領域上の組成物から離した状態で前記第1領域上の組成物を平坦化させてから、前記第1領域上の組成物と型を離す、ことを特徴とする平坦化方法。 In a planarization method for planarizing a composition on a substrate using a mold,
A step of separating the composition and the mold after the composition is flattened by contacting the composition with the mold disposed on the substrate,
The mold holding unit that holds the mold has a holding surface that holds an area outside the area including the center position of the mold,
The holding surface has a shape in which a position is increased toward an outer periphery of the mold holding unit,
In the step, the mold held by the holding surface is brought into contact with the composition on the first region including the center position of the substrate, and is separated from the composition on the second region outside the first region of the substrate. Flattening the composition on the first region in a state where the composition is formed, and then separating the mold from the composition on the first region.
平坦化された組成物を有する基板を処理する工程と、を有し、処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 Flattening the composition of the substrate using the flattening method according to claim 9;
Treating a substrate having a planarized composition, and producing an article from the treated substrate.
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