JP2019522257A - 低電力メモリのスロットリング - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (28)
- 複数のランク(134/136/138)を含むメモリチャネル(130)と、
前記メモリチャネル(130)に接続され、前記複数のランク(134/136/138)の各々にアクセスするように構成されたデータプロセッサ(110)と、を備え、
前記データプロセッサ(110)は、
所定のイベントの検出に応じて、前記複数のランク(134/136/138)のうちアクティブなランクを選択することと、
前記アクティブなランク以外の他のランクを低電力状態にすることであって、前記他のランクは、前記所定のイベントを検出したときに保留中の要求を有する少なくとも1つのランクを含む、ことと、
前記アクティブなランクに対するメモリアクセス要求を処理することと、
を行うように構成されている、
データ処理システム(100)。 - 前記所定のイベントは熱イベントを示し、前記複数のランクのうち前記少なくとも1つのランクは、前記熱イベントを示すイベント信号を提供するための出力を有する温度センサを含む、
請求項1のデータ処理システム(100)。 - 前記複数のランクの各々は、イベント入力導体に接続された対応するオープンドレイン出力を有する、対応する温度センサを含む、
請求項2のデータ処理システム(100)。 - 前記データプロセッサ(110)は、前記所定のイベントが終了していないことを検出し、所定の基準に基づいて別のランクを選択しないことを決定したことに応じて、前記アクティブなランクにおいて次のコマンドを処理する、
請求項1のデータ処理システム(100)。 - 前記所定の基準は、前記アクティブなランク内に少なくとも1つの保留中の要求があることを含む、
請求項4のデータ処理システム(100)。 - 前記所定の基準は、前記アクティブなランクの現在のページ内に少なくとも1つの保留中の要求があることを含む、
請求項4のデータ処理システム(100)。 - 前記所定の基準は、前記アクティブなランク内に少なくとも1つの保留中の要求があることと、他のランクに対する所定数の要求よりも少ないこととを含む、
請求項4のデータ処理システム(100)。 - 前記メモリチャネルは、複数のランクのダブルデータレート(DDR)メモリを含む、
請求項1のデータ処理システム(100)。 - 前記低電力状態は、DDR低電力状態を含む、
請求項8のデータ処理システム(100)。 - メモリアクセスエージェント(210/220)と、
前記メモリアクセスエージェント(210/220)に接続され、第1の複数のランク(132/133/134)を含むメモリシステム(120)に接続するように構成されたメモリコントローラ(292/300/400)と、を備え、
前記メモリコントローラ(292/300/400)は、
第1の所定のイベントの検出に応じて、前記第1の複数のランク(132/133/134)のうちアクティブなランクを選択することと、
前記第1の複数のランク(134/136/138)のうちアクティブなランク以外の他のランクを低電力状態にすることであって、前記他のランクは、前記所定のイベントを検出したときに保留中の要求を有する少なくとも1つのランクを含む、ことと、
前記アクティブなランクに対する少なくとも1つのメモリアクセス要求を処理することと、
を行うように構成されている、
データプロセッサ(110/200)。 - 前記第1の所定のイベントは熱イベントを含む、
請求項10のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記低電力状態は、アクティブパワーダウン状態、プリチャージパワーダウン状態及びセルフリフレッシュ状態のうち1つを含む、
請求項10のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記メモリコントローラ(292/300/400)は、ダブルデータレート(DDR)バージョン4(DDR4)メモリチャネル、グラフィックスDDRバージョン5(gDDR5)メモリチャネル及び高帯域幅メモリ(HBM)メモリチャネルのうち少なくとも1つにアクセスするように構成されている、
請求項10のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記メモリコントローラ(292/300/400)は、
第1の複数のアクセス要求を受信し、前記第1の複数のアクセス要求に応じてデータを実行するための第1のホストインタフェース(312/412)と、第1の物理インタフェース(316/416)と、に接続された第1のメモリチャネルコントローラ(314/414)と、
前記第1のメモリチャネルコントローラ(314/414)に接続された電源エンジン(320/430)であって、前記第1の所定のイベントに応じて、前記第1のメモリチャネルコントローラ(314/414)に対して、前記第1の複数のランク(134/136/138)のうちアクティブなランクを選択させ、前記アクティブなランク以外の他のランクを低電力状態にさせる、電源エンジン(320/430)と、を備える、
請求項10のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記メモリコントローラ(292/400)は、
第2の複数のアクセス要求を受信し、前記第2の複数のアクセス要求に応じてデータを実行するための第2のホストインタフェース(422)と、第2の物理インタフェース(426)と、に接続された第2のメモリチャネルコントローラ(424)を備え、
前記電源エンジン(430)は、第2の所定のイベントに応じて、前記第2のメモリチャネルコントローラ(424)に対して、第2の複数のランク(144/146/148)のうちアクティブなランクを選択させ、前記アクティブなランク以外の前記他のランクを低電力状態にさせる、
請求項14のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記第1のメモリチャネルコントローラ(414)の前記第1の物理インタフェース(416)に接続され、前記第1の複数のランク(134/136/138)に接続されるように構成された、第1のデータプロセッサ物理インタフェース(440)と、
前記第2のメモリチャネルコントローラ(424)の前記第2の物理インタフェース(426)に接続され、前記第2の複数のランク(144/146/148)に接続されるように構成された、第2のデータプロセッサ物理インタフェース(450)と、を備える、
請求項15のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記メモリコントローラ(292/300/400)は、
前記第1の所定のイベントが依然としてアクティブであることを検出したことと、所定の基準に基づいて別のランクを選択しないことを判別したことと、に応じて、前記アクティブなランクにおいて次のコマンドを処理する、
請求項10のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記所定の基準は、前記アクティブなランク内に少なくとも1つの保留中の要求があることを含む、
請求項17のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記所定の基準は、前記アクティブなランクの現在のページ内に少なくとも1つの保留中の要求があることを含む、
請求項17のデータプロセッサ(110/200)。 - 前記所定の基準は、前記アクティブなランク内に少なくとも1つの保留中の要求があることと、他のランクに対する所定数の要求よりも少なこととを含む、
請求項17のデータプロセッサ(110/200)。 - メモリシステム(120)に対してメモリアクセスのスロットリングを行う方法(600)であって、
熱イベントを検出すること(630)と、
前記熱イベントを検出したことに応じて、複数のランク(124/126/128)のうちアクティブなランクを選択し(640)、前記複数のランク(124/126/128)のうち前記アクティブなランク以外の他のランクを低電力状態にすること(650)であって、前記他のランクは、保留中の要求を有する少なくとも1つのランクを含む、ことと、
前記アクティブなランクに対する少なくとも1つのメモリアクセス要求を処理すること(660/670/680)と、を含む、
方法(600)。 - 前記メモリシステム(120)は、ダブルデータレート(DDR)メモリシステムを備え、
前記複数のランク(124/126/128)のうち前記他のランクを低電力状態にすることは、前記複数のランク(124/126/128)のうち前記他のランクをDDR低電力状態にすることを含む、
請求項21の方法(600)。 - 前記熱イベントを検出すること(630)は、システム温度を第1の閾値と比較することと、前記システム温度が前記第1の閾値以上であることを判別することと、を含む、
請求項21の方法(600)。 - 前記少なくとも1つのメモリアクセス要求を処理すること(660/670/680)は、
前記アクティブなランクにおいて次のコマンドを処理すること(660)と、
前記熱イベントが終了していないことを検出すること(670)と、
所定の基準に基づいて別のランクを選択するかどうかを決定すること(680)と、を含む、
請求項23の方法(600)。 - 前記所定の基準に基づいて別のランクを選択するかどうかを決定すること(680)は、
前記アクティブなランク内に少なくとも1つの保留中の要求があるかどうかを判別することを含む、
請求項24の方法(600)。 - 前記所定の基準に基づいて別のランクを選択するかどうかを決定すること(680)は、
前記アクティブなランクの現在のページ内に少なくとも1つの保留中の要求があるかどうかを判別することを含む、
請求項24の方法(600)。 - 前記所定の基準に基づいて別のランクを選択するかどうかを決定すること(680)は、
前記アクティブなランク内に少なくとも1つの保留中の要求があるかどうかと、他のランクに対する所定数の要求よりも少ないかどうかを判別することと、を含む、
請求項24の方法(600)。 - 前記熱イベントを検出する(630)前に、前記複数のランクのうち1つのランクにおいて少なくとも1つのアクセス要求を処理すること(620)を含む、
請求項21の方法(600)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/168,043 US10198216B2 (en) | 2016-05-28 | 2016-05-28 | Low power memory throttling |
US15/168,043 | 2016-05-28 | ||
PCT/US2016/053425 WO2017209783A1 (en) | 2016-05-28 | 2016-09-23 | Low power memory throttling |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522257A true JP2019522257A (ja) | 2019-08-08 |
JP6761870B2 JP6761870B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=60418703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018557082A Active JP6761870B2 (ja) | 2016-05-28 | 2016-09-23 | 低電力メモリのスロットリング |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10198216B2 (ja) |
EP (1) | EP3436958B1 (ja) |
JP (1) | JP6761870B2 (ja) |
KR (1) | KR20190002490A (ja) |
CN (1) | CN109219806B (ja) |
WO (1) | WO2017209783A1 (ja) |
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-
2016
- 2016-05-28 US US15/168,043 patent/US10198216B2/en active Active
- 2016-09-23 WO PCT/US2016/053425 patent/WO2017209783A1/en active Application Filing
- 2016-09-23 KR KR1020187031181A patent/KR20190002490A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-09-23 JP JP2018557082A patent/JP6761870B2/ja active Active
- 2016-09-23 EP EP16904231.4A patent/EP3436958B1/en active Active
- 2016-09-23 CN CN201680086408.2A patent/CN109219806B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109219806A (zh) | 2019-01-15 |
EP3436958A1 (en) | 2019-02-06 |
EP3436958B1 (en) | 2021-01-06 |
JP6761870B2 (ja) | 2020-09-30 |
KR20190002490A (ko) | 2019-01-08 |
US20170344309A1 (en) | 2017-11-30 |
WO2017209783A1 (en) | 2017-12-07 |
US10198216B2 (en) | 2019-02-05 |
EP3436958A4 (en) | 2019-11-06 |
CN109219806B (zh) | 2023-04-04 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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