JP2019500586A - 圧力値が可変な液体容器を有する冷却装置の試験バイパス - Google Patents

Abstract

本発明は、消費装置（Ｖ）によって冷却装置（１）のプロセス媒体（Ｍ）に導入される等温および非等温の加熱負荷のシミュレーション方法であって、前記シミュレーションは、試験バイパス（２）による手段により、さらに、本発明は、このような試験バイパス（２）およびそのような試験バイパスを有する冷却装置に関する。【選択図】図１

Description

本発明は、冷却装置における熱負荷のシミュレーション方法、試験バイパス、およびこのような試験バイパスを備えた冷却装置に関する。

冷却装置の熱負荷をシミュレートするために、過去に以下の方法が採用されてきた。
（１）消費装置への流入から消費装置からのリターンフローには、以下の機能の１つを実行するために、プロセス媒体が流れる加熱手段が設けられていた。

（ｉ）非等温負荷をシミュレートする。この配置では、媒体の２相範囲内の処理は決して行われない。
（ｉｉ）等温負荷をシミュレートする。この配置により、加熱手段の上流の流入における比エンタルピは、臨界点における比エンタルピよりも低くなければならない。さらに、加熱後の比エンタルピは、飽和蒸気の比エンタルピと等しくなければならない。飽和蒸気のプロセス圧力は、リターンフローにおけるプロセス圧力に対応する。

（ｉｉｉ）等温負荷および非等温負荷からなる積算負荷をシミュレートする。この配置では、加熱手段の上流の流入における比エンタルピは、臨界点での比エンタルピよりも低くなければならない。さらに、加熱後の比エンタルピは、飽和蒸気の比エンタルピよりも大きくなければならない。飽和蒸気のプロセス圧力は、シミュレートされるべき消費装置内のプロセス圧力に対応し、この圧力はリターンフローの圧力よりも高い。

バイパスの上流または下流に配置された調整弁は、流入圧力、リターンフロー圧力、または試験バイパス内の質量流量を調節するか、または固定位置に設定される。
（２）加熱手段は、プロセス媒体の気化エンタルピを用いて等温負荷をシミュレートするために、プロセス中に設けられた液体容器内に設置される。この構成により、加熱手段の上流の流入における比エンタルピは、臨界点における比エンタルピよりも低くなければならない。さらに、加熱後の比エンタルピは、飽和蒸気の比エンタルピと等しくなければならない。ここで、飽和蒸気のプロセス圧力は、容器とリターンフローとの間に調整弁が設置されていないので、液体容器内のプロセス圧力およびリターンフローに対応する。流入口と容器との間のバイパスに調整弁を設置すると、流入圧力、リターンフロー圧力鍋、または試験バイパス内の質量流量のいずれかを調整する。

流入（「フォワードフロー」）とリターンフローとの間の試験バイパスにおいて、（１）（ｉｉｉ）の、等温および非等温の負荷の静的プロセスをシミュレートするために加熱手段を使用するためには、（エネルギ保存を考慮して）欠損値を計算するために、以下の４つのプロセスデータのうちの３つがわかる必要がある。

（１）流入中のプロセス媒体の「状態点」。
（２）リターンフローにおけるプロセス媒体の「状態点」。
（３）導入された熱負荷（等温＋非等温）。

（４）プロセス媒体の質量流量。
これらの「状態点」は、例えば、温度センサおよび圧力センサを用いて決定され、質量流量は、例えば、オリフィスまたはコリオリ測定によって測定される。

冷却装置の１つの用途は、液体槽を用いて空洞を冷却するためのものである。ここでは、プロセス媒体の蒸発のエンタルピが、空洞内の熱入力を補償するために使用される。
槽中の一定レベルを維持するために、すなわち準静的プロセスを提供するためには、気化した量と冷却装置を介して液化された質量流量との間に釣り合いがなければならない。

この目的のために、プロセス媒体は、冷却装置から移送ライン内の消費装置に搬送され、フラッシュガスは（冷却装置またはプロセス媒体を周囲温度に加熱する加熱手段のいずれかに）戻される。この構成では、フラッシュガスは、内部流入の熱負荷を最小にするために、同軸ライン内のシールドガスとして機能することができる。熱負荷が熱放射から成り、対流伝導熱伝達からなる遮蔽流に対する熱負荷は、非等温熱入力をリターンフロー内に導く。

試験バイパスにおける等温熱負荷と非等温熱負荷とのこの組み合わせをシミュレートするために、いくつかの測定が必要である（上記参照）。しかし、低温用途では、プロセス媒体の状態値および質量流量の測定値を得ることは非常にコスト高であり、測定公差はしばしばより高い温度での測定値よりも実質的に高い。公差の対象となる全ての測定値は、決定すべきプロセス変数を計算する際に使用されるので、結果は対応して不正確である。

そこで、本発明の根本的な課題は、比較的少ない測定回数で冷却装置のプロセス媒体に等温熱負荷と非等温熱負荷との組み合わせをシミュレーションすることが可能であり、測定の全体的な許容誤差の最小化が可能である方法を考案することである。

この問題は、請求項１に記載の特徴を有する方法によって解決される。
本発明の方法の有利な改良点は、様々な従属項に規定されており、以下に記載されている。

本発明の追加の態様は、追加の独立請求項において請求され、以下にさらに記載される。
請求項１によれば、冷却装置のプロセス媒体中の消費装置によって付与される等温または非等温の加熱負荷のシミュレーション方法が、試験バイパスによって提供され、バイパスは、冷却装置から消費装置にプロセス媒体を送るために設計され提供される冷却装置の「フォワードフロー」と、消費装置から冷却装置にプロセス媒体を送るために設計され提供される「リターンフロー」との間の流れ結合をもたらし、試験バイパスは、少なくとも１つの調整弁と、等温加熱負荷をプロセス媒体に導入するための第１の加熱手段と、容器と、非等温加熱負荷をプロセス媒体内に導入するための第２の加熱手段とを備え、プロセス媒体が流入（「フォワードフロー」）から試験バイパスを経由してリターンフローへと通過させ（このようにして消費装置をバイパスする）、第１の加熱手段によって所定の等温加熱負荷が、第２の加熱手段により所定の非等温加熱負荷が、試験バイパス内のプロセス媒体に導入され、少なくとも１つの調整弁により、等温加熱負荷が導入される容器にプロセス圧力が確立され、容器内でプロセス媒体の液相の一定レベルが維持され、試験バイパスでは、特定の点におけるプロセス媒体の状態が測定され、等温加熱負荷の状態およびプロセス圧力の値を用いて、特定の点におけるプロセス媒体の質量流量が計算される。

消費装置または試験バイパスが冷却装置に接続されている場合、プロセス媒体は、冷却装置で生成された冷却を消費装置または試験バイパスに送る働きをする。消費装置または試験バイパス内で加熱された冷却剤（またはプロセス媒体）は冷却装置に戻され、冷却剤ループが確立される。

本発明の試験バイパスによって、冷却装置に接続されている、または冷却装置に接続される消費装置を有利にシミュレートすることができる。この方法を実施する間、消費装置を冷却装置に接続することが可能である。ただし、これは必須ではない。

本発明によれば、装置内で得られた情報は、飽和蒸気が容器の上流および下流を流れるように使用される。言い換えれば、少なくとも１つの調整弁は、プロセス媒体の圧力を調整するために使用され、その結果、容器の入口および容器の出口で、飽和蒸気の形態のプロセス媒体が流れる。

本明細書では、試験バイパス中のある点におけるプロセス媒体の「状態」は、例えば、与えられた点におけるプロセス媒体の圧力および温度を特定することによって、完全に判断されたその点におけるプロセス媒体の熱力学的状態を意味すると理解されたい。

本発明の方法の好ましい実施形態によれば、記載された点でのプロセス媒体の状態の測定は、プロセス媒体の温度の測定と、その点におけるプロセス媒体の圧力の測定とをさらに含む。

本発明の方法の好ましい実施形態によれば、試験バイパスの第２の点において、プロセス媒体の圧力または温度が測定され、この圧力またはこの温度によって、および計算された質量流量および既知の非等温加熱負荷Ｑ_５−６によって、試験バイパスの第２の点におけるプロセス媒体の状態（例えば、圧力および温度）が決定される。

本発明の方法の別の好ましい実施形態によれば、第１の加熱手段は、容器の上流または容器内に配置され、第２の加熱手段は容器の下流に配置される。
本発明の方法のさらに別の好ましい実施形態によれば、第１の加熱手段が容器内に配置されていない場合、少なくとも１つの調整弁が、第１の加熱手段の上流に配置され、または第１の加熱手段の下流かつ容器の上流に配置されてさらに設けられる。

本発明の方法のさらに別の好ましい実施形態によれば、少なくとも１つの調節弁が第２の加熱手段の下流に配置されるか、または第２の加熱手段の上流で容器の下流に配置されてさらに設けられる。したがって、少なくとも１つの調整弁の配置のために様々な位置が可能である。

本発明の方法の好ましい実施形態によれば、複数の調整弁が設けられてもよい。従って、容器内の圧力を調整するために、容器の上流に設けられた少なくとも１つの調整弁（上記参照）に加えて、試験バイパスは、例えば第２の加熱手段の下流、に配置され、または、例えば容器の下流かつ第２の加熱手段の上流、に配置された、追加の調整弁を有していてもよい。

さらに、試験バイパスの、プロセス媒体の状態を測定する点は、なくとも１つの調整弁の上流および／または第１の加熱手段の上流に配置された点と、少なくとも１つの調整弁の下流に配置され、第１の加熱手段の上流に配置された点と、少なくとも１つの調整弁の下流および／または第２の加熱手段の下流に配置された点と、少なくとも１つの調整弁の上流および第２の加熱手段の下流に配置された点と、第２の調節弁の下流で第２の加熱手段の下流に配置された点と、第２の調節弁の上流および第２の加熱手段の下流に配置された点とのうちの１つであってもよい。

さらに、本発明の別の態様によれば、請求項９に記載の特徴を有する試験バイパスが提案される。
本発明によれば、このバイパスは、冷却装置のプロセス媒体を冷却装置の「フォワードフロー」から冷却装置のリターンフローに通すように構成され、好ましくは本発明の方法を実施するために使用される。記載されたバイパスは、少なくとも１つの調整弁と、試験バイパスを通過するプロセス媒体に等温加熱負荷を導入する第１の加熱手段と、プロセス媒体を収容する容器と、プロセス媒体に非等温加熱負荷を導入する第２の加熱手段、および試験バイパスのある点でのプロセス媒体の状態を測定する手段と、試験バイパスの第２の点でのプロセス媒体の圧力または温度を測定する手段とを有する。

本発明の試験バイパスの好ましい実施形態によれば、第１の加熱手段は容器の上流または容器内に配置され、第２の加熱手段は容器の下流に配置される。
本発明の試験バイパスの別の好ましい実施形態によれば、少なくとも１つの調整弁が第１の加熱手段の上流に配置されるか、または少なくとも１つの調整弁が第１の加熱手段の下流かつ容器の上流に配置されている（第１の加熱手段が容器内に配置されていない場合）。

本発明の試験バイパスのさらに別の好ましい実施形態によれば、少なくとも１つの調整弁が第２の加熱手段の下流に配置されているか、または少なくとも１つの調整弁が容器の下流かつ容第２の加熱手段の上流に配置されている。

本発明の試験バイパスのさらに別の好ましい実施形態によれば、試験バイパスは、容器内の圧力を調整するための第２の調節弁を有し、この弁は第２の加熱手段の下流に配置されるか、第２の加熱手段の上流かつ容器の下流に配置されている。

本発明の試験バイパスの好ましい実施形態によれば、プロセス媒体の状態が測定される点は、本方法に関連して上述したポイントの１つである。
さらに、本発明の別の態様によれば、請求項１５に記載の特徴を有する冷却装置が開示される。

冷却装置は、冷却装置の「フォワードフロー」と冷却装置のリターンフローとの間の流れ接続をもたらす本発明の試験バイパスを有するプロセス媒体による冷却を提供する働きをする（上記参照）。

本発明のさらなる特徴および効果を、本発明の例示的な実施形態および添付図面の補足により以下に説明する。

本発明の実施形態による冷却装置における試験バイパスの概略図である。

図１は、等温加熱負荷と非等温加熱負荷との組み合わせがシミュレートされる冷却装置１を示しており、この負荷は、例えば図１にも示されている消費装置Ｖによって生成される。加熱負荷をシミュレートするために、本発明によれば、冷却装置１の「フォワードフロー」Ａと冷却装置１のリターンフローＢとの間の流れ接続をもたらす試験バイパス２が使用される。

プロセス媒体Ｍが消費装置Ｖを迂回してまたは通過して（消費装置Ｖをバイパスするように）リターンフローＢに送られる試験バイパス２は、決定された等温負荷Ｑ_２−３をプロセスに導入する第１の加熱手段Ｈ１を有する。第１の加熱手段Ｈ１の下流には、プロセス媒体Ｍを収容する容器Ｇが設けられ、容器Ｇの下流に第２の加熱手段Ｈ２が設けられている。第１の加熱手段Ｈ１（調整弁ＣＶ１）の下流または第２の加熱手段Ｈ２（調整弁ＣＶ２）の下流に配置された、調整弁ＣＶ１またはＣＶ２の助けにより、等温負荷Ｑ_２−３が導入されている液体容器Ｇ内にプロセス圧力ｐ４が確立（調整）されている。

点Ｚ１（例えば、適切な手段４によって温度および圧力を測定する）におけるプロセス状態測定手段の助けにより、および加えられる負荷Ｑ_２−３および圧力ｐ４の知識により、エネルギバランスを考慮して、点Ｚ１での質量流量ｍを判断することができる。これにより、準静的プロセスが有効であると仮定され、したがって液体容器Ｇ内のレベル測定手段ＬＩ４は一定レベルを示す。これに関連して、プロセス圧力ｐ４での飽和蒸気が点Ｚ３およびＺ５を流れるという熱力学的制約が用いられる。質量流量ｍが分かれば、各位置（例えば、手段５を介して）で圧力測定が可能である場合、既知の加熱負荷Ｑ_５−６を介して、試験バイパス２内の各状態点の状態を決定することができる。一般に、圧力および／または温度を測定するための手段は、試験バイパス２の各点（例えば点Ｚ１から点Ｚ７）に設けられてもよい。

考察中の準静的な場合（容器Ｇ内の液相のレベルが一定である場合）、点Ｚ１から点Ｚ７における時間に対する質量流量の微分値は次のようになる。

さらに、個々の点Ｚ１から点Ｚ７における特定のエンタルピについて、

ここで、ｈ_ｘは、試験バイパス２の点ｘにおける比エンタルピを表し、ｐ_ｘは点ｘにおける静圧を表し、Ｑｘ_−ｘ＋１は点ｘと点ｘ＋１との間のプロセスに導入される加熱荷重を表し、ＬＩ４は液体容器Ｇ内の測定された高さである。

上記の式を使用して、所望の量を容易に計算することができる。
したがって、導入された熱Ｑ_２−３、および「状態点」Ｚ４における既知の圧力ｐ４および既知の「状態点」Ｚ１を用いて、質量流量を決定することができる。

以下が分かっている：

以下が決定される：

本発明の構成および方法を使用すると、必要な測定回数および測定の全体的な許容誤差を最小にすることが効果的に可能である。この配置で得られた情報は、飽和蒸気が液体容器Ｇの上流および下流を流れるように利用される。

また、追加の調整弁ＣＶ２（例えば、第２の加熱手段Ｈ２の下流）の導入により、容器内のｐ１とｐ７との間の任意の圧力を設定することができ、ｐ１がＺ１における圧力でありｐ７がＺ７における圧力であり、これにより、異なるモードの等温負荷を、対応する異なる温度レベルでシミュレートすることができる。さらに、（加熱手段Ｈ１からの）等温負荷Ｑ_２−３と（加熱手段Ｈ２からの）等温負荷Ｑ_５−６との間には、受入れ試験の際および装置の調整に効果的な、明確な差異がある。加熱手段Ｈ１およびＨ２は、例えば電気加熱手段であってもよい。

「状態点」Ｚ１で行われる測定の代わりに、別の点（「状態点」Ｚ２、Ｚ６、またはＺ７）で行われてもよく、または質量流量ｍが測定されてもよく、その後、他の「状態点」における値がそこから派生してもよい。

圧力測定の代わりに、温度測定を行うことができ、正確な「状態点」についての任意の点における値を得ることができる。
代替の実施形態（図示せず）では、第１の加熱手段Ｈ１は、調整弁ＣＶ１の上流または液体容器Ｇ内に配置されていてもよい。代替的にまたは追加的に、第２の加熱手段Ｈ２は、第２の調整弁ＣＶ２（図示せず）の下流に配置されていてもよい。

１ 冷却装置
２ 試験バイパス
４ プロセス媒体の状態の測定手段
５ 圧力または温度の測定手段
ＣＶ１，ＣＶ２ 調整弁
Ｇ 容器
Ｈ１ 第１の加熱手段
Ｈ２ 第２の加熱手段
ＬＩ４ 容器内のプロセス媒体の高さ
Ｍ プロセス媒体
Ｚ１乃至Ｚ７ 試験バイパスの点
Ａ 流入流れ（「フォワードフロー」）
Ｂ リターンフロー
Ｖ 消費装置

Claims (15)

1. 試験バイパス（２）による手段を用いて、冷却装置（１）のプロセス媒体（Ｍ）内の消費装置（Ｖ）によって与えられる等温加熱負荷または非等温加熱負荷をシミュレートする方法であって、前記冷却装置（１）の「フォワードフロー」（Ａ）と前記冷却装置（１）のリターンフロー（Ｂ）との間の流れ接続が設けられ、前記試験バイパス（２）は、少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１，ＣＶ２）、前記等温加熱負荷を導入するための第１の加熱手段（Ｈ１）、容器（Ｇ）、および前記非等温負荷を導入するための第２の加熱手段（Ｈ２）を備え、前記プロセス媒体（Ｍ）が前記「フォワードフロー」（Ａ）から前記試験バイパス（２）を通して前記リターンフロー（Ｂ）に導かれ、前記試験バイパス（２）内で、前記第１の加熱手段（Ｈ１）による手段によって所定の等温加熱負荷が前記プロセス媒体（Ｍ）に導かれるとともに、前記第２の加熱手段（Ｈ２）によって所定の非等温加熱負荷が前記プロセス媒体（Ｍ）に導かれ、前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１，ＣＶ２）の手段により前記等温加熱負荷が導かれる前記容器（Ｇ）内にプロセス圧力（ｐ４）が確立されて、前記容器（Ｇ）内で前記プロセス媒体（Ｍ）の液相（Ｆ）の一定のレベル（ＬＩ４）が保持され、前記試験バイパス（２）内にて点（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ６、Ｚ７）で前記プロセス媒体（Ｍ）の状態が測定され、前記等温加熱負荷および前記点（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ６、Ｚ７）での前記プロセス圧力（ｐ４）の前記状態の前記値を用いて、前記点（Ｚ１）での前記プロセス媒体（Ｍ）の質量流量（ｍ）が計算される、方法。
2. 請求項１に記載の方法において、前記点（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ６、Ｚ７）での前記プロセス媒体（Ｍ）の状態の測定は、前記プロセス媒体（Ｍ）の温度の測定および前記プロセス媒体（Ｍ）の前記点（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ６、Ｚ７）での前記圧力の測定を含む、方法。
3. 請求項１または２に記載の方法において、前記試験バイパス（２）内の第２の点で、前記プロセス媒体（Ｍ）の前記圧力また前記温度が測定され、この圧力またはこの温度、前記計算された質量流量（ｍ）、および既知の前記非等温加熱負荷Ｑ_５−６により、前記試験バイパス（２）の前記第２の点における前記プロセス媒体（Ｍ）の状態が決定される、方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法において、前記第１の加熱手段（Ｈ１）は、前記容器（Ｇ）の上流または前記容器（Ｇ）の中に配置され、前記第２の加熱手段（Ｈ２）は、前記容器（Ｇ）の下流に配置されている、方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法において、前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）は前記第１の加熱手段（Ｈ１）の上流に配置されている、または前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）は前記第１の加熱手段（Ｈ１）の下流かつ前記容器（Ｇ）の上流に配置されている、方法。
6. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法において、前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）は前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置されている、または、前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）は前記容器（Ｇ）の下流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の上流に配置されている、方法。
7. 請求項５に記載の方法において、前記試験バイパス（２）は、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された、または、前記容器（Ｇ）の下流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の上流に配置された、前記容器（Ｇ）内の前記圧力（ｐ４）を調整するための、第２の調整弁（ＣＶ２）を有する、方法。
8. 請求項５乃至７のいずれか１項に記載の方法において、前記点（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ６、Ｚ７）は、前記試験バイパス（２）の、
   前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）の上流、および／または、前記第１の加熱手段（Ｈ１）の上流に配置された点（Ｚ１）と、
   前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）の下流、かつ、前記第１の加熱手段（Ｈ１）の上流に配置された点（Ｚ２）と、
   前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）の下流、および／または、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ７）と、
   前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）の上流、かつ、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ６）と、
   前記第２の調節弁（ＣＶ２）の下流、かつ、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ７）と、
   前記第２の調節弁（ＣＶ２）の上流、かつ、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ６）と、のうちの１つである、方法。
9. 冷却装置（１）のプロセス媒体（Ｍ）を前記冷却装置（１）の「フォワードフロー」（Ａ）から前記冷却装置（１）のリターンフロー（Ｂ）に通過させるための試験バイパス（２）であって、特に請求項１乃至８のいずれか１項による方法に用いられる、方法において、前記試験バイパス（２）は、少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１、ＣＶ２）と、等温加熱負荷を導入するための第１の加熱手段（Ｈ１）と、容器（Ｇ）と、非等温加熱負荷を導入するための第２の加熱手段（Ｈ２）とを有するとともに、前記試験バイパスの点（Ｚ１）での前記プロセス媒体（Ｍ）の状態を測定するための手段（４）と、前記試験バイパス（２）の第２の点での前記プロセス媒体（Ｍ）の圧力または温度を測定する手段（５）とを備える、試験バイパス。
10. 請求項９に記載の試験バイパス装置において、前記第１の加熱手段（Ｈ１）は、前記容器（Ｇ）の上流または前記容器（Ｇ）内に配置され、前記第２の加熱手段（Ｈ２）が前記容器（Ｇ）の下流に配置された、試験バイパス。
11. 請求項９または１０に記載の試験バイパス装置において、前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）は、前記第１の加熱手段（Ｈ１）の上流に配置され、または前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）が前記第１の加熱手段（Ｈ１）の下流かつ前記容器（Ｇ）の上流に配置された、試験バイパス。
12. 請求項９または１０に記載の試験バイパス装置において、前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）は前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置され、または前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）は前記容器（Ｇ）の下流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の上流に配置された、試験バイパス。
13. 請求項１１に記載の試験バイパスにおいて、前記容器（Ｇ）内の前記圧力（ｐ４）を調整するための前記試験バイパスは、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された、または、前記容器（Ｇ）の下流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の上流に配置された、別の調整弁（ＣＶ２）を有する、試験バイパス。
14. 請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の試験バイパスにおいて、前記（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ６、Ｚ７）は、
    前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）の上流、および／または、前記第１の加熱手段（Ｈ１）の上流に配置された点（Ｚ１）と、
    前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ１）の下流かつ前記第１の加熱手段（Ｈ１）の上流に配置された点（Ｚ２）と、
    前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）の下流、および／または、前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ７）と、
    前記少なくとも１つの調整弁（ＣＶ２）の上流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ６）と、
    前記第２の調節弁（ＣＶ２）の下流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ７）と、
    前記第２の調節弁（ＣＶ２）の上流かつ前記第２の加熱手段（Ｈ２）の下流に配置された点（Ｚ６）と、のいずれかの前記試験バイパス（２）の点である、試験パイパス。
15. 冷却するための冷却装置（１）において、前記冷却装置（１）は、請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の試験バイパスを有し、前記試験バイパス（２）は、前記冷却装置の「フォワードフロー」（Ａ）と前記冷却装置の「リターンフロー」（Ｂ）との間の流れ接続をもたらす、冷却装置（１）。

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