JP2019220494A - Film formation composition, film-equipped substrate, manufacturing method thereof, and manufacturing method of thin film - Google Patents
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Description
本発明は、特定の構造を有する化合物を含有する膜形成用組成物、膜付基板、その製造方法及び薄膜の製造方法に関する。 The present invention relates to a film-forming composition containing a compound having a specific structure, a substrate with a film, a method for producing the same, and a method for producing a thin film.
従来、半導体デバイスの製造において、基板上への薄膜のパターン形成は、蒸着、スパッタリング等で形成した薄膜を、エッチング工程でパターニングすることにより行われてきた。近年、レジストを用いるフォトリソグラフィ法、メタルマスクを用いる方法等の、エッチング工程を経ずに薄膜のパターンを形成できる方法が開発された。 2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacture of semiconductor devices, a pattern of a thin film on a substrate has been formed by patterning a thin film formed by vapor deposition, sputtering, or the like in an etching step. In recent years, methods capable of forming a thin film pattern without an etching step, such as a photolithography method using a resist and a method using a metal mask, have been developed.
例えば、特許文献１には、遷移金属の酸化物を含有するレジスト材料及びこのレジスト材料を用いた微細加工方法が開示されている。また、特許文献２には、真空成膜する際に成膜領域を選択的に制御するためのメタルマスクが開示されている。
For example, Patent Literature 1 discloses a resist material containing an oxide of a transition metal and a microfabrication method using the resist material.
しかしながら、フォトリソグラフィ法によるパターン形成は、一般的にレジスト塗布工程、プリベーク工程、露光工程、現像工程、ポストベーク工程といった種々の工程を繰り返す必要があり、工程数及び装置数が多いという問題点がある。さらに、近年では、高温雰囲気を必要とする薄膜製造プロセスが採用されることが多く、レジスト材料として用いられる感光性樹脂は、耐熱温度が低く、高温雰囲気下では熱分解を起こしてしまうことが多いため問題となる。また、メタルマスクを用いる方法においては、メタルマスクの熱膨張率が基板の熱膨張率よりも大きいため、回路パターンの微細化に伴い、熱膨張率の差の影響が無視できなくなる。 However, pattern formation by photolithography generally requires repeating various steps such as a resist coating step, a pre-bake step, an exposure step, a development step, and a post-bake step, and has a problem that the number of steps and the number of apparatuses are large. is there. Furthermore, in recent years, a thin film manufacturing process requiring a high-temperature atmosphere is often adopted, and a photosensitive resin used as a resist material has a low heat-resistant temperature, and often causes thermal decomposition under a high-temperature atmosphere. This is a problem. Further, in the method using a metal mask, the coefficient of thermal expansion of the metal mask is larger than the coefficient of thermal expansion of the substrate, so that the influence of the difference in the coefficient of thermal expansion cannot be ignored with the miniaturization of the circuit pattern.
従って、本発明は、高温雰囲気下でも熱分解を起こしにくく且つ金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制することができる膜を、基板上に形成するための膜形成用組成物を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a film for forming a film on a substrate, which hardly undergoes thermal decomposition even in a high-temperature atmosphere and can suppress the formation of a thin film containing metal atoms by a chemical vapor deposition method. It is intended to provide a forming composition.
本発明者らは、検討を重ねた結果、特定の構造を有する化合物を含有する組成物から形成された膜が、高温雰囲気下でも熱分解を起こしにくく且つ金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により基板上に形成されるのを抑制するのに有用であることを見出し、本発明に到達した。 As a result of repeated studies, the present inventors have found that a film formed from a composition containing a compound having a specific structure hardly undergoes thermal decomposition even in a high-temperature atmosphere, and a thin film containing metal atoms is formed in a chemical vapor phase. The present invention has been found to be useful for suppressing formation on a substrate by a growth method, and has reached the present invention.
すなわち、本発明は、金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制する膜を形成するための膜形成用組成物であって、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物である。 That is, the present invention relates to a film-forming composition for forming a film that suppresses formation of a thin film containing metal atoms by a chemical vapor deposition method, and is represented by the following general formula (1). A film forming composition characterized by containing a compound.
（式中、Ｒ１は、炭素原子数４〜２２の直鎖状のアルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、Ｒ４は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子又は下記一般式（２）で表される基を表す。） (Wherein, R 1 represents a linear alkyl group having 4 to 22 carbon atoms, and R 2 and R 3 each independently represent a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 4 represents a chlorine atom, a fluorine atom, a bromine atom or a group represented by the following general formula (2))
（式中、Ｒ５及びＲ６は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、＊は結合手を表す。） (Wherein, R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a bond).
本発明によれば、高温雰囲気下でも熱分解を起こしにくく且つ金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制することができる膜を、基板上に形成するための膜形成用組成物を提供することができる。 According to the present invention, a film for forming on a substrate a film that is unlikely to undergo thermal decomposition even under a high-temperature atmosphere and that can suppress formation of a thin film containing metal atoms by a chemical vapor deposition method. A forming composition can be provided.
本発明の膜形成用組成物は、上記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする。 The film-forming composition of the present invention is characterized by containing the compound represented by the general formula (1).
一般式（１）において、Ｒ１は、炭素原子数４〜２２の直鎖状のアルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、Ｒ４は、塩素原子、フッ素原子、臭素原子又は一般式（２）で表される基を表す。炭素原子数４〜２２の直鎖状のアルキル基としては、例えば、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ―ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ドコシル基等が挙げられる。炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、第二ブチル基、第三ブチル基等が挙げられる。 In the general formula (1), R 1 represents a linear alkyl group having 4 to 22 carbon atoms, and R 2 and R 3 each independently represent a linear or branched chain having 1 to 4 carbon atoms. R 4 represents a chlorine atom, a fluorine atom, a bromine atom or a group represented by the general formula (2). Examples of the linear alkyl group having 4 to 22 carbon atoms include n-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl, and n-butyl. A decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-hexadecyl group, n-octadecyl group, n-docosyl group and the like can be mentioned. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a secondary butyl group, and a tertiary alkyl group. Butyl group and the like.
金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制する効果が十分に得られ、且つ、一般式（１）で表される化合物が基板へ十分に吸着するため、Ｒ１としては、炭素原子数６〜２０の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数８〜１８の直鎖状のアルキル基がより好ましい。Ｒ１が炭素原子数３以下の直鎖状のアルキル基である場合、金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制する効果が十分に得られない。一方、Ｒ１が炭素原子数２３以上の直鎖状のアルキル基である場合、一般式（１）で表される化合物が基板へ十分に吸着しない。 Since the effect of suppressing the formation of the thin film containing metal atoms by the chemical vapor deposition method is sufficiently obtained, and the compound represented by the general formula (1) is sufficiently adsorbed on the substrate, R 1 Is preferably a straight-chain alkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably a straight-chain alkyl group having 8 to 18 carbon atoms. When R 1 is a linear alkyl group having 3 or less carbon atoms, the effect of suppressing the formation of a thin film containing a metal atom by a chemical vapor deposition method cannot be sufficiently obtained. On the other hand, when R 1 is a linear alkyl group having 23 or more carbon atoms, the compound represented by the general formula (1) does not sufficiently adsorb to the substrate.
一般式（１）で表される化合物が基板へ吸着しやすくなるという観点から、Ｒ２及びＲ３としては、各々独立に、メチル基、エチル基、イソプロピル基及び第三ブチル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。 From the viewpoint that the compound represented by the general formula (1) is easily adsorbed on the substrate, R 2 and R 3 are each independently preferably a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, and a tert-butyl group. Groups and ethyl groups are more preferred, and methyl groups are most preferred.
一般式（１）で表される化合物が基板へ吸着しやすくなるという観点から、Ｒ４としては、塩素原子及び一般式（２）で表される基が好ましく、一般式（２）で表される基がより好ましい。 From the viewpoint that the compound represented by the general formula (1) is easily adsorbed on the substrate, R 4 is preferably a chlorine atom or a group represented by the general formula (2), and represented by the general formula (2). Groups are more preferred.
一般式（２）において、Ｒ５及びＲ６は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表し、＊は結合手を表す。炭素原子数１〜４の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、Ｒ２及びＲ３で表される炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基として例示した基と同様の基を挙げることができる。 In the general formula (2), R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and * represents a bond. The linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is the same as the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 2 and R 3. And the group of
一般式（１）で表される化合物が基板へ吸着しやすくなるという観点から、Ｒ５及びＲ６としては、各々独立に、メチル基、エチル基、イソプロピル基及び第三ブチル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。 From the viewpoint that the compound represented by the general formula (1) is easily adsorbed on the substrate, each of R 5 and R 6 is independently preferably a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, and a tert-butyl group. Groups and ethyl groups are more preferred, and methyl groups are most preferred.
一般式（１）で表される化合物の好ましい具体例としては、下記化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１２０で表される化合物が挙げられる。なお、下記化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１２０において、「Ｍｅ」は、メチル基を表し、「Ｅｔ」は、エチル基を表し、「ｉＰｒ」は、イソプロピル基を表し、「ｔＢｕ」は、第三ブチル基を表す。 Preferred specific examples of the compound represented by the general formula (1) include the following compound No. 1 to No. 120. In addition, the following compound No. 1 to No. In 120, "Me" represents a methyl group, "Et" represents an ethyl group, "iPr" represents an isopropyl group, and "tBu" represents a tertiary butyl group.
本発明の膜形成用組成物は、金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制する膜（以下、「金属原子含有薄膜形成抑制膜」と記載することがある）を基板上に形成するために用いられるものである。本発明の膜形成用組成物から形成された金属原子含有薄膜形成抑制膜は、高温雰囲気下でも熱分解を起こしにくく、熱膨張による影響を受けにくい。そのため、基板の表面に、金属原子含有薄膜形成抑制膜を部分的に形成することで、高温雰囲気下で金属原子を含有する薄膜を金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成されていない部分に精度よく形成することができる。特に、本発明の膜形成用組成物から形成された金属原子含有薄膜形成抑制膜は、酸化物表面への吸着力が優れている。そのため、レジスト材料等を用いる従来の方法では、例えば酸化物表面と酸化物とは異なる材質の表面とを少なくとも有する基板に対する一括の処理により酸化物表面のみにこのような膜を選択的に形成することは困難であったが、本発明の膜形成用組成物を用いることで酸化物表面と酸化物とは異なる材質の表面とを少なくとも有する基板に対する一括の処理により酸化物表面のみに金属原子含有薄膜形成抑制膜を選択的に形成することができる。具体的な一括処理法としては、酸化物表面と酸化物とは異なる材質の表面とを少なくとも有する基板の表面全体に金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成した後、フッ化水素酸等と接触させて酸化物とは異なる材質の表面から金属原子含有薄膜形成抑制膜を除去すればよい。また、本発明の薄膜の製造方法は、基板の表面に上記金属原子含有薄膜形成抑制膜が部分的に形成された膜付基板を用いるので、高温雰囲気下でも熱分解及び熱膨張の影響をほとんど受けずに実施することができ、レジスト材料又はメタルマスクを用いて基板上に薄膜を選択的に形成する従来の方法より優れている。 The film-forming composition of the present invention is a film that suppresses formation of a metal atom-containing thin film by a chemical vapor deposition method (hereinafter, may be referred to as “metal atom-containing thin film formation suppression film”). Is formed on a substrate. The metal atom-containing thin film formation suppressing film formed from the film forming composition of the present invention hardly undergoes thermal decomposition even in a high-temperature atmosphere, and is hardly affected by thermal expansion. Therefore, by partially forming the metal atom-containing thin film formation suppressing film on the surface of the substrate, the thin film containing metal atoms can be accurately formed in a portion where the metal atom-containing thin film formation suppressing film is not formed in a high-temperature atmosphere. Can be formed. In particular, the metal atom-containing thin film formation suppressing film formed from the film forming composition of the present invention has excellent adsorption power to the oxide surface. Therefore, in a conventional method using a resist material or the like, such a film is selectively formed only on the oxide surface by batch processing on a substrate having at least an oxide surface and a surface made of a material different from the oxide. Although it was difficult, by using the composition for forming a film of the present invention, the batch processing of the substrate having at least the oxide surface and the surface of a material different from the oxide contained metal atoms only on the oxide surface. The thin film formation suppressing film can be selectively formed. As a specific batch processing method, after forming a metal atom-containing thin film formation suppression film over the entire surface of a substrate having at least an oxide surface and a surface made of a material different from the oxide, it is brought into contact with hydrofluoric acid or the like. The metal atom-containing thin film formation suppressing film may be removed from the surface of a material different from the oxide. Further, the method for producing a thin film of the present invention uses a substrate with a film in which the metal atom-containing thin film formation suppressing film is partially formed on the surface of the substrate. This is superior to the conventional method of selectively forming a thin film on a substrate using a resist material or a metal mask.
金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成する基板としては、半導体デバイスの基板として一般に用いられるものであればよいが、酸化物表面と酸化物以外の材質の表面とを少なくとも有するものが好ましい。酸化物以外の材質としては、窒化物、金属等が挙げられる。酸化物の具体例としては、例えば、二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタン等が挙げられる。窒化物の具体例としては、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、窒化チタン等が挙げられる。なかでも、酸化物表面と窒化物表面とを少なくとも有する基板が好ましく、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）表面と窒化ケイ素（ＳｉＮ）表面とを少なくとも有する基板がより好ましい。基板の形状としては、特に限定されるものではなく、板状、球状、繊維状、鱗片状等が挙げられる。基板の表面は、平面であってもよいし、トレンチ構造等の三次元構造となっていてもよい。 The substrate on which the metal atom-containing thin film formation suppressing film is formed may be a substrate generally used as a substrate of a semiconductor device, and preferably has at least an oxide surface and a surface of a material other than an oxide. Materials other than oxides include nitrides and metals. Specific examples of the oxide include silicon dioxide, titanium oxide, ruthenium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, and lanthanum oxide. Specific examples of the nitride include silicon nitride, titanium nitride, tantalum nitride, titanium nitride, and the like. Among them, a substrate having at least an oxide surface and a nitride surface is preferable, and a substrate having at least a silicon dioxide (SiO 2 ) surface and a silicon nitride (SiN) surface is more preferable. The shape of the substrate is not particularly limited, and examples thereof include a plate shape, a spherical shape, a fiber shape, and a scale shape. The surface of the substrate may be a flat surface or a three-dimensional structure such as a trench structure.
本発明の膜形成用組成物には、一般式（１）で表される化合物以外の成分として、本発明の効果を損なわない範囲で周知の添加剤を配合することができる。添加剤としては、例えば、酸、塩基、界面活性剤、安定剤等が挙げられる。 The film-forming composition of the present invention may contain known additives as components other than the compound represented by the general formula (1) as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the additive include an acid, a base, a surfactant, and a stabilizer.
図１は、本発明の膜付基板を製造する過程を示す模式図である。図１に示されるように、本発明の膜付基板の製造方法は、酸化物表面１と酸化物以外の材質の表面２とを少なくとも有する基板の表面全体に、上記した膜形成用組成物を塗布、乾燥して金属原子含有薄膜形成抑制膜３を形成する工程と、基板に形成された金属原子含有薄膜形成抑制膜３を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又は０．０１％〜５％のフッ化水素酸と接触させて酸化物以外の材質の表面２（酸化物表面以外の表面）から金属原子含有薄膜形成抑制膜３を除去する工程とを含む。
FIG. 1 is a schematic view illustrating a process of manufacturing a substrate with a film according to the present invention. As shown in FIG. 1, the method for producing a substrate with a film according to the present invention comprises applying the above-described film-forming composition to the entire surface of a substrate having at least an oxide surface 1 and a
膜形成用組成物を塗布する方法としては、特に限定されるものではないが、浸漬塗布法、スプレー塗布法、ロールコート法、スピンコート法等が挙げられる。膜形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されるものではないが、一般式（１）で表される化合物の沸点等に応じて適宜設定すればよい。なかでも、浸漬塗布法が特に好適に用いられる。浸漬塗布法を用いる場合、浸漬時間は、通常、０．５分〜１２０分であり、好ましくは１分〜３０分であり、浸漬温度は、通常、１０℃〜２５０℃であり、好ましくは２５℃〜２００℃である。 The method for applying the film-forming composition is not particularly limited, and examples thereof include a dip coating method, a spray coating method, a roll coating method, and a spin coating method. The drying conditions of the film-forming composition are not particularly limited, but may be appropriately set according to the boiling point of the compound represented by the general formula (1). Among them, the dip coating method is particularly preferably used. When using the dip coating method, the immersion time is usually 0.5 minutes to 120 minutes, preferably 1 minute to 30 minutes, and the immersion temperature is usually 10 ° C. to 250 ° C., preferably 25 minutes. C. to 200C.
また、膜形成用組成物を塗布、乾燥する代わりに、蒸着法により金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成してもよい。蒸着法としては、物理蒸着法及び化学気相成長（ＣＶＤ）法が挙げられる。物理蒸着法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等が挙げられる。化学気相成長法としては、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等が挙げられる。 Further, instead of applying and drying the film forming composition, a metal atom-containing thin film formation suppressing film may be formed by a vapor deposition method. Examples of the vapor deposition method include a physical vapor deposition method and a chemical vapor deposition (CVD) method. Examples of the physical vapor deposition method include vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating. Examples of the chemical vapor deposition method include a thermal CVD method, a photo CVD method, an atomic layer deposition (ALD) method, and the like.
金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制する効果が高いため、膜形成用組成物からなる金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成する工程と、金属原子含有薄膜形成抑制膜を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸と接触させる工程との間に、金属原子含有薄膜形成抑制膜にアルキルシリル（アルキル）アミンを塗布、乾燥してもよい。ここで用いるアルキルシリル（アルキル）アミンとしては、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミン、Ｎ−（トリメチルシリル）ジエチルアミン、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルトリメチルシリルアミン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン等が挙げられ、なかでも、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミンが好ましい。 A step of forming a metal atom-containing thin film formation suppressing film made of a film-forming composition, since the effect of suppressing the formation of a metal atom-containing thin film by chemical vapor deposition is high; Between the step of contacting the suppression film with water, triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid, the metal atom-containing thin film formation suppression film may be coated with an alkylsilyl (alkyl) amine and dried. Examples of the alkylsilyl (alkyl) amine used here include N- (trimethylsilyl) dimethylamine, N- (trimethylsilyl) diethylamine, N-tert-butyltrimethylsilylamine, bis (dimethylamino) dimethylsilane, bis (diethylamino) dimethylsilane, and the like. Among them, N- (trimethylsilyl) dimethylamine is preferable.
金属原子含有薄膜形成抑制膜を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸と接触させる方法としては、特に限定されるものではないが、金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成された基板を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸に浸漬する方法、金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成された基板に、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸を噴霧する方法、金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成された基板を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸の蒸気に曝露する方法、溶剤中で金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成された基板と、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸とを混合する方法等が挙げられる。なかでも、基板を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸に浸漬する方法及び基板を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸の蒸気に曝露する方法が好ましい。 The method for contacting the metal atom-containing thin film formation suppressing film with water, triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid is not particularly limited, but the metal atom-containing thin film formation suppressing film is formed. A method in which a substrate is immersed in water, triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid, and water, triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid is added to a substrate on which a metal atom-containing thin film formation suppressing film is formed. Spraying, a method of exposing a substrate on which a metal atom-containing thin film formation suppressing film is formed to water, a vapor of triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid, and a method of spraying a metal atom-containing thin film formation suppressing film in a solvent And a method in which water, triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid is mixed with the substrate on which is formed. Among them, a method of immersing the substrate in water, triethylamine trifluoride or hydrofluoric acid and a method of exposing the substrate to water, vapor of triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid are preferable. .
水としては、特に制限されることはないが、イオン交換水、純水、超純水等のイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。水の状態としては、液体でもよく気体でもよい。水の温度としては５０℃〜１５０℃が好ましく、７０℃〜１２０℃がより好ましく、８０℃〜１００℃が最も好ましい。水の温度が５０℃未満であると、金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去に必要な時間が長くなるため好ましくない。 The water is not particularly limited, but is preferably water from which ionic substances such as ion-exchanged water, pure water and ultrapure water and impurities have been removed. The state of water may be liquid or gas. The water temperature is preferably from 50C to 150C, more preferably from 70C to 120C, and most preferably from 80C to 100C. If the temperature of the water is lower than 50 ° C., the time required for removing the metal atom-containing thin film formation suppressing film becomes longer, which is not preferable.
トリエチルアミン三フッ化水素酸塩としては、特に制限されることはなく、市販のものを用いればよい。 The triethylamine trihydrofluoride is not particularly limited, and a commercially available one may be used.
フッ化水素酸としては、特に制限されることはないが、市販のものをそのまま用いてもよいし、市販のものを適宜希釈したものでもよい。フッ化水素酸の濃度は重量換算で０．０１％〜５％であり、０．１％〜３％が好ましく、０．３％〜１％がより好ましい。 The hydrofluoric acid is not particularly limited, but a commercially available one may be used as it is, or a commercially available one may be appropriately diluted. The concentration of hydrofluoric acid is 0.01% to 5% in terms of weight, preferably 0.1% to 3%, more preferably 0.3% to 1%.
また、基板の一部をレジスト材料又はメタルマスクで被覆し、レジスト材料又はメタルマスクで被覆されていない部分に、本発明の膜形成用組成物からなる金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成した後、レジスト材料又はメタルマスクを剥離することにより膜付基板を製造してもよい。 In addition, after a part of the substrate is covered with a resist material or a metal mask, and a part not covered with the resist material or the metal mask is formed with a metal atom-containing thin film formation suppressing film made of the film forming composition of the present invention, Alternatively, the substrate with a film may be manufactured by removing the resist material or the metal mask.
図２は、本発明に係る膜付基板を用いて薄膜を製造する過程を示す模式図である。図２に示されるように、本発明の薄膜の製造方法は、基板表面の一部（酸化物表面１）上に金属原子含有薄膜形成抑制膜３が形成された膜付基板が設置された成膜チャンバー内（以下、「堆積反応部」と記載することがある）に、薄膜形成用原料の蒸気及び必要に応じて用いられる反応性ガスを導入し、次いで、膜付基板の金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成されていない部分（酸化物以外の材質の表面２）上で、プレカーサを分解及び／又は化学反応させて、金属原子含有薄膜４を堆積させるＣＶＤ法によるものである。薄膜形成用原料の輸送供給方法、堆積方法、製造条件、製造装置等については、特に制限を受けるものではなく、周知一般の条件及び方法を用いることができる。
FIG. 2 is a schematic view showing a process of manufacturing a thin film using the substrate with a film according to the present invention. As shown in FIG. 2, the method for producing a thin film according to the present invention comprises the steps of: providing a substrate with a film in which a metal atom-containing thin film formation suppressing film 3 is formed on a part of the substrate surface (oxide surface 1). A vapor of a raw material for forming a thin film and a reactive gas used as necessary are introduced into a film chamber (hereinafter, sometimes referred to as a “deposition reaction section”), and then a metal atom-containing thin film of a film-coated substrate is introduced. On the part where the formation suppressing film is not formed (the
必要に応じて用いられる反応性ガスとしては、例えば、酸化性のものとしては、酸素、オゾン、二酸化窒素、一酸化窒素、水蒸気、過酸化水素、ギ酸、酢酸、無水酢酸等が挙げられる。還元性のものとしては、水素が挙げられる。また、窒化物を生成するものとしては、モノアルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、アルキレンジアミン等の有機アミン化合物、ヒドラジン、アンモニア等が挙げられる。これらの反応性ガスは、１種を用いてもよいし、又は２種以上を用いてもよい。必要に応じて用いられる反応性ガスとしては、窒化物を生成する反応性ガスが好ましく、アンモニアがより好ましい。 As the reactive gas used as required, for example, oxidizing gases include oxygen, ozone, nitrogen dioxide, nitric oxide, water vapor, hydrogen peroxide, formic acid, acetic acid, acetic anhydride and the like. Hydrogen is mentioned as a reducing thing. In addition, examples of compounds that generate nitride include organic amine compounds such as monoalkylamine, dialkylamine, trialkylamine, and alkylenediamine, hydrazine, and ammonia. One of these reactive gases may be used, or two or more thereof may be used. As the reactive gas used as necessary, a reactive gas that generates nitride is preferable, and ammonia is more preferable.
薄膜形成用原料としては、特に限定されず、当該技術分野において周知の一般的なプレカーサを用いることができる。例えば、アルコール化合物、グリコール化合物、β−ジケトン化合物、シクロペンタジエン化合物、有機アミン化合物、ケトイミン化合物等の一種類又は二種類以上の有機配位化合物と、珪素や金属（但し、銅を除く）との化合物が挙げられる。金属種としては、特に限定されないが、例えば、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、スカンジウム、イットリウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、オスミウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銀、金、亜鉛、コバルト、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム等が挙げられる。薄膜形成用原料としては、有機アミン化合物と、珪素や金属との化合物が好ましく、なかでもアルキルアミン化合物と、珪素や金属との化合物が好ましく、さらにアルキルアミン化合物と金属との化合物が特に好ましい。 The raw material for forming a thin film is not particularly limited, and a general precursor known in the art can be used. For example, one or more organic coordination compounds such as an alcohol compound, a glycol compound, a β-diketone compound, a cyclopentadiene compound, an organic amine compound, and a ketoimine compound, and silicon or a metal (however, excluding copper) Compounds. The metal species is not particularly limited, for example, magnesium, calcium, strontium, barium, radium, scandium, yttrium, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, iron, osmium, Ruthenium, rhodium, iridium, nickel, palladium, platinum, silver, gold, zinc, cobalt, cadmium, aluminum, gallium, indium, germanium, tin, lead, antimony, bismuth, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, Europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium and the like can be mentioned. As a raw material for forming a thin film, a compound of an organic amine compound and silicon or a metal is preferable, and among them, a compound of an alkylamine compound and silicon or a metal is preferable, and a compound of an alkylamine compound and a metal is particularly preferable.
有機配位子を与えるアルコール化合物としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、第２級ブチルアルコール、イソブチルアルコール、第３級ブチルアルコール、ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、第３級ペンチルアルコール等のアルキルアルコール類；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、２−（２−メトキシエトキシ）エタノール、２−メトキシ−１−メチルエタノール、２−メトキシ−１，１−ジメチルエタノール、２−エトキシ−１，１−ジメチルエタノール、２−イソプロポキシ−１，１−ジメチルエタノール、２−ブトキシ−１，１−ジメチルエタノール、２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメチルエタノール、２−プロポキシ−１，１−ジエチルエタノール、２−ｓ−ブトキシ−１，１−ジエチルエタノール、３−メトキシ−１，１−ジメチルプロパノール等のエーテルアルコール類；１−ジメチルアミノ−２−プロパノール、１−エチルメチルアミノ−２−プロパノール、１−ジエチルアミノ−２−プロパノール、１−ジメチルアミノ−２−メチル−２−プロパノール、１−エチルメチルアミノ−２−メチル−２−プロパノール、１−ジエチルアミノ−２−メチル−２−プロパノール、１−ジメチルアミノ−２−ブタノール、１−エチルメチルアミノ−２−ブタノール、１−ジエチルアミノ−２−ブタノール、１−ジメチルアミノ−２−メチル−２−ブタノール、１−エチルメチルアミノ−２−メチル−２−ブタノール、１−ジエチルアミノ−２−メチル−２−ブタノール等のアミノアルコール類等が挙げられる。 The alcohol compound that gives an organic ligand is not particularly limited, and includes, for example, methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, butanol, secondary butyl alcohol, isobutyl alcohol, tertiary butyl alcohol, pentyl alcohol, isopentyl alcohol And alkyl alcohols such as tertiary pentyl alcohol; 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, 2- (2-methoxyethoxy) ethanol, 2-methoxy-1-methylethanol, 2-methoxy- 1,1-dimethylethanol, 2-ethoxy-1,1-dimethylethanol, 2-isopropoxy-1,1-dimethylethanol, 2-butoxy-1,1-dimethylethanol, 2- (2-methoxyethoxy)- 1, Ether alcohols such as -dimethylethanol, 2-propoxy-1,1-diethylethanol, 2-s-butoxy-1,1-diethylethanol, 3-methoxy-1,1-dimethylpropanol; 1-dimethylamino-2 -Propanol, 1-ethylmethylamino-2-propanol, 1-diethylamino-2-propanol, 1-dimethylamino-2-methyl-2-propanol, 1-ethylmethylamino-2-methyl-2-propanol, 1- Diethylamino-2-methyl-2-propanol, 1-dimethylamino-2-butanol, 1-ethylmethylamino-2-butanol, 1-diethylamino-2-butanol, 1-dimethylamino-2-methyl-2-butanol, 1-ethylmethylamino-2-methyl-2-butanol, - amino alcohols such as diethylamino-2-methyl-2-butanol.
有機配位子を与えるグリコール化合物としては、特に限定されないが、例えば、１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、２，４−ヘキサンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、２，４−ブタンジオール、２，２−ジエチル−１，３−ブタンジオール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオール、２，４−ペンタンジオール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２，４−ヘキサンジオール、２，４−ジメチル−２，４−ペンタンジオール等が挙げられる。 The glycol compound that gives an organic ligand is not particularly limited, and examples thereof include 1,2-ethanediol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 2,4-hexanediol, and 2,2-hexanediol. Dimethyl-1,3-propanediol, 2,2-diethyl-1,3-propanediol, 1,3-butanediol, 2,4-butanediol, 2,2-diethyl-1,3-butanediol, -Ethyl-2-butyl-1,3-propanediol, 2,4-pentanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 2,4-hexanediol, 2,4-dimethyl-2,4-pentanediol and the like.
有機配位子を与えるβ−ジケトン化合物としては、特に限定されないが、例えば、アセチルアセトン、ヘキサン−２，４−ジオン、５−メチルヘキサン−２，４−ジオン、ヘプタン−２，４−ジオン、２−メチルヘプタン−３，５−ジオン、２，６−ジメチルヘプタン−３，５−ジオン等のアルキル置換β−ジケトン類；１，１，１−トリフルオロペンタン−２，４−ジオン、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチルヘキサン−２，４−ジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロペンタン−２，４−ジオン、１，３−ジパーフルオロヘキシルプロパン−１，３−ジオン等のフッ素置換アルキルβ−ジケトン類；１，１，５，５−テトラメチル−１−メトキシヘキサン−２，４−ジオン、２，２，６，６−テトラメチル−１−メトキシヘプタン−３，５−ジオン、２，２，６，６−テトラメチル−１−（２−メトキシエトキシ）ヘプタン−３，５−ジオン等のエーテル置換β−ジケトン類等が挙げられる。 The β-diketone compound that gives an organic ligand is not particularly limited, but includes, for example, acetylacetone, hexane-2,4-dione, 5-methylhexane-2,4-dione, heptane-2,4-dione, Alkyl-substituted β-diketones such as -methylheptane-3,5-dione and 2,6-dimethylheptane-3,5-dione; 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione, 1,1 , 1-Trifluoro-5,5-dimethylhexane-2,4-dione, 1,1,1,5,5,5-hexafluoropentane-2,4-dione, 1,3-diperfluorohexylpropane Fluorinated alkyl β-diketones such as -1,3-dione; 1,1,5,5-tetramethyl-1-methoxyhexane-2,4-dione, 2,2,6,6-tetramethyl-1 -Met Shiheputan 3,5-dione, 2,2,6,6-tetramethyl-1 (2-methoxyethoxy) ether-substituted β- diketones such as heptane-3,5-dione, and the like.
有機配位子を与えるシクロペンタジエン化合物としては、特に限定されないが、例えば、シクロペンタジエン、メチルシクロペンタジエン、エチルシクロペンタジエン、プロピルシクロペンタジエン、イソプロピルシクロペンタジエン、ブチルシクロペンタジエン、第２級ブチルシクロペンタジエン、イソブチルシクロペンタジエン、第３級ブチルシクロペンタジエン、ジメチルシクロペンタジエン、テトラメチルシクロペンタジエン等が挙げられる。 The cyclopentadiene compound that gives an organic ligand is not particularly limited, and examples thereof include cyclopentadiene, methylcyclopentadiene, ethylcyclopentadiene, propylcyclopentadiene, isopropylcyclopentadiene, butylcyclopentadiene, secondary butylcyclopentadiene, and isobutyl. Examples thereof include cyclopentadiene, tertiary butylcyclopentadiene, dimethylcyclopentadiene, and tetramethylcyclopentadiene.
有機配位子を与える有機アミン化合物としては、特に限定されないが、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、第２級ブチルアミン、第３級ブチルアミン、イソブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、イソプロピルメチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン等が挙げられる。 The organic amine compound that gives an organic ligand is not particularly limited, and examples thereof include methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, secondary butylamine, tertiary butylamine, isobutylamine, dimethylamine, diethylamine, and the like. Examples thereof include dipropylamine, diisopropylamine, ethylmethylamine, propylmethylamine, isopropylmethylamine, ethylenediamine, and N, N-dimethylethylenediamine.
有機配位子を与えるケトイミン化合物としては、特に限定されないが、例えば、上述のβ−ジケトン化合物と有機アミン化合物との反応物が挙げられる。具体的には、アセチルアセトンとＮ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミンとを塩化水素存在下で反応させることで得られるケトイミン化合物等を用いることができる。 The ketoimine compound that gives an organic ligand is not particularly limited, and examples thereof include a reaction product of the above-mentioned β-diketone compound and an organic amine compound. Specifically, a ketoimine compound or the like obtained by reacting acetylacetone with N, N-dimethylethylenediamine in the presence of hydrogen chloride can be used.
また、薄膜形成用原料の輸送供給方法としては、当該技術分野において周知の一般的な方法を採用することができ、気体輸送法、液体輸送法、シングルソース法、カクテルソース法等が挙げられる。 In addition, as a method for transporting and supplying the raw material for forming a thin film, a general method known in the art can be employed, and examples thereof include a gas transport method, a liquid transport method, a single source method, and a cocktail source method.
堆積方法としては、化学気相成長法が採用され、具体的には、薄膜形成用原料又は薄膜形成用原料と成膜チャンバー内のガスとを熱のみにより反応させ薄膜を堆積させる熱ＣＶＤ法、熱とプラズマを使用するプラズマＣＶＤ法、熱と光を使用する光ＣＶＤ法、熱、光及びプラズマを使用する光プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤの堆積反応を素過程に分け、分子レベルで段階的に堆積を行う原子層堆積（ＡＬＤ）法等が挙げられる。 As a deposition method, a chemical vapor deposition method is adopted, and specifically, a thermal CVD method of depositing a thin film by reacting a thin film forming raw material or a thin film forming raw material with a gas in a film forming chamber only by heat, The plasma CVD method using heat and plasma, the photo CVD method using heat and light, the photo plasma CVD method using heat, light and plasma, and the deposition reaction of CVD are divided into elementary processes, and deposition is performed stepwise at the molecular level. And an atomic layer deposition (ALD) method.
また、製造条件としては、反応温度（基板温度）、反応圧力、堆積速度等が挙げられる。反応温度については、薄膜形成用原料が十分に反応する温度を適宜選択すればよく、反応圧力については、薄膜形成用原料が十分に気化する圧力を適宜選択すればよい。
また、堆積速度は、薄膜形成用原料の供給条件（気化温度、気化圧力）、反応温度、反応圧力によりコントロールすることができる。堆積速度は、大きいと得られる薄膜の特性が悪化する場合があり、小さいと生産性に問題を生じる場合があるので、０．０１ｎｍ／分〜１００ｎｍ／分が好ましく、１ｎｍ／分〜５０ｎｍ／分がより好ましい。また、ＡＬＤ法の場合は、所望の膜厚が得られるようにサイクルの回数でコントロールされる。
The production conditions include a reaction temperature (substrate temperature), a reaction pressure, a deposition rate, and the like. As for the reaction temperature, a temperature at which the raw material for forming a thin film sufficiently reacts may be appropriately selected, and for a reaction pressure, a pressure at which the raw material for forming a thin film sufficiently vaporizes may be appropriately selected.
The deposition rate can be controlled by the supply conditions (vaporization temperature, vaporization pressure), reaction temperature, and reaction pressure of the raw material for forming a thin film. When the deposition rate is high, the characteristics of the obtained thin film may be deteriorated, and when the deposition rate is low, the productivity may be problematic. Therefore, the deposition rate is preferably 0.01 nm / min to 100 nm / min, and preferably 1 nm / min to 50 nm / min. Is more preferred. In the case of the ALD method, the number of cycles is controlled so as to obtain a desired film thickness.
更なる製造条件として、薄膜形成用原料を気化させて蒸気とする際の温度や圧力が挙げられる。薄膜形成用原料を気化させて蒸気とする工程は、原料容器内で行ってもよく、気化室内で行ってもよい。また、原料容器内又は気化室内で薄膜形成用原料を気化させて蒸気とする場合に原料容器内の圧力及び気化室内の圧力はいずれも１Ｐａ〜１００００Ｐａであることが好ましい。 Further manufacturing conditions include the temperature and pressure at which the thin film forming raw material is vaporized into vapor. The step of vaporizing the raw material for forming a thin film into vapor may be performed in a raw material container or may be performed in a vaporization chamber. Further, when the raw material for forming a thin film is vaporized in the raw material container or in the vaporization chamber to form a vapor, the pressure in the raw material container and the pressure in the vaporization chamber are each preferably 1 Pa to 10000 Pa.
本発明の薄膜の製造方法は、ＡＬＤ法を採用して、薄膜形成用原料を気化させて蒸気とし、該蒸気を成膜チャンバー内へ導入する原料導入工程のほか、該基板の表面に該蒸気中の化合物から前駆体薄膜を形成する前駆体薄膜成膜工程、未反応の薄膜形成用原料を排気する排気工程、及び、該前駆体薄膜を反応性ガスと化学反応させて、該基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程を有していてもよい。 The method for producing a thin film of the present invention employs an ALD method, in which a raw material for forming a thin film is vaporized into vapor, and the vapor is introduced into a film forming chamber. A precursor thin film forming step of forming a precursor thin film from a compound therein, an exhaust step of exhausting unreacted thin film forming raw materials, and chemically reacting the precursor thin film with a reactive gas to form a surface of the substrate. A thin film forming step of forming a thin film on the substrate.
以下では、上記の各工程について、詳しく説明する。薄膜をＡＬＤ法により形成する場合は、まず、前記で説明した原料導入工程を行う。薄膜形成用原料を蒸気とする際の好ましい温度や圧力は上記で説明したものと同様である。次に、堆積反応部に導入した薄膜形成用原料により、基板表面に前駆体薄膜を成膜させる（前駆体薄膜成膜工程）。このときに、基板を加熱するか、又は堆積反応部を加熱して、熱を加えてもよい。本工程が行われる際の基板温度は、室温〜５００℃が好ましく、１５０℃〜３００℃がより好ましい。本工程が行われる際の系（成膜チャンバー内）の圧力は１Ｐａ〜１００００Ｐａが好ましく、１０Ｐａ〜１０００Ｐａがより好ましい。 Hereinafter, each of the above steps will be described in detail. When a thin film is formed by the ALD method, first, the material introduction step described above is performed. Preferred temperatures and pressures when the thin film forming raw material is converted into steam are the same as those described above. Next, a precursor thin film is formed on the substrate surface using the thin film forming raw material introduced into the deposition reaction section (precursor thin film forming step). At this time, heat may be applied by heating the substrate or the deposition reaction section. The substrate temperature when this step is performed is preferably from room temperature to 500 ° C, more preferably from 150 ° C to 300 ° C. The pressure of the system (in the film forming chamber) when this step is performed is preferably 1 Pa to 10000 Pa, and more preferably 10 Pa to 1000 Pa.
次に、堆積反応部から、未反応の薄膜形成用原料のガスや副生したガスを排気する（排気工程）。未反応の薄膜形成用原料のガスや副生したガスは、堆積反応部から完全に排気されるのが理想的であるが、必ずしも完全に排気される必要はない。排気方法としては、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスにより系内をパージする方法、系内を減圧することで排気する方法、これらを組み合わせた方法等が挙げられる。減圧する場合の減圧度は、０．０１Ｐａ〜３００Ｐａが好ましく、０．０１Ｐａ〜１００Ｐａがより好ましい。 Next, the unreacted thin film forming raw material gas and by-produced gas are exhausted from the deposition reaction section (exhaust step). Ideally, unreacted raw material gas for forming a thin film and gas produced as a by-product are completely exhausted from the deposition reaction section, but it is not always necessary to exhaust completely. Examples of the exhaust method include a method in which the inside of the system is purged with an inert gas such as nitrogen, helium, and argon, a method in which the inside of the system is exhausted by reducing the pressure, a method in which these are combined, and the like. When the pressure is reduced, the degree of pressure reduction is preferably 0.01 Pa to 300 Pa, more preferably 0.01 Pa to 100 Pa.
次に、堆積反応部にアンモニアガス等の反応性ガスを導入し、該反応性ガスの作用又は反応性ガス及び熱の作用により、先の前駆体薄膜成膜工程で得た前駆体薄膜から目的とする薄膜を形成する。本工程において熱を作用させる場合の温度は、室温〜５００℃が好ましく、１５０℃〜３００℃がより好ましい。本工程が行われる際の系（成膜チャンバー内）の圧力は１Ｐａ〜１００００Ｐａが好ましく、１０Ｐａ〜１０００Ｐａがより好ましい。 Next, a reactive gas such as ammonia gas is introduced into the deposition reaction section, and the action of the reactive gas or the action of the reactive gas and heat is applied to the precursor thin film obtained in the previous precursor thin film forming step. Is formed. The temperature at which heat is applied in this step is preferably room temperature to 500 ° C, more preferably 150 ° C to 300 ° C. The pressure of the system (in the film forming chamber) when this step is performed is preferably 1 Pa to 10000 Pa, and more preferably 10 Pa to 1000 Pa.
本発明の薄膜の製造方法において、上記のようにＡＬＤ法を採用した場合、薄膜形成用原料導入工程、前駆体薄膜成膜工程、排気工程、及び、薄膜形成工程からなる一連の操作による薄膜堆積を１サイクルとし、このサイクルを必要な膜厚の薄膜が得られるまで複数回繰り返してもよい。この場合、１サイクル行った後、上記排気工程と同様にして、堆積反応部から未反応の薄膜形成用原料のガス及び反応性ガス（アンモニアガス等）、更に副成したガスを排気した後、次の１サイクルを行うことが好ましい。 In the method of manufacturing a thin film according to the present invention, when the ALD method is employed as described above, thin film deposition is performed by a series of operations including a thin film forming raw material introducing step, a precursor thin film forming step, an exhausting step, and a thin film forming step. As one cycle, and this cycle may be repeated a plurality of times until a thin film having a required film thickness is obtained. In this case, after performing one cycle, the gas of the unreacted thin film forming raw material and the reactive gas (ammonia gas, etc.) and further by-produced gas are evacuated from the deposition reaction section in the same manner as in the above evacuation step. Preferably, the next one cycle is performed.
また、薄膜のＡＬＤ法による形成においては、プラズマ、光、電圧等のエネルギーを印加してもよく、触媒を用いてもよい。該エネルギーを印加する時期及び触媒を用いる時期は、特には限定されず、例えば、原料導入工程における薄膜形成用原料のガス導入時、前駆体薄膜成膜工程又は薄膜形成工程における加温時、排気工程における系内の排気時、薄膜形成工程におけるアンモニアガス等の反応性ガス導入時でもよく、上記の各工程の間でもよい。 In forming a thin film by the ALD method, energy such as plasma, light, or voltage may be applied, or a catalyst may be used. The timing of applying the energy and the timing of using the catalyst are not particularly limited. For example, at the time of gas introduction of the raw material for forming a thin film in the raw material introducing step, at the time of heating in the precursor thin film forming step or the thin film forming step, and during exhaustion. It may be at the time of exhausting the system in the process, at the time of introducing a reactive gas such as ammonia gas in the thin film forming process, or during each of the above processes.
また、本発明の薄膜の製造方法においては、薄膜堆積の後に、より良好な電気特性を得るために不活性雰囲気下、酸化性雰囲気下又は還元性雰囲気下でアニール処理を行ってもよく、段差埋め込みが必要な場合には、リフロー工程を設けてもよい。この場合の温度は、２００℃〜１０００℃であり、２５０〜５００℃であることが好ましい。 In the method for producing a thin film of the present invention, after depositing the thin film, annealing may be performed under an inert atmosphere, an oxidizing atmosphere, or a reducing atmosphere to obtain better electric characteristics. When embedding is necessary, a reflow step may be provided. The temperature in this case is from 200 ° C to 1000 ° C, and preferably from 250 to 500 ° C.
本発明の薄膜の製造方法において用いる装置は、周知な化学気相成長法用装置を用いることができる。具体的な装置の例としては図３のようなプレカーサをバブリング供給で行うことのできる装置や、図４のように気化室を有する装置が挙げられる。また、図５及び図６のように反応性ガスに対してプラズマ処理を行うことのできる装置が挙げられる。図３〜図６のような枚葉式装置に限らず、バッチ炉を用いた多数枚同時処理可能な装置を用いることもできる。 As a device used in the method for producing a thin film of the present invention, a known device for chemical vapor deposition can be used. Specific examples of the apparatus include an apparatus capable of performing bubbling supply of a precursor as shown in FIG. 3 and an apparatus having a vaporization chamber as shown in FIG. Further, as shown in FIGS. 5 and 6, an apparatus capable of performing plasma processing on a reactive gas can be used. The apparatus is not limited to the single-wafer apparatus as shown in FIGS. 3 to 6, and an apparatus capable of simultaneously processing a large number of sheets using a batch furnace can be used.
また、金属原子含有薄膜形成抑制膜を基板上に形成する工程と、基板上に形成された金属原子含有薄膜形成抑制膜を、水、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩又はフッ化水素酸と接触させる工程と、基板の表面に化学気相成長法により金属原子含有薄膜を堆積させる工程とを合わせて一連の工程とし、この一連の工程を繰り返し行ってもよい。 Further, the step of forming the metal atom-containing thin film formation suppression film on the substrate and the step of contacting the metal atom-containing thin film formation suppression film formed on the substrate with water, triethylamine trihydrofluoride or hydrofluoric acid The step and the step of depositing the metal atom-containing thin film on the surface of the substrate by a chemical vapor deposition method may be combined into a series of steps, and the series of steps may be repeatedly performed.
本発明に係る薄膜の製造方法により製造される薄膜は、他のプレカーサ、反応性ガス及び製造条件を適宜選択することにより、メタル、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス等の所望の種類の薄膜とすることができる。該薄膜は種々の電気特性及び光学特性を示すことが知られており、種々の用途に応用されている。該薄膜は、例えば、ＬＳＩ等の電子材料用のバリア層又は密着層として用いられている。 The thin film manufactured by the method for manufacturing a thin film according to the present invention is a thin film of a desired type such as a metal, an oxide ceramic, and a nitride ceramic by appropriately selecting other precursors, reactive gases, and manufacturing conditions. be able to. The thin film is known to exhibit various electric and optical properties, and has been applied to various uses. The thin film is used, for example, as a barrier layer or an adhesion layer for an electronic material such as an LSI.
以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.
［実施例１］
＜前処理工程＞
ＳｉＯ２からなる部分とＳｉＮからなる部分とが同一面上に形成されている基板を、１％フッ化水素酸に２５℃で２分間浸漬した。取り出した基板を純水で洗浄後、乾燥させた。
＜金属原子含有薄膜形成抑制膜の形成工程＞
前処理工程で得られた基板を、膜形成用組成物としての化合物Ｎｏ．９９に１８０℃で１分間浸漬した。取り出した基板をアセトンで洗浄後、純水で更に洗浄した後、乾燥させて実施例１の基板を得た。
[Example 1]
<Pretreatment step>
A substrate having a portion made of SiO 2 and a portion made of SiN formed on the same surface was immersed in 1% hydrofluoric acid at 25 ° C. for 2 minutes. The substrate taken out was washed with pure water and dried.
<Formation process of metal atom-containing thin film formation suppression film>
The substrate obtained in the pretreatment step was treated with Compound No. as a film-forming composition. It was immersed in 99 at 180 ° C. for 1 minute. The substrate taken out was washed with acetone, further washed with pure water, and then dried to obtain the substrate of Example 1.
［実施例２］
化合物Ｎｏ．９９の代わりに、化合物Ｎｏ．５１を用いたこと以外は実施例１と同様にして実施例２の基板を得た。
[Example 2]
Compound No. In place of compound No. 99, compound no. A substrate of Example 2 was obtained in the same manner as Example 1 except that No. 51 was used.
［実施例３］
化合物Ｎｏ．９９の代わりに、化合物Ｎｏ．４９を用いたこと以外は実施例１と同様にして実施例３の基板を得た。
[Example 3]
Compound No. In place of compound No. 99, compound no. A substrate of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 49 was used.
［実施例４］
実施例１で得られた基板を、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミンに２５℃で１分間浸漬した。取り出した基板をアセトンで洗浄後、純水で更に洗浄した後、乾燥させて実施例４の基板を得た。
[Example 4]
The substrate obtained in Example 1 was immersed in N- (trimethylsilyl) dimethylamine at 25 ° C. for 1 minute. The substrate taken out was washed with acetone, further washed with pure water, and dried to obtain a substrate of Example 4.
［比較例１］
化合物Ｎｏ．９９の代わりに、下記に示す比較化合物Ｎｏ．１を用い、浸漬温度を２５℃、浸漬時間を６０分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして比較例１の基板を得た。
[Comparative Example 1]
Compound No. In place of Comparative Compound No. 99, Comparative Compound No. Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the immersion temperature was changed to 25 ° C. and the immersion time was changed to 60 minutes.
［比較例２］
化合物Ｎｏ．９９の代わりに、下記に示す比較化合物Ｎｏ．２を用い、浸漬温度を２５℃、浸漬時間を６０分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして比較例２の基板を得た。
[Comparative Example 2]
Compound No. In place of Comparative Compound No. 99, Comparative Compound No. 2, a substrate of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the immersion temperature was changed to 25 ° C. and the immersion time was changed to 60 minutes.
［比較例３］
化合物Ｎｏ．９９の代わりに、下記に示す比較化合物Ｎｏ．３を用い、浸漬温度を２５℃、浸漬時間を６０分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして比較例３の基板を得た。
[Comparative Example 3]
Compound No. In place of Comparative Compound No. 99, Comparative Compound No. 3, a substrate of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the immersion temperature was changed to 25 ° C. and the immersion time was changed to 60 minutes.
［比較例４］
化合物Ｎｏ．９９の代わりに、下記に示す比較化合物Ｎｏ．４を用い、浸漬温度を２５℃、浸漬時間を６０分間に変更したこと以外は実施例１と同様にして比較例４の基板を得た。
[Comparative Example 4]
Compound No. In place of Comparative Compound No. 99, Comparative Compound No. 4, a substrate of Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the immersion temperature was changed to 25 ° C. and the immersion time was changed to 60 minutes.
なお、上記比較化合物Ｎｏ．１〜４において、「Ｍｅ」はメチル基を表す。 In addition, the comparative compound No. In 1-4, "Me" represents a methyl group.
［評価例１〜４及び比較評価例１〜４］
＜金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去工程＞
実施例１〜４で得られた基板及び比較例１〜４で得られた基板それぞれを、０．５％フッ化水素酸に２５℃で５分間又は１０分間浸漬した。取り出した基板を純水で洗浄した後、乾燥した。
＜水接触角測定＞
基板上に金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成されている場合は、膜形成に用いた化合物のアルキル基が疎水性であることから、大きい水接触角を示す。一方、金属原子含有薄膜形成抑制膜が形成されていない場合は、ＳｉＯ２及びＳｉＮが親水性であることから、小さい水接触角を示す。これらのことから、基板の水接触角を測定することで金属原子含有薄膜形成抑制膜の形成の有無を確認できる。金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去工程前後のＳｉＯ２表面及びＳｉＮ表面の水接触角を、接触角計（協和界面科学（株）製：ＣＡ−ＶＰ型）を用いて測定した。水の使用量は５μＬとした。測定結果を表１に示す。表１において、０分の結果は、フッ化水素酸に浸漬する前の水接触角の値を示す。なお、未処理のＳｉＯ２表面の水接触角は３０°であり、未処理のＳｉＮ表面の水接触角は２５°である。
[Evaluation Examples 1-4 and Comparative Evaluation Examples 1-4]
<Step of removing metal atom-containing thin film formation suppression film>
The substrates obtained in Examples 1 to 4 and the substrates obtained in Comparative Examples 1 to 4 were immersed in 0.5% hydrofluoric acid at 25 ° C. for 5 minutes or 10 minutes. The substrate taken out was washed with pure water and then dried.
<Water contact angle measurement>
When the metal atom-containing thin film formation suppressing film is formed on the substrate, a large water contact angle is exhibited because the alkyl group of the compound used for film formation is hydrophobic. On the other hand, when the metal atom-containing thin film formation suppression film is not formed, a small water contact angle is exhibited because SiO 2 and SiN are hydrophilic. From these facts, the presence or absence of the formation of the metal atom-containing thin film formation suppressing film can be confirmed by measuring the water contact angle of the substrate. The water contact angle of the SiO 2 surface and the SiN surface before and after the step of removing the metal atom-containing thin film formation suppressing film was measured using a contact angle meter (CA-VP type, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.). The amount of water used was 5 μL. Table 1 shows the measurement results. In Table 1, the result of 0 minutes indicates the value of the water contact angle before immersion in hydrofluoric acid. The water contact angle on the untreated SiO 2 surface is 30 °, and the water contact angle on the untreated SiN surface is 25 °.
表１に示すように、評価例１〜４では、基板をフッ化水素酸に浸漬しても、ＳｉＯ２表面の水接触角は大きいままであり、ＳｉＮ表面の水接触角のみが小さくなった。この結果は、ＳｉＯ２表面上に金属原子含有薄膜形成抑制膜を残したまま、ＳｉＮ表面上のみから選択的に金属原子含有薄膜形成抑制膜が除去されたことを示している。なかでも、ジアルキルアミノ基を有する化合物を膜形成用組成物として用いた実施例１、２及び４の基板では奏する効果が高く、さらにＲ１の炭素原子数が１８である化合物を膜形成用組成物として用いた実施例１及び４の基板では奏する効果がより高かった。実施例１の基板をＮ−（トリメチルシリル）ジメチルアミン（比較化合物Ｎｏ．１）で更に処理した実施例４の基板では奏する効果が特に高かった。ジアルキルアミノ基を有する化合物を用いた場合に奏する効果が高かったのは化合物自身の塩基性が触媒作用を示し、ＳｉＯ２表面と化合物とが結合する反応を促進したためと考えられる。また、実施例４の基板で奏する効果が高かったのは、ＳｉＯ２表面に吸着している化合物Ｎｏ．９９の隙間に、その隙間を埋めるように、分子量の小さい比較化合物Ｎｏ．１が入り込み、ＳｉＯ２表面に吸着したことで、より強固な金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成したためと考えられる。 As shown in Table 1, in Evaluation Examples 1 to 4, even when the substrate was immersed in hydrofluoric acid, the water contact angle on the SiO 2 surface remained large, and only the water contact angle on the SiN surface decreased. . This result indicates that the metal atom-containing thin film formation suppressing film was selectively removed only from the SiN surface while leaving the metal atom-containing thin film formation suppressing film on the SiO 2 surface. Among them, the substrate of Examples 1, 2 and 4 using a compound having a dialkylamino group as a film-forming composition has a high effect, and the compound having R 1 having 18 carbon atoms is further converted to a film-forming composition. The effects of the substrates of Examples 1 and 4 used as objects were higher. The effect of the substrate of Example 4 in which the substrate of Example 1 was further treated with N- (trimethylsilyl) dimethylamine (Comparative Compound No. 1) was particularly high. It is considered that the effect obtained when the compound having a dialkylamino group was used was high because the basicity of the compound itself showed a catalytic action and promoted the reaction of bonding the compound with the SiO 2 surface. The effect of the substrate of Example 4 was high because of the compound No. adsorbed on the SiO 2 surface. In order to fill the gaps of Comparative Compound No. 99, comparative compound No. It is probable that 1 entered and adsorbed on the SiO 2 surface, thereby forming a stronger metal atom-containing thin film formation suppressing film.
一方、比較評価例１〜４では、基板をフッ化水素酸に浸漬すると、ＳｉＯ２表面及びＳｉＮ表面のいずれにおいても水接触角が著しく小さくなった。この結果は、ＳｉＯ２表面及びＳｉＮ表面のいずれの表面からも金属原子含有薄膜形成抑制膜が除去され、金属原子含有薄膜形成抑制膜を選択的に除去することができなかったことを示している。 On the other hand, in Comparative Evaluation Examples 1 to 4, when the substrate was immersed in hydrofluoric acid, the water contact angle was significantly reduced on both the SiO 2 surface and the SiN surface. This result indicates that the metal atom-containing thin film formation suppression film was removed from both the SiO 2 surface and the SiN surface, and the metal atom-containing thin film formation suppression film could not be selectively removed. .
また、実施例１〜４においては、膜形成用組成物への浸漬時間が１分と短いのに対して、比較例１〜４においては、膜形成用組成物への浸漬時間が６０分と長い。評価例１〜４の結果は、膜形成用組成物への浸漬時間が短い実施例１〜４の基板をフッ化水素酸に浸漬しても、ＳｉＯ２表面上の金属原子含有薄膜形成抑制膜が残っていることを示している。一方、比較評価例１〜４の結果は、膜形成用組成物への浸漬時間が長い比較例１〜４の基板をフッ化水素酸に浸漬すると、ＳｉＮ表面上だけでなくＳｉＯ２表面上の金属原子含有薄膜形成抑制膜も除去されることを示している。これらの結果より、本発明の膜形成用組成物を用いて、金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成した場合、金属原子含有薄膜形成抑制膜を選択的に形成できるだけでなく、金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成する生産性もよいことがわかる。 In Examples 1 to 4, the immersion time in the film-forming composition was as short as 1 minute, whereas in Comparative Examples 1 to 4, the immersion time in the film-forming composition was 60 minutes. long. The results of Evaluation Examples 1 to 4 show that even when the substrates of Examples 1 to 4 were dipped in hydrofluoric acid, the metal atom-containing thin film formation suppression film on the SiO 2 surface was short. Indicates that remains. On the other hand, the results of Comparative Evaluation Examples 1 to 4 show that when the substrates of Comparative Examples 1 to 4 having a long immersion time in the film-forming composition were immersed in hydrofluoric acid, not only on the SiN surface but also on the SiO 2 surface This indicates that the metal atom-containing thin film formation suppressing film is also removed. From these results, when the metal atom-containing thin film formation suppressing film was formed using the film forming composition of the present invention, not only the metal atom-containing thin film formation suppression film could be selectively formed, but also the metal atom-containing thin film formation. It can be seen that the productivity for forming the suppression film is good.
［評価例５］
＜金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去工程＞
実施例１で得られた基板を、９０℃の温水に２時間又は３時間浸漬した。取り出した基板を純水で洗浄した後、乾燥した。
＜水接触角測定＞
評価例１と同様の方法により、水接触角を測定した。測定結果を表２に示す。なお、表２において、０時間の結果は、温水に浸漬する前の水接触角の値を示す。
[Evaluation Example 5]
<Step of removing metal atom-containing thin film formation suppression film>
The substrate obtained in Example 1 was immersed in warm water at 90 ° C. for 2 hours or 3 hours. The substrate taken out was washed with pure water and then dried.
<Water contact angle measurement>
The water contact angle was measured in the same manner as in Evaluation Example 1. Table 2 shows the measurement results. In Table 2, the result at 0 hour indicates the value of the water contact angle before immersion in warm water.
［評価例６］
＜金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去工程＞
実施例１で得られた基板を、２５℃のトリエチルアミン三フッ化水素酸塩に２時間又は４時間曝露した。トリエチルアミン三フッ化水素酸塩の液面と基板表面との距離は１０ｍｍとした。取り出した基板を純水で洗浄した後、乾燥した。
＜水接触角測定＞
評価例１と同様の方法により、水接触角を測定した。測定結果を表３に示す。なお、表３において、０時間の結果は、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩に曝露する前の水接触角の値を示す。
[Evaluation Example 6]
<Step of removing metal atom-containing thin film formation suppression film>
The substrate obtained in Example 1 was exposed to triethylamine trihydrofluoride at 25 ° C. for 2 hours or 4 hours. The distance between the liquid surface of triethylamine trihydrofluoride and the substrate surface was 10 mm. The substrate taken out was washed with pure water and then dried.
<Water contact angle measurement>
The water contact angle was measured in the same manner as in Evaluation Example 1. Table 3 shows the measurement results. In addition, in Table 3, the result of 0 hour shows the value of the water contact angle before exposure to triethylamine trihydrofluoride.
表２及び表３に示すように、本発明の膜形成用組成物を用いて基板上に金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成した場合、フッ化水素酸の代わりに、温水又はトリエチルアミン三フッ化水素酸塩を用いても、金属原子含有薄膜形成抑制膜を選択的に除去することができることがわかる。温水又はトリエチルアミン三フッ化水素酸塩を用いて金属原子含有薄膜形成抑制膜を除去する場合は、フッ化水素酸を用いて金属原子含有薄膜形成抑制膜を除去する場合と比べて要する時間が長い。従って、フッ化水素酸を用いることが生産性の観点から好ましい。ただし、金属原子含有薄膜形成抑制膜を形成する工程が蒸着法に限定される場合は、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩を用いて金属原子含有薄膜形成抑制膜を除去することが好ましい。 As shown in Tables 2 and 3, when a metal atom-containing thin film formation suppressing film was formed on a substrate using the film forming composition of the present invention, hot water or triethylamine trifluoride was used instead of hydrofluoric acid. It can be seen that the use of the hydrochloride can selectively remove the metal atom-containing thin film formation suppressing film. The time required to remove the metal atom-containing thin film formation suppression film using warm water or triethylamine trihydrofluoride is longer than when removing the metal atom-containing thin film formation suppression film using hydrofluoric acid. . Therefore, it is preferable to use hydrofluoric acid from the viewpoint of productivity. However, when the step of forming the metal atom-containing thin film formation suppression film is limited to the vapor deposition method, it is preferable to remove the metal atom-containing thin film formation suppression film using triethylamine trihydrofluoride.
［実施例５］ＡＬＤ法による窒化タンタル膜の製造
ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタルを薄膜形成用原料とし、図３に示す化学気相成長用装置を用いて以下の条件のＡＬＤ法により、基板上に窒化タンタル膜を製造した。ここで、基板としては、実施例１で得られた基板に金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去工程を施した基板を用いた。なお、金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去は、基板を０．５％フッ化水素酸に２５℃で１０分間浸漬して行った。
得られた薄膜について、Ｘ線反射率法による膜厚測定、Ｘ線回折法及びＸ線光電子分光法による薄膜構造及び薄膜組成の確認を行ったところ、ＳｉＮ表面上にのみ、膜厚が５ｎｍで、膜組成が窒化タンタル（ＴａＮ）である薄膜の形成を確認した。一方、ＳｉＯ２表面上には薄膜の形成が確認されなかった。
Example 5 Production of Tantalum Nitride Film by ALD Method Using pentakis (dimethylamino) tantalum as a raw material for forming a thin film, a substrate was formed on a substrate by an ALD method under the following conditions using a chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. A tantalum nitride film was manufactured. Here, as the substrate, a substrate obtained by performing the step of removing the metal atom-containing thin film formation suppressing film from the substrate obtained in Example 1 was used. The removal of the metal atom-containing thin film formation suppressing film was performed by immersing the substrate in 0.5% hydrofluoric acid at 25 ° C. for 10 minutes.
When the thickness of the obtained thin film was measured by the X-ray reflectivity method, and the thin film structure and the thin film composition were confirmed by the X-ray diffraction method and the X-ray photoelectron spectroscopy, the film thickness was 5 nm only on the SiN surface. The formation of a thin film having a film composition of tantalum nitride (TaN) was confirmed. On the other hand, no thin film was formed on the SiO 2 surface.
＜条件＞
反応温度（基板温度）：２２５℃
反応性ガス：アンモニアガス
＜工程＞
下記（１）〜（４）からなる一連の工程を１サイクルとして、５０サイクル繰り返した。
（１）原料容器加熱温度７５℃の条件で気化させた薄膜形成用原料の蒸気を導入し、系圧１００Ｐａで１０秒間堆積させる。
（２）１０秒間のアルゴンパージにより、未反応原料を除去する。
（３）反応性ガスを導入し、系圧力１００Ｐａで６０秒間反応させる。
（４）１５０秒間のアルゴンパージにより、未反応原料を除去する。
<Condition>
Reaction temperature (substrate temperature): 225 ° C
Reactive gas: ammonia gas <Process>
A series of steps consisting of the following (1) to (4) was defined as one cycle, and 50 cycles were repeated.
(1) A vapor of a raw material for forming a thin film vaporized under the condition of a raw material container heating temperature of 75 ° C. is introduced, and deposited at a system pressure of 100 Pa for 10 seconds.
(2) Unreacted raw materials are removed by purging with argon for 10 seconds.
(3) Introduce a reactive gas and react at a system pressure of 100 Pa for 60 seconds.
(4) Unreacted raw materials are removed by an argon purge for 150 seconds.
［比較例５］ＡＬＤ法による窒化タンタル膜の製造
基板として、比較例１で得られた基板に金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去工程を施した基板を用いたこと以外は実施例５と同様の条件で窒化タンタル膜を製造した。なお、金属原子含有薄膜形成抑制膜の除去は、基板を０．５％フッ化水素酸に２５℃で１０分間浸漬して行った。
得られた薄膜について、Ｘ線反射率法による膜厚測定、Ｘ線回折法及びＸ線光電子分光法による薄膜構造及び薄膜組成の確認を行ったところ、基板の表面全体（ＳｉＯ２表面及びＳｉＮ表面）に、膜厚が３ｎｍで、膜組成が窒化タンタルである薄膜の形成を確認した。
Comparative Example 5 Production of Tantalum Nitride Film by ALD Method Same as Example 5 except that the substrate obtained in Comparative Example 1 was subjected to the step of removing the metal atom-containing thin film formation suppressing film as the substrate. A tantalum nitride film was manufactured under the following conditions. The removal of the metal atom-containing thin film formation suppressing film was performed by immersing the substrate in 0.5% hydrofluoric acid at 25 ° C. for 10 minutes.
The obtained thin film, the film thickness measurement by the X-ray reflectance method was performed to confirm the membrane structure and thin film composition by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy, the entire surface of the substrate (SiO 2 surface and SiN surfaces In (2), formation of a thin film having a thickness of 3 nm and a film composition of tantalum nitride was confirmed.
実施例５及び比較例５の結果より、実施例５では、反応温度２２５℃という高温雰囲気下において、ＳｉＮ表面上にのみ窒化タンタル膜を選択的に製造することができるのに対し、比較例５では、ＳｉＮ表面上にのみ窒化タンタル膜を選択的に製造することができないことがわかった。 From the results of Example 5 and Comparative Example 5, in Example 5, a tantalum nitride film could be selectively produced only on the SiN surface in a high-temperature atmosphere at a reaction temperature of 225 ° C., whereas in Comparative Example 5 Found that a tantalum nitride film could not be selectively produced only on the SiN surface.
以上の結果より、本発明によれば、金属原子を含有する薄膜が化学気相成長法により形成されることを抑制する膜を特定の材質の表面上にのみ選択的に形成できることがわかった。さらに、高温雰囲気下で、特定の材質の表面上にのみ薄膜を選択的に製造することができることがわかった。 From the above results, it was found that according to the present invention, a film for suppressing the formation of a thin film containing metal atoms by a chemical vapor deposition method can be selectively formed only on the surface of a specific material. Further, it has been found that a thin film can be selectively produced only on a surface of a specific material in a high-temperature atmosphere.
１ 酸化物表面、２ 酸化物以外の材質の表面、３ 金属原子含有薄膜形成抑制膜、４ 金属原子含有薄膜。 1 Oxide surface, 2 Surface of material other than oxide, 3 Metal atom containing thin film formation suppressing film, 4 Metal atom containing thin film.
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| JP (1) | JP2019220494A (en) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210601 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220405 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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