JP2019212862A - Mold, planar plate, imprint method, and article manufacturing method - Google Patents

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貴博 中山
Takahiro Nakayama
貴博 中山
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Abstract

To provide a mold capable of reducing occurrences of pattern defects with a simple configuration.SOLUTION: A mold used in an imprint apparatus for forming a pattern on an imprint material on a substrate, includes: a convexoconcave pattern portion forming the pattern; and a projecting portion projecting from a convex portion of the pattern portion on the outer periphery of the pattern portion.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、モールド、平面プレート、インプリント方法、および物品製造方法に関する。   The present invention relates to a mold, a flat plate, an imprint method, and an article manufacturing method.

半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化インプリント材をパターン部を有するモールドで成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板のショット領域上に未硬化のインプリント材を供給し(供給工程)、基板上のインプリント材とモールドのパターン部とを接触させ(接触工程)、インプリント材を硬化させる。その後、硬化したインプリント材からモールドを引き離す(離型工程)ことで、パターン部に形成された微細な凹凸パターンに対応するインプリント材のパターンを基板のショット領域上に形成する微細加工技術である。   The demand for miniaturization of semiconductor devices, MEMS, and the like advances, and in addition to conventional photolithography technology, an uncured imprint material on a substrate is formed with a mold having a pattern portion, and a pattern of the imprint material is formed on the substrate. Microfabrication technology is attracting attention. This technique is also called an imprint technique, and can form a fine structure on the order of several nanometers on a substrate. For example, as one of imprint techniques, there is a photocuring method. In an imprint apparatus employing this photocuring method, first, an uncured imprint material is supplied onto the shot area of the substrate (supply process), and the imprint material on the substrate is brought into contact with the pattern portion of the mold ( Contact step), the imprint material is cured. After that, the mold is pulled away from the cured imprint material (mold release process), thereby forming a pattern of the imprint material corresponding to the fine concavo-convex pattern formed on the pattern portion on the shot area of the substrate. is there.

基板上のインプリント材とモールドとを接触させる際、基板上の未硬化インプリントが、ショット領域からはみ出ることがある。ショット領域から未硬化のインプリント材がはみ出たインプリント材をそのまま硬化させると、隣接ショット領域に残渣として残留する場合がある。この残渣は、隣接ショット領域へのインプリント処理時にパターン欠陥やモールドの破損の原因となりうる。特許文献1では、パターン配置領域の外側の周縁部に、意図的に泡噛みを形成できる撥液パターンを配置することで、未硬化インプリント材のはみ出しを防止している。また、特許文献2では、テンプレートと被転写基板とを対向させた状態で、転写領域よりも外側にはみ出す前記被転写材料を、加熱して気化させることにより、はみ出した未硬化インプリント材が、残渣として残留することを防止している。   When the imprint material on the substrate is brought into contact with the mold, the uncured imprint on the substrate may protrude from the shot area. If the imprint material in which the uncured imprint material protrudes from the shot area is cured as it is, it may remain as a residue in the adjacent shot area. This residue can cause pattern defects and mold breakage during imprint processing on adjacent shot areas. In Patent Document 1, an uncured imprint material is prevented from sticking out by disposing a liquid repellent pattern that can intentionally form a bubble bite on the outer peripheral edge of the pattern arrangement region. In Patent Document 2, the uncured imprint material that protrudes by heating and vaporizing the material to be transferred that protrudes outside the transfer region in a state where the template and the substrate to be transferred are opposed to each other, It is prevented from remaining as a residue.

特開2016−225370JP2006-225370A 特開2014−188869JP2014-188869

しかしながら、特許文献1では、複雑な撥液パターンをモールドに形成する必要があり、また、特許文献2においても、はみ出したインプリント材を加熱するための機構が必要となるため、コストが高くなりうる。   However, in Patent Document 1, it is necessary to form a complex liquid repellent pattern in the mold, and in Patent Document 2, a mechanism for heating the protruding imprint material is required, which increases the cost. sell.

本発明は、例えば、簡易な構成によってパターン欠陥の発生の低減するモールドを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a mold that reduces the occurrence of pattern defects with a simple configuration, for example.

上記課題を解決するために、本発明は基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置に使用されるモールドであって、パターンを形成する凹凸のパターン部と、パターン部の外周部に、パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a mold used in an imprint apparatus for forming a pattern on an imprint material on a substrate, and has a concave and convex pattern portion for forming a pattern and an outer peripheral portion of the pattern portion. And a protruding portion that protrudes beyond the protruding portion of the pattern portion.

本発明によれば、例えば、簡易な構成によってパターン欠陥の発生の低減するモールドを提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide a mold that reduces the occurrence of pattern defects with a simple configuration.

本発明の一実施形態に係るモールドを適用したインプリント装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the imprint apparatus to which the mold which concerns on one Embodiment of this invention is applied. 第1実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of mold which concerns on 1st Embodiment. インプリン材の膜厚の変化に伴う粘性の変化を表すグラフである。It is a graph showing the change of the viscosity accompanying the change of the film thickness of an imprint material. 第2実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is a sectional view of a part of a mold concerning a 2nd embodiment. 第3実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of mold which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of mold which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of mold which concerns on 5th Embodiment. 第6実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of mold concerning 6th Embodiment. 平坦化処理のフローを示す図である。It is a figure which shows the flow of a planarization process. 第7実施形態に係るモールドの一部の断面図である。It is sectional drawing of a part of mold which concerns on 7th Embodiment. 物品の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of articles | goods.

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1実施形態)
まず、本発明の一実施形態に係るモールドを適用可能なインプリント装置について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るモールドを適用したインプリント装置の構成を示す図である。以下の図において、鉛直方向の軸をZ軸、当該Z軸に垂直な平面内で互いに直交する2軸をX軸及びY軸としている。インプリント装置7は、モールド1を用いて基板4上にインプリント材8のパターンを形成するインプリント処理を行う。具体的には、モールド1に形成されたパターン部3と基板4上に供給されたインプリント材8とを接触させた状態でインプリント材8を硬化させ、硬化したインプリント材8からモールド1を引き離す。これにより、モールド1のパターン部3に形成された3次元形のパターン(凹凸パターン)が基板4上に形成される。
(First embodiment)
First, an imprint apparatus to which a mold according to an embodiment of the present invention can be applied will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus to which a mold according to an embodiment of the present invention is applied. In the following drawings, a vertical axis is a Z axis, and two axes orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z axis are an X axis and a Y axis. The imprint apparatus 7 performs an imprint process for forming a pattern of the imprint material 8 on the substrate 4 using the mold 1. Specifically, the imprint material 8 is cured in a state where the pattern portion 3 formed on the mold 1 and the imprint material 8 supplied on the substrate 4 are in contact with each other, and the mold 1 is formed from the cured imprint material 8. Pull apart. Thereby, a three-dimensional pattern (uneven pattern) formed on the pattern portion 3 of the mold 1 is formed on the substrate 4.

本実施形態のインプリント装置7は、モールド1を保持するインプリントヘッド9と、基板4を保持する基板ステージ5と、供給部6と、を含む。   The imprint apparatus 7 of this embodiment includes an imprint head 9 that holds the mold 1, a substrate stage 5 that holds the substrate 4, and a supply unit 6.

インプリントヘッド9は、例えば、真空吸着力又は静電力によってモールド1を保持して移動する。インプリントヘッド9は、例えば、リニアモータ等の駆動機構を備え、モールド1をZ軸方向に駆動可能に構成されている。インプリントヘッド9は、モールド1を−Z方向に移動させることにより、モールド1のパターン部3とインプリント材8とを接触させる。インプリントヘッド9は、例えば、不図示の照明系からの光(例えば紫外光)を基板4上に供給されたインプリント材8に導き、インプリント材8を硬化させる。なお、本実施形態では、一例として光硬化性組成物をインプリント材8として使用するが、インプリント材8が加熱によって硬化する組成物である場合は、加熱により硬化させても良い。インプリント材8は、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択されうる。インプリントヘッド9は、モールド1を+Z方向に移動させることで硬化したインプリント材8からモールド1を引き離す。   The imprint head 9 moves while holding the mold 1 by, for example, a vacuum suction force or an electrostatic force. The imprint head 9 includes, for example, a drive mechanism such as a linear motor, and is configured to be able to drive the mold 1 in the Z-axis direction. The imprint head 9 brings the pattern portion 3 of the mold 1 into contact with the imprint material 8 by moving the mold 1 in the −Z direction. For example, the imprint head 9 guides light (for example, ultraviolet light) from an unillustrated illumination system to the imprint material 8 supplied onto the substrate 4 and cures the imprint material 8. In this embodiment, a photocurable composition is used as the imprint material 8 as an example. However, when the imprint material 8 is a composition that is cured by heating, the photocurable composition may be cured by heating. The imprint material 8 can be appropriately selected depending on the type of semiconductor device to be manufactured. The imprint head 9 pulls the mold 1 away from the imprint material 8 cured by moving the mold 1 in the + Z direction.

基板ステージ5は、例えば、真空吸着力又は静電力によって基板4を保持して移動する。基板ステージ5は、例えば、リニアモータやピエゾアクチュエータ等の駆動機構(不図示)によって移動可能となっている。当該駆動機構は、基板ステージ5を微小量移動させるための微小駆動系と、当該微小駆動系よりも大きな移動量で移動させる粗動駆動系とを含んでいてもよい。基板ステージ5は、例えば、基板4を保持してXY平面内を移動することにより、インプリント処理を行うショット領域を供給部6の直下に配置する。また、モールド1と基板上のインプリント材8を接触させる際に、モールド1と基板4とのXY平面方向の位置決めを行う。なお、基板ステージ5の移動方向はこれに限られず、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、及びこれらの軸周りの回転方向に移動可能に構成されていてもよい。基板ステージ5がXY平面方向に移動する間、基板4の表面とモールド1との距離は1mm以下に保たれる。このような狭ギャップにすることで、インプリント処理においてモールド1とインプリント材8の接触動作及び引き離し動作を迅速に行えるようにしている。   The substrate stage 5 moves while holding the substrate 4 by, for example, vacuum adsorption force or electrostatic force. The substrate stage 5 is movable by a drive mechanism (not shown) such as a linear motor or a piezoelectric actuator, for example. The drive mechanism may include a minute drive system for moving the substrate stage 5 by a minute amount and a coarse motion drive system for moving the substrate stage 5 by a larger amount of movement than the minute drive system. For example, the substrate stage 5 holds the substrate 4 and moves in the XY plane, thereby arranging a shot region for imprint processing immediately below the supply unit 6. Further, when the mold 1 and the imprint material 8 on the substrate are brought into contact, the mold 1 and the substrate 4 are positioned in the XY plane direction. The moving direction of the substrate stage 5 is not limited to this, and the substrate stage 5 may be configured to be movable in the X-axis direction, the Y-axis direction, the Z-axis direction, and the rotation directions around these axes. While the substrate stage 5 moves in the XY plane direction, the distance between the surface of the substrate 4 and the mold 1 is kept at 1 mm or less. With such a narrow gap, the contact operation and the separation operation of the mold 1 and the imprint material 8 can be quickly performed in the imprint process.

供給部6は、1又は複数のショット領域の上に未硬化のインプリント材8を供給するように構成されうる。供給部6から供給されるインプリント材8の供給量は、例えば、基板4に形成されるパターンの厚さ(残膜厚)やインプリント材8のパターンの密度などに応じて設定されても良い。   The supply unit 6 can be configured to supply the uncured imprint material 8 on one or a plurality of shot regions. The supply amount of the imprint material 8 supplied from the supply unit 6 may be set in accordance with, for example, the pattern thickness (residual film thickness) formed on the substrate 4 or the pattern density of the imprint material 8. good.

制御部(不図示)は、インプリントヘッド9、基板ステージ5、供給部6、等のインプリント処理に関わる構成部材と有線又は無線の通信回線により接続され、これらの動作を制御する。   A control unit (not shown) is connected to components related to the imprint process such as the imprint head 9, the substrate stage 5, and the supply unit 6 through a wired or wireless communication line, and controls these operations.

次に、図2を参照して、本実施形態に係るモールドの構成について説明する。図2は、第1実施形態に係るモールド1の一部の断面図である。モールド1は、例えば、外周部が矩形であり、基板4に対する対向面に所定の凹凸パターン(例えば、回路パターン等)が3次元状に形成されたパターン部3を有する型(型材、金型)である。パターン部3の表面は、基板4の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。モールド1の材質は、石英等、紫外線を透過させることが可能な材料である。   Next, the configuration of the mold according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a part of the mold 1 according to the first embodiment. The mold 1 is, for example, a mold (mold material, mold) having a pattern portion 3 having a rectangular outer peripheral portion and a predetermined uneven pattern (for example, a circuit pattern) formed on a surface facing the substrate 4 in a three-dimensional shape. It is. The surface of the pattern portion 3 is processed with high flatness in order to maintain adhesion with the surface of the substrate 4. The material of the mold 1 is a material that can transmit ultraviolet rays, such as quartz.

モールド1のパターン部3の外周部には、パターン部3を囲むように突出部2が形成されている。突出部2は、パターン部3の凸部3aよりも−Z方向に突出している。図2は、モールド1とインプリント材8とを接触させた状態のモールド1およびその周辺部の一部を示している。モールド1が−Z方向に移動することによりパターン部3とインプリント材8とが接触し、インプリント材8はX、Y及びZ方向に押し広げられ、モールド1と基板4との間に充填されてゆく。この時、インプリント材8のZ方向の厚みは例えば50nm以下になる。インプリント材8は、Z方向の厚みが薄くなることによって粘性が変化することが知られており、薄いほどX及びY方向にインプリント材8が動きづらくなる。   A protruding portion 2 is formed on the outer peripheral portion of the pattern portion 3 of the mold 1 so as to surround the pattern portion 3. The protruding portion 2 protrudes in the −Z direction from the convex portion 3 a of the pattern portion 3. FIG. 2 shows the mold 1 in a state where the mold 1 and the imprint material 8 are in contact with each other and a part of the periphery thereof. As the mold 1 moves in the −Z direction, the pattern portion 3 and the imprint material 8 come into contact with each other, and the imprint material 8 is spread in the X, Y, and Z directions and filled between the mold 1 and the substrate 4. It will be done. At this time, the thickness of the imprint material 8 in the Z direction is, for example, 50 nm or less. It is known that the viscosity of the imprint material 8 changes as the thickness in the Z direction decreases, and the thinner the imprint material 8, the harder the imprint material 8 moves in the X and Y directions.

図3は、インプリン材8の膜厚の変化に伴う粘性の変化を表すグラフである。図3において、横軸は、インプリント材8の膜厚を示し、縦軸は、インプリント材8の粘性抵抗を示している。本図に示すように、膜厚が5nm以下となると、インプリント材8の粘性抵抗は急上昇する。このようなインプリント材8としては、例えば、イソボルニルアクリレートを主材料とするものが知られている。モールド1がパターン部3の凸部3aよりも突出する突出部2を備えることにり、モールド1と基板4上のインプリント材8との接触時において、突出部2と接触するインプリント材8の厚さは、パターン部3と接触するインプリント材8の厚さよりも薄くなる。すると、突出部2は、モールド1の外周部に形成されているため、外周部に位置する未硬化のインプリント材8の粘性が高くなり、未硬化のインプリント材8がモールド1の外側(パターン部3と反対方向)へ流れ出しにくくなる。したがって、この突出部2をパターン部3の周辺に、パターン部3を囲むように配置することによって、モールド1とインプリント材8との接触時において、パターン部3からその外周部へインプリント材8がはみ出すことを抑制することができる。その結果としてパターン欠陥の発生を抑制することが可能となる。突出部2は、パターン部3の凸部3aよりも5nm以上−Z方向に突出していることが望ましいが、これに限らない。   FIG. 3 is a graph showing a change in viscosity accompanying a change in the film thickness of the imprint material 8. In FIG. 3, the horizontal axis indicates the film thickness of the imprint material 8, and the vertical axis indicates the viscous resistance of the imprint material 8. As shown in the figure, when the film thickness is 5 nm or less, the viscosity resistance of the imprint material 8 rapidly increases. As such an imprint material 8, for example, a material mainly composed of isobornyl acrylate is known. The mold 1 is provided with a protruding portion 2 that protrudes from the convex portion 3 a of the pattern portion 3, and the imprint material 8 that contacts the protruding portion 2 when the mold 1 contacts the imprint material 8 on the substrate 4. Is thinner than the thickness of the imprint material 8 in contact with the pattern portion 3. Then, since the protrusion part 2 is formed in the outer peripheral part of the mold 1, the viscosity of the uncured imprint material 8 located in the outer peripheral part becomes high, and the uncured imprint material 8 is outside the mold 1 ( It becomes difficult to flow out in the direction opposite to the pattern portion 3). Therefore, by disposing the projecting portion 2 around the pattern portion 3 so as to surround the pattern portion 3, the imprint material from the pattern portion 3 to the outer periphery thereof is brought into contact with the mold 1 and the imprint material 8. It can suppress that 8 protrudes. As a result, occurrence of pattern defects can be suppressed. Although it is desirable that the protruding portion 2 protrudes in the −Z direction by 5 nm or more than the convex portion 3 a of the pattern portion 3, the present invention is not limited thereto.

このように、本実施形態によれば、パターン部3の凸部3aよりも突出する突出部2をモールド1に設けるという簡易な構成により、パターン欠陥の発生を抑制することが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of pattern defects with a simple configuration in which the protrusion 1 that protrudes beyond the protrusion 3 a of the pattern portion 3 is provided in the mold 1.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態のモールドについて説明する。第2実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図4は、第2実施形態に係るモールド1の一部の断面図である。本実施形態のモールド1は、突出部2のパターン部3側の側面11が、パターン部3側に向かって傾斜している。
(Second Embodiment)
Next, the mold according to the second embodiment will be described. Matters not mentioned in the second embodiment are the same as those in the above-described embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view of a part of the mold 1 according to the second embodiment. In the mold 1 of this embodiment, the side surface 11 on the pattern portion 3 side of the protruding portion 2 is inclined toward the pattern portion 3 side.

側面11は、突出部2のパターン部3側の側面であって、インプリント材8と接触する面である。側面11は、突出部2の先端から根元に向かうに従ってパターン部3側に傾斜している。インプリント材8は、あらかじめ基板4上に供給され、その後、モールド1が−Z方向に移動することにより、モールド1と基板4とが接触し、インプリント材8が押し広がることで、インプリント材8がモールド1と基板4との間に充填されてゆく。このとき、例えば、突出部2の内周部のエッジ部12の角度が90度未満となった場合には、エッジ部12にインプリント材8が充填されにくくなる。エッジ部12は、図2に示す通り、突出部2の内周部に位置し、通常、インプリント材が充填しづらい部分である。インプリント材8が充填されない状態でインプリント処理を終えた場合、未充填部分のインプリント材の厚さが薄くなり、インプリント処理後の基板4の処理、例えばエッチング処理において不具合を生じうる。図4に戻り、側面11を、パターン部3側に向かって傾斜させることで、エッジ部12にインプリント材8が充填されやすくなる。エッジ部12は、平面からなる構造であってもよいし、曲面からなる構造であってもよいが、曲面からなる構造である場合、よりインプリント材が充填されやすい。このように、モールド1のパターン部3側の側面を傾斜させることにより、未充填を抑制でき、パターン欠陥の発生の低減することが可能となる。   The side surface 11 is a side surface of the protruding portion 2 on the pattern portion 3 side, and is a surface in contact with the imprint material 8. The side surface 11 is inclined toward the pattern portion 3 as it goes from the tip of the protruding portion 2 toward the base. The imprint material 8 is supplied in advance onto the substrate 4, and then the mold 1 moves in the −Z direction, whereby the mold 1 and the substrate 4 come into contact with each other, and the imprint material 8 is pushed and spread. The material 8 is filled between the mold 1 and the substrate 4. At this time, for example, when the angle of the edge portion 12 of the inner peripheral portion of the protruding portion 2 is less than 90 degrees, the edge portion 12 is hardly filled with the imprint material 8. The edge part 12 is located in the inner peripheral part of the protrusion part 2 as shown in FIG. 2, and is usually a part that is difficult to be filled with the imprint material. When the imprint process is completed in a state where the imprint material 8 is not filled, the thickness of the imprint material in the unfilled portion becomes thin, and a problem may occur in the process of the substrate 4 after the imprint process, for example, the etching process. Returning to FIG. 4, the side surface 11 is inclined toward the pattern portion 3 side, whereby the edge portion 12 is easily filled with the imprint material 8. The edge portion 12 may have a flat surface structure or a curved surface structure. However, when the edge portion 12 has a curved surface structure, the imprint material is more easily filled. As described above, by inclining the side surface of the mold 1 on the pattern portion 3 side, unfilling can be suppressed, and occurrence of pattern defects can be reduced.

(第3実施形態)
次に、第3実施形態のモールドについて説明する。第3実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図5は、第3実施形態に係るモールド1の一部の断面図である。本実施形態のモールド1は、突出部2とパターン部3との間に、パターン部3の凹部の底面3bよりも窪んだ溝21を備える。
(Third embodiment)
Next, a mold according to a third embodiment will be described. Matters not mentioned in the third embodiment are the same as those in the above-described embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view of a part of the mold 1 according to the third embodiment. The mold 1 of the present embodiment includes a groove 21 that is recessed from the bottom surface 3 b of the concave portion of the pattern portion 3 between the protruding portion 2 and the pattern portion 3.

突出部2とパターン部3との間には、パターン部3の凹部の底面3bよりも−Z方向に窪んだ溝21が形成される。この溝21によって、パターン部3と突出部2との間に収容できるインプリント材8の容量が増大し、インプリント材8はモールド1の外側(パターン部3と反対方向)へ流れ出しにくくなる。このように、突出部2とパターン部3との間に溝21を形成することで、インプリント材8のはみ出しをさらに抑制することが可能となる。   A groove 21 that is recessed in the −Z direction from the bottom surface 3 b of the concave portion of the pattern portion 3 is formed between the protruding portion 2 and the pattern portion 3. The groove 21 increases the capacity of the imprint material 8 that can be accommodated between the pattern portion 3 and the protruding portion 2, and the imprint material 8 is less likely to flow out of the mold 1 (in the direction opposite to the pattern portion 3). As described above, by forming the groove 21 between the protruding portion 2 and the pattern portion 3, the protrusion of the imprint material 8 can be further suppressed.

(第4実施形態)
次に、第4実施形態のモールドについて説明する。第4実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図6は、第4実施形態に係るモールド1の一部の断面図である。本実施形態のモールド1は、突出部2の外周部に気体を供給する供給口31を備える。
(Fourth embodiment)
Next, the mold of 4th Embodiment is demonstrated. Matters not mentioned in the fourth embodiment are the same as those in the above-described embodiment. FIG. 6 is a partial cross-sectional view of the mold 1 according to the fourth embodiment. The mold 1 of this embodiment includes a supply port 31 that supplies gas to the outer peripheral portion of the protruding portion 2.

供給口31は、モールド1に取り付けられた筒形状であり、突出部2と基板4との間に向けて気体を供給する。供給口31から供給された気体が突出部2と基板4との間からはみ出したインプリント材8に供給されると、インプリント材8の揮発を促進することができる。これによって、インプリント材8が突出部2の外側(パターン部3と反対方向)へ流出しても、流出したインプリント材8を揮発させ除去することができる。供給口31から供給される気体としては、例えば空気、クリーンドライエアー、窒素、酸素、ヘリウム、等があげられる。これらの気体は、例えば、インプリント装置7内の、インプリント処理空間に、ガスバリアを形成するための第1ガス供給部(不図示)から供給されても良い。また、モールド1と基板4との間の空間にインプリント材に対して溶解性が高い、または、拡散性が高いガスなどを供給する第2ガス供給部(不図示)から供給されても良い。なお、供給口31は、突出部2と基板4との間に気体を供給できれば良く、この形状に限られない。供給口31は、例えば、突出部2と基板4との間に向かう貫通孔であっても良い。   The supply port 31 has a cylindrical shape attached to the mold 1 and supplies gas between the protrusion 2 and the substrate 4. When the gas supplied from the supply port 31 is supplied to the imprint material 8 protruding from between the protrusion 2 and the substrate 4, volatilization of the imprint material 8 can be promoted. Thereby, even if the imprint material 8 flows out of the protruding portion 2 (in the direction opposite to the pattern portion 3), the outflowed imprint material 8 can be volatilized and removed. Examples of the gas supplied from the supply port 31 include air, clean dry air, nitrogen, oxygen, helium, and the like. These gases may be supplied from a first gas supply unit (not shown) for forming a gas barrier in the imprint processing space in the imprint apparatus 7, for example. In addition, a space between the mold 1 and the substrate 4 may be supplied from a second gas supply unit (not shown) that supplies a gas having high solubility or high diffusibility with respect to the imprint material. . The supply port 31 is not limited to this shape as long as gas can be supplied between the protruding portion 2 and the substrate 4. The supply port 31 may be, for example, a through hole that extends between the protruding portion 2 and the substrate 4.

さらに、供給口31側の突出部2の側面32は、突出部2の先端から根元に向かうに従って外周側に傾斜している。本実施形態の突出部2は、−Z方向に向かうに従って、幅が狭くなってゆく形状となっている。側面32が傾斜を含むことによって供給口31から供給される気体が突出部2と基板4との間に入りやすくなる。これにより、突出部2と基板4との間からはみ出してきたインプリント材8をより効率よく揮発させ、除去することができ、パターン欠陥の発生を低減することが可能となる。   Further, the side surface 32 of the protruding portion 2 on the supply port 31 side is inclined toward the outer peripheral side from the tip of the protruding portion 2 toward the root. The protrusion part 2 of this embodiment becomes a shape where a width | variety becomes narrow as it goes to -Z direction. When the side surface 32 includes the inclination, the gas supplied from the supply port 31 can easily enter between the protrusion 2 and the substrate 4. Thereby, the imprint material 8 protruding from between the protruding portion 2 and the substrate 4 can be volatilized and removed more efficiently, and the occurrence of pattern defects can be reduced.

(第5実施形態)
次に、第5実施形態のモールドについて説明する。第5実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図7は、第5実施形態に係るモールド1の一部の断面図である。本実施形態のモールド1は、突出部2の表面に導電性材料41を有する。
(Fifth embodiment)
Next, a mold according to a fifth embodiment will be described. Matters not mentioned in the fifth embodiment are the same as those in the above-described embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view of a part of the mold 1 according to the fifth embodiment. The mold 1 of the present embodiment has a conductive material 41 on the surface of the protruding portion 2.

導電性材料41は、突出部2の一部に取り付けられている。インプリント処理において、モールド1とインプリント材8との接触後はモールド1が+Z方向に移動し、インプリント材8から離れてゆく。この時、インプリント材8とモールド1とが離れるときにモールド1が帯電することが剥離帯電現象として知られている。この剥離帯電現象は、モールド1の表面に、例えばパーティクルなどの微小な異物を静電力により引き寄せるため、微小な異物がモールド1に付着した場合はモールド1を破損させ、パターン欠陥発生の原因となりうる。剥離帯電現象によりモールド1とインプリント材8との間の電位差が放電電圧よりも高くなった場合には、モールド1とインプリント材8との間で電子雪崩現象が起き、モールド1の表面が除電される。この放電電圧は絶縁体よりも導電体のほうがより小さくなるため、突出部2の基板4と対抗する部分を導電性材料41で構成することによって、電子雪崩をより起こしやすくすることができる。結果として、モールド1の基板4と対向する面を除電しやすくすることができ、パターン欠陥の発生を低減することが可能となる。導電性材料41としては、電気抵抗率が石英ガラスよりも小さい材料が良い。例えば、ボロンやリンをイオン注入して導電性材料41を形成してもよいし、クロム、ルテニウムなどの金属材料を成膜してもよい。   The conductive material 41 is attached to a part of the protrusion 2. In the imprint process, after contact between the mold 1 and the imprint material 8, the mold 1 moves in the + Z direction and moves away from the imprint material 8. At this time, it is known as a peeling charging phenomenon that the mold 1 is charged when the imprint material 8 and the mold 1 are separated. This peeling electrification phenomenon attracts minute foreign matters such as particles to the surface of the mold 1 by electrostatic force. Therefore, if the fine foreign matter adheres to the mold 1, the mold 1 may be damaged and cause pattern defects. . When the potential difference between the mold 1 and the imprint material 8 becomes higher than the discharge voltage due to the peeling charging phenomenon, an electronic avalanche phenomenon occurs between the mold 1 and the imprint material 8, and the surface of the mold 1 is It is neutralized. Since this discharge voltage is smaller for the conductor than for the insulator, the avalanche can be more easily caused by forming the portion of the protrusion 2 that opposes the substrate 4 with the conductive material 41. As a result, the surface of the mold 1 facing the substrate 4 can be easily neutralized, and the occurrence of pattern defects can be reduced. As the conductive material 41, a material having an electrical resistivity smaller than that of quartz glass is preferable. For example, boron or phosphorus may be ion-implanted to form the conductive material 41, or a metal material such as chromium or ruthenium may be formed.

(第6実施形態)
次に、第6実施形態のモールドについて説明する。第6実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。図8は、第6実施形態に係るモールド1の一部の断面図である。本実施形態のモールド1は、パターン部3の外周部の一部にのみ、突出部2が配置されている。
(Sixth embodiment)
Next, the mold of 6th Embodiment is demonstrated. Matters not mentioned in the sixth embodiment are the same as those in the above-described embodiment. FIG. 8 is a cross-sectional view of a part of the mold 1 according to the sixth embodiment. In the mold 1 of the present embodiment, the protruding portion 2 is disposed only on a part of the outer peripheral portion of the pattern portion 3.

図8は、モールド1を−Z方向から見た場合を示している。ここでは、一例として四角い形状のパターン部3を示しているがパターン部3はその他の形状の多角形でもよい。本実施形態では、パターン部3の外周部の角以外の位置に、複数の突出部2が不連続に配置されている。パターン部3の角部分はインプリント処理において、インプリント材8が充填されにくい箇所である。このインプリント材が充填されにくい角部分に突出部2を設けないことにより、角部分にインプリント材が広がりやすくなり、充填されやすくなる。したがって、インプリント材8がモールド1の外側(パターン部3と反対方向)へ流れ出しにくくなり、かつパターン部3の角部分の充填性も向上する。   FIG. 8 shows a case where the mold 1 is viewed from the −Z direction. Here, the square pattern portion 3 is shown as an example, but the pattern portion 3 may be a polygon having another shape. In the present embodiment, the plurality of protruding portions 2 are discontinuously arranged at positions other than the corners of the outer peripheral portion of the pattern portion 3. The corner portion of the pattern portion 3 is a portion that is difficult to be filled with the imprint material 8 in the imprint process. By not providing the protrusion 2 at the corner portion where the imprint material is difficult to be filled, the imprint material is likely to spread and fill the corner portion. Therefore, it is difficult for the imprint material 8 to flow out of the mold 1 (in the direction opposite to the pattern portion 3), and the filling properties of the corner portions of the pattern portion 3 are also improved.

(第7実施形態)
次に、第7実施形態のモールドについて説明する。第7実施形態として言及しない事項は、前述の実施形態に従う。本発明の一実施形態に係るモールドを適用可能な装置は、基板の上に平坦化層を形成する平坦化装置である。平坦化装置では、パターンが形成されていないモールド(平面テンプレート)を用いて、基板の上に平坦化層を形成する。平坦化装置は、基板に予め供給された未硬化の組成物(インプリント材)に対して平面プレートを押し当てて基板面内の局所平面化を行う。平坦化処理は、基板上に供給された硬化性組成物に平面テンプレートの平坦部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化性組成物を硬化させる工程を含む。
(Seventh embodiment)
Next, a mold according to a seventh embodiment will be described. Matters not mentioned in the seventh embodiment are the same as those in the above-described embodiment. An apparatus to which a mold according to an embodiment of the present invention can be applied is a planarization apparatus that forms a planarization layer on a substrate. In the planarization apparatus, a planarization layer is formed on a substrate using a mold (planar template) in which a pattern is not formed. The planarization device performs local planarization in the substrate surface by pressing a planar plate against an uncured composition (imprint material) previously supplied to the substrate. The planarization treatment includes a step of curing the curable composition by light irradiation or heating while the flat portion of the planar template is in contact with the curable composition supplied on the substrate.

平坦化装置では、平面テンプレートを用いて、基板の上に平坦化層を形成する。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセス基板は100nm前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のDOF(Depth Of Focus)を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来手法としてSOC(Spin On Carbon)、CMP(Chemical Mechanical Polishing)のような平坦化層を形成する手法が用いられている。しかし従来技術では十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。   In the planarization apparatus, a planarization layer is formed on a substrate using a planar template. The underlying pattern on the substrate has a concavo-convex profile resulting from the pattern formed in the previous process, and in particular with the recent multi-layer structure of memory elements, some process substrates have steps of about 100 nm. Yes. The level difference caused by the gentle undulation of the entire substrate can be corrected by the focus tracking function of the scan exposure apparatus used in the photo process. However, fine pitch irregularities that fall within the exposure slit area of the exposure apparatus consume the DOF (Depth Of Focus) of the exposure apparatus as it is. As a conventional method for smoothing the base pattern of the substrate, a method of forming a planarizing layer such as SOC (Spin On Carbon) or CMP (Chemical Mechanical Polishing) is used. However, the conventional technique has a problem that sufficient flattening performance cannot be obtained, and in the future, the difference in unevenness of the base due to multilayering tends to further increase.

この問題を解決するために、本実施形態の平坦化装置は、基板に予め塗布された未硬化の組成物に対して平面テンプレート(平面プレート)を押し当てて基板面内の局所平面化を行う。本実施形態において、平坦化装置の構成は、図1に示したインプリント装置7と概ね同様とすることができる。ただし平坦化装置では、凹凸パターンが形成されたパターン部3を有するモールドの代わりに、基板4と同じかそれより大きい面積の平面プレートを使用し、基板の上の組成物層の全面に接触させる。インプリントヘッド9は、そのような平面プレートを保持するように構成される。   In order to solve this problem, the planarization apparatus of the present embodiment performs local planarization in the substrate surface by pressing a planar template (planar plate) against an uncured composition pre-applied to the substrate. . In the present embodiment, the configuration of the planarizing device can be substantially the same as that of the imprint apparatus 7 shown in FIG. However, in the planarization apparatus, instead of the mold having the pattern portion 3 on which the concavo-convex pattern is formed, a flat plate having an area equal to or larger than that of the substrate 4 is used and brought into contact with the entire surface of the composition layer on the substrate. . The imprint head 9 is configured to hold such a planar plate.

ここで、図9を参照して、平坦化処理の概要を説明する。図9は、平坦化処理のフローを示す図である。図9(a)に示すように、下地パターン91が形成されている基板4に対して、供給部6からインプリント材8を供給する。図9(a)は、基板上にインプリント材8を供給し、平面プレート90を接触させる前の状態を示している。次いで、図9(b)に示すように、基板上のインプリント材8とモールド1の平面部92とを接触させる。図9(b)は、平面プレート90の平面部92が基板上のインプリント材8に完全に接触し、平面プレート90の平面部92が基板4の表面形状に倣った状態を示している。そして、図9(b)に示す状態で、照明系から、平面プレート90を介して、基板上のインプリント材8に光を照射してインプリント材8を硬化させる。次に、図9(c)に示すように、基板上の硬化したインプリント材8から平面プレート90を引き離す。これにより、基板4の全面で均一な厚みのインプリント材8の層(平坦化層)を形成することができる。図9(c)は、基板上にインプリント材8の平坦化層が形成された状態を示している。   Here, an outline of the flattening process will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating a flow of the flattening process. As shown in FIG. 9A, the imprint material 8 is supplied from the supply unit 6 to the substrate 4 on which the base pattern 91 is formed. FIG. 9A shows a state before the imprint material 8 is supplied onto the substrate and the flat plate 90 is brought into contact therewith. Next, as shown in FIG. 9B, the imprint material 8 on the substrate is brought into contact with the flat portion 92 of the mold 1. FIG. 9B shows a state in which the flat portion 92 of the flat plate 90 completely contacts the imprint material 8 on the substrate, and the flat portion 92 of the flat plate 90 follows the surface shape of the substrate 4. Then, in the state shown in FIG. 9B, the imprint material 8 is cured by irradiating the imprint material 8 on the substrate with light from the illumination system via the flat plate 90. Next, as shown in FIG. 9C, the flat plate 90 is pulled away from the cured imprint material 8 on the substrate. Thereby, the layer (planarization layer) of the imprint material 8 having a uniform thickness can be formed on the entire surface of the substrate 4. FIG. 9C shows a state in which the planarizing layer of the imprint material 8 is formed on the substrate.

図10は、第7実施形態に係るモールドの一部の断面図である。本実施形態のモールドは、平坦化装置に使用される平面プレート90である。平面プレート90は、例えば、円形又は四角形の外形を有し、基板4上のインプリント材8(組成物)に接触して基板4の表面形状に倣う平面部91を含む。平面部91は、例えば、基板4と同じ大きさ、又は、基板4よりも大きい。平面部91は、第1乃至第6実施形態のパターン部3に相当する。即ち、第1乃至第6実施形態は、平面プレート90に応用することが可能である。   FIG. 10 is a cross-sectional view of a part of the mold according to the seventh embodiment. The mold of this embodiment is a flat plate 90 used in a flattening apparatus. The flat plate 90 has, for example, a circular or square outer shape, and includes a flat portion 91 that contacts the imprint material 8 (composition) on the substrate 4 and follows the surface shape of the substrate 4. The flat portion 91 is, for example, the same size as the substrate 4 or larger than the substrate 4. The flat surface portion 91 corresponds to the pattern portion 3 of the first to sixth embodiments. That is, the first to sixth embodiments can be applied to the flat plate 90.

平面プレート90は、平面部91の外周部に、平面部91よりも突出する突出部2を有する。突出部2は、平面部91よりも−Z方向に突出している。平面プレート90が平面部92よりも突出する突出部2を備えることにより、平面プレート90と基板4上のインプリント材8との接触時において、突出部2と接触するインプリント材8の厚さは、平面部91と接触するインプリント材8の厚さよりも薄くなる。すると、突出部2は、平面プレート90の外周部に形成されているため、外周部に位置する未硬化のインプリント材8の粘性が高くなり、未硬化のインプリント材8が平面プレート90の外側(平面部91と反対方向)へ流れ出しにくくなる。したがって、この突出部2を平面部91の周辺に平面部91を囲むように設けることによって、平面プレート90とインプリント材8との接触時において、平面部91からその外周部へインプリント材8がはみ出すことを抑制することができる。突出部2は、平面部91よりも5nm以上−Z方向に高くなっていることが望ましいが、これに限らない。   The flat plate 90 has a protruding portion 2 that protrudes from the flat portion 91 on the outer peripheral portion of the flat portion 91. The protruding portion 2 protrudes in the −Z direction from the plane portion 91. Since the flat plate 90 includes the protruding portion 2 that protrudes from the flat portion 92, the thickness of the imprint material 8 that contacts the protruding portion 2 when the flat plate 90 and the imprint material 8 on the substrate 4 are in contact with each other. Is thinner than the thickness of the imprint material 8 in contact with the flat surface portion 91. Then, since the protrusion 2 is formed on the outer peripheral portion of the flat plate 90, the viscosity of the uncured imprint material 8 located on the outer peripheral portion is increased, and the uncured imprint material 8 is formed on the flat plate 90. It becomes difficult to flow out to the outside (the direction opposite to the flat surface portion 91). Therefore, by providing the projecting portion 2 around the flat surface portion 91 so as to surround the flat surface portion 91, the imprint material 8 extends from the flat surface portion 91 to the outer peripheral portion when the flat plate 90 and the imprint material 8 are in contact with each other. Can be prevented from protruding. Although it is desirable that the protruding portion 2 is higher than the flat portion 91 by 5 nm or more in the −Z direction, the present invention is not limited to this.

このような構成とすることにより、インプリント材の残渣が発生することを抑制し、結果として、次の工程におけるインプリント処理において、パターン欠陥が発生することを抑制することが可能となる。   By setting it as such a structure, it can suppress that the residue of the imprint material generate | occur | produces and, as a result, it becomes possible to suppress that a pattern defect generate | occur | produces in the imprint process in the following process.

(物品製造方法に係る実施形態)
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程(基板にインプリント処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、組成物剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(Embodiment related to article manufacturing method)
The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable, for example, for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method for manufacturing an article according to this embodiment includes a step of forming a pattern on the imprint material applied to the substrate using the above-described imprint apparatus (a step of performing imprint processing on the substrate), and a pattern is formed by such a step. And processing the processed substrate. Further, the manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, planarization, etching, composition peeling, dicing, bonding, packaging, and the like). The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

インプリント装置7を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、モールド等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。モールドとしては、インプリント用のモールド等が挙げられる。   The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus 7 is used permanently on at least a part of various articles, or temporarily when various articles are manufactured. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a mold, or the like. Examples of the electric circuit elements include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、組成物マスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、組成物マスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a composition mask. After etching or ion implantation or the like is performed in the substrate processing step, the composition mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図11(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコン基板等の基板4zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 11A, a substrate 4z such as a silicon substrate on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared. Subsequently, the substrate 4z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. A printing material 3z is applied. Here, a state is shown in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate.

図11(b)に示すように、インプリント用のモールド4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図11(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板4zとモールド4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zはモールド4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を、モールド4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   As shown in FIG. 11 (b), the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side on which the concave / convex pattern is formed facing. As shown in FIG.11 (c), the board | substrate 4z with which the imprint material 3z was provided, and the mold 4z are made to contact, and a pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated as energy for curing through the mold 4z, the imprint material 3z is cured.

図11(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、モールド4zと基板4zを引き離すと、基板4z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zにモールド4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 11D, when the imprint material 3z is cured and then the mold 4z and the substrate 4z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 4z. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the concave / convex pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図11(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図11(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
なお、モールド4zとして、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用のモールドを用いた例について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有する平面テンプレートであってもよい。
As shown in FIG. 11E, when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching resistant mask, the portion of the surface of the workpiece 2z where there is no cured product or remains thin is removed, and the groove 5z and Become. As shown in FIG. 11 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Although the cured product pattern is removed here, it may be used as, for example, a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.
In addition, although the example using the mold for circuit pattern transfer which provided the uneven | corrugated pattern as the mold 4z was described, the planar template which has a plane part without an uneven | corrugated pattern may be sufficient.

(その他の実施形態)
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
(Other embodiments)
As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to these embodiment, A various change is possible within the range of the summary.

1 モールド
2 突出部
3 パターン部
4 基板
5 基板ステージ
7 インプリント装置
9 インプリントヘッド

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mold 2 Protruding part 3 Pattern part 4 Substrate 5 Substrate stage 7 Imprint apparatus 9 Imprint head

Claims (14)

基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置に使用されるモールドであって、
前記パターンを形成する凹凸のパターン部と、
前記パターン部の外周部に、前記パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有することを特徴とするモールド。
A mold used in an imprint apparatus for forming a pattern on an imprint material on a substrate,
An uneven pattern portion for forming the pattern;
A mold having an outer peripheral portion of the pattern portion and a protruding portion that protrudes more than a convex portion of the pattern portion.
前記突出部は、前記凸部よりも5nm以上突出する、ことを特徴とする請求項1に記載のモールド。   The mold according to claim 1, wherein the protrusion protrudes 5 nm or more than the protrusion. 前記突出部の前記パターン部側の側面は、前記突出部の先端から根元に向かうに従って前記パターン部側に傾斜している、ことを特徴とする請求項1または2に記載のモールド。   3. The mold according to claim 1, wherein a side surface of the projecting portion on the pattern portion side is inclined toward the pattern portion side toward a root from a tip of the projecting portion. 前記突出部の内周部のエッジ部は曲面からなる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のモールド。   The mold according to any one of claims 1 to 3, wherein an edge portion of an inner peripheral portion of the protruding portion is a curved surface. 前記突出部と前記パターン部との間に、前記凹部の底面よりも窪んだ溝を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のモールド。   The mold according to any one of claims 1 to 4, further comprising a groove that is recessed from a bottom surface of the concave portion between the protruding portion and the pattern portion. 前記突出部の外周部に気体を供給するための供給口を備え、
前記供給口側の前記突出部の側面は、前記突出部の先端から根元に向かうに従って外周側に傾斜している、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のモールド。
A supply port for supplying gas to the outer peripheral portion of the protruding portion;
6. The mold according to claim 1, wherein a side surface of the protruding portion on the supply port side is inclined toward an outer peripheral side from a tip end of the protruding portion toward a base.
前記突出部は、表面に導電性材料を有する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のモールド。   The mold according to claim 1, wherein the protrusion has a conductive material on a surface thereof. 前記突出部は、前記基板と接触する面の外周部の一部に配置される、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のモールド。   The mold according to any one of claims 1 to 7, wherein the protruding portion is disposed at a part of an outer peripheral portion of a surface in contact with the substrate. 前記突出部は、前記モールドの角以外の位置に配置される、ことを特徴とする請求項1乃至8いずれか1項に記載のモールド。   The mold according to claim 1, wherein the protrusion is disposed at a position other than a corner of the mold. 前記突出部は、前記パターン部を囲むように配置される、ことを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項に記載のモールド。   The mold according to claim 1, wherein the protruding portion is disposed so as to surround the pattern portion. 基板上に組成物による平坦化層を形成する平坦化装置に使用される平面プレートであって、
前記平坦化層を形成する平面部と、
前記平面部の外周部に、前記平面部よりも突出する突出部と、を有することを特徴とする平面プレート。
A planar plate used in a planarization apparatus for forming a planarization layer with a composition on a substrate,
A planar portion for forming the planarizing layer;
A flat plate having an outer peripheral portion of the flat portion and a protruding portion protruding from the flat portion.
基板上のインプリント材をにパターンを形成する凹凸のパターン部と、前記パターン部の外周部に、前記パターン部の凸部よりも突出する突出部と、を有するモールドを用いるインプリント方法であって、
前記基板上に未硬化の前記インプリント材を供給する供給工程と、
前記モールドを前記インプリント材に接触させる接触工程と、
前記インプリント材から前記モールドを引き離す離型工程と、を備え、
前記接触工程において、前記突出部と接触するインプリント材の厚さは、前記パターン部と接触するインプリント材の厚さよりも薄い、ことを特徴とするインプリント方法。
An imprint method using a mold having a concave and convex pattern portion for forming a pattern on an imprint material on a substrate and a protruding portion that protrudes beyond the convex portion of the pattern portion on the outer periphery of the pattern portion. And
A supplying step of supplying the uncured imprint material on the substrate;
Contacting the mold with the imprint material; and
A mold release step of separating the mold from the imprint material,
In the contact step, the thickness of the imprint material in contact with the protruding portion is thinner than the thickness of the imprint material in contact with the pattern portion.
請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載のモールドを使用して基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、
加工された前記基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Forming a pattern on a substrate using the mold according to any one of claims 1 to 10,
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step;
Producing an article from the processed substrate;
A method for producing an article comprising:
請求項11に記載の平面プレートを使用して基板上に組成物による平坦化層を形成する工程と、
前記工程で平坦化層が形成された前記基板を加工する工程と、
加工された前記基板から物品を製造する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。

Forming a planarization layer of a composition on a substrate using the flat plate according to claim 11;
Processing the substrate on which the planarization layer is formed in the step;
Producing an article from the processed substrate;
A method for producing an article comprising:

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