JP2019204756A - Luminaire - Google Patents

Luminaire Download PDF

Info

Publication number
JP2019204756A
JP2019204756A JP2018100928A JP2018100928A JP2019204756A JP 2019204756 A JP2019204756 A JP 2019204756A JP 2018100928 A JP2018100928 A JP 2018100928A JP 2018100928 A JP2018100928 A JP 2018100928A JP 2019204756 A JP2019204756 A JP 2019204756A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
unit
light emission
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018100928A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
菅野 哲生
Tetsuo Sugano
哲生 菅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd filed Critical Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd
Priority to JP2018100928A priority Critical patent/JP2019204756A/en
Publication of JP2019204756A publication Critical patent/JP2019204756A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Endoscopes (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Instruments For Viewing The Inside Of Hollow Bodies (AREA)

Abstract

To provide a luminaire such that up to a subject deep part can be clearly observed.SOLUTION: The present invention relates to a luminaire (100) which uses a semiconductor laser as a light source to radiate a subject, and the luminaire comprises: a plurality of light emission parts (30, 40) which emit a plurality of lights differing in wavelength band; a light emission control part (10) which controls respective light emission outputs of the plurality of light emission parts; and a mixing part (60) which mixes the outputs of the plurality of light emission parts to generate an output light. The light emission control part controls wavelengths and power densities of the respective light emission outputs of the plurality of light emission parts to obtain a reflected light from a deep part of a subject.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、医療用および産業用を含む照明装置に関するものである。   The present invention relates to a lighting device including medical and industrial use.

従来、たとえば体腔内の組織を観察する内視鏡システムに使用される光源としては、キセノン光源が広く知られている。キセノン光源は、高輝度であるとともに発光波長も非常に広帯域な特性を持つ。このため、キセノン光源は、可視光源だけでなく、蛍光画像観察用光源としての応用も可能であり、光学フィルターとの組み合わせにて必要な各波長に対応することで広く利用されている。   Conventionally, for example, a xenon light source is widely known as a light source used in an endoscope system for observing tissue in a body cavity. A xenon light source has high brightness and a very wide emission wavelength. For this reason, the xenon light source can be applied not only as a visible light source but also as a light source for fluorescent image observation, and is widely used by supporting each wavelength required in combination with an optical filter.

また、最近は、LEDの高輝度化が進み、懐中電灯から住宅用照明・信号機など、民生用から産業用途まで、LED光源が広く使用されている。これに加え、最近では、実験用高輝度光源など、光源の分野にもLED光源が利用されつつある。   In recent years, the brightness of LEDs has been increased, and LED light sources are widely used from consumer lighting to industrial applications such as flashlights, residential lighting and traffic lights. In addition to this, recently, LED light sources are also being used in the field of light sources such as experimental high-intensity light sources.

さらに、最近では、特殊用途として半導体レーザーを利用した光源が存在する。このような半導体レーザーを利用した光源は、特定波長が発光可能なレーザー光の利点を生かした特殊用途である。安定して安全な白色光を発光する可視光源として、キセノン光源の置き換え可能な光電については、まだ検討段階にある。   Furthermore, recently, there is a light source using a semiconductor laser as a special application. A light source using such a semiconductor laser is a special application that takes advantage of laser light capable of emitting a specific wavelength. As a visible light source that emits stable and safe white light, a photoelectric that can replace a xenon light source is still under investigation.

特許文献1のキセノン光源では、熱線対策のフィルターを使用している。ただし、特許文献1に係るキセノン光源では、励起光部分を使用しており、近赤外の一部である700〜800nmの波長の放射強度成分を含むため、可視光源としての完全な対策ではない。   The xenon light source disclosed in Patent Document 1 uses a filter against heat rays. However, since the xenon light source according to Patent Document 1 uses an excitation light portion and includes a radiation intensity component having a wavelength of 700 to 800 nm, which is a part of the near infrared, it is not a complete measure as a visible light source. .

最近のLED光源では、可視光範囲をLEDで実現しているものが存在する。ただし、あくまで自然光を再現したものである。   Some recent LED light sources realize the visible light range with LEDs. However, natural light is reproduced.

特開2009−140827号公報JP 2009-140827 A

光源装置としてキセノン照明を用いる場合、高輝度・広帯域であることから、観察、手術におけるカメラ撮像などの観点では、非常に有利である。しかしながら、被写体、および術者、観察者の観点では、キセノン照明は、不要な熱線成分である近赤外光、網膜および皮膚に悪影響のある紫外線成分など、不要な波長帯成分を多く含む。このため、キセノン照明は、長時間の使用自体が困難である。また、キセノン照明を使用する場合には、メガネ、熱線対策など、特別な対応が必要であり、高輝度ではありながら、その利点を十分に生かせていない。   When xenon illumination is used as the light source device, since it has a high luminance and a wide band, it is very advantageous from the viewpoint of observation, camera imaging in surgery, and the like. However, from the viewpoint of the subject, the operator, and the observer, xenon illumination includes many unnecessary wavelength band components such as near infrared light that is an unnecessary heat ray component and ultraviolet light components that have an adverse effect on the retina and skin. For this reason, xenon illumination is difficult to use for a long time. In addition, when using xenon illumination, special measures such as eyeglasses and heat ray countermeasures are required, and although the brightness is high, the advantages are not fully utilized.

また、キセノン照明は、波長特性が太陽光に近いため、自然な明るさを再現することは可能である。しかしながら、キセノン照明は、医療もしくは産業分野で求められる被写体の必要部分、あるいは特徴的な部位の観察を行うには、適さない面があった。具体的には、キセノン照明は、たとえば、必要な波長だけを必要なパワー密度で照射し、被写体の深部からの反射光を得ることで、広帯域では得られなかった被写体光像を得るなど、特殊用途での要求を満たすことができなかった。   In addition, since xenon illumination has a wavelength characteristic close to that of sunlight, it is possible to reproduce natural brightness. However, xenon illumination is not suitable for observing necessary parts or characteristic parts of subjects required in the medical or industrial fields. Specifically, xenon illumination is special, for example, by irradiating only the required wavelength with the required power density and obtaining reflected light from the deep part of the subject to obtain a subject light image that could not be obtained in a wide band. The demand for the application could not be met.

さらに、医療もしくは産業用において蛍光画像観察に使用される光源の場合、キセノンの広帯域を利用して、必要な波長のみを光学フィルターにて透過させる構造のものが存在する。ただし、このような構造の光源は、高輝度、広帯域から狭帯域へのフィルタリングを行っているため、フィルター部分にて熱が発生し、分光特性が安定せず、発光効率も悪いものとなる。   Furthermore, in the case of a light source used for fluorescent image observation in medical or industrial applications, there is a structure that transmits only a necessary wavelength with an optical filter using a wide band of xenon. However, since the light source having such a structure performs filtering from high brightness and wide band to narrow band, heat is generated in the filter portion, spectral characteristics are not stable, and light emission efficiency is poor.

本発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、被写体深部まで鮮明に観察可能な照明装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain an illuminating device that can be observed clearly up to the deep part of a subject.

本発明に係る照明装置は、半導体レーザーを光源に用いて被写体を照射する照明装置であって、波長帯域の異なる複数の発光を行う複数の発光部と、複数の発光部のそれぞれの発光出力を制御する発光制御部と、複数の発光部の出力を混合し、出力光を生成する混合部と、を備え、発光制御部は、複数の発光部のそれぞれの発光出力について、波長およびパワー密度を制御し、被写体の深部から反射光を得るものである。   An illuminating device according to the present invention is an illuminating device that irradiates a subject using a semiconductor laser as a light source. A light emission control unit for controlling, and a mixing unit for mixing the outputs of the plurality of light emitting units and generating output light, and the light emission control unit sets a wavelength and a power density for each light emission output of the plurality of light emitting units. The reflected light is controlled from the deep part of the subject.

本発明によれば、被写体の深部からの反射光を得ることができる構成を備えている。この結果、被写体深部まで鮮明に観察可能な照明装置を実現することができる。   According to the present invention, a configuration is provided in which reflected light from the deep part of the subject can be obtained. As a result, it is possible to realize an illuminating device that allows clear observation up to the deep part of the subject.

本発明の実施の形態1における照明装置の概略ブロック図である。It is a schematic block diagram of the illuminating device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における照明装置の分光特性図である。It is a spectral characteristic figure of the illuminating device in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る照明装置の温度による発光波長制御特性の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the light emission wavelength control characteristic by the temperature of the illuminating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る照明装置の電流による発光強度特性の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the light emission intensity characteristic by the electric current of the illuminating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る照明装置における波長単位でのレーザー発光ユニットの詳細ブロック図である。It is a detailed block diagram of the laser emission unit in the wavelength unit in the illuminating device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る照明装置において、被写体への波長ごとの光の浸透度合いを示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating the degree of penetration of light for each wavelength into a subject in the lighting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態1における照明装置と、キセノン照明とによる被写体観察像の比較結果を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the comparison result of the to-be-observed image by the illuminating device in Embodiment 1 of this invention, and a xenon illumination.

以下、本発明の照明装置の好適な実施の形態につき、図面を用いて説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of a lighting device of the present invention will be described with reference to the drawings.

実施の形態1.   Embodiment 1 FIG.

図1は、本発明の実施の形態1における照明装置の概略ブロック図である。図1に示す本実施の形態1に係る照明装置100は、光源の発光素子に半導体レーザーを用いた例を示している。具体的には、照明装置100は、レーザー発光制御部10、レーザー用電源部20、複数のレーザー駆動部30、複数のレーザー発光部40、複数の光ファイバー50、およびレーザー光混合用のロッドインテグレーター60を含んで構成される。   FIG. 1 is a schematic block diagram of a lighting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The illuminating device 100 which concerns on this Embodiment 1 shown in FIG. 1 has shown the example which used the semiconductor laser for the light emitting element of the light source. Specifically, the illumination device 100 includes a laser emission control unit 10, a laser power supply unit 20, a plurality of laser driving units 30, a plurality of laser emission units 40, a plurality of optical fibers 50, and a rod integrator 60 for mixing laser beams. It is comprised including.

なお、図1においては、複数のレーザー駆動部30が、4つのレーザー駆動部30(1)〜30(4)で構成されている場合を例示している。また、図1においては、複数のレーザー発光部40が、4つのレーザー発光部40(1)〜40(4)で構成されている場合を例示している。そして、レーザー駆動部30(1)〜30(4)と、レーザー発光部40(1)〜40(4)とは、図1に示すように、1対1に対応している。すなわち、図1では、1つのレーザー駆動部30と、1つのレーザー発光部40とから構成されるレーザー発光ユニットを4セット有している場合を例示している。   FIG. 1 illustrates a case where the plurality of laser driving units 30 are configured by four laser driving units 30 (1) to 30 (4). Further, FIG. 1 illustrates a case where the plurality of laser light emitting units 40 are configured by four laser light emitting units 40 (1) to 40 (4). The laser driving units 30 (1) to 30 (4) and the laser light emitting units 40 (1) to 40 (4) correspond one-to-one as shown in FIG. That is, FIG. 1 illustrates a case where four sets of laser light emitting units each including one laser driving unit 30 and one laser light emitting unit 40 are provided.

なお、図5に示したレーザー駆動部30とレーザー発光部40とを1つの発光部としてまとめ、レーザー発光ユニットを構成することも可能である。   Note that the laser driving unit 30 and the laser light emitting unit 40 shown in FIG. 5 can be combined into one light emitting unit to constitute a laser light emitting unit.

図2は、本発明の実施の形態1における照明装置100の分光特性図である。レーザー発光部40(1)〜40(4)の出力は、それぞれレーザー分光特性70(1)〜70(4)を持つ。   FIG. 2 is a spectral characteristic diagram of illumination apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention. The outputs of the laser emission units 40 (1) to 40 (4) have laser spectral characteristics 70 (1) to 70 (4), respectively.

レーザー発光部40(1)〜40(3)のそれぞれの分光特性70は、分光特性70(1)〜70(3)に相当する。従って、レーザー発光部40(1)〜40(3)による発光は、可視領域71の400〜700nm範囲内にあり、レーザー発光部40(1)〜40(3)は、通常の可視光光源として動作する。   The spectral characteristics 70 of the laser light emitting units 40 (1) to 40 (3) correspond to the spectral characteristics 70 (1) to 70 (3), respectively. Therefore, the light emission by the laser light emitting units 40 (1) to 40 (3) is in the range of 400 to 700 nm of the visible region 71, and the laser light emitting units 40 (1) to 40 (3) are used as normal visible light sources. Operate.

一方、レーザー発光部40(4)は、たとえば、分光特性70(4)を有する780nmの波長であり、用途に応じて、必要な波長光を発光する。このように、本実施の形態1におけるレーザー発光部40は、1つの発光部で、1つの波長帯を発光する構成である。   On the other hand, the laser light emitting unit 40 (4) has a wavelength of 780 nm having a spectral characteristic 70 (4), for example, and emits light having a necessary wavelength according to the application. Thus, the laser light emission part 40 in this Embodiment 1 is the structure which light-emits one wavelength band with one light emission part.

図3は、本発明の実施の形態1に係る照明装置の温度による発光波長制御特性の一例を示す図である。図3に示す温度Taによる発光波長制御特性例は、半導体レーザーの波長特性例を示す。つまり、レーザー発光制御部10は、温度Taによる発光波長制御特性例81を利用して、光源としての発光波長の制御と制限を行うことができる。   FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the emission wavelength control characteristic depending on the temperature of the lighting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The example of the emission wavelength control characteristic by the temperature Ta shown in FIG. 3 shows an example of the wavelength characteristic of the semiconductor laser. That is, the laser emission control unit 10 can control and limit the emission wavelength as a light source by using the emission wavelength control characteristic example 81 based on the temperature Ta.

図4は、本発明の実施の形態1に係る照明装置の電流による発光強度特性の一例を示す図である。図4に示す電流による発光強度制御特性例は、半導体レーザーの発光特性例を示す。つまり、レーザー発光制御部10は、順方向電流による発光強度特性例82を利用して、光源としての発光状態検知を行うことができる。   FIG. 4 is a diagram showing an example of the light emission intensity characteristic depending on the current of the lighting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The example of the emission intensity control characteristic by the current shown in FIG. 4 shows an example of the emission characteristic of the semiconductor laser. That is, the laser light emission control unit 10 can detect the light emission state as the light source by using the light emission intensity characteristic example 82 by the forward current.

図5は、本発明の実施の形態1に係る照明装置における波長単位でのレーザー発光ユニットの詳細ブロック図である。レーザー駆動部30は、発光素子駆動回路31、および2つの検知回路32a、32bを含んで構成されている。   FIG. 5 is a detailed block diagram of the laser light emitting unit in units of wavelengths in the illumination device according to Embodiment 1 of the present invention. The laser driving unit 30 includes a light emitting element driving circuit 31 and two detection circuits 32a and 32b.

また、レーザー発光部40は、2つの発光素子41a、41b、温度センサー42、および冷却装置43を含んで構成されている。発光素子41aは、検知回路32aに接続され、発光素子41bは、検知回路32bに接続されている。   The laser light emitting unit 40 includes two light emitting elements 41a and 41b, a temperature sensor 42, and a cooling device 43. The light emitting element 41a is connected to the detection circuit 32a, and the light emitting element 41b is connected to the detection circuit 32b.

発光素子41aは、光ファイバー51aに光学的に接続され、発光素子41bは、光ファイバー51bに光学的に接続されている。このような構成により、発光素子41a、41bからの光は、光源光として、それぞれの光ファイバー51a、51bを介して出力される。   The light emitting element 41a is optically connected to the optical fiber 51a, and the light emitting element 41b is optically connected to the optical fiber 51b. With such a configuration, light from the light emitting elements 41a and 41b is output as light source light via the respective optical fibers 51a and 51b.

光源の通常運用状態では、発光素子41a側の半導体レーザーが発光するように、レーザー発光制御部10による制御が行われる。発光素子41bは、発光素子41aが劣化した際のスペアとして使用するものであり、具体的な使用法については、後述する。   In the normal operation state of the light source, control by the laser light emission control unit 10 is performed so that the semiconductor laser on the light emitting element 41a side emits light. The light emitting element 41b is used as a spare when the light emitting element 41a deteriorates, and a specific usage will be described later.

次に、図1〜図5を用いて、本実施の形態1における照明装置の動作について、詳細に説明する。電源が投入されると、レーザー用電源部20から、レーザー発光制御部10などの必要部分に電源が供給され、照明装置100は、光源として動作可能な状態となる。   Next, the operation of the lighting apparatus according to the first embodiment will be described in detail with reference to FIGS. When the power is turned on, power is supplied from the laser power supply unit 20 to necessary parts such as the laser light emission control unit 10, and the lighting device 100 is operable as a light source.

レーザー発光制御部10は、まず、レーザー発光部40(1)の半導体レーザーを発光させるために、レーザー駆動部30(1)に対して、電源供給を行うとともに、駆動制御を行う。   First, the laser emission control unit 10 supplies power to the laser driving unit 30 (1) and controls driving in order to emit the semiconductor laser of the laser emitting unit 40 (1).

レーザー発光部40(1)は、定格の電源供給と温度制御にて、図2に示したレーザー分光特性70(1)により、450±2nmの波長で発光する。レーザー発光制御部10は、450±2nmでのレーザー発光を維持させるため、図5に示した検知回路32aによって検出された電流を取得する。さらに、レーザー発光制御部10は、図4の電流による発光強度特性例82に示す電流範囲A〜B間のセンターC点にて、駆動制御を行う。   The laser light emitting unit 40 (1) emits light with a wavelength of 450 ± 2 nm by the rated power supply and temperature control by the laser spectral characteristic 70 (1) shown in FIG. The laser emission control unit 10 acquires the current detected by the detection circuit 32a shown in FIG. 5 in order to maintain the laser emission at 450 ± 2 nm. Further, the laser light emission control unit 10 performs drive control at the center C point between the current ranges A to B shown in the light emission intensity characteristic example 82 by the current of FIG.

ここで、半導体レーザーの発光とは、光による共振を伴うものであり、ある閾値以上の電流が必要である。図4のA点が、発光素子41aの閾値電流であり、レーザー発光制御部10は、前述のとおり、発光維持のため、A点の電流以上となるように、発光素子41aの発光制御を行う。   Here, the light emission of the semiconductor laser is accompanied by resonance by light, and a current equal to or higher than a certain threshold is required. The point A in FIG. 4 is the threshold current of the light emitting element 41a, and the laser light emission control unit 10 controls the light emission of the light emitting element 41a so as to be equal to or higher than the current at the point A in order to maintain light emission as described above. .

さらに、レーザー発光制御部10は、図3の温度Taによる発光波長制御特性例81を利用して、450±2nmでのレーザー発光を維持させるために、温度制御を行う。具体的には、レーザー発光制御部10は、図5に示した温度センサー42による温度検知結果に基づいて、冷却装置43により発光素子41aが20〜25℃となるように、温度制御を行う。   Further, the laser emission control unit 10 performs temperature control in order to maintain laser emission at 450 ± 2 nm using the emission wavelength control characteristic example 81 by the temperature Ta in FIG. Specifically, the laser light emission control unit 10 performs temperature control so that the light emitting element 41a becomes 20 to 25 ° C. by the cooling device 43 based on the temperature detection result by the temperature sensor 42 shown in FIG.

半導体レーザーの発光波長は、素子を構成する物性とその構造にて決まるが、発光中の波長は、温度に依存する。そのため、発光波長維持には、電流に基づく発光制御に加え、温度制御が必要である。このような制御により、450±2nmのレーザー発光が維持される。この波長は、青色であり、後に、赤色の波長と緑色の波長とともに合成され、可視光が生成されることとなる。   The emission wavelength of a semiconductor laser is determined by the physical properties of the device and its structure, but the wavelength during emission depends on the temperature. Therefore, in order to maintain the emission wavelength, temperature control is required in addition to emission control based on current. By such control, laser emission of 450 ± 2 nm is maintained. This wavelength is blue, and is later synthesized together with the red wavelength and the green wavelength to generate visible light.

さらに、レーザー発光制御部10は、レーザー発光部40(2)、40(3)、40(4)に関しても、上述したレーザー発光部40(1)と同様の制御により半導体レーザーを発光させるために、レーザー駆動部30(2)、30(3)、30(4)に対して、電源供給を行うとともに、駆動制御を行う。   Further, the laser emission control unit 10 causes the laser emission units 40 (2), 40 (3), and 40 (4) to emit a semiconductor laser by the same control as the laser emission unit 40 (1) described above. The laser drive units 30 (2), 30 (3), and 30 (4) are supplied with power and controlled.

レーザー発光部40(2)は、定格の電源供給と温度制御にて、図2に示したレーザー分光特性70(2)により、550±2nmの波長で発光する。レーザー発光部40(3)は、定格の電源供給と温度制御にて、図2に示したレーザー分光特性70(3)により、650±2nmの波長で発光する。さらに、レーザー発光部40(4)は、定格の電源供給と温度制御にて、図2に示したレーザー分光特性70(4)により、780±2nmの波長で発光する。   The laser light emitting unit 40 (2) emits light with a wavelength of 550 ± 2 nm by the rated power supply and temperature control by the laser spectral characteristic 70 (2) shown in FIG. The laser light emitting unit 40 (3) emits light with a wavelength of 650 ± 2 nm by the rated power supply and temperature control by the laser spectral characteristic 70 (3) shown in FIG. Further, the laser light emitting unit 40 (4) emits light at a wavelength of 780 ± 2 nm by the rated power supply and temperature control by the laser spectral characteristic 70 (4) shown in FIG.

レーザー発光制御部10は、それぞれのレーザー発光を維持させるため、検知回路32aにて電流を検知し、図4の電流による発光強度特性例82に示す電流範囲A〜B間のセンターC点にて、駆動制御を行う。   In order to maintain each laser emission, the laser emission controller 10 detects the current by the detection circuit 32a, and at the center C point between the current ranges A to B shown in the emission intensity characteristic example 82 by the current of FIG. , Drive control.

ここで、半導体レーザーの発光とは、光による共振を伴うもので、ある閾値以上の電流が必要である。図4のA点が、発光素子41aの閾値電流であり、レーザー発光制御部10は、前述のとおり、発光維持のため、A点の電流以上となるように、発光素子41aの発光制御を行う。   Here, the light emission of the semiconductor laser is accompanied by resonance due to light, and a current exceeding a certain threshold is required. The point A in FIG. 4 is the threshold current of the light emitting element 41a, and the laser light emission control unit 10 controls the light emission of the light emitting element 41a so as to be equal to or higher than the current at the point A in order to maintain light emission as described above. .

さらに、レーザー発光制御部10は、図3の温度による発光波長制御特性例81を利用して、それぞれの波長でのレーザー発光を維持させるために、温度制御を行う。具体的には、レーザー発光制御部10は、図5に示した温度センサー42による温度検知結果に基づいて、冷却装置43により発光素子43aが20〜25℃となるように、それぞれの波長について温度制御を行う。   Further, the laser emission control unit 10 performs temperature control in order to maintain the laser emission at each wavelength by using the emission wavelength control characteristic example 81 according to the temperature in FIG. Specifically, the laser light emission control unit 10 determines the temperature for each wavelength so that the light emitting element 43a becomes 20 to 25 ° C. by the cooling device 43 based on the temperature detection result by the temperature sensor 42 shown in FIG. Take control.

以上のように、それぞれの波長について発光制御および温度制御が行われることで、450±2nm、550±2nm、650±2nm、780±2nmの4波長のレーザー発光が維持される。550±2nmの緑色と、650±2nmの赤色と、450±2nmの青色との3つの波長は、ともに合成され、可視光が生成されることとなる。   As described above, by performing emission control and temperature control for each wavelength, laser emission of four wavelengths of 450 ± 2 nm, 550 ± 2 nm, 650 ± 2 nm, and 780 ± 2 nm is maintained. The three wavelengths of green at 550 ± 2 nm, red at 650 ± 2 nm, and blue at 450 ± 2 nm are combined together to generate visible light.

これら4つの波長の光は、レーザー用の光ファイバー50を介して、レーザー光混合用のロッドインテグレーター60に集光される。レーザー光は、このロッドインテグレーター60にて拡散させることで、コヒーレント性と集光性が抑制され、自然光同様の特性に変換された上で、図2に示す分光特性を持つ光出力が得られる。   These four wavelengths of light are condensed on a laser beam mixing rod integrator 60 via a laser optical fiber 50. The laser light is diffused by the rod integrator 60, so that the coherence and light condensing properties are suppressed, and the light output having the spectral characteristics shown in FIG.

それぞれのレーザー発光部40の光は、前述の説明のとおり、レーザー光用の光ファイバー50からレーザー光混合用のロッドインテグレーター60を介して、光源が必要とされる外部機器での利用のために、照明装置100の本体から出力される。照明装置100から出力される光は、できるだけ効率よく利用されるように、専用アタッチメントを介して、光が必要とされる外部機器に接続される。   As described above, the light emitted from each laser emission unit 40 is transmitted from the laser light optical fiber 50 through the laser beam mixing rod integrator 60 for use in an external device that requires a light source. Output from the main body of the lighting device 100. The light output from the lighting device 100 is connected to an external device that requires light through a dedicated attachment so as to be used as efficiently as possible.

上述したように、本実施の形態1に係る照明装置100は、光源として4つの発光波長を持つ構成である。さらに、照明装置100は、運用や目的により、発光パターンを選択的に変えることができる。たとえば、通常の可視光源としての運用時には、レーザー発光制御部10は、レーザー発光部40(1)、40(2)、40(3)のみから発光させ、レーザー発光部40(4)からは発光させないように、制御を行う。   As described above, the illumination device 100 according to the first embodiment has a configuration having four emission wavelengths as a light source. Furthermore, the lighting device 100 can selectively change the light emission pattern depending on the operation and purpose. For example, during operation as a normal visible light source, the laser emission control unit 10 emits light only from the laser emission units 40 (1), 40 (2), and 40 (3) and emits light from the laser emission unit 40 (4). Control is performed so that it does not occur.

また、レーザー発光制御部10は、蛍光観察に必要な波長のみを発光させることが可能である。たとえば、フルオレセインの場合には、レーザー発光制御部10は、レーザー発光部40(1)から450mnの波長のみを発光させることで、ブロードな特性のLEDあるいはキセノンより、効率よく蛍光光像を得ることができる。   Further, the laser emission control unit 10 can emit only the wavelength necessary for fluorescence observation. For example, in the case of fluorescein, the laser light emission control unit 10 emits only a wavelength of 450 mn from the laser light emission unit 40 (1), thereby obtaining a fluorescent light image more efficiently than a broad characteristic LED or xenon. Can do.

さらに、レーザー発光制御部10は、生体に安全な領域のパワー密度でレーザー光を照射させることで、被写体の数ミリメートル表面下まで光を浸透させることができる。このように、パワー密度を制御することで、被写体表面だけでなく、被写体表面の数ミリメートル奥からも、反射光もしくは拡散光が発生する。   Further, the laser emission control unit 10 can infiltrate the light down to the surface of several millimeters of the subject by irradiating the living body with laser light at a power density in a safe area. As described above, by controlling the power density, reflected light or diffused light is generated not only from the subject surface but also from several millimeters behind the subject surface.

このため、一般の光源とは異なり、本実施の形態1に係る照明装置100を用いることで、被写体をより明るく、かつ、鮮明で色鮮やかに観察することができる。たとえば、ビーフジャーキーのような乾燥肉に光を照射した場合を考える。この場合、キセノン照明では、表面反射光がほとんどのため、表面の乾燥状態が強調されて表現される。   For this reason, unlike a general light source, by using the illumination device 100 according to the first embodiment, it is possible to observe the subject more brightly, vividly and vividly. For example, consider the case where dry meat such as beef jerky is irradiated with light. In this case, in the xenon illumination, the surface reflection light is almost all, so that the dry state of the surface is emphasized.

これに対して、本実施の形態1に係る照明装置100では、レーザー照明で数mm浸透した光の反射光、拡散光の影響により、被写体表面よりも奥から発色する。このため、ビーフジャ−キーが非常に鮮明に見え、照射条件によっては、ビーフジャ−キーが生肉のように見える場合もある。   On the other hand, in the illumination device 100 according to the first embodiment, the color is developed from the back rather than the subject surface due to the influence of reflected light and diffused light that has penetrated several mm by laser illumination. For this reason, the beef jerky looks very clear, and depending on the irradiation conditions, the beef jerky may look like raw meat.

図6は、本発明の実施の形態1に係る照明装置において、被写体への波長ごとの光の浸透度合いを示した図である。光の浸透度合いは、図6に示すように、波長により異なる。図6中のそれぞれのグラフは、青色のグラフ83、緑色のグラフ84、赤色のグラフ85を示している。   FIG. 6 is a diagram showing the degree of penetration of light into the subject for each wavelength in the lighting apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. The degree of light penetration varies depending on the wavelength, as shown in FIG. Each graph in FIG. 6 shows a blue graph 83, a green graph 84, and a red graph 85.

青色のグラフ83に対して、緑色のグラフ84、赤色のグラフ85になるに従って、波長が長くなれば、浸透度合いがより増加する特性がある。この特性を利用して、照明装置100は、被写体表面に近い部分に対しては低めの波長を使用し、より奥の部分に対しては高めの波長を使用することで、より明確に被写体を映し出すことが可能となる。観察の目的によっては、1波長のみを使用する場合、あるいは複数の波長を組み合わせて使用する場合がある。   In contrast to the blue graph 83, as the green graph 84 and the red graph 85 are obtained, there is a characteristic that the penetration degree increases as the wavelength becomes longer. Using this characteristic, the lighting device 100 uses a lower wavelength for a portion close to the subject surface, and uses a higher wavelength for a deeper portion, thereby making the subject clearer. It can be projected. Depending on the purpose of observation, only one wavelength may be used, or a plurality of wavelengths may be used in combination.

また、複数の波長を使用する場合には、各波長のパワー密度および強度に差をつけることで、被写体内の観察したい部分を、より強調することも可能である。図7は、本発明の実施の形態1における照明装置100と、キセノン照明とによる被写体観察像の比較結果を示す説明図である。   In addition, when using a plurality of wavelengths, it is possible to further emphasize a portion to be observed in the subject by making a difference in power density and intensity of each wavelength. FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a comparison result of subject observation images obtained by the illumination device 100 according to Embodiment 1 of the present invention and xenon illumination.

より具体的には、キセノン照明により得られる被写体観察像91と、本実施の形態1に係る照明装置100により得られる被写体観察像92とが、図7の上段に示されている。また、図7の下段には、キセノン照明および本実施の形態1に係る照明装置における、直接光、および直接光に基づいて得られる反射光または拡散光が、模式的に記載されている。   More specifically, a subject observation image 91 obtained by xenon illumination and a subject observation image 92 obtained by the illumination device 100 according to the first embodiment are shown in the upper part of FIG. Further, in the lower part of FIG. 7, direct light and reflected light or diffused light obtained based on the direct light in the illumination device according to the xenon illumination and the first embodiment are schematically described.

キセノン照明により得られる被写体観察像91に対して、照明装置100によるレーザー照明により得られる被写体観察像92は、明るく、色鮮やかに観察することができる画像となっていることがわかる。   It can be seen that the subject observation image 92 obtained by laser illumination by the illumination device 100 is an image that can be observed brightly and vividly with respect to the subject observation image 91 obtained by xenon illumination.

つまり、キセノン照明を用いる場合には、直接光94aに対する反射光94bのみが観測され、被写体観察像91が得られる結果となる。これに対して、本実施の形態1に係るレーザー照明を用いる場合には、直接光94aに対する反射光94bに加え、被写体に浸透する直接光93aに対する反射光もしくは拡散光93bが観測され、被写体観察像92が得られる結果となる。   That is, in the case of using xenon illumination, only the reflected light 94b with respect to the direct light 94a is observed, and the subject observation image 91 is obtained. On the other hand, when the laser illumination according to the first embodiment is used, reflected light or diffused light 93b with respect to the direct light 93a penetrating the subject is observed in addition to the reflected light 94b with respect to the direct light 94a. As a result, an image 92 is obtained.

すなわち、本実施の形態1に係る照明装置100は、被写体表面での反射光94bに対して、被写体に浸透後の反射光もしくは拡散光93bが加わり、3次元的な反射光を見ることができる。この結果、全体に明るく、鮮やかに被写体を観察することが可能な、被写体観察像92を得ることができる。   That is, the illumination device 100 according to the first embodiment can add three-dimensional reflected light by adding reflected light or diffused light 93b after penetrating into the subject to the reflected light 94b on the subject surface. . As a result, it is possible to obtain a subject observation image 92 that allows the subject to be observed brightly and vividly as a whole.

上述した具体例のように、本実施の形態1に係る照明装置100は、運用目的に応じて、必要な発光部を適宜発光させることのできる構成を備えている。このような構成により、目、皮膚等に有害な紫外線領域、熱線として影響のある近赤外線領域など、不必要な光を発生させずに、発光波長を適切に制御することができる。この結果、適切に制御された波長帯域の光を選択発光可能とすることで、高精度、かつ高効率な光源を実現することができる。   Like the specific example mentioned above, the illuminating device 100 which concerns on this Embodiment 1 is equipped with the structure which can be made to light-emit a required light emission part suitably according to the operation objective. With such a configuration, it is possible to appropriately control the emission wavelength without generating unnecessary light such as an ultraviolet ray region harmful to eyes and skin, a near infrared ray region having an influence as heat rays, and the like. As a result, a light source with high accuracy and high efficiency can be realized by making it possible to selectively emit light in a wavelength band that is appropriately controlled.

なお、発光素子は、それぞれの波長ごとに、1個のみを使用してもよいが、図5のように、1つのレーザー発光部40内に発光素子41を複数備えた構成を採用することもできることはいうまでもない。レーザー発光制御部10は、通常状態では、発光素子41aを発光させるが、なんらかの理由で発光素子41aが発光しなくなった場合には、発光素子41bに切り替えるよう制御する。   In addition, although only one light emitting element may be used for each wavelength, a configuration in which a plurality of light emitting elements 41 are provided in one laser light emitting unit 40 as illustrated in FIG. 5 may be employed. Needless to say, it can be done. In the normal state, the laser light emission control unit 10 causes the light emitting element 41a to emit light, but when the light emitting element 41a stops emitting light for some reason, it controls to switch to the light emitting element 41b.

このような制御を行うために、発光素子41a、41bごとに、個別の検知回路32a、32bを備えておく。そして、発光素子駆動回路31は、検知回路32aにて検出された電流が閾値電流特性例のA点以下であったときに、発光素子41aの発光が止まっている可能性が高いと判断できる。そこで、発光素子駆動回路31は、この情報を元に、自己診断として、ユーザに対して、発光素子41aに寿命が来たことをなんらかの方法で告知する。   In order to perform such control, individual detection circuits 32a and 32b are provided for each of the light emitting elements 41a and 41b. Then, the light emitting element drive circuit 31 can determine that there is a high possibility that the light emission of the light emitting element 41a has stopped when the current detected by the detection circuit 32a is equal to or less than the point A of the threshold current characteristic example. Therefore, the light emitting element driving circuit 31 notifies the user that the life of the light emitting element 41a has come to some extent as a self-diagnosis based on this information.

一方、レーザー発光制御部10は、発光素子駆動回路31から、発光素子41aに寿命が来たことを知らせる自己診断結果を受信した場合には、発光素子41aから発光素子41bへの切り替え制御を行うことで、光源としての発光を継続させることができる。   On the other hand, when the laser light emission control unit 10 receives a self-diagnosis result from the light emitting element drive circuit 31 informing that the light emitting element 41a has reached the end of its life, it performs switching control from the light emitting element 41a to the light emitting element 41b. Thus, the light emission as the light source can be continued.

なお、発光素子駆動回路31は、自己診断機能として、検知回路に32で検出された電流の経年変化に基づいて行うこともできる。つまり、発光素子駆動回路31は、照明装置100の使用中に、徐々に検出電流が下がり、たとえば、A点よりも若干高い値まで落ちたところで、発光停止が近いと判断し、発光素子41に寿命が近づいてきているとして、事前に異常を知らしめることができる。   In addition, the light emitting element drive circuit 31 can also be performed based on the secular change of the electric current detected by 32 in the detection circuit as a self-diagnosis function. That is, the light emitting element drive circuit 31 determines that the light emission stop is near when the detected current gradually decreases during use of the lighting device 100, for example, when the light emitting element drive circuit 31 has dropped to a value slightly higher than the point A. As the life is approaching, an abnormality can be notified in advance.

なお、レーザー発光部40の発光波長は、必要とされる波長であれば、いずれであってもよい。つまり、レーザー発光部40(1)は、波長を450nmとする必要はなく、可視光としての青色を構成できるもので選択すれば、たとえば、440nmあるいは460nmであってもよい。   The light emission wavelength of the laser light emitting unit 40 may be any as long as it is a required wavelength. In other words, the laser emission unit 40 (1) does not need to have a wavelength of 450 nm, and may be 440 nm or 460 nm, for example, if it is selected so as to be capable of forming blue as visible light.

また、発光波長と同様に、波長帯域幅に関しても、必要とされる範囲によって決めることができる、上述したように、波長帯域幅は、±2nmでなくとも、たとえば人体へ影響がない範囲であれば、±10nm程度であってもかまわない。   Similarly to the emission wavelength, the wavelength bandwidth can be determined by the required range. As described above, even if the wavelength bandwidth is not ± 2 nm, for example, it may be a range that does not affect the human body. For example, it may be about ± 10 nm.

蛍光血管造影剤の励起光波長を発光するレーザー発光部40(4)も、レーザー発光部40(1)〜40(3)と同様に、いずれの波長帯域であってもよい。つまり、レーザー発光部40(4)の波長は、780±2nmでなくとも、たとえば、励起効率のピーク付近の800nm±5nmであってもかまわない。   The laser light emitting unit 40 (4) that emits the excitation light wavelength of the fluorescent angiographic agent may be in any wavelength band, similar to the laser light emitting units 40 (1) to 40 (3). That is, the wavelength of the laser light emitting unit 40 (4) may not be 780 ± 2 nm but may be, for example, 800 nm ± 5 nm near the peak of the excitation efficiency.

また、レーザー発光部40(4)の波長は、インドシアニングリーン用でなくとも、他の蛍光血管造影剤の励起光波長、たとえばフルオレセインの490nm近辺、5ALAの400nm周辺などであっても、まったく差し支えない。   Further, the wavelength of the laser emission section 40 (4) is not limited to that for indocyanine green, but may be the excitation light wavelength of other fluorescent angiography agents, for example, around 490 nm of fluorescein, around 400 nm of 5 ALA, etc. Absent.

さらに、可視光を構成する波長と、蛍光血管造影剤の励起光波長とを共用してもよい。たとえば、レーザー発光部40(1)の青色を、フルオレセイン蛍光血管造影剤の励起光周辺である490nmとしてもよい。この場合、可視光照明としての使用時には、レーザー発光制御部10は、レーザー発光部40(1)を、レーザー発光部40(2)およびレーザー発光部40(3)とともに発光させることで、可視の白色光を構成することができる。   Furthermore, you may share the wavelength which comprises visible light, and the excitation light wavelength of a fluorescent angiography agent. For example, the blue color of the laser light emitting unit 40 (1) may be 490 nm that is around the excitation light of the fluorescein fluorescent angiographic agent. In this case, at the time of use as visible light illumination, the laser light emission control unit 10 causes the laser light emission unit 40 (1) to emit light together with the laser light emission unit 40 (2) and the laser light emission unit 40 (3). White light can be configured.

一方、蛍光血管造影観察時には、レーザー発光制御部10は、レーザー発光部40(1)のみを発光させるように制御することで、目的に応じて、レーザー発光部40を効率的に利用できる。   On the other hand, at the time of fluorescent angiography observation, the laser emission control unit 10 can efficiently use the laser emission unit 40 according to the purpose by controlling only the laser emission unit 40 (1) to emit light.

また、本実施の形態1に係る照明装置100で利用される発光素子は、LED、あるいは半導体レーザーには限定されない。波長および帯域が制御可能なものであれば、その他のレーザー素子あるいは発光素子であってもよいことは、いうまでもない。   Further, the light emitting element used in the illumination device 100 according to the first embodiment is not limited to an LED or a semiconductor laser. It goes without saying that other laser elements or light emitting elements may be used as long as the wavelength and band can be controlled.

上述した本実施の形態1に係る照明装置は、以下のような効果を有する。
(効果1)本発明によれば、必要な波長を必要なパワー密度で発光することで、被写体、特に生体に対して、深部からの反射光を得ることができる第1の構成を備えている。この結果、被写体全体が明るく鮮明となる。また、この第1の構成を備えることで、さらに、被写体表面だけでなく、深部の観察光像を得ることができる。
The lighting device according to the first embodiment described above has the following effects.
(Effect 1) According to the present invention, there is provided a first configuration capable of obtaining reflected light from a deep part on a subject, particularly a living body, by emitting light at a necessary power density at a necessary power density. . As a result, the entire subject becomes bright and clear. Further, by providing this first configuration, it is possible to obtain not only the object surface but also a deep observation light image.

(効果2)本発明によれば、必要な波長を必要とされるときに発光可能とする第2の構成を備えている。この結果、不要な波長の光成分を抑制でき、被写体あるいは術者、観察者に対しての悪影響を抑制することができる。また、この第2の構成を備えることで、さらに、効率がよいとともに、被写体からの蛍光を得るために必要な励起光波長を、選択的に照射することが可能となる。   (Effect 2) According to the present invention, the second configuration is provided that enables light emission when a required wavelength is required. As a result, light components with unnecessary wavelengths can be suppressed, and adverse effects on the subject, the surgeon, and the observer can be suppressed. Further, by providing this second configuration, it is possible to further irradiate selectively the excitation light wavelength necessary for obtaining the fluorescence from the subject as well as improving the efficiency.

(効果3)本発明によれば、発光手段として半導体レーザーを使用できる第3の構成を備えている。この結果、より高出力で波長制限が容易な光源を得ることができる。   (Effect 3) According to the present invention, there is provided a third configuration in which a semiconductor laser can be used as the light emitting means. As a result, it is possible to obtain a light source with higher output and easier wavelength limitation.

(効果4)本発明によれば、発光手段としてレーザーのような固体デバイスを使用できる第4の構成を備えている。この結果、固体デバイスの経年変化の特性を利用することで、発光状態の検知結果に基づいて、固体デバイスの自己診断機能を実現することが可能となる。   (Effect 4) According to the present invention, there is provided a fourth configuration in which a solid state device such as a laser can be used as the light emitting means. As a result, the self-diagnosis function of the solid state device can be realized based on the detection result of the light emission state by utilizing the aging characteristics of the solid state device.

10 レーザー発光制御部、30、30(1)〜30(4) レーザー駆動部、31 発光素子駆動回路、32a、32b 検知回路、40、40(1)〜40(4) レーザー発光部、41a、41b 発光素子、42 温度センサー、43 冷却装置、60 レーザー光混合用のロッドインテグレーター(混合部)、93a 浸透した直接光、93b 浸透した直接光の反射光もしくは拡散光、94a 直接光、94b 直接光の反射光、100 照明装置。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laser light emission control part, 30, 30 (1) -30 (4) Laser drive part, 31 Light emitting element drive circuit, 32a, 32b Detection circuit, 40, 40 (1) -40 (4) Laser light emission part, 41a, 41b Light emitting element, 42 Temperature sensor, 43 Cooling device, 60 Rod integrator for laser beam mixing (mixing part), 93a Directly penetrated light, 93b Reflected or diffused light of penetrated direct light, 94a Direct light, 94b Direct light Reflected light, 100 lighting equipment.

Claims (10)

半導体レーザーの発光素子を光源に用いて被写体を照射する照明装置であって、
波長帯域の異なる複数の発光を行う複数の発光部と、
前記複数の発光部のそれぞれにおける前記発光素子の発光出力を制御する発光制御部と、
複数の発光部からの発光出力を混合し、前記被写体に照射する出力光を生成する混合部と、
を備え、
前記発光制御部は、前記複数の発光部のそれぞれの前記発光出力について、波長およびパワー密度を制御し、前記被写体の深部から反射光を得る
照明装置。
An illumination device for irradiating a subject using a light emitting element of a semiconductor laser as a light source,
A plurality of light emitting sections for emitting a plurality of light having different wavelength bands;
A light emission control unit for controlling a light emission output of the light emitting element in each of the plurality of light emitting units;
A mixing unit that mixes light emission outputs from a plurality of light emitting units, and generates output light that irradiates the subject;
With
The light emission control unit controls a wavelength and a power density for each of the light emission outputs of the plurality of light emitting units, and obtains reflected light from a deep part of the subject.
前記複数の発光部は、
第1の波長帯域を発光する第1の発光部と、
前記第1の波長帯域を含まない第2の波長帯域を発光する第2の発光部と、
前記第1の波長帯域および前記第2の波長帯域を含まない第3の波長帯域を発光する第3の発光部と、
前記第1の波長帯域、前記第2の波長帯域、および前記第3の波長帯域を含まない第4の波長帯域を発光する第4の発光部と、
を有し、
前記発光制御部は、前記第1の発光部、前記第2の発光部、前記第3の発光部、および前記第4の発光部のそれぞれの前記発光出力を制御し、
前記混合部は、前記第1の発光部、前記第2の発光部、前記第3の発光部、および前記第4の発光部のそれぞれの出力を混合し、前記出力光を生成する
請求項1に記載の照明装置。
The plurality of light emitting units are:
A first light emitting unit that emits light in a first wavelength band;
A second light emitting unit that emits light in a second wavelength band not including the first wavelength band;
A third light emitting unit that emits a third wavelength band not including the first wavelength band and the second wavelength band;
A fourth light emitting unit that emits a fourth wavelength band not including the first wavelength band, the second wavelength band, and the third wavelength band;
Have
The light emission control unit controls the light emission output of each of the first light emitting unit, the second light emitting unit, the third light emitting unit, and the fourth light emitting unit,
2. The mixing unit mixes outputs of the first light emitting unit, the second light emitting unit, the third light emitting unit, and the fourth light emitting unit to generate the output light. The lighting device described in 1.
前記発光制御部は、前記複数の発光部について、複数もしくは単独で前記発光出力を制御する
請求項1または2に記載の照明装置。
The lighting device according to claim 1, wherein the light emission control unit controls the light emission output for a plurality of or a plurality of light emitting units.
前記複数の発光部のそれぞれについて、前記発光素子の順方向電流を測定する検知回路をさらに備え、
前記発光制御部は、前記検知回路によって測定された前記順方向電流が、それぞれの発光部に対してあらかじめ決められた電流範囲となるように、前記それぞれの発光部を制御する
請求項1から3のいずれか1項に記載の照明装置。
For each of the plurality of light emitting units, further comprising a detection circuit for measuring a forward current of the light emitting element,
The light emission control unit controls each of the light emitting units such that the forward current measured by the detection circuit falls within a predetermined current range for each light emitting unit. The illumination device according to any one of the above.
前記発光制御部は、前記検知回路によって測定された前記順方向電流が前記電流範囲よりも低下することで、対応する発光部が劣化したと判断する自己診断機能を有する
請求項4に記載の照明装置。
The illumination according to claim 4, wherein the light emission control unit has a self-diagnosis function that determines that the corresponding light emission unit has deteriorated when the forward current measured by the detection circuit is lower than the current range. apparatus.
前記複数の発光部のそれぞれは、第1の発光素子と第2の発光素子を有し、
前記発光制御部は、前記第1の発光素子を制御している際に、前記自己診断機能により前記第1の発光素子が劣化したと判断した場合には、前記第1の発光素子から前記第2の発光素子に制御対象を切り換え、発光を継続させる
請求項5に記載の照明装置。
Each of the plurality of light emitting units includes a first light emitting element and a second light emitting element,
When the light emission control unit determines that the first light emitting element has deteriorated due to the self-diagnosis function while controlling the first light emitting element, the light emitting control unit starts from the first light emitting element. The lighting device according to claim 5, wherein the control target is switched to the two light emitting elements to continue light emission.
前記複数の発光部のそれぞれについて、前記発光素子の温度を検出する温度センサーと、
前記発光素子を冷却する冷却装置と、
をさらに備え、
前記発光制御部は、前記温度センサーによって検出された前記発光素子の温度がそれぞれの発光部に対してあらかじめ決められた温度範囲を超える場合には、前記冷却装置により前記発光素子の温度が前記温度範囲内となるようにそれぞれの発光部を制御する
請求項1から6のいずれか1項に記載の照明装置。
For each of the plurality of light emitting units, a temperature sensor that detects the temperature of the light emitting element;
A cooling device for cooling the light emitting element;
Further comprising
When the temperature of the light emitting element detected by the temperature sensor exceeds a predetermined temperature range for each light emitting unit, the light emission control unit causes the temperature of the light emitting element to be reduced by the cooling device. The lighting device according to any one of claims 1 to 6, wherein each light emitting unit is controlled so as to be within a range.
前記複数の発光部は、蛍光血管造影剤であるインドシアニングリーンの励起波長にて発光する発光部を含む
請求項1から7のいずれか1項に記載の照明装置。
The lighting device according to claim 1, wherein the plurality of light emitting units include a light emitting unit that emits light at an excitation wavelength of indocyanine green that is a fluorescent angiographic contrast agent.
前記複数の発光部は、蛍光血管造影剤であるフルオレセインの励起波長にて発光する発光部を含む
請求項1から7のいずれか1項に記載の照明装置。
The lighting device according to any one of claims 1 to 7, wherein the plurality of light emitting units include a light emitting unit that emits light at an excitation wavelength of fluorescein that is a fluorescent angiographic contrast agent.
前記複数の発光部は、蛍光血管造影剤である5ALAの励起波長にて発光する発光部を含む
請求項1から7のいずれか1項に記載の照明装置。
The illuminating device according to claim 1, wherein the plurality of light emitting units include a light emitting unit that emits light at an excitation wavelength of 5 ALA that is a fluorescent angiographic contrast agent.
JP2018100928A 2018-05-25 2018-05-25 Luminaire Pending JP2019204756A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018100928A JP2019204756A (en) 2018-05-25 2018-05-25 Luminaire

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018100928A JP2019204756A (en) 2018-05-25 2018-05-25 Luminaire

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019204756A true JP2019204756A (en) 2019-11-28

Family

ID=68727281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018100928A Pending JP2019204756A (en) 2018-05-25 2018-05-25 Luminaire

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019204756A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015077335A (en) * 2013-10-18 2015-04-23 三菱電機エンジニアリング株式会社 Light source device
WO2017216878A1 (en) * 2016-06-14 2017-12-21 オリンパス株式会社 Endoscope device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015077335A (en) * 2013-10-18 2015-04-23 三菱電機エンジニアリング株式会社 Light source device
WO2017216878A1 (en) * 2016-06-14 2017-12-21 オリンパス株式会社 Endoscope device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103796571B (en) Endoscopic system
JP5227811B2 (en) Ophthalmic equipment
CN107529978B (en) Light source device, light source driving method and observation device
US10779716B2 (en) Light source system, light source control method, first light source apparatus, and endoscope system
JP2015077335A (en) Light source device
JP2013514137A (en) Photonic lattice LED for eyeball illumination
JP6827512B2 (en) Endoscope system
US11076106B2 (en) Observation system and light source control apparatus
US20090016075A1 (en) Semiconductor lighting in console system for illuminating biological tissues
JP2011206227A (en) Endoscopic system
Clancy et al. Development and evaluation of a light-emitting diode endoscopic light source
CN112043240A (en) Light source, system for fluorescence diagnosis and method for fluorescence diagnosis
US20170264078A1 (en) Illumination apparatus and endoscope including the illumination apparatus
JP6927210B2 (en) Observation device
JPWO2016027717A1 (en) Light source device
JP2004504072A (en) Portable system for detecting skin abnormalities
JP2022015779A (en) Luminaire and endoscope apparatus
US20150105668A1 (en) Endoscopic, Exoscopic Or Microscopic Apparatus For Fluorescence Diagnosis
JP2019204756A (en) Luminaire
JP6785940B2 (en) White light source with tunable color temperature
SI21782A (en) Slot lamp with white or colour adjustable led
KR20180070250A (en) Optical imaging apparatus including wavelength converting light source and method for generating optical image using the same
KR102368406B1 (en) light source device
JP7441822B2 (en) Medical control equipment and medical observation equipment
JP2005168828A (en) Autologous fluorescence electronic endoscope apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210309

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220118

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220705