JP2019197123A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表示領域を囲む遮光層が設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device provided with a light shielding layer surrounding a display area, and an electronic apparatus.
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置（液晶装置）では、第１基板および第２基板のうちの一方側から入射した光を電気光学層で変調して画像を表示する。かかる電気光学装置では、画像の周りで余計な光が視認されると画像の品位が低下することから、第２基板には表示領域に遮光性の見切りが設けられている。また、第１基板に設けた画素トランジスターに光が入射すると、光電流に起因してトランジスター特性が劣化することから、第２基板において画素トランジスターに平面視で重なる遮光層を設けた構成が提案されている。 In an electro-optical device (liquid crystal device) used as a light valve or the like of a projection display device, light incident from one side of a first substrate and a second substrate is modulated by an electro-optical layer to display an image. In such an electro-optical device, when extra light is visually recognized around the image, the quality of the image is deteriorated. Therefore, the second substrate is provided with a light blocking part in the display area. In addition, when light is incident on the pixel transistor provided on the first substrate, the transistor characteristics deteriorate due to the photocurrent. Therefore, a configuration in which a light-shielding layer that overlaps the pixel transistor in plan view on the second substrate is provided. ing.
しかしながら、画素トランジスターに平面視で重なる遮光層がクロム等の光吸収性材料からなる場合、遮光層での光吸収によって、電気光学装置の温度が上昇してしまう。また、画素トランジスターに平面視で重なる遮光層をアルミニウム等の光反射性金属からなる場合でも、反射率が十分でないため、電気光学装置の温度が上昇してしまう。そこで、遮光層においてアルミニウム等の光反射性の金属層に対して誘電体多層膜を積層し、遮光層の反射率を高めた構成が提案されている（特許文献１参照）。 However, when the light shielding layer overlapping the pixel transistor in a plan view is made of a light absorbing material such as chromium, the temperature of the electro-optical device rises due to light absorption by the light shielding layer. Even when the light-shielding layer that overlaps the pixel transistor in plan view is made of a light-reflecting metal such as aluminum, the reflectivity is not sufficient, and the temperature of the electro-optical device rises. In view of this, a configuration has been proposed in which a dielectric multilayer film is laminated on a light-reflective metal layer such as aluminum in the light-shielding layer to increase the reflectance of the light-shielding layer (see Patent Document 1).
しかしながら、特許文献１には、見切りでの光の吸収を抑制する必要性については一切記載されておらず、電気光学装置の温度上昇を十分に抑制できないという問題点がある。 However, Patent Document 1 does not describe the necessity of suppressing the absorption of light at a parting time, and has a problem that the temperature increase of the electro-optical device cannot be sufficiently suppressed.
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、見切りを構成する遮光層での光の反射率を高めた電気光学装置、および電子機器を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus in which light reflectance at a light-shielding layer constituting a parting is increased.
上記課題を解決するために、本発明を適用した電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、表示領域を囲むように前記第２基板の一方面側に設けられた第１遮光層と、を有し、前記第１遮光層は、反射性の金属層と、前記金属層に重なるように設けられ、第１誘電体層と前記第１誘電体層より屈折率が大きい第２誘電体層とが積層された増反射層と、を有することを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, an aspect of the electro-optical device to which the invention is applied includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, and between the first substrate and the second substrate. And a first light-shielding layer provided on one surface side of the second substrate so as to surround the display region, the first light-shielding layer comprising a reflective metal layer And an increased reflection layer that is provided so as to overlap the metal layer and in which a first dielectric layer and a second dielectric layer having a refractive index larger than that of the first dielectric layer are laminated. .
本発明において、第２基板には、表示領域の周りに見切り用の第１遮光層が設けられているため、画像の周りで余計な光が視認されることを抑制することができる。また、第１遮光層は、金属層を有するとともに、第１誘電体層と第２誘電体層とが積層された増反射層が金属層に重なるように設けられているため、第１遮光層は、金属層単独の場合より反射率が高い。従って、第１遮光層が光源からの光を吸収することに起因する電気光学装置の温度上昇を抑制することができる。 In the present invention, since the first light-shielding layer for parting is provided around the display area on the second substrate, it is possible to suppress extra light from being visually recognized around the image. In addition, since the first light shielding layer includes the metal layer and the increased reflection layer in which the first dielectric layer and the second dielectric layer are stacked is provided so as to overlap the metal layer, the first light shielding layer. Has a higher reflectivity than the metal layer alone. Accordingly, the temperature increase of the electro-optical device due to the first light shielding layer absorbing light from the light source can be suppressed.
本発明において、前記金属層の縁、前記第１誘電体層の縁、および前記第２誘電体層の縁が平面視で重なっている態様を採用することができる。かかる態様によれば、金属層、第１誘電体層、および第２誘電体層を、エッチングマスクを変えずに、連続的にパターニングすることができる。 In the present invention, it is possible to adopt a mode in which the edge of the metal layer, the edge of the first dielectric layer, and the edge of the second dielectric layer overlap in plan view. According to this aspect, the metal layer, the first dielectric layer, and the second dielectric layer can be continuously patterned without changing the etching mask.
本発明において、前記第２基板の一方面側には複数のレンズが設けられ、前記第１遮光層は、前記第２基板の一方面側に設けられ、前記複数のレンズは各々、前記第２基板の一方面側に設けられた複数の凹曲面と、前記複数の凹曲面の内部を埋めるように設けられ、前記第２基板より屈折率が大きいレンズ層とによって構成されている態様を採用することができる。かかる態様によれば、レンズおよび第１遮光層の形成を第２基板の一方面側に対してのみ行えばよいので、第１遮光層およびレンズを第２基板の異なる面に設ける場合に比べて、生産性が高いという利点がある。 In the present invention, a plurality of lenses are provided on one surface side of the second substrate, the first light shielding layer is provided on one surface side of the second substrate, and each of the plurality of lenses is the second surface. A mode is adopted in which a plurality of concave curved surfaces provided on one surface side of the substrate and a lens layer provided so as to fill the inside of the plurality of concave curved surfaces and having a refractive index higher than that of the second substrate are adopted. be able to. According to this aspect, since the lens and the first light shielding layer need only be formed on one surface side of the second substrate, compared to the case where the first light shielding layer and the lens are provided on different surfaces of the second substrate. The advantage is high productivity.
本発明において、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、前記レンズ層と前記金属層との間に積層されている態様を採用することができる。この場合、前記レンズ層は、酸窒化シリコンであり、前記第１誘電体層は、酸化シリコンであり、前記第２誘電体層は、窒化シリコンである態様を採用することができる。かかる態様によれば、ＣＶＤ法等を利用した成膜工程において、反応室に供給するガスの一部を切り換えることにより、酸窒化シリコンからなるレンズ層、酸化シリコンからなる第１誘電体層、および窒化シリコンからなる第２誘電体層を順に成膜することができるので、生産性が高いという利点がある。 In the present invention, the first dielectric layer and the second dielectric layer may be stacked between the lens layer and the metal layer. In this case, the lens layer may be silicon oxynitride, the first dielectric layer may be silicon oxide, and the second dielectric layer may be silicon nitride. According to this aspect, in the film forming process using the CVD method or the like, by switching a part of the gas supplied to the reaction chamber, the lens layer made of silicon oxynitride, the first dielectric layer made of silicon oxide, and Since the second dielectric layer made of silicon nitride can be sequentially formed, there is an advantage that productivity is high.
本発明において、前記第１基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、前記第２基板の一方面側に設けられ、前記複数の画素電極の各間に平面視で重なる第２遮光層と、を有し、前記第２遮光層は、前記第１遮光層の前記金属層と同層の金属層と、前記第１遮光層の前記増反射層と同層の増反射層とを有する態様を採用することができる。 In the present invention, a plurality of pixel electrodes provided on one side of the first substrate and a second light-shielding provided on one side of the second substrate and overlapping each of the plurality of pixel electrodes in plan view. The second light-shielding layer includes: a metal layer that is the same as the metal layer of the first light-shielding layer; and a reflection-enhancing layer that is the same layer as the reflective layer of the first light-shielding layer. The aspect which has can be employ | adopted.
本発明を適用した電気光学装置は、投射型表示装置や直視型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。また、電子機器が、波長域が異なる複数の色光の各々に対応する複数の前記電気光学装置と、前記複数の前記電気光学装置の各々から出射された前記複数の色光を合成する色合成光学系と、を有する場合、前記複数の電気光学装置のうち、前記波長域が長波長域の色光に対応する電気光学装置は、前記波長域が短波長域の色光に対応する電気光学装置より、前記誘電体層の厚さが厚いことが好ましい。かかる態様によれば、複数の電気光学装置の各々において、入射する色光を第１遮光層によって適正に反射することができる。 The electro-optical device to which the present invention is applied can be used in various electronic apparatuses such as a projection display device and a direct-view display device. When an electro-optical device is used as a projection display device among electronic devices, the projection display device projects a light source unit that emits light supplied to the electro-optical device and light modulated by the electro-optical device. A projection optical system. Further, the electronic apparatus combines the plurality of electro-optical devices corresponding to each of a plurality of color lights having different wavelength ranges, and a color combining optical system that combines the plurality of color lights emitted from each of the plurality of electro-optical devices. And, among the plurality of electro-optical devices, the electro-optical device corresponding to the color light of which the wavelength region is a long wavelength region, the electro-optical device corresponding to the color light of which the wavelength region is a short wavelength region, The dielectric layer is preferably thick. According to this aspect, the incident color light can be appropriately reflected by the first light shielding layer in each of the plurality of electro-optical devices.
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明においては、第１基板に形成された第１電極が画素電極であり、第２基板に形成された第２電極が共通電極である場合を中心に説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings to be referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing. In the following description, the description is focused on the case where the first electrode formed on the first substrate is a pixel electrode and the second electrode formed on the second substrate is a common electrode.
［実施形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。
[Embodiment 1]
(Configuration of electro-optical device)
FIG. 1 is a plan view of an electro-optical device 100 according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the electro-optical device 100 shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, in the electro-optical device 100, the first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded to each other with a sealant 107 through a predetermined gap, and the first substrate 10 and the second substrate are combined. 20 is facing. The sealing material 107 is provided in a frame shape along the outer edge of the second substrate 20, and an electro-optic such as a liquid crystal layer is formed in a region surrounded by the sealing material 107 between the first substrate 10 and the second substrate 20. Layer 80 is disposed. Accordingly, the electro-optical device 100 is configured as a liquid crystal device. The sealing material 107 is a photo-curing adhesive or a photo-curing and thermo-curing adhesive, such as glass fiber or glass beads for setting the distance between both substrates to a predetermined value. Gap material is blended. The first substrate 10 and the second substrate 20 are both square, and a display area 10 a is provided as a square area in the approximate center of the electro-optical device 100. Corresponding to such a shape, the sealing material 107 is also provided in a substantially square shape.
第１基板１０の第２基板２０側の面（一方面１０ｓ）側には、表示領域１０ａの外側の周辺領域１０ｂに、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。 On the surface (one surface 10s) side of the first substrate 10 on the second substrate 20 side, in the peripheral region 10b outside the display region 10a, the data line driving circuit 101 and a plurality of terminals along one side of the first substrate 10 are provided. 102 is formed, and a scanning line driving circuit 104 is formed along another side adjacent to the one side. A flexible wiring substrate (not shown) is connected to the terminal 102, and various potentials and various signals are input to the first substrate 10 through the flexible wiring substrate.
第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａには、第１電極としての複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続する画素トランジスター（図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。 In one surface 10s of the first substrate 10, the display region 10a includes a plurality of pixel electrodes 9a as first electrodes and pixel transistors (not shown) electrically connected to each of the plurality of pixel electrodes 9a. It is formed in a shape. A first alignment film 16 is formed on the second substrate 20 side with respect to the pixel electrode 9 a, and the pixel electrode 9 a is covered with the first alignment film 16.
第２基板２０において第１基板１０と対向する面（一方面２０ｓ）側には、第２電極としての共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。 A common electrode 21 as a second electrode is formed on the surface (one surface 20 s) facing the first substrate 10 in the second substrate 20, and the first electrode 10 side with respect to the common electrode 21 is a first electrode. A two-alignment film 26 is formed. The common electrode 21 is formed on substantially the entire surface of the second substrate 20 and is covered with the second alignment film 26.
第２基板２０一方面２０ｓ側において、共通電極２１に対して第１基板１０とは反対側には遮光層２７が形成されている。遮光層２７は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在して表示領域１０ａの周りを囲む見切り用の第１遮光層２７ａとして形成されている。また、遮光層２７は、後述するように、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に第２遮光層として形成されることもある。 A light shielding layer 27 is formed on the side opposite to the first substrate 10 with respect to the common electrode 21 on the one surface 20 s side of the second substrate 20. The light shielding layer 27 is formed as a first light shielding layer 27a for parting extending along the outer peripheral edge of the display region 10a and surrounding the display region 10a. Further, as will be described later, the light shielding layer 27 may be formed as a second light shielding layer in a region overlapping with a region sandwiched between adjacent pixel electrodes 9a in plan view.
本実施形態において、第１基板１０の表示領域１０ａを囲む周辺領域１０ｂのうち、第１遮光層２７ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。 In the present embodiment, a dummy pixel electrode 9b formed simultaneously with the pixel electrode 9a is formed in a region overlapping the first light shielding layer 27a in a plan view in the peripheral region 10b surrounding the display region 10a of the first substrate 10. ing.
第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。 The first alignment film 16 and the second alignment film 26 are inorganic alignment films (vertical alignment films) made of oblique vapor deposition films such as SiO x (x <2), SiO 2 , TiO 2 , MgO, Al 2 O 3. The liquid crystal molecules having negative dielectric anisotropy used for the electro-optic layer 80 are tilted and aligned. For this reason, the liquid crystal molecules form a predetermined angle with respect to the first substrate 10 and the second substrate 20. In this manner, the electro-optical device 100 is configured as a VA (Vertical Alignment) mode liquid crystal device.
第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。 The first substrate 10 has an inter-substrate conduction electrode for providing electrical continuity between the first substrate 10 and the second substrate 20 in a region overlapping the corner portion of the second substrate 20 outside the sealing material 107. 109 is formed. The inter-substrate conducting electrode 109 is provided with an inter-substrate conducting material 109 a containing conductive particles, and the common electrode 21 of the second substrate 20 is interposed between the inter-substrate conducting material 109 a and the inter-substrate conducting electrode 109. And electrically connected to the first substrate 10 side. For this reason, a common potential is applied to the common electrode 21 from the first substrate 10 side.
本実施形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、図２に矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。 In the electro-optical device 100 of the present embodiment, the pixel electrode 9a and the common electrode 21 are formed of a light-transmitting conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film. Is configured as a transmissive liquid crystal device. In the electro-optical device 100, the light incident from one of the first substrate 10 and the second substrate 20 is modulated while being transmitted through the other substrate, and an image is displayed. In the present embodiment, as indicated by an arrow L in FIG. 2, the light incident from the second substrate 20 is modulated for each pixel by the electro-optic layer 80 while being transmitted through the first substrate 10 and emitted, and an image is converted. indicate.
なお、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の電気光学装置１００では、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。 When the electro-optical device 100 is a reflective liquid crystal device, the common electrode 21 is formed of a light-transmitting conductive film such as an ITO film or an IZO film, and the pixel electrode 9a is a reflective conductive film such as an aluminum film. It is formed by. In the reflection type electro-optical device 100, light incident from the second substrate 20 side is modulated while being reflected and emitted by the first substrate 10, and an image is displayed.
（第２基板２０側のレンズ２４の構成）
図３は、図２に示すレンズ２４等の断面構成を模式的に示す説明図である。図４は、図３に示す複数のレンズ２４の平面的な位置関係を示す説明図である。
(Configuration of the lens 24 on the second substrate 20 side)
FIG. 3 is an explanatory diagram schematically showing a cross-sectional configuration of the lens 24 and the like shown in FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a planar positional relationship between the plurality of lenses 24 shown in FIG.
図３に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、データ線や走査線等の遮光層１７、画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０と第１基板１０との間の遮光層８が形成されており、遮光層８、１７、および画素トランジスター３０は光を透過しない。このため、第１基板１０では、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層８、１７や画素トランジスター３０と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極９ａに挟まれた領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域１５ｂになっている。これに対して、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、遮光層８、１７や画素トランジスター３０と平面視で重ならない領域は光を透過する開口領域１５ａ（透光領域）になっている。従って、開口領域１５ａを透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域１５ｂに向かう光は、画像の表示に寄与しない。 As shown in FIG. 3, on the one surface 10 s side of the first substrate 10, a light shielding layer 17 such as a data line or a scanning line, a pixel transistor 30, and a light shielding layer 8 between the pixel transistor 30 and the first substrate 10. The light shielding layers 8 and 17 and the pixel transistor 30 do not transmit light. For this reason, in the first substrate 10, the region overlapping the pixel electrode 9 a in plan view, the region overlapping the light shielding layers 8 and 17 and the pixel transistor 30 in plan view, and the region sandwiched between adjacent pixel electrodes 9 a and the plane. A region overlapping in view is a light shielding region 15b that does not transmit light. On the other hand, of the region overlapping with the pixel electrode 9a in plan view, the region not overlapping with the light shielding layers 8 and 17 and the pixel transistor 30 in plan view is an opening region 15a (translucent region) that transmits light. . Therefore, only the light transmitted through the opening region 15a contributes to the image display, and the light traveling toward the light shielding region 15b does not contribute to the image display.
そこで、本実施形態では、図２および図３に示すように、第２基板２０は、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視（第２基板２０に対して垂直な方向からみた状態）で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が形成されたレンズアレイ基板として構成されており、レンズ２４は、第１基板１０の開口領域１５ａに光を導く役割を果たしている。 Therefore, in the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the second substrate 20 is viewed in plan with respect to each of the plurality of pixel electrodes 9a (a state viewed from a direction perpendicular to the second substrate 20). The lens 24 is configured as a lens array substrate on which a plurality of lenses 24 that overlap with each other in a one-to-one relationship is formed, and the lens 24 plays a role of guiding light to the opening region 15 a of the first substrate 10.
レンズ２４は、図４に示すように、隣り合うレンズ２４の少なくとも一部が接するように配列されている。本実施形態において、レンズ２４は、全周にわたって、隣りのレンズ２４と接している。 As shown in FIG. 4, the lenses 24 are arranged so that at least a part of the adjacent lenses 24 are in contact with each other. In the present embodiment, the lens 24 is in contact with the adjacent lens 24 over the entire circumference.
図３に示すように、レンズ２４を構成するにあたって、第２基板２０の一方面２０ｓには、複数の画素電極９ａの各々と一対一で重なる位置に凹曲面２０１が形成されている。また、第２基板２０には、複数の凹曲面２０１の各々の内部を埋めるレンズ層２８が設けられており、レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０は平面になっている。レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０には、透光層２９が形成されており、透光層２９の第２基板２０とは反対側の面２９０に共通電極２１が形成されている。 As shown in FIG. 3, when the lens 24 is configured, a concave curved surface 201 is formed on the one surface 20s of the second substrate 20 at a position overlapping with each of the plurality of pixel electrodes 9a. The second substrate 20 is provided with a lens layer 28 that fills each of the plurality of concave curved surfaces 201, and the surface 280 of the lens layer 28 opposite to the second substrate 20 is a flat surface. . A transparent layer 29 is formed on the surface 280 of the lens layer 28 opposite to the second substrate 20, and the common electrode 21 is formed on the surface 290 of the transparent layer 29 opposite to the second substrate 20. Has been.
レンズ層２８は、第２基板２０と屈折率が相違している。このため、凹曲面２０１によって、レンズ２４のレンズ面２４０が構成されている。本実施形態において、レンズ層２８は、第２基板２０より屈折率が大きい。このため、レンズ２４は、正のパワーを有している。本実施形態において、第２基板２０はガラス基板や石英基板（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．４８）からなり、レンズ層２８は酸窒化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．５８〜１．６８）からなる。透光層２９は酸化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．４８）からなる。 The lens layer 28 has a refractive index different from that of the second substrate 20. Therefore, the concave curved surface 201 constitutes the lens surface 240 of the lens 24. In the present embodiment, the lens layer 28 has a higher refractive index than the second substrate 20. For this reason, the lens 24 has positive power. In the present embodiment, the second substrate 20 is made of a glass substrate or a quartz substrate (refractive index near wavelength 550 nm = 1.48), and the lens layer 28 is silicon oxynitride (refractive index near wavelength 550 nm = 1.58-1). .68). The translucent layer 29 is made of silicon oxide (refractive index in the vicinity of a wavelength of 550 nm = 1.48).
（第１遮光層２７ａの詳細構成）
図３に示すように、見切り用の第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０と、金属層２７０に重なるように設けられた増反射層２７５とを有しており、増反射層２７５は、第１誘電体層２７６と第１誘電体層２７６より屈折率が大きい第２誘電体層２７７とが積層された誘電体多層膜である。
(Detailed configuration of the first light shielding layer 27a)
As shown in FIG. 3, the first light shielding layer 27 a for parting has a reflective metal layer 270 and an increased reflection layer 275 provided so as to overlap the metal layer 270, and the increased reflection layer 275. Is a dielectric multilayer film in which a first dielectric layer 276 and a second dielectric layer 277 having a higher refractive index than the first dielectric layer 276 are laminated.
反射性の金属層２７０は、アルミニウムや銀を主成分とする金属層である。本実施形態において、金属層２７０は、アルミニウムを主成分とする。 The reflective metal layer 270 is a metal layer mainly composed of aluminum or silver. In the present embodiment, the metal layer 270 contains aluminum as a main component.
第１誘電体層２７６（低屈折率層）としては、酸化シリコン、フッ化マグネシウム（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．３８〜１．４８）が挙げられる。第２誘電体層２７７（高屈折率層）としては、窒化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝２．０２）、酸化チタン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝２．３０〜２．５５）、酸化タンタル（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝２．１）等が挙げられる。 Examples of the first dielectric layer 276 (low refractive index layer) include silicon oxide and magnesium fluoride (refractive index in the vicinity of a wavelength of 550 nm = 1.38 to 1.48). As the second dielectric layer 277 (high refractive index layer), silicon nitride (refractive index near wavelength 550 nm = 2.02), titanium oxide (refractive index near wavelength 550 nm = 2.30 to 2.55), oxidation Examples include tantalum (refractive index near wavelength 550 nm = 2.1).
本実施形態において、第１誘電体層２７６は酸化シリコンであり、第２誘電体層２７７は窒化シリコンである。第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の層数の和は２以上である。また、金属層２７０の縁、第１誘電体層２７６の縁、および第２誘電体層２７７の縁は、平面視で重なっている。 In the present embodiment, the first dielectric layer 276 is silicon oxide and the second dielectric layer 277 is silicon nitride. The sum of the number of layers of the first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277 is 2 or more. Further, the edge of the metal layer 270, the edge of the first dielectric layer 276, and the edge of the second dielectric layer 277 overlap in plan view.
（電気光学装置１００の製造方法）
図５は、図３に示す電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図であり、第２基板２０にレンズ２４および第１遮光層２７ａを形成する様子を模式的に示してある。なお、第２基板２０を製造するには、単品サイズの第２基板２０より大型のマザー基板を用いるが、以下の説明では、単品サイズの第２基板２０およびマザー基板を区別せずに第２基板２０として説明する。
(Method of manufacturing electro-optical device 100)
FIG. 5 is a process cross-sectional view illustrating a method for manufacturing the electro-optical device 100 illustrated in FIG. 3, and schematically illustrates the formation of the lens 24 and the first light shielding layer 27 a on the second substrate 20. In order to manufacture the second substrate 20, a mother substrate larger than the single-sized second substrate 20 is used. However, in the following description, the second substrate 20 and the mother substrate having the single-sized size are not distinguished from each other. The substrate 20 will be described.
まず、図５に示す第１工程ＳＴ１では、第２基板２０の一方面２０ｓにエッチングマスク６１を形成する。エッチングマスク６１では、図３に示すレンズ２４を形成すべき領域が開口部６１０になっている。次に、第２工程ＳＴ２では、エッチングマスク６１の開口部６１０から第２基板２０の一方面２０ｓをエッチングし、凹曲面２０１を形成した後、エッチングマスク６１を除去する。かかる第２工程ＳＴ２では、ウエットエッチングおよびドライエッチングのいずれを利用してもよい。本実施形態では、第２工程ＳＴ２において、ふっ酸を含むエッチング液を用いてウエットエッチングを行う。かかるウエットエッチングによれば、第２基板２０の一方面２０ｓが開口部６１０から等方的にエッチングされるため、球面状の凹曲面２０１が形成される。 First, in the first step ST1 shown in FIG. 5, an etching mask 61 is formed on one surface 20s of the second substrate 20. In the etching mask 61, an area where the lens 24 shown in FIG. 3 is to be formed is an opening 610. Next, in the second step ST2, the one surface 20s of the second substrate 20 is etched from the opening 610 of the etching mask 61 to form the concave curved surface 201, and then the etching mask 61 is removed. In the second step ST2, either wet etching or dry etching may be used. In the present embodiment, wet etching is performed using an etchant containing hydrofluoric acid in the second step ST2. According to such wet etching, the one surface 20s of the second substrate 20 is isotropically etched from the opening 610, so that a spherical concave surface 201 is formed.
次に、第３工程ＳＴ３では、第２基板２０とは反対側から凹曲面２０１の内部を埋めるようにレンズ層２８を形成する。本実施形態において、レンズ層２８は、プラズマＣＶＤ等により形成された酸窒化シリコンからなる。 Next, in the third step ST3, the lens layer 28 is formed so as to fill the concave curved surface 201 from the side opposite to the second substrate 20. In the present embodiment, the lens layer 28 is made of silicon oxynitride formed by plasma CVD or the like.
次に、第４工程ＳＴ４では、レンズ層２８を第２基板２０とは反対側から平坦化し、レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０を連続した平面とする。平坦化処理として、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等を利用する。 Next, in the fourth step ST4, the lens layer 28 is flattened from the side opposite to the second substrate 20, and the surface 280 of the lens layer 28 opposite to the second substrate 20 is made a continuous plane. As the planarization process, a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process or the like is used.
次に、第５工程ＳＴ５では、レンズ層２８の面２８０に、窒化シリコンからなる第２誘電体層２７７、酸化シリコンからなる第１誘電体層２７６、および金属層２７０を積層する。その際、第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の層数の和は２以上であり、第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７からなる誘電体多層膜の上層に金属層２７０を積層する。 Next, in the fifth step ST5, a second dielectric layer 277 made of silicon nitride, a first dielectric layer 276 made of silicon oxide, and a metal layer 270 are laminated on the surface 280 of the lens layer 28. At this time, the sum of the number of layers of the first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277 is two or more, and a metal is formed on the upper layer of the dielectric multilayer film composed of the first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277. Layer 270 is stacked.
次に、金属層２７０の表面にエッチングマスク６２を形成した後、第６工程ＳＴ６では、エッチングマスク６２の開口部６２０から金属層２７０、第１誘電体層２７６、および第２誘電体層２７７を連続的にエッチングし、その後、エッチングマスク６２を除去する。その結果、図３を参照して説明した第１遮光層２７ａが形成される。かかる第１遮光層２７ａにおいて、金属層２７０の縁、第１誘電体層２７６の縁、および第２誘電体層２７７の縁は、平面視で重なっている。すなわち、第１遮光層２７ａを形成する際、エッチングマスク６２を変えずに、金属層２７０、第１誘電体層２７６、および第２誘電体層２７７を連続的にパターニングすることができる。 Next, after the etching mask 62 is formed on the surface of the metal layer 270, in the sixth step ST6, the metal layer 270, the first dielectric layer 276, and the second dielectric layer 277 are formed from the opening 620 of the etching mask 62. Etching is continuously performed, and then the etching mask 62 is removed. As a result, the first light shielding layer 27a described with reference to FIG. 3 is formed. In the first light shielding layer 27a, the edge of the metal layer 270, the edge of the first dielectric layer 276, and the edge of the second dielectric layer 277 are overlapped in plan view. That is, when forming the first light shielding layer 27a, the metal layer 270, the first dielectric layer 276, and the second dielectric layer 277 can be successively patterned without changing the etching mask 62.
しかる後には、図３を参照して説明したように、透光層２９、共通電極２１および第２配向膜２６を形成した後、電気光学装置１００を組み立てる。 After that, as described with reference to FIG. 3, the light-transmitting layer 29, the common electrode 21, and the second alignment film 26 are formed, and then the electro-optical device 100 is assembled.
（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態の電気光学装置１００において、第２基板２０には、表示領域１０ａの周りに見切り用の第１遮光層２７ａが設けられているため、画像の周りで余計な光が視認されることを抑制することができる。また、第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０を有するとともに、第１誘電体層２７６と第２誘電体層２７７とが積層された増反射層２７５が金属層２７０に重なるように設けられている。このため、第１遮光層２７ａは、金属層２７０単独の場合より反射率が高い。従って、電気光学装置１００を用いて画像を形成した際、光源からの光が第２基板２０から入射して表示領域１０ａの周りに向けて進行した場合でも、図３に矢印Ｌ１で示すように、第１遮光層２７ａに入射した光の略全体が第１遮光層２７ａによって効率よく反射され、第１遮光層２７ａでは、ほとんど吸収されない。従って、第１遮光層２７ａでの光の吸収に起因する電気光学装置１００の温度上昇を抑制することができる。それ故、電気光学層８０の熱的な劣化等を抑制することができるので、電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。
(Main effects of this embodiment)
As described above, in the electro-optical device 100 according to this embodiment, the second substrate 20 is provided with the first light-shielding layer 27a for parting around the display region 10a. It can suppress that light is visually recognized. The first light shielding layer 27 a includes the reflective metal layer 270, and is provided so that the increased reflection layer 275 in which the first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277 are stacked overlaps the metal layer 270. It has been. For this reason, the first light-shielding layer 27a has a higher reflectance than that of the metal layer 270 alone. Accordingly, when an image is formed using the electro-optical device 100, even when light from the light source is incident from the second substrate 20 and travels around the display region 10a, as shown by an arrow L1 in FIG. The substantially whole light incident on the first light shielding layer 27a is efficiently reflected by the first light shielding layer 27a, and is hardly absorbed by the first light shielding layer 27a. Therefore, the temperature increase of the electro-optical device 100 due to the light absorption by the first light shielding layer 27a can be suppressed. Therefore, since the thermal degradation or the like of the electro-optical layer 80 can be suppressed, the reliability of the electro-optical device 100 can be improved.
また、本実施形態において、第１遮光層２７ａは、第２基板２０の一方面２０ｓ側に設けられ、複数のレンズ２４は各々、第２基板２０の一方面２０ｓ側に設けられた複数の凹曲面２０１と、複数の凹曲面２０１の内部を埋めるように設けられたレンズ層２８とによって構成されている。従って、レンズ２４および第１遮光層２７ａの形成を第２基板２０の一方面２０ｓ側に対してのみ行えばよいので、第１遮光層２７ａおよびレンズ２４を第２基板２０の異なる面に設ける場合に比べて、生産性が高いという利点がある。 In the present embodiment, the first light shielding layer 27 a is provided on the one surface 20 s side of the second substrate 20, and the plurality of lenses 24 are each a plurality of concave portions provided on the one surface 20 s side of the second substrate 20. The curved surface 201 and the lens layer 28 provided so as to fill the inside of the plurality of concave curved surfaces 201 are configured. Accordingly, since the lens 24 and the first light shielding layer 27a need only be formed on the one surface 20s side of the second substrate 20, the first light shielding layer 27a and the lens 24 are provided on different surfaces of the second substrate 20. There is an advantage that productivity is high.
また、第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７は、レンズ層２８と金属層２７０との間に積層されている。しかも、レンズ層２８は酸窒化シリコンであり、第１誘電体層２７６は酸化シリコンであり、第２誘電体層２７７は窒化シリコンである。このため、図５に示す第５工程ＳＴ５において、ＣＶＤ法等を利用して成膜する際、反応室に供給するガスの一部を切り換えることにより、酸窒化シリコンからなるレンズ層２８、酸化シリコンからなる第１誘電体層２７６、および窒化シリコンからなる第２誘電体層２７７を順に成膜することができるので、生産性が高いという利点がある。 The first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277 are stacked between the lens layer 28 and the metal layer 270. Moreover, the lens layer 28 is silicon oxynitride, the first dielectric layer 276 is silicon oxide, and the second dielectric layer 277 is silicon nitride. Therefore, in the fifth step ST5 shown in FIG. 5, when a film is formed using the CVD method or the like, the lens layer 28 made of silicon oxynitride, silicon oxide is changed by switching a part of the gas supplied to the reaction chamber. Since the first dielectric layer 276 made of and the second dielectric layer 277 made of silicon nitride can be sequentially formed, there is an advantage that productivity is high.
［実施形態２］
図６は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図であり、電気光学装置１００の断面構成を模式的に示す説明図である。図７は、図６に示す複数のレンズ２４の平面的な位置関係を示す説明図である。なお、本実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 6 is an explanatory diagram of the electro-optical device 100 according to the second embodiment of the invention, and is a schematic diagram illustrating a cross-sectional configuration of the electro-optical device 100. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a planar positional relationship between the plurality of lenses 24 shown in FIG. In addition, since the basic structure of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, it attaches and shows the same code | symbol to a common part, and abbreviate | omits those description.
図６に示すように、本実施形態の電気光学装置１００でも、実施形態１と同様、第２基板２０は、複数の画素電極９ａの各々に対して平面視（第２基板２０に対して垂直な方向からみた状態）で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が形成されたレンズアレイ基板として構成されている。第２基板２０の一方面２０ｓ側には、遮光層２７として、表示領域１０ａの周りに見切り用の第１遮光層２７ａが設けられている。実施形態１で説明したように、第１遮光層２７ａは、反射性の金属層２７０と、金属層２７０に重なるように設けられた増反射層２７５とを有しており、増反射層２７５は、第１誘電体層２７６と第１誘電体層２７６より屈折率が大きい第２誘電体層２７７とが積層された誘電体多層膜である。 As shown in FIG. 6, in the electro-optical device 100 of the present embodiment, as in the first embodiment, the second substrate 20 is viewed in plan with respect to each of the plurality of pixel electrodes 9a (perpendicular to the second substrate 20). The lens array substrate is formed with a plurality of lenses 24 that overlap with each other in a one-to-one relationship. On the one surface 20 s side of the second substrate 20, a first light shielding layer 27 a for parting is provided around the display area 10 a as the light shielding layer 27. As described in the first embodiment, the first light shielding layer 27a includes the reflective metal layer 270 and the increased reflection layer 275 provided so as to overlap the metal layer 270. The increased reflection layer 275 includes: A dielectric multilayer film in which a first dielectric layer 276 and a second dielectric layer 277 having a higher refractive index than the first dielectric layer 276 are laminated.
本実施形態では、第２基板２０の一方面２０ｓ側には、遮光層２７として、複数の画素電極９ａの各間に平面視で重なる第２遮光層２７ｂが設けられている。より具体的には、図７に示すように、第２遮光層２７ｂは、４つのレンズ２４によって囲まれた領域に形成されており、図６に示す画素トランジスター３０と平面視で重なっている。 In the present embodiment, on the one surface 20s side of the second substrate 20, a second light shielding layer 27b that overlaps each of the plurality of pixel electrodes 9a in plan view is provided as the light shielding layer 27. More specifically, as shown in FIG. 7, the second light shielding layer 27b is formed in a region surrounded by the four lenses 24, and overlaps the pixel transistor 30 shown in FIG. 6 in plan view.
第２遮光層２７ｂは、図５に示す第５工程ＳＴ５および第６工程ＳＴ６において、第１遮光層２７ａを形成する際に同時形成した層である。従って、図６に示すように、第２遮光層２７ｂは、第１遮光層２７ａの金属層２７０と同層の金属層２７０と、第１遮光層２７ａの増反射層２７５と同層の増反射層２７５とを有している。第２遮光層２７ｂの増反射層２７５は、第１遮光層２７ａの第１誘電体層２７６と同層の第１誘電体層２７６と、第１遮光層２７ａの第２誘電体層２７７と同層の第２誘電体層２７７とを有している。 The second light shielding layer 27b is a layer formed simultaneously with the formation of the first light shielding layer 27a in the fifth step ST5 and the sixth step ST6 shown in FIG. Therefore, as shown in FIG. 6, the second light shielding layer 27b includes the same metal layer 270 as the metal layer 270 of the first light shielding layer 27a, and the increased reflection of the same layer as the increased reflection layer 275 of the first light shielding layer 27a. Layer 275. The increased reflection layer 275 of the second light shielding layer 27b is the same as the first dielectric layer 276 of the first dielectric layer 276 of the first light shielding layer 27a and the second dielectric layer 277 of the first light shielding layer 27a. A second dielectric layer 277 of the layer.
このように構成した電気光学装置１００では、光源からの光が第２基板２０から入射して表示領域１０ａの周りに向けて進行した場合でも、図６に矢印Ｌ１で示すように、第１遮光層２７ａに入射した光の略全体が第１遮光層２７ａによって効率よく反射され、第１遮光層２７ａでは、ほとんど吸収されない。また、図６に矢印Ｌ２で示すように、第２遮光層２７ｂに入射した光の略全体が第２遮光層２７ｂによって効率よく反射され、第２遮光層２７ｂでは、ほとんど吸収されない。従って、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂでの光の吸収に起因する電気光学装置１００の温度上昇を抑制することができる。それ故、電気光学層８０の熱的な劣化等を抑制することができるので、電気光学装置１００の信頼性を向上することができる。 In the electro-optical device 100 configured as described above, even when light from the light source is incident from the second substrate 20 and travels around the display region 10a, as shown by an arrow L1 in FIG. Almost the entire light incident on the layer 27a is efficiently reflected by the first light shielding layer 27a, and is hardly absorbed by the first light shielding layer 27a. Further, as indicated by an arrow L2 in FIG. 6, substantially the entire light incident on the second light shielding layer 27b is efficiently reflected by the second light shielding layer 27b, and is hardly absorbed by the second light shielding layer 27b. Accordingly, it is possible to suppress an increase in temperature of the electro-optical device 100 due to light absorption by the first light shielding layer 27a and the second light shielding layer 27b. Therefore, since the thermal degradation or the like of the electro-optical layer 80 can be suppressed, the reliability of the electro-optical device 100 can be improved.
また、第１遮光層２７ａと第２遮光層２７ｂとは同層に設けられているため、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂの双方を設ける場合でも、工程数が増えることはない。 In addition, since the first light shielding layer 27a and the second light shielding layer 27b are provided in the same layer, the number of processes does not increase even when both the first light shielding layer 27a and the second light shielding layer 27b are provided.
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第２基板２０の側から光源からの光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用した場合を例示したが、第１基板１０の側から光源からの光が入射する電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。この場合、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂでは、金属層２７０に対して第１基板１０側に増反射層２７５を形成する。
[Other embodiments]
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the electro-optical device 100 in which light from the light source enters from the second substrate 20 side is illustrated, but light from the light source enters from the first substrate 10 side. The present invention may be applied to the electro-optical device 100. In this case, in the first light shielding layer 27a and the second light shielding layer 27b, the reflective reflection layer 275 is formed on the first substrate 10 side with respect to the metal layer 270.
上記実施の形態では、透過型の電気光学装置１００に本発明を適用した場合を例示したが、反射型の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。 In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the transmissive electro-optical device 100 is illustrated, but the present invention may be applied to the reflective electro-optical device 100.
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図８には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図８に示す投射型表示装置２１００において、実施形態１、２に係る電気光学装置１００がライトバルブとして用いられている。投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によって赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂの３原色の色光に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、青色光Ｂは、赤色光Ｒおよび緑色光と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
[Example of mounting on electronic devices]
An electronic apparatus using the electro-optical device 100 according to the above-described embodiment will be described. FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a projection display device (electronic apparatus) using the electro-optical device 100 to which the present invention is applied. In FIG. 8, an optical element such as a polarizing plate is not shown. In the projection type display device 2100 shown in FIG. 8, the electro-optical device 100 according to the first and second embodiments is used as a light valve. Inside the projection display apparatus 2100, a lamp unit 2102 (light source unit) having a white light source such as a halogen lamp is provided. The projection light emitted from the lamp unit 2102 is separated into three primary colors of red light R, green light G, and blue light B by three mirrors 2106 and two dichroic mirrors 2108 arranged inside. The separated projection light is guided to the light valves 100R, 100G, and 100B corresponding to the respective primary colors and modulated. Note that the blue light B has a longer optical path than the red light R and the green light, and is guided through a relay lens system 2121 having an incident lens 2122, a relay lens 2123, and an output lens 2124 in order to prevent the loss.
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２（色合成光学系）に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、赤色光Ｒおよび青色光Ｂは９０度に反射し、緑色光Ｇは透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。 The lights modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are incident on the dichroic prism 2112 (color synthesis optical system) from three directions. In the dichroic prism 2112, the red light R and the blue light B are reflected at 90 degrees, and the green light G is transmitted. Accordingly, after the primary color images are combined, a color image is projected onto the screen 2120 by the projection lens group 2114 (projection optical system).
このように構成した投射型表示装置２１００において、複数の電気光学装置１００（ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）のうち、波長域が長波長域の色光に対応する電気光学装置１００は、波長域短波長域の色光に対応する電気光学装置１００より、図３等を参照して説明した第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の厚さが厚い。すなわち、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、青色光Ｂは、波長域が以下の関係にある。
赤色光Ｒ＞緑色光Ｇ＞青色光Ｂ
In the projection display device 2100 configured as described above, among the plurality of electro-optical devices 100 (light valves 100R, 100G, and 100B), the electro-optical device 100 corresponding to colored light having a long wavelength region has a short wavelength region. The first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277 described with reference to FIG. 3 and the like are thicker than the electro-optical device 100 corresponding to the color light in the wavelength band. That is, the red light R, the green light G, and the blue light B have the following relationship in the wavelength range.
Red light R> Green light G> Blue light B
従って、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの各々に用いた電気光学装置１００の第１誘電体層２７６および第２誘電体層２７７の厚さは以下の関係にある。
ライトバルブ１００Ｒ＞ライトバルブ１００Ｇ＞ライトバルブ１００Ｂ
Accordingly, the thicknesses of the first dielectric layer 276 and the second dielectric layer 277 of the electro-optical device 100 used in each of the light valves 100R, 100G, and 100B have the following relationship.
Light valve 100R> Light valve 100G> Light valve 100B
それ故、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの各々に用いた電気光学装置１００において、第１遮光層２７ａおよび第２遮光層２７ｂは、入射した色光を効率よく反射することができる。 Therefore, in the electro-optical device 100 used in each of the light valves 100R, 100G, and 100B, the first light shielding layer 27a and the second light shielding layer 27b can efficiently reflect the incident color light.
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
(Other projection display devices)
In addition, about a projection type display apparatus, you may comprise the LED light source etc. which radiate | emit the light of each color as a light source part, and supply each color light radiate | emitted from this LED light source to another liquid crystal device. .
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。本発明を適用した電気光学装置１００は、例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
(Other electronic devices)
The electronic apparatus including the electro-optical device 100 to which the present invention is applied is not limited to the projection display device 2100 of the above embodiment. The electro-optical device 100 to which the present invention is applied may be used in electronic devices such as a projection type HUD (head-up display), a direct-view type HMD (head-mounted display), a personal computer, a digital still camera, and a liquid crystal television. Good.
９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ｂ…周辺領域、２０…第２基板、２１…共通電極、２４…レンズ、２７ａ…第１遮光層、２７ｂ…第２遮光層、２８…レンズ層、２９…透光層、３０…画素トランジスター、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、２０１…凹曲面、２４０…レンズ面、２７０…金属層、２７５…増反射層、２７６…第１誘電体層、２７７…第２誘電体層、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム（色合成光学系）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。 9a ... pixel electrode, 10 ... first substrate, 10a ... display region, 10b ... peripheral region, 20 ... second substrate, 21 ... common electrode, 24 ... lens, 27a ... first light shielding layer, 27b ... second light shielding layer, 28 ... Lens layer, 29 ... Translucent layer, 30 ... Pixel transistor, 80 ... Electro-optical layer, 100 ... Electro-optical device, 100B, 100G, 100R ... Light valve, 201 ... Concave surface, 240 ... Lens surface, 270 ... Metal Layers, 275 ... increased reflection layer, 276 ... first dielectric layer, 277 ... second dielectric layer, 2100 ... projection display device, 2102 ... lamp unit (light source part), 2108 ... dichroic mirror, 2112 ... dichroic prism ( Color synthesis optical system), 2114... Projection lens group (projection optical system).
Claims (8)
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
表示領域を囲むように前記第２基板の一方面側に設けられた第１遮光層と、
を有し、
前記第１遮光層は、反射性の金属層と、前記金属層に重なるように設けられ、第１誘電体層と前記第１誘電体層より屈折率が大きい第２誘電体層とが積層された増反射層と、を有することを特徴とする電気光学装置。 A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
An electro-optic layer provided between the first substrate and the second substrate;
A first light-shielding layer provided on one side of the second substrate so as to surround a display area;
Have
The first light shielding layer is provided so as to overlap a reflective metal layer, and a first dielectric layer and a second dielectric layer having a refractive index larger than that of the first dielectric layer are laminated. An electro-optical device comprising: an additional reflection layer.
前記金属層の縁、前記第１誘電体層の縁、および前記第２誘電体層の縁が平面視で重なっていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1.
An electro-optical device, wherein an edge of the metal layer, an edge of the first dielectric layer, and an edge of the second dielectric layer overlap in plan view.
前記第２基板の一方面側には複数のレンズが設けられ、
前記第１遮光層は、前記第２基板の一方面側に設けられ、
前記複数のレンズは各々、前記第２基板の一方面側に設けられた複数の凹曲面と、前記複数の凹曲面の内部を埋めるように設けられ、前記第２基板より屈折率が大きいレンズ層とによって構成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
A plurality of lenses are provided on one side of the second substrate,
The first light shielding layer is provided on one side of the second substrate,
Each of the plurality of lenses is provided with a plurality of concave curved surfaces provided on one surface side of the second substrate, and a lens layer having a refractive index larger than that of the second substrate. And an electro-optical device.
前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、前記レンズ層と前記金属層との間に積層されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 3.
The electro-optical device, wherein the first dielectric layer and the second dielectric layer are laminated between the lens layer and the metal layer.
前記レンズ層は、酸窒化シリコンであり、
前記第１誘電体層は、酸化シリコンであり、
前記第２誘電体層は、窒化シリコンであることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 4.
The lens layer is silicon oxynitride,
The first dielectric layer is silicon oxide;
The electro-optical device, wherein the second dielectric layer is silicon nitride.
前記第１基板の一方面側に設けられた複数の画素電極と、
前記第２基板の一方面側に設けられ、前記複数の画素電極の各間に平面視で重なる第２遮光層と、
を有し、
前記第２遮光層は、前記第１遮光層の前記金属層と同層の金属層と、前記第１遮光層の前記増反射層と同層の増反射層とを有することを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 5,
A plurality of pixel electrodes provided on one side of the first substrate;
A second light-shielding layer provided on one side of the second substrate and overlapping each of the plurality of pixel electrodes in plan view;
Have
The second light-shielding layer has a metal layer that is the same as the metal layer of the first light-shielding layer, and an increased reflection layer that is the same layer as the increased reflection layer of the first light-shielding layer. Optical device.
波長域が異なる複数の色光の各々に対応する複数の前記電気光学装置と、前記複数の前記電気光学装置の各々から出射された前記複数の色光を合成する色合成光学系と、を有し、
前記複数の電気光学装置のうち、前記波長域が長波長域の色光に対応する電気光学装置は、前記波長域が短波長域の色光に対応する電気光学装置より、前記誘電体層の厚さが厚いことを特徴とする電子機器。 The electronic device according to claim 7,
A plurality of electro-optical devices corresponding to each of a plurality of color lights having different wavelength ranges, and a color combining optical system for combining the plurality of color lights emitted from each of the plurality of electro-optical devices,
Among the plurality of electro-optical devices, the electro-optical device corresponding to the color light having the long wavelength region has a thickness of the dielectric layer that is larger than the electro-optical device corresponding to the color light having the short wavelength region. Electronic equipment characterized by its thickness.
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