JP2019165543A - Thunder resistant transformer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、雷サージ等の異常高電圧から電気機器等を保護するための耐雷トランスに関する。 The present invention relates to a lightning-resistant transformer for protecting electrical equipment and the like from abnormally high voltages such as lightning surges.
例えば、特許文献１には、耐雷トランスを設けた低圧電源線と通信信号線の両方に接続されて使用される電気機器の雷サージ保護方法であって、避雷器又はサージ吸収素子と、電気的振動抑制装置とを上記電源線と上記通信信号線の線間及び／又は対地間に設けたことを特徴とする雷サージ保護方法が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a lightning surge protection method for an electric device that is used by being connected to both a low-voltage power supply line and a communication signal line provided with a lightning-resistant transformer, and includes a lightning arrester or a surge absorbing element, and electrical vibration. A lightning surge protection method is disclosed in which a suppression device is provided between the power line and the communication signal line and / or between the ground.
ところで、従来の耐雷トランス単体のサージ移行率は一般的に０．１％以下になるよう設計されている。このサージ移行率０．１％は、シールド層の接地抵抗が０Ωの場合に相当し、接地抵抗が大きくなるにつれてサージ移行率も大きくなってしまう。そこで、耐雷トランスの接地抵抗は１０Ω以下（Ａ種接地）が基準とされている。 By the way, the surge transfer rate of a conventional lightning-resistant transformer is generally designed to be 0.1% or less. This surge transfer rate of 0.1% corresponds to the case where the ground resistance of the shield layer is 0Ω, and the surge transfer rate increases as the ground resistance increases. Therefore, the ground resistance of the lightning resistant transformer is set to 10Ω or less (class A grounding).
しかしながら、周囲の環境条件によってはＡ種接地の施工が困難な場所（例えば鉄道の線路沿い等）があり、耐雷トランスの接地にＤ種接地（１００Ω以下）を用いなければならないケースがある。 However, depending on the surrounding environmental conditions, there are places where construction of Class A grounding is difficult (for example, along railroad tracks), and there are cases where Class D grounding (100Ω or less) must be used for grounding the lightning resistant transformer.
このような場合は接地抵抗が大きいためサージ移行率が高くなってしまい、耐雷トランスのサージ抑制効果が十分に生かされず、機器を雷サージ等の異常電圧から満足に保護できなくなってしまうという問題が発生する。 In such a case, since the ground resistance is large, the surge transfer rate becomes high, the surge suppression effect of the lightning-resistant transformer is not fully utilized, and the device cannot be satisfactorily protected from abnormal voltage such as lightning surge. appear.
本発明は、耐雷トランスにおいて、サージ移行率の接地抵抗に対する依存性を抑制することを目的とする。 An object of the present invention is to suppress the dependence of the surge transfer rate on the ground resistance in a lightning resistant transformer.
一次巻線からシールド層までの間に生じる漂遊容量の容量値を小さくする。これにより、接地抵抗に流れ込むサージ電流を抑制し、接地抵抗による電位上昇を低減し、サージ移行率の上昇を抑制する。 The stray capacitance generated between the primary winding and the shield layer is reduced. Thereby, the surge current flowing into the ground resistance is suppressed, the potential increase due to the ground resistance is reduced, and the surge transition rate is prevented from increasing.
本発明の一観点によれば、一次巻線を有する一次側回路と、前記一次巻線に近接して配置される二次巻線を有する二次側回路と、を有し、前記一次巻線の一端側と前記二次巻線の一端側との間の第１のキャパシタと、前記一次巻線の他端側と前記二次巻線の他端側との間の、前記一次巻線の他端側から順番に第２のキャパシタ及び第３のキャパシタと、前記第２のキャパシタと前記第３のキャパシタとの間とアースとの間に設けられた接地抵抗とを有する耐雷トランスであって、前記接地抵抗の値が１００Ω以下の場合において、サージ移行率が１％以下となるように前記第２のキャパシタの容量値を設定したことを特徴とする耐雷トランスが提供される。 According to one aspect of the present invention, a primary side circuit having a primary winding, and a secondary side circuit having a secondary winding disposed in proximity to the primary winding, the primary winding A first capacitor between one end side of the primary winding and one end side of the secondary winding, and the primary winding between the other end side of the primary winding and the other end side of the secondary winding. A lightning-proof transformer having a second capacitor and a third capacitor in order from the other end side, and a grounding resistance provided between the second capacitor and the third capacitor and ground. When the value of the grounding resistance is 100Ω or less, a lightning resistant transformer is provided in which the capacitance value of the second capacitor is set so that the surge transfer rate is 1% or less.
前記第２のキャパシタの容量を前記第３のキャパシタの容量の１／１００以下としたことが好ましい。 It is preferable that the capacity of the second capacitor is 1/100 or less of the capacity of the third capacitor.
本発明は、Ｄ種接地箇所に設置可能な耐雷トランスである。 The present invention is a lightning-proof transformer that can be installed at a D-type grounding location.
本発明によれば、耐雷トランスにおいて、サージ移行率の接地抵抗に対する依存性を抑制することができるようになり、接地抵抗が大きい場所でもサージ移行率を低く保つことができる耐雷トランスを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress the dependency of the surge transition rate on the ground resistance in the lightning resistant transformer, and to provide a lightning resistant transformer capable of keeping the surge transition rate low even in a place where the ground resistance is large. Can do.
これにより、Ａ種接地（接地抵抗１０Ω以下）の施工が困難で、Ｄ種接地（１００Ω以下）で施工される場所においても、耐雷トランスのサージ抑制効果を十分に生かし、機器を雷サージ等の異常電圧から満足に保護できるようになる。 This makes it difficult to perform Class A grounding (grounding resistance of 10Ω or less), and even in locations where Class D grounding (100Ω or less) is used, the surge suppression effect of the lightning-resistant transformer is fully utilized, and equipment can be used for lightning surges, etc. Satisfactory protection from abnormal voltage.
以下に本発明の実施の形態による耐雷トランスについて、図面を参照しながら説明する。 A lightning resistant transformer according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
まず、サージ移行率の接地抵抗に対する依存性が低い耐雷トランスを提供するための発明者の考察について説明する。 First, the inventor's consideration for providing a lightning-resistant transformer with low dependency of the surge transition rate on the ground resistance will be described.
図１は、耐雷トランスによる雷サージ電圧抑制対策の一例を示す図である。雷サージの侵入が予測されるＡＣ電源線等に適用する。一次側回路１は、配線１ａ，配線１ｂ，コイル１ｃからなり、一次側回路１に、例えばＡＣ電源側からＶ１＝２０ｋＶの雷サージ電圧が印加された場合、二次側回路１１（１１ａ，１１ｃ，１１ｂ）に進行する電圧は２０Ｖ以下（一般的にはＶ１の０．１％以下、すなわち、以下の式（１）に示すように、サージ移行率：０．１％以下）に抑制することができる。ここで、コイル１ｃとコイル１１ｃとの間にシールド層１５が形成される。 FIG. 1 is a diagram illustrating an example of lightning surge voltage suppression measures using a lightning-resistant transformer. Applies to AC power lines that are expected to have lightning surges intrusion. The primary side circuit 1 includes a wiring 1a, a wiring 1b, and a coil 1c. When a lightning surge voltage of V1 = 20 kV is applied to the primary side circuit 1 from the AC power source side, for example, the secondary side circuit 11 (11a, 11c). , 11b) is suppressed to 20 V or less (generally 0.1% or less of V1, that is, the surge transition rate: 0.1% or less as shown in the following formula (1)). Can do. Here, the shield layer 15 is formed between the coil 1c and the coil 11c.
この抑制効果により、二次側回路に接続される機器１７を過大な雷サージ電圧から防護することが出来る。 Due to this suppression effect, the device 17 connected to the secondary circuit can be protected from an excessive lightning surge voltage.
図２は、サージに対する耐雷トランスの等価回路を示す図である。図２の左図に示す
一次側回路１と二次側回路１１からなる等価回路は、サージのような高周波電圧が印加された場合には、トランス内部の静電容量（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）に流れる電流が支配的になる。従って、サージに対する等価回路は図２右図に示したように静電容量Ｃのみで表すことができる。
FIG. 2 is a diagram showing an equivalent circuit of the lightning resistant transformer against surge. The equivalent circuit composed of the primary side circuit 1 and the secondary side circuit 11 shown in the left diagram of FIG. 2 has a capacitance (C1, C2, C3) inside the transformer when a high frequency voltage such as a surge is applied. The current that flows through becomes dominant. Therefore, the equivalent circuit for the surge can be expressed only by the capacitance C as shown in the right diagram of FIG.
図３は、サージ電圧が印加されたときの電流の流れを等価回路で示す図である。図３に示すように、二次側回路１１に発生する電圧ｖ２は静電容量Ｃ２を介して一次側回路１からアースＧＮＤに流れる電流ｉ１に関係なく、静電容量Ｃ１を介して一次側回路１から二次側回路１１に流れ、次いで、静電容量Ｃ３を介してアースＧＮＤに流れる電流ｉ２によって決まる。すなわち、二次側電圧ｖ２は静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ３とで印加電圧ｖ１を分圧した値となる（下記（２）式参照）。
FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of a current flow when a surge voltage is applied. As shown in FIG. 3, the voltage v2 generated in the secondary side circuit 11 is not related to the current i1 flowing from the primary side circuit 1 to the ground GND via the capacitance C2, and the primary side circuit via the capacitance C1. The current i2 flows from 1 to the secondary circuit 11 and then flows to the ground GND via the capacitance C3. That is, the secondary side voltage v2 is a value obtained by dividing the applied voltage v1 by the electrostatic capacitance C1 and the electrostatic capacitance C3 (see the following formula (2)).
また、上記の耐雷トランスでは、静電容量Ｃ１を１とするとＣ３は１０００以上となるようにしている。これにより、トランス単体のサージ移行率を０．１％以下にすることができる。 In the above lightning-proof transformer, when the capacitance C1 is 1, C3 is set to 1000 or more. Thereby, the surge transfer rate of the transformer alone can be reduced to 0.1% or less.
上記の考察において明らかなように、耐雷トランスのサージ移行率はトランス単体の移行率であり、接地抵抗が０Ωの場合に相当する。すなわち、従来は、接地抵抗が０Ωの場合での設計を行っていた。 As is clear from the above consideration, the surge transfer rate of the lightning resistant transformer is the transfer rate of the transformer alone, and corresponds to the case where the ground resistance is 0Ω. That is, conventionally, the design was performed in the case where the ground resistance was 0Ω.
（接地抵抗の影響）
しかしながら、実際に耐雷トランスを設置する場合には、接地抵抗が必ず存在する。そして、サージ移行率はこの接地抵抗の影響を受ける。発明者は、以下に説明するように、新規な設計手法を用いた耐雷トランスを設計、試作した。
(Effect of ground resistance)
However, when actually installing a lightning resistant transformer, there is always a ground resistance. The surge transfer rate is affected by this ground resistance. As described below, the inventor designed and prototyped a lightning resistant transformer using a novel design method.
図４は、接地抵抗を考慮に入れた新しいサージに対する等価回路図である。図５，図６は、図４の等価回路にサージ電圧が印加された場合の電流の流れを示した図である。図５は静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の値を大まかな比で示した図である。図６は、静電容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３のインピーダンスの値を大まかな比で示した図である（いずれも、パラメータの後ろに括弧書きの数値で示した）。さらに、図５, 図６では、静電容量Ｃ２、接地抵抗Ｒを介してアースＧＮＤに流れる電流ｉ１，静電容量Ｃ１、Ｃ３、接地抵抗Ｒを介してアースＧＮＤに流れる電流ｉ２の値も比で示している。一次巻線を符号５１で、二次巻線を符号５２で示す。 FIG. 4 is an equivalent circuit diagram for a new surge taking the ground resistance into account. 5 and 6 are diagrams showing the flow of current when a surge voltage is applied to the equivalent circuit of FIG. FIG. 5 is a diagram showing the values of the capacitances C1, C2, and C3 in a rough ratio. FIG. 6 is a diagram showing the impedance values of the capacitances C1, C2, and C3 in a rough ratio (both are indicated by numerical values in parentheses after the parameters). Further, in FIGS. 5 and 6, the values of the current i1 flowing to the ground GND via the electrostatic capacitance C2 and the ground resistance R1, and the values of the current i2 flowing to the ground GND via the electrostatic capacitances C1 and C3 and the ground resistance R are also compared. Is shown. The primary winding is indicated by reference numeral 51 and the secondary winding is indicated by reference numeral 52.
これらの図を参照すると、接地抵抗Ｒに流れる電流はｉ１が支配的であり（ｉ２の１００倍）、それに伴い二次側電圧ｖ２もｉ１×Ｒが支配的となり、サージ移行率が接地抵抗Ｒに大きく影響されることが分かる。 Referring to these figures, the current flowing through the grounding resistor R is dominated by i1 (100 times i2), and accordingly, the secondary voltage v2 is also dominated by i1 × R, and the surge transfer rate becomes the grounding resistance R. It is understood that it is greatly influenced by.
（サージ移行率の改善方法）
以下に、接地抵抗を考慮した耐雷トランスのサージ移行率の改善について説明する。
図７（ａ）は、本実施の形態による、サージ移行率を改善する原理を示す図である。接地抵抗Ｒを考慮した場合の耐雷トランスの二次側電圧ｖ２においては、接地抵抗Ｒに発生する電圧ｖＲが支配的である。ｖＲにおいては、一次巻線〜シールド層間を介して接地抵抗Ｒに流れる電流ｉ１が支配的である。したがって電流ｉ１を抑制すれば、接地抵抗Ｒにおける電圧ｖＲは抑制され、サージ移行率が低減することがわかる。
(Surge transfer rate improvement method)
In the following, the improvement of the surge transfer rate of the lightning resistant transformer considering the ground resistance will be described.
FIG. 7A is a diagram illustrating the principle of improving the surge transfer rate according to the present embodiment. In the secondary side voltage v2 of the lightning resistant transformer in consideration of the ground resistance R, the voltage vR generated in the ground resistance R is dominant. In vR, the current i1 flowing through the ground resistance R through the primary winding to the shield layer is dominant. Therefore, it can be seen that if the current i1 is suppressed, the voltage vR at the grounding resistance R is suppressed and the surge transfer rate is reduced.
そこで、図７（ｂ）に示すように、一次巻線〜シールド層間静電容量を従来（現状）の１／１０とし、そのインピーダンスを１０倍とする。（３）式に示すように、接地抵抗Ｒに流れる電流ｉ１が１／１０となることにより改善される（ｖＲ改）は（ｖＲ）の１／１０となり、サージ移行率の大きな低減が可能である。 Therefore, as shown in FIG. 7 (b), the primary winding to shield interlayer capacitance is set to 1/10 of the conventional (current state), and the impedance is set to 10 times. As shown in the equation (3), the current i1 flowing through the grounding resistor R is improved by 1/10 (vR improvement) becomes 1/10 of (vR), and the surge transition rate can be greatly reduced. is there.
尚、上記の例では、一次巻線〜シールド層間静電容量を１／１０とした例について説明したが、例えば、１／３以下程度であれば、一定の効果を発揮できることが確認されている（後述の（試作品による確認結果）を参照）。 In the above example, the example in which the primary winding to the shield interlayer capacitance is 1/10 has been described. However, for example, it has been confirmed that a certain effect can be exhibited if it is about 1/3 or less. (See (Confirmation result by prototype) below).
（改善効果）
次に、上記の方針に基づいて新たに設計した耐雷トランスについての改善効果について説明する。
等価回路計算による改善原理の確認
図８（ａ）は、計算に用いた等価回路図である。理論計算は、サージ電圧の模擬として交流２５０ｋＨｚの電源を用いた交流回路に基づく計算により行った。
(Improvement effect)
Next, the improvement effect about the lightning transformer newly designed based on said policy is demonstrated.
Confirmation of Improvement Principle by Equivalent Circuit Calculation FIG. 8A is an equivalent circuit diagram used for the calculation. The theoretical calculation was performed by calculation based on an AC circuit using an AC 250 kHz power source as a surge voltage simulation.
図８（ａ）に示すように、接地抵抗を考慮した等価回路は、一次巻線７１と二次巻線７２と、を有する。そして、一次巻線７１と二次巻線７２との間の静電容量をＣ１、一次巻線７１とシールド層間の静電容量をＣ２、二次巻線７２とシールド層間の静電容量をＣ３とする。また、Ｒを接地抵抗とする。 As shown in FIG. 8A, the equivalent circuit considering the ground resistance includes a primary winding 71 and a secondary winding 72. The capacitance between the primary winding 71 and the secondary winding 72 is C1, the capacitance between the primary winding 71 and the shield layer is C2, and the capacitance between the secondary winding 72 and the shield layer is C3. And R is a grounding resistance.
図８（ｂ）は、図８（ａ）に基づくサージ移行率計算のためのモデル回路を示す図である。 FIG. 8B is a diagram showing a model circuit for calculating the surge transfer rate based on FIG.
ここでは、以下の式が成立する。 Here, the following formula is established.
（計算に用いた定数）
表１に計算に用いた定数を示す。計算対象モデルは、現用耐雷トランス、本実施の形態による耐雷トランス（新耐雷トランス）の２種を用いた。
(Constant used for calculation)
Table 1 shows the constants used in the calculation. Two types of calculation target models were used: the current lightning resistant transformer and the lightning resistant transformer according to the present embodiment (new lightning resistant transformer).
新耐雷トランスでは、接地抵抗に流れるサージ電流を抑制するため、一次巻線〜シールド層間の静電容量Ｃ２を現用トランスの１／５、１／１０、１／２０とした例について計算した。 In the new lightning resistant transformer, in order to suppress the surge current flowing through the ground resistance, the calculation was made for an example in which the capacitance C2 between the primary winding and the shield layer was 1/5, 1/10, and 1/20 of the current transformer.
ここで、計算条件を下のようにした。
※1 計算対象モデル:現用耐雷トランス、新耐雷トランス
※2 交流電源周波数：２５０ｋHz（波頭長1.0μsのサージに相当）
※3 実測値は現用耐雷トランスのＣ３のみ
※4 現用耐雷トランスのＣ１はＣ３の１／１５００とした。
※5 新耐雷トランスのＣ２は現用耐雷トランスＣ２の１／５、１／１０、１／２０とした。
Here, the calculation conditions were as follows.
* 1 Calculation target model: Current lightning-proof transformer, New lightning-proof transformer
* 3 The measured value is only C3 of the current lightning transformer. * 4 C1 of the current lightning transformer is set to 1/1500 of C3.
* 5 C2 of the new lightning transformer is set to 1/5, 1/10, and 1/20 of the current lightning transformer C2.
（計算結果）
図９は、本実施の形態による新耐雷トランスと現用耐雷トランスのサージ移行率計算結果を示す図である。図１０は、一般的な接地抵抗における新耐雷トランスと現用耐雷トランスのサージ移行率の比較例を示す図である。
(Calculation result)
FIG. 9 is a diagram showing a surge transfer rate calculation result of the new lightning transformer and the current lightning transformer according to the present embodiment. FIG. 10 is a diagram showing a comparative example of the surge transfer rate of the new lightning transformer and the current lightning transformer in a general grounding resistance.
これらの計算結果を見ると、一次巻線〜シールド間の静電容量Ｃ２が小さいほど移行率が低減されることが分かる。 From these calculation results, it can be seen that the smaller the electrostatic capacitance C2 between the primary winding and the shield, the lower the transfer rate.
図１０において、現用耐雷トランスとＣ２を現用の１／１０（３５．２ｐＦ）とした新耐雷トランスとで比較する。接地抵抗１Ωでは双方とも０．１％（１／１０００）以下である。しかしながら、接地抵抗１０Ωでは現用品が１％（１／１００）以下というレベルであるのに対し、新耐雷トランスでは０．１％以下を維持していることがわかる。 In FIG. 10, a comparison is made between the current lightning resistant transformer and the new lightning resistant transformer having C2 of 1/10 (35.2 pF). In the case of ground resistance of 1Ω, both are 0.1% (1/1000) or less. However, it can be seen that the current product is at a level of 1% (1/100) or less at a ground resistance of 10Ω, whereas the new lightning transformer is maintained at 0.1% or less.
また、接地抵抗１００Ωでの新耐雷トランスのサージ移行率（０．５９％）と、接地抵抗１０Ωでの現用耐雷トランスのサージ移行率（０．５０％）はほぼ同じ値となった。 Moreover, the surge transfer rate (0.59%) of the new lightning resistant transformer with the ground resistance of 100Ω and the surge transfer rate (0.50%) of the current lightning resistant transformer with the ground resistance of 10Ω were almost the same value.
このことから、本実施の形態による新耐雷トランスによれば、Ｄ種接地（接地抵抗１００Ω）箇所でも従来のＡ種接地（接地抵抗１０Ω）に相当するサージ移行率を確保できることがわかる。 From this, it can be seen that according to the new lightning resistant transformer according to the present embodiment, it is possible to ensure a surge transfer rate equivalent to the conventional type A grounding (grounding resistance 10Ω) even at the type D grounding (grounding resistance 100Ω) location.
（試作品による確認結果）
以上のサージ移行率低減効果原理の基本的妥当性を確認するため、現用耐雷トランス相当の従来品において、一次巻線〜シールド層間の離隔を大きくし、その静電容量Ｃ２を減じた耐雷トランス（Ｃ２の値については以下参照）を試作した。
(Confirmation result by prototype)
In order to confirm the basic validity of the above principle for reducing the surge transfer rate, in a conventional product equivalent to the current lightning-resistant transformer, a lightning-resistant transformer (with a larger separation between the primary winding and shield layer and a reduced capacitance C2) For the value of C2, see below).
ここで、“従来品”と“試作品”との静電容量Ｃ２の値はそれぞれ以下の通りである。
（従来品） Ｃ２＝１９５ｐＦ
（試作品） Ｃ２＝７０ｐＦ（従来品の約１／３）
Here, the values of the capacitance C2 of the “conventional product” and the “prototype” are as follows.
(Conventional product) C2 = 195pF
(Prototype) C2 = 70pF (about 1/3 of the conventional product)
図１１は、従来品と本実施の形態に基づく設計思想による試作品のサージ移行率実測結果を示した図である。図１１に示すように、試作品の方がどの接地抵抗の値に対しても、従来品より低いサージ移行率を示すことがわかる。 FIG. 11 is a diagram showing a result of actual measurement of the surge transfer rate of the prototype and the prototype based on the design concept based on the present embodiment. As shown in FIG. 11, it can be seen that the prototype has a lower surge transfer rate than the conventional product for any ground resistance value.
尚、以上の結果より、Ｃ２の容量値を従来品の１／３以下程度にすれば、サージ移行率の上昇を抑制することができることがわかる。 From the above results, it can be seen that if the capacitance value of C2 is about 1/3 or less that of the conventional product, an increase in surge transition rate can be suppressed.
このように、本実施の形態による耐雷トランスによれば、耐雷トランスにおいて、サージ移行率の接地抵抗に対する依存性を抑制することができるようになり、接地抵抗が大きい場所でもサージ移行率を低く保つことができる耐雷トランスを提供することができる。 Thus, according to the lightning resistant transformer according to the present embodiment, in the lightning resistant transformer, the dependency of the surge transition rate on the ground resistance can be suppressed, and the surge transition rate is kept low even in a place where the ground resistance is large. It is possible to provide a lightning-proof transformer that can.
また、これにより、Ａ種接地（接地抵抗１０Ω以下）の施工が困難で、Ｄ種接地（１００Ω以下）で施工される場所においても、耐雷トランスのサージ抑制効果を十分に生かし、機器を雷サージ等の異常電圧から満足に保護できるようになる。 In addition, this makes it difficult to implement Class A grounding (grounding resistance of 10Ω or less), and even in locations where Class D grounding (100Ω or less) is used, the surge suppression effect of the lightning-resistant transformer is fully utilized, and lightning surges can be applied to equipment. It will be possible to satisfactorily protect against abnormal voltages such as
上記の実施の形態において、図示されている構成等については、これらに限定されるものではなく、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In the above-described embodiment, the illustrated configuration and the like are not limited to these, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.
また、本発明の各構成要素は、任意に取捨選択することができ、取捨選択した構成を具備する発明も本発明に含まれるものである。 Each component of the present invention can be arbitrarily selected, and an invention having a selected configuration is also included in the present invention.
本発明は、耐雷トランスに利用可能である。 The present invention can be used for a lightning resistant transformer.
１ 一次側回路
１１ 二次側回路
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３ 静電容量
７１ 一次巻線
７２ 二次巻線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Primary side circuit 11 Secondary side circuit C1, C2, C3 Capacitance 71 Primary winding 72 Secondary winding
Claims (3)
前記接地抵抗の値が１００Ω以下の場合において、サージ移行率が１％以下となるように前記第２のキャパシタの容量値を設定したことを特徴とする耐雷トランス。 A primary side circuit having a primary winding, and a secondary side circuit having a secondary winding disposed in proximity to the primary winding, and one end side of the primary winding and the secondary winding A second capacitor in order from the other end side of the primary winding between the other end side of the first capacitor and the other end side of the primary winding and the other end side of the secondary winding. A lightning transformer having a capacitor and a third capacitor, and a grounding resistance provided between the second capacitor and the third capacitor and the ground,
A lightning resistant transformer, wherein the capacitance value of the second capacitor is set so that the surge transfer rate is 1% or less when the value of the ground resistance is 100Ω or less.
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