JP2019144476A - Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus including the same - Google Patents

Electrophotographic photoreceptor and image forming apparatus including the same Download PDF

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怜 木塚
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Abstract

To solve the problem in which: when dot-like exfoliation occurs near the surface of a photoreceptor layer of an electrophotographic photoreceptor, an image defect, such as black dots occurs in an image forming apparatus.SOLUTION: An electrophotographic photoreceptor 10 comprises: a conductive substrate 10A; a lower charge injection inhibition layer 101 that is located on the conductive substrate, mainly contains an amorphous silicon, and contains periodic table group 15 elements; a photoconductive layer 102 that is located on the lower charge injection inhibition layer and mainly contains an amorphous silicon; an upper charge injection inhibition layer 103 that is located on the photoconductive layer, mainly contains an amorphous silicon, and contains periodic table group 13 elements; and a surface protective layer 104 that is located on the upper charge injection inhibition layer, wherein the photoconductive layer 102 and upper charge injection inhibition layer 103 do not have an interface therebetween, and the upper charge injection inhibition layer 103 and surface protective layer 104 have an interface therebetween. The electrophotographic photoreceptor can maintain electrified charge on the surface even in a portion where dot-like exfoliation occurs near the surface and reduce the possibility of the occurrence of an image defect, such as black dots in an image forming apparatus.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は非晶質シリコン主体とする感光体層を有する電子写真感光体およびこれを備える画像形成装置に関するものである。   The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member having a photosensitive layer mainly composed of amorphous silicon and an image forming apparatus including the same.

電子写真方式を採用した画像形成装置には、例えばアルミニウム製の円筒状の導電性基体の外周面に感光体層を含む成膜層を形成してなる電子写真感光体が搭載されている。このような電子写真感光体には、負の表面電荷を帯電する負帯電用電子写真感光体がある。非晶質シリコンを主体とする感光体層を有する負帯電用電子写真感光体の場合は、一般的に図4(a)に断面図で示すように、導電性基体100A上に、下部電荷注入阻止層201、光導電層202、上部電荷注入阻止層203および表面保護層204の順で感光体層100Bが形成されている。このような構成の電子写真感光体100の上部電荷注入阻止層203には、非晶質シリコンを主体として周期表第13族元素を含有させて、露光によって光導電層202で発生した
正電荷を表面保護層204に向けて通過させるとともに、表面保護層204上に帯電した負電荷(電子)を光導電層202に向けて通過させないようにする構成が採用されている(例えば
特許文献1参照)。
In an image forming apparatus employing an electrophotographic system, for example, an electrophotographic photosensitive member is formed by forming a film-forming layer including a photosensitive layer on the outer peripheral surface of a cylindrical conductive substrate made of aluminum. Such electrophotographic photoreceptors include negatively charged electrophotographic photoreceptors that charge negative surface charges. In the case of an electrophotographic photoreceptor for negative charging having a photoreceptor layer mainly composed of amorphous silicon, generally, a lower charge is injected on a conductive substrate 100A as shown in a sectional view in FIG. The photoreceptor layer 100B is formed in the order of the blocking layer 201, the photoconductive layer 202, the upper charge injection blocking layer 203, and the surface protective layer 204. The upper charge injection blocking layer 203 of the electrophotographic photosensitive member 100 having such a structure contains a group 13 element of the periodic table mainly composed of amorphous silicon, so that positive charges generated in the photoconductive layer 202 by exposure are generated. A configuration is adopted in which negative charges (electrons) charged on the surface protective layer 204 are not allowed to pass toward the photoconductive layer 202 while being passed toward the surface protective layer 204 (see, for example, Patent Document 1). .

特開2003−107765号公報JP 2003-107765 A

このような構成の電子写真感光体100では、上部電荷注入阻止層203および表面保護層204がいずれも1μm以下の薄い層厚で形成されることから、成膜の際に光導電層202と上部電荷注入阻止層203との界面に異物が付着したり、成膜後に微小な膜応力が集中したりすることによって、図4(b)に示すように、その界面を起点として上部電荷注入阻止層203と表面保護層204とが点状に剥落することがある。そして、その点状に剥落した部分は、同図に示すように表面の帯電電荷(負電荷)を維持できなくなるため、画像形成装置で印画したときに画像上に黒点として現れて画像欠陥を生じることがある。   In the electrophotographic photosensitive member 100 having such a configuration, since the upper charge injection blocking layer 203 and the surface protective layer 204 are both formed with a thin layer thickness of 1 μm or less, the photoconductive layer 202 and the upper portion are formed at the time of film formation. When foreign matter adheres to the interface with the charge injection blocking layer 203 or minute film stress concentrates after the film formation, as shown in FIG. 4B, the upper charge injection blocking layer starts from the interface. 203 and the surface protective layer 204 may peel off in the form of dots. As shown in the figure, the point-like peeled portion cannot maintain the charged charge (negative charge) on the surface, so that it appears as a black spot on the image when printed by the image forming apparatus and causes an image defect. Sometimes.

本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、良好な帯電特性を有しつつ、表面近傍での点状の剥落が発生しても画像欠陥を生じにくくして良好な画像品質を維持することが可能な電子写真感光体およびそれを備える画像形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been conceived under such circumstances, and has good charging characteristics and makes it difficult for image defects to occur even if spot-like peeling occurs near the surface. It is an object of the present invention to provide an electrophotographic photosensitive member capable of maintaining good image quality and an image forming apparatus including the same.

本発明に係る電子写真感光体は、導電性基体と、該導電性基体上に位置する、非晶質シリコンを主体として周期表第15族元素を含む下部電荷注入阻止層と、該下部電荷注入阻止層上に位置する、非晶質シリコンを主体とする光導電層と、該光導電層上に位置する、非晶質シリコンを主体として周期表第13族元素を含む上部電荷注入阻止層と、該上部電荷注入阻止層上に位置する表面保護層とを有し、前記光導電層と前記上部電荷注入阻止層との間には界面を有さず、前記上部電荷注入阻止層と前記表面保護層との間に界面を有することを特徴としている。   The electrophotographic photosensitive member according to the present invention includes a conductive substrate, a lower charge injection blocking layer mainly comprising amorphous silicon and containing a Group 15 element of the periodic table, and the lower charge injection located on the conductive substrate. A photoconductive layer mainly composed of amorphous silicon and located on the blocking layer; and an upper charge injection blocking layer mainly composed of amorphous silicon and containing a group 13 element of the periodic table located on the photoconductive layer. A surface protective layer located on the upper charge injection blocking layer, and there is no interface between the photoconductive layer and the upper charge injection blocking layer, and the upper charge injection blocking layer and the surface It is characterized by having an interface with the protective layer.

本発明に係る電子写真感光体において、前記上部電荷注入阻止層は、前記光導電層側から前記表面保護層側に向けて前記周期表第13族元素の濃度が増加していることが好ましい
In the electrophotographic photosensitive member according to the present invention, it is preferable that the upper charge injection blocking layer has a concentration of the Group 13 element of the periodic table increasing from the photoconductive layer side toward the surface protective layer side.

本発明に係る電子写真感光体において、前記表面保護層は、シリコンおよび炭素の少なくとも一方を含む非晶質材料からなることが好ましい。   In the electrophotographic photosensitive member according to the present invention, the surface protective layer is preferably made of an amorphous material containing at least one of silicon and carbon.

本発明に係る電子写真感光体において、前記下部電荷注入阻止層は、酸素および周期表第13族元素の少なくとも一方をさらに含むことが好ましい。   In the electrophotographic photosensitive member according to the present invention, it is preferable that the lower charge injection blocking layer further includes at least one of oxygen and a Group 13 element of the periodic table.

本発明に係る電子写真感光体において、前記周期表第15族元素は、窒素であることが好ましい。   In the electrophotographic photosensitive member according to the present invention, the Group 15 element of the periodic table is preferably nitrogen.

本発明に係る電子写真感光体において、前記周期表第13族元素は、硼素であることが好ましい。   In the electrophotographic photosensitive member according to the present invention, the Group 13 element of the periodic table is preferably boron.

本発明に係る画像形成装置は、上述の本発明に係る電子写真感光体を備えることを特徴としている。   An image forming apparatus according to the present invention includes the above-described electrophotographic photosensitive member according to the present invention.

本発明に係る電子写真感光体では、光導電層と上部電荷注入阻止層との間には界面を有さず、上部電荷注入阻止層と表面保護層との間に界面を有することから、成膜の際に光導電層上に上部電荷注入阻止層および表面保護層を形成する間に異物が付着したり、成膜後に微小な膜応力が集中したりすることによって、その部分を起点として点状の剥落が生じるとしても、界面を有する上部電荷注入阻止層と表面保護層との間から剥落することになり、界面を有しない光導電層と上部電荷注入阻止層との間から剥落することが抑制されるので、その点状に剥落した部分においても表面の帯電電荷を維持することができる。そのため、画像形成装置で印画したときに画像上に黒点として現れる画像欠陥を生じにくくして良好な画像品質を維持することが可能となる。   In the electrophotographic photoreceptor according to the present invention, there is no interface between the photoconductive layer and the upper charge injection blocking layer, and there is an interface between the upper charge injection blocking layer and the surface protective layer. When a film is deposited, foreign matter adheres to it during the formation of the upper charge injection blocking layer and the surface protective layer on the photoconductive layer, or minute film stress concentrates after the film formation. Even if a strip-like peeling occurs, it will peel off from between the upper charge injection blocking layer having the interface and the surface protective layer, and from the photoconductive layer having no interface and the upper charge injection blocking layer Therefore, the charged charge on the surface can be maintained even in the part peeled off in the dot shape. Therefore, it is possible to maintain good image quality by making it difficult for image defects that appear as black spots on an image when printed by the image forming apparatus.

上記のような界面の有無は、後述するように、光導電層、上部電荷注入阻止層および表面保護層の成膜時に制御することができる。   The presence or absence of the interface as described above can be controlled when the photoconductive layer, the upper charge injection blocking layer, and the surface protective layer are formed, as will be described later.

(a)は本発明に係る電子写真感光体の実施形態の一例を示す断面図であり、(b)および(c)はその一部を拡大して示す断面図である。(A) is sectional drawing which shows an example of embodiment of the electrophotographic photosensitive member based on this invention, (b) And (c) is sectional drawing which expands and shows a part. 図1に示した電子写真感光体の感光体層を形成するための成膜装置の一例を示す模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a film forming apparatus for forming a photoreceptor layer of the electrophotographic photoreceptor shown in FIG. 1. 本発明に係る画像形成装置の実施形態の一例の概略構成を表す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an example of an embodiment of an image forming apparatus according to the present invention. (a)および(b)は従来の電子写真感光体の一例を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows an example of the conventional electrophotographic photoreceptor.

以下、本発明に係る電子写真感光体および画像形成装置について、図面を参照しつつ説明する。   Hereinafter, an electrophotographic photoreceptor and an image forming apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図1(a)は本発明に係る電子写真感光体の実施形態の一例の概略構成を表す断面図であり、図1(b)はその一部(A部に相当)を拡大して示す断面図である。図1(a)に示すように、電子写真感光体10は、円筒状の導電性基体10Aおよび導電性基体10Aの外周面上に形成された感光体層10Bを有しており、電子写真方式の画像形成装置において画像信号に基づいた静電潜像やトナー像が表面に形成されるものである。この電子写真感光体10は、必要に応じて両端部にフランジFが固定され、これを介して画像形成装置内に回転
可能に搭載される。
FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an example of an embodiment of an electrophotographic photosensitive member according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating an enlarged part (corresponding to part A). FIG. As shown in FIG. 1 (a), an electrophotographic photoreceptor 10 has a cylindrical conductive substrate 10A and a photoreceptor layer 10B formed on the outer peripheral surface of the conductive substrate 10A. In this image forming apparatus, an electrostatic latent image or a toner image based on an image signal is formed on the surface. The electrophotographic photosensitive member 10 is rotatably mounted in the image forming apparatus via flanges F which are fixed to both ends as required.

導電性基体10A(以下、基体10Aともいう。)は、電子写真感光体10(以下、感光体10ともいう)において感光体層10Bの支持部材となるものであり、少なくとも表面に導電性を有するように構成されている。本例における基体10Aの形状は円筒状であるが、これには限られず、例えば無端ベルト状としてもよい。基体10Aは、例えば金属あるいは金属を含んでなる合金によって全体が導電性を有する構成としてもよいし、合成樹脂やガラス、セラミックスなどによって構成される絶縁体の表面に金属および透明導電性材料などの導電性膜を形成することにより、表面に導電性を有する構成としてもよい。   The conductive substrate 10A (hereinafter also referred to as the substrate 10A) serves as a support member for the photoreceptor layer 10B in the electrophotographic photoreceptor 10 (hereinafter also referred to as the photoreceptor 10), and has conductivity at least on the surface. It is configured as follows. The shape of the base body 10A in this example is a cylindrical shape, but is not limited thereto, and may be an endless belt shape, for example. The base body 10A may be configured to have conductivity as a whole by, for example, a metal or an alloy containing a metal, or a metal, a transparent conductive material, or the like on the surface of an insulator made of synthetic resin, glass, ceramics, or the like. It is good also as a structure which has electroconductivity on the surface by forming a conductive film.

金属としては、例えばアルミニウム(Al),ステンレス(SUS),亜鉛(Zn),銅(Cu),鉄(Fe),チタン(Ti),ニッケル(Ni),クロム(Cr),モリブデン(Mo),インジウム(In),ニオブ(Nb),テルル(Te),バナジウム(V),パラジウム(Pd),タンタル(Ta),スズ(Sn),白金(Pt),金(Au)および銀(Ag)が挙げられる。合成樹脂としては、例えばポリエステル,ポリエチレン,ポリカーボネート,セルロースアセテート,ポリプロピレン,ポリ塩化ビニル,ポリスチレンおよびポリアミドが挙げられる。透明導電性材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide)およびSnOが挙げられる。以上のような構成の中でも、非晶質(アモルファス)シリコン系(a−Si系)材料によって感光体層10Bを形成する場合においてこの感光体層10Bとの密着性を高める観点からは、基体10Aの少なくとも表面をAl系合金(例えばAl−Mn系合金,Al−Mg系合金,Al−Mg−Si系合金)によって構成するものが好ましい。 Examples of the metal include aluminum (Al), stainless steel (SUS), zinc (Zn), copper (Cu), iron (Fe), titanium (Ti), nickel (Ni), chromium (Cr), molybdenum (Mo), Indium (In), Niobium (Nb), Tellurium (Te), Vanadium (V), Palladium (Pd), Tantalum (Ta), Tin (Sn), Platinum (Pt), Gold (Au) and Silver (Ag) Can be mentioned. Examples of the synthetic resin include polyester, polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, and polyamide. Examples of the transparent conductive material include ITO (Indium Tin Oxide) and SnO 2 . Among the configurations described above, in the case where the photoreceptor layer 10B is formed of an amorphous silicon-based (a-Si-based) material, the substrate 10A is used from the viewpoint of improving the adhesion with the photoreceptor layer 10B. It is preferable that at least the surface of the substrate is made of an Al-based alloy (for example, Al-Mn-based alloy, Al-Mg-based alloy, Al-Mg-Si-based alloy).

基体10Aにおける感光体層10Bの形成面は、旋盤加工などによって表面処理が施される。表面処理としては、例えば鏡面加工および線状溝加工が挙げられる。   The surface of the substrate 10A on which the photoreceptor layer 10B is formed is subjected to surface treatment by lathe processing or the like. Examples of the surface treatment include mirror surface processing and linear groove processing.

感光体層10Bは、基体10Aの外周面上に位置しており、その厚みは例えば15μm以上90μm以下に設定される。感光体層10Bの厚みを15μm以上にすると、例えば長波長光吸収層を設けなくても、記録画像に干渉縞が発生するのを適切に抑制することができる。他方、感光体層10Bの厚みを90μm以下にすると、膜の応力に起因して基体10Aから感光体層10Bが剥がれてしまうのを適切に抑制することができる。   The photoreceptor layer 10B is located on the outer peripheral surface of the base 10A, and the thickness thereof is set to 15 μm or more and 90 μm or less, for example. When the thickness of the photoreceptor layer 10B is 15 μm or more, for example, it is possible to appropriately suppress the occurrence of interference fringes in a recorded image without providing a long wavelength light absorption layer. On the other hand, when the thickness of the photoreceptor layer 10B is 90 μm or less, it is possible to appropriately prevent the photoreceptor layer 10B from being peeled off from the base 10A due to the stress of the film.

本例において、感光体層10Bは、下部電荷注入阻止層101,光導電層102,上部電荷注入阻止層103および表面保護層104を積層して形成したものである。   In this example, the photoreceptor layer 10B is formed by laminating a lower charge injection blocking layer 101, a photoconductive layer 102, an upper charge injection blocking layer 103, and a surface protective layer 104.

下部電荷注入阻止層101(以下、下部阻止層101ともいう。)は、基体10A側からの電荷が光導電層102側に注入されるのを阻止する役割を担うものである。具体的に、下部阻止
層101は、負極性の帯電処理を感光体層10Bの自由表面に受けた際に、基体10A側から光
導電層102側にホール(正電荷)が注入されるのを阻止する機能を有している。
The lower charge injection blocking layer 101 (hereinafter also referred to as the lower blocking layer 101) plays a role of blocking the injection of charges from the substrate 10A side to the photoconductive layer 102 side. Specifically, the lower blocking layer 101 prevents holes (positive charges) from being injected from the substrate 10A side to the photoconductive layer 102 side when the negative charge treatment is applied to the free surface of the photoreceptor layer 10B. Has a function to prevent.

下部阻止層101は、非晶質シリコンを主体とする非単結晶材料により構成されている。
ここで非単結晶材料とは、多結晶、微結晶あるいは非晶質の部分を含む材料を意味している。また、下部阻止層101は、周期表第15族元素を含んでいる。下部阻止層101に含まれる周期表第15族元素(以下、第15族元素ともいう。)は、下部阻止層101中に実質的に均一
に分布していてもよいし、層厚方向において不均一に分布している部位を有していてもよい。基体10Aへの密着性の観点からは、下部阻止層101における光導電層102側の端部領域よりも基体10A側の端部領域の方で濃度が小さくなるように分布しているのが好ましい。なお、いずれの場合においても、面内方向における特性の均一化を図る観点から、基体10Aの表面に平行な面内方向において実質的に均一に分布しているのが好ましい。
The lower blocking layer 101 is made of a non-single crystal material mainly composed of amorphous silicon.
Here, the non-single crystal material means a material containing a polycrystalline, microcrystalline, or amorphous part. The lower blocking layer 101 includes a periodic table Group 15 element. The periodic table Group 15 element (hereinafter also referred to as Group 15 element) contained in the lower blocking layer 101 may be distributed substantially uniformly in the lower blocking layer 101, or may not be present in the layer thickness direction. You may have the site | part distributed uniformly. From the viewpoint of adhesion to the base body 10A, the lower blocking layer 101 is preferably distributed so that the concentration is lower in the end area on the base 10A side than in the end area on the photoconductive layer 102 side. . In any case, from the viewpoint of achieving uniform characteristics in the in-plane direction, it is preferable that the distribution is substantially uniform in the in-plane direction parallel to the surface of the substrate 10A.

下部阻止層101における第15族元素の原子濃度は、例えば5×1017[1/cm]以
上5×1019[1/cm]以下とされる。下部阻止層101における第15族元素の原子濃
度が5×1017[1/cm]未満であると、正電荷に対する耐電圧を充分に(例えば第15族元素の原子濃度が0の場合の1.5倍以上に)高めることが困難となる傾向にある。他
方、下部阻止層101における第15族元素の原子濃度が5×1019[1/cm]を超えると、残留電位を充分に低い状態(例えば残留電位−20V以下の状態)に維持することが困難となる傾向がある。
The atomic concentration of the Group 15 element in the lower blocking layer 101 is, for example, 5 × 10 17 [1 / cm 3 ] or more and 5 × 10 19 [1 / cm 3 ] or less. When the atomic concentration of the Group 15 element in the lower blocking layer 101 is less than 5 × 10 17 [1 / cm 3 ], a sufficient withstand voltage against positive charges is obtained (for example, when the atomic concentration of the Group 15 element is 0). It tends to be difficult to increase. On the other hand, when the atomic concentration of the Group 15 element in the lower blocking layer 101 exceeds 5 × 10 19 [1 / cm 3 ], the residual potential should be kept sufficiently low (for example, the residual potential is −20 V or lower). Tend to be difficult.

第15族元素としては、窒素(N),燐(P),砒素(As),アンチモン(Sb),ビスマス(Bi)などが挙げられ、中でもプラズマCVD法、例えばグロー放電分解法による成膜時のドーピング濃度の制御容易性の観点からは、窒素または燐が好ましい。中でも窒素は、安全性および使用後の廃棄容易性の点でより好ましい。   Examples of the Group 15 element include nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi), and the like, among others, during film formation by plasma CVD, for example, glow discharge decomposition. From the viewpoint of easy control of the doping concentration, nitrogen or phosphorus is preferable. Among them, nitrogen is more preferable in terms of safety and easy disposal after use.

また、下部阻止層101は、酸素(O)および周期表第13族元素の少なくとも一方をさら
に含んでいてもよい。下部阻止層101が酸素を含むことによって、基体10Aとの密着性が
向上することとなるので好ましい。
The lower blocking layer 101 may further include at least one of oxygen (O) and a periodic table Group 13 element. It is preferable that the lower blocking layer 101 contains oxygen since adhesion with the base body 10A is improved.

下部阻止層101に第15族元素を導入するための原料としては、例えばN,NH,NO,NO,PH,PF,PF,AsHが挙げられる。 Examples of the raw material for introducing the Group 15 element into the lower blocking layer 101 include N 2 , NH 3 , NO, N 2 O, PH 3 , PF 3 , PF 5 , and AsH 3 .

酸素を導入するための原料としては、例えばO,NO,NOが挙げられる。 Examples of the raw material for introducing oxygen include O 2 , NO, and N 2 O.

第13族元素を導入するための原料としては、例えばBおよびB10などの水素化硼素、あるいはBF,BClおよびBBrなどのハロゲン化硼素、あるいはAlCl,GaCl,Ga(CH,InClまたはTlClなどが挙げられる。 Examples of the raw material for introducing the Group 13 element include boron hydrides such as B 2 H 6 and B 4 H 10 , boron halides such as BF 3 , BCl 3, and BBr 3 , or AlCl 3 , GaCl 3. , Ga (CH 3 ) 3 , InCl 3 or TlCl 3 .

また、下部阻止層101は、炭素(C)をさらに含んでいてもよい。下部阻止層101が炭素を含むことによって、基体10Aとの密着性が向上する効果が期待でき、また基体10Aからの電荷注入を阻止する機能が向上する効果が期待できるようになるので好ましい。下部阻止層101に炭素を導入するための原料としては、例えばCH,C,C,C
,C10などが挙げられる。
The lower blocking layer 101 may further contain carbon (C). It is preferable that the lower blocking layer 101 contains carbon since an effect of improving the adhesion with the base 10A can be expected and an effect of improving the function of blocking charge injection from the base 10A can be expected. Examples of raw materials for introducing carbon into the lower blocking layer 101 include CH 4 , C 2 H 2 , C 2 H 6 , C
3 H 8 , C 4 H 10 and the like can be mentioned.

上記の添加元素は、いずれも下部阻止層101中に実質的に均一に分布していてもよいし
、層厚方向において不均一に分布している部位を有していてもよい。但し、分布濃度が不均一である場合は、残留電荷の発生を低減する観点から、基体10A側における添加元素の濃度が大きくなるように含有させるのが好ましい。なお、いずれの場合においても、面内方向における特性の均一化を図る観点から、基体10Aの表面に平行な面内方向において実質的に均一に分布しているのが好ましい。
Any of the above-mentioned additive elements may be distributed substantially uniformly in the lower blocking layer 101, or may have a portion that is unevenly distributed in the layer thickness direction. However, when the distribution concentration is not uniform, it is preferable that the concentration of the additive element on the substrate 10A side is increased so as to reduce the generation of residual charges. In any case, from the viewpoint of achieving uniform characteristics in the in-plane direction, it is preferable that the distribution is substantially uniform in the in-plane direction parallel to the surface of the substrate 10A.

下部阻止層101の厚さは、所望の電子写真特性および経済的効果などの観点から、0.1μm以上10μm以下に設定される。下部阻止層101の厚さが0.1μm未満であると、基体10A側からの電荷の注入を充分に阻止することができない場合がある。他方、下部阻止層101
の厚さが10μmを超えると、残留電荷が発生し、メモリ特性が悪化してしまう場合がある。
The thickness of the lower blocking layer 101 is set to 0.1 μm or more and 10 μm or less from the viewpoint of desired electrophotographic characteristics and economic effects. If the thickness of the lower blocking layer 101 is less than 0.1 μm, the injection of charges from the substrate 10A side may not be sufficiently blocked. On the other hand, the lower blocking layer 101
If the thickness exceeds 10 μm, residual charges are generated and the memory characteristics may be deteriorated.

光導電層102は、レーザ光などの光照射によってキャリアを発生させる役割を担うもの
である。光導電層102は、非晶質シリコンを主体とするものである。すなわち、シリコン
を主体とする非単結晶材料により構成されており、微結晶シリコンを含んでなる場合は、暗導電率・光導電率を高めることができ、光導電層102の設計自由度を高めることができ
る。このような微結晶シリコンは、成膜条件を変えることによって形成することができ、例えばグロー放電分解法を採用する場合は、基体10Aの温度および直流パルス電力を高めに設定し、希釈ガス(例えば水素)の流量を増すことによって形成できる。
The photoconductive layer 102 plays a role of generating carriers by light irradiation such as laser light. The photoconductive layer 102 is mainly composed of amorphous silicon. That is, it is made of a non-single crystal material mainly composed of silicon, and when it contains microcrystalline silicon, dark conductivity and photoconductivity can be increased, and the design flexibility of the photoconductive layer 102 is increased. be able to. Such microcrystalline silicon can be formed by changing the film formation conditions. For example, when the glow discharge decomposition method is adopted, the temperature of the substrate 10A and the DC pulse power are set high, and a dilution gas (for example, It can be formed by increasing the flow rate of (hydrogen).

光導電層102は、シリコンの未結合手(ダングリングボンド)を補償する観点から、水
素およびハロゲン元素の少なくとも一方を含むものが好ましい。光導電層102における水
素およびハロゲン元素の含有量の総和は、シリコンと水素とハロゲン元素との含有量の総和に対して1原子%以上40原子%以下とされるのが好ましい。光導電層102にシリコンを
導入するための原料としては、SiH,Si,SiおよびSi10などの水素化珪素(シラン類)が挙げられ、中でもシリコンの供給効率あるいは取扱い容易性などの観点からSiHおよびSiが特に好ましい。光導電層102にハロゲン元素
を導入するための原料としては、F,BrF,ClF,ClF,BrF,BrF,IF,IF,SiFおよびSiなどが挙げられる。なお、光導電層102に
シリコンを導入するための原料は、必要に応じてHおよびHeの少なくとも一方によって希釈してもよい。
The photoconductive layer 102 preferably contains at least one of hydrogen and a halogen element from the viewpoint of compensating for dangling bonds of silicon. The total sum of the contents of hydrogen and halogen elements in the photoconductive layer 102 is preferably not less than 1 atom% and not more than 40 atom% with respect to the sum of the contents of silicon, hydrogen, and halogen elements. Examples of the raw material for introducing silicon into the photoconductive layer 102 include silicon hydrides (silanes) such as SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8, and Si 4 H 10 , and in particular, silicon supply efficiency Alternatively, SiH 4 and Si 2 H 6 are particularly preferable from the viewpoint of easy handling. Examples of the raw material for introducing the halogen element into the photoconductive layer 102 include F 2 , BrF, ClF, ClF 3 , BrF 3 , BrF 5 , IF 3 , IF 7 , SiF 4, and Si 2 F 6 . Note that the raw material for introducing silicon into the photoconductive layer 102 may be diluted with at least one of H 2 and He as necessary.

光導電層102における水素あるいはハロゲン元素の含有量を制御するには、例えば、基
体10Aの温度、光導電層102に各元素を導入するための原料の供給量あるいはグロー放電
分解の放電電力などを調整すればよい。
In order to control the content of hydrogen or halogen element in the photoconductive layer 102, for example, the temperature of the substrate 10A, the supply amount of raw materials for introducing each element into the photoconductive layer 102, the discharge power of glow discharge decomposition, etc. Adjust it.

また、光導電層102には、伝導性を制御するための伝導性制御元素を導入してもよい。
伝導性制御元素としては、例えばp型伝導特性を付与する第13族元素およびn型伝導特性を付与する第15族元素が挙げられる。半導体特性に対する感応性あるいは光感度の観点から、第13族元素としては硼素、第15族元素としては燐が好ましい。特に、伝導性制御元素としては、光導電層102を真性型(i型)に近付けるべく第13族元素を採用するのが好ま
しい。なお、光導電層102に対する伝導性制御元素の導入は、層形成時に、光導電層102の主たる構成元素を導入する原料とともに、伝導性制御元素を導入するための上記の原料を反応容器中に供給することにより行なう。また、伝導性制御元素を導入するための原料は、必要に応じてH,He,ArおよびNeなどのガスによって希釈してもよい。さらに、原料における伝導性制御元素の含有量を経時的に変化させたり、希釈の程度を変化させたりすることにより、光導電層102における伝導性制御元素の濃度を層厚方向に変化させてもよい。このような構成の場合は、光導電層102における伝導性制御元素の含有量は、光導電層102の全体における平均含有量が所定範囲内であればよい。
In addition, a conductivity control element for controlling conductivity may be introduced into the photoconductive layer 102.
Examples of the conductivity control element include a Group 13 element that imparts p-type conductivity and a Group 15 element that imparts n-type conductivity. From the viewpoint of sensitivity to semiconductor characteristics or photosensitivity, boron is preferable as the Group 13 element and phosphorus is preferable as the Group 15 element. In particular, as the conductivity control element, it is preferable to employ a Group 13 element to bring the photoconductive layer 102 closer to the intrinsic type (i-type). It should be noted that the introduction of the conductivity control element into the photoconductive layer 102 is performed in the reaction vessel by introducing the above-described raw material for introducing the conductivity control element into the reaction vessel together with the raw material for introducing the main constituent element of the photoconductive layer 102 during the layer formation. This is done by supplying. In addition, the raw material for introducing the conductivity control element may be diluted with a gas such as H 2 , He, Ar, or Ne as necessary. Furthermore, the concentration of the conductivity control element in the photoconductive layer 102 can be changed in the layer thickness direction by changing the content of the conductivity control element in the raw material over time or changing the degree of dilution. Good. In such a configuration, the content of the conductivity control element in the photoconductive layer 102 may be an average content in the entire photoconductive layer 102 within a predetermined range.

さらに、光導電層102には、炭素、酸素および窒素のうちの少なくとも1種の元素を含
有させてもよい。光導電層102における炭素と酸素と窒素との含有量の総和は、これらの
元素とシリコンとの総和に対して1×10−5原子%以上10原子%以下とするのが好ましい。
Further, the photoconductive layer 102 may contain at least one element of carbon, oxygen, and nitrogen. The total content of carbon, oxygen, and nitrogen in the photoconductive layer 102 is preferably 1 × 10 −5 atomic% to 10 atomic% with respect to the total of these elements and silicon.

光導電層102の厚さ(層厚)は、所望の電子写真特性および経済的効果などの観点から
、5μm以上100μm以下(好適には10μm以上80μm以下)に設定される。光導電層102の厚さが5μm未満であると、帯電能あるいは光感度を充分に確保できない場合がある。他方、光導電層102の厚さが100μmを超えると、電子写真特性上不必要な厚さになり、形成時間も長くなって製造コストの増大に繋がってしまうことになる。
The thickness (layer thickness) of the photoconductive layer 102 is set to 5 μm or more and 100 μm or less (preferably 10 μm or more and 80 μm or less) from the viewpoint of desired electrophotographic characteristics and economic effects. If the thickness of the photoconductive layer 102 is less than 5 μm, the charging ability or photosensitivity may not be sufficiently secured. On the other hand, if the thickness of the photoconductive layer 102 exceeds 100 μm, it becomes an unnecessary thickness in terms of electrophotographic characteristics, and the formation time becomes longer, leading to an increase in manufacturing cost.

上部電荷注入阻止層103(以下、上部阻止層103ともいう。)は、画像形成装置において帯電器によって感光体層10Bの表面に帯電した電荷が光導電層102側に注入されるのを阻
止する役割を担うものである。上部阻止層103は、非晶質シリコンを主体として第13族元
素を含むものである。
The upper charge injection blocking layer 103 (hereinafter also referred to as the upper blocking layer 103) blocks the charge charged on the surface of the photoreceptor layer 10B by the charger in the image forming apparatus from being injected into the photoconductive layer 102 side. It plays a role. The upper blocking layer 103 is mainly composed of amorphous silicon and contains a Group 13 element.

上部阻止層103に含まれる第13族元素は、上部阻止層103中に実質的に均一に分布していてもよいし、層厚方向において不均一に分布している部位を有していてもよい。いずれの場合においても、面内方向における特性の均一化を図る観点から、基体10Aの表面に平行な面内方向において実質的に均一に分布しているのが好ましい。   The group 13 element contained in the upper blocking layer 103 may be distributed substantially uniformly in the upper blocking layer 103 or may have a portion that is unevenly distributed in the layer thickness direction. Good. In any case, from the viewpoint of achieving uniform characteristics in the in-plane direction, it is preferable that the distribution is substantially uniform in the in-plane direction parallel to the surface of the substrate 10A.

上部阻止層103における第13族元素の原子濃度は、5×1017[1/cm]以上5×1019[1/cm]以下とされる。上部阻止層103における第13族元素の原子濃度が5×1017[1/cm]未満であると、電荷注入阻止能力を充分に確保できない場合がある。他方、上部阻止層103における第13族元素の原子濃度が5×1019[1/cm]を超えると、
残留電荷が発生し、メモリ特性が悪化してしまう場合がある。
The atomic concentration of the group 13 element in the upper blocking layer 103 is 5 × 10 17 [1 / cm 3 ] or more and 5 × 10 19 [1 / cm 3 ] or less. If the atomic concentration of the Group 13 element in the upper blocking layer 103 is less than 5 × 10 17 [1 / cm 3 ], the charge injection blocking ability may not be sufficiently secured. On the other hand, when the atomic concentration of the group 13 element in the upper blocking layer 103 exceeds 5 × 10 19 [1 / cm 3 ],
Residual charges are generated, and memory characteristics may be deteriorated.

ここで、上部阻止層103において第13族元素の濃度(含有量)が層厚方向において不均
一に分布している場合は、残留電荷の発生を低減する観点から、光導電層102側から表面
保護層104(以下、表面層104ともいう。)側に向けて第13族元素の濃度が一様な勾配で増加していることが好ましい。
Here, when the concentration (content) of the Group 13 element is unevenly distributed in the layer thickness direction in the upper blocking layer 103, the surface from the photoconductive layer 102 side is reduced from the viewpoint of reducing the generation of residual charges. It is preferable that the concentration of the Group 13 element increases with a uniform gradient toward the protective layer 104 (hereinafter also referred to as the surface layer 104).

第13族元素としては、硼素(B),アルミニウム(Al),ガリウム(Ga),インジウム(In)およびタリウム(Tl)などが挙げられる。中でもプラズマCVD法(グロー放電分解法)による成膜時のドーピング濃度の制御容易性の観点から、硼素が特に好ましい。   Examples of Group 13 elements include boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), and thallium (Tl). Among these, boron is particularly preferable from the viewpoint of easy control of the doping concentration during film formation by plasma CVD (glow discharge decomposition method).

上部阻止層103に第13族元素を導入するための原料としては、前述の下部阻止層101の場合と同様である。また、第13族元素を導入するための原料は、必要に応じてH,He,ArおよびNeなどのガスによって希釈してもよい。 The raw material for introducing the Group 13 element into the upper blocking layer 103 is the same as that of the lower blocking layer 101 described above. In addition, the raw material for introducing the Group 13 element may be diluted with a gas such as H 2 , He, Ar, or Ne as necessary.

上部阻止層103に対する第13族元素の導入は、層形成時に、上部阻止層103の主たる構成元素を導入する原料とともに、第13族元素を導入するための原料を反応容器中に供給することによって行なわれる。   The introduction of the group 13 element into the upper blocking layer 103 is performed by supplying the raw material for introducing the group 13 element into the reaction vessel together with the raw material for introducing the main constituent element of the upper blocking layer 103 at the time of layer formation. Done.

上部阻止層103は、窒素,酸素および炭素のうちの少なくとも1種をさらに含んでいて
もよい。上部阻止層103に含まれる窒素,酸素あるいは炭素は、上部阻止層103中に実質的に均一に分布していてもよいし、層厚方向において不均一に分布している部位を有していてもよい。いずれの場合においても、面内方向における特性の均一化を図る観点から、基体10Aの表面に平行な面内方向において実質的に均一に分布しているのが好ましい。
The upper blocking layer 103 may further include at least one of nitrogen, oxygen, and carbon. Nitrogen, oxygen, or carbon contained in the upper blocking layer 103 may be distributed substantially uniformly in the upper blocking layer 103 or may have a portion that is unevenly distributed in the layer thickness direction. Also good. In any case, from the viewpoint of achieving uniform characteristics in the in-plane direction, it is preferable that the distribution is substantially uniform in the in-plane direction parallel to the surface of the substrate 10A.

上部阻止層103に炭素が含まれる場合の含有量は、シリコンおよび炭素の総和に対して10原子%以上70原子%以下の範囲であり、表面層104における炭素の含有量よりも少ないことが好ましい。上部阻止層103における炭素の含有量が10原子%未満であると、電荷注入を阻止する能力が充分に確保できない場合がある。他方、上部阻止層103における炭素の含有量が70原子%を超えると、電荷の横流れ(いわゆるEV流れ)を充分に抑制できない場合がある。また、上部阻止層103における炭素の含有量を表面層104における炭素の含有量よりも少なくすることにより、上部阻止層103と表面層104との界面における電荷の滞留が抑制され、残留電位を低減することが可能となる。   When carbon is contained in the upper blocking layer 103, the content is in the range of 10 atomic% to 70 atomic% with respect to the sum of silicon and carbon, and is preferably smaller than the carbon content in the surface layer 104. . If the carbon content in the upper blocking layer 103 is less than 10 atomic%, the ability to block charge injection may not be sufficiently secured. On the other hand, if the carbon content in the upper blocking layer 103 exceeds 70 atomic%, the lateral flow of charges (so-called EV flow) may not be sufficiently suppressed. In addition, by making the carbon content in the upper blocking layer 103 smaller than the carbon content in the surface layer 104, charge retention at the interface between the upper blocking layer 103 and the surface layer 104 is suppressed, and the residual potential is reduced. It becomes possible to do.

上部阻止層103における窒素,酸素および炭素の含有量の総和は、これらの各元素とシ
リコンとの総和に対して10原子%以上70原子%以下であることが好ましい。
The total content of nitrogen, oxygen and carbon in the upper blocking layer 103 is preferably 10 atomic% or more and 70 atomic% or less with respect to the total of these elements and silicon.

上部阻止層103の厚さ(層厚)は、電荷注入の阻止能力あるいは画像品質などの電子写
真特性の観点から、0.01μm以上1μm以下に設定される。上部阻止層103の厚さが0.01
μm未満であると、電荷注入阻止能力を充分に確保できない場合がある。他方、上部阻止
層103の厚さが1μmを超えると、残留電荷が発生し、画像におけるメモリ特性が悪化し
てしまう場合がある。
The thickness (layer thickness) of the upper blocking layer 103 is set to 0.01 μm or more and 1 μm or less from the viewpoint of electrophotographic characteristics such as charge injection blocking ability or image quality. The thickness of the upper blocking layer 103 is 0.01
If it is less than μm, the charge injection blocking ability may not be sufficiently secured. On the other hand, if the thickness of the upper blocking layer 103 exceeds 1 μm, residual charges are generated, and the memory characteristics in the image may be deteriorated.

ここで、以上の説明においては光導電層102と上部電荷注入阻止層103とをそれぞれ独立した層であるように説明したが、本発明に係る電子写真感光体10においては、光導電層102と上部電荷注入阻止層103との間には界面を有しないことが重要である。すなわち、光導電層102と上部電荷注入阻止層103との間には明確な境界が存在せず、光導電層102から上部電荷注入阻止層103へと連続的に変化(遷移)する領域(遷移領域)を有している。また、光導電層102と上部電荷注入阻止層103との間には界面を有していないことから、両者を全体として見た場合には、遷移領域を介して、基体10A側に光導電層領域が位置し、表面保護層104側に上部電荷注入阻止層領域が位置しているものと認識できる。   Here, in the above description, the photoconductive layer 102 and the upper charge injection blocking layer 103 have been described as being independent layers, but in the electrophotographic photoreceptor 10 according to the present invention, the photoconductive layer 102 and It is important that there is no interface with the upper charge injection blocking layer 103. That is, there is no clear boundary between the photoconductive layer 102 and the upper charge injection blocking layer 103, and the region (transition) that changes continuously from the photoconductive layer 102 to the upper charge injection blocking layer 103 (transition). Area). In addition, since there is no interface between the photoconductive layer 102 and the upper charge injection blocking layer 103, when both are viewed as a whole, the photoconductive layer is formed on the substrate 10A side through the transition region. It can be recognized that the region is located and the upper charge injection blocking layer region is located on the surface protective layer 104 side.

このように光導電層102と上部阻止層103との間に界面を有しない構造とするには、例えば後述するようにグロー放電分解法によって各層を形成する際に、光導電層102から上部
阻止層103にかけてグロー放電を維持したまま原料ガスを光導電層102用の組成から上部阻止層103の組成に連続的に変化させることによって、光導電層102上に界面を有さず遷移領域を介して上部阻止層103が位置する構造とすることができる。またこの遷移領域の厚さ
および組成の変化具合は、要求される電子写真特性に応じて適宜設定すればよい。例えば、解像性の観点からは、遷移領域の厚さは0.2μm以下にすることが好ましい。
In order to obtain a structure having no interface between the photoconductive layer 102 and the upper blocking layer 103 in this way, for example, when forming each layer by a glow discharge decomposition method as described later, the upper blocking layer from the photoconductive layer 102 is formed. By continuously changing the source gas from the composition for the photoconductive layer 102 to the composition of the upper blocking layer 103 while maintaining the glow discharge over the layer 103, there is no interface on the photoconductive layer 102 via the transition region. Thus, the upper blocking layer 103 may be positioned. The thickness of the transition region and the degree of composition change may be appropriately set according to the required electrophotographic characteristics. For example, from the viewpoint of resolution, the thickness of the transition region is preferably 0.2 μm or less.

表面層104は、主として感光体10の耐湿性、繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環
境特性あるいは耐久性を高める役割を担うものであり、例えばシリコンおよび炭素の少なくとも一方を主体とする非単結晶材料によって構成されている。
The surface layer 104 plays a role of mainly improving the moisture resistance, repetitive use characteristics, electrical pressure resistance, use environment characteristics or durability of the photoreceptor 10, for example, a non-single material mainly composed of at least one of silicon and carbon. It is composed of a crystal material.

表面層104は、例えば、アモルファスシリコンカーバイド(a−SiC)により構成す
る場合であれば、a−SiC中の炭素の含有量がシリコンおよび炭素の総和に対して40原子%以上90原子%以下であるものが好ましい。また、水素化アモルファスシリコンカーバイド(a−SiC:H)により構成する場合であれば、a−SiC:H中の炭素の含有量がシリコンおよび炭素の総和に対して55原子%以上93原子%以下(好適には60原子%以上70原子%以下)であるものが好ましい。
If the surface layer 104 is composed of, for example, amorphous silicon carbide (a-SiC), the carbon content in the a-SiC is 40 atomic percent or more and 90 atomic percent or less with respect to the total of silicon and carbon. Some are preferred. In the case of being composed of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC: H), the carbon content in the a-SiC: H is 55 atomic percent or more and 93 atomic percent or less with respect to the sum of silicon and carbon. Those (preferably 60 atomic% or more and 70 atomic% or less) are preferable.

表面層104は、シリコンの未結合手を補償する観点から、水素およびハロゲン元素の少
なくとも一方を含むことが好ましい。表面層104における水素の含有量は、構成元素の総
和に対して1原子%以上70原子%以下(好適には1原子%以上45原子%以下)とするのが好ましい。表面層104における水素の含有量が1原子%未満であると、水素を含有させる
ことによる効果を充分に得ることができない場合がある。他方、表面層104における水素
の含有量が70原子%を超えると、表面層104の表面に光が照射される際に生じる電荷のト
ラップを充分に抑制できない(ひいては残留電位に起因する画像不良の発生を充分に抑制できない)場合がある。
The surface layer 104 preferably contains at least one of hydrogen and a halogen element from the viewpoint of compensating for dangling bonds of silicon. The hydrogen content in the surface layer 104 is preferably 1 atom% or more and 70 atom% or less (preferably 1 atom% or more and 45 atom% or less) with respect to the total of the constituent elements. If the hydrogen content in the surface layer 104 is less than 1 atomic%, the effect of containing hydrogen may not be sufficiently obtained. On the other hand, if the hydrogen content in the surface layer 104 exceeds 70 atomic%, trapping of charges generated when the surface of the surface layer 104 is irradiated with light cannot be sufficiently suppressed (as a result, image defects caused by the residual potential). Occurrence may not be sufficiently suppressed).

表面層104の厚さは、耐久性あるいは残留電位などの観点から、0.2μm以上1.5μm以
下(好適には、0.5μm以上1μm以下)に設定される。表面層104の厚さが0.2μm未満
であると、画像形成装置での耐刷性について画像傷あるいは画像濃度むらの発生を充分に抑制できない場合がある。他方、表面層104の厚さが1.5μmを超えると、残留電位に起因する画像不良の発生を適切に抑制できない場合がある。
The thickness of the surface layer 104 is set to 0.2 μm or more and 1.5 μm or less (preferably 0.5 μm or more and 1 μm or less) from the viewpoint of durability or residual potential. If the thickness of the surface layer 104 is less than 0.2 μm, image scratches or image density unevenness may not be sufficiently suppressed in terms of printing durability in the image forming apparatus. On the other hand, when the thickness of the surface layer 104 exceeds 1.5 μm, the occurrence of image defects due to the residual potential may not be appropriately suppressed.

本発明に係る電子写真感光体10においては、上部電荷注入阻止層103と表面保護層104との間には界面を有することが重要である。すなわち、上記のように光導電層102と上部電
荷注入阻止層103との間には界面を有さず、また上部電荷注入阻止層103と表面保護層104
との間には界面を有することから、成膜の際に光導電層102上に上部電荷注入阻止層103お
よび表面保護層104を形成する間に異物が付着したり、成膜後に微小な膜応力が集中した
りすることによって、その部分を起点として点状の剥落が生じるとしても、図1(c)に示すように、界面を有しない光導電層102と上部電荷注入阻止層103との間から剥落することが抑制され、界面を有する上部電荷注入阻止層103と表面保護層104との間から剥落することになる。このとき、その点状に剥落した部分においても、光導電層102上に上部電荷
注入阻止層103が存在していることから、表面の帯電電荷を維持することができる。その
ため、画像形成装置で印画したときに画像上に黒点として現れる画像欠陥を生じにくくして良好な画像品質を維持することが可能となる。
In the electrophotographic photoreceptor 10 according to the present invention, it is important to have an interface between the upper charge injection blocking layer 103 and the surface protective layer 104. That is, as described above, there is no interface between the photoconductive layer 102 and the upper charge injection blocking layer 103, and the upper charge injection blocking layer 103 and the surface protective layer 104
Since there is an interface therewith, foreign matter adheres during formation of the upper charge injection blocking layer 103 and the surface protective layer 104 on the photoconductive layer 102 during film formation, or a minute film after film formation. Even if the stress concentrates and a point-like peeling occurs from that portion as a starting point, as shown in FIG. 1C, the photoconductive layer 102 having no interface and the upper charge injection blocking layer 103 The peeling from the gap is suppressed, and the peeling occurs from between the upper charge injection blocking layer 103 and the surface protective layer 104 having the interface. At this time, since the upper charge injection blocking layer 103 exists on the photoconductive layer 102 even in the part peeled off in the dot shape, the charged charge on the surface can be maintained. Therefore, it is possible to maintain good image quality by making it difficult for image defects that appear as black spots on an image when printed by the image forming apparatus.

上部阻止層103と表面層104との間に界面を有する構造とするには、例えば後述するようにグロー放電分解法によって各層を形成する際に、上部阻止層103の成膜終了時にグロー
放電を中止し、原料ガスを表面層104用の組成に変化させた後にグロー放電を再開するこ
とによって、上部阻止層103と表面層104との間に界面を有する構造とすることができる。
In order to obtain a structure having an interface between the upper blocking layer 103 and the surface layer 104, for example, when each layer is formed by a glow discharge decomposition method as described later, glow discharge is performed at the end of film formation of the upper blocking layer 103. By stopping and changing the source gas to the composition for the surface layer 104 and restarting the glow discharge, a structure having an interface between the upper blocking layer 103 and the surface layer 104 can be obtained.

このような光導電層102と上部阻止層103との間および上部阻止層103と表面層104との間の界面の有無を確認するには、例えば、2次イオン質量分析法による深さ方向組成分析あるいは透過電子顕微鏡による断面構造確認などが利用できる。   In order to confirm the presence or absence of such an interface between the photoconductive layer 102 and the upper blocking layer 103 and between the upper blocking layer 103 and the surface layer 104, for example, a composition in the depth direction by secondary ion mass spectrometry Analysis or cross-sectional structure confirmation by a transmission electron microscope can be used.

図2は、感光体10における下部阻止層101、光導電層102、上部阻止層103および表面層104をグロー放電分解法によって基体10A上に形成する成膜装置である、グロー放電分解法によるプラズマCVD装置Yの一例を示す模式的構成図である。   FIG. 2 is a film forming apparatus for forming the lower blocking layer 101, the photoconductive layer 102, the upper blocking layer 103, and the surface layer 104 of the photoreceptor 10 on the substrate 10A by the glow discharge decomposition method. It is a typical block diagram which shows an example of CVD apparatus Y.

プラズマCVD装置Yは、反応室20と支持機構30と直流電圧供給機構40と温度制御機構50と回転機構60とガス供給機構70と排気機構80とを備えている。   The plasma CVD apparatus Y includes a reaction chamber 20, a support mechanism 30, a DC voltage supply mechanism 40, a temperature control mechanism 50, a rotation mechanism 60, a gas supply mechanism 70, and an exhaust mechanism 80.

反応室20は、基体10Aに対して各層となる堆積膜を形成するための空間であり、円筒状電極21と、一対のプレート22,23と、絶縁部材24,25とにより仕切られている。   The reaction chamber 20 is a space for forming a deposited film as each layer on the substrate 10A, and is partitioned by a cylindrical electrode 21, a pair of plates 22, 23, and insulating members 24, 25.

円筒状電極21は、堆積膜の形成空間を仕切るとともに、グロー放電を発生させるために基体10A側を第1導体とした場合の第2導体としての役割を担うものである。円筒状電極21は、基体10Aと同様の導電性材料で構成されており、絶縁部材24,25を介して一対のプレート22,23と一体化されている。本例における円筒状電極21は、支持機構30に支持させた基体10Aと円筒状電極21との距離が10mm以上100mm以下となるように構成されてい
る。基体10Aと円筒状電極21との距離が10mmよりも小さくなると、基体10Aと円筒状電極21との間で安定した放電を得難くなる場合がある。他方、基体10Aと円筒状電極21との距離が100mmよりも大きくなると、安定した放電を得るための電力が必要以上に大きく
なり、プラズマCVD装置Yが必要以上に大きくなってしまい、単位設置面積当たりの生産性が低下する場合がある。
The cylindrical electrode 21 functions as a second conductor in the case where the substrate 10A side is the first conductor in order to partition the formation space of the deposited film and generate glow discharge. The cylindrical electrode 21 is made of a conductive material similar to that of the base body 10A, and is integrated with the pair of plates 22 and 23 via the insulating members 24 and 25. The cylindrical electrode 21 in this example is configured such that the distance between the base body 10A supported by the support mechanism 30 and the cylindrical electrode 21 is 10 mm or more and 100 mm or less. If the distance between the base 10A and the cylindrical electrode 21 is smaller than 10 mm, it may be difficult to obtain a stable discharge between the base 10A and the cylindrical electrode 21. On the other hand, if the distance between the substrate 10A and the cylindrical electrode 21 is larger than 100 mm, the power for obtaining a stable discharge becomes larger than necessary, and the plasma CVD apparatus Y becomes larger than necessary, resulting in a unit installation area. The productivity per hit may be reduced.

円筒状電極21は、ガス導入口21aおよび複数のガス吹き出し孔21bを有しており、その一端において接地されている。なお、円筒状電極21の接地は必須の条件ではなく、後述の直流電源41とは別の基準電源に接続する構成としてもよい。円筒状電極21を直流電源41とは別の基準電源に接続する場合に、基準電源における基準電圧は、例えば−1500V以上1500V以下とされる。   The cylindrical electrode 21 has a gas introduction port 21a and a plurality of gas blowing holes 21b, and is grounded at one end thereof. Note that the grounding of the cylindrical electrode 21 is not an essential condition, and may be configured to be connected to a reference power source different from a DC power source 41 described later. When the cylindrical electrode 21 is connected to a reference power supply different from the DC power supply 41, the reference voltage in the reference power supply is set to, for example, −1500 V or more and 1500 V or less.

ガス導入口21aは、洗浄ガスまたは原料ガスを反応室20に導入するための開口であり、ガス供給機構70に接続されている。   The gas inlet 21 a is an opening for introducing a cleaning gas or a raw material gas into the reaction chamber 20 and is connected to the gas supply mechanism 70.

複数のガス吹き出し孔21bは、円筒状電極21の内部に導入された洗浄ガスまたは原料ガスを基体10Aに向けて吹き出すための開口であり、図の上下方向および周方向において例
えば等間隔で配置される。複数のガス吹き出し孔21bは、同一形状の円形に形成されており、その孔径は例えば0.5mm以上2mm以下とされる。なお、複数のガス吹き出し孔21
bの孔径、形状および配置については、適宜変更可能である。
The plurality of gas blowing holes 21b are openings for blowing the cleaning gas or the raw material gas introduced into the cylindrical electrode 21 toward the base body 10A, and are arranged at, for example, equal intervals in the vertical direction and the circumferential direction in the figure. The The plurality of gas blowing holes 21b are formed in a circular shape having the same shape, and the hole diameter is, for example, not less than 0.5 mm and not more than 2 mm. A plurality of gas blowing holes 21
About the hole diameter of b, a shape, and arrangement | positioning, it can change suitably.

プレート22は、反応室20の開放状態と閉塞状態とを選択することができるように着脱可能な構成とされており、プレート22を開閉することによって反応室20に対する後述の支持体31の出し入れが可能となっている。プレート22は、基体10Aと同様の導電性材料で形成されており、その下面側に防着板26が取り付けられている。これにより、プレート22に対して堆積膜が形成されるのが防止されている。なお、防着板26は、基体10Aと同様の導電性材料で形成されており、プレート22に対して着脱自在とされている。   The plate 22 is configured to be detachable so that the reaction chamber 20 can be selected between an open state and a closed state. By opening and closing the plate 22, a support 31 described later can be taken in and out of the reaction chamber 20. It is possible. The plate 22 is formed of the same conductive material as that of the base body 10A, and an adhesion preventing plate 26 is attached to the lower surface side thereof. As a result, the deposition film is prevented from being formed on the plate 22. The adhesion preventing plate 26 is made of the same conductive material as that of the base 10A and is detachable from the plate 22.

プレート23は、反応室20のベースとなるものであり、基体10Aと同様の導電性材料で形成されている。プレート23と円筒状電極21との間に介在する絶縁部材25は、円筒状電極21とプレート23との間にアーク放電が発生するのを抑制する役割を担うものである。このような絶縁部材25は、例えばガラス材料(ホウ珪酸ガラス,ソーダガラス,耐熱ガラスなど)、無機絶縁材料(セラミックス,石英,サファイヤなど)、あるいは合成樹脂絶縁材料(ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂,ポリカーボネート,ポリエチレンテレフタレート,ポリエステル,ポリエチレン,ポリプロピレン,ポリスチレン,ポリアミド,ビニロン,エポキシ,マイラー,ポリエーテルエーテルケトンなど)で形成することができる。絶縁部材25の材料としては、絶縁性を有し、使用温度で充分な耐熱性があり、真空中でガスの放出が小さい材料であれば特に限定はない。   The plate 23 serves as a base for the reaction chamber 20, and is formed of the same conductive material as that of the base 10A. The insulating member 25 interposed between the plate 23 and the cylindrical electrode 21 plays a role of suppressing the occurrence of arc discharge between the cylindrical electrode 21 and the plate 23. Such an insulating member 25 is, for example, a glass material (borosilicate glass, soda glass, heat-resistant glass, etc.), an inorganic insulating material (ceramics, quartz, sapphire, etc.), or a synthetic resin insulating material (fluorine resin such as polytetrafluoroethylene). Polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyamide, vinylon, epoxy, mylar, polyetheretherketone, etc.). The material of the insulating member 25 is not particularly limited as long as it is insulating, has sufficient heat resistance at the use temperature, and emits a small amount of gas in a vacuum.

プレート23および絶縁部材25には、ガス排出口23A,25Aおよび圧力計27が設けられている。ガス排出口23A,25Aは、反応室20の内部の気体を排出する役割を担うものであり、排気機構80に接続されている。圧力計27は、反応室20の圧力をモニタリングするためのものであり、公知の種々のものを使用することができる。   The plate 23 and the insulating member 25 are provided with gas discharge ports 23A and 25A and a pressure gauge 27. The gas discharge ports 23A and 25A serve to discharge the gas inside the reaction chamber 20 and are connected to the exhaust mechanism 80. The pressure gauge 27 is for monitoring the pressure in the reaction chamber 20, and various known ones can be used.

支持機構30は、基体10Aを支持するとともに、グロー放電を発生させる第1導体としての役割を担うものである。支持機構30は、支持体31と導電性支柱32と絶縁材33とを含んで構成されている。本例における支持機構30は、2つの基体10Aを支持することができる長さ(寸法)に形成されており、支持体31が導電性支柱32に対して着脱自在とされている。このような構成によると、支持した2つの基体10Aの表面に直接触れることなく、反応室20に対して2つの基体10Aの出し入れを行なうことができる。   The support mechanism 30 serves as a first conductor that supports the base 10A and generates glow discharge. The support mechanism 30 includes a support 31, a conductive support 32, and an insulating material 33. The support mechanism 30 in this example is formed in a length (dimension) that can support the two base bodies 10A, and the support 31 is detachable from the conductive support column 32. According to such a configuration, the two substrates 10A can be taken in and out of the reaction chamber 20 without directly touching the surfaces of the two supported substrates 10A.

支持体31は、フランジ部31aを有する中空状の部材であり、基体10Aと同様の導電性材料によって全体が導体として構成されている。   The support 31 is a hollow member having a flange portion 31a, and is entirely constituted by a conductive material similar to that of the base 10A as a conductor.

導電性支柱32は、導板32aを有する筒状の部材であり、基体10Aと同様の導電性材料によって全体が導体として構成されている。導電性支柱32は、その上端部において支持体31の内壁面に当接するように構成されている。   The conductive column 32 is a cylindrical member having a conductive plate 32a, and is entirely constituted as a conductor by the same conductive material as that of the base 10A. The conductive support column 32 is configured to contact the inner wall surface of the support 31 at its upper end.

絶縁材33は、導電性支柱32とプレート23との間の電気的絶縁性を確保する役割を担うものであり、反応室20の略中央において導電性支柱32とプレート23との間に介在している。   The insulating material 33 plays a role of ensuring electrical insulation between the conductive support column 32 and the plate 23, and is interposed between the conductive support column 32 and the plate 23 in the approximate center of the reaction chamber 20. ing.

直流電圧供給機構40は、導電性支柱32に直流電圧を供給する機構であり、直流電源41および制御部42を有している。   The DC voltage supply mechanism 40 is a mechanism that supplies a DC voltage to the conductive support column 32, and includes a DC power supply 41 and a control unit 42.

直流電源41は、導電性支柱32に印加する直流電圧を発生させる役割を担うものであり、導板32aを介して導電性支柱32に接続されている。   The DC power supply 41 plays a role of generating a DC voltage to be applied to the conductive support column 32, and is connected to the conductive support column 32 through a conductive plate 32a.

制御部42は、直流電源41の動作を制御する役割を担うものであり、直流電源41に接続されている。制御部42は、直流電源41の動作を制御して、導電性支柱32を介して支持体31に例えばパルス状の直流電圧を印加できるように構成されている。   The control unit 42 plays a role of controlling the operation of the DC power supply 41 and is connected to the DC power supply 41. The control unit 42 is configured to control the operation of the DC power source 41 so that, for example, a pulsed DC voltage can be applied to the support 31 via the conductive support 32.

温度制御機構50は、基体10Aの温度を制御する役割を担うものであり、セラミックパイプ51およびヒータ52を有している。   The temperature control mechanism 50 plays a role of controlling the temperature of the base 10 </ b> A, and includes a ceramic pipe 51 and a heater 52.

セラミックパイプ51は、絶縁性および熱伝導性を確保する役割を担うものであり、導電性支柱32の内部に収容されている。   The ceramic pipe 51 plays a role of ensuring insulation and thermal conductivity, and is accommodated in the conductive column 32.

ヒータ52は、基体10Aを加熱する役割を担うものであり、導電性支柱32の内部に収容されている。基体10Aの温度制御は、例えば支持体31あるいは導電性支柱32に熱電対(図示せず)を取り付け、そのモニタ結果に基づいてヒータ52をオン/オフ制御することによって行なわれる。基体10Aの温度は、例えば200℃以上400℃以下の範囲における所定温度に維持される。なお、ヒータ52としては、例えばニクロム線またはカートリッジヒータが挙げられる。   The heater 52 plays a role of heating the base 10 </ b> A and is accommodated in the conductive support column 32. The temperature control of the base 10A is performed, for example, by attaching a thermocouple (not shown) to the support 31 or the conductive support 32 and controlling the heater 52 on / off based on the monitoring result. The temperature of the substrate 10A is maintained at a predetermined temperature in the range of 200 ° C. or more and 400 ° C. or less, for example. Examples of the heater 52 include a nichrome wire or a cartridge heater.

回転機構60は、支持体31を回転させる役割を担うものであり、回転モータ61と回転導入端子62と絶縁軸部材63と絶縁平板64とを有している。回転機構60によって支持機構30を回転させて成膜を行なう場合は、支持体31とともに基体10Aが回転するため、原料ガスの分解成分を基体10Aの外周に対して略均等に堆積させるうえで好適である。   The rotation mechanism 60 plays a role of rotating the support 31 and includes a rotation motor 61, a rotation introduction terminal 62, an insulating shaft member 63, and an insulating flat plate 64. When film formation is performed by rotating the support mechanism 30 by the rotation mechanism 60, the base 10A rotates together with the support 31, so that it is suitable for depositing the decomposition components of the source gas substantially uniformly on the outer periphery of the base 10A. It is.

回転モータ61は、基体10Aに回転力を付与する役割を担うものである。回転モータ61は、例えば基体10Aを1rpm以上10rpm以下の一定の回転数で回転させるように動作制御される。回転モータ61としては、公知の種々のものを使用することができる。   The rotary motor 61 plays a role of applying a rotational force to the base 10A. The operation of the rotation motor 61 is controlled so as to rotate the base body 10A at a constant rotation speed of 1 rpm to 10 rpm, for example. Various known motors can be used as the rotary motor 61.

回転導入端子62は、反応室20内を所定の真空度に保ちながら絶縁軸部材63に回転力を伝達する役割を担うものである。このような回転導入端子62としては、回転軸を2重もしくは3重構造とした、オイルシールあるいはメカニカルシールなどの真空シール手段を用いることができる。   The rotation introducing terminal 62 plays a role of transmitting a rotational force to the insulating shaft member 63 while keeping the inside of the reaction chamber 20 at a predetermined degree of vacuum. As such a rotation introduction terminal 62, vacuum seal means such as an oil seal or a mechanical seal having a double or triple rotation shaft can be used.

絶縁軸部材63および絶縁平板64は、支持機構30とプレート22との間の絶縁状態を維持しつつ、回転モータ61からの回転導入端子62を介した回転力を支持機構30に伝達する役割を担うものである。これらは例えば絶縁部材25と同様の絶縁材料で形成されている。   The insulating shaft member 63 and the insulating flat plate 64 serve to transmit the rotational force from the rotary motor 61 via the rotation introducing terminal 62 to the support mechanism 30 while maintaining the insulating state between the support mechanism 30 and the plate 22. It is what you bear. These are formed of an insulating material similar to that of the insulating member 25, for example.

絶縁平板64は、プレート22を取り外す際に落下するゴミあるいは粉塵などの異物が基体10Aに付着するのを防止する役割を担うものである。このような絶縁平板64を有する場合は、基体10Aに異物が付着することに起因する異常放電の発生を抑制することができ、成膜欠陥の発生を抑制することができる。   The insulating flat plate 64 plays a role of preventing foreign matter such as dust or dust falling when the plate 22 is removed from adhering to the base 10A. In the case where such an insulating flat plate 64 is provided, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge due to foreign matters adhering to the substrate 10A, and it is possible to suppress the occurrence of film formation defects.

ガス供給機構70は、複数の原料ガスタンク71〜74と、複数の配管71A〜74Aと、複数のバルブ71B〜74B,71C〜74Cと、複数のマスフローコントローラ71D〜74Dとを含んでおり、配管75およびガス導入口21aを介して円筒状電極21に接続されている。   The gas supply mechanism 70 includes a plurality of source gas tanks 71 to 74, a plurality of pipes 71A to 74A, a plurality of valves 71B to 74B, 71C to 74C, and a plurality of mass flow controllers 71D to 74D. And it is connected to the cylindrical electrode 21 through the gas inlet 21a.

各原料ガスタンク71〜74は、原料ガスが充填されたものである。原料ガスとしては、例えばSiH,H,B,CH,NあるいはNOが用いられる。 Each of the source gas tanks 71 to 74 is filled with a source gas. As the raw material gas, for example SiH 4, H 2, B 2 H 6, CH 4, N 2 or NO are used.

バルブ71B〜74B,71C〜74Cおよびマスフローコントローラ71D〜74Dは、反応室20に導入するガス成分の流量、組成およびガス圧を調整するためのものである。なお、ガス供給機構70においては、各原料ガスタンク71〜74に充填すべきガスの種類あるいは複数の
原料ガスタンク71〜74の数は、基体10Aに形成すべき膜の種類あるいは組成に応じて適宜選択すればよい。
The valves 71B to 74B, 71C to 74C and the mass flow controllers 71D to 74D are for adjusting the flow rate, composition and gas pressure of the gas components introduced into the reaction chamber 20. In the gas supply mechanism 70, the type of gas to be filled in each source gas tank 71 to 74 or the number of source gas tanks 71 to 74 is appropriately selected according to the type or composition of the film to be formed on the substrate 10A. do it.

排気機構80は、反応室20のガスをガス排出口23A,25Aを介して外部に排出する役割を担うものであり、例えばメカニカルブースタポンプ81およびロータリーポンプ82を有している。これらのポンプ81,82は、圧力計27でのモニタリング結果によって動作制御されるものである。すなわち、排気機構80では、圧力計27でのモニタリング結果に基づいて、反応室20を所定の真空状態に維持するとともに、反応室20のガス圧を目的値に設定する。なお、反応室20の圧力は、例えば1Pa以上100Pa以下とされる。   The exhaust mechanism 80 plays a role of discharging the gas in the reaction chamber 20 to the outside through the gas discharge ports 23A and 25A, and includes, for example, a mechanical booster pump 81 and a rotary pump 82. These pumps 81 and 82 are controlled by the monitoring result of the pressure gauge 27. That is, the exhaust mechanism 80 maintains the reaction chamber 20 in a predetermined vacuum state based on the monitoring result of the pressure gauge 27, and sets the gas pressure in the reaction chamber 20 to a target value. The pressure in the reaction chamber 20 is, for example, 1 Pa or more and 100 Pa or less.

次に、プラズマCVD装置Yを用いた堆積膜の形成方法について、感光体10(図1参照)を作製する場合を例にして説明する。   Next, a method for forming a deposited film using the plasma CVD apparatus Y will be described by taking as an example the case of producing the photoreceptor 10 (see FIG. 1).

まず、プラズマCVD装置Yのプレート22を取り外して、複数(図2では2つ)の基体10Aを支持した支持機構30を反応室20の内部にセットし、再びプレート22を取り付ける。支持機構30における2つの基体10Aの支持は、支持体31のフランジ部31a上において、下ダミー基体D1,基体10A,中間ダミー基体D2,基体10Aおよび上ダミー基体D3を順次積み上げる形で行なわれる。各ダミー基体D1〜D3としては、例えば、全体が導電性を有する構成のものや、絶縁体の表面に導電性膜を形成した構成のものが使用できるが、中でも基体10Aと同様の構成のものが特に好ましい。   First, the plate 22 of the plasma CVD apparatus Y is removed, the support mechanism 30 supporting a plurality of (two in FIG. 2) substrates 10A is set inside the reaction chamber 20, and the plate 22 is attached again. The two bases 10A in the support mechanism 30 are supported on the flange portion 31a of the support 31 in such a manner that the lower dummy base D1, the base 10A, the intermediate dummy base D2, the base 10A, and the upper dummy base D3 are sequentially stacked. As each of the dummy bases D1 to D3, for example, one having a configuration having conductivity as a whole or one having a conductive film formed on the surface of an insulator can be used. Is particularly preferred.

下ダミー基体D1は、主として基体10Aの高さ位置を調整する役割を担うものである。中間ダミー基体D2は、主として隣接する基体10Aの端部間に不均一な放電が発生するのを抑制する役割を担うものである。中間ダミー基体D2の長さは、不均一な放電の発生を充分に抑制できる長さ(例えば1cm以上)に設定される。また、その外周面側角部に曲面加工(例えば曲率半径0.5mm以上)あるいは面取り加工(カットされた部分の軸方向
の長さおよび深さ方向の長さがそれぞれ0.5mm以上)を施したものが採用される。上ダ
ミー基体D3は、主として支持体31に堆積膜が形成されるのを抑制する役割を担うものである。上ダミー基体D3としては、その上側端部が支持体31の最上部よりも上方に突出するように構成されたものが採用される。
The lower dummy base D1 mainly plays a role of adjusting the height position of the base 10A. The intermediate dummy substrate D2 plays a role of mainly suppressing the occurrence of non-uniform discharge between the end portions of the adjacent substrates 10A. The length of the intermediate dummy substrate D2 is set to a length (for example, 1 cm or more) that can sufficiently suppress the occurrence of non-uniform discharge. In addition, the outer peripheral side corner is subjected to curved surface processing (for example, a radius of curvature of 0.5 mm or more) or chamfering (the length in the axial direction and the length in the depth direction of the cut portion are each 0.5 mm or more). Is adopted. The upper dummy substrate D3 mainly plays a role of suppressing the formation of a deposited film on the support 31. As the upper dummy base D <b> 3, one configured such that its upper end protrudes upward from the uppermost part of the support 31 is employed.

次いで、温度制御機構50によって基体10Aを所定温度に制御するとともに、排気機構80によって反応室20を減圧する。基体10Aの温度制御は、ヒータ52を発熱させることによって所定温度近傍まで昇温させた後、ヒータ52をオン/オフすることによって所定温度に維持するように行なわれる。基体10Aの温度は、その表面に形成すべき膜の種類および組成によって適宜設定されるが、例えばa−Si系膜を形成する場合は250℃以上300℃以下の範囲に設定される。一方、反応室20の減圧は、圧力計27での反応室20の圧力をモニタリングしつつ、メカニカルブースタポンプ81およびロータリーポンプ82の動作を制御することにより、ガス排出口23A,25Aを介して反応室20からガスを排出させることによって行なわれる。なお、原料ガス導入前における反応室20の減圧は、例えば1×10−3Pa程度に至るまで行なわれる。 Next, the substrate 10A is controlled to a predetermined temperature by the temperature control mechanism 50, and the reaction chamber 20 is depressurized by the exhaust mechanism 80. The temperature control of the base body 10A is performed so that the heater 52 is heated to near a predetermined temperature by generating heat and then the heater 52 is turned on / off to maintain the predetermined temperature. The temperature of the substrate 10A is appropriately set depending on the type and composition of the film to be formed on the surface. For example, when forming an a-Si film, it is set in the range of 250 ° C. or more and 300 ° C. or less. On the other hand, the pressure in the reaction chamber 20 is reduced through the gas discharge ports 23A and 25A by controlling the operation of the mechanical booster pump 81 and the rotary pump 82 while monitoring the pressure in the reaction chamber 20 with the pressure gauge 27. This is done by exhausting the gas from the chamber 20. Note that the pressure reduction in the reaction chamber 20 before the introduction of the raw material gas is performed, for example, to about 1 × 10 −3 Pa.

次いで、基体10Aの温度を所定温度で維持するとともに、反応室20を所定圧力まで減圧した状態で、ガス供給機構70によって反応室20に原料ガスを供給するとともに、円筒状電極21と支持体31との間に例えばパルス状の直流電圧を印加する。これにより、円筒状電極21と支持体31(基体10A)との間にグロー放電が発生して原料ガスが分解され、その分解成分が基体10Aの表面に堆積することとなる。排気機構80においては、圧力計27でモニタリングしつつ、メカニカルブースタポンプ81およびロータリーポンプ82の動作を制御することにより、反応室20の圧力を所定範囲(例えば1Pa以上100Pa以下)に維持する。
すなわち、反応室20の内部は、ガス供給機構70におけるマスフローコントローラ71D〜74
Dと排気機構80におけるポンプ81,82によって圧力を所定範囲に維持する。
Next, while maintaining the temperature of the substrate 10A at a predetermined temperature, the raw material gas is supplied to the reaction chamber 20 by the gas supply mechanism 70 while the reaction chamber 20 is decompressed to a predetermined pressure, and the cylindrical electrode 21 and the support 31 are also supplied. For example, a pulsed DC voltage is applied between the two. As a result, glow discharge is generated between the cylindrical electrode 21 and the support 31 (base 10A), so that the source gas is decomposed and the decomposition components are deposited on the surface of the base 10A. In the exhaust mechanism 80, the pressure in the reaction chamber 20 is maintained within a predetermined range (for example, 1 Pa or more and 100 Pa or less) by controlling the operations of the mechanical booster pump 81 and the rotary pump 82 while monitoring with the pressure gauge 27.
That is, the inside of the reaction chamber 20 has mass flow controllers 71D to 74 in the gas supply mechanism 70.
The pressure is maintained in a predetermined range by D and pumps 81 and 82 in the exhaust mechanism 80.

反応室20への原料ガスの供給は、バルブ71B〜74B,71C〜74Cの開閉状態を適宜制御しつつ、マスフローコントローラ71D〜74Dを制御することにより、原料ガスタンク71〜74の原料ガスを所望の組成および流量で、配管71A〜74A,75およびガス導入口21aを介して円筒状電極21の内部に導入することによって行なわれる。円筒状電極21の内部に導入された原料ガスは、複数のガス吹き出し孔21bを介して基体10Aに向けて吹き出される。そして、バルブ71B〜74B,71C〜74Cおよびマスフローコントローラ71D〜74Dによって原料ガスの組成を適宜変化させる。   The source gas is supplied to the reaction chamber 20 by controlling the mass flow controllers 71D to 74D while appropriately controlling the open / closed states of the valves 71B to 74B and 71C to 74C. The composition and the flow rate are carried out by introducing them into the cylindrical electrode 21 through the pipes 71A to 74A, 75 and the gas inlet 21a. The raw material gas introduced into the cylindrical electrode 21 is blown out toward the base 10A through a plurality of gas blowing holes 21b. Then, the composition of the raw material gas is appropriately changed by the valves 71B to 74B, 71C to 74C and the mass flow controllers 71D to 74D.

一方、円筒状電極21と支持体31との間におけるパルス状直流電圧の印加は、円筒状電極21が接地されている場合は、−3000V以上−50V以下(好適には−3000V以上−500V以
下)の負のパルス状直流電位V1となるように行なわれる。また、円筒状電極21が基準電源(図示せず)に接続されている場合は、基準電源から供給される電位V2を基準電位として、目的とする電位差ΔV(例えば−3000V以上−50V以下)となるように行なわれる。また、支持体31(基体10A)に対して負のパルス状電圧を印加する場合は、基準電源から供給される電位V2は、例えば−1500V以上1500V以下に設定される。制御部42は、直流電圧の周波数(1/T[秒])が300kHz以下に、Duty比(T1/T)が20%以上90%以下になるように直流電源41を制御する。本例におけるDuty比とは、パルス状の直流電圧の1周期T(基体10Aと円筒状電極21との間に電位差が生じた瞬間から、次に電位差が生じた瞬間までの時間)における電位差発生時間T1が占める時間割合と定義する。例えば、Duty比が20%とは、パルス状の電圧を印加する際の1周期に占める電位差発生時間が1周期全体の20%であることを意味する。
On the other hand, the application of the pulsed DC voltage between the cylindrical electrode 21 and the support 31 is −3000 V to −50 V (preferably −3000 V to −500 V when the cylindrical electrode 21 is grounded). ) Negative pulsed DC potential V1. When the cylindrical electrode 21 is connected to a reference power source (not shown), the potential difference ΔV (for example, −3000 V or more and −50 V or less) is set with the potential V2 supplied from the reference power source as a reference potential. To be done. Further, when a negative pulse voltage is applied to the support 31 (base 10A), the potential V2 supplied from the reference power supply is set to, for example, −1500 V or more and 1500 V or less. The control unit 42 controls the DC power supply 41 so that the DC voltage frequency (1 / T [seconds]) is 300 kHz or less and the Duty ratio (T1 / T) is 20% or more and 90% or less. The duty ratio in this example is the generation of a potential difference in one cycle T of a pulsed DC voltage (the time from the moment when a potential difference occurs between the substrate 10A and the cylindrical electrode 21 to the next moment when the potential difference occurs). It is defined as the time ratio occupied by the time T1. For example, a duty ratio of 20% means that the potential difference occurrence time in one cycle when a pulse voltage is applied is 20% of the entire cycle.

以上のようにして、基体10Aの表面には、下部阻止層101、光導電層102、上部阻止層103および表面層104が順次積層形成される。このとき、光導電層102上に上部阻止層103を積層する際は、グロー放電を維持しつつ原料ガスの組成を変化させて成膜する。次いで、上部阻止層103上に表面層104を積層する際は、グロー放電を中止してから原料ガスの組成を変化させ、その後にグロー放電を再開して成膜する。これにより、光導電層102と上部阻止層103との間には界面を有さず、上部阻止層103と表面層104との間には界面を有する電子写真感光体10を得ることができる。なお、下部阻止層101と光導電層102との間には、界面を有していなくても有していてもよい。この間の界面の有無は、所望の電子写真特性および成膜工程の効率などを考慮して選択すればよい。   As described above, the lower blocking layer 101, the photoconductive layer 102, the upper blocking layer 103, and the surface layer 104 are sequentially stacked on the surface of the base 10A. At this time, when the upper blocking layer 103 is laminated on the photoconductive layer 102, the film is formed by changing the composition of the source gas while maintaining the glow discharge. Next, when the surface layer 104 is laminated on the upper blocking layer 103, the glow discharge is stopped, the composition of the source gas is changed, and then the glow discharge is restarted to form a film. Accordingly, it is possible to obtain the electrophotographic photosensitive member 10 having no interface between the photoconductive layer 102 and the upper blocking layer 103 and having an interface between the upper blocking layer 103 and the surface layer 104. The lower blocking layer 101 and the photoconductive layer 102 may or may not have an interface. The presence or absence of an interface between them may be selected in consideration of the desired electrophotographic characteristics and the efficiency of the film forming process.

本発明に係る画像形成装置によれば、本発明に係る電子写真感光体を備えていることから、電子写真感光体が有する効果と同様の効果を享受することができる。すなわち、画像形成装置で印画したときに画像上に黒点として現れる画像欠陥を生じにくくして良好な画像品質を維持することが可能となる。   According to the image forming apparatus of the present invention, since the electrophotographic photosensitive member according to the present invention is provided, the same effect as that of the electrophotographic photosensitive member can be obtained. That is, it is possible to maintain good image quality by making it difficult for image defects that appear as black spots on an image when printed by the image forming apparatus.

図3は本発明の実施形態に係る画像形成装置の一例の概略構成を表す模式的断面図である。本例の画像形成装置Xは画像形成方式として電子写真法のカールソン法を採用したものであり、図3に示すように、感光体10,帯電器11,露光器12,現像器13,転写器14,定着器15,クリーニング器16および除電器17を備えている。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of an example of the image forming apparatus according to the embodiment of the present invention. The image forming apparatus X of this example employs the Carlson method of electrophotography as an image forming method. As shown in FIG. 3, the photosensitive member 10, the charger 11, the exposure device 12, the developing device 13, and the transfer device. 14, a fixing device 15, a cleaning device 16 and a static eliminator 17.

帯電器11は、感光体10の表面をここでは負極性に帯電する役割を担うものである。帯電電圧は、例えば−1000V以上−200V以下に設定される。本例における帯電器11には、例
えば芯金を導電性ゴムおよびポリフッ化ビニリデンによって被覆して構成される接触型帯電器が採用されるが、これに代えて、放電ワイヤを備える非接触型帯電器(例えばコロナ帯電器)を採用してもよい。
The charger 11 plays a role of charging the surface of the photoreceptor 10 to a negative polarity here. The charging voltage is set to, for example, −1000 V or more and −200 V or less. As the charger 11 in this example, for example, a contact charger configured by covering a core metal with a conductive rubber and polyvinylidene fluoride is employed, but instead of this, a non-contact charger including a discharge wire is used. A charger (for example, a corona charger) may be employed.

露光器12は、帯電した感光体10に静電潜像を形成する役割を担うものである。具体的には、露光器12は、画像信号に応じて特定波長(例えば650nm以上780nm以下)の露光光(例えばレーザ光)を感光体10に照射することにより、帯電状態にある感光体10の露光部分の電位を減衰させて静電潜像を形成する。露光器12としては、例えば複数のLED素子(波長が例えば680nm)を配列させてなるLEDヘッドを採用することもできる。   The exposure device 12 plays a role of forming an electrostatic latent image on the charged photoreceptor 10. Specifically, the exposure device 12 irradiates the photosensitive member 10 with exposure light (for example, laser light) having a specific wavelength (for example, 650 nm or more and 780 nm or less) in accordance with the image signal. The potential of the exposed portion is attenuated to form an electrostatic latent image. As the exposure device 12, for example, an LED head in which a plurality of LED elements (having a wavelength of, for example, 680 nm) are arranged may be employed.

もちろん、露光器12の光源としては、LED素子に代えてレーザ光を出射可能なLD(Laser Diode)素子、あるいは白色光を発光可能なランプを使用することもできる。すなわち、LD素子とポリゴンミラーを含んでなる光学系との組合せを採用してレーザプリンタの構成とすることもできる。あるいは、ランプと原稿からの反射光を通すレンズおよびミラーを含んでなる光学系との組合せを採用して複写機の構成とすることもできる。   Of course, as the light source of the exposure device 12, an LD (Laser Diode) element capable of emitting laser light or a lamp capable of emitting white light can be used instead of the LED element. That is, a laser printer can be configured by employing a combination of an LD element and an optical system including a polygon mirror. Alternatively, it is possible to adopt a combination of a lamp and an optical system including a lens and a mirror through which reflected light from an original passes.

現像器13は、感光体10の静電潜像を現像してトナー像を形成する役割を担うものである。本例における現像器13は、現像剤(トナー)Tを磁気的に保持する磁気ローラ13Aを備えている。   The developing device 13 plays a role of developing the electrostatic latent image on the photoconductor 10 to form a toner image. The developing device 13 in this example includes a magnetic roller 13A that magnetically holds a developer (toner) T.

現像剤Tは、感光体10の表面上に形成されるトナー像を構成するものであり、現像器13において摩擦帯電させる。現像剤Tとしては、例えば磁性キャリアおよび絶縁性トナーを含んでなる2成分系現像剤と、磁性トナーを含んでなる1成分系現像剤とが挙げられる。   The developer T constitutes a toner image formed on the surface of the photoreceptor 10 and is triboelectrically charged in the developing device 13. Examples of the developer T include a two-component developer including a magnetic carrier and an insulating toner, and a one-component developer including a magnetic toner.

磁気ローラ13Aは、感光体10の表面(現像領域)に現像剤を搬送する役割を担うものである。磁気ローラ13Aは、現像器13において摩擦帯電した現像剤Tを一定の穂長に調整された磁気ブラシの形で搬送する。この搬送された現像剤Tは、感光体10の現像領域において、静電潜像の静電引力によって感光体10の表面に付着してトナー像を形成する(静電潜像を可視化する)。トナー像の帯電極性は、正規現像によって画像形成を行なう場合には感光体10の表面の帯電極性と逆極性とされ、反転現像によって画像形成を行なう場合には、感光体10の表面の帯電極性と同極性とされる。   The magnetic roller 13A plays a role of transporting the developer to the surface (development region) of the photoconductor 10. The magnetic roller 13A conveys the developer T frictionally charged in the developing device 13 in the form of a magnetic brush adjusted to a certain head length. The conveyed developer T adheres to the surface of the photoconductor 10 by the electrostatic attraction of the electrostatic latent image in the developing area of the photoconductor 10 to form a toner image (visualizes the electrostatic latent image). The charge polarity of the toner image is opposite to the charge polarity of the surface of the photoconductor 10 when image formation is performed by regular development, and the charge polarity of the surface of the photoconductor 10 when image formation is performed by reversal development. And the same polarity.

なお、本例における現像器13は乾式現像方式を採用しているが、液体現像剤を用いた湿式現像方式を採用してもよい。   Although the developing device 13 in this example employs a dry development method, a wet development method using a liquid developer may be employed.

転写器14は、感光体10と転写器14との間の転写領域に供給された記録媒体Pに、感光体10のトナー像を転写する役割を担うものである。本例における転写器14は、転写用放電器14Aおよび分離用放電器14Bを備えている。転写器14では、転写用放電器14Aによって記録媒体Pの背面(非記録面)がトナー像とは逆極性に帯電し、この帯電電荷とトナー像との静電引力によって記録媒体P上にトナー像が転写される。また、転写器14では、トナー像の転写と同時的に分離用放電器14Bにおいて記録媒体Pの背面が交流放電によって帯電が消去され、記録媒体Pが感光体10の表面から速やかに分離される。   The transfer device 14 plays a role of transferring the toner image of the photoconductor 10 to the recording medium P supplied to the transfer area between the photoconductor 10 and the transfer device 14. The transfer device 14 in this example includes a transfer discharger 14A and a separation discharger 14B. In the transfer device 14, the back surface (non-recording surface) of the recording medium P is charged with a polarity opposite to that of the toner image by the transfer discharger 14 A, and the toner on the recording medium P is electrostatically attracted by this charged charge and the toner image. The image is transferred. In the transfer device 14, the charging of the back surface of the recording medium P is erased by AC discharge in the separating discharger 14 B simultaneously with the transfer of the toner image, and the recording medium P is quickly separated from the surface of the photoreceptor 10. .

また、転写器14としては、感光体10の回転に従動し、かつ感光体10とは微小間隙(通常は0.5mm以下)を介して配置された転写ローラを用いることも可能である。転写ローラ
は、例えば直流電源を用いて、感光体10上のトナー像を記録媒体P上に引き付けるような転写電圧を印加するように構成される。転写ローラを用いる場合には、分離用放電器14Bのような転写分離装置は省略することができる。
Further, as the transfer unit 14, a transfer roller that is driven by the rotation of the photoconductor 10 and disposed with a small gap (usually 0.5 mm or less) from the photoconductor 10 can be used. The transfer roller is configured to apply a transfer voltage that attracts the toner image on the photoreceptor 10 onto the recording medium P using, for example, a DC power source. When a transfer roller is used, a transfer separation device such as the separation discharger 14B can be omitted.

定着器15は、記録媒体Pに転写されたトナー像を記録媒体Pに定着させる役割を担うものであり、一対の定着ローラ15A,15Bを備えている。定着ローラ15A,15Bは、例えば金属ローラ上をポリテトラフルオロエチレンなどで表面被覆したものが用いられる。定着器15では、一対の定着ローラ15A,15Bの間を通過させる記録媒体Pに対して熱および圧力などを作用させることにより、記録媒体Pにトナー像を定着させることができる。   The fixing device 15 plays a role of fixing the toner image transferred to the recording medium P to the recording medium P, and includes a pair of fixing rollers 15A and 15B. As the fixing rollers 15A and 15B, for example, a metal roller having a surface coated with polytetrafluoroethylene or the like is used. The fixing device 15 can fix the toner image on the recording medium P by applying heat and pressure to the recording medium P that passes between the pair of fixing rollers 15A and 15B.

クリーニング器16は、転写後に感光体10の表面に残存するトナーを除去する役割を担うものである。本例のクリーニング器16はクリーニングブレード16Aを備えている。クリーニングブレード16Aは、感光体10の表面から残留トナーを掻き取る役割を担うものである。クリーニングブレード16Aは、例えばポリウレタン樹脂を主成分としたゴム材料で形成されている。   The cleaning device 16 serves to remove toner remaining on the surface of the photoconductor 10 after transfer. The cleaning device 16 of this example includes a cleaning blade 16A. The cleaning blade 16A serves to scrape residual toner from the surface of the photoreceptor 10. The cleaning blade 16A is made of, for example, a rubber material mainly composed of polyurethane resin.

除電器17は、静電潜像として残っている感光体10の表面電荷を除去する役割を担うものである。本例の除電器17は感光体10への露光によって除電を行なうものであり、特定波長(例えば780nm以上)の光を出射可能なものが使用される。除電器17は、例えばLED
などの光源を用いて感光体10の表面の軸方向全体に光照射することにより、感光体10の表面電荷(残余の静電潜像)を除去するように構成されている。
The static eliminator 17 serves to remove the surface charge of the photoreceptor 10 remaining as an electrostatic latent image. The static eliminator 17 of this example performs static elimination by exposing the photoconductor 10, and is capable of emitting light with a specific wavelength (for example, 780 nm or more). The static eliminator 17 is, for example, an LED
The surface charge (residual electrostatic latent image) of the photoconductor 10 is removed by irradiating the entire surface of the photoconductor 10 with light using a light source such as the above.

<電子写真感光体の作製>
電子写真感光体は、円筒状基体としてアルミニウム合金素管(外径:30mm、長さ254
mm)を用いて作製した。このアルミニウム素管に対しては、図2に示すプラズマCVD装置Yを用いて、表1に示す条件で感光体層(下部電荷注入阻止層、光導電層、上部電荷注入阻止層および表面保護層)を形成した。表1におけるBの流量は、SiHの流量に対する比で表している。なお、プラズマCVD装置の電源としては、直流パルス電源(パルス周波数:33kHz、Duty比:70%)を使用した。ここで、光導電層上に上部電荷注入阻止層を形成する際にはグロー放電を継続したままガス流量を変化させて成膜し、上部電荷注入阻止層上に表面保護層を形成する際には、グロー放電を一旦停止し、ガス流量を変化させた後にグロー放電を再開して成膜した。このようにして、本発明の実施例としての試料1〜8を作製した。
<Production of electrophotographic photoreceptor>
The electrophotographic photosensitive member has an aluminum alloy tube (outer diameter: 30 mm, length 254 as a cylindrical substrate).
mm). For this aluminum base tube, a photosensitive layer (a lower charge injection blocking layer, a photoconductive layer, an upper charge injection blocking layer, and a surface protective layer) under the conditions shown in Table 1 using the plasma CVD apparatus Y shown in FIG. ) Was formed. The flow rate of B 2 H 6 in Table 1 is expressed as a ratio to the flow rate of SiH 4 . A DC pulse power supply (pulse frequency: 33 kHz, Duty ratio: 70%) was used as a power supply for the plasma CVD apparatus. Here, when the upper charge injection blocking layer is formed on the photoconductive layer, the film is formed by changing the gas flow rate while continuing the glow discharge, and when the surface protective layer is formed on the upper charge injection blocking layer. The film was formed by stopping the glow discharge and changing the gas flow rate to resume the glow discharge. Thus, samples 1 to 8 as examples of the present invention were produced.

Figure 2019144476
Figure 2019144476

<感光体層における界面の有無の確認>
透過型電子顕微鏡(型番:JEM−2010F)を用いて、試料に対して加速電圧200kV
で電子線を照射し、試料を透過した電子波を対物レンズなどの電子レンズによって拡大し、顕微鏡像および電子回折像を観察することで界面の有無を確認した。その結果、試料1〜8のいずれにおいても、光導電層と上部電荷注入阻止層との間には界面を有さず、上部電荷注入阻止層と表面保護層との間には界面を有していることが確認できた。
<Confirmation of presence or absence of interface in photoreceptor layer>
Using a transmission electron microscope (model number: JEM-2010F), an acceleration voltage of 200 kV is applied to the sample.
The electron beam was irradiated with, the electron wave transmitted through the sample was magnified by an electron lens such as an objective lens, and the presence of an interface was confirmed by observing a microscopic image and an electron diffraction image. As a result, none of the samples 1 to 8 has an interface between the photoconductive layer and the upper charge injection blocking layer, and has an interface between the upper charge injection blocking layer and the surface protective layer. It was confirmed that

また、作製した感光体を画像形成装置に搭載し、印画評価を行なった。その際、感光体上の感光体層の表面近傍における点状の剥落は事前に目視によって確認しておき、その箇所が印画結果として画像黒点となるかどうかの相関を確認した。その結果として表2に、感光体層について事前に確認した点状の剥落の個数に対し、印画において画像上の黒点として現れた個数を示す。   The produced photoreceptor was mounted on an image forming apparatus and evaluated for printing. At that time, spot-like peeling near the surface of the photosensitive layer on the photosensitive member was confirmed in advance by visual observation, and a correlation was confirmed as to whether or not the spot becomes an image black spot as a printing result. As a result, Table 2 shows the number of black spots on the image in the print with respect to the number of spot-like peelings confirmed in advance for the photoreceptor layer.

Figure 2019144476
Figure 2019144476

<評価結果>
表2に示す結果から明らかなように、本発明に係る感光体によれば、感光体層の点状の剥落が事前に目視で最大5個程度確認できたものの、いずれも画像上の黒点として現れることはなく、優れた印画品質が得られるものであった。
<Evaluation results>
As is apparent from the results shown in Table 2, according to the photoreceptor of the present invention, although up to about 5 dot-like peelings of the photoreceptor layer could be confirmed by visual observation in advance, all of them were as black spots on the image. It did not appear, and excellent print quality was obtained.

以上、本発明の具体的な実施形態の例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の思想から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。   As mentioned above, although the example of specific embodiment of this invention was shown, this invention is not limited to this, A various change is possible within the range which does not deviate from the thought of invention.

10……電子写真感光体
10A……基体
10B……感光体層
101……下部電荷注入阻止層
102……光導電層
103……上部電荷注入阻止層
104……表面保護層
X……画像形成装置
10 …… Electrophotographic photoconductor
10A …… Base
10B …… Photoreceptor layer
101 …… Lower charge injection blocking layer
102 …… Photoconductive layer
103 …… Upper charge injection blocking layer
104 …… Surface protective layer X …… Image forming device

Claims (7)

導電性基体と、該導電性基体上に位置する、非晶質シリコンを主体として周期表第15族元素を含む下部電荷注入阻止層と、該下部電荷注入阻止層上に位置する、非晶質シリコンを主体とする光導電層と、該光導電層上に位置する、非晶質シリコンを主体として周期表第13族元素を含む上部電荷注入阻止層と、該上部電荷注入阻止層上に位置する表面保護層とを有し、前記光導電層と前記上部電荷注入阻止層との間には界面を有さず、前記上部電荷注入阻止層と前記表面保護層との間に界面を有することを特徴とする電子写真感光体。   A conductive substrate, a lower charge injection blocking layer mainly composed of amorphous silicon and containing a Group 15 element of the periodic table, and an amorphous layer positioned on the lower charge injection blocking layer; A photoconductive layer mainly composed of silicon, an upper charge injection blocking layer mainly comprising amorphous silicon and containing a Group 13 element of the periodic table, and located on the photoconductive layer; A surface protective layer that does not have an interface between the photoconductive layer and the upper charge injection blocking layer, and has an interface between the upper charge injection blocking layer and the surface protective layer. An electrophotographic photoreceptor characterized by the above. 前記上部電荷注入阻止層は、前記光導電層側から前記表面保護層側に向けて前記周期表第13族元素の濃度が増加している、請求項1に記載の電子写真感光体。   2. The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the upper charge injection blocking layer has a concentration of the Group 13 element of the periodic table increasing from the photoconductive layer side toward the surface protective layer side. 前記表面保護層は、シリコンおよび炭素の少なくとも一方を含む非晶質材料からなる、請求項1または2に記載の電子写真感光体。   The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the surface protective layer is made of an amorphous material containing at least one of silicon and carbon. 前記下部電荷注入阻止層は、酸素および周期表第13族元素の少なくとも一方をさらに含む、請求項1から3のいずれかに記載の電子写真感光体。   The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the lower charge injection blocking layer further includes at least one of oxygen and a Group 13 element of the periodic table. 前記周期表第15族元素は、窒素である、請求項1から4のいずれかに記載の電子写真感光体。   The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the Group 15 element of the periodic table is nitrogen. 前記周期表第13族元素は、硼素である、請求項1から5のいずれかに記載の電子写真感光体。   The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the Group 13 element of the periodic table is boron. 請求項1から6のいずれかに記載の電子写真感光体を備えることを特徴とする画像形成装置。   An image forming apparatus comprising the electrophotographic photosensitive member according to claim 1.
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