JP2019134280A - Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、コンデンサーの容量値と抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路、該CR発振回路を備えた半導体集積回路およびリモコン装置に関する。 The present invention relates to a CR oscillation circuit that oscillates at a frequency determined based on a capacitance value of a capacitor and a resistance value of a resistor, a semiconductor integrated circuit including the CR oscillation circuit, and a remote control device.
CR発振回路が動作する環境温度が変化すると、回路内部のコンデンサーの容量値および抵抗の抵抗値が変化するため、CR発振回路の発振周波数は温度特性を持つ。また、発振回路を動作させている電源電圧が変動しても、例えばコンデンサーへの充電電流が影響を受けるので発振周波数が変動する。そこで、従来、例えば特許文献1に記載されているように、電源電圧検出回路と環境温度検出回路を備えるCR発振回路において、異なる電源電圧と異なる環境温度に対応した容量値または抵抗値あるいはその両方をデータテーブルとして作成し、予め回路内の記憶手段に記憶しておき、回路動作中は検出された電源電圧と環境温度からデータテーブルを参照して定められる容量値や抵抗値に変更することで周波数を補正する方法が知られている。この方法により、電源電圧や環境温度が変動した際も変動後の電源電圧や環境温度に対応した容量値や抵抗値に変更されるため高精度な周波数を得ることができる。 When the environmental temperature at which the CR oscillation circuit operates changes, the capacitance value of the capacitor inside the circuit and the resistance value of the resistor change, so that the oscillation frequency of the CR oscillation circuit has temperature characteristics. Further, even if the power supply voltage for operating the oscillation circuit varies, for example, the charging current to the capacitor is affected, so the oscillation frequency varies. Therefore, conventionally, as described in, for example, Patent Document 1, in a CR oscillation circuit including a power supply voltage detection circuit and an environmental temperature detection circuit, capacitance values and / or resistance values corresponding to different power supply voltages and different environmental temperatures are used. As a data table, stored in advance in a storage means in the circuit, and during circuit operation, the detected power supply voltage and environmental temperature are changed to a capacitance value or resistance value determined with reference to the data table. A method for correcting the frequency is known. With this method, even when the power supply voltage or the environmental temperature changes, the capacitance value or resistance value corresponding to the changed power supply voltage or environmental temperature is changed, so that a highly accurate frequency can be obtained.
しかしながら、特許文献1に記載のCR発振回路は、製品製造時または出荷時の検査において異なる電源電圧と異なる環境温度に対応する容量値や抵抗値を測定し、データテーブルを作成する必要がある。周波数の変動要素が電源電圧と環境温度の二つあるため、この組み合わせに応じたデータテーブルを作成するために多くのデータを測定する必要があり、検査時間が増えることでコストが上がるという課題があった。 However, the CR oscillation circuit described in Patent Document 1 needs to create a data table by measuring capacitance values and resistance values corresponding to different power supply voltages and different environmental temperatures during inspection at the time of product manufacture or shipment. Since there are two frequency fluctuation factors, the power supply voltage and the environmental temperature, it is necessary to measure a lot of data to create a data table according to this combination, and there is a problem that the cost increases as the inspection time increases. there were.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係るCR発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。 Application Example 1 A CR oscillation circuit according to this application example includes a capacitor and a resistor, and oscillates at a frequency determined based on the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor when supplied with a power supply voltage. In the oscillation circuit, the resistor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different resistance values, and transforms the power supply voltage to obtain a constant operating voltage regardless of the power supply voltage. A constant voltage supply unit that supplies power, a CR oscillation unit that oscillates when supplied with the operating voltage, a temperature detection unit that detects environmental temperature when supplied with the operating voltage, and an environmental temperature of oscillation operation Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the resistance values of the resistors are associated, and detected temperatures from the temperature detection unit at predetermined control cycles, respectively, and the data stored in advance in the storage means. A control unit that reads a resistance value of the resistor corresponding to the detected temperature from the data table and controls the resistance value of the resistor to be equal to the read specified value, and the resistor includes a resistance element and a switch. A plurality of parallel circuits are connected in series, and the control unit switches the switch according to the resistance value read from the data table of the storage means.
本適用例によれば、CR発振回路内のCR発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した抵抗値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。 According to this application example, the CR oscillation unit and the temperature detection unit in the CR oscillation circuit operate at a constant operating voltage that does not depend on the power supply voltage supplied by the constant voltage supply unit, and therefore the output frequency depends on the power supply voltage. Therefore, it is only necessary to create a data table of resistance values corresponding to the environmental temperature, not to the combination of the power supply voltage and the environmental temperature. As a result, the amount of measurement data at the time of inspection is reduced and the inspection time is shortened, so that the cost can be reduced as compared with the prior art.
[適用例2]本適用例に係るCR発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値を読み出し、前記コンデンサーの容量値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。 Application Example 2 A CR oscillation circuit according to this application example includes a capacitor and a resistor, and oscillates at a frequency determined based on the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor when supplied with a power supply voltage. An oscillation circuit, wherein the capacitor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different capacitance values, and transforms the power supply voltage to provide a constant operating voltage regardless of the power supply voltage. A constant voltage supply unit that supplies power, a CR oscillation unit that oscillates when supplied with the operating voltage, a temperature detection unit that detects environmental temperature when supplied with the operating voltage, and an environmental temperature of oscillation operation Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the capacitance values of the capacitors are associated, and a detected temperature from the temperature detection unit at a predetermined control cycle, respectively, and pre-stored in the storage means A controller that reads the capacitance value of the capacitor corresponding to the detected temperature from the stored data table, and controls the capacitance value of the capacitor to be equal to the read designated value, and the capacitor includes: A plurality of series circuits of a capacitor element and a switch are connected in parallel, and the control unit switches the switch according to a capacitance value read from a data table of the storage means.
本適用例によれば、CR発振回路内のCR発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した容量値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。 According to this application example, the CR oscillation unit and the temperature detection unit in the CR oscillation circuit operate at a constant operating voltage that does not depend on the power supply voltage supplied by the constant voltage supply unit, and therefore the output frequency depends on the power supply voltage. Therefore, it is only necessary to create a data table of capacitance values corresponding to the environmental temperature, not to the combination of the power supply voltage and the environmental temperature. As a result, the amount of measurement data at the time of inspection is reduced and the inspection time is shortened, so that the cost can be reduced as compared with the prior art.
[適用例3]本適用例に係るCR発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値および抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。 Application Example 3 A CR oscillation circuit according to this application example includes a capacitor and a resistor, and receives a supply voltage to oscillate at a frequency determined based on the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor. In the oscillation circuit, the capacitor is configured to be changeable to a specified value from a plurality of different capacitance values, and the resistor is set to a specified value from a plurality of different resistance values. A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage; a CR oscillation unit that oscillates in response to the supply of the operating voltage; A temperature detection unit that detects the environmental temperature upon receiving the operating voltage, and a data table in which the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor are associated with the environmental temperature of the oscillation operation can be written. Non-volatile storage means, and the detected temperature from the temperature detection unit at a predetermined control cycle, respectively, the capacitance value of the capacitor and the resistance corresponding to the detected temperature from the data table stored in advance in the storage means And a control unit that controls the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor to be equal to the read specified value, and the capacitor includes a series circuit of a capacitor element and a switch. The resistor is configured by connecting a plurality of parallel circuits of a resistor element and a switch in series, and the control unit is configured to read a capacitance value read from the data table of the storage unit and The switch is switched according to a resistance value.
本適用例によれば、CR発振回路内のCR発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した容量値と抵抗値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。 According to this application example, the CR oscillation unit and the temperature detection unit in the CR oscillation circuit operate at a constant operating voltage that does not depend on the power supply voltage supplied by the constant voltage supply unit, and therefore the output frequency depends on the power supply voltage. Thus, it is only necessary to create a data table of capacitance values and resistance values corresponding to the environmental temperature, not to the combination of the power supply voltage and the environmental temperature. As a result, the amount of measurement data at the time of inspection is reduced and the inspection time is shortened, so that the cost can be reduced as compared with the prior art.
[適用例4]本適用例に係る半導体集積回路は、上記適用例に記載のCR発振回路を備えたことを特徴とする。 Application Example 4 A semiconductor integrated circuit according to this application example includes the CR oscillation circuit described in the application example.
本適用例によれば、半導体集積回路内のCR発振回路の検査時間が短縮されコストが下がることによって、半導体集積回路全体の検査時間を短縮することができる。また、検査時間の短縮に伴い検査コストが下がることによって、半導体集積回路の製品コストを下げることができる。 According to this application example, the inspection time of the CR oscillation circuit in the semiconductor integrated circuit is shortened and the cost is reduced, so that the inspection time of the entire semiconductor integrated circuit can be shortened. In addition, since the inspection cost is reduced as the inspection time is shortened, the product cost of the semiconductor integrated circuit can be reduced.
[適用例5]本適用例に係るリモコン装置は、上記適用例に記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とする。 Application Example 5 A remote control device according to this application example includes the semiconductor integrated circuit described in the application example.
本適用例によれば、検査コストの削減により価格の下がった半導体集積回路を使用することが可能となり、リモコン装置の製品コストを下げることができる。 According to this application example, it is possible to use a semiconductor integrated circuit whose price has been reduced by reducing the inspection cost, and the product cost of the remote control device can be reduced.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale of each member is made different from the actual scale so that each member can be recognized.
(実施形態1)
図1は実施形態1に係るCR発振回路100の構成図である。まず、実施形態1に係るCR発振回路100の概略構成について説明する。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram of a
CR発振回路100は定電圧供給部10、CR発振部20、温度検出部50、制御部60から構成されている。
The
定電圧供給部10は電源線1、2に電源電圧Vccの供給を受けて動作する。電源線1が電源電圧Vcc、電源線2がGNDである。電源線1と2の間にはMOSトランジスター4、抵抗5、抵抗6が直列に接続されている。オペアンプ3の反転入力端子には電源電圧Vccに依存しない基準電圧Vref1が印加されており、非反転入力端子は抵抗5と抵抗6の間のノードNaと接続されている。また、オペアンプ3の出力はMOSトランジスター4のゲート端子と接続されている。この構成により抵抗5、6の抵抗比に応じた一定の電圧を出力することができる。
The constant
CR発振部20は、定電圧供給部10のMOSトランジスター4のドレイン端子と抵抗5の間のノードNbに出力される一定の動作電圧V1を電源線2との間に受けて動作する。ノードNbと電源線2の間には、MOSトランジスター22、23と抵抗24が直列に接続されている。抵抗24は抵抗素子25aとスイッチ26aとの並列回路、抵抗素子25bとスイッチ26bとの並列回路、抵抗素子25cとスイッチ26cとの並列回路、および抵抗素子25dを直列接続して構成されている。ここで、抵抗素子25a、25b、25cの抵抗値は、2のべき乗に従ってr、2r、4rに設定されている。並列にスイッチを持たない抵抗素子25dは抵抗24に必ず残るため、抵抗素子25dの抵抗値は発振周波数の上限値を決定する。スイッチ26a〜26cのオンオフ状態により8通りの異なる抵抗値が生成される。
The
オペアンプ21は、上記MOSトランジスター22および抵抗24とともに定電流回路を構成している。非反転入力端子には電源電圧Vccに依存しない基準電圧Vref2が入力され、反転入力端子はMOSトランジスター22のソース(ノードNc)に接続されている。オペアンプ21の作用により抵抗24には基準電圧Vr2(≒Vref2)が印加される。このためスイッチ26a〜26cを切り替えて抵抗24の抵抗値Rを変更するとMOSトランジスター22に流れる電流は抵抗値Rに反比例して変化する。
The
ノードNbと電源線2の間には、充電用のMOSトランジスター26とスイッチ27とコンデンサー28が直列に接続されている。MOSトランジスター23と26のゲートとソースはそれぞれ共通に接続されていてカレントミラー回路を構成している。MOSトランジスター26には、MOSトランジスター23と26のサイズW/Lの比に応じてMOSトランジスター23(MOSトランジスター22)に流れる電流に比例した電流が流れる。コンデンサー28には放電用のMOSトランジスター29が並列に接続されている。
A charging
コンパレーター30は、コンデンサー28の電圧VcとノードNcの電圧Vr2とを比較して発振信号である出力電圧VOUT2を出力する。この出力電圧VOUT2はMOSトランジスター29のゲートに与えられるとともに、インバーター31を介してスイッチ27のオンオフを制御する。スイッチ27は、放電用のMOSトランジスター29がオンしている期間、インバーター31からLレベルの信号により充電用のMOSトランジスター26からの電流を遮断するために設けられている。
The
温度検出部50は、定電圧供給部10からノードNbに出力される一定の動作電圧V1を電源線2との間に受けて動作する。温度検出部50は、ノードNbと電源線2の間に直列に接続された抵抗51、ダイオード52a、52b、52cから構成されており、環境温度によって変化するダイオード52a〜52cの順方向電圧Vaを出力する。
The
制御部60は、CR発振部20から入力される発振信号(出力電圧VOUT2)を波形形成し、それをクロック信号として動作する。制御部60は不揮発性のメモリー61(記憶手段)とA/D変換回路62を備えている。
The
次に、図2を参照して定電圧供給部10の動作について説明する。オペアンプ3の作用によりノードNaの電圧Vr1は基準電圧Vref1と等しくなる。また電圧Vr1はMOSトランジスター4のドレイン端子と抵抗5の間のノードNbの電圧V1を抵抗5と抵抗6で分圧した電圧となる。したがって、抵抗5と抵抗6の抵抗値をそれぞれr1、r2とするとその関係性は(1)式で表される。また、(1)式よりV1は(2)式と表すことができる。
Vr1=V1・{r2/(r1+r2)} ・・・(1)
V1={(r1+r2)/r2}・Vr1 ・・・(2)
(2)式のVr1は基準電圧Vref1と等しくなり一定電圧であるため、V1は抵抗5と抵抗6の抵抗値によって定められる。例えば、抵抗6の抵抗値は固定しておき、抵抗5の抵抗値を変更できるような構成をとることで、V1の電圧値は抵抗5の抵抗値の可変範囲内で任意の値へと調整することが可能となる。また、抵抗5の抵抗値は固定しておき、抵抗6の抵抗値を変更できる構成や、抵抗5と抵抗6の両方の抵抗値を変更できる構成を取ってもよい。(2)式で表せるV1には電源電圧Vccの項がないため、電源電圧Vccに依存することなく、一定の電圧値を出力することができる。すなわち、定電圧供給部10は、電源電圧Vccを変圧して電源電圧Vccに依らず一定の動作電圧V1を供給する。
Next, the operation of the constant
Vr1 = V1 · {r2 / (r1 + r2)} (1)
V1 = {(r1 + r2) / r2} · Vr1 (2)
Since Vr1 in equation (2) is equal to the reference voltage Vref1 and is a constant voltage, V1 is determined by the resistance values of the
続いて、図3を参照しながらCR発振部20の発振動作を説明する。図3はコンデンサー28の電圧Vcの波形を示している。例えばMOSトランジスター23と26に流れる電流が等しい場合、コンデンサー28は(3)式の定電流で充電される。
Ic=Vr2/R ・・・(3)
コンデンサー28の容量値をCとすると、充電期間中、コンデンサー28の電圧Vcは定数1/Cに応じた一定の傾きで増大する。やがて、電圧Vcが電圧Vr2に達すると、コンパレーター30の出力電圧VOUT2がHレベルに変化し、スイッチ27がオフ、MOSトランジスター29がオンする。これにより、コンデンサー28の電圧Vcは0Vまで低下する。この電圧低下により、コンパレーター30の出力電圧VOUT2が再びLレベルに変化し、MOSトランジスター29がオフ、スイッチ27がオンする。その結果、周期Tで幅狭のHパルスを持つ発振信号が得られる。
Next, the oscillation operation of the
Ic = Vr2 / R (3)
Assuming that the capacitance value of the
続いて、図4を参照しながら図1のCR発振回路100の周波数補正方法について説明する。CR発振回路100が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Vccを供給する。また、基準電圧Vref1とVref2については、CR発振回路100の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Vref1とVref2は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、CR発振回路100の出力電圧VOUT2をモニターするとともに、制御部60に対してスイッチ26a〜26cのオンオフを指令することができる。
Next, a frequency correction method of the
検査装置はCR発振回路100の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部60を介してスイッチ26a〜26cを切り替える。
The inspection device sequentially changes the temperature of the thermostatic chamber by a plurality of points within a range that can occur in the actual use state of the
このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合には抵抗24の抵抗値を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合には抵抗24の抵抗値を低下させるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該抵抗値を対応付ける。温度は制御部60による電圧VaのA/D変換値である。
At this time, when the oscillation frequency is higher than the target frequency, switching is performed to increase the resistance value of the
図4は、このようにして作成した補正用のデータテーブルである。図中のR1〜R8は、組み合わせに係る上記8通りの抵抗値の何れかである。抵抗値に替えてスイッチ26a〜26cのオンオフ情報を例えば3ビットデータとして対応づけてもよい。この温度(電圧VaのA/D変換値)に対して抵抗値(またはスイッチ26a〜26cのオンオフ状態)を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー61に書き込まれる。
FIG. 4 is a correction data table created in this way. R1 to R8 in the figure are any of the above eight resistance values related to the combination. Instead of the resistance value, the on / off information of the
半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部60は、所定の制御周期ごとに温度検出部50から電圧Vaが入力されA/D変換する。上述したように、電圧VaのA/D変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー61に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Vaに対応した抵抗24の抵抗値を読み出し、抵抗24の抵抗値Rが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ26a〜26cを切り替える。
In an actual use state after the semiconductor device is shipped, the
この制御により、CR発振回路100の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればCR発振部20と温度検出部50は定電圧供給部10によって生成される電源電圧Vccに依らない一定の動作電圧V1を受けて動作している。従来は電源電圧Vccの変動によって出力周波数が変化していたが、CR発振部20の動作電圧V1が電源電圧Vccに依らず一定となったことで、電源電圧Vccの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部50についても、動作電圧V1は電源電圧Vccに依らず一定のため、電源電圧Vccの変動による検出温度に相当する電圧Vaの変化は起きない。さらに、CR発振回路100内には基準電圧としてVref1とVref2が入力されるが、これらも電源電圧Vccには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Vccの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Vccに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。
By this control, it is possible to correct a frequency error with respect to a change in the environmental temperature of the
以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてCR発振回路100を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対する抵抗24の抵抗値をテーブル化している。また、CR発振回路100の発振周波数や供給される基準電圧Vref1、Vref2、環境温度に対する抵抗24の抵抗値のテーブル化に関して、電源電圧Vccが変動しても影響を与えない。したがって、CR発振回路100の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Vccが変動しても、コンデンサー28、抵抗24その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。この場合、従来は必要であった電源電圧Vccの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Vccに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。
According to the above-described embodiment, the resistance value of the
抵抗24はスイッチ26a〜26cに対しそれぞれ並列接続された抵抗素子25a〜25cを直列に備え、抵抗素子25a〜25cは2のべき乗により重み付けされた抵抗値r、2r、4rを有している。これにより、抵抗値rごとの8通りの抵抗値を少ない抵抗素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
The
(実施形態2)
図5は実施形態2に係るCR発振回路200の構成図である。本実施形態に係るCR発振回路200について図5を参照して説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。図5に示すCR発振回路200は、実施形態1における、コンデンサー28の代わりにコンデンサー40を、抵抗24の代わりに抵抗43をそれぞれ備えている。CR発振回路200はコンデンサー40の容量値を変更可能に構成することで周波数誤差を補正する。なお、抵抗43は一定の抵抗値を有している。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a configuration diagram of a
コンデンサー40はコンデンサー素子41aとスイッチ42aとの直列回路、コンデンサー素子41bとスイッチ42bとの直列回路、コンデンサー素子41cとスイッチ42cとの直列回路を並列に接続して構成されている。ここで、コンデンサー素子41a、41b、41cの容量値は2のべき乗に従ってそれぞれc、2c、4cに設定されている。直列にスイッチを持たないコンデンサー素子41dはコンデンサー40の構成に必ず残るため、コンデンサー素子41dの容量値は発振周波数の上限値を決定する。コンデンサー40の容量値は、スイッチ42a〜42cのオンオフの状態により8通りの異なる容量値に決まる。
The
続いて、図6を参照しながら図5のCR発振回路200の周波数補正方法について説明する。CR発振回路200が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Vccを供給する。また、基準電圧Vref1とVref2については、CR発振回路200の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Vref1とVref2は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、CR発振回路200の出力電圧VOUT2をモニターするとともに、制御部60に対してスイッチ42a〜42cのオンオフを指令することができる。
Next, a frequency correction method of the
検査装置はCR発振回路200の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部60を介してスイッチ42a〜42cを切り替える。
The inspection apparatus sequentially changes the temperature of the thermostatic chamber at a plurality of points within a range that can occur in the actual use state of the
このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合にはコンデンサー40の容量値を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合にはコンデンサー40の容量値を低下させるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該容量値を対応付ける。温度は制御部60による電圧VaのA/D変換値である。
At this time, when the oscillation frequency is higher than the target frequency, the capacitance value of the
図6は、このようにして作成した補正用のデータテーブルである。図中のC1〜C8は、組み合わせに係る上記8通りの容量値の何れかである。容量値に替えてスイッチ42a〜42cのオンオフ情報を例えば3ビットデータとして対応づけてもよい。この温度(電圧VaのA/D変換値)に対して容量値(またはスイッチ42a〜42cのオンオフ状態)を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー61に書き込まれる。
FIG. 6 is a correction data table created in this way. C1 to C8 in the figure are any of the above eight capacitance values related to the combination. Instead of the capacitance value, on / off information of the
半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部60は、所定の制御周期ごとに温度検出部50から電圧Vaが入力されA/D変換する。上述したように、電圧VaのA/D変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー61に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Vaに対応したコンデンサー40の容量値を読み出し、コンデンサー40の容量値Cが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ42a〜42cを切り替える。
In an actual use state after the semiconductor device is shipped, the
この制御により、CR発振回路200の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればCR発振部20と温度検出部50は定電圧供給部10によって生成される電源電圧Vccに依らない一定の動作電圧V1を受けて動作している。従来は電源電圧Vccの変動によって出力周波数が変化していたが、CR発振部20の動作電圧V1が電源電圧Vccに依らず一定となったことで、電源電圧Vccの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部50についても、動作電圧V1は電源電圧Vccに依らず一定のため、電源電圧Vccの変動による検出温度に相当する電圧Vaの変化は起きない。さらに、CR発振回路200内には基準電圧としてVref1とVref2が入力されるが、これらも電源電圧Vccには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Vccの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Vccに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。
With this control, it is possible to correct a frequency error with respect to a change in the environmental temperature of the
以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてCR発振回路200を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対するコンデンサー40の容量値をテーブル化している。また、CR発振回路200の発振周波数や供給される基準電圧Vref1、Vref2、環境温度に対するコンデンサー40の容量値のテーブル化に関して、電源電圧Vccが変動しても影響を与えない。したがって、CR発振回路200の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Vccが変動しても、コンデンサー40、抵抗43その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。この場合、従来は必要であった電源電圧Vccの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Vccに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。
According to the above-described embodiment, the capacitance value of the
コンデンサー40はスイッチ42a〜42cに対しそれぞれ直列接続されたコンデンサー素子41a〜41cを並列に備え、コンデンサー素子41a〜41cは2のべき乗により重み付けされた容量値c、2c、4cを有している。これにより、容量値cごとの8通りの容量値を少ないコンデンサー素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
The
(実施形態3)
図7は実施形態3に係るCR発振回路300の構成図である。このCR発振回路300は実施形態1に係るCR発振回路100が備える抵抗24と、実施形態2に係るCR発振回路200が備えるコンデンサー40とを組み合わせた構成を有している。
(Embodiment 3)
FIG. 7 is a configuration diagram of a
続いて、図7のCR発振回路300の周波数補正方法について説明する。CR発振回路300が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Vccを供給する。また、基準電圧Vref1とVref2については、CR発振回路300の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Vref1とVref2は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、CR発振回路300の出力電圧VOUT2をモニターするとともに、制御部60に対してスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cのオンオフを指令することができる。
Next, a frequency correction method for the
検査装置はCR発振回路300の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部60を介してスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cを切り替える。
The inspection apparatus sequentially changes the temperature of the thermostatic chamber by a plurality of points within a range that can occur in the actual use state of the
このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合には、抵抗24の抵抗値を高める、または、コンデンサー40の容量値を高める、あるいは抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値の両方を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合には、抵抗24の抵抗値を低下させる、または、コンデンサー40の容量値を低下させる、あるいは、抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値の両方を下げるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該抵抗値と容量値を対応付ける。温度は制御部60による電圧VaのA/D変換値である。
At this time, if the oscillation frequency is higher than the target frequency, the resistance value of the
このようにして補正用のデータテーブルを作成する。抵抗値と容量値に替えてスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cのオンオフ情報を例えば6ビットデータとして対応づけてもよい。この温度(電圧VaのA/D変換値)に対して抵抗値(またはスイッチ26a〜26cのオンオフ状態)と容量値(またはスイッチ42a〜42cのオンオフ状態)を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー61に書き込まれる。
In this way, a data table for correction is created. Instead of the resistance value and the capacitance value, the on / off information of the
半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部60は、所定の制御周期ごとに温度検出部50から電圧Vaが入力されA/D変換する。上述したように、電圧VaのA/D変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー61に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Vaに対応した抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値を読み出し、抵抗24の抵抗値Rとコンデンサー40の容量値Cが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cを切り替える。
In an actual use state after the semiconductor device is shipped, the
この制御により、CR発振回路300の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればCR発振部20と温度検出部50は定電圧供給部10によって生成される電源電圧Vccに依らない一定の動作電圧V1を受けて動作している。従来は電源電圧Vccの変動によって出力周波数が変化していたが、CR発振部20の動作電圧V1が電源電圧Vccに依らず一定となったことで、電源電圧Vccの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部50についても、動作電圧V1は電源電圧Vccに依らず一定のため、電源電圧Vccの変動による検出温度に相当する電圧Vaの変化は起きない。さらに、CR発振回路300内には基準電圧としてVref1とVref2が入力されるが、これらも電源電圧Vccには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Vccの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Vccに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。
With this control, it is possible to correct a frequency error with respect to a change in the environmental temperature of the
以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてCR発振回路300を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対する抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値をテーブル化している。また、CR発振回路300の発振周波数や供給される基準電圧Vref1、Vref2、環境温度に対する抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値のテーブル化に関して、電源電圧Vccが変動しても影響を与えない。したがって、CR発振回路300の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Vccが変動しても、抵抗24、コンデンサー40、その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。また、本実施形態では、抵抗24とコンデンサー40の両方を制御するため、上記各実施形態に比べ補正の自由度が増し、発振周波数を目標周波数に一層高精度に一致させることができる。本実施形態によれば、従来は必要であった電源電圧Vccの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Vccに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。
According to the above-described embodiment, the resistance value of the
抵抗24はスイッチ26a〜26cに対しそれぞれ並列接続された抵抗素子25a〜25cを直列に備え、抵抗素子25a〜25cは2のべき乗により重み付けされた抵抗値r、2r、4rを有している。これにより、抵抗値rごとの8通りの抵抗値を少ない抵抗素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
The
コンデンサー40はスイッチ42a〜42cに対しそれぞれ直列接続されたコンデンサー素子41a〜41cを並列に備え、コンデンサー素子41a〜41cは2のべき乗により重み付けされた容量値c、2c、4cを有している。これにより、容量値cごとの8通りの容量値を少ないコンデンサー素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。
The
(実施形態4)
実施形態4に係る半導体集積回路は、上記実施形態に記載したCR発振回路を備えている。半導体集積回路内のCR発振回路が出力する信号は、例えば、その他の回路で使用する動作クロックの源振信号として使用される。また、CR発振回路内の定電圧供給部と制御部はそれぞれ、半導体集積回路内の他の回路における動作電圧の生成や回路内の制御も行う構成にしてもよい。本実施形態によると、半導体集積回路内のCR発振回路部の検査時間が短縮され、結果的に半導体集積回路全体の検査時間を短縮することができる。また、検査時間の短縮に伴い、半導体集積回路の製品コストを下げることができる。
(Embodiment 4)
A semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment includes the CR oscillation circuit described in the above embodiments. A signal output from the CR oscillation circuit in the semiconductor integrated circuit is used as a source signal of an operation clock used in other circuits, for example. Further, the constant voltage supply unit and the control unit in the CR oscillation circuit may each be configured to generate an operation voltage and control in the circuit in another circuit in the semiconductor integrated circuit. According to this embodiment, the inspection time of the CR oscillation circuit portion in the semiconductor integrated circuit is shortened, and as a result, the inspection time of the entire semiconductor integrated circuit can be shortened. Further, as the inspection time is shortened, the product cost of the semiconductor integrated circuit can be reduced.
(実施形態5)
実施形態5に係るリモコン装置は、実施形態4に記載の半導体集積回路を備えている。このリモコン装置は、例えば、エアコン装置を操作するためのものであり、リモコン装置内部の半導体集積回路は、リモコン装置の操作に伴う制御を行う。本実施形態によれば、製品コストが下がった半導体集積回路をリモコン装置に使用するため、リモコン装置の製品コストを下げることができる。
(Embodiment 5)
A remote control device according to the fifth embodiment includes the semiconductor integrated circuit described in the fourth embodiment. This remote control device is for operating an air conditioner device, for example, and a semiconductor integrated circuit inside the remote control device performs control accompanying the operation of the remote control device. According to this embodiment, since the semiconductor integrated circuit whose product cost has been reduced is used for the remote control device, the product cost of the remote control device can be reduced.
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be added to the above-described embodiment. A modification will be described below.
(変形例1)
本変形例は、実施形態1〜3に記載した周波数補正方法の変形例である。実際の使用状態において、制御部60は、抵抗値または容量値あるいはその両方の1制御周期における変動値が、所定の範囲内になるように、温度検出部50から取得した検出温度に相当する電圧Vaの1制御周期における変動可能な電圧幅を制限として設けてもよい。図4に示す場合には、例えば検出温度に相当する電圧Vaに対し1制御周期に変動可能な電圧幅を±0.02Vと制限する。その上で、メモリー61から、当該制限を加えた後の電圧Vaに対応した抵抗24の抵抗値を読み出す。前回の制御周期で読み出した抵抗値がR4であった場合、今回の制御周期で読み出し可能な抵抗値はR3、R5である。
(Modification 1)
This modification is a modification of the frequency correction method described in the first to third embodiments. In the actual use state, the
このように構成すれば、温度検出部50から取得した電圧Vaの急激な変化が制限され制御周期単位で徐々に発振周波数補正を行うことができるので、発振周波数の急激な変化を防止できる。また、ノイズの侵入などにより、電圧Vaが制御周期の間に通常生じ得る最大変化量を超えて変化した場合、その変化が制限されるので、発振周波数が目標周波数から大きく外れることを防止できる。
According to this configuration, the rapid change of the voltage Va acquired from the
(変形例2)
本変形例は、実施形態1〜3に記載した周波数補正方法の変形例である。予め検査工程において、相異なる複数の目標周波数(XMHz、YMHz、ZMHz、・・・)に対してそれぞれデータテーブルを作成してメモリー61に記憶し、実際の使用状態では、必要とする目標周波数に応じて読み出しに用いるデータテーブルを切り替えてもよい。これにより、1つのCR発振回路を複数の周波数で発振させることができる。
(Modification 2)
This modification is a modification of the frequency correction method described in the first to third embodiments. In the inspection process, a data table is created for each of a plurality of different target frequencies (X MHz, Y MHz, Z MHz,...) And stored in the
(変形例3)
本変形例は、実施形態1〜3に記載した周波数補正方法の変形例である。検査工程等において、発振信号をクロック信号などとして利用する装置の複数の相異なる動作モードで用いる各目標発振周波数に対してそれぞれデータテーブルを作成して記憶し、実際の使用状態では各動作モードに応じて読み出しに用いるデータテーブルを切り替えてもよい。ここでの動作モードとは、例えば省電力動作モード(例えばローパワーモード、スリープモード、スタンバイモード)、通常電力動作モード(例えばノーマルモード)、起動動作モード(ウェイクアップモード)などである。これにより、1つのCR発振回路を各動作モードに適した種々の周波数で発振させることができる。
(Modification 3)
This modification is a modification of the frequency correction method described in the first to third embodiments. In the inspection process, etc., a data table is created and stored for each target oscillation frequency used in a plurality of different operation modes of a device that uses an oscillation signal as a clock signal, etc. Accordingly, the data table used for reading may be switched. The operation mode here is, for example, a power saving operation mode (for example, a low power mode, a sleep mode, a standby mode), a normal power operation mode (for example, a normal mode), a startup operation mode (a wake-up mode), or the like. Thereby, one CR oscillation circuit can be oscillated at various frequencies suitable for each operation mode.
(変形例4)
実施形態1、3では、抵抗24の抵抗値は8通りの抵抗値に切り替え可能であるが、抵抗素子とスイッチの並列回路の直列接続数nを増やせばより多くの2n通りの抵抗値を設定可能となる。同様に、実施形態2、3では、コンデンサー40の容量値は8通りの容量値に切り替え可能であるが、コンデンサー素子とスイッチの直列回路の並列接続数nを増やせばより多くの2n通りの容量値を設定可能となる。このように設定可能な値を増やすことにより、発振周波数を補正する際の精度(周波数分解能)を高めることができる。
(Modification 4)
In the first and third embodiments, the resistance value of the
(変形例5)
発振周波数を決定づけるコンデンサー、抵抗として、MOSトランジスターのゲート容量、オン抵抗を使用してもよい。この場合、制御部60はメモリー61に記憶されたデータテーブルから読み出した容量値、抵抗値に基づいてMOSトランジスターのゲート・ソース間電圧を制御すればよい。
(Modification 5)
As the capacitor and resistance that determine the oscillation frequency, the gate capacitance and on-resistance of a MOS transistor may be used. In this case, the
1、2…電源線、3…オペアンプ、4…MOSトランジスター、5、6…抵抗、10…定電圧供給部、20…CR発振部、21…オペアンプ、22、23…MOSトランジスター、24…抵抗、25a,25b,25c,25d…抵抗素子、26…MOSトランジスター、26a,26b,26c…スイッチ、27…スイッチ、28…コンデンサー、29…MOSトランジスター、30…コンパレーター、31…インバーター、40…コンデンサー、41a,41b,41c,41d…コンデンサー素子、42a,42b,42c…スイッチ、43…抵抗、50…温度検出部、51…抵抗、52a,52b,52c…ダイオード、60…制御部、61…メモリー(記憶手段)、62…A/D変換回路、100,200,300…CR発振回路。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするCR発振回路。 A CR oscillation circuit comprising a capacitor and a resistor, and oscillating at a frequency determined based on a capacitance value of the capacitor and a resistance value of the resistor upon receiving a supply voltage;
The resistor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different resistance values,
A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage;
A CR oscillator that oscillates in response to the supply of the operating voltage;
A temperature detection unit that receives the operating voltage and detects an environmental temperature;
Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the resistance value of the resistor is associated with the environmental temperature of the oscillation operation;
The detection temperature is acquired from the temperature detection unit at a predetermined control period, the resistance value of the resistor corresponding to the detection temperature is read from the data table stored in advance in the storage unit, and the resistance value of the resistance is A control unit that controls to be equal to the read specified value,
The resistor is configured by connecting a plurality of parallel circuits of a resistor element and a switch in series.
The CR oscillation circuit, wherein the control unit switches the switch according to a resistance value read from a data table of the storage means.
前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値を読み出し、前記コンデンサーの容量値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするCR発振回路。 A CR oscillation circuit comprising a capacitor and a resistor, and oscillating at a frequency determined based on a capacitance value of the capacitor and a resistance value of the resistor upon receiving a supply voltage;
The capacitor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different capacitance values,
A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage;
A CR oscillator that oscillates in response to the supply of the operating voltage;
A temperature detection unit that receives the operating voltage and detects an environmental temperature;
Nonvolatile storage means capable of writing a data table in which the capacitance value of the capacitor is associated with the environmental temperature of the oscillation operation;
The detection temperature is acquired from the temperature detection unit at a predetermined control period, the capacitance value of the capacitor corresponding to the detection temperature is read from the data table stored in advance in the storage unit, and the capacitance value of the capacitor is A control unit that controls to be equal to the read specified value,
The capacitor is configured by connecting a plurality of series circuits of a capacitor element and a switch in parallel.
The CR oscillation circuit, wherein the control unit switches the switch according to a capacitance value read from a data table of the storage unit.
前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、
前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値および抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするCR発振回路。 A CR oscillation circuit comprising a capacitor and a resistor, and oscillating at a frequency determined based on a capacitance value of the capacitor and a resistance value of the resistor upon receiving a supply voltage;
The capacitor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different capacitance values,
The resistor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different resistance values,
A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage;
A CR oscillator that oscillates in response to the supply of the operating voltage;
A temperature detection unit that receives the operating voltage and detects an environmental temperature;
Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor are associated with the environmental temperature of the oscillation operation;
The detection temperature is acquired from the temperature detection unit at a predetermined control period, and the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor corresponding to the detection temperature are read from the data table stored in advance in the storage unit, A control unit that controls the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor to be equal to the read designated value, and
The capacitor is configured by connecting a plurality of series circuits of a capacitor element and a switch in parallel.
The resistor is configured by connecting a plurality of parallel circuits of a resistor element and a switch in series.
The CR oscillation circuit, wherein the control unit switches the switch according to a capacitance value and a resistance value read from a data table of the storage unit.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181121 |
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RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20200807 |