JP2019134280A - Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller - Google Patents

Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller Download PDF

Info

Publication number
JP2019134280A
JP2019134280A JP2018014566A JP2018014566A JP2019134280A JP 2019134280 A JP2019134280 A JP 2019134280A JP 2018014566 A JP2018014566 A JP 2018014566A JP 2018014566 A JP2018014566 A JP 2018014566A JP 2019134280 A JP2019134280 A JP 2019134280A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
resistor
voltage
value
oscillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018014566A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
貴裕 菊地
Takahiro Kikuchi
貴裕 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2018014566A priority Critical patent/JP2019134280A/en
Publication of JP2019134280A publication Critical patent/JP2019134280A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

To provide a CR oscillation circuit obtaining a high-precision frequency irrespective of the change of a power voltage and an environmental temperature and the dispersion of a circuit constant, in a short inspection time and low inspection cost.SOLUTION: A CR oscillation circuit 100 includes: a constant voltage supply unit 10 which transforms a power voltage to supply a constant operation voltage regardless of the power voltage; a CR oscillation unit 20 which receives the supply of the operation voltage to perform oscillation operation; a temperature detector unit 50 which receives the supply of the operation voltage to detect an environmental temperature; storage means 61 which can write into a data table in which the resistance value of a resistance 24 in the CR oscillation unit 20 is associated with the environmental temperature; and a control unit 60 which changes the resistance value of a resistor 24 into the resistance value read from the data table stored in the storage means 61 according to the detection temperature acquired from the temperature detector unit 50. The resistor 24 has a plurality of series connections of parallel circuits including resistive elements and switches. The control unit 60 switches over a switch according to the read resistance value.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、コンデンサーの容量値と抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路、該CR発振回路を備えた半導体集積回路およびリモコン装置に関する。   The present invention relates to a CR oscillation circuit that oscillates at a frequency determined based on a capacitance value of a capacitor and a resistance value of a resistor, a semiconductor integrated circuit including the CR oscillation circuit, and a remote control device.

CR発振回路が動作する環境温度が変化すると、回路内部のコンデンサーの容量値および抵抗の抵抗値が変化するため、CR発振回路の発振周波数は温度特性を持つ。また、発振回路を動作させている電源電圧が変動しても、例えばコンデンサーへの充電電流が影響を受けるので発振周波数が変動する。そこで、従来、例えば特許文献1に記載されているように、電源電圧検出回路と環境温度検出回路を備えるCR発振回路において、異なる電源電圧と異なる環境温度に対応した容量値または抵抗値あるいはその両方をデータテーブルとして作成し、予め回路内の記憶手段に記憶しておき、回路動作中は検出された電源電圧と環境温度からデータテーブルを参照して定められる容量値や抵抗値に変更することで周波数を補正する方法が知られている。この方法により、電源電圧や環境温度が変動した際も変動後の電源電圧や環境温度に対応した容量値や抵抗値に変更されるため高精度な周波数を得ることができる。   When the environmental temperature at which the CR oscillation circuit operates changes, the capacitance value of the capacitor inside the circuit and the resistance value of the resistor change, so that the oscillation frequency of the CR oscillation circuit has temperature characteristics. Further, even if the power supply voltage for operating the oscillation circuit varies, for example, the charging current to the capacitor is affected, so the oscillation frequency varies. Therefore, conventionally, as described in, for example, Patent Document 1, in a CR oscillation circuit including a power supply voltage detection circuit and an environmental temperature detection circuit, capacitance values and / or resistance values corresponding to different power supply voltages and different environmental temperatures are used. As a data table, stored in advance in a storage means in the circuit, and during circuit operation, the detected power supply voltage and environmental temperature are changed to a capacitance value or resistance value determined with reference to the data table. A method for correcting the frequency is known. With this method, even when the power supply voltage or the environmental temperature changes, the capacitance value or resistance value corresponding to the changed power supply voltage or environmental temperature is changed, so that a highly accurate frequency can be obtained.

特許第5573781号公報Japanese Patent No. 5573781

しかしながら、特許文献1に記載のCR発振回路は、製品製造時または出荷時の検査において異なる電源電圧と異なる環境温度に対応する容量値や抵抗値を測定し、データテーブルを作成する必要がある。周波数の変動要素が電源電圧と環境温度の二つあるため、この組み合わせに応じたデータテーブルを作成するために多くのデータを測定する必要があり、検査時間が増えることでコストが上がるという課題があった。   However, the CR oscillation circuit described in Patent Document 1 needs to create a data table by measuring capacitance values and resistance values corresponding to different power supply voltages and different environmental temperatures during inspection at the time of product manufacture or shipment. Since there are two frequency fluctuation factors, the power supply voltage and the environmental temperature, it is necessary to measure a lot of data to create a data table according to this combination, and there is a problem that the cost increases as the inspection time increases. there were.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係るCR発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。   Application Example 1 A CR oscillation circuit according to this application example includes a capacitor and a resistor, and oscillates at a frequency determined based on the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor when supplied with a power supply voltage. In the oscillation circuit, the resistor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different resistance values, and transforms the power supply voltage to obtain a constant operating voltage regardless of the power supply voltage. A constant voltage supply unit that supplies power, a CR oscillation unit that oscillates when supplied with the operating voltage, a temperature detection unit that detects environmental temperature when supplied with the operating voltage, and an environmental temperature of oscillation operation Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the resistance values of the resistors are associated, and detected temperatures from the temperature detection unit at predetermined control cycles, respectively, and the data stored in advance in the storage means. A control unit that reads a resistance value of the resistor corresponding to the detected temperature from the data table and controls the resistance value of the resistor to be equal to the read specified value, and the resistor includes a resistance element and a switch. A plurality of parallel circuits are connected in series, and the control unit switches the switch according to the resistance value read from the data table of the storage means.

本適用例によれば、CR発振回路内のCR発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した抵抗値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。   According to this application example, the CR oscillation unit and the temperature detection unit in the CR oscillation circuit operate at a constant operating voltage that does not depend on the power supply voltage supplied by the constant voltage supply unit, and therefore the output frequency depends on the power supply voltage. Therefore, it is only necessary to create a data table of resistance values corresponding to the environmental temperature, not to the combination of the power supply voltage and the environmental temperature. As a result, the amount of measurement data at the time of inspection is reduced and the inspection time is shortened, so that the cost can be reduced as compared with the prior art.

[適用例2]本適用例に係るCR発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値を読み出し、前記コンデンサーの容量値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。   Application Example 2 A CR oscillation circuit according to this application example includes a capacitor and a resistor, and oscillates at a frequency determined based on the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor when supplied with a power supply voltage. An oscillation circuit, wherein the capacitor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different capacitance values, and transforms the power supply voltage to provide a constant operating voltage regardless of the power supply voltage. A constant voltage supply unit that supplies power, a CR oscillation unit that oscillates when supplied with the operating voltage, a temperature detection unit that detects environmental temperature when supplied with the operating voltage, and an environmental temperature of oscillation operation Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the capacitance values of the capacitors are associated, and a detected temperature from the temperature detection unit at a predetermined control cycle, respectively, and pre-stored in the storage means A controller that reads the capacitance value of the capacitor corresponding to the detected temperature from the stored data table, and controls the capacitance value of the capacitor to be equal to the read designated value, and the capacitor includes: A plurality of series circuits of a capacitor element and a switch are connected in parallel, and the control unit switches the switch according to a capacitance value read from a data table of the storage means.

本適用例によれば、CR発振回路内のCR発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した容量値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。   According to this application example, the CR oscillation unit and the temperature detection unit in the CR oscillation circuit operate at a constant operating voltage that does not depend on the power supply voltage supplied by the constant voltage supply unit, and therefore the output frequency depends on the power supply voltage. Therefore, it is only necessary to create a data table of capacitance values corresponding to the environmental temperature, not to the combination of the power supply voltage and the environmental temperature. As a result, the amount of measurement data at the time of inspection is reduced and the inspection time is shortened, so that the cost can be reduced as compared with the prior art.

[適用例3]本適用例に係るCR発振回路は、コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値および抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とする。   Application Example 3 A CR oscillation circuit according to this application example includes a capacitor and a resistor, and receives a supply voltage to oscillate at a frequency determined based on the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor. In the oscillation circuit, the capacitor is configured to be changeable to a specified value from a plurality of different capacitance values, and the resistor is set to a specified value from a plurality of different resistance values. A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage; a CR oscillation unit that oscillates in response to the supply of the operating voltage; A temperature detection unit that detects the environmental temperature upon receiving the operating voltage, and a data table in which the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor are associated with the environmental temperature of the oscillation operation can be written. Non-volatile storage means, and the detected temperature from the temperature detection unit at a predetermined control cycle, respectively, the capacitance value of the capacitor and the resistance corresponding to the detected temperature from the data table stored in advance in the storage means And a control unit that controls the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor to be equal to the read specified value, and the capacitor includes a series circuit of a capacitor element and a switch. The resistor is configured by connecting a plurality of parallel circuits of a resistor element and a switch in series, and the control unit is configured to read a capacitance value read from the data table of the storage unit and The switch is switched according to a resistance value.

本適用例によれば、CR発振回路内のCR発振部および温度検出部は定電圧供給部によって供給される電源電圧に依らない一定の動作電圧により動作するため、出力周波数は電源電圧に依存しなくなり、電源電圧と環境温度の組み合わせに対してではなく、環境温度に対応した容量値と抵抗値のデータテーブルのみを作成するだけでよくなる。これによって、検査時の測定データ量が減り検査時間が短縮されることで、従来技術に比べてコストを下げることができる。   According to this application example, the CR oscillation unit and the temperature detection unit in the CR oscillation circuit operate at a constant operating voltage that does not depend on the power supply voltage supplied by the constant voltage supply unit, and therefore the output frequency depends on the power supply voltage. Thus, it is only necessary to create a data table of capacitance values and resistance values corresponding to the environmental temperature, not to the combination of the power supply voltage and the environmental temperature. As a result, the amount of measurement data at the time of inspection is reduced and the inspection time is shortened, so that the cost can be reduced as compared with the prior art.

[適用例4]本適用例に係る半導体集積回路は、上記適用例に記載のCR発振回路を備えたことを特徴とする。   Application Example 4 A semiconductor integrated circuit according to this application example includes the CR oscillation circuit described in the application example.

本適用例によれば、半導体集積回路内のCR発振回路の検査時間が短縮されコストが下がることによって、半導体集積回路全体の検査時間を短縮することができる。また、検査時間の短縮に伴い検査コストが下がることによって、半導体集積回路の製品コストを下げることができる。   According to this application example, the inspection time of the CR oscillation circuit in the semiconductor integrated circuit is shortened and the cost is reduced, so that the inspection time of the entire semiconductor integrated circuit can be shortened. In addition, since the inspection cost is reduced as the inspection time is shortened, the product cost of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

[適用例5]本適用例に係るリモコン装置は、上記適用例に記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とする。   Application Example 5 A remote control device according to this application example includes the semiconductor integrated circuit described in the application example.

本適用例によれば、検査コストの削減により価格の下がった半導体集積回路を使用することが可能となり、リモコン装置の製品コストを下げることができる。   According to this application example, it is possible to use a semiconductor integrated circuit whose price has been reduced by reducing the inspection cost, and the product cost of the remote control device can be reduced.

実施形態1に係るCR発振回路の構成図Configuration of CR Oscillator Circuit According to Embodiment 1 定電圧供給部の構成図Configuration of constant voltage supply unit コンデンサー電圧Vcの波形図Waveform diagram of capacitor voltage Vc 抵抗値の選択に用いるデータテーブルData table used to select resistance values 実施形態2に係るCR発振回路の構成図Configuration of CR Oscillator Circuit According to Embodiment 2 容量値の選択に用いるデータテーブルData table used to select the capacity value 実施形態3に係るCR発振回路の構成図Configuration of CR Oscillator Circuit According to Embodiment 3

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the scale of each member is made different from the actual scale so that each member can be recognized.

(実施形態1)
図1は実施形態1に係るCR発振回路100の構成図である。まず、実施形態1に係るCR発振回路100の概略構成について説明する。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram of a CR oscillation circuit 100 according to the first embodiment. First, a schematic configuration of the CR oscillation circuit 100 according to the first embodiment will be described.

CR発振回路100は定電圧供給部10、CR発振部20、温度検出部50、制御部60から構成されている。   The CR oscillation circuit 100 includes a constant voltage supply unit 10, a CR oscillation unit 20, a temperature detection unit 50, and a control unit 60.

定電圧供給部10は電源線1、2に電源電圧Vccの供給を受けて動作する。電源線1が電源電圧Vcc、電源線2がGNDである。電源線1と2の間にはMOSトランジスター4、抵抗5、抵抗6が直列に接続されている。オペアンプ3の反転入力端子には電源電圧Vccに依存しない基準電圧Vref1が印加されており、非反転入力端子は抵抗5と抵抗6の間のノードNaと接続されている。また、オペアンプ3の出力はMOSトランジスター4のゲート端子と接続されている。この構成により抵抗5、6の抵抗比に応じた一定の電圧を出力することができる。   The constant voltage supply unit 10 operates by receiving the power supply voltage Vcc from the power supply lines 1 and 2. The power supply line 1 is the power supply voltage Vcc, and the power supply line 2 is GND. Between the power supply lines 1 and 2, a MOS transistor 4, a resistor 5 and a resistor 6 are connected in series. A reference voltage Vref 1 that does not depend on the power supply voltage Vcc is applied to the inverting input terminal of the operational amplifier 3, and the non-inverting input terminal is connected to a node Na between the resistors 5 and 6. The output of the operational amplifier 3 is connected to the gate terminal of the MOS transistor 4. With this configuration, a constant voltage according to the resistance ratio of the resistors 5 and 6 can be output.

CR発振部20は、定電圧供給部10のMOSトランジスター4のドレイン端子と抵抗5の間のノードNbに出力される一定の動作電圧V1を電源線2との間に受けて動作する。ノードNbと電源線2の間には、MOSトランジスター22、23と抵抗24が直列に接続されている。抵抗24は抵抗素子25aとスイッチ26aとの並列回路、抵抗素子25bとスイッチ26bとの並列回路、抵抗素子25cとスイッチ26cとの並列回路、および抵抗素子25dを直列接続して構成されている。ここで、抵抗素子25a、25b、25cの抵抗値は、2のべき乗に従ってr、2r、4rに設定されている。並列にスイッチを持たない抵抗素子25dは抵抗24に必ず残るため、抵抗素子25dの抵抗値は発振周波数の上限値を決定する。スイッチ26a〜26cのオンオフ状態により8通りの異なる抵抗値が生成される。   The CR oscillation unit 20 operates by receiving a constant operating voltage V 1 output to the node Nb between the drain terminal of the MOS transistor 4 of the constant voltage supply unit 10 and the resistor 5 between the power supply line 2. Between the node Nb and the power supply line 2, MOS transistors 22 and 23 and a resistor 24 are connected in series. The resistor 24 is configured by connecting a parallel circuit of a resistive element 25a and a switch 26a, a parallel circuit of a resistive element 25b and a switch 26b, a parallel circuit of a resistive element 25c and a switch 26c, and a resistive element 25d in series. Here, the resistance values of the resistance elements 25a, 25b, and 25c are set to r, 2r, and 4r according to the power of 2. Since the resistance element 25d that does not have a switch in parallel always remains in the resistance 24, the resistance value of the resistance element 25d determines the upper limit value of the oscillation frequency. Eight different resistance values are generated depending on the on / off states of the switches 26a to 26c.

オペアンプ21は、上記MOSトランジスター22および抵抗24とともに定電流回路を構成している。非反転入力端子には電源電圧Vccに依存しない基準電圧Vref2が入力され、反転入力端子はMOSトランジスター22のソース(ノードNc)に接続されている。オペアンプ21の作用により抵抗24には基準電圧Vr2(≒Vref2)が印加される。このためスイッチ26a〜26cを切り替えて抵抗24の抵抗値Rを変更するとMOSトランジスター22に流れる電流は抵抗値Rに反比例して変化する。   The operational amplifier 21 constitutes a constant current circuit together with the MOS transistor 22 and the resistor 24. A reference voltage Vref2 independent of the power supply voltage Vcc is input to the non-inverting input terminal, and the inverting input terminal is connected to the source (node Nc) of the MOS transistor 22. The reference voltage Vr2 (≈Vref2) is applied to the resistor 24 by the operation of the operational amplifier 21. Therefore, when the switches 26a to 26c are switched to change the resistance value R of the resistor 24, the current flowing through the MOS transistor 22 changes in inverse proportion to the resistance value R.

ノードNbと電源線2の間には、充電用のMOSトランジスター26とスイッチ27とコンデンサー28が直列に接続されている。MOSトランジスター23と26のゲートとソースはそれぞれ共通に接続されていてカレントミラー回路を構成している。MOSトランジスター26には、MOSトランジスター23と26のサイズW/Lの比に応じてMOSトランジスター23(MOSトランジスター22)に流れる電流に比例した電流が流れる。コンデンサー28には放電用のMOSトランジスター29が並列に接続されている。   A charging MOS transistor 26, a switch 27, and a capacitor 28 are connected in series between the node Nb and the power supply line 2. The gates and sources of the MOS transistors 23 and 26 are connected in common to form a current mirror circuit. In the MOS transistor 26, a current proportional to the current flowing in the MOS transistor 23 (MOS transistor 22) flows according to the ratio of the size W / L of the MOS transistors 23 and 26. A discharge MOS transistor 29 is connected to the capacitor 28 in parallel.

コンパレーター30は、コンデンサー28の電圧VcとノードNcの電圧Vr2とを比較して発振信号である出力電圧VOUT2を出力する。この出力電圧VOUT2はMOSトランジスター29のゲートに与えられるとともに、インバーター31を介してスイッチ27のオンオフを制御する。スイッチ27は、放電用のMOSトランジスター29がオンしている期間、インバーター31からLレベルの信号により充電用のMOSトランジスター26からの電流を遮断するために設けられている。   The comparator 30 compares the voltage Vc of the capacitor 28 with the voltage Vr2 of the node Nc and outputs an output voltage VOUT2 that is an oscillation signal. The output voltage VOUT2 is applied to the gate of the MOS transistor 29 and controls the on / off of the switch 27 via the inverter 31. The switch 27 is provided to cut off the current from the charging MOS transistor 26 by the L level signal from the inverter 31 while the discharging MOS transistor 29 is on.

温度検出部50は、定電圧供給部10からノードNbに出力される一定の動作電圧V1を電源線2との間に受けて動作する。温度検出部50は、ノードNbと電源線2の間に直列に接続された抵抗51、ダイオード52a、52b、52cから構成されており、環境温度によって変化するダイオード52a〜52cの順方向電圧Vaを出力する。   The temperature detection unit 50 operates by receiving a constant operating voltage V1 output from the constant voltage supply unit 10 to the node Nb with the power supply line 2. The temperature detection unit 50 includes a resistor 51 and diodes 52a, 52b, and 52c connected in series between the node Nb and the power supply line 2, and the forward voltage Va of the diodes 52a to 52c that changes depending on the environmental temperature. Output.

制御部60は、CR発振部20から入力される発振信号(出力電圧VOUT2)を波形形成し、それをクロック信号として動作する。制御部60は不揮発性のメモリー61(記憶手段)とA/D変換回路62を備えている。   The control unit 60 forms a waveform of the oscillation signal (output voltage VOUT2) input from the CR oscillation unit 20, and operates using it as a clock signal. The control unit 60 includes a nonvolatile memory 61 (storage means) and an A / D conversion circuit 62.

次に、図2を参照して定電圧供給部10の動作について説明する。オペアンプ3の作用によりノードNaの電圧Vr1は基準電圧Vref1と等しくなる。また電圧Vr1はMOSトランジスター4のドレイン端子と抵抗5の間のノードNbの電圧V1を抵抗5と抵抗6で分圧した電圧となる。したがって、抵抗5と抵抗6の抵抗値をそれぞれr1、r2とするとその関係性は(1)式で表される。また、(1)式よりV1は(2)式と表すことができる。
Vr1=V1・{r2/(r1+r2)} ・・・(1)
V1={(r1+r2)/r2}・Vr1 ・・・(2)
(2)式のVr1は基準電圧Vref1と等しくなり一定電圧であるため、V1は抵抗5と抵抗6の抵抗値によって定められる。例えば、抵抗6の抵抗値は固定しておき、抵抗5の抵抗値を変更できるような構成をとることで、V1の電圧値は抵抗5の抵抗値の可変範囲内で任意の値へと調整することが可能となる。また、抵抗5の抵抗値は固定しておき、抵抗6の抵抗値を変更できる構成や、抵抗5と抵抗6の両方の抵抗値を変更できる構成を取ってもよい。(2)式で表せるV1には電源電圧Vccの項がないため、電源電圧Vccに依存することなく、一定の電圧値を出力することができる。すなわち、定電圧供給部10は、電源電圧Vccを変圧して電源電圧Vccに依らず一定の動作電圧V1を供給する。
Next, the operation of the constant voltage supply unit 10 will be described with reference to FIG. Due to the operation of the operational amplifier 3, the voltage Vr1 at the node Na becomes equal to the reference voltage Vref1. The voltage Vr1 is a voltage obtained by dividing the voltage V1 of the node Nb between the drain terminal of the MOS transistor 4 and the resistor 5 by the resistor 5 and the resistor 6. Therefore, if the resistance values of the resistors 5 and 6 are r1 and r2, respectively, the relationship is expressed by the equation (1). Moreover, V1 can be represented as (2) Formula from (1) Formula.
Vr1 = V1 · {r2 / (r1 + r2)} (1)
V1 = {(r1 + r2) / r2} · Vr1 (2)
Since Vr1 in equation (2) is equal to the reference voltage Vref1 and is a constant voltage, V1 is determined by the resistance values of the resistors 5 and 6. For example, by fixing the resistance value of the resistor 6 and changing the resistance value of the resistor 5, the voltage value of V 1 is adjusted to an arbitrary value within the variable range of the resistance value of the resistor 5. It becomes possible to do. Alternatively, the resistance value of the resistor 5 may be fixed and the resistance value of the resistor 6 may be changed, or the resistance value of both the resistor 5 and the resistor 6 may be changed. Since there is no term of the power supply voltage Vcc in V1 expressed by the equation (2), a constant voltage value can be output without depending on the power supply voltage Vcc. That is, the constant voltage supply unit 10 transforms the power supply voltage Vcc and supplies a constant operating voltage V1 regardless of the power supply voltage Vcc.

続いて、図3を参照しながらCR発振部20の発振動作を説明する。図3はコンデンサー28の電圧Vcの波形を示している。例えばMOSトランジスター23と26に流れる電流が等しい場合、コンデンサー28は(3)式の定電流で充電される。
Ic=Vr2/R ・・・(3)
コンデンサー28の容量値をCとすると、充電期間中、コンデンサー28の電圧Vcは定数1/Cに応じた一定の傾きで増大する。やがて、電圧Vcが電圧Vr2に達すると、コンパレーター30の出力電圧VOUT2がHレベルに変化し、スイッチ27がオフ、MOSトランジスター29がオンする。これにより、コンデンサー28の電圧Vcは0Vまで低下する。この電圧低下により、コンパレーター30の出力電圧VOUT2が再びLレベルに変化し、MOSトランジスター29がオフ、スイッチ27がオンする。その結果、周期Tで幅狭のHパルスを持つ発振信号が得られる。
Next, the oscillation operation of the CR oscillation unit 20 will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the waveform of the voltage Vc of the capacitor 28. For example, when the currents flowing in the MOS transistors 23 and 26 are equal, the capacitor 28 is charged with a constant current of the expression (3).
Ic = Vr2 / R (3)
Assuming that the capacitance value of the capacitor 28 is C, the voltage Vc of the capacitor 28 increases with a constant slope according to the constant 1 / C during the charging period. Eventually, when the voltage Vc reaches the voltage Vr2, the output voltage VOUT2 of the comparator 30 changes to H level, the switch 27 is turned off, and the MOS transistor 29 is turned on. As a result, the voltage Vc of the capacitor 28 is reduced to 0V. Due to this voltage drop, the output voltage VOUT2 of the comparator 30 changes to the L level again, the MOS transistor 29 is turned off, and the switch 27 is turned on. As a result, an oscillation signal having a narrow H pulse with a period T is obtained.

続いて、図4を参照しながら図1のCR発振回路100の周波数補正方法について説明する。CR発振回路100が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Vccを供給する。また、基準電圧Vref1とVref2については、CR発振回路100の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Vref1とVref2は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、CR発振回路100の出力電圧VOUT2をモニターするとともに、制御部60に対してスイッチ26a〜26cのオンオフを指令することができる。   Next, a frequency correction method of the CR oscillation circuit 100 of FIG. 1 will be described with reference to FIG. In an inspection process at the time of manufacture or shipment of a semiconductor device in which the CR oscillation circuit 100 is incorporated, the semiconductor device is placed in a thermostatic bath, and the power supply voltage Vcc is supplied from the inspection device. For the reference voltages Vref1 and Vref2, it is necessary to supply the reference voltage in the actual use state of the CR oscillation circuit 100. Therefore, as the reference voltages Vref1 and Vref2, a voltage equal to the actual use state is supplied from the inspection device. Or you may supply from the reference voltage circuit etc. which are used in an actual use condition. The inspection device can monitor the output voltage VOUT2 of the CR oscillation circuit 100 and can instruct the control unit 60 to turn on and off the switches 26a to 26c.

検査装置はCR発振回路100の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部60を介してスイッチ26a〜26cを切り替える。   The inspection device sequentially changes the temperature of the thermostatic chamber by a plurality of points within a range that can occur in the actual use state of the CR oscillation circuit 100, and controls the oscillation frequency to be closest to the target frequency with each temperature being given. The switches 26a to 26c are switched via the unit 60.

このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合には抵抗24の抵抗値を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合には抵抗24の抵抗値を低下させるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該抵抗値を対応付ける。温度は制御部60による電圧VaのA/D変換値である。   At this time, when the oscillation frequency is higher than the target frequency, switching is performed to increase the resistance value of the resistor 24, and when the oscillation frequency is lower than the target frequency, switching is performed to decrease the resistance value of the resistor 24. In the switching state where the oscillation frequency is closest to the target frequency, the resistance value is associated with the temperature at that time. The temperature is an A / D conversion value of the voltage Va by the control unit 60.

図4は、このようにして作成した補正用のデータテーブルである。図中のR1〜R8は、組み合わせに係る上記8通りの抵抗値の何れかである。抵抗値に替えてスイッチ26a〜26cのオンオフ情報を例えば3ビットデータとして対応づけてもよい。この温度(電圧VaのA/D変換値)に対して抵抗値(またはスイッチ26a〜26cのオンオフ状態)を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー61に書き込まれる。   FIG. 4 is a correction data table created in this way. R1 to R8 in the figure are any of the above eight resistance values related to the combination. Instead of the resistance value, the on / off information of the switches 26a to 26c may be associated as, for example, 3-bit data. A data table in which the resistance value (or the on / off state of the switches 26a to 26c) is associated with this temperature (A / D conversion value of the voltage Va) is written in the nonvolatile memory 61 in accordance with a command from the inspection device.

半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部60は、所定の制御周期ごとに温度検出部50から電圧Vaが入力されA/D変換する。上述したように、電圧VaのA/D変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー61に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Vaに対応した抵抗24の抵抗値を読み出し、抵抗24の抵抗値Rが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ26a〜26cを切り替える。   In an actual use state after the semiconductor device is shipped, the control unit 60 receives the voltage Va from the temperature detection unit 50 and performs A / D conversion at every predetermined control cycle. As described above, the A / D conversion value of the voltage Va corresponds to the detected temperature. Subsequently, the resistance value of the resistor 24 corresponding to the voltage Va is read from the correction data table stored in advance in the memory 61, and the switches 26a to 26c are set so that the resistance value R of the resistor 24 becomes equal to the read specified value. Switch.

この制御により、CR発振回路100の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればCR発振部20と温度検出部50は定電圧供給部10によって生成される電源電圧Vccに依らない一定の動作電圧V1を受けて動作している。従来は電源電圧Vccの変動によって出力周波数が変化していたが、CR発振部20の動作電圧V1が電源電圧Vccに依らず一定となったことで、電源電圧Vccの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部50についても、動作電圧V1は電源電圧Vccに依らず一定のため、電源電圧Vccの変動による検出温度に相当する電圧Vaの変化は起きない。さらに、CR発振回路100内には基準電圧としてVref1とVref2が入力されるが、これらも電源電圧Vccには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Vccの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Vccに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。   By this control, it is possible to correct a frequency error with respect to a change in the environmental temperature of the CR oscillation circuit 100. Further, according to the present embodiment, the CR oscillation unit 20 and the temperature detection unit 50 operate by receiving a constant operating voltage V1 that does not depend on the power supply voltage Vcc generated by the constant voltage supply unit 10. Conventionally, the output frequency has changed due to fluctuations in the power supply voltage Vcc. However, since the operating voltage V1 of the CR oscillation unit 20 becomes constant regardless of the power supply voltage Vcc, the change in the output frequency due to fluctuations in the power supply voltage Vcc. I'm not getting up. In the temperature detection unit 50, since the operating voltage V1 is constant regardless of the power supply voltage Vcc, the voltage Va corresponding to the detected temperature due to the fluctuation of the power supply voltage Vcc does not occur. Further, Vref1 and Vref2 are input as reference voltages into the CR oscillation circuit 100, and these are also constant voltages that do not depend on the power supply voltage Vcc. Therefore, it is not necessary to consider the influence of the power supply voltage Vcc when creating the data table. Therefore, in the present embodiment, correction of the frequency error with respect to the power supply voltage Vcc, which has been conventionally performed, is unnecessary, and a highly accurate frequency can be obtained only by correcting the frequency error with respect to the environmental temperature described above.

以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてCR発振回路100を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対する抵抗24の抵抗値をテーブル化している。また、CR発振回路100の発振周波数や供給される基準電圧Vref1、Vref2、環境温度に対する抵抗24の抵抗値のテーブル化に関して、電源電圧Vccが変動しても影響を与えない。したがって、CR発振回路100の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Vccが変動しても、コンデンサー28、抵抗24その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。この場合、従来は必要であった電源電圧Vccの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Vccに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。   According to the above-described embodiment, the resistance value of the resistor 24 with respect to the environmental temperature is tabulated while actually oscillating the CR oscillation circuit 100 in the inspection process and adjusting the oscillation frequency. Further, regarding the tabulation of the resistance value of the resistor 24 with respect to the oscillation frequency of the CR oscillation circuit 100, the supplied reference voltages Vref1 and Vref2, and the environmental temperature, there is no influence even if the power supply voltage Vcc varies. Therefore, even if the environmental temperature and the power supply voltage Vcc fluctuate in the actual usage state of the CR oscillation circuit 100, the oscillation frequency matches the target frequency with high accuracy including the constant variation of the capacitor 28, the resistor 24 and other circuit components. Can be made. In this case, since it is not necessary to correct the frequency error with respect to the fluctuation of the power supply voltage Vcc, which has been necessary in the prior art, a highly accurate frequency can be obtained only by correcting the frequency error with respect to the environmental temperature. Therefore, it is not necessary to create a frequency correction data table for the power supply voltage Vcc in the inspection process, the amount of measurement data can be reduced, and the inspection time can be shortened. Moreover, it can be expected to reduce the inspection cost as the inspection time is shortened.

抵抗24はスイッチ26a〜26cに対しそれぞれ並列接続された抵抗素子25a〜25cを直列に備え、抵抗素子25a〜25cは2のべき乗により重み付けされた抵抗値r、2r、4rを有している。これにより、抵抗値rごとの8通りの抵抗値を少ない抵抗素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。   The resistor 24 includes resistance elements 25a to 25c connected in parallel to the switches 26a to 26c, respectively. The resistance elements 25a to 25c have resistance values r, 2r, and 4r weighted by a power of two. As a result, eight resistance values for each resistance value r can be generated area-efficiently using a small number of resistance elements.

(実施形態2)
図5は実施形態2に係るCR発振回路200の構成図である。本実施形態に係るCR発振回路200について図5を参照して説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。図5に示すCR発振回路200は、実施形態1における、コンデンサー28の代わりにコンデンサー40を、抵抗24の代わりに抵抗43をそれぞれ備えている。CR発振回路200はコンデンサー40の容量値を変更可能に構成することで周波数誤差を補正する。なお、抵抗43は一定の抵抗値を有している。
(Embodiment 2)
FIG. 5 is a configuration diagram of a CR oscillation circuit 200 according to the second embodiment. A CR oscillation circuit 200 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In addition, about the component same as Embodiment 1, the same number is used and the overlapping description is abbreviate | omitted. The CR oscillation circuit 200 shown in FIG. 5 includes a capacitor 40 instead of the capacitor 28 and a resistor 43 instead of the resistor 24 in the first embodiment. The CR oscillation circuit 200 is configured to change the capacitance value of the capacitor 40, thereby correcting the frequency error. The resistor 43 has a certain resistance value.

コンデンサー40はコンデンサー素子41aとスイッチ42aとの直列回路、コンデンサー素子41bとスイッチ42bとの直列回路、コンデンサー素子41cとスイッチ42cとの直列回路を並列に接続して構成されている。ここで、コンデンサー素子41a、41b、41cの容量値は2のべき乗に従ってそれぞれc、2c、4cに設定されている。直列にスイッチを持たないコンデンサー素子41dはコンデンサー40の構成に必ず残るため、コンデンサー素子41dの容量値は発振周波数の上限値を決定する。コンデンサー40の容量値は、スイッチ42a〜42cのオンオフの状態により8通りの異なる容量値に決まる。   The capacitor 40 is configured by connecting in parallel a series circuit of a capacitor element 41a and a switch 42a, a series circuit of a capacitor element 41b and a switch 42b, and a series circuit of a capacitor element 41c and a switch 42c. Here, the capacitance values of the capacitor elements 41a, 41b, and 41c are set to c, 2c, and 4c, respectively, according to powers of 2. Since the capacitor element 41d that does not have a switch in series always remains in the configuration of the capacitor 40, the capacitance value of the capacitor element 41d determines the upper limit value of the oscillation frequency. The capacitance value of the capacitor 40 is determined by eight different capacitance values depending on the on / off states of the switches 42a to 42c.

続いて、図6を参照しながら図5のCR発振回路200の周波数補正方法について説明する。CR発振回路200が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Vccを供給する。また、基準電圧Vref1とVref2については、CR発振回路200の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Vref1とVref2は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、CR発振回路200の出力電圧VOUT2をモニターするとともに、制御部60に対してスイッチ42a〜42cのオンオフを指令することができる。   Next, a frequency correction method of the CR oscillation circuit 200 of FIG. 5 will be described with reference to FIG. In an inspection process at the time of manufacture or shipment of a semiconductor device in which the CR oscillation circuit 200 is incorporated, the semiconductor device is placed in a thermostatic bath, and the power supply voltage Vcc is supplied from the inspection device. As for the reference voltages Vref1 and Vref2, it is necessary to supply the reference voltage in the actual use state of the CR oscillation circuit 200. Therefore, as the reference voltages Vref1 and Vref2, a voltage equal to the actual use state is supplied from the inspection device. Or you may supply from the reference voltage circuit etc. which are used in an actual use condition. The inspection device can monitor the output voltage VOUT2 of the CR oscillation circuit 200 and can instruct the control unit 60 to turn on and off the switches 42a to 42c.

検査装置はCR発振回路200の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部60を介してスイッチ42a〜42cを切り替える。   The inspection apparatus sequentially changes the temperature of the thermostatic chamber at a plurality of points within a range that can occur in the actual use state of the CR oscillation circuit 200, and controls the oscillation frequency to be closest to the target frequency in a state where each temperature is given. The switches 42a to 42c are switched via the unit 60.

このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合にはコンデンサー40の容量値を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合にはコンデンサー40の容量値を低下させるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該容量値を対応付ける。温度は制御部60による電圧VaのA/D変換値である。   At this time, when the oscillation frequency is higher than the target frequency, the capacitance value of the capacitor 40 is switched to be increased, and when the oscillation frequency is lower than the target frequency, the capacitance value of the capacitor 40 is switched to be decreased. In the switching state where the oscillation frequency is closest to the target frequency, the capacitance value is associated with the temperature at that time. The temperature is an A / D conversion value of the voltage Va by the control unit 60.

図6は、このようにして作成した補正用のデータテーブルである。図中のC1〜C8は、組み合わせに係る上記8通りの容量値の何れかである。容量値に替えてスイッチ42a〜42cのオンオフ情報を例えば3ビットデータとして対応づけてもよい。この温度(電圧VaのA/D変換値)に対して容量値(またはスイッチ42a〜42cのオンオフ状態)を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー61に書き込まれる。   FIG. 6 is a correction data table created in this way. C1 to C8 in the figure are any of the above eight capacitance values related to the combination. Instead of the capacitance value, on / off information of the switches 42a to 42c may be associated as, for example, 3-bit data. A data table in which the capacitance value (or the on / off state of the switches 42a to 42c) is associated with this temperature (A / D conversion value of the voltage Va) is written in the nonvolatile memory 61 in response to a command from the inspection device.

半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部60は、所定の制御周期ごとに温度検出部50から電圧Vaが入力されA/D変換する。上述したように、電圧VaのA/D変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー61に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Vaに対応したコンデンサー40の容量値を読み出し、コンデンサー40の容量値Cが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ42a〜42cを切り替える。   In an actual use state after the semiconductor device is shipped, the control unit 60 receives the voltage Va from the temperature detection unit 50 and performs A / D conversion at every predetermined control cycle. As described above, the A / D conversion value of the voltage Va corresponds to the detected temperature. Subsequently, the capacitance value of the capacitor 40 corresponding to the voltage Va is read from the correction data table stored in advance in the memory 61, and the switches 42a to 42c are set so that the capacitance value C of the capacitor 40 becomes equal to the read specified value. Switch.

この制御により、CR発振回路200の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればCR発振部20と温度検出部50は定電圧供給部10によって生成される電源電圧Vccに依らない一定の動作電圧V1を受けて動作している。従来は電源電圧Vccの変動によって出力周波数が変化していたが、CR発振部20の動作電圧V1が電源電圧Vccに依らず一定となったことで、電源電圧Vccの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部50についても、動作電圧V1は電源電圧Vccに依らず一定のため、電源電圧Vccの変動による検出温度に相当する電圧Vaの変化は起きない。さらに、CR発振回路200内には基準電圧としてVref1とVref2が入力されるが、これらも電源電圧Vccには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Vccの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Vccに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。   With this control, it is possible to correct a frequency error with respect to a change in the environmental temperature of the CR oscillation circuit 200. Further, according to the present embodiment, the CR oscillation unit 20 and the temperature detection unit 50 operate by receiving a constant operating voltage V1 that does not depend on the power supply voltage Vcc generated by the constant voltage supply unit 10. Conventionally, the output frequency has changed due to fluctuations in the power supply voltage Vcc. However, since the operating voltage V1 of the CR oscillation unit 20 becomes constant regardless of the power supply voltage Vcc, the change in the output frequency due to fluctuations in the power supply voltage Vcc. I'm not getting up. In the temperature detection unit 50, since the operating voltage V1 is constant regardless of the power supply voltage Vcc, the voltage Va corresponding to the detected temperature due to the fluctuation of the power supply voltage Vcc does not occur. Further, Vref1 and Vref2 are input as reference voltages into the CR oscillation circuit 200, and these are also constant voltages that do not depend on the power supply voltage Vcc. Therefore, it is not necessary to consider the influence of the power supply voltage Vcc when creating the data table. Therefore, in the present embodiment, correction of the frequency error with respect to the power supply voltage Vcc, which has been conventionally performed, is unnecessary, and a highly accurate frequency can be obtained only by correcting the frequency error with respect to the environmental temperature described above.

以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてCR発振回路200を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対するコンデンサー40の容量値をテーブル化している。また、CR発振回路200の発振周波数や供給される基準電圧Vref1、Vref2、環境温度に対するコンデンサー40の容量値のテーブル化に関して、電源電圧Vccが変動しても影響を与えない。したがって、CR発振回路200の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Vccが変動しても、コンデンサー40、抵抗43その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。この場合、従来は必要であった電源電圧Vccの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Vccに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。   According to the above-described embodiment, the capacitance value of the capacitor 40 with respect to the environmental temperature is tabulated while actually oscillating the CR oscillation circuit 200 and adjusting the oscillation frequency in the inspection process. Further, regarding the tabulation of the capacitance value of the capacitor 40 with respect to the oscillation frequency of the CR oscillation circuit 200, the supplied reference voltages Vref1 and Vref2, and the ambient temperature, there is no effect even if the power supply voltage Vcc varies. Therefore, even if the environmental temperature and the power supply voltage Vcc fluctuate in the actual usage state of the CR oscillation circuit 200, the oscillation frequency matches the target frequency with high accuracy, including the constant variation of the capacitor 40, the resistor 43 and other circuit components. Can be made. In this case, since it is not necessary to correct the frequency error with respect to the fluctuation of the power supply voltage Vcc, which has been necessary in the prior art, a highly accurate frequency can be obtained only by correcting the frequency error with respect to the environmental temperature. Therefore, it is not necessary to create a frequency correction data table for the power supply voltage Vcc in the inspection process, the amount of measurement data can be reduced, and the inspection time can be shortened. Moreover, it can be expected to reduce the inspection cost as the inspection time is shortened.

コンデンサー40はスイッチ42a〜42cに対しそれぞれ直列接続されたコンデンサー素子41a〜41cを並列に備え、コンデンサー素子41a〜41cは2のべき乗により重み付けされた容量値c、2c、4cを有している。これにより、容量値cごとの8通りの容量値を少ないコンデンサー素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。   The capacitor 40 includes capacitor elements 41a to 41c connected in series to the switches 42a to 42c in parallel, respectively, and the capacitor elements 41a to 41c have capacitance values c, 2c, and 4c weighted by a power of two. As a result, eight capacitance values for each capacitance value c can be generated with a high area efficiency using a small number of capacitor elements.

(実施形態3)
図7は実施形態3に係るCR発振回路300の構成図である。このCR発振回路300は実施形態1に係るCR発振回路100が備える抵抗24と、実施形態2に係るCR発振回路200が備えるコンデンサー40とを組み合わせた構成を有している。
(Embodiment 3)
FIG. 7 is a configuration diagram of a CR oscillation circuit 300 according to the third embodiment. The CR oscillation circuit 300 has a configuration in which the resistor 24 included in the CR oscillation circuit 100 according to the first embodiment and the capacitor 40 included in the CR oscillation circuit 200 according to the second embodiment are combined.

続いて、図7のCR発振回路300の周波数補正方法について説明する。CR発振回路300が組み込まれた半導体装置の製造時または出荷時の検査工程において、半導体装置を恒温槽に入れ、検査装置から電源電圧Vccを供給する。また、基準電圧Vref1とVref2については、CR発振回路300の実際の使用状態での基準電圧を供給する必要がある。よって、基準電圧Vref1とVref2は、実際の使用状態と等しい電圧を検査装置から供給する。あるいは、実際の使用状態で用いる基準電圧回路などから供給してもよい。検査装置は、CR発振回路300の出力電圧VOUT2をモニターするとともに、制御部60に対してスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cのオンオフを指令することができる。   Next, a frequency correction method for the CR oscillation circuit 300 in FIG. 7 will be described. In an inspection process at the time of manufacture or shipment of a semiconductor device in which the CR oscillation circuit 300 is incorporated, the semiconductor device is placed in a thermostatic bath, and the power supply voltage Vcc is supplied from the inspection device. For the reference voltages Vref1 and Vref2, it is necessary to supply the reference voltage in the actual usage state of the CR oscillation circuit 300. Therefore, as the reference voltages Vref1 and Vref2, a voltage equal to the actual use state is supplied from the inspection device. Or you may supply from the reference voltage circuit etc. which are used in an actual use condition. The inspection device can monitor the output voltage VOUT2 of the CR oscillation circuit 300 and can instruct the controller 60 to turn on and off the switches 26a to 26c and the switches 42a to 42c.

検査装置はCR発振回路300の実際の使用状態で生じ得る範囲内で、恒温槽の温度を複数ポイント順次変化させ、それぞれの温度が与えられた状態で発振周波数が目標周波数に最も近づくように制御部60を介してスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cを切り替える。   The inspection apparatus sequentially changes the temperature of the thermostatic chamber by a plurality of points within a range that can occur in the actual use state of the CR oscillation circuit 300, and controls the oscillation frequency to be closest to the target frequency with each temperature being given. The switches 26a to 26c and the switches 42a to 42c are switched via the unit 60.

このとき、発振周波数が目標周波数よりも高い場合には、抵抗24の抵抗値を高める、または、コンデンサー40の容量値を高める、あるいは抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値の両方を高めるように切り替え、発振周波数が目標周波数よりも低い場合には、抵抗24の抵抗値を低下させる、または、コンデンサー40の容量値を低下させる、あるいは、抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値の両方を下げるように切り替える。発振周波数が目標周波数に最も近づいた切替状態で、そのときの温度に対し当該抵抗値と容量値を対応付ける。温度は制御部60による電圧VaのA/D変換値である。   At this time, if the oscillation frequency is higher than the target frequency, the resistance value of the resistor 24 is increased, the capacitance value of the capacitor 40 is increased, or both the resistance value of the resistor 24 and the capacitance value of the capacitor 40 are increased. When the oscillation frequency is lower than the target frequency, the resistance value of the resistor 24 is decreased, or the capacitance value of the capacitor 40 is decreased, or both the resistance value of the resistor 24 and the capacitance value of the capacitor 40 are reduced. Switch to lower. In the switching state where the oscillation frequency is closest to the target frequency, the resistance value and the capacitance value are associated with the temperature at that time. The temperature is an A / D conversion value of the voltage Va by the control unit 60.

このようにして補正用のデータテーブルを作成する。抵抗値と容量値に替えてスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cのオンオフ情報を例えば6ビットデータとして対応づけてもよい。この温度(電圧VaのA/D変換値)に対して抵抗値(またはスイッチ26a〜26cのオンオフ状態)と容量値(またはスイッチ42a〜42cのオンオフ状態)を対応づけたデータテーブルは、検査装置からの指令により不揮発性のメモリー61に書き込まれる。   In this way, a data table for correction is created. Instead of the resistance value and the capacitance value, the on / off information of the switches 26a to 26c and the switches 42a to 42c may be associated as, for example, 6-bit data. A data table in which the resistance value (or the on / off state of the switches 26a to 26c) and the capacitance value (or the on / off state of the switches 42a to 42c) are associated with this temperature (A / D conversion value of the voltage Va) is an inspection device. Is written in the non-volatile memory 61 in response to a command from

半導体装置が出荷された後の実際の使用状態において、制御部60は、所定の制御周期ごとに温度検出部50から電圧Vaが入力されA/D変換する。上述したように、電圧VaのA/D変換値は検出温度に相当する。続いて、メモリー61に予め記憶された補正用のデータテーブルから電圧Vaに対応した抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値を読み出し、抵抗24の抵抗値Rとコンデンサー40の容量値Cが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ26a〜26cとスイッチ42a〜42cを切り替える。   In an actual use state after the semiconductor device is shipped, the control unit 60 receives the voltage Va from the temperature detection unit 50 and performs A / D conversion at every predetermined control cycle. As described above, the A / D conversion value of the voltage Va corresponds to the detected temperature. Subsequently, the resistance value of the resistor 24 and the capacitance value of the capacitor 40 corresponding to the voltage Va are read from the correction data table stored in advance in the memory 61, and the resistance value R of the resistor 24 and the capacitance value C of the capacitor 40 are obtained as follows. The switches 26a to 26c and the switches 42a to 42c are switched so as to be equal to the read designated value.

この制御により、CR発振回路300の環境温度の変化に対する周波数誤差を補正することができる。また、本実施形態によればCR発振部20と温度検出部50は定電圧供給部10によって生成される電源電圧Vccに依らない一定の動作電圧V1を受けて動作している。従来は電源電圧Vccの変動によって出力周波数が変化していたが、CR発振部20の動作電圧V1が電源電圧Vccに依らず一定となったことで、電源電圧Vccの変動による出力周波数の変化が起きなくなっている。また、温度検出部50についても、動作電圧V1は電源電圧Vccに依らず一定のため、電源電圧Vccの変動による検出温度に相当する電圧Vaの変化は起きない。さらに、CR発振回路300内には基準電圧としてVref1とVref2が入力されるが、これらも電源電圧Vccには依存しない一定の電圧となっている。そのため、データテーブル作成時に電源電圧Vccの影響を考慮する必要がない。したがって、本実施形態においては、従来は行っていた電源電圧Vccに対する周波数誤差の補正が不要となり、上述した環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。   With this control, it is possible to correct a frequency error with respect to a change in the environmental temperature of the CR oscillation circuit 300. Further, according to the present embodiment, the CR oscillation unit 20 and the temperature detection unit 50 operate by receiving a constant operating voltage V1 that does not depend on the power supply voltage Vcc generated by the constant voltage supply unit 10. Conventionally, the output frequency has changed due to fluctuations in the power supply voltage Vcc. However, since the operating voltage V1 of the CR oscillation unit 20 becomes constant regardless of the power supply voltage Vcc, the change in the output frequency due to fluctuations in the power supply voltage Vcc. I'm not getting up. In the temperature detection unit 50, since the operating voltage V1 is constant regardless of the power supply voltage Vcc, the voltage Va corresponding to the detected temperature due to the fluctuation of the power supply voltage Vcc does not occur. Furthermore, although Vref1 and Vref2 are input as reference voltages in the CR oscillation circuit 300, these are also constant voltages that do not depend on the power supply voltage Vcc. Therefore, it is not necessary to consider the influence of the power supply voltage Vcc when creating the data table. Therefore, in the present embodiment, correction of the frequency error with respect to the power supply voltage Vcc, which has been conventionally performed, is unnecessary, and a highly accurate frequency can be obtained only by correcting the frequency error with respect to the environmental temperature described above.

以上の説明した実施形態によれば、検査工程においてCR発振回路300を実際に発振動作させて発振周波数を合わせこみながら、環境温度に対する抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値をテーブル化している。また、CR発振回路300の発振周波数や供給される基準電圧Vref1、Vref2、環境温度に対する抵抗24の抵抗値とコンデンサー40の容量値のテーブル化に関して、電源電圧Vccが変動しても影響を与えない。したがって、CR発振回路300の実際の使用状態で環境温度と電源電圧Vccが変動しても、抵抗24、コンデンサー40、その他の回路部品の定数ばらつきまで含めて、発振周波数を目標周波数に高精度に一致させることができる。また、本実施形態では、抵抗24とコンデンサー40の両方を制御するため、上記各実施形態に比べ補正の自由度が増し、発振周波数を目標周波数に一層高精度に一致させることができる。本実施形態によれば、従来は必要であった電源電圧Vccの変動に対する周波数誤差の補正が必要ないため、環境温度に対する周波数誤差の補正のみで高精度な周波数を得ることができる。よって、検査工程において電源電圧Vccに対する周波数補正用のデータテーブルを作成する必要がなく、測定データ量を減らすことができ、検査時間を短縮することが可能である。また、検査時間の短縮に伴い、検査コストの削減にも期待できる。   According to the above-described embodiment, the resistance value of the resistor 24 and the capacitance value of the capacitor 40 with respect to the environmental temperature are tabulated while actually oscillating the CR oscillation circuit 300 in the inspection process to match the oscillation frequency. . Further, regarding the tabulation of the oscillation frequency of the CR oscillation circuit 300, the supplied reference voltages Vref1 and Vref2, the resistance value of the resistor 24 with respect to the environmental temperature and the capacitance value of the capacitor 40, there is no effect even if the power supply voltage Vcc varies. . Therefore, even if the environmental temperature and the power supply voltage Vcc fluctuate in the actual usage state of the CR oscillation circuit 300, the oscillation frequency can be set to the target frequency with high precision including the constant variation of the resistor 24, the capacitor 40, and other circuit components. Can be matched. Further, in this embodiment, since both the resistor 24 and the capacitor 40 are controlled, the degree of freedom of correction is increased compared to the above embodiments, and the oscillation frequency can be matched with the target frequency with higher accuracy. According to this embodiment, since it is not necessary to correct the frequency error with respect to the fluctuation of the power supply voltage Vcc, which has been necessary in the past, it is possible to obtain a highly accurate frequency only by correcting the frequency error with respect to the environmental temperature. Therefore, it is not necessary to create a frequency correction data table for the power supply voltage Vcc in the inspection process, the amount of measurement data can be reduced, and the inspection time can be shortened. Moreover, it can be expected to reduce the inspection cost as the inspection time is shortened.

抵抗24はスイッチ26a〜26cに対しそれぞれ並列接続された抵抗素子25a〜25cを直列に備え、抵抗素子25a〜25cは2のべき乗により重み付けされた抵抗値r、2r、4rを有している。これにより、抵抗値rごとの8通りの抵抗値を少ない抵抗素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。   The resistor 24 includes resistance elements 25a to 25c connected in parallel to the switches 26a to 26c, respectively. The resistance elements 25a to 25c have resistance values r, 2r, and 4r weighted by a power of two. As a result, eight resistance values for each resistance value r can be generated area-efficiently using a small number of resistance elements.

コンデンサー40はスイッチ42a〜42cに対しそれぞれ直列接続されたコンデンサー素子41a〜41cを並列に備え、コンデンサー素子41a〜41cは2のべき乗により重み付けされた容量値c、2c、4cを有している。これにより、容量値cごとの8通りの容量値を少ないコンデンサー素子を用いて面積効率よく作り出すことができる。   The capacitor 40 includes capacitor elements 41a to 41c connected in series to the switches 42a to 42c in parallel, respectively, and the capacitor elements 41a to 41c have capacitance values c, 2c, and 4c weighted by a power of two. As a result, eight capacitance values for each capacitance value c can be generated with a high area efficiency using a small number of capacitor elements.

(実施形態4)
実施形態4に係る半導体集積回路は、上記実施形態に記載したCR発振回路を備えている。半導体集積回路内のCR発振回路が出力する信号は、例えば、その他の回路で使用する動作クロックの源振信号として使用される。また、CR発振回路内の定電圧供給部と制御部はそれぞれ、半導体集積回路内の他の回路における動作電圧の生成や回路内の制御も行う構成にしてもよい。本実施形態によると、半導体集積回路内のCR発振回路部の検査時間が短縮され、結果的に半導体集積回路全体の検査時間を短縮することができる。また、検査時間の短縮に伴い、半導体集積回路の製品コストを下げることができる。
(Embodiment 4)
A semiconductor integrated circuit according to the fourth embodiment includes the CR oscillation circuit described in the above embodiments. A signal output from the CR oscillation circuit in the semiconductor integrated circuit is used as a source signal of an operation clock used in other circuits, for example. Further, the constant voltage supply unit and the control unit in the CR oscillation circuit may each be configured to generate an operation voltage and control in the circuit in another circuit in the semiconductor integrated circuit. According to this embodiment, the inspection time of the CR oscillation circuit portion in the semiconductor integrated circuit is shortened, and as a result, the inspection time of the entire semiconductor integrated circuit can be shortened. Further, as the inspection time is shortened, the product cost of the semiconductor integrated circuit can be reduced.

(実施形態5)
実施形態5に係るリモコン装置は、実施形態4に記載の半導体集積回路を備えている。このリモコン装置は、例えば、エアコン装置を操作するためのものであり、リモコン装置内部の半導体集積回路は、リモコン装置の操作に伴う制御を行う。本実施形態によれば、製品コストが下がった半導体集積回路をリモコン装置に使用するため、リモコン装置の製品コストを下げることができる。
(Embodiment 5)
A remote control device according to the fifth embodiment includes the semiconductor integrated circuit described in the fourth embodiment. This remote control device is for operating an air conditioner device, for example, and a semiconductor integrated circuit inside the remote control device performs control accompanying the operation of the remote control device. According to this embodiment, since the semiconductor integrated circuit whose product cost has been reduced is used for the remote control device, the product cost of the remote control device can be reduced.

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be added to the above-described embodiment. A modification will be described below.

(変形例1)
本変形例は、実施形態1〜3に記載した周波数補正方法の変形例である。実際の使用状態において、制御部60は、抵抗値または容量値あるいはその両方の1制御周期における変動値が、所定の範囲内になるように、温度検出部50から取得した検出温度に相当する電圧Vaの1制御周期における変動可能な電圧幅を制限として設けてもよい。図4に示す場合には、例えば検出温度に相当する電圧Vaに対し1制御周期に変動可能な電圧幅を±0.02Vと制限する。その上で、メモリー61から、当該制限を加えた後の電圧Vaに対応した抵抗24の抵抗値を読み出す。前回の制御周期で読み出した抵抗値がR4であった場合、今回の制御周期で読み出し可能な抵抗値はR3、R5である。
(Modification 1)
This modification is a modification of the frequency correction method described in the first to third embodiments. In the actual use state, the control unit 60 determines that the voltage corresponding to the detected temperature acquired from the temperature detection unit 50 so that the fluctuation value in one control cycle of the resistance value and / or the capacitance value is within a predetermined range. A variable voltage width in one control cycle of Va may be provided as a limit. In the case shown in FIG. 4, for example, the voltage width that can be varied in one control cycle with respect to the voltage Va corresponding to the detected temperature is limited to ± 0.02V. After that, the resistance value of the resistor 24 corresponding to the voltage Va after the limitation is read out from the memory 61. When the resistance value read in the previous control cycle is R4, the resistance values that can be read in the current control cycle are R3 and R5.

このように構成すれば、温度検出部50から取得した電圧Vaの急激な変化が制限され制御周期単位で徐々に発振周波数補正を行うことができるので、発振周波数の急激な変化を防止できる。また、ノイズの侵入などにより、電圧Vaが制御周期の間に通常生じ得る最大変化量を超えて変化した場合、その変化が制限されるので、発振周波数が目標周波数から大きく外れることを防止できる。   According to this configuration, the rapid change of the voltage Va acquired from the temperature detection unit 50 is limited, and the oscillation frequency can be gradually corrected in units of control cycles. Therefore, the rapid change of the oscillation frequency can be prevented. In addition, when the voltage Va changes beyond the maximum change that can normally occur during the control period due to noise intrusion or the like, the change is limited, so that the oscillation frequency can be prevented from greatly deviating from the target frequency.

(変形例2)
本変形例は、実施形態1〜3に記載した周波数補正方法の変形例である。予め検査工程において、相異なる複数の目標周波数(XMHz、YMHz、ZMHz、・・・)に対してそれぞれデータテーブルを作成してメモリー61に記憶し、実際の使用状態では、必要とする目標周波数に応じて読み出しに用いるデータテーブルを切り替えてもよい。これにより、1つのCR発振回路を複数の周波数で発振させることができる。
(Modification 2)
This modification is a modification of the frequency correction method described in the first to third embodiments. In the inspection process, a data table is created for each of a plurality of different target frequencies (X MHz, Y MHz, Z MHz,...) And stored in the memory 61 in advance. Accordingly, the data table used for reading may be switched. Thereby, one CR oscillation circuit can be oscillated at a plurality of frequencies.

(変形例3)
本変形例は、実施形態1〜3に記載した周波数補正方法の変形例である。検査工程等において、発振信号をクロック信号などとして利用する装置の複数の相異なる動作モードで用いる各目標発振周波数に対してそれぞれデータテーブルを作成して記憶し、実際の使用状態では各動作モードに応じて読み出しに用いるデータテーブルを切り替えてもよい。ここでの動作モードとは、例えば省電力動作モード(例えばローパワーモード、スリープモード、スタンバイモード)、通常電力動作モード(例えばノーマルモード)、起動動作モード(ウェイクアップモード)などである。これにより、1つのCR発振回路を各動作モードに適した種々の周波数で発振させることができる。
(Modification 3)
This modification is a modification of the frequency correction method described in the first to third embodiments. In the inspection process, etc., a data table is created and stored for each target oscillation frequency used in a plurality of different operation modes of a device that uses an oscillation signal as a clock signal, etc. Accordingly, the data table used for reading may be switched. The operation mode here is, for example, a power saving operation mode (for example, a low power mode, a sleep mode, a standby mode), a normal power operation mode (for example, a normal mode), a startup operation mode (a wake-up mode), or the like. Thereby, one CR oscillation circuit can be oscillated at various frequencies suitable for each operation mode.

(変形例4)
実施形態1、3では、抵抗24の抵抗値は8通りの抵抗値に切り替え可能であるが、抵抗素子とスイッチの並列回路の直列接続数nを増やせばより多くの2n通りの抵抗値を設定可能となる。同様に、実施形態2、3では、コンデンサー40の容量値は8通りの容量値に切り替え可能であるが、コンデンサー素子とスイッチの直列回路の並列接続数nを増やせばより多くの2n通りの容量値を設定可能となる。このように設定可能な値を増やすことにより、発振周波数を補正する際の精度(周波数分解能)を高めることができる。
(Modification 4)
In the first and third embodiments, the resistance value of the resistor 24 can be switched to eight resistance values, but if the number n of series connections of the parallel circuit of the resistor element and the switch is increased, a larger 2n resistance value is set. It becomes possible. Similarly, in the second and third embodiments, the capacitance value of the capacitor 40 can be switched to eight capacitance values, but if the number n of parallel connections of the series circuit of the capacitor element and the switch is increased, more 2n capacitance values can be obtained. The value can be set. By increasing the settable value in this way, accuracy (frequency resolution) when correcting the oscillation frequency can be increased.

(変形例5)
発振周波数を決定づけるコンデンサー、抵抗として、MOSトランジスターのゲート容量、オン抵抗を使用してもよい。この場合、制御部60はメモリー61に記憶されたデータテーブルから読み出した容量値、抵抗値に基づいてMOSトランジスターのゲート・ソース間電圧を制御すればよい。
(Modification 5)
As the capacitor and resistance that determine the oscillation frequency, the gate capacitance and on-resistance of a MOS transistor may be used. In this case, the control unit 60 may control the gate-source voltage of the MOS transistor based on the capacitance value and the resistance value read from the data table stored in the memory 61.

1、2…電源線、3…オペアンプ、4…MOSトランジスター、5、6…抵抗、10…定電圧供給部、20…CR発振部、21…オペアンプ、22、23…MOSトランジスター、24…抵抗、25a,25b,25c,25d…抵抗素子、26…MOSトランジスター、26a,26b,26c…スイッチ、27…スイッチ、28…コンデンサー、29…MOSトランジスター、30…コンパレーター、31…インバーター、40…コンデンサー、41a,41b,41c,41d…コンデンサー素子、42a,42b,42c…スイッチ、43…抵抗、50…温度検出部、51…抵抗、52a,52b,52c…ダイオード、60…制御部、61…メモリー(記憶手段)、62…A/D変換回路、100,200,300…CR発振回路。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 ... Power supply line 3 ... Operational amplifier 4 ... MOS transistor 5, 6 ... Resistance, 10 ... Constant voltage supply part, 20 ... CR oscillation part, 21 ... Operational amplifier, 22, 23 ... MOS transistor, 24 ... Resistance, 25a, 25b, 25c, 25d ... resistance elements, 26 ... MOS transistors, 26a, 26b, 26c ... switches, 27 ... switches, 28 ... capacitors, 29 ... MOS transistors, 30 ... comparators, 31 ... inverters, 40 ... capacitors, 41a, 41b, 41c, 41d ... capacitor elements, 42a, 42b, 42c ... switches, 43 ... resistors, 50 ... temperature detectors, 51 ... resistors, 52a, 52b, 52c ... diodes, 60 ... control units, 61 ... memory ( Storage means), 62... A / D conversion circuit, 100, 200, 300... CR oscillation circuit

Claims (5)

コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、
前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするCR発振回路。
A CR oscillation circuit comprising a capacitor and a resistor, and oscillating at a frequency determined based on a capacitance value of the capacitor and a resistance value of the resistor upon receiving a supply voltage;
The resistor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different resistance values,
A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage;
A CR oscillator that oscillates in response to the supply of the operating voltage;
A temperature detection unit that receives the operating voltage and detects an environmental temperature;
Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the resistance value of the resistor is associated with the environmental temperature of the oscillation operation;
The detection temperature is acquired from the temperature detection unit at a predetermined control period, the resistance value of the resistor corresponding to the detection temperature is read from the data table stored in advance in the storage unit, and the resistance value of the resistance is A control unit that controls to be equal to the read specified value,
The resistor is configured by connecting a plurality of parallel circuits of a resistor element and a switch in series.
The CR oscillation circuit, wherein the control unit switches the switch according to a resistance value read from a data table of the storage means.
コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、
前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値を読み出し、前記コンデンサーの容量値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするCR発振回路。
A CR oscillation circuit comprising a capacitor and a resistor, and oscillating at a frequency determined based on a capacitance value of the capacitor and a resistance value of the resistor upon receiving a supply voltage;
The capacitor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different capacitance values,
A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage;
A CR oscillator that oscillates in response to the supply of the operating voltage;
A temperature detection unit that receives the operating voltage and detects an environmental temperature;
Nonvolatile storage means capable of writing a data table in which the capacitance value of the capacitor is associated with the environmental temperature of the oscillation operation;
The detection temperature is acquired from the temperature detection unit at a predetermined control period, the capacitance value of the capacitor corresponding to the detection temperature is read from the data table stored in advance in the storage unit, and the capacitance value of the capacitor is A control unit that controls to be equal to the read specified value,
The capacitor is configured by connecting a plurality of series circuits of a capacitor element and a switch in parallel.
The CR oscillation circuit, wherein the control unit switches the switch according to a capacitance value read from a data table of the storage unit.
コンデンサーと抵抗とを備え、電源電圧の供給を受けて前記コンデンサーの容量値と前記抵抗の抵抗値とに基づいて定まる周波数で発振するCR発振回路であって、
前記コンデンサーは、相異なる複数の容量値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記抵抗は、相異なる複数の抵抗値の中から指定された値に変更可能に構成されており、
前記電源電圧を変圧して前記電源電圧に依らず一定の動作電圧を供給する定電圧供給部と、
前記動作電圧の供給を受けて発振動作するCR発振部と、
前記動作電圧の供給を受けて環境温度を検出する温度検出部と、
発振動作の環境温度に対して前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が対応付けられたデータテーブルを書き込み可能な不揮発性の記憶手段と、
所定の制御周期で前記温度検出部からそれぞれ検出温度を取得し、前記記憶手段に予め記憶された前記データテーブルから当該検出温度に対応した前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値を読み出し、前記コンデンサーの容量値および前記抵抗の抵抗値が当該読み出した指定値に等しくなるように制御する制御部と、を備え、
前記コンデンサーは、コンデンサー素子とスイッチとの直列回路を複数並列接続して構成されており、
前記抵抗は、抵抗素子とスイッチとの並列回路を複数直列接続して構成されており、
前記制御部は、前記記憶手段のデータテーブルから読み出した容量値および抵抗値に応じて前記スイッチを切り替えることを特徴とするCR発振回路。
A CR oscillation circuit comprising a capacitor and a resistor, and oscillating at a frequency determined based on a capacitance value of the capacitor and a resistance value of the resistor upon receiving a supply voltage;
The capacitor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different capacitance values,
The resistor is configured to be changeable to a specified value from among a plurality of different resistance values,
A constant voltage supply unit that transforms the power supply voltage and supplies a constant operating voltage regardless of the power supply voltage;
A CR oscillator that oscillates in response to the supply of the operating voltage;
A temperature detection unit that receives the operating voltage and detects an environmental temperature;
Non-volatile storage means capable of writing a data table in which the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor are associated with the environmental temperature of the oscillation operation;
The detection temperature is acquired from the temperature detection unit at a predetermined control period, and the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor corresponding to the detection temperature are read from the data table stored in advance in the storage unit, A control unit that controls the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor to be equal to the read designated value, and
The capacitor is configured by connecting a plurality of series circuits of a capacitor element and a switch in parallel.
The resistor is configured by connecting a plurality of parallel circuits of a resistor element and a switch in series.
The CR oscillation circuit, wherein the control unit switches the switch according to a capacitance value and a resistance value read from a data table of the storage unit.
請求項1から3のいずれか一項に記載のCR発振回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路。   A semiconductor integrated circuit comprising the CR oscillation circuit according to claim 1. 請求項4に記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とするリモコン装置。   A remote control device comprising the semiconductor integrated circuit according to claim 4.
JP2018014566A 2018-01-31 2018-01-31 Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller Pending JP2019134280A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018014566A JP2019134280A (en) 2018-01-31 2018-01-31 Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018014566A JP2019134280A (en) 2018-01-31 2018-01-31 Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019134280A true JP2019134280A (en) 2019-08-08

Family

ID=67546480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018014566A Pending JP2019134280A (en) 2018-01-31 2018-01-31 Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2019134280A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100807594B1 (en) On die thermal sensor and semiconductor device having the same
JP5573781B2 (en) CR oscillation circuit and frequency correction method thereof
US7459983B2 (en) Temperature detecting semiconductor device
JP3543493B2 (en) Electronic circuit operation characteristics correction device
JP5518134B2 (en) Internal voltage trimming circuit and method, and semiconductor circuit device
JP5263791B2 (en) Semiconductor device
KR101038624B1 (en) Oscillator Circuit and Memory System
CN110045778B (en) Voltage generating device and calibration method thereof
JP2005049970A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2007124394A (en) Oscillator
JP2000150799A (en) Semiconductor integrated circuit device
KR20090024633A (en) Power supply stabilizing circuit, electronic device, and test apparatus
US10714243B2 (en) Variable resistance circuit, oscillator circuit, and semiconductor device
KR20170030254A (en) Power voltage sensing device
JP6823637B2 (en) Semiconductor device
JP4859709B2 (en) Voltage control circuit
JP2019134280A (en) Cr oscillation circuit, semiconductor integrated circuit and remote controller
JP4641045B2 (en) Semiconductor integrated circuit and microcomputer
JP2007078440A (en) R/f conversion circuit and semiconductor integrated circuit equipped therewith
US20180052481A1 (en) Method for ultra-low-power and high-precision reference generation
JP4416577B2 (en) Shutter actuator drive circuit and shutter actuator device
JP4551204B2 (en) Impedance measuring device
JP2023021810A (en) Semiconductor device, memory controller, voltage correction method, and voltage correction program
JP2011055477A (en) Oscillator circuit with sweeping function and motor driving device using the same
JP2005302839A (en) Semiconductor integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180910

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181121

RD07 Notification of extinguishment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427

Effective date: 20200807