JP2019133930A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図3において、Rp−jXpは、真空容器110の内部空間にプラズマが発生している状態で第1平衡端子211および第2平衡端子212の側から第1電極106および第2電極111の側(本体10の側)を見たときのインピーダンス(ブロッキングキャパシタ104のリアクタンスを含む)を示している。Rpは抵抗成分、−Xpはリアクタンス成分を示している。また、図3において、Xは、バラン103の第1コイル221のインピーダンスのリアクタンス成分(インダクタンス成分)を示している。ISOは、X/Rpに対して相関を有する。
図14において、Rp−jXp(=Rp/2−jXp/2+Rp/2−jXp/2)は、真空容器110の内部空間にプラズマが発生している状態で第1平衡端子211および第2平衡端子212の側から第1電極105aおよび第2電極105bの側(本体10の側)を見たときのインピーダンス(ブロッキングキャパシタ104a及び104bのリアクタンスを含む)を示している。Rpは抵抗成分、−Xpはリアクタンス成分を示している。また、図14において、Xは、第1バラン103の第1コイル221のインピーダンスのリアクタンス成分(インダクタンス成分)を示している。ISOは、X/Rpに対して相関を有する。
Claims (11)
- 第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、
接地された真空容器と、
前記真空容器の中に配置され、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、
前記真空容器の中において前記第1電極に対向するように配置され、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間の空間に基板が面するように前記真空容器の中で前記基板を保持する基板保持部と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子と前記第1電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2平衡端子と前記第2電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子と前記第1電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続され、前記第2平衡端子と前記第2電極とがブロッキングキャパシタを介して電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バランは、前記第1不平衡端子と前記第1平衡端子とを接続する第1コイルと、前記第2不平衡端子と前記第2平衡端子とを接続する第2コイルとを有する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バランは、前記第1平衡端子と前記第2平衡端子との間に接続された第3コイルおよび第4コイルを更に有し、前記第3コイルおよび前記第4コイルは、前記第3コイルと前記第4コイルとの接続ノードの電圧を前記第1平衡端子の電圧と前記第2平衡端子の電圧との中点とするように構成されている、
ことを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。 - 前記空間にプラズマを発生させることにより前記基板をエッチングするエッチング装置として構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記空間にプラズマを発生させることにより前記基板に膜を形成するCVD装置として構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1電極がターゲットを保持し、前記空間にプラズマを発生させることにより、スパッタリングによって前記基板に膜を形成するスパッタリング装置として構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 高周波電源と、
前記高周波電源と前記バランとの間に配置されたインピーダンス整合回路と、
を更に備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1平衡端子および前記第2平衡端子の側から前記第1電極および前記第2電極の側を見たときの前記第1平衡端子と前記第2平衡端子との間の抵抗成分をRpとし、前記第1不平衡端子と前記第1平衡端子との間のインダクタンスをXとしたときに、1.5≦X/Rp≦5000を満たす、
ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
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