JP2019129080A - Light source device, projection type display device, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

To improve linearity of the optical output from a semiconductor light source to the on-duty ratio of PWM signal by simple circuitry, without using a target value table based on the actual characteristic curve.SOLUTION: A light source device includes a semiconductor light source, a first switching element connected in series with the semiconductor light source, a drive circuit for turning the first switching element on when a PWM signal is activated, a power supply circuit including a second switching element and supplying a current to the semiconductor light source, a current detector for detecting a current flowing to the semiconductor light source and outputting a current detection signal, a compensation circuit generating a compensatory signal having a voltage which changes according to the on-duty ratio of the PWM signal, an adder circuit for adding the current control signal and the compensatory signal at a prescribed ratio, an error amplifier generating an error signal by amplifying the difference of the output signal from the adder circuit and the current control signal, and a power supply control circuit for controlling the power supply circuit on the basis of the error signal.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、レーザーダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)等の半導体光源を用いた光源装置、及び、そのような光源装置を用いた投写型表示装置に関する。さらに、本発明は、そのような光源装置において用いられるのに適した半導体装置等に関する。   The present invention relates to a light source device using a semiconductor light source such as a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED), and a projection display device using such a light source device. Furthermore, the present invention relates to a semiconductor device and the like suitable for use in such a light source device.

レーザーダイオードや発光ダイオード等の半導体光源を用いる光源装置において明るさを調節する手法として、デジタル調光とアナログ調光とが知られている。例えば、デジタル調光は、半導体光源に直列に接続されたスイッチング素子をPWM(パルス幅変調)制御して、半導体光源に電流が流れる期間の長さを調節することによって実現される。一方、アナログ調光は、半導体光源に電流又は電圧を供給するスイッチング電源回路を制御して、半導体光源に流れる電流の大きさを調節することによって実現される。   As a method for adjusting the brightness in a light source device using a semiconductor light source such as a laser diode or a light emitting diode, digital dimming and analog dimming are known. For example, digital dimming is realized by PWM (pulse width modulation) control of switching elements connected in series to a semiconductor light source to adjust the length of a period in which current flows in the semiconductor light source. On the other hand, analog dimming is realized by controlling the switching power supply circuit that supplies current or voltage to the semiconductor light source and adjusting the magnitude of the current flowing through the semiconductor light source.

しかしながら、半導体光源に電流を流すと、半導体光源の接合部の温度が上昇して順方向電圧が低下する。半導体光源の光出力(光束)は供給される電流と順方向電圧とによって定まるので、半導体光源の接合部の温度が上昇すると、順方向電圧が低下して、半導体光源に一定の電流を供給していても光出力が低下してしまうという現象が起こる。   However, when current flows through the semiconductor light source, the temperature of the junction of the semiconductor light source rises and the forward voltage decreases. Since the light output (luminous flux) of the semiconductor light source is determined by the supplied current and the forward voltage, if the temperature of the junction of the semiconductor light source rises, the forward voltage decreases and a constant current is supplied to the semiconductor light source. Even if it is, the phenomenon that light output will fall will occur.

関連する技術として、特許文献1には、PWM制御のオン時間比によって半導体レーザーダイオードのジャンクション部の温度が変化し、半導体レーザーダイオードのフォワード電圧が変化することが記載されている。その結果、デジタル調光において、PWM制御のオン時間比と実際の半導体光源の光出力とが比例しないという問題を生じる。   As a related technique, Patent Document 1 describes that the temperature of the junction of the semiconductor laser diode changes according to the on time ratio of PWM control, and the forward voltage of the semiconductor laser diode changes. As a result, in digital dimming, there arises a problem that the on-time ratio of PWM control and the light output of the actual semiconductor light source are not proportional.

特開2016−225285号公報(段落0029−0032、図1、図3)JP, 2006-225285, A (paragraph 0029-0032, FIG. 1, FIG. 3)

特許文献1においては、目標値設定部108(図1)が、図3の実線で示される実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて、目標平均電流値を設定するための目標値テーブル108aを設定している。この目標平均電流値と半導体レーザーダイオード102の平均電流値とを比較し、比較出力を用いてスイッチング電源101をフィードバック制御すれば、半導体レーザーダイオード102の平均電流値が、PWM制御のオン時間比に対応して目標値設定部108によって設定される目標平均電流値に等しくなる。   In Patent Document 1, a target value table 108a for setting a target average current value using a characteristic curve at the time of actual semiconductor light source drive shown by a solid line in FIG. 3 by target value setting unit 108 (FIG. 1). Is set. If this target average current value is compared with the average current value of the semiconductor laser diode 102 and feedback control is performed on the switching power supply 101 using the comparison output, the average current value of the semiconductor laser diode 102 becomes the on time ratio of PWM control. Correspondingly, it becomes equal to the target average current value set by the target value setting unit 108.

しかしながら、半導体レーザーダイオード102の特性にはばらつきがあるので、出荷前に製品毎に1つずつ電流値を調整する必要がある。また、目標値テーブル108aをROMに書き込んでしまうと、半導体レーザーダイオード102が変更された場合に、目標値テーブル108aを書き換えることができない。目標値テーブル108aを変更するためには、ROMを内蔵したICを交換する必要がある。一方、目標値テーブル108aをフラッシュメモリー等に書き込む場合にも、目標値テーブル108aを書き換えるためには多くの工数を要する。   However, since there are variations in the characteristics of the semiconductor laser diode 102, it is necessary to adjust one current value for each product before shipping. In addition, when the target value table 108a is written in the ROM, the target value table 108a can not be rewritten when the semiconductor laser diode 102 is changed. In order to change the target value table 108a, it is necessary to replace an IC having a built-in ROM. On the other hand, even when the target value table 108a is written to a flash memory or the like, many man-hours are required to rewrite the target value table 108a.

そこで、上記の点に鑑み、本発明の第1の目的は、実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定される目標値テーブルを用いることなく、比較的簡単な回路構成で、PWM信号のオンデューティー比に対する半導体光源の光出力のリニアリティーを改善することである。また、本発明の第2の目的は、そのような光源装置を用いた投写型表示装置を提供することである。さらに、本発明の第3の目的は、そのような光源装置において用いられるのに適した半導体装置等を提供することである。   Accordingly, in view of the above points, the first object of the present invention is to provide a PWM signal with a relatively simple circuit configuration without using a target value table set using a characteristic curve when driving an actual semiconductor light source. The linearity of the light output of the semiconductor light source with respect to the on-duty ratio is improved. A second object of the present invention is to provide a projection display apparatus using such a light source device. Furthermore, the third object of the present invention is to provide a semiconductor device etc. suitable for being used in such a light source device.

以上の課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の第1の観点に係る光源装置は、半導体光源と、半導体光源に直列接続された第1のスイッチング素子と、PWM信号が活性化されているときに第1の制御信号を活性化して第1のスイッチング素子をオン状態とする駆動回路と、第2の制御信号に従ってスイッチング動作を行う第2のスイッチング素子を含み、第1のスイッチング素子がオン状態であるときに半導体光源に電流を供給するスイッチング電源回路と、半導体光源に流れる電流を検出して第1の電流検出信号を出力する第1の電流検出部と、PWM信号のオンデューティー比に従って変化する電圧を有する補償信号を生成する補償回路と、電流制御信号と補償信号とを所定の比率で加算する加算回路と、加算回路の出力信号と第1の電流検出信号との差を増幅して誤差信号を生成するエラーアンプと、第2のスイッチング素子に流れる電流を検出して第2の電流検出信号を出力する第2の電流検出部と、第2の電流検出信号と誤差信号とに基づいて第2の制御信号を生成するスイッチング電源制御回路とを備える。   In order to solve at least a part of the above problems, a light source device according to a first aspect of the present invention includes a semiconductor light source, a first switching element connected in series to the semiconductor light source, and a PWM signal activated. A driving circuit for activating the first control signal to turn on the first switching element, and a second switching element for performing switching operation according to the second control signal; A switching power supply circuit for supplying current to the semiconductor light source when the switch is in the on state, a first current detection unit for detecting the current flowing through the semiconductor light source and outputting the first current detection signal, and on-duty of the PWM signal A compensation circuit that generates a compensation signal having a voltage that changes according to a ratio, an addition circuit that adds a current control signal and a compensation signal at a predetermined ratio, and an output signal of the addition circuit And a second current detection unit that detects a current flowing through a second switching element and outputs a second current detection signal. And a switching power supply control circuit that generates a second control signal based on the second current detection signal and the error signal.

本発明の第1の観点によれば、補償回路がPWM信号のオンデューティー比に従って補償信号を生成し、加算回路が電流制御信号と補償信号とを所定の比率で加算するので、加算回路の出力信号に基づいてスイッチング電源回路を制御することにより、実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定される目標値テーブルを用いることなく、比較的簡単な回路構成で、PWM信号のオンデューティー比に対する半導体光源の光出力のリニアリティーを改善することができる。   According to the first aspect of the present invention, the compensation circuit generates a compensation signal according to the on-duty ratio of the PWM signal, and the adder circuit adds the current control signal and the compensation signal at a predetermined ratio. By controlling the switching power supply circuit based on the signal, the on-duty ratio of the PWM signal can be achieved with a relatively simple circuit configuration without using a target value table set using a characteristic curve when driving an actual semiconductor light source. Therefore, the linearity of the light output of the semiconductor light source can be improved.

ここで、補償回路が、PWM信号のオンデューティー比に比例する電圧を有する補償信号を生成する積分回路を含むようにしても良い。その場合には、比較的簡単なアナログ回路である積分回路を用いて補償回路が構成されるので、積分回路に含まれている抵抗又はキャパシターを外付け部品とすることにより、光源装置の出荷前に半導体光源の特性のばらつきに応じて補償特性を調整することができる。   Here, the compensation circuit may include an integration circuit that generates a compensation signal having a voltage proportional to the on-duty ratio of the PWM signal. In that case, the compensation circuit is configured using an integration circuit, which is a relatively simple analog circuit. Therefore, by using a resistor or a capacitor included in the integration circuit as an external component, the light source device can be shipped before shipment. In addition, the compensation characteristics can be adjusted according to variations in the characteristics of the semiconductor light source.

また、光源装置が、加算回路の出力信号の電圧が所定の電圧を超えないように制限する電圧制限回路をさらに備えるようにしても良い。それにより、電流制御信号又は補償信号の電圧が高くなっても半導体光源に過電流が流れることを防止して、半導体光源に流れる電流が定格電流を超えたり、光源装置又はその光源装置が搭載された投射型表示装置等の消費電力が定格電力を超えたりすることを防ぐことができる。   Further, the light source device may further include a voltage limiting circuit that limits the voltage of the output signal of the adding circuit not to exceed a predetermined voltage. As a result, even if the voltage of the current control signal or the compensation signal is increased, an overcurrent is prevented from flowing through the semiconductor light source, the current flowing through the semiconductor light source exceeds the rated current, or the light source device or the light source device is mounted. Further, it is possible to prevent the power consumption of the projection display device or the like from exceeding the rated power.

以上において、スイッチング電源回路が、半導体光源と第2のスイッチング素子との間に接続されたインダクターと、インダクターの一端と電源ノードとの間に接続されたキャパシターと、インダクターの他端に接続されたアノード及び電源ノードに接続されたカソードを有するダイオードとをさらに含み、第1及び第2のスイッチング素子がオン状態であるときに、半導体光源及びインダクターに電流が流れてインダクターにエネルギーが蓄積され、第1のスイッチング素子がオン状態で第2のスイッチング素子がオフ状態であるときに、インダクターに蓄積されたエネルギーによって半導体光源及びダイオードに電流が流れるようにしても良い。   In the above, the switching power supply circuit is connected to the inductor connected between the semiconductor light source and the second switching element, the capacitor connected between one end of the inductor and the power supply node, and the other end of the inductor. And a diode having a cathode connected to the anode and the power supply node, and when the first and second switching elements are in the on state, a current flows through the semiconductor light source and the inductor and energy is stored in the inductor, When the first switching element is in the ON state and the second switching element is in the OFF state, current may flow to the semiconductor light source and the diode by the energy stored in the inductor.

そのようなスイッチング電源回路において、PWM信号のオンデューティー比に従って第2の制御信号のオンデューティー比を増大させることにより、第2のスイッチング素子がオン状態になっている期間が長くなるので、半導体光源に流れる電流が増加する。それにより、PWM信号のオンデューティー比が大きいときに、半導体光源の接合部の温度が上昇して順方向電圧が低下しても、半導体光源に供給される電力を一定に近付けることができる。   In such a switching power supply circuit, by increasing the on-duty ratio of the second control signal in accordance with the on-duty ratio of the PWM signal, the period during which the second switching element is in the on state is lengthened. The current that flows through increases. Thereby, when the on-duty ratio of the PWM signal is large, even if the temperature of the junction of the semiconductor light source rises and the forward voltage decreases, the power supplied to the semiconductor light source can be made close to constant.

本発明の第2の観点に係る投写型表示装置は、上記いずれかの光源装置を備える。本発明の第2の観点によれば、実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定される目標値テーブルを用いることなく、比較的簡単な回路構成で、PWM信号のオンデューティー比に対する半導体光源の光出力のリニアリティーを改善した光源装置を用いて、投写される画像の輝度を正確に制御することができる。   A projection display apparatus according to a second aspect of the present invention includes any one of the light source devices described above. According to the second aspect of the present invention, a semiconductor with respect to the on-duty ratio of a PWM signal can be obtained with a relatively simple circuit configuration without using a target value table set by using a characteristic curve when driving an actual semiconductor light source. The brightness of the projected image can be accurately controlled by using a light source device with improved linearity of the light output of the light source.

本発明の第3の観点に係る半導体装置は、PWM信号が活性化されているときに第1の制御信号を活性化して、半導体光源に直列接続された第1のスイッチング素子をオン状態とする駆動回路と、第1のスイッチング素子がオン状態であるときに半導体光源に電流を供給するスイッチング電源回路においてスイッチング動作を行う第2のスイッチング素子を制御する第2の制御信号を生成するスイッチング電源制御回路と、半導体光源に直列接続された第1の電流検出素子に流れる電流を検出して第1の電流検出信号を出力する第1の電流検出回路と、PWM信号のオンデューティー比に従って変化する電圧を有する補償信号を生成する補償回路と、電流制御信号と補償信号とを所定の比率で加算する加算回路と、加算回路の出力信号と第1の電流検出信号との差を増幅して誤差信号を生成するエラーアンプと、第2のスイッチング素子に直列接続された第2の電流検出素子に流れる電流を検出して第2の電流検出信号を出力する第2の電流検出回路とを備え、スイッチング電源制御回路が、第2の電流検出信号と誤差信号とに基づいて第2の制御信号を生成する。   The semiconductor device according to the third aspect of the present invention activates the first control signal when the PWM signal is activated, and turns on the first switching element connected in series to the semiconductor light source. Switching power supply control that generates a second control signal that controls a driving circuit and a second switching element that performs switching operation in a switching power supply circuit that supplies current to a semiconductor light source when the first switching element is in an on state A circuit, a first current detection circuit that detects a current flowing through a first current detection element connected in series to a semiconductor light source and outputs a first current detection signal, and a voltage that changes according to an on-duty ratio of the PWM signal A compensation circuit for generating a compensation signal having the following equation, an addition circuit for summing the current control signal and the compensation signal at a predetermined ratio, and an output signal of the addition circuit and the first An error amplifier that amplifies the difference from the current detection signal to generate an error signal, and a current flowing through a second current detection element connected in series to a second switching element, and outputs a second current detection signal And a switching power supply control circuit generates a second control signal based on the second current detection signal and the error signal.

本発明の第3の観点によっても、電流制御信号とPWM信号のオンデューティー比に従う補償信号とを所定の比率で加算する加算回路の出力信号に基づいてスイッチング電源回路を制御することにより、実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定される目標値テーブルを用いることなく、比較的簡単な回路構成で、PWM信号のオンデューティー比に対する半導体光源の光出力のリニアリティーを改善することができる。   According to the third aspect of the present invention, the switching power supply circuit is controlled based on the output signal of the adder circuit that adds the current control signal and the compensation signal according to the on-duty ratio of the PWM signal at a predetermined ratio. The linearity of the light output of the semiconductor light source with respect to the on-duty ratio of the PWM signal can be improved with a relatively simple circuit configuration without using the target value table set using the characteristic curve when driving the semiconductor light source.

本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す回路図。The circuit diagram showing the example of composition of the light source device concerning one embodiment of the present invention. 図1に示す補償回路の構成例を示す回路図。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a compensation circuit illustrated in FIG. 1. PWM信号のオンデューティー比と半導体光源の温度との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the on-duty ratio of a PWM signal, and the temperature of a semiconductor light source. 半導体光源の接合部の温度と順方向電圧との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the temperature of the junction part of a semiconductor light source, and a forward voltage. 半導体光源の順方向電圧と半導体光源に供給される電流との関係を示す図。The figure which shows the relationship between the forward voltage of a semiconductor light source, and the electric current supplied to a semiconductor light source. 本発明の一実施形態に係る投写型表示装置の構成例を示すブロック図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The block diagram which shows the structural example of the projection type display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、重複する説明を省略する。
<光源装置>
図1は、本発明の一実施形態に係る光源装置の構成例を示す回路図である。図1に示すように、この光源装置は、半導体装置(IC)100と、半導体光源110と、NチャネルMOSトランジスターQN1及びQN2と、ダイオードD1〜D3と、ツェナーダイオードD4と、インダクターL1と、キャパシターC1〜C6と、抵抗R1〜R4とを含んでいる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the same reference numerals are given to the same components, and redundant description will be omitted.
<Light source device>
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a light source device according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the light source device includes a semiconductor device (IC) 100, a semiconductor light source 110, N channel MOS transistors QN1 and QN2, diodes D1 to D3, a zener diode D4, an inductor L1, and a capacitor. C1-C6 and resistors R1-R4 are included.

光源装置のノードN1には、高電位側の電源電位VDD(例えば、50V)が供給され、ノードN2には、低電位側の電源電位VSSが供給される。図1には、電源電位VSSが接地電位(0V)である場合が示されている。ノードN1とノードN2との間には、抵抗R1と、半導体光源110と、トランジスターQN1と、インダクターL1と、トランジスターQN2と、抵抗R2とが直列に接続されている。   A power supply potential VDD (for example, 50 V) on the high potential side is supplied to the node N1 of the light source device, and a power supply potential VSS on the low potential side is supplied to the node N2. FIG. 1 shows the case where the power supply potential VSS is the ground potential (0 V). A resistor R1, a semiconductor light source 110, a transistor QN1, an inductor L1, a transistor QN2 and a resistor R2 are connected in series between the node N1 and the node N2.

抵抗R1は、ノードN1と半導体光源110の一端との間に接続され、半導体光源110に流れる電流を検出するための第1の電流検出素子であり、例えば、50mΩ〜100mΩ程度の小さい抵抗値を有している。半導体光源110は、例えば、少なくとも1つのレーザーダイオード又は発光ダイオード等を含み、供給される電流の大きさに応じた明るさで発光する。半導体光源110の光出力(光束)は、供給される電流と順方向電圧とによって定まる。   The resistor R1 is connected between the node N1 and one end of the semiconductor light source 110, and is a first current detection element for detecting a current flowing through the semiconductor light source 110. For example, the resistor R1 has a small resistance value of about 50 mΩ to 100 mΩ. Have. The semiconductor light source 110 includes, for example, at least one laser diode or light emitting diode, and emits light at a brightness according to the magnitude of the supplied current. The light output (light flux) of the semiconductor light source 110 is determined by the supplied current and the forward voltage.

トランジスターQN1は、PWM制御によるデジタル調光のために半導体光源110に直列接続された第1のスイッチング素子であり、半導体光源110の他端に接続されたドレインと、インダクターL1の一端に接続されたソースと、キャパシターC5を介して第1の制御信号DDRVが印加されるゲートとを有している。トランジスターQN1は、第1の制御信号DDRVがハイレベルに活性化されているときにオン状態となり、第1の制御信号DDRVがローレベルに非活性化されているときにオフ状態となる。   The transistor QN1 is a first switching element connected in series to the semiconductor light source 110 for digital dimming by PWM control, and is connected to the drain connected to the other end of the semiconductor light source 110 and one end of the inductor L1. It has a source and a gate to which a first control signal DDRV is applied via a capacitor C5. The transistor QN1 is turned on when the first control signal DDRV is activated to a high level, and is turned off when the first control signal DDRV is deactivated to a low level.

第1の制御信号DDRVが交互に活性化及び非活性化されると、トランジスターQN1がスイッチング動作を行う。従って、第1の制御信号DDRVのデューティー比を変化させることにより、半導体光源110に電流が流れる期間を変化させてデジタル調光を行うことができる。なお、NチャネルMOSトランジスターQN1の替りにPチャネルMOSトランジスターを用いても良いが、その場合には、図1に示す回路の一部が変更される。   When the first control signal DDRV is alternately activated and deactivated, the transistor QN1 performs a switching operation. Accordingly, by changing the duty ratio of the first control signal DDRV, it is possible to perform digital dimming by changing the period during which current flows through the semiconductor light source 110. Note that a P-channel MOS transistor may be used instead of the N-channel MOS transistor QN1, but in that case, a part of the circuit shown in FIG. 1 is changed.

トランジスターQN2は、ダイオードD1、インダクターL1、及び、キャパシターC4等と共にスイッチング電源回路を構成する第2のスイッチング素子であり、インダクターL1の他端に接続されたドレインと、抵抗R2を介してノードN2に接続されたソースと、第2の制御信号GATEが印加されるゲートとを有している。トランジスターQN2は、第2の制御信号GATEがハイレベルに活性化されているときにオン状態となり、第2の制御信号GATEがローレベルに非活性化されているときにオフ状態となる。   The transistor QN2 is a second switching element constituting a switching power supply circuit together with the diode D1, the inductor L1, the capacitor C4 and the like, and is connected to the node N2 via the drain connected to the other end of the inductor L1 and the resistor R2. It has a connected source and a gate to which a second control signal GATE is applied. The transistor QN2 is turned on when the second control signal GATE is activated to a high level, and is turned off when the second control signal GATE is deactivated to a low level.

第2の制御信号GATEが交互に活性化及び非活性化されると、トランジスターQN2がスイッチング動作を行う。トランジスターQN2が第2の制御信号GATEに従ってスイッチング動作を行うことにより、スイッチング電源回路は、トランジスターQN1がオン状態であるときに半導体光源110に電流を供給する。   When the second control signal GATE is activated and deactivated alternately, the transistor QN2 performs a switching operation. The switching power supply circuit supplies a current to the semiconductor light source 110 when the transistor QN1 is in the on state by the transistor QN2 performing a switching operation according to the second control signal GATE.

従って、第2の制御信号GATEのデューティー比を変化させることにより、半導体光源110に流れる電流の大きさを変化させてアナログ調光を行うことができる。なお、スイッチング素子としては、MOSトランジスター以外にも、バイポーラトランジスター、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスター)、又は、サイリスター等を使用することができる。   Therefore, by changing the duty ratio of the second control signal GATE, analog dimming can be performed by changing the magnitude of the current flowing through the semiconductor light source 110. In addition to the MOS transistor, a bipolar transistor, an IGBT (insulated gate bipolar transistor), a thyristor, or the like can be used as the switching element.

ダイオードD1は、インダクターL1の他端に接続されたアノードと、ノードN1に接続されたカソードとを有している。ダイオードD1としては、例えば、PN接合ダイオードに比べて順方向電圧が低くてスイッチング速度が速いショットキーバリアダイオード等が用いられる。   Diode D1 has an anode connected to the other end of inductor L1, and a cathode connected to node N1. As the diode D1, for example, a Schottky barrier diode having a lower forward voltage and a higher switching speed than a PN junction diode is used.

抵抗R2は、トランジスターQN2のソースとノードN2との間に接続され、トランジスターQN2に流れる電流を検出するための第2の電流検出素子であり、例えば、50mΩ〜100mΩ程度の小さい抵抗値を有している。キャパシターC1は、ノードN1とノードN2との間に接続され、電源電圧(VDD−VSS)を平滑化する。キャパシターC4は、インダクターL1の一端とノードN1との間に接続され、電源電圧(VDD−VSS)を降圧して得られる降圧電圧を平滑化する。   The resistor R2 is connected between the source of the transistor QN2 and the node N2 and is a second current detection element for detecting the current flowing to the transistor QN2, and has a small resistance value of, for example, about 50 mΩ to 100 mΩ. ing. The capacitor C1 is connected between the node N1 and the node N2, and smoothes the power supply voltage (VDD-VSS). The capacitor C4 is connected between one end of the inductor L1 and the node N1 and steps down the power supply voltage (VDD-VSS) to smooth the obtained step-down voltage.

<半導体装置>
半導体装置100は、外部のマイクロコンピューター等からPWM信号(デジタル調光信号)PWM及び電流制御信号(アナログ調光信号)IADJが供給されて、光源装置のトランジスターQN1及びQN2を制御する。なお、図1に示されている半導体装置100の構成要素の少なくとも一部をディスクリート部品又は外付けのICにしても良いし、ダイオードD1、抵抗R1、又は、抵抗R2等を半導体装置100に内蔵しても良い。
<Semiconductor device>
The semiconductor device 100 is supplied with a PWM signal (digital dimming signal) PWM and a current control signal (analog dimming signal) IADJ from an external microcomputer or the like, and controls the transistors QN1 and QN2 of the light source device. Note that at least some of the components of the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 may be discrete components or external ICs, and the diode D1, the resistor R1, the resistor R2, or the like is built in the semiconductor device 100. You may.

図1に示すように、半導体装置100は、内部レギュレーター10a及び10bと、レベルシフター(L/S)11及び12と、駆動回路20と、補償回路30と、加算回路31と、電流検出回路40と、エラーアンプ50と、スイッチ回路(SW)51と、コンパレーター52と、スロープ補償回路60と、クロック信号生成回路70と、スイッチング制御回路80と、駆動回路90とを含み、さらに、電圧制限回路32を含んでも良い。   As shown in FIG. 1, the semiconductor device 100 includes internal regulators 10a and 10b, level shifters (L / S) 11 and 12, a drive circuit 20, a compensation circuit 30, an adder circuit 31, and a current detection circuit 40. An error amplifier 50, a switch circuit (SW) 51, a comparator 52, a slope compensation circuit 60, a clock signal generation circuit 70, a switching control circuit 80, and a drive circuit 90, and further includes a voltage limiter. A circuit 32 may be included.

内部レギュレーター10a及び10bは、例えば、バンドギャップリファレンス回路等で構成された基準電圧生成回路を含み、電源電位VDDに基づいて、半導体装置100の内部回路に供給される内部電源電位VDA及びVDRをそれぞれ生成する。キャパシターC2aは、内部レギュレーター10aの出力端子とノードN2との間に接続されて、内部電源電圧(VDA−VSS)を平滑化する。キャパシターC2bは、内部レギュレーター10bの出力端子とノードN2との間に接続されて、内部電源電圧(VDR−VSS)を平滑化する。   Internal regulators 10a and 10b each include, for example, a reference voltage generation circuit configured of a band gap reference circuit or the like, and internal power supply potentials VDA and VDR supplied to the internal circuit of semiconductor device 100 based on power supply potential VDD, respectively. Generate Capacitor C2a is connected between the output terminal of internal regulator 10a and node N2, and smoothes the internal power supply voltage (VDA-VSS). Capacitor C2b is connected between the output terminal of internal regulator 10b and node N2, and smoothes the internal power supply voltage (VDR-VSS).

レベルシフター11及び12は、半導体装置100の外部から供給されるPWM信号のハイレベルの電位を半導体装置100の内部回路に適合する電位にシフトする。駆動回路20は、例えば、ドライバーアンプ等を含み、レベルシフター11から供給されるPWM信号に基づいて第1の制御信号DDRVを生成する。   The level shifters 11 and 12 shift the high level potential of the PWM signal supplied from the outside of the semiconductor device 100 to a potential suitable for the internal circuit of the semiconductor device 100. The drive circuit 20 includes, for example, a driver amplifier and the like, and generates the first control signal DDRV based on the PWM signal supplied from the level shifter 11.

例えば、駆動回路20は、PWM信号が活性化されているときに第1の制御信号DDRVをハイレベルに活性化してトランジスターQN1をオン状態とし、PWM信号が非活性化されているときに第1の制御信号DDRVをローレベルに非活性化してトランジスターQN1をオフ状態とする。   For example, when the PWM signal is activated, the drive circuit 20 activates the first control signal DDRV to a high level to turn on the transistor QN1, and when the PWM signal is inactivated, Control signal DDRV to a low level to turn off transistor QN1.

第1の制御信号DDRVは、ローレベル(例えば、0V)とハイレベル(例えば、7.5V)との間で遷移する。第1の制御信号DDRVがハイレベルに活性化されると、駆動回路20からキャパシターC5を介してトランジスターQN1のゲートに電流が流れ、トランジスターQN1のゲート・ソース間電圧が上昇して、トランジスターQN1がオン状態となる。ツェナーダイオードD4は、トランジスターQN1のゲート・ソース間電圧が所定の電圧(例えば、7.5V)を超えないようにクランプする。   The first control signal DDRV transitions between a low level (for example, 0V) and a high level (for example, 7.5V). When the first control signal DDRV is activated to a high level, a current flows from the drive circuit 20 to the gate of the transistor QN1 via the capacitor C5, and the voltage between the gate and the source of the transistor QN1 rises, and the transistor QN1 Turns on. The Zener diode D4 clamps the transistor QN1 so that the gate-source voltage does not exceed a predetermined voltage (for example, 7.5 V).

第1の制御信号DDRVが活性化状態に維持されている期間において、第3の制御信号GATE'がローレベルとハイレベルとの間で遷移する。それにより、キャパシターC6とダイオードD2及びD3とが整流動作を行うので、トランジスターQN1のゲート・ソース間電圧が閾値電圧以上に維持される。   In a period in which the first control signal DDRV is maintained in the activated state, the third control signal GATE ′ transitions between the low level and the high level. As a result, the capacitor C6 and the diodes D2 and D3 perform a rectifying operation, so that the gate-source voltage of the transistor QN1 is maintained above the threshold voltage.

第1の制御信号DDRVの非活性化期間において第2の制御信号GATEが非活性化状態に維持される場合には、第2の制御信号GATEを第3の制御信号GATE'としても使用することができる。一方、第1の制御信号DDRVの非活性化期間において第2の制御信号GATEが活性化及び非活性化される場合には、PWM信号又は第1の制御信号DDRVと第2の制御信号GATEとの論理積を求めるAND回路をスイッチング制御回路80に設けることによって、第3の制御信号GATE'を生成しても良い。   When the second control signal GATE is maintained in the inactive state during the inactive period of the first control signal DDRV, the second control signal GATE is also used as the third control signal GATE ′. Can. On the other hand, when the second control signal GATE is activated and deactivated in the inactivation period of the first control signal DDRV, the PWM signal or the first control signal DDRV and the second control signal GATE The third control signal GATE ′ may be generated by providing the switching control circuit 80 with an AND circuit for obtaining the logical product of the two.

第1の制御信号DDRVがローレベルに非活性化されると、トランジスターQN1のゲート・ソース間電圧が下降して、トランジスターQN1がオフ状態となる。抵抗R4は、スタンバイモード等において発光装置が発光を長時間停止する場合に、トランジスターQN1のゲート・ソース間電圧を低下させてトランジスターQN1をオフ状態に維持する。   When the first control signal DDRV is inactivated to a low level, the gate-source voltage of the transistor QN1 drops, and the transistor QN1 is turned off. The resistor R4 reduces the gate-source voltage of the transistor QN1 to maintain the transistor QN1 in the off state when the light emitting device stops light emission for a long time in the standby mode or the like.

PWM信号のオンデューティー比が大きくなると、デジタル調光において半導体光源110に電流が流れる期間の割合が増加するので、半導体光源110の接合部の温度が上昇して順方向電圧が低下する。そこで、補償回路30は、半導体光源110の光出力の低下を補償するために、レベルシフター12から供給されるPWM信号のオンデューティー比に従って変化する電圧を有する補償信号VPWMを生成する。補償信号VPWMは、PWM信号のオンデューティー比が大きくなるのに伴って単調増加する電圧を有していることが望ましい。   When the on-duty ratio of the PWM signal increases, the ratio of the period in which current flows through the semiconductor light source 110 in digital dimming increases, so the temperature of the junction of the semiconductor light source 110 rises and the forward voltage decreases. Therefore, the compensation circuit 30 generates a compensation signal VPWM having a voltage that changes in accordance with the on-duty ratio of the PWM signal supplied from the level shifter 12 in order to compensate for the decrease in the optical output of the semiconductor light source 110. The compensation signal VPWM desirably has a voltage that monotonously increases as the on-duty ratio of the PWM signal increases.

例えば、補償回路30は、PWM信号のオンデューティー比に比例する電圧を有する補償信号VPWMを生成する積分回路(ローパスフィルター)で構成される。その場合には、比較的簡単なアナログ回路である積分回路を用いて補償回路30が構成されるので、積分回路に含まれている抵抗又はキャパシターを外付け部品とすることにより、光源装置の出荷前に半導体光源110の特性のばらつきに応じて補償特性を調整することができる。なお、積分回路に用いられる抵抗の抵抗値等は温度依存性を有しているので、補償信号VPWMの電圧はPWM信号のオンデューティー比に完全に比例しなくても良く、抵抗の発熱等による誤差は許容される。   For example, the compensation circuit 30 is configured by an integration circuit (low pass filter) that generates a compensation signal VPWM having a voltage proportional to the on-duty ratio of the PWM signal. In that case, since the compensation circuit 30 is configured using an integration circuit which is a relatively simple analog circuit, the light source device can be shipped by using a resistor or a capacitor included in the integration circuit as an external component. Before, the compensation characteristic can be adjusted in accordance with the variation in characteristics of the semiconductor light source 110. Since the resistance value of the resistor used in the integrating circuit has temperature dependence, the voltage of the compensation signal VPWM does not have to be completely proportional to the on-duty ratio of the PWM signal. Errors are acceptable.

図2は、図1に示す補償回路の構成例を示す回路図である。図2に示す例においては、補償回路30が、レベルシフター12から供給されるPWM信号が一端に供給される抵抗R5と、抵抗R5の他端と電源電位VSSの配線との間に接続されたキャパシターC7とを含み、抵抗R5とキャパシターC7との接続点において補償信号VPWMを生成する積分回路で構成される。   FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the compensation circuit shown in FIG. In the example shown in FIG. 2, the compensation circuit 30 is connected between the resistor R5 to which the PWM signal supplied from the level shifter 12 is supplied at one end, and the other end of the resistor R5 and the wiring of the power supply potential VSS. The integration circuit includes a capacitor C7 and generates an compensation signal VPWM at a connection point between the resistor R5 and the capacitor C7.

再び図1を参照すると、加算回路31は、電流制御信号IADJと補償信号VPWMとを所定の比率で加算する。加算回路31における加算比率も、外付け部品によって調整できるようにしても良い。PWM信号の活性化期間における電圧をVonとし、オンデューティー比をDutyとすると、加算回路31によって電流制御信号IADJに加算される補償信号VPWMの電圧は、次式で表される。
VPWM=Von×Duty×K
ここで、Kは、変換係数である。例えば、Vonが5Vで、Dutyが50%である場合に、Von×Dutyは2.5Vとなって大き過ぎる。そこで、例えば、Kを0.1に設定することにより、補償信号VPWMの電圧を0.25Vにすることができる。
Referring again to FIG. 1, the adder circuit 31 adds the current control signal IADJ and the compensation signal VPWM at a predetermined ratio. The addition ratio in the addition circuit 31 may be adjusted by an external component. Assuming that the voltage in the activation period of the PWM signal is Von and the on-duty ratio is Duty, the voltage of the compensation signal VPWM to be added to the current control signal IADJ by the adding circuit 31 is expressed by the following equation.
VPWM = Von × Duty × K
Here, K is a conversion coefficient. For example, when Von is 5V and Duty is 50%, Von × Duty is 2.5V, which is too large. Therefore, for example, by setting K to 0.1, the voltage of the compensation signal VPWM can be set to 0.25V.

電圧制限回路32は、例えば、加算回路31の出力端子と電源電位VSSの配線との間に接続されたツェナーダイオード等のクランプ素子で構成され、加算回路31の出力信号の電圧が所定の電圧を超えないように制限する。それにより、電流制御信号IADJ又は補償信号VPWMの電圧が高くなっても半導体光源110に過電流が流れることを防止して、半導体光源110に流れる電流が定格電流を超えたり、光源装置又はその光源装置が搭載された投射型表示装置等の消費電力が定格電力を超えたりすることを防ぐことができる。   The voltage limiting circuit 32 includes, for example, a clamp element such as a Zener diode connected between the output terminal of the adding circuit 31 and the wiring of the power supply potential VSS, and the voltage of the output signal of the adding circuit 31 has a predetermined voltage. Limit not to exceed. Accordingly, even if the voltage of the current control signal IADJ or the compensation signal VPWM is increased, an overcurrent is prevented from flowing through the semiconductor light source 110, the current flowing through the semiconductor light source 110 exceeds the rated current, the light source device or its light source It is possible to prevent the power consumption of a projection type display device or the like in which the device is mounted from exceeding the rated power.

電流検出回路40は、例えば、半導体光源110に直列接続された電流検出用の抵抗R1の両端間電圧を増幅する電流センスアンプ等を含み、電流検出用の抵抗R1に流れる電流を検出して第1の電流検出信号を出力する第1の電流検出回路に相当する。ここで、電流検出回路40は、電流検出用の抵抗R1と共に、半導体光源110に流れる電流を検出して第1の電流検出信号を出力する第1の電流検出部を構成している。電流検出回路40の出力信号は、エラーアンプ50の反転入力端子に供給される。   The current detection circuit 40 includes, for example, a current sense amplifier that amplifies the voltage between both ends of the current detection resistor R1 connected in series to the semiconductor light source 110, and detects the current flowing through the current detection resistor R1. This corresponds to a first current detection circuit that outputs one current detection signal. Here, the current detection circuit 40, together with the current detection resistor R1, constitutes a first current detection unit that detects a current flowing through the semiconductor light source 110 and outputs a first current detection signal. The output signal of the current detection circuit 40 is supplied to the inverting input terminal of the error amplifier 50.

エラーアンプ50は、加算回路31の出力信号と第1の電流検出信号との差を増幅して誤差信号ERRを生成し、誤差信号ERRをスイッチ回路51に供給する。スイッチ回路51、コンパレーター52、スロープ補償回路60、クロック信号生成回路70、スイッチング制御回路80、及び、駆動回路90は、トランジスターQN2に流れる電流を検出して得られる第2の電流検出信号DETと誤差信号ERRとに基づいて第2の制御信号GATEを生成するスイッチング電源制御回路を構成している。   The error amplifier 50 amplifies the difference between the output signal of the addition circuit 31 and the first current detection signal to generate an error signal ERR, and supplies the error signal ERR to the switch circuit 51. The switch circuit 51, the comparator 52, the slope compensation circuit 60, the clock signal generation circuit 70, the switching control circuit 80, and the drive circuit 90 are connected to the second current detection signal DET obtained by detecting the current flowing through the transistor QN2. The switching power supply control circuit is configured to generate a second control signal GATE based on the error signal ERR.

スイッチ回路51は、例えば、アナログスイッチ等で構成され、レベルシフター12から供給されるPWM信号が活性化されているときにオン状態となり、PWM信号が非活性化されているときにオフ状態となる。それにより、トランジスターQN1がオン状態となっているときに生成された誤差信号ERRの電圧が、キャパシターC3に保持されて、コンパレーター52の反転入力端子に供給される。   The switch circuit 51 is composed of, for example, an analog switch, and is turned on when the PWM signal supplied from the level shifter 12 is activated, and turned off when the PWM signal is deactivated. . Accordingly, the voltage of the error signal ERR generated when the transistor QN1 is in the on state is held in the capacitor C3 and supplied to the inverting input terminal of the comparator 52.

スロープ補償回路60は、例えば、トランジスターQN2に直列接続された電流検出用の抵抗R2の両端間電圧を増幅する電流センスアンプ等を含み、電流検出用の抵抗R2に流れる電流を検出して第2の電流検出信号DETを出力する第2の電流検出回路に相当する。ここで、スロープ補償回路60は、電流検出用の抵抗R2と共に、トランジスターQN2に流れる電流を検出して第2の電流検出信号DETを出力する第2の電流検出部を構成している。   The slope compensation circuit 60 includes, for example, a current sense amplifier that amplifies the voltage between both ends of the current detection resistor R2 connected in series with the transistor QN2, and detects the current flowing through the current detection resistor R2 to detect the second current. This corresponds to a second current detection circuit that outputs the current detection signal DET. Here, the slope compensation circuit 60, together with the current detection resistor R2, constitutes a second current detection unit that detects a current flowing through the transistor QN2 and outputs a second current detection signal DET.

例えば、スロープ補償回路60は、電流検出用の抵抗R2の両端間電圧を増幅してバイアス電圧を加算することにより第2の電流検出信号DETを生成し、第2の電流検出信号DETをコンパレーター52の非反転入力端子に供給する。コンパレーター52は、第2の電流検出信号DETの電圧と誤差信号ERRの電圧とを比較することにより、第2の電流検出信号DETの電圧が誤差信号ERRの電圧よりも高いときにリセット信号RSTを活性化する。   For example, the slope compensation circuit 60 generates the second current detection signal DET by amplifying the voltage between both ends of the current detection resistor R2 and adding the bias voltage, and the second current detection signal DET is compared with the comparator. 52 to the non-inverting input terminal. The comparator 52 compares the voltage of the second current detection signal DET with the voltage of the error signal ERR, so that when the voltage of the second current detection signal DET is higher than the voltage of the error signal ERR, the reset signal RST Activate.

クロック信号生成回路70は、例えば、CR発振回路等を含み、発振動作を行うことにより、所定の周波数を有するクロック信号CLKを生成する。CR発振回路の発振周波数は、キャパシターの容量値と抵抗の抵抗値との積である時定数で定まる。抵抗R3は、CR発振回路の発振周波数を調整するために、半導体装置100に外付けされている。   The clock signal generation circuit 70 includes, for example, a CR oscillation circuit or the like, and generates a clock signal CLK having a predetermined frequency by performing an oscillation operation. The oscillation frequency of the CR oscillation circuit is determined by the time constant which is the product of the capacitance value of the capacitor and the resistance value of the resistor. The resistor R3 is externally attached to the semiconductor device 100 in order to adjust the oscillation frequency of the CR oscillation circuit.

スイッチング制御回路80は、例えば、RSフリップフロップ等を含み、クロック信号CLK及びリセット信号RSTに基づいて、トランジスターQN2を制御するための第2の制御信号GATEを生成する。第2の制御信号GATEは、ドライバーアンプ等で構成される駆動回路90を介して、トランジスターQN2のゲートに印加される。例えば、スイッチング制御回路80は、クロック信号CLKの立ち上がりに同期して、第2の制御信号GATEをハイレベルに活性化する。それにより、トランジスターQN2がオン状態となる。   The switching control circuit 80 includes an RS flip-flop, for example, and generates a second control signal GATE for controlling the transistor QN2 based on the clock signal CLK and the reset signal RST. The second control signal GATE is applied to the gate of the transistor QN2 via the drive circuit 90 configured with a driver amplifier or the like. For example, the switching control circuit 80 activates the second control signal GATE to a high level in synchronization with the rising of the clock signal CLK. Thereby, the transistor QN2 is turned on.

トランジスターQN1及びQN2がオン状態であるときに、ノードN1から半導体光源110及びインダクターL1等を介してノードN2に電流が流れ、インダクターL1において電気エネルギーが磁気エネルギーに変換されて蓄積される。また、トランジスターQN1がオフ状態でトランジスターQN2がオン状態であるときに、キャパシターC4からインダクターL1等を介してノードN2に電流が流れ、インダクターL1にエネルギーが蓄積される。   When the transistors QN1 and QN2 are on, a current flows from the node N1 to the node N2 through the semiconductor light source 110, the inductor L1, and the like, and electric energy is converted into magnetic energy and stored in the inductor L1. Further, when the transistor QN1 is in the off state and the transistor QN2 is in the on state, current flows from the capacitor C4 to the node N2 through the inductor L1 and the like, and energy is accumulated in the inductor L1.

インダクターL1に流れる電流は、時間と共に徐々に増加する。インダクターL1等を介して電流検出用の抵抗R2に流れる電流が増加するのに伴い、第2の電流検出信号DETの電圧も上昇する。第2の電流検出信号DETの電圧が誤差信号ERRの電圧を超えると、リセット信号RSTがハイレベルに活性化される。スイッチング制御回路80は、リセット信号RSTの立ち上がりに同期して、第2の制御信号GATEをローレベルに非活性化する。それにより、トランジスターQN2がオフ状態となる。   The current flowing through the inductor L1 gradually increases with time. The voltage of the second current detection signal DET also increases as the current flowing to the current detection resistor R2 through the inductor L1 or the like increases. When the voltage of the second current detection signal DET exceeds the voltage of the error signal ERR, the reset signal RST is activated to a high level. The switching control circuit 80 deactivates the second control signal GATE to the low level in synchronization with the rising edge of the reset signal RST. Thereby, the transistor QN2 is turned off.

トランジスターQN1がオン状態でトランジスターQN2がオフ状態であるときに、インダクターL1に蓄積された磁気エネルギーが電気エネルギーとなって放出されて、半導体光源110及びダイオードD1等に電流が流れる。また、トランジスターQN1及びQN2がオフ状態であるときに、インダクターL1に蓄積された磁気エネルギーが電気エネルギーとなって放出されて、キャパシターC4及びダイオードD1等に電流が流れる。   When the transistor QN1 is in the on state and the transistor QN2 is in the off state, the magnetic energy stored in the inductor L1 is released as electric energy, and a current flows through the semiconductor light source 110, the diode D1, and the like. Further, when the transistors QN1 and QN2 are in the OFF state, the magnetic energy accumulated in the inductor L1 is released as electric energy, and a current flows through the capacitor C4, the diode D1, and the like.

このようなスイッチング動作において、電流制御信号IADJの電圧が上昇すると、第2の制御信号GATEのオンデューティー比が増大して、トランジスターQN2がオン状態になっている期間が長くなり、半導体光源110に流れる電流が増加する。従って、電流制御信号IADJを変化させることにより、半導体光源110に流れる電流を変化させて、アナログ調光を行うことができる。   In such a switching operation, when the voltage of the current control signal IADJ increases, the on-duty ratio of the second control signal GATE increases, and the period during which the transistor QN2 is in the on state is lengthened. The flowing current increases. Therefore, by changing the current control signal IADJ, the current flowing through the semiconductor light source 110 can be changed to perform analog dimming.

あるいは、スイッチング制御回路80は、クロック信号CLK及びリセット信号RSTに加えて、レベルシフター11から供給されるPWM信号に基づいて第2の制御信号GATEを生成することにより、第1の制御信号DDRVの非活性化期間において第2の制御信号GATEを非活性化状態に維持しても良い。   Alternatively, the switching control circuit 80 generates the second control signal GATE based on the PWM signal supplied from the level shifter 11 in addition to the clock signal CLK and the reset signal RST, so that the first control signal DDRV The second control signal GATE may be maintained in an inactive state during the inactive period.

その場合には、デジタル調光用のトランジスターQN1がオフ状態となって半導体光源110に電流が流れない期間において、アナログ調光用のトランジスターQN2がオフ状態とされる。それにより、インダクターL1に蓄積されたエネルギーが発光に用いられることなく放出されることを抑制して、電力損失を低減させることができる。   In that case, the transistor QN2 for analog light adjustment is turned off during a period in which the digital light adjustment transistor QN1 is turned off and current does not flow to the semiconductor light source 110. Thereby, it is possible to suppress the energy stored in the inductor L1 from being released without being used for light emission, and to reduce the power loss.

<動作例>
図3は、PWM信号のオンデューティー比と半導体光源の接合部の温度との関係を示す図である。図3において、横軸は、PWM信号のオンデューティー比を表しており、縦軸は、半導体光源110の接合部の温度Tを表している。図3に示すように、PWM信号のオンデューティー比が大きくなると、半導体光源110の接合部の温度Tが上昇する。
<Operation example>
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the on-duty ratio of the PWM signal and the temperature of the junction of the semiconductor light source. In FIG. 3, the horizontal axis represents the on-duty ratio of the PWM signal, and the vertical axis represents the temperature T at the junction of the semiconductor light source 110. As shown in FIG. 3, when the on-duty ratio of the PWM signal is increased, the temperature T of the junction of the semiconductor light source 110 is increased.

図4は、半導体光源の接合部の温度と順方向電圧との関係を示す図である。図4において、横軸は、半導体光源110の接合部の温度Tを表しており、縦軸は、半導体光源110の順方向電圧Vを表している。図4に示すように、半導体光源110の接合部の温度Tが上昇すると、半導体光源110の順方向電圧Vが低下する。 FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the temperature of the junction of the semiconductor light source and the forward voltage. 4, the horizontal axis represents the temperature T of the junction of the semiconductor light source 110, the vertical axis represents the forward voltage V F of the semiconductor light source 110. As shown in FIG. 4, when the temperature T of the junction of the semiconductor light source 110 rises, the forward voltage V F of the semiconductor light source 110 decreases.

従って、PWM信号のオンデューティー比が第1の値である場合と比較して、PWM信号のオンデューティー比が第1の値よりも大きい第2の値である場合に、半導体光源110の接合部の温度TがΔTだけ上昇すると、順方向電圧VがΔVだけ低下する。半導体光源110の光出力は供給される電流と順方向電圧Vとによって定まるので、順方向電圧Vが低下すると、半導体光源110に一定の電流を供給していても光出力が低下してしまうという現象が起こる。 Therefore, the junction of the semiconductor light source 110 when the on-duty ratio of the PWM signal is a second value larger than the first value as compared to the case where the on-duty ratio of the PWM signal is a first value. The forward voltage V F is reduced by ΔV F when the temperature T of the voltage V T is increased by ΔT. Since the light output of the semiconductor light source 110 is determined by the supplied current and the forward voltage V F , when the forward voltage V F decreases, the light output decreases even if a constant current is supplied to the semiconductor light source 110. The phenomenon that happens.

そこで、本実施形態においては、補償回路30がPWM信号のオンデューティー比に従って補償信号VPWMを生成し、加算回路31が電流制御信号IADJと補償信号VPWMとを所定の比率で加算する。PWM信号のオンデューティー比が小さいときには、補償信号VPWMの電圧が低くなり、加算回路31の出力信号の電圧が、主に電流制御信号IADJによって決定される。従って、半導体光源110に供給される電流ILDは、主に電流制御信号IADJによって制御される。   Therefore, in the present embodiment, the compensation circuit 30 generates the compensation signal VPWM according to the on-duty ratio of the PWM signal, and the addition circuit 31 adds the current control signal IADJ and the compensation signal VPWM at a predetermined ratio. When the on-duty ratio of the PWM signal is small, the voltage of the compensation signal VPWM becomes low, and the voltage of the output signal of the adding circuit 31 is mainly determined by the current control signal IADJ. Therefore, the current ILD supplied to the semiconductor light source 110 is mainly controlled by the current control signal IADJ.

一方、PWM信号のオンデューティー比が大きいときには、補償信号VPWMの電圧が高くなり、加算回路31の出力信号の電圧が増加する。スイッチング電源回路において、PWM信号のオンデューティー比に従って第2の制御信号GATEのオンデューティー比を増大させることにより、トランジスターQN2がオン状態になっている期間が長くなるので、半導体光源110に流れる電流が増加する。それにより、PWM信号のオンデューティー比が大きいときに、半導体光源110の接合部の温度Tが上昇して順方向電圧Vが低下しても、半導体光源110に供給される電力を一定に近付けることができる。 On the other hand, when the on-duty ratio of the PWM signal is large, the voltage of the compensation signal VPWM increases, and the voltage of the output signal of the adder circuit 31 increases. In the switching power supply circuit, the on-duty ratio of the second control signal GATE is increased according to the on-duty ratio of the PWM signal, so that the period in which the transistor QN2 is in the on state is extended. To increase. Thereby, even when the temperature T of the junction of the semiconductor light source 110 rises and the forward voltage V F decreases when the on-duty ratio of the PWM signal is large, the power supplied to the semiconductor light source 110 approaches a constant be able to.

図5は、半導体光源の順方向電圧と半導体光源に供給される電流との関係を示す図である。図5において、横軸は、半導体光源110の順方向電圧Vを表しており、縦軸は、電流制御信号IADJが一定のときに半導体光源110に供給される電流ILDを表している。図5には、一例として、0℃、25℃、及び、50℃における動作点が示されている。 FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the forward voltage of the semiconductor light source and the current supplied to the semiconductor light source. 5, the horizontal axis represents the forward voltage V F of the semiconductor light source 110, the vertical axis represents the current ILD to the current control signal IADJ is supplied to the semiconductor light source 110 when the constant. Operating points at 0 ° C., 25 ° C., and 50 ° C. are shown in FIG. 5 as an example.

PWM信号のオンデューティー比が大きいときには、半導体光源110の接合部の温度が高くなって順方向電圧Vが低下するが、加算回路31の出力信号に基づいてスイッチング電源回路を制御することにより、半導体光源110に供給される電流ILDを増加させて、半導体光源110に供給される電力を一定に近付けることができる。その結果、実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定される目標値テーブルを用いることなく、比較的簡単な回路構成で、PWM信号のオンデューティー比に対する半導体光源の光出力のリニアリティーを改善することができる。 When the on-duty ratio of the PWM signal is large, the temperature of the junction of the semiconductor light source 110 is increased and the forward voltage V F is decreased, but by controlling the switching power supply circuit based on the output signal of the adding circuit 31, The current ILD supplied to the semiconductor light source 110 can be increased to make the power supplied to the semiconductor light source 110 approach a constant. As a result, the linearity of the light output of the semiconductor light source with respect to the on-duty ratio of the PWM signal is improved with a relatively simple circuit configuration without using the target value table set using the characteristic curve at the time of actual semiconductor light source drive. can do.

<投写型表示装置>
次に、本発明の一実施形態に係る投写型表示装置(ビデオプロジェクター)について説明する。
図6は、本発明の一実施形態に係る投写型表示装置の構成例を示すブロック図である。投写型表示装置200は、外部から電源電圧が供給されると共に、パーソナルコンピューターやビデオプレーヤー等の画像データ供給装置から画像データが供給されて、画像データに基づいてスクリーン(投射面)300に画像を投射する。
<Projection display device>
Next, a projection type display (video projector) according to an embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a block diagram showing an example of the configuration of a projection display apparatus according to an embodiment of the present invention. The projection display device 200 is supplied with a power supply voltage from the outside and is supplied with image data from an image data supply device such as a personal computer or a video player, and displays an image on a screen (projection surface) 300 based on the image data. Project.

図6に示すように、投写型表示装置200は、電源回路210と、画像データ処理部220と、制御部230と、光源装置240と、パネル250と、投射光学系260とを含んでいる。ここで、光源装置240は、本発明の一実施形態に係る光源装置であり、半導体装置100と、半導体光源110とを含んでいる。   As shown in FIG. 6, the projection display apparatus 200 includes a power supply circuit 210, an image data processing unit 220, a control unit 230, a light source device 240, a panel 250, and a projection optical system 260. Here, the light source device 240 is a light source device according to an embodiment of the present invention, and includes the semiconductor device 100 and the semiconductor light source 110.

電源回路210は、例えば、外部から供給されるAC100Vの電源電圧に基づいて、DCのロジック電源電圧を生成して画像データ処理部220及び制御部230等に供給すると共に、ロジック電源電圧よりも高いDCの電源電圧を生成して光源装置240の半導体装置100等に供給する。   The power supply circuit 210 generates a DC logic power supply voltage based on a power supply voltage of AC 100 V supplied from the outside, for example, and supplies it to the image data processing unit 220, the control unit 230, etc. A DC power supply voltage is generated and supplied to the semiconductor device 100 or the like of the light source device 240.

画像データ処理部220及び制御部230は、例えば、少なくとも1つのマイクロコンピューター等で構成される。画像データ処理部220は、外部から供給される画像データを処理して表示用の画像信号及び同期信号を生成し、画像信号及び同期信号をパネル250に供給することにより、パネル250を駆動して描画を行う。   The image data processing unit 220 and the control unit 230 are configured by, for example, at least one microcomputer. The image data processing unit 220 processes the image data supplied from the outside to generate a display image signal and a synchronization signal, and supplies the image signal and the synchronization signal to the panel 250 to drive the panel 250. Draw.

制御部230は、リモコン又は操作パネル(図示せず)を用いて操作者が行う操作に従って、投写型表示装置200の各部を制御する。操作者が調光を指示した場合には、制御部230が、操作者が指示した調光を実現するためのPWM信号及び電流制御信号IADJを生成して、光源装置240の半導体装置100に供給する。それにより、半導体装置100が、半導体光源110の発光動作を制御する。   Control part 230 controls each part of projection type display 200 according to operation which an operator performs using a remote control or an operation panel (not shown). When the operator instructs dimming, the control unit 230 generates a PWM signal and a current control signal IADJ for realizing the dimming instructed by the operator, and supplies the PWM signal and the current control signal IADJ to the semiconductor device 100 of the light source device 240. Do. Thus, the semiconductor device 100 controls the light emitting operation of the semiconductor light source 110.

光源装置240は、制御部230から供給されるPWM信号及び電流制御信号IADJに従う明るさで発光して、パネル250に光を照射する。例えば、半導体光源110が青色光を発生する複数のレーザーダイオードを含む場合に、光源装置240は、一部のレーザーダイオードが発生した青色光を受けて黄色光を発生する蛍光体と、波長に従って黄色光から赤色光及び緑色光を分離する分光部とをさらに含んでも良い。その場合には、光源装置240が、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の光を発生することができる。   The light source device 240 emits light with brightness according to the PWM signal and the current control signal IADJ supplied from the control unit 230 and irradiates the panel 250 with light. For example, when the semiconductor light source 110 includes a plurality of laser diodes that generate blue light, the light source device 240 receives a blue light generated by a part of the laser diodes and generates a yellow light; The light emitting device may further include a light separating unit that separates red light and green light from light. In that case, the light source device 240 can generate light of three colors of R (red), G (green), and B (blue).

パネル250は、画像データ処理部220から供給される画像信号及び同期信号に従って、光源装置240から照射される光を変調する。例えば、パネル250は、RGBの3色に対応した3枚の液晶パネルを含んでも良い。各々の液晶パネルは、マトリクス状に配置された複数の画素における光の透過率を変化させることによって画像を形成する。パネル250によって変調された変調光は、投射光学系260に導かれる。   The panel 250 modulates the light emitted from the light source device 240 according to the image signal and the synchronization signal supplied from the image data processing unit 220. For example, the panel 250 may include three liquid crystal panels corresponding to three colors of RGB. Each liquid crystal panel forms an image by changing the transmittance of light in a plurality of pixels arranged in a matrix. Modulated light modulated by the panel 250 is guided to the projection optical system 260.

投射光学系260は、少なくとも1つのレンズを含んでいる。例えば、パネル250によって変調された変調光をスクリーン300上に投射して結像させるためのレンズ群である投射レンズと、投射レンズの絞りの状態、ズームの状態、又は、シフト位置等を調整する各種の調整機構とが、投射光学系260に設けられている。それらの調整機構は、制御部230によって制御される。投射光学系260が変調光をスクリーン300上に投射することにより、スクリーン300に画像が表示される。   The projection optical system 260 includes at least one lens. For example, the projection lens, which is a lens group for projecting and forming modulated light modulated by the panel 250 on the screen 300, and the state of the aperture of the projection lens, the state of zoom, or the shift position etc. are adjusted. Various adjustment mechanisms are provided in the projection optical system 260. The adjustment mechanism is controlled by the control unit 230. The projection optical system 260 projects the modulated light onto the screen 300 to display an image on the screen 300.

本実施形態によれば、実際の半導体光源駆動時の特性曲線を用いて設定される目標値テーブルを用いることなく、比較的簡単な回路構成で、PWM信号のオンデューティー比に対する半導体光源110の光出力のリニアリティーを改善した光源装置240を用いて、投写される画像の輝度を正確に制御することができる。   According to the present embodiment, the light of the semiconductor light source 110 with respect to the on-duty ratio of the PWM signal can be obtained with a relatively simple circuit configuration without using the target value table set using the characteristic curve at the time of actual semiconductor light source driving. Using the light source device 240 with improved output linearity, the brightness of the projected image can be accurately controlled.

製品毎又は機種毎に目標値テーブルを設定する場合には、多くの工数を要するのでコストも上昇するが、本実施形態によれば、比較的簡単なアナログ回路のみで補償特性を調整することができるので、光源装置240又は投写型表示装置200を安価に製造することが可能となる。   When setting the target value table for each product or model, the cost increases because it takes many man-hours, but according to the present embodiment, it is possible to adjust the compensation characteristic only with a relatively simple analog circuit. Therefore, the light source device 240 or the projection display device 200 can be manufactured at low cost.

本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。   The present invention is not limited to the embodiments described above, and many modifications can be made within the technical idea of the present invention by those having ordinary knowledge in the technical field.

10a、10b…内部レギュレーター、11、12…レベルシフター、20…駆動回路、30…補償回路、31…加算回路、32…電圧制限回路、40…電流検出回路、50…エラーアンプ、51…スイッチ回路、52…コンパレーター、60…スロープ補償回路、70…クロック信号生成回路、80…スイッチング制御回路、90…駆動回路、100…半導体装置、110…半導体光源、200…投写型表示装置、210…電源回路、220…画像データ処理部、230…制御部、240…光源装置、250…パネル、260…投射光学系、300…スクリーン、QN1、QN2…NチャネルMOSトランジスター、D1〜D3…ダイオード、D4…ツェナーダイオード、L1…インダクター、C1〜C7…キャパシター、R1〜R5…抵抗   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10a, 10b ... Internal regulator, 11, 12 ... Level shifter, 20 ... Drive circuit, 30 ... Compensation circuit, 31 ... Adder circuit, 32 ... Voltage limiting circuit, 40 ... Current detection circuit, 50 ... Error amplifier, 51 ... Switch circuit , 52: Comparator, 60 ... Slope compensation circuit, 70 ... Clock signal generation circuit, 80 ... Switching control circuit, 90 ... Drive circuit, 100 ... Semiconductor device, 110 ... Semiconductor light source, 200 ... Projection display device, 210 ... Power supply Circuit, 220 ... Image data processing unit, 230 ... Control unit, 240 ... Light source device, 250 ... Panel, 260 ... Projection optical system, 300 ... Screen, QN1, QN2 ... N-channel MOS transistor, D1-D3 ... Diode, D4 ... Zener diode, L1 ... inductor, C1 to C7 ... capacitor, R1 to R5 ... resistor

Claims (6)

半導体光源と、
前記半導体光源に直列接続された第1のスイッチング素子と、
PWM信号が活性化されているときに第1の制御信号を活性化して前記第1のスイッチング素子をオン状態とする駆動回路と、
第2の制御信号に従ってスイッチング動作を行う第2のスイッチング素子を含み、前記第1のスイッチング素子がオン状態であるときに前記半導体光源に電流を供給するスイッチング電源回路と、
前記半導体光源に流れる電流を検出して第1の電流検出信号を出力する第1の電流検出部と、
前記PWM信号のオンデューティー比に従って変化する電圧を有する補償信号を生成する補償回路と、
電流制御信号と前記補償信号とを所定の比率で加算する加算回路と、
前記加算回路の出力信号と前記第1の電流検出信号との差を増幅して誤差信号を生成するエラーアンプと、
前記第2のスイッチング素子に流れる電流を検出して第2の電流検出信号を出力する第2の電流検出部と、
前記第2の電流検出信号と前記誤差信号とに基づいて前記第2の制御信号を生成するスイッチング電源制御回路と、
を備える光源装置。
Semiconductor light source,
A first switching element connected in series to the semiconductor light source;
A drive circuit that activates a first control signal to turn on the first switching element when the PWM signal is activated;
A switching power supply circuit that includes a second switching element that performs a switching operation according to a second control signal, and that supplies current to the semiconductor light source when the first switching element is in an on state;
A first current detection unit that detects a current flowing through the semiconductor light source and outputs a first current detection signal;
A compensation circuit that generates a compensation signal having a voltage that varies in accordance with the on-duty ratio of the PWM signal;
An addition circuit for adding a current control signal and the compensation signal at a predetermined ratio;
An error amplifier for amplifying a difference between an output signal of the addition circuit and the first current detection signal to generate an error signal;
A second current detection unit that detects a current flowing through the second switching element and outputs a second current detection signal;
A switching power supply control circuit that generates the second control signal based on the second current detection signal and the error signal;
A light source device comprising:
前記補償回路が、前記PWM信号のオンデューティー比に比例する電圧を有する補償信号を生成する積分回路を含む、請求項1記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, wherein the compensation circuit includes an integration circuit that generates a compensation signal having a voltage proportional to an on-duty ratio of the PWM signal. 前記加算回路の出力信号の電圧が所定の電圧を超えないように制限する電圧制限回路をさらに備える、請求項1又は2記載の光源装置。   The light source device according to claim 1, further comprising a voltage limiting circuit that limits a voltage of an output signal of the adding circuit not to exceed a predetermined voltage. 前記スイッチング電源回路が、
前記半導体光源と前記第2のスイッチング素子との間に接続されたインダクターと、
前記インダクターの一端と電源ノードとの間に接続されたキャパシターと、
前記インダクターの他端に接続されたアノード及び前記電源ノードに接続されたカソードを有するダイオードと、
をさらに含み、前記第1及び第2のスイッチング素子がオン状態であるときに、前記半導体光源及び前記インダクターに電流が流れて前記インダクターにエネルギーが蓄積され、前記第1のスイッチング素子がオン状態で前記第2のスイッチング素子がオフ状態であるときに、前記インダクターに蓄積されたエネルギーによって前記半導体光源及び前記ダイオードに電流が流れる、請求項1〜3のいずれか1項記載の光源装置。
The switching power supply circuit is
An inductor connected between the semiconductor light source and the second switching element;
A capacitor connected between one end of the inductor and a power supply node;
A diode having an anode connected to the other end of the inductor and a cathode connected to the power supply node;
Further, when the first and second switching elements are in the on state, current flows through the semiconductor light source and the inductor, energy is stored in the inductor, and the first switching element is in the on state. 4. The light source device according to claim 1, wherein when the second switching element is in an off state, a current flows through the semiconductor light source and the diode by energy accumulated in the inductor.
請求項1〜4のいずれか1項記載の光源装置を備える投写型表示装置。   A projection display device comprising the light source device according to claim 1. PWM信号が活性化されているときに第1の制御信号を活性化して、半導体光源に直列接続された第1のスイッチング素子をオン状態とする駆動回路と、
前記第1のスイッチング素子がオン状態であるときに前記半導体光源に電流を供給するスイッチング電源回路においてスイッチング動作を行う第2のスイッチング素子を制御する第2の制御信号を生成するスイッチング電源制御回路と、
前記半導体光源に直列接続された第1の電流検出素子に流れる電流を検出して第1の電流検出信号を出力する第1の電流検出回路と、
前記PWM信号のオンデューティー比に従って変化する電圧を有する補償信号を生成する補償回路と、
電流制御信号と前記補償信号とを所定の比率で加算する加算回路と、
前記加算回路の出力信号と前記第1の電流検出信号との差を増幅して誤差信号を生成するエラーアンプと、
前記第2のスイッチング素子に直列接続された第2の電流検出素子に流れる電流を検出して第2の電流検出信号を出力する第2の電流検出回路と、
を備え、前記スイッチング電源制御回路が、前記第2の電流検出信号と前記誤差信号とに基づいて前記第2の制御信号を生成する、半導体装置。
A drive circuit that activates the first control signal when the PWM signal is activated to turn on the first switching element connected in series to the semiconductor light source;
A switching power supply control circuit that generates a second control signal for controlling a second switching element that performs switching operation in a switching power supply circuit that supplies current to the semiconductor light source when the first switching element is in an on state ,
A first current detection circuit that detects a current flowing through a first current detection element connected in series to the semiconductor light source and outputs a first current detection signal;
A compensation circuit that generates a compensation signal having a voltage that varies according to an on-duty ratio of the PWM signal;
An addition circuit for adding a current control signal and the compensation signal at a predetermined ratio;
An error amplifier for amplifying a difference between an output signal of the addition circuit and the first current detection signal to generate an error signal;
A second current detection circuit that detects a current flowing through a second current detection element connected in series to the second switching element and outputs a second current detection signal;
And the switching power supply control circuit generates the second control signal based on the second current detection signal and the error signal.
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