JP2019106663A - High frequency circuit - Google Patents

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Abstract

To provide a high frequency circuit capable of suppressing a connection loss between substrates.SOLUTION: A high frequency circuit 1 comprises: substrates 100 and 110 in each of which a substrate integrated waveguide (SIW) is formed; and a connection block 120 connecting each SIW. Each of the substrates 100 and 110 is arranged so as to match a propagation direction of an electromagnetic wave of each SIW. The connection block 120 is distributed so as to be cross to a surface ground 102 formed onto an upper surface of the substrate 100 and structuring each SIW, and a surface ground 112 formed onto the upper surface of the substrate 110 and structuring each SIW.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、高周波回路に関し、特に基板集積導波管を接続する技術に関する。   The present invention relates to high frequency circuits, and more particularly to techniques for connecting substrate integrated waveguides.

従来より、ミリ波帯／ＴＨｚ波帯高周波回路（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下、「ＭＭＩＣ」という。）を用いて高周波装置や部品の小型化が行われている。ＭＭＩＣをパッケージングする際には、一般に、Ｋコネクタ、Ｖコネクタ、あるいは導波管等の高周波インターフェースからＭＭＩＣまで電気信号を伝搬させるために、ＭＭＩＣとは別の高周波回路基板が必要となる（非特許文献１参照）。   BACKGROUND ART Conventionally, miniaturization of high frequency devices and parts has been performed using a millimeter wave band / THz wave band high frequency circuit (Monolithic Microwave Integrated Circuit: hereinafter referred to as "MMIC"). When packaging an MMIC, a high-frequency circuit board separate from the MMIC is generally required to propagate electrical signals from the K-connector, V-connector, or high-frequency interface such as a waveguide to the MMIC. Patent Document 1).

このような高周波回路基板は、一般に「ＲＦ内装基板」と呼称される。ＲＦ内装基板には、誘電損失が少ないアルミナや石英等の基板材料が用いられ、基板上に形成されたマイクロストリップ線路やコプレーナ線路等の高周波線路がＭＭＩＣとインターフェースとの間の電気信号の伝送線路として機能する。   Such a high frequency circuit board is generally called "RF interior board". A substrate material such as alumina or quartz with a small dielectric loss is used for the RF interior substrate, and a high frequency line such as a microstrip line or a coplanar line formed on the substrate is a transmission line of electric signals between the MMIC and the interface. Act as.

また、従来より、ＭＭＩＣ上のＲＦ線路とＲＦ内装基板上のＲＦ線路とは、ボンディングワイヤを用いて接続されている。   Also, conventionally, the RF line on the MMIC and the RF line on the RF interior substrate are connected using bonding wires.

しかし、ＴＨｚ波帯では、信号の波長が極めて短いため、接続部分に用いられているボンディングワイヤによるインピーダンスの変化の影響が無視できなくなってくる。そのため、周波数が３００［ＧＨｚ］以上のＴＨｚ波帯では、ＭＭＩＣとＲＦ内装基板との接続部分での接続損失が非常に大きくなってしまう問題があった。   However, in the THz wave band, since the wavelength of the signal is extremely short, the influence of the change in impedance due to the bonding wire used for the connection portion can not be ignored. Therefore, in the THz wave band at a frequency of 300 GHz or more, there is a problem that the connection loss at the connection portion between the MMIC and the RF inner substrate becomes very large.

以下、従来のボンディングワイヤによってＭＭＩＣとＲＦ内装基板とが接続された高周波回路の接続損失について説明する。図１２は、接続損失の計算に用いた従来のボンディングワイヤを有する高周波回路２０の斜視図である。   Hereinafter, the connection loss of the high frequency circuit in which the MMIC and the RF interior substrate are connected by the conventional bonding wire will be described. FIG. 12 is a perspective view of a high frequency circuit 20 having a conventional bonding wire used for the calculation of connection loss.

図１２に示すように、従来の高周波回路２０は、ＭＭＩＣ側の基板２００と、ＲＦ内装基板側の基板２１０と、それぞれの基板上に配設された高周波線路であるマイクロストリップ線路２０１、２１１とを有する。また、基板２００、２１０の下面には裏面グランド２２０が配設されている。   As shown in FIG. 12, the conventional high frequency circuit 20 includes a substrate 200 on the MMIC side, a substrate 210 on the RF interior substrate side, and microstrip lines 201 and 211 which are high frequency lines disposed on the respective substrates. Have. Also, a back surface ground 220 is disposed on the lower surface of the substrates 200 and 210.

ＭＭＩＣ側の基板２００の基板材料としては、ＴＨｚ波帯でよく用いられる化合物半導体のＩｎＰを仮定し、ＲＦ内装基板側の基板２１０の基板材料としては、ＲＦ内装基板としてよく用いられるアルミナを仮定した。   The substrate material of the substrate 200 on the MMIC side is assumed to be InP, a compound semiconductor often used in the THz wave band, and the substrate material of the substrate 210 on the RF interior substrate side is assumed to be alumina often used as an RF interior substrate. .

なお、それぞれの基板２００、２１０の誘電損失は、簡単のために０とし、基板２００、２１０ともにその厚さは５０［μｍ］とした。また、それぞれのマイクロストリップ線路２０１、２１１の特性インピーダンスが５０［Ω］になるように線路幅Ｗｌを設定している。   The dielectric loss of each of the substrates 200 and 210 is set to 0 for the sake of simplicity, and the thickness of each of the substrates 200 and 210 is 50 μm. Further, the line width Wl is set such that the characteristic impedance of each of the microstrip lines 201 and 211 is 50 [Ω].

また、ＭＭＩＣ側の基板２００、ＲＦ内装基板側の基板２１０ともにマイクロストリップ線路２０１、２１１の電磁波伝搬方向の長さは１［ｍｍ］とし、その厚さは５［μｍ］とした。なお、ボンディングワイヤ２３０は、簡単のために、一辺が２５［μｍ］の正方形を断面とする直方体とし、それぞれのマイクロストリップ線路２０１、２１１とボンディングワイヤ２３０との重なり部分の長さＬも２５［μｍ］とした。さらに、マイクロストリップ線路２０１、２１１、ボンディングワイヤ２３０を形成する金属は、すべて理想導体とした。   The length of the microstrip lines 201 and 211 in the electromagnetic wave propagation direction is 1 mm for both the substrate 200 on the MMIC side and the substrate 210 on the RF interior substrate side, and the thickness is 5 μm. For the sake of simplicity, bonding wire 230 is a rectangular solid whose one side is a square with a cross section of 25 [μm], and the length L of overlapping portions of microstrip lines 201 and 211 and bonding wire 230 is also 25 [ μm]. Further, the metals forming the microstrip lines 201 and 211 and the bonding wire 230 are all ideal conductors.

また、一般にはＭＭＩＣ側の基板２００とＲＦ内装基板である基板２１０とを距離ゼロで配置することはできず、両者の間には有限の長さを持つギャップが生じる場合がある。ここでは、基板２００、２１０間のギャップの効果を考慮した場合の従来の高周波回路２０における接続損失について説明する。   Further, in general, the substrate 200 on the MMIC side and the substrate 210 as the RF interior substrate can not be disposed at a distance of zero, and a gap having a finite length may occur between the two. Here, the connection loss in the conventional high frequency circuit 20 when the effect of the gap between the substrates 200 and 210 is considered will be described.

図１３は、図１２に示した従来の高周波回路２０における、ギャップ長Ｌgapをパラメータとしたときの、ＭＭＩＣ側の基板２００のマイクロストリップ線路２０１左端からＲＦ内装基板側の基板２１０に含まれるマイクロストリップ線路２１１右端までの通過特性Ｓ21を示す図である。なお、ＴＨｚ波帯を考慮し、計算周波数は２００−４００［ＧＨｚ］とした。 FIG. 13 shows the micro-chips included in the substrate 210 on the RF interior substrate side from the left end of the microstrip line 201 of the substrate 200 on the MMIC side when the gap length L gap is used as a parameter in the conventional high frequency circuit 20 shown in FIG. is a diagram illustrating the pass characteristic S 21 to stripline 211 right end. The calculation frequency was set to 200-400 [GHz] in consideration of the THz wave band.

図１３に示すように、ギャップ長Ｌgapが大きくなるにつれて、通過特性が劣化することがわかる。基板２００、２１０間にギャップが存在する場合には、ボンディングワイヤ２３０は、等価的には、ボンディングワイヤ２３０を信号線、裏面グランド２２０をグランド線とするマイクロストリップ線路を形成する。 As shown in FIG. 13, it can be seen that the pass characteristic is degraded as the gap length L gap increases. When there is a gap between the substrates 200 and 210, the bonding wire 230 equivalently forms a microstrip line in which the bonding wire 230 is a signal line and the back surface ground 220 is a ground line.

このボンディングワイヤ２３０と裏面グランド２２０とで形成されるマイクロストリップ線路は、信号線とグランド線との間が比誘電率１の空気で占められているため、その特性インピーダンスは一般的には１００［Ω］以上と、きわめて大きくなる。ＴＨｚ波帯では、伝搬する電磁波の波長が小さいため、ギャップ部分に設けられたボンディングワイヤ２３０の大きな特性インピーダンスによって反射を生じ、通過特性が劣化する。   The microstrip line formed by the bonding wire 230 and the back surface ground 220 is generally occupied by air having a relative dielectric constant of 1 between the signal line and the ground line, and thus the characteristic impedance is generally 100 [ It becomes extremely large with Ω or more. In the THz band, since the wavelength of the propagating electromagnetic wave is small, reflection is caused by the large characteristic impedance of the bonding wire 230 provided in the gap portion, and the passing characteristic is degraded.

図１３に示すように、ギャップ長Ｌgapが５０［μｍ］の場合には、電磁波の周波数が３００［ＧＨｚ］のときに３［ｄＢ］もの通過損失が生じていることがわかる。前述したように、計算モデルに用いられている金属は理想導体を仮定しており、また、誘電体の誘電損失は０としているため、この損失は、すべてボンディングワイヤ２３０を用いた接続部分に由来する損失である。 As shown in FIG. 13, when the gap length L gap is 50 μm, it can be seen that a passage loss as much as 3 dB occurs when the frequency of the electromagnetic wave is 300 GHz. As described above, the metal used in the calculation model assumes the ideal conductor, and the dielectric loss of the dielectric is zero, so all the loss is derived from the connection portion using the bonding wire 230. Loss.

また、図１３に示すように、ギャップ長Ｌgapが０でも電磁波の周波数が３００［ＧＨｚ］の場合に通過損失が１．５［ｄＢ］程度生じていることがわかる。この損失についても同様に、ボンディングワイヤ２３０でのインピーダンス不整合に起因する接続損失である。 Further, as shown in FIG. 13, it can be seen that, even when the gap length L gap is 0, when the frequency of the electromagnetic wave is 300 GHz, a passage loss of approximately 1.5 dB is generated. Similarly, this loss is a connection loss due to an impedance mismatch at the bonding wire 230.

より詳細には、ギャップ長Ｌgapが０の場合であっても、ボンディングワイヤ２３０とマイクロストリップ線路２０１、２１１の重なり部には厚さ２５［μｍ］のボンディングワイヤ２３０が存在している。これは、マイクロストリップ線路２０１、２１１にボンディングワイヤ２３０の重なり分の容量が装荷されているのと等価であるため、この容量によってインピーダンスの不整合が発生する。 More specifically, even when the gap length L gap is 0, the bonding wire 230 having a thickness of 25 μm is present at the overlapping portion of the bonding wire 230 and the microstrip line 201, 211. This is equivalent to loading the microstrip lines 201 and 211 with the capacitance of the overlapping portion of the bonding wire 230, and this capacitance causes an impedance mismatch.

上述したように、従来のボンディングワイヤを用いたＭＭＩＣとＲＦ内装基板との接続構造を有する高周波回路では、その接続部分でのインピーダンス変化に伴い、大きな接続損失が発生する。   As described above, in the high-frequency circuit having the connection structure of the MMIC and the RF inner substrate using the conventional bonding wire, a large connection loss occurs with the change in impedance at the connection portion.

なお、図１２および図１３の説明では、簡単のために、マイクロストリップ線路を用いたが、コプレーナ線路同士を接続する場合には、信号線だけでなくグランド線にもワイヤを必要とするため、接続部でのインピーダンス変化はより顕著になり、接続損失はより大きくなる。   Although microstrip lines are used for the sake of simplicity in the description of FIGS. 12 and 13, when connecting coplanar lines, not only signal lines but also ground lines are required to be connected. The change in impedance at the connection is more pronounced and the connection loss is greater.

Ｄ．Ｄｅｓｌａｎｄｅｓ，ｅｔ ａｌ，“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ ａｎｄ ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ ｗａｖｅｇｕｉｄｅ ｉｎ ｐｌａｎａｒ ｆｏｒｍ”，ＩＥＥＥ Ｍｉｃｒｏｗ．Ｗｉｒｅｌ．Ｃｏ．２００１．Ｖｏｌ．１１D. Deslandes, et al., "Integrated microstrip and rectangular waveguide in planar form", IEEE Microw. Wirel. Co. 2001. Vol. 11

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、基板間の接続損失を抑制する高周波回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a high frequency circuit that suppresses connection loss between substrates.

上述した課題を解決するために、本発明に係る高周波回路は、第１の基板集積導波管が形成された第１の基板と、第２の基板集積導波管が形成された第２の基板と、前記第１の基板集積導波管と前記第２の基板集積導波管とを接続する金属部材と、を備え、前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の基板集積導波管の電磁波の伝搬方向と、前記第２の基板集積導波管の電磁波の伝搬方向とが一致するように配置され、前記金属部材は、前記第１の基板の第１の面に形成されて前記第１の基板集積導波管を構成する金属層と、前記第２の基板の第１の面に形成されて前記第２の基板集積導波管を構成する金属層とにまたがって配設されることを特徴とする。   In order to solve the problems described above, a high frequency circuit according to the present invention comprises a first substrate on which a first substrate integrated waveguide is formed, and a second substrate on which a second substrate integrated waveguide is formed. A substrate, and a metal member connecting the first substrate integrated waveguide and the second substrate integrated waveguide, the first substrate and the second substrate being the first substrate The propagation direction of the electromagnetic wave of the substrate integrated waveguide and the propagation direction of the electromagnetic wave of the second substrate integrated waveguide coincide with each other, and the metal member is a first member of the first substrate. A metal layer formed on the surface to constitute the first substrate integrated waveguide, and a metal layer formed on the first surface of the second substrate to constitute the second substrate integrated waveguide It is characterized in that it is disposed across the

また、本発明に係る高周波回路において、前記金属部材は、直方体形状に形成された接続ブロックであり、前記接続ブロックの幅は、前記第１の基板集積導波管の幅または前記第２の基板集積導波管の幅に一致し、前記接続ブロックの幅、前記第１の基板集積導波管の幅、および前記第２の基板集積導波管の幅は、電磁波の前記伝搬方向に垂直、かつ、前記第１の基板および前記第２の基板に平行な方向の長さであってもよい。   Further, in the high frequency circuit according to the present invention, the metal member is a connection block formed in a rectangular parallelepiped shape, and the width of the connection block is the width of the first substrate integrated waveguide or the second substrate. Matching the width of the integrated waveguide, the width of the connection block, the width of the first substrate integrated waveguide, and the width of the second substrate integrated waveguide are perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave, And it may be a length in a direction parallel to the first substrate and the second substrate.

また、本発明に係る高周波回路において、前記接続ブロックの前記第１の基板側の幅は、前記第１の基板集積導波管の幅に一致し、前記接続ブロックの前記第２の基板側の幅は、前記第２の基板集積導波管の幅に一致し、前記接続ブロックの幅、前記第１の基板集積導波管の幅、および前記第２の基板集積導波管の幅は、電磁波の前記伝搬方向に垂直、かつ、前記第１の基板および前記第２の基板に平行な方向の長さであってもよい。   In the high frequency circuit according to the present invention, the width of the connection block on the first substrate side corresponds to the width of the first substrate integrated waveguide, and the connection block on the second substrate side The width corresponds to the width of the second substrate integrated waveguide, the width of the connection block, the width of the first substrate integrated waveguide, and the width of the second substrate integrated waveguide, It may be a length perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and in a direction parallel to the first substrate and the second substrate.

また、本発明に係る高周波回路において、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた一対のスペーサをさらに備え、前記一対のスペーサのそれぞれは、前記接続ブロックを挟んで配設されていてもよい。   In the high frequency circuit according to the present invention, the high frequency circuit further includes a pair of spacers provided between the first substrate and the second substrate, and each of the pair of spacers is disposed with the connection block interposed therebetween. It may be set.

また、本発明に係る高周波回路において、前記金属部材は複数の接続ワイヤであり、前記複数の接続ワイヤは、電磁波の前記伝搬方向に垂直、かつ、前記第１の基板および前記第２の基板に平行な方向に配設され、前記複数の接続ワイヤは、前記第１の基板集積導波管の幅または前記第２の基板集積導波管の幅にわたって配設されていてもよい。   Further, in the high frequency circuit according to the present invention, the metal member is a plurality of connection wires, and the plurality of connection wires are perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and on the first substrate and the second substrate. The plurality of connecting wires may be disposed in parallel directions, and may be disposed across the width of the first substrate integrated waveguide or the width of the second substrate integrated waveguide.

本発明によれば、第１の基板の第１の面に形成され第１の基板集積導波管を構成する金属層と、第２の基板の第１の面に形成された第２の基板集積導波管を構成する金属層とにまたがって金属部材が配設されるので、基板間の接続損失を抑制することができる。   According to the present invention, the metal layer formed on the first surface of the first substrate and constituting the first substrate integrated waveguide, and the second substrate formed on the first surface of the second substrate Since the metal member is disposed straddling the metal layer constituting the integrated waveguide, connection loss between the substrates can be suppressed.

図１は、本発明の第１の実施の形態係る高周波回路の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a high frequency circuit according to a first embodiment of the present invention. 図２は、本発明の第１の実施の形態に係る高周波回路の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the high frequency circuit according to the first embodiment of the present invention. 図３は、本発明の第１の実施の形態の効果を説明するために用いられた高周波回路の斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of a high frequency circuit used to explain the effects of the first embodiment of the present invention. 図４は、本発明の第１の実施の形態の効果を説明するために用いられた高周波回路の平面図である。FIG. 4 is a plan view of a high frequency circuit used to explain the effect of the first embodiment of the present invention. 図５は、本発明の第１の実施の形態の効果を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the effect of the first embodiment of the present invention. 図６は、本発明の第２の実施の形態に係る高周波回路の平面図である。FIG. 6 is a plan view of a high frequency circuit according to a second embodiment of the present invention. 図７は、本発明の第３の実施の形態に係る高周波回路の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a high frequency circuit according to a third embodiment of the present invention. 図８は、本発明の第３の実施の形態に係る高周波回路の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a high frequency circuit according to a third embodiment of the present invention. 図９は、本発明の第３の実施の形態の効果を説明する図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the effect of the third embodiment of the present invention. 図１０は、本発明の第４の実施の形態に係る高周波回路の斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a high frequency circuit according to a fourth embodiment of the present invention. 図１１は、本発明の第４の実施の形態の効果を説明する図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the effect of the fourth embodiment of the present invention. 図１２は、従来のボンディングワイヤを用いた高周波回路の斜視図である。FIG. 12 is a perspective view of a conventional high frequency circuit using bonding wires. 図１３は、従来のボンディングワイヤを用いた高周波回路における接続損失の説明図である。FIG. 13 is an explanatory view of connection loss in a high frequency circuit using a conventional bonding wire.

以下、本発明の好適な実施の形態について、図１から図１１を参照して詳細に説明する。各図について共通する構成要素には、同一の符号が付されている。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 11. The components common to the respective drawings are denoted by the same reference numerals.

［発明の概要］
本発明の高周波回路１は、２つの基板１００、１１０が接続される構成を有する。高周波回路１は、基板１００、１１０間で電磁波を伝送する。高周波回路１の基板１００、１１０には、よく知られた基板集積導波管（ＳＩＷ：Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）（非特許文献１参照。）が形成される。高周波回路１は、基板１００、１１０のそれぞれに形成された基板集積導波管を接続する接続ブロック１２０（金属部材）を有する。 [Summary of the Invention]
The high frequency circuit 1 of the present invention has a configuration in which two substrates 100 and 110 are connected. The high frequency circuit 1 transmits an electromagnetic wave between the substrates 100 and 110. A well-known substrate integrated waveguide (SIW) (see Non-Patent Document 1) is formed on the substrates 100 and 110 of the high frequency circuit 1. The high frequency circuit 1 has a connection block 120 (a metal member) for connecting substrate integrated waveguides formed on each of the substrates 100 and 110.

基板集積導波管（以下、「ＳＩＷ」という。）とは、基板に基板貫通ビア（以下、「ＴＳＶ」という。）を稠密に形成することで、基板内に形成された導波管モードを伝搬可能とする伝送路である。   A substrate integrated waveguide (hereinafter referred to as “SIW”) means a waveguide mode formed in a substrate by densely forming through substrate vias (hereinafter referred to as “TSV”) in the substrate. It is a transmission path that enables propagation.

ＳＩＷは、基板１００、１１０それぞれの上面および下面に形成された金属層（図１の表面グランド１０２、１１２、および裏面グランド１３０）により電磁波の上下方向（基板１００、１１０の上面と下面の方向）の閉じ込めを行い、ＴＳＶ１０１、１１１により電磁波の横方向（電磁波の伝搬方向に垂直な、基板１００、１１０の側面方向）の閉じ込めを行うことで、基板１００、１１０内に導波管モードを形成することを可能としている。   The SIW is formed by metal layers (surface grounds 102 and 112 and back surface ground 130 in FIG. 1) formed on the upper and lower surfaces of the substrates 100 and 110, respectively, in the vertical direction of electromagnetic waves (directions of the upper and lower surfaces of the substrates 100 and 110) And form a waveguide mode in the substrates 100 and 110 by confinement in the lateral direction of the electromagnetic waves (the side direction of the substrates 100 and 110 perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic waves) by the TSVs 101 and 111. It is possible to do that.

基板１００、１１０に設けられたＴＳＶ１０１、１１１によってそれぞれ形成されるＳＩＷ（第１の基板集積導波管、第２の基板集積導波管）を互いに接続するために、本発明に係る高周波回路１では、基板１００、１１０をまたいで接続ブロック１２０が配設される。   In order to connect SIWs (first substrate integrated waveguide and second substrate integrated waveguide) respectively formed by the TSVs 101 and 111 provided on the substrates 100 and 110, the high frequency circuit 1 according to the present invention Then, the connection block 120 is disposed across the substrates 100 and 110.

［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る高周波回路１の斜視図である。また、図２は、第１の実施の形態に係る高周波回路１の平面図である。
本実施の形態に係る高周波回路１は、ＴＳＶ１０１、１１１がそれぞれ形成された２つの基板１００、１１０と、基板１００、１１０の各上面（第１の面）に配設された表面グランド１０２、１１２（金属層）と、接続ブロック１２０と、裏面グランド１３０とを備える。 First Embodiment
FIG. 1 is a perspective view of the high frequency circuit 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view of the high frequency circuit 1 according to the first embodiment.
The high frequency circuit 1 according to the present embodiment includes two substrates 100 and 110 on which the TSVs 101 and 111 are respectively formed, and surface grounds 102 and 112 disposed on upper surfaces (first surfaces) of the substrates 100 and 110. (Metal layer), the connection block 120, and the back surface ground 130 are provided.

基板１００は、ＭＭＩＣ基板であり、ＩｎＰなどの化合物半導体により形成される。基板１００の下面には、金属材料で形成される裏面グランド１３０が形成されている。   The substrate 100 is an MMIC substrate, and is formed of a compound semiconductor such as InP. On the lower surface of the substrate 100, a back surface ground 130 formed of a metal material is formed.

ＴＳＶ１０１は、基板１００上に集積回路プロセスを用いて形成され、導波管様の伝送線路であるＳＩＷを形成する。ＴＳＶ１０１は、電磁波の伝搬方向に垂直、かつ、基板１００に水平な方向に配置間隔Ｗ1をもって２列に稠密に形成される。配置間隔Ｗ1は、基板１００に形成されるＳＩＷの幅を規定する。また、ＳＩＷにおいて電磁波を伝搬させるために、ＴＳＶ１０１の電磁波の伝搬方向の配置間隔ｓ1は、扱う電磁波の波長より小さい値にする必要がある。すなわち、ＴＳＶ１０１の配置間隔ｓ1は、ＳＩＷを伝搬する伝搬モードの伝送線路内波長の１／４以下の値に設定される。 The TSVs 101 are formed on the substrate 100 using an integrated circuit process to form a waveguide-like transmission line SIW. The TSVs 101 are densely formed in two rows perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and in the direction parallel to the substrate 100 with an arrangement interval W 1 . The arrangement interval W 1 defines the width of the SIW formed on the substrate 100. Moreover, in order to propagate an electromagnetic wave in SIW, the arrangement interval s 1 of the TSV 101 in the propagation direction of the electromagnetic wave needs to be a value smaller than the wavelength of the electromagnetic wave to be handled. That is, the arrangement interval s 1 of the TSVs 101 is set to a value equal to or less than 1⁄4 of the intra-transmission-line wavelength of the propagation mode that propagates the SIW.

表面グランド１０２は、金属などの導電性を有する材料で形成され、基板１００の上面にＴＳＶ１０１を覆うように配設される。表面グランド１０２は、例えば、金、アルミなどによって形成される。なお、表面グランド１０２は、基板１００の上面全体を覆うように形成されていてもよい。   The surface ground 102 is formed of a conductive material such as metal, and is disposed on the top surface of the substrate 100 so as to cover the TSV 101. The surface ground 102 is formed of, for example, gold, aluminum or the like. The surface ground 102 may be formed to cover the entire top surface of the substrate 100.

基板１１０は、ＲＦ内装基板であり、アルミナや石英など誘電体により形成される。基板１１０の下面には、基板１００と共通の裏面グランド１３０が形成されている。   The substrate 110 is an RF interior substrate, and is formed of a dielectric such as alumina or quartz. On the lower surface of the substrate 110, a back surface ground 130 common to the substrate 100 is formed.

ＴＳＶ１１１は、基板１１０上に集積回路プロセスを用いて形成され、ＴＳＶ１０１と同様に基板１１０にＳＩＷを形成する。本実施の形態では、ＴＳＶ１１１の電磁波伝搬方向に垂直な方向の配置間隔Ｗ2は、基板１００におけるＳＩＷの幅（ＴＳＶ１０１の配置間隔Ｗ1）よりも狭く形成されている。なお、ＴＳＶ１１１の電磁波伝搬方向の配置間隔ｓ2についても、ＴＳＶ１０１の配置間隔ｓ1と同様に伝送線路内波長の１／４以下の値に設定される。 The TSV 111 is formed on the substrate 110 using an integrated circuit process, and forms the SIW on the substrate 110 in the same manner as the TSV 101. In this embodiment, the arrangement interval W 2 in the direction perpendicular to the electromagnetic wave propagation direction of TSV111 is narrower than the width of SIW in the substrate 100 (the arrangement interval W 1 of TSV101). Here, also for the arrangement interval s 2 of the electromagnetic wave propagation direction of TSV111, is set to 1/4 or less of the value similarly transmission lines in wavelength as arrangement interval s 1 of TSV101.

表面グランド１１２は、金属など導電性を有する材料で形成され、基板１１０の上面にＴＳＶ１１１を覆うように配設される。表面グランド１１２は、例えば、金、アルミなどによって形成される。なお、表面グランド１１２は、基板１１０の上面全体を覆うように形成されていてもよい。   The surface ground 112 is formed of a conductive material such as metal, and is disposed on the top surface of the substrate 110 so as to cover the TSV 111. The surface ground 112 is formed of, for example, gold, aluminum or the like. The surface ground 112 may be formed to cover the entire top surface of the substrate 110.

上記のような構成を有する、ＭＭＩＣ側の基板１００とＲＦ内装基板の基板１１０とは、電磁波の伝搬方向が一致するように配置される。より詳細には、図１および図２に示すように、基板１００に形成されたＳＩＷの幅方向に平行な基板１００の端面と、基板１１０に形成されたＳＩＷの幅方向に平行な基板１１０の端面とが互いに対向して配置される。また、以下において基板１００、１１０が互いに対向して配置されている部分を、「接続部分」という。   The substrate 100 on the MMIC side having the above configuration and the substrate 110 of the RF interior substrate are arranged such that the propagation directions of the electromagnetic waves coincide with each other. More specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the end face of the substrate 100 parallel to the width direction of the SIW formed on the substrate 100 and the substrate 110 parallel to the width direction of the SIW formed on the substrate 110. The end faces are disposed to face each other. Also, in the following, a portion where the substrates 100 and 110 are disposed to face each other is referred to as a “connection portion”.

接続ブロック１２０は、直方体形状に形成され、所定の幅Ｗｂと任意の高さｈを有する。接続ブロック１２０は、例えば、金メッキなどが施された導電性を有する材料で形成され、表皮の抵抗が十分に小さいものが用いられる。なお接続ブロック１２０の幅Ｗｂは、電磁波の伝搬方向に垂直、かつ、基板１００、１１０に平行な方向の長さであり、高さｈは、基板１００、１１０の水平方向に垂直な方向の長さである。   The connection block 120 is formed in a rectangular parallelepiped shape, and has a predetermined width Wb and an arbitrary height h. The connection block 120 is made of, for example, a conductive material plated with gold or the like, and a material having a sufficiently low skin resistance is used. The width Wb of the connection block 120 is perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and parallel to the substrates 100 and 110, and the height h is perpendicular to the horizontal direction of the substrates 100 and 110. It is.

接続ブロック１２０の幅Ｗｂは、接続ブロック１２０と裏面グランド１３０との間に挟まれて伝搬するＳＩＷの特性インピーダンスを規定する。そのため、接続ブロック１２０の幅ＷｂをＳＩＷの幅（配置間隔Ｗ1、Ｗ2）に対応した幅Ｗｂとすることによって、基板１００、１１０間のＳＩＷ接続部分での特性インピーダンスの変化を小さく抑えることができる。 The width Wb of the connection block 120 defines the characteristic impedance of the SIW that is sandwiched and propagated between the connection block 120 and the back surface ground 130. Therefore, by setting the width Wb of the connection block 120 to the width Wb corresponding to the width of the SIW (arrangement interval W 1 , W 2 ), the change in the characteristic impedance at the SIW connection portion between the substrates 100 and 110 is suppressed small. Can.

例えば、接続される基板１００、１１０のうち、ＳＩＷの幅がより大きい方の幅、すなわち基板１１０のＳＩＷの幅（配置間隔Ｗ2）に一致するように接続ブロック１２０の幅Ｗｂを設定してもよい。 For example, the width Wb of the connection block 120 is set to match the width of the larger one of the substrates 100 and 110 to be connected, ie, the width of the SIW of the substrate 110 (arrangement interval W 2 ). It is also good.

また、例えば、接続ブロック１２０の幅Ｗｂは、図２に示すように、基板１００のＴＳＶ１０１の内側エッジ間の幅Ｗ1’から基板１１０のＴＳＶ１１１の内側エッジ間の幅Ｗ2’の範囲の長さとしてもよい。このような幅Ｗｂを接続ブロック１２０に用いることで、より小さい寸法の接続ブロック１２０で、基板１００、１１０に形成されたＳＩＷの伝搬モードを接続することが可能となる。 Further, for example, as shown in FIG. 2, the width Wb of the connection block 120 ranges from the width W 1 ′ between the inner edges of the TSV 101 of the substrate 100 to the width W 2 ′ between the inner edges of the TSV 111 of the substrate 110. You may By using such a width Wb for the connection block 120, it is possible to connect the propagation modes of SIWs formed on the substrates 100 and 110 with the connection block 120 of smaller dimensions.

なお、接続ブロック１２０の電磁波の伝搬方向の長さは、それぞれの基板１００、１１０に形成されたＳＩＷを互いに接続することができる長さを有すればよい。   Note that the length of the connection block 120 in the propagation direction of the electromagnetic wave may be such that the SIWs formed on the respective substrates 100 and 110 can be connected to each other.

接続ブロック１２０は、基板１００、１１０のそれぞれに形成されたＳＩＷの電磁波の伝搬方向が一致するように配置された基板１００、１１０をまたがって配設されている。より詳細には、接続ブロック１２０は、基板１００、１１０間の接続部分の基板上面に形成されてそれぞれのＳＩＷを構成する表面グランド１０２、１１２にまたがって配設されている。   The connection block 120 is disposed across the substrates 100 and 110 disposed so that the propagation directions of the electromagnetic waves of the SIW formed on the substrates 100 and 110 coincide with each other. More specifically, the connection block 120 is disposed across the surface grounds 102 and 112 which are formed on the upper surface of the connection portion between the substrates 100 and 110 and which constitute the respective SIWs.

接続ブロック１２０は、表面グランド１０２、１１２のそれぞれと、例えば、銀ペーストなとの導電性接着剤によって導通接触される。   The connection block 120 is in conductive contact with each of the surface grounds 102, 112 by means of a conductive adhesive, for example silver paste.

上記のような構成を有する接続ブロック１２０を、基板１００、１１０間の接続部分に配設することで、接続部分において、上面メタルを接続ブロック１２０、下面メタルを裏面グランド１３０とするＳＩＷが形成される。   By arranging the connection block 120 having the above configuration at the connection portion between the substrates 100 and 110, an SIW is formed in the connection portion, with the upper surface metal as the connection block 120 and the lower surface metal as the back surface ground 130. Ru.

したがって、基板１００、１１０それぞれに形成されたＳＩＷの特性インピーダンスをあらかじめ一致させておけば、原理的に接続損失無く、基板１００側のＳＩＷを伝搬するＳＩＷモードを基板１１０側のＳＩＷモードに結合させることが可能となる。   Therefore, if the characteristic impedances of the SIWs formed on each of the substrates 100 and 110 are matched in advance, the SIW mode propagating the SIW on the substrate 100 side is coupled to the SIW mode on the substrate 110 side without connection loss in principle. It becomes possible.

なお、ＳＩＷでは伝搬モードが基板１００、１１０内に閉じ込められているため、ファラデー効果によって、接続ブロック１２０の上面側の物体の影響は遮断される。そのため、接続ブロック１２０の厚みｈはＳＩＷを伝搬するモードからは感じられず、接続ブロック１２０の厚みｈを任意の値にとることができる。実際には、設計に応じて所望の厚みｈを選択すればよい。   In the SIW, since the propagation mode is confined in the substrates 100 and 110, the influence of the object on the upper surface side of the connection block 120 is blocked by the Faraday effect. Therefore, the thickness h of the connection block 120 can not be felt from the mode of propagating SIW, and the thickness h of the connection block 120 can be set to an arbitrary value. In practice, the desired thickness h may be selected according to the design.

次に、図５に上述した構成を有する高周波回路１についての通過特性Ｓ21の計算結果を示す。なお、通過特性Ｓ21の計算では、図３および図４に示すように、基板１００、１１０間に所定のギャップ長Ｌgapを有する構成にて計算が行われた。 Next, the calculation results of the pass characteristic S 21 of the high-frequency circuit 1 having the configuration described above in FIG. In the calculation of the pass characteristic S 21, as shown in FIGS. 3 and 4, is calculated in a configuration having a predetermined gap length L gap between the substrates 100 and 110 were made.

また、基板１００にはＩｎＰを、基板１１０にはアルミナを仮定した。基板１００、１１０の厚さは５０［μｍ］とした。基板１００、１１０それぞれのＳＩＷの幅（配置間隔Ｗ1、Ｗ2）は、特性インピーダンスが５０［Ω］となるように設定されている。 The substrate 100 is assumed to be InP, and the substrate 110 is assumed to be alumina. The thickness of the substrates 100 and 110 was 50 [μm]. The widths (arrangement intervals W 1 and W 2 ) of the SIWs of the substrates 100 and 110 are set such that the characteristic impedance is 50 [Ω].

また、高周波回路１に含まれるすべての金属は理想導体とした。基板１００、１１０それぞれのＳＩＷの電磁波の伝搬方向におけるＴＳＶ１０１、１１１の配置間隔ｓ1、ｓ2は、伝送線路内波長の１／４よりも小さい値に設定し、電磁波閉じ込めが十分強くなる値とした。 Moreover, all the metals contained in the high frequency circuit 1 were made into the ideal conductor. The arrangement intervals s 1 and s 2 of the TSVs 101 and 111 in the propagation direction of the electromagnetic waves of the SIWs of the substrates 100 and 110 are set to values smaller than 1⁄4 of the wavelength in the transmission line, and the electromagnetic wave confinement becomes sufficiently strong. did.

図５に、ギャップ長Ｌgapをパラメータとする通過特性Ｓ21の計算値を示す。ギャップ長Ｌgapが０の場合には、２００−４００［ＧＨｚ］にわたって、その損失が０．２［ｄＢ］以下となっていることがわかる。このわずかな損失は、実際にはＳＩＷが基板１００、１１０の端まで形成できないことを考慮して、基板１００、１１０の接続部分の端面から５０［μｍ］だけ基板内側方向に入った位置にＳＩＷの端面を設定したことに起因する。 Figure 5 shows the calculated values of pass characteristics S 21 that the gap length L gap as a parameter. It can be seen that when the gap length L gap is 0, the loss is 0.2 dB or less over 200 to 400 GHz. In view of the fact that SIW can not be formed up to the edge of the substrate 100, 110, this slight loss is SIW at a position 50 [μm] from the end face of the connecting portion of the substrate 100, 110. It is because it set the end face of.

基板１００、１１０の接続部分では接続ブロック１２０と裏面グランド１３０とからなる電磁波の伝搬方向に長さ５０［μｍ］＋５０［μｍ］＝１００［μｍ］を有するＳＩＷが形成されることになる。そのため、基板１００、１１０の接続部分における電磁波の伝搬方向のＴＳＶ１０１とＴＳＶ１１１との間隔が１００［μｍ］以上となり、ＳＩＷ外部にわずかに電磁波が漏洩してしまう。この漏洩分の損失が上記の０．２［ｄＢ］である。   An SIW having a length of 50 [μm] +50 [μm] = 100 [μm] in the propagation direction of the electromagnetic wave consisting of the connection block 120 and the back surface ground 130 is formed at the connection portion of the substrates 100 and 110. Therefore, the distance between the TSV 101 and the TSV 111 in the propagation direction of the electromagnetic wave at the connection portion of the substrates 100 and 110 becomes 100 μm or more, and the electromagnetic wave slightly leaks to the outside of the SIW. The loss for this leakage is the above 0.2 [dB].

前述したように、マイクロストリップ線路を用いた従来のボンディングワイヤ２３０を有する高周波回路２０の通過特性Ｓ21の計算結果（図１３）では、ギャップ長Ｌgapが０の場合でも損失が１．５［ｄＢ］程度あった。このことから、本実施の形態に係る高周波回路１では、接続損失が大幅に改善されていることがわかる。 As described above, in the calculation result (FIG. 13) of the pass characteristic S 21 of the high frequency circuit 20 having the conventional bonding wire 230 using the microstrip line (FIG. 13), the loss is 1.5 [Even when the gap length L gap is 0. There was about dB]. From this, it can be understood that the connection loss is significantly improved in the high frequency circuit 1 according to the present embodiment.

また、図５に示すように、本実施の形態に係る高周波回路１では、ギャップ長Ｌgapが５０［μｍ］の場合においても、周波数３００［ＧＨｚ］での損失が１［ｄＢ］以下であり、従来の高周波回路２０に比べて接続損失が大きく改善されていることがわかる。 Further, as shown in FIG. 5, in the high frequency circuit 1 according to the present embodiment, the loss at a frequency of 300 GHz is 1 dB or less even when the gap length L gap is 50 μm. It can be seen that the connection loss is greatly improved as compared to the conventional high frequency circuit 20.

なお、基板１００、１１０間にギャップが有限長存在する場合に、電磁波の周波数が高くなるほど接続損失が大きくなる現象が見られるが、これは、次のように説明することができる。   In addition, in the case where a gap of a finite length exists between the substrates 100 and 110, there is a phenomenon that the connection loss increases as the frequency of the electromagnetic wave increases. This can be described as follows.

ギャップ長Ｌgapが大きくなると、ギャップが形成されている部分にはＴＳＶ１０１、１１１による電磁波の横方向（ギャップの長手方向）の閉じ込めが存在しないため、電磁波はギャップから横方向に漏洩する。電磁波の漏洩の度合いは、一般的なＳＩＷ同様、ギャップの前後にあるＴＳＶ１０１とＴＳＶ１１１との電磁波の伝搬方向における配置間隔が伝送線路内波長に比べてどれほど狭いかで決まる。 When the gap length L gap is increased, the electromagnetic waves are leaked in the lateral direction from the gap because there is no confinement of the electromagnetic waves in the lateral direction (longitudinal direction of the gap) by the TSVs 101 and 111 in the portion where the gaps are formed. The degree of leakage of the electromagnetic wave is determined by how narrow the arrangement interval in the propagation direction of the electromagnetic wave between the TSV 101 and the TSV 111 located before and after the gap is smaller than the wavelength in the transmission line, as in a general SIW.

ＳＩＷを伝搬する電磁波の伝送線路内波長の１／４よりもギャップ長Ｌgapが大きくなると、電磁波の漏洩がより大きくなる。したがって、電磁波の周波数が高くなるほどＳＩＷを伝搬する伝送線路内波長は小さい。そのため、ギャップ長Ｌgapを固定した場合、扱う電磁波の周波数が高くなるほど漏洩による損失が大きくなる。 When the gap length L gap is larger than 1⁄4 of the transmission line wavelength of the electromagnetic wave propagating through the SIW, the leakage of the electromagnetic wave becomes larger. Therefore, the higher the frequency of the electromagnetic wave, the smaller the wavelength in the transmission line that propagates the SIW. Therefore, when the gap length L gap is fixed, the higher the frequency of the electromagnetic wave to be handled, the larger the loss due to the leakage.

以上説明したように、第１の実施の形態によれば、高周波回路１は、ＭＭＩＣの基板１００と、ＲＦ内装基板である基板１１０との接続部分に、基板１００、１１０それぞれに形成されたＳＩＷの幅（ＴＳＶ１０１、１１１の配置間隔Ｗ1、Ｗ2）に一致する幅Ｗｂを有する接続ブロック１２０が配設されるので、基板１００、１１０間の接続損失を抑えることができる。 As described above, according to the first embodiment, the high frequency circuit 1 is an SIW formed on each of the substrates 100 and 110 at the connection portion between the substrate 100 of the MMIC and the substrate 110 which is the RF interior substrate. Since the connection block 120 having the width Wb that matches the width W1 of the TSVs 101 and 111 (the spacing W 1 and W 2 between the TSVs 101 and 111) is disposed, the connection loss between the substrates 100 and 110 can be suppressed.

また、第１の実施の形態に係る高周波回路１は、基板１００、１１０に形成されたＳＩＷを利用する。ＳＩＷの幅は、マイクロストリップ線路の幅に比べて広いため、実装に用いる接続ブロック１２０の実装トレランスが軽減され、実装コストもボンディングワイヤを用いた従来の接続構造に比べて低減される。   In addition, the high frequency circuit 1 according to the first embodiment uses the SIW formed on the substrates 100 and 110. Since the width of the SIW is wider than the width of the microstrip line, the mounting tolerance of the connection block 120 used for mounting is reduced, and the mounting cost is also reduced compared to the conventional connection structure using bonding wires.

また、第１の実施の形態に係る高周波回路１は、ＭＭＩＣの外部において、ＲＦ内装基板に形成されたＳＩＷを用いたフィルタなどを実装する場合に適用してもよい。これにより、ＭＭＩＣとＲＦ内装基板のＳＩＷを用いるフィルタとの接続損失を抑制することができる。   In addition, the high frequency circuit 1 according to the first embodiment may be applied to the case of mounting a filter or the like using SIW formed on the RF interior substrate outside the MMIC. Thereby, the connection loss between the MMIC and the filter using the SIW of the RF inner substrate can be suppressed.

［変形例］
次に、第１の実施の形態の変形例について説明する。第１の実施の形態では、ＩｎＰなどにより形成された基板１００上のＭＭＩＣと、アルミナなどにより形成された基板１１０とを電気的に接続する場合について説明した。これに対して、第１の実施の形態の変形例では、ＭＭＩＣとＲＦ内装基板との接続ではなく、ＲＦ内装基板同士の接続を行う。 [Modification]
Next, a modification of the first embodiment will be described. In the first embodiment, the case where the MMIC on the substrate 100 formed of InP or the like and the substrate 110 formed of alumina or the like are electrically connected is described. On the other hand, in the modification of the first embodiment, not the connection between the MMIC and the RF interior substrate but the connection between the RF interior substrates is performed.

通常、ＭＭＩＣを実装する際には、ＭＭＩＣとコネクタ、導波管等のインターフェースとの間に多数のＲＦ内装基板を接続することが多く、単一のＲＦ内装基板を用いることは少ない。   Usually, when mounting an MMIC, many RF interior substrates are often connected between the MMIC and interfaces such as connectors and waveguides, and a single RF interior substrate is rarely used.

例えば、ＲＦ内装基板同士の接続に従来のボンディングワイヤを用いた場合には、図１３で説明したように、一接続当たりに大きな接続損失が生ずる。そこで、多数のＲＦ内装基板同士の接続に、第１の実施の形態に係る高周波回路１の接続構造を適用することで、一接続あたりの接続損失が大きく減少するため、全体としての接続損失を大幅に減少できる。   For example, when a conventional bonding wire is used to connect the RF inner substrates, a large connection loss occurs per connection, as described with reference to FIG. Therefore, by applying the connection structure of the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment to the connection of a large number of RF inner substrates, the connection loss per connection is greatly reduced, so the connection loss as a whole is reduced. It can be greatly reduced.

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第１の実施の形態と同じ構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。 Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same components as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

第１の実施の形態では、基板１００、１１０間の接続部分に配設される接続ブロック１２０の幅Ｗｂが、基板１００、１１０のそれぞれに形成されるＳＩＷの幅（ＴＳＶ１０１、１１１の電磁波の伝搬方向に垂直な方向の配置間隔Ｗ1、Ｗ2）に対応した幅Ｗｂである場合について説明した。これに対して、第２の実施の形態では、基板１００側と基板１１０側とで幅の異なる接続ブロック１２０ａ、１２０ｂを用いる。 In the first embodiment, the width Wb of the connection block 120 disposed at the connection portion between the substrates 100 and 110 is the width of the SIW formed on each of the substrates 100 and 110 (propagation of the electromagnetic waves of the TSVs 101 and 111) The case where the width Wb corresponds to the arrangement interval W 1 , W 2 ) in the direction perpendicular to the direction has been described. On the other hand, in the second embodiment, connection blocks 120a and 120b having different widths on the substrate 100 side and the substrate 110 side are used.

より詳細には、図６に示すように、基板１００の上面には、基板１００に形成されたＳＩＷの幅、すなわちＴＳＶ１０１の電磁波の伝搬方向に垂直な方向の配置間隔Ｗ1に一致する幅を有する接続ブロック１２０ａが配設されている。また、基板１１０の上面には、基板１１０に形成されたＳＩＷの幅、すなわちＴＳＶ１１１の電磁波伝搬方向に垂直な方向の配置間隔Ｗ2に一致する幅を有する接続ブロック１２０ｂが配設されている。 More specifically, as shown in FIG. 6, on the upper surface of the substrate 100, the width of SIW which is formed on the substrate 100, i.e., the width that matches the arrangement interval W 1 in a direction perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave TSV101 A connection block 120a is provided. On the upper surface of the substrate 110, the width of SIW which is formed on the substrate 110, i.e. a connection block 120b having a width that matches the arrangement interval W 2 in the direction perpendicular to the electromagnetic wave propagation direction of TSV111 it is disposed.

基板１００側の接続ブロック１２０ａと基板１１０側の接続ブロック１２０ｂは、基板１００、１１０の接続部分において接続されている。なお、接続ブロック１２０ａ、１２０ｂは一体的に形成されていてもよく、別々に形成されていてもよい。   The connection block 120 a on the substrate 100 side and the connection block 120 b on the substrate 110 side are connected at the connection portion of the substrates 100 and 110. The connection blocks 120a and 120b may be integrally formed or separately formed.

基板１００側の接続ブロック１２０ａと基板１１０側の接続ブロック１２０ｂの幅をそれぞれの基板１００、１１０に形成されたＳＩＷの幅に一致させることで、接続ブロック１２０ａ、１２０ｂを伝搬するＳＩＷモードと基板１００、１１０のそれぞれを伝搬するＳＩＷモードとの特性インピーダンスの不整合をなくすことができる。そのため、接続損失がより抑制された高周波回路１ａが実現される。   By matching the widths of the connection block 120 a on the substrate 100 side and the connection block 120 b on the substrate 110 with the widths of the SIWs formed on the respective substrates 100 and 110, the SIW mode for propagating the connection blocks 120 a and 120 b and the substrate 100 , 110 can be eliminated in the characteristic impedance mismatch with the SIW mode propagating through each of the two. Therefore, the high frequency circuit 1a in which connection loss is further suppressed is realized.

［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第１および第２の実施の形態と同じ構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。 Third Embodiment
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same components as those in the first and second embodiments described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

第３の実施の形態では、図７および図８に示すように、基板１００、１１０の接続部分に形成されるギャップにスペーサ１２１が配設される。スペーサ１２１は、例えば、基板１００、１１０間のギャップ長Ｌgapに対応する長さＷｓを有し、接続ブロック１２０の高さｈと一致するような基板１００、１１０に垂直な方向の高さを有する一対の直方体のブロック形状に形成される。 In the third embodiment, as shown in FIGS. 7 and 8, the spacer 121 is disposed in the gap formed in the connection portion of the substrates 100 and 110. The spacer 121 has a length Ws corresponding to, for example, the gap length L gap between the substrates 100 and 110, and has a height in the direction perpendicular to the substrates 100 and 110 that matches the height h of the connection block 120. It is formed in a block shape of a pair of rectangular parallelepipeds having.

スペーサ１２１のそれぞれは、基板１００、１１０間のギャップを埋めるように、接続ブロック１２０を挟んで配置される。なお、図８に示すように、接続ブロック１２０が配設されている基板１００、１１０の接続部分において、接続ブロック１２０の底面と裏面グランド１３０との間には空間が形成されている。また、スペーサ１２１は、接続ブロック１２０と同じ材料で形成されていてもよい。   Each of the spacers 121 is disposed across the connection block 120 so as to fill the gap between the substrates 100 and 110. As shown in FIG. 8, a space is formed between the bottom surface of the connection block 120 and the back surface ground 130 in the connection portion of the substrates 100 and 110 in which the connection block 120 is disposed. Also, the spacer 121 may be formed of the same material as the connection block 120.

本実施の形態に係る高周波回路１ｂの通過特性Ｓ21の計算結果を図９に示す。通過特性の計算においては、ギャップ長Ｌgapが５０［μｍ］のギャップにスペーサ１２１が配設された高周波回路１ｂを仮定した。なお、計算における他の条件は、図５で説明した第１の実施の形態に係る高周波回路１の通過特性Ｓ21の計算と同じ条件を用いた。 The calculation results of the pass characteristic S 21 of the high-frequency circuit 1b according to this embodiment is shown in FIG. In the calculation of the pass characteristic, it is assumed that the high frequency circuit 1b has the spacer 121 disposed in the gap of 50 [μm] in which the gap length L gap is 50 μm. The other conditions in the calculations was used the same conditions as the calculation of the pass characteristic S 21 of the high-frequency circuit 1 according to the first embodiment described in FIG.

図９に示すように、電磁波の周波数が３００−４００［ＧＨｚ］の範囲において、本実施の形態に係る高周波回路１ｂの接続損失は０．８［ｄＢ］以下に抑えられている。   As shown in FIG. 9, the connection loss of the high frequency circuit 1b according to the present embodiment is suppressed to 0.8 [dB] or less in the frequency range of 300 to 400 [GHz] of the electromagnetic wave.

第１の実施の形態に係るスペーサ１２１を有さない高周波回路１の通過特性Ｓ21の計算結果（図５、ギャップ長Ｌgap＝５０［μｍ］の通過特性Ｓ21）と比較して、本実施の形態に係るスペーサ１２１を有する高周波回路１ｂの通過特性Ｓ21はさらに改善されていることがわかる。 Calculation results of the pass characteristic S 21 of the high-frequency circuit 1 having no spacers 121 according to the first embodiment as compared with the (5, passing characteristic S 21 of the gap length L gap = 50 [μm]) , the pass characteristic S 21 of the high-frequency circuit 1b having spacer 121 according to the embodiment can be seen to be further improved.

以上説明したように、第３の実施の形態に係る高周波回路１ｂによれば、基板１００、１１０の接続部に形成されたギャップにスペーサ１２１を配置するので、ギャップの横方向（ギャップの長手方向）への電磁波の漏洩を防ぐことができる。そのため、高周波回路１ｂにおける接続損失をより効果的に抑制することができる。   As described above, according to the high frequency circuit 1b according to the third embodiment, the spacer 121 is disposed in the gap formed in the connection portion between the substrates 100 and 110, so that the lateral direction of the gap (longitudinal direction of the gap Leakage of electromagnetic waves to the Therefore, the connection loss in the high frequency circuit 1b can be more effectively suppressed.

［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第１から第３の実施の形態と同じ構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。 Fourth Embodiment
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. In the following description, the same components as those in the first to third embodiments described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

第１から第３の実施の形態では、基板１００、１１０の接続部分に接続ブロック１２０を用いる場合について説明した。これに対し、本実施の形態では、接続ブロック１２０の代わりに、複数の接続ワイヤ１２２を用いる。   In the first to third embodiments, the case where the connection block 120 is used for the connection portion of the substrates 100 and 110 has been described. On the other hand, in the present embodiment, a plurality of connection wires 122 are used instead of the connection block 120.

図１０は、第４の実施の形態に係る高周波回路１ｃの斜視図である。図１０に示すように、複数の接続ワイヤ１２２の両端は、基板１００、１１０が互いに対向している方向の、基板１００、１１０の上面に配設された表面グランド１０２と表面グランド１１２とにそれぞれ接続される。接続ワイヤ１２２によって、基板１００、１１０それぞれに形成されたＳＩＷが接続される。   FIG. 10 is a perspective view of a high frequency circuit 1c according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 10, both ends of the plurality of connection wires 122 are respectively provided on the surface ground 102 and the surface ground 112 disposed on the upper surface of the substrates 100 and 110 in the direction in which the substrates 100 and 110 are facing each other. Connected The connection wires 122 connect the SIWs formed on the substrates 100 and 110, respectively.

より詳細には、複数の接続ワイヤ１２２は、電磁波の伝搬方向に垂直、かつ、基板１００、１１０に平行な方向に配設され、基板１００、１１０それぞれに形成されたＳＩＷの幅（ＴＳＶ１０１、１１１の配置間隔Ｗ1、Ｗ2）にわたって稠密に配設されている。接続ワイヤ１２２同士の間隔ｓ3は、電磁波の自由空間波長の１／４より小さくなるようにすれば、等価的に、第１から第３の実施の形態に係る接続ブロック１２０と同等の効果、すなわち接続損失の抑制が可能となる。 More specifically, the plurality of connection wires 122 are disposed perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and in a direction parallel to the substrates 100 and 110, and the widths of the SIWs formed on the substrates 100 and 110 (TSVs 101 and 111 respectively). Are densely arranged over the arrangement interval W 1 , W 2 ). Connecting wire 122 between spacing s 3 of, if so smaller than 1/4 of the free space wavelength of the electromagnetic wave, equivalently, the connection block 120 and the same effect according to the first to third embodiments, That is, the connection loss can be suppressed.

なお、複数の接続ワイヤ１２２が配設される基板１００、１１０上のＳＩＷの幅は、例えば、ＳＩＷの幅がより広い、基板１１０が有するＴＳＶ１１１の配置間隔Ｗ2に合わせてもよい。 The width of the SIW on the substrate 100, 110 having a plurality of connecting wires 122 are disposed, for example, the width of the SIW is wider, or in accordance with the arrangement interval W 2 of TSV111 having a substrate 110.

また、接続ワイヤ１２２は、Ａｕなどの材料で形成され、太さａは、例えば、２５［μｍ］のボンディングワイヤを用いればよい。電磁波の伝搬方向における接続ワイヤ１２２の長さは、基板１００、１１０にそれぞれ形成されたＳＩＷを接続するのに十分な長さがあればよい。   The connection wire 122 is formed of a material such as Au, and the thickness a may be, for example, a 25 [μm] bonding wire. The length of the connection wire 122 in the propagation direction of the electromagnetic wave may be long enough to connect the SIWs formed on the substrates 100 and 110, respectively.

図１１は、本実施の形態に係る複数の接続ワイヤ１２２が配設された高周波回路１ｃの通過特性Ｓ21の計算結果を説明する図である。通過特性の計算では、基板１００、１１０間のギャップ長Ｌgapを５０［μｍ］とし、接続ワイヤ１２２が３本配設された場合および５本配設された場合のそれぞれについて計算を行った。 FIG. 11 is a view for explaining calculation results of the passage characteristic S 21 of the high frequency circuit 1 c in which the plurality of connection wires 122 according to the present embodiment are provided. In the calculation of the passage characteristic, the gap length L gap between the substrates 100 and 110 was 50 [μm], and the calculation was performed for each of the case where the three connection wires 122 were disposed and the case where the five connection wires 122 were disposed.

なお、計算において、接続ワイヤ１２２の太さａは２５［μｍ］とし、接続ワイヤ１２２の間隔ｓ3は等間隔とした。その他の計算の条件は、第１の実施の形態で説明した図５の通過特性Ｓ21の計算と同じ条件を用いている。図１１に示すように、接続ワイヤ１２２を５本用いた場合の高周波回路１ｃにおいて、電磁波の周波数が３００［ＧＨｚ］での接続損失は、１．５［ｄＢ］以下となっている。 Incidentally, in the calculation, the thickness a of the connecting wire 122 is set to 25 [[mu] m], interval s 3 of the connecting wire 122 is set to equal intervals. Other calculation conditions are using the same conditions as the calculation of the pass characteristic S 21 of FIG. 5 described in the first embodiment. As shown in FIG. 11, in the high frequency circuit 1c in the case of using five connection wires 122, the connection loss at an electromagnetic wave frequency of 300 GHz is 1.5 dB or less.

図１３で説明した従来の高周波回路２０では、電磁波の周波数が３００［ＧＨｚ］の場合の接続損失が３［ｄＢ］程度である。このことから、本実施の形態に係る接続ワイヤ１２２を用いた高周波回路１ｃは接続ワイヤ１２２の本数が３本の場合、５本の場合ともに接続損失が大きく改善されていることがわかる。   In the conventional high frequency circuit 20 described with reference to FIG. 13, the connection loss in the case where the frequency of the electromagnetic wave is 300 GHz is about 3 dB. From this, it can be seen that, in the high frequency circuit 1c using the connection wire 122 according to the present embodiment, the connection loss is greatly improved in both cases where the number of connection wires 122 is three and five.

以上説明したように、第４の実施の形態によれば、複数の接続ワイヤ１２２が、基板１００、１１０に形成されたＳＩＷの幅にわたって、電磁波の自由空間波長の１／４より小さい間隔ｓ3で基板１００、１１０の接続部分に配設されるので、基板１００、１１０間の接続損失を抑制することができる。 As described above, according to the fourth embodiment, the plurality of connection wires 122 are separated by an interval s 3 smaller than 1⁄4 of the free space wavelength of the electromagnetic wave across the width of the SIW formed on the substrates 100 and 110. Thus, the connection loss between the substrates 100 and 110 can be suppressed.

本実施の形態に係る高周波回路１ｃは、特に、第１から第３の実施の形態で用いた接続ブロック１２０を設計上用いることが困難な場合などに有効である。   The high frequency circuit 1c according to the present embodiment is particularly effective when it is difficult to use the connection block 120 used in the first to third embodiments in design.

以上、本発明の高周波回路における実施の形態について説明したが、本発明は説明した実施の形態に限定されるものではなく、請求項に記載した発明の範囲において当業者が想定し得る各種の変形を行うことが可能である。   As mentioned above, although the embodiment in the high frequency circuit of the present invention was described, the present invention is not limited to the described embodiment, and various modifications which those skilled in the art may conceive within the scope of the invention described in the claims. It is possible to

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、２０…高周波回路、１００、１１０、２００、２１０…基板、１０１、１１１…ＴＳＶ、１０２、１１２…表面グランド、１２０、１２０ａ、１２０ｂ…接続ブロック、１２１…スペーサ、１２２…接続ワイヤ、１３０、２２０…裏面グランド、２０１、２１１…マイクロストリップ線路、２３０…ボンディングワイヤ。   1, 1a, 1b, 1c, 20: high frequency circuit, 100, 110, 200, 210: substrate, 101, 111: TSV, 102, 112: surface ground, 120, 120a, 120b: connection block, 121: spacer, 122 ... connection wire, 130, 220 ... back surface ground, 201, 211 ... microstrip line, 230 ... bonding wire.

Claims (5)

第１の基板集積導波管が形成された第１の基板と、
第２の基板集積導波管が形成された第２の基板と、
前記第１の基板集積導波管と前記第２の基板集積導波管とを接続する金属部材と、
を備え、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記第１の基板集積導波管の電磁波の伝搬方向と、前記第２の基板集積導波管の電磁波の伝搬方向とが一致するように配置され、
前記金属部材は、前記第１の基板の第１の面に形成されて前記第１の基板集積導波管を構成する金属層と、前記第２の基板の第１の面に形成されて前記第２の基板集積導波管を構成する金属層とにまたがって配設される
ことを特徴とする高周波回路。 A first substrate on which a first substrate integrated waveguide is formed;
A second substrate on which a second substrate integrated waveguide is formed;
A metal member connecting the first substrate integrated waveguide and the second substrate integrated waveguide;
Equipped with
In the first substrate and the second substrate, the propagation direction of the electromagnetic waves in the first substrate integrated waveguide and the propagation direction of the electromagnetic waves in the second substrate integrated waveguide coincide with each other. Placed
The metal member is formed on a first surface of the first substrate to form a metal layer forming the first integrated waveguide, and is formed on a first surface of the second substrate. A high frequency circuit characterized in that it is disposed straddling a metal layer constituting a second substrate integrated waveguide. 請求項１に記載の高周波回路において、
前記金属部材は、直方体形状に形成された接続ブロックであり、
前記接続ブロックの幅は、前記第１の基板集積導波管の幅または前記第２の基板集積導波管の幅に一致し、
前記接続ブロックの幅、前記第１の基板集積導波管の幅、および前記第２の基板集積導波管の幅は、電磁波の前記伝搬方向に垂直、かつ、前記第１の基板および前記第２の基板に平行な方向の長さであることを特徴とする高周波回路。 In the high frequency circuit according to claim 1,
The metal member is a connection block formed in a rectangular parallelepiped shape,
The width of the connection block corresponds to the width of the first substrate integrated waveguide or the width of the second substrate integrated waveguide,
The width of the connection block, the width of the first substrate integrated waveguide, and the width of the second substrate integrated waveguide are perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and are the first substrate and the first. 2. A high frequency circuit characterized by having a length in a direction parallel to the two substrates. 請求項２に記載の高周波回路において、
前記接続ブロックの前記第１の基板側の幅は、前記第１の基板集積導波管の幅に一致し、
前記接続ブロックの前記第２の基板側の幅は、前記第２の基板集積導波管の幅に一致し、
前記接続ブロックの幅、前記第１の基板集積導波管の幅、および前記第２の基板集積導波管の幅は、電磁波の前記伝搬方向に垂直、かつ、前記第１の基板および前記第２の基板に平行な方向の長さであることを特徴とする高周波回路。 In the high frequency circuit according to claim 2,
The width on the first substrate side of the connection block corresponds to the width of the first substrate integration waveguide,
The width on the second substrate side of the connection block corresponds to the width of the second substrate integration waveguide,
The width of the connection block, the width of the first substrate integrated waveguide, and the width of the second substrate integrated waveguide are perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and are the first substrate and the first. 2. A high frequency circuit characterized by having a length in a direction parallel to the two substrates. 請求項２または請求項３に記載の高周波回路において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた一対のスペーサをさらに備え、
前記一対のスペーサのそれぞれは、前記接続ブロックを挟んで配設されている
ことを特徴とする高周波回路。 In the high frequency circuit according to claim 2 or claim 3,
It further comprises a pair of spacers provided between the first substrate and the second substrate,
Each of the pair of spacers is disposed to sandwich the connection block. 請求項１に記載の高周波回路において、
前記金属部材は複数の接続ワイヤであり、
前記複数の接続ワイヤは、電磁波の前記伝搬方向に垂直、かつ、前記第１の基板および前記第２の基板に平行な方向に配設され、
前記複数の接続ワイヤは、前記第１の基板集積導波管の幅または前記第２の基板集積導波管の幅にわたって配設されている
ことを特徴とする高周波回路。 In the high frequency circuit according to claim 1,
The metal member is a plurality of connection wires,
The plurality of connection wires are disposed perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic wave and in a direction parallel to the first substrate and the second substrate.
The high frequency circuit according to claim 1, wherein the plurality of connection wires are disposed across the width of the first substrate integrated waveguide or the width of the second substrate integrated waveguide.
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