JP2019091401A - Detecting device and display device - Google Patents

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Abstract

To provide a detecting device and a display device which can satisfactorily carry out touch detection and hover detection.SOLUTION: A detecting device has a substrate, a plurality of detection electrodes, a driving circuit, a plurality of pieces of wiring, a plurality of analog front ends, and a multiplexer. The plurality of detection electrodes are disposed, in a sensor region of the substrate, in a matrix fashion in a first direction and a second direction perpendicular to the first direction. The plurality of pieces of wiring are electrically connected to the plurality of detection electrodes, respectively. Each of the plurality of pieces of wiring is extended along the second direction. The plurality of pieces of wiring are disposed in parallel so as to cross the first direction. The analog front end receives, from the detection electrode, a detection signal in response to a change in capacity of the detection electrode caused when a drive signal is supplied to a detection electrode. The multiplexer is connected to one detection electrode through one wiring and can change the number of wiring simultaneously electrically connected to one analog front end.SELECTED DRAWING: Figure 13

Description

本発明は、検出装置及び表示装置に関する。   The present invention relates to a detection device and a display device.

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている(例えば、特許文献1参照)。このような表示装置において、操作者の手指の画面への接触を検出するタッチ検出機能に加え、画面に手指が触れていない状態でその手指の近接状態やジェスチャ等を検出するホバー検出(近接検出)の機能が知られている。   In recent years, a touch detection device capable of detecting an external proximity object, which is called a so-called touch panel, has attracted attention. The touch panel is mounted or integrated on a display device such as a liquid crystal display device, and used as a display device with a touch detection function (see, for example, Patent Document 1). In such a display device, in addition to a touch detection function for detecting a touch of the operator's finger on the screen, hover detection (proximity detection for detecting a proximity state or a gesture or the like when the finger is not touching the screen) ) Is known.

特開2009−244958号公報JP, 2009-244958, A 特開2017−059262号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2017-0592262

タッチ検出とホバー検出とでは検出対象となる手指等の被検出体と検出電極との距離や、それに伴う要求感度が大きく異なる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのままホバー検出に採用すると、良好にホバー検出を行うことが困難となる可能性がある。   In touch detection and hover detection, the distance between a detection object such as a finger to be detected and a detection electrode to be detected and the required sensitivity associated therewith are largely different. Therefore, if the electrode for touch detection and the drive configuration are adopted as they are for hover detection, it may be difficult to perform hover detection well.

本発明は、タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことが可能な検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a detection device and a display device capable of favorably performing touch detection and hover detection.

一態様の検出装置は、基板と、前記基板のセンサ領域において、第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向に行列状に配列された複数の検出電極と、前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、複数の前記検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、1つの前記検出電極に1つの前記配線を介して接続され、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、複数の前記配線のそれぞれは、前記第2方向に沿って延在し、複数の前記配線は、前記第1方向に亘って並んで配置される。   The detection device according to one aspect includes a substrate, a plurality of detection electrodes arranged in a matrix in a first direction and a second direction intersecting the first direction in a sensor region of the substrate, and a drive signal to the detection electrodes. And a plurality of wirings electrically connected to each of the plurality of detection electrodes, and a detection signal corresponding to a change in capacitance of the detection electrodes when the drive signal is supplied. The number of wires electrically connected to one analog front end can be changed by connecting the analog front end received from the detection electrode and the one detection electrode via the one wire And the plurality of wirings extend along the second direction, and the plurality of wirings are arranged side by side along the first direction.

他の態様の表示装置は、検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え、前記表示領域と重畳する領域に、前記検出電極が設けられ、前記検出装置は、基板と、前記基板のセンサ領域において、第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向に行列状に配列された複数の検出電極と、前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、前記複数の検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、1つの前記検出電極に1つの前記配線を介して接続され、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、前記複数の配線のそれぞれは、前記第2方向に沿って延在し、前記複数の配線は、前記第1方向に亘って並んで配置される。   A display device according to another aspect includes a display device including a detection device and a display region, the detection electrode is provided in a region overlapping with the display region, the detection device includes a substrate, and the substrate. A plurality of detection electrodes arranged in a matrix in a first direction and a second direction intersecting the first direction, a drive circuit for supplying a drive signal to the detection electrodes, and the plurality of detection electrodes And an analog front end that receives from the detection electrode a plurality of wires electrically connected to each of the plurality of wirings, and a detection signal corresponding to a change in capacitance of the detection electrode when the drive signal is supplied. A multiplexer connected to one of the detection electrodes via one of the wires and capable of changing the number of wires electrically connected simultaneously to one of the analog front ends; For example, each of the plurality of wires extends along said second direction, said plurality of wires are arranged side by side over the first direction.

図1は、実施形態1に係る検出装置及び表示装置の一構成例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a detection device and a display device according to the first embodiment. 図2は、検出回路の一構成例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a detection circuit. 図3は、自己静電容量方式の検出の基本原理を説明するための、存在状態を表す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing an existing state for explaining the basic principle of self-capacitance detection. 図4は、自己静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a drive signal of self-capacitance detection and a waveform of the detection signal. 図5は、実施形態1の検出装置及び表示装置の概略断面構造を表す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of the detection device and the display device of the first embodiment. 図6は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。FIG. 6 is a plan view schematically showing an array substrate. 図7は、実施形態1に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing the pixel arrangement of the display area according to the first embodiment. 図8は、検出電極の配置例を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing an arrangement example of detection electrodes. 図9は、実施形態1に係るホバー検出の一例を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of an example of hover detection according to the first embodiment. 図10は、実施形態1に係るホバー検出の他の例を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of another example of the hover detection according to the first embodiment. 図11は、検出電極と、被検出体との位置関係を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing the positional relationship between the detection electrode and the detection subject. 図12は、検出電極と、被検出体との距離に応じた容量について説明するための説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram for describing a capacitance according to the distance between the detection electrode and the detection subject. 図13は、検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。FIG. 13 is a plan view schematically showing the relationship between the detection electrode and the connection circuit. 図14は、接続回路を説明するための説明図である。FIG. 14 is an explanatory view for explaining a connection circuit. 図15は、図13に示すマルチプレクサの具体的な構成を説明するための説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram for describing a specific configuration of the multiplexer shown in FIG. 図16Aは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 16A is an explanatory diagram for describing a state in which detection electrodes to which a drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図16Bは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 16B is an explanatory diagram for describing a state in which detection electrodes to which a drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図16Cは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 16C is an explanatory diagram for describing a state in which the detection electrodes to which the drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図16Dは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 16D is an explanatory diagram for describing a state in which detection electrodes to which a drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図17は、実施形態1に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。FIG. 17 is a timing waveform chart showing an operation example of the display device according to the first embodiment. 図18は、複数の検出電極が1つのアナログフロントエンドに接続された状態の接続回路を説明するための説明図である。FIG. 18 is an explanatory view for explaining a connection circuit in a state where a plurality of detection electrodes are connected to one analog front end. 図19は、検出電極ブロックを説明するための説明図である。FIG. 19 is an explanatory view for explaining a detection electrode block. 図20は、実施形態1に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。FIG. 20 is a flowchart illustrating an operation example of the display device according to the first embodiment. 図21は、検出電極ブロックと信号強度との関係を模式的に示すグラフである。FIG. 21 is a graph schematically showing the relationship between the detection electrode block and the signal strength. 図22は、実施形態2に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。FIG. 22 is a flowchart illustrating an operation example of the display device according to the second embodiment. 図23は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 23 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the detection electrode connected to the analog front end. 図24は、検出電極が4×4で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。FIG. 24 is an explanatory view for explaining an analog front end to which each detection electrode block is connected when the detection electrodes are electrically bundled in 4 × 4 to constitute the detection electrode block. 図25は、検出電極が2×2で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。FIG. 25 is an explanatory view for explaining an analog front end to which each detection electrode block is connected when the detection electrodes are electrically bundled in 2 × 2 to constitute the detection electrode block. 図26Aは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 26A is an explanatory diagram for describing a state in which detection electrodes to which a drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図26Bは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 26B is an explanatory diagram for describing a state in which the detection electrodes to which the drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図26Cは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 26C is an explanatory diagram for describing a state in which the detection electrodes to which the drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図26Dは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。FIG. 26D is an explanatory diagram for describing a state in which detection electrodes to which a drive signal for detection is supplied are sequentially switched. 図27は、実施形態3に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。FIG. 27 is a flowchart illustrating an operation example of the display device according to the third embodiment. 図28は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 28 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the detection electrode connected to the analog front end. 図29は、実施形態3の変形例に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。FIG. 29 is a flowchart illustrating an operation example of a display device according to a modification of the third embodiment. 図30は、実施形態3の変形例において、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 30 is a schematic explanatory view for explaining changes in the state of detection electrodes connected to the analog front end in the modification of the third embodiment. 図31は、タッチ検出を行う領域の一例を示す説明図である。FIG. 31 is an explanatory diagram of an example of an area where touch detection is performed. 図32は、実施形態4のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 32 is a schematic explanatory view for explaining changes in the state of detection electrodes connected to the analog front end of the fourth embodiment. 図33は、実施形態4の接続回路を説明するための説明図である。FIG. 33 is an explanatory diagram for explaining the connection circuit of the fourth embodiment. 図34は、2×2束ねホバー検出において、実施形態4の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 34 is a schematic explanatory view for explaining a change in the connection circuit of the fourth embodiment in the 2 × 2 bundle hover detection. 図35は、検出電極が順次切り替わる第1状態において、実施形態4の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 35 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the connection circuit of the fourth embodiment in the first state in which the detection electrodes are sequentially switched. 図36は、実施形態5のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 36 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the detection electrode connected to the analog front end of the fifth embodiment. 図37は、実施形態5の接続回路を説明するための説明図である。FIG. 37 is an explanatory diagram for explaining a connection circuit of the fifth embodiment. 図38は、検出電極が順次切り替わる第2状態において、実施形態5の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 38 is a schematic explanatory diagram for describing changes in the state of the connection circuit of the fifth embodiment in the second state in which the detection electrodes are sequentially switched. 図39は、2×2束ねホバー検出において、実施形態5の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 39 is a schematic explanatory view for explaining changes in the connection circuit of the fifth embodiment in the 2 × 2 bundle hover detection. 図40は、検出電極が順次切り替わる第1状態において、実施形態5の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。FIG. 40 is a schematic explanatory view for explaining changes in the connection circuit of the fifth embodiment in the first state in which the detection electrodes are sequentially switched. 図41は、実施形態6に係る検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。FIG. 41 is a plan view schematically showing the relationship between the detection electrode and the connection circuit according to the sixth embodiment.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。   A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited by the contents described in the following embodiments. Further, the components described below include those which can be easily conceived by those skilled in the art and those which are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. The disclosure is merely an example, and it is naturally included within the scope of the present disclosure as to what can be easily conceived of by those skilled in the art as to appropriate changes while maintaining the gist of the present disclosure. In addition, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, etc. of each portion in comparison with the actual embodiment in order to clarify the description, but this is merely an example, and the interpretation of the present disclosure It is not limited. Further, in the present disclosure and the respective drawings, the same components as those described above with reference to the drawings in the drawings may be denoted by the same reference numerals, and the detailed description may be appropriately omitted.

(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る検出装置及び表示装置の一構成例を示すブロック図である。図2は、検出回路の一構成例を示すブロック図である。図1に示すように、表示装置1は、表示パネル10と、制御回路11と、検出回路40とを備えている。表示パネル10は、画像を表示する表示領域20と、タッチ入力を検出する検出装置に含まれるセンサ領域30とを含む。図1及び図2に示すブロック図は、概念的に構成を説明するものであり、他の構成としてもよい。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a detection device and a display device according to the first embodiment. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a detection circuit. As shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display panel 10, a control circuit 11, and a detection circuit 40. The display panel 10 includes a display area 20 for displaying an image, and a sensor area 30 included in a detection device for detecting a touch input. The block diagrams shown in FIGS. 1 and 2 conceptually illustrate the configuration, and may be other configurations.

表示パネル10は、表示領域20とセンサ領域30とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル10において、表示領域20の電極や基板等の部材の一部が、センサ領域30の電極や基板等に兼用される。   The display panel 10 is a display device in which the display area 20 and the sensor area 30 are integrated. Specifically, in the display panel 10, a part of a member such as an electrode of the display area 20 or a substrate is also used as an electrode or a substrate of the sensor area 30.

表示領域20は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示領域20は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示領域20は、映像信号の入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示領域20は、例えば、有機EL表示パネルであってもよい。   The display area 20 uses a liquid crystal display element as a display element. The display area 20 includes a plurality of pixels having a display element and has a display surface facing the plurality of pixels. Further, the display area 20 receives an input of a video signal and displays an image consisting of a plurality of pixels on the display surface. The display area 20 may be, for example, an organic EL display panel.

表示パネル10は、さらに接続回路18を備える。接続回路18は、センサ領域30と検出回路40との間に設けられる。接続回路18は、制御回路11から供給される制御信号Vsc1、Vsc2に基づいて、検出駆動の対象となる検出電極DEと検出回路40との接続と遮断とを切り換える回路である。接続回路18は、後述するアナログフロントエンドSCを有している。   The display panel 10 further includes a connection circuit 18. The connection circuit 18 is provided between the sensor area 30 and the detection circuit 40. The connection circuit 18 is a circuit that switches connection and disconnection between the detection electrode DE to be detected and driven and the detection circuit 40 based on the control signals Vsc1 and Vsc2 supplied from the control circuit 11. The connection circuit 18 has an analog front end SC described later.

制御回路11は、ゲートドライバ12、ソースドライバ13及び駆動回路14を備える。制御回路11は、外部より供給された映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、駆動回路14、接続回路18及び検出回路40に制御信号を供給して、表示動作と検出動作を制御する回路である。   The control circuit 11 includes a gate driver 12, a source driver 13 and a drive circuit 14. The control circuit 11 supplies control signals to the gate driver 12, the source driver 13, the drive circuit 14, the connection circuit 18 and the detection circuit 40 based on the video signal Vdisp supplied from the outside, thereby performing display operation and detection operation. It is a circuit to control.

ゲートドライバ12は、制御回路11から供給される制御信号に基づいて、表示パネル10の表示駆動の対象となる1水平ラインに走査信号Vscanを供給する。これにより、表示駆動の対象となる1水平ラインが順次又は同時に選択される。   The gate driver 12 supplies a scanning signal Vscan to one horizontal line to be subjected to display driving of the display panel 10 based on a control signal supplied from the control circuit 11. Thereby, one horizontal line to be displayed and driven is sequentially or simultaneously selected.

ソースドライバ13は、表示領域20の、各副画素SPix(図7参照)に画素信号Vpixを供給する回路である。ソースドライバ13の機能の一部は、表示パネル10に搭載されていてもよい。この場合、制御回路11が画素信号Vpixを生成し、この画素信号Vpixをソースドライバ13に供給してもよい。   The source driver 13 is a circuit that supplies the pixel signal Vpix to each sub-pixel SPix (see FIG. 7) in the display area 20. Some of the functions of the source driver 13 may be mounted on the display panel 10. In this case, the control circuit 11 may generate the pixel signal Vpix and supply the pixel signal Vpix to the source driver 13.

駆動回路14は、表示パネル10の検出電極DEに表示用の駆動信号VCOMを供給する回路である。また、駆動回路14は、接続回路18を介して、表示パネル10の共通電極となる検出電極DEに、駆動信号Vselfを供給する。   The drive circuit 14 is a circuit that supplies a drive signal VCOM for display to the detection electrodes DE of the display panel 10. Further, the drive circuit 14 supplies a drive signal Vself to the detection electrode DE to be a common electrode of the display panel 10 through the connection circuit 18.

本実施形態において、制御回路11は、表示領域20により表示を行う表示モードと、センサ領域30において被検出体を検出する検出モードとを時分割で行う。制御回路11は、検出モードとして、タッチ検出(第1検出モード)とホバー検出(第2検出モード)との2つの検出モードを有する。あるいは、第1検出モード及び第2検出モードは、自己静電容量方式の検出モードである。本開示において、タッチ検出は、被検出体が検出面又は表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態(以下、「接触状態」と表す)において、被検出体の位置を検出することを表す。また、ホバー検出は、被検出体が検出面又は表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態(以下、「非接触状態」と表す)において、被検出体の位置や動きを検出することを表す。また、検出面又は表示面に対向する位置に被検出体が存在しない場合、又はホバー検出において被検出体を検出できない程度に被検出体が表示面から離れている状態を「非存在状態」と表す。また、検出面又は表示面に対向する位置に被検出体が存在する場合、又はホバー検出において被検出体を検出できる程度に被検出体が表示面から離れている状態を「存在状態」と表す。   In the present embodiment, the control circuit 11 performs a display mode in which display is performed by the display area 20 and a detection mode in which an object to be detected is detected in the sensor area 30 in a time division manner. The control circuit 11 has two detection modes of touch detection (first detection mode) and hover detection (second detection mode) as detection modes. Alternatively, the first detection mode and the second detection mode are self-capacitance detection modes. In the present disclosure, the touch detection detects the position of the detection object in a state in which the detection object is in contact with the detection surface or the display surface or in a state close enough to view as contact (hereinafter referred to as “contact state”). Represents to do. In addition, the hover detection is a state in which the detected body is not in contact with the detection surface or the display surface, or in a state in which the detected body is not close enough to view as contact (hereinafter referred to as “non-contact state”). Represents detecting the position or movement of In addition, when there is no detected object at a position facing the detection surface or display surface, or when the detected object is separated from the display surface to such an extent that the detected object can not be detected in hover detection, Represent. In addition, when an object to be detected exists at a position facing the detection surface or the display surface, or a state in which the object to be detected is separated from the display surface to such an extent that the object can be detected in hover detection .

センサ領域30のタッチセンサは、自己静電容量方式による被検出体の検出基本原理に基づいて、表示パネル10の検出面又は表示面に接触又は近接した被検出体の位置を検出する機能を含む。表示パネル10は、被検出体の接触又は近接を検出した場合、検出信号Vdetを検出回路40に出力する。   The touch sensor of the sensor area 30 includes a function of detecting the position of the detection object in contact with or in proximity to the detection surface or the display surface of the display panel 10 based on the detection principle of the detection object by the self-capacitance method. . The display panel 10 outputs a detection signal Vdet to the detection circuit 40 when the touch or proximity of the detection target is detected.

接続回路18は、検出回路40と検出電極DEとの間の接続と遮断とを切り換える。これにより、タッチ検出では、検出電極DEが個別に検出回路40に接続され、ホバー検出では、複数の検出電極DEが検出電極ブロックDEB(図6参照)としてまとめて検出回路40に接続される。また、検出電極DEから出力された検出信号Vdetは、接続回路18を介して、検出回路40に供給される。   The connection circuit 18 switches connection and disconnection between the detection circuit 40 and the detection electrode DE. Thereby, in the touch detection, the detection electrodes DE are individually connected to the detection circuit 40, and in the hover detection, the plurality of detection electrodes DE are collectively connected to the detection circuit 40 as a detection electrode block DEB (see FIG. 6). The detection signal Vdet output from the detection electrode DE is supplied to the detection circuit 40 via the connection circuit 18.

検出回路40は、自己静電容量方式のタッチ検出において、駆動回路14から供給される駆動信号Vselfと、表示パネル10から出力される検出信号Vdetとに基づいて、表示パネル10の表示面を検出面として、検出面に近づいた被検出体を検出する回路である。検出回路40は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。   Detection circuit 40 detects the display surface of display panel 10 based on drive signal Vself supplied from drive circuit 14 and detection signal Vdet output from display panel 10 in self-capacitive touch detection. It is a circuit which detects the to-be-detected body which approached the detection surface as a surface. When there is a touch, the detection circuit 40 obtains coordinates at which a touch input is performed.

図2に示すように、検出回路40は、A/D変換回路43と、信号処理回路44と、座標抽出回路45と、検出タイミング制御回路46と、を備える。検出タイミング制御回路46は、駆動回路14から供給される制御信号に基づいて、A/D変換回路43と、信号処理回路44と、座標抽出回路45とが同期して動作するように制御する。   As shown in FIG. 2, the detection circuit 40 includes an A / D conversion circuit 43, a signal processing circuit 44, a coordinate extraction circuit 45, and a detection timing control circuit 46. The detection timing control circuit 46 controls the A / D conversion circuit 43, the signal processing circuit 44, and the coordinate extraction circuit 45 to operate in synchronization on the basis of the control signal supplied from the drive circuit 14.

駆動回路14は、接続回路18(図1参照)のアナログフロントエンドSCを介して、後述する検出電極DEに、駆動信号Vselfを供給する。検出回路40は、アナログフロントエンドSCを介して、後述する検出電極DEからの検出信号Vdetを供給される。アナログフロントエンドSCは、供給された検出信号Vdetのノイズを抑制し、信号成分を増幅するなど信号調整を行う。A/D変換回路43は、駆動信号Vselfに同期したタイミングで、アナログフロントエンドSCから出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。   The drive circuit 14 supplies a drive signal Vself to a detection electrode DE described later via the analog front end SC of the connection circuit 18 (see FIG. 1). The detection circuit 40 is supplied with a detection signal Vdet from a detection electrode DE to be described later via the analog front end SC. The analog front end SC suppresses noise of the supplied detection signal Vdet, and performs signal adjustment such as amplifying a signal component. The A / D conversion circuit 43 samples each analog signal output from the analog front end SC and converts it into a digital signal at a timing synchronized with the drive signal Vself.

信号処理回路44は、A/D変換回路43の出力信号に基づいて、表示パネル10に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路44は、指による検出信号の差分の信号(絶対値|ΔV|)を取り出す処理を行う。信号処理回路44は、絶対値|ΔV|を所定の閾値電圧と比較し、この絶対値|ΔV|が閾値電圧未満であれば、被検出体が非存在状態であると判断する。一方、信号処理回路44は、絶対値|ΔV|が閾値電圧以上であれば、被検出体の存在状態と判断する。このようにして、検出回路40はタッチ検出又はホバー検出が可能となる。   The signal processing circuit 44 is a logic circuit that detects the presence or absence of a touch on the display panel 10 based on the output signal of the A / D conversion circuit 43. The signal processing circuit 44 performs processing for extracting a signal (absolute value | ΔV |) of a difference between detection signals of the finger. The signal processing circuit 44 compares the absolute value | ΔV | with a predetermined threshold voltage, and if the absolute value | ΔV | is less than the threshold voltage, it determines that the object to be detected is absent. On the other hand, when the absolute value | ΔV | is equal to or higher than the threshold voltage, the signal processing circuit 44 determines that the detection object is present. Thus, the detection circuit 40 can perform touch detection or hover detection.

座標抽出回路45は、信号処理回路44において被検出体が検出されたときに、被検出体の座標を求める論理回路である。座標抽出回路45は、被検出体の座標を出力信号Voutとして出力する。座標抽出回路45は、出力信号Voutを制御回路11に出力してもよい。制御回路11は出力信号Voutに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。   The coordinate extraction circuit 45 is a logic circuit that obtains the coordinates of the detection object when the signal detection circuit 44 detects the detection object. The coordinate extraction circuit 45 outputs the coordinates of the object to be detected as an output signal Vout. The coordinate extraction circuit 45 may output the output signal Vout to the control circuit 11. The control circuit 11 can execute a predetermined display operation or detection operation based on the output signal Vout.

なお、検出回路40のA/D変換回路43と、信号処理回路44と、座標抽出回路45と、検出タイミング制御回路46とは、表示装置1に搭載される。ただし、これに限定されず、検出回路40の全部又は一部の機能は外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出回路45は、表示装置1とは別の外部のプロセッサに搭載されており、検出回路40は、信号処理回路44が信号処理した信号を出力信号Voutとして出力してもよい。   The A / D conversion circuit 43 of the detection circuit 40, the signal processing circuit 44, the coordinate extraction circuit 45, and the detection timing control circuit 46 are mounted on the display device 1. However, the present invention is not limited to this, and all or part of the functions of the detection circuit 40 may be mounted on an external processor or the like. For example, the coordinate extraction circuit 45 may be mounted on an external processor other than the display device 1, and the detection circuit 40 may output the signal processed by the signal processing circuit 44 as the output signal Vout.

表示パネル10は、静電容量型のタッチ検出の基本原理に基づいたタッチ制御がなされる。ここで、図3及び図4を参照して、本実施形態の表示パネル10の自己静電容量方式による被検出体の検出基本原理について説明する。図3は、自己静電容量方式の検出の基本原理を説明するための、存在状態を表す説明図である。図4は、自己静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図3は、検出回路を併せて示している。なお、以下の説明では、被検出体が指の場合を説明するが、被検出体は、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。   The display panel 10 is subjected to touch control based on the basic principle of capacitive touch detection. Here, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, the basic principle of detection of an object to be detected by the self-capacitance method of the display panel 10 of the present embodiment will be described. FIG. 3 is an explanatory view showing an existing state for explaining the basic principle of self-capacitance detection. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a drive signal of self-capacitance detection and a waveform of the detection signal. FIG. 3 also shows a detection circuit. In addition, although the case where a to-be-detected body is a finger is demonstrated in the following description, a to-be-detected body is not restricted to a finger, For example, an object containing conductors, such as a stylus pen, may be sufficient.

非存在状態において、検出電極E1に所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)の交流矩形波Sgが印加される。検出電極E1は、静電容量C1を有しており、静電容量C1に応じた電流が流れる。電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(実線の波形V(図4参照))に変換する。 In the absence state, an alternating current rectangular wave Sg having a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundreds kHz) is applied to the detection electrode E1. The detection electrode E1 has a capacitance C1, and a current corresponding to the capacitance C1 flows. The voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the AC rectangular wave Sg into the fluctuation of the voltage (waveform V 0 in solid line (see FIG. 4)).

次に、図3に示すように、被検出体の存在状態において、指と検出電極E1との間の静電容量C2が、検出電極E1の静電容量C1に加わる。したがって、検出電極E1に交流矩形波Sgが印加されると、静電容量C1及び静電容量C2に応じた電流が流れる。図4に示すように、電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(点線の波形V)に変換する。そして、波形Vと波形Vとの差分の絶対値|ΔV|に基づいて、被検出体の存在が測定される。 Next, as shown in FIG. 3, in the presence state of the detection subject, a capacitance C2 between the finger and the detection electrode E1 is added to the capacitance C1 of the detection electrode E1. Therefore, when the AC rectangular wave Sg is applied to the detection electrode E1, a current flows according to the electrostatic capacitance C1 and the electrostatic capacitance C2. As shown in FIG. 4, the voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the AC rectangular wave Sg into the fluctuation of the voltage (waveform V 1 of a dotted line). Then, the presence of the object to be detected is measured based on the absolute value | ΔV | of the difference between the waveform V 0 and the waveform V 1 .

具体的には、図4において、時刻T01のタイミングで交流矩形波Sgは電圧Vに相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチSW1はオンとなりスイッチSW2はオフとなるため検出電極E1の電位も電圧Vに上昇する。次に時刻T11のタイミングの前にスイッチSW1をオフとする。このとき検出電極E1はフローティング状態であるが、検出電極E1の静電容量C1(又はC1+C2、図3参照)によって、検出電極E1の電位はVが維持される。さらに、時刻T11のタイミングの前に電圧検出器DETのリセット動作が行われる。 Specifically, in FIG. 4, the AC rectangular wave Sg at time T 01 rises to a voltage level corresponding to the voltage V 2. At this time, the switch SW1 is a switch SW2 turned on is also the potential of the detection electrodes E1 to become off rises to voltage V 2. Then to turn off the switch SW1 in front of the timing of time T 11. In this case although the detection electrodes E1 are in a floating state, the capacitance C1 (or C1 + C2, see Fig. 3) of the detection electrodes E1, the potential of the detection electrodes E1 are V 2 is maintained. Furthermore, the reset operation of the voltage detector DET prior to a timing of time T 11 is performed.

続いて、時刻T11のタイミングでスイッチSW2をオンさせると、検出電極E1の静電容量C1(又はC1+C2)に蓄積されていた電荷が電圧検出器DET内の容量C3に移動するため、電圧検出器DETの出力が上昇する(図4の検出信号Vdet参照)。電圧検出器DETの出力(検出信号Vdet)は、非存在状態では、実線で示す波形Vとなり、Vdet=C1×V/C3となる。存在状態では、点線で示す波形Vとなり、Vdet=(C1+C2)×V/C3となる。 Subsequently, when turning on the switch SW2 at time T 11, since the electrostatic capacitance C1 (or C1 + C2) in stored charge of the detection electrodes E1 moves to the capacitor C3 in the voltage detector DET, the voltage detection The output of the device DET rises (see the detection signal Vdet in FIG. 4). The output of the voltage detector DET (detection signal Vdet), in the absence state, next waveform V 0 shown by a solid line, and Vdet = C1 × V 2 / C3 . In the presence state, next waveform V 1 indicated by a dotted line, and Vdet = (C1 + C2) × V 2 / C3.

その後、時刻T31のタイミングでスイッチSW2をオフさせ、スイッチSW1及びスイッチSW3をオンさせることにより、検出電極E1の電位を交流矩形波Sgと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器DETをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数(例えば数kHz〜数百kHz程度)で繰り返す。このようにして、検出回路40は自己静電容量方式による被検出体の検出基本原理に基づいて、被検出体の存在状態が検出可能となる。 Then, turn off the switch SW2 at time T 31, by turning on the switch SW1 and the switch SW3, the reset voltage detector DET with the potential of the detection electrodes E1 to the low level of the AC rectangular wave Sg same potential Let The above operation is repeated at a predetermined frequency (for example, about several kHz to several hundreds kHz). In this manner, the detection circuit 40 can detect the presence state of the detection subject based on the basic principle of detection of the detection subject according to the self-capacitance method.

次に、本実施形態の表示装置1の構成例を詳細に説明する。図5は、実施形態1の検出装置及び表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図5に示すように、表示パネル10は、アレイ基板2と、対向基板3と、表示機能層としての液晶層6とを備える。対向基板3は、アレイ基板2の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層6はアレイ基板2と対向基板3との間に設けられる。   Next, a configuration example of the display device 1 of the present embodiment will be described in detail. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a schematic cross-sectional structure of the detection device and the display device of the first embodiment. As shown in FIG. 5, the display panel 10 includes an array substrate 2, an opposing substrate 3, and a liquid crystal layer 6 as a display function layer. The opposing substrate 3 is disposed to face the surface of the array substrate 2 in the direction perpendicular thereto. Further, the liquid crystal layer 6 is provided between the array substrate 2 and the counter substrate 3.

アレイ基板2は、第1基板21と、画素電極22と、検出電極DEと、絶縁層24と、偏光板35Bとを有する。第1基板21には、ゲートドライバ12に含まれるゲートスキャナ等の回路や、TFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子や、ゲート線GCL、信号線SGL等の各種配線(図7では図示を省略する)が設けられる。   The array substrate 2 has a first substrate 21, a pixel electrode 22, a detection electrode DE, an insulating layer 24, and a polarizing plate 35B. The first substrate 21 includes circuits such as a gate scanner included in the gate driver 12, switching elements such as TFT (Thin Film Transistor), and various wirings such as gate lines GCL and signal lines SGL (not shown in FIG. 7). ) Is provided.

検出電極DEは、第1基板21の上側に設けられる。また、画素電極22は、絶縁層24を介して検出電極DEの上側に設けられ、平面視でマトリクス状に複数配置される。画素電極22は、表示パネル10の各画素Pix(図7参照)を構成する副画素SPixに対応して設けられ、表示動作を行うための画素信号Vpixが供給される。また、検出電極DEは、表示動作の際に表示用の駆動信号VCOMが供給され、複数の画素電極22に対する共通電極として機能する。偏光板35Bは、第1基板21の下側に設けられる。   The detection electrode DE is provided on the upper side of the first substrate 21. Further, the pixel electrodes 22 are provided on the upper side of the detection electrode DE via the insulating layer 24, and a plurality of the pixel electrodes 22 are arranged in a matrix in plan view. The pixel electrode 22 is provided corresponding to the sub-pixel SPix that configures each pixel Pix (see FIG. 7) of the display panel 10, and is supplied with a pixel signal Vpix for performing a display operation. The detection electrode DE is supplied with a display drive signal VCOM during a display operation, and functions as a common electrode for a plurality of pixel electrodes 22. The polarizing plate 35 B is provided below the first substrate 21.

本実施形態において、画素電極22及び検出電極DEは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性を有する導電性材料が用いられる。   In the present embodiment, for the pixel electrode 22 and the detection electrode DE, for example, a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) is used.

なお、本明細書において、第1基板21に垂直な方向において、第1基板21から第2基板31に向かう方向を「上側」とする。また、第2基板31から第1基板21に向かう方向を「下側」とする。   In the present specification, in the direction perpendicular to the first substrate 21, the direction from the first substrate 21 to the second substrate 31 is referred to as “upper side”. In addition, the direction from the second substrate 31 toward the first substrate 21 is referred to as “lower side”.

なお、複数の画素電極22の配列は、第1方向及び該第1方向に直交する第2方向に沿って配列されるマトリクス状の配列のみならず、対向する画素電極22同士が第1方向又は第2方向にずれて配置される構成を採用することもできる。また、対向する画素電極22の大きさの違いから、第1方向に配列される画素列を構成する1つの画素電極22に対し、当該画素電極22の一側に2又は3の複数の画素電極22が配列される構成も採用可能である。   The arrangement of the plurality of pixel electrodes 22 is not limited to a matrix-like arrangement arranged in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction, and the opposing pixel electrodes 22 are arranged in the first direction or It is also possible to adopt a configuration in which it is disposed offset in the second direction. Also, due to the difference in size of the opposing pixel electrodes 22, a plurality of two or three pixel electrodes on one side of the pixel electrode 22 with respect to one pixel electrode 22 configuring the pixel row arranged in the first direction A configuration in which 22 is arranged is also possible.

対向基板3は、第2基板31と、第2基板31の一方の面に形成されたカラーフィルタ32と、第2基板31の他方の面に設けられた偏光板35Aとを有する。カラーフィルタ32は、第1基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。なお、カラーフィルタ32は第1基板21の上に配置されてもよい。本実施形態において、第1基板21及び第2基板31は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。   The counter substrate 3 has a second substrate 31, a color filter 32 formed on one surface of the second substrate 31, and a polarizing plate 35 A provided on the other surface of the second substrate 31. The color filter 32 faces the liquid crystal layer 6 in the direction perpendicular to the first substrate 21. The color filter 32 may be disposed on the first substrate 21. In the present embodiment, the first substrate 21 and the second substrate 31 are, for example, a glass substrate or a resin substrate.

第1基板21と第2基板31とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第1基板21と第2基板31との間に液晶層6が設けられる。液晶層6は、層間に形成される電界の状態に応じて液晶分子の配向状態が変化し、これによって透過光が変調する。かかる電界モードとして、例えば、FFS(Fringe Field Switching:フリンジフィールドスイッチング)を含むIPS(In−Plane Switching:インプレーンスイッチング)等の横電界モードが採用される。なお、図5に示す液晶層6に対向するアレイ基板2の最表面、及び対向基板3の最表面には、液晶分子の初期配向状態を定める配向膜(図5では省略して示す)が形成されている。   The first substrate 21 and the second substrate 31 are disposed to face each other at a predetermined interval. A liquid crystal layer 6 is provided between the first substrate 21 and the second substrate 31. In the liquid crystal layer 6, the alignment state of the liquid crystal molecules changes in accordance with the state of the electric field formed between the layers, whereby the transmitted light is modulated. As such an electric field mode, for example, a transverse electric field mode such as In-Plane Switching (IPS) including Fringe Field Switching (FFS) is adopted. An alignment film (not shown in FIG. 5) for determining an initial alignment state of liquid crystal molecules is formed on the outermost surface of the array substrate 2 facing the liquid crystal layer 6 shown in FIG. It is done.

第1基板21の下側には、図示しない照明部(バックライト)が設けられる。照明部は、例えばLED(Light Emitting Diode)等の光源を有しており、光源からの光を第1基板21に向けて射出する。照明部からの光は、アレイ基板2を通過して、その位置の液晶の配向状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。   An illumination unit (backlight) not shown is provided below the first substrate 21. The illumination unit has a light source such as a light emitting diode (LED), for example, and emits light from the light source toward the first substrate 21. The light from the illumination unit passes through the array substrate 2 and is modulated by the alignment state of the liquid crystal at that position, and the transmission state to the display surface changes depending on the place. Thereby, an image is displayed on the display surface.

図6は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。図6に示すように、表示装置1において、表示領域10aの外側に周辺領域10bが設けられている。本開示において、表示領域10aは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Pix(副画素SPix)と重なる領域である。周辺領域10bは、第1基板21の外周よりも内側で、かつ、表示領域10aよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域10bは表示領域10aを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域10bは額縁領域とも言える。   FIG. 6 is a plan view schematically showing an array substrate. As shown in FIG. 6, in the display device 1, a peripheral region 10 b is provided outside the display region 10 a. In the present disclosure, the display area 10a is an area for displaying an image, and is an area overlapping with a plurality of pixels Pix (sub-pixels SPix). The peripheral area 10 b is an area inside the outer periphery of the first substrate 21 and outside the display area 10 a. The peripheral area 10b may have a frame shape surrounding the display area 10a. In this case, the peripheral area 10b can be said to be a frame area.

本実施形態において、第1方向Dxは、表示領域10aの短辺に沿った方向である。第2方向Dyは、第1方向Dxと直交する方向である。これに限定されず、第2方向Dyは第1方向Dxに対して90°以外の角度で交差していてもよい。第1方向Dxと第2方向Dyとで規定される平面は、第1基板21の表面と平行となる。また、第1方向Dx及び第2方向Dyと交差する第3方向Dzは、第1基板21の厚み方向である。   In the present embodiment, the first direction Dx is a direction along the short side of the display area 10a. The second direction Dy is a direction orthogonal to the first direction Dx. The second direction Dy may intersect with the first direction Dx at an angle other than 90 °. The plane defined by the first direction Dx and the second direction Dy is parallel to the surface of the first substrate 21. A third direction Dz intersecting the first direction Dx and the second direction Dy is the thickness direction of the first substrate 21.

図6に示すように、検出電極DEは、表示領域10aにおいて、第1方向Dx及び第2方向Dyに行列状に複数配列される。それぞれの検出電極DEは、平面視で矩形状、又は正方形状である。検出電極DEは、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性を有する導電性材料で構成されている。   As shown in FIG. 6, a plurality of detection electrodes DE are arranged in a matrix in the first direction Dx and the second direction Dy in the display area 10a. Each detection electrode DE is rectangular or square in a plan view. The detection electrode DE is made of, for example, a translucent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).

1つの検出電極DEに対応する位置に、複数の画素電極22が行列状に配置される。画素電極22は、検出電極DEよりも小さい面積を有している。なお、図6では一部の検出電極DE及び画素電極22について示しているが、検出電極DE及び画素電極22は表示領域10aの全域に亘って配置される。このように、表示領域10aと重畳する領域に、検出電極DEが設けられている。また、本開示では、行方向を第1方向Dxともいい、列方向を第2方向Dyともいう。   A plurality of pixel electrodes 22 are arranged in a matrix at positions corresponding to one detection electrode DE. The pixel electrode 22 has an area smaller than that of the detection electrode DE. Although FIG. 6 shows a part of the detection electrodes DE and the pixel electrodes 22, the detection electrodes DE and the pixel electrodes 22 are disposed over the entire display region 10a. As described above, the detection electrode DE is provided in the area overlapping with the display area 10a. Further, in the present disclosure, the row direction is also referred to as a first direction Dx, and the column direction is also referred to as a second direction Dy.

なお、複数の画素電極22の配列は、第1方向Dx及び該第1方向Dxに交差する第2方向Dyに沿って配列されるマトリクス状の配列のみならず、対向する画素電極22同士が第1方向Dx又は第2方向Dyにずれて配置される構成を採用することもできる。また、対向する画素電極22の大きさの違いから、第1方向Dxに配列される画素列を構成する1つの画素電極22に対し、当該画素電極22の一側に2又は3の複数の画素電極22が配列される構成も採用可能である。   The arrangement of the plurality of pixel electrodes 22 is not limited to a matrix-like arrangement arranged along the first direction Dx and the second direction Dy intersecting the first direction Dx, and the opposing pixel electrodes 22 are not It is also possible to adopt a configuration in which it is disposed to be shifted in the one direction Dx or the second direction Dy. Also, due to the difference in size of the opposing pixel electrodes 22, a plurality of two or three pixels on one side of the pixel electrode 22 with respect to one pixel electrode 22 configuring a pixel row arranged in the first direction Dx A configuration in which the electrodes 22 are arranged can also be employed.

周辺領域10bの短辺側には、接続回路18と集積回路19とが設けられている。また、周辺領域10bの短辺側には、不図示のフレキシブル基板が接続される。フレキシブル基板71に検出回路の集積回路が設けられている。集積回路19は、図2に示すように、制御回路11及び検出回路40を含む。また、検出回路40の機能の一部は、検出用の他の集積回路に含まれていてもよく、外部のMPU(Micro−Processing Unit)の機能として設けられてもよい。なお、集積回路19は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。   A connection circuit 18 and an integrated circuit 19 are provided on the short side of the peripheral region 10b. In addition, a flexible substrate (not shown) is connected to the short side of the peripheral region 10b. The flexible substrate 71 is provided with an integrated circuit of a detection circuit. The integrated circuit 19 includes a control circuit 11 and a detection circuit 40 as shown in FIG. In addition, a part of the function of the detection circuit 40 may be included in another integrated circuit for detection, or may be provided as a function of an external MPU (Micro-Processing Unit). The integrated circuit 19 is not limited to this, and may be provided on, for example, a control board outside the module.

検出電極DEは、配線51及び接続回路18を介して、集積回路19と電気的に接続される。複数の配線51はそれぞれ、表示領域10aに配置された、複数の検出電極DEのそれぞれに電気的に接続され、周辺領域10bまで引き出されている。複数の配線51のそれぞれは第2方向Dyに沿って延在し、複数の配線51は第1方向Dxに亘って並んで配置されている。例えば、集積回路19に内蔵された駆動回路14(図1参照)は、周辺領域10bに配置された接続回路18と、配線51とを介して、複数の検出電極DEにそれぞれ接続される。   The detection electrode DE is electrically connected to the integrated circuit 19 through the wiring 51 and the connection circuit 18. The plurality of wirings 51 are respectively electrically connected to the plurality of detection electrodes DE disposed in the display area 10a, and are drawn out to the peripheral area 10b. Each of the plurality of wires 51 extends along the second direction Dy, and the plurality of wires 51 are arranged side by side along the first direction Dx. For example, the drive circuit 14 (see FIG. 1) incorporated in the integrated circuit 19 is connected to the plurality of detection electrodes DE via the connection circuit 18 disposed in the peripheral region 10 b and the wiring 51.

次に表示パネル10の表示動作について説明する。図7は、実施形態1に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。第1基板21(図5参照)には、図7に示す各副画素SPixのスイッチング素子Tr、信号線SGL、ゲート線GCL等が形成されている。信号線SGLは、各画素電極22に画素信号Vpixを供給するための配線である。ゲート線GCLは、各スイッチング素子Trを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線SGL及びゲート線GCLは、第1基板21の表面と平行な平面に延出する。   Next, the display operation of the display panel 10 will be described. FIG. 7 is a circuit diagram showing the pixel arrangement of the display area according to the first embodiment. On the first substrate 21 (see FIG. 5), the switching elements Tr, the signal lines SGL, the gate lines GCL and the like of the sub-pixels SPix shown in FIG. 7 are formed. The signal line SGL is a wiring for supplying the pixel signal Vpix to each pixel electrode 22. The gate line GCL is a wiring for supplying a drive signal for driving each switching element Tr. The signal line SGL and the gate line GCL extend in a plane parallel to the surface of the first substrate 21.

図7に示す表示領域20は、マトリクス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれスイッチング素子Tr及び液晶LCを備えている。スイッチング素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。画素電極22と検出電極DEとの間に絶縁層24が設けられ、これらによって図14に示す保持容量Csが形成される。   The display area 20 shown in FIG. 7 has a plurality of sub-pixels SPix arranged in a matrix. The sub-pixels SPix each include a switching element Tr and a liquid crystal LC. The switching element Tr is configured by a thin film transistor, and in this example, is configured by an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type TFT. An insulating layer 24 is provided between the pixel electrode 22 and the detection electrode DE, thereby forming a storage capacitance Cs shown in FIG.

図1に示すゲートドライバ12は、ゲート線GCLを順次選択する。ゲートドライバ12は、選択されたゲート線GCLを介して、走査信号Vscanを副画素SPixのスイッチング素子Trのゲートに印加する。これにより、副画素SPixのうちの1行(1水平ライン)が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ13は、選択された1水平ラインを構成する副画素SPixに、信号線SGLを介して画素信号Vpixを供給する。そして、これらの副画素SPixでは、供給される画素信号Vpixに応じて1水平ラインずつ表示が行われるようになっている。   The gate driver 12 shown in FIG. 1 sequentially selects the gate line GCL. The gate driver 12 applies the scan signal Vscan to the gate of the switching element Tr of the sub-pixel SPix via the selected gate line GCL. Thus, one row (one horizontal line) of the sub-pixels SPix is sequentially selected as a display drive target. In addition, the source driver 13 supplies the pixel signal Vpix to the sub-pixel SPix configuring the selected one horizontal line via the signal line SGL. In each of the sub-pixels SPix, display is performed for each horizontal line according to the supplied pixel signal Vpix.

この表示動作を行う際、駆動回路14は、全ての検出電極DEに対して表示用の駆動信号VCOMを印加する。表示用の駆動信号VCOMは複数の副画素SPixに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各検出電極DEは、表示動作時には画素電極22に対する共通電極として機能する。表示の際に、駆動回路14は、表示領域10aの全ての検出電極DEに対して駆動信号VCOMを印加する。   When performing this display operation, the drive circuit 14 applies a display drive signal VCOM to all the detection electrodes DE. The display drive signal VCOM is a voltage signal which is a common potential for the plurality of sub-pixels SPix. Thus, each detection electrode DE functions as a common electrode for the pixel electrode 22 at the time of display operation. At the time of display, the drive circuit 14 applies the drive signal VCOM to all the detection electrodes DE of the display area 10a.

図5に示すカラーフィルタ32は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図7に示す各副画素SPixに、R、G、Bの3色の色領域32R、32G、32Bが1組として対応付けられる。そして、3色の色領域32R、32G、32Bに対応する副画素SPixを1組として画素Pixが構成される。なお、カラーフィルタ32は、4色以上の色領域を含んでいてもよい。   In the color filter 32 shown in FIG. 5, for example, color regions of color filters colored in three colors of red (R), green (G), and blue (B) may be periodically arranged. The three color regions 32R, 32G, and 32B of R, G, and B are associated with each sub-pixel SPix shown in FIG. 7 described above as one set. Then, the pixel Pix is configured with the subpixels SPix corresponding to the three color regions 32R, 32G, and 32B as one set. The color filter 32 may include four or more color regions.

図8は、検出電極の配置例を示す斜視図である。図8に示すように、第1基板21の一方の面21a側の周辺領域10bには、外縁配線DE−Gが設けられている。例えば、外縁配線DE−Gは、表示領域10aの長辺と短辺とに沿って連続して設けられており、表示領域10aを囲んでいる。表示装置1が被検出体の存在状態の検出を行う際に、外縁配線DE−Gには、検出用の駆動信号Vselfと同じ波形で、かつ駆動信号Vselfと同期したガード信号Vgdが供給されてもよい。又は、外縁配線DE−Gは、電気的にどことも接続されていない状態(ハイインピーダンス)に設定されてもよい。これによれば、外縁配線DE−Gと、駆動信号Vselfが供給される検出電極DEとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、被検出体の検出感度を高めることができる。   FIG. 8 is a perspective view showing an arrangement example of detection electrodes. As shown in FIG. 8, an outer edge wiring DE-G is provided in the peripheral region 10 b on the side of one surface 21 a of the first substrate 21. For example, the outer edge wiring DE-G is provided continuously along the long side and the short side of the display area 10a, and surrounds the display area 10a. When the display device 1 detects the presence state of the detection subject, a guard signal Vgd having the same waveform as that of the drive signal Vself for detection and synchronized with the drive signal Vself is supplied to the outer edge wiring DE-G. It is also good. Alternatively, the outer edge wiring DE-G may be set to a state (high impedance) where it is not electrically connected anywhere. According to this, generation of electrostatic capacitance between the outer edge wiring DE-G and the detection electrode DE to which the drive signal Vself is supplied can be prevented, so that the detection sensitivity of the detection subject can be enhanced. .

なお、本実施形態では、第1基板21の他方の面21b側に、外縁配線29が設けられていてもよい。裏面の外縁配線29は、第1基板21の他方の面21bの一部を覆っていてもよいし、他方の面21bの全体を覆っていてもよい。また、裏面の外縁配線29は、例えば、ITO等の透光性を有する導電性材料で構成されていてもよいし、図示しない金属フレーム等で構成されていてもよい。表示装置1が被検出体の存在状態の検出を行う際に、裏面の外縁配線29には、検出用の駆動信号Vselfと同じ波形で、かつ駆動信号Vselfと同期したガード信号Vgdが供給されてもよい。又は、裏面の外縁配線29は、電気的にどことも接続されていない状態(ハイインピーダンス)に設定されてもよい。これによれば、裏面の外縁配線29と、駆動信号Vselfが供給される検出電極DEとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、ホバー検出の感度を高めることができる。   In the present embodiment, the outer edge wiring 29 may be provided on the other surface 21 b side of the first substrate 21. The outer edge wiring 29 on the back surface may cover a part of the other surface 21 b of the first substrate 21 or may cover the entire other surface 21 b. Further, the outer edge wiring 29 on the back surface may be made of, for example, a light-transmitting conductive material such as ITO, or may be made of a metal frame (not shown) or the like. When the display device 1 detects the presence state of the detection subject, a guard signal Vgd having the same waveform as the detection drive signal Vself and synchronized with the drive signal Vself is supplied to the outer edge wiring 29 on the back surface. It is also good. Alternatively, the outer edge wire 29 on the back surface may be set to a state (high impedance) in which it is not electrically connected anywhere. According to this, since electrostatic capacitance can be prevented from being generated between the outer edge wiring 29 on the back surface and the detection electrode DE to which the drive signal Vself is supplied, it is possible to enhance the sensitivity of the hover detection.

図9は、実施形態に係るホバー検出の一例を示す説明図である。図10は、実施形態に係るホバー検出の他の例を示す説明図である。図9に示すように、表示装置1は、被検出体である操作者の手指が検出面DSに対し非接触状態でホバー検出を行う。検出回路40は、検出信号Vdetに基づいて、検出面DSに垂直な方向における、検出面DSと被検出体との距離D1を検出することができる。また、検出回路40は、検出信号Vdetに基づいて、被検出体の位置R1を検出することができる。被検出体の位置R1は、例えば、検出面DSと垂直な方向において、被検出体と対向する位置であり、複数の検出電極ブロックDEBからの検出信号Vdetのうち、最大の値となる検出電極ブロックDEBに対応する位置である。   FIG. 9 is an explanatory view showing an example of hover detection according to the embodiment. FIG. 10 is an explanatory view showing another example of hover detection according to the embodiment. As shown in FIG. 9, the display device 1 performs hover detection in a non-contact state with the finger of the operator who is the detected body with respect to the detection surface DS. The detection circuit 40 can detect the distance D1 between the detection surface DS and the object in the direction perpendicular to the detection surface DS based on the detection signal Vdet. Further, the detection circuit 40 can detect the position R1 of the detection subject based on the detection signal Vdet. The position R1 of the body to be detected is, for example, a position facing the body to be detected in the direction perpendicular to the detection surface DS, and the detection electrode having the largest value among the detection signals Vdet from the plurality of detection electrode blocks DEB. This position corresponds to the block DEB.

また、図10に示すように、表示装置1は、被検出体のジェスチャ等の動作を検出することができる。検出回路40は、被検出体が検出面DSに対し非接触状態で矢印Da方向に移動した場合、検出信号Vdetに基づいて、被検出体の位置の変化を演算する。これにより、検出回路40は、被検出体のジェスチャ等の動作を検出する。制御回路11(図1参照)は、これらのホバー検出の結果に基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行する。   Further, as shown in FIG. 10, the display device 1 can detect an operation such as a gesture of a detected object. The detection circuit 40 calculates a change in the position of the object to be detected based on the detection signal Vdet when the object to be detected moves in the direction of the arrow Da without contact with the detection surface DS. Thereby, the detection circuit 40 detects an operation such as a gesture of the detection subject. The control circuit 11 (see FIG. 1) executes a predetermined display operation or detection operation based on the result of the hover detection.

図11は、検出電極と被検出体との位置関係を示す図である。図12は、検出電極と被検出体との距離に応じた容量について説明するための説明図である。図11に示すように、被検出体CQが検出電極DEに対して近づくと、検出信号を得やすくなる。被検出体CQが検出電極DEに対して遠ざかると、検出信号とノイズとのSN比が小さくなり、被検出体CQを検知しづらくなる。   FIG. 11 is a diagram showing the positional relationship between the detection electrode and the detection subject. FIG. 12 is an explanatory diagram for describing a capacitance according to the distance between the detection electrode and the detection subject. As shown in FIG. 11, when the detection subject CQ approaches the detection electrode DE, it becomes easy to obtain a detection signal. When the to-be-detected body CQ moves away from the detection electrode DE, the SN ratio of the detection signal and the noise decreases, which makes it difficult to detect the to-be-detected body CQ.

図12に示すように、第3方向Dzに対する、検出面DSと被検出体CQとの距離が距離D1の場合(ステップST101)において、被検出体CQは、表示装置1の検出面DSに対して非接触状態である。被検出体CQと検出電極DEとの間に容量C2aが形成される。   As shown in FIG. 12, in the case where the distance between the detection surface DS and the detection subject CQ with respect to the third direction Dz is the distance D1 (step ST101), the detection subject CQ is relative to the detection surface DS of the display device 1. In a non-contact state. A capacitance C2a is formed between the detection subject CQ and the detection electrode DE.

検出面DSと被検出体CQとの距離が距離D2の場合(ステップST102)においても、被検出体CQは、表示装置1の検出面DSに対して非接触状態である。ここで、距離D2は距離D1よりも小さい。被検出体CQと検出電極DEとの間に容量C2bが形成される。   Even when the distance between the detection surface DS and the detection subject CQ is the distance D2 (step ST102), the detection subject CQ is in a non-contact state with the detection surface DS of the display device 1. Here, the distance D2 is smaller than the distance D1. A capacitance C2b is formed between the detection subject CQ and the detection electrode DE.

検出面DSと被検出体CQとの距離が0の場合(ステップST103)において、被検出体CQは、表示装置1の検出面DSに対して接触状態である。また、被検出体CQと検出電極DEとの間に容量C2cが形成される。   When the distance between the detection surface DS and the detection target CQ is 0 (step ST103), the detection target CQ is in contact with the detection surface DS of the display device 1. Further, a capacitance C2c is formed between the detection subject CQ and the detection electrode DE.

検出電極DEの大きさが同じであれば、容量C2bは、容量C2aよりも大きい値となる。検出電極DEの大きさが同じであれば、容量C2cは、容量C2bよりも大きい値となる。そこで、検出電極DEと被検出体CQとの距離が大きくなっても、被検出体CQの検出感度を維持するには、検出電極DEの大きさを大きくしてゆけばよい。検出電極DEの大きさを大きくすると、検出面DSに占める1つの検出電極DEの面積が大きくなるため、検出精度が低下する。この課題に対して、本実施形態の表示装置1は、以下の検出電極DE及び接続回路を備える。   If the size of the detection electrode DE is the same, the capacitance C2b has a larger value than the capacitance C2a. If the size of the detection electrode DE is the same, the capacitance C2c has a larger value than the capacitance C2b. Therefore, even if the distance between the detection electrode DE and the detection subject CQ is increased, in order to maintain the detection sensitivity of the detection subject CQ, the size of the detection electrode DE may be increased. When the size of the detection electrode DE is increased, the area of one detection electrode DE occupied on the detection surface DS is increased, so that the detection accuracy is lowered. To address this issue, the display device 1 of the present embodiment includes the following detection electrodes DE and connection circuits.

次に、検出電極DEと、接続回路18との関係について説明する。図13は、検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。図13に示すように、検出電極DEは、行列状に複数配列されている。例えば、検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、・・・、DE(1,n)が第2方向Dyに複数配列される。また、検出電極DE(1,1)、・・・、DE(m,1)が第1方向Dxに複数配列される。同様に、検出電極DE(m,1)、・・・、DE(m,n)が第2方向Dyに複数配列される。なお、検出電極DE(1,1)、・・・、DE(m,n)を区別して説明する必要がない場合には、単に検出電極DEと表す。実施形態1においては、mが12であり、nが16である例を示す。しかしながら、m及びnの値はこれに限定されることはない。mの値は、任意であり、nの値も任意である。   Next, the relationship between the detection electrode DE and the connection circuit 18 will be described. FIG. 13 is a plan view schematically showing the relationship between the detection electrode and the connection circuit. As shown in FIG. 13, a plurality of detection electrodes DE are arranged in a matrix. For example, a plurality of detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 2),..., DE (1, n) are arranged in the second direction Dy. Also, a plurality of detection electrodes DE (1, 1),..., DE (m, 1) are arranged in the first direction Dx. Similarly, a plurality of detection electrodes DE (m, 1),..., DE (m, n) are arranged in the second direction Dy. Note that when it is not necessary to distinguish and describe the detection electrodes DE (1, 1),..., DE (m, n), they are simply referred to as detection electrodes DE. In the first embodiment, an example in which m is 12 and n is 16 is shown. However, the values of m and n are not limited to this. The value of m is arbitrary, and the value of n is also arbitrary.

検出電極DEは、例えば、ITO等の透光性を有する導電性材料で構成されている。また、検出電極DEは、ITOに限定されず、例えば、酸化スズにより構成されていてもよい。   The detection electrode DE is made of, for example, a translucent conductive material such as ITO. The detection electrode DE is not limited to ITO, and may be made of, for example, tin oxide.

接続回路18は、検出電極DEの接続状態を切り換える回路である。実施形態1において、接続回路18は、マルチプレクサMuと、アナログフロントエンドSC1、・・・、SC48を備える。なお、複数のアナログフロントエンドSC1、・・・、SC48を区別して説明する必要のない場合は、単にアナログフロントエンドSCと表す。   The connection circuit 18 is a circuit that switches the connection state of the detection electrode DE. In the first embodiment, the connection circuit 18 includes a multiplexer Mu and analog front ends SC1, ..., SC48. Note that when it is not necessary to distinguish and describe the plurality of analog front ends SC1, ..., SC48, they are simply referred to as the analog front end SC.

マルチプレクサMuは、検出電極DEがある第1基板21上に配置され、かつセンサ領域30の外側にある。アナログフロントエンドSCは、同様に、検出電極DEがある第1基板上に配置され、かつセンサ領域30の外側にある。マルチプレクサMu及びアナログフロントエンドSCは、例えば、多結晶性のシリコンを低温で形成した低温ポリシリコン(Low Temperature Polycrystalline Silicon)により、小さな面積となる。   The multiplexer Mu is disposed on the first substrate 21 on which the detection electrode DE is located, and is outside the sensor area 30. The analog front end SC is likewise arranged on the first substrate on which the detection electrode DE is located and outside the sensor area 30. The multiplexer Mu and the analog front end SC have a small area, for example, by low temperature polysilicon (Low Temperature Polycrystalline Silicon) formed of polycrystalline silicon at low temperature.

各検出電極DEと接続回路18のマルチプレクサMuとは、各配線51で電気的に接続されている。図13の配線51は、検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、・・・、DE(1,n)のそれぞれに接続しており、他の検出電極DEも同様であるので、配線51の図示を省略している。マルチプレクサMuは、アナログフロントエンドSCとも電気的に接続されている。   Each detection electrode DE and the multiplexer Mu of the connection circuit 18 are electrically connected by each wire 51. The wiring 51 of FIG. 13 is connected to each of the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 2),..., DE (1, n), and the other detection electrodes DE are the same. Therefore, the illustration of the wiring 51 is omitted. The multiplexer Mu is also electrically connected to the analog front end SC.

図14は、接続回路を説明するための説明図である。図15は、図13に示すマルチプレクサの具体的な構成を説明するための説明図である。図14に示すように、接続回路18は、図13に示すマルチプレクサMuを構成する複数の選択回路ECが組み合わされて構成される。   FIG. 14 is an explanatory view for explaining a connection circuit. FIG. 15 is an explanatory diagram for describing a specific configuration of the multiplexer shown in FIG. As shown in FIG. 14, the connection circuit 18 is configured by combining a plurality of selection circuits EC which constitute the multiplexer Mu shown in FIG.

図15に示すように、1つの選択回路ECは、スイッチSW11、SW12及びSW13を有している。スイッチSW11、SW12及びSW13は、例えばnチャネルのMOS型のTFTで構成され、第1基板21に形成される。   As shown in FIG. 15, one select circuit EC has switches SW11, SW12 and SW13. The switches SW11, SW12, and SW13 are formed of, for example, n-channel MOS TFTs, and are formed on the first substrate 21.

スイッチSW11、SW12及びSW13がそれぞれ開閉することで、表示用の駆動信号VCOMの供給配線、ガード信号Vgdの供給配線及びアナログフロントエンドSCのいずれかが、1つの検出電極DEに時分割で接続される。   Each of the switches SW11, SW12 and SW13 opens and closes, whereby any one of the supply wiring of the display drive signal VCOM, the supply wiring of the guard signal Vgd and the analog front end SC is connected to one detection electrode DE in a time division manner. Ru.

図14において、検出電極DE(1,2)がアナログフロントエンドSC2に接続されている。検出電極DE(1,4)がアナログフロントエンドSC1に接続されている。検出電極DE(3,2)がアナログフロントエンドSC4に接続されている。検出電極DE(3,4)がアナログフロントエンドSC3に接続されている。   In FIG. 14, the detection electrode DE (1, 2) is connected to the analog front end SC2. The detection electrode DE (1, 4) is connected to the analog front end SC1. The detection electrode DE (3, 2) is connected to the analog front end SC4. The detection electrode DE (3, 4) is connected to the analog front end SC3.

図14において、検出電極DE(1,1)、DE(1,3)、DE(2,1)、DE(2,2)、DE(2,3)、DE(2,4)、DE(3,1)、DE(3,3)、DE(4,1)、DE(4,2)、DE(4,3)、DE(4,4)には、ガード信号Vgdが供給配線に接続されている。ガード信号Vgdは、検出電極DE(1,2)、DE(1,4)、DE(3,2)、DE(3,4)に供給される検出用の駆動信号Vselfと同じ波形で、かつ駆動信号Vselfと同期している。これによれば、検出電極DE(1,2)、DE(1,4)、DE(3,2)、DE(3,4)と、検出電極DE(1,1)、DE(1,3)、DE(2,1)、DE(2,2)、DE(2,3)、DE(2,4)、DE(3,1)、DE(3,3)、DE(4,1)、DE(4,2)、DE(4,3)、DE(4,4)との間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、被検出体の検出感度を高めることができる。   In FIG. 14, detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 3), DE (2, 1), DE (2, 2), DE (2, 3), DE (2, 4), DE ( 3, 1), DE (3, 3), DE (4, 1), DE (4, 2), DE (4, 3), DE (4, 4) connect guard signal Vgd to supply wiring It is done. The guard signal Vgd has the same waveform as the detection drive signal Vself supplied to the detection electrodes DE (1, 2), DE (1, 4), DE (3, 2), DE (3, 4), and It is synchronized with the drive signal Vself. According to this, the detection electrodes DE (1, 2), DE (1, 4), DE (3, 2), DE (3, 4) and the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 3) ), DE (2, 1), DE (2, 2), DE (2, 3), DE (2, 4), DE (3, 1), DE (3, 3), DE (4, 1) , DE (4, 2), DE (4, 3), and DE (4, 4) can be prevented from generating a capacitance, so that the detection sensitivity of the detection subject can be enhanced.

実施形態1のアナログフロントエンドSCの数は48であり、検出電極DEの数は、192である。検出電極DEの数は、アナログフロントエンドSCの数よりも多い。マルチプレクサMuは、1つの検出電極DEに1つの配線51を介して接続されている。そこで、マルチプレクサMuは、1つのアナログフロントエンドSCに対して、1つずつ配線51を時分割で電気的に順次接続する。   The number of analog front ends SC of the first embodiment is 48, and the number of detection electrodes DE is 192. The number of detection electrodes DE is greater than the number of analog front ends SC. The multiplexer Mu is connected to one detection electrode DE via one wiring 51. Therefore, the multiplexer Mu electrically connects the wires 51 one by one in time division to one analog front end SC.

図16Aから図16Dは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。図14及び図15に示す各選択回路ECの動作により、図16Aに示すように、検出電極DE(1,2)には、検出用の駆動信号Vselfが供給され、かつアナログフロントエンドSC2(図14参照)に接続されている。検出電極DE(1,1)、DE(2,1)、DE(2,2)には、ガード信号Vgdが供給される。   16A to 16D are explanatory diagrams for describing a state in which detection electrodes to which a drive signal for detection is supplied are sequentially switched. By the operation of each selection circuit EC shown in FIGS. 14 and 15, as shown in FIG. 16A, detection signal DE for detection is supplied to detection electrode DE (1, 2), and analog front end SC2 (FIG. 14) are connected. A guard signal Vgd is supplied to the detection electrodes DE (1, 1), DE (2, 1), DE (2, 2).

次に、図14及び図15に示す各選択回路ECの動作により、図16Bに示すように、検出電極DE(1,1)には、検出用の駆動信号Vselfが供給され、かつアナログフロントエンドSC2(図14参照)に接続されている。検出電極DE(1,2)、DE(2,1)、DE(2,2)には、ガード信号Vgdが供給される。   Next, by the operation of each selection circuit EC shown in FIGS. 14 and 15, as shown in FIG. 16B, the detection electrode DE (1, 1) is supplied with the drive signal Vself for detection, and the analog front end It is connected to SC2 (see FIG. 14). A guard signal Vgd is supplied to the detection electrodes DE (1, 2), DE (2, 1), DE (2, 2).

次に、図14及び図15に示す各選択回路ECの動作により、図16Cに示すように、検出電極DE(2,2)には、検出用の駆動信号Vselfが供給され、かつアナログフロントエンドSC2(図14参照)に接続されている。検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、DE(2,1)には、ガード信号Vgdが供給される。   Next, by the operation of each selection circuit EC shown in FIGS. 14 and 15, as shown in FIG. 16C, detection signal DE (2, 2) is supplied with detection drive signal Vself, and the analog front end It is connected to SC2 (see FIG. 14). A guard signal Vgd is supplied to the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 2), DE (2, 1).

次に、図14及び図15に示す各選択回路ECの動作により、図16Dに示すように、検出電極DE(2,1)には、検出用の駆動信号Vselfが供給され、かつアナログフロントエンドSC2(図14参照)に接続されている。検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、DE(2,2)には、ガード信号Vgdが供給される。   Next, as shown in FIG. 16D, the detection electrode DE (2, 1) is supplied with the drive signal Vself for detection by the operation of each selection circuit EC shown in FIGS. 14 and 15, and the analog front end It is connected to SC2 (see FIG. 14). A guard signal Vgd is supplied to the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 2), DE (2, 2).

以上説明したように、検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、DE(2,1)、DE(2,2)に対して、1つのアナログフロントエンドSC2を介して、検出回路40は、各検出電極DEの自己静電容量を検出できる。なお、検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、DE(2,1)、DE(2,2)を例示して説明したが、他の検出電極DEも同様である。その結果、接続回路18の大きさを小さくすることができる。   As described above, the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 2), DE (2, 1), DE (2, 2) are detected through one analog front end SC 2 The circuit 40 can detect the self-capacitance of each detection electrode DE. In addition, although detection electrode DE (1, 1), DE (1, 2), DE (2, 1), DE (2, 2) was illustrated and demonstrated, the other detection electrode DE is the same. As a result, the size of the connection circuit 18 can be reduced.

次に、図1及び図13から図21を参照して、本実施形態の動作例を説明する。図17は、実施形態1に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図18は、複数の検出電極が1つのアナログフロントエンドに接続された状態の接続回路を説明するための説明図である。図19は、検出電極ブロックを説明するための説明図である。図20は、実施形態1に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図21は、検出電極ブロックと信号強度との関係を模式的に示すグラフである。図17から図21に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。   Next, an operation example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 13 to 21. FIG. 17 is a timing waveform chart showing an operation example of the display device according to the first embodiment. FIG. 18 is an explanatory view for explaining a connection circuit in a state where a plurality of detection electrodes are connected to one analog front end. FIG. 19 is an explanatory view for explaining a detection electrode block. FIG. 20 is a flowchart illustrating an operation example of the display device according to the first embodiment. FIG. 21 is a graph schematically showing the relationship between the detection electrode block and the signal strength. The operation examples shown in FIGS. 17 to 21 are merely examples and may be changed as appropriate.

図17に示すように、表示期間Pdと検出期間Ptとが時分割で交互に実行される。検出期間Ptは、ホバー検出期間Ptsと、タッチ検出期間Ptmとを含む。表示期間Pd、ホバー検出期間Pts及びタッチ検出期間Ptmの実行の順番はあくまで一例であり適宜変更してもよい。例えば、1つの検出期間Ptにホバー検出期間Pts又はタッチ検出期間Ptmのいずれか一方のみが存在する場合であってもよい。1検出面のタッチ検出を1つのタッチ検出期間Ptmで実行してもよく、複数のタッチ検出期間Ptmに分けて実行してもよい。また、表示期間Pdで1フレーム分の画像の表示を行ってもよく、1フレーム分の画像の表示期間中に、複数の表示期間Pdと検出期間Ptとが交互に配置されていてもよい。   As shown in FIG. 17, the display period Pd and the detection period Pt are alternately performed in time division. The detection period Pt includes a hover detection period Pts and a touch detection period Ptm. The order of execution of the display period Pd, the hover detection period Pts, and the touch detection period Ptm is merely an example, and may be changed as appropriate. For example, only one of the hover detection period Pts and the touch detection period Ptm may be present in one detection period Pt. The touch detection of one detection surface may be performed in one touch detection period Ptm, or may be divided and performed in a plurality of touch detection periods Ptm. In addition, an image for one frame may be displayed in the display period Pd, and a plurality of display periods Pd and detection periods Pt may be alternately arranged in the display period of the image for one frame.

図20に示すように、制御回路11は、まず表示データの書き込みを実行する(ステップST1)。具体的には、上述した表示動作と同様であり、ソースドライバ13は、各ゲート線GCL1、GCL2、GCL3に対応する副画素SPixに、信号線SGL1、SGL2、SGL3を介して画素信号Vpixを供給する。そして、これらの副画素SPixでは、供給される画素信号Vpixに応じて1水平ラインずつ表示が行われるようになっている。図17に示すように、表示期間Pdにおいて、駆動回路14は、検出電極DEに対し、表示用の駆動信号VCOMを供給する。また、接続回路18において、図15に示すスイッチSW13を介して、表示用の駆動信号VCOMが全検出電極DEに供給される。検出電極DEは、共通電位を与える共通電極となる。   As shown in FIG. 20, the control circuit 11 first executes writing of display data (step ST1). Specifically, similar to the display operation described above, the source driver 13 supplies the pixel signal Vpix to the sub-pixels SPix corresponding to the gate lines GCL1, GCL2 and GCL3 via the signal lines SGL1, SGL2 and SGL3. Do. In each of the sub-pixels SPix, display is performed for each horizontal line according to the supplied pixel signal Vpix. As shown in FIG. 17, in the display period Pd, the drive circuit 14 supplies a drive signal VCOM for display to the detection electrode DE. Further, in the connection circuit 18, the display drive signal VCOM is supplied to all the detection electrodes DE via the switch SW13 shown in FIG. The detection electrode DE is a common electrode that applies a common potential.

次に、制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST2)。具体的には、図17に示すように、ホバー検出期間Ptsにおいて、制御回路11は、制御信号Vsc1を接続回路18に供給し、制御信号Vsc2を接続回路18に供給する。制御信号Vsc1、Vsc2により、スイッチSW11(図15参照)がオンになり、スイッチSW12、SW13(図15参照)がオフになる。これにより、図13に示すように、第1方向Dx及び第2方向Dyに隣接して配置された4つの検出電極DEが電気的に接続されて1つの検出電極ブロックDEBとして機能する。   Next, the control circuit 11 executes hover detection (step ST2). Specifically, as shown in FIG. 17, in the hover detection period Pts, the control circuit 11 supplies the control signal Vsc1 to the connection circuit 18, and supplies the control signal Vsc2 to the connection circuit 18. The switch SW11 (see FIG. 15) is turned on by the control signals Vsc1 and Vsc2, and the switches SW12 and SW13 (see FIG. 15) are turned off. Thereby, as shown in FIG. 13, four detection electrodes DE arranged adjacent to the first direction Dx and the second direction Dy are electrically connected to function as one detection electrode block DEB.

例えば、図18に示すように、検出電極DE(1,1)、DE(1,1)、DE(2,1)、DE(2,2)は、接続回路18内において、同じアナログフロントエンドSC2に接続されている。図2に示す検出回路40からみると、検出電極DE(1,1)、DE(1,2)、DE(2,1)、DE(2,2)は、図19に示すように、1つの検出電極ブロックDEB(1,1)である。つまり、1つのアナログフロントエンドSCに同時接続可能な配線51に電気的に接続する検出電極DE(1,1)、DE(1,1)、DE(2,1)、DE(2,2)は、第1基板21の第1方向Dx又は第1方向Dxと交差する第2方向Dyに隣接する少なくとも2つの検出電極DEを含む。   For example, as shown in FIG. 18, the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 1), DE (2, 1), DE (2, 2) have the same analog front end in the connection circuit 18. Connected to SC2. As seen from the detection circuit 40 shown in FIG. 2, the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 2), DE (2, 1), DE (2, 2) are 1 as shown in FIG. One detection electrode block DEB (1, 1). That is, the detection electrodes DE (1, 1), DE (1, 1), DE (2, 1), DE (2, 2) electrically connected to the wiring 51 which can be simultaneously connected to one analog front end SC Includes at least two detection electrodes DE adjacent to a first direction Dx of the first substrate 21 or a second direction Dy intersecting the first direction Dx.

図13に示すように、検出電極ブロックDEBは、行列状に複数配列されている。例えば、検出電極ブロックDEB(1,1)、・・・、DEB(1,N)が第2方向Dyに複数配列される。また、検出電極ブロックDEB(1,1)、・・・、DEB(M,1)が第1方向Dxに複数配列される。同様に、検出電極ブロックDEB(M,1)、・・・、DEB(M,N)が第2方向Dyに複数配列される。なお、検出電極ブロックDEB(1,1)、・・・、DEB(M,N)を区別して説明する必要がない場合には、単に検出電極ブロックDEBと表す。実施形態1においては、Mが6であり、Nが8である例を示す。しかしながら、M及びNの値はこれに限定されることはない。Mの値は、任意であり、Nの値も任意である。   As shown in FIG. 13, a plurality of detection electrode blocks DEB are arranged in a matrix. For example, a plurality of detection electrode blocks DEB (1, 1),..., DEB (1, N) are arranged in the second direction Dy. Further, a plurality of detection electrode blocks DEB (1, 1),..., DEB (M, 1) are arranged in the first direction Dx. Similarly, a plurality of detection electrode blocks DEB (M, 1),..., DEB (M, N) are arranged in the second direction Dy. When it is not necessary to distinguish and describe the detection electrode blocks DEB (1, 1),..., DEB (M, N), they are simply referred to as detection electrode blocks DEB. In the first embodiment, an example in which M is 6 and N is 8 is shown. However, the values of M and N are not limited to this. The value of M is arbitrary, and the value of N is also arbitrary.

実施形態1において、検出電極ブロックDEBは、48あるので、各検出電極ブロックDEBは、アナログフロントエンドSC1からアナログフロントエンドSC48のいずれか1つと1対1となるように、マルチプレクサMuにより電気的に接続されている。   In the first embodiment, since the detection electrode block DEB is 48, each detection electrode block DEB is electrically connected by the multiplexer Mu so that it is one to one with any one of the analog front end SC1 to the analog front end SC48. It is connected.

駆動回路14は、検出電極ブロックDEBに駆動信号Vselfを供給する。これにより、表示装置1は、検出電極ブロックDEB毎に非接触状態の被検出体を検出することができる。例えば、検出回路40は、各検出電極ブロックDEBからの検出信号Vdetに基づいて、検出面DSに垂直な方向における、検出面DSと被検出体との距離D1を検出することができる。また、検出回路40は、各検出電極ブロックDEBからの検出信号Vdetに基づいて、被検出体の位置R1を検出することができる。また、駆動回路14は、ホバー検出期間Ptsにおいて、外縁配線DE−G(図8参照)に対し、ガード信号Vgdを供給する。   The drive circuit 14 supplies a drive signal Vself to the detection electrode block DEB. Thus, the display device 1 can detect the non-contact object under detection for each detection electrode block DEB. For example, the detection circuit 40 can detect the distance D1 between the detection surface DS and the detection subject in the direction perpendicular to the detection surface DS based on the detection signal Vdet from each detection electrode block DEB. Further, the detection circuit 40 can detect the position R1 of the detection subject based on the detection signal Vdet from each detection electrode block DEB. Further, the drive circuit 14 supplies a guard signal Vgd to the outer edge wiring DE-G (see FIG. 8) in the hover detection period Pts.

次に、検出回路40は、検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVth以上であるかどうかを判断する(ステップST3)。図21に示すように、検出回路40は、各検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetの信号強度を求め、所定の閾値ΔVthと比較する。   Next, the detection circuit 40 determines whether the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB is equal to or higher than a predetermined threshold value ΔVth (step ST3). As shown in FIG. 21, the detection circuit 40 obtains the signal strength of the detection signal Vdet supplied from each detection electrode block DEB, and compares it with a predetermined threshold value ΔVth.

複数の検出信号Vdetのうち、いずれか1つの検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVth以上である場合(ステップST3、Yes)、制御回路11は、タッチ検出を実行する(ステップST4)。検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVth以上である場合、被検出体が接触状態であると判断する。図21に示す例では、検出電極ブロックDEB(4,3)において、検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVth以上であり、それ以外の検出電極ブロックDEBにおいて、検出信号Vdetの信号強度は閾値ΔVthよりも小さい。この場合、検出回路40は、検出電極ブロックDEB(4,3)に対応する位置において被検出体が接触状態であると判断する。制御回路11は、検出回路40からの情報に基づいて、ホバー検出からタッチ検出に切り換える。   If the signal strength of any one of the plurality of detection signals Vdet is equal to or higher than the threshold ΔVth (Yes in step ST3), the control circuit 11 executes touch detection (step ST4). If the signal strength of the detection signal Vdet is equal to or higher than the threshold value ΔVth, it is determined that the detected object is in a contact state. In the example shown in FIG. 21, in the detection electrode block DEB (4, 3), the signal strength of the detection signal Vdet is equal to or higher than the threshold ΔVth, and in the other detection electrode blocks DEB, the signal strength of the detection signal Vdet is higher than the threshold ΔVth Too small. In this case, the detection circuit 40 determines that the detection target is in the contact state at the position corresponding to the detection electrode block DEB (4, 3). The control circuit 11 switches from hover detection to touch detection based on the information from the detection circuit 40.

具体的には、図17に示すように、タッチ検出期間Ptmにおいて、制御回路11は、制御信号Vsc1を接続回路18に供給し、制御信号Vsc2を接続回路18に供給する。制御信号Vsc1、Vsc2により、スイッチSW11、SW12、SW13(図15参照)が動作し、図16Aから図16Dに示すように、検出用の駆動信号Vselfが供給されている検出電極DEが順次切り替わる状態になる。   Specifically, as shown in FIG. 17, in the touch detection period Ptm, the control circuit 11 supplies the control signal Vsc1 to the connection circuit 18, and supplies the control signal Vsc2 to the connection circuit 18. A state in which the switches SW11, SW12, and SW13 (see FIG. 15) operate by the control signals Vsc1 and Vsc2, and the detection electrodes DE to which the drive signal Vself for detection is supplied are sequentially switched as shown in FIGS. 16A to 16D. become.

駆動回路14は、検出電極DEに駆動信号Vselfを順次供給する。検出電極DEの容量変化に応じた検出信号Vdetが、アナログフロントエンドSCを介して検出回路40に供給される。これにより、表示装置1は、複数の検出電極DE毎に接触状態の被検出体を検出することができる。   The drive circuit 14 sequentially supplies a drive signal Vself to the detection electrode DE. A detection signal Vdet corresponding to a change in capacitance of the detection electrode DE is supplied to the detection circuit 40 via the analog front end SC. Thereby, the display apparatus 1 can detect the to-be-detected body of a contact state for every several detection electrode DE.

タッチ検出期間Ptmにおいて、1検出面の検出動作が終了した場合、すなわち、全ての検出電極DEに対して、順次、駆動信号Vselfを供給してタッチ検出を実行した場合、制御回路11は、タッチ検出を終了して表示データの書き込み(ステップST1)に戻る。   In the touch detection period Ptm, when the detection operation of one detection surface is completed, that is, when the drive signal Vself is sequentially supplied to all the detection electrodes DE to execute touch detection, the control circuit 11 performs the touch operation. The detection is ended and the process returns to the writing of display data (step ST1).

複数の検出信号Vdetの信号強度が全て閾値ΔVthよりも小さい場合(ステップST3、No)、制御回路11は、タッチ検出を実行せず、表示データの書き込み(ステップST1)に戻る。この場合、図17に示す検出期間Ptにおいて、ホバー検出期間Ptsのみが実行され、タッチ検出期間Ptmは実行されない。つまり、1つの検出期間Ptにおいてホバー検出期間Ptsのみが存在する。   If all the signal strengths of the plurality of detection signals Vdet are smaller than the threshold value ΔVth (No in step ST3), the control circuit 11 returns to the writing of display data (step ST1) without performing touch detection. In this case, in the detection period Pt shown in FIG. 17, only the hover detection period Pts is performed, and the touch detection period Ptm is not performed. That is, only one hover detection period Pts exists in one detection period Pt.

なお、信号線SGLは、ホバー検出期間Pts及びタッチ検出期間Ptmにおいて、フローティング状態であることが好ましい。こうすれば、検出電極DEと信号線SGLとの間の容量を低減することができる。また、ゲート線GCLは、ホバー検出期間Ptsにおいてフローティング状態であってもよい。   Note that the signal line SGL is preferably in a floating state in the hover detection period Pts and the touch detection period Ptm. In this way, the capacitance between the detection electrode DE and the signal line SGL can be reduced. The gate line GCL may be in a floating state in the hover detection period Pts.

以上説明したように、実施形態1の検出装置は、第1基板21と、複数の検出電極DEと、駆動回路14と、複数のアナログフロントエンドSCと、マルチプレクサMuと、を備える。複数の検出電極DEは、第1基板21のセンサ領域30に設けられている。駆動回路14は、検出電極DEに駆動信号Vselfを供給する。アナログフロントエンドSCは、駆動信号Vselfが検出電極DEに供給された場合における検出電極DEの容量変化に応じた検出信号Vdetを、当該検出電極DEから受け取る。マルチプレクサMuは、1つの検出電極DEに1つの配線51を介して接続され、1つのアナログフロントエンドSCに対して電気的に同時接続される配線51の数を変更可能である。   As described above, the detection device of the first embodiment includes the first substrate 21, the plurality of detection electrodes DE, the drive circuit 14, the plurality of analog front ends SC, and the multiplexer Mu. The plurality of detection electrodes DE are provided in the sensor area 30 of the first substrate 21. The drive circuit 14 supplies a drive signal Vself to the detection electrode DE. The analog front end SC receives, from the detection electrode DE, a detection signal Vdet corresponding to a change in capacitance of the detection electrode DE when the drive signal Vself is supplied to the detection electrode DE. The multiplexer Mu is connected to one detection electrode DE via one wire 51, and can change the number of wires 51 simultaneously connected to one analog front end SC.

本実施形態1によれば、自己静電容量方式のタッチ検出とホバー検出との2つの検出モードで、検出電極DEを共有できる。さらにホバー検出では、検出電極DEと被検出体CQとの距離に応じて、検出電極DEの束ねる数を変えることにより、良好なホバー検出を行うことができる。   According to the first embodiment, the detection electrode DE can be shared in the two detection modes of self-capacitive touch detection and hover detection. Furthermore, in the hover detection, good hover detection can be performed by changing the number of bundling of the detection electrodes DE in accordance with the distance between the detection electrode DE and the detection subject CQ.

上述した構成によれば、検出電極DEと被検出体CQとの距離が大きい場合には、複数の検出電極DEを電気的に繋げ、1つのアナログフロントエンドSCに接続することで、検出電極DEを検出電極ブロックDEBとする。これにより、見かけの検出電極DEの大きさが大きくなり、被検出体CQの検出感度が向上する。検出電極DEの大きさを大きくすると、検出面DSに占める1つの検出電極DEの面積が大きくなるため、検出精度が低下するが、1つのアナログフロントエンドSCに接続する検出電極DEの数を小さくすることで、存在状態にある被検出体CQの位置座標の精度を高めることができる。このように、実施形態1の検出装置は、タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことができる。   According to the above-described configuration, when the distance between the detection electrode DE and the detection subject CQ is large, the plurality of detection electrodes DE are electrically connected to be connected to one analog front end SC. As a detection electrode block DEB. As a result, the size of the apparent detection electrode DE is increased, and the detection sensitivity of the detection object CQ is improved. When the size of the detection electrode DE is increased, the area of one detection electrode DE occupied on the detection surface DS is increased, and the detection accuracy is reduced. However, the number of detection electrodes DE connected to one analog front end SC is reduced By doing this, it is possible to improve the accuracy of the position coordinates of the detection subject CQ in the existing state. As described above, the detection device according to the first embodiment can perform touch detection and hover detection favorably.

(実施形態2)
図22は、実施形態2に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図23は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態1で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
Second Embodiment
FIG. 22 is a flowchart illustrating an operation example of the display device according to the second embodiment. FIG. 23 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the detection electrode connected to the analog front end. In addition, about the component demonstrated in Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

実施形態1に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、複数回のホバー検出期間Ptsにおいて、1つの検出電極ブロックDEBを構成する検出電極DEの数を変えてホバー検出を実行してもよい。制御回路11は、検出面DSと被検出体との距離D1に応じて、検出電極ブロックDEBに含まれる検出電極DEの数を変更すると、ホバー検出の解像度を変更することができる。   The operation example shown in the first embodiment is merely an example, and may be changed as appropriate. For example, in a plurality of hover detection periods Pts, the number of detection electrodes DE that constitute one detection electrode block DEB may be changed to perform hover detection. The control circuit 11 can change the resolution of hover detection by changing the number of detection electrodes DE included in the detection electrode block DEB according to the distance D1 between the detection surface DS and the detection subject.

図22においても、上述した表示期間Pdと検出期間Ptとが時分割で交互に実行される。表示期間Pdについては、実施形態1と同様であるので、詳細な説明を省略する。実施形態2の検出期間Ptにおいて、接続回路18により、検出電極が4×4で電気的に束ねられ、検出電極ブロックDEBを構成し、制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST11)。   Also in FIG. 22, the display period Pd and the detection period Pt described above are alternately performed in time division. The display period Pd is the same as in the first embodiment, and thus the detailed description is omitted. In the detection period Pt of the second embodiment, the detection circuit is electrically bundled in 4 × 4 by the connection circuit 18 to form a detection electrode block DEB, and the control circuit 11 executes hover detection (step ST11).

図23に示すように、ステップST11において、検出電極ブロックDEBの大きさが大きいので、被検出体CQと検出電極ブロックDEBとの距離が大きくても、被検出体CQを検出しやすい。   As shown in FIG. 23, in step ST11, since the size of the detection electrode block DEB is large, the detection subject CQ can be easily detected even if the distance between the detection subject CQ and the detection electrode block DEB is large.

図24は、検出電極が4×4で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。図24において、12×16の検出電極DEが4×4で電気的に束ねられ、検出電極ブロックDEBを構成すると、検出電極ブロックDEBは、3×4に行列状に並ぶことになる。   FIG. 24 is an explanatory view for explaining an analog front end to which each detection electrode block is connected when the detection electrodes are electrically bundled in 4 × 4 to constitute the detection electrode block. In FIG. 24, when the 12 × 16 detection electrodes DE are electrically bundled in 4 × 4 to constitute the detection electrode block DEB, the detection electrode blocks DEB are arranged in a 3 × 4 matrix.

図24において、検出電極ブロックDEBは、検出電極ブロックDEBB(1,1)、DEBB(1,2)、DEBB(1,3)、DEBB(1,4)、DEBB(2,1)、DEBB(2,2)、DEBB(2,3)、DEBB(2,4)、DEBB(3,1)、DEBB(3,2)、DEBB(3,3)、DEBB(3,4)で構成される。   In FIG. 24, the detection electrode block DEB includes detection electrode blocks DEBB (1, 1), DEBB (1, 2), DEBB (1, 3), DEBB (1, 4), DEBB (2, 1), DEBB ( 2, 2), DEBB (2, 3), DEBB (2, 4), DEBB (3, 1), DEBB (3, 2), DEBB (3, 3), DEBB (3, 4) .

実施形態2においても、図13に示すように、接続回路18は、マルチプレクサMuと、アナログフロントエンドSC1、・・・、SC48を備える。検出電極ブロックDEBB(1,1)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC37にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(1,2)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC25にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(1,3)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC13にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(1,4)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC1にそれぞれ電気的に接続されている。   Also in the second embodiment, as shown in FIG. 13, the connection circuit 18 includes a multiplexer Mu and analog front ends SC1,..., SC48. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (1, 1) are electrically connected to the analog front end SC 37, respectively. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (1, 2) are electrically connected to the analog front end SC25. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (1, 3) are electrically connected to the analog front end SC13. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (1, 4) are electrically connected to the analog front end SC1.

検出電極ブロックDEBB(2,1)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC41にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(2,2)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC29にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(2,3)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC17にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(2,4)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC5にそれぞれ電気的に接続されている。   The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (2, 1) are electrically connected to the analog front end SC41. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (2, 2) are electrically connected to the analog front end SC 29 respectively. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (2, 3) are electrically connected to the analog front end SC17. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (2, 4) are electrically connected to the analog front end SC5.

検出電極ブロックDEBB(3,1)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC45にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(3,2)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC33にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(3,3)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC21にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEBB(3,4)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC9にそれぞれ電気的に接続されている。   The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (3, 1) are electrically connected to the analog front end SC 45, respectively. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (3, 2) are electrically connected to the analog front end SC33. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (3, 3) are electrically connected to the analog front end SC21. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEBB (3, 4) are electrically connected to the analog front end SC9.

図23に示すように、ステップST11において、48個のアナログフロントエンドSCのうち12個のアナログフロントエンドSCを介して、検出回路40は、各検出電極ブロックDEBB(1,1)、DEBB(1,2)、DEBB(1,3)、DEBB(1,4)、DEBB(2,1)、DEBB(2,2)、DEBB(2,3)、DEBB(2,4)、DEBB(3,1)、DEBB(3,2)、DEBB(3,3)、DEBB(3,4)から供給された検出信号Vdetに基づいて、自己静電容量を検出する。これにより、検出回路40は、被検出体CQが複数の検出電極ブロックDEBBのうち、どの検出電極ブロックDEBBに対応して位置しているのかを検出する。   As shown in FIG. 23, in step ST11, the detection circuit 40 detects each detection electrode block DEBB (1, 1), DEBB (1) via 12 analog front ends SC out of 48 analog front ends SC. , 2), DEBB (1, 3), DEBB (1, 4), DEBB (2, 1), DEBB (2, 2), DEBB (2, 3), DEBB (2, 4), DEBB (3, 1) Self-capacitance is detected based on detection signals Vdet supplied from DEBB (3, 2), DEBB (3, 3), DEBB (3, 4). Thereby, the detection circuit 40 detects which detection electrode block DEBB is located among the plurality of detection electrode blocks DEBB.

次に、検出回路40は、供給された検出信号Vdetの強度が、検出信号Vdetの強度と所定の閾値ΔVthaとを比較し、所定の閾値ΔVtha以上であるかどうかを判断する(ステップST12)。   Next, the detection circuit 40 compares the strength of the supplied detection signal Vdet with the predetermined threshold ΔVtha to determine whether the strength of the detection signal Vdet is greater than or equal to the predetermined threshold ΔVtha (step ST12).

複数の検出信号Vdetのうち、いずれか1つの検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVthaを下回る場合(ステップST12、No)、制御回路11は、処理をステップST11に戻す。複数の検出信号Vdetのうち、いずれか1つの検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVtha以上である場合(ステップST12、Yes)、接続回路18により、検出電極が2×2で電気的に束ねられ、図23に示すように、ステップST11よりも小さい大きさの検出電極ブロックDEBを構成する。そして、制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST13)。   When the signal strength of any one of the plurality of detection signals Vdet falls below the threshold value ΔVtha (Step ST12, No), the control circuit 11 returns the process to Step ST11. When the signal strength of any one detection signal Vdet among the plurality of detection signals Vdet is equal to or higher than the threshold ΔVtha (Yes in step ST12), the detection circuit is electrically bundled in 2 × 2 by the connection circuit 18, As shown in FIG. 23, a detection electrode block DEB having a size smaller than that of step ST11 is configured. Then, the control circuit 11 executes hover detection (step ST13).

図25は、検出電極が2×2で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。図24において、12×16の検出電極DEが2×2で電気的に束ねられ、検出電極ブロックDEBを構成すると、検出電極ブロックDEBは、6×8に行列状に並ぶことになる。   FIG. 25 is an explanatory view for explaining an analog front end to which each detection electrode block is connected when the detection electrodes are electrically bundled in 2 × 2 to constitute the detection electrode block. In FIG. 24, when 12 × 16 detection electrodes DE are electrically bundled in 2 × 2 to form a detection electrode block DEB, the detection electrode blocks DEB are arranged in a matrix of 6 × 8.

検出電極ブロックDEB(1,1)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC39にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックDEB(1,2)が含む検出電極DEは、アナログフロントエンドSC37にそれぞれ電気的に接続されている。以下、他の検出電極ブロックDEBも同様であり、各検出電極ブロックDEBが含む検出電極DEは、図25の各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCにそれぞれ電気的に接続されている。   The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEB (1, 1) are electrically connected to the analog front end SC 39, respectively. The detection electrodes DE included in the detection electrode block DEB (1, 2) are electrically connected to the analog front end SC 37, respectively. Hereinafter, the same applies to the other detection electrode blocks DEB, and the detection electrodes DE included in each detection electrode block DEB are electrically connected to the analog front end SC of the reference numeral described in each detection electrode DE in FIG. There is.

図25に示すように、ステップST13において、48個のアナログフロントエンドSCのうち48個のアナログフロントエンドSCを介して、検出回路40は、各検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetに基づいて、自己静電容量を検出する。これにより、検出回路40は、被検出体CQが複数の検出電極ブロックDEBのうち、どの検出電極ブロックDEBBに対応して位置しているのかを検出する。   As shown in FIG. 25, in step ST13, the detection circuit 40 is based on the detection signal Vdet supplied from each detection electrode block DEB via 48 of the 48 analog front ends SC via the analog front end SC. To detect self-capacitance. Thus, the detection circuit 40 detects which detection electrode block DEBB is located among the plurality of detection electrode blocks DEB.

次に、検出回路40は、図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthb以上であるかどうかを判断する(ステップST14)。図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthbを下回る場合(ステップST14、Yes)、検出回路40は、ステップST11に処理を戻す。図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthbを下回る場合では、被検出体CQと検出電極DEとの距離が大きいと考えられる。被検出体CQと検出電極DEとの距離が大きいほど、制御回路11が接続回路18に制御信号を送出し、アナログフロントエンドSCに対して電気的に同時接続される配線51の数を大きくする。この処理により、検出感度が向上するので、改めて被検出体CQを検出できる可能性が高まる。   Next, detection circuit 40 determines whether or not detection signal Vdet supplied from detection electrode block DEB shown in FIG. 25 is equal to or greater than predetermined threshold value ΔVthb (step ST14). If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 falls below the predetermined threshold value ΔVthb (Yes in step ST14), the detection circuit 40 returns the process to step ST11. When the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 falls below a predetermined threshold value ΔVthb, it is considered that the distance between the detection subject CQ and the detection electrode DE is large. As the distance between the detection object CQ and the detection electrode DE increases, the control circuit 11 sends a control signal to the connection circuit 18 to increase the number of wires 51 electrically connected simultaneously to the analog front end SC. . By this processing, the detection sensitivity is improved, and the possibility of detecting the object CQ again increases.

図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthb以上である場合(ステップST14、No)、検出回路40は、処理をステップST15に進める。   If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 is equal to or higher than the predetermined threshold value ΔVthb (No in step ST14), the detection circuit 40 advances the process to step ST15.

次に、検出回路40は、図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthbよりも大きな値の閾値ΔVthc以上であるかどうかを判断する(ステップST15)。図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthcを下回る場合(ステップST15、No)、検出回路40は、ステップST13に処理を戻す。   Next, detection circuit 40 determines whether or not detection signal Vdet supplied from detection electrode block DEB shown in FIG. 25 is equal to or greater than threshold value ΔVthc of a value larger than predetermined threshold value ΔVthb (step ST15). If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 falls below the predetermined threshold value ΔVthc (No in step ST15), the detection circuit 40 returns the process to step ST13.

次に、検出回路40は、図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、閾値ΔVthc以上である場合(ステップST15、Yes)、制御回路11は、タッチ検出を実行する(ステップST16)。図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、閾値ΔVthc以上である場合(ステップST15、Yes)では、被検出体CQと検出電極DEとの距離が小さいと考えられる。被検出体CQと検出電極DEとの距離が小さいほど、制御回路11が接続回路18に制御信号を送出し、アナログフロントエンドSCに対して電気的に同時接続される配線51の数を小さくする。   Next, when the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 is equal to or higher than the threshold ΔVthc (Yes in step ST15), the control circuit 11 executes touch detection (step ST16). When the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 is equal to or higher than the threshold value ΔVthc (Yes in step ST15), it is considered that the distance between the detection subject CQ and the detection electrode DE is small. As the distance between the detection subject CQ and the detection electrode DE is smaller, the control circuit 11 sends a control signal to the connection circuit 18 to reduce the number of wires 51 simultaneously connected to the analog front end SC. .

ステップST16において、実施形態1と同様に、接続回路18により、検出用の駆動信号Vselfが供給されている検出電極DEが順次切り替わる状態となる。実施形態2においては、図23に示すように、ステップST161からステップST164まで順次、一行に含まれる検出電極DEを選択してアナログフロントエンドSCに接続し、一行に含まれる検出電極DEの選択を順次ずらしていく。本開示では、一行に含まれる検出電極DEの選択を行毎に順次ずらしていくようにしたが、一列に含まれる検出電極DEの選択を列毎に順次ずらしていくようにしてもよい。   In step ST16, as in the first embodiment, the connection circuit 18 sequentially switches the detection electrodes DE to which the drive signal Vself for detection is supplied. In the second embodiment, as shown in FIG. 23, the detection electrodes DE included in one row are sequentially selected from step ST161 to step ST164 and connected to the analog front end SC, and the selection of the detection electrodes DE included in one row is performed. Shift one by one. In the present disclosure, selection of detection electrodes DE included in one row is sequentially shifted for each row, but selection of detection electrodes DE included in one column may be sequentially shifted for each column.

図26Aから図26Dは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。図26Aに示すように、接続回路18が、4行目、8行目、12行目、16行目の検出電極DEを選択し、4行目、8行目、12行目、16行目の各検出電極DEと、図26Aの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとを、接続回路18が接続する(図23、ステップST161参照)。   FIGS. 26A to 26D are explanatory diagrams for describing a state in which the detection electrodes to which the drive signal for detection is supplied are sequentially switched. As shown in FIG. 26A, the connection circuit 18 selects the detection electrodes DE in the fourth, eighth, twelfth, and sixteenth rows, and the fourth, eighth, twelfth, twelfth, and sixteenth rows are selected. The connection circuit 18 connects each of the detection electrodes DE of and the analog front end SC of the reference numeral described in each of the detection electrodes DE of FIG. 26A (see FIG. 23, step ST161).

図26Bに示すように、接続回路18が、3行目、7行目、11行目、15行目の検出電極DEを選択し、3行目、7行目、11行目、15行目の各検出電極DEと、図26Bの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとを、接続回路18が接続する(図23、ステップST162参照)。   As shown in FIG. 26B, the connection circuit 18 selects the detection electrodes DE in the third, seventh, eleventh, fifteenth rows, and the third, seventh, eleventh, fifteenth rows The connection circuit 18 connects each of the detection electrodes DE of and the analog front end SC of the reference numeral described in each of the detection electrodes DE of FIG. 26B (see FIG. 23, step ST162).

図26Cに示すように、接続回路18が、2行目、6行目、10行目、14行目の検出電極DEを選択し、2行目、6行目、10行目、14行目の各検出電極DEと、図26Cの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとを、接続回路18が接続する(図23、ステップST163参照)。   As shown in FIG. 26C, the connection circuit 18 selects the detection electrodes DE in the second, sixth, tenth, and fourteenth rows, and the second, sixth, tenth, tenth, and fourteenth rows. The connection circuit 18 connects each of the detection electrodes DE of and the analog front end SC of the reference numeral described in each of the detection electrodes DE of FIG. 26C (see FIG. 23, step ST163).

図26Dに示すように、接続回路18が、1行目、5行目、9行目、13行目の検出電極DEを選択し、1行目、5行目、9行目、13行目の各検出電極DEと、図26Dの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとを、接続回路18が接続する(図23、ステップST164参照)。   As shown in FIG. 26D, the connection circuit 18 selects the detection electrodes DE on the first, fifth, ninth, and thirteenth rows, and the first, fifth, ninth, and thirteenth rows are selected. The connection circuit 18 connects each of the detection electrodes DE of and the analog front end SC of the reference numeral described in each of the detection electrodes DE of FIG. 26D (see FIG. 23, step ST164).

なお、図26Aから図26Dにおいて、アナログフロントエンドSCの記載のない検出電極DEには、アナログフロントエンドSCは、接続されていない。   In FIG. 26A to FIG. 26D, the analog front end SC is not connected to the detection electrode DE in which the analog front end SC is not described.

以上説明したように、一行に含まれる検出電極DEの選択を順次ずらしていくことで、全検出電極DEの数よりも少ないアナログフロントエンドSCでも、検出回路40は、全検出電極DEの検出信号Vdetの信号強度を取得することができる。   As described above, by sequentially shifting the selection of the detection electrodes DE included in one row, the detection circuit 40 detects the detection signals of all the detection electrodes DE even in the analog front end SC smaller than the number of all the detection electrodes DE. The signal strength of Vdet can be obtained.

次に、検出回路40は、図26Aから図26Dに示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthd以上であるかどうかを判断する(ステップST17)。図26Aから図26Dに示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthdを下回る場合(ステップST17、Yes)、検出回路40は、ステップST13に処理を戻す。この処理により、検出感度が向上するので、改めて被検出体CQを検出できる可能性が高まる。   Next, detection circuit 40 determines whether or not detection signal Vdet supplied from detection electrode block DEB shown in FIGS. 26A to 26D is equal to or greater than predetermined threshold value ΔVthd (step ST17). If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIGS. 26A to 26D falls below the predetermined threshold value ΔVthd (Yes in step ST17), the detection circuit 40 returns the process to step ST13. By this processing, the detection sensitivity is improved, and the possibility of detecting the object CQ again increases.

検出回路40は、図26Aから図26Dに示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthd以上である場合(ステップST17、No)、検出回路40は、被検出体CQの座標を抽出し、その後処理を終了する。   If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 26A to FIG. 26D is equal to or greater than the predetermined threshold value ΔVthd (No in step ST17), the detection circuit 40 detects the object CQ. Extract the coordinates and then finish the process.

(実施形態3)
図27は、実施形態3に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図28は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態1及び実施形態2で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 27 is a flowchart illustrating an operation example of the display device according to the third embodiment. FIG. 28 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the detection electrode connected to the analog front end. In addition, about the component demonstrated in Embodiment 1 and Embodiment 2, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図27においても、上述した表示期間Pdと検出期間Ptとが時分割で交互に実行される。表示期間Pdについては、実施形態1と同様であるので、詳細な説明を省略する。実施形態3の検出期間Ptにおいて、接続回路18により、検出電極が4×4で電気的に束ねられ、検出電極ブロックDEBを構成し、制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST21)。ステップS21の処理は、上述したステップS11の処理と同じであるので、詳細な説明を省略する。   Also in FIG. 27, the display period Pd and the detection period Pt described above are alternately performed in time division. The display period Pd is the same as in the first embodiment, and thus the detailed description is omitted. In the detection period Pt of the third embodiment, the detection circuit is electrically bundled in 4 × 4 by the connection circuit 18 to form a detection electrode block DEB, and the control circuit 11 executes hover detection (step ST21). Since the process of step S21 is the same as the process of step S11 described above, the detailed description will be omitted.

次に、検出回路40は、供給された検出信号Vdetの強度を求め、検出信号Vdetの強度と所定の閾値ΔVthaとを比較し、所定の閾値ΔVtha以上であるかどうかを判断する(ステップST22)。   Next, the detection circuit 40 obtains the strength of the supplied detection signal Vdet, compares the strength of the detection signal Vdet with a predetermined threshold value ΔVtha, and determines whether or not it is a predetermined threshold value ΔVtha or more (step ST22) .

複数の検出信号Vdetのうち、いずれか1つの検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVthaを下回る場合(ステップST22、No)、制御回路11は、処理をステップST1に戻す。複数の検出信号Vdetのうち、いずれか1つの検出信号Vdetの信号強度が閾値ΔVtha以上である場合(ステップST22、Yes)、接続回路18により、検出電極が2×2で電気的に束ねられ、図28に示すように、ステップST21よりも小さい大きさの検出電極ブロックDEBを構成する。そして、制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST23)。   If the signal strength of any one detection signal Vdet among the plurality of detection signals Vdet falls below the threshold ΔVtha (step ST22, No), the control circuit 11 returns the process to step ST1. When the signal strength of any one detection signal Vdet among the plurality of detection signals Vdet is equal to or higher than the threshold ΔVtha (Yes in step ST22), the detection circuit is electrically bundled in 2 × 2 by the connection circuit 18, As shown in FIG. 28, a detection electrode block DEB of a size smaller than that of step ST21 is configured. Then, the control circuit 11 performs hover detection (step ST23).

次に、検出回路40は、図27に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthb以上であるかどうかを判断する(ステップST24)。図27に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthbを下回る場合(ステップST24、Yes)、検出回路40は、ステップST21に処理を戻す。この処理により、検出感度が向上するので、改めて被検出体CQを検出できる可能性が高まる。   Next, detection circuit 40 determines whether or not detection signal Vdet supplied from detection electrode block DEB shown in FIG. 27 is equal to or greater than predetermined threshold value ΔVthb (step ST24). If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 27 falls below the predetermined threshold value ΔVthb (Yes in step ST24), the detection circuit 40 returns the process to step ST21. By this processing, the detection sensitivity is improved, and the possibility of detecting the object CQ again increases.

図25に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthb以上である場合(ステップST24、No)、検出回路40は、処理をステップST25に進める。   If the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 25 is equal to or higher than the predetermined threshold value ΔVthb (No in step ST24), the detection circuit 40 advances the process to step ST25.

次に、検出回路40は、図27に示す検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、閾値ΔVthb以上である場合(ステップST24、No)、制御回路11は、タッチ検出を実行する(ステップST25)。   Next, when the detection signal Vdet supplied from the detection electrode block DEB shown in FIG. 27 is equal to or higher than the threshold ΔVthb (No in step ST24), the control circuit 11 executes touch detection (step ST 25).

実施形態3においては、図28に示すように、ステップST22において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の検出電極DEを対象として、タッチ検出を実行する。   In the third embodiment, as shown in FIG. 28, in step ST22, touch detection is performed on the detection electrode block DEB which is determined to be equal to or higher than the predetermined threshold value ΔVthb and the detection electrode DE around the detection electrode block DEB. Run.

以上説明したように、制御回路11は、ホバー検出において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の領域を対象として、タッチ検出を処理する検出電極DEを決定し、制御回路11は、決定された検出電極DE及び当該検出電極DEに隣接する検出電極DEを対象として、タッチ検出を処理する。   As described above, in the hover detection, the control circuit 11 processes the touch detection on the detection electrode block DEB that is equal to or greater than the predetermined threshold value ΔVthb and the area around the detection electrode block DEB. The DE is determined, and the control circuit 11 processes touch detection on the determined detection electrode DE and the detection electrode DE adjacent to the detection electrode DE.

これにより、全部の検出電極DEの静電容量の検出を行わなくてもよく、検出期間Ptを短縮する又は、検出対象とした同じ検出電極DEに対し、検出期間Pt内の検出回数を増やして、検出精度を高めることができる。   By this, it is not necessary to detect the capacitances of all the detection electrodes DE, and the detection period Pt can be shortened, or the number of detections in the detection period Pt can be increased with respect to the same detection electrode DE to be detected. , Detection accuracy can be improved.

図29は、実施形態3の変形例に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図30は、実施形態3の変形例において、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態3で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。   FIG. 29 is a flowchart illustrating an operation example of a display device according to a modification of the third embodiment. FIG. 30 is a schematic explanatory view for explaining changes in the state of detection electrodes connected to the analog front end in the modification of the third embodiment. In addition, about the component demonstrated in Embodiment 3, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

実施形態3の変形例では、被検出体が複数である点が、実施形態3と異なる。図29のステップST21からステップST24の処理は、実施形態3の処理と同じであるが、図30に示すように、被検出体CQ1及び被検出体CQ2が存在状態にある。   The modification of the third embodiment differs from the third embodiment in that a plurality of objects to be detected are provided. The processing from step ST21 to step ST24 in FIG. 29 is the same as the processing in the third embodiment, but as shown in FIG. 30, the detection subject CQ1 and the detection subject CQ2 are in the existing state.

実施形態3の変形例においては、図30に示すように、ステップST24において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の検出電極DEの数が、接続回路18が有するアナログフロントエンドSCの数を超えた場合、2つの領域を対象として、タッチ検出を実行する。   In the modification of the third embodiment, as shown in FIG. 30, the number of detection electrode blocks DEB determined to be equal to or larger than the predetermined threshold value ΔVthb in step ST24 and the number of detection electrodes DE around the detection electrode blocks DEB are When the number of analog front ends SC included in the connection circuit 18 is exceeded, touch detection is performed on two areas.

まず、図30に示すように、被検出体CQ1の影響と推定される、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の領域を対象として、タッチ検出を実行する。   First, as shown in FIG. 30, a touch detection is performed on a detection electrode block DEB which is estimated to be equal to or greater than a predetermined threshold ΔVthb, which is estimated to be affected by the detection object CQ1, and a region around the detection electrode block DEB Run.

図31は、タッチ検出を行う領域の一例を示す説明図である。図31に示すように、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックは、検出電極ブロックDEB(3,7)、DEB(3,8)、DEB(4,7)、DEB(4,8)である。接続回路18は、検出電極ブロックDEB(3,7)、DEB(3,8)、DEB(4,7)、DEB(4,8)に含まれる検出電極DEに対し、アナログフロントエンドSC41、SC42、SC43、SC44、SC29、SC30、SC31、SC32、SC17、SC18、SC19、SC20、SC5、SC6、SC7、SC8を接続する。検出電極DEよりも、検出電極ブロックDEBで被検出体CQ1を検出する方が、座標抽出の検出精度が低いので、検出電極ブロックDEB(3,7)、DEB(3,8)、DEB(4,7)、DEB(4,8)の周りの検出電極DEもタッチ検出することが望ましい。   FIG. 31 is an explanatory diagram of an example of an area where touch detection is performed. As shown in FIG. 31, the detection electrode block determined to have the predetermined threshold value ΔVthb or more is the detection electrode block DEB (3, 7), DEB (3, 8), DEB (4, 7), DEB (4, 5). 8). The connection circuit 18 has analog front ends SC41, SC42 with respect to the detection electrodes DE included in the detection electrode blocks DEB (3, 7), DEB (3, 8), DEB (4, 7), DEB (4, 8). , SC43, SC44, SC29, SC30, SC31, SC32, SC17, SC18, SC19, SC20, SC5, SC6, SC7, SC8. Since the detection accuracy of coordinate extraction is lower when detecting the detection target CQ1 with the detection electrode block DEB than with the detection electrode DE, the detection electrode blocks DEB (3, 7), DEB (3, 8), DEB (4) , 7) and the detection electrodes DE around DEB (4, 8) are preferably touch-detected.

接続回路18は、検出電極DE(1,13)、DE(1,16)、DE(12,13)、DE(12,16)で囲まれる検出電極DEに対し、図31の各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCにそれぞれ電気的に接続されている。   The connection circuit 18 compares the detection electrodes DE shown in FIG. 31 with the detection electrodes DE surrounded by the detection electrodes DE (1, 13), DE (1, 16), DE (12, 13), and DE (12, 16). Each is electrically connected to the analog front end SC of the code described in the above.

次に、図30に示すように、ステップST25とは異なる領域についても、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の領域を対象として、タッチ検出を実行する(ステップST26)。   Next, as shown in FIG. 30, in the area different from step ST25, touch detection is performed on the detection electrode block DEB determined to be equal to or more than the predetermined threshold value ΔVthb and the area around the detection electrode block DEB. Execute (step ST26).

(実施形態4)
図32は、実施形態4のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。図33は、実施形態4の接続回路を説明するための説明図である。図34は、2×2束ねホバー検出において、実施形態4の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。図35は、検出電極が順次切り替わる第1状態において、実施形態4の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態1から実施形態3で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。図33から図35に示す各検出電極DE(1,n)から検出電極DE(1,n−15)、検出電極DE(2,n)から検出電極DE(2,n−15)は、図13に示す検出電極DEの一部を例示しており、具体的な形状は図13のような矩形である。
(Embodiment 4)
FIG. 32 is a schematic explanatory view for explaining changes in the state of detection electrodes connected to the analog front end of the fourth embodiment. FIG. 33 is an explanatory diagram for explaining the connection circuit of the fourth embodiment. FIG. 34 is a schematic explanatory view for explaining a change in the connection circuit of the fourth embodiment in the 2 × 2 bundle hover detection. FIG. 35 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the connection circuit of the fourth embodiment in the first state in which the detection electrodes are sequentially switched. In addition, about the component demonstrated in Embodiment 1-Embodiment 3, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted. The detection electrodes DE (1, n) to the detection electrodes DE (1, n-15) and the detection electrodes DE (2, n) to the detection electrodes DE (2, n-15) shown in FIGS. A part of the detection electrode DE shown in FIG. 13 is illustrated, and a specific shape is a rectangle as shown in FIG.

図33に示す接続回路18は、図32に示すように、ホバー検出のステップ(ステップST32)と、タッチ検出のステップ(ステップST33又はステップST34)とを切り替える。   The connection circuit 18 shown in FIG. 33 switches between the step of hover detection (step ST32) and the step of touch detection (step ST33 or step ST34) as shown in FIG.

図33に示す接続回路18は、スイッチMux1、Mux2及びMux3を有している。図33に示す接続回路18は、検出電極DE(1,n)にスイッチMux1を介して接続する中継配線DEL(1,n)を有する。同様に、検出電極DE(1,n−1)から検出電極DE(1,n−15)は、中継配線DEL(1,n−1)から中継配線DEL(1,n−15)のそれぞれに、スイッチMux1を介して接続されている。検出電極DE(2,n)から検出電極DE(2,n−15)は、中継配線DEL(2,n)から中継配線DEL(2,n−15)のそれぞれに、スイッチMux1を介して接続されている。中継配線DEL(1,n)から中継配線DEL(1,n−15)及び中継配線DEL(2,n)から中継配線DEL(2,n−15)のいずれか1つを単に説明する場合は、中継配線DELとして説明する。   The connection circuit 18 shown in FIG. 33 includes switches Mux1, Mux2 and Mux3. The connection circuit 18 shown in FIG. 33 includes relay wirings DEL (1, n) connected to the detection electrodes DE (1, n) via the switch Mux1. Similarly, from detection electrode DE (1, n-1) to detection electrode DE (1, n-15), from relay wiring DEL (1, n-1) to relay wiring DEL (1, n-15) , Connected via switch Mux1. The detection electrode DE (2, n) to the detection electrode DE (2, n-15) are connected from the relay wiring DEL (2, n) to each of the relay wiring DEL (2, n-15) through the switch Mux 1 It is done. When only one of relay wiring DEL (1, n) to relay wiring DEL (1, n-15) and relay wiring DEL (2, n) to relay wiring DEL (2, n-15) is simply described , Relay wiring DEL will be described.

スイッチMux1は、各検出電極DEと、表示用の駆動信号VCOMの供給配線、ガード信号Vgdの供給配線、又はアナログフロントエンドSCへ接続する中継配線DELを接続する。中継配線DELは、スイッチMux1とスイッチMux2とを接続し、スイッチMux1とスイッチMux3とを接続する。スイッチMux1、Mux2及びMux3がそれぞれ開閉することで、表示用の駆動信号VCOMの供給配線、ガード信号Vgdの供給配線及びアナログフロントエンドSCのいずれかが、1つの検出電極DEに時分割で接続される。   The switch Mux1 connects each detection electrode DE to the supply wiring of the display drive signal VCOM, the supply wiring of the guard signal Vgd, or the relay wiring DEL connected to the analog front end SC. The relay wiring DEL connects the switch Mux1 and the switch Mux2 and connects the switch Mux1 and the switch Mux3. The switches Mux1, Mux2 and Mux3 are respectively opened and closed, and any one of the supply wiring of the display drive signal VCOM, the supply wiring of the guard signal Vgd and the analog front end SC is connected to one detection electrode DE by time division. Ru.

図32に示すステップST32において、スイッチMux2が中継配線DELとアナログフロントエンドSCとの間を非接続とする。図34に示すように、スイッチMux3と中継配線DELとは、第1方向Dx及び第2方向Dyにそれぞれ隣り合う検出電極DEを電気的に接続して、2×2の検出電極DEを束ねて、検出電極ブロックDEB(1,N)から検出電極ブロックDEB(1,N−7)にする。検出電極ブロックDEB(1,N)から検出電極ブロックDEB(1,N−7)は、アナログフロントエンドSC1からアナログフロントエンドSC7にそれぞれ接続される。そして、図1に示す制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST32)。   In step ST32 shown in FIG. 32, the switch Mux2 disconnects the relay wiring DEL and the analog front end SC. As shown in FIG. 34, the switch Mux 3 and the relay wiring DEL electrically connect the detection electrodes DE adjacent to each other in the first direction Dx and the second direction Dy to bundle 2 × 2 detection electrodes DE. The detection electrode block DEB (1, N) is changed to the detection electrode block DEB (1, N-7). The detection electrode blocks DEB (1, N) to the detection electrode blocks DEB (1, N-7) are connected from the analog front end SC1 to the analog front end SC7, respectively. Then, the control circuit 11 shown in FIG. 1 executes hover detection (step ST32).

図34に示す各検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthb以上である場合、検出回路40は、処理をステップST33に進める。   If the detection signal Vdet supplied from each detection electrode block DEB shown in FIG. 34 is equal to or greater than the predetermined threshold value ΔVthb, the detection circuit 40 proceeds with the process to step ST33.

実施形態4においては、ステップST33において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の検出電極DEを対象として、タッチ検出を実行する。   In the fourth embodiment, in step ST33, touch detection is performed on the detection electrode block DEB which is determined to be equal to or greater than the predetermined threshold value ΔVthb and the detection electrode DE around the detection electrode block DEB.

例えば、ステップST33において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB(1,N)があり、検出電極ブロックDEB(1,N)に対応する検出電極DE(1,n)、検出電極DE(1,n−1)、検出電極DE(2,n)及び検出電極DE(2,n−1)に対して、図35に示すように、タッチ検出を実行する(ステップST33)。   For example, in step ST33, there is a detection electrode block DEB (1, N) determined to be equal to or more than a predetermined threshold value ΔVthb, and detection electrode DE (1, n) corresponding to the detection electrode block DEB (1, N) As shown in FIG. 35, touch detection is performed on the electrode DE (1, n-1), the detection electrode DE (2, n), and the detection electrode DE (2, n-1) (step ST33).

スイッチMux3が中継配線DELとアナログフロントエンドSCとの間を非接続とする。スイッチMux1は、検出電極DE(1,n)、DE(1,n−1)、DE(1,n−2)及びDE(1,n−3)を、中継配線DEL(1,n)、DEL(1,n−1)、DEL(1,n−2)及びDEL(1,n−3)にそれぞれ電気的に接続する。スイッチMux1は、他の検出電極DEをガード信号Vgdの供給配線に接続する。   The switch Mux3 disconnects the relay wiring DEL from the analog front end SC. The switch Mux1 is connected to the detection electrodes DE (1, n), DE (1, n-1), DE (1, n-2) and DE (1, n-3) as relay interconnections DEL (1, n), It electrically connects to DEL (1, n-1), DEL (1, n-2), and DEL (1, n-3), respectively. The switch Mux1 connects the other detection electrode DE to the supply line of the guard signal Vgd.

そして、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n)との間を接続する。次に、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n−1)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n−1)との間を接続する。次に、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n−2)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n−2)との間を接続する。そして、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n−3)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n−3)との間を接続する。この処理により、第1方向Dxに隣り合う検出電極DEが同時に選択され、それぞれがアナログフロントエンドSCに接続されるようになる。スイッチMux2の動作に伴って、アナログフロントエンドSCに接続される検出電極DEが順次第2方向Dyに順次切り替わる。   The switch Mux2 connects the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n) and connects the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n). Next, the switch Mux2 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n-1), and between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n-1) Connecting. Next, the switch Mux2 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n-2), and between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n-2) Connecting. The switch Mux2 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n-3), and connects between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n-3) Do. By this processing, the detection electrodes DE adjacent in the first direction Dx are simultaneously selected, and each is connected to the analog front end SC. Along with the operation of the switch Mux2, the detection electrodes DE connected to the analog front end SC are sequentially switched in the second direction Dy.

次に、図32に示すステップST33の処理の後、ステップS32の処理において所定の閾値ΔVthb以上であるとされた他の検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の検出電極DEを対象として、タッチ検出を実行する(ステップST34)。ステップST34の処理は、ステップST33において、アナログフロントエンドSCに接続される検出電極DEの第2方向Dyの位置が異なるだけであるので、詳細な説明を省略する。   Next, after the process of step ST33 shown in FIG. 32, another detection electrode block DEB which is determined to be equal to or more than the predetermined threshold ΔVthb in the process of step S32 and the detection electrodes DE around the detection electrode block DEB are targeted. , Touch detection is performed (step ST34). The process of step ST34 is the same as that of step ST33, except that the position in the second direction Dy of the detection electrode DE connected to the analog front end SC is different, and thus the detailed description is omitted.

(実施形態5)
図36は、実施形態5のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。図37は、実施形態5の接続回路を説明するための説明図である。図38は、検出電極が順次切り替わる第2状態において、実施形態5の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。図39は、2×2束ねホバー検出において、実施形態5の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。図40は、検出電極が順次切り替わる第1状態において、実施形態5の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態1から実施形態4で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
Embodiment 5
FIG. 36 is a schematic explanatory view for explaining a change in the state of the detection electrode connected to the analog front end of the fifth embodiment. FIG. 37 is an explanatory diagram for explaining a connection circuit of the fifth embodiment. FIG. 38 is a schematic explanatory diagram for describing changes in the state of the connection circuit of the fifth embodiment in the second state in which the detection electrodes are sequentially switched. FIG. 39 is a schematic explanatory view for explaining changes in the connection circuit of the fifth embodiment in the 2 × 2 bundle hover detection. FIG. 40 is a schematic explanatory view for explaining changes in the connection circuit of the fifth embodiment in the first state in which the detection electrodes are sequentially switched. In addition, about the component demonstrated by Embodiment 1-Embodiment 4, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

図37に示す接続回路18は、図36に示すように、タッチ検出のステップ(ステップST31)と、ホバー検出のステップ(ステップST32)とを切り替える。また実施形態4と同様に、ホバー検出のステップ(ステップST32)と、タッチ検出のステップ(ステップST33又はステップST34)とを切り替える。   The connection circuit 18 shown in FIG. 37 switches between the touch detection step (step ST31) and the hover detection step (step ST32) as shown in FIG. Further, as in the fourth embodiment, the step of hover detection (step ST32) and the step of touch detection (step ST33 or step ST34) are switched.

図37に示す接続回路18は、スイッチMux1、Mux2、Mux3及びMux4を有している。中継配線DELは、スイッチMux1とスイッチMux2とを接続し、スイッチMux1とスイッチMux3とを接続し、スイッチMux1とスイッチMux3とを接続する。スイッチMux1、Mux2、Mux3及びMux4がそれぞれ開閉することで、表示用の駆動信号VCOMの供給配線、ガード信号Vgdの供給配線及びアナログフロントエンドSCのいずれかが、1つの検出電極DEに時分割で接続される。   The connection circuit 18 shown in FIG. 37 includes switches Mux1, Mux2, Mux3 and Mux4. The relay wiring DEL connects the switch Mux1 to the switch Mux2, connects the switch Mux1 to the switch Mux3, and connects the switch Mux1 to the switch Mux3. By switching the switches Mux1, Mux2, Mux3 and Mux4, respectively, any of the drive signal VCOM supply wiring for display, the guard signal Vgd supply wiring, and the analog front end SC can be time-divided into one detection electrode DE. Connected

図36に示すステップST31において、図38に示すように、スイッチMux2及びMux3が中継配線DELとアナログフロントエンドSCとの間を非接続とする。スイッチMux1は、検出電極DE(1,n)、DE(1,n−4)、DE(1,n−8)及びDE(1,n−12)を、中継配線DEL(1,n)、DEL(1,n−4)、DEL(1,n−8)及びDEL(1,n−12)にそれぞれ電気的に接続する。スイッチMux1は、他の検出電極DEをガード信号Vgdの供給配線に接続する。   In step ST31 shown in FIG. 36, as shown in FIG. 38, the switches Mux2 and Mux3 disconnect the relay wiring DEL from the analog front end SC. The switch Mux1 includes the detection electrodes DE (1, n), DE (1, n-4), DE (1, n-8), and DE (1, n-12) as relay interconnections DEL (1, n), Electrically connect to DEL (1, n-4), DEL (1, n-8) and DEL (1, n-12) respectively. The switch Mux1 connects the other detection electrode DE to the supply line of the guard signal Vgd.

そして、スイッチMux4は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n)との間を電気的に接続する。同様に、アナログフロントエンドSC2が、中継配線DEL(1,n−4)に電気的に接続する。アナログフロントエンドSC3が、中継配線DEL(1,n−8)に電気的に接続する。アナログフロントエンドSC4が、中継配線DEL(1,n−12)に電気的に接続する。アナログフロントエンドSC5が、中継配線DEL(2,n)に電気的に接続する。アナログフロントエンドSC6が、中継配線DEL(2,n−4)に電気的に接続する。アナログフロントエンドSC7が、中継配線DEL(2,n−8)に電気的に接続する。アナログフロントエンドSC8が、中継配線DEL(2,n−12)に電気的に接続する。これにより、上述した図26Aに示すように、接続回路18が、4行目、8行目、12行目、16行目の検出電極DEを選択し、4行目、8行目、12行目、16行目の各検出電極DEと、図26Aの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとを、接続回路18が接続する。   Then, the switch Mux4 electrically connects the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n). Similarly, the analog front end SC2 electrically connects to the relay wiring DEL (1, n-4). The analog front end SC3 is electrically connected to the relay wiring DEL (1, n-8). The analog front end SC4 electrically connects to the relay wiring DEL (1, n-12). The analog front end SC5 is electrically connected to the relay wiring DEL (2, n). The analog front end SC6 electrically connects to the relay wiring DEL (2, n-4). The analog front end SC7 electrically connects to the relay wiring DEL (2, n-8). The analog front end SC8 electrically connects to the relay wiring DEL (2, n-12). Thereby, as shown in FIG. 26A described above, the connection circuit 18 selects the detection electrodes DE in the fourth, eighth, twelfth, and sixteenth rows, and the fourth, eighth, and twelfth rows are selected. The connection circuit 18 connects the detection electrodes DE in the sixteenth row and the sixteenth row with the analog front end SC of the reference numeral described in each detection electrode DE in FIG. 26A.

スイッチMux4が電気的に接続する中継配線DELを順次切り替えると、図26Bに示すように、接続回路18が、3行目、7行目、11行目、15行目の検出電極DEを選択する。これにより、図26Bに示す3行目、7行目、11行目、15行目の各検出電極DEと、図26Bの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとが接続される。   When the relay wiring DEL electrically connected by the switch Mux4 is sequentially switched, as shown in FIG. 26B, the connection circuit 18 selects the detection electrodes DE in the third, seventh, eleventh, and fifteenth rows. . As a result, the detection electrodes DE in the third, seventh, eleventh, and fifteenth rows shown in FIG. 26B and the analog front end SC with the reference numeral described in each detection electrode DE in FIG. 26B are connected. Ru.

さらに、スイッチMux4が電気的に接続する中継配線DELを順次切り替えると、図26Cに示すように、接続回路18が、2行目、6行目、10行目、14行目の検出電極DEを選択する。これにより、図26Cに示す2行目、6行目、10行目、14行目の各検出電極DEと、図26Cの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとが接続される。   Furthermore, when the relay wiring DEL electrically connected by the switch Mux4 is sequentially switched, as shown in FIG. 26C, the connection circuit 18 detects the detection electrodes DE in the second, sixth, tenth, and fourteenth rows. select. As a result, the detection electrodes DE in the second, sixth, tenth, and fourteenth rows shown in FIG. 26C and the analog front end SC with the reference numeral described in each detection electrode DE in FIG. 26C are connected. Ru.

さらに、スイッチMux4が電気的に接続する中継配線DELを順次切り替えると、図26Dに示すように、接続回路18が、1行目、5行目、9行目、13行目の検出電極DEを選択する。これにより、図26Dに示す1行目、5行目、9行目、13行目の各検出電極DEと、図26Dの各検出電極DE内に記載した符号のアナログフロントエンドSCとが接続される。   Furthermore, when the relay wiring DEL electrically connected by the switch Mux4 is sequentially switched, as shown in FIG. 26D, the connection circuit 18 detects the detection electrodes DE in the first, fifth, ninth, and thirteenth rows. select. As a result, the detection electrodes DE in the first, fifth, ninth, and thirteenth rows shown in FIG. 26D and the analog front end SC with the reference numeral described in each detection electrode DE in FIG. 26D are connected. Ru.

図36、図26A、図26B、図26C及び図26Dに示すように、ステップST31において、実施形態5の検出装置は、アナログフロントエンドSCの数よりも多い検出電極DEの数を有していても、全面のタッチ検出を順次処理することができる。   As shown in FIG. 36, FIG. 26A, FIG. 26B, FIG. 26C and FIG. 26D, in step ST31, the detection device of the fifth embodiment has more detection electrodes DE than the number of analog front ends SC. Also, touch detection on the entire surface can be processed sequentially.

図36に示すステップST32において、スイッチMux2及びMux4が中継配線DELとアナログフロントエンドSCとの間を非接続とする。図39に示すように、スイッチMux3と中継配線DELとは、第1方向Dx及び第2方向Dyにそれぞれ隣り合う検出電極DEを電気的に接続して、2×2の検出電極DEを束ねて、検出電極ブロックDEB(1,N)から検出電極ブロックDEB(1,N−7)にする。検出電極ブロックDEB(1,N)から検出電極ブロックDEB(1,N−7)は、アナログフロントエンドSC1からアナログフロントエンドSC7にそれぞれ接続される。そして、図1に示す制御回路11は、ホバー検出を実行する(ステップST32)。   In step ST32 shown in FIG. 36, the switches Mux2 and Mux4 disconnect the relay wiring DEL from the analog front end SC. As shown in FIG. 39, the switch Mux 3 and the relay wiring DEL electrically connect the detection electrodes DE adjacent to each other in the first direction Dx and the second direction Dy to bundle 2 × 2 detection electrodes DE. The detection electrode block DEB (1, N) is changed to the detection electrode block DEB (1, N-7). The detection electrode blocks DEB (1, N) to the detection electrode blocks DEB (1, N-7) are connected from the analog front end SC1 to the analog front end SC7, respectively. Then, the control circuit 11 shown in FIG. 1 executes hover detection (step ST32).

図39に示す各検出電極ブロックDEBから供給された検出信号Vdetが、所定の閾値ΔVthb以上である場合、検出回路40は、処理をステップST33に進める。   If the detection signal Vdet supplied from each detection electrode block DEB shown in FIG. 39 is equal to or greater than the predetermined threshold value ΔVthb, the detection circuit 40 proceeds with the process to step ST33.

実施形態5においては、ステップST33において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の検出電極DEを対象として、タッチ検出を実行する。   In the fifth embodiment, in step ST33, touch detection is performed on the detection electrode block DEB which is determined to be equal to or greater than the predetermined threshold value ΔVthb and the detection electrode DE around the detection electrode block DEB.

例えば、ステップST33において、所定の閾値ΔVthb以上であるとされた検出電極ブロックDEB(1,N)があり、検出電極ブロックDEB(1,N)に対応する検出電極DE(1,n)、検出電極DE(1,n−1)、検出電極DE(2,n)及び検出電極DE(2,n−1)に対して、図40に示すように、タッチ検出を実行する(ステップST33)。   For example, in step ST33, there is a detection electrode block DEB (1, N) determined to be equal to or more than a predetermined threshold value ΔVthb, and detection electrode DE (1, n) corresponding to the detection electrode block DEB (1, N) As shown in FIG. 40, touch detection is performed on the electrode DE (1, n-1), the detection electrode DE (2, n), and the detection electrode DE (2, n-1) (step ST33).

スイッチMux3及びMux4が中継配線DELとアナログフロントエンドSCとの間を非接続とする。スイッチMux3は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n)との間を接続する。次に、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n−1)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n−1)との間を接続する。次に、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n−2)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n−2)との間を接続する。そして、スイッチMux2は、アナログフロントエンドSC1と、中継配線DEL(1,n−3)との間を接続し、アナログフロントエンドSC5と、中継配線DEL(2,n−3)との間を接続する。この処理により、第1方向Dxに隣り合う検出電極DEが同時に選択され、アナログフロントエンドSCに接続されるようになる。スイッチMux2の動作に伴って、アナログフロントエンドSCに接続される検出電極DEが順次第2方向Dyに順次切り替わる。   Switches Mux3 and Mux4 disconnect the relay wiring DEL from the analog front end SC. The switch Mux3 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n), and connects between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n). Next, the switch Mux2 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n-1), and between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n-1) Connecting. Next, the switch Mux2 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n-2), and between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n-2) Connecting. The switch Mux2 connects between the analog front end SC1 and the relay wiring DEL (1, n-3), and connects between the analog front end SC5 and the relay wiring DEL (2, n-3) Do. By this processing, the detection electrodes DE adjacent in the first direction Dx are simultaneously selected and connected to the analog front end SC. Along with the operation of the switch Mux2, the detection electrodes DE connected to the analog front end SC are sequentially switched in the second direction Dy.

次に、図32に示すステップST33の処理の後、ステップS32の処理において所定の閾値ΔVthb以上であるとされた他の検出電極ブロックDEB及び当該検出電極ブロックDEBの周囲の検出電極DEを対象として、タッチ検出を実行する(ステップST34)。ステップST34の処理は、ステップST33において、アナログフロントエンドSCに接続される検出電極DEの第2方向Dyの位置が異なるだけであるので、詳細な説明を省略する。   Next, after the process of step ST33 shown in FIG. 32, another detection electrode block DEB which is determined to be equal to or more than the predetermined threshold ΔVthb in the process of step S32 and the detection electrodes DE around the detection electrode block DEB are targeted. , Touch detection is performed (step ST34). The process of step ST34 is the same as that of step ST33, except that the position in the second direction Dy of the detection electrode DE connected to the analog front end SC is different, and thus the detailed description is omitted.

(実施形態6)
図41は、実施形態6に係る検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。なお、実施形態1で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
Embodiment 6
FIG. 41 is a plan view schematically showing the relationship between the detection electrode and the connection circuit according to the sixth embodiment. In addition, about the component demonstrated in Embodiment 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

実施形態6の接続回路18は、マルチプレクサMuを内蔵しているが、アナログフロントエンドSCが内蔵されていない。アナログフロントエンドSCは、集積回路19に内蔵されている。アナログフロントエンドSCは、マルチプレクサMuとは別に形成されているので、第1基板21上の接続回路18が含むTFTなどの回路数が減り、接続回路18の面積を小さくすることができる。その結果、周辺領域10bを他の素子を形成するためのスペースとして有効活用する、あるいは、周辺領域10bを小さくして、狭額縁にすることができる。   The connection circuit 18 of the sixth embodiment incorporates the multiplexer Mu, but does not incorporate the analog front end SC. The analog front end SC is incorporated in the integrated circuit 19. Since the analog front end SC is formed separately from the multiplexer Mu, the number of circuits such as TFTs included in the connection circuit 18 on the first substrate 21 can be reduced, and the area of the connection circuit 18 can be reduced. As a result, the peripheral region 10b can be effectively used as a space for forming another element, or the peripheral region 10b can be made smaller to make a narrow frame.

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。   The preferred embodiments have been described above, but the present disclosure is not limited to such embodiments. The content disclosed in the embodiment is merely an example, and various modifications can be made without departing from the scope of the present disclosure. Appropriate changes made without departing from the spirit of the present disclosure naturally fall within the technical scope of the present disclosure.

例えば、検出電極DE、画素電極22等の形状、配置、個数等は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。   For example, the shapes, the arrangement, the number, and the like of the detection electrodes DE, the pixel electrodes 22 and the like are merely examples, and can be appropriately changed.

例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
(1)基板と、
前記基板のセンサ領域において、第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向に行列状に配列された複数の検出電極と、
前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、
複数の前記検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、
前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、
1つの前記検出電極に1つの前記配線を介して接続され、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、
複数の前記配線のそれぞれは、前記第2方向に沿って延在し、
複数の前記配線は、前記第1方向に亘って並んで配置される、
検出装置。
(2)前記マルチプレクサを制御する制御回路を備え、前記制御回路は、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向において、被検出体と前記検出電極との距離に応じて、電気的に同時接続される前記検出電極の数を変える、上記(1)に記載の検出装置。
(3)前記マルチプレクサは、前記検出電極がある前記基板と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある(1)に記載の検出装置。
(4)前記アナログフロントエンドは、集積回路に内蔵され、かつ前記マルチプレクサとは別に形成されている(3)に記載の検出装置。
(5)前記アナログフロントエンドは、前記検出電極と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある(1)乃至(4)のいずれか1つに記載の検出装置。
(6)前記検出電極の数は、前記アナログフロントエンドの数よりも多い(1)乃至(5)のいずれか1つに記載の検出装置。
(7)1つの前記アナログフロントエンドに同時接続可能な前記配線に電気的に接続する複数の前記検出電極は、前記第1方向又は前記第2方向に隣接する2つの前記検出電極を含む(1)乃至(6)のいずれか1つに記載の検出装置。
(8)前記マルチプレクサは、1つの前記アナログフロントエンドに対して、1つずつ前記配線を順次時分割で電気的に接続する(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の検出装置。
(9)1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を1つとする第1検出モードと、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を複数とする第2検出モードと、のいずれかで前記マルチプレクサを制御する制御回路を有する、(1)乃至(8)のいずれか1つに記載の検出装置。
(10)前記制御回路は、被検出体と前記検出電極との距離が大きいほど、制御信号により、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を大きくする(9)に記載の検出装置。
(11)前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が第1閾値よりも大きい場合、前記制御回路は、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が小さくなるように変更する(9)に記載の検出装置。
(12)前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が前記第1閾値よりも小さい第2閾値を下回る場合、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が大きくなるように変更する(11)に記載の検出装置。
(13)
前記第2検出モードにおいて、前記第1検出モードを処理する検出電極を決定し、当該検出電極及び当該検出電極に隣接する検出電極を対象として、前記第1検出モードを処理する(9)に記載の検出装置。
(14)前記第1検出モードにおいて、前記第1方向に隣り合う複数の検出電極が、それぞれ複数の前記アナログフロントエンドに接続される、(9)乃至(13)のいずれか1つに記載の検出装置。
(15)(1)乃至(14)のいずれか1つに記載の検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え
前記表示領域と重畳する領域に、前記検出電極が設けられている、表示装置。
(16)表示期間と検出期間とが時分割で交互に実行され、前記表示期間において、全ての前記検出電極には、共通電位が供給される(15)に記載の表示装置。
For example, the display device of this aspect can take the following aspects.
(1) substrate,
A plurality of detection electrodes arranged in a matrix in a second direction crossing a first direction and the first direction in a sensor area of the substrate;
A drive circuit for supplying a drive signal to the detection electrode;
A plurality of wires electrically connected to each of the plurality of detection electrodes;
An analog front end that receives, from the detection electrode, a detection signal corresponding to a change in capacitance of the detection electrode when the drive signal is supplied;
And a multiplexer connected to one of the detection electrodes via one of the wires and capable of changing the number of wires electrically connected simultaneously to one of the analog front ends.
Each of the plurality of wires extends along the second direction,
The plurality of wires are arranged side by side along the first direction,
Detection device.
(2) A control circuit for controlling the multiplexer is provided, and the control circuit is electrically connected in accordance with the distance between the object to be detected and the detection electrode in a third direction crossing the first direction and the second direction. The detection device according to (1), wherein the number of the detection electrodes connected simultaneously is changed.
(3) The detection device according to (1), wherein the multiplexer is disposed on the same substrate as the substrate on which the detection electrode is located, and is outside the sensor area.
(4) The detection device according to (3), wherein the analog front end is built in an integrated circuit and formed separately from the multiplexer.
(5) The detection device according to any one of (1) to (4), wherein the analog front end is disposed on the same substrate as the detection electrode and is outside the sensor area.
(6) The detection device according to any one of (1) to (5), wherein the number of detection electrodes is larger than the number of analog front ends.
(7) The plurality of detection electrodes electrically connected to the wiring that can be simultaneously connected to one of the analog front ends includes the two detection electrodes adjacent in the first direction or the second direction (1 ) The detection device according to any one of (6) to (6).
(8) The detection device according to any one of (1) to (7), wherein the multiplexer electrically connects the wires one by one in a time division manner to one of the analog front ends.
(9) A first detection mode in which the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end is one, and the same electrically connected simultaneously to one analog front end The detection device according to any one of (1) to (8), including a control circuit that controls the multiplexer in any one of a plurality of second detection modes in which the number of wires is plural.
(10) The control circuit causes the control signal to increase the number of the wires electrically connected simultaneously with respect to one analog front end as the distance between the detection target and the detection electrode increases. The detection device according to 9).
(11) A detection circuit for processing the detection signal via the analog front end;
When the detection signal detected by the detection circuit is larger than the first threshold, the control circuit changes the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end to be smaller ( The detection device according to 9).
(12) A detection circuit for processing the detection signal through the analog front end
When the detection signal detected by the detection circuit falls below a second threshold smaller than the first threshold, the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end is changed to be larger. The detection apparatus as described in (11).
(13)
In the second detection mode, a detection electrode to process the first detection mode is determined, and the first detection mode is processed for the detection electrode and a detection electrode adjacent to the detection electrode (9). Detection device.
(14) In the first detection mode, the plurality of detection electrodes adjacent in the first direction are connected to the plurality of analog front ends, respectively, according to any one of (9) to (13). Detection device.
(15) A display panel including the detection device according to any one of (1) to (14) and a display area, and the detection electrode is provided in an area overlapping with the display area. , Display device.
(16) The display device according to (15), wherein a display period and a detection period are alternately performed in a time division manner, and a common potential is supplied to all the detection electrodes in the display period.

1 表示装置
6 液晶層
10 表示パネル
10a 表示領域
10b 周辺領域
11 制御回路
14 駆動回路
18 接続回路
19 集積回路
20 表示領域
21 第1基板
22 画素電極
30 センサ領域
31 第2基板
40 検出回路
51 配線
DEB 検出電極ブロック
DE 検出電極
SC アナログフロントエンド
Mu マルチプレクサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 display device 6 liquid crystal layer 10 display panel 10a display area 10b peripheral area 11 control circuit 14 drive circuit 18 connection circuit 19 integrated circuit 20 display area 21 first substrate 22 pixel electrode 30 sensor area 31 second substrate 40 detection circuit 51 wiring DEB Detection electrode block DE Detection electrode SC Analog front end Mu multiplexer

Claims (16)

基板と、
前記基板のセンサ領域において、第1方向及び前記第1方向に交差する第2方向に行列状に配列された複数の検出電極と、
前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、
複数の前記検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、
前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、
1つの前記検出電極に1つの前記配線を介して接続され、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、
複数の前記配線のそれぞれは、前記第2方向に沿って延在し、
複数の前記配線は、前記第1方向に亘って並んで配置される、
検出装置。
A substrate,
A plurality of detection electrodes arranged in a matrix in a second direction crossing a first direction and the first direction in a sensor area of the substrate;
A drive circuit for supplying a drive signal to the detection electrode;
A plurality of wires electrically connected to each of the plurality of detection electrodes;
An analog front end that receives, from the detection electrode, a detection signal corresponding to a change in capacitance of the detection electrode when the drive signal is supplied;
And a multiplexer connected to one of the detection electrodes via one of the wires and capable of changing the number of wires electrically connected simultaneously to one of the analog front ends.
Each of the plurality of wires extends along the second direction,
The plurality of wires are arranged side by side along the first direction,
Detection device.
前記マルチプレクサを制御する制御回路を備え、前記制御回路は、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向において、被検出体と前記検出電極との距離に応じて、電気的に同時接続される前記検出電極の数を変える、請求項1に記載の検出装置。   The control circuit includes a control circuit that controls the multiplexer, and the control circuit electrically simultaneously operates according to the distance between the detection target and the detection electrode in a third direction crossing the first direction and the second direction. The detection device according to claim 1, wherein the number of detection electrodes connected is changed. 前記マルチプレクサは、前記検出電極がある前記基板と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある請求項1に記載の検出装置。   The detection apparatus according to claim 1, wherein the multiplexer is disposed on the same substrate as the substrate on which the detection electrode is located, and is outside the sensor area. 前記アナログフロントエンドは、集積回路に内蔵され、かつ前記マルチプレクサとは別に形成されている請求項3に記載の検出装置。   The detection device according to claim 3, wherein the analog front end is built in an integrated circuit and formed separately from the multiplexer. 前記アナログフロントエンドは、前記検出電極と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の検出装置。   The detection apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the analog front end is disposed on the same substrate as the detection electrode and is outside the sensor area. 前記検出電極の数は、前記アナログフロントエンドの数よりも多い請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の検出装置。   The detection device according to any one of claims 1 to 5, wherein the number of detection electrodes is larger than the number of the analog front ends. 1つの前記アナログフロントエンドに同時接続可能な前記配線に電気的に接続する複数の前記検出電極は、前記第1方向又は前記第2方向に隣接する少なくとも2つの前記検出電極を含む請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の検出装置。   The plurality of detection electrodes electrically connected to the wiring that can be simultaneously connected to one of the analog front ends includes at least two of the detection electrodes adjacent in the first direction or the second direction. The detection apparatus of any one of Claim 6. 前記マルチプレクサは、1つの前記アナログフロントエンドに対して、1つずつ前記配線を順次時分割で電気的に接続する請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の検出装置。   The detection apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the multiplexer electrically connects the wirings one by one in a time-division manner to one of the analog front ends. 1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を1つとする第1検出モードと、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を複数とする第2検出モードと、のいずれかで前記マルチプレクサを制御する制御回路を有する、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の検出装置。   The first detection mode in which the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end is one, and the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end The detection device according to any one of claims 1 to 8, further comprising: a control circuit that controls the multiplexer in any one of a plurality of second detection modes in which 前記制御回路は、被検出体と前記検出電極との距離が大きいほど、制御信号により、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を大きくする請求項9に記載の検出装置。   The control circuit increases the number of wires electrically connected simultaneously to one of the analog front end by a control signal as the distance between the detection target and the detection electrode increases. Detection device as described. 前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が第1閾値よりも大きい場合、前記制御回路は、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が小さくなるように変更する請求項9に記載の検出装置。
Detection circuitry for processing the detection signal via the analog front end;
When the detection signal detected by the detection circuit is larger than a first threshold, the control circuit changes the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end to be smaller. Item 10. The detection device according to item 9.
前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が前記第1閾値よりも小さい第2閾値を下回る場合、1つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が大きくなるように変更する請求項11に記載の検出装置。
Detection circuitry for processing the detection signal via the analog front end;
When the detection signal detected by the detection circuit falls below a second threshold smaller than the first threshold, the number of wires electrically connected simultaneously to one analog front end is changed to be larger. The detection device according to claim 11.
前記第2検出モードにおいて、前記第1検出モードを処理する検出電極を決定し、当該検出電極及び当該検出電極に隣接する検出電極を対象として、前記第1検出モードを処理する請求項9に記載の検出装置。   The detection electrode to process the first detection mode is determined in the second detection mode, and the first detection mode is processed for the detection electrode and a detection electrode adjacent to the detection electrode. Detection device. 前記第1検出モードにおいて、前記第1方向に隣り合う複数の検出電極が、それぞれ複数の前記アナログフロントエンドに接続される、請求項9乃至請求項13のいずれか1項に記載の検出装置。   The detection device according to any one of claims 9 to 13, wherein in the first detection mode, the plurality of detection electrodes adjacent in the first direction are connected to the plurality of analog front ends, respectively. 請求項1乃至請求項14のいずれか1項に記載の検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え
前記表示領域と重畳する領域に、前記検出電極が設けられている、表示装置。
A display apparatus comprising: the detection device according to any one of claims 1 to 14; and a display panel including a display area, wherein the detection electrode is provided in an area overlapping with the display area. .
表示期間と検出期間とが時分割で交互に実行され、前記表示期間において、全ての前記検出電極には、共通電位が供給される請求項15に記載の表示装置。   The display device according to claim 15, wherein a display period and a detection period are alternately performed in a time division manner, and a common potential is supplied to all the detection electrodes in the display period.
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