JP2019082522A - Liquid crystal display device - Google Patents

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Hideki Shiina
秀樹 椎名
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Abstract

To prevent a lateral shift of a TFT substrate and a counter substrate.SOLUTION: There is provided a liquid crystal display device configured such that a liquid crystal is sandwiched between a first substrate 100 and a second substrate 200, therein a thin film transistor and an organic passivation film 108 covering the thin film transistor and a pixel electrode 111 are formed on the first substrate, and the organic passivation film has a flat part and a through-hole 130 for connecting the pixel electrode to the thin film transistor, and a light shielding film 202 and a first spacer 60 and a second spacer 70 are formed on the second substrate, and the first spacer is positioned at the flat part of the organic passivation film, and a part of the second spacer is disposed so as to be brought into contact with a side wall part in the through-hole.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

表示装置にかかり、基板の横ずれに起因して、スペーサが配向膜を削る現象を対策する液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device which copes with a display device and measures a phenomenon in which a spacer scrapes an alignment film due to a lateral displacement of a substrate.

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して、対向基板が配置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。   In a liquid crystal display device, a TFT substrate on which pixel electrodes, thin film transistors (TFTs) and the like are formed in a matrix, and a TFT substrate are disposed opposite to each other, and a liquid crystal is sandwiched between the TFT substrate and the opposite substrate. . An image is formed by controlling the light transmittance of liquid crystal molecules for each pixel.

TFT基板と対向基板の間の液晶層の厚さが変化すると色ムラの原因になる。TFT基板と対向基板の間隔を一定にするために柱状スペーサが使用される。柱状スペーサは一般には対向基板に形成される。柱状スペーサは通常状態でTFT基板と接触して基板間の間隔を規定するメイン柱状スペーサと、対向基板に何らかの圧力が加わった場合にTFT基板側と接触することによって、基板間の間隔が過度に小さくならないようにするためのサブ柱状スペーサが存在する。   When the thickness of the liquid crystal layer between the TFT substrate and the counter substrate changes, it causes uneven color. Columnar spacers are used to keep the distance between the TFT substrate and the counter substrate constant. Columnar spacers are generally formed on the opposing substrate. The columnar spacers contact the TFT substrate in a normal state to define the distance between the substrates, and the contact between the opposing substrate and the TFT substrate when any pressure is applied to the opposing substrate causes the distance between the substrates to be excessive. There is a sub-columnar spacer to prevent it from becoming smaller.

特許文献1には、サブ柱状スペーサをスルーホール内壁に接触させることによって、対向基板に加えられる外部からの圧力の大きさに対応して反発力を調整できることを可能とする液晶表示装置が記載されている。   Patent Document 1 describes a liquid crystal display device capable of adjusting the repulsive force according to the magnitude of the external pressure applied to the counter substrate by bringing the sub-columnar spacer into contact with the inner wall of the through hole. ing.

特開2009−069391号公報JP, 2009-069391, A

最近は、液晶表示装置の対向基板を指等でタッチすることによって入力する方式が増加している。このような方式の液晶表示装置では、通常はメイン柱状スペーサ(以後メインスペーサという)で基板間隔を維持し、タッチ動作によって、対向基板に圧力がかかった場合に、メインスペーサよりも高さの低いサブ柱状スペーサ(以後サブスペーサという)がTFT基板側に接触する構成となっている。   Recently, an input method has been increasing by touching the opposite substrate of the liquid crystal display device with a finger or the like. In a liquid crystal display device of such a type, usually, the distance between the substrates is maintained by main columnar spacers (hereinafter referred to as main spacers), and the height is lower than that of the main spacers when pressure is applied to the opposite substrate by touch operation. Sub-columnar spacers (hereinafter referred to as sub-spacers) are in contact with the TFT substrate side.

タッチ動作が行われると、対向基板が撓むために、タッチされた部分およびその周辺においてメインスペーサあるいはサブスペーサの横ずれを生ずる。メインスペーサの方が横ずれの量は大きい。   When the touch operation is performed, the main substrate or the sub spacer may be laterally offset at the touched portion and its periphery because the opposing substrate is bent. The amount of lateral displacement is larger with the main spacer.

一方、TFT基板と対向基板の内側の液晶と接する面には、液晶を初期配向させるための配向膜が形成されている。メインスペーサあるいはサブスペーサがTFT基板上で横ずれを生ずると、配向膜が削られる。配向膜の削りくずが液晶中に混入すると、輝点を引き起こす。   On the other hand, an alignment film for initially aligning the liquid crystal is formed on the surface in contact with the liquid crystal inside the TFT substrate and the opposite substrate. When the main spacer or sub spacer causes lateral displacement on the TFT substrate, the alignment film is scraped. When the shavings of the alignment film mix in the liquid crystal, they cause bright spots.

本発明の課題は、対向基板に圧力が加わった場合等におけるTFT基板と対向基板の間の横ずれを防止し、配向膜の削れを防止し、画面欠陥を防止することである。   An object of the present invention is to prevent lateral displacement between the TFT substrate and the opposing substrate when pressure is applied to the opposing substrate, etc., to prevent abrasion of the alignment film, and to prevent screen defects.

本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。   The present invention overcomes the above problems, and the specific means are as follows.

(1)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記第1の基板には薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機パッシベーション膜と、画素電極が形成され、前記有機パッシベーション膜は、平坦部と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタを接続するためのスルーホールを有し、前記第2の基板には、遮光膜と第1のスペーサと第2のスペーサが形成され、前記第1のスペーサは、前記有機パッシベーション膜の前記平坦部に位置し、前記第2のスペーサの一部は、前記スルーホール内の側壁部に接触して配置されることを特徴とする液晶表示装置。   (1) A liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between a first substrate and a second substrate, and a thin film transistor, an organic passivation film covering the thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate. The organic passivation film has a flat portion and a through hole for connecting the pixel electrode and the thin film transistor, and the light shielding film, the first spacer, and the second spacer are provided on the second substrate. The first spacer is located on the flat portion of the organic passivation film, and a portion of the second spacer is disposed in contact with the side wall portion in the through hole. Liquid crystal display device.

(2)第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記第1の基板には薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機パッシベーション膜と、画素電極が形成され、前記有機パッシベーション膜は、平坦部と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタを接続するためのスルーホールを有し、前記第2の基板には、遮光膜と第1のスペーサと第2のスペーサが形成され、前記第1のスペーサは、前記有機パッシベーション膜の前記平坦部に位置し、前記第2のスペーサの側壁は、第1部分と、前記第1部分と前記第2の基板間の第2部分とを有し、断面で視て、前記第1部分の側面と前記第2の基板の主面との成す角が、前記第2部分の側面と前記第2の基板の前記主面との成す角よりも小さく、平面で視て、前記第2のスペーサの中央部位置は、前記スルーホールの中央位置と合せて配置されることを特徴とする液晶表示装置。   (2) A liquid crystal display device in which liquid crystal is held between a first substrate and a second substrate, and a thin film transistor, an organic passivation film covering the thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate. The organic passivation film has a flat portion and a through hole for connecting the pixel electrode and the thin film transistor, and the light shielding film, the first spacer, and the second spacer are provided on the second substrate. The first spacer is located on the flat portion of the organic passivation film, and the sidewall of the second spacer is a first portion and a second portion between the first portion and the second substrate. And an angle formed between the side surface of the first portion and the main surface of the second substrate, as viewed in cross section, between the side surface of the second portion and the main surface of the second substrate Smaller than the angle formed and viewed in a plane Said central portion position of the second spacer, a liquid crystal display device characterized by being arranged together with the central position of the through hole.

本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。1 is a plan view of a liquid crystal display to which the present invention is applied. 液晶表示装置の表示領域の断面図である。It is sectional drawing of the display area of a liquid crystal display device. 液晶表示装置の表示領域の他の断面図である。It is other sectional drawing of the display area of a liquid crystal display device. 本発明の液晶表示装置の特徴を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the characteristic of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の特徴を示す他の断面図である。It is other sectional drawing which shows the characteristic of the liquid crystal display device of this invention. 液晶表示装置の問題点を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the problem of a liquid crystal display device. 本発明の作用を示す液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display which shows the effect | action of this invention. 横ずれ防止スペーサの斜視図である。It is a perspective view of a side shift prevention spacer. 横ずれ防止スペーサの断面図である。It is sectional drawing of a side shift prevention spacer. 本発明による液晶表示装置の表示領域の平面図である。It is a top view of the display area of the liquid crystal display device by this invention. 横ずれ防止スペーサの他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a side shift prevention spacer. 実施例2を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing Example 2; 実施例2の作用を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the operation of Example 2; 実施例2の横ずれ防止スペーサを示す図である。FIG. 7 is a view showing a lateral displacement preventing spacer of Example 2; 実施例2の横ずれ防止スペーサの他の例を示す図である。FIG. 18 is a view showing another example of the anti-slip spacer of Example 2; 実施例3を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing Example 3; 実施例3の作用を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing the operation of Example 3; 実施例3の表示領域の平面図である。FIG. 16 is a plan view of a display area of Example 3; 実施例4の例を示す表示領域の平面図である。FIG. 21 is a plan view of a display area showing an example of Example 4; 実施例4の他の例を示す表示領域の平面図である。FIG. 21 is a plan view of a display area showing another example of the fourth embodiment.

以下に本発明の内容を、実施例を用いて説明する。   Hereinafter, the contents of the present invention will be described using examples.

図1は本発明が適用される液晶表示装置の平面図である。図1において、TFT基板100と対向基板200がシール材40によって接着し、TFT基板100と対向基板200の間に液晶が挟持されている。TFT基板100は対向基板200よりも大きく形成されており、TFT基板100と対向基板200が重なっていない部分は端子部30となっている。端子部30には、液晶表示パネルを駆動するICドライバ31が搭載され、また、液晶表示パネルに電源、映像信号、走査信号等を供給するためのフレキシブル配線基板を接続するための端子等が形成されている。   FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device to which the present invention is applied. In FIG. 1, a TFT substrate 100 and an opposite substrate 200 are bonded by a sealing material 40, and liquid crystal is held between the TFT substrate 100 and the opposite substrate 200. The TFT substrate 100 is formed larger than the counter substrate 200, and a portion where the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 do not overlap with each other is a terminal portion 30. An IC driver 31 for driving a liquid crystal display panel is mounted on the terminal portion 30, and a terminal for connecting a flexible wiring board for supplying a power supply, a video signal, a scanning signal and the like to the liquid crystal display panel is formed. It is done.

図1において、表示領域20には走査線11が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線12が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線11と映像信号線12とで囲まれた領域が画素13となっている。各画素にはTFTや画素電極が形成されている。対向基板200には、TFT基板100と対向基板200の間隔を規定するための、メインスペーサが形成されている。また、タッチ入力をするために、対向基板200が指等で圧力を受けた場合に、過度にTFT基板200と対向基板が接近しないようにするためのサブスペーサが形成されている。これに加えて、本発明の特徴である、TFT基板100と対向基板200の横ずれを防止する横ずれ防止スペーサが形成されている。   In FIG. 1, scanning lines 11 extend in the horizontal direction in the display area 20 and are arranged in the vertical direction. The video signal lines 12 extend in the vertical direction and are arranged in the horizontal direction. An area surrounded by the scanning line 11 and the video signal line 12 is a pixel 13. A TFT and a pixel electrode are formed in each pixel. On the opposite substrate 200, a main spacer for defining the distance between the TFT substrate 100 and the opposite substrate 200 is formed. Further, in order to perform touch input, a sub-spacer is formed to prevent the TFT substrate 200 and the opposite substrate from coming close excessively when the opposite substrate 200 receives pressure with a finger or the like. In addition to this, a lateral deviation prevention spacer for preventing lateral deviation between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200, which is a feature of the present invention, is formed.

図2乃至図5は本発明における表示領域20の断面図である。図2は画素電極111とTFTのソース電極107を接続するスルーホール130の付近にメインスペーサ60が配置している例であり、図3は、スルーホール130の付近にサブスペーサ70が配置している例であり、図4及び図5はスルーホール130内に横ずれ防止スペーサ80が配置している例である。   2 to 5 are cross-sectional views of the display area 20 in the present invention. FIG. 2 shows an example in which the main spacer 60 is disposed in the vicinity of the through hole 130 connecting the pixel electrode 111 and the source electrode 107 of the TFT, and in FIG. 3 the sub spacer 70 is disposed in the vicinity of the through hole 130. FIGS. 4 and 5 show an example in which the anti-lateral deviation spacer 80 is disposed in the through hole 130. FIG.

以下に主に、図2を用いて液晶表示装置の断面構成を説明する。図2は、IPS(In Plane Switching)方式の液晶表示装置の断面構成を説明する図である。図2は、液晶表示装置の層構造を説明するためのものであり、特定の平面構造と対応しているものではない。   The cross-sectional configuration of the liquid crystal display device will be mainly described below with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram for explaining a cross-sectional configuration of an IPS (In Plane Switching) liquid crystal display device. FIG. 2 is for describing the layer structure of the liquid crystal display device, and does not correspond to a specific planar structure.

図2において、例えばガラスで形成されたTFT基板100の上に下地膜101が形成されている。液晶表示装置を湾曲可能とするためには、ガラス基板を0.2mm以下に薄くするか、TFT基板100をポリイミド等の樹脂で形成することが出来る。   In FIG. 2, a base film 101 is formed on a TFT substrate 100 made of, for example, glass. In order to allow the liquid crystal display device to be curved, the glass substrate can be thinned to 0.2 mm or less, or the TFT substrate 100 can be formed of a resin such as polyimide.

下地膜101は、ガラスからの不純物が後で形成される半導体層102を汚染することを防止する役割を有する。下地膜101は一般には、窒化シリコン膜(以後SiN膜という)と酸化シリコン膜(以下SiO膜という)の2層膜から形成される。下地膜101の上に半導体層102が形成される。半導体層102は、まずCVDによってa−Siを形成し、その後、エキシマレーザを照射することによってPoly−Siに変換したものである。なお、下地膜101を構成するSiN、SiO、半導体層となるa−Siは、CVDによって連続して形成される。   The base film 101 has a role of preventing impurities from glass from contaminating the semiconductor layer 102 to be formed later. The base film 101 is generally formed of a two-layer film of a silicon nitride film (hereinafter referred to as a SiN film) and a silicon oxide film (hereinafter referred to as an SiO film). The semiconductor layer 102 is formed on the base film 101. The semiconductor layer 102 is formed by first forming a-Si by CVD and then converting it into Poly-Si by irradiating an excimer laser. Note that SiN and SiO constituting the base film 101 and a-Si to be a semiconductor layer are continuously formed by CVD.

半導体層102をパターニングした後、これを覆ってゲート絶縁膜103を形成する。ゲート絶縁膜103はTEOS(テトラエトキシシラン)を原料としたSiO膜である。ゲート絶縁膜103を覆ってゲート電極104が形成される。ゲート電極104は例えば、MoW(モリブデンタングステン)合金で形成され、MoW合金をスパッタリング等で成膜した後、パターニングして形成する。   After patterning the semiconductor layer 102, a gate insulating film 103 is formed to cover the semiconductor layer 102. The gate insulating film 103 is an SiO film made of TEOS (tetraethoxysilane) as a raw material. A gate electrode 104 is formed to cover the gate insulating film 103. The gate electrode 104 is formed of, for example, a MoW (molybdenum tungsten) alloy, and the MoW alloy is formed by sputtering or the like and then patterned.

ゲート電極104をパターニングした後、P(リン)、B(ボロン)等のイオンインプランテーションを行い、ゲート電極104で覆われた領域以外の半導体層102に導電性を付与する。これによって、半導体層102にドレイン領域1021及びソース領域1022を形成する。   After patterning the gate electrode 104, ion implantation of P (phosphorus), B (boron), or the like is performed to impart conductivity to the semiconductor layer 102 other than the region covered with the gate electrode 104. Thus, the drain region 1021 and the source region 1022 are formed in the semiconductor layer 102.

その後、ゲート電極を覆ってSiNあるいはSiOによって層間絶縁膜105を形成する。層間絶縁膜105はCVDによって形成することが出来る。層間絶縁膜105およびゲート絶縁膜103にスルーホールを形成し、半導体層102のドレイン領域1021とドレイン電極106の接続、及び、半導体層のソース領域1022とソース電極107の接続を可能にする。ドレイン電極106は映像信号線11と接続し、ソース電極107は後で形成される、スルーホール130を介して画素電極111と接続する。なお、図2では、映像信号線11がドレイン電極106を兼ねている。   Thereafter, an interlayer insulating film 105 is formed of SiN or SiO covering the gate electrode. The interlayer insulating film 105 can be formed by CVD. Through holes are formed in the interlayer insulating film 105 and the gate insulating film 103 to enable connection of the drain region 1021 and the drain electrode 106 of the semiconductor layer 102 and connection of the source region 1022 and the source electrode 107 of the semiconductor layer. The drain electrode 106 is connected to the video signal line 11, and the source electrode 107 is connected to the pixel electrode 111 through the through hole 130 which will be formed later. In FIG. 2, the video signal line 11 doubles as the drain electrode 106.

ドレイン電極106およびソース電極107を覆ってアクリル樹脂等によって、有機パッシベーション膜108を形成する。有機パッシベーション膜108は平坦化膜の役割を有しているので、2乃至4μmと、厚く形成される。   An organic passivation film 108 is formed of acrylic resin or the like to cover the drain electrode 106 and the source electrode 107. The organic passivation film 108 has a role of a planarizing film, and is thus formed as thick as 2 to 4 μm.

有機パッシベーション膜108は感光性の樹脂で形成されるので、スルーホール130の形成に、別途レジストを形成する必要はない。有機パッシベーション膜材料はポジ型の感光性樹脂であり、光が照射された部分にスルーホール130が形成される。なお、有機パッシベーション膜108はアクリルの他、シリコン樹脂あるいはポリイミド等で形成することも出来る。   Since the organic passivation film 108 is formed of a photosensitive resin, it is not necessary to separately form a resist for the formation of the through hole 130. The organic passivation film material is a positive photosensitive resin, and a through hole 130 is formed in a portion irradiated with light. The organic passivation film 108 can also be formed of silicon resin or polyimide other than acrylic.

有機パッシベーション膜108の上に、平面状にコモン電極109がITO(Indium Tin Oxide)等の酸化物透明導電膜によって形成される。コモン電極109は各画素共通に形成されるが、スルーホール130内には形成されない。コモン電極109をパターニング後、コモン電極109を覆って容量絶縁膜110がSiNによって形成される。容量絶縁膜110はCVDによって形成される。容量絶縁膜110は有機パッシベーション膜108を形成した後に形成されるので、高温で形成することが出来ず、200℃程度の低温CVDによって形成される。   On the organic passivation film 108, the common electrode 109 is formed of an oxide transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) in a planar shape. The common electrode 109 is formed in common to each pixel, but is not formed in the through hole 130. After patterning the common electrode 109, a capacitive insulating film 110 is formed of SiN to cover the common electrode 109. The capacitive insulating film 110 is formed by CVD. Since the capacitive insulating film 110 is formed after the formation of the organic passivation film 108, it can not be formed at a high temperature, and is formed by low temperature CVD at about 200.degree.

容量絶縁膜110の上に、櫛歯状、あるいはストライプ状に画素電極111がITO等の酸化物透明導電膜によって形成される。コモン電極109と画素電極111との間の絶縁膜110は画素電極とコモン電極との間の保持容量を形成するものであるから、容量絶縁膜110と呼ばれる。   On the capacitive insulating film 110, the pixel electrode 111 is formed of a transparent conductive oxide film such as ITO in a comb shape or a stripe shape. The insulating film 110 between the common electrode 109 and the pixel electrode 111 forms a storage capacitance between the pixel electrode and the common electrode, and is therefore called a capacitive insulating film 110.

容量絶縁膜110には、有機パッシベーション膜108に形成されたスルーホール130内において、スルーホールが形成され、画素電極111とソース電極107が接続される。   In the capacitive insulating film 110, a through hole is formed in the through hole 130 formed in the organic passivation film 108, and the pixel electrode 111 and the source electrode 107 are connected.

画素電極111及び容量絶縁膜110を覆って配向膜112が形成される。配向膜112は液晶の初期配向を決めるものであり、配向処理はラビング処理か光配向処理によって行われる。画素電極111に映像信号が印加されると、コモン電極109との間に矢印のような電気力線が発生し、液晶分子301を回転し、画素毎に液晶層300の透過率を制御して画像を形成する。   An alignment film 112 is formed to cover the pixel electrode 111 and the capacitive insulating film 110. The alignment film 112 determines the initial alignment of the liquid crystal, and the alignment process is performed by rubbing process or photo alignment process. When a video signal is applied to the pixel electrode 111, an electric force line like an arrow is generated between the pixel electrode 111 and the common electrode 109, and the liquid crystal molecules 301 are rotated to control the transmittance of the liquid crystal layer 300 for each pixel. Form an image.

図2において、液晶層300を挟んで対向基板200が配置している。フレキシブル表示装置としたい場合は、対向基板200をポリイミド等の樹脂で形成することが出来る。対向基板200の内側にカラーフィルタ201とブラックマトリクス202が形成される。バックライトからの光を制御して画像を形成したい部分にはカラーフィルタ201を配置し、カラー表示を可能にする。一方、バックライトからの光を制御することが難しい、例えば、後で説明するスペーサ、スルーホール130等が形成された部分等にはブラックマトリクス202を形成し、光漏れを防止する。   In FIG. 2, the counter substrate 200 is disposed with the liquid crystal layer 300 interposed therebetween. In the case of a flexible display device, the counter substrate 200 can be formed of a resin such as polyimide. The color filter 201 and the black matrix 202 are formed inside the counter substrate 200. A color filter 201 is disposed at a portion where light from the backlight is to be controlled to form an image, and color display is enabled. On the other hand, it is difficult to control the light from the backlight. For example, the black matrix 202 is formed on a portion where a spacer, a through hole 130 and the like to be described later are formed to prevent light leakage.

カラーフィルタ201及びブラックマトリクス202を覆ってアクリル等の透明有機材料によってオーバーコート膜203が形成される。対向基板200には、TFT基板100と対向基板200の間隔を一定に保ち、液晶層300の厚さを均一にするために、オーバーコート膜203の上にメインスペーサ60が形成されている。なお、他の場所では、スルーホール130の付近にサブスペーサ70が形成され、さらに他の場所では、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130に挿入されるように形成されている。   An overcoat film 203 is formed of a transparent organic material such as acrylic to cover the color filters 201 and the black matrix 202. In the counter substrate 200, main spacers 60 are formed on the overcoat film 203 in order to keep the distance between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 constant and to make the thickness of the liquid crystal layer 300 uniform. In other places, the sub spacer 70 is formed in the vicinity of the through hole 130, and in the other place, the anti-lateral deviation spacer 80 is formed to be inserted into the through hole 130.

図2に示すように、メイン柱状スペーサ20の先端はTFT基板100側の配向膜112と接触している。対向基板200に外部から圧力が加わったような場合、メイン柱状スペーサ20の先端には強い圧力が加わり、メイン柱状スペーサ20が変形すると共に横ずれをおこし、配向膜112がメイン柱状スペーサ20によって削られる。配向膜112は、ラビング処理以外に光配向処理によって形成される場合もあるが、光配向処理された配向膜112は機械的に弱いので、配向膜の削れは、より深刻な問題になる。   As shown in FIG. 2, the tip of the main columnar spacer 20 is in contact with the alignment film 112 on the TFT substrate 100 side. When pressure is applied to the counter substrate 200 from the outside, a strong pressure is applied to the tip of the main columnar spacer 20 to deform the main columnar spacer 20 and cause lateral displacement, and the alignment film 112 is scraped by the main columnar spacer 20 . Although the alignment film 112 may be formed by photo alignment processing other than rubbing processing, since the alignment film 112 subjected to the photo alignment processing is mechanically weak, abrasion of the alignment film becomes a more serious problem.

メイン柱状スペーサ20の横ずれなどに対応するため、図10で説明するように、平面で視てメインスペーサ60の径よりも大きい径のブラックマトリクスbmmによってメインスペーサを覆っている。   In order to cope with lateral displacement and the like of the main columnar spacer 20, as described in FIG. 10, the main spacer is covered with a black matrix bmm having a diameter larger than the diameter of the main spacer 60 in plan view.

図3は他の場所における液晶表示装置の断面図である。図3が図2と異なる点は、スルーホール130の付近にメインスペーサではなくサブスペーサ70が形成されていることである。図3に示すように、サブスペーサ70は通常はTFT基板100側に接触していない。対向基板200に外部から圧力が加わった場合にサブスペーサ70がTFT基板100に接触することによって、対向基板200とTFT基板100の間隔が過度に小さくなることを防止している。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device at another place. 3 differs from FIG. 2 in that a sub spacer 70 is formed in the vicinity of the through hole 130 instead of the main spacer. As shown in FIG. 3, the sub spacer 70 is not normally in contact with the TFT substrate 100 side. When pressure is applied to the counter substrate 200 from the outside, the sub spacer 70 is in contact with the TFT substrate 100 to prevent the distance between the counter substrate 200 and the TFT substrate 100 from being excessively reduced.

サブスペーサ70の場合でも、圧力が大きくなると、サブスペーサ70がTFT基板100に対してずれる。このため、図10に示すように、サブスペーサ70に対しても、平面で視てサブスペーサ70の径よりも大きい径のブラックマトリクスbmsによってサブスペーサを覆っている。ただし、サブスペーサ70のずれる量はメインスペーサ60のずれる量よりも小さいので、φbms<φbmmとなっている。   Even in the case of the sub spacer 70, the sub spacer 70 is displaced relative to the TFT substrate 100 when the pressure is increased. Therefore, as shown in FIG. 10, the sub-spacer 70 is also covered with the black matrix bms having a diameter larger than the diameter of the sub-spacer 70 in a plan view. However, since the amount of displacement of the sub spacer 70 is smaller than the amount of displacement of the main spacer 60, φbms <φbmm.

しかし、メインスペーサ60を覆うブラックマトリクスbmm、およびサブスペーサ70を覆うブラックマトリクスbmsの径が大きくなると開口率が低下する。本発明は、TFT基板100と対向基板200の間の横ずれを防止することによって、メインスペーサ60とサブスペーサ70のズレを防止し、これによって、平面で視て、メインスペーサ60とサブスペーサ70を覆うブラックマトリクスbmm、bmsの径φbmm、φbmsを小さくして透過率の低下を防止することが出来る。   However, when the diameter of the black matrix bmm covering the main spacer 60 and the black matrix bms covering the sub spacer 70 increases, the aperture ratio decreases. According to the present invention, the main spacer 60 and the sub spacer 70 are prevented from being shifted by preventing the lateral shift between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200, whereby the main spacer 60 and the sub spacer 70 can be viewed in plan view. The black matrix bmm to be covered and the diameters φbmm and φbms of bms can be reduced to prevent the reduction of the transmittance.

図4は、本発明の特徴を示す断面図である。図4において、横ずれ防止スペーサ80がスルーホールの内部に配置し、スルーホール80の傾斜部81がスルーホール130の内壁と接触している。図4のような構成とすることによって、対向基板200のTFT基板100に対する図面左方向(−x方向)への動きが阻止される。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing the features of the present invention. In FIG. 4, the anti-lateral deviation spacer 80 is disposed inside the through hole, and the inclined portion 81 of the through hole 80 is in contact with the inner wall of the through hole 130. With the configuration as shown in FIG. 4, the movement of the counter substrate 200 in the left direction (−x direction) relative to the TFT substrate 100 is blocked.

図4に示す横ずれ防止スペーサ80の特徴は、先端付近に傾斜部が形成されており、傾斜部81とスルーホール130の内壁が面状に接触していることである。横ずれ防止スペーサ80とスルーホール130の内壁が面状に接触しているので、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内壁を押す力が強い場合でも、大きな摩擦抵抗により、基板間の横ずれの抑止力を増すことができる。   A feature of the anti-slip spacer 80 shown in FIG. 4 is that a sloped portion is formed near the tip, and the sloped portion 81 and the inner wall of the through hole 130 are in planar contact. Since the anti-slip spacers 80 and the inner wall of the through hole 130 are in planar contact, even if the anti-slip spacer 80 pushes the inner wall of the through hole 130 strongly, a large frictional resistance prevents lateral displacement between the substrates. Can be increased.

図5は本発明の特徴を示す他の断面図である。図5において、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内部に配置し、スルーホール130の傾斜部81がスルーホール130の内壁と接触している。ただし、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内壁と接触している面は図4と逆側である。図5の構成は、図4とは逆に、対向基板200のTFT基板100に対する図面右方向(x方向)への動きが阻止される。   FIG. 5 is another cross-sectional view showing the features of the present invention. In FIG. 5, the anti-lateral deviation spacer 80 is disposed inside the through hole 130, and the inclined portion 81 of the through hole 130 is in contact with the inner wall of the through hole 130. However, the side in which the anti-slip spacer 80 is in contact with the inner wall of the through hole 130 is the opposite side to that in FIG. 4. In the configuration of FIG. 5, contrary to FIG. 4, the movement of the counter substrate 200 with respect to the TFT substrate 100 in the right direction (x direction) of the drawing is blocked.

図6および図7は、本発明の作用を説明する断面図である。図を複雑にしないために、図6及び図7では、一部の層は省略されている。図6において、層間絶縁膜105の上に映像信号線12およびTFTのソース電極107が形成され、これらを覆って有機パッシベーション膜108が形成されている。ソース電極107の部分には、有機パッシベーション膜108にスルーホール130が形成されている。対向基板200には、ブラックマトリクス202が形成され、その上にオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203には、TFT基板100と対向基板200の間隔を規定するためにメインスペーサ60が形成されている。   6 and 7 are cross-sectional views for explaining the operation of the present invention. Some layers are omitted in FIGS. 6 and 7 in order not to complicate the figure. In FIG. 6, the video signal line 12 and the source electrode 107 of the TFT are formed on the interlayer insulating film 105, and the organic passivation film 108 is formed to cover them. A through hole 130 is formed in the organic passivation film 108 in the portion of the source electrode 107. A black matrix 202 is formed on the counter substrate 200, and an overcoat film 203 is formed thereon. A main spacer 60 is formed on the overcoat film 203 to define the distance between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200.

図6において、対向基板200に対して矢印Fのように力が外部から加わると、対向基板200が撓み、メインスペーサ60を矢印dの方向に移動させるような力が発生し、実際にメインスペーサ60は移動する。この時、有機パッシベーション膜108上に形成されている配向膜がメインスペーサ60によって削られる場合があり、削れた配向膜が周辺の液晶層中に浮遊することで光漏れの原因になる。この光漏れを防止するためには、対向基板200側には、メインスペーサ60の断面よりも十分に大きな面積のブラックマトリクスを形成する必要がある。   In FIG. 6, when a force is applied from the outside to the opposing substrate 200 as shown by the arrow F, the opposing substrate 200 is bent and a force is generated to move the main spacer 60 in the direction of the arrow d. 60 move. At this time, the alignment film formed on the organic passivation film 108 may be scraped by the main spacer 60, and the scraped alignment film floats in the peripheral liquid crystal layer, which causes light leakage. In order to prevent this light leakage, it is necessary to form a black matrix having an area sufficiently larger than the cross section of the main spacer 60 on the counter substrate 200 side.

図7は本発明の作用を示す断面図である。図7の層構成は図6と同様である。図7が図6と異なる点は、対向基板200側に横ずれ防止スペーサ80が形成されていることである。そして、横ずれ防止スペーサ80の先端付近には傾斜部が形成されている。この傾斜部がスルーホール130の内壁と接触している。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing the operation of the present invention. The layer configuration of FIG. 7 is the same as that of FIG. The difference between FIG. 7 and FIG. 6 is that the anti-lateral deviation spacer 80 is formed on the counter substrate 200 side. The inclined portion is formed in the vicinity of the tip of the anti-slip spacer 80. The inclined portion is in contact with the inner wall of the through hole 130.

図7において、図面左側(−x側)の横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内壁と接触する面と、図面右側の横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内壁と接触する面は逆である。図7において、対向基板200に加えられる力Fによって対向基板200がTFT基板100に対して撓む向き、すなわち、メインスペーサ60をTFT基板100に対してずらそうとする力は、矢印Fの左側と右側で逆方向である。図7において、対向基板をTFT基板から横方向にずらそうとする力fに対して、横ずれ防止スペーサ80が有機パッシベーション膜108のスルーホール130の内壁から同じ力fの反発を受けることを示している。したがって、図7の構成は、いずれの方向に対しても対向基板200のTFT基板100に対するずれを防止することが出来る。   In FIG. 7, the surface on the left side (−x side) of the lateral displacement preventing spacer 80 in contact with the inner wall of the through hole 130 and the surface on the right side of the lateral displacement preventing spacer 80 in contact with the inner wall of the through hole 130 are opposite. In FIG. 7, the direction in which the opposing substrate 200 bends with respect to the TFT substrate 100 by the force F applied to the opposing substrate 200, that is, the force to displace the main spacer 60 with respect to the TFT substrate 100 is the left side of the arrow F. And in the opposite direction on the right. In FIG. 7, it is shown that the anti-slip spacer 80 receives the repulsion of the same force f from the inner wall of the through hole 130 of the organic passivation film 108 against the force f to shift the opposing substrate in the lateral direction from the TFT substrate. There is. Therefore, the configuration of FIG. 7 can prevent the shift of the counter substrate 200 with respect to the TFT substrate 100 in any direction.

図7は、x方向について説明した図であるが、x方向と直角方向であるy方向に対しても同様である。y方向の場合は、横ずれ防止スペーサがスルーホールの内壁と接する面がx方向と90度の角度となる以外は同様である。   FIG. 7 is a diagram for explaining the x direction, but the same applies to the y direction which is a direction perpendicular to the x direction. In the case of the y direction, the same procedure is applied except that the side of the anti-slippage spacer in contact with the inner wall of the through hole forms an angle of 90 degrees with the x direction.

図8は横ずれ防止スペーサ80の例を示す斜視図である。図8の横ずれ防止スペーサ80はわかり易くするために、図7とは逆に、上向きになっている。図8において、横ずれ防止スペーサ80は円錐状であるが、先端部付近に傾斜部81が形成されている。スルーホール130の内壁と面で接触させるためである。なお、横ずれ防止スペーサ80は説明を簡単にするために、円錐状であるとしているが、これに限らす、角錐状であってもよい。   FIG. 8 is a perspective view showing an example of the lateral displacement preventing spacer 80. As shown in FIG. Contrary to FIG. 7, the anti-slip spacer 80 of FIG. 8 is upward for the sake of clarity. In FIG. 8, the anti-lateral deviation spacer 80 is conical, but an inclined part 81 is formed in the vicinity of the tip. This is in order to contact the inner wall of the through hole 130 in a plane. The anti-slip spacer 80 has a conical shape in order to simplify the description, but it may have a pyramid shape without being limited thereto.

図9は図8の断面図である。図9において、横ずれ防止スペーサ80の先端部付近に傾斜部81が形成されている。傾斜部81側面の対向基板200の主面に対する角度θ2は、横ずれ防止スペーサ80の傾斜部81と対向基板200間の部位(以下、基部という)の側面の対向基板の主面に対する角度θ1よりも小さい。θ2がθ1よりも小さいことによって、傾斜部81がスルーホール130の傾斜する内壁と接触面を増やすことが出来る。   FIG. 9 is a cross-sectional view of FIG. In FIG. 9, an inclined portion 81 is formed in the vicinity of the front end portion of the lateral deviation preventing spacer 80. The angle θ2 of the side surface of the inclined portion 81 with respect to the main surface of the opposing substrate 200 is greater than the angle θ1 of the side surface of a portion between the inclined portion 81 of the anti-slip spacer 80 and the opposing substrate 200 (hereinafter referred to as the base) with respect to the main surface small. Since θ2 is smaller than θ1, the inclined portion 81 can increase the inner wall and the contact surface where the through hole 130 is inclined.

実際の横ずれ防止スペーサ80の断面は、基部側面と対向基板200主面の境界や、基部側面と傾斜部81側面の境界が、図9とは異なり、加工時の精度次第で、曲面を形成することが多い。このような場合、θ1は例えば、基部の高さの中心において測定すればよい。また、θ2は傾斜部81の高さ方向の中心で測定すればよい。図8、図9で示すような横ずれ防止スペーサ80は、例えばハーフ露光技術を用いて形成することが出来る。
図2乃至図7に示すように、横ずれ防止スペーサ80の高さは、サブスペーサ70の高さよりも大きい。また、横ずれ防止スペーサ80の高さは、メインスペーサ60の高さよりも高いのが望ましい。なお、横ずれ防止スペーサ80の先端部がスルーホール130の内部に存在すればよいので、仮に、横ずれ防止スペーサ80の高さがメインスペーサ60の高さと同程度であっても、横ずれ防止スペーサ80と対向基板200間に土台を形成する、例えば、複数のカラーフィルタを配置する等してもよい。
The cross section of the actual anti-slip spacer 80 forms a curved surface, depending on the processing accuracy, unlike the boundary between the base side and the main surface of the opposite substrate 200, and the boundary between the base side and the side of the inclined portion 81, unlike FIG. There are many things. In such a case, θ1 may be measured, for example, at the center of the height of the base. Further, θ2 may be measured at the center in the height direction of the inclined portion 81. The lateral deviation prevention spacer 80 as shown in FIGS. 8 and 9 can be formed, for example, using a half exposure technique.
As shown in FIGS. 2 to 7, the height of the anti-slip spacer 80 is larger than the height of the sub spacer 70. Further, the height of the anti-slippage spacer 80 is desirably higher than the height of the main spacer 60. Since it is sufficient if the front end portion of the lateral displacement preventing spacer 80 exists inside the through hole 130, even if the height of the lateral displacement preventing spacer 80 is about the same as the height of the main spacer 60, the lateral displacement preventing spacer 80 and A base may be formed between the opposing substrates 200, for example, a plurality of color filters may be arranged.

図10は、本発明によるブラックマトリクス202の平面形状、メインスペーサ60、サブスペーサ70、横ずれ防止スペーサ80、スルーホール130の配置例を示す平面図である。図10において、ブラックマトリクス202、メインスペーサ60、サブスペーサ70、横ずれ防止スペーサ80は対向基板200に形成され、スルーホール130はTFT基板100に形成されている。   FIG. 10 is a plan view showing a planar shape of the black matrix 202 according to the present invention, and an arrangement example of the main spacer 60, the sub spacer 70, the lateral deviation preventing spacer 80 and the through hole 130. As shown in FIG. In FIG. 10, the black matrix 202, the main spacer 60, the sub spacer 70, and the anti-lateral deviation spacer 80 are formed in the counter substrate 200, and the through holes 130 are formed in the TFT substrate 100.

スルーホール130は各画素に形成されているが、図10では、図を複雑にしないために、横ずれ防止スペーサ80が形成された部分のみにスルーホール130を記載している。また、図10におけるスルーホール130は小孔部分を記載し、横ずれ防止スペーサ80は、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130と接触する付近の平面図を記載している。図10におけるスルーホール130の平面形状は模式的に4角形で表している。   Although the through hole 130 is formed in each pixel, in FIG. 10, the through hole 130 is described only in the portion where the anti-lateral deviation spacer 80 is formed in order not to complicate the figure. The through holes 130 in FIG. 10 indicate small holes, and the anti-slip spacer 80 describes a plan view of the vicinity of the anti-slip spacer 80 in contact with the through holes 130. The planar shape of the through hole 130 in FIG. 10 is schematically represented by a tetragon.

図10において、TFT基板100の走査線に対応してブラックマトリクス202が横方向に延在し、また、映像信号線に対応してブラックマトリクス202が縦方向に延在している。横方向(x方向)に延在するブラックマトリクス202と縦方向(y方向)に延在するブラックマトリクス202で囲まれた領域のTFT基板側に画素電極が形成されている。   In FIG. 10, the black matrix 202 extends in the lateral direction corresponding to the scanning line of the TFT substrate 100, and the black matrix 202 extends in the vertical direction corresponding to the video signal line. Pixel electrodes are formed on the TFT substrate side in a region surrounded by the black matrix 202 extending in the horizontal direction (x direction) and the black matrix 202 extending in the vertical direction (y direction).

図10において、横方向に延在するブラックマトリクス202、縦方向に延在するブラックマトリクス202、横方向のブラックマトリクスと縦方向のブラックマトリクスの交点に形成されている円状のブラックマトリクスbmm、bmsの間に境界線が記載されているが、この境界線は、説明をわかり易くするためのものであり、実際のブラックマトリクスにはこのような境界線は存在しない。図18も同様である。   In FIG. 10, a black matrix 202 extending in the horizontal direction, a black matrix 202 extending in the vertical direction, and circular black matrices bmm and bms formed at the intersections of the black matrix in the horizontal direction and the black matrix in the vertical direction. A boundary is described between the two, but this boundary is for the purpose of making the explanation easy to understand, and there is no such boundary in the actual black matrix. The same applies to FIG.

縦方向(y方向)と横方向(x方向)のブラックマトリクスの交点付近にメインスペーサ60およびサブスペーサ70が形成されている。サブスペーサ70の数はメインスペーサ60の数よりも多い。図10において、メインスペーサ60は横方向に9画素毎に、縦方向に3画素毎に形成されている。サブスペーサ70は横方向に3画素毎に、縦方向に1画素毎に形成されている。なお、メインスペーサ60が配置しているところには、サブスペーサ70は形成されていない。   A main spacer 60 and a sub spacer 70 are formed in the vicinity of the intersection of the black matrix in the longitudinal direction (y direction) and the lateral direction (x direction). The number of sub spacers 70 is larger than the number of main spacers 60. In FIG. 10, the main spacer 60 is formed every nine pixels in the horizontal direction and every three pixels in the vertical direction. The sub spacer 70 is formed every three pixels in the horizontal direction and every one pixel in the vertical direction. The sub spacer 70 is not formed where the main spacer 60 is disposed.

対向基板200が押し圧力を受けた場合のメインスペーサ60、あるいはサブスペーサ70のずれによる配向膜112の削れによる影響を防止するために、メインスペーサ60の形成された部分には、ブラックマトリクスbmmが形成され、サブスペーサ70が形成された部分にはブラックマトリクスbmsが形成されている。メインスペーサ60のサイズの方が大きいので、ブラックマトリクスの径は、サブスペーサを覆う部分の径φbms<メインスペーサを覆う部分の径φbmmとなっている。   In order to prevent the influence of the displacement of the main spacer 60 or the sub spacer 70 caused by the displacement of the main spacer 60 or the sub spacer 70 when the opposing substrate 200 receives a pressing force, a black matrix bmm is formed on the portion where the main spacer 60 is formed. A black matrix bms is formed in the portion where the sub spacer 70 is formed. Since the size of the main spacer 60 is larger, the diameter of the black matrix is such that the diameter φbms of the portion covering the sub spacer <the diameter φb mm of the portion covering the main spacer.

図10において、メインスペーサ60とサブスペーサ70の間、あるいはサブスペーサ70とサブスペーサ70の間に横ずれ防止スペーサ80が配置されている。あるいは、横ずれ防止スペーサ80は、ブラックマトリクスストライプb1乃至b4と画素列p1乃至p4の交差領域に形成されているということも出来る。横ずれ防止スペーサ80は、スルーホール130の内壁と接触しているので、図10においては、横ずれ防止スペーサ80の一部がスルーホール130と重なって記載されている。   In FIG. 10, a lateral displacement prevention spacer 80 is disposed between the main spacer 60 and the sub spacer 70 or between the sub spacer 70 and the sub spacer 70. Alternatively, the anti-slip spacers 80 may be formed at the intersections of the black matrix stripes b1 to b4 and the pixel columns p1 to p4. Since the anti-slip spacer 80 is in contact with the inner wall of the through hole 130, a part of the anti-slip spacer 80 is shown overlapping with the through hole 130 in FIG.

図10において、ブラックマトリクスb1の一番左側、すなわち、ブラックマトリクスb1と画素列p1の交差領域に形成された横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130の左側の内壁と接触している。一方、その右隣りである、ブラックマトリクスb1と画素列p2との交差領域では、横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130の右側の内壁と接触している。ブラックマトリクスb1においては、この繰り返しになっている。これによって、TFT基板100と対向基板200の横方向のずれを防止する。   In FIG. 10, the anti-slip spacers 80 formed at the leftmost side of the black matrix b1, that is, at the intersection region of the black matrix b1 and the pixel column p1 are in contact with the left inner wall of the through hole 130. On the other hand, in the crossing region between the black matrix b1 and the pixel column p2, which is adjacent to the right, the anti-lateral-shifting spacer 80 is in contact with the right inner wall of the through hole 130. This is repeated in the black matrix b1. Thus, lateral displacement of the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 is prevented.

ブラックマトリクスb2においては、一番左側、すなわち、b2と画素列p1の交差領域に形成された横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130の右側の内壁と接触している。一方、その右隣りである、ブラックマトリクスb2と画素列p2との交差領域では、横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130の左側の内壁と接触している。ブラックマトリクスb1とブラックマトリクスb2における横ずれ防止スペーサ80の作用は同じであるが、y方向において、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内壁と接する位置が逆になっていることにより、ずれ防止の抑止力を向上させている。   In the black matrix b2, the anti-slip spacer 80 formed at the leftmost side, that is, at the intersection region of the b2 and the pixel column p1 is in contact with the right inner wall of the through hole 130. On the other hand, the anti-slip spacer 80 is in contact with the left inner wall of the through hole 130 in the crossing region of the black matrix b2 and the pixel column p2, which is adjacent to the right. Although the function of the anti-slip spacer 80 in the black matrix b1 and the black matrix b2 is the same, in the y direction, the anti-slip spacer 80 is in reverse contact with the inner wall of the through hole 130 to prevent the anti-slip I am improving my power.

図10のブラックマトリクスb3において、横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130内壁の下側(図面−y方向)と接触している。したがって、対向基板200のTFT基板100に対する下方向(図面−y方向)への動きを阻止する。また、図10ブラックマトリクスb4において、横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130内壁の上側(図面y方向)と接触している。したがって、対向基板200のTFT基板100に対する上方向(図面y方向)への動きを阻止する。   In the black matrix b3 of FIG. 10, the anti-slip spacer 80 is in contact with the lower side (in the direction of the drawing-y) of the inner wall of the through hole 130. Therefore, the movement of the counter substrate 200 in the downward direction (y direction in the drawing) with respect to the TFT substrate 100 is blocked. Further, in the black matrix b4 in FIG. 10, the anti-lateral deviation spacer 80 is in contact with the upper side (the direction y in the drawing) of the inner wall of the through hole 130. Therefore, the upward movement (direction y in the drawing) of the counter substrate 200 with respect to the TFT substrate 100 is blocked.

図10において、横ずれ防止スペーサ80の数はメインスペーサ60の数よりも多い。また、横ずれ防止スペーサの数80はサブスペーサ70の数よりも若干多い。しかし、横ずれ防止スペーサ80とサブスペーサ70の数は、同等か、あるいは、サブスペーサ70の数を横ずれ防止スペーサ80の数よりも多くしても良い。   In FIG. 10, the number of anti-slip spacers 80 is greater than the number of main spacers 60. Further, the number 80 of the anti-slip spacers is slightly larger than the number of the sub spacers 70. However, the number of anti-slip spacers 80 and the number of sub spacers 70 may be the same or the number of sub spacers 70 may be larger than the number of anti-slip spacers 80.

このように、本発明によれば、対向基板200のTFT基板100に対する動きは、上下左右(x方向、y方向)のいずれの方向も抑制することが出来る。図10に示すように、横ずれ防止スペーサ80とスルーホール130の内壁の接触箇所は4種類に分類できるが、この4種類の配置は、製品に応じて色々な組み合わせとすることが出来る。   As described above, according to the present invention, the movement of the counter substrate 200 with respect to the TFT substrate 100 can be suppressed in any of the vertical and horizontal directions (x direction, y direction). As shown in FIG. 10, the contact position between the anti-slip spacer 80 and the inner wall of the through hole 130 can be classified into four types, but the four types of arrangement can be various combinations depending on the product.

例えば、y方向の動きを抑えるための、横ずれ防止スペーサ80をスルーホール130の上側(y方向)と接触させる構成と、横ずれ防止スペーサ80をスルーホール130の下側(−y方向)の構成は、同じ行に混合して配置しても良い。さらに、横方向(x方向)の動きを抑える構成と、上下方向(y方向)の動きを抑える構成を同じ行に混合して配置してもよい。また、図10では、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130と接する方向は、横方向(x方向、−x方向)、縦方向(y方向、−y方向)となっているが、これらの方向に限る必要はない。   For example, in order to suppress movement in the y direction, a configuration in which the anti-slip spacer 80 is in contact with the upper side (y direction) of the through hole 130 and a configuration on the lower side (-y direction) of the anti-slip spacer 80 are You may mix and arrange in the same line. Furthermore, the configuration for suppressing the movement in the lateral direction (x direction) and the configuration for suppressing the movement in the vertical direction (y direction) may be mixed and arranged in the same row. Further, in FIG. 10, the lateral deviation prevention spacer 80 is in contact with the through holes 130 in the lateral direction (x direction, −x direction) and the longitudinal direction (y direction, −y direction). There is no need to limit it.

図11は、本発明における横ずれ防止スペーサ80の形状の他の例である。図11において、上側が断面図、下側が平面図である。図11において、横ずれ防止スペーサ80は径の大きい基部と径の小さい先端部に分かれている。   FIG. 11 is another example of the shape of the anti-slip spacer 80 in the present invention. In FIG. 11, the upper side is a sectional view, and the lower side is a plan view. In FIG. 11, the anti-slip spacer 80 is divided into a large diameter base and a small diameter tip.

図11において平面で視て、基部の中心と先端部の中心はd1だけ偏心している。そして、基部と先端部の境界部分では段部82が形成されている。このような構成であれば、横ずれ防止スペーサ80を2段階のハーフ露光で形成することが出来る。そして、横ずれ防止スペーサ80は、基部の肩85と先端部の肩86がスルーホール130の内壁と接触するように、基部の高さh1と先端部の高さh2、基部の径φ1、先端部の径φ2、基部と先端部の偏心量d1を調整すればよい。すなわち、図11におけるθ2をスルーホール130の内壁の角度と同じになるように調整すればよい。   When viewed in plan in FIG. 11, the center of the base and the center of the tip are eccentric by d1. And the step part 82 is formed in the boundary part of a base and a front-end | tip part. With such a configuration, the anti-lateral deviation spacer 80 can be formed by two-step half exposure. The anti-slip spacer 80 has the height h1 of the base and the height h2 of the tip, the diameter φ1 of the base, and the tip so that the shoulder 85 of the base and the shoulder 86 of the tip contact the inner wall of the through hole 130 And the eccentricity d1 of the base and the tip end may be adjusted. That is, the angle θ2 in FIG. 11 may be adjusted to be the same as the angle of the inner wall of the through hole 130.

図11における横ずれ防止スペーサ80の基部の径は、例えば、基部の高さh1の95%の位置における径φ11、先端部の径は、例えば、全体の高さ、h1+h2の95%の位置における径φ21と定義することが出来る。φ11は例えば、5乃至6μm、φ21は例えば、10μmである。   The diameter of the base of the anti-slip spacer 80 in FIG. 11 is, for example, the diameter φ11 at a position 95% of the height h1 of the base, and the diameter of the tip is, for example, the diameter at a position 95% of the total height h1 + h2. It can be defined as φ21. For example, φ11 is 5 to 6 μm, and φ21 is 10 μm, for example.

図12は本発明の実施例2を示す断面図である。メインスペーサ60、サブスペーサ70が形成されている部分の断面は実施例1における図2、図3と同じである。図12が実施例1の図4と異なる点は、横ずれ防止スペーサ80の形状である。すなわち、図12における横ずれ防止スペーサ80は、両側に傾斜部81が形成されていることである。   FIG. 12 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention. The cross section of the portion where the main spacer 60 and the sub spacer 70 are formed is the same as FIG. 2 and FIG. 3 in the first embodiment. The difference between FIG. 12 and FIG. 4 of the first embodiment is the shape of the anti-slip spacer 80. That is, the lateral displacement preventing spacer 80 in FIG. 12 has the sloped portions 81 formed on both sides.

図12の横ずれ防止スペーサ80は基部と先端部を偏心させる必要がないので、その分、横ずれ防止スペーサ80の製作が容易になる。つまり、横ずれ防止スペーサ80をスルーホール130の右側内壁に接触させる場合にも、左側内壁に接触させる場合にも、同じ横ずれ防止スペーサ80を用いることが出来る。   Since the anti-slip spacer 80 in FIG. 12 does not have to make the base and the tip end eccentric, it is easy to manufacture the anti-slip spacer 80 accordingly. That is, even when the anti-slip spacer 80 is brought into contact with the right inner wall of the through hole 130, the same anti-slip spacer 80 can be used also when brought into contact with the left inner wall.

図13は実施例2の作用を示す断面図である。図13が実施例1の図7と異なる点は、横ずれ防止スペーサ80の形状のみである。図13において、横ずれ防止スペーサ80において、先端部分の両側に傾斜部が形成されている。そして、図13の左側(−x方向)では、横ずれ防止スペーサ80の左側の傾斜部がスルーホール130の右側内壁に接触し、図13の右側(x方向)では、横ずれ防止スペーサ80の右側傾斜部がスルーホールの左側内壁と接触している。これによって、対向基板200のTFT基板100に対する横ずれを防止することが出来る。本実施例における横ずれ防止スペーサ80の配置は、実施例1の図10と同様である。   FIG. 13 is a cross-sectional view showing the operation of the second embodiment. The difference between FIG. 13 and FIG. 7 of the first embodiment is only the shape of the lateral displacement prevention spacer 80. In FIG. 13, in the lateral deviation preventing spacer 80, sloped portions are formed on both sides of the tip end portion. Then, on the left side (−x direction) of FIG. 13, the left inclined portion of the lateral deviation prevention spacer 80 contacts the right inner wall of the through hole 130, and on the right side (x direction) of FIG. The part is in contact with the left inner wall of the through hole. Thus, lateral displacement of the counter substrate 200 with respect to the TFT substrate 100 can be prevented. The arrangement of the anti-lateral deviation spacer 80 in the present embodiment is the same as that of FIG. 10 of the first embodiment.

図14は、本実施例における横ずれ防止スペーサ80の形状を示し、上側は断面図、下側は平面図である。図14において、傾斜θ2がスルーホール80の内壁の角度と同等になっている。図14の横ずれ防止スペーサ80も例えば、ハーフ露光を用いて形成することが出来る。   FIG. 14 shows the shape of the anti-slip spacer 80 in the present embodiment, with the upper side being a cross-sectional view and the lower side being a plan view. In FIG. 14, the inclination θ2 is equal to the angle of the inner wall of the through hole 80. The anti-slip spacer 80 of FIG. 14 can also be formed, for example, using half exposure.

図15は、本発明における横ずれ防止スペーサ80の形状の他の例である。図15において、上側が断面図、下側が平面図である。図15において、横ずれ防止スペーサ80は径の大きい基部と径の小さい先端部に分かれている。   FIG. 15 shows another example of the shape of the anti-slip spacer 80 in the present invention. In FIG. 15, the upper side is a sectional view, and the lower side is a plan view. In FIG. 15, the anti-slip spacer 80 is divided into a large diameter base and a small diameter tip.

図15において基部と先端部の境界部分には段部82が形成されている。このような構成であれば、横ずれ防止スペーサ80を2段階のハーフ露光で形成することが出来る。そして、横ずれ防止スペーサ80は、基部の肩85と先端部の肩86がスルーホール130の内壁と接触するように、基部の高さh1、先端部の高さh2、基部の径φ1、先端部の径φ2を調整すればよい。すなわち、図12におけるθ2をスルーホール130の内壁の角度と同じになるように調整すればよい。図15の横ずれ防止スペーサ80は、偏心していない分、図11の横ずれ防止スペーサよりも製造しやすい。   In FIG. 15, a step 82 is formed at the boundary between the base and the tip. With such a configuration, the anti-lateral deviation spacer 80 can be formed by two-step half exposure. The anti-slip spacer 80 has the height h1 of the base, the height h2 of the tip, the diameter φ1 of the base, the tip so that the shoulder 85 of the base and the shoulder 86 of the tip contact the inner wall of the through hole 130 It suffices to adjust the diameter φ 2 of That is, the angle θ2 in FIG. 12 may be adjusted to be the same as the angle of the inner wall of the through hole 130. The anti-slip spacer 80 of FIG. 15 is easier to manufacture than the anti-slip spacer of FIG.

図15における横ずれ防止スペーサ80の基部の径は、例えば、基部の高さh1の95%の位置における径φ11、先端部の径は、例えば、全体の高さ、h1+h2の95%の位置における径φ21と定義することが出来る。φ11は例えば、5乃至6μm、φ21は例えば、10μmである。   The diameter of the base of the anti-slip spacer 80 in FIG. 15 is, for example, the diameter φ11 at a position 95% of the height h1 of the base, and the diameter of the tip is, for example, the diameter at a position 95% of the total height h1 + h2. It can be defined as φ21. For example, φ11 is 5 to 6 μm, and φ21 is 10 μm, for example.

図16は実施例3の断面図である。図16における横ずれ防止スペーサ80の形状は実施例2と同じである。図16の特徴は、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の中心に配置されている点である。メインスペーサ60、サブスペーサ80等の構成は実施例1の図2、図3と同様である。   FIG. 16 is a cross-sectional view of the third embodiment. The shape of the anti-slip spacer 80 in FIG. 16 is the same as that of the second embodiment. A feature of FIG. 16 is that the anti-slip spacer 80 is disposed at the center of the through hole 130. The configurations of the main spacer 60, the sub spacer 80, and the like are the same as in FIGS. 2 and 3 of the first embodiment.

図16の特徴は、通常状態では、横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130の内壁と接触していない。しかし、対向基板200に圧力が加わって対向基板200がTFT基板100に対して、例えば、d1だけ横ずれを生ずると、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130の内壁に接触する。この場合も、横ずれ防止スペーサ80の傾斜部81は、スルーホール130の内壁の傾斜と同じ程度の傾斜としており、面接触となっているため、対向基板200がTFT基板100に対してそれ以上ずれることを防止する。   The feature of FIG. 16 is that in the normal state, the anti-slip spacer 80 is not in contact with the inner wall of the through hole 130. However, when pressure is applied to the opposing substrate 200 and the opposing substrate 200 causes lateral displacement with respect to the TFT substrate 100 by, for example, d 1, the lateral displacement preventing spacer 80 contacts the inner wall of the through hole 130. Also in this case, the sloped portion 81 of the anti-slip spacer 80 has the same degree of inclination as the slope of the inner wall of the through hole 130 and is in surface contact, so the opposing substrate 200 is further displaced with respect to the TFT substrate 100 To prevent that.

図17は、本実施例の作用を示す断面図である。図17において、横ずれ防止スペーサ80の位置を除いて、層構造は図7あるいは図13と同じである。図17において、平面で視て、スルーホール130の中心と横ずれ防止スペーサ80の中心は一致している。   FIG. 17 is a cross-sectional view showing the operation of this embodiment. In FIG. 17, the layer structure is the same as that of FIG. 7 or FIG. 13 except for the position of the anti-slip spacer 80. In FIG. 17, the center of the through hole 130 and the center of the anti-slip spacer 80 coincide with each other in plan view.

横ずれ防止スペーサ80の傾斜部81とスルーホール130の内壁との間には、x方向にd2だけ間隔が存在している。したがって、対向基板200に外圧Fが加わった場合、対向基板200はTFT基板100に対してd2分ずれるが、それ以上はずれない。したがって、d2を、メインスペーサ60あるいはサブスペーサ70のずれが生じても配向膜112の削れが深刻にならない程度に設定しておけばよい。   A space of d2 exists in the x direction between the sloped portion 81 of the anti-slip spacer 80 and the inner wall of the through hole 130. Therefore, when the external pressure F is applied to the counter substrate 200, the counter substrate 200 is deviated by d2 with respect to the TFT substrate 100, but it is not deviated more. Therefore, d2 may be set to such an extent that the scraping of the alignment film 112 does not become serious even if the displacement of the main spacer 60 or the sub spacer 70 occurs.

図18は、実施例3におけるブラックマトリクス202の平面形状、メインスペーサ60、サブスペーサ70、横ずれ防止スペーサ80、スルーホール130の配置を示す平面図である。図18において、横ずれ防止スペーサ80とスルーホール130の位置関係以外は全て、実施例1の図10と同じである。   FIG. 18 is a plan view showing the planar shape of the black matrix 202 and the arrangement of the main spacer 60, the sub spacer 70, the anti-lateral deviation spacer 80, and the through hole 130 in the third embodiment. 18 except for the positional relationship between the anti-lateral deviation spacer 80 and the through hole 130 is the same as FIG. 10 of the first embodiment.

図18において、平面で視て、スルーホール130と重複して横ずれ防止スペーサ80が形成されている。ただし、図16及び図17に示すように、断面で視ると、横ずれ防止スペーサ80とスルーホール130の内壁の間には間隔d2が存在している。   In FIG. 18, the lateral deviation preventing spacer 80 is formed overlapping with the through hole 130 in plan view. However, as shown in FIG. 16 and FIG. 17, when viewed in cross section, a distance d2 exists between the anti-lateral deviation spacer 80 and the inner wall of the through hole 130.

図18の利点は、当初から横ずれ防止スペーサ80とスルーホール130の間に間隔が存在しているので、TFT基板100と対向基板200の合わせが容易になるということである。すなわち、実施例1、2等の構成では、当初から横ずれ防止スペーサ80とスルーホール130の内壁を接触させるようにするために、TFT基板100と対向基板200の合わせ正確に行う必要ある。   The advantage of FIG. 18 is that the gap between the anti-slip spacer 80 and the through hole 130 exists from the beginning, so that the alignment of the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 is facilitated. That is, in the configurations of the first and second embodiments, it is necessary to align the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 accurately in order to bring the lateral deviation prevention spacer 80 into contact with the inner wall of the through hole 130 from the beginning.

例えば、TFT基板100と対向基板200の合わせにずれが生じたような場合、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130内側から飛び出し、有機パッシベーション膜の平坦部上に来てしまうことがありうる。横ずれ防止スペーサ80は、メインスペーサ60よりも高く形成されることが多いので、TFT基板100と対向基板200の間隔を不安定にしてしまう。この点、実施例4では、横ずれ防止スペーサ80はスルーホール130の中央に配置されるので、横ずれ防止スペーサ80がスルーホール130から外れる可能性は、実施例1あるいは実施例2よりも小さくすることができる。   For example, when misalignment occurs in the alignment of the TFT substrate 100 and the opposite substrate 200, the lateral deviation prevention spacer 80 may pop out from the inside of the through hole 130 and come on the flat portion of the organic passivation film. Since the anti-slip spacers 80 are often formed higher than the main spacers 60, the distance between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 becomes unstable. In this respect, in the fourth embodiment, since the anti-slip spacer 80 is disposed at the center of the through hole 130, the possibility of the anti-slip spacer 80 being detached from the through hole 130 is smaller than in the first or second embodiment. Can.

このように、実施例3では、TFT基板100と対向基板200のわずかな横ずれを許容することによって、製造歩留まりの高い、また、信頼性の高い液晶表示装置を実現することが出来る。   As described above, in the third embodiment, by allowing slight lateral displacement between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200, a liquid crystal display device with high manufacturing yield and high reliability can be realized.

TFT基板100と対向基板200の間の横ずれは、画面の周辺において深刻になる場合が多い。また、TFT基板100と対向基板200の横ずれは、TFT基板100側と対向基板200側に熱膨張の差が存在する場合にも生ずる。この場合、温度サイクルごとに、メインスペーサ60は横ずれを生ずることになる。本発明は、このような、温度サイクルによる横ずれ防止にも大きな効果を発揮する。   The lateral deviation between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 often becomes serious at the periphery of the screen. Further, the lateral displacement of the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 also occurs when there is a difference in thermal expansion between the TFT substrate 100 side and the counter substrate 200 side. In this case, the main spacer 60 will cause lateral displacement with each temperature cycle. The present invention also exerts a great effect on such prevention of the slippage due to the temperature cycle.

温度サイクルによるTFT基板と対向基板の間の横ずれは、画面周辺において、より深刻になる。したがって、本発明の横ずれ防止スペーサ80を画面周辺において、画面中央よりも高い密度で形成することによって、本発明の効果をより上げることが出来る。
図19は実施例4の一例である。図19において、表示領域20の周辺のハッチングを施した部分21において、他の部分よりも横ずれ防止スペーサ80の配置密度が大きい。図19において、周辺のハッチングを施した部分の幅dcは、例えば、表示領域20の対角長ddの長さの1/6である。
The lateral deviation between the TFT substrate and the counter substrate due to the temperature cycle becomes more serious around the screen. Therefore, the effect of the present invention can be further enhanced by forming the anti-slippage spacer 80 of the present invention at a density higher than the center of the screen in the periphery of the screen.
FIG. 19 is an example of the fourth embodiment. In FIG. 19, in the hatched part 21 around the display area 20, the arrangement density of the anti-lateral deviation spacer 80 is larger than that of the other parts. In FIG. 19, the width dc of the hatched portion in the periphery is, for example, 1⁄6 of the length of the diagonal length dd of the display area 20.

図20は実施例4の他の例である。図20において、表示領域20の周辺のハッチングを施した部分21において、他の部分よりも横ずれ防止スペーサ80の配置密度が大きい。図20において、周辺のハッチングを施した部分21の幅dbは、例えば、表示領域20の対角長ddの長さの1/12である。   FIG. 20 is another example of the fourth embodiment. In FIG. 20, in the hatched part 21 around the display area 20, the arrangement density of the anti-lateral deviation spacer 80 is larger than that of the other parts. In FIG. 20, the width db of the hatched portion 21 in the periphery is, for example, 1/12 of the length of the diagonal length dd of the display area 20.

横ずれ防止スペーサ80が多い領域は、図19あるいは図20のように明確に分かれていなくとも良い。画面中央から画面周辺に向かって徐々に横ずれ防止スペーサ80の配置密度を増加させたほうが、より良い効果を得ることが出来る。   The region where there are many anti-slippage spacers 80 may not be clearly divided as in FIG. 19 or FIG. It is possible to obtain a better effect by gradually increasing the arrangement density of the anti-slip spacers 80 from the center of the screen toward the periphery of the screen.

TFT基板100がガラスで形成され、対向基板200がポリイミド等の樹脂で形成されるような構成の場合、TFT基板100と対向基板200の熱膨張の差が大きくなる。このような場合、実施例4の構成は特に効果がある。   When the TFT substrate 100 is formed of glass and the opposing substrate 200 is formed of a resin such as polyimide, the difference in thermal expansion between the TFT substrate 100 and the opposing substrate 200 is large. In such a case, the configuration of the fourth embodiment is particularly effective.

実施例1乃至4の構成では、TFT基板100と対向基板200のずれ量を小さくすることが出来る。図10等において、メインスペーサ60、サブスペーサ70に対応する部分のブラックマトリクスφbmm、φbmsの径を大きくするのは、TFT基板100と対向基板200のずれ対策のためである。したがって、本発明を用いることによって、メインスペーサ60とサブスペーサ70に対応する部分のブラックマトリクスの径を小さくすることが出来るので、表示領域20の透過率を上げることが出来る。   In the configurations of the first to fourth embodiments, the shift amount between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 can be reduced. 10 and the like, the reason for increasing the diameters of the black matrices φbmm and φbms in the portions corresponding to the main spacer 60 and the sub spacer 70 is to prevent misalignment between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200. Therefore, by using the present invention, the diameter of the black matrix in the portion corresponding to the main spacer 60 and the sub spacer 70 can be reduced, so that the transmittance of the display area 20 can be increased.

実施例1乃至3では、横ずれ防止スペーサ80は画素電極とソース電極を接続するスルーホール130に接触するとして説明した。しかし、画素のサイズが大きく、スペースに余裕がある場合は、画素電極とソース電極を接続するスルーホール130に限らず、他のスルーホールを有機パッシベーション膜108に形成して、この内壁を横ずれ防止スペーサ80に対するストッパとして使用してもよい。   In the first to third embodiments, the anti-lateral deviation spacer 80 is described as being in contact with the through hole 130 connecting the pixel electrode and the source electrode. However, when the size of the pixel is large and there is enough space, not only the through hole 130 connecting the pixel electrode and the source electrode but also other through holes are formed in the organic passivation film 108 to prevent lateral displacement of the inner wall It may be used as a stopper for the spacer 80.

実施例1乃至3では、メインスペーサ60とサブスペーサ70と横ずれ防止スペーサ80を用いた例で説明した。しかし、横ずれ防止スペーサ80に、サブスペーサ70の役割を持たせることが出来る場合もある。この場合は、メインスペーサ60と横ずれ防止スペーサ80のみが表示領20に形成される。   In the first to third embodiments, the main spacer 60, the sub spacer 70, and the lateral deviation preventing spacer 80 are used. However, in some cases, the anti-slip spacer 80 can have the role of the sub spacer 70. In this case, only the main spacer 60 and the anti-lateral deviation spacer 80 are formed in the display area 20.

11…走査線、 12…映像信号線、 13…画素、 20…表示領域、 21…横ずれ防止スペーサが多い領域、 30…端子領域、 31…ドライバIC、 40…シール材、 60…メインスペーサ、 70…サブスペーサ、 80…横ずれ防止スペーサ、 81…傾斜部、 82…段部、 85…基部の肩、 86…先端部の肩、 100…TFT基板、 101…下地膜、 102…半導体層、 103…ゲート絶縁膜、 104…ゲート電極、 105…層間絶縁膜、 106…ドレイン電極、 106…ドレイン電極、 107…ソース電極、 108…有機パッシベーション膜、 109…コモン電極、 110…容量絶縁膜、 111…画素電極、 112…配向膜、 130…スルーホール、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 204…配向膜、 300…液晶層、 301…液晶分子、 1021…ドレイン部、 1022…ソース部、 bmm…メインスペーサ部のブラックマトリクスの径、 bms…サブスペーサ部のブラックマトリクスの径、 θ1…横ずれ防止スペーサの基部の傾斜角度、 θ2…横ずれ防止スペーサの先端部の傾斜角度   11 scan line 12 video signal line 13 pixel 20 display area 21 area with many anti-lateral displacement spacers 30 terminal area 31 driver IC 40 seal material 60 main spacer 70 Sub-spacer 80, anti-slippage spacer 81, inclined portion 82, stepped portion 85, shoulder of base portion 86, shoulder of tip portion 100, TFT substrate 101, base film 102, semiconductor layer 103, ... Gate insulating film, 104: gate electrode, 105: interlayer insulating film, 106: drain electrode, 106: drain electrode, 107: source electrode, 108: organic passivation film, 109: common electrode, 110: capacitance insulating film, 111: pixel Electrode, 112: alignment film, 130: through hole, 200: opposing substrate, 201: color filter 202: black matrix, 203: overcoat film, 204: alignment film, 300: liquid crystal layer, 301: liquid crystal molecule, 1021: drain portion, 1022: source portion, bmm: diameter of black matrix in main spacer portion, bms: sub Diameter of the black matrix of the spacer portion, θ1: inclination angle of the base of the lateral displacement prevention spacer, θ2: inclination angle of the tip of the lateral displacement prevention spacer

Claims (18)

第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第1の基板には薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機パッシベーション膜と、画素電極が形成され、
前記有機パッシベーション膜は、平坦部と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタを接続するためのスルーホールを有し、
前記第2の基板には、遮光膜と第1のスペーサと第2のスペーサが形成され、
前記第1のスペーサは、前記有機パッシベーション膜の前記平坦部に位置し、
前記第2のスペーサの一部は、前記スルーホール内の側壁部に接触して配置されることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display device in which liquid crystal is held between a first substrate and a second substrate,
A thin film transistor, an organic passivation film covering the thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate,
The organic passivation film has a flat portion and a through hole for connecting the pixel electrode and the thin film transistor.
A light shielding film, a first spacer, and a second spacer are formed on the second substrate,
The first spacer is located on the flat portion of the organic passivation film,
A portion of the second spacer is disposed in contact with a side wall portion in the through hole.
前記第2のスペーサの側壁は、第1部分と、前記第1部分と前記第2の基板間の第2部分とを有し、
断面で視て、前記第1部分の側面と前記第2の基板の主面との成す角が、前記第2部分の側面と前記第2の基板の前記主面との成す角よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
The sidewall of the second spacer has a first portion and a second portion between the first portion and the second substrate,
When viewed in cross section, the angle formed by the side surface of the first portion and the main surface of the second substrate is smaller than the angle formed by the side surface of the second portion and the main surface of the second substrate The liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that
前記第2のスペーサは、前記第1部分の側面で、前記スルーホールの側壁の一部に接触し、
前記第1部分の側面が接触する前記スルーホールの側壁の方向は、各第2のスペーサ毎で異なり、前記方向は、少なくとも4方向あることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
The second spacer is in contact with a portion of the side wall of the through hole at the side surface of the first portion,
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the direction of the side wall of the through hole with which the side face of the first portion contacts is different for each second spacer, and the direction is at least four directions.
前記第2のスペーサの前記第1部分の前記スルーホールの側壁に接触する側面は、断面で視て、前記第2のスペーサの片側にのみ形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。   The side surface of the first portion of the second spacer in contact with the side wall of the through hole is formed on only one side of the second spacer in a cross-sectional view. Liquid crystal display. 前記第2のスペーサの前記第1部分の前記スルーホールの側壁に接触する側面は、断面で視て、前記第2のスペーサの両側に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。   The side surface of the first portion of the second spacer in contact with the side wall of the through hole is formed on both sides of the second spacer, as viewed in cross section. Liquid crystal display device. 前記第2のスペーサの前記第1部分の径は、前記第2部分の径よりも小さく、前記第1部分と前記第2部分の間には段部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。   The diameter of the first portion of the second spacer is smaller than the diameter of the second portion, and a step is formed between the first portion and the second portion. Item 2. A liquid crystal display device according to item 2. 前記第2のスペーサの高さは、前記第1のスペーサの高さよりも高いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a height of the second spacer is higher than a height of the first spacer. 前記第2の基板には、さらに、第3のスペーサが形成され、前記第3のスペーサは、前記平坦部上に配置され、且つ、前記第3のスペーサは、前記第1のスペーサよりも高さが低いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   A third spacer is further formed on the second substrate, the third spacer is disposed on the flat portion, and the third spacer is higher than the first spacer. The liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that 前記第2のスペーサの高さは、前記第3のスペーサの高さよりも高いことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。   9. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the height of the second spacer is higher than the height of the third spacer. 前記第2のスペーサの数は、前記第1のスペーサの数よりも多いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the number of the second spacers is larger than the number of the first spacers. 表示領域の周辺における前記第2のスペーサの配置密度は、前記表示領域の中央における前記第2のスペーサの配置密度よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the arrangement density of the second spacers at the periphery of the display area is larger than the arrangement density of the second spacers at the center of the display area. 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第1の基板には薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機パッシベーション膜と、画素電極が形成され、
前記有機パッシベーション膜は、平坦部と、前記画素電極と前記薄膜トランジスタを接続するためのスルーホールを有し、
前記第2の基板には、遮光膜と第1のスペーサと第2のスペーサが形成され、
前記第1のスペーサは、前記有機パッシベーション膜の前記平坦部に位置し、
前記第2のスペーサの側壁は、第1部分と、前記第1部分と前記第2の基板間の第2部分とを有し、
断面で視て、前記第1部分の側面と前記第2の基板の主面との成す角が、前記第2部分の側面と前記第2の基板の前記主面との成す角よりも小さく、
平面で視て、前記第2のスペーサの中央部位置は、前記スルーホールの中央位置と合せて配置されることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display device in which liquid crystal is held between a first substrate and a second substrate,
A thin film transistor, an organic passivation film covering the thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate,
The organic passivation film has a flat portion and a through hole for connecting the pixel electrode and the thin film transistor.
A light shielding film, a first spacer, and a second spacer are formed on the second substrate,
The first spacer is located on the flat portion of the organic passivation film,
The sidewall of the second spacer has a first portion and a second portion between the first portion and the second substrate,
When viewed in cross section, the angle formed by the side surface of the first portion and the main surface of the second substrate is smaller than the angle formed by the side surface of the second portion and the main surface of the second substrate,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a central position of the second spacer is disposed in alignment with a central position of the through hole in plan view.
前記第2の基板には、さらに、第3のスペーサが形成され、前記第3のスペーサは、前記平坦部上に配置され、且つ、前記第3のスペーサは、前記第1のスペーサよりも高さが低いことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。   A third spacer is further formed on the second substrate, the third spacer is disposed on the flat portion, and the third spacer is higher than the first spacer. The liquid crystal display device according to claim 12, characterized in that 前記第2のスペーサの前記第1部分の径は、前記第2部分の径よりも小さく、前記第1部分と前記第2部分の間には段部が形成されていることを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。   The diameter of the first portion of the second spacer is smaller than the diameter of the second portion, and a step is formed between the first portion and the second portion. Item 13. A liquid crystal display device according to item 12. 前記第2のスペーサの高さは、前記第1のスペーサの高さよりも高いことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display of claim 12, wherein a height of the second spacer is greater than a height of the first spacer. 前記第2のスペーサの高さは、前記第3のスペーサの高さよりも高いことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display of claim 13, wherein a height of the second spacer is greater than a height of the third spacer. 前記第2のスペーサの数は、前記第1のスペーサの数よりも多いことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 12, wherein the number of the second spacers is larger than the number of the first spacers. 表示領域の周辺における前記第2のスペーサの配置密度は、前記表示領域の中央における前記第2のスペーサの配置密度よりも大きいことを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 12, wherein the arrangement density of the second spacers at the periphery of the display area is larger than the arrangement density of the second spacers at the center of the display area.
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