JP2019054218A - Heat sink - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ヒートシンクに関する。 The present invention relates to a heat sink.
近年、半導体素子等の発熱素子を用いた様々な電子機器において、高性能化や小型化が進み、それに伴い、電子機器の発熱密度が増大している。一般に、所定の温度を超えると、電子機器内の半導体素子等の各種素子、電池等は、その性能の維持が困難になるだけではなく、場合によっては、破損することもあり得る。従って、適切な温度管理が必要であり、発熱素子で生じた熱を効率的に放出し、冷却する技術が求められている。 In recent years, various electronic devices using heat generating elements such as semiconductor elements have been improved in performance and size, and accordingly, the heat generation density of electronic devices has increased. In general, when a predetermined temperature is exceeded, various elements such as semiconductor elements in an electronic device, batteries, and the like are not only difficult to maintain their performance, but may be damaged in some cases. Accordingly, appropriate temperature management is required, and a technique for efficiently releasing and cooling the heat generated in the heating element is required.
半導体素子等の発熱素子を冷却する方法として、ヒートシンクが用いられている。ヒートシンクは、熱伝導性の高い材料で形成されており、大きな表面積を有する。ヒートシンクを半導体素子等の発熱素子に熱的に接続することにより、発熱素子で生じた熱を効率的に消散することができる。 A heat sink is used as a method for cooling a heating element such as a semiconductor element. The heat sink is made of a material having high thermal conductivity and has a large surface area. By thermally connecting the heat sink to a heating element such as a semiconductor element, heat generated by the heating element can be efficiently dissipated.
このようなヒートシンクとしては、例えば特許文献1に記載のように、回路基板上の半導体回路素子に圧着されるベース部と、このベース部から突出する放熱フィンとを有して成るヒートシンクが知られている。 As such a heat sink, for example, as described in Patent Document 1, a heat sink including a base portion that is pressure-bonded to a semiconductor circuit element on a circuit board and a radiating fin protruding from the base portion is known. ing.
特許文献1に記載のようなヒートシンクは、ベース部において吸収した熱を、放熱フィンに移動させ、大きな表面積を有する放熱フィンから熱を放出することにより、放熱を行っている。しかしながら、上記の熱の移動は、ヒートシンクの材料の熱伝導率に依存したものであり、次第に高まる放熱性向上の要求を満たすには十分であるとは言えない。 The heat sink as described in Patent Document 1 dissipates heat by moving the heat absorbed in the base part to the radiation fins and releasing the heat from the radiation fins having a large surface area. However, the above-described heat transfer depends on the thermal conductivity of the heat sink material, and cannot be said to be sufficient to satisfy the increasing demand for heat dissipation.
従って、本発明の目的は、放熱性に優れたヒートシンクを提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a heat sink excellent in heat dissipation.
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、面状の底部と該底部に設けられた複数の放熱フィンとを備えたヒートシンクにおいて、これらの表面にベーパーチャンバーとして機能し得る部分を形成することにより、ヒートシンクの伝熱速度を高めて、放熱性を向上させることができることを見出し、本発明に至った。 As a result of intensive studies to solve the above-described problems, the present inventors can function as a vapor chamber on these surfaces in a heat sink including a planar bottom portion and a plurality of radiating fins provided on the bottom portion. By forming the portion, it was found that the heat transfer rate of the heat sink can be increased and the heat dissipation can be improved, and the present invention has been achieved.
本発明の第1の要旨によれば、
面状の底部と前記底部に設けられた複数のフィン芯部とを備えた下部金属部材と、
前記下部金属部材の前記フィン芯部に対して所定間隔で対向配置された上部金属部材と、
前記下部金属部材と前記上部金属部材との間に形成された内部空間と、
前記内部空間内に配置されたウィックと、
前記内部空間に封入された作動媒体と、
を有するヒートシンクが提供される。
According to the first aspect of the present invention,
A lower metal member comprising a planar bottom and a plurality of fin cores provided on the bottom;
An upper metal member disposed to face the fin core portion of the lower metal member at a predetermined interval;
An internal space formed between the lower metal member and the upper metal member;
A wick arranged in the internal space;
A working medium enclosed in the internal space;
A heat sink is provided.
本発明の第2の要旨によれば、
配線板と、
前記配線板の一方主面に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の天面に熱的に接続された本発明のヒートシンクと、
を備える、ヒートシンク付き半導体素子が提供される。
According to the second aspect of the present invention,
A wiring board;
A semiconductor element mounted on one main surface of the wiring board;
The heat sink of the present invention thermally connected to the top surface of the semiconductor element;
A semiconductor device with a heat sink is provided.
本発明によれば、面状の底部と該底部に設けられた複数のフィン芯部とを備えた下部金属部材上に、該下部金属部材の表面に対向するように上部金属部材を設け、その間に内部空間を形成し、かかる内部空間をベーパーチャンバーとして機能させることにより、放熱性の優れたヒートシンクを提供することができる。 According to the present invention, the upper metal member is provided on the lower metal member having the planar bottom portion and the plurality of fin core portions provided on the bottom portion so as to face the surface of the lower metal member, By forming an internal space in the chamber and causing the internal space to function as a vapor chamber, a heat sink having excellent heat dissipation can be provided.
以下、本発明のヒートシンクについて詳細に説明する。 Hereinafter, the heat sink of the present invention will be described in detail.
(実施形態1)
本実施形態のヒートシンク1aの斜視図を図1に、断面図を図2に、ヒートシンク1aの放熱フィン3およびその周辺部の断面図を図3に模式的に示す。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view of a
図1および図2に示されるように、本実施形態のヒートシンク1aは、面状のベース部2とベース部2に立設した放熱フィン3を有して成る。ヒートシンク1aは、その表面にベーパーチャンバー機能を有する。具体的には、図1、図2および図3に示されるように、ヒートシンク1aは、面状の底部4と該底部4に設けられた複数のフィン芯部5とを備えた下部金属部材6と、該下部金属部材6の底部4およびフィン芯部5に対して所定間隔で対向配置された上部金属部材7とを有する。即ち、該上部金属部材7は、下部金属部材6の表面に沿って配置されている。上記上部金属部材7と下部金属部材6は、その端部において、接合され、封止されている。これにより、上記の下部金属部材6と上部金属部材7との間には、内部空間8が形成されている。該空間は、下部金属部材6の底部4と上部金属部材7との間、および、下部金属部材6のフィン芯部5と上部金属部材7との間のいずれにも形成されている。該内部空間8内には、ウィック9、および柱10、さらに凸部11が形成されている。具体的には、上部金属部材7上に柱10が配置され、フィン芯部5上に凸部11が配置されている。柱10と凸部11は、互いに対向する方向(即ち、頂部が向き合う方向)に設けられており、複数の柱10と複数の凸部11に挟まれた状態にウィック9が配置されている。ウィック9、柱10、および凸部11は、内部空間8のほぼ全体にわたって設けられている。該内部空間8内には、作動媒体が封入されている。上記の構成を有することにより、内部空間8は、ベーパーチャンバーとして機能する。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
上記のように、本発明のヒートシンクは、その表面にベーパーチャンバー機能を有する。このベーパーチャンバーにより、発熱素子から底部4に伝わった熱が、ヒートシンクの表面全体に短時間で広がり、ヒートシンク表面全体から外部に放出される。従って、本発明のヒートシンクは、非常に優れた放熱性を有する。
As described above, the heat sink of the present invention has a vapor chamber function on the surface thereof. By this vapor chamber, the heat transmitted from the heating element to the
上記下部金属部材6は、面状の底部4と該底部4に設けられた複数のフィン芯部5とを有して成る。
The
上記底部4は、発熱素子に熱的に接続され、発熱素子で生じた熱を受け取る部分に相当する。
The
上記底部4は、面状である。ここに、「面状」とは、板状およびシート状を包含し、高さ(厚み)に対して長さおよび幅が相当に大きい形状、例えば長さおよび幅が、厚みの10倍以上、好ましくは100倍以上である形状を意味する。
The
本実施形態のヒートシンク1aにおいて、上記フィン芯部5は、上記底部4から立設されている。フィン芯部5は板状であり、複数設けられ、各フィン芯部は互いに平行に配置されている。
In the
上記下部金属部材6を構成する材料は、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、チタン、鉄、またはそれらを主成分とする合金等であり、好ましくは銅またはアルミニウムであり、特に好ましくは銅であり得る。
The material constituting the
上記上部金属部材7は、上記下部金属部材6の底部4およびフィン芯部5に対して、所定の間隔で、対向して配置されている。即ち、上部金属部材7は、下部金属部材6の表面から所定の間隔を保持した状態で、下部金属部材6の表面を覆うように形成されている。このように、下部金属部材6と上部金属部材7が、所定の間隔で対向して配置されることにより、その間に空間が形成される。かかる空間を封止し、密閉された内部空間8を得るために、下部金属部材6と上部金属部材7は、端部において接合されている。
The
上記下部金属部材6と上部金属部材7の間隔は、特に限定されないが、好ましくは50μm以上500μm以下、より好ましくは100μm以上400μm以下、さらに好ましくは100μm以上200μm以下、例えば125μm以上150μm以下である。
The distance between the
上記上部金属部材7を構成する材料は、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、チタン、鉄、またはそれらを主成分とする合金等であり、好ましくは銅またはアルミニウムであり、特に好ましくは銅であり得る。下部金属部材6および上部金属部材7を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよいが、好ましくは同じである。
The material constituting the
上記上部金属部材7の厚さは、特に限定されないが、好ましくは10μm以上200μm以下、より好ましくは30μm以上100μm以下、例えば好ましくは40μm以上60μm以下であり得る。
The thickness of the
上記柱10は、下部金属部材6と上部金属部材7間の距離が所定の距離となるように、下部金属部材6と上部金属部材7を内側から支持している。柱10を内部空間に設置することにより、内部空間内が減圧された場合、あるいは外部からの外圧が加えられた場合等に内部空間が変形することを抑制することができる。
The
上記柱10の一部は、フィン芯部5の側面位置において、上部金属部材7からウィック9までの間を、底部4と平行な方向に延伸するように設けられている。そして、この柱10はウィック9と接している。また上記柱10の別の一部は、フィン芯部5の上部(底部4と反対側)において、上部金属部材7からウィック9までの間を、底部4と垂直な方向に延伸するように設けられている。そして、この柱10もウィック9と接している。
A part of the
上記柱10を形成する材料は、特に限定されないが、例えば金属であり、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、チタン、鉄、またはそれらを主成分とする合金等であり、特に好ましくは銅であり得る。好ましい態様において、柱を形成する材料は、第1シートおよび第2シートのいずれかまたは両方と同じ材料である。
The material forming the
上記柱10の高さは、所望の下部金属部材6と上部金属部材7間の距離に応じて適宜設定することができ、好ましくは50μm以上500μm以下、より好ましくは100μm以上400μm以下、さらに好ましくは100μm以上200μm以下、例えば125μm以上150μm以下である。
The height of the
上記柱10の形状は、特に限定されないが、円柱形状、角柱形状、円錐台形状、角錐台形状等であり得る。
The shape of the
上記柱10の太さは、内部空間の変形を抑制できる強度を与えるものであれば特に限定されないが、例えば柱の高さ方向に垂直な断面の円相当径は、100μm以上2000μm以下、好ましくは300μm以上1000μm以下であり得る。上記柱の円相当径を大きくすることにより、内部空間の変形をより抑制することができる。また、上記柱の円相当径を小さくすることにより、作動媒体の蒸気が移動するための空間をより広く確保することができる。
The thickness of the
上記柱10の配置は、特に限定されないが、好ましくは均等に、例えば柱間の距離が一定となるように格子点状に配置される。柱を均等に配置することにより、ヒートシンク全体にわたって均一な内部空間の強度を確保することができる。
Although the arrangement of the
上記柱10の数および間隔は、特に限定されないが、内部空間を規定する一の主面の面積1mm2あたり、好ましくは0.125本以上0.5本以下、より好ましくは0.2本以上0.3本以下であり得る。上記柱の数を多くすることにより、内部空間の変形をより抑制することができる。また、上記柱の数をより少なくすることにより、作動媒体の蒸気が移動するための空間をより広く確保することができる。
The number and interval of the
上記柱10は、下部金属部材6または上部金属部材7と一体に形成されていてもよく、また、下部金属部材6または上部金属部材7と別個に製造し、その後、所定の箇所に固定してもよい。
The
上記凸部11の高さは、特に限定されないが、好ましくは1μm以上100μm以下、より好ましくは5μm以上50μm以下、さらに好ましくは15μm以上30μm以下であり得る。凸部の高さをより高くすると、作動媒体の保持量をより多くすることができる。また、凸部の高さをより低くすることにより、作動媒体の蒸気が移動するための空間をより広く確保することができる。従って、凸部の高さを調整することにより、ヒートシンクの熱輸送能を調整することができる。
The height of the
上記凸部11間の距離は、特に限定されないが、好ましくは1μm以上500μm以下、より好ましくは5μm以上300μm以下、さらに好ましくは15μm以上150μm以下であり得る。凸部間の距離を小さくすることにより、より毛細管力を大きくすることができる。また、凸部間の距離を大きくすることにより、透過率をより高くすることができる。
Although the distance between the said
上記凸部11の形状は、特に限定されないが、円柱形状、角柱形状、円錐台形状、角錐台形状等であり得る。また、上記凸部11の形状は、壁状であってもよく、即ち、隣接する凸部の間に溝が形成されるような形状であってもよい。
The shape of the
上記凸部11の一部は、フィン芯部5の側面位置において、下部金属部材6からウィック9までの間を、底部4と平行な方向に延伸するように設けられている。そして、この凸部11はウィック9と接している。
A part of the
一の態様において、上記凸部11の高さは、上記柱10の高さよりも小さい。
In one aspect, the height of the
一の態様において、上記柱10の高さは、上記凸部11の高さの、好ましくは1.5倍以上100倍以下、より好ましくは2倍以上50倍以下、さらに好ましくは3倍以上20倍以下、さらにより好ましくは3倍以上10倍以下であり得る。
In one embodiment, the height of the
一の態様において、上記凸部11の密度は、上記柱10の密度よりも大きい。即ち、内部空間を規定する一の主面における面積あたりの凸部の数は、同面積あたりの柱の数よりも多い。
In one embodiment, the density of the
本実施形態のヒートシンク1aにおいて、柱10は上部金属部材7側に、凸部11は下部金属部材6側に形成されているが、本発明はこれに限定されず、柱10が下部金属部材6側に、凸部11が上部金属部材7側に形成されていてもよい。
In the
尚、本発明のヒートシンクにおいて、上記凸部11は必須の構成ではなく、存在してなくてもよい。また、本発明のヒートシンクにおいて、柱10は必須の構成ではなく、存在してなくてもよい。
In the heat sink of the present invention, the
上記ウィック9は、毛細管力により作動媒体を移動させることができる構造を有するものであれば特に限定されない。作動媒体を移動させる毛細管力を発揮する毛細管構造は、特に限定されず、従来のベーパーチャンバーにおいて用いられている公知の構造であってもよい。例えば、上記毛細管構造は、細孔、溝、突起などの凹凸を有する微細構造、例えば、繊維構造、溝構造、網目構造等が挙げられる。
The
上記ウィック9の厚みは、特に限定されないが、例えば5μm以上200μm以下、好ましくは10μm以上80μm以下、より好ましくは30μm以上50μm以下であり得る。
The thickness of the
上記ウィック9の大きさおよび形状は、特に限定されないが、例えば、内部空間の内部において蒸発部から凝縮部まで連続して設置できる大きさおよび形状を有することが好ましい。
Although the magnitude | size and shape of the said
図2において、ウィック9は、一の独立した部材であるが、内部空間と一体に形成されていてもよい。例えば、図2に示したヒートシンクにおいてウィック9を設けずに、内部空間の壁面に形成された凸部11をウィックとして用いることができる。
In FIG. 2, the
一の態様において、ウィックは、個別に設けたメッシュシートなどのウィック部材と、内部空間の壁面に形成された凸部の両方であってもよいし、どちらか一方のみでもよい。 In one aspect, the wick may be both a wick member such as a mesh sheet provided individually and a convex portion formed on the wall surface of the internal space, or only one of them.
上記作動媒体は、内部空間内の環境下において気−液の相変化を生じ得るものであれば特に限定されず、例えば水、アルコール類、代替フロン等を用いることができる。一の態様において、作動媒体は水性化合物であり、好ましくは水である。 The working medium is not particularly limited as long as it can cause a gas-liquid phase change under the environment in the internal space. For example, water, alcohols, chlorofluorocarbon alternatives, and the like can be used. In one embodiment, the working medium is an aqueous compound, preferably water.
(実施形態2)
本実施形態のヒートシンク1bの斜視図を図4に示す。
(Embodiment 2)
A perspective view of the
図4に示されるように、本実施形態のヒートシンク1bは、放熱フィン3が、柱状に形成されている点でヒートシンク1aと異なる。上記放熱フィン3が柱状であるので、下部金属部材6のフィン芯部5も同様に柱状に形成される。他の部分の構成は、上記ヒートシンク1aと同様であり得る。
As shown in FIG. 4, the
上記のように放熱フィンを柱状とすることにより、放熱フィンの表面積をより大きくすることができ、放熱効果を向上させることができる。 By making the radiating fins columnar as described above, the surface area of the radiating fins can be increased, and the radiating effect can be improved.
(実施形態3)
本実施形態のヒートシンク1cの断面図を図5に、その放熱フィンおよびその周辺部の断面図を図6に示す。
(Embodiment 3)
FIG. 5 shows a cross-sectional view of the heat sink 1c of the present embodiment, and FIG. 6 shows a cross-sectional view of its radiating fin and its peripheral part.
図5および図6に示されるように、本実施形態のヒートシンク1cは、内部空間8が、フィン芯部毎に形成されている。他の部分の構成は、上記ヒートシンク1aと同様であり得る。
As shown in FIGS. 5 and 6, in the heat sink 1 c of this embodiment, the
上記のように内部空間8をフィン芯部毎に形成することにより、下部金属部材6と上部金属部材7の接合箇所が増加するので、上部金属部材7の位置の固定が容易になり、内部空間8の変形等を抑制することができる。即ち、ベーパーチャンバー機能を安定して発揮することができる。
By forming the
(実施形態4)
本実施形態のヒートシンク1dの断面図を図7に、その放熱フィンおよびその周辺部の断面図を図8に示す。
図7および図8に示されるように、本実施形態のヒートシンク1dの下部金属部材6の底部4はベーパーチャンバーである。即ち、下部金属部材6の底部4は、内部空間を有する面状の筐体と、該内部空間内に配置されたウィック12と、該内部空間13内に封入された作動媒体とを有して成るベーパーチャンバーであり、該筐体の一の主面に立設されたフィン芯部5を有する。また、下部金属部材6の底部4の内部空間13内には、柱14および凸部15が形成されている。上記ヒートシンク1dは、上記実施形態1のヒートシンク1aと同様に、下部金属部材6に対して所定間隔で対向配置された上部金属部材7を有し、下部金属部材6と上部金属部材7との間に、内部空間8が形成されている。該内部空間8内には、ウィック9、および柱10、さらに凸部11が形成され、作動媒体が封入されている。
(Embodiment 4)
FIG. 7 is a sectional view of the
As shown in FIGS. 7 and 8, the
上記のように下部金属部材6の底部4がベーパーチャンバーの構成を有することで、発熱素子からの熱が底部4全体に速やかに拡散し、放熱効果をさらに向上させることができる。
Since the
以上、本発明のヒートシンクについて、いくつかの実施形態を示して説明したが、本発明は上記のヒートシンクに限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。 The heat sink of the present invention has been described with reference to some embodiments. However, the present invention is not limited to the above heat sink, and the design can be changed without departing from the gist of the present invention.
例えば、本発明においては、内部空間は、フィン芯部の下部(底部4側)から上部にわたって連結していればよい。従って、一の態様において、下部金属部材6と上部金属部材7は、端部以外においても接合されていてもよい。下部金属部材6と上部金属部材7の接合箇所を増やすことにより、上部金属部材7の位置ずれを抑制することができる。
For example, in the present invention, the internal space may be connected from the lower part (
上記のように本発明のヒートシンクは、高い放熱性を有するので、発熱素子の冷却に好適に用いることができる。 As described above, since the heat sink of the present invention has high heat dissipation, it can be suitably used for cooling the heat generating element.
従って、本発明は、本発明のヒートシンクを備える電子部品をも提供する。 Therefore, this invention also provides an electronic component provided with the heat sink of this invention.
さらに、本発明は、本発明のヒートシンクまたは本発明の電子部品を有する電子機器をも提供する。 Furthermore, this invention also provides the electronic device which has the heat sink of this invention, or the electronic component of this invention.
一の態様において、上記電子部品は、半導体素子であり得る。 In one aspect, the electronic component may be a semiconductor element.
従って、本発明は、好ましい態様において、
配線板16と、
前記配線板16の一方主面に実装された半導体素子17と、
前記半導体素子17の天面に熱的に接続された本発明のヒートシンクと、
を備える、ヒートシンク付き半導体素子をも提供する。
Accordingly, the present invention in a preferred embodiment
A
A
The heat sink of the present invention thermally connected to the top surface of the
A semiconductor device with a heat sink is also provided.
上記本発明のヒートシンク付き半導体素子におけるヒートシンクは、本発明のヒートシンクであり、図9に示される態様においては、ヒートシンクは、上記ヒートシンク1aである。
The heat sink in the semiconductor element with a heat sink of the present invention is the heat sink of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 9, the heat sink is the
上記配線板としては、通常半導体パッケージ、半導体回路等に用いられる配線板であれば特に限定されず、好ましくはプリント配線基板が用いられる。 The wiring board is not particularly limited as long as it is a wiring board usually used for semiconductor packages, semiconductor circuits, and the like, and a printed wiring board is preferably used.
上記半導体素子としては、特に限定されず、CPU、メモリなどの集積回路が挙げられる。 The semiconductor element is not particularly limited, and examples thereof include an integrated circuit such as a CPU and a memory.
本発明のヒートシンクと半導体素子の熱的接続は、両者を直接接触させることにより行ってもよく、他の熱伝導性部材、例えばサーマルグリース、はんだ等の金属部材等を介して行ってもよい。ここに、「サーマルグリース」とは、熱伝導性の高い粘性物質であり、例えば変性シリコーンなどに熱伝導性の高い金属または金属酸化物の粒子を分散させたものが用いられる。 The heat connection of the heat sink and the semiconductor element of the present invention may be performed by bringing them into direct contact, or may be performed via another thermally conductive member, for example, a metal member such as thermal grease or solder. Here, “thermal grease” is a viscous material having high thermal conductivity, and for example, a material in which particles of metal or metal oxide having high thermal conductivity are dispersed in modified silicone or the like is used.
本発明は、特に限定されないが、以下の態様を開示する。
1. 面状の底部と前記底部に設けられた複数のフィン芯部とを備えた下部金属部材と、
前記下部金属部材の前記フィン芯部に対して所定間隔で対向配置された上部金属部材と、
前記下部金属部材と前記上部金属部材との間に形成された内部空間と、
前記内部空間内に配置されたウィックと、
前記内部空間に封入された作動媒体と、
を有するヒートシンク。
2. 前記内部空間内に配置された柱を有する、態様1に記載のヒートシンク。
3. 前記下部金属部材は、前記下部金属部材に対向する面に凸部を有し、該凸部は、ウィックとして機能する、態様1または2に記載のヒートシンク。
4. 前記凸部の高さは、前記柱の高さよりも小さく、前記凸部の密度は前記柱の密度よりも大きい、態様3に記載のヒートシンク。
5. 前記上部金属部材は、前記下部金属部材の前記底部に対して、所定間隔で対向配置される、態様1〜4のいずれか1つに記載のヒートシンク。
6. 前記内部空間は、フィン芯部毎に形成されている、態様1〜5のいずれか1つに記載のヒートシンク。
7. 前記底部は、内部空間を有する面状の筐体と、前記内部空間内に配置されたウィックと、前記内部空間内に封入された作動媒体とを有して成る、態様1〜6のいずれか1つに記載のヒートシンク。
8. 配線板と、
前記配線板の一方主面に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の天面に熱的に接続された態様1〜7のいずれか1つにヒートシンクと、
を備える、ヒートシンク付き半導体素子。
Although this invention is not specifically limited, The following aspects are disclosed.
1. A lower metal member comprising a planar bottom and a plurality of fin cores provided on the bottom;
An upper metal member disposed to face the fin core portion of the lower metal member at a predetermined interval;
An internal space formed between the lower metal member and the upper metal member;
A wick arranged in the internal space;
A working medium enclosed in the internal space;
Heat sink.
2. The heat sink of aspect 1 which has the pillar arrange | positioned in the said interior space.
3. The heat sink according to
4). The heat sink according to
5. The heat sink according to any one of aspects 1 to 4, wherein the upper metal member is disposed to face the bottom portion of the lower metal member at a predetermined interval.
6). The said internal space is a heat sink as described in any one of the aspects 1-5 currently formed for every fin core part.
7). Any one of the aspects 1 to 6, wherein the bottom portion includes a planar casing having an internal space, a wick disposed in the internal space, and a working medium sealed in the internal space. The heat sink according to one.
8). A wiring board;
A semiconductor element mounted on one main surface of the wiring board;
A heat sink in any one of aspects 1-7 thermally connected to the top surface of the semiconductor element;
A semiconductor device with a heat sink.
本発明のヒートシンク集合体は、高い放熱性を有するので、種々の電子機器において好適に用いることができる。 Since the heat sink assembly of the present invention has high heat dissipation, it can be suitably used in various electronic devices.
1a,1b,1c…ヒートシンク
2…ベース部、3…放熱フィン、4…底部、5…フィン芯部
6…下部金属部材、7…上部金属部材、8…内部空間、9…ウィック
10…柱、11…凸部
12…ウィック、13…内部空間、14…柱、15…凸部
16…配線板、17…半導体素子
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記下部金属部材の前記フィン芯部に対して所定間隔で対向配置された上部金属部材と、
前記下部金属部材と前記上部金属部材との間に形成された内部空間と、
前記内部空間内に配置されたウィックと、
前記内部空間に封入された作動媒体と、
を有するヒートシンク。 A lower metal member comprising a planar bottom and a plurality of fin cores provided on the bottom;
An upper metal member disposed to face the fin core portion of the lower metal member at a predetermined interval;
An internal space formed between the lower metal member and the upper metal member;
A wick arranged in the internal space;
A working medium enclosed in the internal space;
Heat sink.
前記配線板の一方主面に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の天面に熱的に接続された請求項1〜7のいずれか1項にヒートシンクと、
を備える、ヒートシンク付き半導体素子。 A wiring board;
A semiconductor element mounted on one main surface of the wiring board;
A heat sink according to any one of claims 1 to 7, which is thermally connected to the top surface of the semiconductor element,
A semiconductor device with a heat sink.
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JP7444703B2 (en) | 2020-06-04 | 2024-03-06 | 古河電気工業株式会社 | Heat transfer member and cooling device having heat transfer member |
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- 2017-09-19 JP JP2017179081A patent/JP2019054218A/en active Pending
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