JP2019052989A - Physical quantity sensor manufacturing method and physical quantity sensor device manufacturing method - Google Patents

Physical quantity sensor manufacturing method and physical quantity sensor device manufacturing method Download PDF

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誠 古畑
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Abstract

To provide a physical quantity sensor and physical quantity sensor device manufacturing method with which it is possible to improve a manufacturing yield and reduce production costs.SOLUTION: Provided is a method for manufacturing a physical quantity sensor 1 comprising forming a base substrate 2, an element piece 3 including fixed electrode parts 38, 39 fixed on the base substrate 2 and movable electrode parts 36, 37 displaceably provided on the base substrate 2, and wirings 41, 42, 43 arranged on the base substrate 2. This manufacturing method includes the steps of: forming, on a substrate 102, wirings 41, 42, 43 and a common wiring 47 electrically connected to the wirings 41, 42, 43; joining a substrate 103 to the substrate 102 and electrically connecting the substrate 103 to the wirings 41, 42, 43; etching the substrate 103 and thereby forming an element piece 3; separating the wirings 41, 42, 43 from the common wiring 47; inspecting the element piece 3 on the substrate 102 via the wirings 41, 42, 43 for each element piece 3; and dividing the substrate 102 into individual pieces.SELECTED DRAWING: Figure 21

Description

本発明は、物理量センサーの製造方法および物理量センサー装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a physical quantity sensor and a method for manufacturing a physical quantity sensor device.

物理量センサーとしては、変位可能に設けられた可動電極と、可動電極に対して間隔を隔てて対向するとともに固定配置された固定電極と、を有し、可動電極と固定電極との間の静電容量に基づいて、加速度、角速度等の物理量を検出する物理量センサーが知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の物理量センサーは、可動電極を有するチップ部が複数形成されたウエハーと、可動電極に対向配置される固定電極を有し各チップ部を封止する封止部が複数形成された封止ガラスとを接合した後、スクライブラインに沿って切断して個片化することにより得られる。ウエハーと封止ガラスとを接合する際に可動電極と固定電極との間に静電気が生じて両者の貼り付きが生じることを防止するため、チップ部毎に可動電極と固定電極とを導通する共有導通配線が設けられている。この共有導通配線はスクライブラインのライン幅内に設けられており、個片化する際に除去される。   The physical quantity sensor includes a movable electrode provided so as to be displaceable, and a fixed electrode that is opposed to the movable electrode with a space therebetween and is fixedly disposed, and electrostatic capacitance between the movable electrode and the fixed electrode is provided. 2. Description of the Related Art A physical quantity sensor that detects physical quantities such as acceleration and angular velocity based on capacitance is known (see, for example, Patent Document 1). The physical quantity sensor described in Patent Document 1 includes a wafer on which a plurality of chip portions having movable electrodes are formed, and a plurality of sealing portions that have fixed electrodes that are arranged to face the movable electrodes and seal each chip portion. After joining the sealing glass, it is obtained by cutting along a scribe line and dividing into pieces. In order to prevent static electricity from being generated between the movable electrode and the fixed electrode when the wafer and the sealing glass are bonded to each other, the common connection between the movable electrode and the fixed electrode for each chip portion is prevented. Conductive wiring is provided. The shared conductive wiring is provided within the line width of the scribe line, and is removed when it is separated into individual pieces.

特開2010−145264号公報JP 2010-145264 A

しかしながら、特許文献1に記載の物理量センサーは、ウエハーから個片化されるまでは、可動電極と固定電極とが共有導通配線で導通(短絡)されているため各物理量センサーの電気的特性等の検査を行なうことができない。すなわち、物理量センサーが個片化された時点では、物理量センサーが正常に動作するか否かを判別できない。そのため、例えば、後工程で物理量センサーを電子部品と接続しモールドまたはパッケージ等を行った状態で検査を行う場合に、正常に動作しない物理量センサーも後工程の対象となることで、製造歩留まりの低下や生産コストの増大を招くおそれがある。   However, in the physical quantity sensor described in Patent Document 1, until the individual pieces from the wafer are separated, the movable electrode and the fixed electrode are electrically connected (short-circuited) by the shared conductive wiring. The inspection cannot be performed. That is, when the physical quantity sensor is separated into pieces, it cannot be determined whether or not the physical quantity sensor operates normally. Therefore, for example, when inspection is performed in a state where the physical quantity sensor is connected to an electronic component and molded or packaged in a later process, a physical quantity sensor that does not operate normally is also subject to the subsequent process, resulting in a decrease in manufacturing yield. And production costs may increase.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]本適用例に係る物理量センサーの製造方法は、ベース基板と、前記ベース基板上に固定された固定電極部と、前記ベース基板上に変位可能に設けられ前記固定電極部に対向して配置された可動電極部と、を有する素子片と、前記ベース基板上に配置され、前記固定電極部に電気的に接続された第1配線と前記可動電極部に電気的に接続された第2配線と、を備えた物理量センサーの製造方法であって、前記ベース基板の母材となる第1基板に、前記第1配線と、前記第2配線と、前記第1配線と前記第2配線とに電気的に接続される共有配線と、を形成する導体パターン形成工程と、前記第1基板に前記素子片の母材となる第2基板を接合し、前記第2基板を前記第1配線および前記第2配線に電気的に接続する接合工程と、前記第2基板をエッチングすることにより、前記固定電極部と前記可動電極部とを有する前記素子片を形成する素子片形成工程と、前記第1配線と前記第2配線とを前記共有配線から分断する分断工程と、前記第1基板上の前記素子片を前記第1配線と前記第2配線とを介して前記素子片毎に検査する検査工程と、前記第1基板を前記素子片毎に個片化して複数の前記物理量センサーを得る個片化工程と、を備えることを特徴とする。   Application Example 1 A manufacturing method of a physical quantity sensor according to this application example includes a base substrate, a fixed electrode portion fixed on the base substrate, and a displacement provided on the base substrate so as to face the fixed electrode portion. And a movable electrode portion disposed on the base substrate and electrically connected to the movable electrode portion and a first wiring electrically connected to the fixed electrode portion. A physical quantity sensor manufacturing method including a second wiring, wherein the first wiring, the second wiring, the first wiring, and the second wiring are formed on a first substrate that is a base material of the base substrate. A conductive pattern forming step for forming a shared wiring electrically connected to the wiring, a second substrate serving as a base material of the element piece is bonded to the first substrate, and the second substrate is connected to the first substrate. A bonding step of electrically connecting the wiring and the second wiring; By etching the second substrate, an element piece forming step for forming the element piece having the fixed electrode portion and the movable electrode portion, and the first wiring and the second wiring are separated from the shared wiring. A dividing step, an inspection step for inspecting the element piece on the first substrate for each element piece via the first wiring and the second wiring, and the first substrate for each element piece. And a singulation process for obtaining a plurality of the physical quantity sensors.

本適用例に係る製造方法によれば、第2基板から形成される素子片において第1配線に電気的に接続される固定電極部と第2配線に電気的に接続される可動電極部とが、第1基板上に形成された共有配線と同電位となるので、第1基板に第2基板を接合する接合工程と第2基板から素子片を形成する素子片形成工程とにおいて、可動電極部の第1基板への貼り付きの発生を抑止することができる。また、個片化工程で第1基板を個片化して物理量センサーを得る前に、検査工程で第1配線と第2配線とを共有配線から分断して素子片毎に検査するので、個片化した時点で正常に動作する物理量センサーと正常に動作しない物理量センサーとを選別することができる。   According to the manufacturing method according to this application example, the fixed electrode portion that is electrically connected to the first wiring and the movable electrode portion that is electrically connected to the second wiring in the element piece formed from the second substrate. In the joining step of joining the second substrate to the first substrate and the element piece forming step of forming the element piece from the second substrate, the movable electrode portion has the same potential as the shared wiring formed on the first substrate. Can be prevented from sticking to the first substrate. Further, before the physical quantity sensor is obtained by separating the first substrate in the individualization step, the first wiring and the second wiring are separated from the shared wiring in the inspection step and each element piece is inspected. It is possible to select a physical quantity sensor that normally operates at the time of conversion to a physical quantity sensor that does not normally operate.

[適用例2]本適用例に係る物理量センサーの製造方法であって、前記分断工程では、前記第1配線と前記第2配線とをレーザー光で切断することが好ましい。   Application Example 2 A method of manufacturing a physical quantity sensor according to this application example, wherein in the dividing step, the first wiring and the second wiring are preferably cut with a laser beam.

本適用例に係る製造方法によれば、レーザー光で第1配線と第2配線とを切断して共有配線から分断するので、第1基板から発生する粉塵が抑えられるとともに切断箇所の位置精度を向上できる。   According to the manufacturing method according to this application example, the first wiring and the second wiring are cut by the laser beam and separated from the shared wiring, so that dust generated from the first substrate can be suppressed and the positional accuracy of the cut portion can be increased. Can be improved.

[適用例3]本適用例に係る物理量センサーの製造方法であって、前記分断工程の前に、前記ベース基板上に前記素子片を覆う蓋部材を接合する蓋部配設工程をさらに備えることが好ましい。   [Application Example 3] A method of manufacturing a physical quantity sensor according to this application example, further comprising a lid portion arranging step of joining a lid member covering the element piece on the base substrate before the dividing step. Is preferred.

本適用例に係る製造方法によれば、第1配線と第2配線とを切断する前に素子片を覆う蓋部材をベース基板に接合するので、分断工程において素子片が損傷を受けないよう保護できる。また、分断工程において塵埃等が発生した場合でも、素子片に塵埃等が付着することを抑止できる。   According to the manufacturing method according to this application example, the lid member covering the element piece is bonded to the base substrate before the first wiring and the second wiring are cut, so that the element piece is protected from being damaged in the dividing step. it can. Further, even when dust or the like is generated in the dividing step, it is possible to prevent the dust or the like from adhering to the element piece.

[適用例4]本適用例に係る物理量センサー装置の製造方法は、上記の物理量センサーの製造方法で製造した物理量センサーと電子部品とを電気的に接続する工程と、前記物理量センサーと前記電子部品とをモールドまたはパッケージする工程と、を備えることを特徴とする。   Application Example 4 A manufacturing method of a physical quantity sensor device according to this application example includes a step of electrically connecting a physical quantity sensor manufactured by the manufacturing method of the physical quantity sensor and an electronic component, and the physical quantity sensor and the electronic component. And a step of molding or packaging.

本適用例に係る製造方法によれば、検査で正常に動作した物理量センサーを対象として物理量センサー装置を製造するので、物理量センサーを電子部品と接続しモールドまたはパッケージしてから検査する場合と比べて、製造歩留まりの向上および生産コストの低減を図ることができる。   According to the manufacturing method according to this application example, since the physical quantity sensor device is manufactured for the physical quantity sensor that has been normally operated in the inspection, the physical quantity sensor is connected to the electronic component and then molded or packaged, and then compared with the inspection. Thus, the production yield can be improved and the production cost can be reduced.

第1実施形態に係る物理量センサーの概略構成を示す斜視図。The perspective view which shows schematic structure of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの平面図。The top view of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 図2中のA−A’線断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in FIG. 2. 図2中のB−B’線断面図。B-B 'line sectional drawing in FIG. 図2中のC−C’線断面図。FIG. 3 is a sectional view taken along line C-C ′ in FIG. 2. 第1実施形態に係る物理量センサー装置の一例を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a physical quantity sensor device according to a first embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。The figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図。Schematic which shows typically the example of the electronic device to which the physical quantity sensor which concerns on this embodiment is applied. 本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図。Schematic which shows typically the example of the electronic device to which the physical quantity sensor which concerns on this embodiment is applied. 本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図。Schematic which shows typically the example of the electronic device to which the physical quantity sensor which concerns on this embodiment is applied. 本実施形態に係る物理量センサーを適用した移動体の例を模式的に示す概略図。Schematic which shows typically the example of the mobile body to which the physical quantity sensor which concerns on this embodiment is applied. 第2実施形態に係る物理量センサーの平面図。The top view of the physical quantity sensor which concerns on 2nd Embodiment.

以下、本発明の物理量センサーとその製造方法、および物理量センサー装置とその製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof, and a physical quantity sensor device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る物理量センサーの概略構成を示す斜視図である。図2は、第1実施形態に係る物理量センサーの平面図である。図3は、図2中のA−A’線断面図である。図4は、図2中のB−B’線断面図である。図5は、図2中のC−C’線断面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the physical quantity sensor according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view of the physical quantity sensor according to the first embodiment. 3 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG.

なお、以下では、説明の便宜上、図2中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図1〜図5では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸およびZ軸が図示されている。以下では、X軸に平行な方向(左右方向)を「X軸方向」、Y軸に平行な方向を「Y軸方向」、Z軸に平行な方向(上下方向)を「Z軸方向」と言う。また、物理量センサーをZ軸方向の上方側から見ることを「平面視」と言う。   In the following, for convenience of explanation, the front side of the paper in FIG. 2 is referred to as “up”, the back side of the paper is referred to as “down”, the right side is referred to as “right”, and the left side is referred to as “left”. 1 to 5 show an X axis, a Y axis, and a Z axis as three axes orthogonal to each other. In the following, the direction parallel to the X-axis (left-right direction) is referred to as “X-axis direction”, the direction parallel to the Y-axis is referred to as “Y-axis direction”, and the direction parallel to the Z-axis (vertical direction) is referred to as “Z-axis direction”. say. Further, viewing the physical quantity sensor from the upper side in the Z-axis direction is called “plan view”.

[物理量センサー]
本実施形態では、物理量センサーを、加速度、角速度等の物理量を測定するための物理量センサー素子として用いる場合の例について説明する。図1に示すように、第1実施形態に係る物理量センサー1は、ベース基板2と、ベース基板2に接合・支持された素子片3と、ベース基板2上に設けられた導体パターン4と、素子片3を覆うように設けられた蓋部材5とを有する。なお、図1では、蓋部材5の一部を透視している。
[Physical quantity sensor]
In the present embodiment, an example in which a physical quantity sensor is used as a physical quantity sensor element for measuring physical quantities such as acceleration and angular velocity will be described. As shown in FIG. 1, the physical quantity sensor 1 according to the first embodiment includes a base substrate 2, an element piece 3 bonded and supported to the base substrate 2, a conductor pattern 4 provided on the base substrate 2, And a lid member 5 provided so as to cover the element piece 3. In FIG. 1, a part of the lid member 5 is seen through.

詳細は後述するが、蓋部材5には、下方に開口する凹部が形成されている(図3参照)。これにより、ベース基板2と蓋部材5との間に内部空間が形成され、この内部空間に素子片3が収容されている。導体パターン4は、配線41,42,43と、電極44,45,46と、孤立パターン41a,42a,43aとを有する。配線41と配線42とは、本実施形態における第1配線である。また、配線43は、本実施形態における第2配線である。   Although details will be described later, the lid member 5 has a recess that opens downward (see FIG. 3). Thereby, an internal space is formed between the base substrate 2 and the lid member 5, and the element piece 3 is accommodated in the internal space. The conductor pattern 4 has wirings 41, 42, 43, electrodes 44, 45, 46, and isolated patterns 41a, 42a, 43a. The wiring 41 and the wiring 42 are first wirings in the present embodiment. Further, the wiring 43 is the second wiring in the present embodiment.

配線41,42,43は、ベース基板2上の蓋部材5に覆われた領域から蓋部材5に覆われていない領域まで延在するように配置されている。電極44,45,46は、蓋部材5に覆われていないベース基板2上に配置されている。電極44,45,46は、それぞれ配線41,42,43に電気的に接続されており、外部機器との電気的な接続が可能となっている。孤立パターン41a,42a,43aは、蓋部材5に覆われていないベース基板2上に、それぞれ電極44,45,46と対向するように配置されている。   The wirings 41, 42, and 43 are arranged so as to extend from an area covered with the lid member 5 on the base substrate 2 to an area not covered with the lid member 5. The electrodes 44, 45, and 46 are disposed on the base substrate 2 that is not covered with the lid member 5. The electrodes 44, 45, and 46 are electrically connected to the wirings 41, 42, and 43, respectively, and can be electrically connected to an external device. The isolated patterns 41a, 42a, 43a are arranged on the base substrate 2 that is not covered with the lid member 5 so as to face the electrodes 44, 45, 46, respectively.

以下、図2〜図5を参照して、物理量センサー1を構成する各部を順次詳細に説明する。なお、図2では、蓋部材5を透視している。   Hereinafter, each part which comprises the physical quantity sensor 1 is demonstrated in detail sequentially with reference to FIGS. In FIG. 2, the lid member 5 is seen through.

(ベース基板)
ベース基板2は、素子片3を支持する機能を有する。ベース基板2は、絶縁性を有する基板である。ベース基板2は、後述する製造工程で、母材となる1つの基板102(図7参照)をダイシングすることより形成されたものである。ベース基板2は、板状をなし、その上面(一方の面)には、空洞部21が設けられている(図3〜図5参照)。
(Base substrate)
The base substrate 2 has a function of supporting the element piece 3. The base substrate 2 is an insulating substrate. The base substrate 2 is formed by dicing one substrate 102 (see FIG. 7) that serves as a base material in a manufacturing process described later. The base substrate 2 has a plate shape, and a cavity 21 is provided on the upper surface (one surface) (see FIGS. 3 to 5).

図3〜図5に示すように、空洞部21は、ベース基板2を平面視したときに、後述する素子片3の可動部33、可動電極部36,37および連結部34,35を包含するように形成されていて、内底を有する。空洞部21は、素子片3の可動部33、可動電極部36,37および連結部34,35がベース基板2に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、素子片3の可動部33の変位を許容することができる。   As shown in FIGS. 3 to 5, the cavity portion 21 includes a movable portion 33, movable electrode portions 36 and 37, and connecting portions 34 and 35 of the element piece 3 to be described later when the base substrate 2 is viewed in plan. And has an inner bottom. The cavity 21 constitutes an escape portion that prevents the movable portion 33, the movable electrode portions 36 and 37, and the coupling portions 34 and 35 of the element piece 3 from contacting the base substrate 2. Thereby, the displacement of the movable part 33 of the element piece 3 can be permitted.

なお、この逃げ部は、空洞部21(凹部)に代えて、ベース基板2をその厚さ方向に貫通する開口部であってもよい。また、本実施形態では、空洞部21の平面視形状は、四角形(具体的には長方形)をなしているが、これに限定されるものではない。   The escape portion may be an opening that penetrates the base substrate 2 in the thickness direction instead of the cavity portion 21 (concave portion). In the present embodiment, the shape of the cavity 21 in plan view is a quadrangle (specifically, a rectangle), but is not limited thereto.

図2に示すように、ベース基板2の上面には、空洞部21の外側に、その外周に沿って、凹部22,23,24が設けられている。凹部22,23,24は、平面視で導体パターン4に対応した形状をなしている。具体的には、凹部22は配線41、電極44、および孤立パターン41aに対応した形状をなし、凹部23は配線42、電極45、および孤立パターン42aに対応した形状をなし、凹部24は配線43、電極46、および孤立パターン43aに対応した形状をなしている。   As shown in FIG. 2, recesses 22, 23, and 24 are provided on the upper surface of the base substrate 2 along the outer periphery of the cavity portion 21. The recesses 22, 23, 24 have a shape corresponding to the conductor pattern 4 in plan view. Specifically, the concave portion 22 has a shape corresponding to the wiring 41, the electrode 44, and the isolated pattern 41a, the concave portion 23 has a shape corresponding to the wiring 42, the electrode 45, and the isolated pattern 42a, and the concave portion 24 has the shape corresponding to the wiring 43. The electrode 46 has a shape corresponding to the isolated pattern 43a.

また、図5に示すように、凹部24における電極46が設けられた部位の深さは、凹部24にける配線43が設けられた部位よりも深くなっている。図示しないが、同様に、凹部22における電極44が設けられた部位の深さは配線41が設けられた部位よりも深くなっており、凹部23における電極45が設けられた部位の深さは配線42が設けられた部位よりも深くなっている。   Further, as shown in FIG. 5, the depth of the portion of the recess 24 where the electrode 46 is provided is deeper than the portion of the recess 24 where the wiring 43 is provided. Although not shown, similarly, the depth of the portion where the electrode 44 is provided in the recess 22 is deeper than the portion where the wiring 41 is provided, and the depth of the portion where the electrode 45 is provided in the recess 23 is the wiring. It is deeper than the part where 42 is provided.

このように凹部22,23,24の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー1の製造工程において、素子片3の母材となる基板103を基板102に接合したとき(図13参照)、基板103が電極44,45,46と接合してしまうのを防止することができる。   Thus, by deepening a part of the recesses 22, 23, 24, when the substrate 103 serving as a base material of the element piece 3 is bonded to the substrate 102 in the manufacturing process of the physical quantity sensor 1 described later (FIG. 13), it is possible to prevent the substrate 103 from being bonded to the electrodes 44, 45, and 46.

ベース基板2の構成材料としては、具体的には、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いることが好ましく、特に、素子片3がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン(可動イオン)を含むガラス材料(例えば、パイレックス(登録商標)ガラスのような硼珪酸ガラス)を用いることが好ましい。これにより、素子片3がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板2と素子片3とを陽極接合することができる。   Specifically, as the constituent material of the base substrate 2, it is preferable to use a high-resistance silicon material or glass material. In particular, when the element piece 3 is composed of a silicon material as a main material, alkali metal ions ( It is preferable to use a glass material containing a mobile ion (for example, a borosilicate glass such as Pyrex (registered trademark) glass). Thereby, when the element piece 3 is composed of silicon as a main material, the base substrate 2 and the element piece 3 can be anodically bonded.

また、ベース基板2の構成材料は、素子片3の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいものが好ましく、具体的には、ベース基板2の構成材料と素子片3の構成材料との熱膨張係数差が3ppm/℃以下であるものが好ましい。これにより、ベース基板2と素子片3との接合時等に高温化に晒されても、ベース基板2と素子片3との間の残留応力を低減することができる。   Further, it is preferable that the constituent material of the base substrate 2 has as little difference in thermal expansion coefficient as that of the constituent material of the element piece 3. Specifically, the heat between the constituent material of the base substrate 2 and the constituent material of the element piece 3 is preferable. Those having a difference in expansion coefficient of 3 ppm / ° C. or less are preferred. As a result, even if the base substrate 2 and the element piece 3 are subjected to a high temperature during bonding, the residual stress between the base substrate 2 and the element piece 3 can be reduced.

(素子片)
図2に示すように、素子片3は、固定部31,32と、可動部33と、連結部34,35と、可動電極部36,37と、固定電極部38,39とで構成されている。なお、連結部34,35と可動電極部36,37とは、可動部33に含まれる。
(Element piece)
As shown in FIG. 2, the element piece 3 includes fixed portions 31 and 32, a movable portion 33, connecting portions 34 and 35, movable electrode portions 36 and 37, and fixed electrode portions 38 and 39. Yes. The connecting portions 34 and 35 and the movable electrode portions 36 and 37 are included in the movable portion 33.

素子片3は、例えば、加速度、角速度等の物理量の変化に応じて、可動部33および可動電極部36,37が、連結部34,35を弾性変形させながら、X軸方向(+X方向または−X方向)に変位する。このような変位に伴って、可動電極部36と固定電極部38との間の隙間の大きさ、および、可動電極部37と固定電極部39との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。すなわち、このような変位に伴って、可動電極部36と固定電極部38との間の静電容量の大きさ、および、可動電極部37と固定電極部39との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー1では、これらの静電容量に基づいて、加速度、角速度等の物理量を検出することができる。   The element piece 3 has an X-axis direction (+ X direction or −X) while the movable portion 33 and the movable electrode portions 36 and 37 elastically deform the connecting portions 34 and 35 according to changes in physical quantities such as acceleration and angular velocity. Displacement in the X direction). With such a displacement, the size of the gap between the movable electrode portion 36 and the fixed electrode portion 38 and the size of the gap between the movable electrode portion 37 and the fixed electrode portion 39 change. That is, in accordance with such displacement, the magnitude of the capacitance between the movable electrode portion 36 and the fixed electrode portion 38 and the magnitude of the capacitance between the movable electrode portion 37 and the fixed electrode portion 39. Changes. Therefore, the physical quantity sensor 1 can detect physical quantities such as acceleration and angular velocity based on these capacitances.

固定部31,32、可動部33、連結部34,35、および可動電極部36,37は、一体的に形成されている。固定部31,32は、それぞれ、ベース基板2の上面に接合されている。具体的には、固定部31は、ベース基板2の上面の空洞部21に対して−X方向側(図2中左側)の部分に接合され、固定部32は、ベース基板2の上面の空洞部21に対して+X方向側(図2中右側)の部分に接合されている。   The fixed parts 31, 32, the movable part 33, the connecting parts 34, 35, and the movable electrode parts 36, 37 are integrally formed. The fixing portions 31 and 32 are respectively joined to the upper surface of the base substrate 2. Specifically, the fixing portion 31 is joined to a portion on the −X direction side (left side in FIG. 2) with respect to the cavity portion 21 on the upper surface of the base substrate 2, and the fixing portion 32 is a cavity on the upper surface of the base substrate 2. The portion 21 is joined to the portion on the + X direction side (right side in FIG. 2).

また、固定部31,32は、平面視したときに、それぞれ、空洞部21の外周縁を跨ぐように設けられている。なお、固定部31,32の位置および形状等は、連結部34,35や導体パターン4等の位置および形状等に応じて決められるものであり、上述したものに限定されない。   The fixed portions 31 and 32 are provided so as to straddle the outer peripheral edge of the cavity portion 21 when viewed in plan. The positions and shapes of the fixing portions 31 and 32 are determined according to the positions and shapes of the connecting portions 34 and 35, the conductor pattern 4, etc., and are not limited to those described above.

固定部31と固定部32との間には、可動部33が設けられている。本実施形態では、可動部33は、X軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部33の形状は、素子片3を構成する各部の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、上述したものに限定されない。   A movable portion 33 is provided between the fixed portion 31 and the fixed portion 32. In the present embodiment, the movable part 33 has a longitudinal shape extending in the X-axis direction. The shape of the movable portion 33 is determined according to the shape, size, etc. of each portion constituting the element piece 3 and is not limited to the above-described one.

可動部33は、固定部31に対して連結部34を介して連結されるとともに、固定部32に対して連結部35を介して連結されている。より具体的には、可動部33の左側(−X方向側)の端部が連結部34を介して固定部31に連結されるとともに、可動部33の右側(+X方向側)の端部が連結部35を介して固定部32に連結されている。   The movable portion 33 is connected to the fixed portion 31 via the connecting portion 34 and is connected to the fixed portion 32 via the connecting portion 35. More specifically, the left end (−X direction side) of the movable portion 33 is connected to the fixed portion 31 via the connecting portion 34, and the right end (+ X direction side) of the movable portion 33 is connected to the fixed portion 31. It is connected to the fixed part 32 via the connecting part 35.

連結部34,35は、可動部33を固定部31,32に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部34,35は、図2に矢印aで示すように、X軸方向(+X方向または−X方向)に可動部33を変位し得るように構成されている。   The connecting portions 34 and 35 connect the movable portion 33 to the fixed portions 31 and 32 so as to be displaceable. In the present embodiment, the connecting portions 34 and 35 are configured to be able to displace the movable portion 33 in the X-axis direction (+ X direction or −X direction) as indicated by an arrow a in FIG.

具体的に説明すると、連結部34は、2つの梁341,342で構成されている。そして、梁341,342は、それぞれ、Y軸方向に蛇行しながらX軸方向に延びる形状をなしている。言い換えると、梁341,342は、それぞれ、Y軸方向に複数回(本実施形態では3回)折り返された形状をなしている。なお、各梁341,342の折り返し回数は、1回または2回であってもよいし、4回以上であってもよい。   Specifically, the connecting portion 34 is composed of two beams 341 and 342. Each of the beams 341 and 342 has a shape extending in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction. In other words, each of the beams 341 and 342 has a shape that is folded back a plurality of times (three times in the present embodiment) in the Y-axis direction. Note that the number of times the beams 341 and 342 are folded may be one or two times, or four or more times.

同様に、連結部35は、Y軸方向に蛇行しながらX軸方向に延びる形状をなす2つの梁351,352で構成されている。なお、連結部34,35は、可動部33をベース基板2に対して変位可能に支持するものであれば、上述したものに限定されず、例えば、可動部33の両端部から+Y方向および−Y方向にそれぞれ延出する1対の梁で構成されていてもよい。   Similarly, the connecting portion 35 is composed of two beams 351 and 352 having a shape extending in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction. The connecting parts 34 and 35 are not limited to those described above as long as they support the movable part 33 so as to be displaceable with respect to the base substrate 2. You may be comprised with a pair of beam each extended in a Y direction.

このようにベース基板2に対してX軸方向に変位可能に支持された可動部33の幅方向での一方側(+Y方向側)には、可動電極部36が設けられ、他方側(−Y方向側)には、可動電極部37が設けられている。   Thus, the movable electrode portion 36 is provided on one side (+ Y direction side) in the width direction of the movable portion 33 supported so as to be displaceable in the X-axis direction with respect to the base substrate 2, and the other side (−Y On the direction side, a movable electrode portion 37 is provided.

可動電極部36は、可動部33から+Y方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指361〜365を備えている。可動電極指361,362,363,364,365は、−X方向側から+X方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部37は、可動部33から−Y方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指371〜375を備える。可動電極指371,372,373,374,375は、−X方向側から+X方向側へ、この順に並んでいる。   The movable electrode portion 36 includes a plurality of movable electrode fingers 361 to 365 that protrude in the + Y direction from the movable portion 33 and are arranged in a comb-teeth shape. The movable electrode fingers 361, 362, 363, 364, 365 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side. Similarly, the movable electrode portion 37 includes a plurality of movable electrode fingers 371 to 375 that protrude from the movable portion 33 in the −Y direction and are arranged in a comb-teeth shape. The movable electrode fingers 371, 372, 373, 374, and 375 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side.

このように複数の可動電極指361〜365および複数の可動電極指371〜375は、それぞれ、可動部33の変位する方向(すなわちX軸方向)に並んで設けられている。これにより、後述する固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量、および、固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量を可動部33の変位に応じて効率的に変化させることができる。   Thus, the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 and the plurality of movable electrode fingers 371 to 375 are provided side by side in the direction in which the movable portion 33 is displaced (that is, the X-axis direction). As a result, the electrostatic capacitance between the fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 and the movable electrode portion 36, which will be described later, and the static electricity between the fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387, and the movable electrode portion 36, are described. The electric capacity can be changed efficiently according to the displacement of the movable portion 33.

同様に、後述する固定電極指392,394,396,398と可動電極部36との間の静電容量、および、固定電極指391,393,395,397と可動電極部36との間の静電容量を可動部33の変位に応じて効率的に変化させることができる。そのため、物理量センサー1を物理量センサー素子として用いた場合に検出精度を優れたものとすることができる。   Similarly, the electrostatic capacitance between the fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the movable electrode portion 36, which will be described later, and the static electricity between the fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the movable electrode portion 36 are described. The electric capacity can be changed efficiently according to the displacement of the movable portion 33. Therefore, when the physical quantity sensor 1 is used as a physical quantity sensor element, the detection accuracy can be excellent.

可動電極部36は、固定電極部38に対して間隔を隔てて対向する。また、可動電極部37は、固定電極部39に対して間隔を隔てて対向する。固定電極部38は、可動電極部36の複数の可動電極指361〜365に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指381〜388を備える。複数の固定電極指381〜388の可動部33とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板2の上面の空洞部21に対して+Y方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指381〜388は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Y方向へ延びている。   The movable electrode part 36 is opposed to the fixed electrode part 38 with an interval. Further, the movable electrode portion 37 faces the fixed electrode portion 39 with a space therebetween. The fixed electrode unit 38 includes a plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 arranged so as to form a comb tooth shape that is engaged with the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 of the movable electrode unit 36 with a space therebetween. The ends of the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 on the side opposite to the movable portion 33 are respectively joined to the + Y direction side portion with respect to the cavity portion 21 on the upper surface of the base substrate 2. The fixed electrode fingers 381 to 388 each have a fixed end as a fixed end and a free end extending in the −Y direction.

固定電極指381〜388は、−X方向側から+X方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指381,382は、対をなし、可動電極指361,362の間に、固定電極指383,384は、対をなし、可動電極指362,363の間に、固定電極指385,386は、対をなし、可動電極指363,364の間に、固定電極指387,388は、対をなし、可動電極指364,365の間に臨むように設けられている。   The fixed electrode fingers 381 to 388 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side. The fixed electrode fingers 381 and 382 make a pair, and between the movable electrode fingers 361 and 362, and the fixed electrode fingers 383 and 384 make a pair, and the fixed electrode finger 385 between the movable electrode fingers 362 and 363. , 386 are paired, and the fixed electrode fingers 387, 388 are paired and faced between the movable electrode fingers 364, 365.

ここで、固定電極指382,384,386,388は、それぞれ、第1固定電極指であり、固定電極指381,383,385,387は、それぞれ、ベース基板2上で当該第1固定電極指に対して空隙(間隙)を介して離間した第2固定電極指である。このように、複数の固定電極指381〜388は、交互に並ぶ複数の第1固定電極指および複数の第2固定電極指で構成されている。言い換えれば、可動電極指361〜365の一方の側に第1固定電極指が配置され、他方の側に第2固定電極指が配置されている。   Here, the fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 are first fixed electrode fingers, respectively, and the fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 are respectively the first fixed electrode fingers on the base substrate 2. The second fixed electrode fingers are spaced apart from each other via a gap (gap). As described above, the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 are composed of a plurality of first fixed electrode fingers and a plurality of second fixed electrode fingers arranged alternately. In other words, the first fixed electrode finger is arranged on one side of the movable electrode fingers 361 to 365, and the second fixed electrode finger is arranged on the other side.

第1固定電極指382,384,386,388と第2固定電極指381,383,385,387とは、ベース基板2上で互いに分離している。言い換えると、第1固定電極指382,384,386,388と、第2固定電極指381,383,385,387とは、ベース基板2上において、互いに連結されておらず、島状に孤立している。これにより、第1固定電極指382,384,386,388と第2固定電極指381,383,385,387とを電気的に絶縁することができる。そのため、第1固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量、および、第2固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。   The first fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 and the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 are separated from each other on the base substrate 2. In other words, the first fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 and the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 are not connected to each other on the base substrate 2 and are isolated in an island shape. ing. Thereby, the 1st fixed electrode finger 382,384,386,388 and the 2nd fixed electrode finger 381,383,385,387 can be electrically insulated. Therefore, the capacitance between the first fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 and the movable electrode portion 36, and between the second fixed electrode fingers 381, 383, 385 and 387 and the movable electrode portion 36 The capacitance can be measured separately, and the physical quantity can be detected with high accuracy based on the measurement results.

本実施形態では、固定電極指381〜388がベース基板2上で互いに分離している。言い換えると、固定電極指381〜388は、それぞれ、ベース基板2上において、互いに連結されておらず、島状に孤立している。これにより、固定電極指381〜388のY軸方向での長さを揃えることができる。そのため、各固定電極指381〜388とベース基板2との各接合部の十分な接合強度を得るのに必要な面積を確保しつつ、固定電極指381〜388の小型化を図ることができる。これにより、物理量センサー1の耐衝撃性を優れたものとしつつ、物理量センサー1の小型化を図ることができる。   In the present embodiment, the fixed electrode fingers 381 to 388 are separated from each other on the base substrate 2. In other words, the fixed electrode fingers 381 to 388 are not connected to each other on the base substrate 2 and are isolated in an island shape. Accordingly, the lengths of the fixed electrode fingers 381 to 388 in the Y-axis direction can be made uniform. Therefore, it is possible to reduce the size of the fixed electrode fingers 381 to 388 while securing an area necessary for obtaining a sufficient bonding strength of each bonded portion between the fixed electrode fingers 381 to 388 and the base substrate 2. Thereby, the physical quantity sensor 1 can be downsized while the impact resistance of the physical quantity sensor 1 is excellent.

同様に、固定電極部39は、可動電極部37の複数の可動電極指371〜375に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指391〜398を備える。複数の固定電極指391〜398の可動部33とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板2の上面の空洞部21に対して−Y方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指391〜398は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が+Y方向へ延びている。   Similarly, the fixed electrode unit 39 includes a plurality of fixed electrode fingers 391 to 398 arranged in a comb-teeth shape that meshes with the plurality of movable electrode fingers 371 to 375 of the movable electrode unit 37 at intervals. The ends of the plurality of fixed electrode fingers 391 to 398 on the side opposite to the movable portion 33 are respectively joined to the portion on the −Y direction side with respect to the cavity portion 21 on the upper surface of the base substrate 2. Each fixed electrode finger 391 to 398 has a fixed end as a fixed end and a free end extending in the + Y direction.

固定電極指391〜398は、−X方向側から+X方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指391,392は、対をなし、可動電極指371,372の間に、固定電極指393,394は、対をなし、可動電極指372,373の間に、固定電極指395,396は、対をなし、可動電極指373,374の間に、固定電極指397,398は、対をなし、可動電極指374,375の間に臨むように設けられている。   The fixed electrode fingers 391 to 398 are arranged in this order from the −X direction side to the + X direction side. The fixed electrode fingers 391 and 392 form a pair and the movable electrode fingers 371 and 372 form a pair, and the fixed electrode fingers 393 and 394 form a pair and the movable electrode fingers 372 and 373 form a fixed electrode finger 395. , 396 form a pair, and the fixed electrode fingers 397, 398 are paired and face each other between the movable electrode fingers 374, 375.

ここで、固定電極指392,394,396,398は、それぞれ、第1固定電極指であり、固定電極指391,393,395,397は、それぞれ、ベース基板2上で当該第1固定電極指に対して空隙(間隙)を介して離間した第2固定電極指である。このように、複数の固定電極指391〜398は、交互に並ぶ複数の第1固定電極指および複数の第2固定電極指で構成されている。言い換えれば、可動電極指の一方の側に第1固定電極指が配置され、他方の側に第2固定電極指が配置されている。   Here, the fixed electrode fingers 392, 394, 396, and 398 are first fixed electrode fingers, respectively, and the fixed electrode fingers 391, 393, 395, and 397 are respectively the first fixed electrode fingers on the base substrate 2. The second fixed electrode fingers are spaced apart from each other via a gap (gap). As described above, the plurality of fixed electrode fingers 391 to 398 are composed of a plurality of first fixed electrode fingers and a plurality of second fixed electrode fingers arranged alternately. In other words, the first fixed electrode finger is arranged on one side of the movable electrode finger, and the second fixed electrode finger is arranged on the other side.

第1固定電極指392,394,396,398と第2固定電極指391,393,395,397とは、固定電極部38と同様、ベース基板2上で互いに分離している。これにより、第1固定電極指392,394,396,398と可動電極部37との間の静電容量、および、第2固定電極指391,393,395,397と可動電極部37との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。   The first fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the second fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 are separated from each other on the base substrate 2 like the fixed electrode portion 38. As a result, the capacitance between the first fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 and the movable electrode portion 37, and the gap between the second fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the movable electrode portion 37 are obtained. Can be measured separately, and the physical quantity can be detected with high accuracy based on the measurement results.

本実施形態では、複数の固定電極指391〜398は、固定電極部38と同様、ベース基板2上で互いに分離している。これにより、各固定電極指391〜398とベース基板2との各接合部の面積を十分なものとしつつ、固定電極指391〜398の小型化を図ることができる。そのため、物理量センサー1の耐衝撃性を優れたものとしつつ、物理量センサー1の小型化を図ることができる。   In the present embodiment, the plurality of fixed electrode fingers 391 to 398 are separated from each other on the base substrate 2 like the fixed electrode portion 38. Accordingly, it is possible to reduce the size of the fixed electrode fingers 391 to 398 while ensuring a sufficient area of each joint between the fixed electrode fingers 391 to 398 and the base substrate 2. Therefore, the physical quantity sensor 1 can be downsized while the impact resistance of the physical quantity sensor 1 is excellent.

素子片3(すなわち、固定部31,32、可動部33、連結部34,35、複数の固定電極指381〜388,391〜398および複数の可動電極指361〜365,371〜375)は、後述する製造工程で、母材となる1つの基板103(図13参照)をエッチングすることにより形成されたものである。   The element piece 3 (that is, the fixed portions 31 and 32, the movable portion 33, the connecting portions 34 and 35, the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398, and the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 and 371 to 375) are It is formed by etching one substrate 103 (see FIG. 13) that serves as a base material in a manufacturing process described later.

これにより、固定部31,32、可動部33、連結部34,35、複数の固定電極指381〜388,391〜398および複数の可動電極指361〜365,371〜375の厚さを厚くすることができる。また、これらの厚さを簡単かつ高精度に揃えることができる。このようなことから、物理量センサー1の高感度化を図ることができるとともに、物理量センサー1の耐衝撃性を向上させることができる。   Accordingly, the thicknesses of the fixed portions 31 and 32, the movable portion 33, the connecting portions 34 and 35, the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398, and the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 and 371 to 375 are increased. be able to. Also, these thicknesses can be easily and accurately aligned. For this reason, it is possible to increase the sensitivity of the physical quantity sensor 1 and to improve the impact resistance of the physical quantity sensor 1.

また、素子片3の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料を用いることが好ましい。すなわち、固定部31,32、可動部33、連結部34,35、複数の固定電極指381〜388,391〜398および複数の可動電極指361〜365,371〜375は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。   In addition, the constituent material of the element piece 3 is not particularly limited as long as the physical quantity can be detected based on the change in capacitance as described above, but a semiconductor is preferable, and specifically, for example, single crystal silicon It is preferable to use a silicon material such as polysilicon. That is, the fixed portions 31 and 32, the movable portion 33, the connecting portions 34 and 35, the plurality of fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398, and the plurality of movable electrode fingers 361 to 365 and 371 to 375 are mainly made of silicon. It is preferable to be configured as a material.

シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、素子片3をシリコンを主材料として構成することにより、素子片3の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー素子である物理量センサー1の高感度化を図ることができる。そして、シリコンは疲労が少ないため、物理量センサー1の耐久性を向上させることもできる。素子片3を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされていることが好ましい。これにより、素子片3の導電性を優れたものとすることができる。   Silicon can be processed with high accuracy by etching. Therefore, the element piece 3 is made of silicon as a main material, whereby the dimensional accuracy of the element piece 3 is improved, and as a result, the physical quantity sensor 1 that is a physical quantity sensor element can be highly sensitive. Since silicon is less fatigued, the durability of the physical quantity sensor 1 can be improved. The silicon material constituting the element piece 3 is preferably doped with an impurity such as phosphorus or boron. Thereby, the electroconductivity of the element piece 3 can be made excellent.

また、素子片3は、前述したように、ベース基板2の上面に固定部31,32および固定電極部38,39が接合されることにより、ベース基板2に支持されている。本実施形態では、ベース基板2と素子片3とが、後述する突起471,472,481,482,50が配置された部分を除いて、図示しない絶縁膜を介して接合されている。   Further, as described above, the element piece 3 is supported by the base substrate 2 by bonding the fixed portions 31 and 32 and the fixed electrode portions 38 and 39 to the upper surface of the base substrate 2. In this embodiment, the base substrate 2 and the element piece 3 are joined via an insulating film (not shown) except for portions where projections 471, 472, 481, 482, and 50, which will be described later, are arranged.

素子片3(具体的には、固定部31,32および各固定電極指381〜388,391〜398)とベース基板2との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。これにより、固定部31,32および固定電極部38,39(各固定電極指381〜388,391〜398)をベース基板2に強固に接合することができる。そのため、物理量センサー1の耐衝撃性を向上させることができる。   The bonding method of the element piece 3 (specifically, the fixing portions 31 and 32 and the fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398) and the base substrate 2 is not particularly limited, but an anodic bonding method is preferably used. . Accordingly, the fixed portions 31 and 32 and the fixed electrode portions 38 and 39 (respective fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398) can be firmly bonded to the base substrate 2. Therefore, the impact resistance of the physical quantity sensor 1 can be improved.

また、固定部31,32および固定電極部38,39(各固定電極指381〜388,391〜398)をベース基板2の所望の位置に高精度に接合することができる。そのため、物理量センサー素子である物理量センサー1の高感度化を図ることができる。この場合、前述したようにシリコンを主材料として素子片3を構成し、かつ、アルカリ金属イオンを含むガラス材料でベース基板2を構成する。   Further, the fixed portions 31 and 32 and the fixed electrode portions 38 and 39 (respective fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398) can be bonded to desired positions on the base substrate 2 with high accuracy. Therefore, it is possible to increase the sensitivity of the physical quantity sensor 1 that is a physical quantity sensor element. In this case, as described above, the element piece 3 is made of silicon as a main material, and the base substrate 2 is made of a glass material containing alkali metal ions.

(導体パターン)
導体パターン4は、ベース基板2の上面(素子片3を支持する側の面)上に設けられている。導体パターン4は、配線41,42,43と、電極(端子)44,45,46と、孤立パターン41a,42a,43aとで構成されている。
(Conductor pattern)
The conductor pattern 4 is provided on the upper surface of the base substrate 2 (the surface on the side that supports the element piece 3). The conductor pattern 4 includes wirings 41, 42, 43, electrodes (terminals) 44, 45, 46, and isolated patterns 41a, 42a, 43a.

配線41は、ベース基板2の空洞部21の外側に設けられ、空洞部21の外周に沿うように形成されている。配線41は、素子片3の第1固定電極指である各固定電極指382,384,386,388および各固定電極指392,394,396,398に電気的に接続されている。配線41は、ベース基板2の上面の外周部(蓋部材5の外側の部分)上において、電極44に電気的に接続されている。配線41は、電極44からベース基板2の端部側(蓋部材5とは反対側)に延出していてもよい。   The wiring 41 is provided outside the cavity 21 of the base substrate 2 and is formed along the outer periphery of the cavity 21. The wiring 41 is electrically connected to the fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388 and the fixed electrode fingers 392, 394, 396, 398 which are the first fixed electrode fingers of the element piece 3. The wiring 41 is electrically connected to the electrode 44 on the outer peripheral portion (the outer portion of the lid member 5) on the upper surface of the base substrate 2. The wiring 41 may extend from the electrode 44 to the end side of the base substrate 2 (on the side opposite to the lid member 5).

また、配線42は、配線41の内側、かつ、ベース基板2の空洞部21の外側でその外周縁に沿って設けられている。配線42は、素子片3の第2固定電極指である各固定電極指381,383,385,387および各固定電極指391,393,395,397に電気的に接続されている。配線42は、ベース基板2の上面の外周部(蓋部材5の外側の部分)上において、電極44に対して間隔を隔てて並ぶように配置された電極45に電気的に接続されている。配線42は、電極45からベース基板2の端部側に延出していてもよい。   Further, the wiring 42 is provided along the outer peripheral edge inside the wiring 41 and outside the hollow portion 21 of the base substrate 2. The wiring 42 is electrically connected to the fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387 and the fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397, which are the second fixed electrode fingers of the element piece 3. The wiring 42 is electrically connected to an electrode 45 arranged on the outer peripheral portion (the outer portion of the lid member 5) on the upper surface of the base substrate 2 so as to be arranged at a distance from the electrode 44. The wiring 42 may extend from the electrode 45 to the end portion side of the base substrate 2.

配線43は、ベース基板2上の固定部31との接合部から、ベース基板2の上面の外周部(蓋部材5の外側の部分)上に延びるように設けられている。配線43は、素子片3の可動部33(可動電極部36,37)と一体的に形成された固定部31に電気的に接続されている。配線43は、固定部31とは反対側で、ベース基板2の上面の外周部(ベース基板2上の蓋部材5の外側の部分)上において、電極44,45に対して間隔を隔てて並ぶように配置された電極46に電気的に接続されている。配線43は、電極46からベース基板2の端部側に延出していてもよい。   The wiring 43 is provided so as to extend from the joint portion with the fixing portion 31 on the base substrate 2 to the outer peripheral portion (the outer portion of the lid member 5) on the upper surface of the base substrate 2. The wiring 43 is electrically connected to the fixed portion 31 formed integrally with the movable portion 33 (movable electrode portions 36 and 37) of the element piece 3. The wiring 43 is arranged on the opposite side of the fixed portion 31 on the outer peripheral portion of the upper surface of the base substrate 2 (the portion outside the lid member 5 on the base substrate 2) with a gap from the electrodes 44 and 45. Thus, the electrodes 46 are electrically connected. The wiring 43 may extend from the electrode 46 to the end side of the base substrate 2.

配線41〜43の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In33、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物(透明電極材料)、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The constituent materials of the wirings 41 to 43 are not particularly limited as long as they have conductivity, and various electrode materials can be used. For example, oxides (transparent electrode materials) such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), In 3 O 3 , SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , Al-containing ZnO, Au, Pt, Ag, Cu, Al or an alloy containing these may be used, and one or more of these may be used in combination.

配線41〜43の構成材料としては、中でも、透明電極材料(特にITO)を用いることが好ましい。配線41,42がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板2が透明基板である場合、ベース基板2の固定電極部38,39側の面上に存在する異物等をベース基板2の固定電極部38,39とは反対の面側から容易に視認することができる。そのため、高感度な物理量センサー素子として物理量センサー1をより確実に提供することができる。   As a constituent material of the wirings 41 to 43, it is preferable to use a transparent electrode material (especially ITO). When the wirings 41 and 42 are each made of a transparent electrode material, when the base substrate 2 is a transparent substrate, foreign matter or the like existing on the surface of the base substrate 2 on the fixed electrode portions 38 and 39 side is removed from the base substrate 2. It can be easily visually recognized from the surface opposite to the fixed electrode portions 38 and 39. Therefore, the physical quantity sensor 1 can be provided more reliably as a highly sensitive physical quantity sensor element.

また、電極44,45,46の構成材料としては、それぞれ、配線41〜43と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極44,45,46の構成材料として、後述する突起471,472,481,482の構成材料と同じものが用いられている。   In addition, the constituent materials of the electrodes 44, 45, and 46 are not particularly limited as long as they have electrical conductivity, similarly to the wirings 41 to 43, and various electrode materials can be used. In the present embodiment, the same material as that of projections 471, 472, 481, and 482 described later is used as the material of the electrodes 44, 45, and 46.

配線41がベース基板2の上面に設けられていることにより、配線41を介して第1固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量および第1固定電極指392,394,396,398と可動電極部37との間の静電容量を測定することができる。そして、配線42がベース基板2の上面に設けられていることにより、配線42を介して第2固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量および第2固定電極指391,393,395,397と可動電極部37との間の静電容量を測定することができる。   Since the wiring 41 is provided on the upper surface of the base substrate 2, the capacitance between the first fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 and the movable electrode portion 36 and the first fixed electrode via the wiring 41 are provided. The capacitance between the fingers 392, 394, 396, 398 and the movable electrode part 37 can be measured. Since the wiring 42 is provided on the upper surface of the base substrate 2, the capacitance between the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 and the movable electrode portion 36 and the second capacitance are provided via the wiring 42. The electrostatic capacitance between the fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 and the movable electrode portion 37 can be measured.

本実施形態では、電極44および電極46を用いることにより、第1固定電極指382,384,386,388と可動電極部36との間の静電容量および第1固定電極指392,394,396,398と可動電極部37との間の静電容量を測定することができる。また、電極45および電極46を用いることにより、第2固定電極指381,383,385,387と可動電極部36との間の静電容量および第2固定電極指391,393,395,397と可動電極部37との間の静電容量を測定することができる。   In the present embodiment, by using the electrode 44 and the electrode 46, the capacitance between the first fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388 and the movable electrode portion 36 and the first fixed electrode fingers 392, 394, 396 are displayed. , 398 and the movable electrode portion 37 can be measured. Further, by using the electrode 45 and the electrode 46, the capacitance between the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387 and the movable electrode portion 36 and the second fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 The capacitance between the movable electrode portion 37 can be measured.

また、図3〜図5に示すように、配線41,42は、ベース基板2の上面上(すなわち固定電極部38,39側の面上)に設けられているので、固定電極部38,39に対する電気的接続およびその位置決めが容易である。そのため、物理量センサー1の信頼性(特に、耐衝撃性および検出精度)を向上させることができる。   As shown in FIGS. 3 to 5, the wirings 41 and 42 are provided on the upper surface of the base substrate 2 (that is, on the surface on the fixed electrode portions 38 and 39 side), so that the fixed electrode portions 38 and 39 are provided. The electrical connection to and positioning thereof are easy. Therefore, the reliability (especially impact resistance and detection accuracy) of the physical quantity sensor 1 can be improved.

また、配線41および電極44は、ベース基板2の凹部22内に設けられ、配線42および電極45は、ベース基板2の凹部23内に設けられ、配線43および電極46は、ベース基板2の凹部24内に設けられている(図5参照)。これにより、配線41〜43がベース基板2の板面から上方に突出するのを防止することができる。   The wiring 41 and the electrode 44 are provided in the recess 22 of the base substrate 2, the wiring 42 and the electrode 45 are provided in the recess 23 of the base substrate 2, and the wiring 43 and the electrode 46 are provided in the recess of the base substrate 2. 24 (see FIG. 5). Thereby, it is possible to prevent the wirings 41 to 43 from protruding upward from the plate surface of the base substrate 2.

これにより、各固定電極指381〜388,391〜398とベース基板2との接合(固定)を確実なものとしつつ、固定電極指382,384,386,388,392,394,396,398と配線41との電気的接続および固定電極指381,383,385,387,391,393,395,397と配線42との電気的接続を行うことができる。同様に、固定部31とベース基板2との接合(固定)を確実なものとしつつ、固定部31と配線43との電気的接続を行うことができる。ここで、配線41〜43の厚さをそれぞれtとし、凹部22〜24の配線41が設けられた部分の深さをそれぞれdとしたとき、d>tとなる関係を満たす。   Thereby, the fixed electrode fingers 382 to 388, 391 to 398 and the base substrate 2 can be reliably joined (fixed), and the fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388, 392, 394, 396, and 398 The electrical connection with the wiring 41 and the electrical connection between the fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387, 391, 393, 395, 397 and the wiring 42 can be performed. Similarly, the fixing part 31 and the wiring 43 can be electrically connected while ensuring the bonding (fixing) between the fixing part 31 and the base substrate 2. Here, the relationship of d> t is satisfied, where t is the thickness of each of the wirings 41 to 43 and d is the depth of each of the recesses 22 to 24 where the wiring 41 is provided.

図2に示すように、配線41上には、導電性を有する複数の突起481および複数の突起482が設けられている。複数の突起481は、複数の第1固定電極指である固定電極指382,384,386,388に対応して設けられ、複数の突起482は、複数の第1固定電極指である固定電極指392,394,396,398に対応して設けられている。   As illustrated in FIG. 2, a plurality of conductive protrusions 481 and a plurality of protrusions 482 are provided on the wiring 41. The plurality of protrusions 481 are provided corresponding to the fixed electrode fingers 382, 384, 386, and 388 that are the plurality of first fixed electrode fingers, and the plurality of protrusions 482 are the fixed electrode fingers that are the plurality of first fixed electrode fingers. 392, 394, 396 and 398 are provided.

そして、複数の突起481を介して固定電極指382,384,386,388と配線41とが電気的に接続されるとともに、複数の突起482を介して固定電極指392,394,396,398と配線41とが電気的に接続されている。これにより、配線41と他の部位との不本意な電気的接続(短絡)を防止しつつ、各固定電極指382,384,386,388,392,394,396,398と配線41との電気的接続を行うことができる。   The fixed electrode fingers 382, 384, 386 and 388 and the wiring 41 are electrically connected via the plurality of protrusions 481, and the fixed electrode fingers 392, 394, 396 and 398 are connected via the plurality of protrusions 482. The wiring 41 is electrically connected. As a result, the electrical connection between the fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388, 392, 394, 396, and 398 and the wiring 41 is prevented while preventing unintentional electrical connection (short circuit) between the wiring 41 and other parts. Connection can be made.

同様に、配線42上には、導電性を有する複数の突起471および複数の突起472が設けられている(図4参照)。複数の突起471は、複数の第2固定電極指である固定電極指381,383,385,387に対応して設けられ、複数の突起472は、複数の第2固定電極指である固定電極指391,393,395,397に対応して設けられている。   Similarly, a plurality of conductive protrusions 471 and a plurality of protrusions 472 are provided on the wiring 42 (see FIG. 4). The plurality of protrusions 471 are provided corresponding to the fixed electrode fingers 381, 383, 385, and 387 that are a plurality of second fixed electrode fingers, and the plurality of protrusions 472 are the fixed electrode fingers that are a plurality of second fixed electrode fingers. 391, 393, 395, 397 are provided.

そして、複数の突起471を介して固定電極指381,383,385,387と配線42とが電気的に接続されるとともに、複数の突起472を介して固定電極指391,393,395,397と配線42とが電気的に接続されている。これにより、配線42と他の部位との不本意な電気的接続(短絡)を防止しつつ、各固定電極指381,383,385,387,391,393,395,397と配線42との電気的接続を行うことができる。   The fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387 and the wiring 42 are electrically connected via the plurality of protrusions 471, and the fixed electrode fingers 391, 393, 395, 397 are connected via the plurality of protrusions 472. The wiring 42 is electrically connected. Thus, the electrical connection between the fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387, 391, 393, 395, 397 and the wiring 42 is prevented while preventing the unintentional electrical connection (short circuit) between the wiring 42 and other parts. Connection can be made.

このような突起471,472,481,482の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Au、Pt、Ag、Cu、Al等の金属単体またはこれらを含む合金等の金属が好適に用いられる。このような金属を用いて突起471,472,481,482を構成することにより、配線41,42と固定電極部38,39との間の接点抵抗を小さくすることができる。   The constituent material of the projections 471, 472, 481, 482 is not particularly limited as long as it has conductivity, and various electrode materials can be used. For example, Au, Pt, Ag Metals such as simple metals such as Cu, Al, and alloys containing these metals are preferably used. By forming the protrusions 471, 472, 481, 482 using such a metal, the contact resistance between the wirings 41, 42 and the fixed electrode portions 38, 39 can be reduced.

また、配線41〜43の厚さをそれぞれtとし、凹部22〜24の配線41が設けられた部分の深さをそれぞれdとし、突起471,472,481,482の高さをそれぞれhとしたとき、d≒t+hなる関係を満たす。   Further, the thickness of each of the wirings 41 to 43 is t, the depth of each of the recesses 22 to 24 where the wiring 41 is provided is d, and the height of each of the protrusions 471, 472, 481, and 482 is h. Then, the relationship d≈t + h is satisfied.

配線43上には、導電性を有する突起50が設けられている(図5参照)。突起50を介して固定部31と配線43とが電気的に接続される。突起50の構成材料としては、突起471,472,481,482と同じ構成材料を用いることができる。   A conductive protrusion 50 is provided on the wiring 43 (see FIG. 5). The fixing portion 31 and the wiring 43 are electrically connected through the protrusion 50. As the constituent material of the protrusion 50, the same constituent material as the protrusions 471, 472, 481, 482 can be used.

孤立パターン41a,42a,43aは、ベース基板2の蓋部材5に覆われていない領域に設けられている。孤立パターン41a,42a,43aは、ベース基板2の端部側に島状に孤立して、電極44,45,46とそれぞれ対向するように配置されている。孤立パターン41a,42a,43aは、配線41,42,43および電極44,45,46と電気的に絶縁されるとともに、互いに電気的に絶縁されている。   The isolated patterns 41 a, 42 a, 43 a are provided in regions not covered with the lid member 5 of the base substrate 2. The isolated patterns 41a, 42a, and 43a are isolated in an island shape on the end side of the base substrate 2 and are disposed so as to face the electrodes 44, 45, and 46, respectively. The isolated patterns 41a, 42a, 43a are electrically insulated from the wirings 41, 42, 43 and the electrodes 44, 45, 46, and are electrically insulated from each other.

孤立パターン41a,42a,43aは、後述する物理量センサー1の製造工程において、電極44,45,46よりもベース基板2の端部側に延在する配線41,42,43が途中で切断されて、その一部が残留したものである。   In the isolated pattern 41a, 42a, 43a, in the manufacturing process of the physical quantity sensor 1 to be described later, the wirings 41, 42, 43 extending to the end side of the base substrate 2 from the electrodes 44, 45, 46 are cut in the middle. , Part of it remains.

なお、配線41〜43上には、図示しない絶縁膜が設けられている。この絶縁膜は、導体パターン4と素子片3との不本意な電気的接続(短絡)を防止する機能を有する。この絶縁膜は、各突起471,472,481,482,50上には形成されず、各突起471,472,481,482,50の表面が露出している。   Note that an insulating film (not shown) is provided on the wirings 41 to 43. This insulating film has a function of preventing unintentional electrical connection (short circuit) between the conductor pattern 4 and the element piece 3. This insulating film is not formed on the protrusions 471, 472, 481, 482, 50, and the surfaces of the protrusions 471, 472, 481, 482, 50 are exposed.

この絶縁膜により、配線41,42と他の部位との不本意な電気的接続(短絡)をより確実に防止しつつ、各第1固定電極指382,384,386,388,392,394,396,398と配線41との電気的接続および各第2固定電極指381,383,385,385,387,391,393,395,397と配線42との電気的接続を行うことができる。また、配線43と他の部位との不本意な電気的接続(短絡)をより確実に防止しつつ、固定部31と配線43との電気的接続を行うことができる。   By this insulating film, the first fixed electrode fingers 382, 384, 386, 388, 392, 394 are more reliably prevented while preventing unintentional electrical connection (short circuit) between the wirings 41, 42 and other parts. The electrical connection between 396, 398 and the wiring 41 and the electrical connection between each of the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, 385, 387, 391, 393, 395, 397 and the wiring 42 can be performed. In addition, the electrical connection between the fixed portion 31 and the wiring 43 can be performed while more reliably preventing the unintentional electrical connection (short circuit) between the wiring 43 and other parts.

本実施形態では、絶縁膜が、後述する突起471,472,481,482,50および電極44,45,46の形成領域を除いて、ベース基板2の上面の略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜の形成領域は、配線41〜43を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板2の上面の素子片3との接合部位や蓋部材5との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。   In the present embodiment, the insulating film is formed over substantially the entire upper surface of the base substrate 2 except for the formation regions of projections 471, 472, 481, 482, 50 and electrodes 44, 45, 46 described later. . The insulating film formation region is not limited to this as long as it can cover the wirings 41 to 43, and excludes, for example, a bonding portion with the element piece 3 on the upper surface of the base substrate 2 and a bonding portion with the lid member 5. Such a shape may be formed.

上述したように、配線41〜43の厚さをそれぞれtとし、凹部22〜24の配線41が設けられた部分の深さをそれぞれdとしたとき、d>tなる関係を満たす。これにより、例えば、固定電極指391と配線41上の絶縁膜との間に隙間が形成されている。図示しないが、この隙間と同様の隙間が他の各固定電極指と配線41,42上の絶縁膜との間にも形成されている。このような隙間は、後述する物理量センサー1の製造において、基板102と基板103との間にも同様に形成され、陽極接合時に生じるガスを排出することができる。   As described above, the relationship of d> t is satisfied, where t is the thickness of each of the wirings 41 to 43 and d is the depth of each of the recesses 22 to 24 where the wiring 41 is provided. Thereby, for example, a gap is formed between the fixed electrode finger 391 and the insulating film on the wiring 41. Although not shown, a gap similar to this gap is also formed between the other fixed electrode fingers and the insulating films on the wirings 41 and 42. Such a gap is similarly formed between the substrate 102 and the substrate 103 in the manufacture of the physical quantity sensor 1 to be described later, and gas generated during anodic bonding can be discharged.

また、図示しないが、蓋部材5と配線43上の絶縁膜との間にも隙間が形成されている。この隙間と同様の隙間が蓋部材5と配線41,42上の絶縁膜との間にも形成されている。これらの隙間により、蓋部材5内を減圧したり、不活性ガスを充填したりすることができる。なお、これらの隙間は、蓋部材5とベース基板2とを接着剤により接合する場合に、接着剤により塞いでもよい。   Although not shown, a gap is also formed between the lid member 5 and the insulating film on the wiring 43. A gap similar to this gap is also formed between the lid member 5 and the insulating film on the wirings 41 and 42. With these gaps, the inside of the lid member 5 can be depressurized or filled with an inert gas. Note that these gaps may be closed with an adhesive when the lid member 5 and the base substrate 2 are bonded together with an adhesive.

絶縁膜の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板2がガラス材料(特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料)で構成されている場合、二酸化珪素(SiO2)を用いることが好ましい。これにより、前述したような不本意な電気的接続を防止するとともに、ベース基板2の上面の素子片3との接合部位に絶縁膜が存在していても、ベース基板2と素子片3とを陽極接合することができる。 The constituent material of the insulating film is not particularly limited, and various insulating materials can be used, but the base substrate 2 is made of a glass material (particularly, a glass material to which alkali metal ions are added). In this case, it is preferable to use silicon dioxide (SiO 2 ). As a result, unintentional electrical connection as described above can be prevented, and the base substrate 2 and the element piece 3 can be connected to each other even if an insulating film is present at the junction with the element piece 3 on the upper surface of the base substrate 2. Anodic bonding is possible.

(蓋部材)
蓋部材5は、素子片3を保護する機能を有する。図3〜図5に示すように、蓋部材5は、板状をなし、その一方の面(下面)に凹部51が設けられている。凹部51は、素子片3の可動部33および可動電極部36,37等の変位を許容するように形成されている。蓋部材5の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を好適に用いることができる。
(Cover member)
The lid member 5 has a function of protecting the element piece 3. As shown in FIGS. 3 to 5, the lid member 5 has a plate shape, and a concave portion 51 is provided on one surface (lower surface) thereof. The recess 51 is formed to allow displacement of the movable portion 33 and the movable electrode portions 36 and 37 of the element piece 3. The constituent material of the lid member 5 is not particularly limited as long as it can exhibit the functions as described above. For example, a silicon material, a glass material, or the like can be suitably used.

蓋部材5の下面の凹部51よりも外側の部分は、ベース基板2の上面に接合されている。本実施形態では、前述した絶縁膜を介してベース基板2と蓋部材5とが接合されている。蓋部材5とベース基板2との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができる。   A portion of the lower surface of the lid member 5 outside the recess 51 is bonded to the upper surface of the base substrate 2. In the present embodiment, the base substrate 2 and the lid member 5 are joined via the insulating film described above. The method for bonding the lid member 5 and the base substrate 2 is not particularly limited, and for example, a bonding method using an adhesive, an anodic bonding method, a direct bonding method, or the like can be used.

[物理量センサー装置]
次に、第1実施形態の物理量センサーを備えた物理量センサー装置を説明する。図6は、第1実施形態に係る物理量センサー装置の一例を示す概略断面図である。図6に示すように、本実施形態に係る物理量センサー装置200は、基板201と、物理量センサー1と、電子部品としてのICチップ202と、を備えている。
[Physical quantity sensor device]
Next, a physical quantity sensor device including the physical quantity sensor of the first embodiment will be described. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of the physical quantity sensor device according to the first embodiment. As shown in FIG. 6, the physical quantity sensor device 200 according to the present embodiment includes a substrate 201, a physical quantity sensor 1, and an IC chip 202 as an electronic component.

基板201の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料、セラミック材料、樹脂材料、ガラス基板、ガラスエポキシ材料等を用いることができる。基板201上の物理量センサー1が載置された側の面を上面とし、その反対側の面を下面とする。基板201の上面には複数の端子207が配置されており、下面には実装端子208が配置されている。実装端子208は、図示しない内部配線を介して端子207に接続されている。   Although it does not specifically limit as a constituent material of the board | substrate 201, For example, a silicon material, a glass material, a ceramic material, a resin material, a glass substrate, a glass epoxy material etc. can be used. The surface of the substrate 201 on which the physical quantity sensor 1 is placed is the upper surface, and the opposite surface is the lower surface. A plurality of terminals 207 are arranged on the upper surface of the substrate 201, and mounting terminals 208 are arranged on the lower surface. The mounting terminal 208 is connected to the terminal 207 via an internal wiring (not shown).

物理量センサー1は、接着層203を介して基板201の上面に固定されている。ICチップ202は、接着層204を介して物理量センサー1の上面に固定されている。接着層203,204としては、例えば、半田、銀ペースト、樹脂系接着剤(ダイアタッチ剤)等を用いることができる。   The physical quantity sensor 1 is fixed to the upper surface of the substrate 201 through an adhesive layer 203. The IC chip 202 is fixed to the upper surface of the physical quantity sensor 1 through the adhesive layer 204. As the adhesive layers 203 and 204, for example, solder, silver paste, resin adhesive (die attach agent) or the like can be used.

ICチップ202には、例えば、物理量センサー1を駆動する駆動回路や、物理量センサー1からの信号に基づいて加速度や角速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。ICチップ202は、ボンディングワイヤー205を介して物理量センサー1の電極44,45,46に電気的に接続されており、ボンディングワイヤー206を介して基板201の端子207に電気的に接続されている。   In the IC chip 202, for example, a drive circuit that drives the physical quantity sensor 1, a detection circuit that detects acceleration and angular velocity based on a signal from the physical quantity sensor 1, and a signal from the detection circuit are converted into a predetermined signal. An output circuit for outputting is included. The IC chip 202 is electrically connected to the electrodes 44, 45, and 46 of the physical quantity sensor 1 through the bonding wire 205, and is electrically connected to the terminal 207 of the substrate 201 through the bonding wire 206.

物理量センサー1とICチップ202とは、モールド材209によってモールドされている。モールド材209としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。なお、モールド材209でモールドする代わりに、セラミック材料等により物理量センサー1とICチップ202とをパッケージする構成としてもよい。   The physical quantity sensor 1 and the IC chip 202 are molded with a molding material 209. As the molding material 209, for example, a thermosetting epoxy resin can be used, and for example, it can be molded by a transfer molding method. Instead of molding with the molding material 209, the physical quantity sensor 1 and the IC chip 202 may be packaged with a ceramic material or the like.

[物理量センサーの製造方法]
次に、第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する。なお、以下では、上述した物理量センサー1を製造する場合の一例を説明する。
[Method of manufacturing physical quantity sensor]
Next, a method for manufacturing the physical quantity sensor according to the first embodiment will be described. Hereinafter, an example of manufacturing the above-described physical quantity sensor 1 will be described.

図7〜図22は、第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図である。図7〜図9、図13〜図16、および図18、図21は、図2中のA−A’線断面図に対応する断面を示している。図10は、図2中のB−B’線断面図に対応する断面を示している。図11、図12、図17、図19、図20、図22は、図2に対応する平面を示している。以下では、ベース基板2がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、かつ、素子片3がシリコンで構成されている場合を例に説明する。   7-22 is a figure explaining the manufacturing method of the physical quantity sensor which concerns on 1st Embodiment. 7 to 9, FIG. 13 to FIG. 16, FIG. 18 and FIG. 21 show cross sections corresponding to the cross sectional view taken along the line A-A 'in FIG. FIG. 10 shows a cross section corresponding to the cross-sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 2. 11, FIG. 12, FIG. 17, FIG. 19, FIG. 20, and FIG. 22 show planes corresponding to FIG. Hereinafter, a case where the base substrate 2 is made of a glass material containing alkali metal ions and the element piece 3 is made of silicon will be described as an example.

なお、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法では、ベース基板2、素子片3、および蓋部材5は、それぞれ複数枚取りできる母材(所謂マザー基板)で加工がおこなわれる。そして、最終的に母材から切り出して個片化することにより複数の物理量センサー1が得られる。   In the physical quantity sensor manufacturing method according to the present embodiment, the base substrate 2, the element piece 3, and the lid member 5 are processed with a base material (so-called mother substrate) from which a plurality of each can be obtained. Then, a plurality of physical quantity sensors 1 are obtained by finally cutting out from the base material and dividing it into pieces.

[1]ベース基板製造工程
まず、図7に示すように、第1基板としての基板102を用意する。基板102は、ベース基板2を複数枚取りできる母材である。基板102は、アルカリ金属を含むガラス材料で構成されている。続いて、図8に示すように、基板102の上面をエッチングすることにより、ベース基板2となる領域毎に、空洞部21と凹部22,23とを形成する。このとき、図8には図示しないが、上記エッチングにより凹部24(図5参照)も形成する。
[1] Base Substrate Manufacturing Process First, as shown in FIG. 7, a substrate 102 as a first substrate is prepared. The substrate 102 is a base material from which a plurality of base substrates 2 can be taken. The substrate 102 is made of a glass material containing an alkali metal. Subsequently, as shown in FIG. 8, the upper surface of the substrate 102 is etched to form the cavity 21 and the recesses 22 and 23 for each region to be the base substrate 2. At this time, although not shown in FIG. 8, the recess 24 (see FIG. 5) is also formed by the etching.

空洞部21および凹部22〜24の形成方法(エッチング方法)としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、ビームエッチング、等の物理的エッチング法、リアクティブイオンエッチング、光アシストエッチング、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。   The formation method (etching method) of the cavity 21 and the recesses 22 to 24 is not particularly limited. For example, physical etching methods such as plasma etching and beam etching, reactive ion etching, photo-assisted etching, wet etching, and the like. These chemical etching methods and the like can be used alone or in combination. Note that the same method can be used for etching in the following steps.

上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、空洞部21と凹部22〜24とを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。マスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液等を用いることができる。なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、空洞部21と凹部22〜24(深さの異なる複数の凹部)とを一括形成してもよい。   In the etching as described above, for example, a mask formed by a photolithography method can be preferably used. Further, the cavity 21 and the recesses 22 to 24 can be formed in order by repeating mask formation, etching, and mask removal a plurality of times. The mask is removed after etching. As a method for removing the mask, for example, when the mask is made of a resist material, a resist stripping solution is used. When the mask is made of a metal material, a metal stripping solution such as a phosphoric acid solution is used. Can do. In addition, you may form the cavity part 21 and the recessed parts 22-24 (a several recessed part from which depth differs) collectively, for example by using a gray scale mask.

[2]導体パターン形成工程
次に、基板102の上面上に、導体パターン4を形成する。導体パターン4の形成に際しては、まず、図9に示すように、凹部22内に配線41(第1配線)を形成するとともに、凹部23内に配線42(第1配線)を形成する。このとき、図9では図示しないが、凹部24内に配線43(第2配線)を形成するとともに、基板102の上面上に共有配線47を形成する(図11参照)。
[2] Conductive Pattern Formation Step Next, the conductive pattern 4 is formed on the upper surface of the substrate 102. When forming the conductor pattern 4, first, as shown in FIG. 9, the wiring 41 (first wiring) is formed in the recess 22 and the wiring 42 (first wiring) is formed in the recess 23. At this time, although not shown in FIG. 9, the wiring 43 (second wiring) is formed in the recess 24, and the shared wiring 47 is formed on the upper surface of the substrate 102 (see FIG. 11).

図11は、導体パターン4が形成された基板102の平面図である。図11に2点鎖線で示す範囲が、後の個片化工程で切り出されてベース基板2となる領域(すなわち、物理量センサー1となる領域)である。図11に示すように、配線41,42,43は、ベース基板2となる領域毎に形成される。共有配線47は、基板102上のベース基板2となる領域の外に、複数のベース基板2となる領域に亘って形成される。共有配線47は、基板102上に複数形成される。なお、これらの複数の共有配線47は、互いに電気的に接続されていてもよい。   FIG. 11 is a plan view of the substrate 102 on which the conductor pattern 4 is formed. A range indicated by a two-dot chain line in FIG. 11 is a region that is cut out in a later singulation process and becomes the base substrate 2 (that is, a region that becomes the physical quantity sensor 1). As shown in FIG. 11, the wirings 41, 42, and 43 are formed for each region that becomes the base substrate 2. The shared wiring 47 is formed over a region to be a plurality of base substrates 2 outside a region to be the base substrate 2 on the substrate 102. A plurality of shared wirings 47 are formed on the substrate 102. Note that the plurality of shared wirings 47 may be electrically connected to each other.

ベース基板2となる領域毎に形成された配線41,42,43は、ベース基板2となる領域の外まで延在しており、共有配線47に接続されている。共有配線47には、基板102上に配置された(1枚の基板102から切り出される)複数のベース基板2の配線41,42,43が電気的に接続されている。したがって、共有配線47に接続されたすべてのベース基板2の配線41,42,43が共有配線47と同電位となっている。   The wirings 41, 42, 43 formed for each region to be the base substrate 2 extend to the outside of the region to be the base substrate 2 and are connected to the shared wiring 47. To the shared wiring 47, wirings 41, 42, and 43 of a plurality of base substrates 2 arranged on the substrate 102 (cut out from one substrate 102) are electrically connected. Accordingly, the wirings 41, 42, and 43 of all the base substrates 2 connected to the shared wiring 47 have the same potential as the shared wiring 47.

配線41,42,43および共有配線47の形成方法(成膜方法)としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング(低温スパッタリング)、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜の接合等が挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。   The formation method (film formation method) of the wirings 41, 42, 43 and the shared wiring 47 is not particularly limited. For example, dry plating methods such as vacuum evaporation, sputtering (low temperature sputtering), ion plating, electrolytic plating, Examples thereof include wet plating methods such as electrolytic plating, thermal spraying methods, thin film bonding, and the like. Note that the same method can be used for film formation in the following steps.

続いて、配線41,42,43上に、電極44,45,46と突起471,472,481,482,50とを形成(成膜)する。図10に示す図2中のB−B’線断面図に対応する断面においては、配線42上に複数の突起471,472を形成する。このとき、図12に示すように、配線42上には、複数の突起471,472とともに、電極45を形成する。また、配線41上に、複数の突起481,482および電極44を形成する。そして、配線43上に突起50および電極46を形成する。   Subsequently, electrodes 44, 45, 46 and protrusions 471, 472, 481, 482, 50 are formed (film formation) on the wirings 41, 42, 43. A plurality of protrusions 471 and 472 are formed on the wiring 42 in the cross section corresponding to the cross-sectional view taken along line B-B ′ in FIG. 2 shown in FIG. 10. At this time, as shown in FIG. 12, the electrode 45 is formed on the wiring 42 together with the plurality of protrusions 471 and 472. A plurality of protrusions 481 and 482 and an electrode 44 are formed on the wiring 41. Then, the protrusion 50 and the electrode 46 are formed on the wiring 43.

その後、図示しないが、導体パターン4を覆うように、基板102の上面に絶縁膜を形成(成膜)する。そして、形成した絶縁膜のうち電極44,45,46および突起471,472,481,482,50に対応する部分を除去する。これにより、電極44,45,46を露出するとともに、各突起471,472,481,482,50が露出する絶縁膜が得られる。   Thereafter, although not shown, an insulating film is formed (deposited) on the upper surface of the substrate 102 so as to cover the conductor pattern 4. Then, portions of the formed insulating film corresponding to the electrodes 44, 45, 46 and the protrusions 471, 472, 481, 482, 50 are removed. As a result, an insulating film is obtained in which the electrodes 44, 45, and 46 are exposed and the protrusions 471, 472, 481, 482, and 50 are exposed.

[3]接合工程(第2基板載置工程)
次に、図13に示すように、第2基板としての基板103を用意し、基板102の上面に載置する。基板103は、基板102から得られるベース基板2のそれぞれに対応して素子片3を複数枚取りできる母材である。本実施形態では、基板103はシリコン基板である。基板103の厚さは、例えば、素子片3の厚さよりも厚くなっている。これにより、製造工程における基板103の取り扱い性を向上させることができる。
[3] Joining process (second substrate mounting process)
Next, as shown in FIG. 13, a substrate 103 as a second substrate is prepared and placed on the upper surface of the substrate 102. The substrate 103 is a base material that can take a plurality of element pieces 3 corresponding to each of the base substrates 2 obtained from the substrate 102. In the present embodiment, the substrate 103 is a silicon substrate. The thickness of the substrate 103 is, for example, larger than the thickness of the element piece 3. Thereby, the handleability of the substrate 103 in the manufacturing process can be improved.

続いて、図示しない絶縁膜を介して基板103を基板102に陽極接合法により接合する。これにより、基板103と、絶縁膜から露出する各突起471,472,481,482,50(図12参照)とが接続される。したがって、基板103は、各突起471,472,481,482,50を介して、配線41,42,43に電気的に接続される。   Subsequently, the substrate 103 is bonded to the substrate 102 by an anodic bonding method through an insulating film (not shown). Thereby, the substrate 103 is connected to the protrusions 471, 472, 481, 482, 50 (see FIG. 12) exposed from the insulating film. Therefore, the substrate 103 is electrically connected to the wirings 41, 42, 43 through the protrusions 471, 472, 481, 482, 50.

そして、図14に示すように、基板103をその上面側から薄肉化する。この薄肉化は、基板103の厚さが素子片3の厚さと同じになるように行われる。基板103を薄肉化する方法は、特に限定されないが、例えば、CMP法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。なお、基板102に載置する際の基板103の厚さが素子片3の厚さと同じであってもよい。この場合、前述の薄肉化の工程を省略することができる。   And as shown in FIG. 14, the board | substrate 103 is thinned from the upper surface side. This thinning is performed so that the thickness of the substrate 103 is the same as the thickness of the element piece 3. A method for thinning the substrate 103 is not particularly limited, but for example, a CMP method or a dry polishing method can be preferably used. Note that the thickness of the substrate 103 when placed on the substrate 102 may be the same as the thickness of the element piece 3. In this case, the aforementioned thinning step can be omitted.

[4]素子片形成工程(エッチング工程)
次に、図15に示すように、基板103をエッチングすることにより、素子片3を形成する。これにより、図17に示すように、ベース基板2毎に(すなわち、物理量センサー1毎に)一体的に形成された固定部31,32、可動部33、連結部34,35、および可動電極部36,37と、これらと分離された状態で形成された固定電極部38,39と、を備えた素子片3が得られる。
[4] Element piece forming step (etching step)
Next, as shown in FIG. 15, the element piece 3 is formed by etching the substrate 103. Accordingly, as shown in FIG. 17, the fixed portions 31, 32, the movable portion 33, the connecting portions 34, 35, and the movable electrode portion that are integrally formed for each base substrate 2 (that is, for each physical quantity sensor 1). The element piece 3 provided with 36 and 37 and the fixed electrode portions 38 and 39 formed in a state separated from these is obtained.

一体的に形成された固定部31,32、可動部33、連結部34,35、および可動電極部36,37は、固定部31と接続された突起50を介して配線43に電気的に接続される。固定電極部38,39のうち、第1固定電極指(図2に示す382,384,386,388,392,394,396,398)は、突起481,482を介して配線41に電気的に接続され、第2固定電極指(図2に示す381,383,385,387,391,393,395,397)は、突起471,472を介して配線42に電気的に接続される。   The integrally formed fixed portions 31, 32, movable portion 33, connecting portions 34, 35, and movable electrode portions 36, 37 are electrically connected to the wiring 43 through the protrusions 50 connected to the fixed portion 31. Is done. Of the fixed electrode portions 38 and 39, the first fixed electrode fingers (382, 384, 386, 388, 392, 394, 396, and 398 shown in FIG. 2) are electrically connected to the wiring 41 through the protrusions 481 and 482. The second fixed electrode fingers (381, 383, 385, 387, 391, 393, 395, 397 shown in FIG. 2) are electrically connected to the wiring 42 through the protrusions 471, 472.

エッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、ビームエッチング、等の物理的エッチング法、リアクティブイオンエッチング、光アシストエッチング、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらエッチング方法の中でも、加工精度の観点から、リアクティブイオンエッチングを好適に用いることができる。   The etching method is not particularly limited. For example, one or two of physical etching methods such as plasma etching and beam etching, and chemical etching methods such as reactive ion etching, photo-assisted etching, and wet etching are used. A combination of more than one species can be used. Among these etching methods, reactive ion etching can be preferably used from the viewpoint of processing accuracy.

ここで、導体パターンが共有配線47を有していない場合、すなわち、配線41,42,43が互いに電気的に接続されていない場合を想定する。図16に示す基板302では、配線41,42および配線43(図16には図示しない)は、互いに電気的に絶縁されている。上述した接合工程において、このような基板302に基板103を陽極接合法により接合すると、接合時に発生する静電気により基板302が帯電する。   Here, it is assumed that the conductor pattern does not have the shared wiring 47, that is, the wirings 41, 42, and 43 are not electrically connected to each other. In the substrate 302 shown in FIG. 16, the wirings 41 and 42 and the wiring 43 (not shown in FIG. 16) are electrically insulated from each other. In the bonding step described above, when the substrate 103 is bonded to such a substrate 302 by an anodic bonding method, the substrate 302 is charged by static electricity generated during bonding.

また、エッチング工程において、リアクティブイオンエッチングを用いる場合、基板103からエッチングにより可動部33と固定電極部38,39(各固定電極指381〜388,391〜398)とが分離された素子片3が形成される際に、可動部33と固定電極部38,39との隙間を介してプラズマが基板302に照射されて基板302が帯電する。   When reactive ion etching is used in the etching step, the element piece 3 in which the movable portion 33 and the fixed electrode portions 38 and 39 (the fixed electrode fingers 381 to 388 and 391 to 398) are separated from the substrate 103 by etching. Is formed, plasma is irradiated onto the substrate 302 through the gap between the movable portion 33 and the fixed electrode portions 38 and 39, and the substrate 302 is charged.

基板302が帯電すると、エッチングにより形成された素子片3の可動部33と基板302とが電気的に絶縁されているため、可動部33と基板302との間に電位差が生じることとなる。この電位差によって、図16に示すように、可動部33が基板302に引き付けられて空洞部21の底面に接触し、可動部33(可動電極部36,37)が基板302(空洞部21の底面)に貼り付く貼り付き(所謂スティッキング)が発生することがあった。   When the substrate 302 is charged, the movable portion 33 of the element piece 3 formed by etching and the substrate 302 are electrically insulated, so that a potential difference is generated between the movable portion 33 and the substrate 302. Due to this potential difference, as shown in FIG. 16, the movable portion 33 is attracted to the substrate 302 and contacts the bottom surface of the cavity portion 21, and the movable portion 33 (movable electrode portions 36, 37) becomes the substrate 302 (the bottom surface of the cavity portion 21). ) Sticking (so-called sticking) may occur.

これに対して、本実施形態では、図17に示すように、可動部33(可動電極部36,37)と一体的に形成された固定部31が、突起50を介して配線43に電気的に接続されている。また、固定電極部38,39は、突起471,472,481,482を介して、配線41,42に電気的に接続されている。そして、配線41,42,43は、共有配線47に電気的に接続されている。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 17, the fixed portion 31 formed integrally with the movable portion 33 (movable electrode portions 36 and 37) is electrically connected to the wiring 43 through the protrusion 50. It is connected to the. The fixed electrode portions 38 and 39 are electrically connected to the wirings 41 and 42 through the protrusions 471, 472, 481 and 482. The wirings 41, 42, and 43 are electrically connected to the shared wiring 47.

したがって、形成された素子片3の固定電極部38,39と、固定電極部38,39から分離された可動部33(可動電極部36,37)と、基板102上に配置された共有配線47とが同電位となる。これにより、基板102の帯電が抑えられるので、可動部33(可動電極部36,37)の基板102への貼り付きの発生を抑止することができる。   Accordingly, the fixed electrode portions 38 and 39 of the formed element piece 3, the movable portion 33 (movable electrode portions 36 and 37) separated from the fixed electrode portions 38 and 39, and the shared wiring 47 disposed on the substrate 102. And have the same potential. Thereby, since the charging of the substrate 102 is suppressed, it is possible to prevent the movable portion 33 (movable electrode portions 36 and 37) from sticking to the substrate 102.

[5]蓋部配設工程
次に、図18に示すように、基板102の上面に蓋部材105を陽極接合法により接合する。蓋部材105は、蓋部材5(図3〜図5参照)を複数枚取りできる母材である。図19に示すように、蓋部材105には、ベース基板2毎に(すなわち、物理量センサー1毎に)複数の凹部51が形成されており、各凹部51が各空洞部21と各素子片3とに対応するように配置される。これにより、基板102と蓋部材105とが素子片3を収容するようにして接合された接合体101が得られる。
[5] Lid Arrangement Step Next, as shown in FIG. 18, the lid member 105 is joined to the upper surface of the substrate 102 by anodic bonding. The lid member 105 is a base material that can take a plurality of lid members 5 (see FIGS. 3 to 5). As shown in FIG. 19, a plurality of recesses 51 are formed in the lid member 105 for each base substrate 2 (that is, for each physical quantity sensor 1), and each recess 51 corresponds to each cavity 21 and each element piece 3. It arrange | positions so that it may correspond. Thereby, the joined body 101 is obtained in which the substrate 102 and the lid member 105 are joined so as to accommodate the element piece 3.

この蓋部配設工程においても、従来の物理量センサーの製造方法では、基板302と蓋部材105とを接合する際に発生する静電気により基板302が帯電し、可動部33が基板302に引き付けられて貼り付きが発生する場合があった。これに対して、本実施形態では、蓋部配設工程においても、素子片3の固定電極部38,39および可動部33(可動電極部36,37)と、基板102上に配置された共有配線47とが同電位となり基板102の帯電が抑えられるので、可動部33(可動電極部36,37)の貼り付きの発生を抑止することができる。   Also in this lid portion arranging step, in the conventional physical quantity sensor manufacturing method, the substrate 302 is charged by static electricity generated when the substrate 302 and the lid member 105 are joined, and the movable portion 33 is attracted to the substrate 302. There were cases where sticking occurred. On the other hand, in the present embodiment, the fixed electrode portions 38 and 39 and the movable portion 33 (movable electrode portions 36 and 37) of the element piece 3 and the shared portion disposed on the substrate 102 are also provided in the lid portion arranging step. Since the wiring 47 has the same potential and charging of the substrate 102 is suppressed, the occurrence of sticking of the movable portion 33 (movable electrode portions 36 and 37) can be suppressed.

[6]分断工程(配線切断工程)
次に、図19に示すように、接合体101の状態において配線41,42,43を共有配線47から分断する。分断工程では、配線41,42,43のうち、電極44,45,46から共有配線47側に延出する部分を、図19に示す切断ライン92に沿って切断する。切断方法としては、例えば、レーザー光(レーザーパターニング)を用いる方法があげられる。レーザーパターニングを用いることで、基板102からの粉塵の発生を抑えて配線41,42,43を選択的に切断することができる。また、レーザーパターニングを用いることで、所望の切断位置で精度良く配線41,42,43を切断することができる。
[6] Cutting process (wiring cutting process)
Next, as shown in FIG. 19, the wirings 41, 42, and 43 are separated from the shared wiring 47 in the state of the bonded body 101. In the dividing step, portions of the wirings 41, 42, 43 that extend from the electrodes 44, 45, 46 to the shared wiring 47 side are cut along a cutting line 92 shown in FIG. Examples of the cutting method include a method using laser light (laser patterning). By using laser patterning, generation of dust from the substrate 102 can be suppressed and the wirings 41, 42, and 43 can be selectively cut. Further, by using laser patterning, the wirings 41, 42, and 43 can be accurately cut at a desired cutting position.

なお、本実施形態では、蓋部配設工程で基板102の上面に素子片3を覆う蓋部材105を接合した後で分断工程を行うので、分断工程において素子片3が損傷を受けないよう保護できる。また、分断工程において塵埃等が発生した場合でも、塵埃等が素子片3に付着することを抑止できる。   In this embodiment, since the separation step is performed after the lid member 105 covering the element piece 3 is bonded to the upper surface of the substrate 102 in the lid portion arranging step, the element piece 3 is protected from being damaged in the division step. it can. Further, even when dust or the like is generated in the dividing step, it is possible to prevent the dust or the like from adhering to the element piece 3.

図20は、配線41,42,43が切断された状態を示す平面図である。図20に示すように、配線41,42,43は、電極44,45,46と共有配線47との間で切断されて、共有配線47から分断される。したがって、各ベース基板2において、配線41,42,43は互いに電気的に絶縁される。また、図19に示す配線41,42,43のうち、切断ライン92よりも共有配線47側の部分41b,42b,43bが残留する。なお、配線41,42,43のうち、電極44,45,46から共有配線47側に延出する部分の一部が残留していてもよい。   FIG. 20 is a plan view showing a state in which the wirings 41, 42, 43 are cut. As illustrated in FIG. 20, the wirings 41, 42, and 43 are cut between the electrodes 44, 45, and 46 and the shared wiring 47 and are separated from the shared wiring 47. Therefore, in each base substrate 2, the wirings 41, 42, and 43 are electrically insulated from each other. Further, in the wirings 41, 42, and 43 shown in FIG. 19, the portions 41b, 42b, and 43b on the shared wiring 47 side from the cutting line 92 remain. Of the wirings 41, 42, and 43, some of the portions extending from the electrodes 44, 45, and 46 to the shared wiring 47 side may remain.

これにより、ベース基板2毎に(すなわち、物理量センサー1毎に)、配線43に電気的に接続された可動電極部36,37と、配線41に電気的に接続された第1固定電極指382,384,386,388,392,394,396,398(図2参照)と、配線42に電気的に接続された第2固定電極指381,383,385,387,391,393,395,397(図2参照)とが互いに電気的に絶縁される。   Accordingly, the movable electrode portions 36 and 37 electrically connected to the wiring 43 and the first fixed electrode fingers 382 electrically connected to the wiring 41 for each base substrate 2 (that is, for each physical quantity sensor 1). , 384, 386, 388, 392, 394, 396, 398 (see FIG. 2) and the second fixed electrode fingers 381, 383, 385, 387, 391, 393, 395, 397 electrically connected to the wiring 42 (See FIG. 2) are electrically insulated from each other.

[7]検査工程
次に、図示を省略するが、接合体101の状態において、ベース基板2(すなわち、各物理量センサー1)毎に素子片3の検査を行う。ここでの検査としては、電気的特性の検査等があげられる。例えば、検査装置により電極44,45,46に検査用駆動信号を印加し、素子片3の可動電極部36と固定電極部38との間の静電容量の変化量、および、可動電極部37と固定電極部39との間の静電容量の変化量を検出すること等により、物理量センサーとして正常に動作するか否かを判定する。
[7] Inspection Step Next, although not shown, in the state of the bonded body 101, the element piece 3 is inspected for each base substrate 2 (that is, each physical quantity sensor 1). Examples of the inspection here include inspection of electrical characteristics. For example, an inspection drive signal is applied to the electrodes 44, 45, and 46 by an inspection device, the amount of change in electrostatic capacitance between the movable electrode portion 36 and the fixed electrode portion 38 of the element piece 3, and the movable electrode portion 37. Whether or not to normally operate as a physical quantity sensor is determined by detecting the amount of change in capacitance between the sensor and the fixed electrode unit 39.

本実施形態では、接合体101に含まれる各物理量センサー1において、先に分断工程で配線41,42,43が共有配線47から分断されて互いに電気的に絶縁されているので、複数の物理量センサー1が配列された接合体101の状態で物理量センサー1毎の検査を行うことができる。そのため、接合体101から個片化した後に物理量センサー1毎に検査を行う場合と比べて、検査装置へのセット等の検査時の取り扱いが容易であり、検査の自動化も容易となる。検査工程において正常に動作しないものが検出された場合は、対象となる物理量センサー1が特定されて検査装置に記憶される。   In the present embodiment, in each physical quantity sensor 1 included in the bonded body 101, the wirings 41, 42, and 43 are separated from the shared wiring 47 in the separation process and electrically insulated from each other. The inspection for each physical quantity sensor 1 can be performed in the state of the bonded body 101 in which 1 is arranged. Therefore, compared with the case where inspection is performed for each physical quantity sensor 1 after being separated from the bonded body 101, handling during inspection such as setting to an inspection apparatus is easier, and automation of inspection is also easier. In the inspection process, when something that does not operate normally is detected, the target physical quantity sensor 1 is specified and stored in the inspection apparatus.

[8]個片化工程
次に、接合体101を個片化(ダイシング)する。図21に示すように、蓋部材105と基板102とをスクライブライン(ダイシング溝)94に沿って切断し、接合体101を個片化して、物理量センサー1を得る。
[8] Dividing Step Next, the bonded body 101 is divided into pieces (dicing). As shown in FIG. 21, the lid member 105 and the substrate 102 are cut along a scribe line (dicing groove) 94, and the joined body 101 is separated into pieces to obtain the physical quantity sensor 1.

図22に示すように、スクライブライン94は、共有配線47と、分断工程において配線41,42,43のうち残留した部分41b,42b,43bの一部と平面視で重なるように設定される。したがって、ダイシングにより共有配線47と配線41,42,43のうち残留した部分41b,42b,43bの一部とが除去されて、個片化された物理量センサー1のベース基板2の領域内には、残留した部分41b,42b,43bのうち除去されなかった部分が孤立パターン41a,42a,43aとして残留する。   As shown in FIG. 22, the scribe line 94 is set so as to overlap with the shared wiring 47 and a part of the remaining portions 41b, 42b, and 43b of the wirings 41, 42, and 43 in the dividing step in a plan view. Accordingly, the shared wiring 47 and a part of the remaining portions 41b, 42b, 43b of the wirings 41, 42, 43 are removed by dicing, and the separated physical quantity sensor 1 has an area within the base substrate 2 region. Of the remaining portions 41b, 42b, and 43b, portions that have not been removed remain as isolated patterns 41a, 42a, and 43a.

なお、スクライブライン94を、分断工程において配線41,42,43のうち残留した部分41b,42b,43bの全体と平面視で重なるように設定してもよい。換言すれば、スクライブライン94を、分断工程における切断ライン92(図19参照)の少なくとも一部と重なるように設定してもよい。この場合、個片化された物理量センサー1のベース基板2の領域内に孤立パターン41a,42a,43aは残留しない。   Note that the scribe line 94 may be set so as to overlap the entire remaining portions 41b, 42b, and 43b of the wirings 41, 42, and 43 in the dividing step in a plan view. In other words, the scribe line 94 may be set so as to overlap at least a part of the cutting line 92 (see FIG. 19) in the dividing step. In this case, the isolated patterns 41a, 42a, and 43a do not remain in the region of the base substrate 2 of the physical quantity sensor 1 that has been separated.

本実施形態に係る物理量センサーの製造方法によれば、個片化工程の前に各物理量センサー1の検査を行っているので、接合体101から個片化された各物理量センサー1について、検査工程において正常に動作すると判定されたものと正常に動作しないと判定されたものとを選別することができる。すなわち、検査工程において正常に動作しないと判定された物理量センサー1については、後の物理量センサー装置の製造工程における加工の対象から除外することができる。   According to the physical quantity sensor manufacturing method according to the present embodiment, since each physical quantity sensor 1 is inspected before the individualization step, the inspection process is performed on each physical quantity sensor 1 separated from the joined body 101. In this case, it is possible to select the one determined to operate normally and the one determined not to operate normally. That is, the physical quantity sensor 1 determined not to operate normally in the inspection process can be excluded from the processing target in the subsequent manufacturing process of the physical quantity sensor device.

[物理量センサー装置の製造方法]
続いて、第1実施形態に係る物理量センサー装置200の製造方法を図6を参照して説明する。図6に示すように、上面に複数の端子207が配置され、下面に実装端子208が配置された基板201を用意する。そして、基板201の上面に接着層203を介して上述の製造方法で製造した物理量センサー1を固定し、物理量センサー1の上面に接着層204を介してICチップ202を固定する。
[Method for Manufacturing Physical Quantity Sensor Device]
Next, a manufacturing method of the physical quantity sensor device 200 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 6, a substrate 201 having a plurality of terminals 207 arranged on the upper surface and mounting terminals 208 arranged on the lower surface is prepared. Then, the physical quantity sensor 1 manufactured by the above-described manufacturing method is fixed to the upper surface of the substrate 201 via the adhesive layer 203, and the IC chip 202 is fixed to the upper surface of the physical quantity sensor 1 via the adhesive layer 204.

続いて、ICチップ202を、ボンディングワイヤー205を介して物理量センサー1の電極44,45,46に電気的に接続するとともに、ボンディングワイヤー206を介して基板201の端子207に電気的に接続する工程を行う。そして、物理量センサー1とICチップ202とをモールド材209によってモールドする工程を行う。これにより、物理量センサー装置200を得る。なお、モールド材209でモールドする代わりに、セラミック材料等により物理量センサー1とICチップ202とをパッケージしてもよい。   Subsequently, the IC chip 202 is electrically connected to the electrodes 44, 45, 46 of the physical quantity sensor 1 through the bonding wire 205 and is electrically connected to the terminal 207 of the substrate 201 through the bonding wire 206. I do. Then, a process of molding the physical quantity sensor 1 and the IC chip 202 with the molding material 209 is performed. Thereby, the physical quantity sensor device 200 is obtained. Instead of molding with the molding material 209, the physical quantity sensor 1 and the IC chip 202 may be packaged with a ceramic material or the like.

ところで、特許文献1に記載の物理量センサーでは、物理量センサーが個片化された時点では正常に動作するか否かの検査が行われていないため、個片化工程の後で検査を行う必要がある。物理量センサー装置になった状態で検査を行う場合は、正常に動作しない物理量センサーも対象として物理量センサーと電子部品とが固定されボンディングワイヤーを介して電気的に接続されてモールドされるため、物理量センサー装置の製造歩留まりの低下や生産コストの増大を招くおそれがある。また、物理量センサー装置を製造する前に、個片化された状態の物理量センサーに対して個別に検査を行う場合は、検査時の取り扱いが煩雑となり工数が増大するおそれがある。   By the way, in the physical quantity sensor described in Patent Document 1, since it is not checked whether the physical quantity sensor operates normally at the time when the physical quantity sensor is singulated, it is necessary to perform an inspection after the singulation process. is there. When inspecting the physical quantity sensor device, the physical quantity sensor is fixed to the physical quantity sensor that does not operate normally, and the electronic part is fixed and electrically connected via a bonding wire. There is a possibility that the manufacturing yield of the apparatus is reduced and the production cost is increased. In addition, when an individual inspection is performed on a physical quantity sensor that has been singulated before the physical quantity sensor device is manufactured, handling at the time of the inspection may be complicated, and man-hours may increase.

本実施形態では、個片化する前に接合体101の状態で物理量センサー1の検査を行うので、検査時の取り扱いが容易であり、正常に動作しないと判定された物理量センサー1を個片化された時点で除外することができる。そのため、特許文献1に記載の物理量センサーの製造方法と比べて、検査工程において正常に動作すると判定された物理量センサー1を対象として物理量センサー装置200を製造することができるので、物理量センサー装置200の製造歩留まりの向上および生産コストの低減を図ることができる。   In the present embodiment, since the physical quantity sensor 1 is inspected in the state of the joined body 101 before being singulated, the physical quantity sensor 1 determined to be easy to handle during inspection and not to operate normally is singulated. Can be excluded at the time. Therefore, compared with the physical quantity sensor manufacturing method described in Patent Document 1, the physical quantity sensor device 200 can be manufactured for the physical quantity sensor 1 determined to operate normally in the inspection process. The production yield can be improved and the production cost can be reduced.

次に、本実施形態に係る物理量センサー1を適用した電子機器や移動体の例を説明する。図23、図24、および図25は、本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図である。図26は、本実施形態に係る物理量センサーを適用した移動体の例を模式的に示す概略図である。   Next, examples of electronic devices and moving objects to which the physical quantity sensor 1 according to this embodiment is applied will be described. 23, 24, and 25 are schematic views schematically illustrating examples of electronic devices to which the physical quantity sensor according to this embodiment is applied. FIG. 26 is a schematic diagram schematically illustrating an example of a moving object to which the physical quantity sensor according to this embodiment is applied.

[電子機器]
図23に示すように、電子機器の一例としてのパーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106とを備えている。表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。パーソナルコンピューター1100には、上記実施形態の物理量センサー1が内蔵されている。
[Electronics]
As shown in FIG. 23, a personal computer 1100 as an example of an electronic device includes a main body 1104 provided with a keyboard 1102 and a display unit 1106 provided with a display unit 1108. The display unit 1106 is supported so as to be rotatable with respect to the main body 1104 via a hinge structure. The personal computer 1100 incorporates the physical quantity sensor 1 of the above embodiment.

図24に示すように、電子機器の一例としての携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202と、受話口1204および送話口1206とを備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。携帯電話機1200には、上記実施形態の物理量センサー1が内蔵されている。   As shown in FIG. 24, a mobile phone 1200 as an example of an electronic device includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206, and between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204, A display unit 1208 is arranged. The cellular phone 1200 incorporates the physical quantity sensor 1 of the above embodiment.

図25に示すように、電子機器の一例としてのデジタルスチルカメラ1300は、ケース(ボディー)1302と、受光ユニット1304と、表示部1310とを備えている。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラが被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。   As shown in FIG. 25, a digital still camera 1300 as an example of an electronic device includes a case (body) 1302, a light receiving unit 1304, and a display unit 1310. In this figure, connection with an external device is also simply shown. Here, an ordinary camera sensitizes a silver salt photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 captures a light image of a subject by photoelectrically converting it with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). A signal (image signal) is generated.

受光ユニット1304は、ケース1302の正面側(図中裏面側)に設けられ、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含んでいる。表示部1310は、ケース1302の背面に設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。   The light receiving unit 1304 is provided on the front side (back side in the drawing) of the case 1302 and includes an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like. The display unit 1310 is provided on the back surface of the case 1302 and is configured to perform display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.

撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。   When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308. In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302.

ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。デジタルスチルカメラ1300には、上記実施形態の物理量センサー1が内蔵されている。   A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation. The digital still camera 1300 incorporates the physical quantity sensor 1 of the above embodiment.

なお、上記実施形態の物理量センサー1は、上記の電子機器の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどの電子機器に適用することができる。   Note that the physical quantity sensor 1 of the above embodiment includes, for example, an ink jet type ejection device (for example, an ink jet printer), a laptop personal computer, a television, a video camera, a video tape recorder, and a car navigation device in addition to the above electronic devices. , Pager, electronic organizer (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, crime prevention TV monitor, electronic binoculars, POS terminal, medical device (eg electronic thermometer, blood pressure monitor) , Blood glucose meter, electrocardiogram measurement device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish detector, various measuring instruments, instruments (eg, vehicles, aircraft, ship instruments), flight simulators, etc. can do.

[移動体]
図26に示すように、移動体の一例としての自動車1500は車体1502とタイヤ1506とを備え、タイヤ1506などを制御する電子制御ユニット1504が車体1502に搭載されている。電子制御ユニット1504には、上記実施形態の物理量センサー1が内蔵されている。
[Moving object]
As shown in FIG. 26, an automobile 1500 as an example of a moving body includes a vehicle body 1502 and a tire 1506, and an electronic control unit 1504 that controls the tire 1506 and the like is mounted on the vehicle body 1502. The electronic control unit 1504 incorporates the physical quantity sensor 1 of the above embodiment.

なお、上記実施形態の物理量センサー1は、上記の移動体の他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、などの電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に適用することができる。   The physical quantity sensor 1 of the above embodiment includes a keyless entry, an immobilizer, a car navigation system, a car air conditioner, an anti-lock brake system (ABS), an air bag, a tire pressure monitoring system ( The present invention can be applied to electronic control units (ECUs) such as TPMS (Tire Pressure Monitoring System), engine control, battery monitors of hybrid vehicles and electric vehicles, and vehicle body attitude control systems.

<第2実施形態>
[物理量センサー]
次に、第2実施形態に係る物理量センサーを説明する。第2実施形態に係る物理量センサーは、第1実施形態に係る物理量センサーの構成に対して、素子片の構成が異なる点、および、それに伴い導体パターン等一部の構成が異なる点以外はほぼ同様の構成を有している。ここでは、第1実施形態に対する相違点を説明し、第1実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
Second Embodiment
[Physical quantity sensor]
Next, a physical quantity sensor according to the second embodiment will be described. The physical quantity sensor according to the second embodiment is substantially the same as the configuration of the physical quantity sensor according to the first embodiment except that the configuration of the element pieces is different and that some configurations such as the conductor pattern are different accordingly. It has the composition of. Here, differences from the first embodiment will be described, and the same reference numerals are given to components common to the first embodiment, and description thereof will be omitted.

図27は、第2実施形態に係る物理量センサーの平面図である。図27に示すように、第2実施形態に係る物理量センサー6は、ベース基板2Aと、ベース基板2Aに接合・支持された素子片7と、ベース基板2A上に設けられた導体パターン4Aと、素子片7を覆うように設けられた蓋部材5とを有する。物理量センサー6は、Z軸方向(鉛直方向)の加速度を測定できる加速度センサーである。なお、図27では、蓋部材5を透視している。   FIG. 27 is a plan view of a physical quantity sensor according to the second embodiment. As shown in FIG. 27, the physical quantity sensor 6 according to the second embodiment includes a base substrate 2A, an element piece 7 bonded to and supported by the base substrate 2A, a conductor pattern 4A provided on the base substrate 2A, And a lid member 5 provided so as to cover the element piece 7. The physical quantity sensor 6 is an acceleration sensor that can measure acceleration in the Z-axis direction (vertical direction). In FIG. 27, the lid member 5 is seen through.

ベース基板2Aは、第1実施形態と同様に、その上面に空洞部21が設けられている。素子片7は、ベース基板2Aの上方に設けられている。素子片7は、可動部73と、可動部73を揺動可能に支持する連結部74,75と、連結部74,75を支持する支持部71,72と、を有する。そして、可動部73が、連結部74,75を軸として、連結部74,75を捩り変形させつつ、支持部71,72に対してシーソー揺動可能となっている。   As in the first embodiment, the base substrate 2A is provided with a cavity 21 on the upper surface thereof. The element piece 7 is provided above the base substrate 2A. The element piece 7 includes a movable portion 73, connecting portions 74 and 75 that support the movable portion 73 so as to be swingable, and support portions 71 and 72 that support the connecting portions 74 and 75. The movable portion 73 can swing the seesaw with respect to the support portions 71 and 72 while twisting and deforming the connecting portions 74 and 75 about the connecting portions 74 and 75.

可動部73は、X方向に延びる長手形状をなし、連結部74,75よりも−X方向(一方)側が第1可動部731となっており、連結部74,75よりも+X方向(他方)側が第2可動部732となっている。また、第2可動部732は、第1可動部731よりもX軸方向に長く、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わったときの回転モーメントが第1可動部731よりも大きくなっている。この回転モーメントの差によって、鉛直方向の加速度が加わると、可動部73が軸となる連結部74,75まわりにシーソー揺動する。   The movable portion 73 has a longitudinal shape extending in the X direction. The −X direction (one side) side of the connecting portions 74 and 75 is the first movable portion 731, and the + X direction (the other side) is more than the connecting portions 74 and 75. The side is a second movable portion 732. The second movable portion 732 is longer in the X-axis direction than the first movable portion 731, and the rotational moment when the acceleration in the vertical direction (Z-axis direction) is applied is larger than that of the first movable portion 731. . When vertical acceleration is applied due to the difference in rotational moment, the movable portion 73 swings around the connecting portions 74 and 75 that serve as axes.

なお、第1、第2可動部731,732の形状としては、互いに異なる回転モーメントを有していれば、特に限定されず、例えば、平面視での形状が同じであって、厚みが異なっていてもよい。また、同じ形状であって、いずれか一方に錘部が配置されていてもよい。また、シーソー揺動時の抵抗を低減するために、第1、第2可動部731,732にスリット(厚さ方向に貫通する貫通孔)を形成してもよい。   Note that the shapes of the first and second movable parts 731 and 732 are not particularly limited as long as they have different rotational moments. For example, the shapes in plan view are the same and the thicknesses are different. May be. Moreover, it is the same shape, Comprising: The weight part may be arrange | positioned in either one. In order to reduce resistance when the seesaw is rocked, slits (through holes penetrating in the thickness direction) may be formed in the first and second movable parts 731 and 732.

可動部73の下面(空洞部21の底面と対向する面)には、図示しない導電膜が設けられている。この導電膜は、可動部73に電気的に接続されており可動部73と同電位となっている。本実施形態では、可動部73が可動電極部である。この導電膜は、例えば、Pt(白金)で構成されている。導電膜の構成材料としては、他にAu、Ag、Cu、Al等、Pt以外の金属材料(合金も含む)や、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In33、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物系導電材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 A conductive film (not shown) is provided on the lower surface of the movable portion 73 (the surface facing the bottom surface of the cavity portion 21). This conductive film is electrically connected to the movable portion 73 and has the same potential as the movable portion 73. In this embodiment, the movable part 73 is a movable electrode part. This conductive film is made of, for example, Pt (platinum). Other constituent materials for the conductive film include Au, Ag, Cu, Al, and other metal materials other than Pt (including alloys), ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), In 3 O 3 , Examples thereof include oxide conductive materials such as SnO 2 , Sb-containing SnO 2 , and Al-containing ZnO, and one or more of these can be used in combination.

支持部71,72は、可動部73を挟んだ両側に配置されており、ベース基板2Aの上面に接合されている。また、連結部74,75は、Y軸に沿って延在し、連結部74が支持部71と可動部73とを連結し、連結部75が支持部72と可動部73とを連結している。なお、支持部71,72や連結部74,75の構成としては、可動部73をシーソー揺動させることができれば、特に限定されない。   The support parts 71 and 72 are disposed on both sides of the movable part 73 and are joined to the upper surface of the base substrate 2A. The connecting portions 74 and 75 extend along the Y axis, the connecting portion 74 connects the support portion 71 and the movable portion 73, and the connecting portion 75 connects the support portion 72 and the movable portion 73. Yes. In addition, as a structure of the support parts 71 and 72 and the connection parts 74 and 75, if the movable part 73 can be rock | fluctuated by a seesaw, it will not specifically limit.

第2実施形態に係る素子片7も、第1実施形態と同様に、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。このような構成によれば、素子片7の各部分をエッチングにより高精度に加工することができる。   Similarly to the first embodiment, the element piece 7 according to the second embodiment is preferably made of silicon as a main material. According to such a configuration, each part of the element piece 7 can be processed with high accuracy by etching.

導体パターン4Aは、第1検出電極411と、第2検出電極421と、ダミー電極431と、配線412,422,432と、電極(端子)413,423,433と、孤立パターン412a,422a,432aとを有する。第1検出電極411と第2検出電極421とは、本実施形態における固定電極部である。配線412,422は、本実施形態における第1配線である。また、配線432は、本実施形態における第2配線である。   The conductor pattern 4A includes a first detection electrode 411, a second detection electrode 421, a dummy electrode 431, wirings 412, 422, 432, electrodes (terminals) 413, 423, 433, and isolated patterns 412a, 422a, 432a. And have. The first detection electrode 411 and the second detection electrode 421 are fixed electrode portions in the present embodiment. The wirings 412 and 422 are the first wirings in the present embodiment. The wiring 432 is the second wiring in the present embodiment.

第1検出電極411と第2検出電極421とは空洞部21の底面に設けられている。第1検出電極411は、第1可動部731と対向して配置されており、これにより、第1検出電極411と第1可動部731との間に静電容量が形成される。第2検出電極421は、第2可動部732と対向して配置されており、これにより、第2検出電極421と第2可動部732との間に静電容量が形成される。これら第1、第2検出電極411,421は、Z軸方向から見た平面視にて、連結部74,75に対して対称的に配置され、加速度が加わらない状態でのそれぞれの静電容量の大きさが互いにほぼ等しくなっている。   The first detection electrode 411 and the second detection electrode 421 are provided on the bottom surface of the cavity portion 21. The first detection electrode 411 is disposed to face the first movable portion 731, and thereby, a capacitance is formed between the first detection electrode 411 and the first movable portion 731. The second detection electrode 421 is disposed to face the second movable part 732, and thereby, a capacitance is formed between the second detection electrode 421 and the second movable part 732. These first and second detection electrodes 411 and 421 are arranged symmetrically with respect to the connecting portions 74 and 75 in a plan view as viewed from the Z-axis direction, and each capacitance in a state where no acceleration is applied. Are substantially equal to each other.

ダミー電極431は、空洞部21の底面のうち、第1、第2検出電極411,421が配置されていない領域に広がって配置されている。ダミー電極431は、可動部73と同電位となっており、これにより、素子片7となるシリコン基板(図13に示す基板103)とベース基板2A(図13に示す基板102)とを陽極接合する際に、基板102の帯電を抑えることができる。これにより、シリコン基板から形成された可動部73のベース基板2Aへの貼り付きを効果的に抑制することができる。   The dummy electrode 431 is disposed so as to spread over a region of the bottom surface of the cavity portion 21 where the first and second detection electrodes 411 and 421 are not disposed. The dummy electrode 431 has the same potential as that of the movable portion 73, thereby anodic bonding of the silicon substrate (substrate 103 shown in FIG. 13) to be the element piece 7 and the base substrate 2 A (substrate 102 shown in FIG. 13). In this case, charging of the substrate 102 can be suppressed. Thereby, sticking to the base substrate 2A of the movable part 73 formed from the silicon substrate can be effectively suppressed.

第1配線としての配線412は、第1検出電極411に電気的に接続されている。第1配線としての配線422は、第2検出電極421に電気的に接続されている。第2配線としての配線432は、ダミー電極431に電気的に接続されると共に導電性のバンプを介して素子片7(可動部73)に電気的に接続されている。電極413は配線412に電気的に接続され、電極423は配線422に電気的に接続され、電極433は配線432に電気的に接続されている。   The wiring 412 as the first wiring is electrically connected to the first detection electrode 411. The wiring 422 as the first wiring is electrically connected to the second detection electrode 421. The wiring 432 as the second wiring is electrically connected to the dummy electrode 431 and is electrically connected to the element piece 7 (movable portion 73) through a conductive bump. The electrode 413 is electrically connected to the wiring 412, the electrode 423 is electrically connected to the wiring 422, and the electrode 433 is electrically connected to the wiring 432.

また、電極413,423,433は、ベース基板2Aの上面の外周部(ベース基板2A上の蓋部材5の外側の部分)に配置されており、外部機器との電気的な接続が可能となっている。孤立パターン412a,422a,432aは、蓋部材5に覆われていないベース基板2A上に、それぞれ電極413,423,433と対向するように配置されている。   The electrodes 413, 423, and 433 are arranged on the outer peripheral portion (the outer portion of the lid member 5 on the base substrate 2A) of the upper surface of the base substrate 2A, and can be electrically connected to an external device. ing. The isolated patterns 412a, 422a, and 432a are disposed on the base substrate 2A that is not covered with the lid member 5 so as to face the electrodes 413, 423, and 433, respectively.

第2実施形態に係る物理量センサー6では、次のようにして鉛直方向の加速度を検知することができる。物理量センサー6に鉛直方向の加速度が加わっていない場合、可動部73は、水平状態を維持している。そして、物理量センサー6に鉛直方向上向き(+Z軸方向)の加速度G1が加わると、可動部73は、連結部74,75を軸として時計回りにシーソー揺動する。反対に、物理量センサー6に鉛直方向下向き(−Z軸方向)の加速度G2が加わると、可動部73は、連結部74,75を軸として反時計回りにシーソー揺動する。   In the physical quantity sensor 6 according to the second embodiment, vertical acceleration can be detected as follows. When the acceleration in the vertical direction is not applied to the physical quantity sensor 6, the movable unit 73 maintains a horizontal state. When the acceleration G1 in the vertical direction (+ Z-axis direction) is applied to the physical quantity sensor 6, the movable portion 73 swings seesaw clockwise with the connecting portions 74 and 75 as axes. On the contrary, when the acceleration G2 in the vertical direction (−Z axis direction) is applied to the physical quantity sensor 6, the movable portion 73 swings the seesaw counterclockwise about the connecting portions 74 and 75 as axes.

このような可動部73のシーソー揺動によって、第1可動部731と第1検出電極411との離間距離、および、第2可動部732と第2検出電極421との離間距離が変化し、これに応じて第1可動部731と第1検出電極411との間の静電容量の大きさと、第2可動部732と第2検出電極421と間の静電容量の大きさとが変化する。これにより、双方の静電容量の大きさの差に基づいて(差動検出方式により)、加速度の大きさや向きを検出することができる。特に、差動検出方式を用いることで、より精度よく加速度を検出することができる。   By such seesaw swinging of the movable portion 73, the separation distance between the first movable portion 731 and the first detection electrode 411 and the separation distance between the second movable portion 732 and the second detection electrode 421 are changed. Accordingly, the capacitance between the first movable portion 731 and the first detection electrode 411 and the capacitance between the second movable portion 732 and the second detection electrode 421 change. Thereby, the magnitude and direction of acceleration can be detected based on the difference between the magnitudes of both capacitances (by the differential detection method). In particular, acceleration can be detected with higher accuracy by using a differential detection method.

[物理量センサーの製造方法]
第2実施形態に係る物理量センサー6も、第1実施形態に係る物理量センサーの製造方法と同様の製造方法で製造されるので、各工程の説明は省略する。
[Method of manufacturing physical quantity sensor]
Since the physical quantity sensor 6 according to the second embodiment is also manufactured by the same manufacturing method as that of the physical quantity sensor according to the first embodiment, description of each process is omitted.

図示を省略するが、第2実施形態に係る物理量センサー6においても、導体パターン形成工程において基板102の上面上に導体パターン4Aを形成する際に、第1実施形態と同様に共有配線47(図11参照)が形成される。そして、配線412,422,432は、ベース基板2Aとなる領域の外まで延在して共有配線47に接続するように形成される。したがって、分断工程で切断されるまでは、配線412,422,432は、共有配線47に電気的に接続されている。すなわち、素子片7の可動部73は、ダミー電極431だけでなく、ベース基板2A上に設けられた第1検出電極411、第2検出電極421、および共有配線47とも同電位となる。   Although not shown, also in the physical quantity sensor 6 according to the second embodiment, when the conductor pattern 4A is formed on the upper surface of the substrate 102 in the conductor pattern forming step, the shared wiring 47 (FIG. 11) is formed. The wirings 412, 422, and 432 are formed so as to extend outside the region to be the base substrate 2 </ b> A and to be connected to the shared wiring 47. Therefore, the wirings 412, 422, and 432 are electrically connected to the shared wiring 47 until they are cut in the dividing step. That is, not only the dummy electrode 431 but also the first detection electrode 411, the second detection electrode 421, and the shared wiring 47 provided on the base substrate 2A have the same potential in the movable portion 73 of the element piece 7.

配線412,422,432は、分断工程において電極413,423,433と共有配線47との間で切断されて、共有配線47から分断される。これにより、配線412,422,432は互いに電気的に絶縁され、孤立パターン412a,422a,432aが残留する。   The wirings 412, 422, and 432 are disconnected from the shared wiring 47 by being cut between the electrodes 413, 423, and 433 and the shared wiring 47 in the dividing process. As a result, the wirings 412, 422, and 432 are electrically insulated from each other, and the isolated patterns 412a, 422a, and 432a remain.

第2実施形態に係る物理量センサー6においても、接合工程、エッチング工程、および蓋部配設工程において、基板102に形成された第1検出電極411、第2検出電極421、およびダミー電極431と、これらの電極に対向配置される可動部73と、が同電位となり基板102の帯電が抑えられるので、可動部73の貼り付きの発生を抑止することができる。   Also in the physical quantity sensor 6 according to the second embodiment, the first detection electrode 411, the second detection electrode 421, and the dummy electrode 431 formed on the substrate 102 in the bonding process, the etching process, and the lid placement process, Since the movable portion 73 disposed opposite to these electrodes has the same potential and charging of the substrate 102 is suppressed, occurrence of sticking of the movable portion 73 can be suppressed.

また、分断工程において配線412,422,432が互いに電気的に絶縁されるので、物理量センサー6に個片化する前に、検査工程において正常に動作すると判定されたものと正常に動作しないと判定されたものとを選別することができる。そのため、検査工程において正常に動作すると判定された物理量センサー6を用いて物理量センサー装置を製造することができるので、物理量センサー装置の製造歩留まりの向上および生産コストの低減を図ることができる。   In addition, since the wirings 412, 422, and 432 are electrically insulated from each other in the dividing process, before being separated into the physical quantity sensor 6, it is determined that the wiring is not normally operated and the one that is determined to operate normally in the inspection process. Can be selected. Therefore, since the physical quantity sensor device can be manufactured using the physical quantity sensor 6 that is determined to operate normally in the inspection process, it is possible to improve the manufacturing yield of the physical quantity sensor device and reduce the production cost.

上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。   The above-described embodiments merely show one aspect of the present invention, and can be arbitrarily modified and applied within the scope of the present invention. As modifications, for example, the following can be considered.

(変形例1)、
可動部や固定電極部の構成は上記実施形態に限定されない。例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも1つの固定電極指がその他の固定電極指に対してベース基板上で分離していれば、第1実施形態と異なる形態であってもよい。また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置および大きさ等の形態が第1実施形態と異なっていてもよい。さらに、可動部をY軸方向に変位させるように構成してもよいし、可動部をX軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。
(Modification 1),
The configuration of the movable part and the fixed electrode part is not limited to the above embodiment. For example, the fixed electrode unit is the first embodiment if at least one fixed electrode finger of a plurality of fixed electrode fingers arranged in a comb-like shape is separated from the other fixed electrode fingers on the base substrate. It may be a different form. In addition, the number, arrangement, size, and the like of the plurality of fixed electrode fingers of the fixed electrode portion and the plurality of movable electrode fingers of the movable electrode portion provided so as to mesh with the fixed electrode fingers are different from those of the first embodiment. Also good. Furthermore, the movable part may be configured to be displaced in the Y-axis direction, or the movable part may be configured to be rotated around an axis parallel to the X-axis. In this case, the physical quantity may be detected based on the change in capacitance due to the change in the facing area between the movable electrode finger and the fixed electrode finger.

(変形例2)
上記実施形態では、分断工程において配線41,42,43または配線412,422,432をレーザー光で切断することとしたが、このような形態に限定されない。分断工程において配線41,42,43または配線412,422,432をハーフダイシングにより切断することとしてもよい。ハーフダイシングでは、基板102の厚さ方向の途中まで切り込みを入れることにより、配線41,42,43または配線412,422,432を切断することができる。また、分断工程においてハーフダイシングにより塵埃等が発生した場合でも、塵埃等が素子片3,7に付着することを抑止できる。
(Modification 2)
In the above embodiment, the wiring 41, 42, 43 or the wiring 412, 422, 432 is cut by the laser beam in the dividing step, but the present invention is not limited to such a form. In the dividing step, the wires 41, 42, 43 or the wires 412, 422, 432 may be cut by half dicing. In the half dicing, the wiring 41, 42, 43 or the wiring 412, 422, 432 can be cut by cutting halfway along the thickness direction of the substrate 102. Further, even when dust or the like is generated by half dicing in the dividing step, it is possible to prevent the dust or the like from adhering to the element pieces 3 and 7.

1…物理量センサー、2,2A…ベース基板、5…蓋部材、6…物理量センサー、33…可動部、36…可動電極部、37…可動電極部、38…固定電極部、39…固定電極部、41…配線(第1配線)、42…配線(第1配線)、43…配線(第2配線)、47…共有配線、73…可動部、102…基板(第1基板)、103…基板(第2基板)、200…物理量センサー装置、202…ICチップ(電子部品)、411…第1検出電極(固定電極部)、412…配線(第1配線)、421…第2検出電極(固定電極部)、422…配線(第1配線)、432…配線(第2配線)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Physical quantity sensor, 2 and 2A ... Base substrate, 5 ... Cover member, 6 ... Physical quantity sensor, 33 ... Movable part, 36 ... Movable electrode part, 37 ... Movable electrode part, 38 ... Fixed electrode part, 39 ... Fixed electrode part , 41 ... wiring (first wiring), 42 ... wiring (first wiring), 43 ... wiring (second wiring), 47 ... shared wiring, 73 ... movable part, 102 ... substrate (first substrate), 103 ... substrate (Second substrate), 200 ... physical quantity sensor device, 202 ... IC chip (electronic component), 411 ... first detection electrode (fixed electrode portion), 412 ... wiring (first wiring), 421 ... second detection electrode (fixed) Electrode portion), 422... Wiring (first wiring), 432... Wiring (second wiring).

Claims (4)

ベース基板と、
前記ベース基板上に固定された固定電極部と、前記ベース基板上に変位可能に設けられ前記固定電極部に対向して配置された可動電極部と、を有する素子片と、
前記ベース基板上に配置され、前記固定電極部に電気的に接続された第1配線と前記可動電極部に電気的に接続された第2配線と、を備えた物理量センサーの製造方法であって、
前記ベース基板の母材となる第1基板に、前記第1配線と、前記第2配線と、前記第1配線と前記第2配線とに電気的に接続される共有配線と、を形成する導体パターン形成工程と、
前記第1基板に前記素子片の母材となる第2基板を接合し、前記第2基板を前記第1配線および前記第2配線に電気的に接続する接合工程と、
前記第2基板をエッチングすることにより、前記固定電極部と前記可動電極部とを有する前記素子片を形成する素子片形成工程と、
前記第1配線と前記第2配線とを前記共有配線から分断する分断工程と、
前記第1基板上の前記素子片を前記第1配線と前記第2配線とを介して前記素子片毎に検査する検査工程と、
前記第1基板を前記素子片毎に個片化して複数の前記物理量センサーを得る個片化工程と、を備えることを特徴とする物理量センサーの製造方法。
A base substrate;
An element piece having a fixed electrode portion fixed on the base substrate, and a movable electrode portion provided on the base substrate so as to be displaceable and disposed to face the fixed electrode portion;
A method of manufacturing a physical quantity sensor, comprising: a first wiring disposed on the base substrate and electrically connected to the fixed electrode portion; and a second wiring electrically connected to the movable electrode portion. ,
A conductor that forms the first wiring, the second wiring, and the shared wiring electrically connected to the first wiring and the second wiring on the first substrate that is a base material of the base substrate A pattern forming process;
A bonding step of bonding a second substrate serving as a base material of the element piece to the first substrate, and electrically connecting the second substrate to the first wiring and the second wiring;
An element piece forming step of forming the element piece having the fixed electrode portion and the movable electrode portion by etching the second substrate;
A dividing step of dividing the first wiring and the second wiring from the shared wiring;
An inspection step of inspecting the element pieces on the first substrate for each of the element pieces via the first wiring and the second wiring;
A method of manufacturing a physical quantity sensor, comprising: dividing the first substrate into individual element pieces to obtain a plurality of physical quantity sensors.
前記分断工程では、前記第1配線と前記第2配線とをレーザー光で切断することを特徴とする請求項1に記載の物理量センサーの製造方法。   2. The method of manufacturing a physical quantity sensor according to claim 1, wherein in the dividing step, the first wiring and the second wiring are cut with a laser beam. 前記分断工程の前に、前記ベース基板上に前記素子片を覆う蓋部材を接合する蓋部配設工程をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の物理量センサーの製造方法。   The method of manufacturing a physical quantity sensor according to claim 1, further comprising a lid portion arranging step of joining a lid member that covers the element piece on the base substrate before the dividing step. 請求項1から3のいずれか一項に記載の物理量センサーの製造方法で製造した物理量センサーと電子部品とを電気的に接続する工程と、
前記物理量センサーと前記電子部品とをモールドまたはパッケージする工程と、を備えることを特徴とする物理量センサー装置の製造方法。
Electrically connecting the physical quantity sensor manufactured by the physical quantity sensor manufacturing method according to any one of claims 1 to 3 and an electronic component;
A method of manufacturing a physical quantity sensor device, comprising: molding or packaging the physical quantity sensor and the electronic component.
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