JP2019033263A - Package and light-emitting device using the same - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229920006012 semi-aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Description
本発明は、パッケージ及びそれを用いた発光装置に関する。 The present invention relates to a package and a light emitting device using the same.
従来、発光ダイオード(LED)用のパッケージとして、例えば特許文献1,2に記載されたパッケージ構造が提案されている。
Conventionally, as a package for a light emitting diode (LED), for example, package structures described in
しかしながら、上記従来のパッケージは、内面で光反射が多く繰り返され、発光素子の光を効率良く取り出せないという問題があった。 However, the conventional package has a problem that light reflection is repeated on the inner surface, and the light from the light emitting element cannot be extracted efficiently.
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、光の取り出し効率に優れるパッケージ、及び/又はそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a package having excellent light extraction efficiency and / or a light emitting device using the same.
上記課題を解決するために、本発明は、第1のリード電極と、第2のリード電極と、前記第1及び第2のリード電極と一体に成形された樹脂成形体と、を備え、発光素子が収容される凹部を有するパッケージであって、前記凹部は、基底部と、側壁部と、により構成され、前記基底部は、前記第1のリード電極の上面が前記樹脂成形体から露出された素子載置領域と、前記第2のリード電極の上面が前記樹脂成形体から露出されたワイヤ接続領域と、を含み、前記素子載置領域は、前記発光素子の外形に略沿った上面視形状であり、前記ワイヤ接続領域は、前記素子載置領域に隣接しており該素子載置領域より小型であり、前記側壁部の表面は、前記素子載置領域及び前記ワイヤ接続領域から上方に向かって該
凹部の開口径が大きくなるように傾斜又は湾曲していることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention includes a first lead electrode, a second lead electrode, and a resin molded body formed integrally with the first and second lead electrodes, and emits light. A package having a recess for accommodating an element, wherein the recess includes a base portion and a side wall portion, and the base portion has an upper surface of the first lead electrode exposed from the resin molded body. An element placement area, and a wire connection area where the upper surface of the second lead electrode is exposed from the resin molded body, and the element placement area is a top view substantially along the outer shape of the light emitting element. The wire connection area is adjacent to the element placement area and is smaller than the element placement area, and the surface of the side wall portion extends upward from the element placement area and the wire connection area. The opening diameter of the recess increases toward Wherein the inclined or curved.
本発明によれば、パッケージの内面での光反射の繰り返しを軽減して、発光素子の光を効率良く取り出すことができる。 According to the present invention, it is possible to reduce the repetition of light reflection on the inner surface of the package and to efficiently extract light from the light emitting element.
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明するパッケージ及び発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。また、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。 Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the package and the light-emitting device described below are for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless otherwise specified. The contents described in one embodiment and example are applicable to other embodiments and examples. In addition, the size, positional relationship, and the like of members illustrated in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.
<実施の形態1>
図1Aは、実施の形態1に係るパッケージの概略斜視図である。図1Bは、実施の形態1に係る発光装置の概略上面図であり、図1Cは、図1BにおけるA−A断面を示す概略断面図である。
<
1A is a schematic perspective view of a package according to
図1Aに示すように、実施の形態1に係るパッケージ100は、外形が上面視正方形状のLED用のパッケージである。パッケージ100は、第1のリード電極10と、第2のリード電極20と、樹脂成形体30と、を備えている。樹脂成形体30は、第1のリード電極10及び第2のリード電極20と一体に成形されている。パッケージ100は、発光素子が収容される凹部110を有している。
As shown in FIG. 1A, a
凹部110は、基底部111と、側壁部119と、により構成されている。基底部111は、素子載置領域113と、ワイヤ接続領域(第1のワイヤ接続領域)117と、を含んでいる。素子載置領域113は、第1のリード電極10の上面が樹脂成形体30から露出された領域である。ワイヤ接続領域117は、第2のリード電極20の上面が樹脂成形体30から露出された領域である。素子載置領域113は、発光素子の外形に略沿った上面視形状である。ワイヤ接続領域117は、素子載置領域113に隣接しており、素子載置領域113より小型である。そして、側壁部119の表面は、素子載置領域113及びワイヤ接続領域117から上方に向かって凹部110の開口径が大きくなるように傾斜している。
The
このような構成を有するパッケージ100は、側壁部119の終端(つまり側壁部119の基底部111との境界)が発光素子に近接して設けられるため、発光素子から出射される光を直接的に側壁部119の表面で反射させて凹部110開口側に偏向させやすい。したがって、パッケージの内面での光反射の繰り返しを軽減して、発光素子の光を効率良く取り出すことができる。
In the
図1B、図1Cに示すように、実施の形態1に係る発光装置150は、パッケージ100と、発光素子40と、ワイヤ50と、封止部材60と、を備えている。発光素子40は、パッケージの素子載置領域113に載置されている。ワイヤ50は、パッケージのワイヤ接続領域117と発光素子40を接続している。封止部材60は、パッケージの凹部110内に充填され、発光素子40を封止している。
As illustrated in FIGS. 1B and 1C, the light-
このような構成を有する発光装置150は、上記パッケージ100の機能を発揮させ、発光素子40の光を効率良く取り出すことができる。
The
以下、パッケージ100及び発光装置150の好ましい形態について説明する。
Hereinafter, preferred embodiments of the
図1A〜1Cに示すように、素子載置領域113とワイヤ接続領域117は、連続する1つの平面領域を成していることが好ましい。これにより、樹脂成形体30の成形時にバリの発生を抑え、素子載置領域113とワイヤ接続領域117を精度良く形成しやすい。また、ワイヤ接続領域117にワイヤ50を接続しやすい。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the
図1A,1Bに示すように、素子載置領域113の上面視形状は、角が丸みを帯びている正方形状である。多くの発光素子40の上面視形状は矩形状であるため、素子載置領域113の上面視形状は、矩形状、又は角が丸みを帯びている矩形状であることが好ましい。これにより、側壁部119の終端が発光素子40に近接して設けられやすく、発光素子40から出射される光を直接的に側壁部119の表面で反射させやすい。なお、この素子載置領域113は、上面視において、樹脂成形体30の外形及び凹部110の開口に対して略平行である。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the top view shape of the
図1A,1Bに示すように、ワイヤ接続領域117は、上面視において、その周縁を構成する一辺が素子載置領域113の周縁を構成する一辺と略同一直線上に位置することが好ましい。これにより、樹脂成形体30の成形の観点において、素子載置領域113とワイヤ接続領域117を形成しやすい。また、上面視矩形状の発光素子40は、正負一対の電極(パッド電極)の少なくとも一方が角近傍に配置されている場合が多々あり、それに対応してワイヤ50を形成しやすい。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the
図1A,1Bに示すように、凹部110の開口形状は、上面視において、樹脂成形体30の外形に略沿った、角が丸みを帯びている矩形状である。多くのパッケージの外形の上面視形状は矩形状であるため、凹部110の開口形状は、上面視において、樹脂成形体30の外形に略沿った、矩形状又は角が丸みを帯びている矩形状であることが好ましい。これにより、凹部110の開口が大きく設けられやすく、発光素子から出射される光を効率良く取り出しやすい。なお、極性識別用の切り欠き(図1Bのパッケージ左下部分参照)は、凹部110の開口形状として考慮しないものとする。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the opening shape of the
図1A,1Bに示すように、(上面視において、)素子載置領域113の面積は、設計値上、発光素子40の面積の1.67倍(一辺の長さでは約1.3倍)である。このように、素子載置領域113の面積は、発光素子40の面積の2倍以下であることが好ましく、発光素子40の面積の1.5倍以下であることがより好ましく、発光素子40の面積の1.2倍以下であることがよりいっそう好ましい。このような大きさの素子載置領域113であれば、側壁部119の終端が発光素子40に近接して設けられやすく、発光素子40から出射される光を直接的に側壁部119の表面で反射させやすい。素子載置領域113の面積の下限は、発光素子40を素子載置領域113に固定できれば特に限定されないが、発光素子40の面積(の1倍)より大きいことが好ましい。また、発光素子40を接着する接着剤は、側壁部119から離間していることが好ましいが、透光性であれば側壁部119の表面の一部を被覆していてもよい。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the area of the element mounting region 113 (in a top view) is 1.67 times the area of the
図1A,1Cに示すように、側壁部119の表面の傾斜角度θ(リード電極の上面を基準とし樹脂成形体30内側の角度とする)は、基底部111の構成(形状、配置)に依存して変化する。このため、側壁部119の表面は、傾斜角度θの異なる複数の面で構成されている。側壁部119の表面の傾斜角度θは、特に限定されないが、光の取り出し効率の観点からは小さいほど好ましい(但し、凹部110の所定深さを確保できる程度とする)。具体的には、傾斜角度θは、例えば0°より大きく45°以下であり、5°以上40°以下であることが好ましく、5°以上35°以下であることがより好ましい。なお、後述する実施の形態2のように側壁部119の表面が湾曲している場合は、接平面又は断面における接線で考えるものとする。
As shown in FIGS. 1A and 1C, the inclination angle θ of the surface of the side wall portion 119 (the angle inside the
図1Cに示すように、封止部材60は、蛍光体を実質的に含んでいないことが好ましい。これにより、側壁部119の表面を蛍光体による被覆無しに反射面として最も活用しやすく、発光素子40から出射される光を直接的に側壁部119の表面で反射させやすい。
As shown in FIG. 1C, the sealing
図1Bに示すように、パッケージ100は、保護素子70を備えていてもよい。この保護素子70は、樹脂成形体30、詳細には側壁部119を構成する樹脂成形体30内に埋められている。これにより、保護素子70への光入射及びそれによる光吸収を抑制又は回避することができる。パッケージ100では、側壁部119の表面の傾斜角度θが比較的小さく、それにより凹部110内の側壁部119の占める割合が比較的大きいため、保護素子70を樹脂成形体30内に埋めやすい。
As illustrated in FIG. 1B, the
なお、図1A,1Bに示すように、パッケージ100において、基底部111は、第2のワイヤ接続領域115を含んでいる。第2のワイヤ接続領域115は、素子載置領域113とは異なる、第1のリード電極10の上面が樹脂成形体30から露出された領域である。すなわち、パッケージ100の基底部111は、素子載置領域113、第1のワイヤ接続領域117、第1のリード電極10と第2のリード電極20の離間領域、及び第2のワイヤ接続領域115を含んで構成されている。そして、本実施の形態では、これらの領域が連続して1つの平面領域を成している。第2のワイヤ接続領域115は、例えば素子載置領域113に対して第1のワイヤ接続領域117と略対称な位置にあると良い。
As shown in FIGS. 1A and 1B, in the
また、ワイヤ接続領域117(第2のワイヤ接続領域115も同様)に関する「素子載置領域113より小型である」とは、上面視において素子載置領域113より面積が小さいことを意味し、程度は特に限定されない。但し、上面視において、第1のリード電極10と第2のリード電極20が並べられている方向を横方向、それに直交する方向を縦方向とした場合、ワイヤ接続領域117の少なくとも縦方向の長さ(幅)が素子載置領域113のそれより小さくなっていることが好ましい。さらに、ワイヤ接続領域117の横方向の長さ(幅)も素子載置領域113のそれより小さくなっているとなお良い。
Further, “smaller than the
<実施の形態2>
図2Aは、実施の形態2に係る発光装置の概略上面図であり、図2Bは、図2AにおけるB−B断面を示す概略断面図である。
<Embodiment 2>
2A is a schematic top view of the light-emitting device according to Embodiment 2, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view showing a BB cross section in FIG. 2A.
図2A、図2Bに示すように、実施の形態2に係るパッケージ200は、外形が上面視で横方向に長い矩形状のLED用のパッケージである。パッケージ200は、第1のリード電極10と、第2のリード電極20と、樹脂成形体30と、を備えている。樹脂成形体30は、第1のリード電極10及び第2のリード電極20と一体に成形されている。パッケージ200は、発光素子が収容される凹部210を有している。凹部210は、基底部211と、側壁部219と、により構成されている。基底部211は、素子載置領域213と、ワイヤ接続領域217と、を含んでいる。素子載置領域213は、第1のリード電極10の上面が樹脂成形体230から露出された領域である。ワイヤ接続領域217は、第2のリード電極20の上面が樹脂成形体30から露出された領域である。素子載置領域213は、発光素子の外形(本例では正方形状)に略沿った上面視形状である。ワイヤ接続領域217は、素子載置領域213に隣接しており、素子載置領域213より小型である。そして、側壁部219の表面は、素子載置領域213及びワイヤ接続領域217から上方に向かって凹部210の開口径が大きくなるように湾曲している。
As shown in FIGS. 2A and 2B, a
実施の形態2に係る発光装置250は、パッケージ200と、発光素子41と、ワイヤ50と、封止部材60と、を備えている。発光素子41は、パッケージの素子載置領域213に載置されている。ワイヤ50は、パッケージのワイヤ接続領域217と発光素子41を接続している。封止部材60は、パッケージの凹部210内に充填され、発光素子41を封止している。
The
このような構成を有するパッケージ200及び発光装置250もまた、パッケージの内面での光反射の繰り返しを軽減して、発光素子の光を効率良く取り出すことができる。
The
以下、パッケージ200及び発光装置250の好ましい形態について説明する。
Hereinafter, preferred embodiments of the
図2A,2Bに示すように、素子載置領域213とワイヤ接続領域217は、樹脂成形体30の突起により隔てられていることが好ましい。これにより、発光素子41から出射される光をこの樹脂成形体30の突起で反射させ、ワイヤ50(特にワイヤ接続領域217との接続部近傍)への光入射及びそれによる光吸収を軽減することができる。なお、この樹脂成形体30の突起は、本例では第1のリード電極10と第2のリード電極20の離間領域上に設けられているが、第1のリード電極10又は第2のリード電極20上に偏って設けられてもよい。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the
図2Aに示すように、ワイヤ接続領域217は、上面視において、素子載置領域213の対角線の延長線上であって、該素子載置領域213の角に隣接していることが好ましい。これにより、素子載置領域213の縁に側壁部219の終端が位置する割合を比較的多くでき、発光素子41から出射される光を直接的に側壁部219の表面で反射させやすい。また、正負一対の電極(パッド電極)の少なくとも一方が角近傍に配置されている上面視矩形状の発光素子である場合、それに対応してワイヤを形成しやすい。なお、素子載置領域213は、上面視において、樹脂成形体30の外形及び凹部210の開口に対して斜めになって(本例では約45°回転して)いる。
As shown in FIG. 2A, the
図2Bに示すように、発光素子41は、上面(基板側)が下面(素子構造側)より小さく、側面が傾斜している。このため、発光素子41の発光光度は、直上方向よりも斜め方向において高くなっている。そして、発光装置250は、そのような発光素子41から斜め方向に出射される光を直接的に側壁部119の表面で反射させて取り出しやすい構成となっている。
As shown in FIG. 2B, the
図2Bに示すように、封止部材60は、蛍光体80を含んでいる。そして、蛍光体80は、封止部材60内の略全域に分散している。これにより、側壁部119の表面の蛍光体80による被覆を軽減し、側壁部119の表面を反射面として比較的活用しやすい。したがって、封止部材60内に蛍光体80を含む場合でも、発光素子41から出射される光を直接的に側壁部119の表面で比較的反射させやすい。
As shown in FIG. 2B, the sealing
なお、このほか、蛍光体を封止部材内の発光素子近傍に偏在させたり、蛍光体を発光素子自体に保持させたりしても、側壁部119の表面の蛍光体による被覆を軽減し、側壁部119の表面を反射面として活用しやすくすることができる。
In addition to this, even if the phosphor is unevenly distributed in the vicinity of the light emitting element in the sealing member or the phosphor is held by the light emitting element itself, the surface of the
以上、実施の形態として、トップビュー(上面発光)式のパッケージについて示したが、第1及び第2のリード電極と樹脂成形体を備え、発光素子が収容される凹部を有するパッケージであれば、サイドビュー(側面発光)式のパッケージでもよく、外部接続端子の構造を特に限定しない。 As described above, a top-view (upper surface light emission) type package has been described as an embodiment. However, if the package includes the first and second lead electrodes and the resin molded body and has a recess in which the light emitting element is accommodated, A side view (side light emission) type package may be used, and the structure of the external connection terminal is not particularly limited.
以下、本発明のパッケージ及び発光装置における各構成要素について説明する。 Hereinafter, each component in the package and light-emitting device of the present invention will be described.
(第1のリード電極10,第2のリード電極20)
リード電極は、発光素子に接続されて導電可能な金属部材を用いることができる。具体的には、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などが挙げられる。リード電極の諸形状は、上記金属の板材に、プレス、圧延、エッチングなどの加工を施すことで形成することができる。また、リード電極の表層には、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などの光反射膜が鍍金などにより設けられていてもよく、なかでも光反射性に最も優れる銀が好ましい。
(First
As the lead electrode, a metal member that is electrically connected to the light emitting element can be used. Specifically, copper, aluminum, gold, silver, tungsten, iron, nickel, cobalt, molybdenum, or alloys thereof, phosphor bronze, iron-containing copper, and the like can be given. The various shapes of the lead electrode can be formed by subjecting the metal plate material to processing such as pressing, rolling, and etching. Further, the surface layer of the lead electrode may be provided with a light reflecting film such as silver, aluminum, rhodium, gold, copper, or an alloy thereof by plating or the like, and among them, silver that is most excellent in light reflectivity is preferable. .
(樹脂成形体30)
樹脂成形体の母材は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂のいずれか1つが好ましい。熱可塑性樹脂としては、脂肪族ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂などが挙げられる。なかでも、脂肪族ポリアミド樹脂、又は
ポリシクロヘキサンテレフタレートが好ましい。また、これらの母材中に、充填剤又は着色顔料として、ガラス、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、ワラストナイト、マイカ、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、炭化ケイ素、酸化アンチモン、スズ酸亜鉛、ホウ酸亜鉛、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラックなどの粒子又は繊維を混入させることができる。なかでも、充填剤としてシリカを、着色顔料(反射材)として酸化チタン又は酸化亜鉛を用いることが好ましい。
(Resin molding 30)
As the base material of the resin molded body, a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, an epoxy-modified resin, a silicone resin, a silicone-modified resin, a polybismaleimide triazine resin, a polyimide resin, and a polyurethane resin. Among these, any one of an epoxy resin, an epoxy-modified resin, a silicone resin, and a silicone-modified resin is preferable. Thermoplastic resins include aliphatic polyamide resin, semi-aromatic polyamide resin, polyethylene terephthalate, polycyclohexane terephthalate, liquid crystal polymer, polycarbonate resin, syndiotactic polystyrene, polyphenylene ether, polyphenylene sulfide, polyether sulfone resin, polyether ketone resin. And polyarylate resin. Of these, aliphatic polyamide resin or polycyclohexane terephthalate is preferable. In these base materials, as a filler or a coloring pigment, glass, silica, titanium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, magnesium silicate, wollastonite, Mica, zinc oxide, barium titanate, potassium titanate, aluminum borate, aluminum oxide, zinc oxide, silicon carbide, antimony oxide, zinc stannate, zinc borate, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, carbon black, etc. Particles or fibers can be incorporated. Among these, it is preferable to use silica as a filler and titanium oxide or zinc oxide as a color pigment (reflecting material).
(発光素子40,41)
発光素子は、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子は、種々の半導体で構成される素子構造と、正負一対の電極と、を有するものであればよい。特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体(InxAlyGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)の発光素子が好ましい。このほか、緑色〜赤色発光のガリウム砒素系、ガリウム燐系半導体の発光素子でもよい。多くの発光素子は、基板を有する。基板は、透光性であることが好ましいが、これに限定されない。基板の母材としては、サファイア、スピネル、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。正負一対の電極が同一面側に設けられている発光素子の場合、各電極をワイヤでリード電極と接続してフェイスアップ実装される。正負一対の電極が互いに反対の面に各々設けられている対向電極構造の発光素子の場合、下面電極が導電性接着剤でリード電極に接着され、上面電極がワイヤでリード電極と接続される。1つのパッケージに搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、ワイヤにより直列又は並列に接続することができる。また、1つのパッケージに、例えば青色・緑色・赤色発光の3つの発光素子が搭載されてもよい。
(
As the light emitting element, a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode element can be used. The light emitting element only needs to have an element structure formed of various semiconductors and a pair of positive and negative electrodes. In particular, a light emitting element of a nitride semiconductor (In x Al y Ga 1-xy N, 0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) capable of emitting light in the ultraviolet to visible region is preferable. In addition, a gallium arsenide-based or gallium phosphorus-based semiconductor light emitting element emitting green to red light may be used. Many light emitting devices have a substrate. The substrate is preferably translucent, but is not limited thereto. Examples of the base material of the substrate include sapphire, spinel, gallium nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, gallium arsenide, gallium phosphorus, indium phosphorus, zinc sulfide, zinc oxide, and zinc selenide. In the case of a light emitting element in which a pair of positive and negative electrodes are provided on the same surface side, each electrode is connected to a lead electrode with a wire and is mounted face up. In the case of a light emitting element having a counter electrode structure in which a pair of positive and negative electrodes are provided on opposite surfaces, the lower electrode is bonded to the lead electrode with a conductive adhesive, and the upper electrode is connected to the lead electrode with a wire. The number of light emitting elements mounted on one package may be one or plural. The plurality of light emitting elements can be connected in series or in parallel by wires. Further, for example, three light emitting elements of blue, green, and red light emission may be mounted on one package.
(ワイヤ50)
ワイヤは、発光素子の電極と、リード電極と、を接続する導線である。具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム又はこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、封止部材からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線が好ましい。また、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀で構成されていてもよい。
(Wire 50)
The wire is a conductive wire that connects the electrode of the light emitting element and the lead electrode. Specifically, gold, copper, silver, platinum, aluminum, or a metal wire of these alloys can be used. In particular, a gold wire that is unlikely to break due to stress from the sealing member and is excellent in thermal resistance or the like is preferable. In order to improve light reflectivity, at least the surface may be made of silver.
(封止部材60)
封止部材は、発光素子、ワイヤなどを封止して、埃や水分、外力などから保護する部材である。封止部材の母材は、電気的絶縁性を有し、発光素子及び/又は蛍光体から出射される光を透過可能(好ましくは透過率70%以上)であればよい。具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、これらの変性樹脂、又はこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂又はその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないため、好ましい。また、封止部材は、その母材中に、充填剤や蛍光体など、種々の機能を持つ粒子が混入されてもよい。充填剤は、拡散剤や着色剤などを用いることができる。具体的には、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、ガラス、カーボンブラックなどが挙げられる。
(Sealing member 60)
The sealing member is a member that seals the light emitting element, the wire, and the like to protect them from dust, moisture, external force, and the like. The base material of the sealing member has only to be electrically insulative and can transmit light emitted from the light emitting element and / or the phosphor (preferably having a transmittance of 70% or more). Specifically, a silicone resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polycarbonate resin, an acrylic resin, a TPX resin, a polynorbornene resin, a modified resin thereof, or a hybrid resin containing one or more of these resins can be given. Among these, a silicone resin or a modified resin thereof is preferable because it is excellent in heat resistance and light resistance and has little volume shrinkage after solidification. The sealing member may be mixed with particles having various functions such as a filler and a phosphor in the base material. As the filler, a diffusing agent, a coloring agent, or the like can be used. Specifically, silica, titanium oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, zinc oxide, barium titanate, aluminum oxide, iron oxide, chromium oxide, manganese oxide, glass And carbon black.
(保護素子70)
保護素子は、静電気や高電圧サージから発光素子を保護するための素子である。具体的には、ツェナーダイオードが挙げられる。
(Protective element 70)
The protection element is an element for protecting the light emitting element from static electricity or a high voltage surge. Specifically, a Zener diode is mentioned.
(蛍光体80)
蛍光体は、発光素子から出射される一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を出射する。具体的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。これにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置や、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置とすることができる。
(Phosphor 80)
The phosphor absorbs at least part of the primary light emitted from the light emitting element, and emits secondary light having a wavelength different from that of the primary light. Specifically, cerium activated yttrium, aluminum, garnet, europium and / or chromium activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate, europium activated sialon, europium activated silicate, activated by manganese Examples include potassium fluorosilicate. Thus, a light emitting device that emits mixed light (for example, white light) of primary light and secondary light having a visible wavelength, or a light emitting device that emits visible light secondary light when excited by the primary light of ultraviolet light is used. Can do.
(接着剤)
接着剤は、発光素子をリード電極に接着する部材である。絶縁性接着剤は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂などを用いることができる。導電性接着剤としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系の半田などを用いることができる。
(adhesive)
The adhesive is a member that adheres the light emitting element to the lead electrode. As the insulating adhesive, an epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, or a modified resin or a hybrid resin thereof can be used. As the conductive adhesive, conductive pastes such as silver, gold, and palladium, tin-bismuth, tin-copper, tin-silver, and gold-tin solders can be used.
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
<実施例1>
実施例1の発光装置は、図1B,1Cに示す例の発光装置150の構造(保護素子70は除く)を有する、略直方体状のトップビュー式のSMD型LEDである。以下、図1Bに示すパッケージ及び発光装置の向きで縦(上下)、横(左右)を特定して説明する。
Examples according to the present invention will be described in detail below. Needless to say, the present invention is not limited to the following examples.
<Example 1>
The light-emitting device of Example 1 is a substantially rectangular parallelepiped top-view type SMD LED having the structure of the light-emitting
パッケージは、大きさが縦3.0mm、横3.0mm、厚さ0.52mmであり、正負一対(第1及び第2)のリード電極に、樹脂成形体が一体に成形されて構成されている。このパッケージは、複数組のリード電極が吊りリードを介して縦横に連なって成る加工金属板(リードフレーム)を、金型内に設置して、液状の樹脂成形体の構成材料を注入して固化、離型させた後、切断(個片化)することで作製される。 The package has a length of 3.0 mm, a width of 3.0 mm, and a thickness of 0.52 mm, and is formed by integrally molding a resin molded body on a pair of positive and negative (first and second) lead electrodes. Yes. In this package, a processed metal plate (lead frame) consisting of multiple sets of lead electrodes connected vertically and horizontally via suspension leads is placed in a mold, and the liquid resin molding material is injected and solidified. After being released from the mold, it is produced by cutting (dividing into pieces).
第1及び第2のリード電極は其々、表面に銀の鍍金が施された最大厚0.2mmの銅合金の板状小片である。第1及び第2のリード電極の下面の露出領域は、樹脂成形体の下面と実質的に同一面であって、パッケージの下面を構成している。第1及び第2のリード電極は其々、パッケージ(樹脂成形体)の端面において、切断された吊りリード部が露出している。 Each of the first and second lead electrodes is a copper alloy plate-shaped piece having a maximum thickness of 0.2 mm and having a surface plated with silver. The exposed areas of the lower surfaces of the first and second lead electrodes are substantially the same surface as the lower surface of the resin molded body and constitute the lower surface of the package. In the first and second lead electrodes, the cut suspension lead portions are exposed at the end surfaces of the package (resin molded body).
樹脂成形体は、上面視の外形が縦3.0mm、横3.0mmの正方形状であり、最大厚0.52mmであって、シリカと酸化チタンを含有するエポキシ樹脂製である。樹脂成形体の上面すなわちパッケージの上面の略中央には、上面視で角が丸みを帯びた縦2.6mm、横2.6mmの正方形状(極性識別用の切り欠きは除く)の開口で、深さ0.32mmの凹部が形成されている。 The resin molded body has a square shape with a top view of 3.0 mm length and a width of 3.0 mm, a maximum thickness of 0.52 mm, and is made of an epoxy resin containing silica and titanium oxide. At the approximate center of the upper surface of the resin molded body, that is, the upper surface of the package, there is an opening of 2.6 mm in length and 2.6 mm in width (excluding notches for polarity identification) with rounded corners when viewed from above. A recess having a depth of 0.32 mm is formed.
凹部は、基底部と側壁部で構成されている。基底部(角は丸みを帯びている)の素子載置領域は、第1のリード電極の上面の露出領域(縦方向の位置は中央、横方向の位置は右端)であって、縦840μm、横840μmの略正方形状の領域である。第2のワイヤ接続領域は、第1のリード電極の上面の露出領域(素子載置領域の左側に連続し下辺が同一直線上に位置する)であって、縦420μm、横310μmの略矩形状の領域である。第1のワイヤ接続領域は、第2のリード電極の上面の露出領域(縦方向は上辺が素子載置領域の上辺と同一直線上に位置し、横方向の位置は左端)であって、縦420μm、横230μmの略矩形状の領域である。基底部の素子載置領域と第1のワイヤ接続領域の間には
、樹脂成形体の表面で構成される、第1のリード電極と第2のリード電極の離間領域がある。側壁部の表面は、樹脂成形体で構成されており、基底部の周縁をほぼ起点(終端)として傾斜している。側壁部の表面の傾斜角度θは、18〜33°である。
The recessed part is comprised by the base part and the side wall part. The element mounting region of the base (the corner is rounded) is an exposed region (vertical position is the center, horizontal position is the right end) on the upper surface of the first lead electrode, and the vertical region is 840 μm, This is a substantially square region having a width of 840 μm. The second wire connection region is an exposed region on the upper surface of the first lead electrode (continuous to the left of the element mounting region and the lower side is located on the same straight line), and has a substantially rectangular shape with a length of 420 μm and a width of 310 μm. It is an area. The first wire connection region is an exposed region on the upper surface of the second lead electrode (in the vertical direction, the upper side is positioned on the same straight line as the upper side of the element mounting region, and the horizontal direction is the left end). It is a substantially rectangular region of 420 μm and lateral 230 μm. Between the element mounting region of the base portion and the first wire connection region, there is a separation region of the first lead electrode and the second lead electrode, which is constituted by the surface of the resin molded body. The surface of the side wall portion is formed of a resin molded body, and is inclined with the peripheral edge of the base portion as a substantially starting point (termination). The inclination angle θ of the surface of the side wall portion is 18 to 33 °.
パッケージの素子載置領域には、発光素子が1つ、ジメチルシリコーン樹脂である接着剤で接着されている。この発光素子は、サファイア基板上に窒化物半導体の素子構造が積層された、青色(中心波長約453nm)発光可能な、縦650μm、横650μm、厚さ150μmのLED素子である。また、発光素子は、n電極が第2のワイヤ接続領域にワイヤで接続され、p電極が第1のワイヤ接続領域にワイヤで接続されている。ワイヤは、線径25μmの金線である。 One light emitting element is bonded to the element mounting area of the package with an adhesive which is dimethyl silicone resin. This light emitting element is an LED element having a vertical 650 μm, a horizontal 650 μm, and a thickness of 150 μm capable of emitting blue light (center wavelength: about 453 nm), in which a nitride semiconductor element structure is laminated on a sapphire substrate. In the light emitting element, the n electrode is connected to the second wire connection region by a wire, and the p electrode is connected to the first wire connection region by a wire. The wire is a gold wire having a wire diameter of 25 μm.
パッケージの凹部には、封止部材が充填され、発光素子を被覆している。封止部材は、フェニルシリコーン樹脂を母材とし、その中にシリカの充填剤を含有している。封止部材の上面は、パッケージの上面と略同一面であり、ほぼ平坦面(厳密には硬化収縮により若干の凹面)になっている。この封止部材は、液状の構成材料がディスペンサ等によりパッケージの凹部内に滴下され、加熱により固化させることで形成される。 The recess of the package is filled with a sealing member and covers the light emitting element. The sealing member uses a phenyl silicone resin as a base material, and contains a silica filler therein. The upper surface of the sealing member is substantially the same surface as the upper surface of the package, and is a substantially flat surface (strictly concave surface due to curing shrinkage). The sealing member is formed by dropping a liquid constituent material into the recess of the package by a dispenser or the like and solidifying it by heating.
以上のように構成された実施例1の発光装置は、電流65mAにおいて、放射束Φe=117.1mWで発光することができる。これは、上面視同一形状の開口であり傾斜角度θ=63°で一様に傾斜する側壁部表面を有する凹部とする以外は同様に作製された発光装置の放射束Φe=107.8mWに対して、8.7%も高い値である。 The light emitting device of the first embodiment configured as described above can emit light with a radiant flux Φe = 117.1 mW at a current of 65 mA. This is an opening having the same shape when viewed from above, and is a radiant flux Φe = 107.8 mW of a light emitting device manufactured in the same manner except that it is a recess having a side wall surface uniformly inclined at an inclination angle θ = 63 °. The value is as high as 8.7%.
本発明に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。 The light emitting device according to the present invention is used in a backlight device of a liquid crystal display, various lighting fixtures, a large display, various display devices such as advertisements and destination guidance, a projector device, and a digital video camera, a facsimile, a copier, a scanner, etc. It can be used for an image reading device or the like.
100,200…パッケージ
110,210…凹部
111,211…基底部(113,213…素子載置領域、115…第2のワイヤ接続
領域、117,217…ワイヤ接続領域(第1のワイヤ接続領域))
119,219…側壁部
10…第1のリード電極
20…第2のリード電極
30…樹脂成形体
150,250…発光装置
40,41…発光素子
50…ワイヤ
60…封止部材
70…保護素子
80…蛍光体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,200 ... Package 110,210 ...
119, 219 ...
Claims (10)
前記凹部は、基底部と、側壁部と、により構成され、
前記基底部は、前記第1のリード電極の上面が前記樹脂成形体から露出された素子載置領域と、前記第2のリード電極の上面が前記樹脂成形体から露出されたワイヤ接続領域と、を含み、
前記素子載置領域は、前記発光素子の外形に略沿った上面視形状であり、
前記ワイヤ接続領域は、前記素子載置領域に隣接しており該素子載置領域より小型であり、
前記側壁部の表面は、前記素子載置領域及び前記ワイヤ接続領域から上方に向かって該凹部の開口径が大きくなるように傾斜又は湾曲しているパッケージ。 A package comprising a first lead electrode, a second lead electrode, and a resin molded body molded integrally with the first and second lead electrodes, and having a recess for accommodating a light emitting element. ,
The concave portion is constituted by a base portion and a side wall portion,
The base portion includes an element placement region in which an upper surface of the first lead electrode is exposed from the resin molded body, a wire connection region in which an upper surface of the second lead electrode is exposed from the resin molded body, Including
The element mounting area is a top view shape substantially along the outer shape of the light emitting element,
The wire connection area is adjacent to the element placement area and is smaller than the element placement area;
The package in which the surface of the side wall portion is inclined or curved so that the opening diameter of the concave portion increases from the element placement region and the wire connection region upward.
前記素子載置領域に載置された発光素子と、
前記ワイヤ接続領域と前記発光素子を接続したワイヤと、
前記凹部内に充填され、前記発光素子を封止する封止部材と、を備える発光装置。 A package according to any one of claims 1 to 8;
A light emitting element placed in the element placement area;
A wire connecting the wire connection region and the light emitting element;
And a sealing member that fills the recess and seals the light emitting element.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014180087A Division JP6532200B2 (en) | 2014-09-04 | 2014-09-04 | Package and light emitting device using the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019033263A true JP2019033263A (en) | 2019-02-28 |
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6669217B2 (en) |
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