JP2019020483A - Screen for display and method for manufacturing the same - Google Patents

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淳史 渡邉
Atsushi Watanabe
淳史 渡邉
賢 唐井
Masaru Karai
賢 唐井
朋宏 高橋
Tomohiro Takahashi
朋宏 高橋
親史 倉橋
Chikashi Kurahashi
親史 倉橋
浩司 石田
Koji Ishida
浩司 石田
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Abstract

To prevent, in a transmission type screen including a microlens array, overheating of a light-shielding part from causing overheating of the entire screen.SOLUTION: A transmission type screen includes a microlens array, and further includes an aperture array arranged on a surface on the opposite side of a surface on which the microlens array is arranged. A light-shielding part of the aperture array is a metal film, and the metal film has a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明はディスプレイ用スクリーン及びその製造方法に関し、特に透過型のスクリーンに関する。   The present invention relates to a display screen and a method for manufacturing the same, and more particularly to a transmissive screen.

液晶ディスプレイ、プラスズマディスプレイ、リアプロジェクションテレビのコントラストを向上さるために、スクリーンシート上の映像光が透過しない部分を隠蔽する技術が開示されている。当該隠蔽により、グレアなどの視認性悪化の原因となる太陽光などの外光が装置内に入光することを抑制することができる。
例えば特許文献1には、映像光が透過しない部分を隠蔽する方法として、あらかじめV溝に黒インキを充填させたブラックストライプシートを作製し、スクリーンシートと重ねて使用する方法が開示されている。また特許文献2には、スクリーンシートとブラックストライプシートの位置合せを簡単にするために、紫外線を照射することにより非粘着物質に変化する材料を使う方法が開示されている。この方法ではスクリーンシート側から粘着シート側に向けて紫外線を照射し、映像光が透過する部分の粘着材を非粘着に変えておき、この上から黒シートを貼り合せて剥離することで必要な部分だけ黒材料で埋める方法が採用されている。
In order to improve the contrast of a liquid crystal display, a plasma display, and a rear projection television, a technique for hiding a portion on the screen sheet that does not transmit image light is disclosed. Due to the concealment, it is possible to prevent external light such as sunlight that causes deterioration of visibility such as glare from entering the apparatus.
For example, Patent Document 1 discloses a method of concealing a portion through which image light is not transmitted, a method in which a black stripe sheet in which a black groove is filled with black ink in advance is used and overlapped with a screen sheet. Patent Document 2 discloses a method of using a material that changes to a non-adhesive substance by irradiating ultraviolet rays in order to simplify the alignment of the screen sheet and the black stripe sheet. In this method, it is necessary to irradiate ultraviolet rays from the screen sheet side to the adhesive sheet side, change the adhesive material of the part through which the image light is transmitted to non-adhesive, and paste and peel off the black sheet from above. The method of filling only the part with black material is adopted.

特開2006−184609号公報JP 2006-184609 A 特開2001−113538号公報JP 2001-113538 A

特許文献1の手法では、2枚のシートの位置合せ公差が厳しく、映像光が遮光部で遮られやすく、映像が暗くなることがある。また、特許文献2の手法では、ディスプレイの解像度を上げるためにスクリーンのレンズピッチが数10μmサイズと小さくなった場合、黒シートを剥離するときに黒シートが粘着、非粘着の境界部で分離できず、映像光の透過部に残ってしまうことがある。
また、遮光部に黒色材料を用いた場合、当該遮光部は太陽光などの外光を吸収して過熱される。そのため、当該黒色材料を有するスクリーンは、過熱による変形等を生じることがある。
In the method of Patent Document 1, the alignment tolerance between the two sheets is strict, and the image light is likely to be blocked by the light shielding portion, and the image may become dark. Further, in the method of Patent Document 2, when the screen lens pitch is reduced to several tens of μm in order to increase the resolution of the display, the black sheet can be separated at the boundary between the adhesive and non-adhesive when the black sheet is peeled off. Instead, it may remain in the transmission part of the image light.
Further, when a black material is used for the light shielding part, the light shielding part absorbs external light such as sunlight and is overheated. Therefore, the screen having the black material may be deformed by overheating.

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、外光による過熱が抑制可能なディスプレイ用スクリーン、及びその製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of such a situation, and it aims at providing the display screen which can suppress the overheating by external light, and its manufacturing method.

[1] マイクロレンズアレイを備える透過型のスクリーンであって、
前記マイクロレンズアレイの配置された面の反対側の面に配置された開口アレイをさらに備え、
前記開口アレイの遮光部は金属膜であり、
前記金属膜の厚みが50nm以上、200nm以下である、
スクリーン。
[2] 前記金属膜の表面は波長380nmから780nmの光の反射率が80%以上である、請求項1に記載のスクリーン。
[3] 前記金属膜の表面粗さが0.1μm以下であることを特徴とする、[1]又は[2]に記載のスクリーン。
[4] 前記金属膜上に、保護層を備える、請求項[1]〜[3]のいずれかに記載のスクリーン。
[5] マイクロレンズアレイの配置された面の反対側の面に配置された開口アレイを備える透過型スクリーンの製造方法であって、
透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、開口アレイを形成する際、
前記透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、ネガティブレジストを塗布し、
前記マイクロレンズアレイ側から前記透明基材に向かって露光光を照射し、
前記露光光で前記ネガティブレジストを露光し、さらに現像することでレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを形成した前記透明基材の面上に厚みが50nm以上、200nm以下の金属膜を形成し、
前記レジストパターンを除去することで前記金属膜からなる遮光部を有する開口アレイを形成する、
スクリーンの製造方法。
[6] マイクロレンズアレイの配置された面の反対側の面に配置された開口アレイを備える透過型スクリーンの製造方法であって、
透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、開口アレイを形成する際、
前記透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、厚みが50nm以上、200nm以下の金属膜を形成し、
前記金属膜の一部を除去することで前記金属膜からなる遮光部を有する開口アレイを形成する、
スクリーンの製造方法。
[7] 開口アレイを形成した後に、前記金属膜上に、保護層を形成する、[5]又は[6]に記載のスクリーンの製造方法。
[1] A transmissive screen including a microlens array,
An aperture array disposed on a surface opposite to the surface on which the microlens array is disposed;
The light shielding portion of the aperture array is a metal film,
The metal film has a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less,
screen.
[2] The screen according to claim 1, wherein the surface of the metal film has a reflectance of light having a wavelength of 380 nm to 780 nm of 80% or more.
[3] The screen according to [1] or [2], wherein the metal film has a surface roughness of 0.1 μm or less.
[4] The screen according to any one of [1] to [3], further comprising a protective layer on the metal film.
[5] A method of manufacturing a transmissive screen including an aperture array disposed on a surface opposite to a surface on which a microlens array is disposed,
When forming the aperture array on the surface opposite to the surface where the microlens array of the transparent substrate is arranged,
A negative resist is applied to the surface opposite to the surface on which the microlens array of the transparent substrate is disposed,
Irradiate exposure light from the microlens array side toward the transparent substrate,
Exposing the negative resist with the exposure light, further developing to form a resist pattern,
A metal film having a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less is formed on the surface of the transparent substrate on which the resist pattern is formed,
Forming an opening array having a light-shielding portion made of the metal film by removing the resist pattern;
Screen manufacturing method.
[6] A method for manufacturing a transmission screen comprising an aperture array disposed on a surface opposite to a surface on which a microlens array is disposed,
When forming the aperture array on the surface opposite to the surface where the microlens array of the transparent substrate is arranged,
A metal film having a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less is formed on the surface of the transparent substrate opposite to the surface on which the microlens array is disposed,
Forming an opening array having a light shielding portion made of the metal film by removing a part of the metal film;
Screen manufacturing method.
[7] The method for manufacturing a screen according to [5] or [6], wherein a protective layer is formed on the metal film after the opening array is formed.

本発明によれば外光による過熱が抑制可能なディスプレイ用スクリーン、及びその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the screen for a display which can suppress the overheating by external light, and its manufacturing method can be provided.

スクリーンの断面図である。It is sectional drawing of a screen. 開口アレイの撮影像である。It is a picked-up image of an aperture array. ヘッドアップディスプレイの光学系の模式図である。It is a schematic diagram of the optical system of a head-up display. レジストの塗布の模式図である。It is a schematic diagram of application | coating of a resist. レジストの露光の模式図である。It is a schematic diagram of exposure of a resist. 金属膜の形成の模式図である。It is a schematic diagram of formation of a metal film. スクリーンへの入光の模式図である。It is a schematic diagram of the incident light to a screen. レジストの露光の模式図である。It is a schematic diagram of exposure of a resist. 金属膜の形成の模式図である。It is a schematic diagram of formation of a metal film. 蒸着角度と開口アレイの遮光率との相関を示すグラフである。It is a graph which shows the correlation with a vapor deposition angle and the light shielding rate of an opening array. 蒸着角度と露出率との相関を示すグラフである。It is a graph which shows the correlation with a vapor deposition angle and an exposure rate. 反射特性を評価する装置の模式図である。It is a schematic diagram of the apparatus which evaluates a reflective characteristic. 金属膜厚と拡散反射光との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between a metal film thickness and diffused reflected light. 金属膜厚と透過率との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between a metal film thickness and the transmittance | permeability. 実施例及び比較例のスクリーンの拡散反射光の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of the diffuse reflection light of the screen of an Example and a comparative example. スクリーンの断面図である。It is sectional drawing of a screen.

[スクリーン]
図1には透過型のスクリーン20の断面図が示されている。スクリーン20はマイクロレンズアレイ21及び開口アレイ24を備える。開口アレイ24はマイクロレンズアレイ21の配置された面の反対側の面に配置されている。マイクロレンズアレイ21及び開口アレイ24は樹脂製の透明基材28上に配置されている。
[screen]
FIG. 1 shows a cross-sectional view of a transmissive screen 20. The screen 20 includes a microlens array 21 and an aperture array 24. The aperture array 24 is disposed on the surface opposite to the surface on which the microlens array 21 is disposed. The microlens array 21 and the aperture array 24 are disposed on a transparent substrate 28 made of resin.

図1に示すスクリーン20は映像光31を透過させる。この際マイクロレンズアレイ21の有する個別のマイクロレンズ22は映像光31の拡散32を生じる。したがって、映像光31の光軸の向きが分散することで、スクリーン20は光学的スクリーンとして機能する。またマイクロレンズ22の設計により拡散32における拡散角を所望のものとすることができる。拡散角を拡散した映像光31の中心輝度の半値となる位置を全角で表したものとして定義してもよい。マイクロレンズ22はスクリーン20の外部方向、すなわち図中の下方に向かって張り出す凸面を有する。   The screen 20 shown in FIG. At this time, the individual microlenses 22 included in the microlens array 21 cause diffusion 32 of the image light 31. Therefore, the screen 20 functions as an optical screen because the direction of the optical axis of the image light 31 is dispersed. Further, the microlens 22 can be designed to have a desired diffusion angle in the diffusion 32. You may define as a full angle the position which becomes the half value of the center brightness | luminance of the image light 31 which spread | diffused the diffusion angle. The microlens 22 has a convex surface that projects outward from the screen 20, that is, downward in the drawing.

図1に示す開口アレイ24は遮光部25及び開口部26を備える。したがって上述の通り拡散された映像光31は最終的に開口部26を経由してスクリーン20を通り過ぎる。言い換えれば遮光部25は映像光31が透過する部分以外にだけ設けられることが好ましい。   The opening array 24 shown in FIG. 1 includes a light shielding part 25 and an opening part 26. Therefore, the image light 31 diffused as described above finally passes through the screen 20 via the opening 26. In other words, the light shielding portion 25 is preferably provided only in a portion other than the portion through which the image light 31 is transmitted.

図1に示す開口部26の内径は、開口部26における映像光31の断面上の、映像光31の拡がりの径と等しいか、又はこれよりも大きいことが好ましい。例えばスクリーン20を備えるヘッドアップディスプレイにおいてそのように設計する。かかる態様により遮光部25の内表面29で反射される映像光31を減らすことができる。内表面29とは遮光部25の有する面であって透明基材28の頂面側に位置する面である。すなわち外表面27の反対側の面である。   The inner diameter of the opening 26 shown in FIG. 1 is preferably equal to or larger than the diameter of the spread of the image light 31 on the cross section of the image light 31 in the opening 26. For example, a head-up display with a screen 20 is designed as such. In this manner, the image light 31 reflected from the inner surface 29 of the light shielding unit 25 can be reduced. The inner surface 29 is a surface that the light shielding unit 25 has and is a surface that is located on the top surface side of the transparent substrate 28. That is, the surface opposite to the outer surface 27.

図2は開口アレイ24の実例の一つを撮影して得た像である。撮影像に示すように開口アレイ24上には開口部26が格子状に並んでいる。開口部26は遮光部25に取り囲まれている。遮光部25は金属膜である。金属膜は蒸着、スパッタ及び電鋳のいずれかの手段で形成された膜であることが好ましい。金属膜は蒸着膜であることが好ましい。   FIG. 2 is an image obtained by photographing one of the examples of the aperture array 24. As shown in the photographed image, the openings 26 are arranged in a lattice pattern on the opening array 24. The opening 26 is surrounded by the light shielding portion 25. The light shielding part 25 is a metal film. The metal film is preferably a film formed by any of vapor deposition, sputtering and electroforming. The metal film is preferably a deposited film.

金属膜の厚みは、50nm以上、200nm以下である。金属膜の厚みについて、図13及び図14を参照して説明する。本実施形態において金属膜はマトリクス構造を有する薄膜であるため、当該金属膜に外光が入射すると、マトリクス内で回折光となる。
図13に示されるように、拡散反射光として検出される回折光は、金属膜を薄くすることで低減化することが可能であり、本実施形態においては、金属膜の厚みを200nm以下とすることにより、当該拡散反射光が抑制されたスクリーンを得ることができる。一方、図14に示されるように、金属膜を薄くすると、外光が金属膜自体を透過して金属膜の反射効果が低下する恐れがある。本実施形態においては、金属膜の厚みを50nm以上とすることにより、金属膜の反射率が向上し、金属膜の遮蔽により、グレアなどの視認性悪化の原因となる太陽光などの外光が装置内に入光することを抑制することができ、コントラストに優れたスクリーンを得ることができる。金属膜の膜厚の下限は、50nm以上が好ましく、より好ましくは70nm以上、更に好ましくは100nm以上である。
また、金属膜の表面粗さは、JIS B 0601:2013に規定される算術平均粗さRaで0.1μm以下であることが好ましい。
The thickness of the metal film is 50 nm or more and 200 nm or less. The thickness of the metal film will be described with reference to FIGS. In this embodiment, since the metal film is a thin film having a matrix structure, when external light is incident on the metal film, it becomes diffracted light in the matrix.
As shown in FIG. 13, diffracted light detected as diffusely reflected light can be reduced by thinning the metal film. In the present embodiment, the thickness of the metal film is 200 nm or less. Thus, a screen in which the diffuse reflection light is suppressed can be obtained. On the other hand, as shown in FIG. 14, when the metal film is thinned, external light may pass through the metal film itself and the reflection effect of the metal film may be reduced. In the present embodiment, the reflectance of the metal film is improved by setting the thickness of the metal film to 50 nm or more, and external light such as sunlight that causes deterioration of visibility such as glare is caused by shielding the metal film. Light entering the apparatus can be suppressed, and a screen with excellent contrast can be obtained. The lower limit of the thickness of the metal film is preferably 50 nm or more, more preferably 70 nm or more, and still more preferably 100 nm or more.
Moreover, it is preferable that the surface roughness of a metal film is 0.1 micrometer or less by arithmetic mean roughness Ra prescribed | regulated to JISB0601: 2013.

図1に戻る。遮光部25を構成する金属膜の外表面27は鏡面を有することが好ましい。遮光部25において外表面27はマイクロレンズアレイ21から遠い側の表面である。外表面27において、波長380nmから780nmの光の反射率は、好ましくは80%以上、より好ましくは83%以上、さらに好ましくは87%以上である。   Returning to FIG. It is preferable that the outer surface 27 of the metal film constituting the light shielding portion 25 has a mirror surface. In the light shielding part 25, the outer surface 27 is a surface far from the microlens array 21. On the outer surface 27, the reflectance of light having a wavelength of 380 nm to 780 nm is preferably 80% or more, more preferably 83% or more, and further preferably 87% or more.

図1に示す外表面27の反射率は例えば、遮光部25と同様に作製した金属膜であって、開口部を有しないものに対して光を照射し、分光光度計でその反射光の明るさを測定した時の値から求められる。この測定において、入射光は外表面27の法線を基準として10度の角度で外表面27に入射することが好ましい。分光光度計として例えば日立ハイテクサイエンス製のU-4100を用いてもよい。   The reflectance of the outer surface 27 shown in FIG. 1 is, for example, a metal film produced in the same manner as the light shielding portion 25 and having no opening, and light is reflected by a spectrophotometer. It is obtained from the value when the thickness is measured. In this measurement, the incident light is preferably incident on the outer surface 27 at an angle of 10 degrees with respect to the normal line of the outer surface 27. For example, U-4100 made by Hitachi High-Tech Science may be used as the spectrophotometer.

図16に示されるように、本実施形態のスクリーン20においては、前記金属膜上24に、更に保護層49を備えていていもよい。保護層を有することにより、金属膜の傷つきや酸化を抑制できる。
保護層49は透明性を有するものであればよく、光学フイルム等に用いられる公知の樹脂の中から適宜選択することができる。保護層49は1層のみからなるものであってもよく、2層以上の積層構造を有していてもよい。当該積層構造としては、例えば、金属膜上に接着剤層と、補強板とをこの順に有する積層構造が好ましい。接着剤層により、金属膜の開口部を充填し、金属膜の保護性が向上するとともに、剛性を有する補強板によりスクリーンの機械強度を向上し、取扱い性にも優れたスクリーンとなるからである。
接着剤層を構成する樹脂は特に限定されず、例えば、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、エポキシ系接着剤等が挙げられる。また、補強板は特に限定されず、例えば、トリアセチルセルロース(TAC)フイルム、ポリエチレンテレフタレート(PET)フイルム、ポリカーボネートフイルムなどが挙げられる。
また積層構造とする場合、各層に屈折率差を設けることにより、拡散光の強度を下げることができる。好適な組み合わせとして、例えば、接着剤層として屈折率が1.50前後のアクリル系接着剤と、補強板として屈折率が1.60前後のポリカーボネートフイルムとを組み合わせなどが挙げられる。
As shown in FIG. 16, the screen 20 of this embodiment may further include a protective layer 49 on the metal film 24. By having a protective layer, damage and oxidation of the metal film can be suppressed.
The protective layer 49 only needs to have transparency, and can be appropriately selected from known resins used for optical films and the like. The protective layer 49 may consist of only one layer or may have a laminated structure of two or more layers. As the laminated structure, for example, a laminated structure having an adhesive layer and a reinforcing plate on a metal film in this order is preferable. This is because the adhesive layer fills the opening of the metal film to improve the protection of the metal film, and the rigid reinforcing plate improves the mechanical strength of the screen, resulting in a screen with excellent handling properties. .
The resin constituting the adhesive layer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic adhesives, urethane adhesives, and epoxy adhesives. Moreover, a reinforcement board is not specifically limited, For example, a triacetylcellulose (TAC) film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polycarbonate film etc. are mentioned.
In the case of a laminated structure, the intensity of the diffused light can be lowered by providing a refractive index difference in each layer. Suitable combinations include, for example, a combination of an acrylic adhesive having a refractive index of around 1.50 as the adhesive layer and a polycarbonate film having a refractive index of around 1.60 as the reinforcing plate.

[ヘッドアップディスプレイ]
図3にはヘッドアップディスプレイの光学系30が示されている。かかるヘッドアップディスプレイはスクリーン20を備える。スクリーン20は光学系30の一部を構成している。
[Head-up display]
FIG. 3 shows an optical system 30 of a head-up display. Such a head-up display includes a screen 20. The screen 20 constitutes a part of the optical system 30.

図3において実線で表される映像光31はマイクロレンズアレイ21側からスクリーン20に投射される。映像光31は例えばPGU(Picture Generation Unit)で生成される。映像光31はプロジェクション光学系によってスクリーン20に導かれる。   In FIG. 3, video light 31 represented by a solid line is projected onto the screen 20 from the microlens array 21 side. The image light 31 is generated by, for example, PGU (Picture Generation Unit). The image light 31 is guided to the screen 20 by the projection optical system.

図3に示す映像光31はマイクロレンズアレイ21にて拡散される。映像光31はスクリーン20を透過する。映像光31はスクリーン20から拡散光として出射するとともに凹面鏡35で反射される。その後、映像光31はヘッドアップディスプレイを視る観測者に対して虚像の画像として提示される。   Video light 31 shown in FIG. 3 is diffused by the microlens array 21. The image light 31 passes through the screen 20. The image light 31 is emitted from the screen 20 as diffused light and is reflected by the concave mirror 35. Thereafter, the video light 31 is presented as a virtual image to an observer who views the head-up display.

図3に示すように、スクリーン20はマイクロレンズアレイ21を備える。このためスクリーン20の拡散角、効率などをマイクロレンズアレイ21によって制御しやすい。またマイクロレンズアレイ21を利用することで、映像光31によって提示される画像を観測者が視認しやすい画角に調整することもできる。   As shown in FIG. 3, the screen 20 includes a microlens array 21. For this reason, the diffusion angle and efficiency of the screen 20 can be easily controlled by the microlens array 21. Further, by using the microlens array 21, the image presented by the video light 31 can be adjusted to an angle of view that is easy for an observer to visually recognize.

ここでヘッドアップディスプレイを車両に搭載して、その車両を屋外に配置した場合を考える。この場合、図3に示す光学系30には外光34として太陽光が侵入することがある。図3において破線で表される外光34は凹面鏡35で反射される。そして反射後に外光34はスクリーン20に到達する場合がある。   Consider a case where a head-up display is mounted on a vehicle and the vehicle is placed outdoors. In this case, sunlight may enter the optical system 30 shown in FIG. In FIG. 3, external light 34 represented by a broken line is reflected by the concave mirror 35. The external light 34 may reach the screen 20 after reflection.

図3に示すスクリーン20を映像光31の光軸に対して直角な面上に配置すると、映像光31とは逆方向から進入してきた外光34はスクリーン20で反射される。具体的にはマイクロレンズアレイ21又は開口アレイ24で反射される。この際、映像光31の光軸と外光34の光軸とが平行になるため、映像光31に外光34が混ざる可能性がある。   When the screen 20 shown in FIG. 3 is arranged on a plane perpendicular to the optical axis of the image light 31, the external light 34 that has entered from the opposite direction to the image light 31 is reflected by the screen 20. Specifically, the light is reflected by the microlens array 21 or the aperture array 24. At this time, since the optical axis of the video light 31 and the optical axis of the external light 34 are parallel, the external light 34 may be mixed with the video light 31.

図3に示す映像光31に外光34が混ざることで、映像光31によって提示される画像が白化する。したがって、画像のコントラストが低下する。観測者、例えば車両のドライバーにとっては、画像の視認性が悪化するのみならず、画像中に眩しい部分が視認されるようになる。かかる問題は外光34が太陽光である場合に限定されない。またヘッドアップディスプレイが車両に搭載された場合以外であっても同様の問題が生じる。   When the external light 34 is mixed with the video light 31 shown in FIG. 3, the image presented by the video light 31 is whitened. Therefore, the contrast of the image is lowered. For an observer, for example, a driver of a vehicle, not only the visibility of the image is deteriorated, but also a dazzling part is visually recognized in the image. Such a problem is not limited to the case where the external light 34 is sunlight. The same problem occurs even when the head-up display is not mounted on the vehicle.

本実施形態では、図3に示すように開口部26から出射する映像光31の光軸と、遮光部25で反射する外光34の光軸とが平行にならないように、スクリーン20が傾けてある。マイクロレンズアレイ21側からスクリーン20に投射される映像光31の光軸に対してスクリーン20が斜めになるようにスクリーン20を傾ける。これにより、進入してきた外光34を映像光31の光軸とは別の方向に逃がすことが出来る。したがって、外光34は映像光31に混ざりにくいので画像の白化が抑制される。   In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the screen 20 is inclined so that the optical axis of the image light 31 emitted from the opening 26 and the optical axis of the external light 34 reflected by the light shielding unit 25 are not parallel. is there. The screen 20 is tilted so that the screen 20 is inclined with respect to the optical axis of the image light 31 projected on the screen 20 from the microlens array 21 side. Thereby, the incoming external light 34 can escape in a direction different from the optical axis of the image light 31. Accordingly, since the external light 34 is not easily mixed with the video light 31, whitening of the image is suppressed.

図3に示すように本実施形態のヘッドアップディスプレイはさらに吸光部36を備える。吸光部36は遮光部25で反射した外光34が当たる。吸光部36には黒色塗装やアルマイト処理などが施されている。吸光部36は外光34を吸収する。このため外光34が光学系30において迷光となることは抑制される。   As shown in FIG. 3, the head-up display of this embodiment further includes a light absorption unit 36. The light absorption unit 36 receives external light 34 reflected by the light shielding unit 25. The light absorption part 36 is subjected to black coating, anodizing, or the like. The light absorption unit 36 absorbs external light 34. For this reason, the external light 34 is suppressed from becoming stray light in the optical system 30.

なお背景技術で説明したようにブラックレジストのような、ブラックマトリックスを遮光部25の代替として用いても画像のコントラストを高めることができる。しかしながら、図3に示す外光34は凹面鏡35でスクリーン上に集められるため、ブラックマトリックスで外光34のエネルギーを効率的に吸収してしまう。したがってスクリーンはブラックマトリクスとともに過熱しやすくなる。   As described in the background art, the contrast of an image can be increased even when a black matrix such as a black resist is used as an alternative to the light shielding portion 25. However, since the external light 34 shown in FIG. 3 is collected on the screen by the concave mirror 35, the energy of the external light 34 is efficiently absorbed by the black matrix. Therefore, the screen tends to overheat with the black matrix.

ここでスクリーンが樹脂製の透明基材で構成されていれば、スクリーンの変形や発火を引き起こす可能性がある。このため、ヘッドアップディスプレイにおいて、スクリーンにはブラックマトリックスのような吸収型のコントラスト向上手段が適していない。かかる問題は外光34が太陽光である場合に限定されない。またヘッドアップディスプレイが車両に搭載された場合以外であっても同様の問題が生じる。   If the screen is made of a transparent substrate made of resin, there is a possibility that the screen is deformed or ignited. For this reason, in a head-up display, an absorption type contrast improving means such as a black matrix is not suitable for the screen. Such a problem is not limited to the case where the external light 34 is sunlight. The same problem occurs even when the head-up display is not mounted on the vehicle.

これに対して本実施形態では図3に示すように、スクリーン20に到達した外光34を吸光部36に逃がすことができる。これはスクリーン20に金属膜からなる遮光部25を設けてあるからである。遮光部25は、正反射により外光34を反射させる。このため遮光部25は過熱しにくいのでスクリーン20も過熱しにくい。   On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 3, the external light 34 that has reached the screen 20 can be released to the light absorber 36. This is because the screen 20 is provided with a light shielding portion 25 made of a metal film. The light shielding unit 25 reflects the external light 34 by regular reflection. For this reason, since the light shielding part 25 is hard to overheat, the screen 20 is also hard to overheat.

[マイクロレンズアレイの形成方法]
図1に示すマイクロレンズアレイ21は公知の方法に従いシートとして形成できる。マイクロレンズアレイシートの成形に使用する金型は、切削で形成してもよい。またフォトリソグラフィで鋳型を作り、かかる鋳型を元にして金型を形成してもよい。金型はレーザアブレーションにより作製してもよい。マイクロレンズアレイシートの成形に耐えうる金型であればどのような金型でも使うことが出来る。
[Method for forming microlens array]
The microlens array 21 shown in FIG. 1 can be formed as a sheet according to a known method. The mold used for forming the microlens array sheet may be formed by cutting. Alternatively, a mold may be formed by photolithography, and a mold may be formed based on the mold. The mold may be produced by laser ablation. Any mold can be used as long as it can withstand the molding of the microlens array sheet.

図1に示すマイクロレンズアレイ21の成形では、射出成形、プレス成形、及び紫外線硬化による成形など、樹脂シートの成形に好適な手段が広く利用できる。また成形して得られたシートを透明基材28に貼り付けてもよい。また透明基材28上に配置した樹脂を成形してもよい。   In the molding of the microlens array 21 shown in FIG. 1, means suitable for molding a resin sheet, such as injection molding, press molding, and molding by ultraviolet curing, can be widely used. Further, a sheet obtained by molding may be attached to the transparent substrate 28. Moreover, you may shape | mold resin arrange | positioned on the transparent base material 28. FIG.

[開口アレイの形成方法]
一方、開口アレイの形成では以下に留意する必要がある。すなわち図3に示すように開口アレイ24は外光34を遮るが、映像光31を遮らない。したがってマイクロレンズアレイ21におけるマイクロレンズ22の配置に基づき、透明基材28上に正確に開口アレイのパターンを形成する必要がある。
[Method for forming aperture array]
On the other hand, it is necessary to pay attention to the following when forming the aperture array. That is, as shown in FIG. 3, the aperture array 24 blocks outside light 34 but does not block image light 31. Therefore, it is necessary to accurately form an aperture array pattern on the transparent substrate 28 based on the arrangement of the microlenses 22 in the microlens array 21.

開口アレイのパターン形成法の一実施形態としては、透明基材の前記マイクロレンズアレイが配置された面とは反対側の面に、厚みが50nm以上、200nm以下の金属膜を形成し、前記金属膜の一部を除去することで前記金属膜からなる遮光部を有する開口アレイを形成する方法が挙げられる。本実施形態においては、金属膜の厚みが50nm以上、200nm以下と比較的薄い膜であるため、この方法で形成された遮光部であっても、外光を遮断し、映像光は効率よく透過するスクリーンが得られる。   As an embodiment of the pattern forming method of the aperture array, a metal film having a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less is formed on the surface of the transparent substrate opposite to the surface on which the microlens array is arranged, and the metal There is a method of forming an aperture array having a light shielding portion made of the metal film by removing a part of the film. In this embodiment, since the metal film is a relatively thin film with a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less, even a light shielding portion formed by this method blocks external light and efficiently transmits image light. The screen to be obtained is obtained.

しかしながら、本実施形態ではパターン形成法としてセルフアライメント露光を用いることが好ましい。セルフアライメント露光では図1及び3に示すマイクロレンズアレイ21自身の集光機能を利用して、フォトレジストを露光する。セルフアライメント露光を用いる際には、不要な金属膜を選択的に除去することで、開口部26を形成するためにリフトオフ法を組み合わせることが好ましい。   However, in the present embodiment, it is preferable to use self-alignment exposure as a pattern forming method. In the self-alignment exposure, the photoresist is exposed using the condensing function of the microlens array 21 itself shown in FIGS. When using self-alignment exposure, it is preferable to combine a lift-off method in order to form the opening 26 by selectively removing an unnecessary metal film.

図4−8を用いて、透明基材28上に開口アレイを形成する方法を説明する。図4はレジストの塗布の模式図である。透明基材28の片面、すなわち底面38にはマイクロレンズアレイ21が形成されている。レジスト41を透明基材28の頂面39に塗布する。頂面39は底面38の反対側の面である。レジスト41はネガティブレジストである。レジスト41は感光性樹脂であることが好ましい。   A method for forming an aperture array on the transparent substrate 28 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic diagram of resist application. The microlens array 21 is formed on one surface of the transparent substrate 28, that is, the bottom surface 38. A resist 41 is applied to the top surface 39 of the transparent substrate 28. The top surface 39 is a surface opposite to the bottom surface 38. The resist 41 is a negative resist. The resist 41 is preferably a photosensitive resin.

図4に示す頂面39にレジスト41を塗布する方法としては、スピンコート、ダイコート、スプレーコート、ロールコート、などを使うことができる。さらに塗布したレジスト41の溶媒を揮発させるために乾燥を行う。乾燥には、ホットプレート、オーブン、真空乾燥機、赤外線ヒータなどを使うことができる。塗布及び乾燥を行わない方法として、フイルムレジストをラミネートする方法をとることができる。   As a method of applying the resist 41 to the top surface 39 shown in FIG. 4, spin coating, die coating, spray coating, roll coating, or the like can be used. Further, drying is performed to volatilize the solvent of the applied resist 41. For drying, a hot plate, an oven, a vacuum dryer, an infrared heater, or the like can be used. As a method of not applying and drying, a method of laminating a film resist can be taken.

図5はレジストの露光の模式図である。マイクロレンズアレイ21の側から透明基材28に向かって露光光44を照射する。露光光44は紫外光であることが好ましい。露光光44は、マイクロレンズアレイ21の各マイクロレンズにて集光される。露光光44でレジスト41を露光する。このとき、マイクロレンズアレイ21のマイクロレンズの種類が複数種類含まれる場合は、マイクロレンズの焦点距離、拡散角に応じて開口径が変化しても良い。   FIG. 5 is a schematic view of resist exposure. Exposure light 44 is irradiated from the microlens array 21 side toward the transparent substrate 28. The exposure light 44 is preferably ultraviolet light. The exposure light 44 is collected by each microlens of the microlens array 21. The resist 41 is exposed with the exposure light 44. At this time, when a plurality of types of microlenses of the microlens array 21 are included, the aperture diameter may change according to the focal length and the diffusion angle of the microlens.

図5に示す露光光44として、レジスト41を感光できる波長が含まれる光が使用できる。露光光44の光源は、図3に示す映像光31と投影角度および瞳直径が略同一の光を出射できる光源が好ましい。露光光44の光源は、視角が小さい光源が好ましい。   As the exposure light 44 shown in FIG. 5, light including a wavelength capable of exposing the resist 41 can be used. The light source of the exposure light 44 is preferably a light source that can emit light having substantially the same projection angle and pupil diameter as the image light 31 shown in FIG. The light source of the exposure light 44 is preferably a light source having a small viewing angle.

上記のようセルフアライメント露光を行うことは、後述する図7に示すような映像光31の光路と略同一光路で露光光を透過させることに適する。すなわち、映像光が図4に示すレジスト41に照射されたのであれば、レジスト41のうち、かかる映像光が透過すると考えられる部分だけを感光させることに適する。かかる部分のレジスト41は、図5に示す被露光レジスト42に変化する。   Performing self-alignment exposure as described above is suitable for allowing exposure light to pass through substantially the same optical path as the image light 31 as shown in FIG. That is, if the image light is irradiated onto the resist 41 shown in FIG. 4, it is suitable for exposing only a part of the resist 41 that is considered to transmit the image light. This portion of the resist 41 changes to an exposed resist 42 shown in FIG.

図6は、金属膜43の形成の工程を示す。金属膜43を形成する前に図5に示すレジスト41及び被露光レジスト42を現像する。現像に際して、露光が終わったレジストを透明基材板28ごと、現像液に晒す。現像液は、レジスト41に使用する材料に適したアルカリ現像液を使用すればよい。現像法は、浸漬法、揺動法、パドル法、及びスプレー法などが使用できる。現像後は、純水にて水洗し、乾燥させる。   FIG. 6 shows a process of forming the metal film 43. Before forming the metal film 43, the resist 41 and the resist to be exposed 42 shown in FIG. 5 are developed. At the time of development, the exposed resist is exposed to the developer together with the transparent base plate 28. As the developer, an alkali developer suitable for the material used for the resist 41 may be used. As the development method, an immersion method, a rocking method, a paddle method, a spray method, or the like can be used. After development, it is washed with pure water and dried.

上記によりレジスト41中の感光していない部分を除去する。その後、図6に示すレジストパターン45が形成される。レジストパターン45を形成した頂面39の上に金属膜48を形成する。金属膜48の形成は、蒸着、スパッタ及び電鋳のいずれかの手段で行ってもよいがこれらに限定されない。   As described above, the unexposed portion of the resist 41 is removed. Thereafter, a resist pattern 45 shown in FIG. 6 is formed. A metal film 48 is formed on the top surface 39 on which the resist pattern 45 is formed. The formation of the metal film 48 may be performed by any one of vapor deposition, sputtering, and electroforming, but is not limited thereto.

図6に示すレジストパターン45を透明基材28上から除去する。レジストパターン45の除去により、図7に示すように金属膜48(図6)からなる開口アレイ24が形成される。被露光レジスト42は除去された箇所には図2に示すような開口部26が生じる。以上によりスクリーン20を作製できる。   The resist pattern 45 shown in FIG. 6 is removed from the transparent substrate 28. By removing the resist pattern 45, an opening array 24 made of the metal film 48 (FIG. 6) is formed as shown in FIG. An opening 26 as shown in FIG. 2 is formed at the portion where the exposed resist 42 is removed. Thus, the screen 20 can be manufactured.

図6に示すレジストパターン45の除去はリフトオフによって行うことが好ましい。リフトオフにおいては溶剤を被露光レジスト42に接触させることが好ましい。またリフトオフ溶液内に透明基材28ごと浸漬することでレジストパターン45を除去することが好ましい。リフトオフを促進させるために、リフトオフ溶液を加温してもよい。リフトオフを促進させるために、透明基材28に振動を与えてもよい。   The removal of the resist pattern 45 shown in FIG. 6 is preferably performed by lift-off. In the lift-off, it is preferable to bring the solvent into contact with the resist 42 to be exposed. Further, it is preferable to remove the resist pattern 45 by immersing the transparent substrate 28 together in the lift-off solution. The lift-off solution may be warmed to facilitate lift-off. In order to promote lift-off, the transparent substrate 28 may be vibrated.

上記リフトオフにおいては図6に示す被露光レジスト42の側面において、金属膜48に被覆されず、露出している部分が必要である。上記観点から、図6に示す金属膜48の形成手段として、蒸着法が好適である。蒸着法では金属粒子が蒸気流47として直進する。このため、被露光レジスト42の側面に金属粒子が回り込むことが少ない。したがって、被露光レジスト42の側面が金属膜48に被覆されにくい。   In the lift-off, the exposed portion of the resist 42 shown in FIG. 6 that is not covered with the metal film 48 and is exposed is required. From the above viewpoint, a vapor deposition method is suitable as a means for forming the metal film 48 shown in FIG. In the vapor deposition method, the metal particles go straight as the vapor flow 47. For this reason, the metal particles rarely wrap around the side surface of the exposed resist 42. Therefore, the side surface of the exposed resist 42 is not easily covered with the metal film 48.

[セルフアライメント露光の効果]
図7に示すように、開口アレイは映像光31が通過する部分以外を遮光している。これは上記セルフアライメント法により、図7に示す映像光31が通過する開口部26が形成されるべき部位を、図5に示す露光光44が通過するようにしたからである。すなわち上記セルフアライメント法により開口部26が形成されるべき部位に被露光レジスト42を設けることが本実施形態のレジストパターン形成の要点である。
[Effect of self-alignment exposure]
As shown in FIG. 7, the aperture array blocks light other than the portion through which the image light 31 passes. This is because the exposure light 44 shown in FIG. 5 passes through the site where the opening 26 through which the image light 31 shown in FIG. 7 passes should be formed by the self-alignment method. That is, the essential point of the resist pattern formation of the present embodiment is to provide the resist 42 to be exposed at the site where the opening 26 is to be formed by the self alignment method.

本実施形態では上記セルフアライメント法によりスクリーンを作製し、さらにかかるスクリーンをヘッドアップディスプレイ内に配置することでヘッドアップディスプレイを製造できる。   In the present embodiment, a head-up display can be manufactured by producing a screen by the self-alignment method and disposing the screen in the head-up display.

このとき図7に示すマイクロレンズアレイ21側からスクリーン20に対して映像光31が投射されるように、スクリーン20を配置する。かかる方法により製造されたヘッドアップディスプレイでは、開口部26での映像光31の透過が効率的に行われる。なぜならセルフアライメント法により、開口部26は映像光31が透過すべき位置に予め正確に設けられているからである。   At this time, the screen 20 is arranged so that the image light 31 is projected onto the screen 20 from the microlens array 21 side shown in FIG. In the head-up display manufactured by such a method, the image light 31 is efficiently transmitted through the opening 26. This is because, by the self-alignment method, the opening 26 is accurately provided in advance at a position where the image light 31 should be transmitted.

さらに、セルフアライメント法を用いたヘッドアップディスプレイの製造方法では、図5に示す露光光44及び図7に示す映像光31の少なくともいずれか一方を調整してもよい。具体的には図5に示す露光光44の像点距離Exと、図7に示す映像光31の像点距離Imとが等しくなるように調整してもよい。あるいはこれらの像点距離の差が10、9、8、7,6、5、4、3、2及び1%のいずれかの範囲内にあることが好ましい。   Furthermore, in the head-up display manufacturing method using the self-alignment method, at least one of the exposure light 44 shown in FIG. 5 and the image light 31 shown in FIG. 7 may be adjusted. Specifically, the image point distance Ex of the exposure light 44 shown in FIG. 5 and the image point distance Im of the video light 31 shown in FIG. 7 may be adjusted to be equal. Alternatively, the difference between these image point distances is preferably in the range of 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, and 1%.

上記により、図7に示す開口部26の内径は、開口部26における断面上の映像光31の拡がりの径と実質的に等しくすることができる。遮光部25の内表面29で反射される映像光31を減らしつつ、遮光部25での外光34の反射の効率も高めることができる。   As described above, the inner diameter of the opening 26 shown in FIG. 7 can be made substantially equal to the diameter of the spread of the image light 31 on the cross section in the opening 26. While reducing the image light 31 reflected by the inner surface 29 of the light shielding part 25, the efficiency of reflection of the external light 34 by the light shielding part 25 can also be increased.

上記態様により、図3に示すヘッドアップディスプレイの光学系、すなわち図3に示す光学系30の設計に応じて、映像光の透過効率と、外光の反射効率とのバランスをとることができる。したがってヘッドアップディスプレイの設計に基づく要求に応じて、映像光の透過効率の向上とコントラストの向上とを両立するよう調整できる。   According to the above aspect, it is possible to balance the transmission efficiency of image light and the reflection efficiency of external light according to the design of the optical system of the head-up display shown in FIG. 3, that is, the optical system 30 shown in FIG. Therefore, according to the request based on the design of the head-up display, it is possible to adjust both the improvement of the transmission efficiency of the image light and the improvement of the contrast.

[マイクロレンズの像点とリフトオフとの関係]
図5に戻る。像点50は、マイクロレンズアレイ21の有するマイクロレンズに関する露光光44の像点である。像点50はマイクロレンズに対して、塗布されたレジスト41よりも手前にある。図中では像点50は透明基材28中にあるが、他の態様において像点50はマイクロレンズアレイ21中にあってもよい。
[Relationship between image point of microlens and lift-off]
Returning to FIG. The image point 50 is an image point of the exposure light 44 relating to the microlens included in the microlens array 21. The image point 50 is in front of the applied resist 41 with respect to the microlens. Although the image point 50 is in the transparent substrate 28 in the drawing, the image point 50 may be in the microlens array 21 in other embodiments.

ここで図6に示す被露光レジスト42は、マイクロレンズアレイ21から離れるにつれて先太りになる。被露光レジスト42はいわゆる逆テーパ形状を成している。これは図5に示すように被露光レジスト42に露光光44が到達する時点で、すでに露光光44は像点50を通り過ぎており、露光光44は発散している途中だからである。   Here, the exposed resist 42 shown in FIG. 6 becomes thicker as the distance from the microlens array 21 increases. The exposed resist 42 has a so-called reverse taper shape. This is because, as shown in FIG. 5, when the exposure light 44 reaches the resist to be exposed 42, the exposure light 44 has already passed the image point 50, and the exposure light 44 is in the process of diverging.

図6に示す蒸気流47が一方向から頂面39に吹き付けられる場合、頂面39に対する蒸気流47の角度は制限されない。なぜなら逆テーパ形状をしている被露光レジスト42の側面は、蒸気流47に対して、いずれかの方向において、必ず陰になるからである。   When the steam flow 47 shown in FIG. 6 is sprayed on the top surface 39 from one direction, the angle of the steam flow 47 with respect to the top surface 39 is not limited. This is because the side surface of the exposed resist 42 having a reverse taper shape is always shaded in any direction with respect to the vapor flow 47.

したがって図6に示す頂面39に衝突する蒸気流47の方向が、頂面39の法線方向を基準として傾斜していないことが好ましい。また蒸気流47の方向が0°から20°傾斜していてもよい。かかる傾斜の範囲は、好ましくは0°から10°、さらに好ましくは0°から5°である。かかる傾斜が小さいほど効率的に金属膜46を厚くすることができる。   Therefore, it is preferable that the direction of the vapor flow 47 impinging on the top surface 39 shown in FIG. 6 is not inclined with respect to the normal direction of the top surface 39. Further, the direction of the vapor flow 47 may be inclined from 0 ° to 20 °. The range of such inclination is preferably 0 ° to 10 °, more preferably 0 ° to 5 °. The smaller the inclination, the more efficiently the metal film 46 can be made thicker.

図5に示す像点50と、塗布されたレジスト41との位置関係は任意に調整することができる。かかる位置関係は、例えば透明基材28及びマイクロレンズアレイ21の基部19の少なくともいずれか一方の厚みで調整することができる。ただし、これらの厚みの合計が大きくなり、像点50の像点距離Exが変わらない場合、マイクロレンズアレイ21の主面からレジスト41までの距離が相対的に大きくなる。なお図において像点50の像点距離Exはマイクロレンズアレイ21と透明基材28との界面で露光光44が屈折することも考慮されている。図7に示す映像光31の像点距離Imも同様である。   The positional relationship between the image point 50 shown in FIG. 5 and the applied resist 41 can be arbitrarily adjusted. Such positional relationship can be adjusted, for example, by the thickness of at least one of the transparent substrate 28 and the base portion 19 of the microlens array 21. However, when the sum of these thicknesses increases and the image point distance Ex of the image point 50 does not change, the distance from the main surface of the microlens array 21 to the resist 41 becomes relatively large. In the figure, the image point distance Ex of the image point 50 also takes into account that the exposure light 44 is refracted at the interface between the microlens array 21 and the transparent substrate 28. The image point distance Im of the image light 31 shown in FIG.

上記のように像点50の像点距離Exよりも、マイクロレンズアレイ21の主面からレジスト41までの距離の方が著しく大きくなった場合、マイクロレンズアレイ21中の隣接するマイクロレンズの各々で拡散された露光光44が、レジスト41において相互に重なる可能性がある。この場合、レジスト41は大部分が露光される。したがって、図2に示すように遮光部25に囲まれた開口部26が形成できなくなる。このため、図3に示す開口アレイ24は外光34を効率的に反射することができなくなる。   As described above, when the distance from the main surface of the microlens array 21 to the resist 41 is significantly larger than the image point distance Ex of the image point 50, each of the adjacent microlenses in the microlens array 21 has the same distance. The diffused exposure light 44 may overlap each other in the resist 41. In this case, most of the resist 41 is exposed. Accordingly, as shown in FIG. 2, the opening 26 surrounded by the light shielding portion 25 cannot be formed. For this reason, the aperture array 24 shown in FIG. 3 cannot reflect the external light 34 efficiently.

[像点よりもレジストの方がマイクロレンズ主面に近い場合]
図8はレジストの露光の他の態様を表す。各マイクロレンズで拡散される露光光44は説明の便宜のために一部省略されている。透明基材28及び基部19の厚みの合計が小さくなり、像点50の像点距離Exが変わらない場合、マイクロレンズアレイ21の主面からレジスト41までの距離が相対的に小さくなる。図中ではマイクロレンズアレイ21の有するマイクロレンズに関する露光光44の像点は、かかるマイクロレンズに対して、レジスト41よりも遠くにある。なお図8において像点50の像点距離Exは透明基材28及びレジスト41で露光光44が屈折することも考慮されている。
[When the resist is closer to the main surface of the microlens than the image point]
FIG. 8 shows another aspect of resist exposure. The exposure light 44 diffused by each microlens is partially omitted for convenience of explanation. When the total thickness of the transparent base material 28 and the base 19 becomes small and the image point distance Ex of the image point 50 does not change, the distance from the main surface of the microlens array 21 to the resist 41 becomes relatively small. In the drawing, the image point of the exposure light 44 relating to the microlens of the microlens array 21 is farther than the resist 41 with respect to the microlens. In FIG. 8, it is considered that the image point distance Ex of the image point 50 is that the exposure light 44 is refracted by the transparent substrate 28 and the resist 41.

上記の場合、図8に示す被露光レジスト42は、マイクロレンズアレイ21から離れるにつれて先細りになる。被露光レジスト42は、いわゆる順テーパ形状を成している。これは図に示すように被露光レジスト42に露光光44が到達する時点では、まだ露光光44は像点を通り過ぎておらず、露光光44は収束している途中だからである。   In the above case, the resist 42 to be exposed shown in FIG. 8 becomes tapered as the distance from the microlens array 21 increases. The exposed resist 42 has a so-called forward tapered shape. This is because, as shown in the figure, when the exposure light 44 reaches the resist to be exposed 42, the exposure light 44 has not yet passed the image point, and the exposure light 44 is in the process of convergence.

この場合、上述したリフトオフにおいて問題が生じる可能性がある。図8に示すように被露光レジスト42が順テーパの場合は、レジストパターンのリフトオフが出来ないことがある。図9に示すように頂面39に対して直角な蒸気流47が吹き付けるように蒸着を行うと、被露光レジスト42が金属粒子によって完全に覆い尽くされる。これは被露光レジスト42の側面において、蒸気流47に対して、陰となる部分が出来ないことによる。   In this case, a problem may occur in the lift-off described above. As shown in FIG. 8, when the exposed resist 42 has a forward taper, the resist pattern may not be lifted off. As shown in FIG. 9, when the vapor deposition is performed such that a vapor flow 47 perpendicular to the top surface 39 is sprayed, the resist 42 to be exposed is completely covered with the metal particles. This is due to the fact that there is no shadow portion on the side surface of the exposed resist 42 with respect to the vapor flow 47.

上記の場合は、図9に示すように蒸気流51のように蒸気流を傾斜させることで、被露光レジスト42の側面において、金属膜48に被覆されず、露出している部分が生じる。頂面39に衝突する蒸気流51の方向の傾斜の大きさは、頂面39の法線方向を基準とする蒸着角度Vaに示される。蒸着角度Vaが60°を超えると、頂面39中で被露光レジスト42の陰となる部分が大きくなる場合がある。このため、遮光部を形成するのに十分な量の金属を、陰となる部分には送ることができない。   In the above case, as shown in FIG. 9, by inclining the vapor flow like the vapor flow 51, the exposed portion of the side surface of the resist 42 to be exposed is not covered with the metal film 48. The magnitude of the inclination in the direction of the vapor flow 51 impinging on the top surface 39 is indicated by the vapor deposition angle Va with reference to the normal direction of the top surface 39. When the vapor deposition angle Va exceeds 60 °, the portion of the top surface 39 that is the shadow of the resist to be exposed 42 may become large. For this reason, a sufficient amount of metal to form the light shielding portion cannot be sent to the shaded portion.

図10のグラフに、蒸着角度Vaと、開口アレイの遮光率との関係を示す。グラフは図9に示す頂面39に対して、蒸着角度Vaを変化させて蒸着を行った場合の開口アレイの遮光率を表す。被露光レジスト42は直径10μmの略円柱形状を有する。被露光レジスト42に依拠して形成される、開口アレイの開口部のピッチは20μmである。   The graph of FIG. 10 shows the relationship between the deposition angle Va and the light shielding rate of the aperture array. The graph represents the light shielding rate of the aperture array when the deposition is performed while changing the deposition angle Va with respect to the top surface 39 shown in FIG. The exposed resist 42 has a substantially cylindrical shape with a diameter of 10 μm. The pitch of the openings in the opening array formed on the exposed resist 42 is 20 μm.

図10に示す遮光率は、図9に示す頂面39上において金属膜の形成された面積の割合を示す。被露光レジスト42の高さは1μm及び5μmのいずれかである。高さ1μmの場合に比べて、高さ5μmの場合においては、被露光レジスト42の陰となる部分が大きくなる。このため、高さ5μmの場合において、高さ1μmの場合よりも遮光率が小さい。被露光レジスト42の高さが5μmの場合は、蒸着角度Vaを60°より大きくすると急激に遮光率が低くなる。   The light shielding rate shown in FIG. 10 indicates the ratio of the area where the metal film is formed on the top surface 39 shown in FIG. The height of the exposed resist 42 is 1 μm or 5 μm. Compared with the height of 1 μm, the shadowed portion of the exposed resist 42 becomes larger in the case of the height of 5 μm. For this reason, when the height is 5 μm, the light blocking ratio is smaller than when the height is 1 μm. In the case where the height of the resist to be exposed 42 is 5 μm, the light shielding rate is drastically lowered when the deposition angle Va is larger than 60 °.

図11のグラフに、蒸着角度Vaと、レジストの露出率との関係を示す。レジストの露出率とは、図9に示す被露光レジスト42の側面における面積を基準とした露出率を表す。被露光レジスト42の高さが1μmの場合と、5μmの場合とでは露出率に殆んど違いはない。蒸着角度Vaを0°より大きくすることで被露光レジスト42の側面を露出させることができる。   The graph of FIG. 11 shows the relationship between the vapor deposition angle Va and the resist exposure rate. The resist exposure rate represents an exposure rate based on the area of the side surface of the exposed resist 42 shown in FIG. There is almost no difference in the exposure rate when the height of the exposed resist 42 is 1 μm and when it is 5 μm. By making the deposition angle Va larger than 0 °, the side surface of the resist 42 to be exposed can be exposed.

上記より図9に示す蒸着角度Vaは、
蒸着膜の厚みと、
被露光レジスト42の側面において露出させたい部分の大きさと、
被露光レジスト42の陰となって蒸着されない頂面39の部分の大きさと、
を相補的に加味して決定することができる。
From the above, the deposition angle Va shown in FIG.
The thickness of the deposited film,
The size of the portion to be exposed on the side surface of the exposed resist 42;
The size of the portion of the top surface 39 that is not deposited behind the exposed resist 42;
Can be determined in a complementary manner.

上記の方針に基づくことで、図9に示す蒸着角度Vaは20°から60°の範囲とすることができる。蒸着角度Vaは45°が好適である。かかる蒸着角度Vaにより、被露光レジスト42の側面への金属の蒸着を抑制することでリフトオフを効率的に行うことができる。さらに頂面39において遮光部を形成すべき部分への金属の蒸着を効率よく行うことができる。   Based on the above policy, the deposition angle Va shown in FIG. 9 can be in the range of 20 ° to 60 °. The vapor deposition angle Va is preferably 45 °. With this deposition angle Va, lift-off can be efficiently performed by suppressing metal deposition on the side surface of the resist 42 to be exposed. Furthermore, it is possible to efficiently deposit metal on a portion of the top surface 39 where the light shielding portion is to be formed.

金属膜上に更に保護層を設ける場合、当該保護層の形成方法は特に限定されず、保護層の材質等に応じて公知の方法を用いることができる。
例えば、保護層として好ましい、金属膜上に接着剤層と、補強板とをこの順に有する積層構造の場合、まず、接着剤層形成用組成物を例えば、真空蒸着、気相蒸着、スパッタ、スピンコート、ディップコート、バーコートなどを用いて、金属膜上に塗布し、次いで、接着剤層上に補強板を貼り合わせることにより、保護層として積層構造を形成することができる。
When a protective layer is further provided on the metal film, the method for forming the protective layer is not particularly limited, and a known method can be used according to the material of the protective layer.
For example, in the case of a laminated structure having an adhesive layer and a reinforcing plate in this order, which is preferable as a protective layer, first, the composition for forming an adhesive layer is, for example, vacuum deposition, vapor deposition, sputtering, spin A laminated structure can be formed as a protective layer by applying a coat, dip coat, bar coat or the like on a metal film and then bonding a reinforcing plate on the adhesive layer.

なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば図1に示す透明基材28とマイクロレンズアレイ21とは継ぎ目のない一体の部材として成形してもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, the transparent substrate 28 and the microlens array 21 shown in FIG. 1 may be molded as a seamless integral member.

(実施例1)
図4に示す透明基材28及びマイクロレンズアレイ21を備えるマイクロレンズアレイシートを形成した。紫外線硬化樹脂を使いポリカーボネートフイルム製の透明基材28上にマイクロレンズアレイ21を成形した。ポリカーボネートフイルムの厚みは100μmとした。紫外線硬化樹脂としてアクリル系樹脂を使用した。紫外線の照射量は500mJ/cmとした。
Example 1
A microlens array sheet including the transparent substrate 28 and the microlens array 21 shown in FIG. 4 was formed. The microlens array 21 was formed on a transparent substrate 28 made of polycarbonate film using an ultraviolet curable resin. The thickness of the polycarbonate film was 100 μm. An acrylic resin was used as the ultraviolet curable resin. The irradiation amount of ultraviolet rays was 500 mJ / cm 2 .

図4に示すように、マイクロレンズアレイシートの裏側、すなわち頂面39に、レジスト41を塗布した。塗布はスピンコート法により行った。レジスト41の膜厚が5μmになるように、ワークであるマイクロレンズアレイシートの回転数を調整した。レジスト41は東京応化製のネガ型フォトレジストであるPMER N−CA3000を用いた。レジスト41をオーブンにて70℃20分乾燥させた。   As shown in FIG. 4, a resist 41 was applied to the back side of the microlens array sheet, that is, the top surface 39. Application was performed by a spin coating method. The rotational speed of the microlens array sheet, which is a workpiece, was adjusted so that the film thickness of the resist 41 was 5 μm. As the resist 41, PMER N-CA3000, which is a negative photoresist manufactured by Tokyo Ohka, was used. The resist 41 was dried in an oven at 70 ° C. for 20 minutes.

マイクロレンズアレイシートをUV露光装置のステージに設置した。この時、図5に示すマイクロレンズアレイ21を上にした。マイクロレンズアレイ21側から紫外線を照射した。露光量は500mJ/cmとした。露光後、マイクロレンズアレイシートをオーブン中にて、70℃20分間、PEB(post exposure bake)処理を行った。 The microlens array sheet was placed on the stage of the UV exposure apparatus. At this time, the microlens array 21 shown in FIG. Ultraviolet rays were irradiated from the microlens array 21 side. The exposure amount was 500 mJ / cm 2 . After the exposure, the microlens array sheet was subjected to a PEB (post exposure bake) treatment at 70 ° C. for 20 minutes in an oven.

現像のため、マイクロレンズアレイシートを有機アルカリ現像液(TMAH2.38%)に浸漬した。またマイクロレンズアレイシートを3分間揺動した。現像液から取り出したマイクロレンズアレイシートを純水にて水洗し、さらに乾燥させた。   For development, the microlens array sheet was immersed in an organic alkali developer (TMAH 2.38%). The microlens array sheet was rocked for 3 minutes. The microlens array sheet taken out from the developer was washed with pure water and further dried.

図6に示す金属膜48を真空蒸着装置にて形成した。ただし、蒸着角度は45°とした。蒸着源はアルミニウムとし、蒸着源の重量は10.4gとした。蒸着源とワークの距離は450mmとした。蒸着槽の真空度は2.0×10−2Paとした。蒸着レートは0.88nm/secとし、蒸着膜厚みは約70nmとした。リフトオフは、NMP(n−メチル−2−ピロリドン)内に蒸着後のマイクロレンズアレイシートを浸漬することで行った。マイクロレンズアレイシートを180秒間揺動させた。これにより被露光レジスト42を溶解させることで、図7に示す開口アレイ24を形成した。これにより実施例1のスクリーンを得た。NMPから取り出したスクリーンを、純水にて水洗後、自然乾燥させた。 A metal film 48 shown in FIG. 6 was formed by a vacuum evaporation apparatus. However, the vapor deposition angle was 45 °. The deposition source was aluminum, and the weight of the deposition source was 10.4 g. The distance between the deposition source and the workpiece was 450 mm. The vacuum degree of the vapor deposition tank was set to 2.0 × 10 −2 Pa. The deposition rate was 0.88 nm / sec and the deposited film thickness was about 70 nm. The lift-off was performed by immersing the microlens array sheet after vapor deposition in NMP (n-methyl-2-pyrrolidone). The microlens array sheet was rocked for 180 seconds. As a result, the exposed resist 42 was dissolved to form the opening array 24 shown in FIG. This obtained the screen of Example 1. The screen taken out from NMP was washed with pure water and then naturally dried.

(実施例2)
上記実施例1において、金属蒸着時の蒸着レートを1.5nm/sec、金属蒸着膜の厚みを120nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、実施例2のスクリーンを得た。
(Example 2)
A screen of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the deposition rate during metal deposition was changed to 1.5 nm / sec and the thickness of the metal deposition film was changed to 120 nm.

(比較例1)
上記実施例1において、金属蒸着時の蒸着レートを2.9nm/sec、金属蒸着膜の厚みを230nmに変更した以外は、実施例1と同様にして、比較例1のスクリーンを得た。
(Comparative Example 1)
A screen of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the deposition rate during metal deposition was changed to 2.9 nm / sec and the thickness of the metal deposition film was changed to 230 nm.

実施例と比較例のスクリーン各々について、マイクレンズアレイシートの裏側、すなわち図7に示す頂面39側の反射特性を評価した。   For each of the screens of the example and the comparative example, the reflection characteristics of the back side of the microphone lens array sheet, that is, the top surface 39 side shown in FIG. 7 were evaluated.

図12に、反射特性を評価する装置の模式図を示す。本装置は、被験スクリーン60に外光64を照射したときの反射角度に応じた反射光の強度分布を測定するためのゴニオメータである。マイクロレンズアレイ側を下にして被験スクリーン60を黒いシート59上に設置した。   FIG. 12 shows a schematic diagram of an apparatus for evaluating the reflection characteristics. This apparatus is a goniometer for measuring the intensity distribution of reflected light according to the reflection angle when the test screen 60 is irradiated with external light 64. The test screen 60 was placed on the black sheet 59 with the microlens array side down.

図12に示す外光64として、広がり角5°以下のLED擬似平行光を用いた。かかる平行光を発する光源61を配置した。外光64の一部は被験スクリーン60にて乱反射し拡散反射光65となる。外光64の一部は被験スクリーン60にて正反射し正反射光66となる。正反射光66は+10°傾いている。   As the external light 64 shown in FIG. 12, LED pseudo-parallel light having a spread angle of 5 ° or less was used. A light source 61 that emits such parallel light is disposed. A part of the external light 64 is diffusely reflected by the test screen 60 and becomes diffusely reflected light 65. Part of the external light 64 is specularly reflected by the test screen 60 and becomes specularly reflected light 66. The regular reflection light 66 is inclined + 10 °.

図12に示す拡散反射光65及び正反射光66の強度は、面輝度計62を用いて測定した。面輝度計62の観測角度Obを−60°から+60°まで変化させることで上記反射角度を変化させた。面輝度計62が被験スクリーン60に正対しているとき観測角度Obが0°とした。   The intensities of the diffuse reflected light 65 and the regular reflected light 66 shown in FIG. The reflection angle was changed by changing the observation angle Ob of the surface luminance meter 62 from −60 ° to + 60 °. When the surface luminance meter 62 faces the test screen 60, the observation angle Ob is set to 0 °.

本測定では、ヘッドアップディスプレイ内に被験スクリーン60を設置した時の、被験スクリーン60の取り付け角度を10°と想定している。このため、光源61の光軸と、観測角度Obが0°における面輝度計62の光軸とは−10°ずれている。   In this measurement, the mounting angle of the test screen 60 when the test screen 60 is installed in the head-up display is assumed to be 10 °. For this reason, the optical axis of the light source 61 and the optical axis of the surface luminance meter 62 when the observation angle Ob is 0 ° are shifted by −10 °.

図15に拡散反射光の明るさと観測角度との相関をグラフで示した。拡散反射光の明るさの単位はcd/mである。観測角度Obが+10°のときに観測されるべき正反射光66(図12)の強度はグラフ範囲の上限を超えていた。 FIG. 15 is a graph showing the correlation between the brightness of the diffuse reflected light and the observation angle. The unit of brightness of the diffuse reflected light is cd / m 2 . The intensity of the specularly reflected light 66 (FIG. 12) to be observed when the observation angle Ob is + 10 ° exceeds the upper limit of the graph range.

図15示すように実施例1及び2のスクリーンでは、0°以下の領域において、拡散反射光の強度が比較例よりも小さかった。このため、マイクロレンズまで到達した外光が反射して生ずる内部反射光は開口アレイによって遮光されていると考えられる。   As shown in FIG. 15, in the screens of Examples 1 and 2, the intensity of the diffuse reflected light was smaller than that of the comparative example in the region of 0 ° or less. For this reason, it is considered that the internally reflected light generated by reflecting the external light reaching the microlens is shielded by the aperture array.

上述の通り本測定では、ヘッドアップディスプレイにスクリーンを取り付ける時の傾斜角を10°としている。したがって強い正反射光が観測者の目に入ることは防止される。   As described above, in this measurement, the inclination angle when the screen is attached to the head-up display is 10 °. Therefore, strong specular reflection light is prevented from entering the observer's eyes.

比較例のスクリーンの場合は、マイクロレンズにより生ずる内部反射光の一部を観測者が視認できることが分かった。かかる内部反射光は映像コントラストを低下させる。比較例と実施例の比較は、本実施例の金属膜の開口アレイにより、この内部反射光の漏れを抑制することで、映像のコントラストの向上が期待できることを示している。   In the case of the screen of the comparative example, it was found that the observer can visually recognize a part of the internally reflected light generated by the microlens. Such internally reflected light reduces the image contrast. The comparison between the comparative example and the example shows that the improvement in the contrast of the image can be expected by suppressing the leakage of the internally reflected light by the opening array of the metal film of the present example.

19 基部、 20 スクリーン、 21 マイクロレンズアレイ、 22 マイクロレンズ、 24 開口アレイ、 25 遮光部、 26 開口部、 27 外表面、 28 透明基材、 29 内表面、 30 光学系、 31 映像光、 32 拡散、 34 外光、 35 凹面鏡、 36 吸光部、 38 底面、 39 頂面、 41 レジスト、 42 被露光レジスト、 43 金属膜、 44 露光光、 45 レジストパターン、 46 金属膜、 47 蒸気流、 48 金属膜、 49 保護層、 50 像点、 51 蒸気流、 59 シート、 60 被験スクリーン、 61 光源、 62 面輝度計、 64 外光、 65 拡散反射光、 66 正反射光、 Ex 露光光の像点距離、 Im 映像光の像点距離、 Ob 観測角度、 Va 蒸着角度 19 base, 20 screen, 21 microlens array, 22 microlens, 24 aperture array, 25 light-shielding portion, 26 aperture, 27 outer surface, 28 transparent substrate, 29 inner surface, 30 optical system, 31 image light, 32 diffusion 34 External light, 35 Concave mirror, 36 Absorbing part, 38 Bottom surface, 39 Top surface, 41 Resist, 42 Exposed resist, 43 Metal film, 44 Exposure light, 45 Resist pattern, 46 Metal film, 47 Vapor flow, 48 Metal film , 49 protective layer, 50 image points, 51 vapor flow, 59 sheet, 60 test screen, 61 light source, 62 surface luminance meter, 64 external light, 65 diffuse reflection light, 66 specular reflection light, Ex exposure light image point distance, Im image light image point distance, Ob observation angle, Va deposition angle

Claims (7)

マイクロレンズアレイを備える透過型のスクリーンであって、
前記マイクロレンズアレイの配置された面の反対側の面に配置された開口アレイをさらに備え、
前記開口アレイの遮光部は金属膜であり、
前記金属膜の厚みが50nm以上、200nm以下である、
スクリーン。
A transmissive screen comprising a microlens array,
An aperture array disposed on a surface opposite to the surface on which the microlens array is disposed;
The light shielding portion of the aperture array is a metal film,
The metal film has a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less,
screen.
前記金属膜の表面は波長380nmから780nmの光の反射率が80%以上である、請求項1に記載のスクリーン。   The screen according to claim 1, wherein the surface of the metal film has a reflectance of 80% or more of light having a wavelength of 380 nm to 780 nm. 前記金属膜の表面粗さが算術平均粗さRaで0.1μm以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のスクリーン。   The screen according to claim 1, wherein the surface roughness of the metal film is an arithmetic average roughness Ra of 0.1 μm or less. 前記金属膜上に、保護層を備える、請求項1〜3のいずれかに記載のスクリーン。   The screen according to claim 1, further comprising a protective layer on the metal film. マイクロレンズアレイの配置された面の反対側の面に配置された開口アレイを備える透過型スクリーンの製造方法であって、
透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、開口アレイを形成する際、
前記透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、ネガティブレジストを塗布し、
前記マイクロレンズアレイ側から前記透明基材に向かって露光光を照射し、
前記露光光で前記ネガティブレジストを露光し、さらに現像することでレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを形成した前記透明基材の面上に厚みが50nm以上、200nm以下の金属膜を形成し、
前記レジストパターンを除去することで前記金属膜からなる遮光部を有する開口アレイを形成する、
スクリーンの製造方法。
A method for manufacturing a transmission screen comprising an aperture array disposed on a surface opposite to a surface on which a microlens array is disposed,
When forming the aperture array on the surface opposite to the surface where the microlens array of the transparent substrate is arranged,
A negative resist is applied to the surface opposite to the surface on which the microlens array of the transparent substrate is disposed,
Irradiate exposure light from the microlens array side toward the transparent substrate,
Exposing the negative resist with the exposure light, further developing to form a resist pattern,
A metal film having a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less is formed on the surface of the transparent substrate on which the resist pattern is formed,
Forming an opening array having a light-shielding portion made of the metal film by removing the resist pattern;
Screen manufacturing method.
マイクロレンズアレイの配置された面の反対側の面に配置された開口アレイを備える透過型スクリーンの製造方法であって、
透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、開口アレイを形成する際、
前記透明基材のマイクロレンズアレイの配置された面とは反対側の面に、厚みが50nm以上、200nm以下の金属膜を形成し、
前記金属膜の一部を除去することで前記金属膜からなる遮光部を有する開口アレイを形成する、
スクリーンの製造方法。
A method for manufacturing a transmission screen comprising an aperture array disposed on a surface opposite to a surface on which a microlens array is disposed,
When forming the aperture array on the surface opposite to the surface where the microlens array of the transparent substrate is arranged,
A metal film having a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less is formed on the surface of the transparent substrate opposite to the surface on which the microlens array is disposed,
Forming an opening array having a light shielding portion made of the metal film by removing a part of the metal film;
Screen manufacturing method.
開口アレイを形成した後に、前記金属膜上に、保護層を形成する、請求項5又は6に記載のスクリーンの製造方法。


The manufacturing method of the screen of Claim 5 or 6 which forms a protective layer on the said metal film after forming an opening array.


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