JP2019008045A - Wavelength conversion element, light source device, and projection type device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、波長変換素子、光源装置、および投射型装置に関する。 The present invention relates to a wavelength conversion element, a light source device, and a projection type device.
近年、投射型装置に搭載される光源装置として、光源と、この光源から出射された光によってこの光の波長とは異なる波長の光を発する波長変換素子とを備えた装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, as a light source device mounted on a projection type device, an apparatus including a light source and a wavelength conversion element that emits light having a wavelength different from the wavelength of the light by the light emitted from the light source is known ( For example, see Patent Document 1).
特許文献1に記載の光源装置は、励起光(青色光)を発する光源(半導体レーザー)と、励起光が入射することによって赤色光および緑色光を含む蛍光を発する波長変換素子を備えている。波長変換素子は、波長変換層、反射層、基板、および接着層を備えている。
波長変換層は、内部に蛍光体を含み、矩形状に形成されている。反射層は、波長変換層に形成され、波長変換層で発した蛍光を反射する。波長変換層は、接着層によって基板に固定されている。
The light source device described in Patent Literature 1 includes a light source (semiconductor laser) that emits excitation light (blue light) and a wavelength conversion element that emits fluorescence including red light and green light when the excitation light is incident. The wavelength conversion element includes a wavelength conversion layer, a reflective layer, a substrate, and an adhesive layer.
The wavelength conversion layer includes a phosphor inside and is formed in a rectangular shape. The reflection layer is formed on the wavelength conversion layer and reflects fluorescence emitted from the wavelength conversion layer. The wavelength conversion layer is fixed to the substrate by an adhesive layer.
しかしながら、特許文献1に記載の波長変換素子は、基板の熱膨張係数と波長変換層の熱膨張係数とが異なると考えられるので、励起光の入射に伴う発熱によって、基板と波長変換層との間に応力が発生する。特に、矩形状の波長変換層における角部においては、その応力が大きくなるため、波長変換層と基板との間や、波長変換層と反射層との間で剥がれ等の破損が発生する恐れがある。 However, since the wavelength conversion element described in Patent Document 1 is considered to have a different coefficient of thermal expansion of the substrate and that of the wavelength conversion layer, heat generation due to incidence of excitation light causes the substrate and the wavelength conversion layer to be separated. Stress is generated between them. In particular, since the stress increases at the corners of the rectangular wavelength conversion layer, damage such as peeling may occur between the wavelength conversion layer and the substrate or between the wavelength conversion layer and the reflective layer. is there.
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係る波長変換素子は、基板と、入射する光の波長とは異なる波長の光を発する波長変換層と、前記波長変換層と前記基板との間に設けられた金属層とを有し、矩形状に形成された波長変換部と、前記基板と前記金属層とを接合する接合部と、を備え、前記接合部は、前記基板の一方の面と垂直な第1方向から見て、前記波長変換部の少なくとも角部において、前記波長変換部の内側に配置されていることを特徴とする。 Application Example 1 A wavelength conversion element according to this application example is provided between a substrate, a wavelength conversion layer that emits light having a wavelength different from the wavelength of incident light, and the wavelength conversion layer and the substrate. A wavelength conversion portion having a rectangular shape and a bonding portion for bonding the substrate and the metal layer, the bonding portion being perpendicular to one surface of the substrate. When viewed from one direction, at least a corner portion of the wavelength conversion unit is disposed inside the wavelength conversion unit.
この構成によれば、波長変換素子は、発熱に伴って熱膨張係数が異なる基板と波長変換部との間に応力が発生するが、波長変換部の角部が基板と接合されていないので、この角部への応力が緩和される。よって、波長変換部の破損を防止し、基板と波長変換部との接続状態、および波長変換部における金属層と波長変換層との接続状態の良好な維持が可能となる。よって、発熱に伴うストレスに対する耐性を向上させた波長変換素子の提供が可能となる。
また、熱膨張係数が波長変換部の熱膨張係数と大きく異なる部材であっても、より放熱性が良好な部材を基板として用いることが可能となる。よって、波長変換部の角部が基板と接合されない構成であっても、放熱性が良好な波長変換素子の提供が可能となる。
したがって、信頼性の高い波長変換素子の提供が可能となる。
According to this configuration, the wavelength conversion element generates stress between the substrate and the wavelength conversion unit having different coefficients of thermal expansion due to heat generation, but the corners of the wavelength conversion unit are not joined to the substrate. The stress on the corner is relieved. Therefore, breakage of the wavelength conversion unit can be prevented, and the connection state between the substrate and the wavelength conversion unit and the connection state between the metal layer and the wavelength conversion layer in the wavelength conversion unit can be favorably maintained. Therefore, it is possible to provide a wavelength conversion element with improved resistance to stress caused by heat generation.
Moreover, even if the thermal expansion coefficient is a member that is greatly different from the thermal expansion coefficient of the wavelength conversion unit, a member with better heat dissipation can be used as the substrate. Therefore, even if the corner portion of the wavelength conversion portion is not bonded to the substrate, it is possible to provide a wavelength conversion element with good heat dissipation.
Therefore, it is possible to provide a highly reliable wavelength conversion element.
[適用例2]上記適用例に係る波長変換素子において、前記接合部は、前記第1方向から見て円状に配置されていることが好ましい。 Application Example 2 In the wavelength conversion element according to the application example described above, it is preferable that the bonding portion is arranged in a circular shape when viewed from the first direction.
この構成によれば、矩形状の波長変換部に対し、接合部が円状に配置されているので、接合部を介した基板と金属層との良好な熱伝導性を確保しつつ、波長変換部の角部において、接合部を波長変換部の内側に配置する構成が可能となる。
また、ペースト状の部材が硬化された部材を接合部とすることで、円状の接合部の容易な形成が可能となる。例えば、ペースト状の部材が金属層上に適量供給された波長変換部に対し、このペーストを押し広げるように基板が配置され、ペースト状の部材が硬化されることで、容易に円状の接合部を形成することが可能となる。よって、波長変換部の少なくとも角部において、波長変換部の内側に接合部を配置する構成を、容易な製造で実現可能とする波長変換素子の提供が可能となる。
According to this configuration, since the joint portion is arranged in a circular shape with respect to the rectangular wavelength conversion portion, the wavelength conversion is performed while ensuring good thermal conductivity between the substrate and the metal layer via the joint portion. In the corner portion of the portion, a configuration in which the joint portion is disposed inside the wavelength conversion portion is possible.
In addition, by using a member obtained by curing a paste-like member as a joint, a circular joint can be easily formed. For example, a substrate is placed so as to spread the paste on the wavelength conversion unit to which an appropriate amount of the paste-like member is supplied on the metal layer, and the paste-like member is cured to easily join the circular shape. The part can be formed. Therefore, it is possible to provide a wavelength conversion element that can realize a configuration in which the bonding portion is disposed inside the wavelength conversion portion at least at the corners of the wavelength conversion portion with easy manufacturing.
[適用例3]上記適用例に係る波長変換素子において、前記接合部は、金属粒子から構成されていることが好ましい。 Application Example 3 In the wavelength conversion element according to the application example, it is preferable that the bonding portion is made of metal particles.
この構成によれば、波長変換素子は、接合部が金属粒子から構成されているので、基板と、波長変換部の金属層との熱伝導性が良好なものとなる。よって、さらに効率的な放熱を可能とする波長変換素子の提供が可能となる。 According to this configuration, in the wavelength conversion element, since the joint portion is composed of metal particles, the thermal conductivity between the substrate and the metal layer of the wavelength conversion portion is good. Therefore, it is possible to provide a wavelength conversion element that enables more efficient heat dissipation.
[適用例4]本適用例に係る光源装置は、励起光を発する発光部と、上記のいずれか一項に記載の波長変換素子と、を備えたことを特徴とする。 Application Example 4 A light source device according to this application example includes a light emitting unit that emits excitation light and the wavelength conversion element according to any one of the above.
この構成によれば、光源装置は、発光部から出射された励起光によって、励起光の波長とは異なる波長の光を発する。
そして、光源装置は、上述した波長変換素子を備えているので、長期に亘って輝度の低下が抑制された光を発することが可能となる。
According to this configuration, the light source device emits light having a wavelength different from the wavelength of the excitation light by the excitation light emitted from the light emitting unit.
And since the light source device is equipped with the wavelength conversion element mentioned above, it becomes possible to emit the light by which the fall of the brightness was controlled over a long period of time.
[適用例5]本適用例に係る投射型装置は、上記に記載の光源装置と、前記光源装置から出射された光を変調する光変調装置と、前記光変調装置で変調された光を投射する投射光学装置と、を備えたことを特徴とする。 Application Example 5 A projection-type device according to this application example projects the light source device described above, a light modulation device that modulates light emitted from the light source device, and light modulated by the light modulation device. And a projection optical device.
この構成によれば、投射型装置は、上述した光源装置を備えているので、長期に亘って明るさの低下や、色むらの発生が抑制された画像を投射することが可能となる。 According to this configuration, since the projection type apparatus includes the light source device described above, it is possible to project an image in which a decrease in brightness and occurrence of color unevenness are suppressed over a long period of time.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態の投射型装置は、光源から出射された光を画像情報に応じて変調して画像を形成し、その画像をスクリーン等に投射する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜異ならせてある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The projection type apparatus of this embodiment forms an image by modulating light emitted from a light source according to image information, and projects the image onto a screen or the like. In the drawings shown below, the dimensions and ratios of the components are appropriately changed from the actual ones in order to make the components large enough to be recognized on the drawings.
図1は、本実施形態に係る投射型装置1の光学系を示す模式図である。
投射型装置1は、図1に示すように、照明装置100、色分離導光光学系200、光変調装置400R,400G,400B、クロスダイクロイックプリズム500、および投射光学装置600を備える。なお、図示は省略するが、投射型装置1は、投射型装置1の動作を制御する制御部、内部の冷却対象を冷却する冷却装置、内部の電子部品に電力を供給する電源装置を備える。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an optical system of a projection type apparatus 1 according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, the projection type apparatus 1 includes an
照明装置100は、第1の光源装置101、第2の光源装置102、ダイクロイックミラー103、レンズアレイ120,130、偏光変換素子140、および重畳レンズ150を備える。
第1の光源装置101は、発光部10、コリメート光学系70、コリメート集光光学系90、および波長変換素子40を備える。
The
The first
発光部10は、1つまたは複数の半導体レーザーを有し、励起光E(例えば、発光強度のピーク波長が約455nmの青色光)を出射する。なお、発光部10は、発光強度のピーク波長が455nm以外のピーク波長の励起光Eを出射する半導体レーザーを用いることもできる。
The
コリメート光学系70は、レンズ71,72を備え、発光部10から出射された光を略平行化する。コリメート光学系70は、1つまたは3つ以上のレンズを備える構成であってもよい。
ダイクロイックミラー103は、発光部10の光軸に対して45°の角度を有して配置され、励起光Eおよび後述する青色光Bを反射し、赤色光および緑色光を含む黄色光(後述する蛍光Y)を通過させる機能を有している。ダイクロイックミラー103は、発光部10から出射され、コリメート光学系70で略平行化された励起光Eを反射する。
The collimating
The
コリメート集光光学系90は、例えば、レンズ91,92を備える。コリメート集光光学系90は、ダイクロイックミラー103で反射した励起光Eを波長変換素子40の後述する波長変換層421(図3参照)に集光させる機能、および波長変換素子40から発せられた蛍光Y(黄色光)を略平行化する機能を有している。なお、コリメート集光光学系90は、1つまたは3つ以上のレンズを備える構成であってもよい。
The collimator condensing
波長変換素子40は、後で詳細に説明するが、基板41、および基板41上に設けられた波長変換部42を備える。
波長変換素子40は、コリメート集光光学系90によって集光された励起光Eによって波長変換部42内の蛍光体が励起され、励起光Eの波長とは異なる波長の蛍光Yを発する。本実施形態の蛍光Yは、赤色光および緑色光を含む黄色光であり、例えば、ピーク波長Ypが約540nmで約500nm〜約700nmの波長域の光である。波長変換部42で発せられた蛍光Yは、金属層422(図3参照)によってコリメート集光光学系90に反射される。
As will be described in detail later, the
In the
第2の光源装置102は、図1に示すように、ダイクロイックミラー103のコリメート光学系70とは反対側に配置される。第2の光源装置102は、発光部710、集光光学系760、散乱板730、およびコリメート光学系770を備える。
As shown in FIG. 1, the second
発光部710は、1つまたは複数の半導体レーザーを有して構成され、青色光Bを出射する。なお、発光部710が備える半導体レーザーは、発光部10が備える半導体レーザーと同一の種類のものを使用することが可能である。
The
集光光学系760は、レンズ761,762を備え、発光部710から出射された青色光Bを散乱板730に略集光させる。
The condensing
散乱板730は、波長変換素子40から出射された蛍光Yの配光分布に似た配光分布となるように、入射する青色光Bを散乱させる。散乱板730としては、例えば、磨りガラス(光学ガラス)を用いることができる。
The
コリメート光学系770は、レンズ771,772を備え、散乱板730からの青色光Bを略平行化する。
コリメート光学系770で平行化された青色光Bは、ダイクロイックミラー103でコリメート集光光学系90とは反対側に反射する。
The collimating
The blue light B collimated by the collimating
第1の光源装置101から出射された蛍光Yは、ダイクロイックミラー103を透過し、第2の光源装置102から出射され、ダイクロイックミラー103で反射した青色光Bと合成されて白色光Wとしてレンズアレイ120に出射される。
The fluorescent light Y emitted from the first
レンズアレイ120,130および重畳レンズ150は、インテグレーター光学系を構成する。具体的に、レンズアレイ120は、ダイクロイックミラー103からの白色光Wを複数の部分光束に分割するための複数の第1小レンズを有する。複数の第1小レンズは、照明装置100の光軸100axと直交する面内にマトリクス状に配列されている。
The
レンズアレイ130は、レンズアレイ120の複数の第1小レンズに対応する複数の第2小レンズを有する。レンズアレイ130は、重畳レンズ150とともに、レンズアレイ120の各第1小レンズの像を光変調装置400R,400G,400Bの画像形成領域に結像させる。
偏光変換素子140は、レンズアレイ130から出射されたランダム光を光変調装置400R,400G,400Bで利用可能な略1種類の偏光光に揃える。
The
The
色分離導光光学系200は、ダイクロイックミラー210,220、反射ミラー230,240,250およびリレーレンズ260,270を備える。色分離導光光学系200は、照明装置100から出射された白色光Wを赤色光R、緑色光G、および青色光Bに分離し、赤色光R、緑色光G、および青色光Bそれぞれに対応する光変調装置400R,400G,400Bに導光する。なお、色分離導光光学系200と、光変調装置400R,400G,400Bとの間には、フィールドレンズ300R,300G,300Bが配置されている。
The color separation light guide
光変調装置400R,400G,400Bそれぞれは、詳細な図示は省略するが、透過型の液晶パネル、および液晶パネルの光入射側、光出射側にそれぞれ配置された入射側偏光板、出射側偏光板を備えている。そして、光変調装置400R,400G,400Bは、入射する色光を画像情報に応じて変調して各色光に対応する画像を形成する。
The
クロスダイクロイックプリズム500は、4つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた略X字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。クロスダイクロイックプリズム500は、各光変調装置400R,400G,400Bから出射された各色光の画像光を合成する。
The cross
投射光学装置600は、複数のレンズ(図示省略)を有して構成され、クロスダイクロイックプリズム500にて合成された画像光をスクリーンSCR等にカラー画像として拡大投射する。
The projection
〔波長変換素子の構成〕
ここで、波長変換素子40について詳細に説明する。
図2は、波長変換素子40の一例を模式的に示す平面図である。図3は、波長変換素子40の断面を模式的に示す図であり、図2におけるA−A断面を示す図である。
波長変換素子40は、図2、図3に示すように、基板41、波長変換部42、および接合部43を備える。
[Configuration of wavelength conversion element]
Here, the
FIG. 2 is a plan view schematically showing an example of the
As shown in FIGS. 2 and 3, the
基板41は、熱伝導性が高い銅やアルミニウム等の金属で、平面視矩形状(例えば、1辺の長さが15mm程度の矩形状)に形成されている。なお、基板41の平面形状は矩形状に限定されない。
The
波長変換部42は、図3に示すように、内部に蛍光体を有する波長変換層421、波長変換層421の基板41側に設けられた金属層422を有している。波長変換部42は、基板41の一方の面内に配置される大きさの平面視矩形状(例えば、1辺の長さが1mm〜5mm程度の矩形状)に形成されている。
As shown in FIG. 3, the
波長変換層421は、例えば、YAG系の蛍光体である(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce等のCeイオンが発光中心として含有された材料で形成され、例えば、基板41の厚みの1/5〜1/10程度の厚みを有している。波長変換層421としては、セラミック蛍光体や、蛍光体粉末とガラスバインダーとが混合された材料を例示できる。なお、波長変換層421としては、Ceイオンに限らずEuやNd、Yb等の希土類イオンが含有された材料を用いてもよい。
The
金属層422は、波長変換層421の一方の面に蒸着等によって形成されている。金属層422は、銀やアルミニウム等で形成された反射層を有し、この反射層は、波長変換層421から発せられた蛍光Yを反射する。
The
接合部43は、金属粒子から構成され、基板41と波長変換部42における金属層422とを接合する。
接合部43は、例えば、銀の粒子を含むペースト状の部材から焼結されて形成されている。具体的に、接合部43となるペースト状の部材は、ディスペンサー等を用いて、金属層422上の略中央に適量、供給される。そして、金属層422上に供給されたペースト状の部材は、基板41によって押されて広がり、高温(例えば、200〜300°C程度)で焼結されて接合部43となる。
The
The
接合部43は、図2、図3に示すように、基板41の一方の面と垂直な方向(第1方向)から見て、波長変換部42の角部においては、波長変換部42の内側に配置され、波長変換部42の辺部においては、波長変換部42から飛び出ないように配置されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
図4は、波長変換素子40の他の例を模式的に示す平面図である。
接合部43は、図4に示すように、第1方向から見て、波長変換部42の角部においては、波長変換部42の内側に配置され、波長変換部42の辺部においては、波長変換部42から飛び出して配置されている。
このように、接合部43は、第1方向から見て、波長変換部42の少なくとも角部において、波長変換部42の内側に配置されている。
FIG. 4 is a plan view schematically showing another example of the
As shown in FIG. 4, the
As described above, the
また、接合部43は、ディスペンサー等で金属層422上に供給されたペースト状の部材が基板41に押されて自然に広がり、図2、図4に示すように、第1方向から見て、円状に配置されている。ここで、円状とは、真円に限定されるものではなく、円形に近似した形状を含む。
In addition, the
また、ペースト状の部材は、銀粒子の表面を覆う有機被膜等を有し、銀粒子同士が密着しないように形成されている。そのため、ペースト状の部材が焼結されて形成された接合部43は、有機被膜等が蒸発して樹脂を含まない材料となり、ナノオーダーの微細な孔を有し、銀粒子の配設密度が均一化されたものとなる。これによって、接合部43は、金属層422と基板41との間の熱伝導を良好なものとすることができる。すなわち、励起光Eが入射することにより発熱する波長変換層421の熱を接合部43から効率良く基板41に伝え、この基板41から放熱させることができる。また、基板41にヒートシンク(図示省略)が固定される構成や、冷却装置が備えるファン(図示省略)が基板41やヒートシンクに冷却風を送風する構成を用いることで、より効率的な基板41の放熱が可能となる。
Moreover, the paste-like member has an organic film or the like that covers the surface of the silver particles, and is formed so that the silver particles do not adhere to each other. Therefore, the
なお、接合部43が有する金属粒子は、銀に限定されるものではなく、金や錫、あるいはこれらの金属が混合するものであってもよい。また、接合部43と金属層422との接合をより良好にするために、金属層422が反射層の基板41側に反射層とは異なる層(接続層)を有する構成であってもよい。
In addition, the metal particle which the
波長変換素子40は、基板41の放熱性が良好となる部材を用いているため、基板41の熱膨張係数が波長変換層421の熱膨張係数より大きく異なっている。例えば、基板41が銅で形成された場合、基板41の熱膨張係数は、約17×10-6/Kで、波長変換層421の熱膨張係数(約8×10-6/K)の約2倍となる。
Since the
基板41の熱膨張係数と波長変換層421の熱膨張係数とが大きく異なると、発熱によって基板41と波長変換部42との間、波長変換部42における波長変換層421と金属層422との間に応力が発生する。矩形状の波長変換部42においては、従来技術の波長変換素子(図示省略)のように、波長変換部の全てが基板と接合されていると、特に、角部への応力が大きなものとなる。
If the thermal expansion coefficient of the
一方、本実施形態の波長変換素子40は、波長変換部42の角部が基板41と接合していないので、従来技術の波長変換素子では発生した角部への応力を緩和することができる。
熱によるストレスとして温度サイクル試験を行い、本実施形態の波長変換素子40と従来技術の波長変換素子とを比較した。その結果、従来技術の波長変換素子では、波長変換部42の剥がれや、波長変換部42における金属層422と波長変換層421との間の剥がれが発生したが、本実施形態の波長変換素子40は、各構成要素の接続が良好に維持された。
このように、波長変換素子40は、波長変換部42と基板41との間が熱伝導性の良好な接合部43で接合され、第1方向から見て、この接合部43が波長変換部42の少なくとも角部において、波長変換部42の内側に配置されている。
On the other hand, in the
A temperature cycle test was performed as a stress caused by heat, and the
As described above, in the
以上述べたように、本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
(1)波長変換素子40は、波長変換部42の角部が基板41と接合されていないので、発熱に伴う角部への応力が緩和される。よって、波長変換部42の破損を防止し、基板41と波長変換部42との接続状態、および波長変換部42における波長変換層421と金属層422との接続状態の良好な維持が可能となる。よって、発熱に伴うストレスに対する耐性を向上させた波長変換素子40の提供が可能となる。
また、熱膨張係数が波長変換部42の熱膨張係数と大きく異なる部材であっても、より放熱性が良好な部材を基板41として用いることが可能となる。よって、波長変換部42の角部が基板41と接合されない構成であっても、放熱性が良好な波長変換素子40の提供が可能となる。
したがって、信頼性の高い波長変換素子40の提供が可能となる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In the
Even if the thermal expansion coefficient is a member that is significantly different from the thermal expansion coefficient of the
Therefore, it is possible to provide the
(2)接合部43は、矩形状の波長変換部42に対し、円状に配置されている。これによって、接合部43を介した基板41と金属層422との良好な熱伝導性を確保しつつ、波長変換部42の角部において、接合部43を波長変換部42の内側に配置する構成が可能となる。
また、接合部43は、金属層422上に供給されたペースト状の部材が基板41に押し広げられて形成されている。よって、波長変換部42の少なくとも角部において、波長変換部42の内側に接合部43を配置する構成を、容易な製造で実現可能とする波長変換素子40の提供が可能となる。
(2) The
Further, the
(3)波長変換素子40は、接合部43が金属粒子から構成されているので、基板41と、波長変換部42の金属層422との熱伝導性が良好なものとなる。よって、さらに効率的な放熱を可能とする波長変換素子40の提供が可能となる。
(3) In the
(4)波長変換素子40は、波長変換部42の角部が基板41と接合されていないので、落下等の衝撃に対する耐性も向上する。
(4) Since the corner portion of the
(5)第1の光源装置101は、波長変換素子40を備えているので、長期に亘って輝度の低下が抑制された蛍光Yを発することが可能となる。
(5) Since the first
(6)投射型装置1は、第1の光源装置101を備えているので、長期に亘って明るさの低下や、色むらの発生が抑制された画像を投射することが可能となる。
(6) Since the projection type apparatus 1 includes the first
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
前記実施形態の投射型装置1は、光変調装置として透過型の液晶パネルを用いているが、反射型の液晶パネルを用いたものであってもよい。また、光変調装置としてマイクロミラー型の光変調装置、例えば、DMD(Digital Micromirror Device)等を利用したものであってもよい。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and improvements can be added to the above-described embodiment. A modification will be described below.
Although the projection type device 1 of the embodiment uses a transmissive liquid crystal panel as a light modulation device, a reflection type liquid crystal panel may be used. Further, a micromirror type light modulation device such as a DMD (Digital Micromirror Device) may be used as the light modulation device.
前記実施形態の光変調装置は、赤色光R、緑色光G、および青色光Bに対応する3つの光変調装置400R,400G,400Bを用いるいわゆる3板方式を採用しているが、これに限らず、単板方式を採用してもよく、あるいは、2つまたは4つ以上の光変調装置を備える投射型装置にも適用できる。
The light modulation device according to the embodiment employs a so-called three-plate method using three
1…投射型装置、10…発光部、40…波長変換素子、41…基板、42…波長変換部、43…接合部、101…第1の光源装置(光源装置)、400R,400G,400B…光変調装置、421…波長変換層、422…金属層、600…投射光学装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Projection type | mold apparatus, 10 ... Light emission part, 40 ... Wavelength conversion element, 41 ... Board | substrate, 42 ... Wavelength conversion part, 43 ... Joint part, 101 ... 1st light source device (light source device), 400R, 400G, 400B ... Light modulation device, 421 ... wavelength conversion layer, 422 ... metal layer, 600 ... projection optical device.
Claims (5)
入射する光の波長とは異なる波長の光を発する波長変換層と、前記波長変換層と前記基板との間に設けられた金属層とを有し、矩形状に形成された波長変換部と、
前記基板と前記金属層とを接合する接合部と、
を備え、
前記接合部は、前記基板の一方の面と垂直な第1方向から見て、前記波長変換部の少なくとも角部において、前記波長変換部の内側に配置されていることを特徴とする波長変換素子。 A substrate,
A wavelength conversion layer that emits light having a wavelength different from the wavelength of incident light, a metal layer provided between the wavelength conversion layer and the substrate, and a wavelength conversion unit formed in a rectangular shape;
A bonding portion for bonding the substrate and the metal layer;
With
The wavelength conversion element, wherein the bonding portion is disposed inside the wavelength conversion unit at least at a corner portion of the wavelength conversion unit as viewed from a first direction perpendicular to one surface of the substrate. .
前記接合部は、前記第1方向から見て円状に配置されていることを特徴とする波長変換素子。 The wavelength conversion element according to claim 1,
The wavelength conversion element according to claim 1, wherein the joint portion is arranged in a circular shape when viewed from the first direction.
前記接合部は、金属粒子から構成されていることを特徴とする波長変換素子。 The wavelength conversion element according to claim 1 or 2,
The said junction part is comprised from the metal particle, The wavelength conversion element characterized by the above-mentioned.
請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の波長変換素子と、
を備えたことを特徴とする光源装置。 A light emitting unit that emits excitation light;
The wavelength conversion element according to any one of claims 1 to 3,
A light source device comprising:
前記光源装置から出射された光を変調する光変調装置と、
前記光変調装置で変調された光を投射する投射光学装置と、
を備えたことを特徴とする投射型装置。 A light source device according to claim 4;
A light modulation device that modulates light emitted from the light source device;
A projection optical device that projects light modulated by the light modulation device;
A projection type apparatus comprising:
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