JP2018530927A - テラヘルツレーザー、テラヘルツ源、及びそのようなテラヘルツレーザーの使用 - Google Patents
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Abstract
Description
−赤外線レーザー源と、
−赤外線レーザー源によって光学的にポンピングされるように配置された共振空洞であって、増幅媒体としてアンモニアガスを含み、その共振空洞が第1放射周波数における共振空洞である少なくとも1つの構成を有する、共振空洞と、
を含み、
赤外線レーザー源は、初期エネルギー準位から少なくとも第1励起エネルギー準位に増幅媒体の分子を励起することができる連続半導体レーザー源であり、この第1励起エネルギー準位に配置された増幅媒体の分子は、アンモニア分子の傘型反転モードに関連する純粋な反転遷移によって脱励起されやすく、その脱励起エネルギーは第1放射周波数に対応する。
−結合NHの対称振動伸長(A1)に対応するモードν1、
−結合NHの対称角変形(A1)に対応するモードν2、
−結合NHの二重縮退逆対称伸長(E)に対応するモードν3a及びν3b、
−結合NH間の二重縮退角変形(E)に対応するモードν4a及びν4b。
共振空洞は、その共振空洞が第2放射周波数における共振空洞である少なくとも1つの構成を有する。
ここで、その窒素原子が同位体14であるアンモニア及びその窒素原子が同位体15であるアンモニアのうちの1つの増幅媒体における相対体積比率は、90%より高く、優先的には95%よりも高い。
ここで、共振空洞は、その寸法がc/1.706f(cは光の速さであり、fは第1放射周波数である)未満であるポンプ放射を注入するための入口を含み、ポンプ放射を注入するための入口の寸法は、優先的にはc/2f未満である。
−本発明によるテラヘルツレーザーと、
−その放射周波数が1GHzと200GHzとの間である超高周波数放射を放出することができる超高周波数源と、
−テラヘルツレーザーによって提供される第1テラヘルツ放射と超高周波数放射とを混ぜ合わせて第3放射を提供するように配置された、非線形媒体又はデバイスと、
を含む。
−赤外線レーザー源10と、
−赤外線レーザー源10によって光学的にポンピングされるように配置された共振空洞20であって、前記共振空洞は増幅媒体としてアンモニアガスNH3を含む、共振空洞20と、
を含む。
−共振空洞20の内部を画定し、テラヘルツ導波路範囲内で導波路を形成する管状側壁23と、
−その端部の一方で側壁を閉じる第1ミラー21であって、ポンピング放射を共振空洞20に導入するための開口部21aを含み、前記開口部21aは共振空洞20においてポンプ放射のための入口として作用する、第1ミラー21と、
−その端部の他方で側壁23を閉じる第2ミラー22であって、増幅媒体の分子の脱励起からの光子の一部を引き抜く開口部22aを含む、第2ミラー22と、
を含む。
fc=c/1.706d
によって与えられ、ここで、cは光の速さであり、dは開口部の直径である。従って、176μm未満の直径により、1THz未満の周波数の伝播を回避することができる。従って、ポンプ放射を注入するための入口を形成する第1ミラーの開口部21aは、c/1.706f未満の寸法を有し、その開口部21aの寸法は、優先的にはc/2f未満である。
−側壁23が、銅の円形横断面管状側壁23であり、10mmの内部直径及び50cmの空洞長さを有する、
−第1及び第2ミラー21、22のそれぞれが、それぞれポンプ放射を導入し、レーザー放射を引き抜くために、直径1.2mmの開口部21a、22aを有する真ちゅうミラーである、
−アンモニアガス圧力は、共振空洞において20から100μbarに維持される。
−例えば第1から第5実施形態のうちの1つなどの、本発明によるテラヘルツレーザー1と、
−1GHzと200GHzの間、優先的には1と50GHzの間の電磁放射を放出することができる超高周波源50と、
−テラヘルツレーザーのテラヘルツ放射と超高周波放射とを混ぜ合わせて、その放射周波数がテラヘルツ放射の放射周波数に対応する第2テラヘルツ放射であって、超高周波源50によって放出された電磁放射の周波数がそれに加えられるか又はそこから減じられる、第2テラヘルツ放射を提供するように配置された、ショットキーダイオードなどの非線形媒体又はデバイス60と、
を含む。
10 赤外線レーザー源
20 共振空洞
21 第1ミラー
21a 開口部
21b 赤外線透過窓
22 第2ミラー
22a 開口部
23 管状側壁
24 密閉チャンバ
24a 隔壁
24b ガス入口
24c ポンピング出口
25 窓
30 ミラー
40 試料
50 THz検出器
60 非線形媒体又はデバイス
100 テラヘルツ源
Claims (13)
- その第1放射周波数が700GHzと1200GHzの間である第1電磁放射を少なくとも放出するように適合されたテラヘルツレーザー(1)であって、
−赤外線レーザー源(10)と、
−前記赤外線レーザー源(10)によって光学的にポンピングされるように配置された共振空洞(20)であって、増幅媒体としてアンモニアガスを含み、前記共振空洞(20)が前記第1放射周波数における共振空洞である少なくとも1つの構成を有する、共振空洞(20)と、
を含み、
前記赤外線レーザー源(10)は、前記増幅媒体の分子を初期エネルギー準位から少なくとも第1励起エネルギー準位に励起することができる連続半導体レーザー源であり、この第1励起エネルギー準位に配置された前記増幅媒体の前記分子は、その脱励起エネルギーが前記第1放射周波数に対応するアンモニア分子の傘型反転モードに関連する純粋な反転遷移によって脱励起されやすいことを特徴とする、テラヘルツレーザー(1)。 - 前記赤外線レーザー源(10)は、量子カスケードレーザーである、請求項1に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- その第2放射周波数が700GHzと1200GHzの間である第2電磁放射を少なくとも放出するように適合され、前記赤外線レーザー源(10)は、前記初期エネルギー準位からそれぞれ前記第1励起エネルギー準位及び第2励起エネルギー準位に前記増幅媒体の前記分子を励起することができる少なくとも2つの波長を含む波長範囲に同調可能な量子カスケードレーザーであり、この第2励起エネルギー準位に配置された前記増幅媒体の前記分子は、その脱励起エネルギーが前記第2放射周波数に対応するアンモニア分子の傘型反転モードに関連する純粋な反転遷移によって脱励起されやすく、
前記共振空洞(20)は、前記共振空洞(20)が前記第2放射周波数における共振空洞である少なくとも1つの構成を有する、請求項2に記載のテラヘルツレーザー(1)。 - 前記赤外線レーザー源(10)によって励起される前記第1エネルギー準位は、10よりも低い量子数Jを有するQ枝の遷移によって利用可能な振動エネルギー準位ν2=1である、請求項1から3の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- 前記アンモニアガスは、その窒素原子が同位体14であるアンモニア、その窒素原子が同位体15であるアンモニア、及びその混合物を含む群から選択され、
その窒素が同位体14であるアンモニア及びその窒素が同位体15であるアンモニアのうちの1つの前記増幅媒体における相対体積比率は、90%より高く、優先的には95%よりも高い、請求項1から4の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。 - 前記アンモニアガスは、その窒素原子が同位体14であるアンモニアとその窒素原子が同位体15であるアンモニアとの混合物であり、その窒素原子が同位体14であるアンモニア及びその窒素原子が同位体15であるアンモニアの前記増幅媒体における相対体積比率は、ともに40と60%の間である、請求項1から4の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- 前記アンモニアガスは、その窒素原子が同位体14であるアンモニアとその窒素原子が同位体15であるアンモニアとの混合物であり、前記共振空洞(20)は、その窒素原子が同位体14であるアンモニア及びその窒素原子が同位体15であるアンモニアの前記増幅媒体における相対体積比率を変更することができるように構成される、請求項1から4の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- 第1端部及び第2端部を備える中空光ファイバなどの少なくとも1つの赤外線光ファイバ(31)を含み、前記第1端部は前記赤外線レーザー源(10)の出口に接続され、前記第2端部は前記共振空洞(20)に接続され、前記赤外線レーザー源(10)と前記共振空洞(20)との間の光学的接続を提供する、請求項1から7の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- 前記赤外線レーザー源(10)は、前記共振空洞(20)を光学的にポンピングするポンプ放射を放出するように適合され、
前記共振空洞(20)は、その寸法がc/1.706f(cは光の速さであり、fは前記第1放射周波数である)未満であるポンプ放射を注入するための入口を含み、前記ポンプ放射を注入するための入口の寸法は、優先的にはc/2f未満である、請求項1から8の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。 - 前記赤外線レーザー源(10)の出口は、前記共振空洞(20)の入口に配置される、請求項1から9の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- 前記共振空洞(20)は、前記入口の窓の出口でポンプ放射の発散を減少するように配置された収束レンズ(21c)を含む、請求項9又は10に記載のテラヘルツレーザー(1)。
- その第3放射周波数が700GHzと1200GHzの間である第3電磁放射を少なくとも放出するように適合されたテラヘルツ源(100)であって、
−請求項1から11の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)と、
−その放射周波数が1GHzと200GHzの間である超高周波数放射を放出することができる超高周波数源と、
−前記テラヘルツレーザー(1)によって提供される第1テラヘルツ放射と前記超高周波数放射とを混ぜ合わせて前記第3放射を提供するように配置された、非線形媒体又はデバイスと、
を含む、テラヘルツ源(100)。 - テラヘルツ範囲内でイメージング、分光学、データ伝送、又は障害物検出を実施するための、請求項1から11の何れか1項に記載のテラヘルツレーザー(1)の使用。
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