JP2018196267A - Electric power conversion system - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書が開示する技術は、複数の冷却器と複数の半導体モジュールが積層されている積層体を備える電力変換装置に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a power conversion device including a stacked body in which a plurality of coolers and a plurality of semiconductor modules are stacked.
電力変換装置では、電力変換用のスイッチング素子を含む回路(スイッチング回路)を封止した半導体モジュールがよく使われる。一方、電力変換装置では、スイッチング素子のスイッチング動作に伴うノイズを低減するため、あるいは、リンギングと呼ばれる電流/電圧の振動を低減するため、スナバ回路が用いられる。特許文献1には、半導体モジュールから延びている高電位側端子と低電位側端子(内部のスイッチング回路の高電位側に導通している端子と低電位側に導通している端子)に、スナバ回路が実装された基板がネジ留めされている電力変換装置が開示されている。 In a power conversion device, a semiconductor module in which a circuit (switching circuit) including a switching element for power conversion is sealed is often used. On the other hand, in a power converter, a snubber circuit is used to reduce noise associated with the switching operation of a switching element or to reduce current / voltage oscillation called ringing. In Patent Document 1, a high potential side terminal and a low potential side terminal (terminals connected to the high potential side and terminals connected to the low potential side of the internal switching circuit) extending from the semiconductor module are connected to a snubber. A power conversion device is disclosed in which a substrate on which a circuit is mounted is screwed.
電力変換装置では複数の半導体モジュールを使うことが多い。また、電力変換用のスイッチング素子は発熱量が大きいため、電力変換装置では、半導体モジュールを冷却する冷却器を伴うこともよくある。一つのタイプの電力変換装置は、半導体モジュールと冷却器が交互に並ぶように複数の半導体モジュールと複数の冷却器を積層した積層体を備えている。そのような電力変換装置では、隣り合う半導体モジュールの間の隙間が狭く、各半導体モジュールの高電位側端子と低電位側端子にスナバ回路の基板をネジ留めするのは組み付けの作業性が悪い。 A power converter often uses a plurality of semiconductor modules. In addition, since the switching element for power conversion generates a large amount of heat, the power conversion device often includes a cooler for cooling the semiconductor module. One type of power conversion device includes a stacked body in which a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are stacked so that the semiconductor modules and the coolers are alternately arranged. In such a power conversion device, the gap between adjacent semiconductor modules is narrow, and screwing the snubber circuit board to the high-potential side terminal and the low-potential side terminal of each semiconductor module is poor in assembling workability.
本願の出願人は、複数の半導体モジュールと複数の冷却器が積層された積層体を備えるタイプの電力変換装置に関し、スナバ回路の組み付け作業性のよい構造を提案した(特願2016−001776、2016年1月7日出願、本願出願時は未公開)。その電力変換装置は、半導体モジュールと冷却器が交互に並ぶように複数の半導体モジュールと複数の冷却器が積層されている積層体と、少なくとも一つの半導体モジュールに取り付けられているソケット部品を備えている。ソケット部品が取り付けられている半導体モジュールは、スイッチング素子を含むスイッチング回路を封止しているとともに、スイッチング回路の高電位側端子と低電位側端子が積層体の積層方向と交差する方向に延びている。ソケット部品は、高電位側端子と低電位側端子が差し込めるようになっている絶縁性の本体の内部に、高電位側端子と低電位側端子の間に接続されるスナバ回路を収容している。ソケット部品は、半導体モジュールの積層方向に対して直交する方向から高電位側端子と低電位側端子に差し込めるようになっているので、複数の半導体モジュールが積層された積層体に対して組付け性が良い。 The applicant of the present application has proposed a structure with good workability for assembling a snubber circuit, relating to a power conversion device of a type including a stacked body in which a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are stacked (Japanese Patent Application Nos. 2006-001776 and 2016). Filed on January 7, 1980, unpublished at the time of filing this application. The power conversion device includes a stacked body in which a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are stacked so that the semiconductor modules and coolers are alternately arranged, and a socket component attached to at least one semiconductor module. Yes. The semiconductor module to which the socket part is attached seals the switching circuit including the switching element, and the high potential side terminal and the low potential side terminal of the switching circuit extend in a direction intersecting the stacking direction of the stacked body. Yes. The socket component contains a snubber circuit connected between the high-potential side terminal and the low-potential side terminal inside the insulating body that can be inserted into the high-potential side terminal and the low-potential side terminal. Yes. The socket component can be inserted into the high potential side terminal and the low potential side terminal from the direction orthogonal to the stacking direction of the semiconductor modules, so it is assembled to the stacked body in which multiple semiconductor modules are stacked. Good sex.
しかし、ソケット部品を半導体モジュールの端子に差し込むだけの構造では、自動車搭載の電力変換装置など、振動が大きい環境では、ソケット部品が端子から抜けてしまうおそれがあった。本明細書は、本願の出願人が提示したソケット部品付の電力変換装置の改良に関し、スナバ回路を収容しており半導体モジュールの端子に取り付けられる部品の耐振動性を高める技術を提供する。 However, the structure in which the socket component is simply inserted into the terminal of the semiconductor module may cause the socket component to come out of the terminal in an environment with large vibrations such as a power conversion device mounted on an automobile. The present specification relates to the improvement of the power conversion device with a socket part proposed by the applicant of the present application, and provides a technique for improving the vibration resistance of a part that contains a snubber circuit and is attached to a terminal of a semiconductor module.
本明細書が開示する電力変換装置は、半導体モジュールと冷却器が交互に並ぶように複数の半導体モジュールと複数の冷却器が積層されている積層体と、少なくとも一つの半導体モジュールに取り付けられているアタッチメントを備える。アタッチメントが取り付けられる半導体モジュールは、内部にスイッチング素子を含むスイッチング回路を封止している。また、その半導体モジュールでは、スイッチング回路の高電位側端子と低電位側端子が積層体の積層方向と交差する方向に延びている。アタッチメントは、前述した「積層方向と交差する方向」に沿って高電位側端子と低電位側端子の少なくとも一方が差し込めるようになっている。また、アタッチメントは、本体内部に、高電位側端子と低電位側端子の間に接続されるスナバ回路を収容している。そして、高電位側端子と低電位側端子の少なくとも一方に切欠が設けられており、アタッチメントには、端子の切欠に係止される爪が備えられている。この電力変換装置では、アタッチメントが積層方向と交差する方向に沿って端子に差し込めるようになっているので、積層方向で隣接する端子の間隔が狭くとも、アタッチメント容易に組み付けることができる。さらに、この電力変換装置では、スナバ回路を収容したアタッチメントは爪を備えており、その爪が、端子に設けられた切欠に係止される。爪が端子の切欠に係止されることで激しい振動環境下でもアタッチメントが端子から外れ難くなる。なお、積層されている全ての半導体モジュールに、スナバ回路を内蔵したアタッチメントが取り付けられていてもよく、積層体のなかのいくつかの半導体モジュールにアタッチメントが取り付けられていてもよい。本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。 The power conversion device disclosed in this specification is attached to at least one semiconductor module and a stacked body in which a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are stacked so that the semiconductor modules and the coolers are alternately arranged. With attachments. The semiconductor module to which the attachment is attached encapsulates a switching circuit including a switching element inside. In the semiconductor module, the high-potential side terminal and the low-potential side terminal of the switching circuit extend in a direction crossing the stacking direction of the stacked body. The attachment is configured such that at least one of the high potential side terminal and the low potential side terminal can be inserted along the aforementioned “direction intersecting the stacking direction”. The attachment houses a snubber circuit connected between the high potential side terminal and the low potential side terminal inside the main body. At least one of the high potential side terminal and the low potential side terminal is provided with a notch, and the attachment is provided with a claw that is locked to the notch of the terminal. In this power converter, since the attachment can be inserted into the terminal along the direction intersecting the stacking direction, the attachment can be easily assembled even if the interval between adjacent terminals in the stacking direction is narrow. Furthermore, in this power converter, the attachment that houses the snubber circuit includes a claw, and the claw is locked to a notch provided in the terminal. Since the claw is locked to the notch of the terminal, the attachment is difficult to come off from the terminal even in a severe vibration environment. Note that an attachment with a built-in snubber circuit may be attached to all the stacked semiconductor modules, or an attachment may be attached to some of the semiconductor modules in the stacked body. Details and further improvements of the technology disclosed in this specification will be described in the following “DETAILED DESCRIPTION”.
図面を参照して実施例の電力変換装置2を説明する。実施例の電力変換装置2は、電気自動車100に搭載されている。図1に、電力変換装置2を含む電気自動車100の電力系のブロック図を示す。電力変換装置2は、バッテリ11の直流電力を昇圧した後に交流に変換し、2個の走行用モータ19a、19bに交流電力を供給する。電力変換装置2は、双方向電圧コンバータ回路17と、2個のインバータ回路18a、18bを備える。双方向電圧コンバータ回路17は、フィルタコンデンサ12、リアクトル13、2個のスイッチング素子14a、14b、2個のダイオード15a、15b、スナバコンデンサ5、スナバ抵抗6を備えている。双方向電圧コンバータ回路17は、バッテリ11の側から供給される電力の電圧を昇圧してインバータ回路18a、18bの側に出力する昇圧機能と、インバータ回路18a、18bの側から供給される電力(モータ19a、19bの発電による回生電力)の電圧を降圧してバッテリ11の側に出力する降圧機能を備える。図1に示す双方向電圧コンバータ回路17の回路構成と動作は良く知られているので詳しい説明は省略する。
A
双方向電圧コンバータ回路17では、2個のスイッチング素子14a、14bが直列に接続されており、その直列回路の高電位側と低電位側の間に、スナバコンデンサ5とスナバ抵抗6が直列に接続されている。スナバコンデンサ5とスナバ抵抗6の直列回路がスナバ回路9である。スナバ回路9は、スイッチング素子14a、14bのスイッチング動作に伴うノイズを低減するため、及び、リンギングを低減するために備えられている。なお、図1に示す符号3aが示す破線矩形は、後述する半導体モジュールを意味する。半導体モジュール3aは、2個のスイッチング素子14a、14bの直列接続と、スイッチング素子14a、14bの各々に逆並列に接続されているダイオード15a、15bを封止したパッケージである。また、図1において符号4が示す破線矩形は、後述するアタッチメント4を意味する。アタッチメント4は、スナバ回路9を内蔵したパッケージである。
In the bidirectional
インバータ回路18aは、2個のスイッチング素子の直列接続の組が3組並列に接続された回路構造を有している。各スイッチング素子を適宜に制御することで、各直列接続の中点から交流が出力される。図1に示すインバータ回路18aの回路構成と動作は良く知られているので詳しい説明は省略する。
The
インバータ回路18aの各スイッチング素子にはダイオードが逆並列に接続されている。図1から明らかなとおり、インバータ回路18aが有する3組の直列接続は、双方向電圧コンバータ回路17が有するスイッチング素子14a、14b、ダイオード15a、15bの回路構成と同じである。図1において、符号3b−3dが示す破線矩形は、半導体モジュールを表し、その半導体モジュール3b−3dは、双方向電圧コンバータ回路17の半導体モジュール3aと物理的な構造が同じである。
A diode is connected in antiparallel to each switching element of the
インバータ回路18aにおいて、2個のスイッチング素子の直列接続の高電位側と低電位側の間に、双方向電圧コンバータ回路17のスナバ回路9と同じスナバ回路が接続されている。インバータ回路18aの半導体モジュール3b−3dの各々には、スナバ回路9を内蔵したアタッチメント4が並列に接続されている。
In the
図1では、インバータ回路18aが備えるスイッチング素子とダイオード、及び、スナバ回路の構成は双方向電圧コンバータ回路17の回路構成と同じであるので、インバータ回路18aでは個々の電子部品への符号を省略している。
In FIG. 1, since the configuration of the switching element, the diode, and the snubber circuit included in the
インバータ回路18bは、インバータ回路18aと同じ構造を備えており、図1では、インバータ回路18bの詳しい回路構成は図示を省略している。インバータ回路18bは、2個のスイッチング素子の直列接続と各スイッチング素子に逆並列に接続されているダイオードをまとめた半導体モジュール3e−3gと、各半導体モジュール3e−3gに並列に接続されるアタッチメント4で構成されている。インバータ回路18a、18bのスナバ回路9も、各スイッチング素子が発生するノイズを低減するため、及び、リンギングを低減するために備えられている。
The
双方向電圧コンバータ回路17と2個のインバータ回路18a、18bの間には、平滑コンデンサ16が接続されている。平滑コンデンサ16は、双方向電圧コンバータ回路17が出力する電流の脈動を抑えるために挿入されている。
A smoothing
図2を参照して電力変換装置2のハードウエア構造を説明する。図2は、電力変換装置2の上面図である。電力変換装置2は、7個の半導体モジュール3a−3gを備えている。以下では、7個の半導体モジュール3a−3gのいずれか一つを区別なく示すときには半導体モジュール3と表記する。
The hardware structure of the
7個の半導体モジュール3は、複数の冷却器22と積層されており、それらは積層ユニット10を構成する。複数の半導体モジュール3と複数の冷却器22は、一つずつ交互に積層されている。図中の座標系のX方向が、半導体モジュール3と冷却器22の積層方向に相当する。図2では、積層方向の両端の冷却器だけに符号22を記しており、他の冷却器には符号は省略した。積層ユニット10は電力変換装置2のハウジング23に収容されており板バネ28により積層方向に圧力を受けている。
The seven
積層ユニット10は、複数の冷却器22を積層方向に貫く2本のパイプ58、59を備えており、それらのパイプ58、59は、電力変換装置2の外部にて不図示の冷媒循環装置に接続されている。冷媒は一方のパイプ58を通じて各冷却器22に分配される。冷媒は各冷却器22を流れる間に隣接する半導体モジュール3から熱を吸収し、他方のパイプ59を通じて電力変換装置2から排出される。板バネ28の圧力により、隣接する冷却器22と半導体モジュール3が密着し、半導体モジュール3から冷却器22への伝熱が促進される。
The stacking
ここで、図3を参照して半導体モジュール3を説明する。図3は、半導体モジュール3の斜視図である。半導体モジュール3の本体30の内部には、半導体チップ35a、35bが封止されている。本体30は、樹脂の射出成形で作られる。即ち、半導体チップ35a、35bは、樹脂製の本体30に封止されている。半導体チップ35a、35bは、夫々、一つのスイッチング素子(IGBT素子)と一つのダイオードを逆並列に接続した逆導通型IGBTチップである。半導体チップ35a、35bは半導体モジュール3の内部で直列に接続されており、図1において符号3a〜3gが示す破線矩形で囲んだ範囲の回路を構成する。即ち、半導体モジュール3はその内部にスイッチング素子を含むスイッチング回路を封止している。
Here, the
半導体モジュール3の本体30から3本のパワー端子が延びている。3本のパワー端子は、複数の半導体モジュール3の積層方向(図中のX方向)と交差する方向(図中のZ方向)に延びている。3本のパワー端子は、スイッチング素子の直列接続(スイッチング回路)の高電位側と導通している正極端子31、直列接続の低電位側と導通している負極端子32、及び、直列接続の中点と導通している中点端子33である。図2では、右端の半導体モジュール3aにのみ、各端子の符号を付しており、他の半導体モジュール3b−3gには端子を示す符号は省略している。正極端子31には切欠31aが設けられており、負極端子32には切欠32aが設けられている(図3参照)。切欠31a、32aについては後述する。
Three power terminals extend from the
半導体モジュール3の本体の反対側の側面からは、複数の制御端子34が延びている。複数の制御端子34は、各スイッチング素子(半導体チップ35a、35b)のゲート電極と導通しているゲート端子や、半導体チップ35a、35bの内部の温度センサや電流センサにつながっている制御線などである。制御端子34は、不図示の制御基板に接続されている。制御基板には各半導体モジュール3のスイッチング素子(半導体チップ35a、35b)を駆動するための回路が実装されている。
A plurality of
3本のパワー端子31、32、33は、夫々、バスバを通じて他の部品に接続されている。図1のブロック図から明らかなとおり、全ての半導体モジュール3の高電位側(即ち正極端子31)と低電位側(即ち負極端子32)は、平滑コンデンサ16に接続されている。図2に示したコンデンサユニット21の中に、図1の平滑コンデンサ16とフィルタコンデンサ12に相当するコンデンサ素子が収容されている。全ての半導体モジュール3の正極端子31は、正極バスバ51を通じてコンデンサユニット21と接続されており、負極端子32は負極バスバ52を通じてコンデンサユニット21と接続されている。正極バスバ51は、コンデンサユニット21に近い側では大きな一枚の金属板であり、各半導体モジュール3の正極端子31に向けて、半導体モジュール3の数と同数の枝部が延びている。各枝部が各正極端子31と接合されている。負極バスバ52も同様であり、コンデンサユニット21に近い側では大きな一枚の金属板であり、負極端子32に向けて、半導体モジュール3の数と同数の枝部が延びている。各枝部が各負極端子32と接合されている。
The three
双方向電圧コンバータ回路17の半導体モジュール3aの中点端子33は中間バスバ53を介してリアクトルユニット29に接続している。リアクトルユニット29の中に、図1のリアクトル13に相当する部品が収容されている。他の半導体モジュール3b−3gの中点端子33は、出力バスバ25の一端に接続されており、出力バスバ25の他端は、端子台26において、モータ19a、19b(図1参照)に通じるパワーケーブルの接続端子27を形成している。
The
各半導体モジュール3の正極端子31と負極端子32に、先に述べたアタッチメント4が取り付けられている。図2では、理解を助けるためアタッチメント4をグレーで塗りつぶしてある。
The
図4にアタッチメント4の斜視図を示し、図5にアタッチメント4を取り付けた半導体モジュール3の斜視図を示す。アタッチメント4の本体41は樹脂で作られており、本体41の内部にコンデンサ素子45と抵抗素子46が収容されている。コンデンサ素子45と抵抗素子46は直列に接続されている。コンデンサ素子45が図1で示したスナバコンデンサ5に対応する。抵抗素子46が図1で示したスナバ抵抗6に相当する。即ち、図1で示したスナバ回路9が本体41に収容されている。
4 shows a perspective view of the
アタッチメント4の本体41の側面には導電性と弾性を有している金具42、43が取り付けられている。金具42と金具43は、本体41の内部でスナバ回路に接続されている。金具42は挟持爪42aと係止爪42bを備えており、金具43は挟持爪43aと係止爪43bを備えている。アタッチメント4は、パワー端子(正極端子31と負極端子32)の延設方向(即ち図のZ方向)に沿って、半導体モジュール3に向けて移動することで、本体41と挟持爪42aの間に正極端子31が差し込めるとともに、本体41と挟持爪43aの間に負極端子32が差し込めるようになっている。アタッチメント4を正極端子31と負極端子32の根本まで移動させると、係止爪42bが正極端子31の切欠31aに係止され、係止爪43bが負極端子32の切欠32aに係止される。正極端子31は、本体41と金具42の挟持爪42aで挟持されるとともに、係止爪42bが切欠31aに係止される。また、負極端子32は、本体41と金具43の挟持爪43aで挟持されるとともに、係止爪43bが切欠32aに係止される。こうして、アタッチメント4は、正極端子31と負極端子32に固定される。アタッチメント4の係止爪42b、43bが半導体モジュール3の切欠31a、32aに係止されるので、半導体モジュール3が振動してもアタッチメント4が外れ難い。
On the side surface of the
挟持爪42a(43a)は弾性を有しており、正極端子31(負極端子32)に強く押し当てられる。また、係止爪42b(43b)も弾性を有しており、正極端子31(負極端子)の挿通時には、正極端子31(負極端子32)の表面に倣うように湾曲し、正極端子31(負極端子32)の根本の切欠31a(32a)の位置にて弾性により元の状態に戻り、切欠31a(32a)に係止される。
The clamping
金具42、43は、正極端子31と負極端子32の間にスナバ回路9を電気的に接続する役割も果たす。別言すれば、アタッチメント4を半導体モジュール3に取り付けると、スナバ回路9の一端が金具42を介して正極端子31と導通し、スナバ回路9の他端が金具43を介して負極端子32と導通する。即ち、スナバ回路9が、半導体モジュール3の中の2個のスイッチング素子の直列接続の高電位側と低電位側の間に接続される。
The
図2に示すように、全ての半導体モジュール3にアタッチメント4が取り付けられている。前述したように、アタッチメント4は、複数の半導体モジュール3の積層方向(図中のX方向)と交差するZ方向から半導体モジュール3の端子(正極端子31と負極端子32)に差し込めるようになっている。従って、隣接する半導体モジュール3の正極端子31(負極端子32)の間の空間が狭くてもアタッチメント4の取り付け作業が容易である。
As shown in FIG. 2,
アタッチメント4の本体41の反対側で、正極端子31に正極バスバ51(図2参照)が接合され、負極端子32に負極バスバ52(図2参照)が接合される。
On the opposite side of the
図6−図9を参照してアタッチメントの変形例を説明する。図6は、変形例のアタッチメント104を取り付ける半導体モジュール103の斜視図である。図7は変形例のアタッチメント104の斜視図である。図8は変形例のアタッチメント4を取り付けた半導体モジュール103の斜視図である。図9は半導体モジュール103に取り付けられたアタッチメント104の断面図である。図9は、後述する金具142を通る平面でアタッチメント104をカットした断面図である。図9では、本体141の内部構造は図示を省略した。
A modification of the attachment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a perspective view of the
この変形例では、半導体モジュール103の正極端子31の2箇所に切欠31c、31dが設けられており、負極端子32には切欠が設けられていない。アタッチメント104の本体141には、アタッチメント4と同様に、コンデンサ素子45と抵抗素子46が収容されており、それらは本体141の内部で直列に接続されている。コンデンサ素子45と抵抗素子46の直列接続が図1のスナバ回路9に相当する。本体141には別の導体144が露出している。
In this modification, the
アタッチメント104の本体141の側面には、クリップ状の2個の金具142、143が取り付けられている。金具142、143は、導電性と弾性を有しており、本体141の内部でスナバ回路の一端に電気的に接続されている。スナバ回路の他端には導体144が電気的に接続されている。
Two clip-shaped
金具142はバネフック142aと係止爪142bを備えており、金具143はバネフック143aと係止爪143bを備えている。アタッチメント104は、パワー端子(正極端子31と負極端子32)の延設方向(即ち図のZ方向)に沿って、半導体モジュール103に向けて移動することで、本体141とバネフック142a、143aの間に正極端子31が差し込めるようになっている。アタッチメント104を正極端子31の根本まで移動させると、係止爪142b、143bが正極端子31の切欠31c、31dに係止される。正極端子31は、本体141と金具142、143のバネフック142a、143aで挟持されるとともに、係止爪142b、143bが切欠31c、31dに係止される。図9に、正極端子31が本体141と金具142のバネフック142aの間に挟持されつつ、係止爪142bが切欠31cに係止されている状態がよく表されている。こうして、アタッチメント104は、正極端子31に固定される。アタッチメント104の係止爪142b、143bが半導体モジュール103の切欠31c、31dに係止されるので、半導体モジュール103が振動してもアタッチメント104が外れ難い。
The
バネフック142a、143aは弾性を有しており、正極端子31に強く押し当てられる。また、係止爪142b、143bも弾性を有しており、正極端子31の挿通時には、正極端子31の表面に倣うように湾曲する。正極端子31の根本の切欠31c、31dの位置にて係止爪142b、143bは弾性により元の状態に戻り、切欠31c、31dに係止される。
The spring hooks 142 a and 143 a have elasticity and are strongly pressed against the
金具142、143、及び、導体144は、正極端子31と負極端子32の間にスナバ回路9を電気的に接続する役割も果たす。別言すれば、アタッチメント104を半導体モジュール103に取り付けると、スナバ回路9の一端が金具142、143を介して正極端子31と導通し、スナバ回路9の他端が導体144を介して負極端子32と導通する。即ち、スナバ回路9が、半導体モジュール103の中の2個のスイッチング素子の直列接続の高電位側と低電位側の間に接続される。
The
アタッチメント104の本体141の反対側で、正極端子31に正極バスバ51(図2参照)が接合され、負極端子32に負極バスバ52(図2参照)が接合される。
On the opposite side of the
実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。実施例の正極端子31が高電位側端子の一例に相当し、負極端子32が低電位側端子の一例に相当する。積層ユニット10が積層体の一例に相当する。係止爪42b、43b、142b、143bが、端子の切欠に係合される爪の一例に相当する。
Points to be noted regarding the technology described in the embodiments will be described. The
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。 Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.
2:電力変換装置
3、3a−3g、103:半導体モジュール
4、104:アタッチメント
5:スナバコンデンサ
6:スナバ抵抗
9:スナバ回路
10:積層ユニット
11:バッテリ
12:フィルタコンデンサ
13:リアクトル
14a、14b:スイッチング素子
15a、15b:ダイオード
16:平滑コンデンサ
17:双方向電圧コンバータ回路
18a、18b:インバータ回路
19a、19b:走行用モータ
21:コンデンサユニット
22:冷却器
23:ハウジング
25:出力バスバ
26:端子台
27:接続端子
28:板バネ
29:リアクトルユニット
30:本体
31:正極端子
31a、31c、31d、32a:切欠
32:負極端子
35a:半導体チップ
35b:半導体チップ
41:本体
42、142、43、143:金具
42a、43a:挟持爪
42b、43b、142b、143b:係止爪
45:コンデンサ素子
46:抵抗素子
51:正極バスバ
52:負極バスバ
100:電気自動車
141:本体
142:金具
142a、143a:バネフック
2:
Claims (1)
少なくとも一つの前記半導体モジュールに取り付けられているアタッチメントと、
を備えており、
前記半導体モジュールは、スイッチング素子を含むスイッチング回路を封止しているとともに、当該スイッチング回路の高電位側端子と低電位側端子が前記積層体の積層方向と交差する方向に延びており、
前記アタッチメントは、前記交差する方向に沿って前記高電位側端子と前記低電位側端子の少なくとも一方が差し込めるようになっているとともに、前記高電位側端子と前記低電位側端子の間に接続されるスナバ回路を収容しており、
前記高電位側端子と前記低電位側端子の少なくとも一方に切欠が設けられているとともに、前記アタッチメントが、前記切欠に係止される爪を備えている、電力変換装置。 A stacked body in which a plurality of semiconductor modules and a plurality of coolers are stacked such that the semiconductor modules and the coolers are alternately arranged;
An attachment attached to at least one of the semiconductor modules;
With
The semiconductor module seals a switching circuit including a switching element, and a high potential side terminal and a low potential side terminal of the switching circuit extend in a direction intersecting a stacking direction of the stacked body,
The attachment is configured such that at least one of the high potential side terminal and the low potential side terminal can be inserted along the intersecting direction, and is connected between the high potential side terminal and the low potential side terminal. Contains the snubber circuit to be
A power conversion device, wherein a notch is provided in at least one of the high potential side terminal and the low potential side terminal, and the attachment includes a claw engaged with the notch.
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