JP2018182007A - Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element - Google Patents
Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018182007A JP2018182007A JP2017077739A JP2017077739A JP2018182007A JP 2018182007 A JP2018182007 A JP 2018182007A JP 2017077739 A JP2017077739 A JP 2017077739A JP 2017077739 A JP2017077739 A JP 2017077739A JP 2018182007 A JP2018182007 A JP 2018182007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic electroluminescent
- group
- layer
- electroluminescent device
- compounds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 65
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 5
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims abstract 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 41
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 27
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- -1 fluoranthene compound Chemical class 0.000 description 47
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical class C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006275 3-bromophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(Br)=C([H])C(*)=C1[H] 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCFKFJGPESVYAT-UHFFFAOYSA-N 7,9-bis(3-bromophenyl)cyclopenta[a]acenaphthylen-8-one Chemical compound Brc1cccc(c1)-c1c2c3cccc4cccc(c2c(-c2cccc(Br)c2)c1=O)c34 JCFKFJGPESVYAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical group C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKJDOXBXOLMVMU-UHFFFAOYSA-N BrC1=CC=CC(C2=C(C3=C(C4=CC=C5)C5=CC=C3)C4=C(C3=CC(Br)=CC=C3)C(C3=CC=CC=C3)=C2C2=CC=CC=C2)=C1 Chemical compound BrC1=CC=CC(C2=C(C3=C(C4=CC=C5)C5=CC=C3)C4=C(C3=CC(Br)=CC=C3)C(C3=CC=CC=C3)=C2C2=CC=CC=C2)=C1 XKJDOXBXOLMVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical group C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- QRDGOCRZAXXYPV-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1.C1=CON=N1 QRDGOCRZAXXYPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJEGRMFPMZBYJI-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylfluoranthene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC2=CC=CC(C=3C4=CC=CC=3)=C2C4=C1C1=CC=CC=C1 PJEGRMFPMZBYJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDLYCFCBTGWOCV-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(3-bromophenyl)propan-2-one Chemical compound BrC1=CC=CC(CC(=O)CC=2C=C(Br)C=CC=2)=C1 SDLYCFCBTGWOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGENTPWKPOITLM-UHFFFAOYSA-N 1-(2,5-ditert-butylphenyl)perylene Chemical group C(C)(C)(C)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 LGENTPWKPOITLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetrakis(4-methylphenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetraphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JPDUPGAVXNALOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAPLKVUJRQHNAV-UHFFFAOYSA-N 2,2',7,7'-tetraphenyl-9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C23C4=CC(=CC=C4C4=CC=C(C=C42)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C3=C1 HAPLKVUJRQHNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 2,4,7-trinitrofluoren-9-one Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=C2C3=CC=C([N+](=O)[O-])C=C3C(=O)C2=C1 VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=CO1 CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 2-Oxazoline Chemical compound C1CN=CO1 IMSODMZESSGVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORKWWLSRFDCLR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[4-[2-(1,3-benzothiazol-2-yl)ethenyl]phenyl]ethenyl]-1,3-benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(C=CC=3C=CC(C=CC=4SC5=CC=CC=C5N=4)=CC=3)=NC2=C1 PORKWWLSRFDCLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGRSVHBSCVGKDP-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-9h-carbazole-1-carbaldehyde Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(CC)C(C=O)=C3NC2=C1 WGRSVHBSCVGKDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003229 2-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFJWVJAVVIQZRT-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,3-dihydropyrazole Chemical class C1C=CNN1C1=CC=CC=C1 JFJWVJAVVIQZRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 2h-thiazine Chemical compound N1SC=CC=C1 AGIJRRREJXSQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQJRCRMCYYJMV-UHFFFAOYSA-N 3,4-bis(2-phenylethenyl)benzene-1,2-diamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=C(N)C(N)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 VEQJRCRMCYYJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGLDSEPDYUTBNZ-UHFFFAOYSA-N 3-phenylbuta-1,3-dien-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=C)C(=C)C1=CC=CC=C1 LGLDSEPDYUTBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGXVHMMLOYMEHG-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3,5-dipyridin-2-ylphenyl)-2-phenylpyrimidine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=NC(=CC(=N1)C1=CC(=CC(=C1)C1=NC=CC=C1)C1=NC=CC=C1)C1=CC(=CC(=C1)C1=NC=CC=C1)C1=NC=CC=C1 ZGXVHMMLOYMEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTJHOZUVOADALY-UHFFFAOYSA-N 4-(1,3-dihydropyrazol-2-yl)-N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C1=CC=C(C=C1)N1NC=CC1)C FTJHOZUVOADALY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLQYLLIGYDFCGY-UHFFFAOYSA-N 4-(2-anthracen-9-ylethenyl)-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=CC1=C(C=CC=C2)C2=CC2=CC=CC=C12 CLQYLLIGYDFCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 WPUSEOSICYGUEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPXNOXKLZJBMT-UHFFFAOYSA-N 4-[5-[4-(dimethylamino)phenyl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-n,n-dimethylaniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C)C)O1 FAPXNOXKLZJBMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]aniline Chemical class C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAWLTQJFZUYROA-UHFFFAOYSA-N 6-Nitrochrysene Chemical compound C1=CC=C2C([N+](=O)[O-])=CC3=C(C=CC=C4)C4=CC=C3C2=C1 UAWLTQJFZUYROA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDSODRJWXFGTTJ-UHFFFAOYSA-N 8,9-diphenylfluoranthene Chemical compound C1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(C=C1C1=CC=CC=C1)C1=C3C2=CC=CC3=CC=C1 PDSODRJWXFGTTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical class C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSZJZNNASZFXKN-UHFFFAOYSA-N 9-propan-2-ylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C(C)C)C3=CC=CC=C3C2=C1 LSZJZNNASZFXKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100099988 Arabidopsis thaliana TPD1 gene Proteins 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVQAWGMZPAPCPS-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 JVQAWGMZPAPCPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEMNLLQTCGEARY-UHFFFAOYSA-N N-(2-chlorophenyl)-4-[[7-[[3-[(2-chlorophenyl)carbamoyl]-2-hydroxynaphthalen-1-yl]diazenyl]-8-oxofluoren-2-yl]diazenyl]-3-hydroxynaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=C(C2=CC=CC=C2C=C1C(NC1=C(C=CC=C1)Cl)=O)N=NC=1C(C2=CC3=CC(=CC=C3C2=CC1)N=NC1=C(C(=CC2=CC=CC=C12)C(NC1=C(C=CC=C1)Cl)=O)O)=O GEMNLLQTCGEARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIARQFILQBLAKQ-UHFFFAOYSA-N N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC=1)C1=C2C3=CC=CC4=CC=CC(C2=C(C(=C1C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC=1)=C43 Chemical compound N1=CC(=CC=C1)C=1C=C(C=CC=1)C1=C2C3=CC=CC4=CC=CC(C2=C(C(=C1C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC(=CC=C1)C=1C=NC=CC=1)=C43 BIARQFILQBLAKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100352918 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PTC1 gene Proteins 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFPRJLBZLPBTPZ-UHFFFAOYSA-N acenaphthoquinone Chemical compound C1=CC(C(C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 AFPRJLBZLPBTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000440 benzylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004063 butyryl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N carbon disulfide-14c Chemical compound S=[14C]=S QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical class C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=CC=C1 IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006547 cyclononyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- UZVGSSNIUNSOFA-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-1-carboxylic acid Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C2=C1C=CC=C2C(=O)O UZVGSSNIUNSOFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 description 1
- LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N europium(3+) Chemical compound [Eu+3] LNBHUCHAFZUEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N ketorolac tromethamine Chemical compound OCC(N)(CO)CO.OC(=O)C1CCN2C1=CC=C2C(=O)C1=CC=CC=C1 BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L magnesium acetate Chemical compound [Mg+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UEGPKNKPLBYCNK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011654 magnesium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000011285 magnesium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940069446 magnesium acetate Drugs 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000002757 morpholinyl group Chemical group 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- BWSNYLWZGNCWIH-UHFFFAOYSA-N naphthalene Chemical class C1=CC=CC2=CC=CC=C21.C1=CC=CC2=CC=CC=C21 BWSNYLWZGNCWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- HCIIFBHDBOCSAF-UHFFFAOYSA-N octaethylporphyrin Chemical compound N1C(C=C2C(=C(CC)C(C=C3C(=C(CC)C(=C4)N3)CC)=N2)CC)=C(CC)C(CC)=C1C=C1C(CC)=C(CC)C4=N1 HCIIFBHDBOCSAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000004880 oxines Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- WUHLVXDDBHWHLQ-UHFFFAOYSA-N pentazole Chemical group N=1N=NNN=1 WUHLVXDDBHWHLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000001644 phenoxazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical group [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- RCYFOPUXRMOLQM-UHFFFAOYSA-N pyrene-1-carbaldehyde Chemical compound C1=C2C(C=O)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 RCYFOPUXRMOLQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- ABMYEXAYWZJVOV-UHFFFAOYSA-N pyridin-3-ylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CN=C1 ABMYEXAYWZJVOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical compound C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005255 pyrrolopyridines Chemical class 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000003638 stannyl group Chemical group [H][Sn]([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical class Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K tris[(4-methylquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005287 vanadyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- CJGUQZGGEUNPFQ-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(1,3-benzothiazol-2-yl)phenolate Chemical compound [Zn+2].[O-]C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1.[O-]C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2S1 CJGUQZGGEUNPFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子に関する。より詳しくは、陽極と、基板上に形成された陰極との間に複数の層が積層された構造を有する有機電界発光素子に用いられる有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子に関する。 The present invention relates to a material for an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device. More particularly, the present invention relates to an organic electroluminescent device material and an organic electroluminescent device used in an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked between an anode and a cathode formed on a substrate.
薄く、柔軟でフレキシブルな表示用デバイスや照明に適用できる新しい発光素子として有機電界発光素子(有機EL素子)が期待されており、素子の性能をより高めるための材料について種々検討されている。
そのような材料の1つにフルオランテン骨格を構造中に有する化合物があり、有機電界発光素子の材料として種々の検討が行われている(特許文献1〜3参照)。
Organic electroluminescent devices (organic EL devices) are expected as new light emitting devices applicable to thin, flexible and flexible display devices and illuminations, and various studies have been made on materials for further enhancing the device performance.
One of such materials is a compound having a fluoranthene skeleton in its structure, and various studies have been conducted as materials of organic electroluminescent devices (see
有機電界発光素子は、陰極と陽極との間に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の複数の層が積層された構造を有しており、基板上に設置された陽極上にこのような積層構造が形成された、いわゆる順構造の有機電界発光素子と、基板上に設置された陰極上にこのような積層構造が形成された、いわゆる逆構造の有機電界発光素子とに分けられる。逆構造の有機電界発光素子では、陽極からの正孔の注入に比べて陰極からの電子の注入が遅く、陽極から注入される正孔を発光のために充分に活用できていないという課題があり、逆構造の有機電界発光素子において発光効率を高めるために解決すべき課題の1つである。また、有機電界発光素子には、長期間発光することができることも求められるため、素子寿命が長い素子とすることも課題の1つである。 The organic electroluminescent device has a structure in which a plurality of layers such as an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer and the like are laminated between a cathode and an anode, and the organic electroluminescent device is formed on the anode disposed on the substrate. It is divided into a so-called forward structure organic electroluminescent device in which such a laminated structure is formed, and a so-called reverse structure organic electroluminescent device in which such a laminated structure is formed on a cathode disposed on a substrate. Be In the organic electroluminescent element having the reverse structure, injection of electrons from the cathode is slower than injection of holes from the anode, and there is a problem that holes injected from the anode can not be sufficiently used for light emission. This is one of the problems to be solved in order to increase the light emission efficiency in the organic electroluminescent device of reverse structure. In addition, since it is also required that the organic electroluminescent element can emit light for a long time, one of the problems is to make the element have a long element life.
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、基板上に陰極が形成された構造を有する有機電界発光素子の発光効率を高め、かつ、寿命の長い素子とすることができる材料を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned present situation, and provides a material capable of enhancing the luminous efficiency of an organic electroluminescent device having a structure in which a cathode is formed on a substrate and making the device a long lifetime. The purpose is to
本発明者は、いわゆる逆構造の有機電界発光素子の発光効率を高め、かつ、寿命の長い素子とすることができる材料について種々検討したところ、フルオランテン骨格を構造中に有する特定の構造の化合物を逆構造の有機電界発光素子の材料として用いると、素子の発光効率を高めることができ、また、素子寿命が長い素子となることを見出し、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。 The inventors of the present invention have investigated various materials capable of enhancing the luminous efficiency of the so-called reverse structure organic electroluminescent device and providing a device having a long lifetime, and as a result, a compound having a specific structure having a fluoranthene skeleton. When used as a material of a reverse structure organic electroluminescent device, the luminous efficiency of the device can be enhanced, and it is found that the device lifetime will be long, and it is conceived to be able to solve the above problems clearly. The present invention has been achieved.
すなわち本発明は、陽極と、基板上に形成された陰極との間に複数の層が積層された構造を有する有機電界発光素子に用いられる材料であって、該材料は、下記式(1); That is, the present invention is a material used for an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are stacked between an anode and a cathode formed on a substrate, and the material is represented by the following formula (1) ;
(式中、R1〜R10は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭化水素環基、若しくは、芳香族複素環基のいずれかを表す。)で表されるフルオランテン由来の骨格を有する化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子用材料である。 (Wherein, R 1 to R 10 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon ring group, or an aromatic heterocyclic group And a compound having a fluoranthene-derived skeleton represented by
本発明の有機電界発光素子用材料は上述の構成よりなり、逆構造有機電界発光素子を発光効率が高く、素子寿命も長い素子とすることができる材料である。また本発明の有機電界発光素子用材料は、塗布によって成膜できることから、酸化物層を有する素子のバッファ層の材料として使用することで酸化物層の凹凸を平坦化し、発光層等として結晶化が起こりやすい材料を用いた場合でも、リーク電流が抑制され、均一な面発光を得ることができる素子とすることができる。 The material for an organic electroluminescent device of the present invention has the above-described structure, and is a material capable of making a reverse structure organic electroluminescent device a device having high luminous efficiency and a long device life. In addition, since the material for an organic electroluminescent element of the present invention can be formed into a film by coating, the unevenness of the oxide layer is flattened by using it as a material of a buffer layer of an element having an oxide layer and crystallized as a light emitting layer or the like. Even in the case of using a material which easily causes the leakage, the leakage current is suppressed, and an element capable of obtaining uniform surface emission can be obtained.
以下に本発明を詳述する。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を2つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
The present invention will be described in detail below.
In addition, what combined two or more of each preferable form of this invention described below is also a preferable form of this invention.
本発明の有機電界発光素子用材料が含むフルオランテン由来の骨格を有する化合物(以下においては、フルオランテン化合物とも記載する)は、下記式(1); The compound having a framework derived from fluoranthene (hereinafter also referred to as a fluoranthene compound) contained in the material for an organic electroluminescent device of the present invention has the following formula (1);
(式中、R1〜R10は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭化水素環基、若しくは、芳香族複素環基のいずれかを表す。)で表される化合物である。
本発明の有機電界発光素子用材料は、逆構造有機電界発光素子の電子注入層を形成する材料として使用されることが好ましく、そのようにして用いた場合、逆構造有機電界発光素子の発光効率が高く、素子寿命も長い素子とすることができる。その理由は以下のように考えられる。
逆構造有機電界発光素子の電子注入層や電子輸送層に使用する材料には、(1)LUMO(最低空軌道)のエネルギー準位が低い、(2)LUMOとHOMO(最高被占軌道)とのエネルギー準位の差(バンドギャップ)が広い、(3)酸化還元耐性が高い、の3つが必要と考えられる。LUMO準位を下げるためには一般的にピリジンなどの電子求引性置換基を導入することが多いが、電子求引性部位は酸化に弱いことが多い。また、酸化は正孔によって起こるので、電子求引性置換基にHOMOが局在しないような分子設計が重要となる。フルオランテンは、炭素と水素のみからなる材料で窒素等が存在しないため、比較的酸化還元に安定であると考えられる。また、広いバンドギャップと低いLUMO準位を有する。更に、HOMOもLUMOも中心部位に局在するため、よりLUMOを下げるために電子求引性置換基を導入しても、そこにHOMOが局在しない。これらの点により、上記式(1)で表されるフルオランテン由来の骨格を有する化合物を逆構造有機電界発光素子の材料として用いることで、発光効率が高く、素子寿命も長い素子とすることができると考えられる。
また上記式(1)で表されるフルオランテン化合物において、R1〜R10のいずれかが芳香族炭化水素環基や芳香族複素環基である場合であっても、該環構造が中心のフルオランテン骨格の縮環構造と同一平面上に並ばない配置を取りうるため、化合物の結晶性が低く、この点でも有機電界発光素子の材料として好適である。
(Wherein, R 1 to R 10 are the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon ring group, or an aromatic heterocyclic group It is a compound represented by.).
The material for an organic electroluminescent device of the present invention is preferably used as a material for forming an electron injection layer of a reverse structured organic electroluminescent device, and when it is used as such, the luminous efficiency of the reverse structured organic electroluminescent device And the element life can be made long. The reason is considered as follows.
Materials used for the electron injection layer and the electron transport layer of the reverse structure organic electroluminescent device include (1) low energy level of LUMO (lowest unoccupied orbital), (2) LUMO and HOMO (highest occupied orbital) It is considered necessary that the difference in energy levels (band gap) is large, and (3) the redox tolerance is high. Generally, an electron-withdrawing substituent such as pyridine is often introduced to lower the LUMO level, but the electron-withdrawing site is often susceptible to oxidation. In addition, since oxidation is caused by holes, molecular design is important such that HOMO is not localized to the electron-withdrawing substituent. Since fluoranthene is a material consisting only of carbon and hydrogen and is free from nitrogen and the like, it is considered to be relatively stable to redox. In addition, it has a wide band gap and a low LUMO level. Furthermore, since both HOMO and LUMO are localized at the central site, HOMO will not be localized there even if an electron-withdrawing substituent is introduced to further lower LUMO. From these points, by using a compound having a fluoranthene-derived skeleton represented by the above formula (1) as a material of a reverse structure organic electroluminescent device, the device can have high luminous efficiency and a long device life. it is conceivable that.
Further, in the fluoranthene compound represented by the above formula (1), the fluoranthene having a ring structure at the center, even when any one of R 1 to R 10 is an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group. Since the compound can be arranged not to be coplanar with the condensed ring structure of the skeleton, the crystallinity of the compound is low, which is also suitable as the material of the organic electroluminescent device.
上記式(1)中、R1〜R10は、同一又は異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭化水素環基、若しくは、芳香族複素環基のいずれかを表す。 In the above formula (1), R 1 to R 10 are the same or different and any of a hydrogen atom, an alkyl group which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group Represents
上記アルキル基としては、例えば炭素数1〜18の直鎖状アルキル基、炭素数3〜18の分岐鎖状アルキル基、炭素数3〜18のシクロアルキル基が好適なものとして挙げられる。
上記炭素数1〜18の直鎖状アルキル基としては具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基等が挙げられる。
上記炭素数3〜18の分岐鎖状アルキル基としては具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、イソヘキシル基、イソヘプチル基、イソオクチル基、イソノニル基等が挙げられる。
上記炭素数3〜18のシクロアルキル基としては具体的には、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基等が挙げられる。
上記アルキル基としては、炭素数1〜18の直鎖状アルキル基又は炭素数3〜18の分岐鎖状アルキル基が好ましく、これらの中でも炭素数の上限が14であることが好ましく、10であることがより好ましく、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基、オクチル基が特に好ましい。
As said alkyl group, a C1-C18 linear alkyl group, a C3-C18 branched alkyl group, a C3-C18 cycloalkyl group is mentioned as a suitable thing, for example.
Specific examples of the linear alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group and n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group etc. are mentioned.
Specific examples of the above branched alkyl group having 3 to 18 carbon atoms include isopropyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, isopentyl, isohexyl, isoheptyl, isooctyl and isononyl groups. Can be mentioned.
Specifically as said C3-C18 cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclononyl group etc. are mentioned.
The above alkyl group is preferably a linear alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or a branched alkyl group having 3 to 18 carbon atoms, and among these, the upper limit of the carbon number is preferably 14 and 10 is preferable. More preferred is, for example, methyl group, ethyl group, isopropyl group, isobutyl group or octyl group.
上記芳香族炭化水素環基としては、炭素数6〜18のものが好適なものとして挙げられ、具体的にはベンゼン、ナフタレン、アントラセン等がより好適なものとして挙げられる。
上記芳香族炭化水素環基の炭素数の上限は、14であることが好ましく、10であることがより好ましく、9であることが更に好ましく、具体的にはベンゼンが特に好ましい。
As said aromatic hydrocarbon ring group, a C6-C18 thing is mentioned as a suitable thing, Specifically, a benzene, naphthalene, anthracene etc. are mentioned as a more preferable thing.
The upper limit of the carbon number of the aromatic hydrocarbon ring group is preferably 14, more preferably 10, still more preferably 9, and specifically, benzene is particularly preferred.
上記芳香族複素環基としては、炭素、水素以外の原子であるヘテロ原子を環構成原子として含有するものであり、炭素数0〜10のものが好適なものとして挙げられ、具体的にはペンタゾール、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピラゾール、ピロール、オキサジアゾール、オキサゾリン、フラン、チオフェン等の五員環複素環基;ピリジン、ピラジン、キノリン、イソキノリン、フェナントロリン、チアジン等の六員環複素環基が好適なものとして挙げられる。上記芳香族複素環基としては、これらの中でも炭素数の上限が12であることが好ましく、9であることがより好ましく、5であることが更に好ましい。また、該炭素数の下限が1であることが好ましく、2であることがより好ましく、3であることが更に好ましい。上記芳香族複素環基としては、ピリジン、ピラジン、フラン、チオフェン、イミダゾール等の窒素原子を有するものが特に好適なものとして挙げられる。 As the above-mentioned aromatic heterocyclic group, a hetero atom which is an atom other than carbon and hydrogen is contained as a ring constituting atom, and one having a carbon number of 0 to 10 is mentioned as a preferable example, and specifically, it is a pentazole -Membered ring heterocyclic group such as triazole, tetrazole, imidazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, pyrazole, pyrrole, oxadiazole, oxazoline, furan, thiophene, etc .; pyridine, pyrazine, quinoline, isoquinoline, phenanthroline, thiazine And 6-membered ring heterocyclic groups are preferable. Among these, the upper limit of the carbon number of the aromatic heterocyclic group is preferably 12, more preferably 9, and still more preferably 5, among these. The lower limit of the number of carbon atoms is preferably 1, more preferably 2, and still more preferably 3. As the above-mentioned aromatic heterocyclic group, those having a nitrogen atom such as pyridine, pyrazine, furan, thiophene and imidazole are particularly preferable.
上記R1〜R10のアルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基は、置換基を有するものであってもよい。
該置換基としては、例えば、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜12のアリールオキシ基、炭素数1〜12のアルキルアミノ基、又は、炭素数6〜18のアリールアミノ基が挙げられる。
The alkyl group of R 1 to R 10 , the aromatic hydrocarbon ring group, and the aromatic heterocyclic group may have a substituent.
Examples of the substituent include an aromatic hydrocarbon ring group, an aromatic heterocyclic group, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. And an alkylamino group having 1 to 12 carbon atoms or an arylamino group having 6 to 18 carbon atoms.
上記置換基としてのアルキル基、芳香族炭化水素環、芳香族複素環基としては、上述したものと同様のものが好ましい。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子が挙げられ、中でもフッ素原子が好ましい。
The alkyl group as the substituent, the aromatic hydrocarbon ring and the aromatic heterocyclic group are preferably the same as those described above.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, or an iodine atom is mentioned, Especially, a fluorine atom is preferable.
上記炭素数1〜12のアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状のものが好適なものとして挙げられる。
上記炭素数1〜12のアルコキシ基の炭素数は、1〜8であることが好ましく、1〜6であることがより好ましく、1〜3であることが更に好ましい。
The above-mentioned alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms is methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group And linear or branched ones such as n-heptyloxy group and n-octyloxy group.
The carbon number of the alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 3.
上記炭素数6〜12のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。
上記炭素数6〜12のアリールオキシ基は、上述したもののうち、その炭素数が6〜10であることが好ましい。より好ましくは、6〜8である。更に好ましくは、6である。
As said C6-C12 aryloxy group, a phenyloxy group, a benzyloxy group, etc. are mentioned.
Among the above-mentioned aryloxy groups having 6 to 12 carbon atoms, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. More preferably, it is 6-8. More preferably, it is 6.
上記炭素数1〜12のアルキルアミノ基としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基等の炭素数1〜12のモノアルキルアミノ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピロジニル基、モルホリニル基等の炭素数2〜12の非環状又は環状ジアルキルアミノ基が好適なものとして挙げられる。
上記炭素数1〜12のアルキルアミノ基の炭素数は、1〜8であることが好ましく、1〜6であることがより好ましく、1〜4であることが更に好ましい。
Examples of the alkylamino group having 1 to 12 carbon atoms include monoalkylamino groups having 1 to 12 carbon atoms such as a methylamino group and an ethylamino group; and 2 carbon atoms such as a dimethylamino group, a diethylamino group, a pyridinyl group and a morpholinyl group. -12 acyclic or cyclic dialkylamino groups are mentioned as suitable.
The carbon number of the alkylamino group having 1 to 12 carbon atoms is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 4.
上記炭素数6〜18のアリールアミノ基としては、フェニルアミノ基、ベンジルアミノ基等の炭素数6〜18のモノアリールアミノ基;N−メチル−N−フェニルアミノ基等のN−アルキル−N−アリールアミノ基;ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基等の炭素数12〜18のジアリールアミノ基等が好適なものとして挙げられる。
上記炭素数6〜18のアリールアミノ基の炭素数は、8〜18であることが好ましく、12〜18であることがより好ましく、12であることが更に好ましい。
As said C6-C18 arylamino group, C6-C18 monoaryl amino groups, such as a phenylamino group and a benzylamino group; N-alkyl-N-, such as N-methyl-N- phenylamino group Preferable examples include an arylamino group; a diarylamino group having a carbon number of 12 to 18, such as a diphenylamino group, a carbazolyl group, a phenoxazinyl group, and a phenothiazinyl group.
The carbon number of the arylamino group having 6 to 18 carbon atoms is preferably 8 to 18, more preferably 12 to 18, and still more preferably 12.
その他、上記置換基は、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基;N,N−ジメチルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基等のN,N−ジアルキルカルバモイル基;チオアセチル基、チオベンゾイル基、メトキシチオカルボニル基等のチオカルボニル基;ジオキサボロラニル基、スタニル基、シリル基、エステル基、ホルミル基、チオエーテル基、エポキシ基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホリル基、カルボキシル基等であってもよい。 In addition, the above substituents include acyl groups such as acetyl, propionyl and butyryl; N, N-dialkylcarbamoyl such as N, N-dimethylcarbamoyl and N, N-diethylcarbamoyl; thioacetyl and thiobenzoyl Group, thiocarbonyl group such as methoxythiocarbonyl group; dioxaborolanyl group, stannyl group, silyl group, ester group, formyl group, thioether group, epoxy group, isocyanate group, hydroxyl group, sulfo group, sulfonyl group, phosphoryl It may be a group, a carboxyl group or the like.
なお、上記置換基は、本発明の効果を発揮できる限り、ハロゲン原子やヘテロ原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、芳香環等で更に置換されていてもよい。置換基が結合する位置や数は特に限定されない。 The above substituent may be further substituted by a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aromatic ring or the like as long as the effects of the present invention can be exhibited. There are no particular limitations on the position or number at which the substituent is attached.
本発明においては、上記式(1)のR7〜R10の少なくとも1つが、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は、芳香族複素環基であることが好ましい。このような構造のものであると、共役構造が広がり、より安定性の高い化合物となる。
より好ましくは、R7〜R10のうち2〜4つが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は、芳香族複素環基であることであり、更に好ましくは、R7〜R10の全てが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、又は、芳香族複素環基であることである。
In the present invention, it is preferable that at least one of R 7 to R 10 in the above formula (1) is an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group. If it is such a structure, a conjugated structure will spread and it will become a more stable compound.
More preferably, two to four of R 7 to R 10 are an aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group, and more preferably R 7 all aromatic optionally substituted hydrocarbon ring group to R 10, or is that it is an aromatic heterocyclic group.
また、上記式(1)において、R7〜R10の少なくとも1つは、置換基として芳香族炭化水素環基、又は、芳香族複素環基を有する芳香族炭化水素環であることが好ましい。このような構造のものであると、共役構造が更に広がり、更に安定性の高い化合物となる。置換基として芳香族炭化水素環基や芳香族複素環基を有する芳香族炭化水素環基や芳香族複素環基の数は多いほうが好ましく、2〜4つがそのような構造であることが好ましい。 In the above formula (1), at least one of R 7 to R 10 is an aromatic hydrocarbon ring group as a substituent, or is preferably an aromatic hydrocarbon ring having aromatic heterocyclic group. If it is such a structure, a conjugated structure will further spread and it will become a compound with high stability. It is preferable that the number of the aromatic hydrocarbon ring group and the aromatic heterocyclic group having an aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic heterocyclic group as a substituent is larger, and it is preferable that 2 to 4 have such a structure.
上記式(1)で表されるフルオランテン由来の骨格を有する化合物の製造方法は特に制限されないが、例えば、下記式に示す反応式(2)、(3)により製造することができる。 Although the manufacturing method in particular of the compound which has a framework derived from fluoranthene represented by the said Formula (1) is not restrict | limited, For example, it can manufacture by reaction formula (2), (3) shown to a following formula.
本発明はまた、本発明の有機電界発光素子用材料を用いて構成される、陽極と、基板上に形成された陰極との間に複数の層が積層された構造を有する有機電界発光素子でもある。上述したように、本発明の有機電界発光素子用材料を用いることで、逆構造の有機電界発光素子の発光効率が高く、また素子寿命が長い素子とすることができる。 The present invention is also an organic electroluminescent device having a structure in which a plurality of layers are laminated between an anode and a cathode formed on a substrate, which is configured using the material for an organic electroluminescent device of the present invention. is there. As described above, by using the material for an organic electroluminescent device of the present invention, the light emitting efficiency of the organic electroluminescent device having the reverse structure is high, and the device life can be made long.
上記有機電界発光素子を構成する層には、陽極、陰極の他、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層等があり、これらの層が適宜選択されて積層され、有機電界発光素子が構成される。
本発明の有機電界発光素子は、陽極と、基板上に形成された陰極との間に複数の層が積層された構造を有するものである限り、積層される層の構成は特に制限されないが、陰極、電子注入層、必要に応じて電子輸送層、発光層、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、陽極の各層がこの順に隣接して積層された素子であることが好ましい。
本発明の有機電界発光素子が後述するバッファ層を有する場合、バッファ層が電子注入層として機能するものであることが好ましい。本発明の有機電界発光素子が電子注入層として機能するバッファ層を有する場合、陰極、バッファ層、必要に応じて電子輸送層、発光層、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、陽極の各層がこの順に隣接して積層された素子(第1の素子構造の素子)であることが好ましい。
また、本発明の有機電界発光素子がバッファ層とは別に独立した層として電子注入層を有していてもよく、この場合、陰極、電子注入層、バッファ層、必要に応じて電子輸送層、発光層、必要に応じて正孔輸送層、正孔注入層、陽極の各層がこの順に隣接して積層された素子(第2の素子構造の素子)であることが好ましい。
なお、これらの各層は、1層からなるものであってもよく、2層以上からなるものであってもよい。
The layers constituting the organic electroluminescent device include an anode, a cathode, a light emitting layer, an electron injecting layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer, a hole injecting layer and the like, and these layers are appropriately selected. The layers are stacked to form an organic electroluminescent device.
The structure of the layers to be laminated is not particularly limited as long as the organic electroluminescent device of the present invention has a structure in which a plurality of layers are laminated between the anode and the cathode formed on the substrate. It is preferable that the element is a device in which layers of a cathode, an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, and if necessary, a hole transport layer, a hole injection layer, and an anode are adjacently stacked in this order.
When the organic electroluminescent element of the present invention has a buffer layer described later, the buffer layer preferably functions as an electron injection layer. When the organic electroluminescent device of the present invention has a buffer layer functioning as an electron injection layer, a cathode, a buffer layer, if necessary, an electron transport layer, a light emitting layer, if necessary, a hole transport layer, a hole injection layer, It is preferable that it is an element (element of a first element structure) in which each layer of the anode is stacked adjacent to this in this order.
In addition, the organic electroluminescent device of the present invention may have an electron injection layer as an independent layer separately from the buffer layer, in which case a cathode, an electron injection layer, a buffer layer, an electron transport layer as needed, It is preferable that the light-emitting layer, and the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode, if necessary, be an element (element of a second element structure) stacked adjacent to each other in this order.
Each of these layers may be composed of one layer or two or more layers.
本発明の有機電界発光素子において、陽極及び陰極としては、公知の導電性材料を適宜用いることができるが、光取り出しのために少なくともいずれか一方は透明であることが好ましい。公知の透明導電性材料の例としてはITO(錫ドープ酸化インジウム)、ATO(アンチモンドープ酸化インジウム)、IZO(インジウムドープ酸化亜鉛)、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)、FTO(フッ素ドープ酸化インジウム)などが上げられる。不透明な導電性材料の例としては、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、錫、インジウム、銅、銀、金、白金やこれらの合金などが挙げられる。
陰極としては、この中でも、ITO、IZO、FTOが好ましい。
陽極としては、これらの中でも、Au、Ag、Alが好ましい。
上記のように、一般に陽極に用いられる金属を陰極及び陽極に用いる事ができる事から、上部電極からの光の取り出しを想定する場合(トップエミッション構造の場合)も容易に実現でき、上記電極を種々選んでそれぞれの電極に用いる事ができる。例えば、下部電極としてAl、上部電極にITOなどである。
In the organic electroluminescent device of the present invention, as the anode and the cathode, known conductive materials can be appropriately used, but at least one of them is preferably transparent for light extraction. Examples of known transparent conductive materials include ITO (tin-doped indium oxide), ATO (antimony-doped indium oxide), IZO (indium-doped zinc oxide), AZO (aluminum-doped zinc oxide), FTO (fluorine-doped indium oxide), etc. Is raised. Examples of opaque conductive materials include calcium, magnesium, aluminum, tin, indium, copper, silver, gold, platinum and alloys thereof.
Among these, ITO, IZO and FTO are preferable as the cathode.
Among these, Au, Ag and Al are preferable as the anode.
As described above, since metals generally used for the anode can be used for the cathode and the anode, the case where light extraction from the upper electrode is assumed (in the case of the top emission structure) can be easily realized, and Various types can be selected and used for each electrode. For example, Al is used as the lower electrode, and ITO or the like is used for the upper electrode.
上記陰極の平均厚さは、特に制限されないが、10〜500nmであることが好ましい。より好ましくは、100〜200nmである。陰極の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
上記陽極の平均厚さは、特に限定されないが、10〜1000nmであることが好ましい。より好ましくは、30〜150nmである。また、不透過な材料を用いる場合でも、例えば平均厚さを10〜30nm程度にすることで、トップエミッション型及び透明型の陽極として使用することができる。
陽極の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
The average thickness of the cathode is not particularly limited, but is preferably 10 to 500 nm. More preferably, it is 100 to 200 nm. The average thickness of the cathode can be measured by a stylus profilometer, spectroscopic ellipsometry.
Although the average thickness of the said anode is not specifically limited, It is preferable that it is 10-1000 nm. More preferably, it is 30 to 150 nm. In addition, even when using an opaque material, for example, by setting the average thickness to about 10 to 30 nm, it can be used as a top emission type and transparent type anode.
The average thickness of the anode can be measured at the time of film formation by a quartz oscillator film thickness meter.
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に金属酸化物層を有することが好ましい。
陽極と陰極との間の積層構造の材料として金属酸化物を用いると、金属酸化物からなる層を有さない有機電界発光素子に比べて連続駆動寿命や保存安定性に優れたものとなる。
より好ましくは、陰極と発光層との間に第1の金属酸化物層を有し、陽極と発光層との間に第2の金属酸化物層を有することである。
なお、金属酸化物層の重要性は、第1の金属酸化物層の方が高く、第2の金属酸化物層は、最低非占有分子軌道の極端に深い有機材料、例えば、HATCNでも置き換える事ができる。
The organic electroluminescent device of the present invention preferably has a metal oxide layer between the anode and the cathode.
When a metal oxide is used as the material of the laminated structure between the anode and the cathode, the continuous driving life and storage stability become excellent as compared with the organic electroluminescent device having no layer made of a metal oxide.
More preferably, a first metal oxide layer is provided between the cathode and the light emitting layer, and a second metal oxide layer is provided between the anode and the light emitting layer.
The importance of the metal oxide layer is higher in the first metal oxide layer, and the second metal oxide layer is also replaced with an organic material extremely deep in the lowest unoccupied molecular orbital, for example, HATCN. Can.
上記第1の金属酸化物層は、陰極の一部又は電子注入層として機能し、第2の金属酸化物層は、正孔注入層として機能する層である。
第1の金属酸化物層を陰極の一部と考えれば、第1の金属酸化物層を有する素子は、上述した第1の素子構造の素子であることが好ましく、第1の金属酸化物層を電子注入層と考えれば、第1の金属酸化物層を有する素子は、上述した第2の素子構造の素子であることが好ましい。
第1の金属酸化物層は、単体の金属酸化物膜の一層からなる層、もしくは、単体又は二種類以上の金属酸化物を積層及び/又は混合した層である半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。金属酸化物を構成する金属元素としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、インジウム、ガリウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素からなる群から選ばれる。これらのうち、積層又は混合金属酸化物層を構成する金属元素の少なくとも一つが、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、チタン、亜鉛からなる層であることが好ましく、その中でも単体の金属酸化物ならば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物を含むことが好ましい。
The first metal oxide layer functions as a part of a cathode or an electron injection layer, and the second metal oxide layer functions as a hole injection layer.
If the first metal oxide layer is considered to be part of the cathode, the device having the first metal oxide layer is preferably a device having the first device structure described above, and the first metal oxide layer If the element is considered to be an electron injection layer, the element having the first metal oxide layer is preferably an element of the second element structure described above.
The first metal oxide layer is a layer formed of a single metal oxide film, or a layer obtained by laminating and / or mixing one or more metal oxides, and a layer of a semiconductor or insulator laminated thin film It is. The metal elements constituting the metal oxide include magnesium, calcium, strontium, barium, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, indium, gallium, iron, cobalt, nickel, copper And zinc, cadmium, aluminum and silicon. Among these, it is preferable that at least one of the metal elements constituting the laminated or mixed metal oxide layer is a layer consisting of magnesium, aluminum, calcium, zirconium, hafnium, silicon, titanium, zinc, and among them, a single metal If it is an oxide, it is preferable to include a metal oxide selected from the group consisting of magnesium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, silicon oxide, titanium oxide and zinc oxide.
上記単体又は二種類以上の金属酸化物を積層及び/又は混合した層の例としては、酸化チタン/酸化亜鉛、酸化チタン/酸化マグネシウム、酸化チタン/酸化ジルコニウム、酸化チタン/酸化アルミニウム、酸化チタン/酸化ハフニウム、酸化チタン/酸化ケイ素、酸化亜鉛/酸化マグネシウム、酸化亜鉛/酸化ジルコニウム、酸化亜鉛/酸化ハフニウム、酸化亜鉛/酸化ケイ素、酸化カルシウム/酸化アルミニウムなどの金属酸化物の組合せを積層及び/又は混合したものや、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化マグネシウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化ジルコニウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化アルミニウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化ハフニウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化ケイ素、酸化インジウム/酸化ガリウム/酸化亜鉛などの三種の金属酸化物の組合せを積層及び/又は混合したものなどが挙げられる。これらの中には、特殊な組成として良好な特性を示す酸化物半導体であるIGZOやエレクトライドである12CaO7Al2O3も含まれる。
なお、本発明においては、シート抵抗が100Ω/□より低い物は導電体、シート抵抗が100Ω/□より高い物は半導体または絶縁体として分類される。従って、透明電極として知られているITO(錫ドープ酸化インジウム)、ATO(アンチモンドープ酸化インジウム)、IZO(インジウムドープ酸化亜鉛)、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)、FTO(フッ素ドープ酸化インジウム)等の薄膜は、導電性が高く半導体または絶縁体の範疇に含まれないことから本発明の第1の金属酸化物層を構成する一層に該当しない。
Examples of layers obtained by laminating and / or mixing one or more metal oxides described above include titanium oxide / zinc oxide, titanium oxide / magnesium oxide, titanium oxide / zirconium oxide, titanium oxide / aluminum oxide, titanium oxide / Lamination and / or combination of metal oxides such as hafnium oxide, titanium oxide / silicon oxide, zinc oxide / magnesium oxide, zinc oxide / zirconium oxide, zinc oxide / hafnium oxide, zinc oxide / silicon oxide, calcium oxide / aluminum oxide Mixtures, titanium oxide / zinc oxide / magnesium oxide, titanium oxide / zinc oxide / zirconium oxide, titanium oxide / zinc oxide / aluminum oxide, titanium oxide / zinc oxide / hafnium oxide, titanium oxide / zinc oxide / silicon oxide, Such as indium oxide / gallium oxide / zinc oxide Like those laminating and / or mixing a combination of species of metal oxides. Among these, IGZO which is an oxide semiconductor exhibiting good characteristics as a special composition and
In the present invention, a material having a sheet resistance of less than 100 Ω / □ is classified as a conductor, and a material having a sheet resistance of more than 100 Ω / □ is classified as a semiconductor or an insulator. Therefore, ITO (tin-doped indium oxide), ATO (antimony-doped indium oxide), IZO (indium-doped zinc oxide), AZO (aluminum-doped zinc oxide), FTO (fluorine-doped indium oxide), etc. known as transparent electrodes The thin film is not included in the layer constituting the first metal oxide layer of the present invention because it has high conductivity and is not included in the category of semiconductor or insulator.
上記第2の金属酸化物層を形成する金属酸化物としては、特に制限されないが、酸化バナジウム(V2O5)、酸化モリブテン(MoO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化ルテニウム(RuO2)等の1種又は2種以上を用いることができる。これらの中でも、酸化バナジウム又は酸化モリブテンを主成分とするものが好ましい。第2の金属酸化物層が酸化バナジウム又は酸化モリブテンを主成分とするものにより構成されると、第2の金属酸化物層が陽極から正孔を注入して発光層又は正孔輸送層へ輸送するという正孔注入層としての機能により優れたものとなる。また、酸化バナジウム又は酸化モリブテンは、それ自体の正孔輸送性が高いため、陽極から発光層又は正孔輸送層への正孔の注入効率が低下するのを好適に防止することもできるという利点がある。より好ましくは、酸化バナジウム及び/又は酸化モリブテンから構成されるものである。 The metal oxide for forming the second metal oxide layer is not particularly limited, but vanadium oxide (V 2 O 5 ), molybdenum oxide (MoO 3 ), tungsten oxide (WO 3 ), ruthenium oxide (RuO 2) Etc. can be used alone or in combination of two or more. Among these, those containing vanadium oxide or molybdenum oxide as the main component are preferable. When the second metal oxide layer is composed of vanadium oxide or molybdenum oxide as a main component, the second metal oxide layer injects holes from the anode and transports it to the light emitting layer or the hole transport layer The function as a hole injection layer is better. In addition, vanadium oxide or molybdenum oxide has an advantage that it can suitably prevent the injection efficiency of holes from the anode to the light emitting layer or the hole transport layer from being lowered because the hole transportability of itself is high. There is. More preferably, it is composed of vanadium oxide and / or molybdenum oxide.
上記第1の金属酸化物層の平均厚さは、1nmから数μm程度まで許容できるが、低電圧で駆動できる有機電界発光素子とする点から、1〜1000nmであることが好ましい。より好ましくは、2〜100nmである。
上記第2の金属酸化物層の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましい。より好ましくは、5〜50nmである。
第1の金属酸化物層の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
第2の金属酸化物層の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
The average thickness of the first metal oxide layer is preferably 1 nm to several μm, but is preferably 1 to 1000 nm from the viewpoint of forming an organic electroluminescent device which can be driven at a low voltage. More preferably, it is 2 to 100 nm.
The average thickness of the second metal oxide layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 1000 nm. More preferably, it is 5 to 50 nm.
The average thickness of the first metal oxide layer can be measured by a stylus profilometer, spectroscopic ellipsometry.
The average thickness of the second metal oxide layer can be measured at the time of film formation by a quartz oscillator film thickness meter.
本発明の有機電界発光素子は、金属酸化物層と発光層との間に、上記式(1)で表されるフルオランテン化合物等の有機化合物を含む溶液を塗布して形成されるバッファ層を有することが好ましい。
有機電界発光素子の金属酸化物層は、後述するようにスプレー熱分解法、ゾルゲル法、スパッタ法等の方法で成膜され、表面は平滑ではなく凹凸を持つ。この金属酸化物層の上に、真空蒸着等の方法で発光層を成膜した場合、発光層の原料となる成分の種類によっては、金属酸化物層の表面の凹凸が結晶核となり、金属酸化物層に接する発光層を形成する材料の結晶化が促進される。このため、有機電界発光素子を完成させたとしても、大きなリーク電流が流れ、発光面が不均一化して、実用に耐える素子が得られない場合がある。
しかし、溶液を塗布してバッファ層を形成すると、表面の平滑な層を形成することができるため、金属酸化物層と発光層との間に塗布によりバッファ層を形成すると、発光層を形成する材料の結晶化が抑制され、これによって、金属酸化物層を有する有機電界発光素子が発光層等として結晶化が起こりやすい材料を用いた場合でも、リーク電流の抑制と、均一な面発光を得ることができることになる。
上記式(1)で表されるフルオランテン由来の骨格を有する化合物は、上述したとおり、電子注入層の材料として用いることで、有機電界発光素子を発光効率及び寿命に優れたものとすることができる材料であるとともに、塗布により成膜することが可能な化合物であることから、この化合物を含む本発明の有機電界発光素子用材料を塗布してバッファ層を形成することで、有機電界発光素子を発光効率及び寿命に優れたものとするだけでなく、更に、リーク電流が抑制され、均一な面発光の素子とすることができる。
このように、本発明の有機電界発光素子が、本発明の有機電界発光素子用材料の塗膜の層であるバッファ層を有することは、本発明の好適な実施形態の1つである。
The organic electroluminescent device of the present invention has a buffer layer formed by applying a solution containing an organic compound such as a fluoranthene compound represented by the above formula (1) between the metal oxide layer and the light emitting layer. Is preferred.
The metal oxide layer of the organic electroluminescent element is formed by a method such as a spray pyrolysis method, a sol-gel method, a sputtering method or the like as described later, and the surface is not smooth but has unevenness. When the light emitting layer is formed on this metal oxide layer by vacuum evaporation or the like, the unevenness of the surface of the metal oxide layer becomes a crystal nucleus depending on the kind of the component to be the raw material of the light emitting layer. The crystallization of the material forming the light emitting layer in contact with the object layer is promoted. For this reason, even if the organic electroluminescent device is completed, a large leak current may flow, the light emitting surface may become nonuniform, and a device that can withstand practical use may not be obtained.
However, when a solution is applied to form a buffer layer, a smooth layer can be formed on the surface, so that if a buffer layer is formed by application between the metal oxide layer and the light emitting layer, the light emitting layer is formed. Even when the material whose crystallization is suppressed and thereby the organic electroluminescent device having a metal oxide layer uses a material which is easily crystallized as a light emitting layer or the like, the leakage current is suppressed and uniform surface light emission is obtained. It will be possible.
As described above, the compound having a fluoranthene-derived skeleton represented by the above formula (1) can be used as the material of the electron injection layer to make the organic electroluminescent device excellent in luminous efficiency and life. Since it is a material and a compound capable of forming a film by coating, the organic electroluminescent device material of the present invention containing this compound is coated to form a buffer layer, whereby an organic electroluminescent device is obtained. Not only the light emission efficiency and the life can be excellent, but also the leak current can be suppressed, and an element of uniform surface light emission can be obtained.
Thus, it is one of the preferred embodiments of the present invention that the organic electroluminescent device of the present invention has a buffer layer which is a layer of the coating of the material for organic electroluminescent device of the present invention.
上記バッファ層は、平均厚さが5〜100nmであることが好ましい。平均厚さがこのような範囲であることで、発光層の結晶化を抑制する効果を充分に発揮することができる。バッファ層の平均厚さが5nmより薄いと、酸化物表面に存在する凹凸を十分に平滑化できず、リーク電流が大きくなってバッファ層を形成することの効果を充分に発揮することができないおそれがある。また、バッファ層の平均厚さが100nmより厚いと、駆動電圧が上昇し実用上好ましくない。また、バッファ層の材料として、本発明の有機電界発光素子用材料を用いた場合には、バッファ層は電子注入層としての機能も充分に発揮することができる。上記バッファ層の平均厚さは、より好ましくは、10〜60nmである。また、本発明の有機電界発光素子の連続駆動寿命の点も考えると、上記バッファ層の平均厚さは、10〜30nmであることが更に好ましい。
バッファ層の平均厚さは触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
The buffer layer preferably has an average thickness of 5 to 100 nm. When the average thickness is in such a range, the effect of suppressing the crystallization of the light emitting layer can be sufficiently exhibited. If the average thickness of the buffer layer is smaller than 5 nm, the irregularities present on the oxide surface can not be sufficiently smoothed, and the leak current may be increased, and the effect of forming the buffer layer may not be sufficiently exhibited. There is. In addition, when the average thickness of the buffer layer is larger than 100 nm, the driving voltage is increased, which is not preferable in practical use. When the material for an organic electroluminescent device of the present invention is used as the material of the buffer layer, the buffer layer can sufficiently exhibit the function as an electron injection layer. The average thickness of the buffer layer is more preferably 10 to 60 nm. Further, in view of the continuous driving life of the organic electroluminescent device of the present invention, the average thickness of the buffer layer is more preferably 10 to 30 nm.
The average thickness of the buffer layer can be measured by a stylus type profilometer and spectroscopic ellipsometry.
本発明の有機電界発光素子において、発光層を形成する材料としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよく、これらを混合して用いてもよい。
なお、本発明において低分子材料とは、高分子材料(重合体)ではない材料を意味し、分子量が低い有機化合物を必ずしも意味するものではない。
In the organic electroluminescent device of the present invention, as a material for forming the light emitting layer, either a low molecular weight compound or a high molecular weight compound may be used, and these may be mixed and used.
In the present invention, the low molecular weight material means a material which is not a polymer material (polymer), and does not necessarily mean an organic compound having a low molecular weight.
上記発光層を形成する高分子材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ(ジ−フェニルアセチレン)(PDPA)、ポリ(アルキル,フェニルアセチレン)(PAPA)のようなポリアセチレン系化合物;ポリ(パラ−フェンビニレン)(PPV)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン)(RO−PPV)、シアノ−置換−ポリ(パラ−フェンビニレン)(CN−PPV)、ポリ(2−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン)(DMOS−PPV)、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソキシ)−パラ−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物;ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)、ポリ(オキシプロピレン)トリオール(POPT)のようなポリチオフェン系化合物;ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)、ポリ(ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール)(F8BT)、α,ω−ビス[N,N’−ジ(メチルフェニル)アミノフェニル]−ポリ[9,9−ビス(2−エチルヘキシル)フルオレン−2,7−ジル](PF2/6am4)、ポリ(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ(アントラセン−9,10−ジイル))のようなポリフルオレン系化合物;ポリ(パラ−フェニレン)(PPP)、ポリ(1,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレン)(RO−PPP)のようなポリパラフェニレン系化合物;ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)のようなポリカルバゾール系化合物;ポリ(メチルフェニルシラン)(PMPS)、ポリ(ナフチルフェニルシラン)(PNPS)、ポリ(ビフェニリルフェニルシラン)(PBPS)のようなポリシラン系化合物;更には特開2011−184430号公報、特開2012−151148号公報に記載のホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。 Examples of the polymer material forming the light emitting layer include polyacetylene-based compounds such as trans-type polyacetylene, cis-type polyacetylene, poly (di-phenylacetylene) (PDPA), and poly (alkyl, phenylacetylene) (PAPA); Poly (para-phenvinylene) (PPV), poly (2,5-dialkoxy-para-phenylenevinylene) (RO-PPV), cyano-substituted-poly (para-phenvinylene) (CN-PPV), poly ( Polyparaphenylene vinylenes such as 2-dimethyloctylsilyl-para-phenylenevinylene) (DMOS-PPV), poly (2-methoxy 5- (2'-ethylhexoxy) -para-phenylenevinylene) (MEH-PPV) Compound; poly (3-alkylthiophene) (PAT); Polythiophene-based compounds such as propylene) triol (POPT); poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly (dioctylfluorene-alto-benzothiadiazole) (F8BT), α, ω-bis [N, N ′ -Di (methylphenyl) aminophenyl] -poly [9,9-bis (2-ethylhexyl) fluorene-2,7-dyl] (PF2 / 6am4), poly (9,9-dioctyl-2,7-divinylene) Polyfluorene-based compounds such as fluorenyl-ortho-co (anthracene-9,10-diyl)); poly (para-phenylene) (PPP), poly (1,5-dialkoxy-para-phenylene) (RO) -PPP) -like polyparaphenylene compounds; poly (N-vinylcarbazole) (PVK) -like polycarba Compounds; polysilane compounds such as poly (methylphenylsilane) (PMPS), poly (naphthylphenylsilane) (PNPS), poly (biphenylylphenylsilane) (PBPS), and further JP-A-2011-184430 And a boron compound-based polymer material described in JP 2012-151148 A, and the like.
上記発光層を形成する低分子材料としては、後述するホストとして機能する金属錯体、及び、リン光発光材料の他、8−ヒドロキシキノリン アルミニウム(Alq3)、トリス(4−メチル−8キノリノレート) アルミニウム(III)(Almq3)、8−ヒドロキシキノリン 亜鉛(Znq2)、(1,10−フェナントロリン)−トリス−(4,4,4−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−ブタン−1,3−ジオネート)ユーロピウム(III)(Eu(TTA)3(phen))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィン プラチナム(II)のような各種金属錯体;ジスチリルベンゼン(DSB)、ジアミノジスチリルベンゼン(DADSB)のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、6−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、N,N’−ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレン−ジ−カルボキシイミド(BPPC)のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、4−(ジ−シアノメチレン)−2−メチル−6−(パラ−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、4,4’−ビス[9−ジカルバゾリル]−2,2’−ビフェニル(CBP)、4、4’−ビス(9−エチルー3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)のようなカルバゾール系化合物、2,5−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、2,2’−(パラ−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル(1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン)、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、1,2,3,4,5−ペンタフェニル−1,3−シクロペンタジエン(PPCP)のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、2,2’,7,7’−テトラフェニル−9,9’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン(H2Pc)、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、さらには特開2009−155325号公報および特許第5660371号に記載のホウ素化合物材料等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。 As the low molecular weight material forming the light emitting layer, 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ), tris (4-methyl-8 quinolinolate) aluminum other than metal complex functioning as a host described later and phosphorescent light emitting material described later (III) (Almq 3 ), 8-hydroxyquinoline zinc (Znq 2 ), (1,10-phenanthroline) -tris- (4,4,4-trifluoro-1- (2-thienyl) -butane-1, 3-Gionate) Europium (III) (Eu (TTA) 3 (phen)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphine Various compounds such as platinum (II) Metal complexes; benzene compounds such as distyryl benzene (DSB), diamino distyryl benzene (DADSB), naphthalene Naphthalene compounds such as nile red, phenanthrene compounds such as phenanthrene, chrysene, chrysene compounds such as 6-nitrochrysene, perylene, N, N'-bis (2,5-di-t-butylphenyl) Perylene compounds such as -3,4,9,10-perylene-di-carboximide (BPPC), coronene compounds such as coronene, anthracene compounds such as anthracene and bisstyrylanthracene, pyrene such as pyrene Compounds, pyran compounds such as 4- (di-cyanomethylene) -2-methyl-6- (para-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), acridine compounds such as acridine, stilbene Stilbene compounds, 4,4'-bis [9-dicarbazolyl] -2,2'-bif Carbazole compounds such as phenynyl (CBP), 4,4'-bis (9-ethyl-3-carbazovinylene) -1,1'-biphenyl (BCzVBi), thiophene compounds such as 2,5-dibenzoxazole thiophene, Benzoxazole compounds such as benzoxazole, benzoimidazole compounds such as benzimidazole, benzothiazole compounds such as 2,2 '-(para-phenylenedivinylene) -bisbenzothiazole, bistyryl (1,4- Butadiene compounds such as diphenyl-1,3-butadiene), tetraphenyl butadiene, naphthalimide compounds such as naphthalimide, coumarin compounds such as coumarin, perinone compounds such as perinone, oxadiazole Oxadiazole systemization , Aldazine compounds, cyclopentadiene compounds such as 1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene (PPCP), quinacridones, quinacridone compounds such as quinacridone red, pyrrolopyridines, Pyridine compounds such as thiadiazolopyridine, spiro compounds such as 2,2 ', 7,7'-tetraphenyl-9,9'-spirobifluorene, such as phthalocyanine (H 2 Pc) and copper phthalocyanine Metal or metal-free phthalocyanine compounds, and further, boron compound materials described in JP2009-155325A and Patent No. 5660371, and the like can be mentioned, and one or more of these can be used.
上記正孔輸送層の材料としては、正孔輸送層の材料として通常用いることができるいずれの化合物も用いることができ、各種p型の高分子材料や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
p型の高分子材料(有機ポリマー)としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。
またこれらの化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等が挙げられる。
As a material of the above-mentioned hole transport layer, any compound which can usually be used as a material of a hole transport layer can be used, and various p-type polymer materials and various p-type low molecular materials can be used alone or It can be used in combination.
Examples of p-type polymer materials (organic polymers) include polyarylamines, fluorene-arylamine copolymers, fluorene-bithiophene copolymers, poly (N-vinylcarbazole), polyvinylpyrene, polyvinylanthracene, polythiophenes, and the like. Polyalkylthiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylenevinylene), polyvinylenevinylene, pyreneformaldehyde resin, ethylcarbazoleformaldehyde resin or derivatives thereof, and the like can be mentioned.
These compounds can also be used as a mixture with other compounds. As an example, poly (3,4-ethylenedioxythiophene / styrene sulfonic acid) (PEDOT / PSS) etc. are mentioned as a mixture containing polythiophene.
上記p型の低分子材料としては、1,1−ビス(4−ジ−パラ−トリアミノフェニル)シクロへキサン、1,1’−ビス(4−ジ−パラ−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、4,4’,4’’−トリメチルトリフェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD1)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD3)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、TPTEのようなアリールアミン系化合物、N,N,N’,N’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(パラ−トリル)−パラ−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(メタ−トリル)−メタ−フェニレンジアミン(PDA)のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、N−イソプロピルカルバゾール、N−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、4−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、OxZのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、m−MTDATAのようなトリフェニルメタン系化合物、1−フェニル−3−(パラ−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン(シクロヘキサジエン)系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ジ(4−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,7−ビス(2−ヒドロキシ−3−(2−クロロフェニルカルバモイル)−1−ナフチルアゾ)フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、1,4−ジチオケト−3,6−ジフェニル−ピロロ−(3,4−c)ピロロピロールのようなピロール系化合物、フルオレンのようなフルオレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン、N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
これらの中でも、α−NPD、TPTEのようなアリールアミン系化合物が好ましい。
Examples of the p-type low molecular weight material include 1,1-bis (4-di-para-triaminophenyl) cyclohexane and 1,1′-bis (4-di-para-tolylaminophenyl) -4-4. Aryl cycloalkane compounds such as phenyl-cyclohexane, 4,4 ′, 4 ′ ′-trimethyltriphenylamine, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-1,1′-biphenyl-4,4 ′ -Diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD1), N, N'-diphenyl-N, N '-Bis (4-methoxyphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD2), N, N, N', N'-tetrakis (4-methoxyphenyl) -1,1'- Biphenyl-4,4'-diamine (TPD 3), N, N'-di 1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (α-NPD), arylamine compounds such as TPTE, N, N, N ', N'- Tetraphenyl-para-phenylenediamine, N, N, N ', N'-tetra (para-tolyl) -para-phenylenediamine, N, N, N', N'-tetra (meta-tolyl) -meta-phenylene Phenylenediamine compounds such as diamine (PDA), carbazole compounds such as carbazole, N-isopropylcarbazole, N-phenylcarbazole compounds, stilbene compounds such as stilbene and 4-di-para-tolylaminostilbene compounds, OxZ Oxazole compounds, triphenylmethane, triphenylmethane compounds such as m-MTDATA, 1-phenyl-3 Pyrazoline compounds such as (para-dimethylaminophenyl) pyrazoline, benzine (cyclohexadiene) compounds, triazole compounds such as triazole, imidazole compounds such as imidazole, 1,3,4-oxadiazole, Oxadiazole compounds such as 2,5-di (4-dimethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazole, anthracene compounds such as anthracene, 9- (4-diethylaminostyryl) anthracene, fluorenone Fluorinone compounds such as 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2,7-bis (2-hydroxy-3- (2-chlorophenylcarbamoyl) -1-naphthylazo) fluorenone, anilines such as polyaniline Compounds, silane compounds, 1,4 Pyrrole compounds such as dithioketo-3,6-diphenyl-pyrrolo- (3,4-c) pyrrolopyrrole, fluorene compounds such as fluorene, porphyrins, porphyrin compounds such as metal tetraphenyl porphyrin, quinacridone Metals such as quinacridone compounds, phthalocyanines, copper phthalocyanines, tetra (t-butyl) copper phthalocyanines, iron phthalocyanines or metal free metal phthalocyanine compounds; metals such as copper naphthalocyanines, vanadyl naphthalocyanines, monochlorogallium naphthalocyanines or Metal-free naphthalocyanine compounds, benzidine compounds such as N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine, N, N, N ', N'-tetraphenylbenzidine Etc. , It can be used alone or in combination of two or more thereof.
Among these, arylamine compounds such as α-NPD and TPTE are preferable.
本発明の有機電界発光素子が独立した層として正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましい。より好ましくは、40〜100nmである。
正孔輸送層の平均厚さは、低分子化合物の場合は水晶振動子膜厚計により、高分子化合物の場合は接触式段差計により測定することができる。
When the organic electroluminescent element of the present invention has a hole transport layer as an independent layer, the average thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 nm. More preferably, it is 40-100 nm.
The average thickness of the hole transport layer can be measured by a quartz oscillator film thickness meter in the case of a low molecular weight compound and by a contact step meter in the case of a high molecular weight compound.
上記電子輸送層の材料としては、トリス−1,3,5−(3’−(ピリジン−3’’−イル)フェニル)ベンゼン(TmPyPhB)のようなピリジン誘導体、(2−(3−(9−カルバゾリル)フェニル)キノリン(mCQ))のようなキノリン誘導体、2−フェニル−4,6−ビス(3,5−ジピリジルフェニル)ピリミジン(BPyPPM)のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)のようなフェナントロリン誘導体、2,4−ビス(4−ビフェニル)−6−(4’−(2−ピリジニル)−4−ビフェニル)−[1,3,5]トリアジン(MPT)のようなトリアジン誘導体、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾール)(PBD)のようなオキサジアゾール誘導体、2,2’,2’’−(1,3,5−ベントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(TPBI)のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ)2)、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)などに代表される各種金属錯体、2,5−ビス(6’−(2’,2’’−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
これらの中でも、Alq3のような金属錯体、TmPyPhBのようなピリジン誘導体が好ましい。
As materials for the electron transport layer, pyridine derivatives such as tris-1,3,5- (3 ′-(pyridine-3 ′ ′-yl) phenyl) benzene (TmPyPhB), (2- (3- (9 (9) Quinoline derivatives such as -carbazolyl) phenyl) quinoline (mCQ)), pyrimidine derivatives such as 2-phenyl-4,6-bis (3,5-dipyridylphenyl) pyrimidine (BPyPPM), pyrazine derivatives, bathophenanthroline (BPhen) And phenanthroline derivatives such as 2,4-bis (4-biphenyl) -6- (4 '-(2-pyridinyl) -4-biphenyl)-[1,3,5] triazine (MPT) Derivatives, triazole derivatives such as 3-phenyl-4- (1′-naphthyl) -5-phenyl-1,2,4-triazole (TAZ) Oxazole derivatives, such as 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole) (PBD), 2,2 ′, 2 ′ Imidazole derivatives such as'-(1,3,5-bentlyyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole) (TPBI), aromatic tetracarboxylic acid anhydrides such as naphthalene and perylene, bis [2 -(2-hydroxyphenyl) benzothiazolato] zinc (Zn (BTZ) 2 ), various metal complexes represented by tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq 3 ), etc., 2,5-bis (6 ′-( Organic sila represented by silole derivatives such as 2 ′, 2 ′ ′-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy) Derivatives and the like, can be used alone or in combination of two or more thereof.
Among these, metal complexes such as Alq 3 and pyridine derivatives such as TmPyPhB are preferable.
本発明の有機電界発光素子が電子輸送層を有する場合、電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましい。より好ましくは、40〜100nmである。
電子輸送層の平均厚さは、低分子化合物の場合は水晶振動子膜厚計により、高分子化合物の場合は接触式段差計により測定することができる。
When the organic electroluminescent element of the present invention has an electron transport layer, the average thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 150 nm. More preferably, it is 40-100 nm.
The average thickness of the electron transport layer can be measured by a quartz crystal thickness meter in the case of a low molecular weight compound, and by a contact step meter in the case of a polymer compound.
本発明の有機電界発光素子において、金属酸化物層、陰極、陽極、発光層、正孔輸送層、電子輸送層を形成する方法は特に制限されず、気相成膜法であるプラズマCVD、熱CVD、レーザーCVD等の化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法、そして液相成膜法である電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、ゾル・ゲル法、MOD法、スプレー熱分解法、微粒子分散液を用いたドクターブレード法、スピンコート法、インクジェット法、スクリーンプリンティング法等の印刷技術等を用いることができ、材料に応じた適切な方法を選択して用いることができる。
これらの方法は各層の材料の特性に応じて選択するのが好ましく、層ごとに作成方法が異なっていても良い。第2の金属酸化物層は、これらの中でも、気相製膜法を用いて形成するのがより好ましい。気相製膜法によれば、有機化合物層の表面を壊すことなく清浄にかつ陽極と接触よく形成することができ、その結果、上述したような第2の金属酸化物層を有することによる効果がより顕著なものとなる。
The method of forming the metal oxide layer, the cathode, the anode, the light emitting layer, the hole transporting layer, and the electron transporting layer in the organic electroluminescent device of the present invention is not particularly limited, and plasma CVD, thermal vapor deposition, thermal Chemical vapor deposition (CVD) such as CVD and laser CVD, dry plating such as vacuum deposition, sputtering, and ion plating, thermal spraying, and liquid phase film formation such as electrolytic plating, immersion plating, and wet plating such as electroless plating Plating method, sol-gel method, MOD method, spray thermal decomposition method, doctor blade method using fine particle dispersion, printing method such as spin coating method, ink jet method, screen printing method, etc. can be used, according to the material Any suitable method can be selected and used.
It is preferable to select these methods according to the characteristics of the material of each layer, and the preparation method may be different for each layer. Among these, the second metal oxide layer is more preferably formed using a vapor phase film forming method. According to the vapor phase film forming method, the organic compound layer can be formed cleanly and in good contact with the anode without breaking the surface, and as a result, the effect by having the second metal oxide layer as described above Become more prominent.
本発明の有機電界発光素子において、上述したバッファ層は、有機化合物を含む溶液を塗布することで形成される層であることが好ましい。塗布により所定の厚みのバッファ層を形成することでバッファ層上に成膜する層を形成する材料の結晶化を効果的に抑制することが可能となる。
上記有機化合物を含む溶液を塗布する方法は特に制限されず、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、バーコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布方法を用いることができる。このうち、膜厚をより制御しやすいという点でスピンコート法やスリットコート法が好ましい。
バッファ層を塗布成膜することで、酸化物層表面に存在する凹凸が平滑化されるため、次にバッファ層上に成膜する層を形成する材料の結晶化が抑制される。
In the organic electroluminescent device of the present invention, the above-mentioned buffer layer is preferably a layer formed by applying a solution containing an organic compound. By forming the buffer layer having a predetermined thickness by coating, it is possible to effectively suppress the crystallization of the material for forming the layer to be formed on the buffer layer.
The method of applying the solution containing the above organic compound is not particularly limited, and spin coating method, casting method, microgravure coating method, gravure coating method, wire bar coating method, bar coating method, bar coating method, slit coating method, roll coating method, dip Various coating methods such as a coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexo printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method can be used. Among these, spin coating and slit coating are preferred in that the film thickness can be more easily controlled.
By forming the buffer layer by coating, unevenness on the surface of the oxide layer is smoothed, so crystallization of a material for forming a layer to be formed next on the buffer layer is suppressed.
上記有機化合物を含む溶液を調製するために使用する溶媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、メチルイソプロピルケトン(MIPK)、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール(DEG)、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピラン(THP)、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ジエチレングリコールエチルエーテル(カルビトール)等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。 Examples of the solvent used to prepare the solution containing the organic compound include inorganic solvents such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, ethylene carbonate, etc., methyl ethyl ketone (MEK) ), Ketone solvents such as acetone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), cyclohexanone etc., alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin etc, diethyl Ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), anisole, diethylene glycol dimethyl ether Ether solvents such as diglyme) and diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolve solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve and phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane and cyclohexane, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, aromatic heterocyclic compound solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene and methyl pyrrolidone, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMA) Amide solvents such as chlorobenzene, dichloromethane, chloroform, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, etc., ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate, ethyl formate, dimethyl sulfoxide (DM O), Sulfur compound solvents such as sulfolane, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, acrylonitrile, various organic solvents such as organic acid solvents such as formic acid, acetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid or the like, or And the like.
上記有機化合物を含む溶液は、溶媒中の有機化合物の濃度が0.05〜10質量%であることが好ましい。このような濃度であると、塗布した時の塗りムラや凹凸の発生を抑えることができる。溶媒中の有機化合物の濃度はより好ましくは、0.1〜5質量%であり、更に好ましくは0.1〜3質量%である。 The solution containing the organic compound preferably has a concentration of the organic compound in the solvent of 0.05 to 10% by mass. With such a concentration, it is possible to suppress the occurrence of coating unevenness and unevenness when applied. The concentration of the organic compound in the solvent is more preferably 0.1 to 5% by mass, still more preferably 0.1 to 3% by mass.
本発明の有機電界発光素子は、有機化合物層の材料を適宜選択することによって発光色を変化させることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。このため、表示装置や照明装置の材料として好適に用いることができるものである。
このような、本発明の有機電界発光素子を用いて形成される表示装置もまた、本発明の1つであり、本発明の有機電界発光素子を用いて形成される照明装置もまた、本発明の1つである。
The luminescent color of the organic electroluminescent device of the present invention can be changed by appropriately selecting the material of the organic compound layer, and a desired luminescent color can be obtained by using a color filter or the like in combination. For this reason, it can be suitably used as a material of a display device or a lighting device.
Such a display device formed using the organic electroluminescent device of the present invention is also one of the present invention, and a lighting device formed using the organic electroluminescent device of the present invention is also the present invention. It is one of the
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は「重量部」を、「%」は「質量%」を意味するものとする。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail by way of the following examples, but the present invention is not limited to these examples. In addition, unless there is particular notice, "part" shall mean "weight part" and "%" shall mean "mass%."
実施例1
(工程1)7,9−ビス(3−ブロモフェニル)−8H−シクロペンタ[a]アセナフチレン−8−オンの合成
300mL三口フラスコに1,3−ビス(3−ブロモフェニル)プロパン−2−オン(7.2g,19.6mmol)、アセナフテンキノン(3.56g,19.6mmol)、エタノール(196mL)を入れ、加熱攪拌しながら水酸化カリウムのエタノール溶液(1.1gを20mLに溶解させたもの)を滴下する。滴下終了後、還流させながら2時間加熱攪拌した。0℃に冷却し、析出固体をろ取して7,9−ビス(3−ブロモフェニル)−8H−シクロペンタ[a]アセナフチレン−8−オンを8.75(17.0mmol)得た(収率87%)。
本化合物は溶剤に不溶であったため同定は行わず、次の工程に進んだ。
工程1の反応は、下記反応式(4)のように表される。
Example 1
(Step 1) Synthesis of 7,9-bis (3-bromophenyl) -8H-cyclopenta [a] acenaphthylene-8-one In a 300 mL three-necked flask, 1,3-bis (3-bromophenyl) propan-2-one ( 7.2 g (19.6 mmol), acenaphthenequinone (3.56 g, 19.6 mmol) and ethanol (196 mL) were added, and while heating and stirring, a solution of potassium hydroxide in ethanol (1.1 g dissolved in 20 mL) ) Is dropped. After completion of the dropwise addition, the mixture was heated and stirred for 2 hours while refluxing. The mixture was cooled to 0 ° C., and the precipitated solid was collected by filtration to give 7.75 (17.0 mmol) of 7,9-bis (3-bromophenyl) -8H-cyclopenta [a] acenaphthylen-8-one (yield) 87%).
Since this compound was insoluble in the solvent, identification was not performed, and the process proceeded to the next step.
The reaction of
(工程2)7,10−ビス(3−ブロモフェニル)−8,9−ジフェニルフルオランテンの合成
7,9−ビス(3−ブロモフェニル)−8H−シクロペンタ[a]アセナフチレン−8−オン(2.2g,4.3mmol)とジフェニルアセチレン(1.68g,5.1mmol)をジフェニルエーテル(21mL)に懸濁させ、マイクロを照射しながら8時間反応させた。室温まで放冷後、ヘキサンを加えて析出固体をろ取し、7,10−ビス(3−ブロモフェニル)−8,9−ジフェニルフルオランテンを2.2g(3.31mmol)得た(収率77%)。
得られた化合物のNMRチャートは図1に示した。
工程2の反応は、下記反応式(5)のように表される。
(Step 2) Synthesis of 7,10-bis (3-bromophenyl) -8,9-
The NMR chart of the obtained compound is shown in FIG.
The reaction of
(工程3)7,10−ビス[3−(3−ピリジル)フェニル]−8,9−ジフェニルフルオランテン(フルオランテンA)の合成
100mL二口フラスコに7,10−ビス(3−ブロモフェニル)−8,9−ジフェニルフルオランテン(1.20g,1.80mmol)、3−ピリジンボロン酸(738mg,6.9mmol)、Pd(PPh3)4(116mg,0.10mmol)を入れ、トルエン(30mL)とエタノール(7.2mL)に溶解させた。これに2.0M炭酸ナトリウム水溶液(7.2mL,14.4mmol)を加え、還流させながら終夜加熱攪拌した。室温まで放冷後、水を加え酢酸エチルで抽出した後、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過してろ液を濃縮し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、フルオランテンAを773mg(1.17mmol)得た。(収率65%)
得られた化合物のNMRチャートは図2に示した。
工程3の反応は、下記反応式(6)のように表される。
(Step 3) Synthesis of 7,10-bis [3- (3-pyridyl) phenyl] -8,9-diphenylfluoranthene (fluoranthene A) 7,10-bis (3-bromophenyl) in a 100 mL two-
The NMR chart of the obtained compound is shown in FIG.
The reaction of
実施例2:7,10−ビス(3−ブロモフェニル)−8,9−ジフェニルフルオランテン(フルオランテンB)の合成
100mL二口フラスコに7,10−ビス(3−ブロモフェニル)−8,9−ジフェニルフルオランテン(1.0g,1.51mmol)、フェニルボロン酸(551mg,5.52mmol)、Pd(PPh3)4(87mg,0.075mmol)を入れ、トルエン(15mL)とエタノール(5.4mL)に溶解させた。これに2.0M炭酸ナトリウム水溶液(5.4mL,10.8mmol)を加え、還流させながら終夜加熱攪拌した。室温まで放冷後、水を加えクロロホルムで抽出した後、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過してろ液を濃縮し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、フルオランテンBを696mg(1.06mmol)得た。(収率70%)
得られた化合物のNMRチャートは図3に示した。
実施例2の反応は、下記反応式(7)のように表される。
Example 2: Synthesis of 7,10-bis (3-bromophenyl) -8,9-diphenylfluoranthene (fluoranthene B) in a 100 mL two-
The NMR chart of the obtained compound is shown in FIG.
The reaction of Example 2 is expressed as the following reaction formula (7).
実施例3:フルオランテン化合物の物性評価
実施例1および2で合成したフルオランテンAおよびフルオランテンBのHOMO、LUMOの値を、サイクリックボルタンメトリー測定、および光学バンドギャップ測定から算出した。サイクリックボルタンメトリーはビー・エー・エス社製電気化学アナライザーで、光学バンドギャップは島津製作所製UV−1800により測定した。測定した値は表1に示した。フルオランテンA、およびBはLUMOが深く、広いバンドギャップを有していることが明らかとなった。
実施例4:有機電界発光素子の製造と評価
以下に示す方法により、図4に示す有機電界発光素子1を製造した。
[工程1]
基板2として、ITOからなる厚み150nmのパターニングされた電極(陰極3)が形成されている平均厚さ0.7mmの市販されている透明ガラス基板を用意した。そして、陰極3を有する基板2を、アセトン中、イソプロパノール中で超音波洗浄し、その後、UVオゾン洗浄を20分間行った。
[工程2]
このITO電極(陰極3)上に、亜鉛金属をターゲットとし、反応ガスとして酸素をキャリアガスとしてアルゴンを用いたスパッタ法により、平均厚さ10nmの酸化亜鉛(ZnO)層を形成した。その後、イソプロパノール、アセトンで洗浄を行った。さらに、本基板をスピンコーターにセットし、1重量%酢酸マグネシウム溶液(水/エタノール=1/3)を毎分1600回転で60秒スピンコートし、大気下でホットプレートにより400℃1時間アニールを行った。続いて本基板を水で洗浄した後、大気下でホットプレートにより250℃30分間乾燥させ、酸化物層4を形成した。
[工程3]
次に、以下に示す方法により、酸化物層上に、有機化合物を含む電子注入層5を形成した。まず、実施例1で合成したフルオランテンAをシクロペンタノンに溶解し、1重量%のシクロペンタノン溶液を作製した。次に、[工程2]で作製した陰極3および酸化物層4の形成されている基板2をスピンコーターに設置した。そして、フルオランテンAの1重量%シクロペンタノン溶液を酸化物層4上に滴下しながら、基板2を毎分3000回転で90秒間回転させて電子注入層5を形成した。電子注入層5の膜厚が10nm程度となるようにシクロペンタノン溶液濃度、スピンコート条件を設定した。
[工程4]
次に、電子注入層5までの各層が形成された基板2を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、下記式(8)で示されるビス[2−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(Zn(BTZ)2)と、下記式(9)で示されるトリス[1−フェニルイソキノリン]イリジウム(III)(Ir(piq)3)と、下記式(10)で示されるN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)と、下記式(11)で示されるN4,N4’−ビス(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−イル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニルー4,4’−ジアミン(DBTPB)と、Alとを、それぞれアルミナルツボに入れて蒸着源にセットした。そして、真空蒸着装置内を約1×10−5Paの圧力となるまで減圧して、Zn(BTZ)2をホスト、Ir(piq)3をドーパントとして20nm共蒸着し、発光層6を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ir(piq)3が発光層6全体に対して6重量%となるようにした。次に、発光層6まで形成した基板2上に、DBTPBとα−NPDをそれぞれ10nmと30nmをそれぞれ蒸着することにより、正孔輸送層7を成膜した。さらに、三酸化モリブデンMoO3を真空一貫で蒸着することにより成膜し、膜厚が10nmの正孔注入層8を形成した。
[工程5]
次に、正孔注入層8まで形成した基板2上に、アルミニウム(陽極9)を膜厚が100nmとなるように蒸着して、本発明の実施例である「素子1」を得た。
Example 4 Production and Evaluation of Organic Electroluminescent Device The
[Step 1]
A commercially available transparent glass substrate with an average thickness of 0.7 mm on which a 150 nm thick patterned electrode (cathode 3) made of ITO is formed was prepared as the
[Step 2]
On this ITO electrode (cathode 3), a zinc oxide (ZnO) layer with an average thickness of 10 nm was formed by sputtering using zinc metal as a target and using oxygen as a carrier gas and argon as a carrier gas. After that, washing was performed with isopropanol and acetone. Furthermore, this substrate is set in a spin coater, and a 1 wt% magnesium acetate solution (water / ethanol = 1/3) is spin coated at 1600 rpm for 60 seconds, and annealed at 400 ° C. for 1 hour by a hot plate under air. went. Subsequently, the substrate was washed with water and then dried on a hot plate at 250 ° C. for 30 minutes under the atmosphere to form an
[Step 3]
Next, the
[Step 4]
Next, the
[Step 5]
Next, aluminum (anode 9) was vapor-deposited to a film thickness of 100 nm on the
実施例5
上記[工程3]において、実施例1で合成したフルオランテンAの1重量%のシクロペンタノン溶液を用いる代わりに、実施例2で合成したフルオランテンBの1重量%のシクロペンタノン溶液を用いたこと以外は実施例4と同様にして、本発明の実施例である「素子2」を得た。
Example 5
In the above [Step 3], instead of using the 1 wt% cyclopentanone solution of fluoranthene A synthesized in Example 1, a 1 wt% cyclopentanone solution of fluoranthene B synthesized in Example 2 was used. In the same manner as in Example 4 except for the above, "
比較例1
市販されている電子注入層材料である下記式(12)で示されるバソクプロイン(BCP)を実施例4の工程3のフルオランテンAの代わりに用いて「素子3」を得た。ここでBCP層の膜厚を10nm程度とするため、シクロペンタノン溶液は0.1重量%、スピンコートは毎分1000回転で120秒間とした。
Comparative Example 1
A “
有機電界発光素子の発光特性および寿命測定
ケースレー社製の「2400型ソースメーター」により、素子への電圧印加と、電流測定を行った。トプコン社製の「BM−7」により、発光輝度を測定した。また、目視により発光面の均一性を確認した。また、寿命はフォドダイオードを用い、初期輝度を1000cd/m2とする定電流下での駆動による輝度変化、ここでは初期輝度の80%になるまでの輝度推移を測定した。
実施例4、5、および比較例1で製造した素子1、2、3のリーク電流値、発光効率、素子寿命の結果を表2に示した。それぞれの結果はBCPの値を1としたときの相対値で示した。また、リーク電流値は非発光時に流れる電流として、素子に2Vを印加した時の電流値とした。
Leakage current values, luminous efficiencies and device life results of the
フルオランテンA、およびBを用いた素子は、優れたリーク抑制能、発光効率を有し、素子寿命も長い素子であることが確認された。 The devices using fluoranthene A and B were confirmed to be devices having excellent leak suppression ability, luminous efficiency and long device life.
1:有機電界発光素子(逆構造有機電界発光素子)
2:基板
3:陰極
4:無機の酸化物層
5:電子注入層
6:発光層
7:正孔輸送層
8:正孔注入層
9:陽極
1: Organic electroluminescent device (reverse structure organic electroluminescent device)
2: Substrate 3: Cathode 4: Inorganic oxide layer 5: Electron injection layer 6: Light emitting layer 7: Hole transport layer 8: Hole injection layer 9: Anode
Claims (8)
該材料は、下記式(1);
The material has the following formula (1):
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017077739A JP6877222B2 (en) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | Materials for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017077739A JP6877222B2 (en) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | Materials for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018182007A true JP2018182007A (en) | 2018-11-15 |
JP6877222B2 JP6877222B2 (en) | 2021-05-26 |
Family
ID=64275974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017077739A Active JP6877222B2 (en) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | Materials for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6877222B2 (en) |
-
2017
- 2017-04-10 JP JP2017077739A patent/JP6877222B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6877222B2 (en) | 2021-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6952087B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
WO2021045178A1 (en) | Organic thin film and method for producing organic thin film, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin film solar cell, photoelectric conversion element, thin film transistor, coating composition and material for organic electroluminescent elements | |
US11038126B2 (en) | Iridium complex compound, composition containing the compound and solvent, organic electroluminescent element containing the compound, display device, and illumination device | |
US20200317706A1 (en) | Iridium complex compound, composition containing the compound and solvent, organic electroluminescent element containing the compound, display device, and illumination device | |
WO2013157451A1 (en) | Organic electroluminescent element and method for manufacturing same | |
JP7477950B2 (en) | Fused ring compound, organic electroluminescence element, display device, and lighting device | |
JP2024028707A (en) | Organic thin film and manufacturing method for the same, organic electroluminescent device, display device, lighting device, organic thin film solar cell, thin film transistor, photoelectric conversion element, paint composition, and material for organic electroluminescent element | |
JP6928534B2 (en) | Materials for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices | |
JP7125324B2 (en) | Organic electroluminescence device, display device, and lighting device | |
TWI748155B (en) | Polymer, coating compositions comprising the same, and organic light emitting device using the same | |
JP2016174100A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP6877222B2 (en) | Materials for organic electroluminescent devices and organic electroluminescent devices | |
JP2021166280A (en) | Organic thin film and organic thin film manufacturing method, organic electroluminescent element, display device, lighting device, organic thin-film solar battery, photoelectric conversion element, thin-film transistor, coating composition, and organic electroluminescent element material | |
JP2015115405A (en) | Polymer for organic electroluminescent light-emitting element, and organic electroluminescent element | |
JP7197337B2 (en) | organic electroluminescent device | |
JP2022148822A (en) | Organic thin film, organic electroluminescent element, organic electroluminescent element material, display device, and lighting device | |
JP6578122B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP6604713B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
KR20240094062A (en) | Compound and organic light emitting device comprising same | |
KR20190135910A (en) | Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device | |
KR20220065449A (en) | Compound and organic light emitting device comprising same | |
KR20210021762A (en) | Compound and organic light emitting device comprising same | |
JP2014146628A (en) | Composition for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element | |
JP2017034062A (en) | Organic electroluminescent element, display device, illumination device, and manufacturing method of organic electroluminescent element | |
JP2015170641A (en) | Polymer for organic electroluminescent element containing polyalkyleneimine structure and organic electroluminescent element using the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210427 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6877222 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE Ref document number: 6877222 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |