JP2018179567A - Sensor output processor and method for processing sensor output - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sensor output processor which can process output of a sensor with less power.SOLUTION: The sensor output processor for processing output of a sensor includes: an integration part for integrating signals from a sensor; and an integrated time control unit for acquiring information on the impedance of the sensor and for reducing the integration time per unit time obtained by the integration part more when the impedance of the sensor obtained by the integration part is higher. The power consumption can be reduced by shortening the integration time per unit time.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、センサ出力処理装置およびセンサ出力処理方法に関する。   The present invention relates to a sensor output processing device and a sensor output processing method.

従来、赤外線検出器における積分時間を温度に応じて変化させることによって赤外線検出器のドリフトを調整する赤外線測定装置が知られている(例えば、特許文献1)。
[特許文献]
[特許文献1] 国際公開第2009/089897号
Conventionally, an infrared measuring device is known which adjusts the drift of the infrared detector by changing the integration time in the infrared detector according to the temperature (for example, Patent Document 1).
[Patent Document]
[Patent Document 1] International Publication No. 2009/089897

センサの出力を処理するセンサ出力処理装置においては、消費電流を削減することが望ましい。   In a sensor output processing apparatus that processes sensor output, it is desirable to reduce current consumption.

本発明の第1の態様においては、センサの出力を処理するセンサ出力処理装置であって、センサからの信号を積分する積分部と、センサのインピーダンスに関する情報を取得して、センサのインピーダンスが高いほど積分部による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する積分時間制御部と、を備えるセンサ出力処理装置を提供する。   In a first aspect of the present invention, a sensor output processing apparatus for processing an output of a sensor, the integration unit integrating a signal from the sensor, and information on the impedance of the sensor is acquired, and the impedance of the sensor is high. And an integration time control unit that performs control so as to shorten an integration time per unit time by the integration unit.

本発明の第2の態様においては、センサの出力を処理するセンサ出力処理方法であって、
センサからの信号を積分する段階と、センサのインピーダンスに関する情報を取得して、センサのインピーダンスが高いほど、積分する段階における単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する段階と、を備えるセンサ出力処理方法を提供する。
In a second aspect of the present invention, there is provided a sensor output processing method for processing an output of a sensor, comprising:
A sensor comprising: integrating a signal from the sensor; and acquiring information on the impedance of the sensor and controlling the integration time per unit time to be shorter as the sensor impedance is higher. Provide an output processing method.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   Note that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a subcombination of these feature groups can also be an invention.

本発明の第1実施形態における赤外線検出装置10の概要を示す。The outline | summary of the infrared rays detection apparatus 10 in 1st Embodiment of this invention is shown. 第1実施形態における赤外線検出装置10の構成の一例を示す。An example of a structure of the infrared rays detection apparatus 10 in 1st Embodiment is shown. 第1実施形態における処理装置100の構成の一例を示す。An example of a structure of the processing apparatus 100 in 1st Embodiment is shown. 積分部110およびサンプルホールド部120の構成の一例を示す。An example of a structure of the integration part 110 and the sample holding part 120 is shown. 積分部110の出力信号波形の一例を示す。An example of an output signal waveform of integration part 110 is shown. インピーダンスに基づく積分時間の制御の一例を示す。An example of control of integration time based on impedance is shown. インピーダンスに基づく積分時間の制御の他例を示す。The other example of control of integration time based on impedance is shown. 積分時間、ノイズ、および消費電流の関係を示す。The relationship between integration time, noise, and current consumption is shown. 赤外線センサ20のインピーダンスと赤外線センサ出力換算ノイズとの関係を示す。The relationship between the impedance of the infrared sensor 20 and infrared sensor output conversion noise is shown. 第1実施形態の処理装置100における赤外線センサ20のインピーダンス、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。An example of the relationship of the impedance of the infrared sensor 20 in the processing apparatus 100 of 1st Embodiment, noise, and consumption current is shown. 比較例における赤外線検出装置11の構成の一例を示す。An example of a structure of the infrared detection apparatus 11 in a comparative example is shown. 比較例の処理装置200における赤外線センサ20のインピーダンス、ノイズ、および消費電流の関係を示す。The relationship of the impedance of the infrared sensor 20 in the processing apparatus 200 of a comparative example, noise, and consumption current is shown. 変形例における赤外線検出装置10の一例を示す。An example of the infrared detection apparatus 10 in a modification is shown. 赤外線センサ20の場所の温度、赤外線センサ20のインピーダンス、およびノイズの関係を示す。The relationship between the temperature of the location of the infrared sensor 20, the impedance of the infrared sensor 20, and noise is shown. 変形例におけるインピーダンス測定部390の構成の一例を示す。An example of a structure of the impedance measurement part 390 in a modification is shown. 変形例の処理装置100における赤外線センサ20の温度、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。An example of the temperature of the infrared sensor 20 in the processing apparatus 100 of a modification, noise, and a consumption current is shown. 比較例の処理装置200における赤外線センサ20の温度、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。An example of the temperature of the infrared sensor 20 in the processing apparatus 200 of a comparative example, noise, and a consumption current is shown. 本発明の第1実施形態の赤外線検出装置10による処理内容の一例を示す。An example of the processing content by the infrared rays detection apparatus 10 of 1st Embodiment of this invention is shown. 本発明の第2実施形態における赤外線検出装置10の構成の一例を示す。An example of a structure of the infrared rays detection apparatus 10 in 2nd Embodiment of this invention is shown. 本発明の第2実施形態の赤外線検出装置10による処理内容の一例を示す。An example of the processing content by the infrared rays detection apparatus 10 of 2nd Embodiment of this invention is shown.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through the embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. Moreover, not all combinations of features described in the embodiments are essential to the solution of the invention.

図1は、本発明の第1実施形態における赤外線検出装置10の概要を示す。本発明は、赤外線センサ以外のセンサに対するセンサ処理装置にも適用できる。特に、センサの種類によらず、トランスインピーダンスアンプに接続されるセンサに対するセンサ出力処理装置に適用される。トランスインピーダンスアンプに接続されるセンサにおいては、センサのインピーダンスが高いほど、ノイズが小さくなる。以下の説明では、赤外線検出装置10に本発明を適用した場合を例にとって説明する。   FIG. 1 shows an outline of an infrared detection device 10 according to a first embodiment of the present invention. The present invention is also applicable to sensor processing devices for sensors other than infrared sensors. In particular, the present invention is applied to a sensor output processing device for a sensor connected to a transimpedance amplifier regardless of the type of sensor. In a sensor connected to a transimpedance amplifier, the higher the sensor's impedance, the smaller the noise. In the following description, the case where the present invention is applied to the infrared detection device 10 will be described as an example.

赤外線検出装置10は、赤外線を検出する。赤外線検出装置10は、人体から出る赤外線を検出して、検出領域内に人体が存在するか否かを判定するための人感センサであってよい。赤外線検出装置10は、赤外線センサ20および処理装置100を備える。赤外線センサ20は、赤外線を検出するセンサである。赤外線センサ20は、センサのインピーダンスによってノイズが変動するタイプのセンサの一例である。処理装置100は、センサの出力を処理するセンサ出力処理装置である。本例では、処理装置100は、赤外線センサ20の出力を処理する。処理装置100は、1つの半導体チップ上に形成された集積回路であってよい。   The infrared detection device 10 detects infrared light. The infrared detection device 10 may be a human sensor for detecting infrared light emitted from the human body and determining whether or not the human body is present in the detection area. The infrared detection device 10 includes an infrared sensor 20 and a processing device 100. The infrared sensor 20 is a sensor that detects infrared light. The infrared sensor 20 is an example of a type of sensor in which noise varies with the impedance of the sensor. The processing device 100 is a sensor output processing device that processes the output of a sensor. In the present example, the processing device 100 processes the output of the infrared sensor 20. The processing apparatus 100 may be an integrated circuit formed on one semiconductor chip.

赤外線センサ20と処理装置100とは、一つのパッケージに内蔵されてよい。本例の赤外線検出装置10は、表面実装型のパッケージの形態を採用しており、複数の外部端子12aから12fを有する。但し、赤外線検出装置10の構成は、この場合に限られない。赤外線センサ20と、処理装置100とは、それぞれ別のパッケージに内蔵されてもよい。   The infrared sensor 20 and the processing device 100 may be incorporated in one package. The infrared detection device 10 of this example adopts a form of a surface mount type package, and has a plurality of external terminals 12a to 12f. However, the configuration of the infrared detection device 10 is not limited to this case. The infrared sensor 20 and the processing apparatus 100 may be incorporated in separate packages.

図2は、赤外線検出装置10の構成の一例を示す。赤外線センサ20はセンサ素子22を備える。センサ素子22はフォトダイオードまたはフォトトランジスタであってよい。本例では、センサ素子22は、フォトダイオードである。センサ素子22は、InSb等の化合物半導体で形成されてよい。赤外線センサ20は、赤外線の強度に応じた信号を生成する。具体的には、センサ素子22は、赤外線の強度に応じて光電流Iを生成する。センサ素子22の等価回路は、定電流源と抵抗とが並列に接続された回路として表されてよい。赤外線センサ20は、背景の温度と対象物の温度の差に起因して電流を流すように構成されてよい。   FIG. 2 shows an example of the configuration of the infrared detection device 10. The infrared sensor 20 comprises a sensor element 22. The sensor element 22 may be a photodiode or a phototransistor. In the present example, the sensor element 22 is a photodiode. The sensor element 22 may be formed of a compound semiconductor such as InSb. The infrared sensor 20 generates a signal according to the intensity of infrared light. Specifically, the sensor element 22 generates a photocurrent I in accordance with the intensity of infrared light. The equivalent circuit of the sensor element 22 may be represented as a circuit in which a constant current source and a resistor are connected in parallel. The infrared sensor 20 may be configured to conduct current due to the difference between the background temperature and the temperature of the object.

本例の処理装置100は、積分部110、サンプルホールド部120、ADC部130、論理演算部140、積分時間制御部160、閾値制御部170、およびインピーダンス測定部190を備える。また、処理装置100は、比較部180を備えていてもよい。但し、処理装置100が比較部180を備えておらず、図2に示されるとおり、比較部180が処理装置100の外部に設けられていてもよい。また、処理装置100自体が、赤外線センサ20を備えてよい。   The processing apparatus 100 of this example includes an integration unit 110, a sample hold unit 120, an ADC unit 130, a logical operation unit 140, an integration time control unit 160, a threshold control unit 170, and an impedance measurement unit 190. In addition, the processing device 100 may include the comparison unit 180. However, the processing apparatus 100 may not include the comparison unit 180, and the comparison unit 180 may be provided outside the processing apparatus 100 as illustrated in FIG. In addition, the processing device 100 itself may include the infrared sensor 20.

積分部110は、光電流Iを電圧に変換する電流電圧変換回路を有してよい。積分部110は、センサからの信号を積分する。本例では、積分部110は、赤外線センサ20から出力される信号である光電流Iを積分する。積分部110は、データ更新期間内において、積分と積分値のリセットを複数回にわたって繰り返してよい。サンプルホールド部120は、積分部110によって得られた積分信号をサンプルホールドする。但し、サンプルホールド部120は、必須の構成要素ではなく、省略されてもよい。   The integration unit 110 may have a current-voltage conversion circuit that converts the photocurrent I into a voltage. The integrating unit 110 integrates the signal from the sensor. In the present example, the integration unit 110 integrates the photocurrent I which is a signal output from the infrared sensor 20. The integration unit 110 may repeat integration and reset of the integration value multiple times within the data update period. The sample hold unit 120 samples and holds the integrated signal obtained by the integration unit 110. However, the sample hold unit 120 is not an essential component, and may be omitted.

ADC部130は、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換器である。ADC部130は、サンプルホールド部120によってサンプルホールドされた積分信号をデジタル信号に変換してよい。サンプルホールド部120が省略される場合には、ADC部130は、積分部110によって得られた積分信号をアナログデジタル変換する。   The ADC unit 130 is an analog-to-digital converter that converts an analog signal into a digital signal. The ADC unit 130 may convert the integrated signal sampled and held by the sample and hold unit 120 into a digital signal. When the sample and hold unit 120 is omitted, the ADC unit 130 analog-digital converts the integration signal obtained by the integration unit 110.

ADC部130は、インクリメンタルΔΣ型ADコンバータであってよい。ΔΣ型ADコンバータは、アナログ信号を本来のサンプリング周波数より高い周波数で標本化する。ΔΣ型ADコンバータは、標本化された信号と、ADコンバータの出力信号をデジタルアナログ信号に変換した信号との間で差分をとり、差分を積分して、比較器により比較する。ADコンバータの出力信号は、デジタルフィルタにより処理される。   The ADC unit 130 may be an incremental ΔΣ AD converter. The ΔΣ AD converter samples the analog signal at a frequency higher than the original sampling frequency. The ΔΣ AD converter takes a difference between a sampled signal and a signal obtained by converting the output signal of the AD converter into a digital analog signal, integrates the difference, and compares the difference. The output signal of the AD converter is processed by a digital filter.

但し、ADC部130は、インクリメンタルΔΣ型ADコンバータに限られない。ADC部130は、逐次比較レジスタ(Successive Approximation Register)を備えるSAR型(逐次比較型)ADコンバータであってよい。あるいは、ADC部130は、フラッシュ型ADコンバータであってよい。論理演算部140は、信号処理論理回路であってよい。例えば、論理演算部140は上記のデジタルフィルタを含む。論理演算部140は、複数回にわたって取得された積分値をデジタル化したデータを用いて積分値の平均を算出する機能を有してよい。   However, the ADC unit 130 is not limited to the incremental ΔΣ AD converter. The ADC unit 130 may be a SAR (successive approximation) AD converter including a successive approximation register (Successive Approximation Register). Alternatively, the ADC unit 130 may be a flash AD converter. The logic operation unit 140 may be a signal processing logic circuit. For example, the logic operation unit 140 includes the above-described digital filter. The logic operation unit 140 may have a function of calculating an average of integral values using data obtained by digitizing the integral values acquired a plurality of times.

インピーダンス測定部190は、センサのインピーダンスに関する情報を測定する。本例のインピーダンス測定部190は、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報を測定する。インピーダンス測定部190は、インピーダンス自体を測定する構成であってよく、インピーダンスに関する情報として他の物理量を測定する構成であってもよい。インピーダンスに関する情報の測定には、電気抵抗の測定または電気抵抗に関する情報の測定が含まれる。   The impedance measurement unit 190 measures information on the impedance of the sensor. The impedance measurement unit 190 of this example measures information on the impedance of the infrared sensor 20. The impedance measurement unit 190 may be configured to measure the impedance itself, or may be configured to measure another physical quantity as information related to the impedance. The measurement of information on impedance includes the measurement of electrical resistance or the measurement of information on electrical resistance.

本例では、処理装置100がインピーダンス測定部190を内蔵している。但し、インピーダンス測定部190は、処理装置100の外部に設けられてもよい。この場合には、処理装置100は、外部のインピーダンス測定部190から、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報を取得する。   In the present example, the processing device 100 incorporates the impedance measurement unit 190. However, the impedance measurement unit 190 may be provided outside the processing apparatus 100. In this case, the processing apparatus 100 acquires information on the impedance of the infrared sensor 20 from the external impedance measurement unit 190.

積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報を取得する。積分時間制御部160は、取得されたインピーダンスに関する情報に基づいて積分部110における積分時間を制御する。積分時間は、積分部110が積分処理を実行している動作時間であってよい。積分時間制御部160は、インピーダンス測定部190から赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報を取得してよい。   The integration time control unit 160 acquires information on the impedance of the infrared sensor 20. The integration time control unit 160 controls the integration time in the integration unit 110 based on the acquired information on the impedance. The integration time may be an operation time during which the integration unit 110 is performing integration processing. The integration time control unit 160 may obtain information on the impedance of the infrared sensor 20 from the impedance measurement unit 190.

積分時間制御部160は、赤外線センサのインピーダンスが高いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する。本例では、赤外線センサ20における赤外線センサ素子22のインピーダンスが高いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する。積分部110が単位時間あたり複数回にわたって信号の積分と積分値のリセットを繰り返す場合には、単位時間あたりの積分時間は、複数回の積分の区間を合計した時間を意味してよい。積分時間制御部160は、制御論理回路またはマイクロコンピュータ等により実現されてよい。   The integration time control unit 160 controls the integration time per unit time by the integration unit 110 to be shorter as the impedance of the infrared sensor is higher. In this example, as the impedance of the infrared sensor element 22 in the infrared sensor 20 is higher, the integration time per unit time by the integration unit 110 is controlled to be shorter. When the integration unit 110 repeats the integration of the signal and the reset of the integration value multiple times per unit time, the integration time per unit time may mean the time obtained by summing the sections of multiple integrations. Integration time control unit 160 may be realized by a control logic circuit or a microcomputer.

比較部180は、対象信号と閾値とを比較する。対象信号は、積分部110からの出力から得られる信号である。本例では、対象信号は、積分部110から出力される積分信号がサンプルホールド部120およびADC部130を経て変換されたデジタル信号である。また、積分部110が、予め定められたデータ更新期間内において、複数回にわたって、赤外線の強度に応じた信号に対する積分と積分値のリセットを繰り返す場合には、対象信号は、複数回の積分信号をデジタル化した信号の平均であってもよい。但し、対象信号は、これらの場合に限られない。対象信号は、積分部110による出力である積分信号から得られる信号であればよい。比較部180は、対象信号が閾値以上の場合に、検出領域内に人体が存在すると判定してよい。   The comparison unit 180 compares the target signal with the threshold. The target signal is a signal obtained from the output from the integration unit 110. In this example, the target signal is a digital signal obtained by converting the integration signal output from the integration unit 110 through the sample and hold unit 120 and the ADC unit 130. Further, in the case where integration unit 110 repeats integration and reset of the integration value for the signal corresponding to the intensity of infrared light multiple times within a predetermined data update period, the target signal is the integration signal of multiple times. May be an average of digitized signals. However, the target signal is not limited to these cases. The target signal may be a signal obtained from an integrated signal which is an output of the integrating unit 110. The comparison unit 180 may determine that a human body is present in the detection area when the target signal is equal to or higher than the threshold.

閾値制御部170は、閾値となる電圧を生成して比較部180に入力する。閾値制御部170は、一定の電圧を比較部180の入力端に入力する回路であってよい。閾値制御部170は、閾値を補正する機能を有していてもよい。閾値は、検出領域内に人体が存在するか否かを判定するための人感閾値であってよい。   The threshold control unit 170 generates a voltage as a threshold and inputs the voltage to the comparison unit 180. The threshold control unit 170 may be a circuit that inputs a constant voltage to the input terminal of the comparison unit 180. The threshold control unit 170 may have a function of correcting the threshold. The threshold may be a human feeling threshold for determining whether a human body is present in the detection area.

図3は、第1実施形態における処理装置100の構成の一例を示す。本例では、インピーダンス測定部190は、定電流源192、第1切り替えスイッチ195、第2切り替えスイッチ196、およびADC部130を備えている。定電流源192は、赤外線センサ20に定電流を流す。第1切り替えスイッチ195は、赤外線センサ20に定電流が流れている状態において赤外線センサ20の一端193と他端194とをADC部130に電気的に接続する。   FIG. 3 shows an example of the configuration of the processing apparatus 100 in the first embodiment. In this example, the impedance measurement unit 190 includes a constant current source 192, a first changeover switch 195, a second changeover switch 196, and an ADC unit 130. The constant current source 192 supplies a constant current to the infrared sensor 20. The first changeover switch 195 electrically connects the one end 193 and the other end 194 of the infrared sensor 20 to the ADC unit 130 in a state where a constant current flows in the infrared sensor 20.

ADC部130は、赤外線センサ20に定電流が流れている状態において赤外線センサ20の両端の電圧を、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報として測定する電圧測定部として機能する。第2切り替えスイッチ196は、ADC部130が赤外線センサ20の両端の電圧を測定するときに、ADC部130を電気的に切り離す。ADC部130は、積分部110を含む測定経路から赤外線センサ20が電気的に切り離された状態で、赤外線センサ20の両端の電圧が測定する。これにより、積分部110を含む測定経路の入力インピーダンスの影響等を受けずに、赤外線センサ20の両端の電圧を正確に測定することができる。   The ADC unit 130 functions as a voltage measurement unit that measures the voltage at both ends of the infrared sensor 20 as information related to the impedance of the infrared sensor 20 in a state where a constant current flows in the infrared sensor 20. The second changeover switch 196 electrically disconnects the ADC unit 130 when the ADC unit 130 measures the voltage across the infrared sensor 20. The ADC unit 130 measures the voltage at both ends of the infrared sensor 20 in a state where the infrared sensor 20 is electrically disconnected from the measurement path including the integration unit 110. Thus, the voltage across the infrared sensor 20 can be accurately measured without being affected by the input impedance of the measurement path including the integration unit 110.

本例の処理装置100は、積分部110から出力される積分信号あるいは積分信号をサンプルホールドした信号をアナログデジタル変換するためのADC部130を電圧測定部として兼用する。したがって、処理装置100は、別途の電圧測定部を有する場合と比べて、処理装置100の省スペース化および省コスト化が図られる。但し、本例と異なり、処理装置100は、別途の電圧測定部を有してよい。   The processing apparatus 100 of this example also uses an ADC unit 130 for analog-to-digital conversion of the integration signal or a signal obtained by sampling and holding the integration signal output from the integration unit 110 as a voltage measurement unit. Therefore, space saving and cost saving of the processing apparatus 100 can be achieved as compared with the case where the processing apparatus 100 has a separate voltage measurement unit. However, unlike the present example, the processing apparatus 100 may have a separate voltage measurement unit.

図4は、積分部110およびサンプルホールド部120の構成の一例を示す。本例の積分部110は、オペアンプ112、コンデンサ113、コンデンサ114、および入力端子115を備える。オペアンプ112の入力端と出力端の間にはコンデンサ113およびコンデンサ114が電気的に接続されてよい。オペアンプ112の入力端には、赤外線センサ20のセンサ素子22の両端が電気的に接続されてよい。センサ素子22の両端とオペアンプ112の入力端には、さらに抵抗が接続されてもよい。本例のオペアンプ112およびコンデンサ113、114は、トランスインピーダンスアンプとして機能する。   FIG. 4 shows an example of the configuration of the integration unit 110 and the sample hold unit 120. The integration unit 110 of this example includes an operational amplifier 112, a capacitor 113, a capacitor 114, and an input terminal 115. The capacitor 113 and the capacitor 114 may be electrically connected between the input end and the output end of the operational amplifier 112. Both ends of the sensor element 22 of the infrared sensor 20 may be electrically connected to the input end of the operational amplifier 112. A resistor may be further connected to both ends of the sensor element 22 and the input end of the operational amplifier 112. The operational amplifier 112 and the capacitors 113 and 114 in this example function as a transimpedance amplifier.

オペアンプ112の入力端と出力端の間には、コンデンサ113(あるいはコンデンサ114)に並列して、積分のリセット用のスイッチが設けられてよい。積分のリセット用のスイッチは、積分時間制御部160の指令を受けると閉状態となり積分値をリセットする。具体的には、リセット用のスイッチは、コンデンサ113、114に蓄積された電荷を放電する。   Between the input end and the output end of the operational amplifier 112, a switch for reset of integration may be provided in parallel with the capacitor 113 (or the capacitor 114). The switch for resetting the integration is closed when the command from the integration time control unit 160 is received, and the integration value is reset. Specifically, the reset switch discharges the charge accumulated in the capacitors 113 and 114.

本例のサンプルホールド部120は、オペアンプ122、コンデンサ123、124、第1スイッチ125、接地用コンデンサ126、および第2スイッチ127を備える。オペアンプ122の入力端と出力端の間には、コンデンサ123およびコンデンサ124が電気的に接続されてよい。本例では、オペアンプ122の入力端には、第1スイッチ125および第2スイッチ127が直列に接続されている。第1スイッチ125と第2スイッチ127との接続点は、接地用コンデンサ126を介して接地されてよい。   The sample-and-hold unit 120 of this example includes an operational amplifier 122, capacitors 123 and 124, a first switch 125, a grounding capacitor 126, and a second switch 127. A capacitor 123 and a capacitor 124 may be electrically connected between the input end and the output end of the operational amplifier 122. In the present example, the first switch 125 and the second switch 127 are connected in series to the input terminal of the operational amplifier 122. The connection point between the first switch 125 and the second switch 127 may be grounded via a grounding capacitor 126.

サンプリング動作のときには、第1スイッチ125が閉状態となり、コンデンサ123、124に充電がされる。ホールド動作のときには、第1スイッチ125が開状態となる。これにより積分部110の積分信号の変動によらず、充電された電圧が維持される。ADC部130は、サンプルホールド部120によってサンプルホールドされた積分信号をデジタル信号に変換してよい。以上のように説明した積分部110およびサンプルホールド部120の構成は一例であって、他の構成が採用されもよい。   In the sampling operation, the first switch 125 is closed, and the capacitors 123 and 124 are charged. At the time of the hold operation, the first switch 125 is in the open state. Thereby, the charged voltage is maintained regardless of the fluctuation of the integration signal of the integration unit 110. The ADC unit 130 may convert the integrated signal sampled and held by the sample and hold unit 120 into a digital signal. The configurations of the integration unit 110 and the sample hold unit 120 described above are merely examples, and other configurations may be employed.

図5は、積分部110の出力電圧波形の一例を示す。縦軸は、電圧Vを示し、横軸は時間を示す。電圧が積分値に対応する。図5に示されるように、本例の処理装置100は、チョッパ動作を実行している。但し、処理装置100は、チョッパ動作を実行するものに限られない。積分部110は、積分時間制御部160からの指令による制御を受けて、積分区間での積分と、積分値のリセットとを複数回にわたって繰り返す。   FIG. 5 shows an example of an output voltage waveform of the integration unit 110. The vertical axis shows voltage V, and the horizontal axis shows time. The voltage corresponds to the integral value. As shown in FIG. 5, the processing apparatus 100 of this example performs a chopper operation. However, the processing apparatus 100 is not limited to one that executes the chopper operation. The integration unit 110 receives control based on a command from the integration time control unit 160, and repeats integration in an integration interval and reset of the integration value a plurality of times.

積分区間では、積分信号31が時間の一次関数として変化する。そしてリセット動作によって電圧がリセットされる。積分信号31の頂点の電圧値32は、サンプルホールド部120によってサンプルホールドされてよい。サンプルホールド部120およびADC部130は、積分部110の出力である積分信号31が頂点付近にある時間において動作してよい。   In the integration interval, the integration signal 31 changes as a linear function of time. Then, the voltage is reset by the reset operation. The voltage value 32 at the top of the integration signal 31 may be sampled and held by the sample and hold unit 120. The sample and hold unit 120 and the ADC unit 130 may operate at a time when the integration signal 31 which is the output of the integration unit 110 is near the top.

以上のように構成される本例のセンサ出力処理装置100は取得された赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報に基づいて積分部110における積分時間を制御する。図6は、インピーダンスに基づく積分時間の制御の一例を示す。積分部110が積分動作を実行しているときには、ADC部130は、停止(パワーオフ)してよい。一方、ADC部130が積分信号31をAD変換するときには、積分部110はリセット中である。   The sensor output processing device 100 of this example configured as described above controls the integration time in the integration unit 110 based on the acquired information on the impedance of the infrared sensor 20. FIG. 6 shows an example of control of integration time based on impedance. When the integration unit 110 performs the integration operation, the ADC unit 130 may stop (power off). On the other hand, when the ADC unit 130 AD-converts the integration signal 31, the integration unit 110 is in reset.

図6に示される例ではデータ更新期間が100m秒である。1回あたりの積分動作およびAD変換の動作の時間は、1m秒以下の時間に定められてよい。本例では、データ更新期間において、積分部110は、積分と積分値のリセットとを定められた回数にわたって繰り返す。積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、データ更新期間あたりの積分と積分値のリセットとを繰り返す回数が少なくなるように制御する。一回あたりの積分区間は同じ時間であるので、繰返し回数が少なくなると、単位時間(たとえばデータ更新期間)あたりの複数回の積分の区間を合計した積分時間が短くなる。   In the example shown in FIG. 6, the data update period is 100 ms. The time of the integration operation per operation and the operation of AD conversion may be set to a time of 1 ms or less. In the present example, in the data update period, the integration unit 110 repeats integration and reset of the integration value for a predetermined number of times. The integration time control unit 160 performs control such that the integration per data update period and the reset of the integration value are less frequently as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. Since the integration interval per time is the same time, when the number of repetitions decreases, the integration time obtained by summing up the plurality of integration intervals per unit time (for example, data update period) becomes short.

図6に示される例では、赤外線センサ20のインピーダンスが第1インピーダンスの場合と第1インピーダンスより高い第2インピーダンスの場合とが示されている。赤外線センサ20のインピーダンスが第1インピーダンスの場合には、積分と積分値のリセットとの繰返し回数がN回である。第2インピーダンスは、第1インピーダンスの2倍以上であってよく、好ましくは、3倍以上であってよい。積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにつれて、繰返し回数を少なくする。この結果、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにつれて、積分部110が動作を休止する時間を長くすることができる。したがって、積分時間制御部160は、積分部110における消費電流を軽減することができる。   In the example shown in FIG. 6, the case where the impedance of the infrared sensor 20 is the first impedance and the case where the impedance of the infrared sensor 20 is the second impedance higher than the first impedance are shown. When the impedance of the infrared sensor 20 is the first impedance, the number of repetitions of the integration and the reset of the integration value is N times. The second impedance may be two or more times, preferably three or more times, the first impedance. The integration time control unit 160 reduces the number of repetitions as the impedance of the infrared sensor 20 increases. As a result, as the impedance of the infrared sensor 20 increases, the time during which the integration unit 110 stops operating can be extended. Therefore, integration time control unit 160 can reduce the current consumption in integration unit 110.

図6では、データ更新期間の最後の期間において、休止時間をまとめて表示している。但し、積分時間制御部160による制御は、この場合に限られず、積分と積分値のリセットを繰り返す各回において休止時間を設けてもよい。   In FIG. 6, the pause time is collectively displayed in the last period of the data update period. However, the control by the integration time control unit 160 is not limited to this case, and a pause time may be provided each time the integration and the reset of the integration value are repeated.

図7は、インピーダンスに基づく積分時間の制御の他例を示す。本例では、積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、一回あたりの積分区間の時間が短くなるように制御する。データ更新期間あたりの積分と積分の値のリセットとを繰り返す回数は変化しない。但し、積分区間の時間が短くなるので、積分信号31の頂点の電圧値32が小さくなる。したがって、比較部180において用いられる閾値を、積分区間の時間の短縮に連動して小さくする必要がある。積分区間の時間と閾値との関係は、ルックアップテーブルまたは換算式として記憶部に予め記憶してよい。閾値制御部170はルックアップテーブル等を参照して、積分区間の時間の短縮に連動して閾値が小さくなるように閾値を決定してよい。あるいは、積分区間の時間の短縮に連動して閾値が小さくなるように閾値を決定する代わりに、最終出力ゲインが一定になるように論理演算部140において、積分区間の時間の短縮に連動して信号を増幅してもよい。   FIG. 7 shows another example of control of integration time based on impedance. In this example, the integration time control unit 160 controls so that the time of the integration interval per one time becomes shorter as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. The number of repetitions of the integration per data update period and the reset of the value of the integration does not change. However, since the time of the integration section becomes short, the voltage value 32 at the top of the integration signal 31 becomes small. Therefore, it is necessary to reduce the threshold used in the comparison unit 180 in conjunction with the shortening of the time of the integration interval. The relationship between the time of the integration interval and the threshold may be stored in advance in the storage unit as a look-up table or conversion equation. The threshold control unit 170 may determine the threshold so that the threshold decreases in conjunction with the shortening of the time of the integration section with reference to the lookup table or the like. Alternatively, instead of determining the threshold value so as to decrease the threshold value in conjunction with the shortening of the integration interval time, the logic operation unit 140 interlocks with the shortening of the integration interval time so that the final output gain becomes constant. The signal may be amplified.

図7に示される制御によっても、インピーダンスが高くなるにつれて単位時間(たとえばデータ更新期間)あたりの複数回の積分の区間を合計した積分時間を短縮することができる。積分時間が短縮されると、積分部110が動作を休止する時間を長くすることができる。したがって、積分部110における消費電流を軽減することができる。   Also by the control shown in FIG. 7, as the impedance increases, it is possible to shorten the integration time obtained by summing up a plurality of integration intervals per unit time (for example, data update period). When the integration time is shortened, the time during which the integration unit 110 pauses can be extended. Therefore, current consumption in integration unit 110 can be reduced.

図8は、積分時間、ノイズ、および消費電流の関係を示す。図8の横軸は、単位時間あたりの複数回の積分の区間を合計した積分時間を示す。本例におけるノイズは、周波数依存のないノイズである。ノイズは、サーマルノイズ(熱雑音)等であってよい。ノイズは、積分時間の正の平方根に反比例する。消費電流は、積分時間に比例する。積分時間が長くなるにしたがって、ノイズが小さくなる一方、消費電流は大きくなる。積分時間が短くなるにしたがって、ノイズは大きくなる一方、消費電流は小さくなる。したがって、消費電流とノイズとはトレードオフの関係になる。   FIG. 8 shows the relationship between integration time, noise, and current consumption. The horizontal axis in FIG. 8 indicates an integration time obtained by summing the intervals of a plurality of integrations per unit time. The noise in this example is noise that is not dependent on frequency. The noise may be thermal noise or the like. The noise is inversely proportional to the positive square root of integration time. The current consumption is proportional to the integration time. As the integration time increases, the noise decreases and the current consumption increases. As the integration time decreases, the noise increases while the current consumption decreases. Therefore, there is a trade-off between current consumption and noise.

赤外線センサ20の出力信号がノイズに埋もれると、赤外線検出装置10は、検出領域内における人体を検出することができない。すなわち、信号雑音比(S/N比:信号(S)/ノイズ(N))が小さくなると、赤外線検出装置10は、検出領域内における人体を検出することができない。したがって、処理装置100は、ノイズを、赤外線センサ20の出力と区別可能なレベルに抑える必要がある。具体的には、本例の処理装置100は、積分時間を長くしてノイズを小さくする。   If the output signal of the infrared sensor 20 is buried in the noise, the infrared detection device 10 can not detect the human body in the detection area. That is, when the signal-to-noise ratio (S / N ratio: signal (S) / noise (N)) decreases, the infrared detection device 10 can not detect the human body in the detection area. Therefore, the processing apparatus 100 needs to suppress the noise to a level distinguishable from the output of the infrared sensor 20. Specifically, the processing apparatus 100 of the present example lengthens the integration time to reduce noise.

図9は、赤外線センサ20のインピーダンスと赤外線センサ出力換算ノイズとの関係を示す。赤外線センサ出力換算ノイズは、赤外線センサ20に起因するセンサインピーダンスノイズN、積分部110が有する電流電圧変換回路のアンプノイズNAMP、およびその他のノイズに大別される。但し、その他のノイズは無視し得る。センサインピーダンスノイズNは、以下の式で与えられる。kはボルツマン定数、Tは絶対温度、Rは赤外線センサ20のインピーダンスである。赤外線センサ20のインピーダンスは、赤外線センサ20の抵抗であってよい。

Figure 2018179567
FIG. 9 shows the relationship between the impedance of the infrared sensor 20 and the infrared sensor output conversion noise. The infrared sensor output conversion noise is roughly classified into sensor impedance noise N R caused by the infrared sensor 20, amplifier noise N AMP of the current-voltage conversion circuit of the integration unit 110, and other noise. However, other noises can be ignored. Sensor impedance noise N R is given by the following equation. k is a Boltzmann constant, T is an absolute temperature, and R is an impedance of the infrared sensor 20. The impedance of the infrared sensor 20 may be the resistance of the infrared sensor 20.
Figure 2018179567

アンプノイズNAMPは、以下の式であたえられる。N電流電圧変換回路のアンプの入力電圧換算ノイズである。

Figure 2018179567
The amplifier noise N AMP is given by the following equation. N A is the input voltage referred noise of the amplifier of the current-voltage conversion circuit.
Figure 2018179567

したがって、赤外線検出装置10の赤外線センサ出力換算ノイズNは、以下の式で与えられる。

Figure 2018179567
Therefore, the infrared sensor output conversion noise N of the infrared detection device 10 is given by the following equation.
Figure 2018179567

以上の式に示されるとおり、ノイズNは、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、小さくなる。赤外線センサ20のインピーダンスが高い場合には、ノイズが小さくなるため、ノイズ仕様Nspecを満たすために必要最低限の積分回数numは少なくてすむ。   As shown in the above equation, the noise N decreases as the impedance of the infrared sensor 20 increases. When the impedance of the infrared sensor 20 is high, the noise is small, so the minimum number of integrations num required to satisfy the noise specification Nspec can be reduced.

許容されるノイズ仕様をNspecとし、予め定められた積分区間(積分時間)を1回実行した場合のノイズNをN1とすると、フリッカノイズが無視できる場合またはチョッパ動作等により、フリッカノイズの周波数依存性を無視できる場合、ノイズ仕様Nspecを満たすために必要最低限の積分回数numは、以下の式で与えられる。ノイズ仕様Nspecは、検知領域内に人体を検知したときの信号よりノイズが小さくなるように決定してよい。ノイズN1は、上述したノイズNに対応する。したがって、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、ノイズN1が小さくなる。   Assuming that Nspec is an allowable noise specification, and N1 is N1 when a predetermined integration interval (integral time) is executed once, flicker noise frequency dependency due to flicker noise being negligible or chopper operation or the like. When the property can be ignored, the minimum number of integrations num necessary to satisfy the noise specification Nspec is given by the following expression. The noise specification Nspec may be determined so that noise is smaller than a signal when a human body is detected in the detection area. The noise N1 corresponds to the noise N described above. Therefore, the higher the impedance of the infrared sensor 20, the smaller the noise N1.

Figure 2018179567
Figure 2018179567

上述したとおり、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにしたがって、ノイズN1が小さくなるため、積分時間を減らしても、ノイズの仕様を満たすことができる。数4において、ノイズN1が小さくなるにつれて、ノイズ仕様Nspecを満たすために必要最低限の積分回数num、すなわち、データ更新期間あたりの積分と積分値のリセットとの繰返し回数を少なくすることができる。したがって、積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、積分部110による単位時間(たとえばデータ更新期間)あたりの複数回の積分の区間を合計した積分時間を短くするように制御する。図8において説明したとおり、積分時間が短くなるにつれて、積分部110の消費電流を小さくすることができる。   As described above, since the noise N1 decreases as the impedance of the infrared sensor 20 increases, the noise specification can be satisfied even if the integration time is reduced. In Equation 4, as the noise N1 becomes smaller, it is possible to reduce the minimum number of integrations num necessary to satisfy the noise specification Nspec, that is, the number of repetitions of integration and reset of the integration value per data update period. Therefore, the integration time control unit 160 performs control such that the integration time obtained by totaling a plurality of integration intervals per unit time (for example, a data update period) by the integration unit 110 is shortened as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. . As described in FIG. 8, the current consumption of the integration unit 110 can be reduced as the integration time becomes shorter.

図10は、第1実施形態の処理装置100における赤外線センサ20のインピーダンス、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。赤外線センサ20のインピーダンスによらず積分時間を一定に維持する場合には、式1から式3に示したとおり、センサインピーダンスノイズNと、電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因して、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにつれてノイズが低くなる。しかしながら、本例では、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにつれて、積分時間を短くする。積分時間を短くすると図8に示されるとおり、ノイズが高くなる。 FIG. 10 illustrates an example of the relationship between the impedance, the noise, and the current consumption of the infrared sensor 20 in the processing device 100 according to the first embodiment. In maintaining a constant integration time regardless of the impedance of the infrared sensor 20, as shown from Equation 1 to Equation 3, due to the characteristics of the sensor impedance noise N R, an amplifier noise N AMP of the current-voltage conversion circuit Then, as the impedance of the infrared sensor 20 increases, the noise decreases. However, in the present embodiment, the integration time is shortened as the impedance of the infrared sensor 20 increases. Shortening the integration time results in high noise, as shown in FIG.

したがって、本例の処理装置100によれば、センサインピーダンスノイズNと電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因するノイズの減少と、積分時間を短くすることによるノイズの増加とが相殺することによって、赤外線センサ20のインピーダンスが変化した場合のノイズの変化は一定範囲内に維持される。図10では、赤外線センサ20のインピーダンスが変化してもノイズが一定であるように模式的に示している。しかし、実際には、一定範囲内でノイズが増減してよい。一方、積分時間制御部160が、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるほど積分時間を短くするように制御するので、積分部110での消費電流が少なくなる。 Therefore, according to the processing apparatus 100 of the present embodiment, the reduction of noise due to the characteristics of the amplifier noise N AMP sensor impedance noise N R and the current-voltage conversion circuit, an increase in noise due to the shorter integration time By canceling out, the change of the noise when the impedance of the infrared sensor 20 changes is maintained within a certain range. FIG. 10 schematically shows that the noise is constant even if the impedance of the infrared sensor 20 changes. However, in practice, noise may increase or decrease within a certain range. On the other hand, since the integration time control unit 160 controls the integration time to be shorter as the impedance of the infrared sensor 20 becomes higher, the current consumption in the integration unit 110 is reduced.

図11は、比較例における赤外線検出装置11の構成の一例を示す。赤外線検出装置11は、赤外線センサ20および処理装置200を備える。処理装置200は、赤外線センサ20の出力を処理するセンサ出力処理装置である。処理装置200は、積分部210、サンプルホールド部220、ADC部230、論理演算部240、積分時間制御部260、および閾値制御部270を備えてよい。処理装置200においては、赤外線センサ20のインピーダンスに応じて積分部210の積分時間が変化しない。この点を除いて、比較例の処理装置200は、上記の第1実施形態の処理装置100と同様である。したがって、繰り返しの説明を省略する。   FIG. 11 shows an example of the configuration of the infrared detection device 11 in the comparative example. The infrared detection device 11 includes an infrared sensor 20 and a processing device 200. The processing device 200 is a sensor output processing device that processes the output of the infrared sensor 20. The processing device 200 may include an integration unit 210, a sample and hold unit 220, an ADC unit 230, a logical operation unit 240, an integration time control unit 260, and a threshold control unit 270. In the processing device 200, the integration time of the integration unit 210 does not change according to the impedance of the infrared sensor 20. Except for this point, the processing apparatus 200 of the comparative example is the same as the processing apparatus 100 of the first embodiment described above. Therefore, the repeated description is omitted.

図12は、比較例の処理装置200における赤外線センサ20のインピーダンス、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。図12の左欄に示されるとおり、赤外線センサ20のインピーダンスが大きくなるにしたがって、ノイズが低くなる。これは、図9で説明したようにセンサインピーダンスノイズNと、電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因する。比較例において積分時間制御部260は、赤外線センサ20のインピーダンスに応じて積分時間を変化させない。比較例の処理装置200では、センサインピーダンスノイズNと電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因するノイズの減少と、積分時間を短くすることによるノイズの増加とが相殺しない。 FIG. 12 illustrates an example of the relationship between the impedance, the noise, and the current consumption of the infrared sensor 20 in the processing device 200 of the comparative example. As shown in the left column of FIG. 12, the noise decreases as the impedance of the infrared sensor 20 increases. This is due to the characteristics of the sensor impedance noise N R and the amplifier noise N AMP of the current-voltage conversion circuit as described in FIG. In the comparative example, the integration time control unit 260 does not change the integration time according to the impedance of the infrared sensor 20. In the processing apparatus 200 of the comparative example, the reduction of noise due to the characteristics of the amplifier noise N AMP sensor impedance noise N R and the current-voltage conversion circuit, does not offset the increase in noise due to the shorter integration time.

比較例の処理装置200においては、例えば、赤外線センサ20のインピーダンスが赤外線センサの温度特性、製造ばらつきを踏まえた実使用上の条件で最も低い値であるXkΩの場合のノイズNを用いて、このノイズNがノイズ仕様Nspecを満たすように積分回数が決定されている。したがって、インピーダンスが低くなっても消費電流は削減されない。   In the processing apparatus 200 of the comparative example, for example, the noise N in the case of XkΩ, which is the lowest value of the impedance of the infrared sensor 20 under the practical use conditions based on the temperature characteristics of the infrared sensor and manufacturing variations, is used. The number of integrations is determined such that the noise N satisfies the noise specification Nspec. Therefore, even if the impedance is lowered, the current consumption is not reduced.

本発明の第1実施形態の処理装置100は、比較例の処理装置200と異なり、赤外線センサ20が検出した赤外線の強度に応じた信号を積分する積分時間を、赤外線センサ20のインピーダンスに応じて変動させる。したがって、比較例の処理装置200のように、インピーダンスが実使用上の条件で最も低い値であるXkΩにおけるノイズに基づいて積分時間を決定した上で、インピーダンスに応じて積分時間を変動させない構成に比べて、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにつれて消費電流の軽減効果が得られる。   The processing apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention differs from the processing apparatus 200 according to the comparative example in that an integration time for integrating a signal according to the intensity of infrared rays detected by the infrared sensor 20 according to the impedance of the infrared sensor 20 Vary. Therefore, as in the processing apparatus 200 of the comparative example, the integration time is determined based on the noise at XkΩ, which is the lowest value of the impedance under actual use conditions, and the integration time is not varied according to the impedance. In comparison, as the impedance of the infrared sensor 20 becomes higher, the reduction effect of the current consumption can be obtained.

後述するとおり赤外線センサ20の温度が低くなると赤外線センサ20のインピーダンスは高くなる。したがって、赤外線センサ20の温度が低くなるにつれて、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなると、消費電流が軽減される。また、赤外線センサ20の製造時のばらつきによって赤外線センサ20のインピーダンスが異なる場合も、製品毎に積分時間が変動するように制御されて、消費電流が軽減される。   As described later, when the temperature of the infrared sensor 20 decreases, the impedance of the infrared sensor 20 increases. Therefore, as the temperature of the infrared sensor 20 decreases, the current consumption is reduced as the impedance of the infrared sensor 20 increases. Further, even when the impedance of the infrared sensor 20 is different due to the variation at the time of manufacturing the infrared sensor 20, the integration time is controlled to fluctuate for each product, and the current consumption is reduced.

本発明の第1実施形態の処理装置100は、センサインピーダンスノイズNと電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因するノイズの減少と、積分時間を短くすることによるノイズの増加とが相殺することによって、ノイズの変化は一定範囲内に維持できるので、誤検知の頻度を増加させない。 Processing apparatus 100 of the first embodiment of the present invention, a reduction in noise due to the characteristics of the amplifier noise N AMP sensor impedance noise N R and the current-voltage conversion circuit, an increase in noise due to the shorter integration time Since the change in noise can be maintained within a certain range by canceling out, the frequency of false detections is not increased.

図13は、変形例における赤外線検出装置10の一例を示す。本例のインピーダンス測定部390は、インピーダンスに関する情報として赤外線センサ20の場所における温度を測定する温度測定部を含んでよい。他の構成は、図2に示される構成と同様であるので、繰り返しの説明を省略する。   FIG. 13 shows an example of the infrared detection device 10 in the modification. The impedance measurement unit 390 of this example may include a temperature measurement unit that measures the temperature at the location of the infrared sensor 20 as information related to impedance. The other configuration is the same as the configuration shown in FIG. 2, and thus the description thereof will not be repeated.

図14は、赤外線センサ20の場所の温度、赤外線センサ20のインピーダンス、およびノイズの関係を示す。図14の左欄は、赤外線センサ20の場所の温度が低くなるにつれて、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなることを示している。図9において説明したとおり、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなるにつれて、ノイズが低くなる。したがって、図14の右欄に示されるとおり、赤外線センサ20の場所の温度が低くなるにつれて、ノイズが低くなる。   FIG. 14 shows the relationship between the temperature at the location of the infrared sensor 20, the impedance of the infrared sensor 20, and noise. The left column of FIG. 14 indicates that as the temperature at the location of the infrared sensor 20 decreases, the impedance of the infrared sensor 20 increases. As described in FIG. 9, as the impedance of the infrared sensor 20 increases, the noise decreases. Therefore, as shown in the right column of FIG. 14, as the temperature at the location of the infrared sensor 20 decreases, the noise decreases.

赤外線センサ20のインピーダンスと赤外線センサ20の場所の温度とは、図14の左欄に示されるように一対一に対応する。したがって、本例のインピーダンス測定部390は、インピーダンスに関する情報として赤外線センサ20の場所における温度を測定する。温度測定部としても機能するインピーダンス測定部390は、例えば、測温抵抗体、サーミスタ、熱電対、またはIC温度センサである。測温抵抗体およびサーミスタは、温度に関係して変化する抵抗値を測定する。熱電対は、温度に関係して変化する熱起電力を測定する。温度測定部は、センサ素子22に隣接して配置されてよい。本例のインピーダンス測定部390は、温度に関係して変化する半導体素子の抵抗値を測定する。   The impedance of the infrared sensor 20 and the temperature at the location of the infrared sensor 20 correspond one to one as shown in the left column of FIG. Therefore, the impedance measurement unit 390 of this example measures the temperature at the location of the infrared sensor 20 as information on impedance. The impedance measurement unit 390 also functioning as a temperature measurement unit is, for example, a resistance temperature detector, a thermistor, a thermocouple, or an IC temperature sensor. A resistance temperature detector and a thermistor measure a resistance value that changes with temperature. The thermocouple measures the thermoelectromotive force that changes with temperature. The temperature measurement unit may be disposed adjacent to the sensor element 22. The impedance measuring unit 390 of this example measures the resistance value of the semiconductor element which changes in relation to the temperature.

図15は、変形例におけるインピーダンス測定部390の構成の一例を示す。インピーダンス測定部390は、赤外線センサ20の設置場所の温度を測定する。本例では、トランジスタ素子(半導体素子)の抵抗値を測定することによって、赤外線センサ20の設置場所の温度を測定する。インピーダンス測定部390は、温度測定部として、定電流源392およびトランジスタ素子394を備える。本例では、トランジスタ素子394のエミッタ電極395は接地されてよい。トランジスタ素子394のベース電極396とコレクタ電極397は電気的に連結されている。コレクタ電極397には定電流源が接続されている。   FIG. 15 shows an example of the configuration of the impedance measurement unit 390 in the modification. The impedance measurement unit 390 measures the temperature of the installation place of the infrared sensor 20. In this example, the temperature of the installation place of the infrared sensor 20 is measured by measuring the resistance value of the transistor element (semiconductor element). The impedance measurement unit 390 includes a constant current source 392 and a transistor element 394 as a temperature measurement unit. In this example, the emitter electrode 395 of the transistor element 394 may be grounded. The base electrode 396 and the collector electrode 397 of the transistor element 394 are electrically connected. A constant current source is connected to the collector electrode 397.

コレクタ電極397(ベース電極396の同電位)とエミッタ電極395との間の電圧が温度に応じて変化する。コレクタ電極397(ベース電極396の同電位)とエミッタ電極395との間の電圧をAD変換することで、温度を算出することができる。インピーダンス測定部390は、センサ素子22に隣接して設けられてよい。   The voltage between the collector electrode 397 (the same potential of the base electrode 396) and the emitter electrode 395 changes according to the temperature. The temperature can be calculated by AD converting the voltage between the collector electrode 397 (the same potential of the base electrode 396) and the emitter electrode 395. The impedance measuring unit 390 may be provided adjacent to the sensor element 22.

図16は、変形例の処理装置100における赤外線センサ20の温度、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。本例の処理装置100によれば、センサインピーダンスノイズNと電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因して、温度が低くなるのにしたがって生じるノイズの減少と、温度が低くなったとき(すなわち、赤外線センサ20のインピーダンスが高くなったとき)に積分時間を短くするように制御することによるノイズの増加とが相殺される。これにより、赤外線センサ20の場所の温度の変化に応じて赤外線センサ20のインピーダンスが変化することによるノイズの変化は一定範囲内に維持される。 FIG. 16 shows an example of the relationship between the temperature, noise, and current consumption of the infrared sensor 20 in the processing apparatus 100 of the modification. According to the processing apparatus 100 of this example, due to the characteristics of the sensor impedance noise N R and the amplifier noise N AMP of the current-voltage conversion circuit, the noise decreases as the temperature decreases, and the temperature decreases. (Ie, when the impedance of the infrared sensor 20 becomes high), the increase in noise due to control to shorten the integration time is offset. Thereby, the change of the noise by the impedance of the infrared sensor 20 changing according to the change of the temperature of the location of the infrared sensor 20 is maintained within a certain range.

図16では、赤外線センサ20の場所の温度が変化してもノイズが一定であるように模式的に示しているが、実際には、一定範囲内でノイズが増減してよい。一方、積分時間制御部160が、赤外線センサ20の場所の温度が低くなって赤外線センサ20のインピーダンスが高くなると積分時間を短くするように制御する。したがって、温度が低くなったときの積分部110での消費電流が少なくなる。   Although FIG. 16 schematically shows that the noise is constant even if the temperature at the infrared sensor 20 changes, the noise may actually increase or decrease within a certain range. On the other hand, when the temperature at the location of the infrared sensor 20 is lowered and the impedance of the infrared sensor 20 is increased, the integration time control unit 160 performs control so as to shorten the integration time. Therefore, the current consumption in the integration unit 110 when the temperature becomes low is reduced.

図17は、比較例の処理装置200における赤外線センサ20の温度、ノイズ、および消費電流の関係の一例を示す。図17の左欄に示されるとおり、赤外線センサ20の温度が低くなるにしたがって、ノイズが低くなる。これは図14で説明したとおりである。比較例において積分時間制御部260は、赤外線センサ20の場所の温度に応じて赤外線センサ20のインピーダンスが変化しても積分時間を変化させない。比較例の処理装置200では、赤外線センサ20の場所の温度が低くなることに伴う、センサインピーダンスノイズNと電流電圧変換回路のアンプノイズNAMPとの特性に起因するノイズの減少と、積分時間を短くすることによるノイズの増加とが相殺しない。 FIG. 17 illustrates an example of the relationship between the temperature, noise, and current consumption of the infrared sensor 20 in the processing device 200 of the comparative example. As shown in the left column of FIG. 17, the noise decreases as the temperature of the infrared sensor 20 decreases. This is as described in FIG. In the comparative example, the integration time control unit 260 does not change the integration time even if the impedance of the infrared sensor 20 changes according to the temperature of the infrared sensor 20. In Comparative Examples of the processing apparatus 200, due to the temperature of the location of the infrared sensor 20 becomes lower, the reduction of noise due to the characteristics of the amplifier noise N AMP sensor impedance noise N R and the current-voltage conversion circuit, the integration time Does not offset the increase in noise caused by shortening the

比較例の処理装置200においては、例えば、赤外線センサ20の場所が特定の温度である場合におけるノイズNを用いて、このノイズNがノイズ仕様Nspecを満たすように積分回数が決定されている。したがって、温度が低くなってインピーダンスが高くなっても消費電流は削減されない。   In the processing apparatus 200 of the comparative example, for example, using the noise N when the location of the infrared sensor 20 is a specific temperature, the number of integrations is determined so that the noise N satisfies the noise specification Nspec. Therefore, even if the temperature decreases and the impedance increases, the current consumption is not reduced.

本発明の変形例の処理装置100は、比較例の処理装置200と異なり、赤外線センサ20が検出した赤外線の強度に応じた信号を積分する積分時間を、赤外線センサ20のインピーダンスに関係する赤外線センサ20の場所の温度に応じて変動させる。したがって、比較例の処理装置200のように、一定の温度におけるノイズに基づいて積分時間を決定した上で温度に応じて積分時間を変動させない構成に比べて、赤外線センサ20の場所の温度が低くなるにつれて消費電流の軽減効果が得られる。特に、赤外線検出装置10の使用される頻度が高い温度領域において、消費電流が軽減される。   Unlike the processing apparatus 200 of the comparative example, the processing apparatus 100 according to the modification of the present invention has an infrared sensor that relates to the impedance of the infrared sensor 20 an integration time for integrating a signal according to the intensity of infrared detected by the infrared sensor 20. Vary according to the temperature of 20 places. Therefore, as in the processing apparatus 200 of the comparative example, after the integration time is determined based on noise at a constant temperature, the temperature at the location of the infrared sensor 20 is lower than in a configuration in which the integration time is not varied according to the temperature. As it becomes, the reduction effect of current consumption is obtained. In particular, current consumption is reduced in the temperature range where the infrared detection device 10 is frequently used.

図18は、本発明の第1実施形態の赤外線検出装置10による処理内容の一例を示す。図18は、センサの出力を処理するセンサ出力処理方法を説明する。赤外線センサ20が、赤外線を検出する。赤外線の強度に応じて光電流Iを生成する(ステップS101)。赤外線センサ20は、背景の温度と対象物の温度の差に起因して電流を流すように構成されてよい。   FIG. 18 shows an example of processing contents by the infrared detection device 10 of the first embodiment of the present invention. FIG. 18 illustrates a sensor output processing method for processing sensor output. An infrared sensor 20 detects infrared light. The photocurrent I is generated according to the intensity of the infrared light (step S101). The infrared sensor 20 may be configured to conduct current due to the difference between the background temperature and the temperature of the object.

積分時間制御部160は、積分部110における繰返し回数の初期値を取得する(ステップS102)。繰返し回数は、データ更新期間において積分と積分値のリセットとを繰り返す数である。繰返し回数の初期値は、メモリ等の記憶部に予め記憶されていてもよい。また、積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスについての情報に基づいて、繰返し回数の初期値について決定してもよい。   Integration time control unit 160 obtains an initial value of the number of repetitions in integration unit 110 (step S102). The number of repetitions is a number that repeats integration and reset of the integration value in the data update period. The initial value of the number of repetitions may be stored in advance in a storage unit such as a memory. In addition, the integration time control unit 160 may determine the initial value of the number of repetitions based on the information on the impedance of the infrared sensor 20.

積分部110は、赤外線センサ20から出力される信号である光電流Iを積分する(ステップS103)。ステップS103は、赤外線センサ20からの信号を積分する積分段階に相当する。積分部110は、入力された光電流Iを電圧に変換して積分信号31を出力する。サンプルホールド部120は、積分信号31の頂点の電圧値32をサンプリングする(ステップS104)。ADC部130は、サンプルホールド部120によってサンプルホールドされた積分信号31をデジタル信号に変換してよい(ステップS105)。但し、ステップS104の処理は、省略されてもよい。   The integrating unit 110 integrates the photocurrent I which is a signal output from the infrared sensor 20 (step S103). Step S103 corresponds to an integration step of integrating the signal from the infrared sensor 20. The integrating unit 110 converts the input photocurrent I into a voltage and outputs an integrated signal 31. The sample hold unit 120 samples the voltage value 32 at the top of the integration signal 31 (step S104). The ADC unit 130 may convert the integrated signal 31 sampled and held by the sample and hold unit 120 into a digital signal (step S105). However, the process of step S104 may be omitted.

積分部110は、積分時間制御部160によって決定された繰返し回数にわたって、データ更新期間において積分と積分値のリセットとを繰り返す。具体的には、積分と積分値のリセットを実行した回数が繰返し回数まで達していない場合は(ステップS106:NO)、処理がステップS103に戻る。積分部110が、積分と積分値のリセットを繰返し回数にわたって実行すると(ステップS106:YES)、論理演算部140は、繰返し回数にわたって実行した積分値の平均を算出してよい(ステップS107)。本例の処理装置100は、算出された平均を対象信号として用いる。但し、対象信号は、算出された平均に限定されない。対象信号は、積分部110による出力である積分信号31から得られる信号であってよい。   Integration unit 110 repeats integration and reset of the integration value in the data update period over the number of repetitions determined by integration time control unit 160. Specifically, when the number of times of execution of integration and reset of the integration value has not reached the number of repetitions (step S106: NO), the process returns to step S103. When the integration unit 110 executes integration and reset of the integration value over the number of repetitions (step S106: YES), the logic operation unit 140 may calculate an average of the integration values performed over the number of repetitions (step S107). The processing apparatus 100 of this example uses the calculated average as a target signal. However, the target signal is not limited to the calculated average. The target signal may be a signal obtained from the integrated signal 31 which is an output of the integrating unit 110.

比較部180は、対象信号を閾値と比較する。対象信号が閾値以上である場合には(ステップS108:YES)、比較部180は、検出領域内に人体が存在すると判定してよい(ステップS109)。対象信号が閾値未満である場合には(ステップS108:NO)、検出領域内に人体が存在すると判定しない。   The comparison unit 180 compares the target signal with a threshold. If the target signal is equal to or greater than the threshold (YES in step S108), the comparison unit 180 may determine that a human body is present in the detection area (step S109). If the target signal is less than the threshold (step S108: NO), it is not determined that the human body is present in the detection area.

インピーダンス測定部190は、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報を測定する(ステップS110)。積分時間制御部160は、インピーダンス測定部190によって測定されたインピーダンスに関する情報に基づいて、次のデータ更新期間内において積分部110によって積分と積分の値のリセットとを繰り返す新たな回数を決定する(ステップS111)。積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、繰返し回数を少なくする。繰返し回数が少なくなると、単位時間(たとえばデータ更新期間)あたりの複数回の積分区間を合計した積分時間が短くなる。ステップS111の処理は、赤外線センサ20の場所における温度についての情報を取得して、インピーダンスが高いほど積分段階(ステップS104)における単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する段階に対応する。   The impedance measurement unit 190 measures information on the impedance of the infrared sensor 20 (step S110). Integration time control unit 160 determines, based on the information on the impedance measured by impedance measurement unit 190, a new number of times the integration unit 110 repeats integration and reset of the integration value within the next data update period ( Step S111). The integration time control unit 160 reduces the number of repetitions as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. When the number of repetitions decreases, the integration time which is the sum of a plurality of integration intervals per unit time (for example, data update period) becomes short. The process of step S111 corresponds to the step of acquiring information on the temperature at the location of the infrared sensor 20 and controlling to shorten the integration time per unit time in the integration step (step S104) as the impedance is higher.

インピーダンス測定の段階(ステップS110)および繰返し回数の決定段階(ステップS111)は、積分と積分値のリセットとを繰り返す段階(ステップS103からステップS105)よりも前に実行されてもよい。   The step of impedance measurement (step S110) and the step of determining the number of repetitions (step S111) may be performed prior to the steps of repeating integration and resetting of the integration value (steps S103 to S105).

処理は、ステップS103に戻り、次のデータ更新期間が始まる。処理装置100は、積分時間制御部160によってインピーダンスについての情報に基づいて決定された繰返し回数を用いて、ステップS103以下の処理を実行する。ステップS103において積分部110による積分時間は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど短くなる。したがって、本例によれば、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど積分段階における積分時間を短くする。したがって、消費電流の削減が図られる。   The process returns to step S103, and the next data update period starts. The processing apparatus 100 executes the processing of step S103 and subsequent steps using the number of repetitions determined by the integration time control unit 160 based on the information on the impedance. The integration time by the integration unit 110 in step S103 is shorter as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. Therefore, according to the present embodiment, the integration time in the integration stage is shortened as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. Therefore, current consumption can be reduced.

図19は、本発明の第2実施形態における赤外線検出装置10の構成の一例を示す。本例の赤外線検出装置10は、インピーダンス測定部190と温度測定部150を備える。   FIG. 19 shows an example of the configuration of the infrared detection device 10 according to the second embodiment of the present invention. The infrared detection device 10 of this example includes an impedance measurement unit 190 and a temperature measurement unit 150.

温度測定部150は、赤外線センサ20の場所における温度を測定する。温度測定部150は、例えば、測温抵抗体、サーミスタ、熱電対、またはIC温度センサである。温度測定部150は、温度に関係する情報として物理量を測定するものであってよい。測温抵抗体およびサーミスタは、温度に関係して変化する抵抗値を測定する。熱電対は、温度に関係して変化する熱起電力を測定する。温度測定部150は、センサ素子22に隣接して配置されてよい。   The temperature measurement unit 150 measures the temperature at the location of the infrared sensor 20. The temperature measurement unit 150 is, for example, a resistance temperature detector, a thermistor, a thermocouple, or an IC temperature sensor. The temperature measurement unit 150 may measure a physical quantity as information related to temperature. A resistance temperature detector and a thermistor measure a resistance value that changes with temperature. The thermocouple measures the thermoelectromotive force that changes with temperature. The temperature measurement unit 150 may be disposed adjacent to the sensor element 22.

本例では、処理装置300が温度測定部150を内蔵している。但し、温度測定部150は、処理装置300の外部に設けられてもよい。この場合には、処理装置300は、外部の温度測定部150から、赤外線センサ20の場所における温度についての情報を取得する。本例の積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報と、赤外線センサ20の場所における温度についての情報の双方を取得する。積分時間制御部160は、取得された双方の情報に基づいて積分部110における積分時間を制御する。   In the present example, the processing device 300 incorporates the temperature measurement unit 150. However, the temperature measurement unit 150 may be provided outside the processing apparatus 300. In this case, the processing apparatus 300 acquires information on the temperature at the location of the infrared sensor 20 from the external temperature measurement unit 150. The integration time control unit 160 of the present example obtains both the information on the impedance of the infrared sensor 20 and the information on the temperature at the location of the infrared sensor 20. The integration time control unit 160 controls the integration time in the integration unit 110 based on the acquired information.

積分時間制御部160は、温度測定部150から温度についての情報を取得してよい。積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御するとともに、赤外線センサ20の場所の温度が低いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように積分部110を制御する。   The integration time control unit 160 may obtain information on the temperature from the temperature measurement unit 150. The integration time control unit 160 controls the integration unit 110 to shorten the integration time per unit time as the impedance of the infrared sensor 20 increases, and the unit time by the integration unit 110 decreases as the temperature at the infrared sensor 20 decreases. The integration unit 110 is controlled to shorten the integration time per unit.

本例の閾値制御部170は、赤外線センサ20の場所における温度についての情報を取得して、取得された情報に基づいて比較部180に入力される閾値を制御する。閾値は、検出領域内に人体が存在するか否かを判定するための人感閾値であってよい。閾値制御部170は、温度測定部150から温度についての情報を取得してよい。閾値制御部170は、赤外線センサ20の場所の温度が低いほど閾値を高くするように制御してよい。温度に応じて制御された閾値の電圧は、比較部180の入力端に入力される。閾値制御部170は、制御論理回路またはマイクロコンピュータ等により実現されてよい。   The threshold control unit 170 of this example acquires information on the temperature at the location of the infrared sensor 20, and controls the threshold input to the comparison unit 180 based on the acquired information. The threshold may be a human feeling threshold for determining whether a human body is present in the detection area. The threshold control unit 170 may obtain information on the temperature from the temperature measurement unit 150. The threshold control unit 170 may control the threshold to be higher as the temperature at the infrared sensor 20 is lower. The threshold voltage controlled according to the temperature is input to the input terminal of the comparison unit 180. The threshold control unit 170 may be realized by a control logic circuit or a microcomputer.

赤外線センサ20の出力信号がノイズに埋もれると、赤外線検出装置10は、検出領域内における人体を検出することができない。すなわち、信号雑音比(S/N比:信号(S)/ノイズ(N))が小さくなると、赤外線検出装置10は、検出領域内における人体を検出することができない。したがって、ノイズを、赤外線センサ20の出力と区別可能なレベルに抑える必要がある。具体的には、本例の処理装置300は、積分時間を長くしてノイズを小さくする。赤外線センサ20の出力信号が大きくなると、必ずしも積分時間を長くしなくても所望の信号雑音比の条件を満足する。   If the output signal of the infrared sensor 20 is buried in the noise, the infrared detection device 10 can not detect the human body in the detection area. That is, when the signal-to-noise ratio (S / N ratio: signal (S) / noise (N)) decreases, the infrared detection device 10 can not detect the human body in the detection area. Therefore, it is necessary to suppress the noise to a level distinguishable from the output of the infrared sensor 20. Specifically, the processing device 300 of this example reduces the noise by lengthening the integration time. When the output signal of the infrared sensor 20 becomes large, the desired signal-to-noise ratio condition is satisfied without necessarily increasing the integration time.

赤外線センサ20の出力信号が大きくなるほど、許容されるノイズのスペック(ノイズ仕様)を大きくすることができる。許容されるノイズ仕様をNspecとし、予め定められた積分区間(積分時間)を1回実行した場合のノイズをN1とすると、ノイズ仕様Nspecを満たすために必要最低限の積分回数numは、上述したとおり、式4で与えられる。   The larger the output signal of the infrared sensor 20, the larger the noise specification (noise specification) can be. Assuming that Nspec is an allowable noise specification and N1 is a noise when a predetermined integration interval (integral time) is executed once, the minimum number of integrations num necessary to satisfy the noise specification Nspec is the above As shown in Equation 4.

赤外線センサ20は、赤外線センサ20自体の温度と検出対象物の温度差が大きいほど、出力信号が大きくなる。対象物が人体などの恒温動物である場合には、対象物の温度は、場所の温度への依存が他の対象物に比べて小さい。一方、赤外線センサ20の温度は、赤外線センサ20の場所の温度と同じ温度となる。したがって、気温が高くなり人体の温度に近づくほど赤外線センサ20からの出力信号(S)が小さくなる。人感センサとして使用する場合における赤外線センサ20の使用想定温度(推奨温度)は、0℃以上35℃以下であってよい。   In the infrared sensor 20, the larger the temperature difference between the temperature of the infrared sensor 20 itself and the temperature of the detection target, the larger the output signal. When the object is a temperature-controlled animal such as a human body, the temperature of the object is less dependent on the temperature of the place than other objects. On the other hand, the temperature of the infrared sensor 20 is the same as the temperature of the location of the infrared sensor 20. Therefore, the output signal (S) from the infrared sensor 20 decreases as the temperature rises and approaches the temperature of the human body. The use assumed temperature (recommended temperature) of the infrared sensor 20 when used as a human sensor may be 0 ° C. or more and 35 ° C. or less.

赤外線センサ20の場所の温度が低くなるにしたがって、赤外線センサ20の出力信号(S)が大きくなるため、許容されるノイズ仕様Nspecを大きくすることができる。温度とノイズ仕様Nspecは、比例関係を有してよい。上記の数4において、ノイズ仕様Nspecが大きくなるにつれて、ノイズ仕様Nspecを満たすために必要最低限の積分回数num、すなわち、データ更新期間あたりの積分と積分値のリセットとの繰返し回数を少なくすることができる。したがって、積分時間制御部160は、赤外線センサ20の場所の温度が低いほど、積分部110による単位時間(たとえばデータ更新期間)あたりの複数回の積分の区間を合計した積分時間を短くするように制御する。図8において説明したとおり、積分時間が短くなるにつれて、積分部110の消費電流を小さくすることができる。   As the temperature at the location of the infrared sensor 20 decreases, the output signal (S) of the infrared sensor 20 increases, so the allowable noise specification Nspec can be increased. The temperature and the noise specification Nspec may have a proportional relationship. In the above equation 4, as the noise specification Nspec increases, the minimum number of integrations num necessary to satisfy the noise specification Nspec, that is, the number of repetitions of integration and reset of the integration value per data update period is reduced. Can. Therefore, as the temperature at the location of the infrared sensor 20 decreases, the integration time control unit 160 shortens the integration time obtained by summing the plurality of integration intervals per unit time (for example, data update period) by the integration unit 110. Control. As described in FIG. 8, the current consumption of the integration unit 110 can be reduced as the integration time becomes shorter.

本例によれば、赤外線センサ20のインピーダンスの変化に起因するノイズN1の変化のみならず、赤外線センサ20の場所の温度の変化に起因する信号Sの変化についても考慮して、消費電流の削減が図られる。インピーダンス測定部としては、上述した赤外線センサ20の両端間での電圧をインピーダンスに関する情報として測定するインピーダンス測定部190の構成であってもよく、赤外線センサ20の場所の温度をインピーダンスに関する情報として測定するインピーダンス測定部390の構成であってもよい。インピーダンス測定部390は、赤外線センサ20の場所の温度を測定するので、温度測定部150の機能を兼ねてもよい。赤外線センサ20の場所の温度の測定結果が、ノイズN1の評価およびノイズ仕様Nspecの評価に用いられ、消費電流の削減効果を高める。   According to the present embodiment, the current consumption is reduced considering not only the change of the noise N1 caused by the change of the impedance of the infrared sensor 20 but also the change of the signal S caused by the change of the temperature of the place of the infrared sensor 20. Is taken. The impedance measuring unit may be a configuration of the impedance measuring unit 190 that measures the voltage between both ends of the infrared sensor 20 described above as information on impedance, and measures the temperature of the location of the infrared sensor 20 as information on impedance The configuration of the impedance measurement unit 390 may be used. Since the impedance measurement unit 390 measures the temperature at the location of the infrared sensor 20, the impedance measurement unit 390 may also function as the temperature measurement unit 150. The measurement result of the temperature at the location of the infrared sensor 20 is used for the evaluation of the noise N1 and the evaluation of the noise specification Nspec to enhance the reduction effect of the current consumption.

図20は、本発明の第2実施形態の赤外線検出装置10による処理内容の一例を示す。図20は、赤外線を検出するセンサの出力を処理するセンサ出力処理方法を説明する。ステップS201およびステップS202は、図18に示される第1実施形態の赤外線検出装置10におけるステップS101およびステップS102と同じである。したがって繰り返しの説明を省略する。   FIG. 20 shows an example of processing contents by the infrared detection device 10 of the second embodiment of the present invention. FIG. 20 illustrates a sensor output processing method for processing the output of a sensor that detects infrared radiation. Steps S201 and S202 are the same as steps S101 and S102 in the infrared detection device 10 of the first embodiment shown in FIG. Therefore, the repeated explanation is omitted.

閾値制御部170は、比較部180に入力される閾値の初期値を取得する(ステップS203)。閾値の初期値は、メモリ等の記憶部に予め記憶されていてもよい。また、閾値制御部170は、赤外線センサ20の場所の温度の情報に基づいて閾値の初期値を決定してよい。ステップS202とステップS203の順序は、この場合に限定されない。ステップS202とステップS203の処理は、並行して実行されてもよい。ステップS204からステップS211の処理は、図18において説明されたステップS103からステップS110の処理と同様である。   The threshold control unit 170 acquires an initial value of the threshold input to the comparison unit 180 (step S203). The initial value of the threshold may be stored in advance in a storage unit such as a memory. Further, the threshold control unit 170 may determine the initial value of the threshold based on the information on the temperature of the location of the infrared sensor 20. The order of step S202 and step S203 is not limited to this case. The processes of step S202 and step S203 may be performed in parallel. The processes of steps S204 to S211 are similar to the processes of steps S103 to S110 described in FIG.

インピーダンス測定部190は、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報を測定する(ステップS211)。温度測定部150は、赤外線センサ20の場所の温度に関する情報を測定する(ステップS212)。ステップS211およびステップS212の処理順序は、この場合に限られない。ステップS211の処理とステップS212の処理とは、並行して実行されてもよい。   The impedance measurement unit 190 measures information on the impedance of the infrared sensor 20 (step S211). The temperature measurement unit 150 measures information on the temperature of the location of the infrared sensor 20 (step S212). The processing order of step S211 and step S212 is not limited to this case. The process of step S211 and the process of step S212 may be performed in parallel.

積分時間制御部160は、インピーダンス測定部190によって測定されたインピーダンスについての情報と、温度測定部150によって測定された温度についての情報に基づいて、次のデータ更新期間内において積分部110によって積分と積分の値のリセットとを繰り返す新たな回数を決定する(ステップS213)。積分時間制御部160は、赤外線センサ20の場所における温度が低いほど、繰返し回数を少なくしてよい。また、積分時間制御部160は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど、繰返し回数を少なくしてよい。繰返し回数が少なくなると、単位時間(たとえばデータ更新期間)あたりの複数回の積分区間を合計した積分時間が短くなる。   Integration time control unit 160 performs integration by integration unit 110 within the next data update period based on the information on the impedance measured by impedance measurement unit 190 and the information on the temperature measured by temperature measurement unit 150. A new number of times of repeating the integration value reset is determined (step S213). The integration time control unit 160 may reduce the number of repetitions as the temperature at the location of the infrared sensor 20 is lower. The integration time control unit 160 may reduce the number of repetitions as the impedance of the infrared sensor 20 is higher. When the number of repetitions decreases, the integration time which is the sum of a plurality of integration intervals per unit time (for example, data update period) becomes short.

ステップS213の処理は、赤外線センサ20のインピーダンスに関する情報と、赤外線センサ20の温度に関する情報とを取得して、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御するとともに、場所の温度が低いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する段階に対応する。   The process of step S213 acquires information on the impedance of the infrared sensor 20 and information on the temperature of the infrared sensor 20, and shortens the integration time per unit time by the integrating unit 110 as the impedance of the infrared sensor 20 increases. And control the integration unit 110 to shorten the integration time per unit time as the temperature of the place is lower.

閾値制御部170は、温度測定部150によって測定され温度についての情報に基づいて、次のデータ更新期間内において比較部が用いる新たな閾値を決定する(ステップS214)。インピーダンス測定の段階(ステップS211)、温度測定段階(ステップS212)、繰返し回数の決定段階(ステップS213)、および閾値の決定段階(ステップS214)は、積分と積分値のリセットとを繰り返す段階(ステップS204からステップS206)よりも前に実行されてもよく、並行して実行されてもよい。   The threshold control unit 170 determines a new threshold used by the comparison unit within the next data update period based on the information about the temperature measured by the temperature measurement unit 150 (step S214). The step of measuring impedance (step S211), the step of measuring temperature (step S212), the step of determining the number of repetitions (step S213), and the step of determining the threshold (step S214) repeat the integration and the reset of the integration value (step It may be performed before S204 to step S206), and may be performed in parallel.

処理は、ステップS204に戻り、次のデータ更新期間が始まる。処理装置300は、積分時間制御部160および閾値制御部170によって決定された繰返し回数および閾値を用いて、ステップS204以下の処理を実行する。ステップS204において積分部110による積分時間は、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど低くなり、赤外線センサ20の場所における温度が低いほど短くなる。ステップS209において比較部180が対象信号と比較する閾値は、赤外線センサ20の場所における温度が低いほど高くなる。   The process returns to step S204, and the next data update period starts. The processing device 300 executes the processing of step S204 and subsequent steps using the number of repetitions and the threshold determined by the integration time control unit 160 and the threshold control unit 170. In step S204, the integration time by the integration unit 110 decreases as the impedance of the infrared sensor 20 increases, and decreases as the temperature at the location of the infrared sensor 20 decreases. The lower the temperature at the location of the infrared sensor 20, the higher the threshold that the comparison unit 180 compares with the target signal in step S209.

したがって、本例によれば、赤外線センサ20のインピーダンスが高いほど積分段階における積分時間を短くするとともに、赤外線センサ20の場所の温度が低いほど積分段階における積分時間を短くする。したがって、消費電流の削減が図られる。赤外線センサ20の場所の温度が低くなった場合に、ノイズが大きくなっても、赤外線センサ20の出力信号(S)も大きくなることから、S/N比を予め定められた範囲に維持することができる。   Therefore, according to the present embodiment, the integration time in the integration stage is shortened as the impedance of the infrared sensor 20 is higher, and the integration time in the integration stage is shortened as the temperature at the location of the infrared sensor 20 is lower. Therefore, current consumption can be reduced. When the temperature at the location of the infrared sensor 20 is lowered, the output signal (S) of the infrared sensor 20 is also increased even if the noise is increased, so that the S / N ratio is maintained in a predetermined range. Can.

以上の説明では、閾値制御部170が比較部180に入力される閾値を制御する場合を説明したが、処理装置300は、この場合に限られない。ノイズと閾値との関係によっては、閾値制御部170による閾値の温度制御が不要な場合もある。この場合には、閾値制御部170は省略される。   Although the case where the threshold value control part 170 controls the threshold value input into the comparison part 180 was demonstrated in the above description, the processing apparatus 300 is not restricted to this case. Depending on the relationship between the noise and the threshold, temperature control of the threshold by the threshold control unit 170 may not be necessary. In this case, the threshold control unit 170 is omitted.

処理装置100は、赤外線センサ以外のセンサにも用いられる。特に、トランスインピーダンスアンプに接続されるセンサに対して好適に用いられる。処理装置100は、センサからの信号を積分する積分部110と、センサのインピーダンスに関する情報を取得して、センサのインピーダンスが高いほど積分部110による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する積分時間制御部160を有する限り、上述した構成に限定されず、種々の回路構成の追加および省略が可能である。また、積分部110は、センサからの信号を積分処理するものである限り、回路構成は限定されない。   The processing device 100 is also used as a sensor other than an infrared sensor. In particular, it is suitably used for a sensor connected to a transimpedance amplifier. The processing device 100 acquires the information on the impedance of the sensor and the integration unit 110 which integrates the signal from the sensor, and controls the integration time per unit time to be shorter as the sensor impedance is higher. As long as the integration time control unit 160 is included, it is not limited to the above-described configuration, and various circuit configurations can be added and omitted. Further, the circuit configuration is not limited as long as the integration unit 110 integrates the signal from the sensor.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It is apparent to those skilled in the art that various changes or modifications can be added to the above embodiment. It is also apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such alterations or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順序で実施することが必須であることを意味するものではない。   The execution order of each process such as operations, procedures, steps, and steps in the apparatuses, systems, programs, and methods shown in the claims, the specification, and the drawings is particularly “before”, “preceding” It is to be noted that “it is not explicitly stated as“ etc. ”and can be realized in any order as long as the output of the previous process is not used in the later process. With regard to the flow of operations in the claims, the specification and the drawings, even if it is described using “first,” “next,” etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10・・赤外線検出装置、11・・赤外線検出装置、12・・外部端子、20・・赤外線センサ、22・・センサ素子、31・・積分信号、32・・電圧値、100・・処理装置、110・・積分部、112・・オペアンプ、113・・コンデンサ、114・・コンデンサ、115・・入力端子、120・・サンプルホールド部、122・・オペアンプ、123・・コンデンサ、124・・コンデンサ、125・・第1スイッチ、126・・接地用コンデンサ、127・・第2スイッチ、130・・ADC部、140・・論理演算部、150・・温度測定部、160・・積分時間制御部、170・・閾値制御部、180・・比較部、190・・インピーダンス測定部、192・・定電流源、193・・一端、194・・他端、195・・スイッチ、196・・スイッチ、200・・処理装置、210・・積分部、220・・サンプルホールド部、230・・ADC部、240・・論理演算部、260・・積分時間制御部、270・・閾値制御部、300・・処理装置、390・・インピーダンス測定部、392・・定電流源、394・・トランジスタ素子、395・・エミッタ電極、396・・ベース電極、397・・コレクタ電極 10 · · Infrared detection device, 11 · · Infrared detection device, 12 · · · External terminal, 20 · · Infrared sensor, 22 · · Sensor elements, 31 · · Integration signal, · · · · · · · · · · · · · · · · 100 processing unit, DESCRIPTION OF SYMBOLS 110 ··· Integral part, 112 ·· Op amp 113, ··· capacitor · 114 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · sample and hold portion 122 · · · op amp 123 · · · · · · · · · · · · · · First switch, 126 · · · · · · · · · · · · · · · · · · first switch, 126 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · integration time control unit · Threshold control unit 180 · · · comparison unit 190 · · · impedance measurement unit 192 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · , 196 switch, 200 processing unit 210 integration unit 220 sample and hold unit 230 ADC unit 240 logical operation unit 260 integration time control unit 270 Threshold control unit 300, processing unit 390, impedance measuring unit 392, constant current source 394, transistor element 395, emitter electrode 396, base electrode 397, collector electrode

Claims (9)

センサの出力を処理するセンサ出力処理装置であって、
前記センサからの信号を積分する積分部と、
前記センサのインピーダンスに関する情報を取得して、前記センサのインピーダンスが高いほど前記積分部による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する積分時間制御部と、
を備えるセンサ出力処理装置。
A sensor output processing apparatus for processing sensor output, comprising:
An integration unit that integrates the signal from the sensor;
An integration time control unit that acquires information on the impedance of the sensor and controls the integration time per unit time to be shorter as the sensor impedance is higher;
Sensor output processing device comprising:
前記インピーダンスに関する前記情報を測定するインピーダンス測定部を更に備える
請求項1に記載のセンサ出力処理装置。
The sensor output processing device according to claim 1, further comprising an impedance measurement unit configured to measure the information related to the impedance.
前記インピーダンス測定部は、
前記センサに定電流が流れた状態において前記センサの両端間での電圧を前記インピーダンスに関する前記情報として測定する電圧測定部を含む
請求項2に記載のセンサ出力処理装置。
The impedance measuring unit
The sensor output processing device according to claim 2, further comprising: a voltage measurement unit configured to measure a voltage between both ends of the sensor as the information on the impedance in a state where a constant current flows in the sensor.
前記インピーダンス測定部は、
前記インピーダンスに関する前記情報として前記センサの場所における温度を測定する温度測定部を含む
請求項2に記載のセンサ出力処理装置。
The impedance measuring unit
The sensor output processing apparatus according to claim 2, further comprising a temperature measurement unit configured to measure a temperature at a location of the sensor as the information related to the impedance.
予め定められたデータ更新期間内において、
前記積分部は、複数回にわたって、前記信号の積分と前記積分の値のリセットとを繰り返し、
前記インピーダンス測定部は、前記インピーダンスに関する前記情報を測定し、
前記積分時間制御部は、前記インピーダンスに関する前記情報に基づいて、次のデータ更新期間内において前記積分部によって前記積分と前記積分の値のリセットとを繰り返す新たな回数を決定する
請求項2に記載のセンサ出力処理装置。
Within a predetermined data update period,
The integration unit repeats integration of the signal and reset of the value of the integration multiple times,
The impedance measuring unit measures the information related to the impedance,
3. The integration time control unit according to claim 2, wherein the integration unit determines a new number of times to repeat the integration and the reset of the integration value in the next data update period based on the information on the impedance. Sensor output processor.
前記積分時間制御部は、前記インピーダンスに関する前記情報と、前記センサの場所における温度についての情報の双方を取得して、
前記センサのインピーダンスが高いほど前記積分部による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御するとともに、前記場所の前記温度が低いほど前記積分部による単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する、
請求項1から5の何れか1項に記載のセンサ出力処理装置。
The integration time control unit obtains both the information on the impedance and information on the temperature at the location of the sensor,
Control is performed to shorten the integration time per unit time by the integration unit as the sensor impedance is higher, and control is performed to shorten the integration time per unit time by the integration unit as the temperature at the place is lower. Do,
The sensor output processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
前記積分部からの出力信号から得られる対象信号を閾値と比較する比較部と、
前記場所における温度が低いほど前記閾値を高くするように制御する閾値制御部と、を備える請求項6に記載のセンサ出力処理装置。
A comparison unit that compares a target signal obtained from the output signal from the integration unit with a threshold;
The sensor output processing device according to claim 6, further comprising: a threshold value control unit configured to control the threshold value to be higher as the temperature at the place is lower.
前記センサを更に備える
請求項1から7の何れか1項に記載のセンサ出力処理装置。
The sensor output processing device according to any one of claims 1 to 7, further comprising the sensor.
センサの出力を処理するセンサ出力処理方法であって、
前記センサからの信号を積分する段階と、
前記センサのインピーダンスに関する情報を取得して、前記センサのインピーダンスが高いほど、前記積分する段階における単位時間あたりの積分時間を短くするように制御する段階と、
を備えるセンサ出力処理方法。
A sensor output processing method for processing sensor output, comprising:
Integrating the signal from the sensor;
Obtaining information on the impedance of the sensor and controlling the integration time per unit time to be shorter as the impedance of the sensor is higher;
A sensor output processing method comprising:
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