JP2018125543A - Light-emitting element module, quantum interference member, atomic oscillator, electronic apparatus, and mobile body - Google Patents

Light-emitting element module, quantum interference member, atomic oscillator, electronic apparatus, and mobile body Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element module which reduces temperature variations of light-emitting elements, and can reduce a loss of a drive signal even if a high frequency signal is used as the drive signal of the light-emitting elements, and to provide a quantum interference member, an atomic oscillator, an electronic apparatus and a mobile body.SOLUTION: A light-emitting element module includes a temperature adjustment element 32, a light-emitting element 33 arranged on a temperature adjustment surface of the temperature adjustment element 32, a metal layer 323 arranged on the temperature adjustment surface, a relay member 35 arranged on the temperature adjustment surface via the metal layer 323, a wiring layer 353 arranged on an opposite surface to the temperature adjustment surface of the relay member 35, wiring 92a connecting the light-emitting element 33 and a wiring layer 353 electrically, and wiring 92b connecting a connection electrode 38a and the wiring layer 353 electrically. In a plan view, the wiring layer 353 is smaller in area than a region of the metal layer 323 overlapping with the relay member 35.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element module, a quantum interference device, an atomic oscillator, an electronic device, and a moving object.

発光素子を温度調節素子により温度調節する発光素子モジュールが知られている(例えば、特許文献1参照)。このような発光素子モジュールは、発光素子の発光状態を高精度に制御することが必要な機器、例えば、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属の原子のエネルギー遷移に基づいて発振する原子発振器に用いられる。
例えば、特許文献1に記載の発光素子モジュールは、ペルチェ素子(温度調節素子)と、ペルチェ素子上に搭載されている半導体レーザー(発光素子)と、を備え、これらがパッケージ内に収納されている。また、特許文献1に記載の発光素子モジュールでは、ペルチェ素子上に絶縁部材が配置されており、発光素子上の電極とパッケージ上の電極とを電気的に接続する配線の途中がその絶縁部材上のパッドに接続されている。これにより、かかる配線をも温度調節し、発光素子を高精度に温度調節することができる。
2. Description of the Related Art A light emitting element module that adjusts the temperature of a light emitting element with a temperature adjusting element is known (for example, see Patent Document 1). Such a light-emitting element module is used in an apparatus that needs to control the light-emitting state of the light-emitting element with high accuracy, for example, an atomic oscillator that oscillates based on energy transitions of alkali metal atoms such as rubidium and cesium.
For example, the light emitting element module described in Patent Document 1 includes a Peltier element (temperature adjusting element) and a semiconductor laser (light emitting element) mounted on the Peltier element, and these are housed in a package. . Moreover, in the light emitting element module described in Patent Document 1, an insulating member is disposed on the Peltier element, and the middle of the wiring that electrically connects the electrode on the light emitting element and the electrode on the package is on the insulating member. Connected to the pad. As a result, the temperature of the wiring can be adjusted, and the temperature of the light emitting element can be adjusted with high accuracy.

しかし、特許文献1に記載の発光素子モジュールでは、絶縁部材上の電極とペルチェ素子上の金属層との間に大きな静電容量が生じてしまうため、発光素子の駆動信号として高周波信号を用いた場合に、駆動信号の損失が大きいという問題があった。例えば、波長の異なる2種類の光による量子干渉効果(CPT:Coherent Population Trapping)を利用した方式の原子発振器においては、一般に、高周波信号を駆動信号として用いて、1つの半導体レーザーから波長の異なる2種の光を出射させるため、かかる問題が生じる。   However, in the light emitting element module described in Patent Document 1, since a large capacitance is generated between the electrode on the insulating member and the metal layer on the Peltier element, a high frequency signal is used as a drive signal for the light emitting element. In such a case, there is a problem that the loss of the drive signal is large. For example, in an atomic oscillator using a quantum interference effect (CPT: Coherent Population Trapping) due to two types of light having different wavelengths, a high-frequency signal is generally used as a drive signal, and two different wavelengths are generated from one semiconductor laser. This problem arises because seed light is emitted.

特開2013−162031号公報JP 2013-162031 A

本発明の目的は、発光素子の温度変動を低減するとともに、発光素子の駆動信号として高周波信号を用いても、その駆動信号の損失を低減することができる発光素子モジュールを提供すること、また、かかる発光素子モジュールを備える優れた信頼性を有する量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light emitting element module capable of reducing temperature fluctuation of a light emitting element and reducing loss of the driving signal even when a high frequency signal is used as the driving signal of the light emitting element. An object of the present invention is to provide a quantum interference device, an atomic oscillator, an electronic device, and a mobile body having such a light emitting element module and having excellent reliability.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の発光素子モジュールは、温度調節される温度調節面を有する温度調節部と、
前記温度調節面上に配置されている発光素子と、
前記温度調節面上に配置されている金属層と、
前記金属層を介して前記温度調節面上に配置されている中継部材と、
前記中継部材の前記温度調節面と反対側の面上に配置されている配線層と、
前記発光素子と前記配線層とを電気的に接続している素子側配線と、
外部端子と、
前記外部端子と前記配線層とを電気的に接続している端子側配線と、を備え、
前記配線層は、前記金属層と前記配線層とが並ぶ方向から見た平面視において、前記金属層の前記中継部材と重なる領域よりも面積が小さいことを特徴とする。
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[Application Example 1]
The light-emitting element module of the present invention includes a temperature adjustment unit having a temperature adjustment surface that is temperature-controlled
A light emitting device disposed on the temperature control surface;
A metal layer disposed on the temperature control surface;
A relay member disposed on the temperature control surface via the metal layer;
A wiring layer disposed on a surface of the relay member opposite to the temperature adjustment surface;
An element side wiring electrically connecting the light emitting element and the wiring layer;
An external terminal,
Terminal side wiring electrically connecting the external terminal and the wiring layer,
The wiring layer has a smaller area than a region of the metal layer overlapping the relay member in a plan view as viewed from a direction in which the metal layer and the wiring layer are arranged.

このような発光素子モジュールによれば、温度調節面により温度調節される中継部材上の配線層が、発光素子と外部端子とを電気的に接続している配線の途中(素子側配線と端子側配線との間)に介在しているため、かかる配線の温度変動が低減され、それに伴って、発光素子の温度変動も低減することができる。
しかも、配線層の面積を中継部材と金属層との重なる領域の面積よりも小さくすることで、配線層と金属層との間の静電容量を小さくし、発光素子に供給する駆動信号として高周波信号を用いても、駆動信号の損失を低減することができる。また、中継部材の実装性を確保することができる。
According to such a light emitting element module, the wiring layer on the relay member whose temperature is adjusted by the temperature adjusting surface is in the middle of the wiring electrically connecting the light emitting element and the external terminal (element side wiring and terminal side). Therefore, the temperature fluctuation of the wiring can be reduced, and accordingly, the temperature fluctuation of the light emitting element can also be reduced.
In addition, by making the area of the wiring layer smaller than the area of the region where the relay member and the metal layer overlap, the capacitance between the wiring layer and the metal layer is reduced, and the drive signal supplied to the light emitting element is high frequency. Even if the signal is used, the loss of the drive signal can be reduced. Moreover, the mounting property of the relay member can be ensured.

[適用例2]
本発明の発光素子モジュールでは、前記温度調節部は、ペルチェ素子であり、
前記温度調節面は、前記ペルチェ素子の発熱面または吸熱面であることが好ましい。
これにより、発光素子を好適に温度調節することができる。また、ペルチェ素子は、一般に、発熱面または吸熱面が金属層で構成されており、配線層が設けられた中継部材を発熱面上または吸熱面上に配置すると、発熱面または吸熱面との間で静電容量が生じることとなる。
[Application Example 2]
In the light emitting element module of the present invention, the temperature adjusting unit is a Peltier element,
The temperature adjustment surface is preferably a heat generation surface or a heat absorption surface of the Peltier element.
Thereby, the temperature of the light emitting element can be suitably adjusted. In addition, the Peltier element generally has a heat generation surface or heat absorption surface made of a metal layer, and if a relay member provided with a wiring layer is disposed on the heat generation surface or the heat absorption surface, the Peltier element is located between the heat generation surface or the heat absorption surface. As a result, capacitance is generated.

[適用例3]
本発明の発光素子モジュールでは、前記素子側配線および前記端子側配線のうちの少なくとも一方の配線がワイヤー配線であることが好ましい。
これにより、ワイヤーボンディングにより、配線の形成を比較的容易なものとしながら、配線層の配線との接続に必要な面積を比較的小さくすることができる。そのため、配線層の面積を小さくすることができる。
[適用例4]
本発明の発光素子モジュールでは、前記端子側配線が複数であることが好ましい。
これにより、端子側配線の電気抵抗を小さくし、発光素子に供給する駆動信号の損失を低減することができる。
[Application Example 3]
In the light emitting element module of the present invention, it is preferable that at least one of the element side wiring and the terminal side wiring is a wire wiring.
Thereby, the area required for connection with the wiring of a wiring layer can be made comparatively small, making wiring formation comparatively easy by wire bonding. Therefore, the area of the wiring layer can be reduced.
[Application Example 4]
In the light emitting element module of the present invention, it is preferable that the terminal side wiring is plural.
Thereby, the electrical resistance of the terminal side wiring can be reduced, and the loss of the drive signal supplied to the light emitting element can be reduced.

[適用例5]
本発明の発光素子モジュールでは、前記配線層は、前記素子側配線が接続されている第1端部と、前記端子側配線が接続されている第2端部とを有し、前記第1端部と前記第2端部とが並ぶ方向に沿って延びている長手形状をなしていることが好ましい。
これにより、配線層の面積を小さくしつつ、配線層の配線との接続に必要な面積を確保することができる。
[Application Example 5]
In the light emitting element module of the present invention, the wiring layer has a first end to which the element side wiring is connected and a second end to which the terminal side wiring is connected, and the first end It is preferable to have a longitudinal shape extending along the direction in which the portion and the second end portion are arranged.
Thereby, it is possible to secure an area necessary for connection with the wiring of the wiring layer while reducing the area of the wiring layer.

[適用例6]
本発明の発光素子モジュールでは、前記第2端部の幅が前記第1端部の幅よりも大きいことが好ましい。
これにより、配線層の面積を小さくしつつ、複数の端子側配線を配線層の第2端部に接続することができる。
[Application Example 6]
In the light emitting element module of the present invention, it is preferable that a width of the second end portion is larger than a width of the first end portion.
Thereby, a plurality of terminal-side wirings can be connected to the second end of the wiring layer while reducing the area of the wiring layer.

[適用例7]
本発明の発光素子モジュールでは、前記配線層は、前記第2端部側から前記第1端部側に向けて、幅が連続的に減少している部分を有していることが好ましい。
これにより、発光素子に供給する高周波の駆動信号が配線層で損失するのを低減することができる。
[Application Example 7]
In the light emitting element module according to the aspect of the invention, it is preferable that the wiring layer has a portion in which the width continuously decreases from the second end side toward the first end side.
Thereby, it is possible to reduce the loss of the high-frequency drive signal supplied to the light emitting element in the wiring layer.

[適用例8]
本発明の発光素子モジュールでは、前記中継部材は、セラミックス材料を含んでいることが好ましい。
これにより、中継部材の絶縁性を確保することができる。また、中継部材の熱容量を比較的大きくすることができ、その結果、配線層および素子側配線の温度変動を低減することができる。また、熱伝導性に優れたセラミックスを用いることにより、配線層の温度調節を効率的に行うことができる。
[Application Example 8]
In the light emitting element module of the present invention, it is preferable that the relay member includes a ceramic material.
Thereby, the insulation of a relay member is securable. Further, the heat capacity of the relay member can be made relatively large, and as a result, temperature fluctuations of the wiring layer and the element side wiring can be reduced. Moreover, the temperature of the wiring layer can be adjusted efficiently by using ceramics having excellent thermal conductivity.

[適用例9]
本発明の発光素子モジュールでは、前記配線層は、金を含んで構成されている表層と、前記表層と前記中継部材との間に設けられている下地層と、を有していることが好ましい。
これにより、ワイヤーボンディングにより形成される素子側配線および端子側配線と配線層との密着性、および、配線層と中継部材との密着性を優れたものとすることができる。
[Application Example 9]
In the light emitting element module according to the aspect of the invention, it is preferable that the wiring layer includes a surface layer including gold and a base layer provided between the surface layer and the relay member. .
Thereby, the adhesiveness of the element side wiring and terminal side wiring formed by wire bonding, and a wiring layer, and the adhesiveness of a wiring layer and a relay member can be made excellent.

[適用例10]
本発明の発光素子モジュールでは、前記下地層は、前記中継部材上に、チタンを含んで構成されている第1層と、パラジウムを含んで構成されている第2層とがこの順で積層されて構成されていることが好ましい。
これにより、配線層と中継部材との密着性を優れたものとすることができる。
[Application Example 10]
In the light emitting element module according to the aspect of the invention, the base layer is formed by laminating a first layer including titanium and a second layer including palladium on the relay member in this order. It is preferable to be configured.
Thereby, the adhesiveness of a wiring layer and a relay member can be made excellent.

[適用例11]
本発明の発光素子モジュールでは、前記温度調節面上に配置されている温度検出素子と、
金属層を介して前記温度調節面上に配置されている温度検出素子用中継部材と、
前記温度検出素子用中継部材の前記温度調節面と反対側の面上に配置されている温度検出素子用配線層と、
前記温度検出素子と前記温度検出素子用配線層とを電気的に接続している温度検出素子側配線と、
温度検出素子用外部端子と、
前記温度検出素子用外部端子と前記温度検出素子用配線層とを電気的に接続している温度検出素子用端子側配線と、
を備えていることが好ましい。
これにより、温度調節面により温度調節される温度検出素子用中継部材上の温度検出素子用配線層が、温度検出素子と温度検出素子用外部端子とを電気的に接続している配線の途中に介在しているため、かかる配線の温度変動が低減され、それに伴って、温度検出素子の温度変動も低減することができる。
[Application Example 11]
In the light emitting element module of the present invention, a temperature detection element disposed on the temperature adjustment surface,
A relay member for a temperature detection element disposed on the temperature control surface via a metal layer;
A temperature detection element wiring layer disposed on a surface opposite to the temperature adjustment surface of the temperature detection element relay member;
A temperature detection element side wiring electrically connecting the temperature detection element and the temperature detection element wiring layer;
An external terminal for the temperature detection element;
A temperature detection element terminal side wiring that electrically connects the temperature detection element external terminal and the temperature detection element wiring layer;
It is preferable to provide.
Thereby, the temperature detection element wiring layer on the temperature detection element relay member whose temperature is adjusted by the temperature adjustment surface is in the middle of the wiring electrically connecting the temperature detection element and the temperature detection element external terminal. Since it is interposed, the temperature fluctuation of the wiring is reduced, and accordingly, the temperature fluctuation of the temperature detection element can also be reduced.

[適用例12]
本発明の量子干渉装置は、本発明の発光素子モジュールを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する量子干渉装置を提供することができる。
[適用例13]
本発明の原子発振器は、本発明の発光素子モジュールを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する原子発振器を提供することができる。
[Application Example 12]
The quantum interference device of the present invention includes the light emitting element module of the present invention.
Thereby, a quantum interference device having excellent reliability can be provided.
[Application Example 13]
The atomic oscillator according to the present invention includes the light emitting element module according to the present invention.
Thereby, an atomic oscillator having excellent reliability can be provided.

[適用例14]
本発明の電子機器は、本発明の発光素子モジュールを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
[適用例15]
本発明の移動体は、本発明の発光素子モジュールを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する移動体を提供することができる。
[Application Example 14]
An electronic apparatus according to the present invention includes the light emitting element module according to the present invention.
Thereby, an electronic device having excellent reliability can be provided.
[Application Example 15]
The moving body of the present invention includes the light emitting element module of the present invention.
Thereby, the mobile body which has the outstanding reliability can be provided.

本発明の実施形態に係る原子発振器(量子干渉装置)を示す概略図である。It is the schematic which shows the atomic oscillator (quantum interference apparatus) which concerns on embodiment of this invention. アルカリ金属のエネルギー状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the energy state of an alkali metal. 光出射部から出射される2つの光の周波数差と、光検出部で検出される光の強度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the frequency difference of two light radiate | emitted from a light-projection part, and the intensity | strength of the light detected by a photon detection part. 図1に示す原子発振器が備える光出射部(発光素子モジュール)の斜視図である。It is a perspective view of the light emission part (light emitting element module) with which the atomic oscillator shown in FIG. 1 is provided. 図4に示す光出射部の断面図である。It is sectional drawing of the light-projection part shown in FIG. 図4に示す光出射部の平面図である。It is a top view of the light emission part shown in FIG. 図4に示す光出射部が備える中継部材の断面図である。It is sectional drawing of the relay member with which the light-projection part shown in FIG. 4 is provided. (a)は、図7に示す中継部材の裏面図、(b)は、図7に示す中継部材の表面図である。(A) is a back view of the relay member shown in FIG. 7, and (b) is a front view of the relay member shown in FIG. GPS衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure at the time of using the atomic oscillator of this invention for the positioning system using a GPS satellite. 本発明の移動体の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the moving body of this invention.

以下、本発明の発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
1.原子発振器(量子干渉装置)
まず、本発明の原子発振器(本発明の量子干渉装置を備える原子発振器)について説明する。なお、以下では、本発明の量子干渉装置を原子発振器に適用した例を説明するが、本発明の量子干渉装置は、これに限定されず、原子発振器の他、例えば、磁気センサー、量子メモリー等にも適用可能である。
Hereinafter, a light-emitting element module, a quantum interference device, an atomic oscillator, an electronic apparatus, and a moving body of the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the accompanying drawings.
1. Atomic oscillator (quantum interference device)
First, the atomic oscillator of the present invention (the atomic oscillator including the quantum interference device of the present invention) will be described. In the following, an example in which the quantum interference device of the present invention is applied to an atomic oscillator will be described. However, the quantum interference device of the present invention is not limited to this, for example, a magnetic sensor, a quantum memory, etc. It is also applicable to.

図1は、本発明の実施形態に係る原子発振器(量子干渉装置)を示す概略図である。また、図2は、アルカリ金属のエネルギー状態を説明するための図である。また、図3は、光出射部から出射される2つの光の周波数差と、光検出部で検出される光の強度との関係を示すグラフである。
図1に示す原子発振器1は、量子干渉効果を利用した原子発振器である。
この原子発振器1は、図1に示すように、ガスセル2と、光出射部3(発光素子モジュール)と、光学部品41、42、43、44と、光検出部5と、ヒーター6と、温度センサー7と、磁場発生部8と、制御部10とを備える。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an atomic oscillator (quantum interference device) according to an embodiment of the present invention. Moreover, FIG. 2 is a figure for demonstrating the energy state of an alkali metal. FIG. 3 is a graph showing the relationship between the frequency difference between the two lights emitted from the light emitting part and the intensity of the light detected by the light detecting part.
An atomic oscillator 1 shown in FIG. 1 is an atomic oscillator using a quantum interference effect.
As shown in FIG. 1, the atomic oscillator 1 includes a gas cell 2, a light emitting unit 3 (light emitting element module), optical components 41, 42, 43 and 44, a light detecting unit 5, a heater 6, a temperature, A sensor 7, a magnetic field generator 8, and a controller 10 are provided.

まず、原子発振器1の原理を簡単に説明する。
図1に示すように、原子発振器1では、光出射部3がガスセル2に向けて励起光LLを出射し、ガスセル2を透過した励起光LLを光検出部5が検出する。
ガスセル2内には、ガス状のアルカリ金属(金属原子)が封入されており、アルカリ金属は、図2に示すように、3準位系のエネルギー準位を有し、エネルギー準位の異なる2つの基底状態(基底状態1、2)と、励起状態との3つの状態をとり得る。ここで、基底状態1は、基底状態2よりも低いエネルギー状態である。
First, the principle of the atomic oscillator 1 will be briefly described.
As shown in FIG. 1, in the atomic oscillator 1, the light emitting unit 3 emits the excitation light LL toward the gas cell 2, and the light detection unit 5 detects the excitation light LL transmitted through the gas cell 2.
The gas cell 2 is filled with gaseous alkali metal (metal atom), and the alkali metal has energy levels of a three-level system and has different energy levels as shown in FIG. Three ground states (ground states 1 and 2) and an excited state can be taken. Here, the ground state 1 is a lower energy state than the ground state 2.

光出射部3から出射された励起光LLは、周波数の異なる2種の共鳴光1、2を含んでおり、この2種の共鳴光1、2を前述したようなガス状のアルカリ金属に照射したとき、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差(ω1−ω2)に応じて、共鳴光1、2のアルカリ金属における光吸収率(光透過率)が変化する。
そして、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差(ω1−ω2)が基底状態1と基底状態2とのエネルギー差に相当する周波数ω0に一致したとき、基底状態1、2から励起状態への励起がそれぞれ停止する。このとき、共鳴光1、2は、いずれも、アルカリ金属に吸収されずに透過する。このような現象をCPT現象または電磁誘起透明化現象(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)と呼ぶ。
The excitation light LL emitted from the light emitting unit 3 includes two types of resonance lights 1 and 2 having different frequencies. The two types of resonance lights 1 and 2 are irradiated onto the gaseous alkali metal as described above. Then, the optical absorptance (light transmittance) of the resonant lights 1 and 2 in the alkali metal changes according to the difference (ω1−ω2) between the frequency ω1 of the resonant light 1 and the frequency ω2 of the resonant light 2.
Then, when the difference (ω1−ω2) between the frequency ω1 of the resonant light 1 and the frequency ω2 of the resonant light 2 matches the frequency ω0 corresponding to the energy difference between the ground state 1 and the ground state 2, the ground states 1, 2 The excitation to the excited state stops. At this time, both the resonant lights 1 and 2 are transmitted without being absorbed by the alkali metal. Such a phenomenon is called a CPT phenomenon or an electromagnetically induced transparency (EIT) phenomenon.

例えば、光出射部3が共鳴光1の周波数ω1を固定し、共鳴光2の周波数ω2を変化させていくと、共鳴光1の周波数ω1と共鳴光2の周波数ω2との差(ω1−ω2)が基底状態1と基底状態2とのエネルギー差に相当する周波数ω0に一致したとき、光検出部5の検出強度は、図3に示すように、急峻に上昇する。このような急峻な信号をEIT信号として検出する。このEIT信号は、アルカリ金属の種類によって決まった固有値をもっている。したがって、このようなEIT信号を用いることにより、長期的に安定な周波数特性を有する発振器を構成することができる。   For example, when the light emitting unit 3 fixes the frequency ω1 of the resonant light 1 and changes the frequency ω2 of the resonant light 2, the difference between the frequency ω1 of the resonant light 1 and the frequency ω2 of the resonant light 2 (ω1-ω2). ) Coincides with the frequency ω 0 corresponding to the energy difference between the ground state 1 and the ground state 2, the detection intensity of the light detection unit 5 increases sharply as shown in FIG. Such a steep signal is detected as an EIT signal. This EIT signal has an eigenvalue determined by the type of alkali metal. Therefore, by using such an EIT signal, an oscillator having a long-term stable frequency characteristic can be configured.

以下、原子発振器1の各部を順次説明する。
[ガスセル]
ガスセル2内には、ガス状のアルカリ金属が封入されている。また、ガスセル2内には、緩衝ガスがアルカリ金属ガスとともに封入されている。また、ガスセル2内には、必要に応じて、アルゴン、ネオン等の希ガス、窒素等の不活性ガスが緩衝ガスとしてアルカリ金属ガスとともに封入されている。
Hereinafter, each part of the atomic oscillator 1 will be described sequentially.
[Gas cell]
A gaseous alkali metal is enclosed in the gas cell 2. Moreover, in the gas cell 2, buffer gas is enclosed with alkali metal gas. Further, in the gas cell 2, a rare gas such as argon or neon, or an inert gas such as nitrogen is sealed together with an alkali metal gas as a buffer gas as necessary.

例えば、ガスセル2は、図示しないが、柱状の貫通孔を有する本体部と、その貫通孔の両開口を封鎖する1対の窓部とを有する。これにより、前述したようなアルカリ金属が封入される内部空間が形成されている。
本体部を構成する材料としては、特に限定されず、金属材料、樹脂材料、ガラス材料、シリコン材料、水晶等が挙げられるが、加工性や窓部との接合の観点から、ガラス材料、シリコン材料を用いるのが好ましい。
このような本体部には、窓部が気密的に接合されている。これにより、ガスセル2の内部空間を気密空間とすることができる。
For example, although not shown, the gas cell 2 includes a main body portion having a columnar through hole and a pair of window portions that block both openings of the through hole. Thereby, an internal space in which the alkali metal is enclosed as described above is formed.
The material constituting the main body is not particularly limited, and examples thereof include a metal material, a resin material, a glass material, a silicon material, and a crystal. From the viewpoint of workability and bonding with a window portion, a glass material and a silicon material are included. Is preferably used.
A window part is airtightly joined to such a main body part. Thereby, the internal space of the gas cell 2 can be made into an airtight space.

本体部と窓部との接合方法としては、これらの構成材料に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、接着剤による接合方法、直接接合法、陽極接合法等を用いることができる。
また、窓部を構成する材料としては、前述したような励起光LLに対する透過性を有していれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料、水晶等が挙げられる。
The bonding method between the main body and the window is determined according to these constituent materials and is not particularly limited. For example, a bonding method using an adhesive, a direct bonding method, an anodic bonding method, or the like may be used. it can.
Moreover, as a material which comprises a window part, if it has the permeability | transmittance with respect to the excitation light LL as mentioned above, it will not specifically limit, For example, a silicon material, glass material, quartz crystal etc. are mentioned.

[光出射部]
光出射部3(発光素子モジュール)は、ガスセル2中のアルカリ金属原子を励起する励起光LLを出射する機能を有する。
より具体的には、光出射部3は、励起光LLとして、前述したような周波数の異なる2種の光(共鳴光1および共鳴光2)を出射する。
[Light emitting part]
The light emitting unit 3 (light emitting element module) has a function of emitting excitation light LL that excites alkali metal atoms in the gas cell 2.
More specifically, the light emitting unit 3 emits two types of light (resonant light 1 and resonant light 2) having different frequencies as described above as the excitation light LL.

共鳴光1は、ガスセル2内のアルカリ金属を前述した基底状態1から励起状態へ励起(共鳴)し得るものである。一方、共鳴光2は、ガスセル2内のアルカリ金属を前述した基底状態2から励起状態へ励起(共鳴)し得るものである。
この光出射部3は、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)等の半導体レーザー等の発光素子を含んで構成され、モジュール化されている。なお、光出射部3の構成については、後に詳述する。
The resonant light 1 can excite (resonate) the alkali metal in the gas cell 2 from the ground state 1 to the excited state. On the other hand, the resonance light 2 can excite (resonate) the alkali metal in the gas cell 2 from the ground state 2 to the excited state.
The light emitting unit 3 includes a light emitting element such as a semiconductor laser such as a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL), and is modularized. The configuration of the light emitting unit 3 will be described in detail later.

[光学部品]
複数の光学部品41、42、43、44は、それぞれ、前述した光出射部3とガスセル2との間における励起光LLの光路上に設けられている。
ここで、光出射部3側からガスセル2側へ、光学部品41、光学部品42、光学部品43、光学部品44の順に配置されている。
[Optical parts]
The plurality of optical components 41, 42, 43, and 44 are respectively provided on the optical path of the excitation light LL between the light emitting unit 3 and the gas cell 2 described above.
Here, the optical component 41, the optical component 42, the optical component 43, and the optical component 44 are arranged in this order from the light emitting portion 3 side to the gas cell 2 side.

光学部品41は、レンズである。これにより、励起光LLを無駄なくガスセル2へ照射することができる。
また、光学部品41は、励起光LLを平行光とする機能を有する。これにより、励起光LLがガスセル2の内壁で反射するのを簡単かつ確実に防止することができる。そのため、ガスセル2内での励起光の共鳴を好適に生じさせ、その結果、原子発振器1の発振特性を高めることができる。
The optical component 41 is a lens. Thereby, the excitation light LL can be irradiated to the gas cell 2 without waste.
The optical component 41 has a function of making the excitation light LL a parallel light. Thereby, it is possible to easily and reliably prevent the excitation light LL from being reflected by the inner wall of the gas cell 2. For this reason, resonance of excitation light in the gas cell 2 is preferably generated, and as a result, the oscillation characteristics of the atomic oscillator 1 can be enhanced.

光学部品42は、偏光板である。これにより、光出射部3からの励起光LLの偏光を所定方向に調整することができる。
光学部品43は、減光フィルター(NDフィルター)である。これにより、ガスセル2に入射する励起光LLの強度を調整(減少)させることができる。そのため、光出射部3の出力が大きい場合でも、ガスセル2に入射する励起光を所望の光量とすることができる。本実施形態では、前述した光学部品42を通過した所定方向の偏光を有する励起光LLの強度を光学部品43により調整する。
光学部品44は、λ/4波長板である。これにより、光出射部3からの励起光LLを直線偏光から円偏光(右円偏光または左円偏光)に変換することができる。
The optical component 42 is a polarizing plate. Thereby, the polarization of the excitation light LL from the light emitting part 3 can be adjusted in a predetermined direction.
The optical component 43 is a neutral density filter (ND filter). Thereby, the intensity of the excitation light LL incident on the gas cell 2 can be adjusted (decreased). Therefore, even when the output of the light emitting unit 3 is large, the excitation light incident on the gas cell 2 can be set to a desired light amount. In the present embodiment, the optical component 43 adjusts the intensity of the excitation light LL having polarized light in a predetermined direction that has passed through the optical component 42 described above.
The optical component 44 is a λ / 4 wavelength plate. Thereby, the excitation light LL from the light emitting unit 3 can be converted from linearly polarized light into circularly polarized light (right circularly polarized light or left circularly polarized light).

後述するように磁場発生部8の磁場によりガスセル2内のアルカリ金属原子がゼーマン分裂した状態において、仮に直線偏光の励起光をアルカリ金属原子に照射すると、励起光とアルカリ金属原子との相互作用により、アルカリ金属原子がゼーマン分裂した複数の準位に均等に分散して存在することとなる。その結果、所望のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数が他のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数に対して相対的に少なくなるため、所望のEIT現象を発現する原子数が減少し、所望のEIT信号の強度が小さくなり、その結果、原子発振器1の発振特性の低下をもたらす。   As will be described later, in the state where the alkali metal atoms in the gas cell 2 are Zeeman split by the magnetic field of the magnetic field generation unit 8, if the alkali metal atoms are irradiated with linearly polarized excitation light, the interaction between the excitation light and the alkali metal atoms is caused. In other words, the alkali metal atoms are present evenly dispersed in a plurality of Zeeman split levels. As a result, the number of alkali metal atoms at a desired energy level is relatively small with respect to the number of alkali metal atoms at other energy levels, so that the number of atoms that develop a desired EIT phenomenon is reduced and desired. As a result, the oscillation characteristics of the atomic oscillator 1 are deteriorated.

これに対し、後述するように磁場発生部8の磁場によりガスセル2内のアルカリ金属原子がゼーマン分裂した状態において、円偏光の励起光をアルカリ金属原子に照射すると、励起光とアルカリ金属原子との相互作用により、アルカリ金属原子がゼーマン分裂した複数の準位のうち、所望のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数を他のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数に対して相対的に多くすることができる。そのため、所望のEIT現象を発現する原子数が増大し、所望のEIT信号の強度が大きくなり、その結果、原子発振器1の発振特性を向上させることができる。   On the other hand, when the alkali metal atom is irradiated with circularly polarized excitation light in a state where the alkali metal atom in the gas cell 2 is Zeeman split by the magnetic field of the magnetic field generation unit 8 as described later, the excitation light and the alkali metal atom Among a plurality of levels in which an alkali metal atom is Zeeman split by interaction, the number of alkali metal atoms at a desired energy level is set to be relatively larger than the number of alkali metal atoms at other energy levels. Can do. Therefore, the number of atoms that develop the desired EIT phenomenon increases, and the intensity of the desired EIT signal increases, and as a result, the oscillation characteristics of the atomic oscillator 1 can be improved.

[光検出部]
光検出部5は、ガスセル2内を透過した励起光LL(共鳴光1、2)の強度を検出する機能を有する。
この光検出部5としては、上述したような励起光を検出し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、太陽電池、フォトダイオード等の光検出器(受光素子)を用いることができる。
[Photodetection section]
The light detection unit 5 has a function of detecting the intensity of the excitation light LL (resonance light 1 and 2) transmitted through the gas cell 2.
The photodetector 5 is not particularly limited as long as it can detect the excitation light as described above. For example, a photodetector (light receiving element) such as a solar cell or a photodiode can be used.

[ヒーター]
ヒーター6(加熱部)は、前述したガスセル2(より具体的にはガスセル2中のアルカリ金属)を加熱する機能を有する。これにより、ガスセル2中のアルカリ金属を適切な濃度のガス状に維持することができる。
このヒーター6は、通電(直流)により発熱するものであり、例えば、発熱抵抗体を含んでいる。
また、ヒーター6は、ガスセル2を加熱することができるものであれば、ガスセル2に対して非接触であってもよく、この場合、熱伝導性に優れた部材(例えば金属で構成された部材)を介してガスセル2に接続するように配置される。また、ヒーター6に代えて、または、ヒーター6と併用して、ペルチェ素子を用いて、ガスセル2を加熱してもよい。
[heater]
The heater 6 (heating unit) has a function of heating the above-described gas cell 2 (more specifically, an alkali metal in the gas cell 2). Thereby, the alkali metal in the gas cell 2 can be maintained in a gaseous state with an appropriate concentration.
The heater 6 generates heat when energized (direct current), and includes, for example, a heating resistor.
The heater 6 may be non-contact with the gas cell 2 as long as it can heat the gas cell 2. In this case, a member having excellent thermal conductivity (for example, a member made of metal) ) To be connected to the gas cell 2 via Further, the gas cell 2 may be heated using a Peltier element instead of the heater 6 or in combination with the heater 6.

[温度センサー]
温度センサー7は、ヒーター6またはガスセル2の温度を検出するものである。そして、この温度センサー7の検出結果に基づいて、前述したヒーター6の発熱量が制御される。これにより、ガスセル2内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。
この温度センサー7の設置位置は、特に限定されず、例えば、ヒーター6上であってもよいし、ガスセル2の外表面上であってもよい。
温度センサー7としては、それぞれ、特に限定されず、サーミスタ、熱電対等の公知の各種温度センサーを用いることができる。
[Temperature sensor]
The temperature sensor 7 detects the temperature of the heater 6 or the gas cell 2. Based on the detection result of the temperature sensor 7, the amount of heat generated by the heater 6 is controlled. Thereby, the alkali metal atom in the gas cell 2 can be maintained at a desired temperature.
The installation position of the temperature sensor 7 is not particularly limited, and may be, for example, on the heater 6 or on the outer surface of the gas cell 2.
The temperature sensor 7 is not particularly limited, and various known temperature sensors such as a thermistor and a thermocouple can be used.

[磁場発生部]
磁場発生部8は、ガスセル2内のアルカリ金属の縮退した複数のエネルギー準位をゼーマン分裂させる磁場を発生させる機能を有する。これにより、ゼーマン分裂により、アルカリ金属の縮退している異なるエネルギー準位間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原子発振器1の発振周波数の精度を高めることができる。
[Magnetic field generator]
The magnetic field generation unit 8 has a function of generating a magnetic field that causes Zeeman splitting of a plurality of energy levels in which the alkali metal in the gas cell 2 is degenerated. Thereby, by Zeeman splitting, the gap between different energy levels in which the alkali metal is degenerated can be widened to improve the resolution. As a result, the accuracy of the oscillation frequency of the atomic oscillator 1 can be increased.

この磁場発生部8は、例えば、ガスセル2を挟むように配置されたヘルムホルツコイル、または、ガスセル2を覆うように配置されたソレノイドコイルで構成されている。これにより、ガスセル2内に一方向の均一な磁場を生じさせることができる。
また、磁場発生部8が発生する磁場は、定磁場(直流磁場)であるが、交流磁場が重畳されていてもよい。
The magnetic field generator 8 is configured by, for example, a Helmholtz coil arranged so as to sandwich the gas cell 2 or a solenoid coil arranged so as to cover the gas cell 2. Thereby, a uniform magnetic field in one direction can be generated in the gas cell 2.
The magnetic field generated by the magnetic field generator 8 is a constant magnetic field (DC magnetic field), but an AC magnetic field may be superimposed.

[制御部]
制御部10は、光出射部3、ヒーター6および磁場発生部8をそれぞれ制御する機能を有する。
この制御部10は、光出射部3の共鳴光1、2の周波数を制御する励起光制御部12と、ガスセル2中のアルカリ金属の温度を制御する温度制御部11と、磁場発生部8からの磁場を制御する磁場制御部13とを有する。
[Control unit]
The control unit 10 has a function of controlling the light emitting unit 3, the heater 6, and the magnetic field generation unit 8.
The control unit 10 includes an excitation light control unit 12 that controls the frequencies of the resonance lights 1 and 2 of the light emitting unit 3, a temperature control unit 11 that controls the temperature of the alkali metal in the gas cell 2, and a magnetic field generation unit 8. And a magnetic field control unit 13 for controlling the magnetic field.

励起光制御部12は、前述した光検出部5の検出結果に基づいて、光出射部3から出射される共鳴光1、2の周波数を制御する。より具体的には、励起光制御部12は、周波数差(ω1−ω2)が前述したアルカリ金属固有の周波数ω0となるように、光出射部3から出射される共鳴光1、2の周波数を制御する。
ここで、励起光制御部12は、図示しないが、電圧制御型水晶発振器(発振回路)を備えており、その電圧制御型水晶発振器の発振周波数を光検出部5の検知結果に基づいて同期・調整しながら、その電圧制御型水晶発振器の出力信号を原子発振器1の出力信号として出力する。
The excitation light control unit 12 controls the frequencies of the resonant lights 1 and 2 emitted from the light emitting unit 3 based on the detection result of the light detecting unit 5 described above. More specifically, the excitation light control unit 12 sets the frequencies of the resonant lights 1 and 2 emitted from the light emitting unit 3 so that the frequency difference (ω1−ω2) becomes the above-described frequency ω0 unique to the alkali metal. Control.
Here, although not shown, the excitation light control unit 12 includes a voltage-controlled crystal oscillator (oscillation circuit), and the oscillation frequency of the voltage-controlled crystal oscillator is synchronized with the detection result of the light detection unit 5. While adjusting, the output signal of the voltage controlled crystal oscillator is output as the output signal of the atomic oscillator 1.

また、励起光制御部12は、図示しないが、この電圧制御型水晶発振器からの出力信号を周波数逓倍する逓倍器を備えており、この逓倍器により逓倍された信号(高周波信号)を直流バイアス電流に重畳して駆動信号として光出射部3に入力する。これにより、光検出部5でEIT信号が検出されるように電圧制御型水晶発振器を制御することで、電圧制御型水晶発振器から所望の周波数の信号が出力されることとなる。この逓倍器の逓倍率は、例えば、原子発振器1からの出力信号の所望の周波数をfとしたとき、ω0/(2×f)である。これにより、電圧制御型水晶発振器の発振周波数がfであるとき、逓倍器からの信号を用いて半導体レーザー等の発光素子を変調して、周波数差(ω1−ω2)がω0となる2つの光を出射させることができる。   Further, although not shown, the pumping light control unit 12 includes a multiplier that multiplies the output signal from the voltage controlled crystal oscillator, and the signal (high frequency signal) multiplied by the multiplier is converted into a DC bias current. Is input to the light emitting unit 3 as a drive signal. Thus, by controlling the voltage controlled crystal oscillator so that the light detection unit 5 detects the EIT signal, a signal having a desired frequency is output from the voltage controlled crystal oscillator. The multiplication factor of this multiplier is, for example, ω0 / (2 × f), where f is the desired frequency of the output signal from the atomic oscillator 1. As a result, when the oscillation frequency of the voltage controlled crystal oscillator is f, two light beams having a frequency difference (ω1-ω2) of ω0 are modulated by modulating a light emitting element such as a semiconductor laser using a signal from the multiplier. Can be emitted.

また、温度制御部11は、温度センサー7の検出結果に基づいて、ヒーター6への通電を制御する。これにより、ガスセル2を所望の温度範囲内(例えば70℃程度)に維持することができる。
また、磁場制御部13は、磁場発生部8が発生する磁場が一定となるように、磁場発生部8への通電を制御する。
このような制御部10は、例えば、基板上に実装されたICチップに設けられている。
Further, the temperature control unit 11 controls energization to the heater 6 based on the detection result of the temperature sensor 7. Thereby, the gas cell 2 can be maintained within a desired temperature range (for example, about 70 ° C.).
The magnetic field control unit 13 controls energization to the magnetic field generation unit 8 so that the magnetic field generated by the magnetic field generation unit 8 is constant.
Such a control unit 10 is provided, for example, on an IC chip mounted on a substrate.

以上、原子発振器1の全体構成を簡単に説明したが、この原子発振器1において、光出射部3が有する発光素子は、発光状態の変動を低減する目的で、高精度に温度調節する必要がある。また、前述したように、光出射部3が有する発光素子の駆動信号として高周波信号を用いるが、その駆動信号の損失を小さくすることも必要である。
そこで、光出射部3は、発光素子を高精度に温度調節するとともに、発光素子の駆動信号の損失を低減する構成を有している。以下、光出射部3について、詳述する。
The overall configuration of the atomic oscillator 1 has been briefly described above. In the atomic oscillator 1, the light emitting element included in the light emitting unit 3 needs to be temperature-controlled with high accuracy for the purpose of reducing fluctuations in the light emission state. . Further, as described above, a high frequency signal is used as a drive signal for the light emitting element of the light emitting section 3, but it is also necessary to reduce the loss of the drive signal.
Therefore, the light emitting unit 3 has a configuration for adjusting the temperature of the light emitting element with high accuracy and reducing the loss of the drive signal of the light emitting element. Hereinafter, the light emitting unit 3 will be described in detail.

(光出射部(発光素子モジュール)の詳細な説明)
図4は、図1に示す原子発振器が備える光出射部(発光素子モジュール)の斜視図、図5は、図4に示す光出射部の断面図、図6は、図4に示す光出射部の平面図である。また、図7は、図4に示す光出射部が備える中継部材の断面図、図8(a)は、図7に示す中継部材の裏面図、図8(b)は、図7に示す中継部材の表面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図5中の上側を「上」、下側を「下」という。
光出射部3は、図4に示すように、パッケージ31と、このパッケージ31に収納されている温度調節素子32(温度調節部)、発光素子33、温度検出素子34および中継部材35、36と、を有している。
(Detailed description of light emitting part (light emitting element module))
4 is a perspective view of a light emitting portion (light emitting element module) included in the atomic oscillator shown in FIG. 1, FIG. 5 is a sectional view of the light emitting portion shown in FIG. 4, and FIG. 6 is a light emitting portion shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the relay member provided in the light emitting section shown in FIG. 4, FIG. 8A is a rear view of the relay member shown in FIG. 7, and FIG. 8B is a relay shown in FIG. It is a surface view of a member. In the following, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
As shown in FIG. 4, the light emitting unit 3 includes a package 31, a temperature adjustment element 32 (temperature adjustment unit), a light emitting element 33, a temperature detection element 34, and relay members 35 and 36 housed in the package 31. ,have.

図5に示すように、パッケージ31は、上面に開放する凹部3111を有するベース311と、凹部3111の開口を塞ぐリッド313とを有している。これにより、リッド313により塞がれた凹部3111の内側が温度調節素子32、発光素子33、温度検出素子34および中継部材35、36を収納する収納空間Sとして機能する。この収納空間Sは、減圧(真空)状態であることが好ましい。これにより、パッケージ31の外部の温度変化がパッケージ31内の発光素子33や温度検出素子34等に与える影響を低減し、パッケージ31内の発光素子33や温度検出素子34等の温度変動を低減することができる。なお、パッケージ31内は、減圧状態でなくともよく、また、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されていてもよい。   As shown in FIG. 5, the package 31 includes a base 311 having a recess 3111 that opens to the upper surface, and a lid 313 that closes the opening of the recess 3111. Thereby, the inside of the recess 3111 closed by the lid 313 functions as a storage space S for storing the temperature adjustment element 32, the light emitting element 33, the temperature detection element 34, and the relay members 35 and 36. The storage space S is preferably in a reduced pressure (vacuum) state. Thereby, the influence of the temperature change outside the package 31 on the light emitting element 33 and the temperature detecting element 34 in the package 31 is reduced, and the temperature fluctuation of the light emitting element 33 and the temperature detecting element 34 in the package 31 is reduced. be able to. Note that the inside of the package 31 does not have to be in a reduced pressure state, and an inert gas such as nitrogen, helium, or argon may be sealed therein.

ベース311の構成材料としては、特に限定されないが、絶縁性を有し、かつ、収納空間Sを気密空間とするのに適した材料、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物系セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物系セラミックス、炭化珪素等の炭化物系セラミックス等の各種セラミックスなどを用いることができる。なお、ベース311の構成材料としてリッド313と同様の金属材料を用いることもできる。   The constituent material of the base 311 is not particularly limited, but is an insulating material suitable for making the storage space S an airtight space, for example, oxide ceramics such as alumina, silica, titania, zirconia, etc. Various ceramics such as nitride ceramics such as silicon nitride, aluminum nitride, and titanium nitride, and carbide ceramics such as silicon carbide can be used. Note that a metal material similar to the lid 313 can be used as a constituent material of the base 311.

また、ベース311は、凹部3111の底面よりも上側に形成されている段差部3112を有している。
この段差部3112には、図6に示すように、温度調節素子32に電気的に接続されている1対の接続電極37a、37bと、発光素子33に電気的に接続されている1対の接続電極38a、38bと、温度検出素子34に電気的に接続されている1対の接続電極39a、39bと、が設けられている。図示しないが、これらの接続電極37a、37b、38a、38b、39a、39b(外部端子)は、それぞれ、貫通電極を介して、ベース311の下面に設けられた外部実装電極に電気的に接続されている。
In addition, the base 311 has a step portion 3112 that is formed above the bottom surface of the recess 3111.
As shown in FIG. 6, the stepped portion 3112 has a pair of connection electrodes 37 a and 37 b that are electrically connected to the temperature adjustment element 32 and a pair of connection electrodes that are electrically connected to the light emitting element 33. Connection electrodes 38 a and 38 b and a pair of connection electrodes 39 a and 39 b electrically connected to the temperature detection element 34 are provided. Although not shown, these connection electrodes 37a, 37b, 38a, 38b, 39a, 39b (external terminals) are electrically connected to external mounting electrodes provided on the lower surface of the base 311 via through electrodes, respectively. ing.

接続電極37a、37b、38a、38b、39a、39b、外部実装電極および貫通電極の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金(Au)、金合金、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、銀(Ag)、銀合金、クロム(Cr)、クロム合金、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、ニオブ(Nb)、タングステン(W)、鉄(Fe)、チタン(Ti)、コバルト(Co)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)等の金属材料を用いることができる。   The constituent materials of the connection electrodes 37a, 37b, 38a, 38b, 39a, 39b, the external mounting electrode and the through electrode are not particularly limited. For example, gold (Au), gold alloy, platinum (Pt), aluminum (Al) , Aluminum alloy, silver (Ag), silver alloy, chromium (Cr), chromium alloy, nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), niobium (Nb), tungsten (W), iron (Fe), Metal materials such as titanium (Ti), cobalt (Co), zinc (Zn), and zirconium (Zr) can be used.

また、ベース311の上端面には、枠状のメタライズ層312が設けられている。このメタライズ層312は、ろう材との密着性を高めるものである。これにより、ろう材によるベース311とリッド313との接合強度を高めることができる。
メタライズ層312の構成材料としては、ろう材との密着性を高めることができるものであれば、特に限定されないが、例えば、前述した接続電極37a、37b、38a、38b、39a、39b等の構成材料で挙げたような金属材料を用いることができる。
A frame-like metallized layer 312 is provided on the upper end surface of the base 311. This metallized layer 312 improves adhesion to the brazing material. Thereby, the joining strength of the base 311 and the lid 313 by the brazing material can be increased.
The constituent material of the metallized layer 312 is not particularly limited as long as it can improve the adhesion to the brazing material. For example, the constituents of the connection electrodes 37a, 37b, 38a, 38b, 39a, 39b and the like described above are used. Metal materials as mentioned in the material can be used.

図5に示すように、リッド313は、平板状をなしている。また、リッド313には、貫通孔3131が形成されている。この貫通孔3131は、励起光LLに対する透過性を有する窓部材3132で封鎖されている。
このようなリッド313は、ろう材を用いてメタライズ層312との溶着によりベース311に接合されている。このろう材としては、特に限定されず、例えば、金ろう、銀ろうなどを用いることができる。
As shown in FIG. 5, the lid 313 has a flat plate shape. In addition, a through hole 3131 is formed in the lid 313. The through hole 3131 is sealed with a window member 3132 having transparency to the excitation light LL.
Such a lid 313 is joined to the base 311 by welding with the metallized layer 312 using a brazing material. The brazing material is not particularly limited, and for example, gold brazing, silver brazing, or the like can be used.

また、リッド313(窓部材3132以外の部分)の構成材料としては、特に限定されないが、金属材料が好適に用いられ、その中でも、ベース311の構成材料と線膨張係数が近似する金属材料を用いることが好ましい。したがって、例えば、ベース311をセラミックス基板とした場合には、リッド313の構成材料としてはコバール等の合金を用いることが好ましい。   The constituent material of the lid 313 (part other than the window member 3132) is not particularly limited, but a metal material is preferably used, and among them, a metal material having a linear expansion coefficient approximate to that of the base 311 is used. It is preferable. Therefore, for example, when the base 311 is a ceramic substrate, it is preferable to use an alloy such as Kovar as the constituent material of the lid 313.

また、窓部材3132は、発光素子33から出射される光の光路上に配置されている。本実施形態では、窓部材3132は、板状をなしている。なお、窓部材3132は、板状に限定されず、例えば、レンズとして機能するように、湾曲した面を有していてもよい。
また、窓部材3132の構成材料としては、例えば、ガラス材料を用いることができる。
Further, the window member 3132 is disposed on the optical path of the light emitted from the light emitting element 33. In the present embodiment, the window member 3132 has a plate shape. Note that the window member 3132 is not limited to a plate shape, and may have, for example, a curved surface so as to function as a lens.
Moreover, as a constituent material of the window member 3132, a glass material can be used, for example.

このようなパッケージ31のベース311の凹部3111の底面には、温度調節素子32が配置されている。温度調節素子32は、ベース311に対して例えば接着剤により固定されている。
温度調節素子32は、発光素子33、温度検出素子34および中継部材35、36の温度を調節する機能を有する。
A temperature adjustment element 32 is disposed on the bottom surface of the recess 3111 of the base 311 of such a package 31. The temperature adjustment element 32 is fixed to the base 311 with, for example, an adhesive.
The temperature adjustment element 32 has a function of adjusting the temperatures of the light emitting element 33, the temperature detection element 34, and the relay members 35 and 36.

本実施形態では、温度調節素子32は、ペルチェ素子である。この温度調節素子32は、一方が発熱側の面(発熱面)、他方が吸熱側の面(吸熱面)となる1対の面を有している。そして、この1対の面のうちの一方の面(下面)は、パッケージ31のベース311に固定され、他方の面(上面)は、発光素子33、温度検出素子34および中継部材35、36が設置される設置面であり、温度調節される「温度調節面」を構成する。これにより、発光素子33を好適に温度調節することができる。   In the present embodiment, the temperature adjustment element 32 is a Peltier element. The temperature adjusting element 32 has a pair of surfaces, one of which is a heat generating surface (heat generating surface) and the other of which is a heat absorbing surface (heat absorbing surface). One surface (lower surface) of the pair of surfaces is fixed to the base 311 of the package 31, and the other surface (upper surface) includes the light emitting element 33, the temperature detecting element 34, and the relay members 35 and 36. It is an installation surface to be installed, and constitutes a “temperature adjustment surface” in which the temperature is adjusted. Thereby, the temperature of the light emitting element 33 can be suitably adjusted.

ペルチェ素子である温度調節素子32は、供給される電流の向きを制御することにより、温度調節素子32の設置面を発熱面と吸熱面とで切り換えることができる。そのため、環境温度の範囲が広くても、発光素子33等を所望の温度に温度調節することができる。ここで、温度調節面の温度は、発光素子33の特性に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、30℃程度である。
なお、温度調節素子32は、ペルチェ素子に限定されず、例えば、発熱抵抗体(ヒーター)であってもよい。
The temperature adjustment element 32 which is a Peltier element can switch the installation surface of the temperature adjustment element 32 between the heat generation surface and the heat absorption surface by controlling the direction of the supplied current. Therefore, even if the range of environmental temperature is wide, the temperature of the light emitting element 33 and the like can be adjusted to a desired temperature. Here, the temperature of the temperature adjustment surface is determined according to the characteristics of the light emitting element 33 and is not particularly limited, but is about 30 ° C., for example.
The temperature adjustment element 32 is not limited to a Peltier element, and may be a heating resistor (heater), for example.

また、温度調節素子32は、1対の端子321を有しており、この1対の端子321は、配線91a、91bを介して、パッケージ31に設けられた接続電極37a、37bに電気的に接続されている。これにより、1対の端子321に電力を供給して、温度調節素子32を駆動することができる。配線91a、91bは、それぞれ、ワイヤー配線(ボンディングワイヤー)である。
また、温度調節素子32は、温度検出素子34の検出温度に基づいて、駆動制御される。
Further, the temperature adjustment element 32 has a pair of terminals 321, and the pair of terminals 321 is electrically connected to connection electrodes 37 a and 37 b provided in the package 31 via wirings 91 a and 91 b. It is connected. Thus, power can be supplied to the pair of terminals 321 to drive the temperature adjustment element 32. The wirings 91a and 91b are wire wirings (bonding wires), respectively.
The temperature adjustment element 32 is driven and controlled based on the temperature detected by the temperature detection element 34.

このような温度調節素子32の上面(温度調節面)には、例えばアルミニウム、金、銀等の熱伝導性に優れる金属で構成された金属層323が配置されており、この金属層323の上面には、発光素子33、温度検出素子34および中継部材35、36が配置されている。これにより、発光素子33、温度検出素子34および中継部材35、36を温度調節素子32により温度調節することができる。   On the upper surface (temperature adjustment surface) of such a temperature adjustment element 32, a metal layer 323 made of a metal having excellent thermal conductivity such as aluminum, gold, silver, or the like is disposed, and the upper surface of the metal layer 323 is arranged. The light emitting element 33, the temperature detecting element 34, and the relay members 35 and 36 are arranged. Accordingly, the temperature of the light emitting element 33, the temperature detecting element 34, and the relay members 35 and 36 can be adjusted by the temperature adjusting element 32.

発光素子33は、例えば、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)等の半導体レーザーである。半導体レーザーは、直流バイアス電流に高周波信号を重畳して(変調を掛けて)用いることにより、波長の異なる2種の光を出射させることができる。
また、発光素子33は、図示しない1対の端子を有しており、この1対の端子は、一方の端子が駆動信号用の端子であり、他方の端子が接地用の端子である。駆動信号用の端子は、配線92a(素子側配線)、中継部材35(発光素子用中継部材)に設けられた配線層353、および、配線92b(端子側配線)を介して、パッケージ31に設けられた接続電極38aに電気的に接続されている。一方、接地用の端子は、配線92c、金属層323および配線92dを介して、パッケージ31に設けられた接続電極38bに電気的に接続されている。
The light emitting element 33 is a semiconductor laser such as a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL). A semiconductor laser can emit two types of light having different wavelengths by superimposing (modulating) a high-frequency signal on a DC bias current.
The light emitting element 33 has a pair of terminals (not shown). One of the terminals is a drive signal terminal and the other terminal is a ground terminal. The drive signal terminals are provided in the package 31 via the wiring 92a (element-side wiring), the wiring layer 353 provided on the relay member 35 (light-emitting element relay member), and the wiring 92b (terminal-side wiring). The connection electrode 38a is electrically connected. On the other hand, the grounding terminal is electrically connected to the connection electrode 38b provided in the package 31 through the wiring 92c, the metal layer 323, and the wiring 92d.

配線92a、92b、92c、92dは、それぞれ、ワイヤー配線(ボンディングワイヤー)である。これにより、ワイヤーボンディングにより、配線92a、92b、92c、92dの形成を比較的容易となる。特に、配線層353の配線92a、92bとの接続に必要な面積を比較的小さくすることができる。そのため、配線層353の面積を小さくすることができる。
また、配線92bが複数である。これにより、配線92bの電気抵抗を小さくし、発光素子33に供給する駆動信号の損失を低減することができる。同様の観点から、配線92c、92dもそれぞれ複数である。
The wirings 92a, 92b, 92c, and 92d are wire wirings (bonding wires), respectively. Thereby, formation of wiring 92a, 92b, 92c, 92d becomes comparatively easy by wire bonding. In particular, the area required for connection of the wiring layer 353 to the wirings 92a and 92b can be made relatively small. Therefore, the area of the wiring layer 353 can be reduced.
There are a plurality of wirings 92b. Thereby, the electrical resistance of the wiring 92b can be reduced, and the loss of the drive signal supplied to the light emitting element 33 can be reduced. From the same point of view, there are a plurality of wirings 92c and 92d.

このような発光素子33と接続電極38a、38bとの電気的な接続により、発光素子33に電力を供給して駆動することができる。また、発光素子33と接続電極38a、38bとを電気的に接続している配線がその途中で温度調節素子32の温度調節面上またはこれにより温度調節された部材上を経由しているため、配線92a、92b、92c、92dも温度調節素子32により温度調節される。そのため、かかる配線92a、92b、92c、92dの温度変動が低減され、それに伴って、発光素子33の温度変動も低減することができる。   By such electrical connection between the light emitting element 33 and the connection electrodes 38a and 38b, the light emitting element 33 can be driven by supplying electric power. In addition, since the wiring electrically connecting the light emitting element 33 and the connection electrodes 38a and 38b is routed on the temperature adjustment surface of the temperature adjustment element 32 or on the member temperature-adjusted thereby, The wirings 92 a, 92 b, 92 c, and 92 d are also temperature adjusted by the temperature adjusting element 32. Therefore, temperature fluctuations of the wirings 92a, 92b, 92c, and 92d are reduced, and accordingly, temperature fluctuations of the light emitting element 33 can be reduced.

ここで、温度調節素子32の温度調節面により温度調節される中継部材35上の配線層353が、発光素子33と接続電極38aとを電気的に接続している配線の途中(配線92aと配線92bとの間)に介在している。また、温度調節素子32の温度調節面により温度調節される金属層323が、発光素子33と接続電極38bとを電気的に接続している配線の途中(配線92cと配線92dとの間)に介在している。これにより、配線92a、92b、92c、92dが温度調節素子32の温度調節面と熱的に接続されている。   Here, the wiring layer 353 on the relay member 35 whose temperature is adjusted by the temperature adjustment surface of the temperature adjustment element 32 is in the middle of the wiring that electrically connects the light emitting element 33 and the connection electrode 38a (the wiring 92a and the wiring). 92b). In addition, the metal layer 323 whose temperature is adjusted by the temperature adjustment surface of the temperature adjustment element 32 is in the middle of the wiring electrically connecting the light emitting element 33 and the connection electrode 38b (between the wiring 92c and the wiring 92d). Intervene. Accordingly, the wirings 92a, 92b, 92c, and 92d are thermally connected to the temperature adjustment surface of the temperature adjustment element 32.

中継部材35は絶縁性を有しており、この中継部材35の下面には、金属層352が配置され、一方、中継部材35の上面(中継部材35の温度調節面と反対側の面)には、配線層353が配置されている。ここで、中継部材35は、絶縁性を有することにより、配線層353が温度調節素子32上の金属層323と短絡するのを防止する機能を有する。
この中継部材35の構成材料としては、絶縁性を有する材料であればよく、特に限定されないが、セラミックス材料を用いることが好ましい。中継部材35がセラミックス材料を含んでいることにより、中継部材35の絶縁性を確保することができる。また、中継部材35の熱容量を比較的大きくすることができ、その結果、配線層353および配線92a、92bの温度変動を低減することができる。また、熱伝導性に優れたセラミックスを用いることにより、配線層353の温度調節を効率的に行うことができる。
The relay member 35 is insulative, and a metal layer 352 is disposed on the lower surface of the relay member 35, while the relay member 35 has an upper surface (a surface opposite to the temperature adjustment surface of the relay member 35). The wiring layer 353 is disposed. Here, the relay member 35 has a function of preventing the wiring layer 353 from being short-circuited with the metal layer 323 on the temperature control element 32 by being insulative.
The material constituting the relay member 35 is not particularly limited as long as it is an insulating material, but it is preferable to use a ceramic material. Since the relay member 35 contains a ceramic material, the insulation of the relay member 35 can be ensured. Moreover, the heat capacity of the relay member 35 can be made relatively large, and as a result, temperature fluctuations of the wiring layer 353 and the wirings 92a and 92b can be reduced. In addition, by using ceramics having excellent thermal conductivity, the temperature of the wiring layer 353 can be adjusted efficiently.

金属層352は、接合材354を介して、金属層323に接合されている。接合材354としては、例えば、金ろう、銀ろう等のろう材を用いることができる。
この金属層352は、接合材354との密着性や接合強度を高める機能を有する。本実施形態では、図8(a)に示すように、金属層352は、中継部材35の下面全域にわたって設けられている。これにより、前述した機能が好適に発揮される。なお、前述した機能が必要程度確保できれば、金属層352は、中継部材35の下面の一部にのみ設けられていてもよい。また、配線層353との短絡が生じなければ、金属層352は、中継部材35の側面に設けられている部分を有していてもよい。
一方、配線層353は、配線92aと配線92bとを電気的に接続するものであり、発光素子33と接続電極38aとを電気的に接続する配線の一部を構成している。
The metal layer 352 is bonded to the metal layer 323 through the bonding material 354. As the bonding material 354, for example, a brazing material such as gold brazing or silver brazing can be used.
The metal layer 352 has a function of increasing adhesion to the bonding material 354 and bonding strength. In the present embodiment, as shown in FIG. 8A, the metal layer 352 is provided over the entire lower surface of the relay member 35. Thereby, the function mentioned above is exhibited suitably. Note that the metal layer 352 may be provided only on a part of the lower surface of the relay member 35 as long as the above-described function can be ensured to a necessary degree. Further, the metal layer 352 may have a portion provided on the side surface of the relay member 35 as long as a short circuit with the wiring layer 353 does not occur.
On the other hand, the wiring layer 353 electrically connects the wiring 92a and the wiring 92b, and constitutes a part of the wiring that electrically connects the light emitting element 33 and the connection electrode 38a.

ここで、中継部材35を介して対向する金属層352と配線層353との間には、静電容量が生じることとなる。したがって、かかる静電容量が大きいと、発光素子33の駆動信号として高周波信号を用いたとき、その駆動信号の損失が大きくなってしまう。また、前述したように、ペルチェ素子である温度調節素子32は、発熱面または吸熱面が金属層323で構成されており、配線層353が設けられた中継部材35を金属層323上に配置すると、金属層323との間で静電容量が生じることとなる。また、接合材354についても、配線層353との間で静電容量が生じることとなる。   Here, an electrostatic capacity is generated between the metal layer 352 and the wiring layer 353 facing each other via the relay member 35. Therefore, when the capacitance is large, when a high frequency signal is used as a drive signal for the light emitting element 33, the loss of the drive signal becomes large. Further, as described above, the temperature adjustment element 32 that is a Peltier element has a heat generation surface or a heat absorption surface formed of the metal layer 323, and the relay member 35 provided with the wiring layer 353 is disposed on the metal layer 323. An electrostatic capacity is generated between the metal layer 323 and the metal layer 323. In addition, a capacitance is generated between the bonding material 354 and the wiring layer 353.

そこで、図8(b)に示すように、配線層353は、中継部材35の上面の一部に形成されている。したがって、配線層353は、金属層352と配線層353とが並ぶ方向から見た平面視(以下、単に「平面視」ともいう)において、金属層323の中継部材35と重なる領域よりも面積が小さい。これにより、配線層353と金属層352との間の静電容量を小さくし、発光素子33に供給する駆動信号として高周波信号を用いても、駆動信号の損失を低減することができる。また、中継部材35の大きさをある程度確保し、その結果、中継部材35の実装性を確保することができる。   Therefore, as shown in FIG. 8B, the wiring layer 353 is formed on a part of the upper surface of the relay member 35. Therefore, the wiring layer 353 has an area larger than that of the region overlapping the relay member 35 of the metal layer 323 in a plan view (hereinafter also simply referred to as “plan view”) viewed from the direction in which the metal layer 352 and the wiring layer 353 are arranged. small. Accordingly, the capacitance between the wiring layer 353 and the metal layer 352 can be reduced, and the loss of the drive signal can be reduced even if a high frequency signal is used as the drive signal supplied to the light emitting element 33. Further, the relay member 35 can be secured to some extent, and as a result, the mountability of the relay member 35 can be ensured.

また、配線層353は、平面視において、金属層323の中継部材35と重なる領域や、接合材354の中継部材35と重なる領域よりも面積が小さい。したがって、配線層353と金属層323との間や、配線層353と接合材354との間についても、上述した配線層353と金属層352との間と同様に、発光素子33の駆動信号の損失を低減するように構成されている。   In addition, the wiring layer 353 has a smaller area than the region overlapping the relay member 35 of the metal layer 323 and the region overlapping the relay member 35 of the bonding material 354 in plan view. Therefore, between the wiring layer 353 and the metal layer 323, and between the wiring layer 353 and the bonding material 354, the driving signal of the light-emitting element 33 is also similar to that between the wiring layer 353 and the metal layer 352 described above. It is configured to reduce loss.

また、配線層353は、第1端部3531および第2端部3532を有し、第1端部3531と第2端部3532とが並ぶ方向に沿って延びている長手形状をなしている。そして、第1端部3531には、配線92aが接続され、一方、第2端部3532には、配線92bが接続されている。このよう配線層353によれば、配線層353の面積を小さくしつつ、配線層353の配線92a、92bとの接続に必要な面積を確保することができる。
また、第2端部3532の幅W2が第1端部3531の幅W1よりも大きい。これにより、配線層353の面積を小さくしつつ、複数の配線92bを配線層353の第2端部3532に接続することができる。
The wiring layer 353 has a first end portion 3531 and a second end portion 3532 and has a longitudinal shape extending along the direction in which the first end portion 3531 and the second end portion 3532 are arranged. A wiring 92 a is connected to the first end portion 3531, while a wiring 92 b is connected to the second end portion 3532. As described above, according to the wiring layer 353, it is possible to secure an area necessary for connecting the wiring layer 353 to the wirings 92a and 92b while reducing the area of the wiring layer 353.
Further, the width W2 of the second end portion 3532 is larger than the width W1 of the first end portion 3531. Accordingly, the plurality of wirings 92 b can be connected to the second end portion 3532 of the wiring layer 353 while reducing the area of the wiring layer 353.

また、配線層353は、第1端部3531と第2端部3532との間に、第2端部3532側から第1端部3531側に向けて、幅が連続的に減少している部分3533を有している。これにより、発光素子33に供給する高周波の駆動信号が配線層353で損失するのを低減することができる。
また、配線層353は、その長さが同方向における中継部材35の上面の長さよりも短くなっている。そのため、配線層353の縁部は、中継部材35の上面の縁部から離間している。これにより、配線層353を中継部材35から剥がれ難くすることができる。また、配線層353の温度変動や温度分布の不均一化を低減することもできる。
In addition, the wiring layer 353 is a portion in which the width continuously decreases from the second end portion 3532 side to the first end portion 3531 side between the first end portion 3531 and the second end portion 3532. 3533. Thereby, it is possible to reduce the loss of the high-frequency drive signal supplied to the light emitting element 33 in the wiring layer 353.
Further, the length of the wiring layer 353 is shorter than the length of the upper surface of the relay member 35 in the same direction. Therefore, the edge of the wiring layer 353 is separated from the edge of the upper surface of the relay member 35. Thereby, the wiring layer 353 can be made difficult to peel off from the relay member 35. In addition, temperature fluctuations in the wiring layer 353 and uneven temperature distribution can be reduced.

このような配線層353や金属層352の構成材料としては、前述した接続電極37a、37b、38a、38b、39a、39bと同様の材料を用いることができるが、配線層353は、金を含んで構成された表層と、その表層と中継部材35との間に設けられている下地層と、を有していることが好ましい。これにより、ワイヤーボンディングにより形成される配線92a、92bと配線層353との密着性、および、配線層353と中継部材35との密着性を優れたものとすることができる。
ここで、配線層353に用いる下地層は、中継部材35上に、チタンを含んで構成されている第1層と、パラジウムを含んで構成されている第2層とがこの順で積層されて構成されていることが好ましい。これにより、配線層353と中継部材35との密着性を優れたものとすることができる。
As a constituent material of the wiring layer 353 and the metal layer 352, a material similar to that of the connection electrodes 37a, 37b, 38a, 38b, 39a, and 39b described above can be used. However, the wiring layer 353 includes gold. And a base layer provided between the surface layer and the relay member 35. Thereby, the adhesiveness between the wirings 92a and 92b formed by wire bonding and the wiring layer 353 and the adhesiveness between the wiring layer 353 and the relay member 35 can be improved.
Here, the base layer used for the wiring layer 353 is formed by laminating a first layer including titanium and a second layer including palladium on the relay member 35 in this order. It is preferable to be configured. Thereby, the adhesiveness of the wiring layer 353 and the relay member 35 can be made excellent.

一方、温度検出素子34は、温度調節素子32または発光素子33の温度を検出する機能を有する。この温度検出素子34としては、特に限定されないが、例えば、サーミスタを、熱電対等を用いることができる。
また、温度検出素子34は、図示しない1対の端子を有しており、この1対の端子は、一方の端子が検出信号用の端子であり、他方の端子が接地用の端子である。検出信号用の端子は、配線93a(温度検出素子用素子側配線)、中継部材36(温度検出素子用中継部材)に設けられた配線層(図示せず)、および、配線93b(温度検出素子用端子側配線)を介して、パッケージ31に設けられた接続電極39aに電気的に接続されている。一方、接地用の端子は、配線93c、金属層323および配線93dを介して、パッケージ31に設けられた接続電極39bに電気的に接続されている。
配線93a、93b、93c、93dは、それぞれ、ワイヤー配線(ボンディングワイヤー)である。
On the other hand, the temperature detecting element 34 has a function of detecting the temperature of the temperature adjusting element 32 or the light emitting element 33. Although it does not specifically limit as this temperature detection element 34, For example, a thermocouple etc. can be used for a thermistor.
The temperature detection element 34 has a pair of terminals (not shown). One of the pair of terminals is a detection signal terminal, and the other terminal is a ground terminal. The detection signal terminals include a wiring 93a (temperature detection element element side wiring), a wiring layer (not shown) provided on the relay member 36 (temperature detection element relay member), and a wiring 93b (temperature detection element). The connection electrode 39a provided in the package 31 is electrically connected via the terminal side wiring). On the other hand, the grounding terminal is electrically connected to the connection electrode 39b provided on the package 31 through the wiring 93c, the metal layer 323, and the wiring 93d.
The wirings 93a, 93b, 93c, and 93d are wire wirings (bonding wires), respectively.

このような温度検出素子34と接続電極39a、39bとの電気的接続により、温度検出素子34と接続電極39a、39bとを電気的に接続している配線がその途中で温度調節素子32の温度調節面上またはこれにより温度調節された部材上を経由しているため、配線93a、93b、93c、93dも温度調節素子32により温度調節される。そのため、かかる配線93a、93b、93c、93dの温度変動が低減され、それに伴って、温度検出素子34の温度変動も低減することができる。すなわち、温度検出素子34が接続電極39a、39bからの熱の影響を受け難くすることができる。そのため、温度検出素子34の検出精度を高めることができ、その結果、発光素子33の温度を高精度に制御することができる。
中継部材36は、前述した中継部材35と同様に構成することができる。ただし、温度検出素子34には高周波信号を用いないため、中継部材36の上面に設ける配線層は、中継部材36の上面の全域にわたって設けられていてよい。
Due to the electrical connection between the temperature detection element 34 and the connection electrodes 39a and 39b, the wiring that electrically connects the temperature detection element 34 and the connection electrodes 39a and 39b is in the middle of the temperature of the temperature adjustment element 32. The wiring 93 a, 93 b, 93 c, 93 d is also temperature-controlled by the temperature adjustment element 32 because it passes through the adjustment surface or a member whose temperature is adjusted thereby. Therefore, temperature fluctuations of the wirings 93a, 93b, 93c, and 93d are reduced, and accordingly, temperature fluctuations of the temperature detection element 34 can also be reduced. That is, the temperature detection element 34 can be made less susceptible to the influence of heat from the connection electrodes 39a and 39b. Therefore, the detection accuracy of the temperature detection element 34 can be increased, and as a result, the temperature of the light emitting element 33 can be controlled with high accuracy.
The relay member 36 can be configured similarly to the relay member 35 described above. However, since the high-frequency signal is not used for the temperature detection element 34, the wiring layer provided on the upper surface of the relay member 36 may be provided over the entire upper surface of the relay member 36.

2.電子機器
以上説明したような原子発振器は、各種電子機器に組み込むことができる。このような電子機器は、優れた信頼性を有する。
以下、本発明の電子機器について説明する。
図9は、GPS衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。
2. Electronic equipment The atomic oscillator described above can be incorporated into various electronic equipment. Such an electronic device has excellent reliability.
Hereinafter, the electronic apparatus of the present invention will be described.
FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration when the atomic oscillator of the present invention is used in a positioning system using a GPS satellite.

図9に示す測位システム100は、GPS衛星200と、基地局装置300と、GPS受信装置400とで構成されている。
GPS衛星200は、測位情報(GPS信号)を送信する。
基地局装置300は、例えば電子基準点(GPS連続観測局)に設置されたアンテナ301を介してGPS衛星200からの測位情報を高精度に受信する受信装置302と、この受信装置302で受信した測位情報をアンテナ303を介して送信する送信装置304とを備える。
The positioning system 100 shown in FIG. 9 includes a GPS satellite 200, a base station device 300, and a GPS receiving device 400.
The GPS satellite 200 transmits positioning information (GPS signal).
The base station device 300 receives the positioning information from the GPS satellite 200 with high accuracy via, for example, an antenna 301 installed at an electronic reference point (GPS continuous observation station), and the reception device 302 receives the positioning information. And a transmission device 304 that transmits positioning information via the antenna 303.

ここで、受信装置302は、その基準周波数発振源として前述した本発明の原子発振器1を備える電子装置である。このような受信装置302は、優れた信頼性を有する。また、受信装置302で受信された測位情報は、リアルタイムで送信装置304により送信される。
GPS受信装置400は、GPS衛星200からの測位情報をアンテナ401を介して受信する衛星受信部402と、基地局装置300からの測位情報をアンテナ403を介して受信する基地局受信部404とを備える。
Here, the receiving device 302 is an electronic device provided with the above-described atomic oscillator 1 of the present invention as its reference frequency oscillation source. Such a receiving apparatus 302 has excellent reliability. In addition, the positioning information received by the receiving device 302 is transmitted by the transmitting device 304 in real time.
The GPS receiver 400 includes a satellite receiver 402 that receives positioning information from the GPS satellite 200 via the antenna 401, and a base station receiver 404 that receives positioning information from the base station device 300 via the antenna 403. Prepare.

3.移動体
図10は、本発明の移動体の一例を示す図である。
この図において、移動体1500は、車体1501と、4つの車輪1502とを有しており、車体1501に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪1502を回転させるように構成されている。このような移動体1500には、原子発振器1が内蔵されている。
このような移動体によれば、優れた信頼性を発揮することができる。
3. Mobile Object FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a mobile object of the present invention.
In this figure, a moving body 1500 has a vehicle body 1501 and four wheels 1502, and is configured to rotate the wheels 1502 by a power source (engine) (not shown) provided in the vehicle body 1501. In such a moving body 1500, the atomic oscillator 1 is built.
According to such a moving body, excellent reliability can be exhibited.

なお、本発明の原子発振器を備える電子機器は、前述したものに限定されず、例えば、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、パーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター)、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、地上デジタル放送、携帯電話基地局等に適用することができる。   The electronic device including the atomic oscillator of the present invention is not limited to the above-described ones. For example, a mobile phone, a digital still camera, an ink jet type ejection device (for example, an ink jet printer), a personal computer (mobile personal computer, laptop) Type personal computer), TV, camcorder, video tape recorder, car navigation device, pager, electronic notebook (including communication functions), electronic dictionary, calculator, electronic game device, word processor, workstation, video phone, crime prevention TV Monitors, electronic binoculars, POS terminals, medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure meters, blood glucose meters, electrocardiogram measuring devices, ultrasonic diagnostic devices, electronic endoscopes), fish detectors, various measuring devices, instruments (for example, vehicles) ,aircraft, Instruments of 舶), flight simulators, terrestrial digital broadcasting, can be applied to a mobile phone base station or the like.

以上、本発明の発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
The light emitting element module, quantum interference device, atomic oscillator, electronic device, and moving body of the present invention have been described based on the illustrated embodiments, but the present invention is not limited to these.
Moreover, the structure of each part of this invention can be substituted by the thing of the arbitrary structures which exhibit the same function of embodiment mentioned above, and arbitrary structures can also be added.

また、前述した実施形態では、波長の異なる2種類の光による量子干渉効果を利用してセシウム等を共鳴遷移させる量子干渉装置を本発明の量子干渉装置の例として説明したが、本発明の量子干渉装置は、これに限定されず、光およびマイクロ波による二重共鳴現象を利用してルビジウム等を共鳴遷移させる二重共鳴装置にも適用可能である。
また、前述した実施形態では、本発明の発光素子モジュールを量子干渉装置または原子発振器に用いた場合を例に説明したが、これに限定されず、高周波信号により駆動する発光素子を用いるあらゆるデバイスに用いることができる。
In the above-described embodiment, the quantum interference device that resonantly transitions cesium or the like using the quantum interference effect of two types of light having different wavelengths has been described as an example of the quantum interference device of the present invention. The interference device is not limited to this, and can also be applied to a double resonance device that makes a resonance transition of rubidium or the like using a double resonance phenomenon caused by light and microwaves.
In the above-described embodiment, the case where the light-emitting element module of the present invention is used in a quantum interference device or an atomic oscillator has been described as an example. Can be used.

1‥‥原子発振器 2‥‥ガスセル 3‥‥光出射部 5‥‥光検出部 6‥‥ヒーター 7‥‥温度センサー 8‥‥磁場発生部 10‥‥制御部 11‥‥温度制御部 12‥‥励起光制御部 13‥‥磁場制御部 31‥‥パッケージ 32‥‥温度調節素子 33‥‥発光素子 34‥‥温度検出素子 35‥‥中継部材 36‥‥中継部材 37a‥‥接続電極 37b‥‥接続電極 38a‥‥接続電極 38b‥‥接続電極 39a‥‥接続電極 39b‥‥接続電極 41‥‥光学部品 42‥‥光学部品 43‥‥光学部品 44‥‥光学部品 91a‥‥配線 91b‥‥配線 92a‥‥配線 92b‥‥配線 92c‥‥配線 92d‥‥配線 93a‥‥配線 93b‥‥配線 93c‥‥配線 93d‥‥配線 100‥‥測位システム 200‥‥GPS衛星 300‥‥基地局装置 301‥‥アンテナ 302‥‥受信装置 303‥‥アンテナ 304‥‥送信装置 311‥‥ベース 312‥‥メタライズ層 313‥‥リッド 321‥‥端子 323‥‥金属層 352‥‥金属層 353‥‥配線層 354‥‥接合材 400‥‥GPS受信装置 401‥‥アンテナ 402‥‥衛星受信部 403‥‥アンテナ 404‥‥基地局受信部 1500‥‥移動体 1501‥‥車体 1502‥‥車輪 3111‥‥凹部 3112‥‥段差部 3131‥‥貫通孔 3132‥‥窓部材 3531‥‥第1端部 3532‥‥第2端部 3533‥‥部分 LL‥‥励起光 S‥‥収納空間 W1‥‥幅 W2‥‥幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Atomic oscillator 2 ... Gas cell 3 ... Light emission part 5 ... Light detection part 6 ... Heater 7 ... Temperature sensor 8 ... Magnetic field generation part 10 ... Control part 11 ... Temperature control part 12 ... Excitation light control unit 13 ... Magnetic field control unit 31 ... Package 32 ... Temperature control element 33 ... Light emitting element 34 ... Temperature detection element 35 ... Relay member 36 ... Relay member 37a ... Connection electrode 37b ... Connection Electrode 38a ... Connection electrode 38b ... Connection electrode 39a ... Connection electrode 39b ... Connection electrode 41 ... Optical parts 42 ... Optical parts 43 ... Optical parts 44 ... Optical parts 91a ... Wiring 91b ... Wiring 92a ... Wiring 92b ... Wiring 92c ... Wiring 92d ... Wiring 93a ... Wiring 93b ... Wiring 93c ... Wiring 93d ... Wiring 100 ... Positioning system 200 ... GPS satellite 300 ... base station equipment 301 ... antenna 302 ... receiving equipment 303 ... antenna 304 ... transmission equipment 311 ... base 312 ... metallization layer 313 ... lid 321 ... terminal 323 ... metal Layer 352 ... Metal layer 353 ... Wiring layer 354 ... Bonding material 400 ... GPS receiver 401 ... Antenna 402 ... Satellite receiver 403 ... Antenna 404 ... Base station receiver 1500 ... Mobile 1501 ... ··· Body 1502 ··· Wheel 3111 ··· Recessed portion 3112 ··· Step portion 3131 ··· Through hole 3132 · · · Window member 3531 · · · First end portion 3532 · · · Second end portion 3533 · · · Part LL · · · Excitation light S · · · Storage space W1 Width W2 Width

Claims (15)

温度調節される温度調節面を有する温度調節部と、
前記温度調節面上に配置されている発光素子と、
前記温度調節面上に配置されている金属層と、
前記金属層を介して前記温度調節面上に配置されている中継部材と、
前記中継部材の前記温度調節面と反対側の面上に配置されている配線層と、
前記発光素子と前記配線層とを電気的に接続している素子側配線と、
外部端子と、
前記外部端子と前記配線層とを電気的に接続している端子側配線と、を備え、
前記配線層は、前記金属層と前記配線層とが並ぶ方向から見た平面視において、前記金属層の前記中継部材と重なる領域よりも面積が小さいことを特徴とする発光素子モジュール。
A temperature control unit having a temperature control surface to be temperature controlled;
A light emitting device disposed on the temperature control surface;
A metal layer disposed on the temperature control surface;
A relay member disposed on the temperature control surface via the metal layer;
A wiring layer disposed on a surface of the relay member opposite to the temperature adjustment surface;
An element side wiring electrically connecting the light emitting element and the wiring layer;
An external terminal,
Terminal side wiring electrically connecting the external terminal and the wiring layer,
The light emitting element module, wherein the wiring layer has a smaller area than a region of the metal layer overlapping the relay member in a plan view as viewed from a direction in which the metal layer and the wiring layer are arranged.
前記温度調節部は、ペルチェ素子であり、
前記温度調節面は、前記ペルチェ素子の発熱面または吸熱面である請求項1に記載の発光素子モジュール。
The temperature control unit is a Peltier element,
The light emitting device module according to claim 1, wherein the temperature adjusting surface is a heat generating surface or a heat absorbing surface of the Peltier device.
前記素子側配線および前記端子側配線のうちの少なくとも一方の配線がワイヤー配線である請求項1または2に記載の発光素子モジュール。   The light emitting element module according to claim 1, wherein at least one of the element side wiring and the terminal side wiring is a wire wiring. 前記端子側配線が複数である請求項3に記載の発光素子モジュール。   The light emitting element module according to claim 3, wherein the terminal side wiring is plural. 前記配線層は、前記素子側配線が接続されている第1端部と、前記端子側配線が接続されている第2端部とを有し、前記第1端部と前記第2端部とが並ぶ方向に沿って延びている長手形状をなしている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子モジュール。   The wiring layer has a first end to which the element side wiring is connected, and a second end to which the terminal side wiring is connected, and the first end and the second end The light emitting element module of any one of Claim 1 thru | or 4 which has comprised the elongate shape extended along the direction in which A is arranged. 前記第2端部の幅が前記第1端部の幅よりも大きい請求項5に記載の発光素子モジュール。   The light emitting element module according to claim 5, wherein a width of the second end portion is larger than a width of the first end portion. 前記配線層は、前記第2端部側から前記第1端部側に向けて、幅が連続的に減少している部分を有している請求項6に記載の発光素子モジュール。   The light emitting element module according to claim 6, wherein the wiring layer has a portion in which a width continuously decreases from the second end side toward the first end side. 前記中継部材は、セラミックス材料を含んでいる請求項1ないし7のいずれか1項に記載の発光素子モジュール。   The light emitting element module according to claim 1, wherein the relay member includes a ceramic material. 前記配線層は、金を含んで構成されている表層と、前記表層と前記中継部材との間に設けられている下地層と、を有している請求項1ないし8のいずれか1項に記載の発光素子モジュール。   The wiring layer according to any one of claims 1 to 8, wherein the wiring layer includes a surface layer including gold, and a base layer provided between the surface layer and the relay member. The light emitting element module of description. 前記下地層は、前記中継部材上に、チタンを含んで構成されている第1層と、パラジウムを含んで構成されている第2層とがこの順で積層されて構成されている請求項9に記載の発光素子モジュール。   The base layer is configured by laminating a first layer including titanium and a second layer including palladium in this order on the relay member. The light emitting device module according to 1. 前記温度調節面上に配置されている温度検出素子と、
金属層を介して前記温度調節面上に配置されている温度検出素子用中継部材と、
前記温度検出素子用中継部材の前記温度調節面と反対側の面上に配置されている温度検出素子用配線層と、
前記温度検出素子と前記温度検出素子用配線層とを電気的に接続している温度検出素子側配線と、
温度検出素子用外部端子と、
前記温度検出素子用外部端子と前記温度検出素子用配線層とを電気的に接続している温度検出素子用端子側配線と、
を備えている請求項1ないし10のいずれか1項に記載の発光素子モジュール。
A temperature detecting element disposed on the temperature adjusting surface;
A relay member for a temperature detection element disposed on the temperature control surface via a metal layer;
A temperature detection element wiring layer disposed on a surface opposite to the temperature adjustment surface of the temperature detection element relay member;
A temperature detection element side wiring electrically connecting the temperature detection element and the temperature detection element wiring layer;
An external terminal for the temperature detection element;
A temperature detection element terminal side wiring that electrically connects the temperature detection element external terminal and the temperature detection element wiring layer;
The light emitting device module according to claim 1, comprising:
請求項1ないし11のいずれか1項に記載の発光素子モジュールを備えることを特徴とする量子干渉装置。   A quantum interference device comprising the light emitting element module according to claim 1. 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の発光素子モジュールを備えることを特徴とする原子発振器。   An atomic oscillator comprising the light emitting element module according to any one of claims 1 to 11. 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の発光素子モジュールを備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the light emitting element module according to claim 1. 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の発光素子モジュールを備えることを特徴とする移動体。   A moving body comprising the light emitting element module according to claim 1.
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