JP2018124540A - Electro-optic device, electronic device, and head-mounted display - Google Patents

Electro-optic device, electronic device, and head-mounted display Download PDF

Info

Publication number
JP2018124540A
JP2018124540A JP2017218018A JP2017218018A JP2018124540A JP 2018124540 A JP2018124540 A JP 2018124540A JP 2017218018 A JP2017218018 A JP 2017218018A JP 2017218018 A JP2017218018 A JP 2017218018A JP 2018124540 A JP2018124540 A JP 2018124540A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
sub
region
subpixel
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017218018A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7059574B2 (en
Inventor
人嗣 太田
Hitoshi Ota
人嗣 太田
健 腰原
Takeshi Koshihara
健 腰原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to CN201810072933.XA priority Critical patent/CN108376528B/en
Priority to US15/882,264 priority patent/US10367035B2/en
Priority to TW107103181A priority patent/TW201841361A/en
Publication of JP2018124540A publication Critical patent/JP2018124540A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7059574B2 publication Critical patent/JP7059574B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optic device configured to eliminate color registration error due to a viewing angle, and an electronic device including the electro-optic device.SOLUTION: An electro-optic device includes a sub pixel 110G, a pixel contact area CH10, a sub pixel 110R, a pixel contact area CH9, a sub pixel 110G, a pixel contact area CH10, a sub pixel 110R, and a pixel contact area CH9, arranged in a first direction, X-direction. The sub pixel 110G has a color different from the sub pixel 110R. The pixel contact area CH10 and the pixel contact area CH9 have the same length (distance d5) in the X direction.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本発明は、電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイに関する。   The present invention relates to an electro-optical device, an electronic apparatus, and a head mounted display.

電気光学装置として、例えば、基板上に、青色光を発光する発光素子を含む複数色の発光素子が画素ごとに形成され、複数色の副画素を単位として構成される複数の画素が行列状に配置され、各発光色の副画素のトランジスターと、青色光を発光する発光素子の発光部との相対的な位置関係が、両者間の距離が各色で均等になるようにレイアウトされている表示装置が提案されている(特許文献1)。   As an electro-optical device, for example, a plurality of color light-emitting elements including a light-emitting element that emits blue light is formed for each pixel on a substrate, and a plurality of pixels configured in units of a plurality of color sub-pixels are arranged in a matrix. A display device that is arranged and is laid out so that the relative positional relationship between the transistors of the sub-pixels of each emission color and the light-emitting portion of the light-emitting element that emits blue light is equal for each color Has been proposed (Patent Document 1).

上記特許文献1の表示装置によれば、青色光が最もエネルギーが高く、青色光の一部が隣接する画素に漏れたとしても、漏れ光の影響による画素トランジスターの特性変動の色ごとのばらつきを軽減できるとしている。   According to the display device disclosed in Patent Document 1, even when blue light has the highest energy and a part of the blue light leaks to an adjacent pixel, the variation in characteristics of the pixel transistor due to the influence of the leaked light varies from color to color. It can be reduced.

特開2009−282190号公報JP 2009-282190 A

上記特許文献1では、赤(R)、緑(G)、青(B)の副画素において、アノード電極上にウインド絶縁膜が形成され、ウインド絶縁膜の凹部に発光素子であるR、G、Bの有機EL(Electro−luminescence)素子が設けられている。各色の有機EL素子の発光部は、ウインド絶縁膜の凹部における開口(ウインド)であるとしている。   In the above-mentioned Patent Document 1, in the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels, a window insulating film is formed on the anode electrode, and R, G, which are light emitting elements are formed in the recesses of the window insulating film. B organic EL (Electro-luminescence) element is provided. The light emitting portion of each color organic EL element is an opening (window) in the concave portion of the window insulating film.

しかしながら、上記特許文献1の副画素のレイアウトでは、青色光の一部が隣接する他の色の副画素に漏れたとき、青色光と他の色光とが混ざる混色が起こることになる。特に副画素の法線方向に対して斜め方向から見たときに、混色が視認され易い。   However, in the subpixel layout of Patent Document 1, when a part of blue light leaks to the adjacent subpixels of other colors, a color mixture in which the blue light and other color lights are mixed occurs. In particular, when viewed from an oblique direction with respect to the normal direction of the sub-pixel, the mixed color is easily visually recognized.

また、有機EL素子における発光部すなわち副画素の配置は、有機EL素子を駆動するトランジスターの配置と関連している。具体的には、有機EL素子のアノード電極とトランジスターとの電気的な接続を図るコンタクトは、発光部を規定するウインド絶縁膜の凹部よりも外側に設けられている。例えば、上記特許文献1の実施例1や実施例2に示された画素形成領域(画素)における副画素の配置によれば、青(B)の副画素に対して列方向に赤(R)や緑(G)の副画素が配置されており、アノード電極のコンタクトは、列方向において青(B)の副画素と赤(R)や緑(G)の副画素の間に設けられている。したがって、1つの画素形成領域(画素)内では、青(B)の副画素と赤(R)や緑(G)の副画素との列方向の間隔は同じと考えられる。一方で、列方向に隣り合う画素においては、一方の画素の青(B)の副画素と、他方の画素の赤(R)や緑(G)の副画素との間にはアノード電極のコンタクトが設けられていない。それゆえ、一方の画素の青(B)の副画素と、他方の画素の赤(R)や緑(G)の副画素との列方向の間隔は、画素内における列方向の副画素の間隔と異なることが考えられる。すなわち、有機EL素子を駆動するトランジスターの配置に対応して、副画素間の距離が行方向または列方向、あるいは行方向及び列方向において異なるように設定されることが考えられる。そうすると、副画素の法線方向に対してどのような方向から斜めに見るかによって、混色の状態が変化することになる。このような、混色の状態を視野角に起因する色ずれと呼ぶと、視野角に起因する色ずれが発生するという課題があった。   Further, the arrangement of the light emitting portions, that is, the sub-pixels in the organic EL element is related to the arrangement of the transistors that drive the organic EL element. Specifically, the contact for electrically connecting the anode electrode of the organic EL element and the transistor is provided outside the concave portion of the window insulating film that defines the light emitting portion. For example, according to the arrangement of the subpixels in the pixel formation region (pixel) shown in Example 1 or Example 2 of Patent Document 1, red (R) in the column direction with respect to the blue (B) subpixel. And green (G) subpixels are arranged, and the anode electrode contact is provided between the blue (B) subpixel and the red (R) or green (G) subpixel in the column direction. . Accordingly, in one pixel formation region (pixel), the column-direction interval between the blue (B) sub-pixel and the red (R) or green (G) sub-pixel is considered to be the same. On the other hand, in the pixels adjacent to each other in the column direction, an anode electrode contact is provided between the blue (B) subpixel of one pixel and the red (R) or green (G) subpixel of the other pixel. Is not provided. Therefore, the interval in the column direction between the blue (B) sub-pixel of one pixel and the red (R) or green (G) sub-pixel of the other pixel is the interval between the sub-pixels in the column direction in the pixel. It may be different. That is, it is conceivable that the distance between the sub-pixels is set to be different in the row direction or the column direction, or in the row direction and the column direction, corresponding to the arrangement of the transistors that drive the organic EL elements. Then, the state of color mixture changes depending on the direction from which the image is viewed obliquely with respect to the normal direction of the sub-pixel. When such a color mixture state is called color misregistration due to viewing angle, there is a problem that color misregistration due to viewing angle occurs.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置は、第1方向に並んだ、第1サブ画素、第1の領域、第2サブ画素、第2の領域、第3サブ画素、第3の領域、第4サブ画素、第4の領域を有し、前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素と異なる色であり、前記第3サブ画素は、前記第4サブ画素と異なる色であり、前記第1の領域は、前記第1サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第2の領域は、前記第2サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第3の領域は、前記第3サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第4の領域は、前記第4サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第1の領域、前記第2の領域、前記第3の領域、前記第4の領域の前記第1方向の長さが同じであることが好ましい。   [Application Example] The electro-optical device according to this application example includes a first sub-pixel, a first area, a second sub-pixel, a second area, a third sub-pixel, and a third area arranged in the first direction. , A fourth sub-pixel, a fourth region, wherein the first sub-pixel is a color different from the second sub-pixel, and the third sub-pixel is a color different from the fourth sub-pixel, The first region is a pixel contact region of the first subpixel, the second region is a pixel contact region of the second subpixel, and the third region is the third subpixel. The fourth region is a pixel contact region of the fourth sub-pixel, and the first region, the second region, the third region, and the fourth region. The lengths in the first direction are preferably the same.

本適用例の構成によれば、異なる色の第1サブ画素と第2サブ画素との間の第1方向の長さと、同じく異なる色の第3サブ画素と第4サブ画素との間の第1方向の長さとが同じであることから、異なる色のサブ画素間における第1方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。すなわち、第1方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供することができる。また、第1方向におけるサブ画素間の領域を画素コンタクト領域とすることで、異なる色のサブ画素間を画素コンタクト領域によって区分して、異なる色のサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第1方向における異なる色のサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。   According to the configuration of this application example, the length in the first direction between the first sub-pixel and the second sub-pixel having different colors and the first sub-pixel between the third sub-pixel and the fourth sub-pixel having different colors are also included. Since the length in one direction is the same, the state of color mixture depending on the viewing angle in the first direction between sub-pixels of different colors is relieved. That is, it is possible to provide an electro-optical device in which color misregistration due to the viewing angle in the first direction is reduced. Further, by setting the region between the sub-pixels in the first direction as the pixel contact region, the sub-pixels of different colors can be divided by the pixel contact region, and electrical connection to the sub-pixels of different colors can be achieved. . In other words, it is not necessary to provide a dedicated configuration for distinguishing between sub-pixels of different colors in the first direction.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1方向に並んだ、第5サブ画素、第5の領域、第6サブ画素、第6の領域をさらに有し、前記第5サブ画素は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素に対して、前記第1方向に交差する第2方向に並び、前記第6サブ画素は、前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素に対して、前記第2方向に並び、前記第5の領域は、前記第5サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第6の領域は、前記第6サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第5の領域、前記第6の領域の前記第1方向の長さが同じであることが好ましい。
この構成によれば、追加された第5サブ画素と第6サブ画素との間の第1方向の長さもまた同じとなっている。したがって、第1方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な電気光学装置を提供することができる。また、第5の領域及び第6の領域をそれぞれ画素コンタクト領域とすることで、第5サブ画素と第6サブ画素とを画素コンタクト領域によって区分して、それぞれのサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。
The electro-optical device according to the application example further includes a fifth sub-pixel, a fifth region, a sixth sub-pixel, and a sixth region arranged in the first direction, and the fifth sub-pixel includes: The sixth sub-pixel is arranged in a second direction intersecting the first direction with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel, and the sixth sub-pixel is relative to the third sub-pixel and the fourth sub-pixel. Arranged in the second direction, the fifth region is a pixel contact region of the fifth sub-pixel, the sixth region is a pixel contact region of the sixth sub-pixel, and the fifth region It is preferable that the length of the sixth region in the first direction is the same.
According to this configuration, the length in the first direction between the added fifth subpixel and the sixth subpixel is also the same. Accordingly, it is possible to provide an electro-optical device that can reduce color misregistration caused by the viewing angle in the first direction and can perform color display with good appearance. In addition, by making the fifth region and the sixth region pixel contact regions, respectively, the fifth subpixel and the sixth subpixel are divided by the pixel contact region, and the electrical connection to each subpixel is established. Can be planned.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2方向における前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素と前記第5サブ画素との間の第7の領域と、前記第2方向における前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素と前記第6サブ画素との間の第8の領域と、を有し、前記第7の領域、前記第8の領域の前記第2方向の長さが同じであることが好ましい。
この構成によれば、第1方向及び第2方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供できる。
In the electro-optical device according to the application example, the first sub-pixel in the second direction, the seventh region between the second sub-pixel and the fifth sub-pixel, and the first sub-pixel in the second direction. 3 sub-pixels and an eighth region between the fourth sub-pixel and the sixth sub-pixel, and the lengths of the seventh region and the eighth region in the second direction are the same. It is preferable that
According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device in which color misregistration caused by the viewing angles in the first direction and the second direction is reduced.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1方向に並ぶ、前記第1サブ画素、前記第1の領域、前記第2サブ画素、前記第2の領域に対して、前記第3サブ画素、前記第3の領域、前記第4サブ画素、前記第4の領域が、前記第1方向に沿って並列しているとしてもよい。
この構成によれば、最大で4色のサブ画素が第1方向に等間隔で配置される。したがって、第1方向の視野角に起因する色ずれが低減され、優れた色表現が可能な電気光学装置を提供することができる。
In the electro-optical device according to the application example described above, the third sub-pixel with respect to the first sub-pixel, the first region, the second sub-pixel, and the second region arranged in the first direction. The third region, the fourth subpixel, and the fourth region may be arranged in parallel along the first direction.
According to this configuration, a maximum of four color sub-pixels are arranged at equal intervals in the first direction. Accordingly, it is possible to provide an electro-optical device that can reduce color shift due to the viewing angle in the first direction and can perform excellent color expression.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置は、第1方向に並んだ、第1サブ画素、第1の領域、第2サブ画素、第2の領域、第3サブ画素、第3の領域、第4サブ画素、第4の領域と、第5の領域と、第6の領域と、第5サブ画素と、第7の領域と、第8の領域と、第6サブ画素と、を有し、前記第5の領域、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素、前記第6の領域、前記第5サブ画素は、前記第1方向に交差する第2方向に並び、前記第7の領域、前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素、前記第8の領域、前記第6サブ画素は、前記第2方向に並び、前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素と異なる色であり、前記第3サブ画素は、前記第4サブ画素と異なる色であり、前記第5の領域は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第6の領域は、前記第5サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第7の領域は、前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第8の領域は、前記第6サブ画素の画素コンタクト領域であり、前記第5の領域、前記第6の領域、前記第7の領域、前記第8の領域の前記第2方向の長さが同じであることを特徴とする。   [Application Example] The electro-optical device according to this application example includes a first sub-pixel, a first area, a second sub-pixel, a second area, a third sub-pixel, and a third area arranged in the first direction. , Fourth sub-pixel, fourth region, fifth region, sixth region, fifth sub-pixel, seventh region, eighth region, and sixth sub-pixel. The fifth region, the first subpixel and the second subpixel, the sixth region, and the fifth subpixel are arranged in a second direction intersecting the first direction, and the seventh region The region, the third sub-pixel, the fourth sub-pixel, the eighth region, and the sixth sub-pixel are arranged in the second direction, and the first sub-pixel has a color different from that of the second sub-pixel. The third sub-pixel has a color different from that of the fourth sub-pixel, and the fifth region includes pixels of the first sub-pixel and the second sub-pixel. The sixth region is a pixel contact region of the fifth sub-pixel, the seventh region is a pixel contact region of the third sub-pixel and the fourth sub-pixel, and The eighth region is a pixel contact region of the sixth sub-pixel, and the lengths of the fifth region, the sixth region, the seventh region, and the eighth region in the second direction are It is characterized by being the same.

本適用例の構成によれば、第1方向に並んだ異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素に対して第2方向に第5サブ画素が配置されると共に、同じく第1方向に並んだ異なる色の第3サブ画素及び第4サブ画素に対して第2方向に第6サブ画素が配置される。第1サブ画素及び第2サブ画素と第5サブ画素との間の第2方向の長さと、第3サブ画素及び第4サブ画素と第6サブ画素との間の第2方向の長さとが同じであることから、異なる色のサブ画素間における第2方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。すなわち、第2方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供することができる。また、第2方向におけるサブ画素間の領域を画素コンタクト領域とすることで、異なる色のサブ画素と他のサブ画素とを画素コンタクト領域によって区分して、各サブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第2方向におけるサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。   According to the configuration of this application example, the fifth sub-pixel is arranged in the second direction with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel of different colors arranged in the first direction, and is also arranged in the first direction. The sixth sub-pixel is arranged in the second direction with respect to the third sub-pixel and the fourth sub-pixel having different colors. The length in the second direction between the first subpixel, the second subpixel, and the fifth subpixel, and the length in the second direction between the third subpixel, the fourth subpixel, and the sixth subpixel. Since they are the same, it is alleviated that the mixed color state differs depending on the viewing angle in the second direction between the sub-pixels of different colors. That is, it is possible to provide an electro-optical device in which color misregistration due to the viewing angle in the second direction is reduced. In addition, the region between the sub-pixels in the second direction is used as the pixel contact region, so that the sub-pixels of different colors and the other sub-pixels are separated by the pixel contact region, and electrical connection to each sub-pixel is achieved. be able to. In other words, it is not necessary to provide a dedicated configuration for dividing the sub-pixels in the second direction.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1の領域、前記第2の領域、前記第3の領域、前記第4の領域の前記第1方向の長さと、前記第1方向における前記第5サブ画素と前記第6サブ画素との間の第9の領域の前記第1方向の長さとが同じであることが好ましい。
この構成によれば、第2方向に加えて第1方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供できる。
In the electro-optical device according to the application example, the lengths of the first region, the second region, the third region, and the fourth region in the first direction and the first region in the first direction. It is preferable that the length in the first direction of the ninth region between the 5 sub-pixels and the sixth sub-pixel is the same.
According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device in which color misregistration due to the viewing angle in the first direction in addition to the second direction is reduced.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1サブ画素と、前記第3サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第1サブ画素と異なる色であるとしてもよい。
この構成によれば、第1サブ画素と第3サブ画素とが隣り合って並んだ方向における色ずれの発生を防ぐことができる。つまり、サブ画素の配置に伴って視野角に起因する色ずれが生ずる確率を低減できる。
In the electro-optical device according to the application example, the first sub-pixel and the third sub-pixel may have the same color, and the other sub-pixels may have a different color from the first sub-pixel.
According to this configuration, it is possible to prevent the occurrence of color misregistration in the direction in which the first subpixel and the third subpixel are adjacent to each other. That is, it is possible to reduce the probability that color misregistration caused by the viewing angle occurs with the arrangement of subpixels.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2サブ画素と、前記第3サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第2サブ画素と異なる色であるとしてもよい。
この構成によれば、第2サブ画素と第3サブ画素とが隣り合って並んだ方向における色ずれの発生を防ぐことができる。つまり、サブ画素の配置に伴って視野角に起因する色ずれが生ずる確率を低減できる。
In the electro-optical device according to the application example, the second sub-pixel and the third sub-pixel may have the same color, and the other sub-pixels may have a different color from the second sub-pixel.
According to this configuration, occurrence of color misregistration in the direction in which the second subpixel and the third subpixel are arranged side by side can be prevented. That is, it is possible to reduce the probability that color misregistration caused by the viewing angle occurs with the arrangement of subpixels.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素、前記第4サブ画素のそれぞれの面積に対して、前記第5サブ画素の面積、前記第6サブ画素の面積が大きく、前記第5サブ画素及び前記第6サブ画素が青色であることを特徴とする。
この構成によれば、青色は、青色よりも長波長な赤色や緑色に比べて視感度が低い。したがって、青色の第5サブ画素及び第6サブ画素を他の色のサブ画素と隣り合うように配置しても視野角による色ずれが目立ち難く、且つ第5サブ画素及び第6サブ画素の面積を他のサブ画素の面積よりも大きくすることで、好ましいホワイトバランスを実現し易い。
In the electro-optical device according to the application example described above, the area of the fifth sub-pixel with respect to the area of each of the first sub-pixel, the second sub-pixel, the third sub-pixel, and the fourth sub-pixel, The sixth sub-pixel has a large area, and the fifth sub-pixel and the sixth sub-pixel are blue.
According to this configuration, blue has lower visibility than red or green having a longer wavelength than blue. Therefore, even if the blue fifth subpixel and the sixth subpixel are arranged adjacent to the subpixels of other colors, the color shift due to the viewing angle is not noticeable, and the areas of the fifth subpixel and the sixth subpixel are small. By making the area larger than the area of the other sub-pixels, a preferable white balance can be easily realized.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素、前記第4サブ画素は、発光素子と、前記発光素子からの光を所定の波長領域の光に変換する着色層とを含み、前記画素コンタクト領域は、非発光領域である。
この構成によれば、視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な自発光型の電気光学装置を提供することができる。
In the electro-optical device according to the application example, the first sub-pixel, the second sub-pixel, the third sub-pixel, and the fourth sub-pixel have a light emitting element and light from the light emitting element at a predetermined wavelength. The pixel contact region is a non-light emitting region.
According to this configuration, it is possible to provide a self-luminous electro-optical device that can reduce color misregistration due to a viewing angle and can perform color display with good appearance.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記発光素子と前記着色層とが同一の基板に設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、発光素子と着色層とを別々な基板に設ける場合に比べて、発光素子に対する着色層の相対的な配置精度を向上させることが可能であることから、視野角に起因する色ずれが生じ難い自発光型の電気光学装置を提供することができる。
In the electro-optical device according to the application example, the light-emitting element and the colored layer are provided over the same substrate.
According to this configuration, it is possible to improve the relative disposition accuracy of the colored layer with respect to the light emitting element as compared with the case where the light emitting element and the colored layer are provided on separate substrates, which results in the viewing angle. It is possible to provide a self-luminous electro-optical device that hardly causes color misregistration.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置は、第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向に配列した複数の表示単位を有し、前記表示単位は、少なくとも異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素を含み、前記第1方向に隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素と前記第2サブ画素との間の第1の領域の前記第1方向の長さが同じであって、前記第1の領域は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素のうちいずれか一方に係る画素コンタクト領域であることが好ましい。   [Application Example] The electro-optical device according to this application example includes a plurality of display units arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, and the display units are at least different colors. The length of the first region in the first direction between the first subpixel and the second subpixel in the display unit that includes one subpixel and the second subpixel and is adjacent in the first direction. Preferably, the first region is a pixel contact region according to one of the first subpixel and the second subpixel.

本適用例によれば、第1方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第1サブ画素と第2サブ画素との間の第1方向の長さが同じであることから、異なる色のサブ画素間における第1方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。すなわち、第1方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供することができる。また、第1方向における第1サブ画素と第2サブ画素との間の第1の領域を画素コンタクト領域とすることで、第1方向に並んだ異なる色のサブ画素を画素コンタクト領域により区分して、異なる色のサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第1方向における異なる色のサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。   According to this application example, in the display units adjacent to each other in the first direction, the lengths in the first direction between the first sub-pixels and the second sub-pixels having different colors are the same. It is alleviated that the state of color mixture differs between the pixels depending on the viewing angle in the first direction. That is, it is possible to provide an electro-optical device in which color misregistration due to the viewing angle in the first direction is reduced. In addition, the first region between the first sub-pixel and the second sub-pixel in the first direction is a pixel contact region, so that the sub-pixels of different colors arranged in the first direction are divided by the pixel contact region. Thus, electrical connection to sub-pixels of different colors can be achieved. In other words, it is not necessary to provide a dedicated configuration for distinguishing between sub-pixels of different colors in the first direction.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記表示単位は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素とは異なる色の第3サブ画素を有し、前記第1方向に前記第1サブ画素と前記第2サブ画素とが配列し、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素に対して前記第2方向に前記第3サブ画素が配列し、前記第1方向に隣り合う前記表示単位において、前記第1の領域の前記第1方向の長さと、前記第3サブ画素間の第2の領域の前記第1方向の長さとが同じであって、前記第2の領域は、前記第3サブ画素に係る画素コンタクト領域であることが好ましい。
この構成によれば、第1方向に隣り合う表示単位において、第3サブ画素もまた等間隔に配置される。したがって、例えば、第1サブ画素を赤とし、第2サブ画素を緑とし、第3サブ画素を青とすれば、第1方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な電気光学装置を提供できる。
In the electro-optical device according to the application example, the display unit includes a third sub-pixel having a color different from that of the first sub-pixel and the second sub-pixel, and the first sub-pixel is arranged in the first direction. And the second sub-pixel are arranged, the third sub-pixel is arranged in the second direction with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel, and the display unit is adjacent in the first direction. The length of the first region in the first direction is the same as the length of the second region between the third sub-pixels in the first direction, and the second region is the third region. A pixel contact region related to the sub-pixel is preferable.
According to this configuration, the third sub-pixels are also arranged at equal intervals in the display units adjacent in the first direction. Therefore, for example, if the first sub-pixel is red, the second sub-pixel is green, and the third sub-pixel is blue, the color shift due to the viewing angle in the first direction is reduced, and the color display has a good appearance. It is possible to provide an electro-optical device capable of satisfying the requirements.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2方向における隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素と前記第3サブ画素との間の第3の領域の前記第2方向の長さが同じであることが好ましい。
この構成によれば、第2方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素に対して第3サブ画素もまた等間隔に配置される。したがって、第1方向及び第2方向における視野角に起因する色ずれが低減される。
In the electro-optical device according to the application example, in the display units adjacent to each other in the second direction, the first sub-pixel and the third region between the second sub-pixel and the third sub-pixel The lengths in the second direction are preferably the same.
According to this configuration, the third sub-pixels are also arranged at equal intervals with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel having different colors in the display unit adjacent in the second direction. Therefore, the color shift due to the viewing angle in the first direction and the second direction is reduced.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置は、第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向に配列した複数の表示単位を有し、前記表示単位は、異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素並びに第3サブ画素を有し、前記第1方向に前記第1サブ画素と前記第2サブ画素とが配列し、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素に対して前記第2方向に前記第3サブ画素が配列し、前記第1方向における隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素と前記第2サブ画素との間の第1の領域の前記第1方向の長さと、前記第3サブ画素間の第2の領域の前記第1方向の長さとが同じであり、前記第2方向における隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素と前記第3サブ画素との間の第3の領域の前記第2方向の長さが同じであって、前記第3の領域は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素並びに前記第3サブ画素のいずれかに係る画素コンタクト領域であることが好ましい。   [Application Example] The electro-optical device according to this application example includes a plurality of display units arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction, and the display units are first colors of different colors. A first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel; wherein the first sub-pixel and the second sub-pixel are arranged in the first direction; The third sub-pixels are arranged in the second direction, and the first region of the first region between the first sub-pixel and the second sub-pixel is adjacent to the display unit in the first direction. The length in the direction and the length in the first direction of the second region between the third sub-pixels are the same, and in the adjacent display units in the second direction, the first sub-pixel and the second sub-pixel The second direction of the third region between the sub-pixel and the third sub-pixel A the same length, the third region is preferably a pixel contact area according to any one of the first sub-pixel and the second sub-pixel and the third sub-pixel.

本適用例によれば、第1方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第1サブ画素、第2サブ画素、第3サブ画素が第1方向に等間隔に配置される。また、第2方向に隣り合う表示単位において、異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素と第3サブ画素とが第2方向に等間隔に配置される。したがって、異なる色のサブ画素間における第1方向及び第2方向の視角による混色の状態が異なることが緩和される。つまり、第1方向及び第2方向における視野角に起因する色ずれが低減される。さらに、第1サブ画素及び第2サブ画素と第3サブ画素との間の第3の領域が、これらのサブ画素のいずれかに係る画素コンタクト領域であることから、第2方向に並んだ異なる色のサブ画素を画素コンタクト領域によって区分して、異なる色のサブ画素に対する電気的な接続を図ることができる。言い換えれば、第2方向における異なる色のサブ画素間を区分するための専用な構成を備える必要がない。   According to this application example, in the display units adjacent in the first direction, the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel of different colors are arranged at equal intervals in the first direction. Further, in the display units adjacent in the second direction, the first sub-pixel, the second sub-pixel, and the third sub-pixel having different colors are arranged at equal intervals in the second direction. Therefore, it is alleviated that the color mixture state between the sub-pixels of different colors differs depending on the viewing angles in the first direction and the second direction. That is, color misregistration due to viewing angles in the first direction and the second direction is reduced. Further, since the third region between the first subpixel and the second subpixel and the third subpixel is a pixel contact region according to any of these subpixels, the third region is different in the second direction. The color sub-pixels can be divided by the pixel contact region to achieve electrical connection to the different color sub-pixels. In other words, it is not necessary to provide a dedicated configuration for distinguishing between sub-pixels of different colors in the second direction.

[適用例]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えがよい表示が可能な電子機器を提供することができる。
[Application Example] An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above.
According to this application example, it is possible to provide an electronic device capable of displaying with good appearance with reduced color shift due to the viewing angle.

[適用例]本適用例に係るヘッドマウントディスプレイは、両眼のうち少なくとも一方の眼に対して、表示された画像を認識させる、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、少なくとも第1方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えがよい表示を認識可能なヘッドマウントディスプレイを提供することができる。特に、両眼に対して本願の電気光学装置を適用することで、両眼で認識された画像の色ずれによる違和感を低減できることから、長時間に亘って装着しても画像認識において疲れ難いヘッドマウントディスプレイを提供できる。
[Application Example] A head-mounted display according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above, in which at least one of both eyes recognizes a displayed image. To do.
According to this application example, it is possible to provide a head mounted display capable of recognizing a good-looking display in which color shift caused by at least the viewing angle in the first direction is reduced. In particular, by applying the electro-optical device of the present application to both eyes, it is possible to reduce a sense of incongruity due to color misregistration of images recognized by both eyes. A mount display can be provided.

第1実施形態の電気光学装置の構成を示す斜視図。1 is a perspective view illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment. 表示パネルにおける表示単位(画素)の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the display unit (pixel) in a display panel. サブ画素における画素回路を示す回路図。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit in a sub-pixel. 青(B)、緑(G)のサブ画素の構造を示す概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of blue (B) and green (G) sub-pixels. 緑(G)、赤(R)のサブ画素の構造を示す概略断面図。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the structure of green (G) and red (R) sub-pixels. 配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the electrical structure of the pixel in a wiring layer. 配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the electrical structure of the pixel in a wiring layer. 配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the electrical structure of the pixel in a wiring layer. 配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the electrical structure of the pixel in a wiring layer. 配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the electrical structure of the pixel in a wiring layer. 画素におけるサブ画素及び画素コンタクト領域の配置を示す模式平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the sub pixel and pixel contact area | region in a pixel. 青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素のそれぞれにおける共振構造の分光特性と、カラーフィルターの分光特性とを示すグラフ。The graph which shows the spectral characteristic of the resonance structure in each of the sub pixel of blue (B), green (G), and red (R), and the spectral characteristic of a color filter. 異なる色のサブ画素がX方向またはY方向に隣り合う場合の視野角による色ずれを説明する概略図。Schematic explaining color shift due to viewing angle when sub-pixels of different colors are adjacent in the X direction or Y direction. 第2実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。FIG. 10 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in the electro-optical device according to the second embodiment. 第3実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。FIG. 10 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in an electro-optical device according to a third embodiment. 第4実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。FIG. 10 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in an electro-optical device according to a fourth embodiment. 第5実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。FIG. 10 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in an electro-optical device according to a fifth embodiment. 比較例1における異なる色のサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。FIG. 6 is a schematic plan view showing an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions of different colors in Comparative Example 1. 比較例2の異なる色のサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。FIG. 10 is a schematic plan view showing an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions of different colors in Comparative Example 2. 実施例及び比較例のX方向の輝度の視角特性を示すグラフ。The graph which shows the viewing angle characteristic of the brightness | luminance of the X direction of an Example and a comparative example. 実施例及び比較例のY方向の輝度の視角特性を示すグラフ。The graph which shows the viewing angle characteristic of the brightness | luminance of the Y direction of an Example and a comparative example. 実施例及び比較例のX方向の色ずれの視角特性を示すグラフ。The graph which shows the viewing angle characteristic of the color shift of the X direction of an Example and a comparative example. 実施例及び比較例のY方向の色ずれの視角特性を示すグラフ。The graph which shows the viewing angle characteristic of the color shift of the Y direction of an Example and a comparative example. 有機EL素子の発光部から着色層までの距離と色ずれとの関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the distance from the light emission part of an organic EL element to a colored layer, and color shift. 画素コンタクト領域の幅と色ずれとの関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the width | variety of a pixel contact area | region, and color shift. 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。Schematic which shows the structure of the head mounted display as an electronic device. 変形例の画素におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows arrangement | positioning of the sub pixel and pixel contact area | region in the pixel of a modification.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

(第1実施形態)
<電気光学装置>
まず、本実施形態の電気光学装置の基本的な構成例について、図1及び図2を参照して説明する。図1は電気光学装置の構成を示す斜視図、図2は表示パネルにおける表示単位(画素)の配置を示す概略平面図である。
(First embodiment)
<Electro-optical device>
First, a basic configuration example of the electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an electro-optical device, and FIG. 2 is a schematic plan view showing an arrangement of display units (pixels) in a display panel.

本実施形態の電気光学装置100は、カラー表示が可能な表示装置であって、表示パネル101と、表示パネル101の駆動に係るドライバーIC103が平面実装されたフレキシブル回路基板102(以降、FPC102と呼ぶ)と、表示パネル101を収納して支持体などに固定するための枠体105と、を備えている。   The electro-optical device 100 according to the present embodiment is a display device capable of color display, and includes a flexible circuit board 102 (hereinafter referred to as an FPC 102) on which a display panel 101 and a driver IC 103 for driving the display panel 101 are mounted in a plane. ) And a frame 105 for storing the display panel 101 and fixing it to a support or the like.

FPC102は、表示パネル101に電気的に接続されると共に、ドライバーIC103に外部回路から画像情報などの入力信号を入力するための複数の外部接続用端子104を有している。   The FPC 102 is electrically connected to the display panel 101 and has a plurality of external connection terminals 104 for inputting input signals such as image information from an external circuit to the driver IC 103.

枠体105には、表示パネル101の表示を視認可能な窓枠(開口部)105aが設けられている。   The frame body 105 is provided with a window frame (opening) 105a through which the display on the display panel 101 can be visually recognized.

図2に示すように、表示パネル101は、横長の表示領域101aを有し、表示領域101aには、表示単位としての画素Pがマトリックス状に所定の配置ピッチで複数配置されている。また、図2では、図示を省略しているが、画素Pは、少なくとも青(B)、緑(G)、赤(R)の表示が可能なサブ画素SPを備えている。サブ画素SPは、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子と、有機EL素子からの発光を所定の波長領域の光(色光)に変換する着色層とを備えている。詳しい画素P(サブ画素SP)の構成については後述するが、画素Pの配列における行方向をX方向とし、列方向をY方向として、以降説明する。本実施形態では、X方向が本発明の第1方向の一例であり、Y方向が本発明の第1方向に交差する第2方向の一例である。   As shown in FIG. 2, the display panel 101 has a horizontally long display area 101a, and a plurality of pixels P as display units are arranged in a matrix at a predetermined arrangement pitch in the display area 101a. Although not shown in FIG. 2, the pixel P includes at least sub-pixels SP that can display blue (B), green (G), and red (R). The sub-pixel SP includes an organic electroluminescence (EL) element as a light emitting element and a colored layer that converts light emitted from the organic EL element into light (color light) in a predetermined wavelength region. Although the detailed configuration of the pixel P (sub-pixel SP) will be described later, the row direction in the arrangement of the pixels P is defined as the X direction and the column direction is defined as the Y direction. In the present embodiment, the X direction is an example of the first direction of the present invention, and the Y direction is an example of the second direction that intersects the first direction of the present invention.

表示パネル101は、表示領域101aの対角の長さが、例えば1インチ(inch;およそ25.4mm)未満のマイクロディスプレイである。表示領域101aにおける画素密度は、例えば3300ppi(pixel per inch)である。   The display panel 101 is a micro display in which the diagonal length of the display area 101a is less than 1 inch (about 25.4 mm), for example. The pixel density in the display area 101a is, for example, 3300 ppi (pixel per inch).

このような表示パネル101を備えた自発光型の電気光学装置100は、例えば、後述する電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの表示部として好適に用いられるものである。   The self-luminous electro-optical device 100 including such a display panel 101 is preferably used as a display unit of a head-mounted display as an electronic device to be described later, for example.

<サブ画素の電気的な構成>
次に、電気光学装置100におけるサブ画素SPの電気的な構成について、図3を参照して説明する。図3はサブ画素における画素回路を示す回路図である。
<Electrical configuration of sub-pixel>
Next, the electrical configuration of the sub-pixel SP in the electro-optical device 100 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a circuit diagram showing a pixel circuit in the sub-pixel.

図3に示すように、サブ画素SPにおける画素回路110は、4つのトランジスター31,32,33,34と、有機EL素子50と、保持容量35とを含んでいる。図2に示した表示パネル101の表示領域101aには、画素回路110におけるこれらの構成要素との電気的な接続を図るための信号配線である、走査線22、データ線26、第1制御線27、第2制御線28と、第1電源配線41及び第2電源配線42とが設けられている。   As shown in FIG. 3, the pixel circuit 110 in the sub-pixel SP includes four transistors 31, 32, 33, 34, an organic EL element 50, and a storage capacitor 35. In the display area 101a of the display panel 101 shown in FIG. 2, a scanning line 22, a data line 26, and a first control line, which are signal wirings for electrical connection with these components in the pixel circuit 110, are provided. 27, a second control line 28, a first power supply line 41 and a second power supply line 42 are provided.

画素回路110は、第1電源配線41と第2電源配線42との間に設けられている。走査線22、第1制御線27、第2制御線28は、X方向に配列した複数の画素回路110に跨るようにX方向に延在して設けられている。データ線26は、Y方向に配列した複数の画素回路110に跨るようにY方向に延在して設けられている。データ線26の入力側には容量素子25が直列に接続されている。   The pixel circuit 110 is provided between the first power supply wiring 41 and the second power supply wiring 42. The scanning line 22, the first control line 27, and the second control line 28 are provided to extend in the X direction so as to straddle the plurality of pixel circuits 110 arranged in the X direction. The data line 26 extends in the Y direction so as to straddle the plurality of pixel circuits 110 arranged in the Y direction. A capacitive element 25 is connected in series to the input side of the data line 26.

画素回路110は、書込制御トランジスター31と、駆動トランジスター32と、補償トランジスター33と、発光制御トランジスター34とを含んでいる。本実施形態では、これらのトランジスターをPチャネル型としたが、Nチャネル型のトランジスターを用いることも可能である。   The pixel circuit 110 includes a write control transistor 31, a drive transistor 32, a compensation transistor 33, and a light emission control transistor 34. In the present embodiment, these transistors are P-channel transistors, but N-channel transistors can also be used.

発光素子としての有機EL素子50は、陽極としての第1電極51と、陰極としての第2電極52と、これらの電極の間に挟持された発光機能層53とを有するものである。第1電極51は、画素回路110(サブ画素SP)ごとに設けられる画素電極であって、以降、画素電極51と呼ぶ。第2電極52は、複数の画素回路110(サブ画素SP)に亘って共通に設けられる共通電極であって、図2に示した表示領域101aに亘って配置され、以降、共通電極52と呼ぶ。   The organic EL element 50 as a light emitting element has a first electrode 51 as an anode, a second electrode 52 as a cathode, and a light emitting functional layer 53 sandwiched between these electrodes. The first electrode 51 is a pixel electrode provided for each pixel circuit 110 (subpixel SP), and is hereinafter referred to as a pixel electrode 51. The second electrode 52 is a common electrode provided in common over the plurality of pixel circuits 110 (sub-pixels SP), and is arranged over the display region 101a shown in FIG. .

有機EL素子50における発光機能層53は、有機発光材料を含む発光層を含んでいる。本実施形態では発光機能層53から白色発光が得られる構成となっている。   The light emitting functional layer 53 in the organic EL element 50 includes a light emitting layer containing an organic light emitting material. In the present embodiment, white light emission is obtained from the light emitting functional layer 53.

図3に示すように、有機EL素子50は、駆動トランジスター32と、発光制御トランジスター34とを介して、第1電源配線41と第2電源配線42との間に接続されている。第1電源配線41には高位の電源電位Velが供給される。第2電源配線42には低位の電源電位(例えば、接地電位)Vctが供給される。   As shown in FIG. 3, the organic EL element 50 is connected between the first power supply line 41 and the second power supply line 42 via the drive transistor 32 and the light emission control transistor 34. The first power supply wiring 41 is supplied with a high power supply potential Vel. The second power supply wiring 42 is supplied with a lower power supply potential (for example, ground potential) Vct.

駆動トランジスター32の一対の電流端のうち一方(ソースまたはドレイン)に第1電源配線41が接続されている。駆動トランジスター32の一対の電流端のうち他方(ソースまたはドレイン)に発光制御トランジスター34の一対の電流端のうち一方(ソースまたはドレイン)が接続されている。発光制御トランジスター34の一対の電流端のうち他方(ソースまたはドレイン)に有機EL素子50の画素電極51が接続されている。有機EL素子50の共通電極52は第2電源配線42に接続されている。   A first power supply line 41 is connected to one (source or drain) of a pair of current ends of the drive transistor 32. One (source or drain) of the pair of current ends of the light emission control transistor 34 is connected to the other (source or drain) of the pair of current ends of the drive transistor 32. The pixel electrode 51 of the organic EL element 50 is connected to the other (source or drain) of the pair of current ends of the light emission control transistor 34. The common electrode 52 of the organic EL element 50 is connected to the second power supply wiring 42.

書込制御トランジスター31のゲートは走査線22に接続され、一対の電流端のうちの一方(ソースまたはドレイン)はデータ線26に接続され、他方(ソースまたはドレイン)は駆動トランジスター32のゲートに接続されている。保持容量35の一対の容量電極36,37のうち一方の容量電極36は第1電源配線41に接続され、他方の容量電極37は書込制御トランジスター31の一対の電流端のうちの他方と接続されている。   The gate of the write control transistor 31 is connected to the scanning line 22, one (source or drain) of the pair of current ends is connected to the data line 26, and the other (source or drain) is connected to the gate of the driving transistor 32. Has been. One capacitor electrode 36 of the pair of capacitor electrodes 36, 37 of the storage capacitor 35 is connected to the first power supply wiring 41, and the other capacitor electrode 37 is connected to the other of the pair of current ends of the write control transistor 31. Has been.

補償トランジスター33のゲートは第1制御線27に接続され、一対の電流端のうち一方(ソースまたはドレイン)はデータ線26に接続され、他方は発光制御トランジスター34の一対の電流端のうちの一方(ソースまたはドレイン)に接続されている。発光制御トランジスター34のゲートには第2制御線28が接続されている。   The gate of the compensation transistor 33 is connected to the first control line 27, one of the pair of current ends (source or drain) is connected to the data line 26, and the other is one of the pair of current ends of the light emission control transistor 34. Connected to (source or drain). A second control line 28 is connected to the gate of the light emission control transistor 34.

走査線22は、走査信号を供給する走査線駆動回路に接続されている。データ線26は、容量素子25の一端に接続され、容量素子25の他端は、画像信号に基づいたデータ信号を供給するデータ線駆動回路に接続されている。したがって、データ信号は容量素子25に供給され、データ信号に応じた電位がデータ線26に供給される。   The scanning line 22 is connected to a scanning line driving circuit that supplies a scanning signal. The data line 26 is connected to one end of the capacitive element 25, and the other end of the capacitive element 25 is connected to a data line driving circuit that supplies a data signal based on the image signal. Therefore, the data signal is supplied to the capacitive element 25, and a potential corresponding to the data signal is supplied to the data line 26.

本実施形態では、水平走査期間内に補償期間と書込期間を有しており、走査線駆動回路は、走査線22に走査信号を供給することで複数の走査線22の各々を水平走査期間ごとに順次に選択する。走査線駆動回路が選択した走査線22に対応する画素回路110の書込制御トランジスター31はオン状態に遷移する。したがって、画素回路110の駆動トランジスター32もオン状態に遷移する。また、走査線駆動回路は、第1制御線27に制御信号を供給することで複数の第1制御線27の各々を補償期間毎に順次に選択する。走査線駆動回路が選択した第1制御線27に対応する画素回路110の補償トランジスター33はオン状態に遷移する。そして、保持容量35は、補償トランジスター33がオフ状態とされる補償期間の終了に至るまでに駆動トランジスター32の閾値電圧|Vth|を保持する。走査線駆動回路が第1制御線27に制御信号を供給することで画素回路110の補償トランジスター33をオフ状態に制御すると、データ線26から駆動トランジスター32のゲート電極に至るまでの経路はフローティング状態になる。一方で、駆動トランジスター32のゲート電位は、保持容量35によって(Vel−|Vth|)の電位に維持される。次に、データ線駆動回路は、外部回路から供給される画像信号が画素回路110ごとに指定する階調に応じた階調電位(データ信号)を書込期間ごとに容量素子25に対して並列に供給する。そして、階調電位は容量素子25を用いてレベルがシフトされ、その電位がデータ線26と書込制御トランジスター31とを経由して画素回路110の駆動トランジスター32のゲートに供給される。保持容量35には駆動トランジスター32の閾値電圧|Vth|を補償しつつ階調電位に応じた電圧が保持される。他方、書込期間での走査線22の選択が終了すると、走査線駆動回路は、第2制御線28に制御信号を供給することで当該第2制御線28に対応する画素回路110の発光制御トランジスター34をオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で保持容量35に保持された電圧に応じた駆動電流が駆動トランジスター32から発光制御トランジスター34を経由して有機EL素子50に供給される。有機EL素子50は当該駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。このようにして、有機EL素子50が階調電位に応じた輝度で発光することで、画像信号が指定する任意の画像が表示される。そして、駆動トランジスター32から有機EL素子50に供給される駆動電流は、閾値電圧の影響が相殺されているため、駆動トランジスター32の閾値電圧が画素回路110ごとにばらついても、そのばらつきが補償される。また、階調レベルに応じた駆動電流が有機EL素子50に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。   In this embodiment, the horizontal scanning period has a compensation period and a writing period, and the scanning line driving circuit supplies a scanning signal to the scanning line 22 so that each of the plurality of scanning lines 22 is in the horizontal scanning period. Select in turn. The write control transistor 31 of the pixel circuit 110 corresponding to the scanning line 22 selected by the scanning line driving circuit is turned on. Therefore, the driving transistor 32 of the pixel circuit 110 is also turned on. Further, the scanning line driving circuit supplies a control signal to the first control line 27 to sequentially select each of the plurality of first control lines 27 for each compensation period. The compensation transistor 33 of the pixel circuit 110 corresponding to the first control line 27 selected by the scanning line driving circuit is turned on. The storage capacitor 35 holds the threshold voltage | Vth | of the drive transistor 32 until the end of the compensation period in which the compensation transistor 33 is turned off. When the scanning line driving circuit supplies a control signal to the first control line 27 to control the compensation transistor 33 of the pixel circuit 110 to the OFF state, the path from the data line 26 to the gate electrode of the driving transistor 32 is in a floating state. become. On the other hand, the gate potential of the driving transistor 32 is maintained at a potential of (Vel− | Vth |) by the storage capacitor 35. Next, in the data line driving circuit, a gradation potential (data signal) corresponding to a gradation specified for each pixel circuit 110 by an image signal supplied from an external circuit is parallel to the capacitor 25 for each writing period. To supply. The level of the grayscale potential is shifted using the capacitor 25, and the potential is supplied to the gate of the drive transistor 32 of the pixel circuit 110 via the data line 26 and the write control transistor 31. The holding capacitor 35 holds a voltage corresponding to the gradation potential while compensating for the threshold voltage | Vth | of the driving transistor 32. On the other hand, when the selection of the scanning line 22 in the writing period is completed, the scanning line driving circuit supplies a control signal to the second control line 28 to thereby control the light emission of the pixel circuit 110 corresponding to the second control line 28. The transistor 34 is controlled to be on. Accordingly, a driving current corresponding to the voltage held in the holding capacitor 35 in the immediately preceding writing period is supplied from the driving transistor 32 to the organic EL element 50 via the light emission control transistor 34. The organic EL element 50 emits light with a luminance corresponding to the amount of the drive current. In this way, the organic EL element 50 emits light at a luminance corresponding to the gradation potential, whereby an arbitrary image designated by the image signal is displayed. Since the drive current supplied from the drive transistor 32 to the organic EL element 50 is offset by the influence of the threshold voltage, even if the threshold voltage of the drive transistor 32 varies for each pixel circuit 110, the variation is compensated. The In addition, since the drive current corresponding to the gradation level is supplied to the organic EL element 50, it is possible to suppress the occurrence of display unevenness that impairs the uniformity of the display screen. As a result, high-quality display is possible.

なお、画素回路110は、4つのトランジスター31,32,33,34を備える構成に限定されず、例えば、駆動トランジスター32の閾値電圧の画素回路110ごとのばらつきが小さければ、補償トランジスター33を無くした構成としてもよい。また、信号配線の構成はこれに限定されず、例えば、走査線22は第1制御線27と異なる配線としたが、走査線22と第1制御線27とを一本の配線としてもよい。   Note that the pixel circuit 110 is not limited to the configuration including the four transistors 31, 32, 33, and 34. For example, if the variation in the threshold voltage of the driving transistor 32 for each pixel circuit 110 is small, the compensation transistor 33 is eliminated. It is good also as a structure. Further, the configuration of the signal wiring is not limited to this. For example, the scanning line 22 is different from the first control line 27, but the scanning line 22 and the first control line 27 may be a single wiring.

<画素の構造>
次に、図4〜図10を参照して画素P(サブ画素SP)の構造について説明する。図4及び図5はサブ画素の構造を示す概略断面図である。図4は青(B)、緑(G)のサブ画素SPの構造を示す概略断面図であり、図5は緑(G)、赤(R)のサブ画素SPの構造を示す概略断面図である。詳しくは、図4は後述する図10に示したサブ画素の配置においてY方向に配置された4つのトランジスター32,31,33,34に跨ると共に、青(B)、緑(G)の各サブ画素に跨るH−H’線に沿った概略断面図である。図5は同じく図10に示したサブ画素の配置においてX方向に配置された3つのトランジスター33に跨ると共に、緑(G)、赤(R)の各サブ画素に跨るA−A’線に沿った概略断面図である。なお、本実施形態の表示パネル101は、同一基板上において、サブ画素SPごとに形成された、発光素子としての有機EL素子50と、着色層71とを有するものである。
<Pixel structure>
Next, the structure of the pixel P (sub-pixel SP) will be described with reference to FIGS. 4 and 5 are schematic sectional views showing the structure of the sub-pixel. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of blue (B) and green (G) sub-pixels SP, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the structure of green (G) and red (R) sub-pixels SP. is there. More specifically, FIG. 4 straddles four transistors 32, 31, 33, and 34 arranged in the Y direction in the sub pixel arrangement shown in FIG. 10 to be described later, and each of the blue (B) and green (G) subs. It is a schematic sectional drawing along the HH 'line straddling a pixel. FIG. 5 also extends over three transistors 33 arranged in the X direction in the arrangement of subpixels shown in FIG. 10 and along the line AA ′ across green (G) and red (R) subpixels. FIG. Note that the display panel 101 of the present embodiment includes an organic EL element 50 as a light emitting element and a colored layer 71 formed for each subpixel SP on the same substrate.

図4及び図5に示すように、本実施形態では、画素回路110を構成する4つのトランジスター31,32,33,34のそれぞれは、基板としての、例えば、シリコンなどの半導体基板10の一方の表面に不純物イオンを注入することによって形成された能動領域10Aを備えている。つまり、4つのトランジスター31,32,33,34は、MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor−Field−Effect−Transistor)である。なお、能動領域10Aは、高濃度に不純物イオンが注入されてソースまたはドレインとして機能する領域と、低濃度に不純物イオンが注入されるまたは不純物イオンが注入されずにゲートとして機能する領域とを含んでいるが、図4及び図5では便宜上、1つにまとめて表示している。   As shown in FIGS. 4 and 5, in the present embodiment, each of the four transistors 31, 32, 33, and 34 constituting the pixel circuit 110 is a substrate, for example, one of the semiconductor substrates 10 such as silicon. An active region 10A formed by implanting impurity ions on the surface is provided. That is, the four transistors 31, 32, 33, and 34 are MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor). Note that the active region 10A includes a region that functions as a source or drain by implanting impurity ions at a high concentration, and a region that functions as a gate without implanting impurity ions at a low concentration. However, in FIG. 4 and FIG. 5, they are collectively displayed for convenience.

半導体基板10上において、能動領域10Aを覆うようにゲート絶縁膜11が形成される。ゲート絶縁膜11上には、能動領域10Aのうちゲートとして機能する領域に対向する部分にゲート電極が形成される。図4では、駆動トランジスター32のゲート電極32g、補償トランジスター33のゲート電極33g、発光制御トランジスター34のゲート電極34gを示した。もちろん、書込制御トランジスター31においても同様にゲート電極が形成される。これらのゲート電極を覆って第1層間絶縁膜12が形成される。また、第1層間絶縁膜12とゲート絶縁膜11とを貫通して、例えば書込制御トランジスター31のソースまたはドレインとして機能する領域に至る貫通孔が設けられる。また、第1層間絶縁膜12を貫通して、例えば駆動トランジスター32のゲート電極32gに至る貫通孔が設けられる。これらの貫通孔を被覆するように導電膜を成膜してパターニングすることにより、例えば、書込制御トランジスター31のソースまたはドレインとして機能する領域に接するコンタクトホールCH1及び駆動トランジスター32のゲート電極32gに接するコンタクトホールCH2が形成される。また、コンタクトホールCH1とコンタクトホールCH2とを繋ぐ配線21Aが形成される。すなわち、書込制御トランジスター31のソースまたはドレインと駆動トランジスター32のゲートとを繋ぐ配線21Aが形成される。第1層間絶縁膜12上には、配線21Aだけでなく、他のトランジスターとの接続を図るための配線21Dなども同様に形成される。なお、図4には図示していないが、配線21Dは発光制御トランジスター34の一対の電流端の他方に接続されている。   A gate insulating film 11 is formed on the semiconductor substrate 10 so as to cover the active region 10A. On the gate insulating film 11, a gate electrode is formed in a portion of the active region 10A facing the region functioning as a gate. 4, the gate electrode 32g of the driving transistor 32, the gate electrode 33g of the compensation transistor 33, and the gate electrode 34g of the light emission control transistor 34 are shown. Of course, a gate electrode is similarly formed in the write control transistor 31. A first interlayer insulating film 12 is formed to cover these gate electrodes. In addition, a through-hole that penetrates through the first interlayer insulating film 12 and the gate insulating film 11 to reach a region that functions as the source or drain of the write control transistor 31, for example, is provided. In addition, a through hole penetrating the first interlayer insulating film 12 and reaching, for example, the gate electrode 32 g of the driving transistor 32 is provided. By forming and patterning a conductive film so as to cover these through holes, for example, the contact hole CH1 in contact with the region functioning as the source or drain of the write control transistor 31 and the gate electrode 32g of the drive transistor 32 are formed. A contact hole CH2 in contact therewith is formed. In addition, a wiring 21A that connects the contact hole CH1 and the contact hole CH2 is formed. That is, a wiring 21A that connects the source or drain of the write control transistor 31 and the gate of the drive transistor 32 is formed. On the first interlayer insulating film 12, not only the wiring 21 </ b> A but also a wiring 21 </ b> D for connection with other transistors is formed in the same manner. Although not shown in FIG. 4, the wiring 21 </ b> D is connected to the other of the pair of current ends of the light emission control transistor 34.

これらの配線21A及び配線21Dなどを覆う第2層間絶縁膜13が形成される。また、第2層間絶縁膜13を貫通して、例えば配線21Dに至る貫通孔が形成され、当該貫通孔を被覆するように導電膜を成膜してパターニングすることにより、コンタクトホールCH3を介して配線21Dと接続された中継層29Bが形成される。また、中継層29Bと同様にして上記導電膜をパターニングすることにより、走査線22、第1制御線27、第2制御線28、第1電源配線41がそれぞれ形成される。   A second interlayer insulating film 13 is formed to cover these wiring 21A, wiring 21D and the like. Further, a through-hole is formed through the second interlayer insulating film 13 to reach the wiring 21D, for example, and a conductive film is formed and patterned so as to cover the through-hole, so that the contact hole CH3 is interposed. A relay layer 29B connected to the wiring 21D is formed. Further, by patterning the conductive film in the same manner as the relay layer 29B, the scanning line 22, the first control line 27, the second control line 28, and the first power supply line 41 are formed.

走査線22、第1制御線27、第2制御線28、第1電源配線41、中継層29Bなどを覆う第3層間絶縁膜14が形成される。また、第3層間絶縁膜14を貫通して、例えば中継層29Bに至る貫通孔が形成され、当該貫通孔を被覆するように導電膜を成膜してパターニングすることにより、コンタクトホールCH4を介して中継層29Bと接続された中継配線43Bが形成される。   A third interlayer insulating film 14 is formed to cover the scanning line 22, the first control line 27, the second control line 28, the first power supply wiring 41, the relay layer 29B, and the like. In addition, a through hole is formed through the third interlayer insulating film 14 to reach the relay layer 29B, for example, and a conductive film is formed and patterned so as to cover the through hole, so that the contact hole CH4 is interposed. Thus, the relay wiring 43B connected to the relay layer 29B is formed.

中継配線43Bなどを覆う第4層間絶縁膜15が形成される。また、第4層間絶縁膜15を貫通して、例えば中継配線43Bに至る貫通孔が形成され、当該貫通孔を被覆するように光反射性を有する導電膜を成膜してパターニングすることにより、青(B)、緑(G)のサブ画素SPに対応した反射層45B,45Gが形成される。例えば、反射層45Gは第4層間絶縁膜15に設けられたコンタクトホールCH5を介して中継配線43Bに接続される。また、図5に示すように、赤(R)のサブ画素SPに対応した反射層45Rも同様に形成される。なお、以降の説明上、同一の配線層に形成される反射層45B,45G,45Rを総称して単に反射層45と呼ぶこともある。   A fourth interlayer insulating film 15 is formed to cover the relay wiring 43B and the like. Further, a through hole is formed through the fourth interlayer insulating film 15 to reach the relay wiring 43B, for example, and a light-reflective conductive film is formed and patterned so as to cover the through hole. Reflective layers 45B and 45G corresponding to the blue (B) and green (G) sub-pixels SP are formed. For example, the reflective layer 45G is connected to the relay wiring 43B through the contact hole CH5 provided in the fourth interlayer insulating film 15. Further, as shown in FIG. 5, the reflective layer 45R corresponding to the red (R) sub-pixel SP is formed in the same manner. In the following description, the reflective layers 45B, 45G, and 45R formed on the same wiring layer may be collectively referred to as the reflective layer 45 in some cases.

図4に示すように、反射層45を覆って第1絶縁層16aが形成される。また、青(B)のサブ画素SPでは、第1絶縁層16a上に第2絶縁層16bがパターニング形成される。そして、第2絶縁層16b上に画素電極51Bがパターニング形成される。緑(G)のサブ画素SPでは、第1絶縁層16a上に第2絶縁層16bと、第4絶縁層16dとがパターニング形成される。そして、第4絶縁層16d上に画素電極51Gがパターニング形成される。図5に示すように、赤(R)のサブ画素SPでは、第1絶縁層16a上に第2絶縁層16bと、第3絶縁層16cと、第4絶縁層16dとがそれぞれパターニング形成される。そして、第4絶縁層16d上に画素電極51Rがパターニング形成される。つまり、第3絶縁層16cは、赤(R)のサブ画素SPに対応して形成され、第4絶縁層16dは、緑(G)及び赤(R)のサブ画素SPに対応して形成される。   As shown in FIG. 4, the first insulating layer 16 a is formed so as to cover the reflective layer 45. In the blue (B) sub-pixel SP, the second insulating layer 16b is formed by patterning on the first insulating layer 16a. Then, the pixel electrode 51B is formed by patterning on the second insulating layer 16b. In the green (G) sub-pixel SP, the second insulating layer 16b and the fourth insulating layer 16d are formed by patterning on the first insulating layer 16a. Then, the pixel electrode 51G is formed by patterning on the fourth insulating layer 16d. As shown in FIG. 5, in the red (R) sub-pixel SP, the second insulating layer 16b, the third insulating layer 16c, and the fourth insulating layer 16d are respectively formed on the first insulating layer 16a by patterning. . Then, the pixel electrode 51R is formed by patterning on the fourth insulating layer 16d. That is, the third insulating layer 16c is formed corresponding to the red (R) subpixel SP, and the fourth insulating layer 16d is formed corresponding to the green (G) and red (R) subpixels SP. The

図4に示すように、画素電極51B,51G間の絶縁性を確保するための第5絶縁層17が形成される。第5絶縁層17は、各画素電極51B,51Gの外縁部を覆い、各画素電極51B,51G上に開口部を有するように形成される。当該開口部は、青(B)、緑(G)のサブ画素SPにおける発光領域を規定するものである。図5に示すように、赤(R)のサブ画素SPにおいても画素電極51Rの外縁部を覆うように第5絶縁層17がパターニング形成され、第5絶縁層17によって発光領域を規定する開口部が形成される。   As shown in FIG. 4, the 5th insulating layer 17 for ensuring the insulation between the pixel electrodes 51B and 51G is formed. The fifth insulating layer 17 is formed so as to cover the outer edges of the pixel electrodes 51B and 51G and to have openings on the pixel electrodes 51B and 51G. The opening defines the light emitting region in the blue (B) and green (G) sub-pixels SP. As shown in FIG. 5, the fifth insulating layer 17 is formed by patterning so as to cover the outer edge portion of the pixel electrode 51 </ b> R even in the red (R) sub-pixel SP, and the opening that defines the light emitting region by the fifth insulating layer 17. Is formed.

各画素電極51B,51G及び第5絶縁層17を覆うように発光機能層53が形成され、発光機能層53を覆うように光透過性と光反射性とを兼ね備えた導電膜を成膜して共通電極52が形成される。これにより、青(B)、緑(G)のサブ画素SPごとにトップエミッション型の有機EL素子50が形成される。図5に示すように、赤(R)のサブ画素SPにおいても同様にトップエミッション型の有機EL素子50が形成される。   A light emitting functional layer 53 is formed so as to cover each pixel electrode 51B, 51G and the fifth insulating layer 17, and a conductive film having both light transmittance and light reflecting property is formed so as to cover the light emitting functional layer 53. A common electrode 52 is formed. Thus, a top emission type organic EL element 50 is formed for each of the blue (B) and green (G) subpixels SP. As shown in FIG. 5, the top emission type organic EL element 50 is similarly formed in the red (R) sub-pixel SP.

画素電極51B,51G,51Rを構成する透明導電膜としては、発光機能層53へのホールの注入性を考慮した仕事関数を有する、例えばITO(Indium−Tin−Oxide)膜を用いる。共通電極52は光透過性と光反射性とを兼ね備える、例えば、MgとAgとの合金を用いる。なお、発光機能層53と共通電極52との間に、発光機能層53への電子の注入性を考慮した仕事関数を有する、例えばLi、Mg、Caなどの金属薄膜を設けてもよい。   As the transparent conductive film constituting the pixel electrodes 51B, 51G, 51R, for example, an ITO (Indium-Tin-Oxide) film having a work function considering the injectability of holes into the light emitting functional layer 53 is used. For example, an alloy of Mg and Ag is used for the common electrode 52, which has both light transmittance and light reflectivity. Note that a metal thin film such as Li, Mg, or Ca having a work function in consideration of the electron injection property to the light emitting functional layer 53 may be provided between the light emitting functional layer 53 and the common electrode 52.

発光機能層53は、前述したように白色発光が得られる発光層を含むものであるが、本実施形態では、青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPごとに光共振構造を取り入れることにより、各色に対応させた特定波長領域の光を有機EL素子50から取り出せるトップエミッション構造としている。光共振構造は、青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPごとに反射層45と共通電極52との間の光学的な距離を異ならせることにより、各色に応じた共振波長の光が有機EL素子50から射出される。本実施形態では、反射層45と画素電極51との間の絶縁層の層構成を異ならせることにより光学的な距離を異ならせた光共振構造が採用されている。具体的には、共振波長は、青色に対して緑色、赤色の方が長いことから、反射層45Bと画素電極51Bとの間には、第1絶縁層16a、第2絶縁層16bが存在し、反射層45Gと画素電極51Gとの間には、第1絶縁層16a、第2絶縁層16b、第4絶縁層16dが存在している。また、図5に示すように、反射層45Rと画素電極51Rとの間には、第1絶縁層16a、第2絶縁層16b、第3絶縁層16c、第4絶縁層16dが存在している。これにより、画素電極51B,51G,51Rを覆うように均一な膜厚の発光機能層53を形成すれば、青(B)のサブ画素SPにおける反射層45Bと共通電極52との間の光学的な距離が最も小さくなり、赤(R)のサブ画素SPにおける反射層45Rと共通電極52との間の光学的な距離が最も大きくなる。なお、このような光共振構造は、反射層45B,45G,45Rと画素電極51B,51G,51Rとの間の絶縁層の層構成を異ならせることに限定されず、反射層45と画素電極51との間の絶縁層の膜厚を一定として、画素電極51B,51G,51Rの膜厚を青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPごとに異ならせることにより光学的な距離を異ならせる構成としてもよい。以降、光共振構造を有する青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPに設けられた有機EL素子50を有機EL素子50B,50G,50Rと呼ぶ。   The light emitting functional layer 53 includes a light emitting layer capable of obtaining white light emission as described above, but in this embodiment, an optical resonant structure is provided for each subpixel SP of blue (B), green (G), and red (R). By adopting, a top emission structure in which light in a specific wavelength region corresponding to each color can be extracted from the organic EL element 50 is obtained. The optical resonant structure has different optical distances between the reflective layer 45 and the common electrode 52 for each of the blue (B), green (G), and red (R) subpixels SP. Resonant wavelength light is emitted from the organic EL element 50. In the present embodiment, an optical resonance structure is adopted in which the optical distance is varied by varying the layer configuration of the insulating layer between the reflective layer 45 and the pixel electrode 51. Specifically, since the resonance wavelengths of green and red are longer than blue, the first insulating layer 16a and the second insulating layer 16b exist between the reflective layer 45B and the pixel electrode 51B. The first insulating layer 16a, the second insulating layer 16b, and the fourth insulating layer 16d exist between the reflective layer 45G and the pixel electrode 51G. Further, as shown in FIG. 5, the first insulating layer 16a, the second insulating layer 16b, the third insulating layer 16c, and the fourth insulating layer 16d exist between the reflective layer 45R and the pixel electrode 51R. . Thus, if the light emitting functional layer 53 having a uniform film thickness is formed so as to cover the pixel electrodes 51B, 51G, 51R, the optical layer between the reflective layer 45B and the common electrode 52 in the blue (B) subpixel SP. The shortest distance becomes the smallest, and the optical distance between the reflective layer 45R and the common electrode 52 in the red (R) subpixel SP becomes the largest. Note that such an optical resonant structure is not limited to changing the layer configuration of the insulating layer between the reflective layers 45B, 45G, and 45R and the pixel electrodes 51B, 51G, and 51R, and the reflective layer 45 and the pixel electrode 51 are not limited. The film thickness of the pixel electrodes 51B, 51G, and 51R is made different for each of the blue (B), green (G), and red (R) sub-pixels SP. It is good also as a structure which changes various distances. Hereinafter, the organic EL elements 50 provided in the blue (B), green (G), and red (R) subpixels SP having an optical resonance structure are referred to as organic EL elements 50B, 50G, and 50R.

次に、図4及び図5に示すように、共通電極52を覆うように封止層60が形成される。封止層60は、有機EL素子50B,50G,50Rに水分や酸素などが浸入しないように保護するものである。また、この後にカラーフィルター70を封止層60上に形成するため、封止層60の平坦化を図ることを考慮して構成されている。具体的には、封止層60は、第1無機封止膜61、有機封止膜62、第2無機封止膜63がこの順に積層されたものである。第1無機封止膜61及び第2無機封止膜63は、水分や酸素などの気体を透過し難い、例えばシリコンの酸化膜や窒化膜あるいは酸窒化膜が用いられる。有機封止膜62は、凹凸を有する表面にスピンコート法や印刷法などを用いて塗工することで平坦化を図ることが可能な例えばアクリル系の透明樹脂などが用いられる。   Next, as shown in FIGS. 4 and 5, a sealing layer 60 is formed so as to cover the common electrode 52. The sealing layer 60 protects moisture and oxygen from entering the organic EL elements 50B, 50G, and 50R. In addition, since the color filter 70 is formed on the sealing layer 60 thereafter, the sealing layer 60 is configured in consideration of flattening. Specifically, the sealing layer 60 is formed by laminating a first inorganic sealing film 61, an organic sealing film 62, and a second inorganic sealing film 63 in this order. As the first inorganic sealing film 61 and the second inorganic sealing film 63, for example, a silicon oxide film, a nitride film, or an oxynitride film is used which does not easily transmit gas such as moisture and oxygen. The organic sealing film 62 is made of, for example, an acrylic transparent resin that can be flattened by being applied to a surface having unevenness by using a spin coating method, a printing method, or the like.

封止層60上には、カラーフィルター70が形成される。カラーフィルター70は、青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPに対応した着色層71B,71G,71Rを有するものである。このようなカラーフィルター70の形成方法としては、色材を含む感光性樹脂を塗布して露光・現像することにより、着色層71B,71G,71Rを順に形成するフォトリソグラフィ法が挙げられる。なお、着色層71B,71G,71Rの形成の順番は、青(B)、緑(G)、赤(R)の順に限定されない。また、所望の光学特性を得るために、着色層71B,71G,71Rの膜厚を色ごとに異ならせてもよい。以降、着色層71B,71G,71Rを総称して着色層71と呼ぶこともある。   A color filter 70 is formed on the sealing layer 60. The color filter 70 includes colored layers 71B, 71G, and 71R corresponding to blue (B), green (G), and red (R) subpixels SP. Examples of a method for forming such a color filter 70 include a photolithography method in which the colored layers 71B, 71G, and 71R are sequentially formed by applying a photosensitive resin containing a color material, exposing and developing the photosensitive resin. The order of forming the colored layers 71B, 71G, 71R is not limited to the order of blue (B), green (G), and red (R). In order to obtain desired optical characteristics, the thicknesses of the colored layers 71B, 71G, and 71R may be different for each color. Hereinafter, the colored layers 71B, 71G, and 71R may be collectively referred to as the colored layer 71.

このように半導体基板10には、4つのトランジスター31,32,33,34を含む画素回路110を始めとして、有機EL素子50B,50G,50R、封止層60、カラーフィルター70が形成される。これらの構成要素が形成された半導体基板10に対して透明な接着層80を介して、同じく透明な対向基板90が接着され、表示パネル101ができあがる。対向基板90は、半導体基板10に形成された、有機EL素子50B,50G,50Rやカラーフィルター70などを保護する保護基板として機能する。   As described above, the organic EL elements 50B, 50G, and 50R, the sealing layer 60, and the color filter 70 are formed on the semiconductor substrate 10 including the pixel circuit 110 including the four transistors 31, 32, 33, and 34. A transparent counter substrate 90 is bonded to the semiconductor substrate 10 on which these components are formed via a transparent adhesive layer 80, and the display panel 101 is completed. The counter substrate 90 functions as a protective substrate that protects the organic EL elements 50B, 50G, and 50R, the color filter 70, and the like formed on the semiconductor substrate 10.

次に、図4及び図5を参照して、画素コンタクト領域の構造について説明する。本発明における画素コンタクト領域とは、青(B)、緑(G)、赤(R)の各サブ画素SPにおいて、電気的な中継配線として機能する反射層45と画素電極51との接続を図るコンタクトホールが形成された領域、あるいはコンタクトホールを含む非発光領域を指すものである。   Next, the structure of the pixel contact region will be described with reference to FIGS. In the present invention, the pixel contact region refers to the connection between the reflective layer 45 that functions as an electrical relay wiring and the pixel electrode 51 in each of the blue (B), green (G), and red (R) subpixels SP. It refers to a region where a contact hole is formed or a non-light emitting region including a contact hole.

図4に示すように、本実施形態の緑(G)のサブ画素SPでは、第3層間絶縁膜14上に形成された中継配線43Bは、第4層間絶縁膜15を貫通するコンタクトホールCH5を介して反射層45Gに接続されている。図5に示すように、反射層45Gは、第1絶縁層16a、第2絶縁層16b、第4絶縁層16dを貫通するコンタクトホールCH10を介して画素電極51Gに接続されている。有機EL素子50Gがトップエミッション型であることから、反射層45Gの下層に設けられたコンタクトホールCH5は、有機EL素子50Gからの発光に影響を及ぼさないので、中継配線43BやコンタクトホールCH5の配線層における位置の決定はある程度の自由度を有している。これに対して、反射層45G上に設けられるコンタクトホールCH10の配線層における位置は、有機EL素子50Gからの発光に影響を及ぼすことから、前述した発光領域を規定する第5絶縁層17の開口部と重ならない位置に設けられる。つまり、コンタクトホールCH10に重なる画素電極51Gの部分は、第5絶縁層17によって覆われており、電気的に発光機能層53と絶縁されることから、コンタクトホールCH10と重なった領域は、非発光領域となる。加えて、コンタクトホールCH5とコンタクトホールCH10とは異なる位置に設けられている。すなわち、コンタクトホールCH10と平面視で重なるように形成された第5絶縁層17の部分が緑(G)のサブ画素SPに係る画素コンタクト領域である。   As shown in FIG. 4, in the green (G) sub-pixel SP of the present embodiment, the relay wiring 43 </ b> B formed on the third interlayer insulating film 14 has a contact hole CH <b> 5 penetrating the fourth interlayer insulating film 15. To the reflective layer 45G. As shown in FIG. 5, the reflective layer 45G is connected to the pixel electrode 51G via a contact hole CH10 that penetrates the first insulating layer 16a, the second insulating layer 16b, and the fourth insulating layer 16d. Since the organic EL element 50G is a top emission type, the contact hole CH5 provided in the lower layer of the reflective layer 45G does not affect the light emission from the organic EL element 50G, so the wiring of the relay wiring 43B and the contact hole CH5 The determination of the position in the layer has a certain degree of freedom. On the other hand, the position of the contact hole CH10 provided on the reflective layer 45G in the wiring layer affects the light emission from the organic EL element 50G, and thus the opening of the fifth insulating layer 17 that defines the light emitting region described above. It is provided at a position that does not overlap the part. That is, the portion of the pixel electrode 51G that overlaps with the contact hole CH10 is covered with the fifth insulating layer 17 and is electrically insulated from the light emitting functional layer 53, so that the region overlapping with the contact hole CH10 does not emit light. It becomes an area. In addition, the contact hole CH5 and the contact hole CH10 are provided at different positions. That is, the portion of the fifth insulating layer 17 formed so as to overlap the contact hole CH10 in plan view is a pixel contact region related to the green (G) subpixel SP.

また、図5に示すように、赤(R)のサブ画素SPにおいて、反射層45Rは、第1絶縁層16a、第2絶縁層16b、第3絶縁層16c、第4絶縁層16dを貫通するコンタクトホールCH9を介して画素電極51Rに接続されている。有機EL素子50Rもまたトップエミッション型であることから、反射層45R上に設けられるコンタクトホールCH9の配線層における位置は、有機EL素子50Rからの発光に影響を及ぼすことから、緑(G)のサブ画素SPと同様に、発光領域を規定する第5絶縁層17の開口部と重ならない位置に設けられる。つまり、コンタクトホールCH9に重なる画素電極51Rの部分は、第5絶縁層17によって覆われており、電気的に発光機能層53と絶縁されることから、コンタクトホールCH9と重なった領域は、非発光領域となる。すなわち、コンタクトホールCH9と平面視で重なるように形成された第5絶縁層17の部分が赤(R)のサブ画素SPに係る画素コンタクト領域である。なお、図4及び図5には図示していないが、青(B)のサブ画素SPにおいて、反射層45Bは、第1絶縁層16a、第2絶縁層16bを貫通するコンタクトホールCH11を介して画素電極51Bに接続されている。コンタクトホールCH11もまた第5絶縁層17によって覆われている。すなわち、コンタクトホールCH11と平面視で重なるように形成された第5絶縁層17の部分が青(B)のサブ画素SPに係る画素コンタクト領域である。   Further, as shown in FIG. 5, in the red (R) sub-pixel SP, the reflective layer 45R penetrates the first insulating layer 16a, the second insulating layer 16b, the third insulating layer 16c, and the fourth insulating layer 16d. It is connected to the pixel electrode 51R through the contact hole CH9. Since the organic EL element 50R is also a top emission type, the position of the contact hole CH9 provided on the reflective layer 45R in the wiring layer affects the light emission from the organic EL element 50R. Similar to the sub-pixel SP, it is provided at a position that does not overlap with the opening of the fifth insulating layer 17 that defines the light-emitting region. That is, the portion of the pixel electrode 51R that overlaps with the contact hole CH9 is covered with the fifth insulating layer 17, and is electrically insulated from the light emitting functional layer 53. Therefore, the region that overlaps with the contact hole CH9 does not emit light. It becomes an area. That is, the portion of the fifth insulating layer 17 formed so as to overlap the contact hole CH9 in plan view is a pixel contact region related to the red (R) subpixel SP. Although not shown in FIGS. 4 and 5, in the blue (B) sub-pixel SP, the reflective layer 45B is connected via a contact hole CH11 penetrating the first insulating layer 16a and the second insulating layer 16b. It is connected to the pixel electrode 51B. The contact hole CH11 is also covered with the fifth insulating layer 17. That is, the portion of the fifth insulating layer 17 formed so as to overlap with the contact hole CH11 in plan view is a pixel contact region related to the blue (B) subpixel SP.

本実施形態では、複数層の絶縁層を貫通させてコンタクトホールCH9,CH10,CH11を形成する観点から、図5に示すように、第1絶縁層16aと第2絶縁層16bとを貫通する孔を形成して、反射層45に接続する中継部を形成する。その後、緑(G)のサブ画素SPでは中継部を覆わないように第4絶縁層16dをパターニング形成する。赤(R)のサブ画素SPでは、中継部を覆わないように、第3絶縁層16cと第4絶縁層16dとをパターニング形成する。そして、各サブ画素SPの中継部に接するように透明導電膜を成膜してパターニング形成することにより、画素電極51B,51G,51Rを形成すると共に、中継部を含む上記コンタクトホールCH9,CH10,CH11を形成する。つまり、反射層45と画素電極51とを電気的に接続させるため、予め中継部を形成しておくことで、電気的な接続に係る距離が短くなり、各コンタクトホールCH9,CH10,CH11を容易に形成することができる。   In the present embodiment, from the viewpoint of forming the contact holes CH9, CH10, and CH11 by penetrating a plurality of insulating layers, as shown in FIG. 5, a hole that penetrates the first insulating layer 16a and the second insulating layer 16b. To form a relay portion connected to the reflective layer 45. Thereafter, the fourth insulating layer 16d is patterned so as not to cover the relay portion in the green (G) subpixel SP. In the red (R) subpixel SP, the third insulating layer 16c and the fourth insulating layer 16d are formed by patterning so as not to cover the relay portion. Then, a transparent conductive film is formed and patterned so as to be in contact with the relay portion of each subpixel SP, thereby forming the pixel electrodes 51B, 51G, 51R, and the contact holes CH9, CH10, CH11 is formed. In other words, in order to electrically connect the reflective layer 45 and the pixel electrode 51, by forming a relay portion in advance, the distance for electrical connection is shortened, and the contact holes CH9, CH10, and CH11 can be easily formed. Can be formed.

なお、図5では、ゲート電極33gが第1制御線27に接続される補償トランジスター33について図示している。前述したように半導体基板10における能動領域10Aにはドレイン領域33dとソース領域33sとが設けられている。   In FIG. 5, the compensation transistor 33 in which the gate electrode 33 g is connected to the first control line 27 is illustrated. As described above, the active region 10A in the semiconductor substrate 10 is provided with the drain region 33d and the source region 33s.

本実施形態では、画素回路110における4つのトランジスター31,32,33,34をMOSFETにて構成したが、これに限定されず、例えば、TFT(Thin−Film−Transistor)を用いてもよい。   In the present embodiment, the four transistors 31, 32, 33, and 34 in the pixel circuit 110 are configured by MOSFETs. However, the present invention is not limited to this. For example, TFTs (Thin-Film-Transistors) may be used.

<画素の電気的な構成の配置>
次に、図6〜図10を参照して、半導体基板10上の各配線層における画素の電気的な構成の配置について説明する。図6〜図10は、配線層における画素の電気的な構成の配置を示す概略平面図である。具体的には、図6は4つのトランジスター31,32,33,34の配置を示し、図7は走査線22、第1制御線27、第2制御線28、第1電源配線41の配置を示し、図8はデータ線26、中継配線の配置を示し、図9は反射層45B,45G,45Rの配置を示し、図10は画素電極51B,51G,51R、画素コンタクト領域の配置を示すものである。
<Disposition of electrical configuration of pixels>
Next, with reference to FIGS. 6 to 10, the arrangement of the electrical configuration of the pixels in each wiring layer on the semiconductor substrate 10 will be described. 6 to 10 are schematic plan views showing the arrangement of the electrical configuration of the pixels in the wiring layer. Specifically, FIG. 6 shows the arrangement of the four transistors 31, 32, 33, and 34, and FIG. 7 shows the arrangement of the scanning line 22, the first control line 27, the second control line 28, and the first power supply line 41. 8 shows the arrangement of the data line 26 and the relay wiring, FIG. 9 shows the arrangement of the reflective layers 45B, 45G, and 45R, and FIG. 10 shows the arrangement of the pixel electrodes 51B, 51G, and 51R and the pixel contact region. It is.

まず、半導体基板10における4つのトランジスター31,32,33,34と、これらのトランジスター31,32,33,34のソースまたはドレインに係る配線の配置について、図6を参照して説明する。なお、青(B)のサブ画素SPに係る画素回路の符号を110Bとする。同様に、緑(G)のサブ画素SPに係る画素回路の符号を110Gとし、赤(R)のサブ画素SPに係る画素回路の符号を110Rとする。   First, the arrangement of the four transistors 31, 32, 33, and 34 in the semiconductor substrate 10 and the wirings related to the sources or drains of these transistors 31, 32, 33, and 34 will be described with reference to FIG. Note that the reference numeral of the pixel circuit related to the blue (B) sub-pixel SP is 110B. Similarly, the code of the pixel circuit related to the green (G) subpixel SP is 110G, and the code of the pixel circuit related to the red (R) subpixel SP is 110R.

図6に示すように、画素Pにおいて、画素回路110に含まれる4つのトランジスター31,32,33,34は、それぞれ一対の電流端がX方向に沿うように配置されている。また、発光制御トランジスター34、補償トランジスター33、書込制御トランジスター31、駆動トランジスター32の順でY方向に並んで配置されている。このような画素回路110の4つのトランジスター31,32,33,34の配置を一つの単位として、画素回路110G、画素回路110B、画素回路110Rがこの順にX方向に並列して配置されている。   As shown in FIG. 6, in the pixel P, the four transistors 31, 32, 33, and 34 included in the pixel circuit 110 are arranged such that a pair of current ends are along the X direction. Further, the light emission control transistor 34, the compensation transistor 33, the write control transistor 31, and the drive transistor 32 are arranged in the Y direction in this order. The pixel circuit 110G, the pixel circuit 110B, and the pixel circuit 110R are arranged in parallel in the X direction in this order with the arrangement of the four transistors 31, 32, 33, and 34 of the pixel circuit 110 as one unit.

4つのトランジスター31,32,33,34は、一対の電流端の間において、能動領域に対向して配置され、それぞれ島状に設けられたゲート電極31g,32g,33g,34gを有している。ゲート電極31g,32g,33g,34gは同一の配線層に設けられている。   The four transistors 31, 32, 33, and 34 are arranged to face the active region between a pair of current ends, and have gate electrodes 31g, 32g, 33g, and 34g provided in an island shape, respectively. . The gate electrodes 31g, 32g, 33g, and 34g are provided in the same wiring layer.

ここでは、各トランジスター31,32,33,34の一対の電流端(ソースまたはドレイン)のうち、一方をソース領域と呼び、他方をドレイン領域と呼ぶこととする。書込制御トランジスター31、駆動トランジスター32、補償トランジスター33において、一対の電流端のうちドレイン領域はX方向においてゲート電極の左側に位置し、ソース領域はX方向においてゲート電極の右側に位置している。これに対して、発光制御トランジスター34の一対の電流端のうちドレイン領域はX方向においてゲート電極の右側に位置し、ソース領域はX方向においてゲート電極の左側に位置している。   Here, one of the pair of current ends (source or drain) of each of the transistors 31, 32, 33, and 34 is called a source region, and the other is called a drain region. In the write control transistor 31, the drive transistor 32, and the compensation transistor 33, the drain region of the pair of current ends is located on the left side of the gate electrode in the X direction, and the source region is located on the right side of the gate electrode in the X direction. . On the other hand, of the pair of current ends of the light emission control transistor 34, the drain region is located on the right side of the gate electrode in the X direction, and the source region is located on the left side of the gate electrode in the X direction.

書込制御トランジスター31のドレイン領域31dと駆動トランジスター32のゲート電極32gとは、Y方向に延びる配線21Aによって接続されている。駆動トランジスター32のドレイン領域32dと、補償トランジスター33のドレイン領域33dと、発光制御トランジスター34のソース領域34sとは、Y方向に延びる配線21Bによって接続されている。書込制御トランジスター31のソース領域31sと、補償トランジスター33のソース領域33sとは、Y方向に延びる配線21Cによって接続されている。Y方向に延びる配線21Cの中間点には、後述する中継層29Aに接続するためのコンタクトホール21sが配置されている。発光制御トランジスター34のドレイン領域34dには、X方向とY方向とに延びるように折れ曲がった配線21Dの一方の端部が接続され、配線21Dの他方の端部には、後述する中継層29Bに接続するためのコンタクトホールCH3が配置されている。配線21A,21B,21Cは、ゲート電極31g,32g,33g,34gの上層において同一の配線層に設けられている。   The drain region 31d of the write control transistor 31 and the gate electrode 32g of the drive transistor 32 are connected by a wiring 21A extending in the Y direction. The drain region 32d of the drive transistor 32, the drain region 33d of the compensation transistor 33, and the source region 34s of the light emission control transistor 34 are connected by a wiring 21B extending in the Y direction. The source region 31s of the write control transistor 31 and the source region 33s of the compensation transistor 33 are connected by a wiring 21C extending in the Y direction. A contact hole 21s for connecting to a relay layer 29A described later is disposed at an intermediate point of the wiring 21C extending in the Y direction. One end of a wiring 21D bent so as to extend in the X direction and the Y direction is connected to the drain region 34d of the light emission control transistor 34, and the other end of the wiring 21D is connected to a relay layer 29B described later. A contact hole CH3 for connection is arranged. The wirings 21A, 21B, and 21C are provided in the same wiring layer above the gate electrodes 31g, 32g, 33g, and 34g.

図7に示すように、走査線22は、画素回路110G,110B,110Rの書込制御トランジスター31と重なるようにX方向に延在し、コンタクトホールを介して書込制御トランジスター31のゲート電極31gと接続されている。第1制御線27は、画素回路110G,110B,110Rの補償トランジスター33と重なるようにX方向に延在し、コンタクトホールを介して補償トランジスター33のゲート電極33gと接続されている。第2制御線28は、画素回路110G,110B,110Rの発光制御トランジスター34と重なるようにX方向に延在し、コンタクトホールを介して発光制御トランジスター34のゲート電極34gと接続されている。第1電源配線41は、画素回路110G,110B,110Rの駆動トランジスター32と重なるようにX方向に延在し、コンタクトホールを介して駆動トランジスター32のソース領域と接続されている。   As shown in FIG. 7, the scanning line 22 extends in the X direction so as to overlap the write control transistor 31 of the pixel circuits 110G, 110B, and 110R, and the gate electrode 31g of the write control transistor 31 via the contact hole. Connected with. The first control line 27 extends in the X direction so as to overlap with the compensation transistors 33 of the pixel circuits 110G, 110B, and 110R, and is connected to the gate electrode 33g of the compensation transistor 33 through a contact hole. The second control line 28 extends in the X direction so as to overlap the light emission control transistors 34 of the pixel circuits 110G, 110B, and 110R, and is connected to the gate electrode 34g of the light emission control transistor 34 through a contact hole. The first power supply line 41 extends in the X direction so as to overlap the drive transistor 32 of the pixel circuits 110G, 110B, and 110R, and is connected to the source region of the drive transistor 32 through a contact hole.

走査線22と第1制御線27との間において、書込制御トランジスター31のソース領域31sと、補償トランジスター33のソース領域33sとを接続させる配線21Cの中間点に設けられた上記コンタクトホール21sに接続する中継層29Aが設けられている。中継層29Aには後述するデータ線26に接続するためのコンタクトホールCH8が配置されている。   Between the scanning line 22 and the first control line 27, the contact hole 21 s provided at an intermediate point of the wiring 21 C connecting the source region 31 s of the write control transistor 31 and the source region 33 s of the compensation transistor 33. A relay layer 29A to be connected is provided. In the relay layer 29A, a contact hole CH8 for connecting to a data line 26 described later is disposed.

発光制御トランジスター34のドレイン領域に接続された配線21Dの他方の端部に中継層29Bが設けられている。中継層29Bには、後述する中継配線に接続するためのコンタクトホールCH4が配置されている。つまり、中継層29Bを挟んで下層のコンタクトホールCH3と上層のコンタクトホールCH4とは、平面視で同じ位置に設けられている(図4参照)。   A relay layer 29 </ b> B is provided at the other end of the wiring 21 </ b> D connected to the drain region of the light emission control transistor 34. In the relay layer 29B, a contact hole CH4 for connecting to a relay wiring described later is disposed. That is, the lower layer contact hole CH3 and the upper layer contact hole CH4 are provided at the same position in plan view with the relay layer 29B interposed therebetween (see FIG. 4).

走査線22、第1制御線27、第2制御線28、第1電源配線41、中継層29A、中継層29Bは、同一の配線層に設けられている。   The scanning line 22, the first control line 27, the second control line 28, the first power supply wiring 41, the relay layer 29A, and the relay layer 29B are provided in the same wiring layer.

図8に示すように、画素回路110G,110B,110Rのそれぞれに対応して、Y方向に延在するデータ線26が設けられている。データ線26は、コンタクトホールCH8及び前述した中継層29A、コンタクトホール21sにより配線21Cと電気的に接続されている。   As shown in FIG. 8, data lines 26 extending in the Y direction are provided corresponding to the pixel circuits 110G, 110B, and 110R. The data line 26 is electrically connected to the wiring 21C through the contact hole CH8, the relay layer 29A and the contact hole 21s described above.

画素回路110Gと画素回路110Rとにおいて、Y方向に延びる中継配線43Bが設けられている。中継配線43Bの一方の端部は、下層のコンタクトホールCH4と接続されている。中継配線43Bの他方の端部には、後述する反射層45G,45Rに接続されるコンタクトホールCH5,CH6が配置されている。画素回路110BにおいてもY方向に延びる中継配線43Cが設けられている。Y方向において、中継配線43Cは中継配線43Bよりも長く、中継配線43Cの一方の端部は、下層のコンタクトホールCH4と接続されている。中継配線43Cの他方の端部には、後述する反射層45Bに接続されるコンタクトホールCH7が配置されている。データ線26、中継配線43B,43Cは同一の配線層に設けられている。   In the pixel circuit 110G and the pixel circuit 110R, a relay wiring 43B extending in the Y direction is provided. One end of the relay wiring 43B is connected to the lower layer contact hole CH4. Contact holes CH5 and CH6 connected to reflective layers 45G and 45R described later are disposed at the other end of the relay wiring 43B. Also in the pixel circuit 110B, a relay wiring 43C extending in the Y direction is provided. In the Y direction, the relay wiring 43C is longer than the relay wiring 43B, and one end of the relay wiring 43C is connected to the lower contact hole CH4. A contact hole CH7 connected to a reflective layer 45B described later is disposed at the other end of the relay wiring 43C. The data line 26 and the relay wirings 43B and 43C are provided in the same wiring layer.

図9に示すように、緑(G)のサブ画素SPに対応した反射層45Gと、赤(R)のサブ画素SPに対応した反射層45RとがX方向に並んで配置されている。反射層45G及び反射層45Rは、同じ大きさの長方形である。反射層45G,45Rに対して、同じく長方形の反射層45BがY方向に並んで配置されている。反射層45Bの大きさは、反射層45Gの大きさのおよそ2倍である。反射層45B,45G,45Rは、同一配線層に設けられていると共に、それぞれ電気的に独立して設けられている。反射層45Gは下層に設けられたコンタクトホールCH5に接続され、反射層45Rは下層に設けられたコンタクトホールCH6に接続され、反射層45Bは下層に設けられたコンタクトホールCH7に接続されている。   As shown in FIG. 9, the reflective layer 45G corresponding to the green (G) subpixel SP and the reflective layer 45R corresponding to the red (R) subpixel SP are arranged side by side in the X direction. The reflective layer 45G and the reflective layer 45R are rectangles having the same size. A similarly rectangular reflective layer 45B is arranged in the Y direction with respect to the reflective layers 45G and 45R. The size of the reflective layer 45B is approximately twice the size of the reflective layer 45G. The reflection layers 45B, 45G, and 45R are provided on the same wiring layer and are provided electrically independently. The reflective layer 45G is connected to the contact hole CH5 provided in the lower layer, the reflective layer 45R is connected to the contact hole CH6 provided in the lower layer, and the reflective layer 45B is connected to the contact hole CH7 provided in the lower layer.

図10に示すように、平面視で反射層45Bと重なるように画素電極51Bが配置されている。画素電極51Bは外形が長方形であって、反射層45Bと画素電極51Bとの電気的な接続を図るコンタクトホールCH11は、反射層45BのX方向における一方の端部側に重なるように配置されると共に、画素電極51Bの短辺部と重なるように配置されている。画素電極51Gは、平面視で反射層45Gと重なるように配置されている。画素電極51Gは外形が長方形であって、反射層45Gと画素電極51Gとの電気的な接続を図るコンタクトホールCH10は、反射層45GのX方向における一方の端部側に重なるように配置されると共に、画素電極51Gの短辺部と重なるように配置されている。同様に、画素電極51Rは、平面視で反射層45Rと重なるように配置されている。画素電極51Rは外形が長方形であって、反射層45Rと画素電極51Rとの電気的な接続を図るコンタクトホールCH9は、反射層45RのX方向における一方の端部側に重なるように配置されると共に、画素電極51Rの短辺部と重なるように配置されている。これらのコンタクトホールCH9,CH10,CH11が設けられた領域を画素コンタクト領域と呼ぶ。   As shown in FIG. 10, the pixel electrode 51B is disposed so as to overlap the reflective layer 45B in plan view. The pixel electrode 51B has a rectangular outer shape, and the contact hole CH11 for electrical connection between the reflective layer 45B and the pixel electrode 51B is disposed so as to overlap one end side in the X direction of the reflective layer 45B. At the same time, it is arranged so as to overlap the short side portion of the pixel electrode 51B. The pixel electrode 51G is disposed so as to overlap the reflective layer 45G in plan view. The pixel electrode 51G has a rectangular outer shape, and the contact hole CH10 for electrical connection between the reflective layer 45G and the pixel electrode 51G is disposed so as to overlap one end side in the X direction of the reflective layer 45G. At the same time, the pixel electrode 51G is disposed so as to overlap the short side portion. Similarly, the pixel electrode 51R is disposed so as to overlap the reflective layer 45R in plan view. The pixel electrode 51R has a rectangular outer shape, and the contact hole CH9 for electrical connection between the reflective layer 45R and the pixel electrode 51R is disposed so as to overlap one end side in the X direction of the reflective layer 45R. At the same time, it is arranged so as to overlap the short side portion of the pixel electrode 51R. A region in which these contact holes CH9, CH10, and CH11 are provided is referred to as a pixel contact region.

前述したように、ITOなどの透明導電膜を用いて形成される画素電極51B,51G,51Rは、走査線22や中継配線43Bなどに比べて高抵抗であることから、反射層45B,45G,45Rとの電気的な接続を図るコンタクトホールCH9,CH10,CH11は、他の配線に係るコンタクトホールに比べて平面視で大きく形成されている。   As described above, since the pixel electrodes 51B, 51G, and 51R formed using a transparent conductive film such as ITO have a higher resistance than the scanning lines 22 and the relay wirings 43B, the reflective layers 45B, 45G, The contact holes CH9, CH10, and CH11 for electrical connection with 45R are formed larger in plan view than the contact holes related to other wirings.

このように、画素回路110B,110G,110Rのうち、有機EL素子50B,50G,50Rを除く、4つのトランジスター31,32,33,34とこれに接続される信号配線類は、反射層45B,45G,45Rよりも下層に形成される。反射層45B,45G,45Rより下層に設けられた構成の配置は、上層の有機EL素子50B,50G,50Rの発光に影響を及ぼさないので、配置における自由度を有している。つまり、反射層45と画素電極51との配置に応じて画素回路110を比較的に自由に配置することが可能である。   As described above, in the pixel circuits 110B, 110G, and 110R, the four transistors 31, 32, 33, and 34 except for the organic EL elements 50B, 50G, and 50R and the signal wirings connected thereto are formed as the reflective layer 45B, It is formed in a lower layer than 45G and 45R. Since the arrangement of the structure provided below the reflective layers 45B, 45G, and 45R does not affect the light emission of the upper organic EL elements 50B, 50G, and 50R, it has a degree of freedom in arrangement. That is, the pixel circuit 110 can be relatively freely arranged according to the arrangement of the reflective layer 45 and the pixel electrode 51.

各画素電極51B,51G,51R上において発光領域(開口部)を規定する第5絶縁層17は、コンタクトホールCH9,CH10,CH11を覆うように設けられる(図5参照)。したがって、画素電極51B,51G,51RにおいてコンタクトホールCH9,CH10,CH11と重なる部分は、第5絶縁層17によって絶縁されて発光機能層53と接しない。つまり画素コンタクト領域は非発光領域となる。   A fifth insulating layer 17 that defines a light emitting region (opening) on each of the pixel electrodes 51B, 51G, and 51R is provided so as to cover the contact holes CH9, CH10, and CH11 (see FIG. 5). Therefore, portions of the pixel electrodes 51B, 51G, 51R that overlap with the contact holes CH9, CH10, CH11 are insulated by the fifth insulating layer 17 and do not contact the light emitting functional layer 53. That is, the pixel contact region is a non-light emitting region.

青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPにおいて、輝度を確保する観点からは、非発光領域である画素コンタクト領域はできるだけ小さいほうがよい。その一方で、画素コンタクト領域を小さくし過ぎると、反射層45と画素電極51との接続抵抗が小さくなり、有機EL素子50の駆動電流の抵抗損失を招くことになる。加えて、画素コンタクト領域の配置は、画素Pにおける光学特性にも影響を及ぼす。以降、本実施形態におけるサブ画素SPの構成と光学特性との関係について、図11〜図13を参照して説明する。   In the blue (B), green (G), and red (R) sub-pixels SP, the pixel contact region that is a non-light emitting region is preferably as small as possible from the viewpoint of ensuring luminance. On the other hand, if the pixel contact region is too small, the connection resistance between the reflective layer 45 and the pixel electrode 51 is reduced, leading to a resistance loss of the drive current of the organic EL element 50. In addition, the arrangement of the pixel contact region also affects the optical characteristics of the pixel P. Hereinafter, the relationship between the configuration of the sub-pixel SP and the optical characteristics in the present embodiment will be described with reference to FIGS.

<サブ画素及び画素コンタクト領域の配置>
図11は、画素におけるサブ画素及び画素コンタクト領域の配置を示す模式平面図である。なお、以降の説明において、青(B)、緑(G)、赤(R)の各サブ画素SPを識別する都合上、画素回路110B,110G,110Rの符号を用い、青(B)のサブ画素には符号110Bを付与し、緑(G)のサブ画素には符号110Gを付与し、赤(R)のサブ画素には符号110Rを付与して表すこととする。また、サブ画素110B,110G,110Rとして図面上で表された領域は、それぞれ発光領域を示すものである。さらに、コンタクトホールCH9,CH10,CH11の符号を用いて、サブ画素110B,110G,110Rに係る画素コンタクト領域を表すものとする。すなわち、サブ画素110Rの画素コンタクト領域には符号CH9を付与し、サブ画素110Gの画素コンタクト領域には符号CH10を付与し、サブ画素110Bの画素コンタクト領域には符号CH11を付与して表すこととする。
<Arrangement of sub-pixel and pixel contact region>
FIG. 11 is a schematic plan view showing the arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in a pixel. In the following description, for the purpose of identifying the blue (B), green (G), and red (R) sub-pixels SP, the codes of the pixel circuits 110B, 110G, and 110R are used, and the blue (B) sub-pixels are used. The pixel is denoted by reference numeral 110B, the green (G) sub-pixel is denoted by reference numeral 110G, and the red (R) sub-pixel is denoted by reference numeral 110R. In addition, the regions represented on the drawing as the sub-pixels 110B, 110G, and 110R each indicate a light emitting region. Furthermore, pixel contact regions related to the sub-pixels 110B, 110G, and 110R are represented by using reference numerals of the contact holes CH9, CH10, and CH11. That is, the pixel contact region of the sub-pixel 110R is given the code CH9, the pixel contact region of the sub-pixel 110G is given the code CH10, and the pixel contact region of the sub-pixel 110B is given the code CH11. To do.

図11に示すように、画素Pとしての画素P1は、X方向に並んだ、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9を有する。また、画素P1は、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対して、Y方向に並ぶサブ画素110Bを有する。サブ画素110Bの画素コンタクト領域CH11は、サブ画素110Bに対してX方向に並ぶと共に、サブ画素110Rの画素コンタクト領域CH9に対してY方向に並んでいる。   As shown in FIG. 11, the pixel P1 as the pixel P includes a sub-pixel 110G, a pixel contact region CH10, a sub-pixel 110R, and a pixel contact region CH9 arranged in the X direction. In addition, the pixel P1 includes subpixels 110B arranged in the Y direction with respect to the subpixel 110G and the subpixel 110R. The pixel contact region CH11 of the subpixel 110B is aligned in the X direction with respect to the subpixel 110B, and is aligned in the Y direction with respect to the pixel contact region CH9 of the subpixel 110R.

画素P1に対してX方向に隣り合う画素Pとしての画素P2は、画素P1と同様に、X方向に並んだ、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9を有する。また、画素P2は、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対して、Y方向に並ぶサブ画素110Bを有する。サブ画素110Bの画素コンタクト領域CH11は、サブ画素110Bに対してX方向に並ぶと共に、サブ画素110Rの画素コンタクト領域CH9に対してY方向に並んでいる。   Similar to the pixel P1, the pixel P2 as the pixel P adjacent to the pixel P1 in the X direction includes a sub pixel 110G, a pixel contact region CH10, a sub pixel 110R, and a pixel contact region CH9 arranged in the X direction. Further, the pixel P2 has sub-pixels 110B arranged in the Y direction with respect to the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R. The pixel contact region CH11 of the subpixel 110B is aligned in the X direction with respect to the subpixel 110B, and is aligned in the Y direction with respect to the pixel contact region CH9 of the subpixel 110R.

つまり、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいては、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9がこの順にX方向に繰り返し並んだ状態となっている。同じく、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH11がこの順にX方向に繰り返し並んだ状態となっている。Y方向に並ぶ、サブ画素110Bと、サブ画素110G及びサブ画素110Rとの間には、画素コンタクト領域は存在していない。画素コンタクト領域は、前述したように非発光領域である。また、図4及び図5にて説明したように、各画素電極51B,51G,51R上に開口部を形成する第5絶縁層17によって当該開口部が発光領域として規定されることから、図11に示した各サブ画素110B,110G,110Rは非発光領域によって囲まれた状態となっている。   That is, in the pixel P1 and the pixel P2 adjacent in the X direction, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH10, the sub pixel 110R, and the pixel contact region CH9 are repeatedly arranged in this order in the X direction. Similarly, the sub-pixel 110B and the pixel contact region CH11 are repeatedly arranged in this order in the X direction. There is no pixel contact region between the sub-pixel 110B, the sub-pixel 110G, and the sub-pixel 110R arranged in the Y direction. As described above, the pixel contact region is a non-light emitting region. Further, as described with reference to FIGS. 4 and 5, the opening is defined as the light emitting region by the fifth insulating layer 17 that forms the opening on the pixel electrodes 51B, 51G, and 51R. Each of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R shown in FIG.

本実施形態では、画素P1における、サブ画素110Gが本発明の第1サブ画素の一例であり、サブ画素110Rが本発明の第2サブ画素の一例である。また、X方向において画素P1に隣り合う画素P2における、サブ画素110Gが本発明の第3サブ画素の一例であり、サブ画素110Rが本発明の第4サブ画素の一例である。また、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおける、画素P1側のサブ画素110Bが本発明の第5サブ画素の一例であり、画素P2側のサブ画素110Bが本発明の第6サブ画素の一例である。よって、画素P1における画素コンタクト領域CH10が本発明の第1の領域の一例であり、画素コンタクト領域CH9が本発明の第2の領域の一例である。画素P2における画素コンタクト領域CH10が本発明の第3の領域の一例であり、画素コンタクト領域CH9が本発明の第4の領域の一例である。また、画素P1における画素コンタクト領域CH11が第5の領域の一例であり、画素P2における画素コンタクト領域CH11が第6の領域の一例である。   In the present embodiment, in the pixel P1, the sub pixel 110G is an example of the first sub pixel of the present invention, and the sub pixel 110R is an example of the second sub pixel of the present invention. In the pixel P2 adjacent to the pixel P1 in the X direction, the sub pixel 110G is an example of the third sub pixel of the present invention, and the sub pixel 110R is an example of the fourth sub pixel of the present invention. In addition, among the pixels P1 and P2 adjacent in the X direction, the subpixel 110B on the pixel P1 side is an example of the fifth subpixel of the present invention, and the subpixel 110B on the pixel P2 side is the sixth subpixel of the present invention. It is an example. Therefore, the pixel contact region CH10 in the pixel P1 is an example of the first region of the present invention, and the pixel contact region CH9 is an example of the second region of the present invention. The pixel contact region CH10 in the pixel P2 is an example of the third region of the present invention, and the pixel contact region CH9 is an example of the fourth region of the present invention. Further, the pixel contact region CH11 in the pixel P1 is an example of a fifth region, and the pixel contact region CH11 in the pixel P2 is an example of a sixth region.

ここで、X方向におけるサブ画素110Gの発光領域の長さとサブ画素110Rの発光領域の長さとは同じであって幅d1とし、Y方向におけるサブ画素110Gの発光領域の長さとサブ画素110Rの発光領域の長さとは同じであって幅d2とする。X方向におけるサブ画素110Bの発光領域の長さを幅d3とし、Y方向におけるサブ画素110Bの発光領域の長さを幅d4とする。幅d2と幅d4とを同じ長さにしてもよいし、異なる長さとしてもよい。X方向における画素コンタクト領域CH9の長さと画素コンタクト領域CH10の長さとは同じであって間隔d5とし、X方向における画素コンタクト領域CH11の長さを間隔d7とする。間隔d5と間隔d7とはこの場合同じ長さであるが、異なる長さとすることも可能である。Y方向における画素コンタクト領域CH9,CH10の長さは、Y方向におけるサブ画素110G,110Rの発光領域の長さと同じであって幅d2である。Y方向における画素コンタクト領域CH11の長さは、Y方向におけるサブ画素110Bの発光領域の長さと同じであって幅d4である。画素P内におけるY方向に隣り合うサブ画素110Bとサブ画素110G及びサブ画素110Rとの間の長さを間隔d6とし、画素Pのサブ画素110Bに対してY方向に隣り合う画素Pのサブ画素110G及びサブ画素110Rとの間の長さを間隔d8とする。間隔d6と間隔d8とは同じ長さとしてもよいし、異なる長さとしてもよい。   Here, the length of the light emitting region of the sub-pixel 110G in the X direction and the length of the light emitting region of the sub-pixel 110R are the same as the width d1, and the length of the light-emitting region of the sub-pixel 110G in the Y-direction and the light emission of the sub-pixel 110R. The length of the region is the same and the width is d2. The length of the light emitting region of the subpixel 110B in the X direction is defined as a width d3, and the length of the light emitting region of the subpixel 110B in the Y direction is defined as a width d4. The width d2 and the width d4 may be the same length or different lengths. The length of the pixel contact region CH9 and the length of the pixel contact region CH10 in the X direction are the same as the interval d5, and the length of the pixel contact region CH11 in the X direction is the interval d7. The distance d5 and the distance d7 have the same length in this case, but can be different lengths. The lengths of the pixel contact regions CH9 and CH10 in the Y direction are the same as the lengths of the light emitting regions of the subpixels 110G and 110R in the Y direction and have a width d2. The length of the pixel contact region CH11 in the Y direction is the same as the length of the light emitting region of the sub-pixel 110B in the Y direction and has a width d4. The length between the sub pixel 110B, the sub pixel 110G, and the sub pixel 110R adjacent to each other in the Y direction in the pixel P is a distance d6, and the sub pixel of the pixel P adjacent to the sub pixel 110B of the pixel P in the Y direction. A distance between 110G and the sub-pixel 110R is defined as an interval d8. The interval d6 and the interval d8 may have the same length or different lengths.

つまり、本実施形態では、第1方向としてのX方向に隣り合う画素P1及び画素P2において、X方向に並んだ、第1サブ画素としてのサブ画素110G、第1の領域としての画素コンタクト領域CH10、第2サブ画素としてのサブ画素110R、第2の領域としての画素コンタクト領域CH9、第3サブ画素としてのサブ画素110G、第3の領域としての画素コンタクト領域CH10、第4サブ画素としてのサブ画素110R、第4の領域としての画素コンタクト領域CH9を有している。サブ画素110Gとサブ画素110Rとは異なる色である。画素P1及び画素P2における画素コンタクト領域CH9,CH10の第1方向としてのX方向の長さである間隔d5は同じである。
また、第1方向としてのX方向に並んだ、第5サブ画素としてのサブ画素110B、第5の領域としての画素コンタクト領域CH11、第6サブ画素としてのサブ画素110B、第6の領域としての画素コンタクト領域CH11をさらに有している。サブ画素110Bは、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対して第2方向としてのY方向に並んでおり、画素P1及び画素P2における画素コンタクト領域CH11の長さである間隔d7は同じである。
That is, in this embodiment, in the pixel P1 and the pixel P2 that are adjacent to each other in the X direction as the first direction, the sub pixel 110G as the first sub pixel and the pixel contact region CH10 as the first region are arranged in the X direction. , A sub-pixel 110R as the second sub-pixel, a pixel contact region CH9 as the second region, a sub-pixel 110G as the third sub-pixel, a pixel contact region CH10 as the third region, a sub-pixel as the fourth sub-pixel The pixel 110R has a pixel contact region CH9 as a fourth region. The sub pixel 110G and the sub pixel 110R have different colors. The distance d5 which is the length in the X direction as the first direction of the pixel contact regions CH9 and CH10 in the pixel P1 and the pixel P2 is the same.
Further, the sub-pixel 110B as the fifth sub-pixel, the pixel contact region CH11 as the fifth region, the sub-pixel 110B as the sixth sub-pixel, and the sixth region as a sixth region, which are arranged in the X direction as the first direction. It further has a pixel contact region CH11. The sub-pixel 110B is arranged in the Y direction as the second direction with respect to the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R, and the interval d7 that is the length of the pixel contact region CH11 in the pixel P1 and the pixel P2 is the same.

本実施形態では、画素P内におけるサブ画素110Bとサブ画素110G及びサブ画素110Rとの間の長さである上記間隔d6が本発明の第7の領域及び第8の領域の一例である。また、サブ画素110Bに係る上記画素コンタクト領域CH11が本発明の第9の領域の一例である。なお、サブ画素110Bは本発明の他の適用例における第3サブ画素としても扱われる。   In the present embodiment, the distance d6 that is the length between the sub-pixel 110B and the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R in the pixel P is an example of the seventh region and the eighth region of the present invention. Further, the pixel contact region CH11 related to the sub-pixel 110B is an example of a ninth region of the present invention. Note that the sub-pixel 110B is also treated as the third sub-pixel in another application example of the present invention.

本実施形態では、サブ画素110Gの面積とサブ画素110Rの面積とを同じとしている。また、サブ画素110Gの面積に対してサブ画素110Bの面積をおよそ2倍にしている。これは、サブ画素110Bの有機EL素子50Bの発光寿命がサブ画素110Gの有機EL素子50G(あるいはサブ画素110Rの有機EL素子50R)の発光寿命に比べて短いことに起因している。発光輝度は有機EL素子50を流れる電流量と発光面積に依存し、発光寿命は有機EL素子50を流れる電流量と通電時間に依存する。したがって、サブ画素110Bの面積をサブ画素110Gに比べて大きくして、発光輝度を確保しつつ電流量を減らすことで、有機EL素子50Bの発光寿命を有機EL素子50Gの発光寿命とほぼ同等とするものである。   In the present embodiment, the area of the subpixel 110G and the area of the subpixel 110R are the same. Further, the area of the sub-pixel 110B is approximately doubled with respect to the area of the sub-pixel 110G. This is because the emission lifetime of the organic EL element 50B of the subpixel 110B is shorter than the emission lifetime of the organic EL element 50G of the subpixel 110G (or the organic EL element 50R of the subpixel 110R). The light emission luminance depends on the amount of current flowing through the organic EL element 50 and the light emission area, and the light emission lifetime depends on the amount of current flowing through the organic EL element 50 and the energization time. Therefore, by increasing the area of the sub-pixel 110B compared to the sub-pixel 110G and reducing the amount of current while ensuring the light emission luminance, the light emission lifetime of the organic EL element 50B is substantially equal to the light emission lifetime of the organic EL element 50G. To do.

本実施形態におけるサブ画素SP及び画素コンタクト領域の配置における特徴は、X方向にサブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9がこの順に繰り返して配置されており、画素コンタクト領域CH9の長さと、画素コンタクト領域CH10の長さとが同じであることである。これによって、異なる色のサブ画素110Gとサブ画素110Rとが、X方向に等間隔で配置された状態となる。   A feature of the arrangement of the subpixel SP and the pixel contact region in the present embodiment is that the subpixel 110G, the pixel contact region CH10, the subpixel 110R, and the pixel contact region CH9 are repeatedly arranged in this order in the X direction. That is, the length of CH9 is the same as the length of the pixel contact region CH10. Thereby, the sub-pixels 110G and 110R of different colors are arranged at equal intervals in the X direction.

また、Y方向における間隔d6と間隔d8とを同じ長さとすれば、Y方向に隣り合う画素Pにおいて、異なる色のサブ画素110Gとサブ画素110Bとが、Y方向に等間隔で配置される。同様に、異なる色のサブ画素110Rとサブ画素110Bとが、Y方向に等間隔で配置される。   Further, if the distance d6 and the distance d8 in the Y direction are the same length, the sub-pixels 110G and 110B of different colors are arranged at equal intervals in the Y direction in the pixels P adjacent in the Y direction. Similarly, sub-pixels 110R and 110B of different colors are arranged at equal intervals in the Y direction.

図12は、青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPのそれぞれにおける共振構造の分光特性と、カラーフィルターの分光特性とを示すグラフである。
前述したように、青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPからそれぞれ所望の波長範囲の色光が得られるように、有機EL素子50B,50G,50Rに係る共振構造と、着色層71B,71G,71Rとが設けられている。
FIG. 12 is a graph showing the spectral characteristics of the resonance structure and the spectral characteristics of the color filter in each of the blue (B), green (G), and red (R) subpixels SP.
As described above, the resonance structure according to the organic EL elements 50B, 50G, and 50R can be obtained so that colored light in a desired wavelength range can be obtained from each of the blue (B), green (G), and red (R) subpixels SP. Colored layers 71B, 71G, and 71R are provided.

図12に示すように、青(B)の着色層71Bは、例えば400nm〜490nmの波長範囲において60%以上の光の透過率を有する。490nm以上の波長領域では、光の透過率が減少し、550nm以上では10%以下となる。緑(G)の着色層71Gは、例えば490nm〜580nmの波長範囲において60%以上の光の透過率を有する。490nm未満の波長領域では、光の透過率が急減し、460nm未満では5%未満となる。また、580nm以上の波長領域では、光の透過率が漸減し、620nm以上では5%以下となる。赤(R)の着色層71Rは、例えば590nm〜650nmの波長範囲において60%以上の光の透過率を有する。590nm未満の波長領域では、光の透過率が急減し、410nm以上570nm以下の波長領域では10%以下となる。言い換えれば、着色層71Bの分光特性と、着色層71Gの分光特性とはオーバーラップした部分を有し、490nm付近では共に透過率が60%程度となっている。また、着色層71Gの分光特性と、着色層71Rの分光特性とはオーバーラップした部分を有し、590nm付近では共に透過率が45%程度となっている。   As shown in FIG. 12, the blue (B) colored layer 71B has a light transmittance of 60% or more in a wavelength range of 400 nm to 490 nm, for example. In the wavelength region of 490 nm or more, the light transmittance is reduced to 10% or less at 550 nm or more. The green (G) colored layer 71G has a light transmittance of 60% or more in a wavelength range of, for example, 490 nm to 580 nm. In the wavelength region of less than 490 nm, the light transmittance rapidly decreases, and in the wavelength region of less than 460 nm, the transmittance is less than 5%. Further, in the wavelength region of 580 nm or more, the light transmittance gradually decreases, and at 620 nm or more, it becomes 5% or less. The red (R) colored layer 71R has a light transmittance of 60% or more in a wavelength range of, for example, 590 nm to 650 nm. In the wavelength region of less than 590 nm, the light transmittance decreases rapidly, and in the wavelength region of 410 nm or more and 570 nm or less, it becomes 10% or less. In other words, the spectral characteristics of the colored layer 71B and the spectral characteristics of the colored layer 71G have overlapping portions, and the transmittance is about 60% in the vicinity of 490 nm. Further, the spectral characteristics of the colored layer 71G and the spectral characteristics of the colored layer 71R have overlapping portions, and the transmittance is about 45% in the vicinity of 590 nm.

これに対して、青(B)のサブ画素SPにおける有機EL素子50Bからは、分光放射輝度(単位はW(ワット)/(Sr(ステラジアン)・m2(平方メートル)・nm(ナノメートル))においてピークを示す共振波長が例えばおよそ460nmの光が射出される。緑(G)のサブ画素SPにおける有機EL素子50Gからは、分光放射輝度においてピークを示す共振波長が例えばおよそ520nmの光が射出される。赤(R)のサブ画素SPにおける有機EL素子50Rからは、分光放射輝度においてピークを示す共振波長が例えばおよそ610nmの光が射出される。つまり、共振構造と、カラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)とを備えることにより、青(B)、緑(G)、赤(R)のサブ画素SPのそれぞれから高い色純度の色光を得ることが可能な構成となっている。 On the other hand, from the organic EL element 50B in the blue (B) sub-pixel SP, the spectral radiance (unit: W (watt) / (Sr (steradian) · m 2 (square meter) · nm (nanometer)) For example, light having a resonance wavelength showing a peak at 460 nm is emitted from the organic EL element 50G in the green (G) sub-pixel SP, and light having a resonance wavelength showing a peak in the spectral radiance is about 520 nm, for example. The organic EL element 50R in the red (R) sub-pixel SP emits light having a resonance wavelength having a peak in spectral radiance of, for example, about 610 nm, that is, the resonance structure and the color filter 70 (coloring). Each of the blue (B), green (G), and red (R) sub-pixels SP by including the layers 71B, 71G, and 71R). It has become a configuration capable of obtaining a color light with high color purity.

図13は、異なる色のサブ画素がX方向またはY方向に隣り合う場合の視野角による色ずれを説明する概略図である。詳しくは、図13において、上段にX方向に緑(G)、赤(R)、緑(G)の順に配置されたサブ画素SPを示し、中段にY方向に青(B)、緑(G)、青(B)の順に配置されたサブ画素SPを示し、下段にY方向に青(B)、赤(R)、青(B)の順に配置されたサブ画素SPを示している。   FIG. 13 is a schematic diagram illustrating color misregistration due to a viewing angle when sub-pixels of different colors are adjacent to each other in the X direction or the Y direction. Specifically, in FIG. 13, sub-pixels SP arranged in the order of green (G), red (R), and green (G) in the X direction are shown in the upper stage, and blue (B) and green (G in the Y direction are shown in the middle stage. ), Blue (B), and sub-pixels SP arranged in the order of blue (B), red (R), and blue (B) in the Y direction.

図13の上段に示すように、緑(G)のサブ画素SPの有機EL素子50Gから法線方向に発した光LG1は着色層71Gを透過して射出される。同様に、赤(R)のサブ画素SPの有機EL素子50Rから法線方向に発した光LR1は着色層71Rを透過して射出される。有機EL素子50Gから着色層71Rに向かって斜め方向に発した光LG2は、図12に示した着色層71Rの分光特性に示すように、着色層71Rを透過できない(着色層71Rによって光LG2のほとんどが吸収される)。一方で、図12に示すように、着色層71Gの分光特性と、有機EL素子50Rの分光特性とはオーバーラップしている部分を有しているため、有機EL素子50Rから着色層71Gに向かって斜め方向に発した光LR2の一部は、着色層71Gを透過することになる。すなわち、図13の上段に示すように、緑(G)のサブ画素SP(着色層71G)に対してX方向に斜め方向から観察すると、光LG1に光LR2の一部が混ざり合った状態の混色が視認される。例えば、緑(G)の着色層71Gに対して赤(R)の有機EL素子50Rの発光領域のX方向における一方の端を近づけて配置すると、着色層71Gを斜め方向から透過する光LR2の光量が増えることから、混色の状態の見え方が変化する。   As shown in the upper part of FIG. 13, light LG1 emitted in the normal direction from the organic EL element 50G of the green (G) subpixel SP is transmitted through the colored layer 71G and emitted. Similarly, light LR1 emitted from the organic EL element 50R of the red (R) sub-pixel SP in the normal direction is emitted through the colored layer 71R. Light LG2 emitted in an oblique direction from the organic EL element 50G toward the colored layer 71R cannot pass through the colored layer 71R as shown by the spectral characteristics of the colored layer 71R shown in FIG. Most are absorbed). On the other hand, as shown in FIG. 12, since the spectral characteristic of the colored layer 71G and the spectral characteristic of the organic EL element 50R have an overlapping portion, the organic EL element 50R is directed to the colored layer 71G. Thus, a part of the light LR2 emitted obliquely passes through the colored layer 71G. That is, as shown in the upper part of FIG. 13, when the green (G) sub-pixel SP (colored layer 71G) is observed obliquely in the X direction, a part of the light LR2 is mixed with the light LG1. Mixed color is visible. For example, when one end in the X direction of the light emitting region of the red (R) organic EL element 50R is disposed closer to the green (G) colored layer 71G, the light LR2 transmitted through the colored layer 71G from an oblique direction is arranged. As the amount of light increases, the appearance of the mixed color state changes.

本実施形態では、有機EL素子50Gの発光領域と有機EL素子50Rの発光領域との間の画素コンタクト領域の間隔d5はX方向において同じである。したがって、緑(G)のサブ画素SPに対してX方向に左側と右側とから観察した場合の混色の状態は、変化し難い。つまり、X方向の視野角に起因する色ずれは低減される。X方向の視野角に起因する色ずれの低減を考慮すると、図5に示したように、異なる色の着色層71Gと着色層71Rとは、そのX方向における境界が、第5絶縁層17によって規定される画素コンタクト領域のX方向の長さである間隔d5の中央に位置するように配置されることが好ましい。言い換えれば、X方向に幅d1で示された有機EL素子50Rの発光領域の端部から着色層71Rの端部までの距離は、図面上におけるX方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。同様に、X方向に幅d1で示された有機EL素子50Gの発光領域の端部から着色層71Gの端部までの距離は、図面上におけるX方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。   In the present embodiment, the distance d5 of the pixel contact region between the light emitting region of the organic EL element 50G and the light emitting region of the organic EL element 50R is the same in the X direction. Therefore, the state of color mixture when observed from the left and right sides in the X direction with respect to the green (G) sub-pixel SP is difficult to change. That is, the color shift due to the viewing angle in the X direction is reduced. In consideration of reduction of color misregistration caused by the viewing angle in the X direction, as shown in FIG. 5, the colored layer 71 </ b> G and the colored layer 71 </ b> R of different colors are separated by the fifth insulating layer 17 in the X direction. It is preferable that the pixel contact region is arranged so as to be positioned at the center of the interval d5 which is the length in the X direction of the defined pixel contact region. In other words, the distance from the end of the light emitting region of the organic EL element 50R indicated by the width d1 in the X direction to the end of the colored layer 71R is preferably equal on the left and right sides in the X direction on the drawing. Similarly, the distance from the end of the light emitting region of the organic EL element 50G indicated by the width d1 in the X direction to the end of the colored layer 71G is preferably equal on the left and right sides in the X direction on the drawing.

図13の上段に示すように、有機EL素子50B,50G,50Rの発光部とカラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)との間の距離dfは、図4あるいは図5に示したように、封止層60の膜厚によって決まる。封止層60の膜厚は、およそ2μm〜4μmである。有機EL素子50B,50G,50Rと、カラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)と、を別々の基板に形成して対向配置する場合に比べて、封止層60上にカラーフィルター70を形成することから、有機EL素子50B,50G,50Rの発光部に対してカラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)を高い位置精度で形成できる。また、有機EL素子50B,50G,50Rの発光部とカラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)とを近づけて配置できることから、視野角に起因する色ずれの影響を抑えることができる。   As shown in the upper part of FIG. 13, the distance df between the light emitting portions of the organic EL elements 50B, 50G, 50R and the color filter 70 (colored layers 71B, 71G, 71R) is as shown in FIG. Further, it is determined by the film thickness of the sealing layer 60. The film thickness of the sealing layer 60 is approximately 2 μm to 4 μm. Compared with the case where the organic EL elements 50B, 50G, and 50R and the color filter 70 (colored layers 71B, 71G, and 71R) are formed on different substrates and arranged to face each other, the color filter 70 is provided on the sealing layer 60. As a result, the color filter 70 (colored layers 71B, 71G, 71R) can be formed with high positional accuracy with respect to the light emitting portions of the organic EL elements 50B, 50G, 50R. In addition, since the light emitting portions of the organic EL elements 50B, 50G, and 50R and the color filter 70 (colored layers 71B, 71G, and 71R) can be arranged close to each other, it is possible to suppress the influence of color shift caused by the viewing angle.

図13の中段に示すように、緑(G)のサブ画素SPの有機EL素子50Gから法線方向に発した光LG1は着色層71Gを透過して射出される。同様に、青(B)のサブ画素SPの有機EL素子50Bから法線方向に発した光LB1は着色層71Bを透過して射出される。図12に示すように、着色層71Bの分光特性と、有機EL素子50Gの分光特性とはオーバーラップしている部分を有しているため、有機EL素子50Gから着色層71Bに向かって斜め方向に発した光LG2の一部は、着色層71Bを透過することになる。また、図12に示すように、着色層71Gの分光特性と、有機EL素子50Bの分光特性とはオーバーラップしている部分を有しているため、有機EL素子50Bから着色層71Gに向かって斜め方向に発した光LB2の一部は、着色層71Gを透過することになる。すなわち、図13の中段に示すように、緑(G)のサブ画素SP(着色層71G)に対してY方向に斜め方向から観察すると、光LG1に光LB2の一部が混ざり合った混色と、光LB1に光LG2の一部が混ざり合った混色とが視認される。例えば、緑(G)の着色層71Gに対して青(B)の有機EL素子50Bの発光領域のY方向の一方の端を近づけて配置すると、着色層71Gを透過する光LB2の光量が増えることから、混色の状態の見え方が変化する。Y方向における、有機EL素子50Gの発光領域と有機EL素子50Bの発光領域との間の一方の画素コンタクト領域の間隔d6と、他方の画素領域の間隔d8とは、Y方向の視野角に起因する色ずれを低減する観点から同じ長さとすることが好ましい。Y方向の視野角に起因する色ずれの低減を考慮すると、図4に示したように、異なる色の着色層71Bと着色層71Gとは、そのY方向における境界が、第5絶縁層17によって規定されるサブ画素間の領域のY方向の長さである間隔d6(間隔d8)の中央に位置するように配置されることが好ましい。言い換えれば、Y方向に幅d2で示された有機EL素子50Gの発光領域の端部から着色層71Gの端部までの距離は、図面上におけるY方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。同様に、Y方向に幅d4で示された有機EL素子50Bの発光領域の端部から着色層71Bの端部までの距離は、図面上におけるY方向の左側と右側とにおいて等しいことが好ましい。   As shown in the middle part of FIG. 13, light LG1 emitted in the normal direction from the organic EL element 50G of the green (G) sub-pixel SP passes through the colored layer 71G and is emitted. Similarly, light LB1 emitted in the normal direction from the organic EL element 50B of the blue (B) subpixel SP is transmitted through the colored layer 71B and emitted. As shown in FIG. 12, since the spectral characteristics of the colored layer 71B and the spectral characteristics of the organic EL element 50G have an overlapping portion, an oblique direction from the organic EL element 50G toward the colored layer 71B. A part of the light LG2 emitted from the light transmits the colored layer 71B. In addition, as shown in FIG. 12, since the spectral characteristics of the colored layer 71G and the spectral characteristics of the organic EL element 50B have overlapping portions, the organic EL element 50B is directed toward the colored layer 71G. A part of the light LB2 emitted in the oblique direction is transmitted through the colored layer 71G. That is, as shown in the middle part of FIG. 13, when observed from an oblique direction in the Y direction with respect to the green (G) sub-pixel SP (colored layer 71G), a mixed color in which a part of the light LB2 is mixed with the light LG1. , A color mixture in which a part of the light LG2 is mixed with the light LB1 is visually recognized. For example, if one end in the Y direction of the light emitting region of the blue (B) organic EL element 50B is placed closer to the green (G) colored layer 71G, the amount of light LB2 transmitted through the colored layer 71G increases. For this reason, the appearance of the mixed color state changes. The distance d6 of one pixel contact region and the distance d8 of the other pixel region between the light emitting region of the organic EL element 50G and the light emitting region of the organic EL element 50B in the Y direction are caused by the viewing angle in the Y direction. From the viewpoint of reducing color misregistration, the same length is preferable. In consideration of the reduction in color misregistration caused by the viewing angle in the Y direction, as shown in FIG. 4, the boundary between the colored layer 71 </ b> B and the colored layer 71 </ b> G in different colors is caused by the fifth insulating layer 17. It is preferable that they are arranged so as to be located at the center of the interval d6 (interval d8) which is the length in the Y direction of the region between the defined sub-pixels. In other words, the distance from the end of the light emitting region of the organic EL element 50G indicated by the width d2 in the Y direction to the end of the colored layer 71G is preferably equal on the left and right sides in the Y direction on the drawing. Similarly, the distance from the end of the light emitting region of the organic EL element 50B indicated by the width d4 in the Y direction to the end of the colored layer 71B is preferably equal on the left and right sides in the Y direction on the drawing.

なお、図13の上段に示した、光LG1に光LR2の一部が混ざる混色と、光LG1に光LB2の一部が混ざる混色と、を比較すると、光LB2のほうが光LR2よりも視認性が低い。したがって、光LG1に光LR2の一部が混ざるX方向の混色を重視して、光LG1に光LB2の一部が混ざるY方向の混色を軽視してもよい。言い換えれば、Y方向における、有機EL素子50Gの発光領域と有機EL素子50Bの発光領域との間の一方の画素コンタクト領域の間隔d6と、他方の画素領域の間隔d8とを必ずしも同じにしなくてもよい。   Note that when the mixed color in which part of the light LR2 is mixed with the light LG1 and the mixed color in which a part of the light LB2 is mixed with the light LG1 shown in the upper part of FIG. 13 are compared, the light LB2 is more visible than the light LR2. Is low. Therefore, the color mixing in the X direction in which a part of the light LR2 is mixed with the light LG1 may be emphasized, and the color mixing in the Y direction in which a part of the light LB2 is mixed with the light LG1 may be neglected. In other words, the distance d6 of one pixel contact region between the light emitting area of the organic EL element 50G and the light emitting area of the organic EL element 50B and the distance d8 of the other pixel area in the Y direction are not necessarily the same. Also good.

図13の下段に示すように、赤(R)のサブ画素SPの有機EL素子50Rから法線方向に発した光LR1は着色層71Rを透過して射出される。同様に、青(B)のサブ画素SPの有機EL素子50Bから法線方向に発した光LB1は着色層71Bを透過して射出される。図12に示すように、着色層71Bの分光特性と、有機EL素子50Rの分光特性とは、ほとんどオーバーラップしていないため、有機EL素子50Rから着色層71Bに向かって斜め方向に発した光LR2の一部は、着色層71Bを透過しない。また、図12に示すように、着色層71Rの分光特性と、有機EL素子50Bの分光特性とは、ほとんどオーバーラップしていないため、有機EL素子50Bから着色層71Rに向かって斜め方向に発した光LB2の一部は、着色層71Rを透過しない。すなわち、Y方向に斜め方向から観察すると、光LR1に光LB2が混ざる混色や、光LB1に光LR2が混ざる混色は視認されない。つまり、Y方向において、有機EL素子50Bの発光領域と有機EL素子50Rの発光領域との間の間隔d6あるいは間隔d8を小さくしても混色は生じ難い。   As shown in the lower part of FIG. 13, light LR1 emitted in the normal direction from the organic EL element 50R of the red (R) sub-pixel SP passes through the colored layer 71R and is emitted. Similarly, light LB1 emitted in the normal direction from the organic EL element 50B of the blue (B) subpixel SP is transmitted through the colored layer 71B and emitted. As shown in FIG. 12, since the spectral characteristics of the colored layer 71B and the spectral characteristics of the organic EL element 50R do not substantially overlap, light emitted in an oblique direction from the organic EL element 50R toward the colored layer 71B. A part of LR2 does not pass through the colored layer 71B. Further, as shown in FIG. 12, since the spectral characteristics of the colored layer 71R and the spectral characteristics of the organic EL element 50B hardly overlap each other, they are emitted obliquely from the organic EL element 50B toward the colored layer 71R. A part of the light LB2 does not pass through the colored layer 71R. That is, when observed from an oblique direction in the Y direction, a mixed color in which the light LB1 is mixed with the light LB2 and a mixed color in which the light LR2 is mixed with the light LB1 are not visually recognized. That is, in the Y direction, even if the distance d6 or the distance d8 between the light emitting region of the organic EL element 50B and the light emitting region of the organic EL element 50R is reduced, color mixing hardly occurs.

上記第1実施形態の効果は、以下の通りである。
(1)X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9がこの順にX方向に繰り返して配置されている。画素コンタクト領域CH9及び画素コンタクト領域CH10のX方向の間隔d5は同じ長さである。したがって、異なる色のサブ画素110G,110Rの発光領域がX方向に等間隔で配置されることから、X方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置100を提供することができる。
The effects of the first embodiment are as follows.
(1) In the pixel P1 and the pixel P2 adjacent in the X direction, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH10, the sub pixel 110R, and the pixel contact region CH9 are repeatedly arranged in this order in the X direction. The distance d5 in the X direction between the pixel contact region CH9 and the pixel contact region CH10 has the same length. Accordingly, since the light emitting regions of the sub-pixels 110G and 110R of different colors are arranged at equal intervals in the X direction, it is possible to provide the electro-optical device 100 in which the color shift due to the viewing angle in the X direction is reduced. .

(2)X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、サブ画素110Bは、サブ画素110G,110Rに対してY方向に並んで配置されている。また、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH11がこの順にX方向に繰り返して配置されている。画素コンタクト領域CH11のX方向の間隔d7は、画素コンタクト領域CH9のX方向の間隔d5と同じ長さである。すなわち、画素コンタクト領域CH9,CH10,CH11によって、X方向におけるサブ画素110B,110G,110Rの各発光領域が等間隔で配置される。言い換えれば、X方向において、サブ画素110B,110G,110Rのそれぞれを等間隔に区分するための特別な構成を用いずに、画素コンタクト領域CH9,CH10,CH11によって、X方向におけるサブ画素110B,110G,110Rの発光領域を等間隔に区分できる。   (2) In the pixel P1 and the pixel P2 adjacent to each other in the X direction, the sub pixel 110B is arranged side by side in the Y direction with respect to the sub pixels 110G and 110R. Further, the sub-pixel 110B and the pixel contact region CH11 are repeatedly arranged in this order in the X direction. The distance d7 in the X direction of the pixel contact region CH11 is the same length as the distance d5 in the X direction of the pixel contact region CH9. That is, the light emitting regions of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R in the X direction are arranged at equal intervals by the pixel contact regions CH9, CH10, and CH11. In other words, in the X direction, the subpixels 110B, 110G, 110G in the X direction are formed by the pixel contact regions CH9, CH10, CH11 without using a special configuration for dividing each of the subpixels 110B, 110G, 110R at equal intervals. , 110R can be divided at equal intervals.

(3)サブ画素110B,110G,110Rのそれぞれは、有機EL素子50と、有機EL素子50に係る共振構造と、カラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)とを備えているため、サブ画素110B,110G,110Rのそれぞれから色純度に優れた色光を取り出すことができる。ゆえに、X方向の視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能な自発光型の電気光学装置100を提供することができる。   (3) Each of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R includes the organic EL element 50, the resonance structure related to the organic EL element 50, and the color filter 70 (colored layers 71B, 71G, and 71R). Color light with excellent color purity can be extracted from each of the pixels 110B, 110G, and 110R. Therefore, it is possible to provide a self-luminous electro-optical device 100 that can reduce color misregistration caused by the viewing angle in the X direction and can display an attractive color display.

(4)有機EL素子50(有機EL素子50B,50G,50R)と、有機EL素子50B,50G,50Rに係る共振構造と、カラーフィルター70(着色層71B,71G,71R)とは、同一の半導体基板10上に形成されている。有機EL素子50とカラーフィルター70との間には封止層60が設けられているものの、有機EL素子50とカラーフィルター70とをそれぞれ別の基板に形成する場合に比べて、有機EL素子50の発光部とカラーフィルター70とを近づけて配置することが可能であることから、視野角に起因する色ずれが表示品質に影響し難い自発光型の電気光学装置100を提供することができる。   (4) The organic EL element 50 (organic EL elements 50B, 50G, 50R), the resonance structure related to the organic EL elements 50B, 50G, 50R, and the color filter 70 (colored layers 71B, 71G, 71R) are the same. It is formed on the semiconductor substrate 10. Although the sealing layer 60 is provided between the organic EL element 50 and the color filter 70, the organic EL element 50 is compared with the case where the organic EL element 50 and the color filter 70 are formed on different substrates. Since the light emitting section and the color filter 70 can be arranged close to each other, the self-luminous electro-optical device 100 in which the color shift caused by the viewing angle hardly affects the display quality can be provided.

以降、異なる色のサブ画素SPの配置を変えた実施形態について説明する。なお、以降の各実施形態とも、電気光学装置100における基本的な構成は同じであり、サブ画素SPは、発光素子としての有機EL素子50と、有機EL素子50に係る共振構造と、カラーフィルター70と、を備えるものである。したがって、上記第1実施形態と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。また、以降の各実施形態とも、上記第1実施形態の効果(3)、(4)を共通して奏するものである。   Hereinafter, an embodiment in which the arrangement of sub-pixels SP of different colors is changed will be described. In each of the following embodiments, the basic configuration of the electro-optical device 100 is the same, and the sub-pixel SP includes an organic EL element 50 as a light emitting element, a resonance structure related to the organic EL element 50, and a color filter. 70. Therefore, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. Also, the following embodiments share the effects (3) and (4) of the first embodiment in common.

(第2実施形態)
図14は、第2実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図14に示すように、第2実施形態では、第1実施形態に対して、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、サブ画素110G及びサブ画素110RのX方向における配置を異ならせたものである。具体的には、X方向に、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10がこの順に配置されている。画素コンタクト領域CH9を挟んで同色のサブ画素110RがX方向に配置され、画素コンタクト領域CH10を挟んで同色のサブ画素110GがX方向に配置されることになる。なお、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、X方向に、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH10、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH9がこの順に配置されていてもよい。なお、図14に示すサブ画素110B,110G,110Rのそれぞれは、発光領域を示すものである。
(Second Embodiment)
FIG. 14 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in the electro-optical device according to the second embodiment.
As shown in FIG. 14, in the second embodiment, the arrangement of the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R in the X direction is different between the pixel P1 and the pixel P2 adjacent to each other in the X direction in the first embodiment. Is. Specifically, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH10, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH9, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH9, the sub pixel 110G, and the pixel contact region CH10 are arranged in this order in the X direction. Yes. The sub-pixel 110R of the same color is disposed in the X direction with the pixel contact region CH9 interposed therebetween, and the sub-pixel 110G of the same color is disposed in the X direction with the pixel contact region CH10 interposed therebetween. Note that, in the pixel P1 and the pixel P2 adjacent in the X direction, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH9, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH10, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH10, the sub pixel 110R, The pixel contact region CH9 may be arranged in this order. Note that each of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R illustrated in FIG. 14 indicates a light emitting region.

サブ画素110B及び画素コンタクト領域CH11の配置は、第1実施形態と同じであり、サブ画素110Bは、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対してY方向に並んで配置されている。X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH11がこの順にX方向に繰り返し配置されている。つまり、画素コンタクト領域CH11を挟んで同色のサブ画素110BがX方向に配置されている。   The arrangement of the sub-pixel 110B and the pixel contact region CH11 is the same as that in the first embodiment, and the sub-pixel 110B is arranged in the Y direction with respect to the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R. In the pixels P1 and P2 adjacent in the X direction, the sub-pixel 110B and the pixel contact region CH11 are repeatedly arranged in this order in the X direction. That is, the sub-pixels 110B of the same color are arranged in the X direction with the pixel contact region CH11 interposed therebetween.

このサブ画素SPの配置によれば、同色のサブ画素SPが当該サブ画素SPに係る画素コンタクト領域を挟んでX方向に並んで配置される。   According to the arrangement of the subpixels SP, the subpixels SP of the same color are arranged side by side in the X direction with the pixel contact region related to the subpixel SP interposed therebetween.

X方向における、サブ画素110Gの発光領域の長さと、サブ画素110Rの発光領域の長さとは同じであり、画素コンタクト領域CH9の長さと、画素コンタクト領域CH10の長さも同じである。また、X方向における、画素コンタクト領域CH9の長さと、画素コンタクト領域CH11の長さも同じである。   In the X direction, the length of the light emitting region of the sub pixel 110G and the length of the light emitting region of the sub pixel 110R are the same, and the length of the pixel contact region CH9 and the length of the pixel contact region CH10 are also the same. Further, the length of the pixel contact region CH9 and the length of the pixel contact region CH11 in the X direction are the same.

上記第2実施形態によれば、上記第1実施形態の効果(2)〜(4)に加えて、以下の効果が得られる。
(5)X方向に同色のサブ画素SPが当該サブ画素SPの画素コンタクト領域を挟んで配置される。すなわち、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、異なる色のサブ画素SPが、画素コンタクト領域CH9,CH11を基準として線対称に配置されていることになる。したがって、上記第1実施形態に対して、サブ画素SPのX方向の配置における色の対称性が実現され、X方向に異なる色のサブ画素SPが隣り合って配置される確率が低下することから、X方向の視野角に起因する色ずれをさらに抑制することができる。
According to the second embodiment, in addition to the effects (2) to (4) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(5) The subpixels SP of the same color are arranged in the X direction with the pixel contact region of the subpixel SP interposed therebetween. That is, in the pixels P1 and P2 adjacent in the X direction, the sub-pixels SP of different colors are arranged symmetrically with respect to the pixel contact regions CH9 and CH11. Therefore, color symmetry in the arrangement of the sub-pixels SP in the X direction is realized with respect to the first embodiment, and the probability that sub-pixels SP of different colors are arranged adjacent to each other in the X direction is reduced. , It is possible to further suppress the color shift caused by the viewing angle in the X direction.

(第3実施形態)
図15は、第3実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図15に示すように、第3実施形態は、第1実施形態に対して画素コンタクト領域の配置を異ならせたものである。具体的には、サブ画素110Gとサブ画素110Rとは、X方向に間隔d5を置いて、この順に並んで配置されている。サブ画素110Bは、X方向に間隔d7を置いて繰り返し配置されている。なお、図15に示すサブ画素110B,110G,110Rのそれぞれは、発光領域を示すものである。
(Third embodiment)
FIG. 15 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in the electro-optical device according to the third embodiment.
As shown in FIG. 15, the third embodiment differs from the first embodiment in the arrangement of the pixel contact regions. Specifically, the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R are arranged in this order with an interval d5 in the X direction. The sub-pixels 110B are repeatedly arranged with an interval d7 in the X direction. Note that each of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R illustrated in FIG. 15 indicates a light emitting region.

サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のX方向の長さは幅d1であり、サブ画素110Bの発光領域のX方向の長さは、幅d1よりも大きい幅d3である。サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のY方向の長さは幅d2であり、サブ画素110Bの発光領域のY方向の長さは幅d4である。幅d2と幅d4のY方向の長さは同じであってもよいし、異なっていてもよい。   The length in the X direction of the light emitting region of the subpixel 110G and the subpixel 110R is the width d1, and the length in the X direction of the light emitting region of the subpixel 110B is a width d3 larger than the width d1. The length in the Y direction of the light emitting region of the subpixel 110G and the subpixel 110R is the width d2, and the length in the Y direction of the light emitting region of the subpixel 110B is the width d4. The lengths in the Y direction of the width d2 and the width d4 may be the same or different.

画素Pにおいて、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対してY方向にサブ画素110Bが並んで配置されている。画素P内において、Y方向に並んだサブ画素110G及びサブ画素110Rとサブ画素110Bとの間の領域、つまり間隔d6に、サブ画素110Gに係る画素コンタクト領域CH12と、サブ画素110Rに係る画素コンタクト領域CH13とが設けられている。また、Y方向に隣り合う画素Pとしての画素P1と画素P3とにおいて、Y方向に並んだサブ画素110G及びサブ画素110Rとサブ画素110Bとの間の領域、つまり間隔d8に、サブ画素110Bに係る画素コンタクト領域CH14が設けられている。この場合、間隔d6と間隔d8とのY方向の長さは同じである。   In the pixel P, the sub pixel 110B is arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110G and the sub pixel 110R. In the pixel P, the pixel contact region CH12 related to the sub pixel 110G and the pixel contact related to the sub pixel 110R are arranged in the Y direction in the region between the sub pixel 110G and the sub pixel 110R and the sub pixel 110B, that is, the interval d6. A region CH13 is provided. Further, in the pixel P1 and the pixel P3 as the pixels P adjacent in the Y direction, the sub pixel 110B is arranged in the region between the sub pixel 110G and the sub pixel 110R and the sub pixel 110B arranged in the Y direction, that is, in the interval d8. Such a pixel contact region CH14 is provided. In this case, the distance d6 and the distance d8 have the same length in the Y direction.

本実施形態では、画素P1における、サブ画素110Gが本発明の第1サブ画素の一例であり、サブ画素110Rが本発明の第2サブ画素の一例である。また、X方向において画素P1に隣り合う画素P2における、サブ画素110Gが本発明の第3サブ画素の一例であり、サブ画素110Rが本発明の第4サブ画素の一例である。また、Y方向に隣り合う画素P1と画素P3とにおいて、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対してY方向に並ぶサブ画素110Bが本発明の第5サブ画素の一例である。また、Y方向に隣り合う画素P2と画素P4とにおいて、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対してY方向に並ぶサブ画素110Bが本発明の第6サブ画素の一例である。よって、画素P1において画素コンタクト領域CH12及び画素コンタクト領域CH13が設けられた領域(間隔d6)が本発明の第5の領域の一例であり、画素P3において画素コンタクト領域CH14が設けられた領域(間隔d8)が本発明の第6の領域の一例である。画素P2における画素コンタクト領域CH12及び画素コンタクト領域CH13が設けられた領域(間隔d6)が本発明の第7の領域の一例であり、画素P4において画素コンタクト領域CH14が設けられた領域(間隔d8)が本発明の第8の領域の一例である。また、画素P1において、X方向に隣り合うサブ画素110Gとサブ画素110Rとの間の領域が第1の領域の一例であり、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、サブ画素110Rとサブ画素110Gとの間の領域が本発明の第2の領域の一例であり、画素P2においてX方向に隣り合うサブ画素110Gとサブ画素110Rとの間の領域が本発明の第3の領域の一例である。画素P2においてサブ画素110Rに対してX方向における第3の領域と反対側のサブ画素間の領域が本発明の第4の領域の一例である。   In the present embodiment, in the pixel P1, the sub pixel 110G is an example of the first sub pixel of the present invention, and the sub pixel 110R is an example of the second sub pixel of the present invention. In the pixel P2 adjacent to the pixel P1 in the X direction, the sub pixel 110G is an example of the third sub pixel of the present invention, and the sub pixel 110R is an example of the fourth sub pixel of the present invention. Further, in the pixel P1 and the pixel P3 adjacent in the Y direction, the sub pixel 110B arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110G and the sub pixel 110R is an example of the fifth sub pixel of the present invention. In the pixel P2 and the pixel P4 adjacent in the Y direction, the sub pixel 110B arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110G and the sub pixel 110R is an example of the sixth sub pixel of the present invention. Therefore, the region (distance d6) where the pixel contact region CH12 and the pixel contact region CH13 are provided in the pixel P1 is an example of the fifth region of the present invention, and the region (interval) where the pixel contact region CH14 is provided in the pixel P3. d8) is an example of the sixth region of the present invention. The region (distance d6) in which the pixel contact region CH12 and the pixel contact region CH13 are provided in the pixel P2 is an example of the seventh region of the present invention, and the region (distance d8) in which the pixel contact region CH14 is provided in the pixel P4. Is an example of the eighth region of the present invention. In the pixel P1, a region between the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R adjacent in the X direction is an example of a first region. In the pixel P1 and the pixel P2 adjacent in the X direction, the sub-pixel 110R and The area between the sub-pixel 110G is an example of the second area of the present invention, and the area between the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R adjacent in the X direction in the pixel P2 is the third area of the present invention. It is an example. In the pixel P2, the area between the sub-pixels opposite to the third area in the X direction with respect to the sub-pixel 110R is an example of the fourth area of the present invention.

上記第3実施形態によれば、上記第1実施形態の効果(3)、(4)に加えて、以下の効果が得られる。
(6)Y方向に隣り合う画素P1と画素P3とにおいて、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH12、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH14、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH12、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH14がこの順にY方向に配置される。同様に、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH13、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH14、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH13、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH14がこの順にY方向に配置される。画素コンタクト領域CH12,CH13のY方向の長さである間隔d6と、画素コンタクト領域CH14のY方向の長さである間隔d8とが同じであることから、上記第1実施形態で述べたように、図12の分光特性によれば、混色が生ずる異なる色のサブ画素110Bの発光領域とサブ画素110Gの発光領域とがY方向に等間隔で配置される。また、混色が生じ難いものの異なる色のサブ画素110Bの発光領域とサブ画素110Rの発光領域とがY方向に等間隔で配置される。すなわち、Y方向の視野角に起因する色ずれが低減された電気光学装置を提供できる。
According to the third embodiment, in addition to the effects (3) and (4) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(6) In the pixel P1 and the pixel P3 adjacent in the Y direction, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH12, the sub pixel 110B, the pixel contact region CH14, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH12, the sub pixel 110B, and the pixel contact region CH14 is arranged in the Y direction in this order. Similarly, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH13, the sub pixel 110B, the pixel contact region CH14, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH13, the sub pixel 110B, and the pixel contact region CH14 are arranged in this order in the Y direction. Since the interval d6 that is the length in the Y direction of the pixel contact regions CH12 and CH13 is the same as the interval d8 that is the length in the Y direction of the pixel contact region CH14, as described in the first embodiment. According to the spectral characteristics of FIG. 12, the light emitting areas of the sub-pixels 110B and the sub-pixels 110G having different colors that cause color mixing are arranged at equal intervals in the Y direction. In addition, although it is difficult for color mixing to occur, the light emission regions of the sub-pixels 110B and the light emission regions of the sub-pixels 110R of different colors are arranged at equal intervals in the Y direction. That is, it is possible to provide an electro-optical device in which color misregistration due to the viewing angle in the Y direction is reduced.

なお、上記第1実施形態と同様に、X方向の視野角に起因する色ずれを低減する観点から、サブ画素110Gとサブ画素110Rとの配置に係る間隔d5と、サブ画素110Bの配置に係る間隔d7とを同じ長さとすることがさらに好ましい。   As in the first embodiment, from the viewpoint of reducing color misregistration caused by the viewing angle in the X direction, the distance d5 related to the arrangement of the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R and the arrangement of the sub-pixel 110B are related. More preferably, the distance d7 is the same length.

(第4実施形態)
図16は、第4実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図16に示すように、第4実施形態は、上記第1実施形態に対して表示単位としての画素Pにおける異なる色のサブ画素SPの数を3色から4色に増やしたものである。また、図16に示すサブ画素110B,110G,110R,110Yのそれぞれは、発光領域を示すものである。
具体的には、画素Pにおいて、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH15、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH16がこの順にX方向に並んで配置されている。また、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH17、黄色(Y)のサブ画素110Y、画素コンタクト領域CH18がこの順にX方向に並んで配置されている。サブ画素110Bに対してY方向にサブ画素110Gが並んで配置され、サブ画素110Yに対してY方向にサブ画素110Rが並んで配置されている。なお、青(B)、緑(G)、赤(R)以外に増やす色は、黄色(Y)に限定されるものではなく、他の中間色が選択されてもよい。
(Fourth embodiment)
FIG. 16 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in the electro-optical device according to the fourth embodiment.
As shown in FIG. 16, in the fourth embodiment, the number of sub-pixels SP of different colors in the pixel P as a display unit is increased from three colors to four colors in the first embodiment. Further, each of the sub-pixels 110B, 110G, 110R, and 110Y shown in FIG. 16 indicates a light emitting region.
Specifically, in the pixel P, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH15, the sub pixel 110R, and the pixel contact region CH16 are arranged in this order in the X direction. Further, the sub-pixel 110B, the pixel contact region CH17, the yellow (Y) sub-pixel 110Y, and the pixel contact region CH18 are arranged in this order in the X direction. A sub pixel 110G is arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110B, and a sub pixel 110R is arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110Y. Note that the color to be increased other than blue (B), green (G), and red (R) is not limited to yellow (Y), and other intermediate colors may be selected.

サブ画素110G、サブ画素110R、サブ画素110B、サブ画素110Yの発光領域のX方向の長さである幅d1は皆同じである。サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のY方向の長さは幅d2であり、サブ画素110B及びサブ画素110Yの発光領域のY方向の長さは幅d4である。幅d2と幅d4とは同じ長さであってもよいし、異なっていてもよい。   The widths d1 that are the lengths in the X direction of the light emitting regions of the subpixel 110G, the subpixel 110R, the subpixel 110B, and the subpixel 110Y are all the same. The length in the Y direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is the width d2, and the length in the Y direction of the light emitting regions of the subpixel 110B and the subpixel 110Y is the width d4. The width d2 and the width d4 may be the same length or may be different.

画素コンタクト領域CH15,CH16,CH17,CH18のX方向の長さである間隔d5は皆同じ長さである。   The interval d5 that is the length in the X direction of the pixel contact regions CH15, CH16, CH17, and CH18 is the same length.

画素P内のY方向における、サブ画素110Bとサブ画素110Gとの間の長さと、サブ画素110Yとサブ画素110Rとの間の長さとは、共に間隔d6であって同じ長さである。つまり、画素P内のY方向における、異なる色のサブ画素SPの発光領域間の長さは間隔d6である。同様な考え方によれば、Y方向に隣り合う画素Pにおける、異なる色のサブ画素SPの発光領域間の長さは間隔d8である。Y方向の間隔d6と間隔d8とは同じ長さであっても、異なる長さであってもよい。   The length between the sub-pixel 110B and the sub-pixel 110G and the length between the sub-pixel 110Y and the sub-pixel 110R in the Y direction in the pixel P are both the same length with the interval d6. That is, the length between the light emitting regions of the sub-pixels SP of different colors in the Y direction in the pixel P is the interval d6. According to the same concept, the length between the light emitting regions of the sub-pixels SP of different colors in the pixel P adjacent in the Y direction is the interval d8. The distance d6 and the distance d8 in the Y direction may be the same length or different lengths.

つまり、本実施形態では、X方向に隣り合う画素Pとしての画素P1と画素P2とにおいて、4つの異なる色のサブ画素SPの発光領域が、X方向に等間隔で配置されている。また、本実施形態におけるサブ画素110Gが本発明の他の適用例における第1サブ画素の一例であり、同じく、サブ画素110Rが第2サブ画素の一例であり、サブ画素110Bが第3サブ画素の一例であり、サブ画素110Yが第4サブ画素の一例である。   In other words, in the present embodiment, in the pixel P1 and the pixel P2 as the pixels P adjacent to each other in the X direction, the light emitting areas of four different color sub-pixels SP are arranged at equal intervals in the X direction. In addition, the sub pixel 110G in the present embodiment is an example of the first sub pixel in another application example of the present invention, and similarly, the sub pixel 110R is an example of the second sub pixel, and the sub pixel 110B is the third sub pixel. The sub pixel 110Y is an example of a fourth sub pixel.

上記第4実施形態によれば、上記第1実施形態の効果(3)、(4)に加えて、以下の効果が得られる。
(7)X方向に隣り合う画素Pとしての画素P1と画素P2とにおいて、4つの異なる色のサブ画素SPの発光領域が、X方向に等間隔で配置されている。したがって、X方向の視野角に起因する色ずれが低減されると共に、黄色(Y)のサブ画素110Yを増やしたことで、より優れた色表現が可能な電気光学装置を提供することができる。
According to the fourth embodiment, in addition to the effects (3) and (4) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(7) In the pixel P1 and the pixel P2 as the pixels P adjacent to each other in the X direction, the light emitting areas of four different color sub-pixels SP are arranged at equal intervals in the X direction. Therefore, the color shift due to the viewing angle in the X direction is reduced, and an electro-optical device capable of more excellent color expression can be provided by increasing the number of yellow (Y) sub-pixels 110Y.

なお、上記第3実施形態と同様に、Y方向の視野角に起因する色ずれを低減する観点から、同一の画素P内におけるサブ画素110Gの発光領域とサブ画素110Bの発光領域との配置に係る間隔d6と、Y方向に隣り合う画素Pにおけるサブ画素110Bの発光領域とサブ画素110Gの発光領域との配置に係る間隔d8とを同じ長さとすることがさらに好ましい。   As in the third embodiment, from the viewpoint of reducing the color shift caused by the viewing angle in the Y direction, the arrangement of the light emitting region of the subpixel 110G and the light emitting region of the subpixel 110B in the same pixel P is arranged. It is more preferable that the interval d6 and the interval d8 related to the arrangement of the light emitting region of the subpixel 110B and the light emitting region of the subpixel 110G in the pixel P adjacent in the Y direction have the same length.

(第5実施形態)
図17は、第5実施形態の電気光学装置におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。
図17に示すように、第5実施形態は、第4実施形態と同様に、表示単位としての画素Pにおける異なる色のサブ画素SPの数を3色から4色に増やしたものであるが、第4実施形態に対して異なる色のサブ画素SPの配置を異ならせたものである。また、図17に示すサブ画素110B,110G,110R,110Yのそれぞれは、発光領域を示すものである。
具体的には、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH15、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH16、サブ画素110R、画素コンタクト領域CH16、サブ画素110G、画素コンタクト領域CH15がこの順にX方向に並んで配置されている。また、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH17、サブ画素110Y、画素コンタクト領域CH18、サブ画素110Y、画素コンタクト領域CH18、サブ画素110B、画素コンタクト領域CH17がこの順にX方向に並んで配置されている。サブ画素110Bに対してY方向にサブ画素110Gが並んで配置され、サブ画素110Yに対してY方向にサブ画素110Rが並んで配置されている。
(Fifth embodiment)
FIG. 17 is a schematic plan view illustrating an arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in the electro-optical device according to the fifth embodiment.
As shown in FIG. 17, in the fifth embodiment, as in the fourth embodiment, the number of sub-pixels SP of different colors in the pixel P as a display unit is increased from three colors to four colors. The arrangement of sub-pixels SP of different colors is different from that of the fourth embodiment. Further, each of the sub-pixels 110B, 110G, 110R, and 110Y shown in FIG. 17 represents a light emitting region.
Specifically, in the pixel P1 and the pixel P2 adjacent in the X direction, the sub pixel 110G, the pixel contact region CH15, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH16, the sub pixel 110R, the pixel contact region CH16, the sub pixel 110G, the pixel Contact regions CH15 are arranged in this order in the X direction. Further, the sub-pixel 110B, the pixel contact region CH17, the sub-pixel 110Y, the pixel contact region CH18, the sub-pixel 110Y, the pixel contact region CH18, the sub-pixel 110B, and the pixel contact region CH17 are arranged in this order in the X direction. A sub pixel 110G is arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110B, and a sub pixel 110R is arranged in the Y direction with respect to the sub pixel 110Y.

本実施形態では、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、画素コンタクト領域CH16を挟んで同色のサブ画素110Rが配置されている。同様に、画素コンタクト領域CH18を挟んで同色のサブ画素110Yが配置されている。つまり、X方向に隣り合う画素Pにおいて、同色のサブ画素SPが当該サブ画素の画素コンタクト領域を挟んで配置された構成となる。   In the present embodiment, the sub-pixels 110R of the same color are arranged across the pixel contact region CH16 in the pixels P1 and P2 adjacent in the X direction. Similarly, sub-pixels 110Y of the same color are arranged with the pixel contact region CH18 interposed therebetween. That is, in the pixel P adjacent in the X direction, the sub-pixel SP of the same color is arranged with the pixel contact region of the sub-pixel interposed therebetween.

上記第5実施形態によれば、上記第1実施形態の効果(3)、(4)に加えて、以下の効果が得られる。
(8)X方向に同色のサブ画素SPが当該サブ画素SPの画素コンタクト領域を挟んで配置される。すなわち、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、異なる色のサブ画素SPが、画素コンタクト領域CH16,CH18を基準として線対称に配置されていることになる。したがって、上記第4実施形態に対して、サブ画素SPの発光領域のX方向の配置における色の対称性が実現され、X方向に異なる色のサブ画素SPが隣り合って配置される確率が低下することから、X方向の視野角に起因する色ずれをさらに抑制することができる。
According to the fifth embodiment, in addition to the effects (3) and (4) of the first embodiment, the following effects can be obtained.
(8) The subpixels SP of the same color are arranged in the X direction with the pixel contact region of the subpixel SP interposed therebetween. That is, in the pixels P1 and P2 adjacent in the X direction, the sub-pixels SP of different colors are arranged symmetrically with respect to the pixel contact regions CH16 and CH18. Therefore, with respect to the fourth embodiment, the color symmetry in the arrangement in the X direction of the light emitting region of the subpixel SP is realized, and the probability that the subpixels SP having different colors are arranged adjacent to each other in the X direction is reduced. As a result, the color shift caused by the viewing angle in the X direction can be further suppressed.

次に、異なる色のサブ画素SPの発光領域の大きさと配置とに係るより具体的な実施例と比較例とを挙げて、実施例における視野角に起因する色ずれの低減効果について説明する。   Next, the effect of reducing the color misregistration caused by the viewing angle in the embodiment will be described by giving more specific examples and comparative examples related to the size and arrangement of the light emitting areas of the sub-pixels SP of different colors.

(実施例1)
実施例1における異なる色のサブ画素SPの配置は、図11に示した上記第1実施形態であって、各サブ画素SPに係る寸法は、以下の通りである。
サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のX方向の幅d1は、2.5μmである。
サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のY方向の幅d2は、3.4μmである。
サブ画素110Bの発光領域のX方向の幅d3は、6.25μmである。
サブ画素110Bの発光領域のY方向の幅d4は、2.7μmである。
画素コンタクト領域CH9,CH10,CH11のX方向の間隔d5(間隔d7)は、1.25μmである。
Y方向におけるサブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域とサブ画素110Bの発光領域との間隔d6及び間隔d8は同じであって、0.7μmである。
Example 1
The arrangement of the sub-pixels SP of different colors in Example 1 is the first embodiment shown in FIG. 11, and the dimensions related to each sub-pixel SP are as follows.
The width d1 in the X direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is 2.5 μm.
The width d2 in the Y direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is 3.4 μm.
The width d3 in the X direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 6.25 μm.
The width d4 in the Y direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 2.7 μm.
An interval d5 (interval d7) in the X direction between the pixel contact regions CH9, CH10, and CH11 is 1.25 μm.
The intervals d6 and d8 between the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R and the light emitting region of the subpixel 110B in the Y direction are the same and are 0.7 μm.

(実施例2)
実施例2における異なる色のサブ画素SPの配置は、図15に示した上記第3実施形態であって、各サブ画素SPに係る寸法は、以下の通りである。
サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のX方向の幅d1は、3.05μmである。
サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のY方向の幅d2は、2.65μmである。
サブ画素110Bの発光領域のX方向の幅d3は、6.8μmである。
サブ画素110Bの発光領域のY方向の幅d4は、2.35μmである。
X方向に隣り合うサブ画素110Gの発光領域とサブ画素110Rの発光領域との間の領域のX方向の長さである間隔d5は、0.7μmである。同じく、X方向に隣り合うサブ画素110Bの発光領域間のX方向の長さである間隔d7は、0.7μmである。
画素コンタクト領域CH12,CH13,CH14のY方向の長さである間隔d6(間隔d8)は、1.25μmである。
(Example 2)
The arrangement of sub-pixels SP of different colors in Example 2 is the third embodiment shown in FIG. 15, and the dimensions relating to each sub-pixel SP are as follows.
The width d1 in the X direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is 3.05 μm.
The width d2 in the Y direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is 2.65 μm.
The width d3 in the X direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 6.8 μm.
The width d4 in the Y direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 2.35 μm.
An interval d5 that is the length in the X direction of the region between the light emitting region of the subpixel 110G adjacent to the X direction and the light emitting region of the subpixel 110R is 0.7 μm. Similarly, the distance d7, which is the length in the X direction between the light emitting regions of the sub-pixels 110B adjacent in the X direction, is 0.7 μm.
An interval d6 (interval d8) that is a length in the Y direction of the pixel contact regions CH12, CH13, and CH14 is 1.25 μm.

(比較例1)
図18は、比較例1における異なる色のサブ画素SPと画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。なお、図18に示すサブ画素110B,110G,110Rのそれぞれは、発光領域を示すものである。図18に示すように、比較例1では、表示単位である画素Pにおいて、X方向にサブ画素110Gとサブ画素110Rとが並んで配置され、サブ画素110G及びサブ画素110Rに対してY方向にサブ画素110Bが並んで配置された構成となっている。異なる色のサブ画素SPの配置だけを見れば、上記第1実施形態と同じだが、サブ画素110B、サブ画素110G、サブ画素110Rに係る3つのコンタクトホールCH19,CH20,CH21は、Y方向に配列するサブ画素110G及びサブ画素110Rとサブ画素110Bとの間の領域に配置されている。つまり、画素コンタクト領域CH19,CH20,CH21のY方向の長さが間隔d6である。
比較例1の各サブ画素SPに係る寸法は以下の通りである。
サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のX方向の幅d1は、3.05μmである。
サブ画素110G及びサブ画素110Rの発光領域のY方向の幅d2は、2.9μmである。
サブ画素110Bの発光領域のX方向の幅d3は、6.8μmである。
サブ画素110Bの発光領域のY方向の幅d4は、2.65μmである。
X方向に隣り合うサブ画素110Gの発光領域とサブ画素110Rの発光領域との間の領域のX方向の長さである間隔d5は、0.7μmである。同じく、X方向に隣り合うサブ画素110Bの発光領域間のX方向の長さである間隔d7は、0.7μmである。
画素コンタクト領域CH19,CH20,CH21のY方向の長さである間隔d6は、1.25μmである。また、コンタクトホールCH19,CH20,CH21が設けられていない、Y方向に配列するサブ画素110G及びサブ画素110Rとサブ画素110Bとの間の領域のY方向の長さつまり間隔d8は、0.7μmである。
(Comparative Example 1)
FIG. 18 is a schematic plan view showing the arrangement of sub-pixels SP and pixel contact regions of different colors in Comparative Example 1. Note that each of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R illustrated in FIG. 18 indicates a light emitting region. As shown in FIG. 18, in the comparative example 1, in the pixel P which is a display unit, the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R are arranged side by side in the X direction, and in the Y direction with respect to the sub pixel 110G and the sub pixel 110R. The sub-pixels 110B are arranged side by side. If only the arrangement of the sub-pixels SP of different colors is seen, the three contact holes CH19, CH20, and CH21 related to the sub-pixel 110B, the sub-pixel 110G, and the sub-pixel 110R are arranged in the Y direction. The sub pixel 110G and the sub pixel 110R are arranged in a region between the sub pixel 110B. That is, the length in the Y direction of the pixel contact regions CH19, CH20, and CH21 is the interval d6.
The dimensions related to each sub-pixel SP of Comparative Example 1 are as follows.
The width d1 in the X direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is 3.05 μm.
The width d2 in the Y direction of the light emitting regions of the subpixel 110G and the subpixel 110R is 2.9 μm.
The width d3 in the X direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 6.8 μm.
The width d4 in the Y direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 2.65 μm.
An interval d5 that is the length in the X direction of the region between the light emitting region of the subpixel 110G adjacent to the X direction and the light emitting region of the subpixel 110R is 0.7 μm. Similarly, the distance d7, which is the length in the X direction between the light emitting regions of the sub-pixels 110B adjacent in the X direction, is 0.7 μm.
The distance d6, which is the length in the Y direction of the pixel contact regions CH19, CH20, CH21, is 1.25 μm. Further, the length in the Y direction, that is, the distance d8, of the region between the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R and the sub-pixel 110B arranged in the Y direction, in which the contact holes CH19, CH20, and CH21 are not provided, is 0.7 μm. It is.

(比較例2)
図19は、比較例2の異なる色のサブ画素SPと画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。なお、図19に示すサブ画素110B,110G,110Rのそれぞれは、発光領域を示すものである。図19に示すように、比較例2では、表示単位である画素Pにおいて、Y方向にサブ画素110B、サブ画素110G、サブ画素110Rがこの順に並んで配置されている。X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、X方向にサブ画素110Bと、画素コンタクト領域CH24とがこの順に並んで配置され、X方向にサブ画素110Gと、画素コンタクト領域CH23とがこの順に並んで配置され、X方向にサブ画素110Rと、画素コンタクト領域CH22とがこの順に並んで配置されている。このような異なる色のサブ画素SPの配置は、横ストライプ方式と呼ばれている。
比較例2の各サブ画素SPに係る寸法は、以下の通りである。
サブ画素110B及びサブ画素110G並びにサブ画素110Rの発光領域のX方向の幅d11は、6.25μmである。
サブ画素110Rの発光領域のY方向の幅d12は、1.37μmである。
サブ画素110Gの発光領域のY方向の幅d13は、幅d12と同じであって1.37μmである。
サブ画素110Bの発光領域のY方向の幅d14は、2.66μmである。
画素コンタクト領域CH22,CH23,CH24のX方向の間隔d15は、1.25μmである。
Y方向における異なる色のサブ画素SPの間隔d16、間隔d17、間隔d18は、いずれも同じであって、0.7μmである。
(Comparative Example 2)
FIG. 19 is a schematic plan view showing the arrangement of sub-pixels SP and pixel contact regions of different colors in Comparative Example 2. Note that each of the sub-pixels 110B, 110G, and 110R illustrated in FIG. 19 indicates a light emitting region. As shown in FIG. 19, in the comparative example 2, in the pixel P which is a display unit, the sub-pixel 110B, the sub-pixel 110G, and the sub-pixel 110R are arranged in this order in the Y direction. In the pixel P1 and the pixel P2 adjacent to each other in the X direction, the sub pixel 110B and the pixel contact region CH24 are arranged in this order in the X direction, and the sub pixel 110G and the pixel contact region CH23 are arranged in this order in the X direction. The sub-pixel 110R and the pixel contact region CH22 are arranged in this order in the X direction. Such an arrangement of sub-pixels SP of different colors is called a horizontal stripe method.
The dimensions related to each sub-pixel SP of Comparative Example 2 are as follows.
The width d11 in the X direction of the light emitting regions of the subpixel 110B, the subpixel 110G, and the subpixel 110R is 6.25 μm.
The width d12 in the Y direction of the light emitting region of the sub-pixel 110R is 1.37 μm.
The width d13 in the Y direction of the light emitting region of the sub-pixel 110G is the same as the width d12 and is 1.37 μm.
The width d14 in the Y direction of the light emitting region of the sub-pixel 110B is 2.66 μm.
An interval d15 in the X direction between the pixel contact regions CH22, CH23, and CH24 is 1.25 μm.
The intervals d16, d17, and d18 of the sub-pixels SP of different colors in the Y direction are all the same, and are 0.7 μm.

上記の実施例1、実施例2、比較例1、比較例2では、表示単位としての画素Pの大きさを同じとすると共に、サブ画素110Gとサブ画素110Rの発光面積を同じとし、サブ画素110Bの発光面積をサブ画素110Gのほぼ2倍の大きさとしている。   In the first embodiment, the second embodiment, the first comparative example, and the second comparative example, the size of the pixel P as a display unit is the same, and the light emitting areas of the subpixel 110G and the subpixel 110R are the same, The light emitting area of 110B is almost twice as large as that of the subpixel 110G.

<実施例、比較例の光学特性の評価>
図20は実施例及び比較例のX方向の輝度の視角特性を示すグラフ、図21は実施例及び比較例のY方向の輝度の視角特性を示すグラフ、図22は実施例及び比較例のX方向の色ずれの視角特性を示すグラフ、図23は実施例及び比較例のY方向の色ずれの視角特性を示すグラフである。
<Evaluation of optical characteristics of Examples and Comparative Examples>
20 is a graph showing the viewing angle characteristic of the luminance in the X direction of the example and the comparative example, FIG. 21 is a graph showing the viewing angle characteristic of the luminance in the Y direction of the example and the comparative example, and FIG. 22 is an X of the example and the comparative example. FIG. 23 is a graph showing the viewing angle characteristics of the color misregistration in the Y direction in the example and the comparative example.

光学特性の評価方法として、表示パネル101の表示領域101aのすべての画素Pを白色表示させた状態における、輝度の視角特性と、色ずれの視角特性とを光学シミュレーターを用いて求めた。輝度は、正面輝度を「1」として、法線方向に対する視角を±20度の範囲で変化させたときの値を求めている。色ずれは、白色表示したときの正面色度(CIE 1976 UCS系色度図による)に対して同じく法線方向に対する視角を±20度の範囲で変化させたときの色度のずれ量(Δu’v’)の値を求めている。   As an evaluation method of optical characteristics, luminance viewing angle characteristics and color misregistration viewing angle characteristics in a state where all the pixels P of the display area 101a of the display panel 101 are displayed in white were obtained using an optical simulator. The luminance is obtained when the front luminance is “1” and the viewing angle with respect to the normal direction is changed within a range of ± 20 degrees. The color misregistration is the amount of chromaticity deviation (Δu) when the viewing angle with respect to the normal direction is changed in a range of ± 20 degrees with respect to the front chromaticity when white display is performed (according to the CIE 1976 UCS system chromaticity diagram). The value of “v”) is obtained.

実施例及び比較例の電気光学装置は、後述する電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの表示部に用いることを前提として画素P(サブ画素SP)の構成と配置とを規定したものである。それゆえに、実施例及び比較例の評価では、±15度の視角範囲で、輝度の変化が正面に対して20%以内、色ずれ(Δu’v’)が0.02以下であることが好ましいとしている。   The electro-optical devices of the example and the comparative example define the configuration and arrangement of the pixels P (sub-pixels SP) on the assumption that they are used in a display unit of a head-mounted display as an electronic device to be described later. Therefore, in the evaluation of the example and the comparative example, it is preferable that the change in luminance is within 20% with respect to the front and the color shift (Δu′v ′) is 0.02 or less in the viewing angle range of ± 15 degrees. It is said.

図20に示すように、X方向の輝度の視角特性では、実施例1、実施例2、比較例1、比較例2ともに、輝度の変化が20%以内に収まっている。なお、実施例2の輝度の視角特性は、比較例1の輝度の視角特性とほぼ同じであり、図20では比較例1の方を表記した。一方で、Y方向の輝度の視角特性では、図21に示すように、実施例1、実施例2、比較例1は、輝度の変化が20%以内となっているものの、比較例2は輝度の変化が40%に及んでいる。これは、比較例2では、異なる色のサブ画素SPをY方向に順に並べて配置したことに起因していると考えられる。   As shown in FIG. 20, in the viewing angle characteristics of the luminance in the X direction, the change in luminance is within 20% in all of Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. Note that the luminance viewing angle characteristic of Example 2 is substantially the same as the luminance viewing angle characteristic of Comparative Example 1, and FIG. On the other hand, in the viewing angle characteristics of the luminance in the Y direction, as shown in FIG. 21, the luminance change in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1 is within 20%, but Comparative Example 2 is luminance. The change has reached 40%. This is considered to be due to the fact that in the second comparative example, the sub-pixels SP of different colors are arranged in order in the Y direction.

図22に示すように、X方向の色ずれの視角特性では、実施例1、実施例2、比較例1、比較例2ともに、±20度の範囲で色ずれの変化が0.02以内に収まっており、視角が+側になっても−側になっても変化の仕方は同じである。一方で、実施例1、実施例2、比較例1では、変化量が0.01以内となっているのに対して、比較例2の変化量が大きいことが分かる。これは、実施例1、実施例2、比較例1に対して比較例2は、X方向に隣り合う画素P1と画素P2とにおいて、X方向に同色のサブ画素SPが並んでおり、共振構造において、低視角になるほど光共振における光学的な距離が長くなり有機EL素子50から斜め方向に発する光の波長が長波長側にシフトすることで色ずれが生ずる影響を受け易くなっていると考えられる。   As shown in FIG. 22, in the viewing angle characteristics of the color misregistration in the X direction, the change in color misregistration is within 0.02 in the range of ± 20 degrees in each of Example 1, Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. The way of change is the same regardless of whether the viewing angle is on the + side or the-side. On the other hand, in Example 1, Example 2, and Comparative Example 1, the change amount is within 0.01, whereas the change amount of Comparative Example 2 is large. This is because the comparative example 2 is different from the first example, the second example, and the first comparative example in the pixel P1 and the pixel P2 that are adjacent to each other in the X direction. In this case, the lower the viewing angle, the longer the optical distance in optical resonance, and the wavelength of light emitted from the organic EL element 50 in the oblique direction is shifted to the longer wavelength side, so that it is easily affected by color shift. It is done.

一方で、Y方向の色ずれの視角特性では、図23に示すように、実施例1、実施例2は、±15度の範囲で色ずれの変化が0.015以内に収まっており、視角が+側になっても−側になっても変化の仕方は同じである。これに対して、比較例1、比較例2は、±15度の範囲で色ずれの変化が0.02以内に収まっているものの、視角が−側の色ずれの変化量が、視角が+側の色ずれの変化量よりも格段に大きいことが分かる。これは、実施例1及び実施例2に比べて、比較例1及び比較例2ではY方向における異なる色のサブ画素SPの発光領域の配置が等間隔でないことに起因していると考えられる。特に、比較例1では、画素コンタクト領域CH19,CH20,CH21が設けられた間隔d6の長さが、1.25μmであり、画素コンタクト領域CH19,CH20,CH21が設けられていない間隔d8の長さが0.7μmであることから、Y方向における間隔d6の長さと間隔d8の長さとが明らかに違う。   On the other hand, in the viewing angle characteristics of the color misregistration in the Y direction, as shown in FIG. 23, in Example 1 and Example 2, the color misregistration change is within 0.015 within a range of ± 15 degrees. The method of change is the same regardless of whether it is on the + side or-side. On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, the change in color shift is within 0.02 within a range of ± 15 degrees, but the amount of change in color shift on the minus side of the viewing angle is + It can be seen that the amount of change in the color shift on the side is much larger. This is considered to be caused by the fact that the arrangement of the light emitting regions of the sub-pixels SP of different colors in the Y direction is not equally spaced in the comparative example 1 and the comparative example 2 compared to the first and second examples. In particular, in Comparative Example 1, the length of the interval d6 in which the pixel contact regions CH19, CH20, and CH21 are provided is 1.25 μm, and the length of the interval d8 in which the pixel contact regions CH19, CH20, and CH21 are not provided. Is 0.7 μm, the length of the interval d6 in the Y direction is clearly different from the length of the interval d8.

実施例1及び実施例2は、X方向及びY方向において、異なる色のサブ画素SPの発光領域が等間隔に配置されていることから、隣り合って配置された異なる色のサブ画素SP間での混色の状態が視野角によって変化し難くなっている。つまり、視野角に起因する色ずれが低減されている。   In the first and second embodiments, the light emitting regions of the sub-pixels SP of different colors are arranged at equal intervals in the X direction and the Y direction, and therefore, between the sub-pixels SP of different colors arranged adjacent to each other. The state of color mixture of is difficult to change depending on the viewing angle. That is, the color shift caused by the viewing angle is reduced.

図24は、有機EL素子の発光部から着色層までの距離と色ずれとの関係を示すグラフである。具体的には、実施例1における有機EL素子50の発光部から着色層71までの距離df(図13参照)、つまり封止層60(図4及び図5参照)の膜厚はおよそ2.6μmであった。これを、1.6μmとしたときと、3.6μmとしたときのX方向の色ずれの視角特性を光学シミュレーションにより求めたものである。図24に示すように、有機EL素子50の発光部と着色層71との間の距離を縮めて行くと、共振構造の低視角における光学的な距離が長くなることに起因して斜め方向に発する光の波長が長波長側にシフトする影響を受けて色ずれの程度が大きくなると考えられる。これは、サブ画素SPごとの共振構造における発光の分光特性と着色層の分光特性とに関わることから、色ずれの許容範囲に応じて、有機EL素子50の発光部と着色層71との間の距離を設定することが好ましいと考えられる。また、封止層60の膜厚は信頼性品質に係るので、これも考慮する必要がある。   FIG. 24 is a graph showing the relationship between the distance from the light emitting portion of the organic EL element to the colored layer and the color shift. Specifically, the distance df (see FIG. 13) from the light emitting portion of the organic EL element 50 to the colored layer 71 in Example 1, that is, the film thickness of the sealing layer 60 (see FIGS. 4 and 5) is about 2. It was 6 μm. The viewing angle characteristics of the color misregistration in the X direction when this is 1.6 μm and 3.6 μm are obtained by optical simulation. As shown in FIG. 24, when the distance between the light emitting portion of the organic EL element 50 and the colored layer 71 is reduced, the optical distance at the low viewing angle of the resonance structure becomes longer, resulting in an oblique direction. It is considered that the degree of color misregistration is increased under the influence of the shift of the wavelength of emitted light toward the longer wavelength side. This is related to the spectral characteristics of light emission and the spectral characteristics of the colored layer in the resonance structure for each subpixel SP, and therefore, between the light emitting portion of the organic EL element 50 and the colored layer 71 according to the allowable range of color misregistration. It is considered preferable to set the distance. Further, since the film thickness of the sealing layer 60 relates to the reliability quality, it is necessary to consider this as well.

図25は、画素コンタクト領域の幅と色ずれとの関係を示すグラフである。具体的には、実施例1におけるX方向の画素コンタクト領域の長さである間隔d5は、1.25μmであった。これを0.75μmとしたときと、1.75μmとしたときのX方向の色ずれの視角特性を光学シミュレーションにより求めたものである。図25に示すように、画素コンタクト領域の間隔d5の長さを縮めて行くと、色ずれの程度はやや改善される。これは、画素コンタクト領域の間隔d5の長さを縮めることで、サブ画素110Gやサブ画素110RのX方向の長さを長くして、実質的に発光領域の面積を大きくしたことから、色ずれの相対的な影響度が変化しているものと考えられる。すなわち、画素Pの面積に対するサブ画素SPの発光領域の面積すなわち開口率が色ずれに関わることを示すものである。よって、サブ画素SPの開口率に応じて画素コンタクト領域の大きさを設定することが好ましいと考えられる。   FIG. 25 is a graph showing the relationship between the width of the pixel contact region and the color shift. Specifically, the distance d5 that is the length of the pixel contact region in the X direction in Example 1 was 1.25 μm. The visual angle characteristics of the color shift in the X direction when this is 0.75 μm and 1.75 μm are obtained by optical simulation. As shown in FIG. 25, when the distance d5 between the pixel contact regions is reduced, the degree of color shift is slightly improved. This is because the length of the sub-pixel 110G and the sub-pixel 110R in the X direction is increased and the area of the light-emitting region is substantially increased by shortening the distance d5 of the pixel contact region. It is considered that the relative impact of changes. That is, the area of the light emitting region of the sub-pixel SP relative to the area of the pixel P, that is, the aperture ratio is related to the color shift. Therefore, it is considered preferable to set the size of the pixel contact region according to the aperture ratio of the subpixel SP.

(第6実施形態)
<電子機器>
次に、上記実施形態の電気光学装置が適用される電子機器の一例について、図26を参照して説明する。図26は電子機器としてのヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図である。
(Sixth embodiment)
<Electronic equipment>
Next, an example of an electronic apparatus to which the electro-optical device of the above embodiment is applied will be described with reference to FIG. FIG. 26 is a schematic diagram showing a configuration of a head mounted display as an electronic apparatus.

図26に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ(Head Mount Display;HMD)1000は、左右の眼に対応して情報を表示するための一対の光学ユニット1001L,1001Rと、一対の光学ユニット1001L,1001Rを使用者の頭部に装着するための装着部(図示省略)と、電源部及び制御部(図示省略)などを有している。ここで、一対の光学ユニット1001L,1001Rは左右対称な構成であるため、右眼用の光学ユニット1001Rを例として説明する。   As shown in FIG. 26, a head mounted display (HMD) 1000 as an electronic apparatus of the present embodiment includes a pair of optical units 1001L and 1001R for displaying information corresponding to the left and right eyes, A mounting unit (not shown) for mounting the pair of optical units 1001L and 1001R on the user's head, a power supply unit, a control unit (not shown), and the like are provided. Here, since the pair of optical units 1001L and 1001R have a bilaterally symmetric configuration, the optical unit 1001R for the right eye will be described as an example.

光学ユニット1001Rは、上記実施形態の電気光学装置100が適用された表示部100Rと、集光光学系1002と、L字状に折れ曲がった導光体1003とを備えている。導光体1003にはハーフミラー層1004が設けられている。光学ユニット1001Rにおいて、表示部100Rから射出された表示光は、集光光学系1002によって導光体1003に入射し、ハーフミラー層1004で反射して右眼に導かれる。ハーフミラー層1004に投影された表示光(映像)は虚像である。したがって、使用者は、表示部100Rによる表示(虚像)とハーフミラー層1004の先にある外界の双方を視認することができる。つまり、HMD1000は、透過型(シースルー型)の投射型表示装置である。   The optical unit 1001R includes a display unit 100R to which the electro-optical device 100 of the above embodiment is applied, a condensing optical system 1002, and a light guide body 1003 bent in an L shape. The light guide body 1003 is provided with a half mirror layer 1004. In the optical unit 1001R, the display light emitted from the display unit 100R is incident on the light guide 1003 by the condensing optical system 1002, reflected by the half mirror layer 1004, and guided to the right eye. The display light (video) projected on the half mirror layer 1004 is a virtual image. Therefore, the user can visually recognize both the display (virtual image) by the display unit 100R and the outside world beyond the half mirror layer 1004. That is, the HMD 1000 is a transmissive (see-through) projection display device.

導光体1003はロッドレンズを組み合わせたものであって、ロッドインテグレーターを形成している。導光体1003の光の入射側に、集光光学系1002と表示部100Rとが配置され、集光光学系1002により集光された表示光を、上記ロッドレンズが受光する構成となっている。また、導光体1003のハーフミラー層1004は、集光光学系1002で集光され、ロッドレンズ内で全反射して伝達される光束を、右眼に向って反射する角度を有している。   The light guide 1003 is a combination of rod lenses and forms a rod integrator. A condensing optical system 1002 and a display unit 100R are arranged on the light incident side of the light guide 1003, and the rod lens receives display light condensed by the condensing optical system 1002. . Further, the half mirror layer 1004 of the light guide body 1003 has an angle at which the light beam collected by the condensing optical system 1002 and totally transmitted in the rod lens is reflected toward the right eye. .

表示部100Rは、制御部から伝送された表示信号を、文字や映像などの画像情報として表示することができる。表示された画像情報は、集光光学系1002によって実像から虚像に変換される。   The display unit 100R can display the display signal transmitted from the control unit as image information such as characters and video. The displayed image information is converted from a real image to a virtual image by the condensing optical system 1002.

なお、上述した通り、左眼用の光学ユニット1001Lについても、上記実施形態の電気光学装置100が適用された表示部100Lを有し、構成及び機能は上記右眼用の光学ユニット1001Rと同じである。   As described above, the optical unit 1001L for the left eye also includes the display unit 100L to which the electro-optical device 100 of the above embodiment is applied, and the configuration and function are the same as those of the optical unit 1001R for the right eye. is there.

本実施形態によれば、表示部100L,100Rとして上記実施形態の電気光学装置100が適用されているので、視野角に起因する色ずれが低減され、見栄えのよいカラー表示が可能なシースルー型のHMD1000を提供することができる。   According to the present embodiment, since the electro-optical device 100 of the above-described embodiment is applied as the display units 100L and 100R, the color shift due to the viewing angle is reduced, and a see-through type color display that can display a good-looking color is possible. An HMD 1000 can be provided.

特に、両眼で投影された表示光(画像)を確認する場合、使用者の左眼と右眼との間の距離は必ずしも一定ではないことから、左眼によって表示光を確認する視角範囲と、右眼によって表示光を確認する視角範囲とが、使用者によって異なることが考えられる。仮に、表示部100Lと表示部100Rとで視野角に起因する混色の状態が異なると、両眼で認識された表示光(画像)の色ずれによる違和感を感ずることになり、長時間に亘って装着したときに疲れやすくなる。本実施形態によれば、視野角に起因する色ずれが低減されているため、長時間に亘って装着しても画像認識において疲れ難いヘッドマウントディスプレイ1000を提供できる。   In particular, when confirming the display light (image) projected with both eyes, the distance between the left eye and the right eye of the user is not necessarily constant. The viewing angle range in which the display light is confirmed by the right eye may vary depending on the user. If the color mixing state due to the viewing angle is different between the display unit 100L and the display unit 100R, a sense of incongruity due to color misalignment of display light (image) recognized by both eyes will be felt, and over a long period of time. It becomes easy to get tired when wearing. According to the present embodiment, since the color misregistration due to the viewing angle is reduced, it is possible to provide the head mounted display 1000 that does not get tired in image recognition even when worn for a long time.

なお、上記実施形態の電気光学装置100が適用されるHMD1000は、両眼に対応した一対の光学ユニット1001L,1001Rを備える構成に限定されず、例えば、片方の光学ユニット1001Rを備える構成であってもよい。また、シースルー型に限定されず、外光を遮光した状態で表示を視認する没入型であってもよい。また、表示部100L,100Rには、上記他の実施形態の電気光学装置を適用してもよい。   The HMD 1000 to which the electro-optical device 100 of the above embodiment is applied is not limited to a configuration including a pair of optical units 1001L and 1001R corresponding to both eyes. For example, the HMD 1000 includes a single optical unit 1001R. Also good. Moreover, it is not limited to a see-through type, and may be an immersive type that visually recognizes a display in a state where external light is shielded. In addition, the electro-optical devices of the other embodiments may be applied to the display units 100L and 100R.

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made as appropriate without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. Electronic equipment to which the electro-optical device is applied is also included in the technical scope of the present invention. Various modifications other than the above embodiment are conceivable. Hereinafter, a modification will be described.

(変形例1)上記第1実施形態及び上記第3実施形態では、画素P内において、サブ画素110BのY方向の下側にサブ画素110G及びサブ画素110Rを配置したが、これに限定されず、サブ画素110BのY方向の上側にサブ画素110G及びサブ画素110Rを配置してもよい。また、X方向の左側にサブ画素110R、右側にサブ画素110Gを配置してもよい。さらに、X方向に並ぶサブ画素110Gとサブ画素110Rの発光面積を同じとしたが、これに限定されず、発光面積を異ならせてもよい。すなわち、少なくとも第1方向に隣り合うサブ画素SPを等間隔で配置し、異なる色のサブ画素SPにおける光学特性(分光特性)と、表示パネル101としての光学特性(例えば、輝度やホワイトバランス)とを考慮して、サブ画素SPの発光面積や配置を設定できる。   (Modification 1) In the first embodiment and the third embodiment, the sub pixel 110G and the sub pixel 110R are arranged in the pixel P on the lower side in the Y direction of the sub pixel 110B. However, the present invention is not limited to this. The sub pixel 110G and the sub pixel 110R may be arranged above the sub pixel 110B in the Y direction. Further, the sub pixel 110R may be disposed on the left side in the X direction, and the sub pixel 110G may be disposed on the right side. Further, although the light emission areas of the sub-pixels 110G and 110R arranged in the X direction are the same, the present invention is not limited to this, and the light emission areas may be different. That is, at least subpixels SP adjacent to each other in the first direction are arranged at equal intervals, optical characteristics (spectral characteristics) of subpixels SP of different colors, and optical characteristics (for example, luminance and white balance) as the display panel 101. In consideration of the above, the emission area and arrangement of the sub-pixel SP can be set.

また、上記各実施形態では、本発明の第1方向として、画素Pの配列における行方向(X方向)を例示したが、これに限定されるものではない。図27は変形例の画素におけるサブ画素と画素コンタクト領域との配置を示す概略平面図である。例えば、図27に示すように、本発明の第1方向は画素Pの配列における列方向(Y方向)であり、第1方向に交差する第2方向は画素Pの配列における行方向(X方向)であってもよい。画素P1は、Y方向に並んだ、第1サブ画素としてのサブ画素110B、第1の領域としての画素コンタクト領域CH10、第2サブ画素としてのサブ画素110R、第2の領域としての画素コンタクト領域CH9を有する。画素P1に対してY方向に隣り合う画素P2は、Y方向に並んだ、第3サブ画素としてのサブ画素110B、第3の領域としての画素コンタクト領域CH10、第4サブ画素としてのサブ画素110R、第4の領域としての画素コンタクト領域CH9を有する。   In each of the above embodiments, the row direction (X direction) in the arrangement of the pixels P is exemplified as the first direction of the present invention. However, the present invention is not limited to this. FIG. 27 is a schematic plan view showing the arrangement of sub-pixels and pixel contact regions in a pixel of a modified example. For example, as shown in FIG. 27, the first direction of the present invention is the column direction (Y direction) in the array of pixels P, and the second direction intersecting the first direction is the row direction (X direction) in the array of pixels P. ). The pixel P1 includes a sub pixel 110B as a first sub pixel, a pixel contact region CH10 as a first region, a sub pixel 110R as a second sub pixel, and a pixel contact region as a second region, which are arranged in the Y direction. It has CH9. The pixel P2 adjacent to the pixel P1 in the Y direction is arranged in the Y direction, the sub pixel 110B as the third sub pixel, the pixel contact region CH10 as the third region, and the sub pixel 110R as the fourth sub pixel. And a pixel contact region CH9 as a fourth region.

また、画素P1は、Y方向に並んだ、第5サブ画素としてのサブ画素110G、第5の領域としての画素コンタクト領域CH11を有する。画素P1において、サブ画素110Gは、サブ画素110B及びサブ画素110Rに対して、Y方向に交差するX方向に並んでいる。画素P1に対してY方向に隣り合う画素P2は、Y方向に並んだ、第6サブ画素としてのサブ画素110G、第6の領域としての画素コンタクト領域CH11を有する。画素P1と同様に、画素P2においても、サブ画素110Gは、サブ画素110B及びサブ画素110Rに対して、Y方向に交差するX方向に並んでいる。   The pixel P1 includes a sub-pixel 110G as a fifth sub-pixel and a pixel contact region CH11 as a fifth region, which are arranged in the Y direction. In the pixel P1, the sub pixel 110G is arranged in the X direction intersecting the Y direction with respect to the sub pixel 110B and the sub pixel 110R. The pixel P2 adjacent to the pixel P1 in the Y direction has a sub pixel 110G as a sixth sub pixel and a pixel contact region CH11 as a sixth region, which are arranged in the Y direction. Similarly to the pixel P1, also in the pixel P2, the sub-pixel 110G is arranged in the X direction intersecting the Y direction with respect to the sub-pixel 110B and the sub-pixel 110R.

サブ画素110B及びサブ画素110Rの発光領域のY方向の長さが幅d1であり、Y方向における画素コンタクト領域CH9,CH10の長さ、つまりY方向に隣り合う発光領域の間隔がd5である。サブ画素110Gの発光領域のY方向の長さは、サブ画素110Bの発光領域の幅d1のほぼ倍である。サブ画素110B及びサブ画素110Rの発光領域のX方向の長さが幅d2であり、サブ画素110Gの発光領域のX方向の長さが幅d4であり、幅d2と幅d4とは同じである。画素P内におけるサブ画素110Bとサブ画素110Gとの間のX方向の長さは間隔d6であり、X方向に隣り合う画素Pのサブ画素110Gとサブ画素110Bとの間のX方向の長さは間隔d8である。間隔d6と間隔d8とは同じである。すなわち、変形例のサブ画素の配置は、第1実施形態の図11に示したサブ画素の配置を面内において90度回転させたものであって、サブ画素110Bとサブ画素110Gとを入れ替えて、サブ画素110Gの発光領域の面積をサブ画素110Bの発光領域の面積よりも大きくしたものである。これにより、画素Pにおけるサブ画素SPの有機EL素子50の発光輝度のバランスと輝度寿命とを調整している。このような変形例の画素における異なる色のサブ画素SPの配置としても、行方向(X方向)及び列方向(Y方向)における視野角に起因する色ずれを低減できる。   The length in the Y direction of the light emitting regions of the subpixel 110B and the subpixel 110R is the width d1, and the length of the pixel contact regions CH9 and CH10 in the Y direction, that is, the interval between the light emitting regions adjacent in the Y direction is d5. The length in the Y direction of the light emitting region of the subpixel 110G is approximately twice the width d1 of the light emitting region of the subpixel 110B. The length in the X direction of the light emitting region of the subpixel 110B and the subpixel 110R is the width d2, the length in the X direction of the light emitting region of the subpixel 110G is the width d4, and the width d2 and the width d4 are the same. . The length in the X direction between the sub pixel 110B and the sub pixel 110G in the pixel P is the interval d6, and the length in the X direction between the sub pixel 110G and the sub pixel 110B of the pixel P adjacent in the X direction. Is the interval d8. The interval d6 and the interval d8 are the same. That is, the arrangement of the sub-pixels in the modification is obtained by rotating the sub-pixel arrangement shown in FIG. 11 of the first embodiment by 90 degrees in the plane, and the sub-pixels 110B and 110G are exchanged. The area of the light emitting region of the subpixel 110G is larger than the area of the light emitting region of the subpixel 110B. Thereby, the balance of the luminance and the luminance life of the organic EL element 50 of the sub-pixel SP in the pixel P are adjusted. Even with the arrangement of the sub-pixels SP of different colors in the pixels of such a modification, the color shift caused by the viewing angle in the row direction (X direction) and the column direction (Y direction) can be reduced.

(変形例2)上記各実施形態では、白色発光が得られる有機EL素子50と共振構造とを組み合わせることで、異なる色のサブ画素SPから所望の色光を取り出す構成としたが、共振構造は必須ではなく、例えば、共振構造がない構成や、異なる色のサブ画素SPのそれぞれに対応する色光が得られる有機EL素子を設けた構成であっても、本発明を適用できる。   (Modification 2) In each of the embodiments described above, the organic EL element 50 capable of obtaining white light emission and the resonance structure are combined to extract desired color light from the sub-pixels SP of different colors. However, the resonance structure is essential. Instead, for example, the present invention can also be applied to a configuration without a resonance structure or a configuration in which organic EL elements that can obtain colored light corresponding to the sub-pixels SP of different colors are provided.

(変形例3)本発明における異なる色のサブ画素SPと、画素コンタクト領域との配置は、自発光型の電気光学装置100に適用されることに限定されない。例えば、透過型の液晶装置など、照明光を利用する受光型の表示装置においても適用できる。   (Modification 3) The arrangement of the sub-pixels SP of different colors and the pixel contact region in the present invention is not limited to being applied to the self-luminous electro-optical device 100. For example, the present invention can also be applied to a light-receiving display device that uses illumination light, such as a transmissive liquid crystal device.

(変形例4)上記各実施形態の電気光学装置を適用可能な電子機器は、上記第6実施形態のヘッドマウントディスプレイ1000に限定されない。例えば、車載用のヘッドアップディスプレイ(HUD)や、照明型などの各種の投射型表示装置にも適用できる。   (Modification 4) The electronic apparatus to which the electro-optical device of each of the above embodiments can be applied is not limited to the head mounted display 1000 of the above sixth embodiment. For example, the invention can be applied to various on-vehicle head-up displays (HUD) and various projection display devices such as an illumination type.

10…基板としての半導体基板、50,50B,50G,50R…発光素子としての有機EL素子、70…カラーフィルター、71,71B,71G,71R…着色層、100…電気光学装置、110,110B,110G,110R…画素回路あるいはサブ画素、CH9,CH10,CH11…コンタクトホールあるいは画素コンタクト領域、P…表示単位としての画素、SP…サブ画素。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Semiconductor substrate as a substrate, 50, 50B, 50G, 50R ... Organic EL element as a light emitting element, 70 ... Color filter, 71, 71B, 71G, 71R ... Colored layer, 100 ... Electro-optical device, 110, 110B, 110G, 110R: pixel circuit or subpixel, CH9, CH10, CH11: contact hole or pixel contact region, P: pixel as a display unit, SP: subpixel.

Claims (17)

第1方向に並んだ、第1サブ画素、第1の領域、第2サブ画素、第2の領域、第3サブ画素、第3の領域、第4サブ画素、第4の領域を有し、
前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素と異なる色であり、
前記第3サブ画素は、前記第4サブ画素と異なる色であり、
前記第1の領域は、前記第1サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第2の領域は、前記第2サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第3の領域は、前記第3サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第4の領域は、前記第4サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第1の領域、前記第2の領域、前記第3の領域、前記第4の領域の前記第1方向の長さが同じである、電気光学装置。
A first sub-pixel, a first region, a second sub-pixel, a second region, a third sub-pixel, a third region, a fourth sub-pixel, a fourth region, which are arranged in the first direction,
The first sub-pixel has a different color from the second sub-pixel,
The third sub-pixel has a different color from the fourth sub-pixel,
The first region is a pixel contact region of the first sub-pixel;
The second region is a pixel contact region of the second sub-pixel;
The third region is a pixel contact region of the third sub-pixel;
The fourth region is a pixel contact region of the fourth sub-pixel;
The electro-optical device, wherein the first region, the second region, the third region, and the fourth region have the same length in the first direction.
前記第1方向に並んだ、第5サブ画素、第5の領域、第6サブ画素、第6の領域をさらに有し、
前記第5サブ画素は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素に対して、前記第1方向に交差する第2方向に並び、
前記第6サブ画素は、前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素に対して、前記第2方向に並び、
前記第5の領域は、前記第5サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第6の領域は、前記第6サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第5の領域、前記第6の領域の前記第1方向の長さが同じである、請求項1に記載の電気光学装置。
A fifth subpixel, a fifth region, a sixth subpixel, and a sixth region, which are arranged in the first direction;
The fifth sub-pixel is arranged in a second direction intersecting the first direction with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel;
The sixth sub-pixel is arranged in the second direction with respect to the third sub-pixel and the fourth sub-pixel;
The fifth region is a pixel contact region of the fifth sub-pixel;
The sixth region is a pixel contact region of the sixth sub-pixel;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the lengths of the fifth region and the sixth region in the first direction are the same.
前記第2方向における前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素と前記第5サブ画素との間の第7の領域と、
前記第2方向における前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素と前記第6サブ画素との間の第8の領域と、を有し、
前記第7の領域、前記第8の領域の前記第2方向の長さが同じである、請求項1または2に記載の電気光学装置。
A seventh region between the first subpixel and the second subpixel and the fifth subpixel in the second direction;
An eighth region between the third sub-pixel and the fourth sub-pixel and the sixth sub-pixel in the second direction;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the seventh region and the eighth region have the same length in the second direction.
前記第1方向に並ぶ、前記第1サブ画素、前記第1の領域、前記第2サブ画素、前記第2の領域に対して、前記第3サブ画素、前記第3の領域、前記第4サブ画素、前記第4の領域が、前記第1方向に沿って並列している、請求項1に記載の電気光学装置。   The third sub-pixel, the third region, and the fourth sub-line with respect to the first sub-pixel, the first region, the second sub-pixel, and the second region that are aligned in the first direction. The electro-optical device according to claim 1, wherein the pixels and the fourth region are arranged in parallel along the first direction. 第1方向に並んだ、第1サブ画素、第1の領域、第2サブ画素、第2の領域、第3サブ画素、第3の領域、第4サブ画素、第4の領域と、
第5の領域と、第6の領域と、第5サブ画素と、第7の領域と、第8の領域と、第6サブ画素と、を有し、
前記第5の領域、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素、前記第6の領域、前記第5サブ画素は、前記第1方向に交差する第2方向に並び、
前記第7の領域、前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素、前記第8の領域、前記第6サブ画素は、前記第2方向に並び、
前記第1サブ画素は、前記第2サブ画素と異なる色であり、
前記第3サブ画素は、前記第4サブ画素と異なる色であり、
前記第5の領域は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第6の領域は、前記第5サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第7の領域は、前記第3サブ画素及び前記第4サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第8の領域は、前記第6サブ画素の画素コンタクト領域であり、
前記第5の領域、前記第6の領域、前記第7の領域、前記第8の領域の前記第2方向の長さが同じである、電気光学装置。
A first sub-pixel, a first region, a second sub-pixel, a second region, a third sub-pixel, a third region, a fourth sub-pixel, a fourth region, arranged in a first direction;
A fifth region, a sixth region, a fifth sub-pixel, a seventh region, an eighth region, and a sixth sub-pixel;
The fifth region, the first subpixel and the second subpixel, the sixth region, and the fifth subpixel are arranged in a second direction intersecting the first direction,
The seventh region, the third sub-pixel and the fourth sub-pixel, the eighth region, and the sixth sub-pixel are arranged in the second direction,
The first sub-pixel has a different color from the second sub-pixel,
The third sub-pixel has a different color from the fourth sub-pixel,
The fifth region is a pixel contact region of the first subpixel and the second subpixel,
The sixth region is a pixel contact region of the fifth sub-pixel;
The seventh region is a pixel contact region of the third subpixel and the fourth subpixel,
The eighth region is a pixel contact region of the sixth sub-pixel;
The electro-optical device, wherein the fifth region, the sixth region, the seventh region, and the eighth region have the same length in the second direction.
前記第1の領域、前記第2の領域、前記第3の領域、前記第4の領域の前記第1方向の長さと、
前記第1方向における前記第5サブ画素と前記第6サブ画素との間の第9の領域の前記第1方向の長さとが同じである、請求項5に記載の電気光学装置。
A length of the first region, the second region, the third region, and the fourth region in the first direction;
6. The electro-optical device according to claim 5, wherein a length of the ninth region between the fifth sub-pixel and the sixth sub-pixel in the first direction is the same in the first direction.
前記第1サブ画素と、前記第3サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第1サブ画素と異なる色である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optic according to any one of claims 1 to 6, wherein the first sub-pixel and the third sub-pixel have the same color, and the other sub-pixels have a different color from the first sub-pixel. apparatus. 前記第2サブ画素と、前記第3サブ画素とが同色であり、他のサブ画素は、前記第2サブ画素と異なる色である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optic according to any one of claims 1 to 6, wherein the second sub-pixel and the third sub-pixel have the same color, and the other sub-pixels have a different color from the second sub-pixel. apparatus. 前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素、前記第4サブ画素のそれぞれの面積に対して、前記第5サブ画素の面積、前記第6サブ画素の面積が大きく、前記第5サブ画素及び前記第6サブ画素が青色である、請求項2、3、5、6のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The area of the fifth subpixel and the area of the sixth subpixel are larger than the areas of the first subpixel, the second subpixel, the third subpixel, and the fourth subpixel, The electro-optical device according to any one of claims 2, 3, 5, and 6, wherein the fifth sub-pixel and the sixth sub-pixel are blue. 前記第1サブ画素、前記第2サブ画素、前記第3サブ画素、前記第4サブ画素、は、発光素子と、前記発光素子からの光を所定の波長領域の光に変換する着色層とを含み、
前記画素コンタクト領域は、非発光領域である、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The first sub-pixel, the second sub-pixel, the third sub-pixel, and the fourth sub-pixel include a light emitting element and a colored layer that converts light from the light emitting element into light of a predetermined wavelength region. Including
The electro-optical device according to claim 1, wherein the pixel contact region is a non-light emitting region.
前記発光素子と前記着色層とが同一の基板に設けられている、請求項10に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 10, wherein the light emitting element and the colored layer are provided on the same substrate. 第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向に配列した複数の表示単位を有し、
前記表示単位は、少なくとも異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素を含み、
前記第1方向に隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素と前記第2サブ画素との間の第1の領域の前記第1方向の長さが同じであって、
前記第1の領域は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素のうちいずれか一方に係る画素コンタクト領域である、電気光学装置。
A plurality of display units arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction;
The display unit includes at least a first subpixel and a second subpixel of different colors,
In the display units adjacent to each other in the first direction, the length of the first region between the first subpixel and the second subpixel in the first direction is the same,
The electro-optical device, wherein the first region is a pixel contact region according to one of the first sub-pixel and the second sub-pixel.
前記表示単位は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素とは異なる色の第3サブ画素を有し、
前記第1方向に前記第1サブ画素と前記第2サブ画素とが配列し、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素に対して前記第2方向に前記第3サブ画素が配列し、
前記第1方向に隣り合う前記表示単位において、前記第1の領域の前記第1方向の長さと、前記第3サブ画素間の第2の領域の前記第1方向の長さとが同じであって、
前記第2の領域は、前記第3サブ画素に係る画素コンタクト領域である、請求項12に記載の電気光学装置。
The display unit includes a third sub-pixel having a color different from that of the first sub-pixel and the second sub-pixel,
The first sub-pixel and the second sub-pixel are arranged in the first direction, and the third sub-pixel is arranged in the second direction with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel,
In the display unit adjacent in the first direction, the length of the first region in the first direction is the same as the length of the second region between the third sub-pixels in the first direction. ,
The electro-optical device according to claim 12, wherein the second region is a pixel contact region related to the third sub-pixel.
前記第2方向における隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素と前記第3サブ画素との間の第3の領域の前記第2方向の長さが同じである、請求項13に記載の電気光学装置。   In the display units adjacent to each other in the second direction, the lengths in the second direction of the first subpixel and the third region between the second subpixel and the third subpixel are the same. The electro-optical device according to claim 13. 第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向に配列した複数の表示単位を有し、
前記表示単位は、異なる色の第1サブ画素及び第2サブ画素並びに第3サブ画素を有し、
前記第1方向に前記第1サブ画素と前記第2サブ画素とが配列し、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素に対して前記第2方向に前記第3サブ画素が配列し、
前記第1方向における隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素と前記第2サブ画素との間の第1の領域の前記第1方向の長さと、前記第3サブ画素間の第2の領域の前記第1方向の長さとが同じであり、
前記第2方向における隣り合う前記表示単位において、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素と前記第3サブ画素との間の第3の領域の前記第2方向の長さが同じであって、
前記第3の領域は、前記第1サブ画素及び前記第2サブ画素並びに前記第3サブ画素のいずれかに係る画素コンタクト領域である、電気光学装置。
A plurality of display units arranged in a first direction and a second direction intersecting the first direction;
The display unit includes a first sub-pixel, a second sub-pixel, and a third sub-pixel having different colors,
The first sub-pixel and the second sub-pixel are arranged in the first direction, and the third sub-pixel is arranged in the second direction with respect to the first sub-pixel and the second sub-pixel,
In the adjacent display units in the first direction, the length in the first direction of the first region between the first subpixel and the second subpixel, and the second length between the third subpixels. The length of the region in the first direction is the same;
In the display units adjacent to each other in the second direction, the lengths in the second direction of the first subpixel and the third region between the second subpixel and the third subpixel are the same. ,
The electro-optical device, wherein the third region is a pixel contact region according to any of the first subpixel, the second subpixel, and the third subpixel.
請求項1乃至15のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. 両眼のうち少なくとも一方の眼に対して、表示された画像を認識させる、請求項1乃至15のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、ヘッドマウントディスプレイ。   A head-mounted display comprising the electro-optical device according to claim 1, wherein at least one of the eyes recognizes a displayed image.
JP2017218018A 2017-02-01 2017-11-13 Electro-optics, electronic devices, head-mounted displays Active JP7059574B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810072933.XA CN108376528B (en) 2017-02-01 2018-01-25 Electro-optical device, electronic apparatus, and head-mounted display
US15/882,264 US10367035B2 (en) 2017-02-01 2018-01-29 Electrooptical device, electronic apparatus, and head mount display
TW107103181A TW201841361A (en) 2017-02-01 2018-01-30 Electrooptical device, electronic apparatus, and head mount display

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017016529 2017-02-01
JP2017016529 2017-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018124540A true JP2018124540A (en) 2018-08-09
JP7059574B2 JP7059574B2 (en) 2022-04-26

Family

ID=63109506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017218018A Active JP7059574B2 (en) 2017-02-01 2017-11-13 Electro-optics, electronic devices, head-mounted displays

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7059574B2 (en)
TW (1) TW201841361A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020100442A1 (en) * 2018-11-14 2020-05-22 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
WO2020145148A1 (en) * 2019-01-08 2020-07-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Display device
JP2021113864A (en) * 2020-01-17 2021-08-05 セイコーエプソン株式会社 Display device and electronic apparatus
JP2021118143A (en) * 2020-01-29 2021-08-10 セイコーエプソン株式会社 Electrooptic device and electronic equipment
WO2022195679A1 (en) * 2021-03-15 2022-09-22 シャープ株式会社 Display device, display panel, and method for producing display device
WO2022238795A1 (en) * 2021-05-13 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and method for producing display device
WO2022238806A1 (en) * 2021-05-14 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device, display module, electronic device, and display device manufacturing method
WO2023148573A1 (en) * 2022-02-04 2023-08-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Electronic apparatus

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102619291B1 (en) * 2018-11-28 2023-12-28 엘지디스플레이 주식회사 Display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004126554A (en) * 1998-02-09 2004-04-22 Seiko Epson Corp Opto-electronic panel and electronic equipment
US20090322215A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device, method of manufacturing the same, and shadow mask therefor
JP2010088087A (en) * 2008-10-03 2010-04-15 Seiko Epson Corp Electro-optical device, and electronic apparatus
US20120056531A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-08 Park Jong-Hyun Organic electroluminescent display device
JP2012098619A (en) * 2010-11-04 2012-05-24 Dainippon Printing Co Ltd Tft substrate with color filter
JP2014235959A (en) * 2013-06-05 2014-12-15 セイコーエプソン株式会社 Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
JP2015515732A (en) * 2012-04-25 2015-05-28 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッドIgnis Innovation Incorporated High resolution display configuration
JP2016076327A (en) * 2014-10-03 2016-05-12 株式会社ジャパンディスプレイ Image display device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004126554A (en) * 1998-02-09 2004-04-22 Seiko Epson Corp Opto-electronic panel and electronic equipment
US20090322215A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device, method of manufacturing the same, and shadow mask therefor
JP2010088087A (en) * 2008-10-03 2010-04-15 Seiko Epson Corp Electro-optical device, and electronic apparatus
US20120056531A1 (en) * 2010-09-08 2012-03-08 Park Jong-Hyun Organic electroluminescent display device
JP2012098619A (en) * 2010-11-04 2012-05-24 Dainippon Printing Co Ltd Tft substrate with color filter
JP2015515732A (en) * 2012-04-25 2015-05-28 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッドIgnis Innovation Incorporated High resolution display configuration
JP2014235959A (en) * 2013-06-05 2014-12-15 セイコーエプソン株式会社 Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment
JP2016076327A (en) * 2014-10-03 2016-05-12 株式会社ジャパンディスプレイ Image display device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020100442A1 (en) * 2018-11-14 2020-05-22 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
WO2020145148A1 (en) * 2019-01-08 2020-07-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Display device
CN113261389A (en) * 2019-01-08 2021-08-13 索尼半导体解决方案公司 Display device
US20220013588A1 (en) * 2019-01-08 2022-01-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Display device
JP2021113864A (en) * 2020-01-17 2021-08-05 セイコーエプソン株式会社 Display device and electronic apparatus
JP2021118143A (en) * 2020-01-29 2021-08-10 セイコーエプソン株式会社 Electrooptic device and electronic equipment
US11641771B2 (en) 2020-01-29 2023-05-02 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
WO2022195679A1 (en) * 2021-03-15 2022-09-22 シャープ株式会社 Display device, display panel, and method for producing display device
WO2022238795A1 (en) * 2021-05-13 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and method for producing display device
WO2022238806A1 (en) * 2021-05-14 2022-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device, display module, electronic device, and display device manufacturing method
WO2023148573A1 (en) * 2022-02-04 2023-08-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP7059574B2 (en) 2022-04-26
TW201841361A (en) 2018-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7059574B2 (en) Electro-optics, electronic devices, head-mounted displays
CN108376528B (en) Electro-optical device, electronic apparatus, and head-mounted display
US10403701B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US9502482B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US8822987B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US11031441B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method of electro-optical device, and electronic apparatus
JP4539760B2 (en) Electronics
US11925089B2 (en) Electro-optical device and electronic device
JP6701781B2 (en) Electro-optical device and electronic device
JP6930565B2 (en) Electro-optics
US10810924B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP6620601B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180910

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181120

RD07 Notification of extinguishment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427

Effective date: 20200803

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201014

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210806

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20210915

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211018

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20211108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7059574

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350