JP2018121142A - 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents

固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2018121142A
JP2018121142A JP2017010052A JP2017010052A JP2018121142A JP 2018121142 A JP2018121142 A JP 2018121142A JP 2017010052 A JP2017010052 A JP 2017010052A JP 2017010052 A JP2017010052 A JP 2017010052A JP 2018121142 A JP2018121142 A JP 2018121142A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
transfer
transistor
transfer transistor
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017010052A
Other languages
English (en)
Inventor
勇佑 松村
Yusuke Matsumura
勇佑 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2017010052A priority Critical patent/JP2018121142A/ja
Priority to PCT/JP2018/000231 priority patent/WO2018139187A1/ja
Publication of JP2018121142A publication Critical patent/JP2018121142A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させる。
【解決手段】固体撮像装置は、PDおよびPDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFDと、FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、画素を駆動する駆動回路とを備える。駆動回路は、画素の転送トランジスタによる電荷転送時に、FDの近傍に配置され、FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。
【選択図】図6

Description

本技術は、固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器に関し、特に、転送特性を向上させることができるようにする固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器に関する。
固体撮像装置において、増幅トランジスタを、ソースフォロア接続ではなくソース接地接続で用いる技術が知られている。増幅トランジスタをソース接地接続で用いることにより、ソースフォロア接続で用いた場合と比べて、増幅トランジスタの電圧増幅利得を大きく向上させ、変換効率を高めることができる。
一方、増幅トランジスタをソース接地接続で用いた場合、利得は反転増幅となる。そのため、FD(フローティングディフュージョン)に電荷が蓄積されるほどFDの電位は低くなるのに対して、垂直信号線から読み出される電圧は高くなる。
画素信号の振幅を大きく確保するためには、FDの電位をより低くする必要がある。しかしながら、そうすることにより、PD(フォトダイオード)とFDとの間の電位差が十分に確保されなくなり、PDからFDへの電荷転送特性が悪化してしまう。
これに対して、例えば特許文献1には、FDにキャパシタを接続し、キャパシタに接続された昇圧信号線を制御することで、電荷転送時にのみFDの電位を昇圧することが開示されている。この構成により、PDからFDへの電荷転送をアシストすることができる。
特開2005−217607号公報
しかしながら、特許文献1の構成は、キャパシタや昇圧信号線を追加で配置する必要があり、レイアウトの自由度を低下させるおそれがあった。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させるようにするものである。
本技術の固体撮像装置は、PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、前記画素を駆動する駆動回路とを備え、前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する。
前記FDは、複数の前記画素に共有され、前記駆動回路には、読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、非読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加させることができる。
前記駆動回路には、1の前記読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、2以上の前記非読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加させることができる。
前記駆動回路には、前記読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送後に、前記読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加させることができる。
前記駆動回路には、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDに蓄積された電荷をリセットするリセットトランジスタに前記中間電圧を印加させることができる。
前記駆動回路には、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの変換効率を切り替える変換効率切替トランジスタに前記中間電圧を印加させることができる。
本技術の固体撮像装置の駆動方法は、PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、前記画素を駆動する駆動回路とを備える固体撮像装置の駆動方法であって、前記駆動回路が、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加するステップを含む。
本技術の電子機器は、PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、前記画素を駆動する駆動回路とを有し、前記駆動回路が、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する固体撮像装置を備える。
本技術においては、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧が印加される。
本技術によれば、レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。 第1の実施の形態の画素の構成例を示す回路図である。 第1の実施の形態の画素のレイアウトを示す平面図である。 高照度下での電荷転送時の電荷の流れについて説明する図である。 高照度下での電荷転送時のタイミングチャートである。 低照度下での電荷転送時の電荷の流れについて説明する図である。 低照度下での電荷転送時のタイミングチャートである。 第2の実施の形態の画素のレイアウトを示す平面図である。 第2の実施の形態における電荷転送時のタイミングチャートである。 第3の実施の形態における電荷転送時のタイミングチャートである。 第4の実施の形態の画素のレイアウトを示す平面図である。 第4の実施の形態における電荷転送時のタイミングチャートである。 第5の実施の形態の画素の構成例を示す回路図である。 第5の実施の形態の画素のレイアウトを示す平面図である。 第5の実施の形態における電荷転送時のタイミングチャートである。 本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。 イメージセンサの使用例を示す図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本開示を実施するための形態(以下、実施の形態とする)について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.固体撮像装置の構成例
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態
4.第3の実施の形態
5.第4の実施の形態
6.第5の実施の形態
7.電子機器の構成例
8.イメージセンサの使用例
9.移動体への応用例
<1.固体撮像装置の構成例>
図1は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。図1の固体撮像装置は、例えば、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサとして構成される。
図1の固体撮像装置11は、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、水平駆動回路14、および出力回路15を備えている。
画素アレイ部12には、複数の画素21が行列状に配置されている。それぞれの画素21は、水平信号線22により行毎に垂直駆動回路13に接続されるとともに、垂直信号線23により列毎に水平駆動回路14に接続されている。
垂直駆動回路13は、水平信号線22を介して駆動信号を出力して、画素アレイ部12に配置されている画素21を行毎に駆動する。
水平駆動回路14は、垂直信号線23を介して画素アレイ部12の各画素21から出力される信号から、CDS(Correlated Double Sampling)動作により信号レベルを検出するカラム処理を行い、画素21において光電変換により発生した電荷に応じた出力信号を出力回路15に出力する。
出力回路15は、水平駆動回路14から順次出力される出力信号を、所定のレベルの電圧値に増幅して、後段の画像処理回路などに出力する。
ここで、本技術を適用した固体撮像装置11は、PD(フォトダイオード)およびPDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素21と、転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、画素21を駆動する駆動回路とを備えるものとする。
駆動回路は、垂直駆動回路13として構成され、画素21の転送トランジスタによる電荷転送時に、FDの近傍に配置され、FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加するように動作する。
以下においては、本技術を適用した固体撮像装置11の実施の形態について説明する。
<2.第1の実施の形態>
図2は、第1の実施の形態の画素の構成例を示す回路図であり、図3は画素のレイアウトを示す平面図である。
本実施の形態では、2つの画素21−1,21−2に1つのFDが共有された2画素共有の構成が採られている。
画素21−1は、PD41−1および転送トランジスタ42−1を有し、画素21−2は、PD41−2および転送トランジスタ42−2を有する。転送トランジスタ42−1と42−2との接続点がFD43を構成する。
転送トランジスタ42−1は、水平信号線22T1を介して垂直駆動回路13(図1)から供給される転送信号TG1に従って駆動し、転送信号TG1がパルス状にHighレベルとなるタイミングでオンになる。転送トランジスタ42−1がオンになると、PD41−1で発生した電荷が転送トランジスタ42−1を介してFD43に転送される。
転送トランジスタ42−2は、水平信号線22T2を介して垂直駆動回路13から供給される転送信号TG2に従って駆動し、転送信号TG2がパルス状にHighレベルとなるタイミングでオンになる。転送トランジスタ42−2がオンになると、PD41−2で発生した電荷が転送トランジスタ42−2を介してFD43に転送される。
増幅トランジスタ44のゲート電極にはFD43が接続される。増幅トランジスタ44は、FD43に蓄積されている電荷に応じたレベルの電圧を出力する。
選択トランジスタ45は、水平信号線22Sを介して垂直駆動回路13から供給される選択信号SELに従って駆動し、選択信号SELがパルス状にHighレベルとなるタイミングでオンになる。選択トランジスタ45がオンになると、増幅トランジスタ44から出力される電圧が、選択トランジスタ45を介して垂直信号線23に出力可能な状態となる。
なお、増幅トランジスタ44のソース側は、nMOSである負荷トランジスタ46を介して接地されている。これにより、増幅トランジスタ44と負荷トランジスタ46とが、ソース接地型の反転増幅器として動作し、FD43に蓄積されている電荷に応じたレベルを示す信号が出力される。
リセットトランジスタ47は、水平信号線22Rを介して垂直駆動回路13から供給されるリセット信号RSTに従って駆動し、リセット信号RSTがパルス状にHighレベルとなるタイミングでオンになる。図2の例では、リセットトランジスタ47のドレイン側が、垂直信号線23に接続されており、リセットトランジスタ47がオンになると、リセットトランジスタ47を介して、FD43に蓄積されている電荷が垂直信号線23に排出されて、FD43がリセットされる。
なお、図3に示されるように、転送トランジスタ42−1,42−2は、互いにFD43の近傍に配置され、FD43に電気的に接続されている。
ここで、画素21−1,21−2の電荷転送時の動作について説明する。
(高照度下での電荷転送)
図4および図5は、高照度下での電荷転送時の電荷の流れとタイミングチャートとを示している。
高照度下であるので、図4上段に示されるように、PD1(PD41−1),PD2(PD41−2)には、光電変換により多くの量の電荷が蓄積されている。
この状態で、画素21−1の読み出しを行う場合、図5に示されるように、読み出し対象の画素(読み出し画素)である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1としてHighレベル(例えば3V程度)の電圧がパルス状に印加される。これにより、転送トランジスタ42−1がオンになると、図4下段に示されるように、PD1(PD41−1)で発生した電荷がFD43に転送される。
また、画素21−2の読み出しを行う場合、図5に示されるように、読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。これにより、転送トランジスタ42−2がオンになると、図示はしないが、PD2(PD41−2)で発生した電荷がFD43に転送される。
(低照度下での電荷転送)
図6および図7は、低照度下での電荷転送時の電荷の流れとタイミングチャートとを示している。
低照度下であるので、図6上段に示されるように、PD1(PD41−1),PD2(PD41−2)には、高照度下の場合(図4)と比較して少ない量の電荷が蓄積されている。
この状態で、画素21−1の読み出しを行う場合、図7に示されるように、読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、読み出し対象ではない画素(非読み出し画素)である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2として、HighレベルとLowレベルの中間レベルとなる中間電圧(例えば1V程度)がパルス状に印加される。
これにより、フィードスルーが発生し、図6下段に示されるように、FD43の電位が昇圧される。その結果、読み出し画素のPD1(画素21−1のPD41−1)とFD43との間の電位差がより大きくなり、PD1からFD43への電荷転送をアシストすることができる。
また、画素21−2の読み出しを行う場合、図7に示されるように、読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1として中間電圧がパルス状に印加される。
これにより、フィードスルーが発生し、図示はしないがFD43の電位が昇圧される。その結果、読み出し画素のPD2(画素21−2のPD41−2)とFD43との間の電位差がより大きくなり、PD2からFD43への電荷転送をアシストすることができる。
以上のような電荷転送時の動作によれば、特許文献1の構成のように、キャパシタや昇圧信号線を追加で配置する必要なく、フィードスルーにより電荷転送をアシストすることができるので、レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させることが可能となり、ひいては、固体撮像装置11における高S/N化を実現することができる。
なお、例えば図6に示されるように、非読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に中間電圧が印加されることで、PD2(PD41−2)の飽和電荷量は小さくなる。しかしながら、このような電荷転送時の動作は、感度を大きく向上させる必要のある低照度下で行われるので、非読み出し画素におけるPDの飽和電荷量が小さくなっても問題はない。
また、上述で説明した高照度下での電荷転送時の動作と、低照度下での電荷転送時の動作とを、例えばPDの電荷量に応じて切り替えるようにしてもよい。具体的には、PDの電荷量が所定量を超える場合、高照度下での電荷転送時の動作が行われるようにし、PDの電荷量が所定量を超えない場合、低照度下での電荷転送時の動作が行われるようにする。
以上においては、2画素共有の構成を例に説明したが、共有画素数は2画素に限定されない。
<3.第2の実施の形態>
図8は、第2の実施の形態の画素のレイアウトを示す平面図である。
本実施の形態では、4つの画素21−1乃至21−4に1つのFDが共有された2画素共有の構成が採られている。
画素21−1は、PD41−1および転送トランジスタ42−1を有し、画素21−2は、PD41−2および転送トランジスタ42−2を有する。また、画素21−3は、PD41−3および転送トランジスタ42−3を有し、画素21−4は、PD41−4および転送トランジスタ42−4を有する。転送トランジスタ42−1乃至42−4それぞれの接続点がFD43を構成する。
図8に示されるように、転送トランジスタ42−1乃至42−4は、互いにFD43の近傍に配置され、FD43に電気的に接続されている。
図9は、本実施の形態における、低照度下での電荷転送時のタイミングチャートを示している。
画素21−1の読み出しを行う場合、図9に示されるように、読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−2,21−3,21−4の転送トランジスタ42−2,42−3,42−4それぞれに、転送信号TG2,TG3,TG4として中間電圧がパルス状に印加される。
また、画素21−2の読み出しを行う場合、図9に示されるように、読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−1,21−3,21−4の転送トランジスタ42−1,42−3,42−4それぞれに、転送信号TG1,TG3,TG4として中間電圧がパルス状に印加される。
なお、図示はしないが、画素21−3や画素21−4の読み出しを行う場合にも、その読み出し画素の転送トランジスタに、Highレベルの電圧がパルス状に印加され、それ以外の非読み出し画素の転送トランジスタそれぞれに、中間電圧がパルス状に印加される。
このように、1の読み出し画素の転送トランジスタによる電荷転送時に、2以上の非読み出し画素の転送トランジスタに中間電圧を印加することで、FD43の電位がより大きく昇圧される。その結果、読み出し画素のPDとFD43との間の電位差が一層大きくなり、転送特性をさらに向上させることが可能となる。
<4.第3の実施の形態>
図10は、第3の実施の形態における、低照度下での電荷転送時のタイミングチャートを示している。
本実施の形態では、第1の実施の形態(図3)の構成と同様、2つの画素21−1,21−2に1つのFDが共有された2画素共有の構成が採られている。
画素21−1の読み出しを行う場合、図9に示されるように、読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1としてHighレベルの電圧が印加される。さらに、画素21−1の転送トランジスタ42−1による電荷転送後に、画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1として中間電圧が印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2として中間電圧がパルス状に印加される。
また、画素21−2の読み出しを行う場合、図9に示されるように、読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2としてHighレベルの電圧が印加される。さらに、画素21−2の転送トランジスタ42−2による電荷転送後に、画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2として中間電圧が印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1として中間電圧がパルス状に印加される。
このように、読み出し画素の転送トランジスタによる電荷転送後に、読み出し画素の転送トランジスタに中間電圧を印加することで、その転送トランジスタに印加される電圧を段階的に低くすることができる。その結果、読み出し画素のPDからFD43へ転送される電荷がPD側へ逆流するのを防ぐことが可能となる。
なお、図10の例では、読み出し画素の転送トランジスタにHighレベルの電圧および中間電圧が印加されている間、非読み出し画素の転送トランジスタに中間電圧が印加されるものとしたが、非読み出し画素の転送トランジスタには、少なくとも、読み出し画素の転送トランジスタにHighレベルの電圧が印加されている間、中間電圧が印加されていればよい。
また、本実施の形態は、第2の実施の形態や、後述する他の実施の形態の構成に適用されるようにしてもよい。
<5.第4の実施の形態>
図11は、第4の実施の形態の画素のレイアウトを示す平面図である。
本実施の形態では、2つの画素21−1,21−2に1つのFDが共有された2画素共有の構成が採られている。
画素21−1は、PD41−1および転送トランジスタ42−1を有し、画素21−2は、PD41−2および転送トランジスタ42−2を有する。転送トランジスタ42−1,42−2、およびリセットトランジスタ47の接続点がFD43を構成する。
図11に示されるように、転送トランジスタ42−1,42−2、およびリセットトランジスタ47は、互いにFD43の近傍に配置され、FD43に電気的に接続されている。
図12は、本実施の形態における、低照度下での電荷転送時のタイミングチャートを示している。
画素21−1の読み出しを行う場合、図12に示されるように、読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2およびリセットトランジスタ47それぞれに、転送信号TG2およびリセット信号RSTとして中間電圧がパルス状に印加される。
また、画素21−2の読み出しを行う場合、図12に示されるように、読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1およびリセットトランジスタ47それぞれに、転送信号TG1およびリセット信号RSTとして中間電圧がパルス状に印加される。
このように、読み出し画素の転送トランジスタによる電荷転送時に、リセットトランジスタ47に中間電圧を印加することでも、FD43の電位が昇圧される。その結果、読み出し画素のPDとFD43との間の電位差がより大きくなり、転送特性を向上させることが可能となる。
また、本実施の形態は、第2の実施の形態の構成に適用されるようにしてもよいし、画素を共有しない構成に適用されるようにしてもよい。
<6.第5の実施の形態>
図13は、第5の実施の形態の画素の構成例を示す回路図であり、図14は画素のレイアウトを示す平面図である。
本実施の形態においては、第1の実施の形態(図2および図3)と同様の構成に、FD43の変換効率を切り替える変換効率切替トランジスタ61が追加された構成が採られている。
画素21−1は、PD41−1および転送トランジスタ42−1を有し、画素21−2は、PD41−2および転送トランジスタ42−2を有する。転送トランジスタ42−1,42−2、および変換効率切替トランジスタ61の接続点がFD43を構成する。
変換効率切替トランジスタ61は、水平信号線22Fを介して垂直駆動回路13(図1)から供給される切替信号FDGに従って駆動し、切替信号FDGがパルス状にHighレベルとなるタイミングでオンになる。変換効率切替トランジスタ61がオンになると、FD43の容量が増加し、変換効率が下げられる。
なお、図14に示されるように、転送トランジスタ42−1,42−2、および変換効率切替トランジスタ61は、互いにFD43の近傍に配置され、FD43に電気的に接続されている。
図15は、本実施の形態における、低照度下での電荷転送時のタイミングチャートを示している。
画素21−1の読み出しを行う場合、図15に示されるように、読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1に、転送信号TG1としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2および変換効率切替トランジスタ61それぞれに、転送信号TG2および切替信号FDGとして中間電圧がパルス状に印加される。
また、画素21−2の読み出しを行う場合、図15に示されるように、読み出し画素である画素21−2の転送トランジスタ42−2に、転送信号TG2としてHighレベルの電圧がパルス状に印加される。また、その間、非読み出し画素である画素21−1の転送トランジスタ42−1および変換効率切替トランジスタ61それぞれに、転送信号TG1および切替信号FDGとして中間電圧がパルス状に印加される。
このように、読み出し画素の転送トランジスタによる電荷転送時に、変換効率切替トランジスタ61に中間電圧を印加することでも、FD43の電位が昇圧される。その結果、読み出し画素のPDとFD43との間の電位差がより大きくなり、転送特性を向上させることが可能となる。
また、本実施の形態は、第2の実施の形態の構成に適用されるようにしてもよいし、画素を共有しない構成に適用されるようにしてもよい。
上述したような固体撮像装置11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
<7.電子機器の構成例>
図16は、本技術を適用した電子機器である撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図16に示すように、撮像装置301は、光学系302、固体撮像装置303、DSP(Digital Signal Processor)304を備えており、バス307を介して、DSP304、表示装置305、操作系306、メモリ308、記録装置309、および電源系310が接続されて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
光学系302は、1枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光(入射光)を固体撮像装置303に導き、固体撮像装置303の受光面(センサ部)に結像させる。
固体撮像装置303としては、上述したいずれかの構成例の画素21を有する固体撮像装置11が適用される。固体撮像装置303には、光学系302を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、固体撮像装置303に蓄積された電子に応じた信号がDSP304に供給される。
DSP304は、固体撮像装置303からの信号に対して各種の信号処理を施して画像を取得し、その画像のデータを、メモリ308に一時的に記憶させる。メモリ308に記憶された画像のデータは、記録装置309に記録されたり、表示装置305に供給されて画像が表示されたりする。また、操作系306は、ユーザによる各種の操作を受け付けて撮像装置301の各ブロックに操作信号を供給し、電源系310は、撮像装置301の各ブロックの駆動に必要な電力を供給する。
このように構成されている撮像装置301では、固体撮像装置303として、上述したような固体撮像装置11を適用することにより、レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させることができ、ひいては、高S/N化を実現することが可能となる。
なお、本技術における固体撮像装置の構成は、裏面照射型のCMOSイメージセンサや、表面照射型のCMOSイメージセンサに採用することができる。
<8.イメージセンサの使用例>
次に、本技術を適用したイメージセンサの使用例について説明する。
図17は、本技術を適用したイメージセンサの使用例を示す図である。
上述したイメージセンサは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・デジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
<9.移動体への応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図18は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図18に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図18の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図19は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図19では、車両12100は、撮像部12031として、撮像部12101,12102,12103,12104,12105を有する。
撮像部12101,12102,12103,12104,12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102,12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。撮像部12101及び12105で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図19には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。具体的には、図1の固体撮像装置11は、撮像部12031に適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させることができ、ひいては高S/N化を実現することができるので、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
さらに、本技術は以下のような構成をとることができる。
(1)
PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、
前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、
前記画素を駆動する駆動回路と
を備え、
前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する
固体撮像装置。
(2)
前記FDは、複数の前記画素に共有され、
前記駆動回路は、読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、非読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加する
(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記駆動回路は、1の前記読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、2以上の前記非読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加する
(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記駆動回路は、前記読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送後に、前記読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加する
(2)または(3)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDに蓄積された電荷をリセットするリセットトランジスタに前記中間電圧を印加する
(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(6)
前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの変換効率を切り替える変換効率切替トランジスタに前記中間電圧を印加する
(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(7)
PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、
前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、
前記画素を駆動する駆動回路と
を備える固体撮像装置の駆動方法であって、
前記駆動回路が、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する
ステップを含む固体撮像装置の駆動方法。
(8)
PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、
前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、
前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、
前記画素を駆動する駆動回路と
を有し、
前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する固体撮像装置
を備える電子機器。
11 固体撮像装置, 21,21−1乃至21−4 画素, 13 垂直駆動回路, 41−1乃至41−4 PD, 42−1乃至42−4 転送トランジスタ, 43 FD, 44 増幅トランジスタ, 45 選択トランジスタ, 46 負荷トランジスタ, 47 リセットトランジスタ, 61 変換効率切替トランジスタ, 301 電子機器, 303 固体撮像装置

Claims (8)

  1. PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、
    前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、
    前記画素を駆動する駆動回路と
    を備え、
    前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する
    固体撮像装置。
  2. 前記FDは、複数の前記画素に共有され、
    前記駆動回路は、読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、非読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加する
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記駆動回路は、1の前記読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、2以上の前記非読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加する
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記駆動回路は、前記読み出し画素の前記転送トランジスタによる電荷転送後に、前記読み出し画素の前記転送トランジスタに前記中間電圧を印加する
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  5. 前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDに蓄積された電荷をリセットするリセットトランジスタに前記中間電圧を印加する
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  6. 前記駆動回路は、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの変換効率を切り替える変換効率切替トランジスタに前記中間電圧を印加する
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  7. PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、
    前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、
    前記画素を駆動する駆動回路と
    を備える固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記駆動回路が、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する
    ステップを含む固体撮像装置の駆動方法。
  8. PD(フォトダイオード)および前記PDの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、
    前記転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するFD(フローティングディフュージョン)と、
    前記FDの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、
    前記画素を駆動する駆動回路と
    を有し、
    前記駆動回路が、前記画素の前記転送トランジスタによる電荷転送時に、前記FDの近傍に配置され、前記FDに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する固体撮像装置
    を備える電子機器。
JP2017010052A 2017-01-24 2017-01-24 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 Pending JP2018121142A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017010052A JP2018121142A (ja) 2017-01-24 2017-01-24 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
PCT/JP2018/000231 WO2018139187A1 (ja) 2017-01-24 2018-01-10 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017010052A JP2018121142A (ja) 2017-01-24 2017-01-24 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018121142A true JP2018121142A (ja) 2018-08-02

Family

ID=62978288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017010052A Pending JP2018121142A (ja) 2017-01-24 2017-01-24 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2018121142A (ja)
WO (1) WO2018139187A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023032297A1 (ja) * 2021-08-30 2023-03-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び撮像装置
WO2023074177A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
WO2024057810A1 (ja) * 2022-09-15 2024-03-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、撮像システム、及び、撮像装置の駆動方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5511541B2 (ja) * 2010-06-24 2014-06-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
WO2012053127A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像装置
KR20140107241A (ko) * 2011-12-27 2014-09-04 소니 주식회사 촬상 소자, 촬상 장치, 전자 기기 및 촬상 방법
JP2014112580A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Sony Corp 固体撮像素子および駆動方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023032297A1 (ja) * 2021-08-30 2023-03-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び撮像装置
WO2023074177A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
WO2024057810A1 (ja) * 2022-09-15 2024-03-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置、撮像システム、及び、撮像装置の駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018139187A1 (ja) 2018-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102538712B1 (ko) 고체 촬상 장치, 및 전자 기기
WO2020116185A1 (ja) 固体撮像装置、信号処理チップ、および、電子機器
US11924566B2 (en) Solid-state imaging device and electronic device
WO2018180574A1 (ja) 固体撮像装置、および電子機器
US10880506B2 (en) Solid-state imaging device, electronic apparatus, and driving method
WO2017163890A1 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
JP6803989B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
CN110024376B (zh) 固态成像设备、驱动方法和电子设备
WO2018139187A1 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
WO2018207666A1 (ja) 撮像素子及びその駆動方法、並びに、電子機器
US11503240B2 (en) Solid-state image pickup element, electronic apparatus, and method of controlling solid-state image pickup element
US11330212B2 (en) Imaging device and diagnosis method
WO2018211985A1 (ja) 撮像素子、および撮像素子の制御方法、撮像装置、並びに電子機器
US20240089637A1 (en) Imaging apparatus
WO2021157263A1 (ja) 撮像装置及び電子機器
US20230239593A1 (en) Imaging device and electronic device
WO2024135307A1 (ja) 固体撮像装置
JP2018113615A (ja) 固体撮像素子、駆動方法、および電子機器