JP2018100901A - Radiation imaging device, method for manufacturing the same, and radiation imaging system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射線撮像装置、その製造方法および放射線撮像システムに関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus, a manufacturing method thereof, and a radiation imaging system.
医療画像診断や非破壊検査に放射線撮像装置が広く利用されている。特許文献1には、撮像領域を大面積化するために基台の表面の上に配された複数のセンサチップによって構成されるセンサ部と、センサ部の上に配されたシンチレータとを有する放射線撮像装置が示されている。また、放射線撮像装置の周囲には、外部から水分などが侵入しシンチレータが劣化することを抑制するための封止部材が配され、撮像素子から信号を出力させるための配線基板が、この封止部材を貫通して配されることが示されている。 Radiation imaging apparatuses are widely used for medical image diagnosis and nondestructive inspection. Patent Document 1 discloses a radiation having a sensor unit including a plurality of sensor chips arranged on a surface of a base in order to enlarge an imaging region, and a scintillator arranged on the sensor unit. An imaging device is shown. In addition, a sealing member is provided around the radiation imaging apparatus to prevent moisture and the like from entering from the outside and the scintillator from deteriorating, and a wiring board for outputting a signal from the imaging element It is shown that it is arranged through the member.
放射線撮像装置において、有効画素端から筐体端部までの距離を短くする狭額縁化が求められている。狭額縁化するために、配線基板を複数のセンサチップによって構成されるセンサ部の端部で基台の側面に沿うように曲げる必要がある。放射線撮像装置の周囲に封止部材を配した後に配線基板を曲げる場合、封止部材が基台の側面と配線基板との間に入り込み、狭額縁化できない可能性がある。また、配線基板を曲げた後に封止部材を形成する場合、センサ部の側面が配線基板に覆われるため、センサ部と配線基板との間に封止部材の材料が十分に入り込まない可能性がある。封止部材の充填が不十分な場合、基台および複数のセンサチップの隙間を通り、外部から水分が侵入しシンチレータの防湿性が劣化する可能性がある。 In a radiation imaging apparatus, there is a demand for a narrow frame that shortens the distance from the effective pixel end to the housing end. In order to narrow the frame, it is necessary to bend the wiring board along the side surface of the base at the end portion of the sensor portion constituted by a plurality of sensor chips. When the wiring board is bent after the sealing member is disposed around the radiation imaging apparatus, the sealing member may enter between the side surface of the base and the wiring board, and the frame may not be narrowed. Further, when the sealing member is formed after the wiring substrate is bent, the side surface of the sensor unit is covered with the wiring substrate, so that there is a possibility that the material of the sealing member does not sufficiently enter between the sensor unit and the wiring substrate. is there. If the sealing member is not sufficiently filled, moisture may enter from the outside through the gap between the base and the plurality of sensor chips, and the moisture resistance of the scintillator may deteriorate.
本発明は、複数のセンサチップによって構成されるセンサ部を備える放射線撮像装置において、狭額縁化に有利な技術を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a technique advantageous for narrowing a frame in a radiation imaging apparatus including a sensor unit including a plurality of sensor chips.
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置は、基台と、基台の表面の上に配され入射する放射線に応じた信号を生成するセンサ部と、センサ部の表面の上に配されたシンチレータパネルと、センサ部の表面および基台の側面に沿うように曲がった配線基板と、基台とシンチレータパネルとの間に配された封止部材と、を含む放射線撮像装置であって、センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、配線基板におけるセンサ部の表面を覆う部分と基台の側面を覆う部分との間の第1の部分に貫通口が配され、封止部材が、センサ部の側面と第1の部分との間に配された第1の封止部材を含むことを特徴とする。 In view of the above problems, a radiation imaging apparatus according to an embodiment of the present invention includes a base, a sensor unit that is arranged on the surface of the base and generates a signal according to incident radiation, and a surface of the sensor unit. A radiation imaging apparatus comprising: a scintillator panel disposed above; a wiring substrate bent along the surface of the sensor unit and the side surface of the base; and a sealing member disposed between the base and the scintillator panel. The sensor unit is composed of a plurality of sensor chips, and a through-hole is arranged in a first part between a part covering the surface of the sensor part on the wiring board and a part covering the side surface of the base. The stop member includes a first sealing member disposed between the side surface of the sensor unit and the first portion.
上記手段によって、複数のセンサチップによって構成されるセンサ部を備える放射線撮像装置において、狭額縁化に有利な技術を提供する。 By the above means, a technique advantageous in narrowing the frame is provided in a radiation imaging apparatus including a sensor unit constituted by a plurality of sensor chips.
以下、本発明に係る放射線撮像装置および放射線撮像システムの具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。なお、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子(光子を含む)の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども含みうる。 Hereinafter, specific embodiments of a radiation imaging apparatus and a radiation imaging system according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Note that, in the following description and drawings, common reference numerals are given to common configurations over a plurality of drawings. Therefore, a common configuration is described with reference to a plurality of drawings, and a description of a configuration with a common reference numeral is omitted as appropriate. The radiation in the present invention includes a beam having energy of the same degree or more, such as X-rays, β-rays, γ-rays, etc., which are beams formed by particles (including photons) emitted by radiation decay, such as X It can also include rays, particle rays, and cosmic rays.
図1〜6を参照して、本発明の実施形態による放射線撮像装置の構成および製造方法について説明する。図1は、本発明の実施形態による放射線撮像装置100の構成を示す平面図および断面図である。図1(a)は、放射線撮像装置100の構成を示す平面図である。図1(b)、(c)は、それぞれ図1(a)に示すA−A’間およびB−B’間の断面図である。図1(d)、(e)は、図1(a)に示す四角形Cに囲まれた部分のそれぞれ異なる高さの断面図である。
With reference to FIGS. 1-6, the structure and manufacturing method of the radiation imaging device by embodiment of this invention are demonstrated. FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view showing a configuration of a
図1(a)〜(c)に示すように、本実施形態の放射線撮像装置100は、センサパネル113とシンチレータパネル109とを含む。センサパネル113は、基台103の表面の上にセンサチップ固定部材104によって固定された複数のセンサチップ101が配列されたセンサ部114を有する。センサ部114が複数のセンサチップ101によって構成されることで、撮像領域を大面積化することができる。それぞれのセンサチップ101は、表面に複数のセンサが2次元アレイ状に配される。センサチップ101(センサ部114)の表面115は、センサチップ101(センサ部114)の2つの主面のうち放射線を入射させる側の主面といえる。センサチップ101(センサ部114)の上には、シンチレータパネル109が配される。シンチレータパネル109は、シンチレータ基台108とシンチレータ基台108の上に形成された放射線を光に変換するシンチレータ107とを含む。シンチレータ107とセンサチップ101とが向かい合うように、センサパネル113とシンチレータパネル109とは配される。センサチップ101に配されたそれぞれのセンサは、シンチレータ107によって放射線から変換された光に応じた電気信号を生成する光電変換素子を備える。それぞれのセンサで生成された電気信号は、それぞれのセンサチップ101に電気的に接続された配線基板102によって、センサ部114から出力される。配線基板102は、放射線撮像装置100を狭額縁化するために、センサチップ101の表面115および基台103の側面118にそれぞれ沿うように曲がって配される。配線基板102は、センサチップ101の表面115において、それぞれのセンサチップ101と電気的に接続し、センサチップ101の表面115に固定されている。配線基板102は、センサ部114の表面に固定されているともいえる。また、配線基板102は、基台103の側面118に結合部材105によって固定されている。基台103の側面は、センサパネル113の側面118を構成している。このため、配線基板102は、センサパネル113の側面に固定されているともいえる。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the
センサチップ101には、例えばシリコン基板が用いられてもよく、この場合、センサチップ101に形成されるセンサは、シリコン基板上に形成されたCMOSセンサやPINセンサなどであってもよい。また、センサチップ101に、ガラス基板の上に配されたシリコンに、センサが形成されたチップを用いてもよい。また、シリコン以外の半導体材料にセンサを形成したチップが、センサチップ101に用いられてもよい。
For example, a silicon substrate may be used as the
シンチレータ107には、粒子状のシンチレータ材料や柱状結晶構造を有するシンチレータ材料が用いられてもよい。粒子状の材料として、例えば、テルビウム(Tb)が微量に添加された酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S:Tb)などが用いられてもよい。また、柱状結晶の材料として、例えば、タリウム(Tl)やナトリウム(Na)が添加されたヨウ化セシウム、臭化セシウム(CsI:Tl、CsI:Na、CsI:Br)が用いられてもよい。また、柱状結晶の材料として、Tlが添加されたヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム(NaI:Tl、KI:Tl)、ユウロピウム(Eu)が添加されたヨウ化リチウム(LiI:Eu)などが用いられてもよい。シンチレータ107は、これらの材料をシンチレータ基台108の上に塗布や蒸着することによって形成されうる。図1(b)、(c)に示すように、センサパネル113の表面115に対する正射影において、シンチレータ107の外縁は、シンチレータ基台108の外縁よりも内側に配されうる。シンチレータ基台108には、アルミなどの金属、ガラス、アモルファスカーボンや炭素繊維強化プラスチック(CFRP)などのカーボン系材料、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)などの樹脂材料などが用いられうる。
For the
次に、配線基板102がセンサチップ101(センサ部114)に固定される接続部分の保護や、潮解性を有するシンチレータ107を大気中の水分などから保護するために、放射線撮像装置100の外縁に沿って配される封止部材について説明する。本実施形態において、封止部材は、それぞれ別の工程で形成される封止部材106および封止部材126を含む。封止部材126は、センサパネル113の基台103とシンチレータパネル109との間に配される。具体的には、図1(b)に示すように、基台103とシンチレータパネル109との間に配線基板102が配される部分において、封止部材126は、配線基板102とシンチレータパネル109のシンチレータ基台108との間に配される。また、図1(c)に示すように、基台103とシンチレータパネル109との間に配線基板102が配されない部分において、封止部材126は、基台103とシンチレータパネル109のシンチレータ基台108との間に配される。
Next, in order to protect the connection portion where the
図1(b)に示すように、基台103の表面115に対する正射影において、複数のセンサチップ101によって構成されるセンサ部114の外縁は、基台103の外縁よりも内側に配される。このため、センサパネル113の配線基板102に覆われる部分には空間が生じる。この空間に封止部材を配さない場合、センサパネル113およびシンチレータパネル109によって構成される放射線撮像装置100の内部を封止する能力が低下する可能性がある。具体的には基台103およびセンサ部114を構成する複数のセンサチップ101の隙間を通り、外部から水分が侵入する可能性がある。そこで、センサチップ101(センサ部114)の表面115および基台103の側面118に沿うように曲がった配線基板102とセンサパネル113との間には、センサ部114の周囲を封止するための封止部材106が配される。封止部材106の形成方法については後述する。
As shown in FIG. 1B, the outer edge of the
図1(d)は、図1(a)の四角形Cで囲まれた部分のセンサチップ101(センサ部114)の表面115の高さでの断面図を示す。図1(d)に示すように、配線基板102の配線基板102がセンサパネルから延在する方向と交差する方向の端部において、封止部材106と封止部材126とが互いに接する。換言すると、基台103とセンサチップ101(センサ部114)の表面115との間は、封止部材106および封止部材126によって封止される。図1(e)は、図1(a)の四角形Cで囲まれた部分のセンサパネル113の表面115とシンチレータ基台108との間の高さでの断面を示す。図1(e)で示されるように、センサチップ101(センサ部114)の表面115とシンチレータ基台108との間は、封止部材126によって封止される。このように、封止部材106および封止部材126によって、センサパネル113の基台103とシンチレータパネル109のシンチレータ基台108との間の隙間が封止される。結果として、放射線撮像装置100に配されたセンサパネル113およびシンチレータ107を大気中の塵埃や水分などから保護することが可能となる。封止部材106および封止部材126の材料として、シリコン系樹脂やエポキシ系樹脂などの樹脂材料が用いられうる。封止部材106と封止部材126とは、同じ材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。
FIG. 1D shows a cross-sectional view at the height of the
次いで、図2を用いて本実施形態で用いる配線基板102および放射線撮像装置100の製造方法について説明する。図2(a)は、配線基板102の平面図である。また、図2(b)〜(d)は、図1(a)に示すA−A’間での、放射線撮像装置100の製造方法を示す断面図である。配線基板102には、センサチップ101で生成された電気信号を出力するための導電線112が配され、導電線112の間に貫通口111が配される。この貫通口111は、図2(b)の断面図に示される配線基板102の、配線基板102のセンサチップ101(センサ部114)の表面115を覆う部分121と、基台103の側面118を覆う部分123との間の部分122に配されている。配線基板102は、貫通口111を開口した基板となる樹脂の上に、導体箔を接着剤などの結合層によって貼り合わせ、その後、導電線112などの回路が残るように導体箔をエッチングすることによって形成されうる。配線基板102の樹脂材料には、柔軟性および絶縁性を有している材料が用いられる。配線基板102の樹脂材料には、例えば、ポリイミドやポリエステルなどの樹脂材料が用いられうる。また、導電線112を形成するための導体箔には、電気抵抗の低い金属材料などが用いられうる。価格などの観点から導体箔として、例えば、銅が用いられる。
Next, a method for manufacturing the
次に、放射線撮像装置100の製造方法について説明する。まず、上述の配線基板102が、センサパネル113のセンサ部114を構成するセンサチップ101に電気的に接続され、固定される。次いで、一端がセンサチップ101(センサ部114)の表面115に固定された配線基板102の他端の側を、放射線撮像装置100を狭額縁化するために、基台103の側面118に沿うように曲げる。曲げられた配線基板102は、図2(b)に示すように、センサパネル113の基台103の側面118を覆う部分123において、基台103の側面118に、両面テープや接着剤などを用いた結合部材105によって固定される。
Next, a method for manufacturing the
配線基板102を基台103の側面118に固定した後、センサパネル113の基台103とシンチレータパネル109のシンチレータ基台108との間の隙間を封止するための封止部材106および封止部材126を形成する。まず、封止部材106を形成する方法について説明する。センサパネル113の配線基板102の部分122で覆われた部分(基台103の表面のうちセンサ部114で覆われない部分120、センサ部114の側面119および配線基板102の部分122で囲まれる部分。)に封止部材106を形成するために、上述のように配線基板102の部分122に設けられた貫通口111に封止部材106の材料116を注入するためのニードル117を挿入する。次いで、図2(c)に示すように、配線基板102の貫通口111を通してセンサパネル113の配線基板102の部分122に覆われた部分に封止部材106の材料116を塗布する。この工程によって、図2(d)に示すように、センサパネル113のセンサ部114の側面119、基台103の表面のうちセンサ部114が配されない部分120および配線基板102の部分122によって囲まれる領域に封止部材106を形成することができる。次いで、封止部材126を形成することによって、図1(b)、(c)に示すように放射線撮像装置100の内部が封止される。封止部材126は、配線基板102によって覆われる部分ではないため、ニードル117などを用いて封止部材126の材料を、それぞれ封止部材126を形成する部分に直接塗布することによって、封止部材126を形成することができる。本実施形態において、封止部材106を形成した後、封止部材126を形成する説明をしたが、封止部材106と封止部材126とを形成する順番は、これに限られるものではない。封止部材126を形成した後に封止部材106を形成してもよい。また例えば、基台103とシンチレータ基台108との間の配線基板102の配される部分および隣接する配線基板102の配されない部分ごとに、封止部材106と封止部材126とを交互に形成してもよい。
After fixing the
ここで、本実施形態の効果について説明する。基台103とシンチレータ基台108との隙間を封止する封止部材106および封止部材126を形成する工程において、封止部材136を形成した後、配線基板102をセンサパネル113の側面118に沿うように曲げる工程順序が考えられる。この工程順序を採用した場合、例えば封止部材136の材料を多く塗布してしまうと、図6に示すように、基台103の側面118の結合部材105と配線基板102との間に封止部材136が入り込んでしまう可能性がある。封止部材136が入り込んだ場合、配線基板102を基台103の側面に固定できなくなることによって、放射線撮像装置の信頼性が低下する可能性がある。また、基台103の側面118の結合部材105と配線基板102との間に封止部材136が入り込むことによって、基台103の側面118と配線基板102との間にスペースが生じ、狭額縁化が難しくなる。一方、本実施形態において、封止部材106を形成する前に配線基板102を基台103の側面118に結合部材105によって固定する。このため、基台103の側面118の結合部材105と配線基板102との間に封止部材106が入り込んでしまう可能性を抑制することができる。また、本実施形態において、配線基板102に貫通口111が配される。このため、センサパネル113の配線基板102に覆われる部分(基台103の表面のうちセンサ部114で覆われない部分120、センサ部114の側面119および配線基板102の部分122で囲まれる部分。)にも封止部材106の材料116を塗布することが可能となる。貫通口111が配されない配線基板を用いた場合、センサパネル113の配線基板102に覆われる部分に十分に材料116が充填できず、封止部材106が十分に形成できない可能性がある。封止部材106が十分に形成されない場合、基台103およびセンサ部114を構成する複数のセンサチップ101の隙間から水分などが侵入する可能性がある。結果として、貫通口111のない配線基板を用いた放射線撮像装置に対して、信頼性の高い放射線撮像装置100が実現されうる。
Here, the effect of this embodiment will be described. In the step of forming the sealing
配線基板102の貫通口111から封止部材106の材料116を注入した場合、注入された材料116の広がる幅は、次の(1)式より求めることができる。
When the
W=παω4pt/2μDH ・・・ (1)
ここで、αは、センサパネル113(基台103のセンサ部114で覆われない部分120およびセンサ部114の側面119)の表面粗さ(Ra)と関係する粗面係数、ω(cm)は、ニードル117の開口の直径、p(MPa)は、材料116を注入する際の圧力、t(sec)は、材料を注入する時間、μ(dPa・sec)は、材料116の粘度、D(cm)およびH(cm)は、図3に示すように、センサパネル113と配線基板102との間の材料116が注入、塗布される奥行きおよび高さである。(1)式において、DとHとの積は、センサパネル113と配線基板102の部分122との間の断面の面積(断面積)を表す。このため、(1)式は、W=παω4pt/2μS(ここで、S(cm2)は、センサパネル113と配線基板102の部分122との間の断面積)と書き換えてもよい。例えば、それぞれのパラメータを、α=1.118×105、ω=0.031(cm)、p=0.4(MPa)、t=15(sec)、μ=200(dPa・sec)、D=0.076(cm)、H=0.07(cm)とする。この場合、W=1.83(cm)となるため、1.83cm以下の幅を有し、例えば中央部に貫通口111を備える配線基板102を用いると、配線基板102に覆われる部分に封止部材106を形成することが可能となる。
W = παω 4 pt / 2 μDH (1)
Here, α is a rough surface coefficient related to the surface roughness (Ra) of the sensor panel 113 (the
配線基板102に設けられる貫通口111の数は、図2(a)に示すように、配線基板102の中央部に1つ配されることに限られるものではない。配線基板102に設けられる貫通口111の数は、例えば図4に示すように2つであってもよいし、3つ以上であってもよい。1つの貫通口111だけでは、封止部材106の材料116を十分にセンサパネル113と配線基板102の部分122との間に注入できない場合、他の貫通口111から材料116を注入することが可能となる。配線基板102に配される貫通口111の数や配置は、配線基板102の幅、封止部材106の材料116の特性、封止部材106の塗布に用いるニードル117の大きさ、ニードル117を用いて材料116を注入する際の条件などによって、適宜選択すればよい。上述の(1)式を用いて、貫通口111の数や配置を見積もることが可能である。
The number of through-
また、本実施形態において、配線基板102を基台103の側面118に固定してから封止部材106が形成される。このため、配線基板102のセンサチップ101(センサ部114)の表面115を覆う部分121と基台103の側面118を覆う部分123との間の部分122の形状は、封止部材106の形状によらない。図1(b)に示すように、配線基板102の部分122が、センサチップ101(センサ部114)の表面115を覆う部分121と基台103の側面118を覆う部分123との間を結ぶ線よりも基台103の表面から離れた側に配された部分を有していてもよい。また例えば、図2(e)に示すように、配線基板102の部分122が、センサチップ101(センサ部114)の表面115を覆う部分121と基台103の側面118を覆う部分123との間を直線状に結んでもよい。また例えば、図2(f)に示すように、配線基板102の部分122が、センサチップ101(センサ部114)の表面115を覆う部分121と基台103の側面118を覆う部分123との間を結ぶ線よりも基台103の表面の側に配された部分を有してもよい。換言すると、配線基板102の部分122が、図2(f)に示すように下に垂れ下がるように配されていてもよい。配線基板102の樹脂材料、導電線112の材料の特性、貫通口111の数や配置、封止部材106の材料116の特性、ニードル117を用いて材料116を注入する際の条件などによって、配線基板102の部分122の形状を適宜選択すればよい。
In the present embodiment, the sealing
また、貫通口111の大きさが、封止部材106の材料116を注入するニードル117の直径よりも大きくてもよい。配線基板102は、上述のように柔軟性を有するため、貫通口111の大きさが、ニードル117の直径と同じであっても、また多少小さくてもニードル117を貫通口111に挿入できる。しかしながら、貫通口111の大きさをニードル117の直径よりも大きくすることで、ニードル117をセンサパネル113と配線基板102との間で様々な方向に傾けることが可能となる。ニードル117の操作性が向上することによって、より確実に封止部材106の材料116をセンサパネル113と配線基板102との間に注入し、センサパネル113と配線基板102との間に封止部材106を形成することが可能となる。これによって、放射線撮像装置100の信頼性をより高めることが可能となる。ここで、ニードル117の直径よりも貫通口111の大きさが大きいとは、例えば、貫通口111が円の場合、円の直径がニードル117の直径よりも大きくてもよい。また例えば、図2(a)に示すように貫通口111が楕円形の場合、貫通口111の長径方向の長さがニードル117の直径よりも大きく、短径方向の長さがニードル117の直径と同等以上であってもよい。ニードル117を貫通口111に挿入する際、ニードル117を傾けられる角度の自由度が増す形状であればよい。
Moreover, the size of the through-
図1(a)に示される放射線撮像装置100において、配線基板102は、センサ部114のそれぞれのセンサチップ101ごとに1つずつ接続されているが、これに限られることはない。それぞれのセンサチップ101に複数の配線基板102が接続されていてもよい。また、図5に示すように、センサ部114に配された複数のセンサチップ101のうち2つ以上のセンサチップ101で、1つの配線基板102が共有されていてもよい。図5に示される幅広の配線基板102を用いる場合、配線基板102に貫通口111が配されないと、配線基板102を基台103の側面118に固定した後、センサパネル113と配線基板102との間に封止部材106を形成することは難しい。一方、本実施形態に示す貫通口111が配された配線基板102の場合、貫通口111を通して封止部材106の材料116を注入し、センサパネル113の配線基板102に覆われた部分に封止部材106を形成することが可能となる。これによって、信頼性の高い放射線撮像装置100の製造が実現される。
In the
以上、本発明に係る実施形態を示したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。例えば、本実施形態のセンサパネル113は、複数のセンサチップ101がタイリングされたセンサ部114を備えるが、1つのセンサチップによってセンサ部114が構成されていてもよい。
As mentioned above, although embodiment which concerns on this invention was shown, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, In the range which does not deviate from the summary of this invention, embodiment mentioned above can be changed and combined suitably. Is possible. For example, the
以下、図7を参照しながら本実施形態の放射線撮像装置100が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線源であるX線チューブ210で発生したX線211は、患者又は被験者220の胸部221を透過し、本発明の放射線撮像装置100に入射する。この入射したX線に患者又は被験者220の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置100において、X線211の入射に対応してシンチレータ107が発光し、これがセンサ部114に配されたセンサチップ101のそれぞれのセンサで光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ230によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ240で観察できる。
Hereinafter, a radiation imaging system in which the
また、この情報は、電話、LAN、インターネットなどのネットワーク250などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ241に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ260によって記録媒体となるフィルム261に記録することもできる。
Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission processing unit such as a
100:放射線撮像装置、101:センサチップ102:配線基板、106、126:封止部材、109:シンチレータパネル、111:貫通口、114:センサ部、115:センサ部の表面、118:基台の側面 100: radiation imaging apparatus, 101: sensor chip 102: wiring board, 106, 126: sealing member, 109: scintillator panel, 111: through port, 114: sensor unit, 115: surface of the sensor unit, 118: base side
Claims (13)
前記センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、
前記配線基板における前記センサ部の表面を覆う部分と前記基台の側面を覆う部分との間の第1の部分に貫通口が配され、
前記封止部材が、前記センサ部の側面と前記第1の部分との間に配された第1の封止部材を含むことを特徴とする放射線撮像装置。 A base, a sensor unit that generates a signal corresponding to incident radiation disposed on the surface of the base, a scintillator panel disposed on the surface of the sensor unit, the surface of the sensor unit, and the A radiation imaging device including a wiring board bent along a side surface of a base, and a sealing member disposed between the base and the scintillator panel,
The sensor unit is composed of a plurality of sensor chips,
A through-hole is arranged in a first part between the part covering the surface of the sensor part and the part covering the side surface of the base in the wiring board,
The radiation imaging apparatus, wherein the sealing member includes a first sealing member disposed between a side surface of the sensor unit and the first portion.
前記第2の封止部材は、
前記基台と前記シンチレータパネルとの間に前記配線基板が配される部分において、前記配線基板と前記シンチレータパネルとの間に配され、
前記基台と前記シンチレータパネルとの間に前記配線基板が配されない部分において、前記基台と前記シンチレータパネルとの間に配され、
前記第1の部分のうち前記配線基板が前記センサ部の表面から前記基台の側面に延びる方向と交差する方向の端部において、前記第1の封止部材と前記第2の封止部材とが互いに接し、
前記第1の封止部材および前記第2の封止部材によって前記放射線撮像装置の内部が封止されていることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮像装置。 The sealing member further includes a second sealing member,
The second sealing member is
In the portion where the wiring board is arranged between the base and the scintillator panel, it is arranged between the wiring board and the scintillator panel,
In a portion where the wiring board is not disposed between the base and the scintillator panel, the base is disposed between the base and the scintillator panel.
At the end of the first portion in the direction intersecting with the direction in which the wiring board extends from the surface of the sensor unit to the side surface of the base, the first sealing member and the second sealing member Touch each other,
3. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein an interior of the radiation imaging apparatus is sealed by the first sealing member and the second sealing member.
前記第1の封止部材が、前記センサ部の側面、前記基台の表面のうち前記センサ部が配されない部分および前記第1の部分によって囲まれる領域に配されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の放射線撮像装置。 In the orthogonal projection to the surface of the base, the outer edge of the sensor unit is arranged on the inner side of the outer edge of the base,
The said 1st sealing member is distribute | arranged to the area | region enclosed by the side where the said sensor part is not distribute | arranged among the side surface of the said sensor part, and the surface of the said base, and the said 1st part. The radiation imaging apparatus according to any one of 1 to 3.
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。 The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 9,
A signal processing unit for processing a signal from the radiation imaging apparatus;
A radiation imaging system comprising:
前記センサ部は、複数のセンサチップによって構成され、
前記封止部材は、前記センサ部の側面と前記配線基板との間に配された第1の封止部材を含み、
前記配線基板における前記センサ部の表面を覆う部分と前記基台の側面を覆う部分との間の部分に貫通口が配され、
前記貫通口を介して前記第1の封止部材の材料を注入する注入工程を含むことを特徴とする製造方法。 A base, a sensor unit that generates a signal corresponding to incident radiation disposed on the surface of the base, a scintillator panel disposed on the surface of the sensor unit, the surface of the sensor unit, and the A method of manufacturing a radiation imaging apparatus, comprising: a wiring board bent along a side surface of a base; and a sealing member disposed between the base and the scintillator panel,
The sensor unit is composed of a plurality of sensor chips,
The sealing member includes a first sealing member disposed between a side surface of the sensor unit and the wiring board,
A through-hole is arranged in a portion between the portion covering the surface of the sensor part in the wiring board and the portion covering the side surface of the base,
The manufacturing method characterized by including the injection | pouring process which inject | pours the material of a said 1st sealing member through the said through-hole.
一端が前記センサ部の表面に固定された前記配線基板の他端の側を前記基台の側面に沿うように曲げる工程と、
前記配線基板の前記基台の側面を覆う部分を前記基台の側面に固定する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の製造方法。 Before the injection step,
Bending the other end side of the wiring board, one end of which is fixed to the surface of the sensor unit, along the side surface of the base;
Fixing the portion of the wiring board that covers the side surface of the base to the side surface of the base;
The manufacturing method according to claim 11, further comprising:
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