JP2018098284A - Circuit board, manufacturing method of circuit board and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置に関する。 The present invention relates to a circuit board, a circuit board manufacturing method, and an electronic apparatus.
回路基板と、それに搭載された半導体チップ等の電子部品との間に、アンダーフィル材を充填し、回路基板と電子部品との接続信頼性を高める技術が知られている。
また、回路基板と電子部品との間に流動性のアンダーフィル材を供給する際の、電子部品の周辺への過剰な濡れ広がりを抑えるため、回路基板の表面に、電子部品の搭載領域を包囲するように、その搭載領域に沿って、突起や溝を設ける技術が知られている。
A technique is known in which an underfill material is filled between a circuit board and an electronic component such as a semiconductor chip mounted thereon to improve connection reliability between the circuit board and the electronic component.
In addition, when supplying a fluid underfill material between the circuit board and the electronic component, the electronic component mounting area is enclosed on the surface of the circuit board in order to suppress excessive wetting and spreading around the electronic component. Thus, a technique for providing a protrusion or a groove along the mounting region is known.
例えば、電子部品を包囲するようにその搭載領域の縁から一定の間隔で突起や溝が設けられた回路基板では、搭載された電子部品との間に供給される流動性のアンダーフィル材が、電子部品の搭載領域からその外側の突起や溝まで濡れ広がり、硬化される。 For example, in a circuit board provided with protrusions and grooves at regular intervals from the edge of the mounting region so as to surround the electronic component, the fluid underfill material supplied between the mounted electronic component is It spreads and hardens from the mounting area of the electronic component to the protrusions and grooves on the outside.
このようにアンダーフィル材が設けられた回路基板に対し、製造時や使用時に加熱及び冷却が行われると、それに伴ってアンダーフィル材に膨張及び収縮が生じ得る。アンダーフィル材に膨張及び収縮が生じた場合には、電子部品の角部とその付近に形成されているアンダーフィル材の部分、更にその部分に対応する回路基板の部分に、応力が集中し易くなる。 When the circuit board provided with the underfill material is heated and cooled at the time of manufacture and use, the underfill material may expand and contract accordingly. When expansion and contraction occur in the underfill material, stress tends to concentrate on the corners of the electronic component and the portions of the underfill material formed in the vicinity thereof, and further on the portions of the circuit board corresponding to the portions. Become.
このような応力の集中は、回路基板の損傷を引き起こし、その性能及び信頼性を低下させる可能性がある。 Such concentration of stress can cause damage to the circuit board and reduce its performance and reliability.
一観点によれば、基板と、前記基板の表面に設けられた端子と、前記表面に設けられ、平面視で、前記端子を内包する多角形状の第1領域を包囲し、前記第1領域の辺部と第1距離で対向する第1部位と、前記第1領域の角部と前記第1距離よりも大きい第2距離で対向する第2部位とを有する段差とを含む回路基板が提供される。 According to one aspect, a substrate, a terminal provided on the surface of the substrate, and a polygonal first region that is provided on the surface and encloses the terminal in a plan view, There is provided a circuit board including a first portion facing a side portion at a first distance, and a step having a corner portion of the first region and a second portion facing a second distance larger than the first distance. The
また、一観点によれば、表面に端子が設けられた基板の前記表面に、平面視で、前記端子を内包する多角形状の第1領域を包囲し、前記第1領域の辺部と第1距離で対向する第1部位と、前記第1領域の角部と前記第1距離よりも大きい第2距離で対向する第2部位とを有する段差を形成する工程を含む回路基板の製造方法が提供される。 Further, according to one aspect, the first surface of the polygon including the terminal is surrounded on the surface of the substrate provided with the terminal on the surface in a plan view, and the side portion of the first region and the first region Provided is a circuit board manufacturing method including a step of forming a step having a first portion facing at a distance, a corner portion of the first region, and a second portion facing at a second distance larger than the first distance. Is done.
また、一観点によれば、基板と、前記基板の表面に設けられた端子と、前記表面に設けられ、平面視で、前記端子を内包する多角形状の第1領域を包囲し、前記第1領域の辺部と第1距離で対向する第1部位と、前記第1領域の角部と前記第1距離よりも大きい第2距離で対向する第2部位とを有する段差と、前記表面の前記第1領域に設けられ、前記端子と接続された電子部品と、前記表面と前記電子部品との間、及び前記段差で包囲された前記表面に設けられた樹脂とを含む電子装置が提供される。 Further, according to one aspect, the substrate, the terminal provided on the surface of the substrate, the first region of the polygonal shape that is provided on the surface and encloses the terminal in a plan view, A step having a first portion facing a side of the region at a first distance; a step having a second portion facing a corner of the first region and a second distance greater than the first distance; Provided is an electronic device including an electronic component provided in a first region and connected to the terminal, and a resin provided between the surface and the electronic component and on the surface surrounded by the step. .
熱によって生じる応力に起因した損傷が抑えられる、性能及び信頼性に優れる回路基板を実現することが可能になる。また、そのような回路基板を用いた、性能及び信頼性に優れる電子装置を実現することが可能になる。 It is possible to realize a circuit board excellent in performance and reliability in which damage due to stress caused by heat is suppressed. In addition, it is possible to realize an electronic device that uses such a circuit board and is excellent in performance and reliability.
はじめに、電子装置の一例について説明する。
図1及び図2は電子装置の一例を示す図である。図1には電子装置の一例の要部平面模式図を示している。図2(A)には図1のL1a−L1a断面の模式図を示し、図2(B)には図1のL1b−L1b断面の模式図を示している。
First, an example of an electronic device will be described.
1 and 2 are diagrams illustrating an example of an electronic device. FIG. 1 is a schematic plan view of an essential part of an example of an electronic device. 2A shows a schematic diagram of the L1a-L1a cross section of FIG. 1, and FIG. 2B shows a schematic diagram of the L1b-L1b cross section of FIG.
図1並びに図2(A)及び図2(B)に示す電子装置100は、回路基板110、及び回路基板110上に搭載された半導体素子120を含む。
回路基板110は、パッド111群、及び各パッド111に通じる開口部が設けられたソルダーレジスト112を有する。パッド111群は、回路基板110の、半導体素子120が搭載される領域(ダイエリア)150内に、半導体素子120のパッド121群に対応して、設けられる。各パッド111は、回路基板110の内層に設けられる、図示しない配線やビア等の導体部と電気的に接続される。
An
The
回路基板110(又はそのソルダーレジスト112)の表面110aには、ダイエリア150(又はそこに搭載される半導体素子120)の縁から一定の距離(間隔)d0で、その縁に沿って、段差113が設けられる。ここでは一例として、表面110aから突き出た凸部113Aによって形成される段差113を図示している。ダイエリア150は、このような段差113によって包囲される。
A
半導体素子120は、回路基板110のダイエリア150に設けられたパッド111群に対応して設けられたパッド121群を有する。半導体素子120は、そのパッド121群がそれぞれ、回路基板110の、対応するパッド111群と半田130で接合され、回路基板110のダイエリア150に搭載される。搭載される半導体素子120は、回路基板110の表面110aの段差113によって包囲される。
The
半田130で接合された回路基板110と半導体素子120との隙間には、アンダーフィル材140が設けられる。アンダーフィル材140には、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。このようなアンダーフィル材140が、流動性を持った状態で、半田130で接合された回路基板110と半導体素子120との隙間に供給され、その後、硬化される。これにより、回路基板110と半導体素子120との接合強度、接続信頼性の向上が図られる。
An
アンダーフィル材140は、回路基板110と半導体素子120との隙間への供給時に、その隙間に十分に充填されるよう、予め高い流動性を有するように設計される。一方、流動性を高めたアンダーフィル材140は、回路基板110と半導体素子120との隙間から、更に半導体素子120の周囲の回路基板110上にも濡れ広がり易くなる。アンダーフィル材140の過剰な濡れ広がりは、回路基板110の、ダイエリア150の外側に設けられる他のパッド117等の導体を被覆し、その導体に他の電子部品を接続する際、接続不良を引き起こす恐れがある。
The
そのため、電子装置100では、回路基板110にそのダイエリア150を包囲するような段差113を設け、その段差113により、半導体素子120との隙間から流れ出るアンダーフィル材140を堰き止め、その過剰な濡れ広がりを抑えている。
Therefore, in the
尚、ここでは回路基板110の表面110aから突き出た凸部113Aによって形成される段差113を例示したが、表面110aから窪んだ凹部によって段差が形成される場合もある。この場合は、凹部によって形成される段差に、半導体素子120との隙間から流れ出るアンダーフィル材140を溜め、その過剰な濡れ広がりを抑える。
Here, the
ところで、図1に示すように、電子装置100の半導体素子120は、その平面形状が多角形状、通常は矩形状とされる。段差113は、そのような半導体素子120の縁から等距離d0の位置に、半導体素子120のダイエリア150を包囲するように設けられる。そのため、段差113は、半導体素子120と同様に、その平面形状が略矩形状とされて、設けられる。回路基板110と半導体素子120との隙間から流れ出るアンダーフィル材140は、このような略矩形状の段差113で包囲された領域に濡れ広がるが、その場合、次のような不具合が生じる可能性がある。
By the way, as shown in FIG. 1, the planar shape of the
電子装置100又はそれを含む電子機器の製造時や使用時には、上記のように半導体素子120が半田130で接合され、半導体素子120との隙間にアンダーフィル材140が充填された回路基板110に対し、加熱及び冷却が行われ得る。回路基板110に対して加熱及び冷却が行われると、それに伴い、アンダーフィル材140には、膨張及び収縮が生じ、それによって内部応力が発生することがある。この時の内部応力は、アンダーフィル材140が略矩形状の段差113で包囲された領域に設けられていることで、半導体素子120の角部122とその付近のアンダーフィル材140の部分、即ちアンダーフィル材140の角部142に集中し易くなる。
When the
この応力の集中により、アンダーフィル材140の角部142に対応する回路基板110の部分(対応部分)にも応力が伝播して集中的に掛かるようになり、それによってその対応部分に損傷が生じる可能性がある。例えば、図2(B)に示すように、回路基板110の、応力が集中的に掛かるその対応部分のソルダーレジスト112に、クラック200が形成される可能性がある。このようにソルダーレジスト112にクラック200が形成されると、クラック200を通じて半田130の成分やパッド111の成分が拡散し、回路基板110と半導体素子120とを繋ぐ電気接続経路の短絡を招く恐れがある。
Due to the concentration of the stress, the stress propagates to the portion (corresponding portion) of the
また、アンダーフィル材140の応力の集中に起因したクラックは、ソルダーレジスト112だけに限らず、更にその下層部分に達する可能性もある。このような場合も、半田130の成分やパッド111の成分、下層部分に含まれる導体の成分等がクラックを通じて拡散し、電気接続経路の短絡を招く恐れがある。
Moreover, the crack resulting from the stress concentration of the
尚、凹部によって段差が形成される場合も同様に、その段差で包囲された略矩形状の領域に濡れ広がるアンダーフィル材140の膨張及び収縮に起因した角部142への応力の集中、それによる回路基板110の損傷、電気接続経路の短絡等が起こり得る。
Similarly, when a step is formed by the concave portion, similarly, stress concentration on the
このように、熱によるアンダーフィル材140の膨張及び収縮に起因した応力の集中は、回路基板110の損傷を引き起こし、回路基板110及びそれを用いた電子装置100の性能及び信頼性を低下させる可能性がある。
As described above, the stress concentration due to the expansion and contraction of the
以上のような点に鑑み、ここでは以下の実施の形態に示すような手法を用い、性能及び信頼性に優れる回路基板、及びそのような回路基板を用いた電子装置等を実現する。
まず、第1の実施の形態について説明する。
In view of the above points, a circuit board having excellent performance and reliability, an electronic device using such a circuit board, and the like are realized by using a technique as shown in the following embodiments.
First, the first embodiment will be described.
図3及び図4は第1の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図3には第1の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面模式図を示している。図4(A)には図3のL3a−L3a断面の模式図を示し、図4(B)には図3のL3b−L3b断面の模式図を示している。 3 and 4 are diagrams showing an example of the circuit board according to the first embodiment. FIG. 3 shows a schematic plan view of an essential part of an example of the circuit board according to the first embodiment. 4A shows a schematic diagram of the L3a-L3a cross section of FIG. 3, and FIG. 4B shows a schematic diagram of the L3b-L3b cross section of FIG.
図3並びに図4(A)及び図4(B)に示す回路基板10A(基板)は、パッド11(端子)群、及び各パッド11に通じる開口部12aが設けられたソルダーレジスト12を有する。パッド11群は、回路基板10Aのダイエリア50(後述の半導体素子20が搭載される領域)内に設けられる。
A
ここでは回路基板10Aの一例として、図4(A)及び図4(B)のような、第1層16a(例えばコア層)と、第1層16a上に設けられた第2層16b(例えばビルドアップ層)とを有するものを図示している。第1層16aには、絶縁部14a、及び絶縁部14aを貫通する孔の内壁に設けられたスルーホール15a、並びにスルーホール15aの内側に充填された樹脂部14bが含まれる。第2層16bには、絶縁部14c、並びに絶縁部14c内に設けられてスルーホール15aと電気的に接続されたビア15b及び配線15cが含まれる。
Here, as an example of the
ソルダーレジスト12の開口部12aから露出する各パッド11は、回路基板10Aの内層に設けられる、例示のようなビア15b、配線15c、スルーホール15a等の導体部と電気的に接続される。
Each
尚、図4(A)及び図4(B)のような第1層16aの下面には、絶縁部、並びにその絶縁部内に設けられて第1層16aのスルーホール15aと電気的に接続されるビア及び配線を含む第3層(例えばビルドアップ層)が設けられ得る。その第3層の下面には、そのビア及び配線並びに第1層16aのスルーホール15a等の導体部と電気的に接続されるパッド群、更にそれらの各パッドに通じる開口部を有するソルダーレジストが設けられ得る。
Incidentally, the lower surface of the
回路基板10Aの表面10aに設けられるパッド11群は、ダイエリア50内に存在する。ダイエリア50は、搭載される電子部品が後述する半導体素子20のような矩形状の平面形状を有するものである場合、それに合わせて矩形状に設定される。
A group of
回路基板10A(そのソルダーレジスト12)の表面10aには、表面10aから突き出た凸部13Aによって形成される、凸状の段差13が設けられる。この凸状の段差13は、平面形状が矩形状のダイエリア50の辺部51と対向する第1部位13a、及びそのダイエリア50の角部52と対向する第2部位13bを有する。
The
凸状の段差13の第1部位13aは、ダイエリア50の辺部51に沿って、辺部51と距離d1で対向するように、設けられる。凸状の段差13の第2部位13bは、ダイエリア50の角部52と、第1部位13aと辺部51との距離d1よりも大きい距離d2で対向するように、設けられる。例えば、第1部位13aはダイエリア50の辺部51と間隔d1で平行に設けられ、第2部位13bは、ダイエリア50の角部52を中心とする半径d2の円周上に設けられる。
The
ダイエリア50の各辺部51に対向する第1部位13a群、及びダイエリア50の各角部52に対向する第2部位13b群が、第1部位13aと第2部位13bが交互に並んで連続するように設けられ、回路基板10A上の凸状の段差13とされる。ダイエリア50は、このような一続きの凸状の段差13によって包囲される。ダイエリア50に搭載される半導体素子20のような電子部品以外の他の電子部品を接続するためのパッド17群は、このような凸状の段差13の外側に設けられる。
In the
凸状の段差13は、例えば、印刷用インク材等の樹脂塗料をソルダーレジスト12上の所定の位置に塗布することで、形成される。或いは、凸状の段差13は、予めその形状で準備した部材をソルダーレジスト12上に貼付したり、或いはまた、表面10aから突き出た凸状の段差13を有するようにソルダーレジスト12をパターニングしたりすることで、形成されてもよい。
The
回路基板10Aでは、ダイエリア50の縁、即ち辺部51及び角部52の双方から、等距離で段差が設けられる場合(図1並びに図2(A)及び図2(B))に比べて、ダイエリア50の角部52からそれと対向する凸状の段差13の第2部位13bまでの領域が広域化される。
In the
続いて、上記のような構成を有する回路基板10Aを用いた電子装置について述べる。
図5及び図6は第1の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図5には第1の実施の形態に係る電子装置の一例の要部平面模式図を示している。図6(A)には図5のL5a−L5a断面の模式図を示し、図6(B)には図5のL5b−L5b断面の模式図を示している。
Next, an electronic device using the
5 and 6 are diagrams illustrating an example of the electronic apparatus according to the first embodiment. FIG. 5 shows a schematic plan view of an essential part of an example of the electronic apparatus according to the first embodiment. 6A shows a schematic diagram of the section L5a-L5a in FIG. 5, and FIG. 6B shows a schematic diagram of the section L5b-L5b in FIG.
図5並びに図6(A)及び図6(B)に示す電子装置1Aは、上記のような回路基板10A、及び回路基板10A上に搭載された半導体素子20を含む。
半導体素子20は、回路基板10Aのダイエリア50に設けられたパッド11群に対応して設けられたパッド21群を有する。半導体素子20は、そのパッド21群がそれぞれ、回路基板110の、対応するパッド11群と半田30で接合され、回路基板10Aのダイエリア50に搭載される。搭載される半導体素子20は、回路基板10A(そのソルダーレジスト12)の表面10aに設けられた凸状の段差13で包囲される。
An
The
半田30で接合された回路基板10Aと半導体素子20との隙間には、アンダーフィル材40が設けられる。アンダーフィル材40には、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。アンダーフィル材40には、樹脂中にシリカ等の絶縁性フィラーを含有する材料が用いられてもよい。アンダーフィル材40により、半田30で接合された回路基板10Aと半導体素子20との接合強度、接続信頼性の向上が図られる。
An
アンダーフィル材40は、回路基板10A及び半導体素子20の半田30による接合後、それらの隙間に、流動性を持った状態で供給され、その後、硬化されることで、形成される。
The
その際、回路基板10Aと半導体素子20との隙間に供給されるアンダーフィル材40は、半田30のサイズ程度の比較的狭い隙間に毛細管現象で濡れ広がる。これにより、回路基板10Aと半導体素子20との隙間がアンダーフィル材40で充填される。
At that time, the
一方、回路基板10Aと半導体素子20との隙間から流れ出るアンダーフィル材40は、半導体素子20の周囲の回路基板10A上に濡れ広がる。この回路基板10Aには、上記のように、半導体素子20が搭載されるダイエリア50を包囲する凸状の段差13が設けられている。そのため、回路基板10Aと半導体素子20との隙間から流れ出るアンダーフィル材40は、凸状の段差13で堰き止められ、アンダーフィル材40の濡れ広がりは、凸状の段差13で包囲された領域内に抑えられる。これにより、他の電子部品が接続されるパッド17の、アンダーフィル材40による被覆、それによる他の電子部品の接続不良が抑えられる。
On the other hand, the
アンダーフィル材40の過剰な濡れ広がりを抑える凸状の段差13は、上記のように、ダイエリア50の辺部51と距離d1で対向する第1部位13a、及び角部52と距離d1よりも大きい距離d2で対向する第2部位13bを有する。回路基板10Aと半導体素子20との隙間から流れ出るアンダーフィル材40は、このような凸状の段差13の第1部位13a及び第2部位13bまで、回路基板10A上を濡れ広がる。アンダーフィル材40は、このように回路基板10A上に濡れ広がった状態で、硬化される。
The
ここで、ダイエリア50の角部52、即ち半導体素子20の角部から距離d2(>d1)で対向する第2部位13bまでの領域は、ダイエリア50の辺部51、即ち半導体素子20の辺部と同様に距離d1で対向する段差を設ける場合に比べて、広域化されている。そのため、距離d2(>d1)で対向する第2部位13bを設けた回路基板10Aでは、熱によるアンダーフィル材40の膨張及び収縮に起因して半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に生じる応力が、広域に分散される。このように応力が分散されることで、半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40への応力の集中が抑えられる。
Here, the region from the
このように半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40への応力の集中が抑えられることで、回路基板10Aの対応部分への応力の集中が抑えられ、ソルダーレジスト12等にクラックが生じるといった、回路基板10Aの損傷が抑えられる。これにより、回路基板10A及びそれを用いた電子装置1Aの、性能及び信頼性の低下が抑えられる。
In this way, by suppressing the concentration of stress on the corner portion of the
以上のように、電子装置1Aでは、回路基板10Aに設けられた凸状の段差13の第2部位13bにより、半導体素子20の角部の周辺に濡れ広がるアンダーフィル材40を広域化し、その膨張及び収縮に起因して生じる応力を分散する。上記の例では、半導体素子20の角部から第2部位13bまでを、均一な距離d2としている。具体的には、半導体素子20の角部、即ちダイエリア50の角部52を中心とする半径d2の円周上に、第2部位13bを設けている。
As described above, in the
半導体素子20の角部から凸状の段差13の第2部位13bまでの距離d2を不均一にすると、半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に生じる応力分布も不均一となる場合がある。このように応力分布が不均一になると、アンダーフィル材40の広域化した領域の中に応力が局所的に集中する箇所ができる等、アンダーフィル材40の広域化による応力の分散効果が抑えられてしまうことが起こり得る。このような観点では、上記の例のように、半導体素子20の角部から第2部位13bまでを均一な距離d2とすることが望ましい。
When the distance d2 from the corner portion of the
続いて、上記のような構成を有する電子装置1Aに関して行ったシミュレーションについて述べる。
図7は第1の実施の形態に係る電子装置のシミュレーションモデルを示す図である。
Next, a simulation performed on the
FIG. 7 is a diagram illustrating a simulation model of the electronic device according to the first embodiment.
図7(A)に示すモデル60aは、半導体素子20の角部とそれに対向する凸状の段差13の第2部位13bとの距離d2を、半導体素子20の辺部とそれに対向する凸状の段差13の第1部位13aとの距離d1と同じにしたもの(d2=d1)である。
A
図7(B)に示すモデル60bは、半導体素子20の角部とそれに対向する凸状の段差13の第2部位13bとの距離d2を、半導体素子20の辺部とそれに対向する凸状の段差13の第1部位13aとの距離d1の1.5倍にしたもの(d2=d1×1.5)である。
A
図7(C)に示すモデル60cは、半導体素子20の角部とそれに対向する凸状の段差13の第2部位13bとの距離d2を、半導体素子20の辺部とそれに対向する凸状の段差13の第1部位13aとの距離d1の1.75倍にしたもの(d2=d1×1.75)である。
A
図7(D)に示すモデル60dは、半導体素子20の角部とそれに対向する凸状の段差13の第2部位13bとの距離d2を、半導体素子20の辺部とそれに対向する凸状の段差13の第1部位13aとの距離d1の2倍にしたもの(d2=d1×2)である。
A
図7(E)に示すモデル60eは、半導体素子20の角部とそれに対向する凸状の段差13の第2部位13bとの距離d2を不均一にし、半導体素子20の辺部とそれに対向する凸状の段差13の第1部位13aとの距離d1よりも最大で2倍大きくしたものである(d2=max(d1×2))。
In the
これらのモデル60a〜60eについて、125℃まで加熱した場合のソルダーレジスト12における応力分布をシミュレーションした。
シミュレーションにより、ソルダーレジスト12には、半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に対応する部分Pに、比較的応力が集中し易いことが確認された。シミュレーションの結果から得られた、半導体素子20の角部から凸状の段差13の第2部位13bまでの距離d2と、部分Pにおけるソルダーレジスト12の最大応力との関係を、次の図8に示す。
About these
From the simulation, it was confirmed that stress is relatively easily concentrated on the solder resist 12 at the corner portion of the
図8は第1の実施の形態に係る電子装置のシミュレーション結果の一例を示す図である。
図8において、横軸は半導体素子20の角部から凸状の段差13の第2部位13bまでの距離d2を表し、縦軸は上記の部分Pにおけるソルダーレジスト12の最大応力[MPa]を表している。
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a simulation result of the electronic device according to the first embodiment.
In FIG. 8, the horizontal axis represents the distance d2 from the corner of the
図8より、半導体素子20の角部から第2部位13bまでの距離d2を、辺部から第1部位13aまでの距離d1と同じ値(図8:d1)から、距離d1の1.5倍(図8:d1×1.5)、1.75倍(図8:d1×1.75)としていくと、部分Pにおけるソルダーレジスト12の最大応力が減少する傾向が認められる。距離d2を、更に距離d1の2倍(図8:d1×2)とすると、部分Pにおけるソルダーレジスト12の最大応力が大幅に減少(約15%減少)する。
8, the distance d2 from the corner of the
図8の知見より、距離d2を距離d1よりも大きくすれば、ソルダーレジスト12の応力を低減することが可能になり、距離d2を距離d1の1.75倍超、好ましくは2倍以上とすれば、いっそう効果的にソルダーレジスト12の応力を低減することが可能になると言うことができる。 From the knowledge shown in FIG. 8, if the distance d2 is made larger than the distance d1, the stress of the solder resist 12 can be reduced, and the distance d2 should be more than 1.75 times, preferably more than twice the distance d1. In other words, it can be said that the stress of the solder resist 12 can be reduced more effectively.
一方、距離d2を図7(E)のモデル60eのような形状で不均一とした場合のように、たとえ距離d2を距離d1よりも大きく(モデル60eの例では最大で距離d1の2倍)したとしても、応力が十分に低減されないことも起こり得る。このような知見より、距離d2は、例えば図7(B)〜図7(D)のモデル60b〜60dのように、均一になるように設定することが好ましい。
On the other hand, the distance d2 is larger than the distance d1 as in the case where the distance d2 is not uniform in the shape of the
続いて、上記のような構成を有する回路基板10A及びそれを用いた電子装置1Aの形成方法について述べる。
図9は第1の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図9(A)〜図9(C)にはそれぞれ、第1の実施の形態に係る回路基板形成の各工程の要部断面模式図を示している。尚、便宜上、図9(A)〜図9(C)には、上記図3のL3b−L3b断面に相当する位置の断面模式図を示している。
Subsequently, a method of forming the
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a method of forming a circuit board according to the first embodiment. FIGS. 9A to 9C are schematic cross-sectional views of relevant parts of the respective steps of circuit board formation according to the first embodiment. For convenience, FIGS. 9A to 9C show schematic cross-sectional views at positions corresponding to the L3b-L3b cross section of FIG.
まず、上記回路基板10Aの基本構造となる、図9(A)に示すような基板70(回路基板)が準備される。基板70には、例えば、長さ70mm×幅70mm×厚さ1.5mmのサイズのもので、最表面に長さ25mm×幅25mmのダイエリア50を有するものが用いられる。
First, a board 70 (circuit board) as shown in FIG. 9A, which is the basic structure of the
基板70は、例えば、コア層である第1層16aと、第1層16a上に設けられたビルドアップ層群を含む第2層16bとを有する。
第1層16aには、絶縁樹脂等が用いられた絶縁部14a、及び絶縁部14aを貫通する孔の内壁に銅(Cu)等の導体を用いて形成されたスルーホール15a、並びにスルーホール15aの内側に充填された樹脂部14bが含まれる。
The
In the
第2層16bには、絶縁樹脂等が用いられた絶縁部14c、並びに絶縁部14c内に銅等の導体を用いて形成され第1層16aのスルーホール15aと電気的に接続されたビア15b及び配線15cが含まれる。尚、第2層16bには、複数のビルドアップ層群を積層して形成されたものを用いることができるほか、単層のビルドアップ層で形成されたものを用いることもできる。ここでは、複数のビルドアップ層群を積層して形成される第2層16bを例示している。
In the
第2層16bのビア15bは、例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)レーザー又は炭酸ガス(CO2)レーザー等によって絶縁樹脂層に形成した孔内に、無電解メッキ法、或いは無電解メッキ法及び電解メッキ法を用いて、銅等の導体を堆積することで形成される。例えば、ビア15bは、径が0.06mm、厚さが0.05mmとされる。
The via 15b of the
第2層16bの配線15cは、各ビルドアップ層の絶縁樹脂層の表面に設けた銅箔をエッチングによりパターニングすることで形成される。
基板70には、搭載される半導体素子20を電気的に接続するためのパッド11群が設けられる。パッド11群は、ダイエリア50内に設けられる。基板70には、パッド11群のほか、ここでは図示を省略するが、他の電子部品を接続するための上記パッド17群が設けられる。パッド17群は、ダイエリア50外に設けられる。例えば、半導体素子20が接続されるパッド11群は、銅を用いて形成され、各々、径が0.08mm、厚さが0.03mmとされる。同様に、パッド17群は、それらに接続される電子部品の端子に応じた形状、サイズとされる。尚、基板70の表層には、このようなパッド11群及びパッド17群のほか、所定のパターン形状の配線が含まれ得る。
The
The
基板70の最表層には、パッド11群等の保護膜としてソルダーレジスト12が形成される。ソルダーレジスト12には、パッド11群等に通じる開口部12aが形成される。例えば、ソルダーレジスト12は、厚さが0.03mmとされ、感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化した後、露光及び現像によって開口部12aをパターニングすることで形成される。
A solder resist 12 is formed on the outermost layer of the
尚、第1層16aの下面にも、上記第2層16bと同様のビルドアップ層又はビルドアップ層群(第3層)が設けられ得る。そのビルドアップ層又はビルドアップ層群の下面には、ビア、配線、スルーホール15a等の導体部と電気的に接続されるパッド群、更にそれらの各パッドに通じる開口部を有するソルダーレジストが設けられ得る。
Note that a build-up layer or a build-up layer group (third layer) similar to the
また、基板70には、上記のようなコア層(第1層16a)の片面又は両面にビルドアップ層又はビルドアップ層群(第2層16b等)を設けたもののほか、ビルドアップ層群のみを積層して形成されるコアレス基板が用いられてもよい。
The
次いで、図9(B)に示すように、基板70の、半導体素子20等が搭載される表面10a側に、凸状の段差13を形成するためのマスク80が形成される。マスク80には、凸状の段差13を形成する位置に開口部80aが設けられる。
Next, as shown in FIG. 9B, a
このマスク80の開口部80aには、上記のような、ダイエリア50の辺部51と距離d1で対向する第1部位13aを形成するための開口部、及び角部52と距離d1よりも大きい距離d2で対向する第2部位13bを形成するための開口部が含まれる。例えば、開口部80aには、ダイエリア50の辺部51から約2mmの位置に形成された、第1部位13aを形成するための開口部、及び、角部52から約4mmの位置に形成された、第2部位13bを形成するための開口部が含まれる。尚、図9(B)では、ダイエリア50の辺部51及びそれと対向する第1部位13aを形成するための開口部80aの図示は省略されている。
The
形成されたマスク80の開口部80aに、樹脂塗料13c、例えば印刷用インク材が充填される。例えば、そのような樹脂塗料13cをマスク80上に印刷することにより、その開口部80aに樹脂塗料13cが充填される。これにより、開口部80aのソルダーレジスト12上に樹脂塗料13cが形成される。
The
次いで、図9(C)に示すように、マスク80が除去され、ソルダーレジスト12上に残る樹脂塗料13cが乾燥される。これにより、ソルダーレジスト12上に、ダイエリア50の辺部51と距離d1で対向する第1部位13aと、角部52と距離d2(>d1)で対向する第2部位13bとを含む、凸状の段差13が形成される。例えば、ダイエリア50の辺部51から約2mmの位置に第1部位13aが形成され、角部52から約4mmの位置に第2部位13bが形成された凸状の段差13が、ソルダーレジスト12上に形成される。凸状の段差13の、ソルダーレジスト12の表面10aからの高さは、例えば約0.01mmとされる。尚、図9(C)では、ダイエリア50の辺部51及びそれと対向する第1部位13aの図示は省略されている。
Next, as shown in FIG. 9C, the
図9(A)〜図9(C)に示すような工程により、ソルダーレジスト12上に凸状の段差13が設けられた回路基板10Aが得られる。
尚、凸状の段差13は、上記のような樹脂塗料13cを用いる方法のほか、予めその形状で準備した部材をソルダーレジスト12上に接着剤等で貼付する方法を用いて設けることもできる。或いは、凸状の段差13は、露光及び現像によってソルダーレジスト12に凸部13Aを形成する方法を用いて設けることもできる。
9A to 9C, the
In addition to the method using the
このようにして形成される回路基板10A上に、半導体素子20等が搭載され、電子装置1Aが得られる。
図10は第1の実施の形態に係る電子装置の形成方法の一例を示す図である。図10(A)〜図10(C)にはそれぞれ、第1の実施の形態に係る電子装置形成の各工程の要部断面模式図を示している。尚、便宜上、図10(A)〜図10(C)には、上記図5のL5b−L5b断面に相当する位置の断面模式図を示している。
On the
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a method for forming an electronic device according to the first embodiment. FIGS. 10A to 10C are schematic cross-sectional views of relevant parts of the respective steps of forming the electronic device according to the first embodiment. For convenience, FIGS. 10A to 10C are schematic cross-sectional views at positions corresponding to the L5b-L5b cross section of FIG.
まず、図10(A)に示すように、回路基板10Aの、ソルダーレジスト12から露出するパッド11群(又はパッド11群及び図示しないパッド17群)の上に、半田バンプ31が形成される。例えば、ソルダーレジスト12上に、パッド11群に対応する位置に開口部を有するマスクが設けられ、そのマスクを用いてパッド11群の上に半田ペーストが印刷され、印刷された半田ペーストがリフローされる。これにより、回路基板10Aの各パッド11上に半田バンプ31が形成される。
First, as shown in FIG. 10A, solder bumps 31 are formed on the
このようにパッド11群の上にそれぞれ半田バンプ31が形成された回路基板10Aと対向するように、半導体素子20が配置される。例えば、厚さが0.5mm程度の半導体素子20が、回路基板10Aと対向するように配置される。半導体素子20には、回路基板10Aのパッド11群に対応して設けられたパッド21群の上に、それぞれ半田バンプ32が形成される。回路基板10Aと半導体素子20とが、互いのパッド11(その上に形成された半田バンプ31)群とパッド21(その上に形成された半田バンプ32)群との位置合わせが行われて、対向するように配置される。
Thus, the
次いで、回路基板10Aの半田バンプ31と半導体素子20の半田バンプ32とが接触され、リフローが行われる。これにより、半田バンプ31と半田バンプ32とが溶融一体化され、図10(B)に示すように、溶融一体化された半田30により、回路基板10Aと半導体素子20とが接合される。回路基板10Aと半導体素子20とは、パッド11群、半田30群、パッド21群を通じて電気的に接続される。このようにして、回路基板10A上のダイエリア50に、半導体素子20が搭載される。
Next, the solder bumps 31 of the
次いで、図10(C)に示すように、半田30で接合された回路基板10Aと半導体素子20との隙間に、エポキシ樹脂等が用いられたアンダーフィル材40が充填される。アンダーフィル材40は、回路基板10Aと半導体素子20との隙間に濡れ広がり、隙間から半導体素子20の周囲に流れ出るアンダーフィル材40は、回路基板10A上の凸状の段差13で包囲された領域内に濡れ広がる。アンダーフィル材40は、このように回路基板10A上に濡れ広がった状態で、硬化される。
Next, as shown in FIG. 10C, an
図10(A)〜図10(C)に示すような工程により、回路基板10A上に半導体素子20が半田30で接合されて搭載され、回路基板10Aと半導体素子20との接合強度がアンダーフィル材40で高められた電子装置1Aが得られる。
10A to 10C, the
尚、ここでは図示を省略するが、ダイエリア50外に設けられたパッド17群には、アンダーフィル材40の充填後又は充填前に、半導体素子やチップコンデンサ等の他の電子部品が搭載される。回路基板10Aにダイエリア50を包囲する凸状の段差13が設けられていることで、ダイエリア50外のパッド17群が、濡れ広がるアンダーフィル材40によって被覆されることが抑えられ、パッド17群に搭載される他の電子部品の接続不良が抑えられる。
Although not shown here, other electronic components such as a semiconductor element and a chip capacitor are mounted on the
以上のように、第1の実施の形態に係る電子装置1Aでは、回路基板10Aに、上記のような第1部位13a及び第2部位13bを有する凸状の段差13が設けられていることで、半導体素子20の角部の周辺に形成されるアンダーフィル材40が広域化される。広域化されることで、熱によるアンダーフィル材40の膨張及び収縮に起因して半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に生じる応力が分散され、ソルダーレジスト12等にクラックが生じるといった、回路基板10Aの損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れる回路基板10A及びそれを用いた電子装置1Aが得られる。
As described above, in the
次に、第2の実施の形態について説明する。
図11及び図12は第2の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図11には第2の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面模式図を示している。図12(A)には図11のL11a−L11a断面の模式図を示し、図12(B)には図11のL11b−L11b断面の模式図を示している。
Next, a second embodiment will be described.
11 and 12 are diagrams showing an example of a circuit board according to the second embodiment. FIG. 11 is a schematic plan view of an essential part of an example of a circuit board according to the second embodiment. 12A shows a schematic diagram of the section L11a-L11a in FIG. 11, and FIG. 12B shows a schematic diagram of the section L11b-L11b in FIG.
図11並びに図12(A)及び図12(B)に示す回路基板10Bは、そのソルダーレジスト12の表面10aに、表面10aから窪んだ凹部13Bによって形成される、一続きの凹状の段差13が設けられている点で、上記回路基板10Aと相違する。
The
この凹状の段差13も、上記のような、平面形状が矩形状のダイエリア50の辺部51と対向する第1部位13a、及びそのダイエリア50の角部52と対向する第2部位13bを有する。第1部位13aは、ダイエリア50の辺部51に沿って、辺部51と距離d1で対向するように、設けられる。第2部位13bは、ダイエリア50の角部52と距離d2(>d1)で対向するように、設けられる。例えば、ダイエリア50の辺部51と間隔d1で平行に第1部位13aが設けられ、ダイエリア50の角部52を中心とする半径d2の円周上に第2部位13bが設けられる。
The
回路基板10Bでは、ダイエリア50の角部52から凹状の段差13までの領域のうち、その凹状の第2部位13bに至る領域が広域化される。
図13及び図14は第2の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図13には第2の実施の形態に係る電子装置の一例の要部平面模式図を示している。図14(A)には図13のL13a−L13a断面の模式図を示し、図14(B)には図13のL13b−L13b断面の模式図を示している。
In the circuit board 10 </ b> B, a region extending from the
13 and 14 are diagrams illustrating an example of an electronic device according to the second embodiment. FIG. 13 is a schematic plan view of a main part of an example of an electronic apparatus according to the second embodiment. 14A shows a schematic diagram of the L13a-L13a cross section of FIG. 13, and FIG. 14B shows a schematic diagram of the L13b-L13b cross section of FIG.
図13並びに図14(A)及び図14(B)に示す電子装置1Bは、上記のような回路基板10B、及び回路基板10B上に半田30で接合されて搭載された半導体素子20を含む。半田30で接合された回路基板10Bと半導体素子20との隙間に、アンダーフィル材40が設けられる。
An
アンダーフィル材40は、流動性を持った状態で、半田30で接合された回路基板10Bと半導体素子20との隙間に供給され、その後、硬化されることで、形成される。
供給されるアンダーフィル材40は、回路基板10Bと半導体素子20との隙間に毛細管現象で濡れ広がり、充填される。
The
The supplied
回路基板10Bと半導体素子20との隙間から流れ出るアンダーフィル材40は、半導体素子20の周囲の回路基板10B上に濡れ広がる。この回路基板10Bには、ダイエリア50を包囲する凹状の段差13が設けられている。そのため、隙間から流れ出るアンダーフィル材40は、凹状の段差13に溜められ、アンダーフィル材40の濡れ広がりは、凹状の段差13で包囲された領域内に抑えられる。これにより、ダイエリア50外のパッド17のアンダーフィル材40による被覆が抑えられる。
The
回路基板10Bと半導体素子20との隙間から流れ出るアンダーフィル材40は、凹状の段差13の第1部位13a及び第2部位13bまで回路基板10B上を濡れ広がった状態で、硬化される。
The
ここで、ダイエリア50の角部52、即ち半導体素子20の角部から距離d2(>d1)で対向する第2部位13bまでの領域は、ダイエリア50の辺部51、即ち半導体素子20の辺部と同様に距離d1で対向する段差を設ける場合に比べて、広域化されている。これにより、回路基板10Bでは、熱によるアンダーフィル材40の膨張及び収縮に起因して半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に生じる応力が、広域に分散され、応力の集中が抑えられる。
Here, the region from the
このように半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40への応力の集中が抑えられることで、回路基板10Bの対応部分への応力の集中が抑えられ、ソルダーレジスト12等にクラックが生じるといった、回路基板10Bの損傷が抑えられる。これにより、回路基板10B及びそれを用いた電子装置1Bの、性能及び信頼性の低下が抑えられる。
As described above, the stress concentration on the corner portion of the
図15は第2の実施の形態に係る回路基板及び電子装置の形成方法の一例を示す図である。図15(A)〜図15(C)にはそれぞれ、第2の実施の形態に係る回路基板形成及び電子装置形成の各工程の要部断面模式図を示している。尚、便宜上、図15(A)〜図15(C)には、上記図11のL11b−L11b断面及び上記図13のL13b−L13b断面に相当する位置の断面模式図を示している。 FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a method of forming a circuit board and an electronic device according to the second embodiment. FIGS. 15A to 15C are schematic cross-sectional views of the main part of the respective steps of circuit board formation and electronic device formation according to the second embodiment. For convenience, FIGS. 15A to 15C are schematic cross-sectional views of positions corresponding to the L11b-L11b cross section of FIG. 11 and the L13b-L13b cross section of FIG.
まず、上記回路基板10Bの基本構造となる、上記図9(A)に示したような基板70(回路基板)が準備される。
準備された基板70に対し、図15(A)に示すように、凹状の段差13が形成される。例えば、炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工により、ソルダーレジスト12に凹部13Bが形成される。これにより、ソルダーレジスト12に、ダイエリア50の辺部51と距離d1で対向する第1部位13aと、角部52と距離d2(>d1)で対向する第2部位13bとを含む、凹状の段差13が形成される。例えば、ダイエリア50の辺部51から約2mmの位置に第1部位13aが形成され、角部52から約4mmの位置に第2部位13bが形成された凹状の段差13が、ソルダーレジスト12上に形成される。凹状の段差13の、ソルダーレジスト12の表面10aからの深さは、例えば約0.01mmとされる。尚、図15(A)では、ダイエリア50の辺部51及びそれと対向する第1部位13aの図示は省略されている。
First, a substrate 70 (circuit board) as shown in FIG. 9A, which is the basic structure of the
A
図15(A)に示すような工程により、ソルダーレジスト12に凹状の段差13が設けられた回路基板10Bが得られる。
尚、凹状の段差13は、上記のようなレーザー加工による方法のほか、パッド11群等に通じる開口部12aの形成後又は開口部12aの形成と共に、露光及び現像によってソルダーレジスト12に凹部13Bを形成する方法を用いて設けることもできる。
The
In addition to the method by laser processing as described above, the
また、ソルダーレジスト12には、それを貫通し、その下の第2層16bの表面又は内部に達するような凹部13Bを形成し、凹状の段差13を設けることもできる。
このようにして形成される回路基板10B上に、半導体素子20が搭載され、電子装置1Bが得られる。
Further, the solder resist 12 may be provided with a
The
例えば、回路基板10B及び半導体素子20の、互いのパッド11群及びパッド21群の上に半田バンプが設けられ、設けられた半田バンプ同士がリフローにより溶融一体化される。これにより、図15(B)に示すように、回路基板10B上のダイエリア50に、半導体素子20が半田30で接合されて搭載される。
For example, the solder bumps are provided on the
半田30で接合された回路基板10Bと半導体素子20との隙間には、図15(C)に示すように、アンダーフィル材40が充填される。アンダーフィル材40は、回路基板10Bと半導体素子20との隙間に濡れ広がり、隙間から半導体素子20の周囲に流れ出るアンダーフィル材40は、回路基板10B上の凹状の段差13で包囲された領域に濡れ広がる。アンダーフィル材40は、このように回路基板10B上に濡れ広がった状態で、硬化される。
As shown in FIG. 15C, the
図15(B)及び図15(C)に示すような工程により、半田30で接合された回路基板10Bと半導体素子20との接合強度がアンダーフィル材40で高められた電子装置1Bが得られる。
15B and 15C, an
尚、ここでは図示を省略するが、ダイエリア50外に設けられたパッド17群には、アンダーフィル材40の充填後又は充填前に、半導体素子やチップコンデンサ等の他の電子部品が搭載される。凹状の段差13により、濡れ広がるアンダーフィル材40によるパッド17群の被覆が抑えられ、パッド17群に搭載される他の電子部品の接続不良が抑えられる。
Although not shown here, other electronic components such as a semiconductor element and a chip capacitor are mounted on the
以上のように、第2の実施の形態に係る電子装置1Bでは、回路基板10Bに、上記のような第1部位13a及び第2部位13bを有する凹状の段差13が設けられていることで、半導体素子20の角部の周辺に形成されるアンダーフィル材40が広域化される。広域化されることで、熱によるアンダーフィル材40の膨張及び収縮に起因して半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に生じる応力が分散され、ソルダーレジスト12等にクラックが生じるといった、回路基板10Bの損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れる回路基板10B、及びそれを用いた電子装置1Bが得られる。
As described above, in the
尚、アンダーフィル材40の広域化された領域における応力分布の均一化の観点から、半導体素子20の角部から凹状の段差13の第2部位13bまでは、上記の例のように、均一な距離d2とすることが好ましい。
In addition, from the viewpoint of uniform stress distribution in a wide area of the
次に、第3の実施の形態について説明する。
図16は第3の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図16(A)及び図16(B)にはそれぞれ、第3の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面模式図を示している。
Next, a third embodiment will be described.
FIG. 16 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus according to the third embodiment. FIGS. 16A and 16B are schematic cross-sectional views of main parts of an example of an electronic device according to the third embodiment.
図16(A)に示す電子装置1Cは、回路基板10C、及び回路基板10C上に半田30で接合されて搭載された半導体素子20を含む。回路基板10Cは、ダイエリア50及び半導体素子20を包囲するように設けられた凹部13Bと、更にその凹部13Bを包囲するように設けられた凸部13Aとを備える段差13を有する。このような段差13で包囲された領域内に、アンダーフィル材40が設けられる。
An
電子装置1Cでは、半田30で接合された回路基板10Cと半導体素子20との隙間から流れ出て回路基板10C上を濡れ広がるアンダーフィル材40が、ソルダーレジスト12の表面10aから窪んだ凹部13Bに溜まる。電子装置1Cでは、この凹部13Bの外側に更に、ソルダーレジスト12の表面10aから突き出た凸部13Aが設けられている。そのため、凹部13Bにその容量を超えるアンダーフィル材40が流れ込んだとしても、凹部13Bから溢れたアンダーフィル材40は凸部13Aで堰き止められる。これにより、電子装置1Cでは、アンダーフィル材40がダイエリア50外に流れ出すのを効果的に抑えることができる。
In the
このような電子装置1Cの段差13は、例えば、上記図9(A)〜図9(C)の例に従って凸部13Aを形成した後に、その内側に、上記図15(A)の例に従って凹部13Bを形成することで、得ることができる。或いは、電子装置1Cの段差13は、例えば、上記図15(A)の例に従って凹部13Bを形成した後に、その外側に、上記図9(A)〜図9(C)の例に従って凸部13Aを形成することで、得ることができる。
Such a
また、図16(B)に示す電子装置1Dは、回路基板10D、及び回路基板10D上に半田30で接合されて搭載された半導体素子20を含む。回路基板10Dは、ダイエリア50及び半導体素子20を包囲するように設けられた凸部13Aと、更にその凸部13Aに設けられた凹部13Bとを備える段差13を有する。このような段差13で包囲された領域内に、アンダーフィル材40が設けられる。
An
電子装置1Dでは、半田30で接合された回路基板10Dと半導体素子20との隙間から流れ出て回路基板10D上を濡れ広がるアンダーフィル材40が、ソルダーレジスト12の表面10aから突き出た凸部13Aで堰きとめられる。電子装置1Dでは、この凸部13Aに更に凹部13Bが設けられている。そのため、凸部13Aで堰き止められる容量を超えるアンダーフィル材40が流れ出てきたとしても、凸部13Aから溢れたアンダーフィル材40は凹部13Bに溜まる。これにより、電子装置1Dでは、アンダーフィル材40がダイエリア50外に流れ出すのを効果的に抑えることができる。
In the
このような電子装置1Dの段差13は、例えば、上記図9(A)〜図9(C)の例に従って凸部13Aを形成した後に、その凸部13Aに、上記図15(A)の例に従って凹部13Bを形成することで、得ることができる。
For example, the
尚、以上の説明では、段差13で包囲する領域として、半導体素子20が搭載されるダイエリア50、及びダイエリア50に搭載された半導体素子20を例にしたが、これに限定されるものではない。段差13で包囲する領域は、各種電子部品が搭載される領域及び搭載された領域とすることができる。その場合、段差13で包囲する領域の平面形状は、矩形状に限らず、辺部及び角部が含まれる各種多角形状であってよい。各種多角形状の辺部及び角部にそれぞれ対向して、上記のような第1部位13a及び第2部位13bが設けられる。
In the above description, as an area surrounded by the
次に、第4の実施の形態について説明する。
上記第1〜第3の実施の形態で述べたような構成を有する電子装置1A,1B,1C,1Dは、各種電子機器に搭載することができる。例えば、コンピュータ(パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等)、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に用いることができる。
Next, a fourth embodiment will be described.
The
図17は第4の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図17には、電子機器の一例を模式的に図示している。
図17に示すように、例えば上記第1の実施の形態で述べたような電子装置1A(図6(B))が各種電子機器90に搭載(内蔵)される。
FIG. 17 is an explanatory diagram of an electronic apparatus according to the fourth embodiment. FIG. 17 schematically illustrates an example of an electronic device.
As shown in FIG. 17, for example, the
電子装置1Aでは、半田30で接合された半導体素子20(又はそのダイエリア50)を包囲する、回路基板10A上の凸状の段差13により、半導体素子20と回路基板10Aとの隙間から流れ出るアンダーフィル材40の、過剰な濡れ広がりが抑えられる。
In the
また、電子装置1Aの凸状の段差13は、半導体素子20の角部とそれに対向する第2部位13bとの距離d2が、辺部とそれに対向する第1部位13a(図示せず)との距離d1よりも大きくなるように設けられる。このような凸状の段差13により、半導体素子20の角部の周辺に濡れ広がるアンダーフィル材40が広域化される。広域化されることで、熱によるアンダーフィル材40の膨張及び収縮に起因して半導体素子20の角部とその付近のアンダーフィル材40に生じる応力が分散され、ソルダーレジスト12等にクラックが生じるといった、回路基板10Aの損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れる電子装置1Aが実現される。
Further, the
このような電子装置1Aが搭載された、性能及び信頼性に優れる電子機器90が実現される。
ここでは、上記第1の実施の形態で述べた電子装置1Aを例にしたが、上記第2及び第3の実施の形態で述べた他の電子装置1B,1C,1Dを、同様に各種電子機器に搭載することができる。
An
Here, the
1A,1B,1C,1D,100 電子装置
10A,10B,10C,10D,110 回路基板
10a,110a 表面
11,17,21,111,117,121 パッド
12,112 ソルダーレジスト
12a,80a 開口部
13,113 段差
13A,113A 凸部
13B 凹部
13a 第1部位
13b 第2部位
13c 樹脂塗料
14a,14c 絶縁部
14b 樹脂部
15a スルーホール
15b ビア
15c 配線
16a 第1層
16b 第2層
20,120 半導体素子
30,130 半田
31,32 半田バンプ
40,140 アンダーフィル材
50,150 ダイエリア
51 辺部
52,122,142 角部
60a,60b,60c,60d,60e モデル
70 基板
80 マスク
90 電子機器
200 クラック
d0,d1,d2 距離
1A, 1B, 1C, 1D, 100
Claims (7)
前記基板の表面に設けられた端子と、
前記表面に設けられ、平面視で、前記端子を内包する多角形状の第1領域を包囲し、前記第1領域の辺部と第1距離で対向する第1部位と、前記第1領域の角部と前記第1距離よりも大きい第2距離で対向する第2部位とを有する段差と
を含むことを特徴とする回路基板。 A substrate,
Terminals provided on the surface of the substrate;
A first portion which is provided on the surface and surrounds the first polygonal region including the terminal in plan view, and faces a side of the first region at a first distance; and an angle of the first region And a step having a second portion facing at a second distance greater than the first distance.
平面視で、前記端子を内包する多角形状の第1領域を包囲し、前記第1領域の辺部と第1距離で対向する第1部位と、前記第1領域の角部と前記第1距離よりも大きい第2距離で対向する第2部位とを有する段差を形成する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 On the surface of the substrate provided with terminals on the surface,
In plan view, a first region that surrounds the first region of the polygon shape that encloses the terminal, and faces the side portion of the first region at a first distance, a corner portion of the first region, and the first distance A method of manufacturing a circuit board, comprising the step of forming a step having a second portion facing at a second distance larger than the second portion.
前記基板の表面に設けられた端子と、
前記表面に設けられ、平面視で、前記端子を内包する多角形状の第1領域を包囲し、前記第1領域の辺部と第1距離で対向する第1部位と、前記第1領域の角部と前記第1距離よりも大きい第2距離で対向する第2部位とを有する段差と、
前記表面の前記第1領域に設けられ、前記端子と接続された電子部品と、
前記表面と前記電子部品との間、及び前記段差で包囲された前記表面に設けられた樹脂と
を含むことを特徴とする電子装置。 A substrate,
Terminals provided on the surface of the substrate;
A first portion which is provided on the surface and surrounds the first polygonal region including the terminal in plan view, and faces a side of the first region at a first distance; and an angle of the first region A step having a portion and a second portion facing at a second distance larger than the first distance;
An electronic component provided in the first region of the surface and connected to the terminal;
An electronic device comprising: a resin provided between the surface and the electronic component and on the surface surrounded by the step.
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CN117135822A (en) * | 2023-02-15 | 2023-11-28 | 荣耀终端有限公司 | Circuit board assembly and electronic equipment |
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2016
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