JP2018072374A - Image formation apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子写真方式を用いる画像形成装置に関する。 The present invention relates to an image forming apparatus using an electrophotographic system.
電子写真方式の複写機やプリンタ等の画像形成装置には、記録材に形成されたトナー画像を記録材に加熱定着する定着装置が搭載されている。ところで、画像形成装置で小サイズ紙を連続プリントすると、定着装置の記録材が通過しない領域の温度が徐々に上昇する現象(非通紙部昇温)が発生する。非通紙部の温度が高くなり過ぎると、装置内の各パーツへダメージを与えることもあるので、非通紙部の温度が高くなり過ぎないような対策が必要となる。特許文献1には、ヒータの発熱領域をヒータ長手方向に複数に分割して、各発熱領域(発熱ブロック)を独立に通電制御可能な構成とすることが記載されている。この構成により、非通紙部の昇温を抑えている。
2. Description of the Related Art Image forming apparatuses such as electrophotographic copying machines and printers are equipped with a fixing device that heats and fixes a toner image formed on a recording material on the recording material. By the way, when small-size paper is continuously printed by the image forming apparatus, a phenomenon (temperature increase of the non-sheet passing portion) in which the temperature of the region where the recording material of the fixing device does not pass occurs gradually. If the temperature of the non-sheet passing portion becomes too high, each part in the apparatus may be damaged. Therefore, it is necessary to take measures to prevent the temperature of the non-sheet passing portion from becoming too high.
特許文献1に記載の構成は、発熱領域毎にサーミスタ等の温度検知素子を配置し、各発熱領域の温度をそれぞれ個別に検出して、各発熱領域の通電制御をそれぞれ独立に行うものとなっている。したがって、分割する発熱領域の数が増えると、温度検知素子の数も増えることになり、それに伴う定着装置のサイズアップ、コストアップが懸念される。
In the configuration described in
本発明の目的は、発熱領域毎に温度検知素子を配置することなく、各発熱領域の温度を良好に検知することができる技術を提供することである。 The objective of this invention is providing the technique which can detect the temperature of each heat_generation | fever area | region favorably, without arrange | positioning a temperature detection element for every heat_generation | fever area | region.
上記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、
基板と、前記基板上に設けられた第1発熱体と、前記基板の長手方向において前記第1発熱体とは異なる位置に設けられており、前記第1発熱体とは独立して制御される第2発熱体と、を有するヒータを有し、前記ヒータの熱を利用して記録材に形成された画像を記録材に加熱定着する定着部と、
前記第1発熱体及び前記第2発熱体への通電を制御する通電制御部と、
を有する画像形成装置において、
前記第1発熱体が設けられた前記ヒータの第1発熱領域の温度を検知する温度検知部と、
前記第1発熱体及び前記第2発熱体に流れる電流値を検知する電流検知部と、
前記温度検知部が検知した前記第1発熱領域の温度と、前記電流検知部が検知した電流値に基づいて取得される前記第1発熱領域と前記第2発熱体が設けられた前記ヒータの第2発熱領域との間の温度差と、に基づいて、前記第2発熱領域の温度を取得する温度取得部と、
を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, an image forming apparatus of the present invention includes:
A substrate, a first heating element provided on the substrate, and a position different from the first heating element in the longitudinal direction of the substrate are controlled independently of the first heating element. A fixing unit that heats and fixes an image formed on the recording material using the heat of the heater;
An energization control unit for controlling energization to the first heating element and the second heating element;
In an image forming apparatus having
A temperature detector for detecting the temperature of the first heat generating area of the heater provided with the first heat generating element;
A current detection unit for detecting a current value flowing through the first heating element and the second heating element;
The first heating region detected by the temperature detection unit and the first heating region acquired based on the current value detected by the current detection unit and the heater provided with the second heating element. A temperature acquisition unit that acquires a temperature of the second heat generation region based on a temperature difference between the two heat generation regions;
It is characterized by providing.
本発明によれば、発熱領域毎に温度検知素子を配置することなく、各発熱領域の温度を良好に検知することができる。 According to the present invention, it is possible to satisfactorily detect the temperature of each heat generating region without disposing a temperature detecting element for each heat generating region.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のものではない。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be exemplarily described in detail with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, and relative arrangements of the components described in this embodiment should be appropriately changed according to the configuration of the apparatus to which the invention is applied and various conditions. That is, it is not intended to limit the scope of the present invention to the following embodiments.
(実施例1)
図1は、本発明の実施例に係る電子写真方式の画像形成装置の概略断面図である。本発明が適用可能な画像形成装置としては、電子写真方式や静電記録方式を利用した複写機、プリンタなどが挙げられ、ここではレーザプリンタに適用した場合について説明する。また、画像形成装置に搭載される像加熱装置としては、記録材上に転写された未定着のトナー像(現像剤像)を記録材に定着させる定着器や、記録材上の定着済みトナー像を再度加熱することによりトナー像の光沢度を向上させる光沢付与装置などが挙げられる。
Example 1
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an electrophotographic image forming apparatus according to an embodiment of the present invention. Examples of the image forming apparatus to which the present invention can be applied include a copying machine and a printer using an electrophotographic system or an electrostatic recording system. Here, a case where the present invention is applied to a laser printer will be described. The image heating apparatus mounted on the image forming apparatus includes a fixing device for fixing an unfixed toner image (developer image) transferred onto the recording material to the recording material, and a fixed toner image on the recording material. And a gloss applying device that improves the glossiness of the toner image by heating the toner again.
プリント信号が発生すると、画像情報に応じて変調されたレーザ光をスキャナユニット21が出射し、帯電ローラ16によって所定の極性に帯電された感光体19を走査する。これにより感光体19には静電潜像が形成される。この静電潜像に対して現像ローラ17からトナーが供給され、感光体19上に画像情報に応じたトナー画像(トナー像)が形成される。一方、給紙カセット11に積載された記録材としての記録紙Pは、ピックアップローラ12によって一枚ずつ給紙され、搬送ローラ対13によってレジストローラ対14に向けて搬送される。さらに記録紙Pは、感光体19上のトナー画像が感光体19と転写ローラ20で形成される転写位置に到達するタイミングに合わせて、レジストローラ14から転写位置へ搬送される。記録紙Pが転写位置を通過する過程で感光体19上のトナー画像は記録紙Pに転写される。その後、記録紙Pは像加熱装置としての定着装置200(定着部)で加熱され、トナー画像が記録紙Pに加熱定着される。定着済みのトナー画像を担持する記録紙Pは、搬送ローラ対26、27によって画像形成装置100上部のトレイに排出される。
When the print signal is generated, the
なお、18は、感光体19を清掃するクリーナ、28は、記録紙Pのサイズに応じて幅調整可能な一対の記録紙規制板を有する給紙トレイ(手差しトレイ)である。給紙トレイ28は、定型サイズ以外のサイズの記録紙Pにも対応するために設けられている。29は、給紙トレイ28から記録紙Pを給紙するピックアップローラ、30は、定着装置200等を駆動するモータである。商用の交流電源401に接続された通電制御部としての制御回路400から、定着装置200へ電力供給している。上述した、感光体19、帯電ローラ16、スキャナユニット21、現像器17、転写ローラ20が、記録紙Pに未定着画像
を形成する画像形成部を構成している。また、本実施例では、感光体19及びクリーナ18を含むクリーニングユニット、帯電ローラ16及び現像ローラ17を含む現像ユニットが、プロセスカートリッジ15として画像形成装置100の装置本体に対して着脱可能に構成されている。
本実施例の画像形成装置100は、複数の記録紙サイズに対応している。給紙カセット11には、Letter紙(約216mm×279mm)、Legal紙(約216mm×356mm)、A4紙(210mm×297mm)、Executive紙(約184mm×267mm)をセットできる。更に、JIS B5紙(182mm×257mm)、A5紙(148mm×210mm)をセットできる。
The
また、給紙トレイ28から、DL封筒(110mm×220mm)、COM10封筒(約105mm×241mm)を含む、不定型紙を給紙し、プリントできる。本実施例の画像形成装置100は、基本的に紙を縦送りする(長辺が搬送方向と平行になるように搬送する)レーザプリンタである。そして、装置が対応している定型の記録紙Pの幅(カタログ上の記録紙の幅)のうち最も大きな(幅が大きな)幅を有する記録紙Pは、Letter紙及びLegal紙であり、これらの幅は約216mmである。画像形成装置100が対応する最大サイズよりも小さな紙幅の記録紙Pを、本実施例では小サイズ紙と定義する。
Further, from the
図2を参照して、本実施例における定着装置200について説明する。図2は、定着装置200の模式的断面図である。定着装置200は、筒状のフィルム202(エンドレスフィルム)と、フィルム202の内面に接触するヒータ300と、フィルム202を介してヒータ300と共に定着ニップ部Nを形成する加圧ローラ(ニップ部形成部材)208と、を有する。
With reference to FIG. 2, the
フィルム202のベース層の材質は、ポリイミド等の耐熱樹脂、またはステンレス等の金属である。また、フィルム202の表層には耐熱ゴム等の弾性層を設けても良い。加圧ローラ208は、鉄やアルミニウム等の材質の芯金209と、シリコーンゴム等の材質の弾性層210を有する。ヒータ300は耐熱樹脂製の保持部材201に保持されている。保持部材201はフィルム202の回転を案内するガイド機能も有している。204は保持部材201に不図示のバネの圧力を加えるための金属製のステーである。加圧ローラ208はモータ30から動力を受けて矢印方向に回転する。加圧ローラ208が回転することによって、フィルム202が従動して回転する。未定着トナー画像を担持する記録紙Pは、定着ニップ部Nで挟持搬送されつつ加熱されて定着処理される。
The material of the base layer of the
ヒータ300は、後述するセラミック製の基板305と、該基板上に設けられ、通電により発熱する発熱抵抗体である発熱体302a、302bと、を備える。基板305の発熱体が設けられる面側における画像形成装置100の通紙領域に対応する領域(通紙方向と直交する方向に見て通紙領域と重なる領域)には、温度検知手段の一例としてのサーミスタTH(温度検知部)が当接している。同様に、ヒータ300の異常発熱により作動してヒータ300に供給する電力を遮断するサーモスイッチや温度ヒューズ等の安全保護素子212も当接している。
The
図3(A)は、ヒータ300を短手方向(長手方向と直交する方向)に切断して示した模式的断面図である。ヒータ300は、セラミックス製の基板305と、基板305上に設けられた裏面層1と、裏面層1を覆う裏面層2と、基板305上の裏面層1とは反対側の面(フィルム202と接触する面)に設けられた摺動面層と、より構成される。
FIG. 3A is a schematic cross-sectional view showing the
ヒータ300は、裏面層1において、基板305上に種々の導電体303−1〜303
−5、301a、301bが設けられている。導電体303−1〜303−5(以下、まとめて導電体303と記述する)は、基板305上にヒータ300の長手方向に沿って設けられている。導電体301a、301bは、基板305上に導電体303とヒータ300の短手方向で異なる位置でヒータ300の長手方向に沿って設けられている。導電体301aは、記録紙Pの搬送方向の上流側に配置され、導電体301bは、下流側に配置されている。以下、導電体301aと導電体301bの両方を指す場合は、まとめて導電体301と記述する。
The
-5, 301a, 301b are provided. The conductors 303-1 to 303-5 (hereinafter collectively referred to as the conductor 303) are provided on the
ヒータ300は、裏面層1において、基板305上の導電体301と導電体303の間に設けられ、且つ、導電体301と導電体303を介して供給される電力により発熱する発熱体302a−1〜302a−5、302b−1〜302b−5が設けられている。発熱体302a−1〜302a−5は、記録紙Pの搬送方向の上流側に配置され、発熱体302b−1〜302b−5は、下流側に配置されている。以下、発熱体302a−1〜302a−5をまとめて302a、発熱体302b−1〜302b−5をまとめて302bと記述する。更には、発熱体302aと発熱体302bの両方を指す場合は、発熱体302と記述する。本実施例では、基板305の長手方向中央(記録材搬送領域中央)に配された発熱体302a−3、302b−3が第1発熱体に対応し、ヒータ300の発熱領域のうち発熱体302a−3、302b−3が配置された発熱領域が第1発熱領域に対応する。発熱体302a−3、302b−3の両隣に配置された発熱体302a−2、302b−2、302a−4、302b−4、さらのその外側に配置された発熱体302a−1、302b−1、302a−5、302b−5が第2発熱体に対応する。これらの発熱体が配置された発熱領域が第2発熱領域に対応する。各発熱体は、いずれも、基板305の短手方向において互いに異なる位置に配置された上記導電体対を介して個別に独立して通電制御される。
The
ヒータ300の短手方向(記録紙Pの搬送方向)の発熱分布が非対称になると、ヒータ300が発熱した際に基板305に生じる応力が大きくなる。そして、基板305に生じる応力が大きくなると、基板305に割れが生じる場合がある。そのため、発熱体302を搬送方向の上流側に配置された発熱体302aと、下流側に配置された発熱体302bに分離し、ヒータ300の短手方向の発熱分布が対称になるようにしている。但し、発熱体の配置構成としては、このような対称構成に限定されるものではなく、発熱体302を上流と下流に分けない構成であっても良い。
When the heat generation distribution in the short direction of the heater 300 (the conveyance direction of the recording paper P) is asymmetric, the stress generated on the
ヒータ300は、裏面層2において、発熱体302、導電体301、導電体303を覆う絶縁性(本実施例ではガラス)の表面保護層307が設けられている。また、ヒータ300は、摺動面層において、摺動性のあるガラスやポリイミドのコーティングによる表面保護層308を有する。
The
図3(B)は、ヒータ300の各層の平面図を示す模式図である。ヒータ300裏面層1には、導電体301と導電体303と発熱体302の組からなる発熱ブロックがヒータ300の長手方向に複数設けられている。本実施例のヒータ300は、ヒータ300の長手方向の中央部と両端部に、合計5つの発熱ブロックを有する。
FIG. 3B is a schematic diagram illustrating a plan view of each layer of the
5つの発熱ブロックは、ヒータ300の短手方向に対称に形成された、発熱体302a−1〜302a−5及び発熱体302b−1〜302b−5によってそれぞれ構成されている。以下、発熱体302a−1と302b−1の両方を指す場合は、発熱ブロック302−1と呼び、発熱ブロック302−2〜302−5も同様である。また、導電体303も、導電体303−1〜303−5の5本に分割されている。
The five heat generating blocks are configured by
分割位置は、記録紙Pの搬送位置によって設定している。本実施例では、記録紙Pは、
搬送基準位置Xを中心として、ヒータ300の短手方向に搬送される。本実施例における搬送基準は中央基準となっており、記録材Pはその搬送方向に直交する方向における中心線が搬送基準位置Xを沿うように搬送される。そのため、分割位置は搬送基準位置Xを中心軸として、紙サイズに応じた位置で対称に分割されている。本実施例では、DL封筒、COM10封筒用の発熱ブロックとして第1発熱領域である発熱ブロック302−3を使って定着する。A5紙用の発熱ブロックとして、発熱ブロック302−3に第2発熱領域である発熱ブロック302−2、302−4を加えた3ブロックを使って定着する。Letter紙、Legal紙、A4紙用の発熱ブロックとして、第2発熱領域である302−1、302−5を加えた全ての発熱ブロック(5ブロック)を使って定着を行う。尚、分割数や分割位置は、本実施例のように5本に限定されるものではない。
The division position is set according to the conveyance position of the recording paper P. In this embodiment, the recording paper P is
Conveyed in the short direction of the
電極E1〜E5は、それぞれ、導電体303−1〜303−5を介して、発熱ブロック302−1〜302−5に電力供給するために用いる電極である。電極E8−1、E8−2は、導電体301a、導電体301bを介して、5つの発熱ブロック302−1〜302−5に電力給電するために用いる共通の電気接点と接続するために用いる電極である。また、ヒータ300の裏面層2の表面保護層307は、電極E1〜E5、E8−1、E8−2が設けられた領域を除いた領域に形成されており、ヒータ300の裏面側から、各電極に電気接点を接続可能な構成となっている。
The electrodes E1 to E5 are electrodes used to supply power to the heat generating blocks 302-1 to 302-5 via the conductors 303-1 to 303-5, respectively. The electrodes E8-1 and E8-2 are electrodes used to connect to common electrical contacts used to supply power to the five heat generating blocks 302-1 to 302-5 via the
図3(C)は、ヒータ300への電気接点Cの接続方法を説明する図である。図3(C)に示すように、ヒータ300の保持部材201には、サーミスタ(温度検知素子)TH、安全保護素子212、電極E1〜E5、E8−1、E8−2の電気接点のために孔が設けられている。ステー204と保持部材201の間には、サーミスタTH、安全保護素子212、電極E1〜E5、E8−1、E8−2に接触する電気接点が設置されている。本実施例ではサーミスタTHは、第1発熱領域である発熱ブロック302−3の温度を検出する位置に配置されている。また、電極E1〜E5、E8−1、E8−2に接触する電気接点は、バネによる付勢や溶接等の手法によって、それぞれヒータの電極部と電気的に接続されている。各電気接点は、ステー204と保持部材201の間に設けられたケーブルや薄い金属板等の導電材料を介して、後述するヒータ300の制御回路400と接続されている。
FIG. 3C is a diagram illustrating a method for connecting the electrical contact C to the
図4は、実施例1のヒータ300の制御回路400の回路図である。401は、画像形成装置100に接続される商用の交流電源である。交流電源401は、安全保護素子212を介して、ヒータ300の電極E8−1、E8−2に接続される。電極E1〜E5は、駆動回路部であるトライアック416、426、436、446、456に接続され、それぞれのトライアックの通電/遮断により、発熱体302の各発熱ブロックが制御される。トライアック416、426、436、446、456は、それぞれ、CPU420からのFUSER1〜FUSER5信号に従って動作する。本実施例では、CPU420が、後述する演算処理により第2発熱領域の温度を取得する温度取得部に対応する。
FIG. 4 is a circuit diagram of the
ここで、トライアック416の動作について説明する。抵抗413、417は、トライアック416を駆動するためのバイアス抵抗で、フォトトライアックカプラ415は、一次、二次間の沿面距離を確保するためのデバイスである。フォトトライアックカプラ415の発光ダイオードに通電することによりトライアック416をオンさせる。抵抗418は、電源電圧Vccからフォトトライアックカプラ415の発光ダイオードに流れる電流を制限するための抵抗である。そして、トランジスタ419によりフォトトライアックカプラ415をオン/オフする。トランジスタ419は、CPU420からのFUSER1信号に従って動作する。トライアック426、436、446、456についても、同様の構成であるので、説明は省略する。
Here, the operation of the triac 416 will be described. The
次に電流検知部501〜505の構成を説明する。I1〜I5は、各発熱ブロック302−1〜302−5に流れる電流であり、電流検知部501〜505にそれぞれ入力される。抵抗512は、I1を電圧に変換する電流検出抵抗(Rs1)である。抵抗Rs1で発生した電圧は、オペアンプ510、抵抗513、517で構成された増幅回路によって増幅される。オペアンプ510のマイナスの電源V−は商用電源のマイナス側と同じ電位とし、プラスの電源V+はV−を基準に非図示のツェナーダイオードと平滑回路等で構成した定電圧生成回路によって生成した定電圧を印加している。尚、定電圧生成回路は補助巻き線から生成する構成でもよい。ダイオード514は、オペアンプ510の正入力端子にマイナスの入力電圧が掛かり、オペアンプ510が破壊することを防いでいる。即ち、商用電源の極性によって電流が矢印I1と逆方向に流れる場合は、ダイオード514に電流が流れ、オペアンプ510の正入力端子にマイナスの大きな電圧が掛からない構成となっている。フォトカプラ515は、画像形成装置の電源回路構成における1次、2次間の絶縁を確保しつつ、オペアンプ510の入力を伝達係数のβ倍して2次側に伝達する。抵抗519は、フォトカプラ515内部のダイオードに流れる電流を調整する抵抗(RT1)である。抵抗518は、フォトカプラ512の受動側トランジスタの電流を電圧に変換する為の抵抗(RL1)である。
Next, the configuration of the
このような構成で、電流検知部501は、発熱ブロック302−1に流れる電流を電圧に変換し、電流検知信号Vc1を出力する。電流検知信号Vc1は、2次側のCPU420に入力されA/D変換される。ここで、Vccは、1次側とは絶縁されている2次側の電源であり、GND1は、VccのGNDである。なお、VccとGND1は、CPU420と共通の電源及びGNDとなっている。電流検知部502〜505についても、発熱ブロック302−2〜302−5に流れる電流I2〜I5を電流検知信号Vc2〜Vc5に変換する回路であり、同様の素子で構成される為、説明は省略する。
With such a configuration, the
電流検知信号Vc1〜Vc5は、以下のように示すことができる。
Vcx=Vcc−RLX・β(AV・IX・RSX−VFm)/RTX…(式1)
ここで、VFmはフォトカプラ515内のダイオードの降下電圧であり、X=1〜5である。CPU420は、Vcc、RSX、RLX、β、Av、VFm、RTXの値を予め固定値として記録しておき、式1を用いて、VCXからIXを計算することができる。尚、電圧変換に用いる素子は、電流検出抵抗に限定されるものではなく、カレントトランス等の素子を使用しても良い。
The current detection signals V c1 to V c5 can be expressed as follows.
V cx = V cc -R LX · β (A V · I X · R SX -V Fm) / R TX ... ( Equation 1)
Here, V Fm is a voltage drop of the diode in the
次にヒータ300の温調制御方法について説明する。ヒータ300の発熱ブロック302−1〜302−5は、それぞれの発熱ブロックごとに検知した温度に基づき、制御する。CPU(制御部)420の内部処理では、発熱ブロックの温度の検知結果と設定温度に基づき、例えばPI制御により、供給するべき電力を算出する。更に供給する電力に対応した位相角(位相制御)、波数(波数制御)の制御レベルに換算し、その制御条件によりトライアック416〜456を制御する。本実施例では、1制御サイクルを10全波とし、10全波で形成した温調パターンを変えることで電力の割合(Duty比)を調整する制御を基本としている。
Next, a temperature control method for the
図11は、基本の1制御サイクルである温調パターンの例を示している。図は、Duty比が50%、70%のときのそれぞれのパターンを示している。例えば、Duty比が50%の場合は、10全波に関して図のようなパターンで電力を投入し、1サイクルの10全波の平均電力が50%で投入されるように制御する。 FIG. 11 shows an example of a temperature control pattern that is one basic control cycle. The figure shows the respective patterns when the duty ratio is 50% and 70%. For example, when the duty ratio is 50%, power is input in a pattern as shown in the figure for 10 full waves, and control is performed so that the average power of 10 full waves in one cycle is input at 50%.
ここで、サーミスタTHを配置している発熱ブロック302−3の温度の検知は、当接しているサーミスタTHによって行っており、サーミスタTH信号としてCPU420に入力される。一方、サーミスタを配置していない発熱ブロック302−1、302−2、
302−4、302−5の温度の検知は、サーミスタTHを配置した発熱ブロックの温度302−3を基準にして計算する。具体的には、サーミスタTHにより取得される温度情報と、電流検知によって取得される基準の発熱ブロックとの温度差情報とを用いて、温度を検知する。
Here, the temperature of the heat generating block 302-3 in which the thermistor TH is arranged is detected by the contacting thermistor TH, and is input to the
The detection of the temperatures 302-4 and 302-5 is calculated based on the temperature 302-3 of the heat generating block in which the thermistor TH is disposed. Specifically, the temperature is detected using temperature information acquired by the thermistor TH and temperature difference information between the reference heat generation block acquired by current detection.
発熱ブロック302−1を例にとると、発熱ブロック302−1の温度T1は式2のようになる。
T1=ΔT13+T3…(式2)
T3は、サーミスタTHによって検出した基準とする発熱ブロック302−3の温度であり、ΔT13は基準の発熱ブロックとの温度差である。これらの加算により、T1を計算する。
Taking the heat generation block 302-1 as an example, the temperature T 1 of the heating block 302-1 is as
T 1 = ΔT 13 + T 3 (Expression 2)
T 3 is the temperature of the reference heat generation block 302-3 detected by the thermistor TH, and ΔT 13 is the temperature difference from the reference heat generation block. T 1 is calculated by these additions.
次に、温度差ΔT13の演算方法(取得方法)について説明する。温度差ΔT13は、式3のように発熱ブロックに流れる電流で表わされる。
ΔT13=T1−T3
=(1/Im1−1/Im0)/α/(1/Im0)−(1/Im3―1/Im0)/α/(1/Im0)
=(1/Im1−1/Im3)/α/(1/Im0)…(式3)
αは、発熱ブロック302の基準温度T0における抵抗温度係数である。Im1、Im3は発熱ブロック302−1、302−3のそれぞれに流れる単位長さ当たりの電流であり、発熱ブロックの幅W1、W3を使って、以下のように表わせる。
Im1=I1/W1
Im3=I3/W3
また、Im0は、基準の発熱ブロック302−3の電流より式4のように計算する。
Im0=Im3(1+α(T3−T0))…(式4)
Next, a calculation method (acquisition method) of the temperature difference ΔT 13 will be described. The temperature difference ΔT 13 is expressed by a current flowing through the heat generating block as shown in
ΔT 13 = T 1 −T 3
= (1 / I m1 −1 / I m0 ) / α / (1 / I m0 ) − (1 / I m3 −1 / I m0 ) / α / (1 / I m0 )
= (1 / I m1 -1 / I m3 ) / α / (1 / I m0 ) (Formula 3)
α is a resistance temperature coefficient at the reference temperature T 0 of the heat generation block 302. I m1 and I m3 are currents per unit length flowing through the heat generating blocks 302-1 and 302-3, and can be expressed as follows using the widths W 1 and W 3 of the heat generating blocks.
I m1 = I 1 / W 1
I m3 = I 3 / W 3
Further, I m0 is calculated as shown in
I m0 = I m3 (1 + α (T 3 −T 0 )) (Formula 4)
以上、式2〜4より、サーミスタを配置していない発熱ブロック302−1の温度T1は、検知した電流値Im1、Im2とサーミスタTHで検知した温度T3を使って、計算により検知(取得)することができる。尚、発熱ブロック302−2、302−4、302−5の温度についても、式2〜4と同様の式によって温度を計算することができる。
As described above, from
以下に、式3で発熱ブロックの温度の算出ができる理由を説明する。発熱体302−1は、温度上昇に対して正の温度依存性を持つPTC特性を有しており、発熱体302−1の温度と抵抗値は式5に示す関係を持っている。
(Rm1−Rm0)/Rm0=α(T1−T0)…(式5)
Rm1は発熱ブロック302−1の単位長さ当たりの抵抗、T1は発熱体302−1の温度である。式5に示すように、単位長さ当たりの抵抗の変化率と温度には一定の関係がある。同様に、単位長さ当たりの抵抗に流す電流の変化率と温度にも一定の関係がある。その関係を図5に示す。
Hereinafter, the reason why the temperature of the heat generation block can be calculated by the
(R m1 −R m0 ) / R m0 = α (T 1 −T 0 ) (Formula 5)
R m1 is the resistance per unit length of the heat generating block 302-1 and T 1 is the temperature of the heat generating element 302-1. As shown in
図5は、ある入力電圧Vinがヒータ300に印加されたときの、発熱ブロックに流れる単位長さ当たりの電流(横軸)と発熱ブロックの温度(縦軸)を示している。各発熱ブロックは、同じペースト材料が使用されるため、抵抗温度係数αが等しく、各発熱ブロックで基準温度Toのときの抵抗値は等しい。したがって、電流Im0は、発熱ブロック302−1と発熱ブロック302−3で同じになる。更には、電流の変化に対する温度の変化は抵抗温度係数αで決まるので、図5に示すように温度T1、T3は推移する。よって、T1とT3はそれぞれ電流Im1と電流Im3を用いて、式6、7のように表すことができる。
(Vin/Im1−Vin/Im0)/(Vin/Im0)=α(T1−T0)…(式6)
(Vin/Im3−Vin/Im0)/(Vin/Im0)=α(T3−T0)…(式7)
Figure 5 shows some of when the input voltage V in is applied to the
(V in / I m1 −V in / I m0 ) / (V in / I m0 ) = α (T 1 −T 0 ) (Expression 6)
(V in / I m3 −V in / I m0 ) / (V in / I m0 ) = α (T 3 −T 0 ) (Expression 7)
したがって、温度差ΔT13は、式6と式7との差をとることで、式8のようにIm1とIm3から成る式となる。
ΔT13=T1−T3
=(Vin/Im1−Vin/Im3)/α/(Vin/Im0)…(式8)
Therefore, the temperature difference ΔT 13 is obtained by taking the difference between
ΔT 13 = T 1 −T 3
= (V in / I m1 −V in / I m3 ) / α / (V in / I m0 ) (Equation 8)
図6(A)を用いて発熱ブロックの電流の検出タイミングを説明する。図6(A)は、発熱ブロック302−1、302−3の入力電圧波形と電流波形を表わしており、横軸に時間、縦軸に電圧、電流を示している。入力電圧が同じタイミングta、tbで電流検知を行うと式8は、入力電圧Vinに依らず、式9のよう表される。
ΔT13=(1/Im1−1/Im3)/α/(1/Im0)…(式9)
The detection timing of the current of the heat generation block will be described with reference to FIG. FIG. 6A shows input voltage waveforms and current waveforms of the heat generation blocks 302-1 and 302-3, with the horizontal axis representing time and the vertical axis representing voltage and current. Same timing ta input voltage, when the current detected by
ΔT 13 = (1 / I m1 −1 / I m3 ) / α / (1 / I m0 ) (Equation 9)
尚、検知するタイミングは、点bの時点(時間tb)よりも点aの時点(時間ta)のタイミング、すなわち、供給電力が交流電圧波形において電力投入後最初にピーク値となるタイミングで検知する方が望ましい。なぜならば、点bの時点(時間tb)よりも点aの時点(時間ta)の方が電流の振幅が大きいので、精度の良い電流検知、即ち精度良い温度の検知ができるからである。 The timing to detect is the timing at the time point (time t a ) of the point a rather than the time point (time t b ) of the point b, that is, the timing at which the supplied power becomes the peak value first after power-on in the AC voltage waveform. It is better to detect. This is because the current amplitude is larger at the point a (time t a ) than the point b (time t b ), so that accurate current detection, that is, accurate temperature detection can be performed. .
次に、本実施例における温度の検知結果の一例を説明する。本実施例では、基準温度T0における抵抗温度係数αが1350ppmであるヒータ300を用いた。このヒータ300の発熱ブロック302−3が温度T3=200℃をサーミスタで検知したときに流れる電流Im3が0.0579Aであり、同時に発熱ブロック302−1に流れる電流Im1が0.0693Aであった。そのときに上記演算によって、温度差ΔT13は20℃と計算でき、発熱ブロック302−1の温度T1=220℃と検知することができる。
Next, an example of the temperature detection result in the present embodiment will be described. In this embodiment, the
次に、発熱ブロック302−1を例にとって一連の温調制御の方法を説明する。
図7は、CPU420による発熱ブロック302−1の温調制御のフローチャートを示す。S100は、温調制御の開始シーケンスである。S101で、プリントJOB要求が発生する。S102では、リレー450をONし、ヒータ300に電力を供給できる状態にする。S103では、CPU420に予め記憶されている発熱ブロック302−1の目標温度Taを設定する。S104では、固定温調パターン(Pa)を設定し、トライアックのON/OFF制御を行う。これは、発熱ブロック302−1、302−3の温度の検知に関係なく特定の電力を投入し、発熱ブロック302−1の温度の検知をするためである。本実施例では、図11に示すように1制御サイクルを10全波とし、最大通電電力100%に対して電力70%の固定温調パターン(Pa)を設定する。S105では、前述の説明の方法で、Vc1、Vc3、T3を検知する。S106では、S105の検知結果を用いてIm0、Im1、Im3を演算し、発熱ブロック302−1の温度T1を演算する。S107では、S106で検知したT1と目標温度Taの大小関係から発熱ブロック302−1に必要な温調パターン(以下、基本温調パターン(Pb)と呼ぶ)を設定する。
Next, a series of temperature control methods will be described using the heat generation block 302-1 as an example.
FIG. 7 shows a flowchart of the temperature control of the heat generation block 302-1 by the
図6(B)に示すように、基本温調パターン(Pb)は、1制御サイクル10全波で構成している。S108では、電流の検知を行うか否かの判定をしている。例えば、温度の検知結果に応じて電力を抑えて制御する場合、図6(B)に示すように電流値が小さい通電パターンとなり、電流検知を行うと検知誤差が大きくなってしまう。この通電パターンが選択された場合はS115に進む。S115では、図6(B)のような1全波だけ通電するパターンと10全波で構成される基本温調パターン(Pb)を組みわせたパターン(以下、電流検出用パターン(Pc)と呼ぶ)を設定する。このような制御により、図6(
B)の点cの時点(時間tc)のタイミングで電流を捉えることができ、精度の良い電流検知が可能となる。尚、電流検出用パターン(Pc)は、前述のパターンを組み合わせているため、1制御サイクルは11全波での構成となる。
As shown in FIG. 6B, the basic temperature control pattern (P b ) is composed of one
The current can be captured at the timing of time point c (time t c ) in B), and accurate current detection is possible. Since the current detection pattern (P c ) is a combination of the aforementioned patterns, one control cycle has 11 full waves.
S108で、電流検知が可能な場合は、S109で、基本温調パターン(Pb)に基づいて、トライアックのON/OFF制御を行う。S110では、S105と同様、Vc1、Vc3、サーミスタTHにより発熱ブロック302−3の温度T3を検知する。S111では、S110の検知結果からIm0、Im1、Im3を演算し、演算結果からの電流値を用いて発熱ブロック302−1の温度T1を検出する。S112では、プリント終了の判断を行い、終了していなければ、再びS111で検知した温度T1に基づいて基本温調パターン(Pb)を決める工程に戻る。プリント終了であれば、S113で、リレー450のOFFを行い、発熱ブロック302−1への電力を遮断して終了する。S114は、温調制御の終了シーケンスである。尚、発熱ブロック302−2、302−4、302−5の一連の制御方法は同様であり、フローチャートも上記と同様であるので説明を省略する。
In S108, if possible current detected, in S109, based on the basic temperature control pattern (P b), performing the triac ON / OFF control. In S110, similar to S105, V c1, V c3, detects the temperature T 3 of the heat generating block 302-3 by the thermistor TH. In S111, computes the I m0, I m1, I m3 from the detection result of S110, it detects the temperature T 1 of the heating block 302-1 using a current value from the operation result. In S112, it performs print completion judgment, if not completed, the flow returns to step to determine the basic temperature control pattern (P b) based on the temperatures T 1 detected by S111 again. If printing is completed, the
以上のように、サーミスタを配置していない発熱ブロックは、各発熱ブロックに流れる電流から算出した各発熱ブロックの温度差とサーミスタの温度の加算によって温度を算出することができる。 As described above, the heat generation block without the thermistor can calculate the temperature by adding the temperature difference of each heat generation block calculated from the current flowing through each heat generation block and the temperature of the thermistor.
(実施例2)
図8は、本発明の実施例2に係る画像形成装置における定着装置720の制御回路700の回路図である。図4で説明した構成については、同様なので説明を省略する。その他、実施例2においてここで説明しない事項は、実施例1と同様である。本実施例では、定着装置720内に記憶部としての記憶装置710を有し、CPU420に接続されている。記憶装置710には、像加熱装置720の製造工程等において予め測定した各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数が記憶できる。記憶装置710の具体的な態様としては特に限定されるものではないが、例えば、EEPROM等の不揮発性メモリを用いてよい。CPU420は、起動後に記憶装置710に記憶されている各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数を呼び出すことが可能である。
(Example 2)
FIG. 8 is a circuit diagram of the
ヒータ300は発熱ブロックの製造ばらつきによって、各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数にばらつきが生じている。その各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数のばらつきは、本実施例1で説明した発熱ブロックの温度の検知結果に影響を及ぼす。以下に、抵抗値、抵抗温度係数のばらつきに対する補正方法について説明する。
In the
先ず、抵抗値のばらつきに関しては、式10に示すように電流検知部510で検出した電流I1に補正係数を乗算することで補正する。
I1’=((R03/W3)/(R01/W1))・I1…(式10)
R03、R01は、記憶装置710から読み出した発熱ブロック302−3、302−1の抵抗値であり、I1’は、補正後の発熱ブロック302−1の電流である。式10により、発熱ブロック302−3を基準にした電流に補正される。補正したI1’は、実施例1と同様に単位長さ当たりの電流Im1’に変換した後、実施例1の式3の計算によって、補正した温度差を算出する。
First, the variation in resistance value is corrected by multiplying the current I 1 detected by the current detection unit 510 by a correction coefficient, as shown in
I 1 ′ = ((R 03 / W 3 ) / (R 01 / W 1 )) · I 1 (Equation 10)
R 03 and R 01 are resistance values of the heat generation blocks 302-3 and 302-1 read from the
一方、抵抗温度係数のばらつきに関しては、発熱ブロック302−1と302−3の温度差ΔT13’を検出する。式11、12は式3、4、式11は温度ΔT13’、式12はIm0’の計算を行う。
ΔT13’=T1−T3
=(1/Im1’−1/Im0’)/α1(1/Im0’)−(1/Im3’
−1/Im0’)/α3(1/Im0’)…(式11)
Im0’=Im3(1+α3(T3−T0))…(式12)
α1、α3は、発熱ブロック302−1、302−3の抵抗温度係数を示している。このように、式11、12により温度差ΔT13を抵抗温度係数のばらつきに応じて計算することができる。
On the other hand, regarding the variation of the resistance temperature coefficient, the temperature difference ΔT 13 ′ between the heat generation blocks 302-1 and 302-3 is detected.
ΔT 13 '= T 1 -T 3
= (1 / I m1 '-1 / I m0 ') / α 1 (1 / I m0 ')-(1 / I m3 '
−1 / I m0 ′) / α 3 (1 / I m0 ′) (Formula 11)
I m0 ′ = I m3 (1 + α 3 (T 3 −T 0 )) (Formula 12)
α 1 and α 3 indicate resistance temperature coefficients of the heat generating blocks 302-1 and 302-3. As described above, the temperature difference ΔT 13 can be calculated according to the variation of the resistance temperature coefficient using the
また、抵抗値、抵抗温度係数の両方がばらついた場合でも、電流の補正を式10、抵抗温度係数ばらつきの補正を式11,12で同時に補正を行えばよい。尚、発熱ブロック302−2、302−4、302−5についても、式8〜10と同様の式で補正することができる。
Further, even when both the resistance value and the resistance temperature coefficient vary, the correction of the current may be performed simultaneously with
各発熱ブロックの抵抗値と抵抗温度係数がばらついた場合の発熱ブロックの温度の検知のばらつきについて説明する。
図9は、発熱ブロックの抵抗値や抵抗温度係数がばらついた場合の発熱ブロックの単位長さ当たりの電流(横軸)と発熱ブロックの温度(縦軸)を示している。ここでも、代表して発熱ブロック302−1の温度の検知について説明する。発熱ブロックの抵抗値にばらつきがなければ、発熱ブロックに流れる電流はIm1’を検知し、実施例1で説明した図5のような特性から温度の検知が可能である。ところが、発熱体302の製造時のばらつき等によって、発熱ブロック302−1と発熱ブロック302−3との単位長さ当たりの抵抗値が異なる場合がある。その場合は、電流も同様にばらつくので精度の良い温度の検知ができない。例えば、発熱ブロック302−1の抵抗値がマイナス側にばらついたとき、電流はプラス側にばらつくので電流検知部で検知する電流はIm1である。この場合に温度の検知を行うと、図中のΔT13を算出してしまい、本来算出すべきΔT13’よりも低い温度差を検知してしまう。
Variations in the detection of the temperature of the heat generation block when the resistance value and resistance temperature coefficient of each heat generation block vary will be described.
FIG. 9 shows the current per unit length of the heat generation block (horizontal axis) and the temperature of the heat generation block (vertical axis) when the resistance value and resistance temperature coefficient of the heat generation block vary. Here also, the temperature detection of the heat generation block 302-1 will be described as a representative. If there is no variation in the resistance value of the heat generating block, the current flowing through the heat generating block detects I m1 ′, and the temperature can be detected from the characteristics shown in FIG. However, the resistance value per unit length of the heat generating block 302-1 and the heat generating block 302-3 may be different due to variations in the manufacturing of the heat generating element 302. In that case, since the current varies in the same manner, the temperature cannot be detected with high accuracy. For example, when the resistance value of the heat generation block 302-1 varies on the minus side, the current varies on the plus side, so the current detected by the current detection unit is Im1 . In this case, if temperature is detected, ΔT 13 in the figure is calculated, and a temperature difference lower than ΔT 13 ′ that should be originally calculated is detected.
一方、抵抗温度係数についても同様に温度の検知に影響する。発熱ブロックの抵抗温度係数がばらついたときにも、ばらつきを含んだ電流を検出してしまう。したがって、上記と同様に、本来算出すべきΔT13’よりも低い温度差を検知してしまう。以上より、各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数のばらつきを補正しない場合は、発熱ブロックの精度の良い温度の検知ができない。 On the other hand, the temperature coefficient of resistance similarly affects the temperature detection. Even when the resistance temperature coefficient of the heat generating block varies, a current including variation is detected. Therefore, similarly to the above, a temperature difference lower than ΔT 13 ′ that should be calculated is detected. As described above, when variations in resistance value and resistance temperature coefficient of each heat generating block are not corrected, it is impossible to detect the temperature of the heat generating block with high accuracy.
次に、本実施例の補正計算を行った温度の検知結果の一例を説明する。本実施例では、基準温度T0における発熱ブロック302−1の抵抗値R01=54.7Ω、抵抗温度係数α1=1400ppm、発熱ブロック302−3の抵抗値R03=15Ω、抵抗温度係数α3=1350ppmであるヒータ300を用いた。このヒータ300の発熱ブロック302−3が温度T3=200℃をサーミスタで検知したときに流れる電流Im3’が0.0579Aであり、同時に発熱ブロック302−1に流れる電流Im1’が0.0563Aであった。そのときに上記演算によって、温度差ΔT13は20℃と計算でき、発熱ブロック302−1の温度T1=220℃と検知することができる。
Next, an example of a temperature detection result obtained by performing the correction calculation of the present embodiment will be described. In this embodiment, the resistance value R 01 of the heat generating block 302-1 at the reference temperature T 0 = 54.7Ω, the resistance temperature coefficient α 1 = 1400 ppm, the resistance value R 03 of the heat generating block 302-3 = 15Ω, and the resistance temperature coefficient α A heater 300 with 3 = 1350 ppm was used. The current I m3 ′ that flows when the heat generating block 302-3 of the
図10を参照して、発熱ブロック302−1を例にとって抵抗値と抵抗温度係数がばらついた場合の一連の温調制御の方法を説明する。図10は、CPU420による発熱ブロックの302−1の温調制御のフローチャートである。尚、図7と符号の等しいものは、同様のシーケンスなので説明を省略する。S201は、記憶装置710に記憶された発熱ブロック302−1、302−3の抵抗値、抵抗温度係数の値を読み出す工程である。S202、S203では、前述の説明の方法で、Im0、Im1、Im3、T1を補正計算する。尚、発熱ブロック302−2、302−4、302−5のフローチャートについては、上記と同様であるので説明を省略する。
With reference to FIG. 10, a series of temperature control methods in the case where the resistance value and the temperature coefficient of resistance vary will be described using the heat generation block 302-1 as an example. FIG. 10 is a flowchart of the temperature adjustment control of the heat generation block 302-1 by the
以上のように、予め各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数を記憶装置に記憶し、温度
の検知の際に読み出すことで、各発熱ブロックの抵抗値、抵抗温度係数のばらつきを補正し、発熱ブロックの精度の良い温度の検知ができる。
As described above, the resistance value and resistance temperature coefficient of each heat generation block are stored in the storage device in advance, and read when detecting the temperature, thereby correcting the variation in the resistance value and resistance temperature coefficient of each heat generation block to generate heat. The temperature of the block can be detected with high accuracy.
200…定着装置、202…筒状のフィルム、300…ヒータ、302…発熱体、302−1〜302−5…発熱ブロック、305…基板、400…制御回路、420…CPU501〜505…電流検知部、710…記憶装置、TH…温度検出素子(サーミスタ)
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記第1発熱体及び前記第2発熱体への通電を制御する通電制御部と、
を有する画像形成装置において、
前記第1発熱体が設けられた前記ヒータの第1発熱領域の温度を検知する温度検知部と、
前記第1発熱体及び前記第2発熱体に流れる電流値を検知する電流検知部と、
前記温度検知部が検知した前記第1発熱領域の温度と、前記電流検知部が検知した電流値に基づいて取得される前記第1発熱領域と前記第2発熱体が設けられた前記ヒータの第2発熱領域との間の温度差と、に基づいて、前記第2発熱領域の温度を取得する温度取得部と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。 A substrate, a first heating element provided on the substrate, and a position different from the first heating element in the longitudinal direction of the substrate are controlled independently of the first heating element. A fixing unit that heats and fixes an image formed on the recording material using the heat of the heater;
An energization control unit for controlling energization to the first heating element and the second heating element;
In an image forming apparatus having
A temperature detector for detecting the temperature of the first heat generating area of the heater provided with the first heat generating element;
A current detection unit for detecting a current value flowing through the first heating element and the second heating element;
The first heating region detected by the temperature detection unit and the first heating region acquired based on the current value detected by the current detection unit and the heater provided with the second heating element. A temperature acquisition unit that acquires a temperature of the second heat generation region based on a temperature difference between the two heat generation regions;
An image forming apparatus comprising:
前記温度取得部は、前記記憶部に記憶された前記抵抗値及び前記抵抗温度係数を用いて、前記温度差を取得することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の画像形成装置。 A storage unit for storing the resistance value of the first heat generation region and the resistance temperature coefficient, the resistance value of the second heat generation region, and the resistance temperature coefficient;
The image according to claim 2, wherein the temperature acquisition unit acquires the temperature difference using the resistance value and the resistance temperature coefficient stored in the storage unit. Forming equipment.
前記温度検知部が検知した温度に基づいて前記第1発熱体への通電を制御し、
前記温度取得部が取得した温度に基づいて前記第2発熱体への通電を制御する
ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の画像形成装置。 The energization control unit
Control energization to the first heating element based on the temperature detected by the temperature detection unit,
The image forming apparatus according to claim 1, wherein energization of the second heating element is controlled based on the temperature acquired by the temperature acquisition unit.
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