JP2018067507A - Display and method for manufacturing the same - Google Patents

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浅野 雅朗
Masaaki Asano
雅朗 浅野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display panel comprising: a substrate; a plurality of pixels each located on the substrate and having a transistor and a light emitting element; first wires located on the substrate and electrically connected to the transistors; and a pair of first connection pads covering both a first lateral face of the substrate and a second lateral face opposite to the first lateral face and electrically connected to the first wires.SOLUTION: A first lateral face and a second lateral face can have concave parts that are covered by a pair of first connection pads. Light emitting elements each have a pixel electrode and may share a counter electrode on the pixel electrode, and a display panel may have second wires that are located between adjacent pixels and electrically connected to the counter electrodes.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示の実施形態の一つは表示装置、およびその作製方法に関する。   One embodiment of the present disclosure relates to a display device and a manufacturing method thereof.

表示装置の代表例として、液晶素子や発光素子などの表示素子を各画素に有する液晶表示装置や有機EL(Electroluminescence)表示装置などが挙げられる。これらの表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に液晶素子あるいは有機発光素子(以下、単に発光素子とも記す)を有している。液晶素子や発光素子は一対の電極間に液晶あるいは発光材料を含む層をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。   Typical examples of the display device include a liquid crystal display device having a display element such as a liquid crystal element or a light-emitting element in each pixel, an organic EL (Electroluminescence) display device, and the like. These display devices each have a liquid crystal element or an organic light emitting element (hereinafter also simply referred to as a light emitting element) in each of a plurality of pixels formed on a substrate. A liquid crystal element or a light-emitting element has a layer containing a liquid crystal or a light-emitting material between a pair of electrodes, and is driven by applying a voltage or supplying a current between the pair of electrodes.

大型の表示装置を作製するための一つの方法として、表示素子が形成された有機ELパネルなどの中小型の表示パネルを複数用い、これらを大型基板上に並べることが知られている。この手法によって作製される発光装置は、パネル接合型表示装置と呼ばれる。例えば特許文献1から4には、有機ELパネルを基板上にマトリクス状に配置した、パネル接合型表示装置が開示されている。   As one method for manufacturing a large display device, it is known to use a plurality of small and medium display panels such as an organic EL panel on which display elements are formed, and arrange these on a large substrate. A light-emitting device manufactured by this method is called a panel-bonded display device. For example, Patent Documents 1 to 4 disclose panel junction type display devices in which organic EL panels are arranged in a matrix on a substrate.

特開2004−111320号公報JP 2004-111320 A 特開2006−163325号公報JP 2006-163325 A 特開2011−81945号公報JP 2011-81945 A 特開2014−157206号公報JP, 2014-157206, A

本開示の課題の一つは、大型の表示装置、例えば発光素子が搭載された大型の表示装置を低コストで作製するための構造、方法を提供することである。あるいは、本開示の課題の一つは、複数の表示パネルを有し、かつ、高い表示品質を有する大型の表示装置を作製するための構造、方法を提供することである。   One of the problems of the present disclosure is to provide a structure and a method for manufacturing a large display device such as a large display device on which a light emitting element is mounted at low cost. Alternatively, one of the problems of the present disclosure is to provide a structure and a method for manufacturing a large display device having a plurality of display panels and having high display quality.

本開示の実施形態の一つは、基板と、基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、基板上に位置し、発光素子と電気的に接続される第1の配線と、基板の第1の側面を覆い、第1の配線と電気的に接続される第1の接続パッドを有する表示パネルである。   One embodiment of the present disclosure includes a substrate, a plurality of pixels located on the substrate and having a light emitting element, a first wiring located on the substrate and electrically connected to the light emitting element, and the substrate The display panel includes a first connection pad that covers the first side surface of the first connection pad and is electrically connected to the first wiring.

第1の側面は、第1の接続パッドに覆われる凹部を有してもよい。表示パネルは、第1の配線と電気的に接続され、第1の側面と対向する第2の側面を覆う第2の接続パッドを有してもよい。第1の接続パッドと第2の接続パッドは、第1の配線を覆うことができる。基板は、第1の側面と第2の側面に垂直な第3の側面を有し、第3の側面と第1の接続パッド間の距離は、第3の側面と第2の接続パッド間の距離と異なってもよい。   The first side surface may have a recess that is covered by the first connection pad. The display panel may include a second connection pad that is electrically connected to the first wiring and covers a second side surface facing the first side surface. The first connection pad and the second connection pad can cover the first wiring. The substrate has a first side surface and a third side surface perpendicular to the second side surface, and a distance between the third side surface and the first connection pad is between the third side surface and the second connection pad. It may be different from the distance.

表示パネルはさらに、第1の配線と交差する第2の配線と、第2の配線と電気的に接続され、第1の側面に垂直な第3の側面を覆う第3の接続パッドをさらに有することができる。第1の配線と第2の配線は、トランジスタを介して発光素子と電気的に接続してもよい。   The display panel further includes a second wiring that intersects the first wiring, and a third connection pad that is electrically connected to the second wiring and covers a third side surface perpendicular to the first side surface. be able to. The first wiring and the second wiring may be electrically connected to the light-emitting element through a transistor.

本開示の実施形態の一つは、ベース基板と、ベース基板上に位置する複数の表示パネルを有し、複数の表示パネルはそれぞれ、基板と、基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、基板上に位置し、発光素子と電気的に接続される第1の配線と、基板の第1の側面を覆い、第1の配線と電気的に接続される第1の接続パッドを有する表示装置である。   One embodiment of the present disclosure includes a base substrate and a plurality of display panels positioned on the base substrate, and each of the plurality of display panels is positioned on the substrate and the plurality of light emitting elements. A pixel, a first wiring located on the substrate and electrically connected to the light-emitting element, and a first connection pad covering the first side surface of the substrate and electrically connected to the first wiring; A display device.

複数の表示パネルは、m行n列のマトリクス状に配置されてもよい。ここで、mとnは、1より大きい自然数である。また、mとnは2よりも大きくてもよく、複数の表示パネルは互いに同一の構造を有してもよい。   The plurality of display panels may be arranged in a matrix of m rows and n columns. Here, m and n are natural numbers greater than 1. Moreover, m and n may be larger than 2, and the plurality of display panels may have the same structure.

ベース基板は、互いに積層する複数の配線と、複数の配線の一つと電気的に接続される第1の導電バンプを有し、複数の表示パネルの一つの第1の接続パッドは第1の導電バンプと電気的に接続されてもよい。   The base substrate has a plurality of wirings stacked on each other and a first conductive bump electrically connected to one of the plurality of wirings, and one first connection pad of the plurality of display panels is a first conductive pad. It may be electrically connected to the bump.

複数の表示パネルの各々において、第1の側面は、第1の接続パッドに覆われる凹部を有してもよい。複数の表示パネルはそれぞれ、第1の配線と電気的に接続され、第1の側面と対向する第2の側面を覆う第2の接続パッドを有することができる。第1の接続パッドと第2の接続パッドは、第1の配線を覆ってもよい。基板は、第1の側面と第2の側面に垂直な第3の側面を有し、第3の側面と第1の接続パッド間の距離は、第3の側面と第2の接続パッド間の距離と異なってもよい。   In each of the plurality of display panels, the first side surface may have a recess that is covered with the first connection pad. Each of the plurality of display panels can have a second connection pad that is electrically connected to the first wiring and covers the second side surface facing the first side surface. The first connection pad and the second connection pad may cover the first wiring. The substrate has a first side surface and a third side surface perpendicular to the second side surface, and a distance between the third side surface and the first connection pad is between the third side surface and the second connection pad. It may be different from the distance.

複数の表示パネルの各々は、第1の配線と交差する第2の配線と、第2の配線と電気的に接続され、第1の側面に垂直な第3の側面を覆う第3の接続パッドをさらに有してもよい。第1の配線と第2の配線は、トランジスタを介して発光素子と電気的に接続してもよい。   Each of the plurality of display panels includes a second wiring that intersects the first wiring, and a third connection pad that is electrically connected to the second wiring and covers a third side surface perpendicular to the first side surface. May further be included. The first wiring and the second wiring may be electrically connected to the light-emitting element through a transistor.

複数の表示パネルの各々は、第1の側面と、第1の側面に最も近い画素の間に第3の配線を有することができ、複数の表示パネルの各々において、発光素子は画素電極を有し、画素電極上の対向電極を共有し、第3の配線は、対向電極と電気的に接続されてもよい。   Each of the plurality of display panels can have a third wiring between the first side surface and the pixel closest to the first side surface. In each of the plurality of display panels, the light emitting element has a pixel electrode. Alternatively, the counter electrode on the pixel electrode may be shared, and the third wiring may be electrically connected to the counter electrode.

互いに隣接する表示パネルの前記第1の配線は、異なる直線上に伸びるように配置してもよい。   The first wirings of display panels adjacent to each other may be arranged to extend on different straight lines.

第1の側面は、第1の接続パッドに覆われる凹部を有し、第1の導電バンプは、凹部に位置し、隣接する二つの表示パネルは互いに接し、第1の導電バンプを挟むことができる。   The first side surface has a concave portion covered with the first connection pad, the first conductive bump is located in the concave portion, two adjacent display panels are in contact with each other, and the first conductive bump is sandwiched between them. it can.

本開示の一実施形態の表示装置の上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the display apparatus of one Embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの側面模式図。The side surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one Embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の上面模式図。The upper surface schematic diagram of the base substrate of the display apparatus of one Embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the base substrate of the display apparatus of one Embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の模式的斜視図。1 is a schematic perspective view of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの作製方法を示す図。4A and 4B illustrate a method for manufacturing a display panel of a display device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置の表示パネルの上面模式図。The upper surface schematic diagram of the display panel of the display apparatus of one embodiment of this indication. 本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の作製方法を示す図。6 is a diagram illustrating a method for manufacturing a base substrate of a display device according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示の一実施形態の表示装置のベース基板の作製方法を示す図。6 is a diagram illustrating a method for manufacturing a base substrate of a display device according to an embodiment of the present disclosure. FIG.

以下、本開示の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。   Hereinafter, each embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings. However, the present disclosure can be implemented in various modes without departing from the gist thereof, and is not construed as being limited to the description of the embodiments exemplified below.

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省くことがある。   In order to clarify the description, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part as compared to actual aspects, but are merely examples and limit the interpretation of the present disclosure. Not what you want. In the present specification and each drawing, elements having the same functions as those described with reference to the previous drawings may be denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.

本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。   In the present specification and claims, in expressing a mode of disposing another structure on a certain structure, when simply describing “on top”, unless otherwise specified, It includes both the case where another structure is disposed immediately above and a case where another structure is disposed via another structure above a certain structure.

本明細書および特許請求の範囲において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。   In the present specification and claims, when a plurality of films are formed by processing a single film, the plurality of films may have different functions and roles. However, the plurality of films are derived from films formed as the same layer in the same process, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these plural films are defined as existing in the same layer.

(第1実施形態)
本実施形態の表示装置100の構造を、図1乃至図7を用いて説明する。以下では、表示装置100はアクティブマトリクス型の有機EL表示装置として説明を行うが、本実施形態はパッシブマトリクス型の表示装置に対しても適用することができる。また、表示素子としては液晶素子、発光素子のいずれを用いてもよい。発光素子を用いる場合、発光素子は有機EL素子でも無機EL素子でも良い。無機EL素子は、直流電流で駆動される無機ELダイオードでも良く、交流電圧を印加して駆動される、いわゆる真正エレクトロルミネッセンス素子でも良い。
(First embodiment)
The structure of the display device 100 of this embodiment will be described with reference to FIGS. In the following description, the display device 100 is described as an active matrix organic EL display device, but the present embodiment can also be applied to a passive matrix display device. As the display element, either a liquid crystal element or a light emitting element may be used. In the case of using a light emitting element, the light emitting element may be an organic EL element or an inorganic EL element. The inorganic EL element may be an inorganic EL diode that is driven by a direct current, or a so-called genuine electroluminescence element that is driven by applying an alternating voltage.

[1.全体構造]
図1は表示装置100の上面模式図であり、鎖線A−A’に沿った断面模式図を図2に示す。図1に示すように、表示装置100は、ベース基板102と、ベース基板102上に設けられる複数の表示パネル200を有している。図2に示す表示装置100では、3行3列に配置された9枚の表示パネル200がベース基板102上に設けられているが、表示パネル200の数に制限はなく、ベース基板102上には表示パネル200をm行n列のマトリクス状に設けることができる。ここでmとnは1よりも大きい自然数である。
[1. Overall structure]
FIG. 1 is a schematic top view of the display device 100, and FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view along the chain line AA ′. As illustrated in FIG. 1, the display device 100 includes a base substrate 102 and a plurality of display panels 200 provided on the base substrate 102. In the display device 100 shown in FIG. 2, nine display panels 200 arranged in three rows and three columns are provided on the base substrate 102, but the number of display panels 200 is not limited, and the display panels 200 are provided on the base substrate 102. The display panel 200 can be provided in a matrix of m rows and n columns. Here, m and n are natural numbers larger than 1.

ベース基板102上には、駆動回路を設けることができ、図1は二つの駆動回路104、106が設けられた例を示している。表示パネル200は、それぞれ独立して、駆動回路104、および/または106によって駆動される。なお、表示装置100に必ずしも駆動回路を二つ設ける必要はなく、単一の駆動回路をベース基板102上に設けてもよい。あるいは、駆動回路をベース基板102に形成せず、異なる基板上に設けられる駆動回路を別途ベース基板102上に設けてもよい。   A driving circuit can be provided over the base substrate 102. FIG. 1 shows an example in which two driving circuits 104 and 106 are provided. The display panels 200 are independently driven by the drive circuits 104 and / or 106. Note that the display device 100 is not necessarily provided with two driver circuits, and a single driver circuit may be provided over the base substrate 102. Alternatively, a driver circuit provided over a different substrate may be separately provided over the base substrate 102 without forming the driver circuit over the base substrate 102.

図2に示すように、表示パネル200は、互いに封止材210によって固定された第1の基板202と第2の基板204の間に、複数の画素を有する表示領域206を有する。   As illustrated in FIG. 2, the display panel 200 includes a display region 206 having a plurality of pixels between a first substrate 202 and a second substrate 204 that are fixed to each other by a sealing material 210.

駆動回路104、106は、ベース基板102に設けられ、封止材134によって封止基板130で覆われる。封止基板130の厚さを適宜選択し、第2の基板204と封止基板130の上面がほぼ同一平面内に位置するようにしてもよい。   The drive circuits 104 and 106 are provided on the base substrate 102 and covered with a sealing substrate 130 with a sealing material 134. The thickness of the sealing substrate 130 may be appropriately selected so that the second substrate 204 and the upper surface of the sealing substrate 130 are located in substantially the same plane.

駆動回路104、106は、配線108を介して表示パネル200と電気的に接続される。図2に示すように、配線108はベース基板102内で多層構造を有することができる。例えば最上層の配線108aは、複数の表示パネル200のうちの一つを駆動回路104に接続する。一方、配線108aの下に重なる配線108bは、配線108aが接続される表示パネル200に隣接する表示パネル200を駆動回路104に接続する。同様に、配線108cは配線108bが接続される表示パネル200に隣接する表示パネル200を駆動回路106に接続する。配線108a、108b、108cは、表示パネル200の側面に設けられる接続パッド208、およびベース基板102に設けられる導電バンプ120(後述)によって、それぞれ対応する表示パネル200と電気的に接続される。   The drive circuits 104 and 106 are electrically connected to the display panel 200 through the wiring 108. As shown in FIG. 2, the wiring 108 can have a multilayer structure in the base substrate 102. For example, the uppermost wiring 108 a connects one of the plurality of display panels 200 to the drive circuit 104. On the other hand, the wiring 108b overlapping the wiring 108a connects the display panel 200 adjacent to the display panel 200 to which the wiring 108a is connected to the driving circuit 104. Similarly, the wiring 108c connects the display panel 200 adjacent to the display panel 200 to which the wiring 108b is connected to the driving circuit 106. The wirings 108a, 108b, and 108c are electrically connected to the corresponding display panels 200 by connection pads 208 provided on the side surfaces of the display panel 200 and conductive bumps 120 (described later) provided on the base substrate 102, respectively.

なお、配線108の層の数や積層構造は表示パネル200の数や配置によって適宜変更することができる。また、一つの表示パネル200が二つの駆動回路104、106の両方に接続されてもよい。   Note that the number of layers and the stacked structure of the wiring 108 can be changed as appropriate depending on the number and arrangement of the display panels 200. One display panel 200 may be connected to both of the two drive circuits 104 and 106.

ベース基板102にはさらに、駆動回路104、106が設けられていない側面へ伸びる複数の配線110が設けられる(図1)。配線108と同様、複数の配線110もベース基板102内で積層構造を有することができる。例えば図2に示す配線110のうち最も上の層に設けられる配線110aは、2行目に位置する表示パネル200と電気的に接続されることができる。一方、配線110aの下層に位置する配線110bは、例えば三行目に位置する表示パネル200と電気的に接続されることができる。配線110は、ベース基板102の端部でフレキシブルプリント基板(FPC)などのコネクタ114と電気的に接続される。外部回路(図示せず)からコネクタ114を経由して供給される信号が配線110によって表示パネル200に入力され、駆動回路104、106から入力される信号と連動して画素が制御される。   The base substrate 102 is further provided with a plurality of wirings 110 extending to the side surface where the drive circuits 104 and 106 are not provided (FIG. 1). Like the wiring 108, the plurality of wirings 110 can have a stacked structure in the base substrate 102. For example, the wiring 110a provided in the uppermost layer of the wirings 110 illustrated in FIG. 2 can be electrically connected to the display panel 200 positioned in the second row. On the other hand, the wiring 110b positioned below the wiring 110a can be electrically connected to the display panel 200 positioned in the third row, for example. The wiring 110 is electrically connected to a connector 114 such as a flexible printed circuit board (FPC) at the end of the base substrate 102. A signal supplied from an external circuit (not shown) via the connector 114 is input to the display panel 200 through the wiring 110, and the pixels are controlled in conjunction with signals input from the drive circuits 104 and 106.

表示装置100にはさらに、表示パネル200と電気的に接続される配線112を設けることができる。後述するように、配線112は、画素が有する電極の一つと接続される。配線112も配線110が設けられる側へ伸びるように配置することができ、ベース基板102の端部で外部回路と接続される。   The display device 100 can further include a wiring 112 that is electrically connected to the display panel 200. As will be described later, the wiring 112 is connected to one of the electrodes included in the pixel. The wiring 112 can also be arranged so as to extend to the side where the wiring 110 is provided, and is connected to an external circuit at the end of the base substrate 102.

[2.表示パネル]
表示パネル200の構造を、図3、4を用いて説明する。図3、4はそれぞれ、表示パネルの上面と側面の模式図である。表示パネル200は第1の基板202上に複数の画素214を有している。複数の画素214が設けられる領域が、図2における表示領域206に相当する。画素214には互いに異なる色を与える発光素子や液晶素子などの表示素子を設けることができ、これにより、フルカラー表示を行うことができる。例えば赤色、緑色、あるいは青色を与える表示素子を三つの画素214にそれぞれ設けることができる。あるいは、全ての画素214で白色を与える表示素子を用い、カラーフィルタを用いて画素214ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。画素214の配列にも制限はなく、ストライプ配列、デルタ配列、ペンタイル配列などを採用することができる。図3に示す表示装置100では、画素214はマトリクス状に配置される。
[2. Display panel]
The structure of the display panel 200 will be described with reference to FIGS. 3 and 4 are schematic views of the upper surface and side surfaces of the display panel, respectively. The display panel 200 includes a plurality of pixels 214 on the first substrate 202. A region where the plurality of pixels 214 are provided corresponds to the display region 206 in FIG. The pixel 214 can be provided with a display element such as a light emitting element or a liquid crystal element which gives different colors, whereby full color display can be performed. For example, display elements that give red, green, or blue can be provided in the three pixels 214, respectively. Alternatively, a display element that gives white in all the pixels 214 may be used, and a full color display may be performed by extracting red, green, or blue for each pixel 214 using a color filter. The arrangement of the pixels 214 is not limited, and a stripe arrangement, a delta arrangement, a pen tile arrangement, or the like can be adopted. In the display device 100 shown in FIG. 3, the pixels 214 are arranged in a matrix.

第1の基板202上にはさらに、配線108、110を経由して供給される信号を各画素214に供給するための種々の配線が設けられる。図3では三種類の配線216、218、220が設けられる例を示しているが、配線の数に制限はなく、四種類以上の配線が設けられていてもよい。配線216、218、220は各画素214に設けられるトランジスタなどの半導体素子と電気的に接続され、たとえば走査線、信号線、電流供給線などとして機能する。   Various wirings for supplying a signal supplied via the wirings 108 and 110 to each pixel 214 are further provided on the first substrate 202. Although FIG. 3 shows an example in which three types of wirings 216, 218, and 220 are provided, the number of wirings is not limited, and four or more types of wirings may be provided. The wirings 216, 218, and 220 are electrically connected to a semiconductor element such as a transistor provided in each pixel 214, and function as, for example, a scanning line, a signal line, a current supply line, or the like.

本実施形態をパッシブマトリクス型の表示装置に適用する場合、上記配線216、218、220のうち、例えば配線216と220はビット線やワード線として利用することができる。この場合、配線216や220はトランジスタを介さずに、発光素子が有する一対の電極と接続される、あるいはこれらの電極として機能する。   When this embodiment is applied to a passive matrix display device, for example, the wirings 216 and 220 of the wirings 216, 218, and 220 can be used as bit lines and word lines. In this case, the wirings 216 and 220 are connected to a pair of electrodes included in the light-emitting element without functioning as a transistor, or function as these electrodes.

各配線216、218、220は、少なくとも第1の基板202の一つの側面において、導電性を有する接続パッドと接続される。具体的には、例えば配線216は、第1の基板202の側面の一つ(第1の側面222)において、接続パッド208と電気的に接続される。接続パッド208は、ベース基板102に設けられる配線108を介して駆動回路104、あるいは106に電気的に接続される。図3に示した例では、配線216は、第1の側面222とそれに対向する第2の側面224に設けられる接続パッド208のいずれかに接続される。図3では、奇数行目の配線216は第1の側面222に設けられる接続パッド208と接続され、偶数行目の配線216が第2の側面224に設けられる接続パッド208と接続される例が示されている。この場合、奇数行目の配線216と偶数行目の配線216を異なる駆動回路(104、106)に接続してもよい。なお、全ての配線216の両端に接続パッド208を設けてもよい。このような構成は第3実施形態で述べる。   Each of the wirings 216, 218, and 220 is connected to a conductive connection pad on at least one side surface of the first substrate 202. Specifically, for example, the wiring 216 is electrically connected to the connection pad 208 on one of the side surfaces of the first substrate 202 (first side surface 222). The connection pad 208 is electrically connected to the driving circuit 104 or 106 via the wiring 108 provided on the base substrate 102. In the example illustrated in FIG. 3, the wiring 216 is connected to one of the connection pads 208 provided on the first side surface 222 and the second side surface 224 opposite to the first side surface 222. In FIG. 3, an example in which the odd-numbered wirings 216 are connected to the connection pads 208 provided on the first side surface 222 and the even-numbered wirings 216 are connected to the connection pads 208 provided on the second side surface 224. It is shown. In this case, the odd-numbered wirings 216 and the even-numbered wirings 216 may be connected to different drive circuits (104, 106). Note that connection pads 208 may be provided at both ends of all the wirings 216. Such a configuration will be described in a third embodiment.

同様に配線218、220も、第1の側面222、第2の側面224に対して垂直な側面(第3の側面226、第4の側面228)において、導電性を有する接続パッド212と接続することができる。接続パッド212は、ベース基板102に設けられる配線110を介して外部回路に電気的に接続される。図3では、配線218、220の両端が接続パッド212と接続されているが、配線216のように、片一方の端部のみが接続パッド212と接続されるように表示パネル200を構成してもよい。このような構成は第3実施形態で述べる。   Similarly, the wirings 218 and 220 are also connected to the conductive connection pads 212 on the side surfaces (third side surface 226 and fourth side surface 228) perpendicular to the first side surface 222 and the second side surface 224. be able to. The connection pad 212 is electrically connected to an external circuit through the wiring 110 provided on the base substrate 102. In FIG. 3, both ends of the wirings 218 and 220 are connected to the connection pad 212. However, like the wiring 216, the display panel 200 is configured so that only one end is connected to the connection pad 212. Also good. Such a configuration will be described in a third embodiment.

図3に示すように、一つの配線に二つの接続パッドが接続される場合、これらの接続パッドの位置が互いにずれていてもよい。つまり、配線が伸びる方向に対して平行な側面から接続パッドまでの距離は、互いに異なるよう、接続パッド、あるいは配線を構成することができる。具体的には、例えば図3に示す配線218では、その伸びる方向に平行な側面である第1の側面222(あるいは第2の側面224)から接続パッド212までの距離が互いに異ってもよい。ここでは、配線218は折れ曲がり構造を有し、これにより、第1の側面222と接続パッド212までの距離が互いに相違する。このように接続パッド208や212を配置することで、隣接する表示パネル200同士で、対応する配線同士が電気的に接続されることを防ぎ、各表示パネル200を独立して駆動することができる。一つの配線内における一対の接続パッドの位置関係に関して、配線218、220も同様の関係を有することができる。   As shown in FIG. 3, when two connection pads are connected to one wiring, the positions of these connection pads may be shifted from each other. That is, the connection pad or the wiring can be configured so that the distance from the side surface parallel to the direction in which the wiring extends to the connection pad is different from each other. Specifically, for example, in the wiring 218 shown in FIG. 3, the distance from the first side surface 222 (or the second side surface 224), which is a side surface parallel to the extending direction, to the connection pad 212 may be different from each other. . Here, the wiring 218 has a bent structure, whereby the distances between the first side surface 222 and the connection pad 212 are different from each other. By arranging the connection pads 208 and 212 in this way, it is possible to prevent the corresponding wirings from being electrically connected to each other between the adjacent display panels 200 and to drive each display panel 200 independently. . The wirings 218 and 220 can have the same relationship with respect to the positional relationship between the pair of connection pads in one wiring.

表示パネル200はさらに、配線230を有することができる。配線230は、後述する発光素子282の電極の一つ、例えば対向電極250と電気的に接続される。配線230は、一つの表示パネル200内に少なくとも一つ設置されればよく、隣接する画素214の間に設けてもよい。あるいは図3に示すように、第1の基板202のいずれかの側面とそれに最も近い画素214の間に設けてもよい。配線216、218、220と同様、配線230も第1の基板202のいずれかの側面において導電性を有する接続パッド232と接続され、接続パッド232によってベース基板102に設けられる配線112と電気的に接続される。   The display panel 200 can further include a wiring 230. The wiring 230 is electrically connected to one of the electrodes of the light emitting element 282 described later, for example, the counter electrode 250. At least one wiring 230 may be provided in one display panel 200, and may be provided between adjacent pixels 214. Alternatively, as shown in FIG. 3, it may be provided between any side surface of the first substrate 202 and the pixel 214 closest thereto. Like the wirings 216, 218, and 220, the wiring 230 is connected to the conductive connection pad 232 on either side of the first substrate 202, and is electrically connected to the wiring 112 provided on the base substrate 102 by the connection pad 232. Connected.

接続パッド208、212、あるいは232が形成される領域、すなわち、第1の基板202の各側面(第1の側面222、第2の側面224、第3の側面226、第4の側面228)には凹部が形成される。そして図4に例示するように、凹部は接続パッド208、212、あるいは232に覆われる。   In a region where the connection pads 208, 212, or 232 are formed, that is, on each side surface (first side surface 222, second side surface 224, third side surface 226, and fourth side surface 228) of the first substrate 202. A recess is formed. Then, as illustrated in FIG. 4, the recess is covered with the connection pads 208, 212, or 232.

表示パネル200の画素214のうち、一つの側面とそれに最も近い画素214の端部との距離は、隣接する画素の端部間の距離の1/2となるように、画素214を配置することが好ましい。より具体的には、例えば第2の側面224に最も近い画素214の端部と第2の側面224との距離L1は、第2の側面224に直交する方向において隣接する画素214の端部間の距離L2の1/2であることが好ましい(図3参照)。同様に、第3の側面226に最も近い画素214の端部と第3の側面226との距離L3は、第3の側面226と直交する方向において隣接する画素の端部間の距離L4の1/2であることが好ましい。これにより、複数の表示パネル200にわたり、等間隔で画素214を配置することができる。その結果、隣接する表示パネル200の間の領域が目立たず、ユーザによって認識しにくくなり、高品質な画像を提供することができる。   Among the pixels 214 of the display panel 200, the pixels 214 are arranged so that the distance between one side surface and the end of the pixel 214 closest to the side surface is ½ of the distance between the ends of adjacent pixels. Is preferred. More specifically, for example, the distance L1 between the end of the pixel 214 closest to the second side 224 and the second side 224 is between the ends of the pixels 214 adjacent in the direction orthogonal to the second side 224. The distance L2 is preferably ½ of the distance L2 (see FIG. 3). Similarly, the distance L3 between the end of the pixel 214 closest to the third side 226 and the third side 226 is 1 of the distance L4 between the ends of adjacent pixels in the direction orthogonal to the third side 226. / 2 is preferable. Thereby, the pixels 214 can be arranged at equal intervals over the plurality of display panels 200. As a result, a region between adjacent display panels 200 is not conspicuous and is difficult to be recognized by the user, and a high-quality image can be provided.

[3.ベース基板]
ベース基板102の構造を図5、図6を用いて説明する。図5はベース基板102の上面模式図であり、ここでは明瞭化のため、表示パネル200が設置される領域では配線108、110は図示していない。図6は図5の鎖線B−B’に沿った断面模式図である。
[3. Base substrate]
The structure of the base substrate 102 will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a schematic top view of the base substrate 102. For the sake of clarity, the wirings 108 and 110 are not shown in the region where the display panel 200 is installed. 6 is a schematic cross-sectional view taken along the chain line BB ′ of FIG.

図5に示すように、ベース基板102は、その上に設置される表示パネル200の側面(第1の側面222、第2の側面224、第3の側面226、第4の側面228)と重なる位置に、複数の導電バンプ120を有する。導電バンプ120は、マトリクス状に配置することができる。各導電バンプ120は、対応する一つの表示パネル200の接続パッド208、212、232のいずれかと接続される。したがって、一つの表示パネル200と接続される導電バンプ120の数は、配線216、218、220、230に設けられる接続パッド208、212、232の数と同じである。例えば表示パネル200がp本の配線216、q本の配線218、r本の配線220、s本の配線230を有し、それぞれが一つの接続パッド208、212、あるいは232を有する場合、p+q+r+s個の導電バンプ120が一つの表示パネル200と接続されるように、導電バンプ120が設けられる。   As shown in FIG. 5, the base substrate 102 overlaps the side surfaces (first side surface 222, second side surface 224, third side surface 226, and fourth side surface 228) of the display panel 200 installed thereon. A plurality of conductive bumps 120 are provided at the positions. The conductive bumps 120 can be arranged in a matrix. Each conductive bump 120 is connected to one of the connection pads 208, 212, and 232 of the corresponding one display panel 200. Therefore, the number of conductive bumps 120 connected to one display panel 200 is the same as the number of connection pads 208, 212, 232 provided on the wirings 216, 218, 220, 230. For example, if the display panel 200 has p wirings 216, q wirings 218, r wirings 220, and s wirings 230, each having one connection pad 208, 212, or 232, p + q + r + s wirings. The conductive bumps 120 are provided so that the conductive bumps 120 are connected to one display panel 200.

一つの表示パネル200に接続される複数の導電バンプ120の配置は、互いに同一にすることができる。これにより、複数の表示パネル200の構造も同一にすることができる。この場合、例えば表示パネル200をm行n列のマトリクス状に配置する場合、1行目、m行目、1列目、あるいはn列目に位置する表示パネル200(以下、周辺パネルと記す)、ならびにそれ以外の(2行目からm−1行目、あるいは2列目からn−1列目に位置する)表示パネル200(以下、内部パネルと記す)は、全て同じ構造を有することができる。   The arrangement of the plurality of conductive bumps 120 connected to one display panel 200 can be the same. Thereby, the structure of the some display panel 200 can also be made the same. In this case, for example, when the display panel 200 is arranged in a matrix of m rows and n columns, the display panel 200 located in the first row, the m row, the first column, or the n column (hereinafter referred to as a peripheral panel). , As well as other display panels 200 (located in the 2nd to m-1th rows or the 2nd to n-1th columns) have the same structure. it can.

図6に示すように、ベース基板102は多層に配線が設けられた、所謂多層配線基板を含むことができる。具体的には、ベース基板102は、複数の絶縁部材140(140a、140b、140c、140d、140e、140f、140g)と、それらに挟まれる複数の配線層(110a、110b、110c、108a、108b)などを有している。絶縁部材140と配線層の層数や構造は、表示パネル200の数や配置パターンによって適宜変更することができる。   As shown in FIG. 6, the base substrate 102 can include a so-called multilayer wiring board in which wirings are provided in multiple layers. Specifically, the base substrate 102 includes a plurality of insulating members 140 (140a, 140b, 140c, 140d, 140e, 140f, 140g) and a plurality of wiring layers (110a, 110b, 110c, 108a, 108b) sandwiched between them. ) Etc. The number and structure of the insulating members 140 and the wiring layers can be changed as appropriate depending on the number and arrangement pattern of the display panels 200.

図6に例示した配線110は三層構造(110a、110b、110c)を有しており、それぞれ異なる行に位置する表示パネル200と接続される。同様に、配線108は、図示しない一つの層を含む三層構造(108a、108b)を有しており、それぞれ異なる列に位置する表示パネル200と接続される。各配線108、110は、絶縁部材140に設けられるビア142において、対応する導電バンプ120と接続される。導電バンプ120は表示パネル200の側面に設けられる接続パッド208、212、232を介し、対応する配線216、218、220、230と接続される。
[4.接続]
The wiring 110 illustrated in FIG. 6 has a three-layer structure (110a, 110b, 110c), and is connected to the display panel 200 located in a different row. Similarly, the wiring 108 has a three-layer structure (108a, 108b) including one layer (not shown), and is connected to the display panel 200 located in a different column. Each of the wirings 108 and 110 is connected to the corresponding conductive bump 120 through a via 142 provided in the insulating member 140. The conductive bumps 120 are connected to corresponding wirings 216, 218, 220, and 230 via connection pads 208, 212, and 232 provided on the side surface of the display panel 200.
[4. Connection]

図7に、表示パネル200とベース基板102との接続態様を模式的に示す。ここでは表示パネル200の第2の基板204などは図示していない。図7に示すように、ベース基板102上の導電バンプ120の側面が接続パッド208に囲まれるように、ベース基板102上に表示パネル200を配置する。接続パッド208、導電バンプ120、ビア142を介して表示パネル200の配線(例えば図7に示した配線216)がベース基板102内の配線108と接続され、駆動回路104、106、あるいは外部回路から種々の信号が各表示パネル200に供給される。これにより、各表示パネル200を独立して駆動することができる。   FIG. 7 schematically shows a connection mode between the display panel 200 and the base substrate 102. Here, the second substrate 204 and the like of the display panel 200 are not illustrated. As shown in FIG. 7, the display panel 200 is disposed on the base substrate 102 so that the side surfaces of the conductive bumps 120 on the base substrate 102 are surrounded by the connection pads 208. The wiring of the display panel 200 (for example, the wiring 216 shown in FIG. 7) is connected to the wiring 108 in the base substrate 102 through the connection pad 208, the conductive bump 120, and the via 142, and is connected to the driving circuit 104, 106 or an external circuit. Various signals are supplied to each display panel 200. Thereby, each display panel 200 can be driven independently.

上述したように、第1の基板202の側面には凹部が設けられており、凹部を覆うように接続パッド208、212、232が設けられる。したがって、接続パッドも凹部を有しており、その凹部内に導電バンプ120が位置するように、表示パネル200が配置される。このため、図2に示すように、隣接する表示パネル200の側面(例えば、第1の基板202の側面同士)が互いに接するように、表示パネル200を配置することが可能となる。このため、隣接する表示パネル200間に隙間を設ける必要がなく、表示パネル200間のつなぎ目を目立たなくすることができる。その結果、高品質の画像を提供することができる。   As described above, a concave portion is provided on the side surface of the first substrate 202, and the connection pads 208, 212, and 232 are provided so as to cover the concave portion. Therefore, the connection pad also has a recess, and the display panel 200 is arranged so that the conductive bump 120 is located in the recess. Therefore, as shown in FIG. 2, the display panels 200 can be arranged so that the side surfaces of the adjacent display panels 200 (for example, the side surfaces of the first substrate 202) are in contact with each other. For this reason, it is not necessary to provide a gap between the adjacent display panels 200, and the joint between the display panels 200 can be made inconspicuous. As a result, a high quality image can be provided.

さらに上述したように、全て同じ構造の表示パネル200を用いて表示装置100を作製することができる。したがって、低コストで大型の表示パネルを形成することが可能であり、ベース基板102の大きさと、そこに設けられる配線の積層構造を変えるだけで、任意のサイズの表示装置100を提供することが可能である。   Further, as described above, the display device 100 can be manufactured using the display panel 200 having the same structure. Accordingly, a large display panel can be formed at low cost, and the display device 100 having an arbitrary size can be provided only by changing the size of the base substrate 102 and the stacked structure of wirings provided there. Is possible.

(第2実施形態)
本実施形態では、表示パネル200の作製方法を、図8乃至図18を用いて説明する。図8は画素214の上面模式図であり、図9乃至図15は、図8に示す鎖線E−E’、F−F’に沿った断面に相当する。図16乃至図18は、表示パネル200の上面模式図である。第1実施形態で述べた構成に関しては、説明を割愛することがある。
(Second Embodiment)
In this embodiment, a method for manufacturing the display panel 200 will be described with reference to FIGS. 8 is a schematic top view of the pixel 214, and FIGS. 9 to 15 correspond to cross sections taken along chain lines EE ′ and FF ′ shown in FIG. 16 to 18 are schematic top views of the display panel 200. FIG. Description of the configuration described in the first embodiment may be omitted.

図8に示すように、各画素214は、トランジスタや発光素子などの半導体素子を有する。図8は、一つの画素214に二つのトランジスタ242、244と発光素子282が設けられる例を示すが、各画素214のトランジスタの数に制限はなく、また、容量素子などの他の半導体素子が設けられていてもよい。   As shown in FIG. 8, each pixel 214 includes a semiconductor element such as a transistor or a light emitting element. FIG. 8 illustrates an example in which two transistors 242 and 244 and a light-emitting element 282 are provided in one pixel 214. However, the number of transistors in each pixel 214 is not limited, and other semiconductor elements such as a capacitor element are provided. It may be provided.

図8に示すように、トランジスタ242は半導体膜254を有している。配線216の一部は半導体膜254と重なり、トランジスタ242のゲート電極の一部を形成する。換言すると、配線216はトランジスタ242のゲート電極と電気的に接続されている。配線216は、例えば、トランジスタ242に走査信号を供給することができる。配線218はトランジスタ242のソース/ドレイン電極の一部を形成し、トランジスタ242と電気的に接続される。配線218は、例えば、トランジスタ242に映像信号を供給することができる。配線220もトランジスタ244のソース/ドレイン電極の一部を形成し、トランジスタ244と電気的に接続される。配線220は、例えばトランジスタ244を介して発光素子282の画素電極246に電流を供給することができる。   As illustrated in FIG. 8, the transistor 242 includes a semiconductor film 254. Part of the wiring 216 overlaps with the semiconductor film 254 and forms part of the gate electrode of the transistor 242. In other words, the wiring 216 is electrically connected to the gate electrode of the transistor 242. For example, the wiring 216 can supply a scan signal to the transistor 242. The wiring 218 forms part of the source / drain electrode of the transistor 242 and is electrically connected to the transistor 242. For example, the wiring 218 can supply a video signal to the transistor 242. The wiring 220 also forms part of the source / drain electrode of the transistor 244 and is electrically connected to the transistor 244. The wiring 220 can supply current to the pixel electrode 246 of the light-emitting element 282 through the transistor 244, for example.

発光素子282は画素電極246、およびその上に設けられる対向電極250を有し、後述するEL層280が画素電極246と対向電極250との間に設けられる。図8に示すように、対向電極250は複数の画素214にわたって形成される。すなわち、対向電極250は複数の画素214に共有される。以下、表示パネル200の作製方法を具体的に示す。   The light-emitting element 282 includes a pixel electrode 246 and a counter electrode 250 provided thereon, and an EL layer 280 described later is provided between the pixel electrode 246 and the counter electrode 250. As shown in FIG. 8, the counter electrode 250 is formed over a plurality of pixels 214. That is, the counter electrode 250 is shared by the plurality of pixels 214. Hereinafter, a method for manufacturing the display panel 200 will be specifically described.

まず、第1の基板202上に下地膜252を形成する(図9(A))。第1の基板202は、トランジスタ242、244や発光素子282などの半導体素子を支持する機能を有する。したがって第1の基板202には、この上に形成される各種素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、第1の基板202はガラスや石英、プラスチック、セラミックなどを含むことができる。   First, the base film 252 is formed over the first substrate 202 (FIG. 9A). The first substrate 202 has a function of supporting semiconductor elements such as the transistors 242 and 244 and the light-emitting element 282. Therefore, the first substrate 202 may be made of a material having heat resistance to process temperatures of various elements formed thereon and chemical stability to chemicals used in the process. Specifically, the first substrate 202 can include glass, quartz, plastic, ceramic, or the like.

下地膜252は任意の構成の一つであり、第1の基板202からアルカリ金属などの不純物がトランジスタ242、244などへ拡散することを防ぐ機能を有する膜である。下地膜252は、窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜252は化学気相成長法(CVD法)やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる   The base film 252 is one of arbitrary structures, and has a function of preventing impurities such as alkali metal from diffusing from the first substrate 202 to the transistors 242 and 244 and the like. The base film 252 can include an inorganic insulator such as silicon nitride, silicon oxide, silicon nitride oxide, or silicon oxynitride. The base film 252 can be formed to have a single layer or a stacked structure by applying a chemical vapor deposition method (CVD method), a sputtering method, or the like.

次に下地膜252上に半導体膜254を形成する。半導体膜254は例えばケイ素などの14族元素、あるいは酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、第13族元素や第14族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物(IGO)やインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物(IGZO)が挙げられる。半導体膜254がケイ素を含む場合、半導体膜254は、シランガスなどを原料として用い、CVD法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜254が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。   Next, a semiconductor film 254 is formed over the base film 252. The semiconductor film 254 may include, for example, a group 14 element such as silicon or an oxide semiconductor. As the oxide semiconductor, a Group 13 element or a Group 14 element can be included. For example, a mixed oxide (IGO) of indium and gallium or a mixed oxide (IGZO) including indium, gallium, and zinc can be given. . In the case where the semiconductor film 254 contains silicon, the semiconductor film 254 may be formed by a CVD method using silane gas or the like as a raw material. The resulting amorphous silicon may be crystallized by heat treatment or irradiation with light such as a laser. In the case where the semiconductor film 254 includes an oxide semiconductor, the semiconductor film 254 can be formed by a sputtering method or the like.

次に半導体膜254を覆うようにゲート絶縁膜256を形成する。ゲート絶縁膜256は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜252と同様の手法で形成することができる。あるいは、酸化ハフニウムやハフニウムシリケートなどの高い誘電率を有する無機化合物を用いてもよい。   Next, a gate insulating film 256 is formed so as to cover the semiconductor film 254. The gate insulating film 256 may have a single-layer structure or a stacked structure, and can be formed by a method similar to that of the base film 252. Alternatively, an inorganic compound having a high dielectric constant such as hafnium oxide or hafnium silicate may be used.

引き続き、ゲート絶縁膜256上に、配線216をスパッタリング法やCVD法を用いて形成する。その際、半導体膜254が重なる配線216の一部がゲート電極258として機能する(図9(B))。この時、トランジスタ244のゲート電極260も同時に形成する。したがって、配線216とゲート電極260は同一の層に存在する。配線216やゲート電極260はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。   Subsequently, a wiring 216 is formed over the gate insulating film 256 by a sputtering method or a CVD method. At that time, part of the wiring 216 over which the semiconductor film 254 overlaps functions as the gate electrode 258 (FIG. 9B). At this time, the gate electrode 260 of the transistor 244 is also formed at the same time. Therefore, the wiring 216 and the gate electrode 260 exist in the same layer. The wiring 216 and the gate electrode 260 can be formed using a metal such as titanium, aluminum, copper, molybdenum, tungsten, or tantalum or an alloy thereof so as to have a single layer or a stacked structure. For example, a structure in which a metal having a relatively high melting point such as titanium, tungsten, or molybdenum and a metal having high conductivity such as aluminum or copper is sandwiched can be employed.

次に配線216(ゲート電極258)上に層間膜262を形成する(図9(B))。層間膜262は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜252と同様の手法で形成することができる。   Next, an interlayer film 262 is formed over the wiring 216 (gate electrode 258) (FIG. 9B). The interlayer film 262 may have a single-layer structure or a stacked structure, and can be formed by a method similar to that of the base film 252.

次に、層間膜262とゲート絶縁膜256に対してエッチングを行い、半導体膜254に達する開口部を形成する(図10(A))。開口部は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。この際、接続パッド208、212、あるいは232が形成される領域の下地膜252、ゲート絶縁膜256、層間膜262を除去することができる(F−F’断面参照)。   Next, the interlayer film 262 and the gate insulating film 256 are etched to form openings that reach the semiconductor film 254 (FIG. 10A). The opening can be formed, for example, by performing plasma etching in a gas containing fluorine-containing hydrocarbon. At this time, the base film 252, the gate insulating film 256, and the interlayer film 262 in the region where the connection pads 208, 212, or 232 are formed can be removed (see the section F-F ′).

引き続き、開口部を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、配線218を形成する(図10(B))。半導体膜254と重なる配線218の一部がトランジスタ242のソース/ドレイン電極として機能する。この際、配線220やトランジスタ244の半導体膜(図8参照)と重なるソース/ドレイン電極、トランジスタ242のソース/ドレイン電極264も形成される。金属膜は配線216と同様の構造を有することができ、配線216の形成と同様の方法を用いて形成することができる。以上の工程により、トランジスタ242、244が形成される。なお、本開示では、トランジスタ242、244の構造に制限はなく、トップゲート型、ボトムゲート型いずれの構造を有してもよい。また、半導体膜とソース/ドレイン電極との上下関係にも制限はない。   Subsequently, a metal film is formed so as to cover the opening, and etching is performed to form the wiring 218 (FIG. 10B). Part of the wiring 218 overlapping with the semiconductor film 254 functions as a source / drain electrode of the transistor 242. At this time, source / drain electrodes overlapping the wiring 220 and the semiconductor film of the transistor 244 (see FIG. 8) and the source / drain electrodes 264 of the transistor 242 are also formed. The metal film can have a structure similar to that of the wiring 216 and can be formed using a method similar to the formation of the wiring 216. Through the above steps, the transistors 242 and 244 are formed. Note that in this disclosure, the structure of the transistors 242 and 244 is not limited, and may have either a top-gate structure or a bottom-gate structure. Further, there is no restriction on the vertical relationship between the semiconductor film and the source / drain electrodes.

次に平坦化膜266を、配線218や220、ソース/ドレイン電極264を覆うように形成する(図11(A))。平坦化膜266は、トランジスタ242、244やその他の半導体素子に起因する凹凸や傾斜を吸収し、平坦な面を与える機能を有する。平坦化膜266は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、スピンコート法やディップコーティング法、インクジェット法、印刷法などの湿式成膜法などによって形成することができる。   Next, a planarization film 266 is formed so as to cover the wirings 218 and 220 and the source / drain electrodes 264 (FIG. 11A). The planarization film 266 has a function of absorbing unevenness and inclination caused by the transistors 242 and 244 and other semiconductor elements to give a flat surface. The planarization film 266 can be formed using an organic insulator. Examples of organic insulators include polymer materials such as epoxy resins, acrylic resins, polyimides, polyamides, polyesters, polycarbonates, and polysiloxanes. Wet film formation methods such as spin coating, dip coating, ink jet, and printing Can be formed.

次に平坦化膜266に対してエッチングを行い、トランジスタ244のソース/ドレイン電極の一方に達する開口部248を形成する(図8参照)。この際、接続パッド208、212、あるいは232が形成される領域の平坦化膜266を除去してもよい(図11(B))。その後開口部248を覆うように、平坦化膜266上に画素電極246をスパッタリング法や蒸着法などを用いて形成する(図8、12(A))。この時、同時に配線230を形成する。画素電極246は透光性を有する導電性酸化物、あるいは金属などを含有することができる。発光素子から得られる光を第1の基板202とは逆方向に取り出す場合、アルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を画素電極246に用いることができる。この場合、上記金属や合金、および透光性を有する導電性酸化物との積層構造、例えば金属を導電性酸化物で挟持した積層構造(導電性酸化物/銀/導電性酸化物)を採用してもよい。導電性酸化物としては、インジウム―スズ酸化物(ITO)やインジウム―亜鉛酸化物(IZO)を用いることができる。配線230は画素電極246と同じ構造を有することもでき、あるいは画素電極246が含む金属だけを用いて形成してもよい。   Next, the planarization film 266 is etched to form an opening 248 that reaches one of the source / drain electrodes of the transistor 244 (see FIG. 8). At this time, the planarization film 266 in a region where the connection pads 208, 212, or 232 are formed may be removed (FIG. 11B). After that, a pixel electrode 246 is formed over the planarization film 266 by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like so as to cover the opening 248 (FIGS. 8 and 12A). At this time, the wiring 230 is formed at the same time. The pixel electrode 246 can contain a light-transmitting conductive oxide, a metal, or the like. In the case where light obtained from the light-emitting element is extracted in a direction opposite to that of the first substrate 202, a metal such as aluminum or silver or an alloy thereof can be used for the pixel electrode 246. In this case, a laminated structure of the above metal or alloy and a light-transmitting conductive oxide, for example, a laminated structure in which a metal is sandwiched between conductive oxides (conductive oxide / silver / conductive oxide) is employed. May be. As the conductive oxide, indium-tin oxide (ITO) or indium-zinc oxide (IZO) can be used. The wiring 230 may have the same structure as the pixel electrode 246 or may be formed using only a metal included in the pixel electrode 246.

引き続き、画素電極246の端部を覆うように、隔壁268を形成する(図12(B))。隔壁268により、画素電極246などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素214の画素電極246を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁268は絶縁膜であり、エポキシ樹脂やアクリル樹脂など、平坦化膜266で使用可能な材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。   Subsequently, a partition 268 is formed so as to cover an end portion of the pixel electrode 246 (FIG. 12B). The partition wall 268 can absorb a step due to the pixel electrode 246 and the like, and can electrically insulate the pixel electrodes 246 of the adjacent pixels 214 from each other. A partition 268 is an insulating film and can be formed by a wet film formation method using a material that can be used for the planarization film 266 such as an epoxy resin or an acrylic resin.

次に、接続パッド208、212、232を形成する領域において、第1の基板202に貫通孔270を形成する(図13(A))。貫通孔270はサンドブラスト加工、レーザー加工などの物理的方法や、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング、あるいはフッ酸などを用いるウエットエッチングによって形成すればよい。あるいは、これらの方法を用いて第1の基板202に窪みを形成し、その後第1の基板202の底面を研磨して貫通孔270を形成してもよい。貫通孔270の形状に制限はなく、第1の基板202の上面における形状は、円形、楕円形、多角形、いずれでもよい。また、貫通孔270の内壁は常に第1の基板202の上面に対して垂直である必要は無く、貫通孔270の第1の基板202の上面に平行な面における面積は、一定でなくてもよい。この段階における表示パネル200の上面模式図を図16に示す。   Next, a through hole 270 is formed in the first substrate 202 in a region where the connection pads 208, 212, and 232 are formed (FIG. 13A). The through hole 270 may be formed by a physical method such as sandblasting or laser processing, dry etching such as reactive ion etching, or wet etching using hydrofluoric acid. Alternatively, the through hole 270 may be formed by forming a recess in the first substrate 202 using these methods, and then polishing the bottom surface of the first substrate 202. The shape of the through hole 270 is not limited, and the shape on the upper surface of the first substrate 202 may be any of a circle, an ellipse, and a polygon. In addition, the inner wall of the through hole 270 does not always need to be perpendicular to the upper surface of the first substrate 202, and the area of the through hole 270 in the plane parallel to the upper surface of the first substrate 202 is not necessarily constant. Good. A schematic top view of the display panel 200 at this stage is shown in FIG.

次に、導電層272を、貫通孔270の内部、およびその周辺に形成する(図13(B))。導電層272は、例えば蒸着法、あるいはスパッタリング法などによって形成することができる。導電層272には、チタンやクロム、アルミニウム、銅、あるいはこれらの合金などを使用することができる。なお、導電層272の形成前に、例えば酸化ケイ素などを含む絶縁膜で導電層272が形成される領域をコーティングしてもよい。また、任意の構成として、導電層272の形成後、さらに導電層を蒸着法などによって形成してもよい。この場合、例えば銅や銀、金などの金属を導電層に使用することができる。   Next, a conductive layer 272 is formed inside and around the through hole 270 (FIG. 13B). The conductive layer 272 can be formed by, for example, an evaporation method or a sputtering method. For the conductive layer 272, titanium, chromium, aluminum, copper, an alloy thereof, or the like can be used. Note that before the conductive layer 272 is formed, a region where the conductive layer 272 is formed may be coated with an insulating film containing, for example, silicon oxide. Further, as an arbitrary configuration, after the conductive layer 272 is formed, a conductive layer may be further formed by an evaporation method or the like. In this case, for example, a metal such as copper, silver, or gold can be used for the conductive layer.

次に、接続パッド208、212、あるいは232を形成する領域、すなわち貫通孔270の内部とその周辺をマスクで覆う。例えば感光性のフィルム状レジストを第1の基板202の両面に形成し、フォトリソグラフィーによって貫通孔270の内部とその周辺のレジストを除去する。この状態で導電層272に給電して電解めっきを行う。これにより、導電層272の表面に接続パッド208、212、232が形成される(図14(A))。接続パッド208、212、232は、配線216、218、220、230の一部を覆うように形成される。接続パッド208、212、232は、例えば銅や銀、金などを含むことができる。この段階における表示パネル200の上面模式図を図17に示す。なお、図示しないが、電解めっきは、接続パッド208、212、232が貫通孔270の内部を埋めるように行ってもよい。   Next, a region where the connection pads 208, 212, or 232 are formed, that is, the inside and the periphery of the through hole 270 are covered with a mask. For example, a photosensitive film resist is formed on both surfaces of the first substrate 202, and the resist in and around the through hole 270 is removed by photolithography. In this state, power is supplied to the conductive layer 272 to perform electrolytic plating. Thus, connection pads 208, 212, and 232 are formed on the surface of the conductive layer 272 (FIG. 14A). The connection pads 208, 212, and 232 are formed so as to cover a part of the wirings 216, 218, 220, and 230. The connection pads 208, 212, and 232 can include, for example, copper, silver, gold, or the like. A schematic top view of the display panel 200 at this stage is shown in FIG. Although not shown, the electrolytic plating may be performed so that the connection pads 208, 212, and 232 fill the inside of the through hole 270.

次に発光素子282を形成する。具体的には、画素電極246、隔壁268上にEL層280を形成する(図14(B))。図14(B)では、EL層280は単一の層として描かれているが、EL層280の構造に制約はない。EL層280は複数の層から形成されてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層など適宜を組み合わせてEL層280を形成することができる。隣接する画素214間でEL層280の構造が異なってもよい。例えば隣接する画素214間で発光層が異なり、他の層が同一の構造を有するようにEL層280を形成してもよい。逆に全ての画素214において同一のEL層280を用いてもよい。EL層280は上述したインクジェット法やスピンコーティング法、あるいは蒸着法などによって形成することができる。なお、EL層280を設置しない領域は、メタルマスクで覆うことで形成することができる。   Next, a light emitting element 282 is formed. Specifically, an EL layer 280 is formed over the pixel electrode 246 and the partition 268 (FIG. 14B). In FIG. 14B, although the EL layer 280 is drawn as a single layer, the structure of the EL layer 280 is not limited. The EL layer 280 may be formed of a plurality of layers. For example, the EL layer 280 can be formed by appropriately combining a carrier injection layer, a carrier transport layer, a light emitting layer, a carrier blocking layer, an exciton blocking layer, and the like. The structure of the EL layer 280 may be different between adjacent pixels 214. For example, the EL layer 280 may be formed so that the light emitting layers are different between adjacent pixels 214 and the other layers have the same structure. Conversely, the same EL layer 280 may be used in all the pixels 214. The EL layer 280 can be formed by the above-described inkjet method, spin coating method, vapor deposition method, or the like. Note that a region where the EL layer 280 is not provided can be formed by covering with a metal mask.

引き続きEL層280上に対向電極250を形成する(図14(B))。これにより、発光素子282が形成される。対向電極250は、その一部が配線230と接続されるように形成される。対向電極250は、例えばマグネシウムや銀、アルミニウムなどの金属、もしくはこれらの合金を用いることができる。あるいはITOやIZOなどの導電性酸化物を用いてもよい。あるいは上記金属を含有する層と導電性酸化物を有する層を積層してもよい。対向電極250は蒸着法やスパッタリング法などによって形成することができる。画素電極246とEL層280が直接接する領域が各画素214の発光領域である。   Subsequently, the counter electrode 250 is formed over the EL layer 280 (FIG. 14B). Thereby, the light emitting element 282 is formed. The counter electrode 250 is formed so that a part thereof is connected to the wiring 230. For the counter electrode 250, for example, a metal such as magnesium, silver, or aluminum, or an alloy thereof can be used. Alternatively, a conductive oxide such as ITO or IZO may be used. Alternatively, a layer containing the metal and a layer having a conductive oxide may be stacked. The counter electrode 250 can be formed by vapor deposition or sputtering. A region where the pixel electrode 246 and the EL layer 280 are in direct contact is a light emitting region of each pixel 214.

次に封止材210を用い、第2の基板204を第1の基板202上に接着し、発光素子282を封止する(図15(A))。封止は窒素などの不活性ガスの雰囲気下で行えばよい。封止材210としては、熱硬化型、あるいは光硬化型の樹脂を使用することができる。第2の基板204は、第1の基板202で使用可能な材料を含むことができる。封止する際、第1の基板202と第2の基板204の間に乾燥剤を封入してもよい。   Next, the second substrate 204 is bonded to the first substrate 202 with the sealant 210, and the light-emitting element 282 is sealed (FIG. 15A). Sealing may be performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen. As the sealing material 210, a thermosetting resin or a photocurable resin can be used. The second substrate 204 can include materials that can be used in the first substrate 202. When sealing, a desiccant may be sealed between the first substrate 202 and the second substrate 204.

次に、貫通孔270に沿って第1の基板202を切断する(図17中の鎖線参照)。切断はレーザ照射、あるいはカッターなどを用いて行えばよい。これにより、第1の基板202の側面に凹部が形成されるとともに、これらを覆う接続パッド208、212、232が形成される(図15(B))。この段階における上面図を図18に示す。   Next, the first substrate 202 is cut along the through hole 270 (see the chain line in FIG. 17). Cutting may be performed using laser irradiation or a cutter. As a result, recesses are formed on the side surfaces of the first substrate 202, and connection pads 208, 212, and 232 that cover these are formed (FIG. 15B). A top view at this stage is shown in FIG.

以上のプロセスにより、表示パネル200を作製することができる。接続パッド208、212、232の凹部内に導電バンプ120を配置するように表示パネル200をベース基板102上に設置することで(図7)、表示装置100を作製することができる。   Through the above process, the display panel 200 can be manufactured. By disposing the display panel 200 on the base substrate 102 so as to dispose the conductive bumps 120 in the recesses of the connection pads 208, 212, and 232 (FIG. 7), the display device 100 can be manufactured.

(第3実施形態)
本実施形態では、表示パネル200と異なる構造を有する表示パネルに関し、図19乃至図22を用いて説明する。第1、第2実施形態で述べた構成に関しては、説明を割愛することがある。
(Third embodiment)
In this embodiment, a display panel having a structure different from that of the display panel 200 will be described with reference to FIGS. Description of the configurations described in the first and second embodiments may be omitted.

図19に示す表示パネル300は、全ての配線216に接続される接続パッド208が一つの側面(図19では第1の側面222)に位置する点が表示パネル200と相違する。例えばベース基板102上に駆動回路を一つだけ設置する場合、このような構造を採用することで、ベース基板102内に設けられる配線の構造を簡潔にすることができる。   The display panel 300 shown in FIG. 19 is different from the display panel 200 in that the connection pads 208 connected to all the wirings 216 are located on one side surface (first side surface 222 in FIG. 19). For example, when only one driving circuit is provided on the base substrate 102, the structure of the wiring provided in the base substrate 102 can be simplified by adopting such a structure.

図20に示す表示パネル302は、一つの配線216に接続される一対の接続パッド208が、互いにその位置がずれている点で表示パネル300と相違する。具体的には、各配線216において、配線216が伸びる方向(第1の側面222に垂直な方向)に対して平行な側面である第3の側面226(あるいは第4の側面228)から接続パッド208までの距離が互いに異なる。ここでは、配線216は折れ曲がり構造を有する。このように接続パッド208を配置することで、隣接する表示パネル200間で、配線216が電気的に接続されることを防ぐことができる。   A display panel 302 shown in FIG. 20 is different from the display panel 300 in that a pair of connection pads 208 connected to one wiring 216 are displaced from each other. Specifically, in each wiring 216, the connection pad extends from the third side surface 226 (or the fourth side surface 228) that is a side surface parallel to the direction in which the wiring 216 extends (the direction perpendicular to the first side surface 222). The distances up to 208 are different from each other. Here, the wiring 216 has a bent structure. By arranging the connection pads 208 in this way, it is possible to prevent the wiring 216 from being electrically connected between the adjacent display panels 200.

図21に示す表示装置304は、配線218、220の各々に接続される一対の接続パッド212が、互いにその位置が一致している点で表示パネル302と相違する。具体的には、各配線218、220において、これらの配線が伸びる方向に平行な側面(例えば第1の側面222、あるいは第2の側面224)から接続パッド212までの距離が互いに同じである。図示していないが、接続パッド208も同様の構成を有していてもよい。   A display device 304 shown in FIG. 21 is different from the display panel 302 in that a pair of connection pads 212 connected to each of the wirings 218 and 220 coincide with each other. Specifically, in each of the wirings 218 and 220, the distance from the side surface (for example, the first side surface 222 or the second side surface 224) parallel to the direction in which these wirings extend to the connection pad 212 is the same. Although not shown, the connection pad 208 may have the same configuration.

この場合、図22に示すように、隣接する表示パネル304が互いにずれるように、複数の表示パネル304を配置することで、隣接する表示パネル304間で対応する配線同士の接続を防止することができる。より具体的には、互いに隣接する表示パネル304の配線(例えば配線218)が、異なる直線上に位置するように、表示パネル304を配置する。互いに隣接する表示パネル304の対応する配線218が形成する二つの直線間の距離L5は、画素214のピッチよりも小さくすることができ、例えばピッチの1/2とすればよい。   In this case, as shown in FIG. 22, by arranging a plurality of display panels 304 so that the adjacent display panels 304 are displaced from each other, it is possible to prevent connection of corresponding wirings between the adjacent display panels 304. it can. More specifically, the display panel 304 is arranged so that the wirings (for example, the wirings 218) of the display panels 304 adjacent to each other are positioned on different straight lines. The distance L5 between two straight lines formed by the corresponding wirings 218 of the display panels 304 adjacent to each other can be made smaller than the pitch of the pixels 214, and may be, for example, ½ of the pitch.

(第4実施形態)
本実施形態では、図5、6で示したベース基板102の作製方法に関し、図23、24を用いて説明する。図23、24は図6の断面に相当する。
(Fourth embodiment)
In this embodiment, a method for manufacturing the base substrate 102 illustrated in FIGS. 5 and 6 will be described with reference to FIGS. 23 and 24 correspond to the cross section of FIG.

まず、絶縁部材140a上に、第一層目の配線110cを形成する(図23(A))。絶縁部材140aとしては第1の基板202と同様の材料を含むことができる。高分子材料を含む場合には、高分子材料はエポキシ樹脂、ポリカーボナート、ポリイミド、フェノール樹脂などから選択してもよい。また、これらの高分子材料にガラス繊維などの補強材が含まれてもよい。なお、絶縁部材140aをガラス基板上に形成し、その後配線110cを形成してもよい。配線110cは、金、銀、銅、アルミニウムなどの金属、あるいはこれらを含む合金などを含むことができ、電解めっき法、スパッタリング法、CVD法、印刷法、インクジェット法、ラミネート法などによって形成することができる。インクジェット法や印刷法を用いる場合、上記金属の微粒子と樹脂が混合された金属ペーストを用いることができる。   First, the first layer wiring 110c is formed over the insulating member 140a (FIG. 23A). The insulating member 140a can include a material similar to that of the first substrate 202. When a polymer material is included, the polymer material may be selected from epoxy resin, polycarbonate, polyimide, phenol resin, and the like. Further, a reinforcing material such as glass fiber may be included in these polymer materials. Note that the insulating member 140a may be formed over a glass substrate, and then the wiring 110c may be formed. The wiring 110c can include a metal such as gold, silver, copper, and aluminum, or an alloy including these, and is formed by an electrolytic plating method, a sputtering method, a CVD method, a printing method, an inkjet method, a lamination method, or the like. Can do. When an inkjet method or a printing method is used, a metal paste in which the metal fine particles and the resin are mixed can be used.

この後、上述した高分子材料を用いて絶縁部材140bを形成する(図23(B))。絶縁部材140bは印刷法、インクジェット法、ラミネート法、スピンコート法、ディップコーティング法などを用いて形成することができる。   After that, the insulating member 140b is formed using the above-described polymer material (FIG. 23B). The insulating member 140b can be formed using a printing method, an inkjet method, a laminating method, a spin coating method, a dip coating method, or the like.

引き続き、配線110c、絶縁部材140bの形成と同様に、配線108b、絶縁部材140cなどを順次形成する(図23(C))。   Subsequently, similarly to the formation of the wiring 110c and the insulating member 140b, the wiring 108b, the insulating member 140c, and the like are sequentially formed (FIG. 23C).

次に、絶縁部材140に対し、レーザー加工や、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング、あるいはウエットエッチングを行い、各配線層へ達する開口部144を形成する(図24(A))。   Next, the insulating member 140 is subjected to laser processing, dry etching such as reactive ion etching, or wet etching to form an opening 144 reaching each wiring layer (FIG. 24A).

引き続ぎ、開口部144にビア142を形成する。ビア142は電解めっき法により形成することができ、銅や銀、金、アルミニウム、あるいはこれらの合金を含むことができる。ビア142は、最上層の絶縁部材140gの上面にも形成することが好ましい。   Subsequently, a via 142 is formed in the opening 144. The via 142 can be formed by an electrolytic plating method, and can include copper, silver, gold, aluminum, or an alloy thereof. The via 142 is preferably formed also on the upper surface of the uppermost insulating member 140g.

次に、例えば印刷法を用いて金属ペーストをビア142上に塗布し、加熱・硬化し、導電バンプ120が形成される(図6)。   Next, a metal paste is applied onto the via 142 using, for example, a printing method, heated and cured, and the conductive bump 120 is formed (FIG. 6).

以上の工程により、ベース基板102を作製することができる。この後、必要となる枚数の表示パネル200をベース基板102上に配置することにより、表示装置100を作製することができる。   Through the above steps, the base substrate 102 can be manufactured. Thereafter, the display device 100 can be manufactured by arranging the required number of display panels 200 on the base substrate 102.

なお、ベース基板102上に形成される駆動回路104、106は、ビア142の形成前、あるいは導電バンプ120の形成後に行うことができるが、導電バンプ120やビア142からの金属の転位による半導体膜の汚染を防ぐため、ビア142の形成前に駆動回路104、106を形成することが好ましい。駆動回路104、106にはトランジスタなどの種々の半導体素子が含まれるが、これらは表示パネル200の作製方法を援用することで形成することが可能である。あるいは上述したように、異なる基板上に駆動回路104、106を形成し、最上層の絶縁部材140gへ固定してもよい。   Note that the driver circuits 104 and 106 formed over the base substrate 102 can be performed before the via 142 is formed or after the conductive bump 120 is formed, but a semiconductor film formed by metal dislocation from the conductive bump 120 or the via 142 is used. In order to prevent contamination, it is preferable to form the drive circuits 104 and 106 before the via 142 is formed. The driver circuits 104 and 106 include various semiconductor elements such as transistors, which can be formed by using a method for manufacturing the display panel 200. Alternatively, as described above, the drive circuits 104 and 106 may be formed on different substrates and fixed to the uppermost insulating member 140g.

本開示の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったものも、本開示の要旨を備えている限り、本開示の範囲に含まれる。   The embodiments described above as the embodiments of the present disclosure can be implemented in appropriate combination as long as they do not contradict each other. In addition, components that are appropriately added, deleted, or changed in design by those skilled in the art based on each embodiment are also included in the scope of the present disclosure as long as they include the gist of the present disclosure.

また、上述した各実施形態によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと理解される。   Of course, other operational effects that are different from the operational effects provided by each of the above-described embodiments are obvious from the description of the present specification or can be easily predicted by those skilled in the art. It is understood that this disclosure provides.

100:表示装置、102:ベース基板、104:駆動回路、106:駆動回路、108:配線、108a:配線、108b:配線、108c:配線、110:配線、110a:配線、110b:配線、110c:配線、112:配線、114:コネクタ、120:導電バンプ、130:封止基板、134:封止材、140:絶縁部材、140a:絶縁部材、140b:絶縁部材、140c:絶縁部材、140d:絶縁部材、140e:絶縁部材、140f:絶縁部材、140g:絶縁部材、142:ビア、144:開口部、200:表示パネル、202:第1の基板、204:第2の基板、206:表示領域、208:接続パッド、210:封止材、212:接続パッド、214:画素、216:配線、218:配線、220:配線、222:第1の側面、224:第2の側面、226:第3の側面、228:第4の側面、230:配線、232:接続パッド、242:トランジスタ、244:トランジスタ、246:画素電極、248:開口部、250:対向電極、252:下地膜、254:半導体膜、256:ゲート絶縁膜、258:ゲート電極、260:ゲート電極、262:層間膜、264:ドレイン電極、266:平坦化膜、268:隔壁、270:貫通孔、272:導電層、280:EL層、282:発光素子、300:表示パネル、302:表示パネル、304:表示パネル   100: display device, 102: base substrate, 104: drive circuit, 106: drive circuit, 108: wiring, 108a: wiring, 108b: wiring, 108c: wiring, 110: wiring, 110a: wiring, 110b: wiring, 110c: Wiring: 112: wiring, 114: connector, 120: conductive bump, 130: sealing substrate, 134: sealing material, 140: insulating member, 140a: insulating member, 140b: insulating member, 140c: insulating member, 140d: insulating 140e: insulating member, 140f: insulating member, 140g: insulating member, 142: via, 144: opening, 200: display panel, 202: first substrate, 204: second substrate, 206: display region, 208: connection pad, 210: sealing material, 212: connection pad, 214: pixel, 216: wiring, 218: wiring, 220: wiring, 22 : First side, 224: second side, 226: third side, 228: fourth side, 230: wiring, 232: connection pad, 242: transistor, 244: transistor, 246: pixel electrode, 248 : Opening, 250: counter electrode, 252: base film, 254: semiconductor film, 256: gate insulating film, 258: gate electrode, 260: gate electrode, 262: interlayer film, 264: drain electrode, 266: flattening film 268: Partition, 270: Through hole, 272: Conductive layer, 280: EL layer, 282: Light emitting element, 300: Display panel, 302: Display panel, 304: Display panel

Claims (20)

基板と、
前記基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、
前記基板上に位置し、前記発光素子と電気的に接続される第1の配線と、
前記基板の第1の側面を覆い、前記第1の配線と電気的に接続される第1の接続パッドを有する表示パネル。
A substrate,
A plurality of pixels located on the substrate and having a light emitting element;
A first wiring located on the substrate and electrically connected to the light emitting element;
A display panel having a first connection pad that covers a first side surface of the substrate and is electrically connected to the first wiring.
前記第1の側面は、前記第1の接続パッドに覆われる凹部を有する、請求項1に記載の表示パネル。   The display panel according to claim 1, wherein the first side surface has a recess that is covered with the first connection pad. 前記第1の接続パッドは、前記第1の配線を覆う、請求項1に記載の表示パネル。   The display panel according to claim 1, wherein the first connection pad covers the first wiring. 前記第1の配線と電気的に接続され、前記第1の側面と対向する第2の側面を覆う第2の接続パッドを有する、請求項1に記載の表示パネル。   The display panel according to claim 1, further comprising: a second connection pad that is electrically connected to the first wiring and covers a second side surface facing the first side surface. 前記基板は、前記第1の側面と前記第2の側面に垂直な第3の側面を有し、
前記第3の側面と前記第1の接続パッド間の距離は、前記第3の側面と前記第2の接続パッド間の距離と異なる、請求項4に記載の表示パネル。
The substrate has a third side surface perpendicular to the first side surface and the second side surface;
The display panel according to claim 4, wherein a distance between the third side surface and the first connection pad is different from a distance between the third side surface and the second connection pad.
前記第1の配線と交差する第2の配線と、
前記第2の配線と電気的に接続され、前記第1の側面に垂直な第3の側面を覆う第3の接続パッドをさらに有する、請求項1に記載の表示パネル。
A second wiring crossing the first wiring;
The display panel according to claim 1, further comprising a third connection pad that is electrically connected to the second wiring and covers a third side surface perpendicular to the first side surface.
前記第1の配線と前記第2の配線は、トランジスタを介して前記発光素子と電気的に接続される、請求項6に記載の表示パネル。   The display panel according to claim 6, wherein the first wiring and the second wiring are electrically connected to the light emitting element through a transistor. ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する複数の表示パネルを有し、
前記複数の表示パネルはそれぞれ、
基板と、
前記基板上に位置し、発光素子を有する複数の画素と、
前記基板上に位置し、前記発光素子と電気的に接続される第1の配線と、
前記基板の第1の側面を覆い、前記第1の配線と電気的に接続される第1の接続パッドを有する表示装置。
A base substrate;
A plurality of display panels located on the base substrate;
Each of the plurality of display panels is
A substrate,
A plurality of pixels located on the substrate and having a light emitting element;
A first wiring located on the substrate and electrically connected to the light emitting element;
A display device having a first connection pad that covers a first side surface of the substrate and is electrically connected to the first wiring.
前記複数の表示パネルは、m行n列のマトリクス状に配置され、
前記mと前記nは、1より大きい自然数である、請求項8に記載の表示装置。
The plurality of display panels are arranged in a matrix of m rows and n columns,
The display device according to claim 8, wherein m and n are natural numbers greater than one.
前記mと前記nは、2よりも大きく、
前記複数の表示パネルは、互いに同一の構造を有する、請求項9に記載の表示装置。
M and n are greater than 2,
The display device according to claim 9, wherein the plurality of display panels have the same structure.
前記ベース基板は
互いに積層する複数の配線と、
前記複数の配線の一つと電気的に接続される第1の導電バンプを有し、
前記複数の表示パネルの一つの第1の接続パッドは、前記第1の導電バンプと電気的に接続される、請求項9に記載の表示装置。
The base substrate includes a plurality of wirings stacked on each other,
A first conductive bump electrically connected to one of the plurality of wirings;
The display device according to claim 9, wherein one first connection pad of the plurality of display panels is electrically connected to the first conductive bump.
前記複数の表示パネルの各々において、前記第1の側面は、前記第1の接続パッドに覆われる凹部を有する請求項8に記載の表示装置。   9. The display device according to claim 8, wherein in each of the plurality of display panels, the first side surface has a concave portion covered with the first connection pad. 前記複数の表示パネルはそれぞれ、前記第1の配線と電気的に接続され、前記第1の側面と対向する第2の側面を覆う第2の接続パッドを有する、請求項8に記載の表示装置。   9. The display device according to claim 8, wherein each of the plurality of display panels includes a second connection pad that is electrically connected to the first wiring and covers a second side surface facing the first side surface. . 前記複数の表示パネルの各々において、前記第1の接続パッドと前記第2の接続パッドは、前記第1の配線を覆う、請求項13に記載の表示装置。   The display device according to claim 13, wherein in each of the plurality of display panels, the first connection pad and the second connection pad cover the first wiring. 前記複数の表示パネルの各々において、
前記基板は、前記第1の側面と前記第2の側面に垂直な第3の側面を有し、
前記第3の側面と前記第1の接続パッド間の距離は、前記第3の側面と前記第2の接続パッド間の距離と異なる、請求項14に記載の表示装置。
In each of the plurality of display panels,
The substrate has a third side surface perpendicular to the first side surface and the second side surface;
The display device according to claim 14, wherein a distance between the third side surface and the first connection pad is different from a distance between the third side surface and the second connection pad.
前記複数の表示パネルの各々は、
前記第1の配線と交差する第2の配線と、
前記第2の配線と電気的に接続され、前記第1の側面に垂直な第3の側面を覆う第3の接続パッドをさらに有する、請求項8に記載の表示装置。
Each of the plurality of display panels is
A second wiring crossing the first wiring;
The display device according to claim 8, further comprising a third connection pad that is electrically connected to the second wiring and covers a third side surface perpendicular to the first side surface.
前記複数の表示パネルの各々は、前記第1の側面と、前記第1の側面に最も近い画素の間に第3の配線を有し、
前記複数の表示パネルの各々において、
前記発光素子は画素電極を有し、前記画素電極上の対向電極を共有し、
前記第3の配線は、前記対向電極と電気的に接続される、請求項8に記載の表示装置。
Each of the plurality of display panels has a third wiring between the first side surface and a pixel closest to the first side surface,
In each of the plurality of display panels,
The light emitting element has a pixel electrode, and shares a counter electrode on the pixel electrode;
The display device according to claim 8, wherein the third wiring is electrically connected to the counter electrode.
互いに隣接する表示パネルの前記第1の配線は、異なる直線上に伸びるように配置される、請求項8に記載の表示装置。   The display device according to claim 8, wherein the first wirings of display panels adjacent to each other are arranged to extend on different straight lines. 前記第1の側面は、第1の接続パッドに覆われる凹部を有し、
前記第1の導電バンプは、前記凹部に位置し、
隣接する二つの前記表示パネルは互いに接し、前記第1の導電バンプを挟む、請求項11に記載の表示装置。
The first side surface has a recess covered by the first connection pad,
The first conductive bump is located in the recess,
The display device according to claim 11, wherein two adjacent display panels are in contact with each other and sandwich the first conductive bump.
前記第1の配線と前記第2の配線は、トランジスタを介して前記発光素子と電気的に接続される、請求項16に記載の表示装置。   The display device according to claim 16, wherein the first wiring and the second wiring are electrically connected to the light emitting element through a transistor.
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